CN110243273A - 测定器和用于检查聚焦环的系统的动作方法 - Google Patents

测定器和用于检查聚焦环的系统的动作方法 Download PDF

Info

Publication number
CN110243273A
CN110243273A CN201910176495.6A CN201910176495A CN110243273A CN 110243273 A CN110243273 A CN 110243273A CN 201910176495 A CN201910176495 A CN 201910176495A CN 110243273 A CN110243273 A CN 110243273A
Authority
CN
China
Prior art keywords
focusing ring
consumption
analyzer
region
sensor electrode
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201910176495.6A
Other languages
English (en)
Other versions
CN110243273B (zh
Inventor
杉田吉平
河野太辅
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tokyo Electron Ltd
Original Assignee
Tokyo Electron Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tokyo Electron Ltd filed Critical Tokyo Electron Ltd
Publication of CN110243273A publication Critical patent/CN110243273A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN110243273B publication Critical patent/CN110243273B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32623—Mechanical discharge control means
    • H01J37/32642—Focus rings
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
    • G01B7/00—Measuring arrangements characterised by the use of electric or magnetic techniques
    • G01B7/02—Measuring arrangements characterised by the use of electric or magnetic techniques for measuring length, width or thickness
    • G01B7/06—Measuring arrangements characterised by the use of electric or magnetic techniques for measuring length, width or thickness for measuring thickness
    • G01B7/08—Measuring arrangements characterised by the use of electric or magnetic techniques for measuring length, width or thickness for measuring thickness using capacitive means
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01D—MEASURING NOT SPECIALLY ADAPTED FOR A SPECIFIC VARIABLE; ARRANGEMENTS FOR MEASURING TWO OR MORE VARIABLES NOT COVERED IN A SINGLE OTHER SUBCLASS; TARIFF METERING APPARATUS; MEASURING OR TESTING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • G01D5/00—Mechanical means for transferring the output of a sensing member; Means for converting the output of a sensing member to another variable where the form or nature of the sensing member does not constrain the means for converting; Transducers not specially adapted for a specific variable
    • G01D5/12—Mechanical means for transferring the output of a sensing member; Means for converting the output of a sensing member to another variable where the form or nature of the sensing member does not constrain the means for converting; Transducers not specially adapted for a specific variable using electric or magnetic means
    • G01D5/14—Mechanical means for transferring the output of a sensing member; Means for converting the output of a sensing member to another variable where the form or nature of the sensing member does not constrain the means for converting; Transducers not specially adapted for a specific variable using electric or magnetic means influencing the magnitude of a current or voltage
