CN101373728A - 搬送臂的移动位置的调整方法和位置检测用夹具 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种搬送臂的移动位置的调整方法和位置检测用夹具，使用能够搬入到薄型装置的位置检测用夹具，高精度地廉价地进行搬送臂的位置调整。使具有静电电容传感器(150)的位置检测用晶片(S)支撑在搬送臂上，利用该搬送臂搬送位置检测用晶片(S)，并载置到载置部(A)上。然后，利用位置检测用晶片(S)的静电电容传感器(150)，检测载置部(A)的中心孔的位置，检测出载置部(A)上的位置检测用晶片(S)的载置位置。然后，基于位置检测用晶片(S)的载置位置，调整晶片搬送时的搬送臂的移动位置。

Description

搬送臂的移动位置的调整方法和位置检测用夹具
技术领域
本发明涉及向载置基板的载置部搬送基板的搬送臂的移动位置的调整方法和位置检测用夹具。
背景技术
例如半导体设备的制造工艺中的光刻工序，在搭载有抗蚀剂涂敷装置、显影处理装置、热处理装置等多个装置的涂敷显影处理系统中进行。在该涂敷显影处理系统中设有向各装置搬送晶片的搬送装置。
上述搬送装置具有保持晶片的搬送臂，例如该搬送臂在前后方向、左右方向和上下方向进行三维移动，将晶片搬送到各装置。
可是，例如晶片没有被搬送到各装置的规定的载置部，例如没有适当进行晶片的交接，此外没有适当进行晶片的处理。因此，例如当涂敷显影处理系统的立起作业时，确认搬送臂是否将晶片搬送到规定的位置，当偏离晶片的搬送位置时，对搬送臂的搬送目的地的位置进行调整。
作为该位置调整的方法，提案有例如使搭载有CCD照相机的轨迹检测用晶片保持在搬送臂上，利用搬送臂搬送轨迹检测用晶片，利用CCD照相机检测搬送臂的搬送目的地的停止位置(参照专利文献1)。
但是，上述CCD照相机等光学系机器，由于受到焦点距离和聚焦的调整机构等的制约，所以在上下方向需要厚度。因此，对于搬送口的间隙随着近年来薄型化的发展而变窄的装置，存在例如不能搬入上述轨迹检测用晶片，不能适当进行位置调整作业的情况。此外，一般的CCD照相机，位置检测的精度不十分的高，此外高精度的CCD照相机价格高。因此，在使用具备CCD照相机的位置检测用夹具的位置调整中，花费成本。
【专利文献1】日本特开2003-243479号公报
发明内容
本发明是鉴于这种情况而完成的，其目的在于提供一种使用能够搬入到薄型的装置中的高精度的廉价的位置检测用夹具，进行搬送臂的移动位置的调整。
为了达到上述目的，本发明的搬送臂的移动位置的调整方法，其是向载置基板的载置部搬送基板的搬送臂的移动位置的调整方法，其特征在于，包括：使具有能够检测与目标物之间的静电电容从而能够检测出相对于该目标物的相对位置的静电电容传感器的基板形状的位置检测用夹具支撑在搬送臂上的工序；利用上述搬送臂搬送上述位置检测用夹具，并载置在上述载置部上的工序；利用上述位置检测用夹具的静电电容传感器，检测相对于载置部上所形成的目标物的上述位置检测用夹具的位置，从而检测出上述载置部中的位置检测用夹具的载置位置的工序；和基于上述位置检测用夹具的载置位置，调整上述位置检测用夹具的搬送时的上述搬送臂的移动位置的工序。
根据本发明，通过使用静电电容传感器，能够使位置检测用夹具大幅度薄型化。因此，也能够将位置检测用夹具搬入到薄型的装置内，能够适当地进行搬送臂的移动位置的调整。此外，静电电容传感器与光学系的传感器相比，精度高且廉价，因此能够以更高的精度廉价地进行搬送臂的移动位置的调整。
此外，上述搬送臂的移动位置的调整方法，其特征在于：在利用搬送臂使位置检测用夹具移动至载置部的上方、然后利用上述搬送臂使位置检测用夹具下降并载置到载置部上的情况下，具有：在使位置检测用夹具下降之前，利用位置检测用夹具的静电电容传感器，检测相对于载置部上所形成的目标物的上述位置检测用夹具的位置，从而检测出上述载置部的上方的位置检测用夹具的水平方向的位置的工序。
此外，在利用搬送臂使位置检测用夹具移动至载置部的上方、然后将上述位置检测用夹具交接到载置部的升降部件上，然后利用升降部件使位置检测用夹具下降并载置到载置部上的情况下，也可以具有：在使位置检测用夹具下降之前，利用位置检测用夹具的静电电容传感器，检测相对于作为目标物的升降部件的位置检测用夹具的位置，从而检测出上述载置部上方的位置检测用夹具的水平方向的位置的工序。
此外，在利用搬送臂使位置检测用夹具移动至载置部的上方、然后利用上述搬送臂使位置检测用夹具下降并载置到载置部上的情况下，也可以具有：对设置于搬送臂的基板的支撑部和设置在与该支撑部对应的位置的位置检测用夹具的静电电容的电极的距离的变动检测，从而检测出在搬送臂和载置部之间授受位置检测用夹具时的上下方向的位置的工序；以及基于该位置检测用夹具的授受时的上下方向的位置，调整搬送臂的移动位置的工序。
在上述搬送臂的移动位置的调整方法中，也可以对位置检测用夹具被从搬送臂交接到载置部上时，和位置检测用夹具被从载置部交接到搬送臂时的上下方向的位置进行检测。
在利用搬送臂使位置检测用夹具移动至载置部的上方、然后将上述位置检测用夹具交接到载置部的升降部件上、然后利用升降部件使上述位置检测用夹具下降并载置到载置部上的情况下，也可以具有：对搬送臂的位置检测用夹具的支撑部和设置在与该支撑部对应的位置的位置检测用夹具的静电电容的电极的距离的变动进行检测，从而检测出在搬送臂和升降部件之间授受位置检测用夹具时的上下方向的位置的工序；以及基于该位置检测用夹具的授受时的上下方向的位置，调整搬送臂的移动位置的工序。
在上述搬送臂的移动位置的调整方法中，也可以对位置检测用夹具被从搬送臂交接到升降部件上时和位置检测用晶片被从升降部件交接到搬送臂时的上下方向的位置进行检测。
此外，上述搬送臂的移动位置的调整方法，在利用搬送臂使位置检测用夹具移动至载置部的上方、然后使位置检测用夹具下降并载置到载置部上的情况下，也可以具有：在利用搬送臂使位置检测用夹具移动至载置部的上方时，利用位置检测用夹具的静电电容传感器，检测与在载置部上形成的目标物的距离，从而检测出上述载置部的上方的位置检测用夹具的上下方向的位置的工序；和基于该位置检测用夹具的上下方向的位置，调整搬送臂在载置部的上方移动时的上下方向的位置的工序。
在上述载置部具有使载置的基板旋转的功能的情况下，在上述位置检测用夹具的中心设有加速度传感器，在上述载置部上载置位置检测用夹具，利用该载置部使位置检测用夹具旋转，代替上述静电电容传感器利用加速度传感器检测位置检测用夹具的旋转的加速度，从而检测出上述载置部中的位置检测用夹具的载置位置。
此外，上述搬送臂的移动位置的调整方法，具有：在利用搬送臂使位置检测用夹具移动到载置部的上方时，利用上述位置检测用夹具的静电电容传感器，检测与在上述载置部上形成的多个目标物的距离，从而检测出搬送臂中的位置检测用夹具的水平性的工序。
根据另一观点的本发明，是一种位置检测用夹具，用于进行向载置基板的载置部搬送基板的搬送臂的移动位置的调整，其特征在于：具有搬送臂能够搬送的基板形状，具有检测与目标物之间的静电电容的静电电容传感器，上述静电电容传感器，具有：在与目标物之间形成静电电容的静电电容检测电极，和与上述静电电容检测电极连接并控制静电电容的检测动作的控制电路，上述静电电容检测电极，具有设置于基板形状的中心部并且能够检测载置部中心的与目标物的相对位置的第一静电电容检测电极、和设置在与搬送臂的支撑部对应的位置的第二静电电容检测电极。
上述静电电容检测电极也可以具有能够检测与在载置部上升降基板的升降部件的相对位置的第三静电电容检测电极。
上述静电电容检测电极也可以具有在与载置部的上面的多个目标物对应的位置设置的其它的静电电容检测电极。
根据本发明，即使相对于薄型的装置也能够搬入位置检测用夹具，能够高精度地廉价地进行搬送臂的移动位置的调整。
附图说明
图1是表示涂敷显影系统的概略的俯视图。
图2是表示搬送臂的结构的说明图。
图3是表示其它的搬送臂的结构的说明图。
图4是表示涂敷显影系统的内部结构的侧视图。
图5是表示涂敷显影系统的内部结构的侧视图。
图6(a)是表示自转型液处理装置的内部结构的侧视图，图6(b)是自转型液处理装置的内部的俯视图。
图7(a)是表示热处理装置的内部结构的侧视图，图7(b)是热处理装置的内部的俯视图。
图8是表示周边曝光装置的内部结构的说明图。
图9(a)是表示交接装置的内部结构的侧视图，图9(b)是交接装置的内部的俯视图。
图10是表示涂敷显影系统的内部结构的说明图。
图11是表示其它的搬送臂的结构的说明图。
图12是位置检测用晶片的立体图。
图13是表示位置检测用晶片的背面的静电电容检测电极的配置的说明图。
图14是表示位置检测用晶片的第一静电电容检测电极和载置部的表面之间的距离的说明图。
图15(a)是表示搬送臂进入到交接装置内的载置板的上方的样子的说明图，图15(b)是表示位置检测用晶片被交接到升降销的样子的说明图，图15(c)是表示位置检测用晶片被载置到载置板上的样子的说明图。
图16是表示位置检测用晶片内的载置板的中心孔的位置的说明图。
图17(a)是表示搬送臂进入到自转型液处理装置的自转卡盘的上方的样子的说明图，图17(b)是表示位置检测用晶片被交接到升降销的样子的说明图，图17(c)是表示位置检测用晶片被载置到自转卡盘上的样子的说明图。
