CN110246796A - 测定器和求出测定器的偏离量的方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供测定器和求出测定器的偏离量的方法。测定器具备基底基板、多个传感器电极、高频振荡器(171)、C/V转换电路(172)、A/D转换器(173)以及开关机构(190)。多个C/V转换电路(172)分别将多个传感器电极中的对应的传感器电极的电压振幅转换为表现静电电容的电压信号。开关机构(190)能够在第一状态与第二状态之间进行切换。在第一状态下，多个传感器电极分别电连接于多个C/V转换电路(172)。在第二状态下，多个电极对(105)分别电连接于多个C/V转换电路(172)中的不同的C/V转换电路(172)。多个电极对(105)分别包括多个传感器电极中的在周向上相邻的两个传感器电极。

Description

测定器和求出测定器的偏离量的方法
技术领域
本发明的实施方式涉及测定器和求出测定器的偏离量的方法。
背景技术
在半导体器件之类的电子器件的制造中，使用对圆盘状的被加工物进行处理的处理系统。处理系统具有用于对被加工物进行搬送的搬送装置和用于对被加工物进行处理的处理装置。处理装置一般具有腔室主体以及设置在该腔室主体内的载置台。载置台构成为，对载置于其上的被加工物进行支承。搬送装置构成为，将被加工物搬送到载置台上。
在处理装置中的对被加工物进行的处理中，被加工物在载置台上的位置是重要的。因而，在被加工物在载置台上的位置相对于规定位置发生了偏离的情况下，需要调整搬送装置。
作为调整搬送装置的技术，已知有专利文献1所记载的技术。在专利文献1所记载的技术中，利用具有与被加工物同样的圆盘形状且具有用于测定静电电容的电极的测定器。在专利文献1所记载的技术中，利用搬送装置将测定器搬送到载置台上。获取取决于电极在载置台上的位置的静电电容的测定值，基于该测定值来调整搬送装置，以修正被加工物的搬送位置。
专利文献1：日本特开2017-3557号公报
发明内容
发明要解决的问题
所述的测定器获取电极与同电极相向的对象物之间的静电电容的测定值。由于静电电容同电极与对象物之间的距离成反比，因此随着电极与对象物之间的距离增大，所获取的测定值减小，灵敏度降低。为了抑制灵敏度降低，考虑将电极的面积设计得大。但是，若增大电极的面积，则在电极与对象物之间的距离小时存在测定值过大而无法进行适当的测定的可能性。因此，期望不取决于电极与对象物之间的距离，能够适当地获取静电电容的测定值。
用于解决问题的方案
在一个方式中，提供一种测定器。测定器具备基底基板、多个传感器电极、高频振荡器、C/V转换电路、A/D转换器以及开关机构。基底基板呈圆盘状。多个传感器电极沿基底基板的周缘在周向上排列。高频振荡器被设置为向多个传感器电极提供高频信号。多个C/V转换电路分别将多个传感器电极中的对应的传感器电极的电压振幅转换为表现静电电容的电压信号。A/D转换器将从多个C/V转换电路的各C/V转换电路输出的电压信号转换为数字值。开关机构能够在第一状态与第二状态之间进行切换。在第一状态下，多个传感器电极分别电连接于多个C/V转换电路。在第二状态下，多个电极对分别电连接于多个C/V转换电路中的不同的C/V转换电路。多个电极对分别包括多个传感器电极中的在周向上相邻的两个传感器电极。
在一个方式中，能够将多个传感器电极与C/V转换电路的连接在第一状态与第二状态之间进行切换。由此，在传感器电极与对象物之间的距离小的情况下，通过将多个传感器电极与C/V转换电路的连接设定为第一状态，能够抑制测定值的过度上升。另外，在传感器电极与对象物之间的距离大的情况下，将多个传感器电极与C/V转换电路的连接设定为第二状态。在第二状态下，构成电极对的两个传感器电极与一个C/V转换电路连接。通过构成电极对，能够在实质上增大传感器电极的面积，能够增大传感器灵敏度。像这样，开关机构能够在第一状态与第二状态之间进行切换，因此能够不取决于电极与对象物之间的距离地适当地获取静电电容的测定值。
也可以是，能够变更多个电极对各自包括的相邻的两个传感器电极的组合。在该结构中，在选择与一个传感器电极形成电极成对的其它传感器电极时，能够从在周向上的一侧相邻的传感器电极和在另一侧相邻的传感器电极中选择更适当的传感器电极。
另外，在一个方式中提供一种求出偏离量的方法，用于求出由搬送装置搬送的所述测定器的偏离量。搬送装置是基于搬送位置数据来将被加工物搬送到被聚焦环包围的区域内的装置。偏离量是配置在被聚焦环包围的区域的测定器的中心位置相对于该区域内的中心位置的偏离量。该方法包括以下步骤：使用搬送装置将测定器搬送到根据搬送位置数据确定的区域内的位置；计算多个数值来作为多个第一测定值，所述多个数值包括基于在第一状态下从多个C/V转换电路的各C/V转换电路输出的电压信号形成的数字值；使用校正后的搬送位置数据来调整测定器的位置，其中，校正后的搬送位置数据是通过使用根据多个第一测定值求出的测定器的中心位置相对于区域的中心位置的偏离量对搬送位置数据进行校正得到的；以及在调整测定器的位置后，根据多个第二测定值导出测定器的中心位置相对于区域的中心位置的偏离量，其中，所述多个第二测定值是包括基于在第二状态下从不同的C/V转换电路的各C/V转换电路输出的电压信号形成的数字值的多个数字值。
在所述方法中，计算反映出传感器电极与聚焦环之间的距离的测定值。首先，在第一状态下获取第一测定值，因此即使在聚焦环与各传感器电极之间的距离小的情况下，也能够抑制测定值的过度上升。在基于第一测定值调整测定器在聚焦环内的位置之后，在传感器灵敏度高的第二状态下获取第二测定值。由此，能够以高精度求出测定器的中心位置的偏离量。
也可以是，在调整测定器的位置的步骤与根据多个第二测定值导出偏离量的步骤之间还包括以下步骤：计算多个数值来作为多个第三测定值，所述多个数值包括基于在第一状态下从多个C/V转换电路的各C/V转换电路输出的电压信号形成的数字值。在根据多个第二测定值导出偏离量的步骤中，多个电极对中的某一个电极对包括以隔着将基于多个第三测定值得到的配置在区域内的测定器的中心位置与区域的中心位置连结的直线的延长线的方式相邻的两个传感器电极。通过将电极对构成为包括以隔着该延长线的方式相邻的两个传感器电极，能够高精度求出测定器离聚焦环最近时的位置和离聚焦环最远时的位置处的偏离量。