    • G01D5/24—Mechanical means for transferring the output of a sensing member; Means for converting the output of a sensing member to another variable where the form or nature of the sensing member does not constrain the means for converting; Transducers not specially adapted for a specific variable using electric or magnetic means influencing the magnitude of a current or voltage by varying capacitance
    • G01D5/241—Mechanical means for transferring the output of a sensing member; Means for converting the output of a sensing member to another variable where the form or nature of the sensing member does not constrain the means for converting; Transducers not specially adapted for a specific variable using electric or magnetic means influencing the magnitude of a current or voltage by varying capacitance by relative movement of capacitor electrodes
    • G01D5/2417—Mechanical means for transferring the output of a sensing member; Means for converting the output of a sensing member to another variable where the form or nature of the sensing member does not constrain the means for converting; Transducers not specially adapted for a specific variable using electric or magnetic means influencing the magnitude of a current or voltage by varying capacitance by relative movement of capacitor electrodes by varying separation
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R27/00—Arrangements for measuring resistance, reactance, impedance, or electric characteristics derived therefrom
    • G01R27/02—Measuring real or complex resistance, reactance, impedance, or other two-pole characteristics derived therefrom, e.g. time constant
    • G01R27/26—Measuring inductance or capacitance; Measuring quality factor, e.g. by using the resonance method; Measuring loss factor; Measuring dielectric constants ; Measuring impedance or related variables
    • G01R27/2605—Measuring capacitance
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32917—Plasma diagnostics
    • H01J37/32935—Monitoring and controlling tubes by information coming from the object and/or discharge
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
    • G01B7/00—Measuring arrangements characterised by the use of electric or magnetic techniques
    • G01B7/02—Measuring arrangements characterised by the use of electric or magnetic techniques for measuring length, width or thickness
    • G01B7/06—Measuring arrangements characterised by the use of electric or magnetic techniques for measuring length, width or thickness for measuring thickness
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J9/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture, installation, removal, maintenance of electric discharge tubes, discharge lamps, or parts thereof; Recovery of material from discharge tubes or lamps