图18(a)是表示搬送臂进入到热处理装置内的冷却板的上方的样子的说明图，图18(b)是表示位置检测用晶片被载置到冷却板上的样子的说明图。
图19(a)是表示搬送臂进入到周边曝光装置内的卡盘的上方的样子的说明图，图19(b)是表示位置检测用晶片被载置到卡盘上的样子的说明图。
图20(a)是表示搬送臂进入到交接装置内的载置板的上方的样子的说明图，图20(b)是表示位置检测用晶片被交接到升降销的样子的说明图，图20(c)是表示位置检测用晶片被载置到载置板上的样子的说明图。
图21(a)是表示搬送臂进入到交接装置内的载置销的上方的样子的说明图，图21(b)是表示位置检测用晶片被载置到载置销上的样子的说明图。
图22是具备加速度传感器的位置检测用晶片的立体图。
符号说明
12、21、101、121、132 搬送臂
40 自转卡盘
61 冷却板
70 卡盘
90 载置板
150 静电电容传感器
152～155 静电电容检测电极
A 载置部
S 位置检测用晶片
W 晶片
具体实施方式
以下，对本发明的最佳实施方式进行说明。图1是应用本发明涉及的搬送臂的移动位置的调整方法的涂敷显影处理系统1的结构的概略的俯视图。
涂敷显影处理系统1，如图1所示，具有将盒站2、处理站3以及接口站5一体连接的结构，其中，盒站2用于例如将多个晶片W以盒为单位从外部相对于涂敷显影处理系统1搬入搬出，处理站3具备在光刻处理中以单片的方式实施规定处理的多个各种处理装置，接口站5在与邻接处理站3的曝光装置4之间进行晶片W的交接。
在盒站2中设置有盒载置台10，在该盒载置台10上能够在X方向(图1中的上下方向)一列载置多个盒C。在盒站2中设置有例如晶片搬送装置11。晶片搬送装置11例如具有在左右的X方向、前后的Y方向、围绕铅垂轴的θ方向和上下方向移动自由的搬送臂12。搬送臂12，例如如图12所示，具有两个直线的臂，能够将晶片W水平地支撑在该臂的支撑部13上。搬送臂12能够将晶片W搬送到盒载置台10上的盒C、或后述处理站3的第三载物块G3的交接装置80。
如图1所示，在处理站3的中央部形成有配置有晶片搬送装置20的晶片搬送区域R。在处理站3中以包围晶片搬送区域R的四周的方式设置有具备各种多个装置的例如4个载物块G1、G2、G3、G4。例如在处理站3的正面侧(图1的X方向的负方向侧)设置有第一载物块G1，在处理站3的背面侧(图1的X方向的正方向侧)设置有第二载物块G2。此外，在处理站3的盒站2侧(图1的Y方向的负方向侧)设置有第三载物块G3，在处理站3的接口站5侧(图1的Y方向的正方向侧)设置有第四载物块G4。
晶片搬送装置20具有例如在左右的Y方向、前后方向、θ方向和上下方向移动自由的搬送臂21。搬送臂21，例如如图3所示，具有比晶片W稍大直径的大致C字型的臂。在大致C字型的臂的内侧，在多个部位设有向内侧突出、并且支撑晶片W的外周部的支撑部22。搬送臂21能够将晶片W水平地支撑在该支撑部22上。搬送臂21能够在晶片搬送区域R内移动，将晶片W搬送到周围的第一载物块G1、第二载物块G2、第三载物块G3和第四载物块G4内的规定位置。
晶片搬送装置20例如如图4所示在上下配置有多台，能够将晶片W搬送到例如各载物块G1～G4的相同程度的高度的装置上。
如图1和图5所示，例如在第一载物块G1内在上下方向和水平方向排列设置有多个自转型液处理装置30，例如对晶片W进行显影处理的显影装置、在晶片W的抗蚀剂膜的下层形成反射防止膜(以下称“下部反射防止膜”)的下部反射防止膜形成装置、在晶片W上涂敷抗蚀剂液而形成抗蚀剂膜的抗蚀剂涂敷装置、在晶片W的抗蚀剂膜的上层形成反射防止膜(以下称“上部反射防止膜”)的上部反射防止膜形成装置等。
例如如图6(a)、图6(b)所示，例如自转型液处理装置30具备吸附保持晶片W并使其旋转的作为载置部的自转卡盘40，和支撑晶片W升降的作为多个升降部件的升降销41。例如自转卡盘40形成比晶片W小的直径，以包围自转卡盘40的周围的方式配置有多个升降销41。该升降销41能够从搬送臂21接收晶片W并载置在自转卡盘40上。
此外，在自转卡盘40的上面的中心形成有图6(b)所示的有底的中心孔42。该中心孔42用作通过例如后述位置检测用晶片S进行的晶片W的载置位置的检测用的目标物。
如图1和图4所示，例如在第二载物块G2内，在上下方向和水平方向排列设置有进行晶片W的热处理的热处理装置50和对晶片W的外周部进行曝光的周边曝光装置51。
如图1所示，例如热处理装置50在水平方向的X方向排列具有载置并加热晶片W的热板60、和载置并冷却晶片W的作为载置部的冷却板61。冷却板61面对晶片搬送区域R而配置，热板60被配置在晶片搬送区域R的夹着冷却板61的相对侧。
如图7(a)、(b)所示，冷却板61形成为具有与晶片W相同程度的直径的大致圆板状。在冷却板61的外周部形成有用于使搬送臂21的支撑部22沿上下方向通过的切口槽61a。由此，搬送臂21从水平方向进入冷却板61的上方之后下降至比冷却板61的上表面低的位置，由此能够将晶片W直接载置在冷却板61上。
此外，如图7(b)所示，在冷却板61的上表面中心形成有有底的中心孔62。该中心孔62用作通过后述位置检测用晶片S进行的晶片W的载置位置的检测用的目标物。另外，上述冷却板61能够移动至热板60上，能够进行与热板60之间的晶片W的交接。
如图1所示，周边曝光装置51具备作为吸附保持晶片W的载置部的卡盘70。如图8所示，卡盘70具有比晶片W小的直径，使其不与搬送臂21的支撑部22发生干扰。由此，搬送臂21从水平方向进入卡盘70的上方之后下降至比卡盘70的上表面低的位置，由此能够将晶片W直接载置在卡盘70上。
此外，在卡盘70的上表面中心形成有有底的中心孔71。该中心孔71用作通过后述位置检测用晶片S进行的晶片W的载置位置的检测用的目标物。
如图4所示，例如在第三载物块G3内层叠设置有多台交接装置80。例如如图9(a)、(b)所示，例如交接装置80具备载置晶片W的作为载置部的载置板90，和支撑晶片W升降的多个作为升降部件的升降销91。在载置板90上形成有多个贯通孔92，升降销91能够在该贯通孔92内升降。该升降销91能够从搬送臂12、21或后述的搬送臂101、121接收晶片W，并载置到载置板90上。另外，载置板90也可以具有冷却功能或温度调节功能，在这种情况下，交接装置80也可以作为冷却装置或温度调整装置起作用。
此外，如图9(b)所示，在载置板90的上面中心形成有有底的中心孔93。该中心孔93用作通过后述位置检测用晶片S进行的晶片W的载置位置的检测用的目标物。
如图1所示，在第三载物块G3的X方向正方向侧设有晶片搬送装置100。晶片搬送装置100具有例如在前后方向、θ方向和上下方向移动自由的搬送臂101。搬送臂101例如具有与上述搬送臂21相同的结构，例如如图3所示，具有比晶片W稍大直径的大致C字型的臂。在大致C字型的臂的内侧，在多个部位设有向内侧突出的支撑部22。搬送臂101能够沿上下移动，将晶片W搬送到第三载物块G3内的各交接装置80。
如图4所示，例如在第四载物块G4内层叠设置有多台交接装置110。例如交接装置110具有与上述交接装置80相同的结构，例如如图9(a)、(b)所示，具有载置板90和多个升降销91。该升降销91能够从搬送臂21或后述的搬送臂132接收晶片W并载置到载置板90上。
如图4和图10所示，在晶片搬送区域R内设置有在第三载物块G3和第四载物块G4之间直线地搬送晶片W地梭动搬送装置120。
梭动搬送装置120具有例如在左右的Y方向直线地移动自由的搬送臂121。例如如图11所示，搬送臂121具有2个直线的臂，能够将晶片W水平地支撑在该臂的支撑部122上。搬送臂121能够在支撑晶片W的状态下在Y方向移动，在第三载物块G3的交接装置80和第四载物块的交接装置110之间搬送晶片W。
如图1所示，在接口站5上设置有晶片搬送装置130和交接装置131。晶片搬送装置130例如具有与上述晶片搬送装置100相同的结构，具有例如在前后方向、θ方向和上下方向移动自由的图3所示的搬送臂132。搬送臂132例如能够将晶片W支撑在支撑部22上，将晶片W搬送到第四载物块G4内的各交接装置110和交接装置131。
交接装置131例如具有与上述交接装置80相同的结构，例如如图9(a)、(b)所示，具有载置板90和多个升降销91。该升降销91能够从搬送臂132或曝光装置4的未图示的搬送臂接收晶片W并载置到载置板90上。
此外，利用以上的搬送臂12、21、101、121、132的晶片W的搬送位置通过控制各搬送臂的动作的图1所示的控制部140来进行控制。
另外，以下所记载的载置部A，表示上述自转卡盘40、冷却板61、卡盘70或载置板90的任一个。
在如以上那样构成的涂敷显影处理系统1中，例如进行如下那样的晶片处理。
例如首先将图1所示的盒C内的未处理的晶片W通过搬送臂12搬送到处理站3的第三载物块G3的交接装置80上。之后，通过搬送臂21将晶片W搬送到例如第二载物块G2的热处理装置50内，并进行温度调整。之后，通过搬送臂21将晶片W搬送到第一载物块G1的自转型液处理装置30内，在晶片W上形成下部反射防止膜。之后，再次通过搬送臂21将晶片W搬送到热处理装置50内，对其进行加热，然后返回到交接装置80内。