也可以是，所述方法还包括使用校正后的搬送位置数据来再次调整测定器的位置的步骤，其中，所述校正后的搬送位置数据是使用根据多个第二测定值导出的偏离量进行校正后的搬送位置数据。在该结构中，基于以高精度求出的偏离量来再次调整测定器的位置，因此能够进一步减小偏离量。
也可以是，所述方法在再次调整测定器的位置之后还包括以下步骤：将多个数值作为多个第四测定值，根据所述多个第四测定值导出测定器的中心位置相对于区域的中心位置的偏离量，其中，所述多个数值包括基于在第二状态下从不同的C/V转换电路的各C/V转换电路输出的电压信号形成的数字值。在该结构中，能够以高精度求出再次调整后的测定器的偏离量。
发明的效果
如以上说明的那样，能够不取决于电极与对象物之间的距离地适当地获取静电电容的测定值。
附图说明
图1是例示处理系统的图。
图2是例示校准器的立体图。
图3是表示等离子体处理装置的一例的图。
图4是表示从测定器的上表面侧观察测定器的俯视图。
图5是表示传感器芯片的一例的立体图。
图6是沿图5的VI－VI线截取到的截面图。
图7是例示测定器的电路基板的结构的图。
图8是例示测定器的电路基板的结构的图。
图9是示意性地表示聚焦环与测定器之间的位置关系的图。
图10是示意性地表示聚焦环与测定器之间的位置关系的图。
图11是表示使用测定器求出偏离量的方法的一个实施方式的流程图。
附图标记说明
100：测定器；102：基底基板；104：传感器芯片；143：传感器电极；106：电路基板；171：高频振荡器；172：C/V转换电路；173：A/D转换器；190：开关机构；FR：聚焦环。
具体实施方式
下面，参照附图来详细地说明各种实施方式。此外，在各附图中对相同或相当的部分标注相同的附图标记。
图1是例示处理系统的图。处理系统1具备台2a～2d、容器4a～4d、加载模块LM、校准器AN、加载互锁模块LL1、LL2、处理模块PM1～PM6、传递模块TF以及控制部MC。此外，关于台2a～2d的个数、容器4a～4d的个数、加载互锁模块LL1、LL2的个数以及处理模块PM1～PM6的个数并无限定，可以是1以上的任意个数。
台2a～2d沿加载模块LM的一个边排列。容器4a～4d分别搭载在台2a～2d上。各容器4a～4d例如是被称作FOUP(Front Opening Unified Pod：前开式晶圆传送盒)的容器。各容器4a～4d分别构成为收容被加工物W。被加工物W如晶圆那样具有大致圆盘形状。
加载模块LM具有腔室壁，在该腔室壁的内部界定出大气压状态的搬送空间。在该搬送空间内设置有搬送装置TU1。搬送装置TU1例如是多关节机器人，由控制部MC来控制。搬送装置TU1构成为在容器4a～4d与校准器AN之间、校准器AN与加载互锁模块LL1～LL2之间、加载互锁模块LL1～LL2与容器4a～4d之间搬送被加工物W。
校准器AN与加载模块LM连接。校准器AN构成为对被加工物W进行位置调整(位置校准)。图2是例示校准器的立体图。校准器AN具有支承台6T、驱动装置6D以及传感器6S。支承台6T是能够绕沿铅垂方向延伸的轴线中心旋转的台，构成为在支承台6T上支承被加工物W。支承台6T通过驱动装置6D进行旋转。驱动装置6D由控制部MC来控制。当支持台6T通过来自驱动装置6D的动力进行旋转时，载置在该支承台6T上的被加工物W也旋转。
传感器6S是光学传感器，在被加工物W旋转的期间检测被加工物W的边缘。传感器6S根据边缘的检测结果来检测被加工物W的切口WN(或者其它的标记)的角度位置相对于基准角度位置的偏离量以及被加工物W的中心位置相对于基准位置的偏离量。传感器6S将切口WN的角度位置的偏离量和被加工物W的中心位置的偏离量输出到控制部MC。控制部MC基于切口WN的角度位置的偏离量来计算用于将切口WN的角度位置校正为基准角度位置的支持台6T的旋转量。控制部MC控制驱动装置6D，使得支承台6T旋转与该旋转量相应的量。由此，能够将切口WN的角度位置校正为基准角度位置。另外，控制部MC基于被加工物W的中心位置的偏离量来控制从校准器AN接受被加工物W时的、搬送装置TU1的末端执行器(endeffector)的位置，使得被加工物W的中心位置与搬送装置TU1的末端执行器上的规定位置一致。
返回到图1，加载互锁模块LL1和加载互锁模块LL2分别设置在加载模块LM与传递模块TF之间。加载互锁模块LL1和加载互锁模块LL2分别提供预备减压室。
传递模块TF经由闸阀而与加载互锁模块LL1及加载互锁模块LL2连接。传递模块TF提供能够减压的减压室。在该减压室设置有搬送装置TU2。搬送装置TU2例如是多关节机器人，由控制部MC来控制。搬送装置TU2构成为在加载互锁模块LL1～LL2与处理模块PM1～PM6之间以及在处理模块PM1～PM6中的任意两个处理模块之间搬送被加工物W。
处理模块PM1～PM6经由闸阀而与传递模块TF连接。处理模块PM1～PM6分别是构成为对被加工物W进行等离子体处理之类的专用处理的处理装置。
如下那样例示在该处理系统1中对被加工物W进行处理时的一系列动作。加载模块LM的搬送装置TU1从容器4a～4d中的某一个容器取出被加工物W，将该被加工物W搬送到校准器AN。接着，搬送装置TU1从校准器AN取出位置被调整后的被加工物W，将该被加工物W搬送到加载互锁模块LL1和加载互锁模块LL2中的一个加载互锁模块。接着，一个加载互锁模块将预备减压室的压力减压到规定的压力。接着，传递模块TF的搬送装置TU2从一个加载互锁模块取出被加工物W，将该被加工物W搬送到处理模块PM1～PM6中的某一个处理模块。然后，处理模块PM1～PM6中的一个以上的处理模块对被加工物W进行处理。然后，搬送装置TU2将处理后的被加工物W从处理模块搬送到加载互锁模块LL1和加载互锁模块LL2中的一个加载互锁模块。接着，搬送装置TU1将被加工物W从一个加载互锁模块搬送到容器4a～4d中的某一个容器。
如上所述，该处理系统1具备控制部MC。控制部MC能够是具备处理器、存储器之类的存储装置、显示装置、输入输出装置、通信装置等的计算机。利用控制部MC按照存储装置中存储的程序对处理系统1的各部进行控制，由此实现所述的处理系统1的一系列动作。