    • H01J9/42—Measurement or testing during manufacture

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)
  • Plasma Technology (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Abstract

本发明提供测定器和用于检查聚焦环的系统的动作方法，能够掌握聚焦环的消耗量。测定器具备基底基板、多个传感器电极、高频振荡器以及运算部。基底基板呈圆盘状。多个传感器电极设置于基底基板。高频振荡器被设置为向多个传感器电极提供高频信号。运算部根据与多个传感器电极中的电位相应的多个检测值来计算表示多个传感器电极各自的静电电容的多个测定值。运算部具有将聚焦环的消耗量与同该消耗量对应的多个测定值的代表值相对应所得的表。运算部计算多个测定值的平均值，导出表中与多个测定值的平均值对应的聚焦环的消耗量。

Description

测定器和用于检查聚焦环的系统的动作方法
技术领域
本发明的实施方式涉及测定器和用于检查聚焦环的系统的动作方法。
背景技术
在半导体装置之类的电子器件的制造中使用等离子体处理装置。等离子体处理装置一般具有处理容器和载置台。载置台设置在处理容器内，用于保持载置于其上的被加工物。在等离子体处理装置中，被加工物被载置在载置台上，利用在处理容器内生成的作为处理气体的等离子体对被加工物进行处理。
在所述的等离子体处理装置中，有时在载置台上以包围被加工物的边缘的方式设置聚焦环，以提高被加工物的处理的面内均匀性。在下述的专利文献1中记载有利用聚焦环的等离子体处理装置。
专利文献1：日本特开2017-3557号公报
发明内容
发明要解决的问题
在等离子体处理装置中，不只是被加工物，聚焦环也暴露在处理气体中的分子或原子的活性种中。因而，由于对被加工物进行处理而使聚焦环消耗。当使用过度消耗的聚焦环时，对被加工物的处理造成影响。因此，需要更换过度消耗的聚焦环。
鉴于这样的背景，需要检查聚焦环，以掌握聚焦环的消耗量。
用于解决问题的方案
在一个方式中提供一种测定器，该测定器配置在被聚焦环包围的区域内，导出聚焦环的消耗量。测定器具备基底基板、多个传感器电极、高频振荡器以及运算部。基底基板呈圆盘状。多个传感器电极设置于基底基板。高频振荡器被设置为向多个传感器电极提供高频信号。运算部根据与多个传感器电极中的电位相应的多个检测值来计算表示与多个传感器电极各自的静电电容的多个测定值。运算部具有将聚焦环的消耗量与同该消耗量对应的多个测定值的代表值相对应所得的表。运算部计算多个测定值的平均值，导出表中与多个测定值的平均值对应的聚焦环的消耗量。
在一个方式中提供一种系统的动作方法，用于检查聚焦环。系统包括处理系统和测定器。处理系统具备处理装置和搬送装置。处理装置具有腔室主体、设置在由该腔室主体提供的腔室内的载置台以及设置在载置台上的聚焦环。搬送装置基于搬送位置数据将被加工物搬送到载置台上且被聚焦环包围的区域内。测定器具备基底基板、多个传感器电极、高频振荡器以及运算部。基底基板呈圆盘状。多个传感器电极设置于基底基板。高频振荡器被设置为向多个传感器电极提供高频信号。运算部构成为根据与多个传感器电极中的电位相应的多个检测值来计算表示多个传感器电极各自的静电电容的多个测定值。方法包括以下步骤：使用搬送装置将测定器搬送到根据搬送位置数据确定出的区域内的中心位置；计算由被搬送到区域内的中心位置的测定器计算出的多个测定值的平均值；导出在将聚焦环的消耗量与同该消耗量对应的多个测定值的代表值相对应所得的表中与平均值对应的聚焦环的消耗量。
从多个传感器电极获取的检测值表示传感器电极与存在于该传感器电极的前方的聚焦环之间的静电电容。静电电容同传感器电极与聚焦环之间的距离成反比。当由于对被加工物进行处理而使聚焦环消耗时，聚焦环与传感器电极之间的距离增大。即，随着聚焦环的消耗量的增加，从传感器电极获取的检测值减少。表包含聚焦环的消耗量以及与该消耗量对应的多个测定值的代表值。因此，通过参照表，能够根据多个测定值的平均值导出聚焦环的消耗量。
也可以是，测定器还具备报告装置，该报告装置进行与由运算部导出的聚焦环的消耗量相应的规定的报告。另外，也可以是，所述方法还包括以下步骤：进行与所导出的聚焦环的消耗量相应的规定的报告。通过进行报告，能够使用户容易地确认到聚焦环的更换时期。
也可以是，在所述方法中，定期地执行以下序列，该序列包括进行搬送的步骤、进行计算的步骤以及进行导出的步骤。能够可靠地执行聚焦环的检查，能够定期地掌握聚焦环的消耗量。
也可以是，所述方法还包括以下步骤：将测定值、平均值及消耗量中的至少一方作为日志保存于存储器。能够获取用于分析测定值、平均值及消耗量随时间的变化的数据。
也可以是，所述方法还包括以下步骤：根据聚焦环的消耗量来调整聚焦环的高度，以使得遍及被加工物的上方的区域以及聚焦环的上方的区域地形成的等离子体与鞘层之间的界面变得平坦。另外，也可以是，所述方法还包括以下步骤：根据聚焦环的消耗量来向聚焦环施加负极性的直流电压，以使得遍及被加工物的上方的区域以及聚焦环的上方的区域地形成的等离子体与鞘层之间的界面变得平坦。在对被加工物进行处理时，能够抑制聚焦环的消耗所带来的影响。
发明的效果
如以上说明的那样，能够进行用于掌握聚焦环的消耗量的聚焦环的检查。
附图说明
图1是例示处理系统的图。
图2是例示校准器的立体图。
图3是表示等离子体处理装置的一例的图。
图4是表示从测定器的上表面侧观察测定器的俯视图。
图5是表示传感器芯片的一例的立体图。
图6是沿图5的VI-VI线截取到的截面图。
图7是例示测定器的电路基板的结构的图。
图8是示意性地表示聚焦环与测定器之间的位置关系的图。
图9是表示检查聚焦环的系统的动作方法的一个实施方式的流程图。
图10是表示等离子体处理装置的一例的图。
图11是表示等离子体处理装置的一例的图。
附图标记说明
100：测定器；102：基底基板；104：传感器芯片；143：传感器电极；106：电路基板；ESC：静电卡盘；FR：聚焦环。
具体实施方式
下面，参照附图来详细地说明各种实施方式。此外，在各附图中对相同或相当的部分标注相同的附图标记。
图1是例示处理系统的图。处理系统1具备台2a～2d、容器4a～4d、加载模块LM、校准器AN、加载互锁模块LL1、LL2、处理模块PM1～PM6、传递模块TF以及控制部MC。此外，关于台2a～2d的个数、容器4a～4d的个数、加载互锁模块LL1、LL2的个数以及处理模块PM1～PM6的个数并无限定，可以是1以上的任意个数。