接着，通过搬送臂101将晶片W搬送到第二载物块G2的另一高度的交接装置80内。之后，通过搬送臂21将晶片W搬送到热处理装置50内，进行温度调节，之后搬送到自转型液处理装置30内，在晶片W上形成抗蚀剂膜。之后，通过搬送臂21将晶片W搬送到热处理装置50内，对其进行加热(预烘培处理)，然后返回到交接装置80内。
接着，通过搬送臂101将晶片W搬送到再一高度的交接装置80内。之后，通过搬送臂21将晶片W搬送到自转型液处理装置30内，在晶片W上形成上部反射防止膜。之后，通过搬送臂21将晶片W搬送到热处理装置50内，对其进行加热，然后返回到交接装置80内。
接着，通过搬送臂101将晶片W搬送到另一高度的交接装置80内。之后，通过搬送臂21将晶片W搬送到例如周边曝光装置51，对晶片W的外周部的抗蚀剂膜进行曝光。之后，通过搬送臂21将晶片W返回到交接装置80内。
之后，通过搬送臂101将晶片W搬送到另一高度的交接装置80内，通过搬送臂121将晶片W搬送到第四载物块G4的交接装置110内。之后，通过接口站5的搬送臂132将晶片W搬送到交接装置131内，接着通过曝光装置4的图中未示的搬送臂搬送到曝光装置4内，进行曝光处理。
接着，通过曝光装置4的搬送臂将晶片W搬送到交接装置131，通过搬送臂132搬送到第四载物块G4的交接装置110。之后，通过搬送臂21将晶片W搬送到热处理装置50内，对其进行加热(曝光之后烘培处理)。之后，通过搬送臂21将晶片W搬送到自转型液处理装置30内，进行显影。在显影结束后，通过搬送臂21将晶片W搬送到热处理装置50内，对其进行加热(后烘培处理)。之后，通过搬送臂21将晶片W搬送到第三载物块G3的交接装置80内，之后通过盒站2的搬送臂12返回到盒载置台10上的盒C内。这样作为一系列的光刻处理的晶片处理结束。
接着，对作为位置检测用夹具的位置检测用晶片S的结构进行说明。图12是位置检测用晶片S的立体图。位置检测用晶片S例如形成为与产品晶片W相同的形状，相同的大小，通过上述各搬送臂能够与晶片W同样地搬送。位置检测用晶片S例如由能够进行配线图案的形成和孔加工的陶瓷、硅或树脂等形成。
在位置检测用晶片S上设置有对与目标物之间的静电电容进行检测的静电电容传感器150。静电电容传感器150在表面侧具有控制电路151，如图13所示，在背面侧具有多个静电电容检测电极152、153、154、155。
例如第一静电电容检测电极152设置在例如位置检测用晶片S的背面的中央部。即，第一静电电容检测电极152设置在与将位置检测用晶片S载置在各载置部A(自转卡盘40、冷却板61、卡盘70和载置板90)时的中心孔42、62、71、93对应的位置上。第一静电电容检测电极152例如具有中央的圆形部152a和以同心圆状包围该圆形部152a的周围的4个圆弧部152b。由此，第一静电电容检测电极152，能够检测出与包括中心孔42、62、71、93的各载置部A的上表面之间的静电电容，并且基于此能够检测出相对于载置部A的中心孔42、62、71、93的位置检测用晶片S的相对的位置关系。
例如如图14所示，当第一静电电容检测电极
152的圆形部152a和圆弧部152b，与中心孔42、62、71、93的位置关系不同时，各个电极152a、152b，与包括中心孔42、62、71、93的载置部A上面的2极之间的距离d发生变动，使静电电容发生变动(静电电容C＝ε·B/d(ε为2极间的介电常数(ε＝εO×εS，εO为真空介电常数，εS为相对介电常数)，B为静电电容检测电极的面积)。
利用这个能够预先掌握通过第一静电电容检测电极152的圆形部152a和圆弧部152b所检测出的静电电容的值，和此时与载置部A的中心孔42、62、71、93的位置的关系，基于通过第一静电电容检测电极152的静电电容的检测结果，能够检测出从平面观察时的位置检测用晶片S面内的中心孔42、62、71、93的位置。由此，能够检测出载置部A中的位置检测用晶片S的载置位置、进入到载置部A的上方时的位置检测用晶片S的水平方向的位置。此外，例如根据圆形部152a和中心孔42、62、71、93之间的静电电容能够检测出它们之间的距离，也能够检测出进入到载置部A的上方时的位置检测用晶片S的上下方向的位置。
图13所示的第二静电电容量检测电极153例如设置在与上述各搬送臂的支撑部13、22、122对应的位置上。根据位置检测用晶片S是否支撑在支撑部13、22、122上，支撑部13、22、122与第二静电电容检测电极153之间的静电电容变动。因此，利用第二静电电容检测电极153，能够检测出位置检测用晶片S被转移到载置部A或载置部A的升降销41、91上时的上下方向的位置。另外，在本实施方式中，第二静电电容检测电极153a是与搬送臂12的支撑部13对应的电极，第二静电电容检测电极153b是与搬送臂121的支撑部122对应的电极，第二静电电容检测电极153c是与搬送臂21、101、132的支撑部22对应的电极。
第三静电电容检测电极154例如设置在与自转卡盘40的升降销41和载置板90的升降销91对应的位置上。第三静电电容检测电极154，例如设置在与3个之中任一个升降销41、91对应的位置上。第三静电电容检测电极154例如与上述第一静电电容检测电极152相同，具有中央的圆形部154a和以同心圆状包围该圆形部154a的周围的4个圆弧部154b。由此，例如在利用各搬送臂将位置检测用晶片S移动至自转卡盘40或载置板90的上方时，能够检测出第三静电电容检测电极154和升降销41、91之间的静电电容。由此，例如能够检测出从平面看时的位置检测用晶片S面内的升降销41、91的位置，结果，能够检测出进入到载置部A的上方时的位置检测用晶片S的水平方向的位置。另外，本发明的实施方式中的第三静电电容检测电极154以与1个升降销对应的方式设置在一个部位，但也可以与3个升降销对应的方式设置在三个部位。
第四静电电容检测电极155例如设置在载置部A的多个部位，例如与4个部位的目标物对应的位置上。例如第四静电电容检测电极155设置在与冷却板61等的载置部A的周边部附近的平坦面对应的位置上。此外，第四静电电容检测电极155以90度间隔设置在位置检测用晶片S的周边部。由此，例如能够在利用搬送臂21将位置检测用晶片S移动到载置部A的上方时检测出第四静电电容检测电极155和载置部A的平坦面之间的静电电容，能够检测出它们之间的距离。由此，能够检测出进入到载置部A的上方时的位置检测用晶片S的上下方向的位置。此外，通过检测出载置部A的平坦面和第四静电电容检测电极155之间的4个部位的距离，并对它们进行比较，能够检测出搬送臂21上的位置检测用晶片S的水平性。
上述各静电电容检测电极152～155，例如利用通过位置检测用晶片S内的配线，与位置检测用晶片S的表面中央的控制电路151电连接。例如如图12所示，控制电路151形成在设置于位置检测用晶片S的表面的中央部的电路基板T上。控制电路151，对将由各静电电容检测电极152～155检测出的静电电容变换成电压而得到的信号进行接收和发送，能够得到各静电电容检测电极152～155和目标物之间的静电电容值。在电路基板T上设有在控制电路151和外部的控制部140之间进行无线通信的无线电路160。另外，各静电电容检测电极152～155、控制电路151和无线电路160等的电源，例如设置在位置检测用晶片S的电路基板T上。
例如控制部140从位置检测用晶片S接收由静电电容传感器150的静电电容的检测结果，根据该检测结果，能够算出载置部A上的位置检测用晶片S的载置位置、载置部A的上方的上下方向和水平方向的位置等。而且，控制部140根据该算出结果，能够算出到位置检测用晶片S到适当位置的校正量，能够进行晶片搬送时的各搬送臂的移动位置的调整。
接着，对使用如以上那样构成的位置检测用晶片S的各搬送臂的移动位置的调整工艺进行说明。
首先，对将晶片W搬送到交接装置80时的搬送臂12的移动位置的调整进行说明。
首先，将位置检测用晶片S支撑在搬送臂12的支撑部13上。另外，也可以使用此时与支撑部13对应的位置的第二静电电容检测电极153a，检测是否将位置检测用晶片S适当地支撑在支撑部13上。即，检测出第二静电电容检测电极153a和支撑部13之间的静电电容，在没有成为预先设定的适当的静电电容的情况下，可以判断出没有将位置检测用晶片S适当地支撑在支撑部13上。
接着，按照控制部140的现状的晶片搬送时的移动位置的设定，如图15(a)所示，搬送臂12从搬送口80a进入到第三载物块G3的交接装置80内，并在作为搬送目的地的载置板90的上方停止。另外，在该时刻，为了回避搬送臂12和升降销91的冲突，升降销91下降。其后例如在载置板90的上方的位置，利用第四静电电容检测电极155，检测出与载置板90的距离。由此，能够检测出搬送臂12按照设计值进入到载置板90的上方时的上下方向的位置(高度)。例如在该搬送臂12的进入时的高度不适当的情况下，利用控制部140，可以调整搬送臂12的进入高度。
接着，使用4个部位的第四静电电容检测电极155，检测出各第四静电电容检测电极155和载置板90的距离。通过比较这些第四静电电容检测电极155和载置板90的4个部位的距离，能够检测出载置板90的水平度。例如在载置板90不水平的情况下，进行载置板90的安装部分的高度调整。