图3是表示作为处理模块PM1～PM6中的某一个处理模块能够采用的等离子体处理装置的一例的图。图3所示的等离子体处理装置10是电容耦合型等离子体蚀刻装置。等离子体处理装置10具备大致圆筒形状的腔室主体12。腔室主体12例如由铝形成，能够对腔室主体12的内壁面实施阳极氧化处理。该腔室主体12保安接地。
在腔室主体12的底部上设置有大致圆筒形状的支承部14。支承部14例如由绝缘材料构成。支承部14设置在腔室主体12内，从腔室主体12的底部向上方延伸。另外，在由腔室主体12提供的腔室S内设置有载置台ST。载置台ST被支承部14支承。
载置台ST具有下部电极LE和静电卡盘ESC。下部电极LE包括第一板18a和第二板18b。第一板18a和第二板18b例如由铝之类的金属构成，呈大致圆盘形状。第二板18b设置在第一板18a上，与第一板18a电连接。
在第二板18b上设置有静电卡盘ESC。静电卡盘ESC具有将作为导电膜的电极配置在一对绝缘层或者绝缘片之间而成的构造，具有大致圆盘形状。静电卡盘ESC的电极经由开关23而与直流电源22电连接。该静电卡盘ESC通过由于来自直流电源22的直流电压而产生的库仑力等静电力来吸附被加工物W。由此，静电卡盘ESC能够保持被加工物W。
在第二板18b的周缘部上设置有聚焦环FR。该聚焦环FR以包围被加工物W的边缘和静电卡盘ESC的方式设置。聚焦环FR具有第一部分P1和第二部分P2(参照图6)。第一部分P1和第二部分P2具有环形板状。第二部分P2设置在第一部分P1上。第二部分P2的内缘P2i具有比第一部分P1的内缘P1i的直径大的直径。被加工物W以其边缘区域位于聚焦环FR的第一部分P1上的方式被载置在静电卡盘ESC上。该聚焦环FR能够由硅、碳化硅、氧化硅之类的各种材料中的任意材料形成。
在第二板18b的内部设置有制冷剂流路24。制冷剂流路24构成调温机构。经由配管26a从设置于腔室主体12的外部的冷却装置向制冷剂流路24供给制冷剂。被供给到制冷剂流路24的制冷剂经由配管26b返回到冷却装置。像这样使制冷剂在制冷剂流路24与冷却装置之间循环。通过控制该制冷剂的温度，来控制被静电卡盘ESC支承的被加工物W的温度。
在载置台ST形成有将该载置台ST贯通的多个(例如三个)贯通孔25。多根(例如三根)升降销25a分别插入所述多个贯通孔25中。此外，在图3中，描绘了插入有一根升降销25a的一个贯通孔25。
另外，在等离子体处理装置10设置有气体供给管线28。气体供给管线28将来自传热气体供给机构的传热气体、例如He气体供给到静电卡盘ESC的上表面与被加工物W的背面之间。
另外，等离子体处理装置10具备上部电极30。上部电极30以与载置台ST相向的方式配置在该载置台ST的上方。上部电极30借助绝缘性遮蔽构件32被支承于腔室主体12的上部。上部电极30能够包括顶板34和支承体36。顶板34面向腔室S，在该顶板34设置有多个气体喷出孔34a。该顶板34能够由硅或者石英形成。或者，能够通过在铝制的母材的表面形成氧化钇之类的耐等离子体性的膜来构成顶板34。
支承体36以装卸自如的方式支承顶板34，支承体36例如能够由铝之类的导电性材料构成。该支承体36能够具有水冷构造。在支承体36的内部设置有气体扩散室36a。从该气体扩散室36a向下方延伸出与气体喷出孔34a连通的多个气体通流孔36b。另外，在支承体36形成有用于向气体扩散室36a引导处理气体的气体导入口36c，该气体导入口36c与气体供给管38连接。
气体供给管38经由阀组42及流量控制器组44而与气体源组40连接。气体源组40包括多种气体用的多个气体源。阀组42包括多个阀，流量控制器组44包括质量流量控制器之类的多个流量控制器。气体源组40的多个气体源分别经由阀组42的对应的阀及流量控制器组44的对应的流量控制器而与气体供给管38连接。
另外，在等离子体处理装置10中，沿腔室主体12的内壁以装卸自如的方式设置有沉积物屏蔽件46。在支承部14的外周也设置有沉积物屏蔽件46。沉积物屏蔽件46用于防止蚀刻副产物(沉积物)附着于腔室主体12，能够通过在铝材料上覆盖氧化钇等陶瓷来构成沉积物屏蔽件46。
在腔室主体12的底部侧且支承部14与腔室主体12的侧壁之间设置有排气板48。例如能够通过在铝材料上覆盖氧化钇等陶瓷来构成排气板48。在排气板48形成有沿排气板48的板厚方向贯通的多个孔。在该排气板48的下方且腔室主体12设置有排气口12e。排气口12e经由排气管52而与排气装置50连接。排气装置50具有压力调整阀和涡轮分子泵等真空泵，能够将腔室主体12内的空间减压到期望的真空度。另外，在腔室主体12的侧壁设置有被加工物W的搬入搬出口12g，能够利用闸阀54将搬入搬出口12g打开和关闭。
另外，等离子体处理装置10还具备第一高频电源62和第二高频电源64。第一高频电源62是产生进行等离子体生成用的第一高频的电源，例如产生具有27～100MHz的频率的高频。第一高频电源62经由匹配器66而与上部电极30连接。匹配器66具有用于使第一高频电源62的输出阻抗与负载侧(上部电极30侧)的输入阻抗匹配的电路。此外，第一高频电源62也可以经由匹配器66而与下部电极LE连接。
第二高频电源64是产生用于向被加工物W吸引离子的第二高频的电源，例如产生400kHz～13.56MHz的范围内的频率的高频。第二高频电源64经由匹配器68而与下部电极LE连接。匹配器68具有用于使第二高频电源64的输出阻抗与负载侧(下部电极LE侧)的输入阻抗匹配的电路。
在该等离子体处理装置10中，从自多个气体源中选择出的一个以上的气体源向腔室S供给气体。另外，利用排气装置50将腔室S的压力设定为规定的压力。并且，利用来自第一高频电源62的第一高频对腔室S内的气体进行激励。由此，生成等离子体。然后，利用产生的活性种对被加工物W进行处理。此外，也可以根据需要，利用基于第二高频电源64的第二高频的偏压向被加工物W吸引离子。