台2a～2d沿加载模块LM的一个边排列。容器4a～4d分别搭载在台2a～2d上。各容器4a～4d例如是被称作FOUP(Front Opening Unified Pod：前开式晶圆传送盒)的容器。各容器4a～4d分别构成为收容被加工物W。被加工物W如晶圆那样具有大致圆盘形状。
加载模块LM具有腔室壁，在该腔室壁的内部界定出大气压状态的搬送空间。在该搬送空间内设置有搬送装置TU1。搬送装置TU1例如是多关节机器人，由控制部MC来控制。搬送装置TU1构成为在容器4a～4d与校准器AN之间、校准器AN与加载互锁模块LL1～LL2之间、加载互锁模块LL1～LL2与容器4a～4d之间搬送被加工物W。
校准器AN与加载模块LM连接。校准器AN构成为对被加工物W进行位置调整(位置校准)。图2是例示校准器的立体图。校准器AN具有支承台6T、驱动装置6D以及传感器6S。支承台6T是能够绕沿铅垂方向延伸的轴线中心旋转的台，构成为在支承台6T上支承被加工物W。支承台6T通过驱动装置6D进行旋转。驱动装置6D由控制部MC来控制。当支持台6T通过来自驱动装置6D的动力进行旋转时，载置在该支承台6T上的被加工物W也旋转。
传感器6S是光学传感器，在被加工物W旋转的期间检测被加工物W的边缘。传感器6S根据边缘的检测结果来检测被加工物W的切口WN(或者其它的标记)的角度位置相对于基准角度位置的偏离量以及被加工物W的中心位置相对于基准位置的偏离量。传感器6S将切口WN的角度位置的偏离量和被加工物W的中心位置的偏离量输出到控制部MC。控制部MC基于切口WN的角度位置的偏离量来计算用于将切口WN的角度位置校正为基准角度位置的支持台6T的旋转量。控制部MC控制驱动装置6D，使得支承台6T旋转与该旋转量相应的量。由此，能够将切口WN的角度位置校正为基准角度位置。另外，控制部MC基于被加工物W的中心位置的偏离量来控制从校准器AN接受被加工物W时的、搬送装置TU1的末端执行器(endeffector)的位置，使得被加工物W的中心位置与搬送装置TU1的末端执行器上的规定位置一致。
返回到图1，加载互锁模块LL1和加载互锁模块LL2分别设置在加载模块LM与传递模块TF之间。加载互锁模块LL1和加载互锁模块LL2分别提供预备减压室。
传递模块TF经由闸阀而与加载互锁模块LL1及加载互锁模块LL2连接。传递模块TF提供能够减压的减压室。在该减压室设置有搬送装置TU2。搬送装置TU2例如是多关节机器人，由控制部MC来控制。搬送装置TU2构成为在加载互锁模块LL1～LL2与处理模块PM1～PM6之间以及在处理模块PM1～PM6中的任意两个处理模块之间搬送被加工物W。
处理模块PM1～PM6经由闸阀而与传递模块TF连接。处理模块PM1～PM6分别是构成为对被加工物W进行等离子体处理之类的专用处理的处理装置。
如下那样例示在该处理系统1中对被加工物W进行处理时的一系列动作。加载模块LM的搬送装置TU1从容器4a～4d中的某一个容器取出被加工物W，将该被加工物W搬送到校准器AN。接着，搬送装置TU1从校准器AN取出位置被调整后的被加工物W，将该被加工物W搬送到加载互锁模块LL1和加载互锁模块LL2中的一个加载互锁模块。接着，一个加载互锁模块将预备减压室的压力减压到规定的压力。接着，传递模块TF的搬送装置TU2从一个加载互锁模块取出被加工物W，将该被加工物W搬送到处理模块PM1～PM6中的某一个处理模块。然后，处理模块PM1～PM6中的一个以上的处理模块对被加工物W进行处理。然后，搬送装置TU2将处理后的被加工物W从处理模块搬送到加载互锁模块LL1和加载互锁模块LL2中的一个加载互锁模块。接着，搬送装置TU1将被加工物W从一个加载互锁模块搬送到容器4a～4d中的某一个容器。
如上所述，该处理系统1具备控制部MC。控制部MC能够是具备处理器、存储器之类的存储装置、显示装置、输入输出装置、通信装置等的计算机。利用控制部MC按照存储装置中存储的程序对处理系统1的各部进行控制，由此实现所述的处理系统1的一系列动作。
图3是表示作为处理模块PM1～PM6中的某一个处理模块能够采用的等离子体处理装置的一例的图。图3所示的等离子体处理装置10是电容耦合型等离子体蚀刻装置。等离子体处理装置10具备大致圆筒形状的腔室主体12。腔室主体12例如由铝形成，能够对腔室主体12的内壁面实施阳极氧化处理。该腔室主体12保安接地。
在腔室主体12的底部上设置有大致圆筒形状的支承部14。支承部14例如由绝缘材料构成。支承部14设置在腔室主体12内，从腔室主体12的底部向上方延伸。另外，在由腔室主体12提供的腔室S内设置有载置台ST。载置台ST被支承部14支承。
载置台ST具有下部电极LE和静电卡盘ESC。下部电极LE包括第一板18a和第二板18b(载置台)。第一板18a和第二板18b例如由铝之类的金属构成，呈大致圆盘形状。第二板18b设置在第一板18a上，与第一板18a电连接。
在第二板18b上设置有静电卡盘ESC。静电卡盘ESC具有将作为导电膜的电极配置在一对绝缘层或者绝缘片之间而成的构造，具有大致圆盘形状。静电卡盘ESC的电极经由开关23而与直流电源22电连接。该静电卡盘ESC通过由于来自直流电源22的直流电压而产生的库仑力等静电力来吸附被加工物W。由此，静电卡盘ESC能够保持被加工物W。
在第二板18b的周缘部上设置有聚焦环FR。该聚焦环FR以包围被加工物W的边缘和静电卡盘ESC的方式设置。聚焦环FR具有第一部分P1和第二部分P2(参照图6)。第一部分P1和第二部分P2具有环形板状。第二部分P2是比第一部分P1靠外侧的部分。第二部分P2在高度方向上具有比第一部分P1的厚度厚的厚度。第二部分P2的内缘P2i具有比第一部分P1的内缘P1i的直径大的直径。被加工物W以其边缘区域位于聚焦环FR的第一部分P1上的方式被载置在静电卡盘ESC上。该聚焦环FR能够由硅、碳化硅、氧化硅之类的各种材料中的任意材料形成。
在第二板18b的内部设置有制冷剂流路24。制冷剂流路24构成调温机构。经由配管26a从设置于腔室主体12的外部的冷却装置向制冷剂流路24供给制冷剂。被供给到制冷剂流路24的制冷剂经由配管26b返回到冷却装置。像这样使制冷剂在制冷剂流路24与冷却装置之间循环。通过控制该制冷剂的温度，来控制被静电卡盘ESC支承的被加工物W的温度。
在载置台ST形成有将该载置台ST贯通的多个(例如三个)贯通孔25。多根(例如三根)升降销25a分别插入所述多个贯通孔25中。此外，在图3中，描绘了插入有一根升降销25a的一个贯通孔25。
另外，在等离子体处理装置10设置有气体供给管线28。气体供给管线28将来自传热气体供给机构的传热气体、例如He气体供给到静电卡盘ESC的上表面与被加工物W的背面之间。