然后，例如如图15(b)所示，升降销91上升至规定的高度，然后搬送臂12下降规定距离，将位置检测用晶片S交接到升降销91上。此时，利用第二静电电容检测电极153a，检测出位置检测用晶片S从搬送臂12的支撑部13离开的瞬间的位置(OFF点)。此外，然后，搬送臂12上升，将位置检测用晶片S从升降销91交接到搬送臂12上(图15的(a)的状态)。此时利用第二静电电容检测电极153a，检测出将位置检测用晶片S支撑到搬送臂12的支撑部13的瞬间的位置(ON点)。根据该OFF点和ON点的检测，检测出搬送臂12的位置检测用晶片S和升降销91之间的上下方向的交接位置。例如在该交接位置不适当的情况下，在控制部140中，对向搬送臂12的载置板90上的进入高度和向升降销91的交接时的下降距离等进行校正。
接着，如图15(a)所示，在使位置检测用晶片S在升降销91的上方待机的状态下，利用位置检测用晶片S的第三静电电容检测电极154，检测出位置检测用晶片S面内的升降销91的位置。例如检测出升降销91是否位于与第三静电电容检测电极154对应的位置，或者是其相对位置。由此，能够确认载置板90的上方的位置检测用晶片S的水平方向的大致位置。当确认位置检测用晶片S在载置板90的上方位于大致适当的位置时，搬送臂12下降，将位置检测用晶片S交接到升降销91上，该升降销91下降，如图15(c)所示，将其载置在载置板90上。在位置检测用晶片S在载置板90的上方没有位于大致适当的位置的情况下，在该时刻，对搬送臂12的水平方向的位置进行调整。
当将位置检测用晶片S载置在载置板90上时，检测出第一静电电容检测电极152与包括中心孔92的载置板90的上表面之间的静电电容。由此，如图16所示，检测出从平面看时的位置检测用晶片S面内的载置板90的中心孔92的相对的位置关系，检测出载置板90上的位置检测用晶片S的载置位置。在位置检测用晶片S的载置位置偏离载置板90的中心的情况下，算出该偏离量，对搬送时的搬送臂12的移动位置进行调整。
如此，进行利用搬送臂12将晶片W交接到载置板90上时的搬送臂12的位置调整。
接着，对搬送臂21的移动位置的调整进行说明。首先，对将晶片W搬送到自转型液处理装置30的自转卡盘40上时的搬送臂21的移动位置的调整进行说明。
首先，将位置检测用晶片S支撑在搬送臂21的支撑部22上。另外，也可以使用此时与支撑部22对应的位置的第二静电电容检测电极153c，检测是否将位置检测用晶片S适当地支撑在支撑部22上。
接着，按照控制部140的现状的晶片搬送时的移动位置的设定，如图17(a)所示，搬送臂21从搬送口30a进入到第一载物块G1的自转型液处理装置30内，并在作为搬送目的地的自转卡盘40的上方停止。其后例如在自转卡盘40的上方的位置，利用第四静电电容检测电极155，检测与自转卡盘40的表面的距离。由此，能够检测出搬送臂21按照设计值进入到自转卡盘40的上方时的高度。例如在该搬送臂21的进入时的高度不适当的情况下，利用控制部140，调整搬送臂21的进入高度。
接着，使用4个部位的第四静电电容检测电极155，检测出各第四静电电容检测电极155和自转卡盘40的表面的距离。通过比较这些第四静电电容检测电极155和自转卡盘40的表面的四个部位的距离，能够检测出自转卡盘40的水平度。例如在自转卡盘40不水平的情况下，进行自转卡盘40的安装部分的高度调整。
然后，例如如图17(b)所示，升降销41上升至规定的高度，然后搬送臂21下降规定距离，将位置检测用晶片S交接到升降销41上。此时，利用第二静电电容检测电极153c，检测出位置检测用晶片S从搬送臂21的支撑部22离开的瞬间的位置(OFF点)。此外，然后，搬送臂21上升，将位置检测用晶片S从升降销41交接到搬送臂21上(图17的(a)的状态)。此时利用第二静电电容检测电极153c，检测出将位置检测用晶片S支撑到搬送臂21的支撑部22的瞬间的位置(ON点)。根据该OFF点和ON点的检测，检测出利用搬送臂21的位置检测用晶片S和升降销41之间的上下方向的交接位置。例如在该交接位置不适当的情况下，在控制部140中，使向搬送臂21的自转卡盘40上的进入高度和向升降销41的交接时的下降距离等适当化。
接着，如图17(a)所示，在使位置检测用晶片S在升降销41的上方待机的状态下，利用位置检测用晶片S的第三静电电容检测电极154，检测出位置检测用晶片S面内的升降销41的位置。由此，能够确认自转卡盘40的上方的位置检测用晶片S的水平方向的大致位置。当确认位置检测用晶片S在自转卡盘40的上方位于大致适当的位置时，搬送臂21下降，将位置检测用晶片S交接到升降销41上，该升降销41下降，如图17(c)所示，将位置检测用晶片S载置在自转卡盘40上。另外，在位置检测用晶片S在自转卡盘40的上方没有位于大致适当的位置的情况下，在该时刻，对搬送臂21的水平方向的位置进行调整。
当将位置检测用晶片S载置在自转卡盘40上时，通过第一静电电容检测电极152、检测出位置检测用晶片S与包括中心孔42的自转卡盘40的上面之间的静电电容。由此，检测出位置检测用晶片S和中心孔42的相对的位置关系，而检测出自转卡盘40上的位置检测用晶片S的载置位置。在该位置检测用晶片S的载置位置不适当的情况下，对搬送时的搬送臂21的移动位置进行调整。该位置调整例如是通过利用控制部140算出位置检测用晶片S的中心与自转卡盘40的中心孔42的偏离量，并将该偏离量作为校正量而进行的。
如此，进行将晶片W交接到自转卡盘40上时的搬送臂21的位置调整。
接着，对将晶片W搬送到热处理装置50的冷却板61上时的搬送臂21的位置调整进行说明。
首先，将位置检测用晶片S支撑在搬送臂21的支撑部22上。接着，按照控制部140的现状的搬送目的地的位置设定，如图18(a)所示，搬送臂21从搬送口50a进入到第二载物块G2的热处理装置50内，并在作为搬送目的地的冷却板61的上方停止。在冷却板61的上方的位置，利用第四静电电容检测电极155，检测与图7所示的冷却板61的距离。由此，例如能够检测出搬送臂21按照设计值进入到冷却板61的上方时的高度。例如在该搬送臂21的进入时的高度不适当的情况下，利用控制部140，调整搬送臂21的进入高度。
接着，使用4个部位的第四静电电容检测电极155，检测出各第四静电电容检测电极155和冷却板61的表面的距离。通过比较这些第四静电电容检测电极155和冷却板61的表面的4个部位的距离，能够检测出冷却板61的水平度。例如在冷却板61不水平的情况下，进行冷却板61的安装部分的高度调整。
接着，如图18(a)所示，在搬送臂21在冷却板61的上方待机的状态下，例如利用第一静电电容检测电极152，检测出位置检测用晶片S面内的冷却板61的中心孔62的位置。由此，能够确认冷却板61的上方的位置检测用晶片S的水平方向的大致位置。而且，当确认位置检测用晶片S在冷却板61的上方位于大致适当的位置时，如图18(b)所示，搬送臂21下降，将位置检测用晶片S载置在冷却板61上。另外，在位置检测用晶片S在冷却板61的上方没有位于大致适当的位置的情况下，在该时刻，对搬送臂21的水平方向的位置进行调整。
当将位置检测用晶片S载置在冷却板61上时，通过第一静电电容检测电极152、检测出与包括中心孔62的冷却板61的上面之间的静电电容。由此，检测出位置检测用晶片S和冷却板61的中心孔62的相对的位置关系，而检测出冷却板61中的位置检测用晶片S的载置位置。在该位置检测用晶片S的载置位置不适当的情况下，对搬送时的搬送臂21的移动位置进行调整。该位置调整例如是通过利用控制部140算出位置检测用晶片S的中心与中心孔62的偏离量，并将该偏离量作为校正量而进行的。
如此，进行将晶片W交接到冷却板61上时的搬送臂21的位置调整。
接着，对将晶片W搬送到周边曝光装置51的卡盘70上时的搬送臂21的位置调整进行说明。
首先，将位置检测用晶片S支撑在搬送臂21的支撑部22上。接着，按照控制部140的现状的搬送目的地的位置设定，如图19(a)所示，搬送臂21从搬送口51a进入到第二载物块G2的周边曝光装置51内，并在作为搬送目的地的卡盘70的上方停止。其后例如，在该卡盘70的上方的位置，利用第四静电电容检测电极155，检测与卡盘70的表面的距离。由此，能够检测出搬送臂21按照设计值进入到卡盘70的上方时的高度。例如在该搬送臂21的进入时的高度不适当的情况下，利用控制部140，调整搬送臂21的进入高度。
接着，使用4个部位的第四静电电容检测电极155，检测出各第四静电电容检测电极155和卡盘70的表面的距离。通过比较这些第四静电电容检测电极155和卡盘70的表面的4个部位的距离，能够检测出卡盘70的水平度。例如在卡盘70不水平的情况下，进行卡盘70的安装部分的高度调整。
然后，例如如图19(b)所示，搬送臂21下降，将位置检测用晶片S载置到卡盘70上。此时，利用第二静电电容检测电极153c，检测出位置检测用晶片S从搬送臂21的支撑部22离开的瞬间的位置(OFF点)。此外，然后，搬送臂21上升，将位置检测用晶片S从卡盘70再次交接到搬送臂21上(图19(a)的状态)。此时利用第二静电电容检测电极153c，检测出将位置检测用晶片S支撑到搬送臂21的支撑部22的瞬间的位置(ON点)。根据该OFF点和ON点的检测，检测出通过搬送臂21的位置检测用晶片S和卡盘70之间的上下方向的交接位置。例如在该交接位置不适当的情况下，在控制部140中，对搬送臂21的向卡盘70的上方的进入高度等进行校正。