下面，说明测定器。图4是表示从测定器的上表面侧观察测定器的俯视图。图4所示的测定器100具备基底基板102，基底基板102具有上侧部分102b和下侧部分102a。基底基板102例如由硅形成，具有与被加工物W的形状相同的形状、即大致圆盘形状。基底基板102的直径是与被加工物W的直径相同的直径，例如是300mm。测定器100的形状和尺寸由该基底基板102的形状和尺寸来规定。因而，测定器100具有与被加工物W的形状相同的形状且具有与被加工物W的尺寸相同的尺寸。另外，在基底基板102的边缘形成有切口102N(或其它的标记)。
在基底基板102的上侧部分102b设置有多个传感器芯片104A～104H。多个传感器芯片104A～104H沿基底基板102的边缘，例如等间隔地排列在该边缘的整周上。即，传感器芯片104A和传感器芯片104E配置在以中心轴线AX100为中心彼此相向的位置。传感器芯片104B和传感器芯片104F配置在以中心轴线AX100为中心彼此相向的位置。传感器芯片104C和传感器芯片104G配置在以中心轴线AX100为中心彼此相向的位置。传感器芯片104D和传感器芯片104H配置在以中心轴线AX100为中心彼此相向的位置。
基底基板102的上侧部分102b的上表面提供凹部102r。凹部102r包括中央区域102c和多个辐射区域102h。中央区域102c是与中心轴线AX100交叉的区域。中心轴线AX100是沿板厚方向通过基底基板102的中心的轴线。在中央区域102c设置有电路基板106。多个辐射区域102h以相对于中心轴线AX100沿辐射方向延伸的方式从中央区域102c朝向配置有多个传感器芯片104A～104H的各个传感器芯片的区域延伸。在多个辐射区域102h分别设置有用于将多个传感器芯片104A～104H与电路基板106电连接的布线组108A～108H。
图5是一个实施方式所涉及的传感器芯片的立体图。图6是沿图5的VI-VI线截取到的截面图。图5～图6所示的传感器芯片104是被用作测定器100的多个传感器芯片104A～104H的传感器芯片。此外，在下面的说明中，适当地参照XYZ正交坐标系。X方向表示传感器芯片104的前方向，Y方向是与X方向正交的一个方向且表示传感器芯片104的宽度方向，Z方向是与X方向及Y方向正交的方向且表示传感器芯片104的上方向。在图6中，与传感器芯片104一同示出聚焦环FR。
传感器芯片104具有电极141、保护电极142、传感器电极143、基板部144以及绝缘区域147。
基板部144例如由硼硅酸玻璃或者石英形成。基板部144具有上表面144a、下表面144b以及前侧端面144c。保护电极142设置于基板部144的下表面144b的下方，沿X方向和Y方向延伸。另外，电极141设置于保护电极142的下方且沿X方向和Y方向延伸，在该以电极141与该保护电极142之间夹设有绝缘区域147。绝缘区域147例如由SiO2、SiN、Al2O3或聚酰亚胺形成。
基板部144的前侧端面144c形成为阶梯状。前侧端面144c的下侧部分144d相比于该前侧端面144c的上侧部分144u更向聚焦环FR侧突出。传感器电极143沿前侧端面144c的上侧部分144u延伸。在一个实施方式中，前侧端面144c的上侧部分144u和下侧部分144d分别为具有规定的曲率的曲面。即，前侧端面144c的上侧部分144u在该上侧部分144u的任意位置处具有固定的曲率，该上侧部分144u的曲率是测定器100的中心轴线AX100与前侧端面144c的上侧部分144u之间的距离的倒数。另外，前侧端面144c的下侧部分144d在该下侧部分144d的任意位置处具有固定的曲率，该下侧部分144d的曲率是测定器100的中心轴线AX100与前侧端面144c的下侧部分144d之间的距离的倒数。
传感器电极143沿前侧端面144c的上侧部分144u设置。在一个实施方式中，该传感器电极143的前表面143f也为曲面。即，传感器电极143的前表面143f在该前表面143f的任意位置处具有固定的曲率，该曲率是测定器100的中心轴线AX100与前表面143f之间的距离的倒数。
在将该传感器芯片104用作测定器100的传感器的情况下，如后述那样使电极141与布线181连接，使保护电极142与布线182连接，使传感器电极143与布线183连接。
在传感器芯片104中，利用电极141和保护电极142从传感器芯片104的下方将传感器电极143遮蔽。因而，根据该传感器芯片104，能够以在特定方向、即传感器电极143的前表面143f朝向的方向(X方向)上具有高指向性的方式测定静电电容。
下面，说明电路基板106的结构。图7和图8是例示测定器的电路基板的结构的图。此外，图7示出基于后述的单模式的连接状态，图8示出基于双模式的连接状态。如图所示，电路基板106具有高频振荡器171、多个C/V转换电路172A～172H、开关机构190、A/D转换器173、处理器(运算部)174、存储装置175、通信装置176以及电源177。
多个传感器芯片104A～104H分别经由多个布线组108A～108H中的对应的布线组而与电路基板106连接。另外，多个传感器芯片104A～104H分别经由对应的布线组所包含的几条布线而与多个C/V转换电路172A～172H中的对应的C/V转换电路连接。下面，对结构与多个传感器芯片104A～104H各自的结构相同的一个传感器芯片104、结构与多个布线组108A～108H各自的结构相同的一个布线组108、结构与多个C/V转换电路172A～172H各自的结构相同的一个C/V转换电路172、以及开关机构190进行说明。
布线组108包括布线181～183。布线181的一端与同电极141连接的焊盘151连接。该布线181与同电路基板106的接地G连接的接地电位线GL连接。此外，布线181也可以经由开关SWG而与接地电位线GL连接。另外，布线182的一端与同保护电极142连接的焊盘152连接，布线182的另一端与C/V转换电路172连接。另外，布线183的一端与同传感器电极143连接的焊盘153连接，布线183的另一端与C/V转换电路172连接。