另外，等离子体处理装置10具备上部电极30。上部电极30以与载置台ST相向的方式配置在该载置台ST的上方。上部电极30借助绝缘性遮蔽构件32被支承于腔室主体12的上部。上部电极30能够包括顶板34和支承体36。顶板34面向腔室S，在该顶板34设置有多个气体喷出孔34a。该顶板34能够由硅或者石英形成。或者，能够通过在铝制的母材的表面形成氧化钇之类的耐等离子体性的膜来构成顶板34。
支承体36以装卸自如的方式支承顶板34，支承体36例如能够由铝之类的导电性材料构成。该支承体36能够具有水冷构造。在支承体36的内部设置有气体扩散室36a。从该气体扩散室36a向下方延伸出与气体喷出孔34a连通的多个气体通流孔36b。另外，在支承体36形成有用于向气体扩散室36a引导处理气体的气体导入口36c，该气体导入口36c与气体供给管38连接。
气体供给管38经由阀组42及流量控制器组44而与气体源组40连接。气体源组40包括多种气体用的多个气体源。阀组42包括多个阀，流量控制器组44包括质量流量控制器之类的多个流量控制器。气体源组40的多个气体源分别经由阀组42的对应的阀及流量控制器组44的对应的流量控制器而与气体供给管38连接。
另外，在等离子体处理装置10中，沿腔室主体12的内壁以装卸自如的方式设置有沉积物屏蔽件46。在支承部14的外周也设置有沉积物屏蔽件46。沉积物屏蔽件46用于防止蚀刻副产物(沉积物)附着于腔室主体12，能够通过在铝材料上覆盖氧化钇等陶瓷来构成沉积物屏蔽件46。
在腔室主体12的底部侧且支承部14与腔室主体12的侧壁之间设置有排气板48。例如能够通过在铝材料上覆盖氧化钇等陶瓷来构成排气板48。在排气板48形成有沿排气板48的板厚方向贯通的多个孔。在该排气板48的下方且腔室主体12设置有排气口12e。排气口12e经由排气管52而与排气装置50连接。排气装置50具有压力调整阀和涡轮分子泵等真空泵，能够将腔室主体12内的空间减压到期望的真空度。另外，在腔室主体12的侧壁设置有被加工物W的搬入搬出口12g，能够利用闸阀54将搬入搬出口12g打开和关闭。
另外，等离子体处理装置10还具备第一高频电源62和第二高频电源64。第一高频电源62是产生进行等离子体生成用的第一高频的电源，例如产生具有27～100MHz的频率的高频。第一高频电源62经由匹配器66而与上部电极30连接。匹配器66具有用于使第一高频电源62的输出阻抗与负载侧(上部电极30侧)的输入阻抗匹配的电路。此外，第一高频电源62也可以经由匹配器66而与下部电极LE连接。
第二高频电源64是产生用于向被加工物W吸引离子的第二高频的电源，例如产生400kHz～13.56MHz的范围内的频率的高频。第二高频电源64经由匹配器68而与下部电极LE连接。匹配器68具有用于使第二高频电源64的输出阻抗与负载侧(下部电极LE侧)的输入阻抗匹配的电路。
在该等离子体处理装置10中，从自多个气体源中选择出的一个以上的气体源向腔室S供给气体。另外，利用排气装置50将腔室S的压力设定为规定的压力。并且，利用来自第一高频电源62的第一高频对腔室S内的气体进行激励。由此，生成等离子体。然后，利用产生的活性种对被加工物W进行处理。此外，也可以根据需要，利用基于第二高频电源64的第二高频的偏压向被加工物W吸引离子。
下面，说明测定器。图4是表示从测定器的上表面侧观察测定器的俯视图。图4所示的测定器100具备基底基板102，基底基板102具有上侧部分102b和下侧部分102a。基底基板102例如由硅形成，具有与被加工物W的形状相同的形状、即大致圆盘形状。基底基板102的直径是与被加工物W的直径相同的直径，例如是300mm。测定器100的形状和尺寸由该基底基板102的形状和尺寸来规定。因而，测定器100具有与被加工物W的形状相同的形状且具有与被加工物W的尺寸相同的尺寸。另外，在基底基板102的边缘形成有切口102N(或其它的标记)。
在基底基板102的上侧部分102b设置有多个传感器芯片104A～104H。多个传感器芯片104A～104H沿基底基板102的边缘，例如等间隔地排列在该边缘的整周上。即，传感器芯片104A和传感器芯片104E配置在以中心轴线AX100为中心彼此相向的位置。传感器芯片104B和传感器芯片104F配置在以中心轴线AX100为中心彼此相向的位置。传感器芯片104C和传感器芯片104G配置在以中心轴线AX100为中心彼此相向的位置。传感器芯片104D和传感器芯片104H配置在以中心轴线AX100为中心彼此相向的位置。
基底基板102的上侧部分102b的上表面提供凹部102r。凹部102r包括中央区域102c和多个辐射区域102h。中央区域102c是与中心轴线AX100交叉的区域。中心轴线AX100是沿板厚方向通过基底基板102的中心的轴线。在中央区域102c设置有电路基板106。多个辐射区域102h以相对于中心轴线AX100沿辐射方向延伸的方式从中央区域102c朝向配置有多个传感器芯片104A～104H的各个传感器芯片的区域延伸。在多个辐射区域102h分别设置有用于将多个传感器芯片104A～104H与电路基板106电连接的布线组108A～108H。
图5是一个实施方式所涉及的传感器芯片的立体图。图6是沿图5的VI-VI线截取到的截面图。图5～图6所示的传感器芯片104是被用作测定器100的多个传感器芯片104A～104H的传感器芯片。此外，在下面的说明中，适当地参照XYZ正交坐标系。X方向表示传感器芯片104的前方向，Y方向是与X方向正交的一个方向且表示传感器芯片104的宽度方向，Z方向是与X方向及Y方向正交的方向且表示传感器芯片104的上方向。在图6中，与传感器芯片104一同示出聚焦环FR。
传感器芯片104具有电极141、保护电极142、传感器电极143、基板部144以及绝缘区域147。
基板部144例如由硼硅酸玻璃或者石英形成。基板部144具有上表面144a、下表面144b以及前侧端面144c。保护电极142设置于基板部144的下表面144b的下方，沿X方向和Y方向延伸。另外，电极141设置于保护电极142的下方且沿X方向和Y方向延伸，在该以电极141与该保护电极142之间夹设有绝缘区域147。绝缘区域147例如由SiO2、SiN、Al2O3或聚酰亚胺形成。
基板部144的前侧端面144c形成为阶梯状。前侧端面144c的下侧部分144d相比于该前侧端面144c的上侧部分144u更向聚焦环FR侧突出。传感器电极143沿前侧端面144c的上侧部分144u延伸。在一个实施方式中，前侧端面144c的上侧部分144u和下侧部分144d分别为具有规定的曲率的曲面。即，前侧端面144c的上侧部分144u在该上侧部分144u的任意位置处具有固定的曲率，该上侧部分144u的曲率是测定器100的中心轴线AX100与前侧端面144c的上侧部分144u之间的距离的倒数。另外，前侧端面144c的下侧部分144d在该下侧部分144d的任意位置处具有固定的曲率，该下侧部分144d的曲率是测定器100的中心轴线AX100与前侧端面144c的下侧部分144d之间的距离的倒数。