接着，再次如图19(b)所示，当将位置检测用晶片S载置在卡盘70上时，通过第一静电电容检测电极152、检测出与包括中心孔71的卡盘70的上面之间的静电电容。由此，检测出位置检测用晶片S和卡盘70的中心孔71的相对的位置关系，而检测出卡盘70中的位置检测用晶片S的载置位置。在该位置检测用晶片S的载置位置不适当的情况下，对搬送时的搬送臂21的移动位置进行调整。该位置调整例如是通过利用控制部140算出位置检测用晶片S的中心与卡盘70的中心孔71的偏离量，并将该偏离量作为校正量而进行的。
如此，进行将晶片W交接到卡盘70上时的搬送臂21的位置调整。
接着，对将晶片W搬送到交接装置80、110的载置板90上时的搬送臂21的位置调整进行说明。
首先，将位置检测用晶片S支撑在搬送臂21的支撑部22上。接着，按照控制部140的现状的晶片搬送时的移动位置的设定，如图20(a)所示，搬送臂21从搬送口170进入到第三载物块G3的交接装置80或第四载物块G4的交接装置110内，并在作为搬送目的地的载置板90的上方停止。其后例如在载置板90的上方的位置，利用第四静电电容检测电极155，检测出与载置板90的距离。由此，能够检测出搬送臂21进入到载置板90的上方时的上下方向的位置。例如在该搬送臂21的进入时的上下方向的位置不适当的情况下，利用控制部140，调整搬送臂21的进入高度。
接着，使用4个部位的第四静电电容检测电极155，检测出各第四静电电容检测电极155和载置板90的表面的距离。通过比较这些第四静电电容检测电极155和载置板90的表面的4个部位的距离，能够检测出载置板90的水平度。例如在载置板90不水平的情况下，进行载置板90的安装部分的高度调整。
然后，例如如图20(b)所示，使升降销91上升至规定的高度，然后搬送臂21下降规定距离，将位置检测用晶片S交接到升降销91上。此时，利用第二静电电容检测电极153c，检测出位置检测用晶片S从搬送臂21的支撑部22离开的瞬间的位置(OFF点)。此外，然后，使搬送臂21上升，将位置检测用晶片S从升降销91再次交接到搬送臂21上(图20(a)的状态)。此时利用第二静电电容检测电极153c，检测出将位置检测用晶片S支撑到搬送臂21的支撑部22的瞬间的位置(ON点)。根据该OFF点和ON点的检测，检测出利用搬送臂21的位置检测用晶片S和升降销91之间的上下方向的交接位置。例如在该交接位置不适当的情况下，在控制部140中，对向搬送臂21的载置板90上的进入高度和向升降销91的交接时的下降距离等进行校正。
接着，如图20(a)所示，在位置检测用晶片S在升降销91的上方待机的状态下，利用位置检测用晶片S的第三静电电容检测电极154，检测出升降销91的位置。由此，能够确认载置板90的上方中的位置检测用晶片S的水平方向的大致位置。而且，当确认位置检测用晶片S在载置板90的上方位于大致适当的位置时，使搬送臂21下降，将位置检测用晶片S交接到升降销91上，并使该升降销91下降，如图20(c)所示，将位置检测用晶片S载置在载置板90上。另外，在位置检测用晶片S在载置板90的上方没有位于大致适当的位置的情况下，在该时刻，对搬送臂21的水平方向的位置进行调整。
当将位置检测用晶片S载置在载置板90上时，通过第一静电电容检测电极152，检测出与包括中心孔92的载置板90的上表面之间的静电电容。由此，检测出位置检测用晶片S和中心孔92的相对的位置关系，检测出载置板90上的位置检测用晶片S的载置位置。在该位置检测用晶片S的载置位置不适当的情况下，对搬送臂21的搬送目的地的位置进行调整。该位置调整例如是通过利用控制部140算出位置检测用晶片S的中心与载置板90的中心孔92的偏离量，并将该偏离量作为校正量而进行的。
如此，进行将晶片W交接到载置板90上时的搬送臂21的位置调整。
接着，对将晶片W搬送到第三载物块G4的载置板90上时的搬送臂101的位置调整进行说明。该搬送臂101的位置调整，与相对于载置板90的搬送臂12、21的位置调整相同。
即，首先，将位置检测用晶片S支撑在搬送臂101的支撑部22上。接着，搬送臂101进入到第三载物块G3的交接装置80内，并在作为搬送目的地的载置板90的上方停止。其后例如在载置板90的上方的位置，利用第四静电电容检测电极155，检测出与载置板90的距离，由此，能够检测出进入到载置板90上时的搬送臂101的上下方向的位置。在该搬送臂101的进入时的高度不适当的情况下，利用控制部140，调整搬送臂101的进入高度。
接着，使用4个部位的第四静电电容检测电极155，检测出各第四静电电容检测电极155和载置板90的表面的距离。通过比较这些第四静电电容检测电极155和载置板90的表面的4个部位的距离，能够检测出载置板90的水平度。例如在载置板90不水平的情况下，进行载置板90的安装部分的高度调整。
然后，使升降销91上升至规定的高度，然后使搬送臂101下降规定距离，将位置检测用晶片S交接到该升降销91上。此时，利用第二静电电容检测电极153c，检测出位置检测用晶片S从搬送臂21的支撑部22离开的瞬间的位置(OFF点)。此外，然后，使搬送臂101上升，将位置检测用晶片S从升降销91再次交接到搬送臂101上。此时利用第二静电电容检测电极153c，检测出将位置检测用晶片S支撑到搬送臂101的支撑部22的瞬间的位置(ON点)。根据该OFF点和ON点的检测，检测出利用搬送臂21的位置检测用晶片S和升降销91之间的上下方向的交接位置。例如在该交接位置不适当的情况下，在控制部140中，对向搬送臂101的载置板90的上方的进入高度和向升降销91的交接时的下降距离、和升降销91的上下方向的位置等进行校正。
接着，在位置检测用晶片S在升降销91的上方待机的状态下，利用位置检测用晶片S的第三静电电容检测电极154，检测出升降销91的位置。由此，能够确认载置板90的上方中的位置检测用晶片S的水平方向的大致位置。而且，当确认位置检测用晶片S在载置板90的上方位于大致适当的位置时，使搬送臂101下降，将位置检测用晶片S交接到升降销91上，并使该升降销91下降，将位置检测用晶片S载置在载置板90上。另外，在位置检测用晶片S在载置板90的上方没有位于大致适当的位置的情况下，在该时刻，对搬送臂21的水平方向的位置进行调整。
当将位置检测用晶片S载置在载置板90上时，通过第一静电电容检测电极152，检测出与包括中心孔92的载置板90的上面之间的静电电容。由此，检测出位置检测用晶片S和中心孔92的相对的位置关系，检测出载置板90中的位置检测用晶片S的载置位置。在该位置检测用晶片S的载置位置不适当的情况下，对搬送时的搬送臂101的移动位置进行调整。该位置调整例如是通过利用控制部140算出位置检测用晶片S的中心与载置板90的中心孔92的偏离量，并将该偏离量作为校正量而进行的。
如此，进行将晶片W交接到载置板90上时的搬送臂101的位置调整。
另外，关于将晶片W搬送到交接装置80、110的载置板90上时的搬送臂121的位置调整，只有臂形状不同，但与上述搬送臂12、21、101相同，因此省略说明。此外，由于将晶片W搬送到交接装置80、131的载置板90上时的搬送臂132的位置调整也与上述搬送臂12、21、101相同，所以省略说明。
根据以上的实施方式，使具有静电电容传感器150的位置检测用晶片S支撑在搬送臂(12、21、101、121、132)上，利用该搬送臂将位置检测用晶片S搬送到各装置的载置部A，利用静电电容传感器150检测出位置检测用晶片S的载置位置。然后，基于该载置位置进行搬送臂的位置调整。静电电容传感器150与现有的光学系的传感器相比能够极薄地形成，因此能够使位置检测用晶片S变薄。因而，即使对于具有窄的搬送口那样的薄型装置，也能够搬送位置检测用晶片S，能够适当地进行搬送臂的移动位置的调整。此外，通过使用具有静电电容传感器150的位置检测用晶片S，能够高精度地廉价地进行搬送臂的位置调整。
此外，在以上的实施方式中，例如如冷却板61那样，在将位置检测用晶片S从搬送臂直接载置到载置部A上的情况下，在使位置检测用晶片S下降之前，利用第一静电电容检测电极152检测出载置部A的中心孔的位置，检测出载置部A的上方的位置检测用晶片S的水平方向的位置。由此，能够检测出将位置检测用晶片S载置到载置部A上之前的大致位置，例如在位置检测用晶片S的水平方向的位置发生较大偏离的情况下，在该时刻能够进行搬送臂的位置调整。因此，能够防止在发生较大偏离的状态下使位置检测用晶片S下降，例如使搬送臂与载置部A接触。
此外，同样地例如载置板90和自转卡盘40那样，在将位置检测用晶片S从搬送臂通过升降销载置到载置部A的情况下，在使位置检测用晶片S下降之前，利用第三静电电容检测电极154检测出载置部A的升降销的位置，检测出载置部A的上方的位置检测用晶片S的水平方向的位置。由此，能够检测出将位置检测用晶片S载置到载置部A上之前的大致位置，例如在位置检测用晶片S的水平方向的位置发生较大偏离的情况下，在该时刻能够进行搬送臂的位置调整。因此，能够防止在发生较大偏离的状态下使位置检测用晶片S下降，例如搬送臂与载置部A接触。