高频振荡器171与电池之类的电源177连接，构成为从该电源177接受电力来产生高频信号。此外，电源177也与处理器174、存储装置175以及通信装置176连接。高频振荡器171具有多条输出线。高频振荡器171将所产生的高频信号经由多条输出线提供到布线182和布线183。因而，高频振荡器171与传感器芯片104的保护电极142及传感器电极143电连接，来自该高频振荡器171的高频信号被提供到保护电极142及传感器电极143。
C/V转换电路172的输入与布线182及布线183连接。即，C/V转换电路172的输入与传感器芯片104的保护电极142及传感器电极143连接。C/V转换电路172构成为：生成具有与其输入中的电位差相应的振幅的电压信号，并输出该电压信号。此外，与C/V转换电路172连接的传感器电极的静电电容越大，则该C/V转换电路172输出的电压信号的电压大小越大。
开关机构190能够将多个传感器电极143的测定模式切换为单模式(第一状态)或双模式(第二状态)。单模式是多个传感器电极143分别电连接于对应的C/V转换电路172的状态(参照图7)。在双模式中，构成多个电极对105，各电极对105分别包括多个传感器电极143中的在周向上相邻的两个传感器电极143(参照图8)。双模式是多个电极对105分别电连接于与两个传感器电极143分别对应的两个C/V转换电路172中的一方的状态。即，在第二状态下，多个电极对105分别电连接于与多个C/V转换电路172中的不同的C/V转换电路172。
在一个实施方式中，与在周向上相邻的两个传感器芯片104连接的两根布线183彼此连接后被输入到与一个传感器芯片104对应的C/V转换电路172。在该两根布线183的连接点186与两个焊盘153之间分别配置有构成开关机构190的开关193。另外，与在周向上相邻的两个传感器芯片104连接的两根布线182彼此连接后被输入到与一个传感器芯片104对应的C/V转换电路172。在该两根布线182的连接点185与两个焊盘152之间分别配置有构成开关机构190的开关192。开关192、193具有能够在连接布线的状态与切断布线的状态之间进行切换的机构。开关192、193例如可以是晶体管这样的电子式开关。另外，开关192、193也可以是机械式开关。
以传感器芯片104A和传感器芯片104B为例，在图7所示的单模式中，控制各开关192、193，以使传感器芯片104A与C/V转换电路172A连接、传感器芯片104B与C/V转换电路172A切断、传感器芯片104B与C/V转换回路172B连接。另外，在图8所示的双模式中，控制各开关192、193，以使传感器芯片104A与C/V转换电路172A连接、传感器芯片104B与C/V转换电路172A连接、传感器芯片104B与C/V转换电路172B切断。在该控制中，由传感器芯片104A和传感器芯片104B的组合构成电极对105。以如下方式设计将传感器芯片104A与C/V转换电路172A连接的布线以及将传感器芯片104B与C/V转换电路172A连接的布线：使传感器芯片104A和传感器芯片104B各自的电压振幅取得同步。例如，也可以设计为使两个布线的阻抗一致。在传感器芯片104A和传感器芯片104B构成电极对105的双模式中，传感器芯片104C和传感器芯片104D、传感器芯片104E和传感器芯片104F、以及传感器芯片104G和传感器芯片104H分别构成电极对105。
另外，在一个实施方式中，通过切换开关192、193，能够变更多个电极对105各自包括的相邻的两个传感器电极143的组合。即，在其它双模式中，也可以是，传感器芯片104A和传感器芯片104H、传感器芯片104B和传感器芯片104C、传感器芯片104D和传感器芯片104E、以及传感器芯片104F和传感器芯片104G分别构成电极对105。
A/D转换器173的输入与C/V转换电路172的输出连接。另外，A/D转换器173与处理器174连接。根据来自处理器174的控制信号来控制A/D转换器173，A/D转换器173将C/V转换电路172的输出信号(电压信号)转换为数字值后作为检测值输出到处理器174。在单模式中，各个传感器芯片104分别与对应的C/V转换电路172连接。因此，A/D转换器173将每个传感器芯片104的检测值分别输出到处理器。在双模式中，构成一个电极对105的两个传感器芯片104与一个C/V转换电路172连接。因此，A/D转换器173将构成电极对105的两个传感器芯片104的检测值的合成值输出到处理器174。
处理器174与存储装置175连接。存储装置175是易失性存储器之类的存储装置，构成为存储后述的测定数据。另外，处理器174与其它的存储装置178连接。存储装置178是非易失性存储器之类的存储装置，存储有由处理器174读入并执行的程序。
通信装置176是遵照任意的无线通信标准的通信装置。例如，通信装置176遵照蓝牙(Bluetooth)(注册商标)。通信装置176构成为对存储装置175中存储的测定数据进行无线发送。
处理器174构成为，通过执行所述的程序来控制测定器100的各部。例如，处理器174控制从高频振荡器171向保护电极142和传感器电极143进行的高频信号的供给、从电源177向存储装置175进行的电力供给、从电源177向通信装置176进行的电力供给等。并且，处理器174执行所述的程序，由此基于从A/D转换器173输入的检测值来获取传感器芯片104的测定值。另外，传感器芯片通过执行所述的程序来控制开关的切换。
在测定器100中，在测定器100配置在被聚焦环FR包围的区域的状态下，多个传感器电极143及保护电极142与聚焦环FR的内缘相向。基于这些传感器电极143的信号与保护电极142的信号之间的电位差生成的测定值表示反映多个传感器电极143的各个传感器电极与聚焦环之间的距离的静电电容。此外，用C＝εS/d表示静电电容C。ε是传感器电极143的前表面143f与聚焦环FR的内缘之间的介质的介电常数，S是传感器电极143的前表面143f的面积，能够将d视为传感器电极143的前表面143f与聚焦环FR的内缘之间的距离。因而，根据测定器100，得到反映模拟被加工物W的该测定器100与聚焦环FR之间的相对的位置关系的测定数据。例如，传感器电极143的前表面143f与聚焦环FR的内缘之间的距离越大，则由测定器100获取的多个测定值越小。