传感器电极143沿前侧端面144c的上侧部分144u设置。在一个实施方式中，该传感器电极143的前表面143f也为曲面。即，传感器电极143的前表面143f在该前表面143f的任意位置处具有固定的曲率，该曲率是测定器100的中心轴线AX100与前表面143f之间的距离的倒数。
在将该传感器芯片104用作测定器100的传感器的情况下，如后述那样使电极141与布线181连接，使保护电极142与布线182连接，使传感器电极143与布线183连接。
在传感器芯片104中，利用电极141和保护电极142从传感器芯片104的下方将传感器电极143遮蔽。因而，根据该传感器芯片104，能够以在特定方向、即传感器电极143的前表面143f朝向的方向(X方向)上具有高指向性的方式测定静电电容。
下面，说明电路基板106的结构。图7是例示测定器的电路基板的结构的图。如图7所示，电路基板106具有高频振荡器171、多个C/V转换电路172A～172C、A/D转换器173、处理器174、存储装置175、通信装置176、以及电源177。
多个传感器芯片104A～104C分别经由多个布线组108A～108C中的对应的布线组而与电路基板106连接。另外，多个传感器芯片104A～104C分别经由对应的布线组所包含的几条布线而与多个C/V转换电路172A～172C中的对应的C/V转换电路连接。下面，对结构与多个传感器芯片104A～104C各自的结构相同的一个传感器芯片104、结构与多个布线组108A～108C各自的结构相同一个布线组108、以及结构与多个C/V转换电路172A～172C各自的结构相同的一个C/V转换电路172进行说明。
布线组108包括布线181～183。布线181的一端与同电极141连接的焊盘151连接。该布线181与同电路基板106的接地G连接的接地电位线GL连接。此外，布线181也可以经由开关SWG而与接地电位线GL连接。另外，布线182的一端与同保护电极142连接的焊盘152连接，布线182的另一端与C/V转换电路172连接。另外，布线183的一端与同传感器电极143连接的焊盘153连接，布线183的另一端与C/V转换电路172连接。
高频振荡器171与电池之类的电源177连接，构成为从该电源177接受电力来产生高频信号。此外，电源177也与处理器(运算部)174、存储装置175以及通信装置176连接。高频振荡器171具有多条输出线。高频振荡器171将所产生的高频信号经由多条输出线提供到布线182和布线183。因而，高频振荡器171与传感器芯片104的保护电极142及传感器电极143电连接，来自该高频振荡器171的高频信号被提供到保护电极142及传感器电极143。
C/V转换电路172的输入与布线182及布线183连接。即，C/V转换电路172的输入与传感器芯片104的保护电极142及传感器电极143连接。C/V转换电路172构成为：生成具有与其输入中的电位差相应的振幅的电压信号，并输出该电压信号。此外，与C/V转换电路172连接的传感器电极的静电电容越大，则该C/V转换电路172输出的电压信号的电压大小越大。
A/D转换器173的输入与C/V转换电路172的输出连接。另外，A/D转换器173与处理器174连接。根据来自处理器174的控制信号来控制A/D转换器173，A/D转换器173将C/V转换电路172的输出信号(电压信号)转换为数字值后作为检测值输出到处理器174。
处理器174与存储装置175连接。存储装置175是易失性存储器之类的存储装置，构成为存储后述的测定数据。另外，处理器174与其它的存储装置178连接。存储装置178是非易失性存储器之类的存储装置，存储有由处理器174读入并执行的程序。
通信装置176是遵照任意的无线通信标准的通信装置。例如，通信装置176遵照蓝牙(Bluetooth)(注册商标)。通信装置176构成为对存储装置175中存储的测定数据进行无线发送。
处理器174构成为，通过执行所述的程序来控制测定器100的各部。例如，处理器174控制从高频振荡器171向保护电极142、传感器电极143及电极141进行的高频信号的供给、从电源177向存储装置175进行的电力供给、从电源177向通信装置176进行的电力供给等。并且，处理器174执行所述的程序，由此基于从A/D转换器173输入的检测值来获取传感器芯片104的测定值。
另外，也可以是，处理器174基于由传感器芯片104获取到的测定值，参照表来导出聚焦环FR的消耗量。作为一例，能够将消耗量定义为聚焦环FR中的第二部分P2的高度方向上的厚度的减少量。表中例如保持有将聚焦环FR的消耗量与同该消耗量的多个测定值中的代表值相对应所得的数据。在一个实施方式中，代表值是在聚焦环FR内的载置区域的中心载置有测定器100的状态下获取到的多个测定值的平均值。使聚焦环FR的消耗量以规定的大小发送变化，关于各消耗量分别获取测定值的平均值来作为代表值，由此能够制作表。表例如能够保存于存储装置175。表的数据具有代表值随着聚焦环FR的消耗量增大而减小的趋势。作为一例，处理器174在聚焦环FR内的载置区域的中心载置有测定器100的状态下获取多个测定值。另外，处理器174计算获取到的多个测定值的平均值。并且，处理器174参照表来导出与平均值对应的聚焦环FR的消耗量。
在一个实施方式中，也可以是，在电路基板106配置进行与聚焦环FR的消耗量相应的规定的报告的报告装置。报告装置例如可以是LED光源179。LED光源179以根据来自处理器174的信号进行动作的方式与电路基板106连接。LED光源179设置于测定器100的外观中能够视觉辨认的位置。例如，当由处理器174判定为聚焦环FR的消耗量超过规定的阈值时，能够使LED光源179点亮，以催促用户更换聚焦环FR。
在测定器100中，在测定器100配置在被聚焦环FR包围的区域的状态下，多个传感器电极143及保护电极142与聚焦环FR的内缘相向。基于这些传感器电极143的信号与保护电极142的信号之间的电位差生成的测定值表示反映多个传感器电极143的各个传感器电极与聚焦环之间的距离的静电电容。此外，用C＝εS/d表示静电电容C。ε是传感器电极143的前表面143f与聚焦环FR的内缘之间的介质的介电常数，S是传感器电极143的前表面143f的面积，能够将d视为传感器电极143的前表面143f与聚焦环FR的内缘之间的距离。因而，根据测定器100，得到反映模拟被加工物W的该测定器100与聚焦环FR之间的相对的位置关系的测定数据。例如，传感器电极143的前表面143f与聚焦环FR的内缘之间的距离越大，则由测定器100获取的多个测定值越小。