在以上的实施方式中，例如如冷却板61和卡盘70那样，在将位置检测用晶片S直接载置到载置部A的情况下，利用位置检测用晶片S的第二静电电容检测电极153，检测出与搬送臂的支撑部之间的距离的变动，检测出搬送臂和载置部A之间的位置检测用晶片S的授受的上下方向的位置。由此，能够进行搬送臂的交接时的下降位置和下降距离的调整。在例如相对于位置检测用晶片S的实际的交接位置，搬送臂21从必要以上高的位置开始下降，或者下降至必要以上低的位置的情况下，能够实现搬送臂的移动位置的适当化。
特别是，在上述实施方式中，在对搬送臂和载置部A之间的授受的位置进行检测之际，对将位置检测用晶片S从搬送臂交接到载置部A时和将位置检测用晶片S从载置部A交接到搬送臂时的双方的上下方向的位置进行检测。在搬送臂→载置部A的情况和载置部A→搬送臂的情况下，存在上下方向的交接位置不同的情况，因此通过对双方进行检测，能够更精确地实现搬送臂的移动位置的适当化。
同样地例如如载置板90那样，在将位置检测用晶片S从搬送臂通过升降销载置到载置部A的情况下，利用位置检测用晶片S的第二静电电容检测电极153，检测出与搬送臂的支撑部之间的距离的变动，检测出搬送臂和升降部之间的位置检测用晶片S的授受的上下方向的位置。由此，能够进行搬送臂的交接时的下降位置和下降距离等的调整。在例如相对于位置检测用晶片S的实际的交接位置，搬送臂从必要以上高的位置开始下降，下降至必要以上低的位置的情况下，能够实现搬送臂的移动位置的适当化。
此外，在上述实施方式中，在对搬送臂和升降销之间的授受的位置进行检测之际，对将位置检测用晶片S从搬送臂交接到升降销时和将位置检测用晶片S从升降销交接到搬送臂时的双方的上下方向的位置进行检测。在搬送臂→升降销的情况和升降销→搬送臂的情况下，存在上下方向的交接位置不同的情况，因此通过对双方进行检测，能够更精确地实现搬送臂的移动位置的适当化。
在以上的实施方式中，当搬送臂进入到载置部A的上方时，对载置部A的上方的位置检测用晶片S的上下方向的位置进行检测，因此根据这个能够调整搬送臂的进入时的高度。由此，例如能够调整相对于装置的搬送口的搬送臂的进入高度等，能够防止搬送臂与装置的部件的接触。
在以上的实施方式中，当搬送臂进入到载置部A的上方时，也可以利用位置检测用晶片S的静电电容传感器150，检测与形成于载置部A的多个目标物的距离，检测搬送臂中的位置检测用晶片S的水平性。例如如图18(a)所示，当搬送臂21进入到冷却板61的上方时，利用位置检测用晶片S的4个部位的第四静电电容检测电极155，检测出与冷却板61的表面之间的距离。然后，通过对这些第四静电电容检测电极155和冷却板61的表面的4点的距离进行比较，能够检测出搬送臂21上的位置检测用晶片S的水平性。例如在第四静电电容检测电极155和冷却板61的表面的4点的距离不同的情况下，检测出位置检测用晶片S的倾斜，校正例如搬送臂21的倾斜度。由此，能够确保搬送臂21中的位置检测用晶片S的水平性。
在以上的实施方式中，交接装置80、110、131是在载置板90上载置晶片W的装置，但也可以是在基台上立起的3个载置销上载置晶片W的装置。以下，说明相对于这种情况的交接装置80的搬送臂21的位置调整。另外，位置检测用晶片S的第三静电检测用电极154设置在与3个载置销对应的位置上。
首先，如图21(a)所示，搬送臂21进入到距离交接装置80内的载置销180的前端数mm(例如3mm左右)的高度位置。其后利用第三静电电容检测电极154，检测出与载置销180的距离。由此，能够检测出搬送臂21按照设计值进入到载置销180的上方时的高度。例如在该搬送臂21的进入时的高度不适当的情况下，利用控制部140，调整搬送臂21的进入高度。
然后，例如如图21(b)所示，使该搬送臂21下降规定距离，将位置检测用晶片S交接到载置销180上。此时，利用第二静电电容检测电极153a，检测出位置检测用晶片S从搬送臂21的支撑部22离开的瞬间的位置(OFF点)。此外，然后，搬送臂21上升，将位置检测用晶片S从载置销180交接到搬送臂21上(图21的(a)的状态)。此时利用第二静电电容检测电极153a，检测出将位置检测用晶片S支撑到搬送臂21的支撑部22的瞬间的位置(ON点)。根据该OFF点和ON点的检测，检测出利用搬送臂21的位置检测用晶片S和载置销180之间的上下方向的交接位置。例如在该交接位置不适当的情况下，在控制部140中，对向搬送臂21的载置销180上的进入高度和向载置销180的交接时的下降距离等进行校正。
接着，例如使搬送臂21下降，将位置检测用晶片S载置在载置销180上。然后，检测出第三静电电容检测电极154与载置销180之间的静电电容，检测出位置检测用晶片S和载置销180的相对的位置关系。由此，检测出载置销180中的位置检测用晶片S的载置位置。在位置检测用晶片S中心与载置销180的中心偏离的情况下，算出该偏离量，对搬送时的搬送臂21的移动位置进行调整。
另外，在上述例子中，也可以使用3个部位的第三静电电容检测电极154，检测各第三静电电容检测电极154和载置销180的距离。通过比较各第三静电电容检测电极154和载置销180的各自的距离，能够检测晶片W的载置时的水平性。例如在载置时晶片W不水平的情况下，进行载置销180的安装部分的高度调整。
在以上的实施方式中，也可以如图22所示，在位置检测用晶片S的表面的中心设有加速度传感器190，在具有如自转卡盘40那样的旋转功能的载置部A中，使用该加速度传感器190，对载置部A中的位置检测用晶片S的载置位置进行检测。在这种情况下，例如在利用搬送臂21将位置检测用晶片S载置到自转卡盘40上之后，使自转卡盘40旋转。然后，利用位置检测用晶片S的加速度传感器190，检测出该旋转加速度，检测出从该加速度的方向成分的位置检测用晶片S的中心和自转卡盘40的中心的偏离。由此，能够检测自转卡盘40中的位置检测用晶片S的载置位置。例如在位置检测用晶片S的位置发生偏离的情况下，例如根据加速度传感器190的检测结果，算出位置检测用晶片S的中心和自转卡盘40的中心的偏离量，以该偏离量作为校正量，进行搬送臂21的位置调整。
以上，参照附图对本发明的最佳实施方式进行了说明，但本发明并不限定于这样的例子。如果是本技术领域的人员，则可以清楚地明白在专利要求的范围内记载的思想的范畴内，能够得到各种的变更例或校正例，就这些而言当然都属于本发明的技术范围。例如在以上的实施方式中记载的位置检测用夹具为圆状的晶片型，但也可以为其它形状，在产品基板为方形的情况下为方形。
产业上的可利用性
本发明在相对于薄型的装置高精度地廉价地进行搬送臂的位置调整时有用。

Claims (13)

1.一种搬送臂的移动位置的调整方法，其是向载置基板的载置部搬送基板的搬送臂的移动位置的调整方法，其特征在于，包括：
使基板形状的位置检测用夹具支撑在搬送臂上的工序，该位置检测用夹具具有检测与目标物之间的静电电容从而能够检测出相对于该目标物的相对位置的静电电容传感器；
利用所述搬送臂搬送所述位置检测用夹具，并将所述位置检测用夹具载置在所述载置部上的工序；
利用所述位置检测用夹具的静电电容传感器，检测所述位置检测用夹具相对于载置部上所形成的目标物的位置，从而检测所述载置部上的位置检测用夹具的载置位置的工序；和
基于所述位置检测用夹具的载置位置，调整所述位置检测用夹具的搬送时的所述搬送臂的移动位置的工序。
2.如权利要求1所述的搬送臂的移动位置的调整方法，其特征在于：
在利用搬送臂使位置检测用夹具移动至载置部的上方、然后利用所述搬送臂使位置检测用夹具下降并载置到载置部上的情况下，
具有：在使位置检测用夹具下降之前，利用位置检测用夹具的静电电容传感器，检测位置检测用夹具相对于载置部上所形成的目标物的位置，从而检测所述载置部的上方的位置检测用夹具的水平方向的位置的工序。
3.如权利要求1所述的搬送臂的移动位置的调整方法，其特征在于：
在利用搬送臂使位置检测用夹具移动至载置部的上方，然后将所述位置检测用夹具交接到载置部的升降部件上、然后利用升降部件使位置检测用夹具下降并载置到载置部上的情况下，
具有在使位置检测用夹具下降之前，利用位置检测用夹具的静电电容传感器，检测位置检测用夹具相对于作为目标物的升降部件的位置，检测所述载置部的上方的位置检测用夹具的水平方向的位置的工序。
4.如权利要求1或2所述的搬送臂的移动位置的调整方法，其特征在于：
在利用搬送臂使位置检测用夹具移动至载置部的上方、然后利用所述搬送臂使位置检测用夹具下降并载置到载置部上的情况下，
具有：对设置于搬送臂上的基板的支撑部和设置在与该支撑部对应的位置的位置检测用夹具的静电电容的电极的距离的变动进行检测，从而检测出在搬送臂和载置部之间授受位置检测用夹具时的上下方向的位置的工序；和
基于该位置检测用夹具的授受时的上下方向的位置，调整搬送臂的移动位置的工序。
5.如权利要求4所述的搬送臂的移动位置的调整方法，其特征在于：
对位置检测用夹具被从搬送臂交接到载置部上时、和位置检测用夹具被从载置部交接到搬送臂时的上下方向的位置进行检测。
6.如权利要求1或3所述的搬送臂的移动位置的调整方法，其特征在于：
在利用搬送臂使位置检测用夹具移动至载置部的上方、然后将所述位置检测用夹具交接到载置部的升降部件上、然后利用升降部件使所述位置检测用夹具下降并载置到载置部上的情况下，
具有：对搬送臂的位置检测用夹具的支撑部和设置在与该支撑部对应的位置的位置检测用夹具的静电电容的电极的距离的变动进行检测，从而检测出在搬送臂和升降部件之间授受位置检测用夹具时的上下方向的位置的工序；和