下面，对求出配置在被聚焦环FR包围的区域内的测定器100的中心位置(中心轴线AX100)相对于该区域内的中心位置(中心轴线AXF)的偏离量的方法进行说明。
首先，对单模式中的求出测定器100的中心位置的偏离量的方法进行说明。偏离量是配置在被聚焦环包围的区域内的测定器100的中心位置相对于该区域的中心位置的偏离量。
图9示意性地示出聚焦环FR与配置在聚焦环FR的内侧的测定器100之间的位置关系。在图9中示出聚焦环FR的内周与测定器100的边缘。另外，在图9中，示出将聚焦环FR的中心位置作为原点的基于X轴和Y轴的正交坐标系以及将测定器100的中心位置作为原点的基于X’轴和Y’轴的正交坐标系。在图示例中，设定为Y’轴通过传感器芯片104A、104E和中心位置。另外，设定为X’轴通过传感器芯片104C、104G和中心位置。此外，在下面所示的方法中，基于传感器芯片104A、104E来计算测定器100的中心位置在Y轴方向上的偏离量ΔY，基于传感器芯片104C、104G来计算测定器100的中心位置在X轴方向上的偏离量ΔX。因此，在图9中未示出其它传感器芯片104B、104D、104F、104H。此外，通过变更X轴方向和Y轴方向的设定，能够基于其它传感器芯片104B、104D、104F、104H来计算测定器100的中心位置的偏离量。
下面，对ΔX和ΔY的导出方法进行说明。在本实施方式中，在传感器芯片104A和传感器芯片104E中，从多个传感器电极143起至聚焦环FR的内周面为止的各个最短距离之和为固定的值。另外，在传感器芯片104C和传感器芯片104G中，从多个传感器电极143起至聚焦环FR的内周面为止的各个最短距离之和为固定的值。在图示例中，聚焦环FR的内径Df是302mm，测定器100的外径Dw是300mm。在该情况下，当将从传感器芯片104A起至聚焦环FR的内周为止的最短距离设为GA、将从传感器芯片104C起至聚焦环FR的内周为止的最短距离设为GC、将从传感器芯片104E起至聚焦环FR的内周为止的最短距离设为GE、将从传感器芯片104G起至聚焦环FR的内周为止的最短距离设为GG时，以下的式(1)、(2)成立。
GA+GE＝Df-Dw＝2.00mm…(1)
GC+GG＝Df-Dw＝2.00mm…(2)
当将传感器芯片104A的测定值(静电电容)设为CA、将传感器芯片104C的测定值设为CC、将传感器芯片104E的测定值设为CE、将传感器芯片104G的测定值设为CG时，GA＝a/CA、GC＝a/CC、GE＝a/CE、GG＝a/CG成立。即，可将上式变换为下式(3)、(4)。
(a/CA)+(a/CE)＝2.00mm…(3)
(a/CC)+(a/CG)＝2.00mm…(4)
在导出ΔX和ΔY的情况下，首先，获取测定值CA、CC、CE、CG。通过将这些测定值CA、CC、CE、CG代入到上式(3)、(4)中，能够求出常量a。然后，根据常量a和各个测定值CA、CC、CE、CG导出GA、GC、GE、GG。
能够将ΔY规定为Y2与Y1之差的1/2，因此如以下的式(5)那样根据距离GA、GE求出ΔY。
ΔY＝(GE-GA)/2…(5)
同样地，能够将ΔX规定为X2与X1之差的1/2，因此如以下的式(6)那样根据距离GC、GD求出ΔX。
ΔX＝(GG-GC)/2…(6)
如上所述，能够计算聚焦环FR的中心位置与配置于聚焦环FR的内侧的测定器100的中心轴线AX100之间的偏离量来作为沿X轴的方向上的偏离量ΔX和沿Y轴的方向上的偏离量ΔY。
接着，对双模式中的求出测定器100的中心位置的偏离量的方法进行说明。图10示意性地示出聚焦环FR与配置在聚焦环FR的内侧的测定器100之间的位置关系。在图10中示出聚焦环FR的内周和测定器100的边缘。另外，在图10中，示出将聚焦环FR的中心位置作为原点的基于X轴和Y轴的正交坐标系以及将测定器100的中心位置作为原点的基于X’轴和Y’轴的正交坐标系。
在图示例中，传感器芯片104A和104B、传感器芯片104C和104D、传感器芯片104E和104F、以及传感器芯片104G和104H分别构成电极对105。因此，设定为Y’轴通过传感器芯片104A和104B的在周向上的中间点114A、传感器芯片104E和104F的在周向上的中间点114E、以及中心位置。另外，设定为X’轴通过传感器芯片104C和104D的在周向上的中间点114C、传感器芯片104G和104H的在周向上的中间点114G、以及中心位置。
下面，对双模式中的ΔX和ΔY的导出方法进行说明。为便于说明，设由传感器芯片104A、104B构成电极对105A，由传感器芯片104C、104D构成电极对105C，由传感器芯片104E、104F构成电极对105E，由传感器芯片104G、104H构成电极对105G。
在本实施方式中，在电极对105A和电极对105E中，从各中间点起至聚焦环FR的内周面为止的各个最短距离之和为固定的值。另外，在电极对105C和电极对105G中，从各中间点起至聚焦环FR的内周面为止的各个最短距离之和为固定的值。在图示例中，聚焦环FR的内径Df是302mm，测定器100的外径Dw是300mm。在该情况下，当将从电极对105A的中间点起至聚焦环FR的内周为止的最短距离设为GA、将从电极对105C的中间点起至聚焦环FR的内周为止的最短距离设为GC、将从电极对105E的中间点起至聚焦环FR的内周为止的最短距离设为GE、将从电极对105G的中间点起至聚焦环FR的内周为止的最短距离设为GG时，以下的式(7)、(8)成立。
GA+GE＝Df－Dw＝2.00mm…(7)
GC+GG＝Df－Dw＝2.00mm…(8)
当将电极对105A的测定值(静电电容)设为CA、将电极对105C的测定值设为CC、将电极对105E的测定值设为CE、将电极对105G的测定值设为CG时，GA＝a/CA、GC＝a/CC、GE＝a/CE、GG＝a/CG成立。即，可将上式变换为下式(9)、(10)。
(a/CA)+(a/CE)＝2.00mm…(9)
(a/CC)+(a/CG)＝2.00mm…(10)