下面，对求出配置在被聚焦环FR包围的区域内的测定器100的中心位置(中心轴线AX100)相对于该区域内的中心位置(中心轴线AXF)的偏离量的方法的一例进行说明。
图8示意性地示出聚焦环FR与配置在聚焦环FR的内侧的测定器100之间的位置关系。在图8中示出聚焦环FR的内周和测定器100的边缘。另外，在图8中示出将聚焦环FR的中心位置作为原点的基于X轴和Y轴的正交坐标系以及将测定器100的中心位置作为原点的基于X’轴和Y’轴的正交坐标系。在图示例中，设定为Y’轴通过传感器芯片104A、104E以及中心位置。另外，设定为X’轴通过传感器芯片104C、104G以及中心位置。此外，在下面所示的方法中，基于传感器芯片104A、104E来计算Y轴方向上的偏离量ΔY，基于传感器芯片104C、104G来计算X轴方向上的偏离量ΔX。因此，在图8中未示出其它传感器芯片104B、104D、104F、104H。
下面，对ΔX和ΔY的导出方法进行说明。在本实施方式中，在传感器芯片104A和传感器芯片104E中，从多个传感器电极143起至聚焦环FR的内周面为止的各个最短距离之和为固定的值。另外，在传感器芯片104C和传感器芯片104G中，从多个传感器电极143起至聚焦环FR的内周面为止的各个最短距离之和为固定的值。在图示例中，聚焦环FR的内径Df是302mm，测定器100的外径Dw是300mm。在该情况下，当将从传感器芯片104A起至聚焦环FR的内周为止的最短距离设为GA、将从传感器芯片104C起至聚焦环FR的内周为止的最短距离设为GC、将从传感器芯片104E起至聚焦环FR的内周为止的最短距离设为GE、将从传感器芯片104G起至聚焦环FR的内周为止的最短距离设为GG时，以下的式(1)、(2)成立。
GA+GE＝2.00mm…(1)
GC+GG＝2.00mm…(2)
当将传感器芯片104A的测定值(静电电容)设为CA、将传感器芯片104C的测定值设为CC、将传感器芯片104E的测定值设为CE、将传感器芯片104G的测定值设为CG时，GA＝a/CA、GC＝a/CC、GE＝a/CE、GG＝a/CG成立。即，可将上式变换为下式(3)、(4)。
(a/CA)+(a/CE)＝2.00mm…(3)
(a/CC)+(a/CG)＝2.00mm…(4)
在导出ΔX和ΔY的情况下，首先，获取测定值CA、CC、CE、CG。通过将这些测定值CA、CC、CE、CG代入到上式(3)、(4)中，能够求出常量a。然后，根据常量a和各个测定值CA、CC、CE、CG导出GA、GC、GE、GG。
能够将ΔY规定为Y2与Y1之差的1/2，因此如下面式(5)那样根据距离GA、GE求出ΔY。
ΔY＝(GE-GA)/2…(5)
同样地，能够将ΔX规定为X2与X1之差的1/2，因此如下面式(6)那样根据距离GC、GD求出ΔX。
ΔX＝(GG-GC)/2…(6)
如上所述，在本实施方式中，能够计算聚焦环FR的中心位置与配置于聚焦环FR的内侧的测定器100的中心轴线AX100之间的偏离量来作为沿X轴的方向上的偏离量ΔX和沿Y轴的方向上的偏离量ΔY。
下面，对用于使用测定器100来检测聚焦环的系统(处理系统1和测定器100)的动作方法进行说明。此外，如上所述，处理系统1中的搬送装置TU2由控制部MC来控制。在一个实施方式中，搬送装置TU2能够基于从控制部MC发送来的搬送位置数据来将被加工物W和测定器100搬送到静电卡盘ESC的载置区域R上。图9是表示一个实施方式所涉及的用于检测聚焦环的系统的动作方法的流程图。
在图9所示的方法中，首先，执行步骤ST1。在步骤ST1中，利用搬送装置TU2将测定器100搬送到根据搬送位置数据确定出的载置区域R上的位置。具体而言，搬送装置TU1将测定器100搬送到加载互锁模块LL1和加载互锁模块LL2中的一个加载互锁模块。然后，搬送装置TU2基于搬送位置数据将测定器100从一个加载互锁模块搬送到处理模块PM1～PM6中的某一个处理模块，将该测定器100载置到静电卡盘ESC的载置区域R上。搬送位置数据例如是以使测定器100的中心轴线AX100的位置与聚焦环FR或者载置区域R的中心位置一致的方式预先决定的坐标数据。能够由操作人员来决定选择聚焦环FR和载置区域R中的哪一方来作为中心位置的基准。
在接着的步骤ST2中，测定器100进行静电电容的测定。具体而言，测定器100获取同聚焦环FR与传感器芯片104A～104H各自的传感器电极143之间的静电电容大小相应的多个数字值(测定值)，将该多个数字值存储于存储装置175。此外，能够在处理器174的控制下在预先决定的定时获取多个数字值。
在接着的步骤ST3中，使用所述的求出偏离量的方法，根据在步骤ST2中获取到的测定值来导出聚焦环FR的中心位置与测定器100的中心位置之间的偏离量。在一个实施方式的步骤ST3中，首先，将存储装置175中存储的多个数字值发送到控制部MC。接着，控制部MC基于接收到的多个数字值导出测定器100的搬送位置的偏离量。当由控制部MC判定为偏离量为规定的阈值以下时，设是已将测定器100搬送到聚焦环FR内的区域的中心位置，进入步骤ST4。另一方面，也可以是，在由控制部MC判定为偏离量比规定的阈值大的情况下，利用控制部MC修正搬送位置数据以将偏离量消除，再次重复自步骤ST1起的工序。
在步骤ST4中，计算由被搬送到聚焦环FR内的区域的中心位置的测定器100获取到的多个测定值的平均值。具体而言，测定器100获取同聚焦环FR与传感器芯片104A～104H各自的传感器电极143之间的静电电容的大小相应的多个测定值。测定器100将该多个测定值存储于存储装置175。接着，计算存储装置175中存储的多个测定值的平均值。作为一例，由测定器100的处理器174来计算平均值。另外，作为其它例，也可以由控制部MC来计算平均值。
在接着的步骤ST5中，导出与在步骤ST4中计算出的平均值对应的聚焦环FR的消耗量。在一个实施方式中，参照存储装置175中存储的表，由处理器174导出与平均值对应的消耗量。另外，作为其它例，也可以是，在控制部MC中保存与存储装置175中保存的表同样的表，利用控制部MC导出消耗量。
在接着的步骤ST6中，将在步骤ST5中导出的消耗量与规定的基准进行比较。在一个实施方式中，将作为聚焦环FR的更换标准的消耗量设为规定的基准。当进行比较的结果是判定为消耗量为基准以上时，进入步骤ST7。当判定为消耗量比基准小时，进入步骤ST8。