基于该位置检测用夹具的授受时的上下方向的位置，调整搬送臂的移动位置的工序。
7.如权利要求6所述的搬送臂的移动位置的调整方法，其特征在于：
对位置检测用夹具被从搬送臂交接到升降部件上时、和位置检测用夹具被从升降部件交接到搬送臂时的上下方向的位置进行检测。
8.如权利要求1～7中任一项所述的搬送臂的移动位置的调整方法，其特征在于：
在利用搬送臂使位置检测用夹具移动至载置部的上方、然后使位置检测用夹具下降并载置到载置部上的情况下，
具有：在利用搬送臂使位置检测用夹具移动至载置部的上方时，利用位置检测用夹具的静电电容传感器，检测与在载置部上形成的目标物的距离，从而检测出所述载置部的上方的位置检测用夹具的上下方向的位置的工序；和
基于该位置检测用夹具的上下方向的位置，调整搬送臂在载置部的上方移动时的上下方向的位置的工序。
9.如权利要求1～8中任一项所述的搬送臂的移动位置的调整方法，其特征在于：
在所述载置部具有使载置的基板旋转的功能的情况下，
在所述位置检测用夹具的中心设有加速度传感器，
在所述载置部上载置位置检测用夹具，利用该载置部使位置检测用夹具旋转，代替所述静电电容传感器利用加速度传感器检测位置检测用夹具的旋转的加速度，从而检测出所述载置部上的位置检测用夹具的载置位置。
10.如权利要求1～9中任一项所述的搬送臂的移动位置的调整方法，其特征在于：
具有：在利用搬送臂使位置检测用夹具移动到载置部的上方时，利用所述位置检测用夹具的静电电容传感器，检测与在所述载置部上形成的多个目标物的距离，从而检测搬送臂上的位置检测用夹具的水平性的工序。
11.一种位置检测用夹具，其用于进行向载置基板的载置部搬送基板的搬送臂的移动位置的调整，其特征在于：
具有搬送臂能够搬送的基板形状，
具有检测与目标物之间的静电电容的静电电容传感器，
所述静电电容传感器具有在与目标物之间形成静电电容的静电电容检测电极、和与所述静电电容检测电极连接并控制静电电容的检测动作的控制电路，
所述静电电容检测电极具有：设置于基板形状的中心部并且能够检测与载置部中心的目标物的相对位置的第一静电电容检测电极、和设置在与搬送臂的支撑部对应的位置的第二静电电容检测电极。
12.如权利要求11所述的位置检测用夹具，其特征在于：
所述静电电容检测电极具有能够检测与在载置部上升降基板的升降部件的相对位置的第三静电电容检测电极。
13.如权利要求11或12所述的位置检测用夹具，其特征在于：
所述静电电容检测电极具有在与载置部的上面的多个目标物对应的位置设置的其它的静电电容检测电极。
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Cited By (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101840853A (zh) * 2009-03-13 2010-09-22 东京毅力科创株式会社 基板处理装置、基板处理方法、涂敷、显影装置、涂敷、显影方法和存储介质
CN102779775A (zh) * 2011-05-12 2012-11-14 联达科技设备私人有限公司 使用配置为处理和传输组件板的多种组件板处理器的系统及方法
CN103808983A (zh) * 2012-11-08 2014-05-21 三星显示有限公司 用于检查面板的引导组件和具有引导组件的托盘
CN105097592A (zh) * 2015-06-17 2015-11-25 北京七星华创电子股份有限公司 半导体设备承载区域的硅片分布状态光电扫描方法及装置
CN107263303A (zh) * 2016-03-31 2017-10-20 株式会社荏原制作所 示教系统、示教方法、清洗装置、存储介质及维护套件
CN108364898A (zh) * 2017-01-27 2018-08-03 株式会社斯库林集团 基板搬送装置、检测位置校正方法及基板处理装置
CN109196301A (zh) * 2016-05-13 2019-01-11 安赛乐米塔尔公司 获得堆放在焦炉中的材料的高度的方法
CN109300823A (zh) * 2018-11-28 2019-02-01 德淮半导体有限公司 超声波扫描系统以及用于对晶圆进行超声波扫描的方法
CN109324303A (zh) * 2017-07-31 2019-02-12 东京毅力科创株式会社 对测定器进行校准的方法和箱体
CN110246796A (zh) * 2018-03-09 2019-09-17 东京毅力科创株式会社 测定器和求出测定器的偏离量的方法
CN111029275A (zh) * 2018-10-10 2020-04-17 东京毅力科创株式会社 基板处理系统
TWI735033B (zh) * 2018-09-04 2021-08-01 美商應用材料股份有限公司 使用震動資料量測晶圓移動和置放的方法及設備

Families Citing this family (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4447631B2 (ja) * 2007-11-05 2010-04-07 東京エレクトロン株式会社 位置検出用治具
JP5614326B2 (ja) * 2010-08-20 2014-10-29 東京エレクトロン株式会社 基板搬送装置、基板搬送方法及びその基板搬送方法を実行させるためのプログラムを記録した記録媒体
JP5490741B2 (ja) 2011-03-02 2014-05-14 東京エレクトロン株式会社 基板搬送装置の位置調整方法、及び基板処理装置
SG185838A1 (en) * 2011-05-12 2012-12-28 Semiconductor Technologies And Instr Pte Ltd A component pane handler configured to handle component panes of multiple sizes
JP5667996B2 (ja) * 2012-02-21 2015-02-12 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置
JP5884624B2 (ja) 2012-05-02 2016-03-15 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、調整方法及び記憶媒体
US9076834B2 (en) * 2012-09-28 2015-07-07 United Microelectronics Corp. Spacer for thermal plate in semiconductor processing
JP6111065B2 (ja) * 2012-12-28 2017-04-05 川崎重工業株式会社 自動教示システム及び教示方法
CN104078402B (zh) * 2014-06-30 2017-01-18 武汉新芯集成电路制造有限公司 一种机械手臂位置调整的辅助装置
US9786530B2 (en) * 2014-10-20 2017-10-10 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Wafer transfer method and system
JP6383647B2 (ja) 2014-11-19 2018-08-29 東京エレクトロン株式会社 測定システムおよび測定方法
US9903739B2 (en) 2015-06-11 2018-02-27 Tokyo Electron Limited Sensor chip for electrostatic capacitance measurement and measuring device having the same
JP6537433B2 (ja) * 2015-06-11 2019-07-03 東京エレクトロン株式会社 静電容量測定用のセンサチップ及び同センサチップを備えた測定器
JP6502232B2 (ja) * 2015-10-23 2019-04-17 東京エレクトロン株式会社 フォーカスリング及びセンサチップ
US10074549B2 (en) 2016-03-28 2018-09-11 Tokyo Electron Limited Method for acquiring data indicating electrostatic capacitance
JP6586394B2 (ja) * 2016-03-28 2019-10-02 東京エレクトロン株式会社 静電容量を表すデータを取得する方法
JP6712939B2 (ja) * 2016-06-20 2020-06-24 東京エレクトロン株式会社 静電容量測定用の測定器、及び、測定器を用いて処理システムにおける搬送位置データを較正する方法