在导出ΔX和ΔY的情况下，首先，获取测定值CA、CC、CE、CG。通过将这些测定值CA、CC、CE、CG代入到上式(9)、(10)中，能够求出常量a。然后，根据常量a和各个测定值CA、CC、CE、CG导出GA、GC、GE、GG。
能够将ΔY规定为Y2与Y1之差的1/2，因此如以下的式(11)那样根据距离GA、GE求出ΔY。
ΔY＝(GE－GA)/2…(11)
同样地，能够将ΔX规定为X2与X1之差的1/2，因此如以下的式(12)那样根据距离GC、GD求出ΔX。
ΔX＝(GG－GC)/2…(12)
如上所述，能够计算聚焦环FR的中心位置与配置在聚焦环FR的内侧的测定器100的中心轴线AX100之间的偏离量来作为沿X轴的方向上的偏离量ΔX和沿Y轴的方向上的偏离量ΔY。
下面，对一个实施方式中的求出测定器100的中心位置的偏离量的方法、即求出处理系统1中的搬送位置数据的误差的方法进行说明。此外，如上所述，处理系统1中的搬送装置TU2由控制部MC控制。在一个实施方式中，搬送装置TU2能够基于从控制部MC发送的搬送位置数据将被加工物W和测定器100搬送到被聚焦环FR包围的载置区域上。图11是表示求出测定器的中心位置的偏离量的方法的一例的流程图。
在图11所示的方法中，首先，执行步骤ST1。在步骤ST1中，利用搬送装置TU2将测定器100搬送到根据搬送位置数据确定出的载置区域上的位置。具体而言，搬送装置TU1将测定器100搬送到加载互锁模块LL1和加载互锁模块LL2中的一个加载互锁模块。然后，搬送装置TU2基于搬送位置数据将测定器100从一个加载互锁模块搬送到处理模块PM1～PM6中的某一个处理模块，将该测定器100载置到静电卡盘ESC的载置区域上。搬送位置数据是以使测定器100的中心轴线AX100的位置与聚焦环FR一致的方式预先决定的坐标数据。
在接着的步骤ST2中，通过单模式来测定测定器100的中心位置的偏离量(测定粗精度)。具体而言，在开关机构190被切换为单模式的状态下，测定器100获取同聚焦环FR与传感器芯片104A～104H各自的传感器电极143之间的静电电容的大小相应的多个数字值(第一测定值)，并存储于存储装置175。
在接着的步骤ST3，使用导出的测定器100的中心位置的偏离量来调整测定器100的位置(粗调整)。在该步骤中，基于所述的单模式中的求出偏离量的方法导出聚焦环FR的中心位置与测定器100的中心位置之间的偏离量。例如利用控制部MC导出测定器100的中心位置的偏离量。利用控制部MC来校正搬送位置数据，以将该偏离量消除。然后，使用校正后的搬送位置数据来调整测定器100的位置。在一个实施方式的步骤ST3中，首先，将存储装置175中存储的多个数字值发送到控制部MC。可以由通信装置176根据来自控制部MC的的指令将多个数值发送到控制部MC，或者也可以通过由处理器174基于设置于电路基板106的计时器的计数进行控制，来在规定的定时将多个数值发送到控制部MC。接着，控制部MC基于接收到的多个数字值导出测定器100的中心位置在测定器100的搬送位置处的偏离量。将测定器100再次搬送到与之前被搬送了测定器100的处理模块相同的处理模块。
在接着的步骤ST4中，再次通过单模式来测定测定器100的中心位置的偏离量(粗略精度再测定)。具体而言，在开关机构190被切换为单模式的状态下，测定器100获取同聚焦环FR与传感器芯片104A～104H各自的传感器电极143之间的静电电容的大小相应的多个数字值(第三测定值)，并将该多个数字值存储于存储装置175。然后，根据所获取的测定值导出聚焦环FR的中心位置与测定器100的中心位置之间的偏离量。
在接着的步骤ST5中，对通过步骤ST4测定出的测定器100的中心位置的偏离量进行确认(测定结果确认)。作为一例，在步骤ST5中，确认出聚焦环FR的中心位置与测定器100的中心位置之间的偏离量在规定的阈值以下。例如，规定的阈值与如下的偏离量相当：在开关机构190被切换为双模式时，在能够使测定值不会过大地适当进行测定的条件下得到的测定器100的中心位置的偏离量。
在接着的步骤ST6中，通过双模式来测定测定器100的中心位置的偏离量(高精度测定)。具体而言，在开关机构190被切换为双模式的状态下，测定器100获取同聚焦环FR与由传感器芯片104A～104H构成的电极对105之间的静电电容的大小相应的多个数字值(第二测定值)，并将该多个数字值存储于存储装置175。然后，根据所获取的测定值导出聚焦环FR的中心位置与测定器100的中心位置之间的偏离量。
在接着的步骤ST7中，使用根据第二测定值导出的测定器100的中心位置的偏离量来再次调整测定器100在区域上的位置(微调)。
在接着的步骤ST8中，通过双模式来再次测定测定器100的中心位置的偏离量(高精度再测定)。即，在再次调整测定器100在区域上的位置之后，根据通过双模式获取到的数字值(第四测定值)导出测定器100的中心位置的偏离量。
在接着的步骤ST9中，对通过步骤ST8测定出的偏离量进行确认(确认测定结果)。作为一例，在步骤ST9中，确认出测定器100的中心位置的偏离量的大小处于搬送装置TU2的运用中允许的范围内。此外，在测定器100的中心位置的偏离量的大小不处于搬送装置TU2的运用中允许的范围内的情况下，校正搬送位置数据来再次调整搬送位置的即可。
在以上说明的测定器100中，根据多个传感器电极143的电压振幅获取的检测值表示传感器电极143与存在于该传感器电极143的前方的聚焦环FR之间的静电电容。静电电容同传感器电极143与聚焦环FR之间的距离成反比，因此随着传感器电极143与聚焦环FR之间的距离增大，获取的测定值减小，传感器的灵敏度降低。在该情况下，考虑将传感器电极143的面积设计得大。但是，若增大传感器电极143的面积，则在传感器电极143与聚焦环FR之间的距离小时存在测定值过大而无法进行适当的测定的可能性。
在一个方式中，能够将多个传感器电极143与C/V转换电路172之间的连接在单模式和双模式之间进行切换。在传感器电极143与聚焦环FR之间的距离小的情况下，设为单模式，由此能够抑制测定值过大。另外，在传感器电极143与聚焦环FR之间的距离大的情况下，设为双模式。在双模式中，通过将两个传感器电极用作一个传感器，能够在实质上增大传感器电极的面积，能够增大传感器灵敏度。能够利用开关机构190在单模式与双模式之间进行切换，因此能够根据状况高精度地求出测定器100的中心位置的偏离量。