US10634479B2 (en) 2016-06-20 2020-04-28 Tokyo Electron Limited Measuring instrument for measuring electrostatic capacity and method of calibrating transfer position data in processing system by using measuring instrument
JP6832207B2 (ja) * 2017-03-29 2021-02-24 東京エレクトロン株式会社 静電容量測定用の測定器
US10847393B2 (en) 2018-09-04 2020-11-24 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for measuring process kit centering
US11521872B2 (en) 2018-09-04 2022-12-06 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for measuring erosion and calibrating position for a moving process kit
US11404296B2 (en) * 2018-09-04 2022-08-02 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for measuring placement of a substrate on a heater pedestal
US10794681B2 (en) 2018-09-04 2020-10-06 Applied Materials, Inc. Long range capacitive gap measurement in a wafer form sensor system
JP7281885B2 (ja) * 2018-09-04 2023-05-26 株式会社アルバック 静電チャック装置およびその制御方法
KR102633264B1 (ko) * 2018-12-03 2024-02-02 램 리써치 코포레이션 핀-리프터 (pin-lifter) 테스트 기판

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3265670B2 (ja) * 1993-01-21 2002-03-11 株式会社ニコン ステージ装置、ステージ駆動方法、及び露光装置
JP3319012B2 (ja) * 1993-03-09 2002-08-26 株式会社ダイヘン ウエハ搬送制御方法
JPH08279544A (ja) * 1995-04-10 1996-10-22 Toshiba Corp 搬送装置
JPH10242193A (ja) * 1997-03-03 1998-09-11 Toshiba Corp ワイヤボンディング方法及びその装置
JP2000188249A (ja) * 1998-12-22 2000-07-04 Canon Inc 露光装置およびデバイス製造方法
JP4509411B2 (ja) * 2001-03-26 2010-07-21 株式会社ディスコ 搬出入装置
JP4243937B2 (ja) 2001-11-02 2009-03-25 東京エレクトロン株式会社 基板支持ピンの支持位置検知方法、その傾き検知方法及びそれらの教示装置並びに教示用治具
JP3888620B2 (ja) 2002-01-22 2007-03-07 東京エレクトロン株式会社 基板搬送装置における基板の受け渡し位置検知方法及びその教示装置
JP2003243479A (ja) * 2002-02-19 2003-08-29 Tokyo Electron Ltd 搬送手段の停止位置調整機構
JP4376116B2 (ja) 2003-06-03 2009-12-02 東京エレクトロン株式会社 基板受け渡し位置の調整方法
JP2005300329A (ja) 2004-04-12 2005-10-27 Nikon Corp 静電容量型３次元位置測定装置
JP2006351751A (ja) * 2005-06-15 2006-12-28 Tokyo Electron Ltd 基板処理装置及び基板処理方法
JP2009054993A (ja) * 2007-08-02 2009-03-12 Tokyo Electron Ltd 位置検出用治具

Cited By (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101840853B (zh) * 2009-03-13 2012-05-30 东京毅力科创株式会社 基板处理装置、基板处理方法、涂敷、显影装置、涂敷、显影方法和存储介质
CN101840853A (zh) * 2009-03-13 2010-09-22 东京毅力科创株式会社 基板处理装置、基板处理方法、涂敷、显影装置、涂敷、显影方法和存储介质
CN102779775A (zh) * 2011-05-12 2012-11-14 联达科技设备私人有限公司 使用配置为处理和传输组件板的多种组件板处理器的系统及方法
CN102779775B (zh) * 2011-05-12 2015-08-26 联达科技设备私人有限公司 使用配置为处理和传输组件板的多种组件板处理器的系统及方法
CN103808983A (zh) * 2012-11-08 2014-05-21 三星显示有限公司 用于检查面板的引导组件和具有引导组件的托盘
CN103808983B (zh) * 2012-11-08 2018-03-27 三星显示有限公司 用于检查面板的引导组件和具有引导组件的托盘
CN105097592A (zh) * 2015-06-17 2015-11-25 北京七星华创电子股份有限公司 半导体设备承载区域的硅片分布状态光电扫描方法及装置
CN105097592B (zh) * 2015-06-17 2018-01-26 北京七星华创电子股份有限公司 半导体设备承载区域的硅片分布状态光电扫描方法及装置
US10845777B2 (en) 2016-03-31 2020-11-24 Ebara Corporation Teaching device and teaching method
CN107263303A (zh) * 2016-03-31 2017-10-20 株式会社荏原制作所 示教系统、示教方法、清洗装置、存储介质及维护套件
CN107263303B (zh) * 2016-03-31 2021-04-09 株式会社荏原制作所 示教系统、示教方法、清洗装置、存储介质及维护套件
CN109196301A (zh) * 2016-05-13 2019-01-11 安赛乐米塔尔公司 获得堆放在焦炉中的材料的高度的方法
CN108364898A (zh) * 2017-01-27 2018-08-03 株式会社斯库林集团 基板搬送装置、检测位置校正方法及基板处理装置
CN108364898B (zh) * 2017-01-27 2022-02-01 株式会社斯库林集团 基板搬送装置、检测位置校正方法及基板处理装置
CN109324303A (zh) * 2017-07-31 2019-02-12 东京毅力科创株式会社 对测定器进行校准的方法和箱体
US10837810B2 (en) 2017-07-31 2020-11-17 Tokyo Electron Limited Method for calibrating measuring device and case used in the calibration method
CN109324303B (zh) * 2017-07-31 2021-05-28 东京毅力科创株式会社 对测定器进行校准的方法和箱体
CN110246796A (zh) * 2018-03-09 2019-09-17 东京毅力科创株式会社 测定器和求出测定器的偏离量的方法
CN110246796B (zh) * 2018-03-09 2024-03-26 东京毅力科创株式会社 测定器和求出测定器的偏离量的方法
TWI735033B (zh) * 2018-09-04 2021-08-01 美商應用材料股份有限公司 使用震動資料量測晶圓移動和置放的方法及設備
US11342210B2 (en) 2018-09-04 2022-05-24 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for measuring wafer movement and placement using vibration data
CN111029275A (zh) * 2018-10-10 2020-04-17 东京毅力科创株式会社 基板处理系统
CN109300823A (zh) * 2018-11-28 2019-02-01 德淮半导体有限公司 超声波扫描系统以及用于对晶圆进行超声波扫描的方法

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