也可以是，能够变更多个电极对105各自包括的相邻的两个传感器电极143的组合。在该结构中，在选择与一个传感器电极143形成电极对105的其它传感器电极143时，能够从在周向上的一侧相邻的传感器电极143和在另一侧相邻的传感器电极143中选择更适当的传感器电极143。
另外，在所述方法中，使用根据在步骤ST6中获取的第二测定值导出的测定器100的中心位置的偏离量来再次调整测定器100在区域上的位置。在该结构中，基于以高精度求出的测定器100的中心位置的偏离量来再次调整测定器100的位置，因此能够进一步减少测定器100的中心位置偏移。
在所述方法中，在再次调整测定器100在区域上的位置之后包括以下步骤：根据通过双模式获取到的测定值导出测定器100的中心位置的偏离量。在该结构中，能够以高精度求出再次调整后的测定器100的中心位置的偏离量。
以上，对实施方式进行了说明，但是不限定于所述的实施方式，能够构成各种变形方式。
例如，也可以是，在步骤ST6中，构成如下的电极对105，该电极对105包括以隔着将基于步骤ST4的测定值(第三测定值)得到的配置在聚焦环FR内的测定器100的中心位置与聚焦环FR内的区域的中心位置连结的直线的延长线的方式相邻的两个传感器电极143。该延长线通过测定器100离聚焦环FR最近时的位置和离聚焦环FR最远时的位置。通过将电极对105构成为包括在该延长线上相邻的两个传感器电极143，能够高精度地求出测定器100离聚焦环FR最近时的位置和离聚焦环FR最远时的位置处的测定值。在步骤ST6中，无需导出所述延长线的位置，最终使构成电极对的两个传感器电极以隔着所述延长线的方式相邻即可。此外，例如在如图10所示的例子中，所述延长线通过传感器芯片104A与104H之间以及传感器芯片104D与104E之间。在该情况下，传感器芯片104A和104H、传感器芯片104B和104、传感器芯片104D和104E、以及传感器芯片104F和104G分别构成电极对105。
例如，搭载于测定器的传感器芯片的个数不限定于所述的实施方式。关于传感器芯片的个数，只要能够在单模式与双模式之间进行切换即可，可以是任意的个数。例如，在仅仅想获取测定器100的中心位置在一个轴向上的偏离量的情况下，例如传感器芯片的个数可以为四个。

Claims (7)

1.一种测定器，具备：
圆盘状的基底基板；
多个传感器电极，所述多个传感器电极沿所述基底基板的周缘在周向上排列；
高频振荡器，其被设置为向所述多个传感器电极提供高频信号；
多个C/V转换电路，各所述C/V转换电路分别将所述多个传感器电极中的对应的传感器电极的电压振幅转换为表现静电电容的电压信号；
A/D转换器，其将从所述多个C/V转换电路的各所述C/V转换电路输出的所述电压信号转换为数字值；以及
开关机构，其能够在第一状态与第二状态之间进行切换，其中，所述第一状态是所述多个传感器电极分别电连接于所述多个C/V转换电路的状态，所述第二状态是包括所述多个传感器电极中的在所述周向上相邻的两个所述传感器电极的多个电极对分别电连接于所述多个C/V转换电路中的不同的C/V转换电路的状态。
2.根据权利要求1所述的测定器，其特征在于，
能够变更所述多个电极对各自包括的相邻的两个所述传感器电极的组合。
3.一种求出测定器的偏离量的方法，用于求出由搬送装置搬送的根据权利要求1所述的测定器的偏离量，
该搬送装置是基于搬送位置数据来将被加工物搬送到被聚焦环包围的区域内的装置，
该偏离量是配置在该区域内的所述测定器的中心位置相对于所述区域的中心位置的偏离量，
所述方法包括以下步骤：
使用所述搬送装置将所述测定器搬送到根据所述搬送位置数据确定的所述区域内的位置；
计算多个数字值来作为多个第一测定值，所述多个数字值包括基于在所述第一状态下从所述多个C/V转换电路的各C/V转换电路输出的所述电压信号形成的所述数字值；
使用校正后的搬送位置数据来调整所述测定器的位置，其中，所述校正后的搬送位置数据是通过使用根据所述多个第一测定值求出的所述测定器的中心位置相对于所述区域的中心位置的偏离量对所述搬送位置数据进行校正得到的；以及
在调整所述测定器的位置之后，根据多个第二测定值导出所述测定器的中心位置相对于所述区域的中心位置的偏离量，其中，所述多个第二测定值是包括基于在所述第二状态下从所述不同的C/V转换电路的各C/V转换电路输出的所述电压信号形成的所述数字值的多个数字值。
4.根据权利要求3所述的求出测定器的偏离量的方法，其特征在于，
在所述测定器中，能够变更所述多个电极对各自包括的相邻的两个所述传感器电极的组合。
5.根据权利要求4所述的求出测定器的偏离量的方法，其特征在于，
在调整所述测定器的位置的所述步骤与根据所述多个第二测定值导出所述偏离量的所述步骤之间还包括以下步骤：计算多个数字值来作为多个第三测定值，所述多个数字值包括基于在所述第一状态下从所述多个C/V转换电路的各C/V转换电路输出的所述电压信号形成的所述数字值，
在根据所述多个第二测定值导出所述偏离量的所述步骤中，所述多个电极对中的某一个电极对包括以隔着将基于所述多个第三测定值得到的配置在所述区域内的所述测定器的中心位置与所述区域的中心位置连结的直线的延长线的方式相邻的两个所述传感器电极。
6.根据权利要求3～5中的任一项所述的求出测定器的偏离量的方法，其特征在于，
还包括使用校正后的搬送位置数据来再次调整所述测定器的位置的步骤，其中，所述校正后的搬送位置数据是使用根据所述多个第二测定值导出的所述偏离量进行校正后的搬送位置数据。
7.根据权利要求3～6中的任一项所述的求出测定器的偏离量的方法，其特征在于，
在再次调整所述测定器的位置之后还包括以下步骤：将多个数字值作为多个第四测定值，根据所述多个第四测定值导出所述测定器的中心位置相对于所述区域的中心位置的偏离量，其中，所述多个数字值包括基于在所述第二状态下从所述不同的C/V转换电路的各C/V转换电路输出的所述电压信号形成的所述数字值。
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