在步骤ST7中，进行与导出的聚焦环的消耗量相应的规定的报告。在一个实施方式中，使测定器100的LED光源179点亮，以催促用户更换聚焦环FR。另外，例如在控制部MC具有显示器等输出装置的情况下，也可以利用该输出装置进行催促更换聚焦环FR的报告。
在接着的步骤ST8中，将测定值、平均值及消耗量中的至少一方作为日志数据来保存。在一个实施方式中，除测定值、平均值及消耗量的数据外，也可以将表示消耗量是否为基准值以上的判定结果的数据作为日志数据保存于存储装置175。此外，日志数据也可以保存于控制部MC的存储器。
能够定期地执行包括所述的步骤ST1～步骤ST8的序列。在一个实施方式中，能够每当在处理系统1中结束对一批被加工物W进行的处理时执行该序列。此外，能够由用户任意地设定执行该序列的定时。
在以上说明的测定器100中，从多个传感器电极143获取的检测值表示传感器电极143与存在于该传感器电极143的前方的聚焦环FR之间的静电电容。静电电容同传感器电极143与聚焦环FR之间的距离成反比。当由于对被加工物W进行处理而使聚焦环FR消耗时，聚焦环FR与传感器电极143之间的距离增大。即，随着聚焦环FR的消耗量的增加，从传感器电极143获取的检测值减少。表包含聚焦环FR的消耗量以及与该消耗量对应的多个测定值的代表值。因此，通过参照表，能够根据多个测定值的平均值导出聚焦环FR的消耗量。
通过进行与聚焦环FR的消耗量相应的报告，用户能够容易地确认聚焦环FR的消耗量。特别是在进行报告时的消耗量与更换时期对应的情况下，用户能够容易地确认聚焦环FR的更换时期。
也可以定期地执行检查聚焦环FR的消耗量的序列。通过定期地执行序列，能够定期地掌握聚焦环FR的消耗量。另外，能够可靠地执行聚焦环FR的检查。
通过将测定值、平均值及消耗量中的至少一方作为数据日志保存于存储器，能够获取用于分析测定值、平均值及消耗量的随时间变化的数据。
以上，对实施方式进行了说明，但是不限定于所述的实施方式，能够构成各种变形方式。
例如，处理系统也可以根据所导出的聚焦环的消耗量来调整聚焦环的高度。在这样的处理系统1中，例如利用图10所示的等离子体处理装置210。等离子体处理装置210与等离子体处理装置10的不同在于聚焦环FR的形状。另外，等离子体处理装置210与等离子体处理装置10的不同之处在于具有升降装置。关于其它方面，等离子体处理装置210的结构与等离子体处理装置10的结构相同。
等离子体处理装置210中的聚焦环FR2具有等离子体处理装置10的聚焦环FR中的第一部分P1和第二部分P2相分离的形状。即，聚焦环FR2具有内侧环状体FR21和外侧环状体FR22，其中，内侧环状体FR21具有与第一部分P1相当的形状，外侧环状体FR22具有与第二部分P2相当的形状。外侧环状体FR22的内缘具有比被加工物W的直径大的直径。
升降装置具有升降销232，升降销232被配置在形成于下部电极LE和支承部14的贯通孔231内。在从上侧观察的情况下，贯通孔231形成于与聚焦环FR2的外侧环状体FR22重叠的位置。升降销232例如与致动器连接，被控制为升降自如。在一个实施方式中，通过控制部MC的控制来使升降销232上升，由此通过升降销232来使聚焦环FR2的外侧环状体FR22上升。
在一个实施方式中，控制外侧环状体FR22的高度，以使得遍及被加工物W的上方的区域和聚焦环FR2的上方的区域地形成的等离子体与鞘层之间的界面变得平坦。例如，在测定了聚焦环FR2的消耗量时，利用控制部MC进行控制，以使得外侧环状体FR22上升与测定出的消耗量相当的高度。
另外，处理系统也可以根据聚焦环的消耗量向聚焦环施加负极性的直流电压。在这样的处理系统中，例如利用图11所示的等离子体处理装置310。等离子体处理装置310与等离子体处理装置10不同之处在于还具有可变直流电源330。关于其它方面，等离子体处理装置310的结构与等离子体处理装置10的结构相同。可变直流电源330与FR电连接。可变直流电源330构成为能够向聚焦环FR施加负极性的直流电压。可变直流电源330产生向聚焦环FR施加的负极性的直流电压，以调整在腔室S内生成的等离子体的状态。可变直流电源330例如由控制部MC来控制。
在一个实施方式中，控制向聚焦环FR施加的直流电压，以使得遍及被加工物W的上方的区域和聚焦环FR的上方的区域地形成的等离子体与鞘层之间的界面变得平坦。例如，控制部MC具有能够进行聚焦环FR的消耗量与电压值的对应的参照信息，该电压值是在该消耗量下使等离子体与鞘层之间的界面平坦所需的电压值。由此，在测定了聚焦环FR的消耗量时，控制可变直流电源330，以使得根据测定出的消耗量向聚焦环FR施加负极性的直流电压。

Claims (8)

1.一种测定器，配置在被聚焦环包围的区域内，导出所述聚焦环的消耗量，该测定器具备：
圆盘状的基底基板；
多个传感器电极，所述多个传感器电极设置于所述基底基板；
高频振荡器，其被设置为向所述多个传感器电极提供高频信号；以及
运算部，其构成为根据与所述多个传感器电极中的电位相应的多个检测值来计算表示所述多个传感器电极各自的静电电容的多个测定值，
其中，所述运算部具有将所述聚焦环的消耗量与同该消耗量对应的所述多个测定值的代表值相对应所得的表，计算所述多个测定值的平均值，导出所述表中与所述多个测定值的平均值对应的所述聚焦环的消耗量。
2.根据权利要求1所述的测定器，其特征在于，
还具备报告装置，该报告装置进行与由所述运算部导出的所述聚焦环的消耗量相应的规定的报告。
3.一种用于检查聚焦环的系统的动作方法，
所述系统包括处理系统和测定器，
所述处理系统具备：
处理装置，其具有腔室主体、设置在由该腔室主体提供的腔室内的载置台以及设置在所述载置台上的所述聚焦环；以及
搬送装置，其基于搬送位置数据将被加工物搬送到所述载置台上且被所述聚焦环包围的区域内，
所述测定器具备：
圆盘状的基底基板；
多个传感器电极，所述多个传感器电极设置于所述基底基板；
高频振荡器，其被设置为向所述多个传感器电极提供高频信号；以及
运算部，其构成为根据与所述多个传感器电极中的电位相应的多个检测值来计算表示所述多个传感器电极各自的静电电容的多个测定值，
该方法包括以下步骤：
使用所述搬送装置将所述测定器搬送到根据所述搬送位置数据确定出的所述区域内的中心位置；
计算由被搬送到所述区域内的中心位置的所述测定器计算出的所述多个测定值的平均值；以及
导出在将所述聚焦环的消耗量与同该消耗量对应的所述多个测定值的代表值相对应所得的表中与所述平均值对应的所述聚焦环的消耗量。
4.根据权利要求3所述的用于检查聚焦环的系统的动作方法，其特征在于，
还包括以下步骤：进行与所导出的所述聚焦环的消耗量相应的规定的报告。
5.根据权利要求3或4所述的用于检查聚焦环的系统的动作方法，其特征在于，
定期地执行以下序列，该序列包括进行所述搬送的步骤、进行所述计算的步骤以及进行所述导出的步骤。
6.根据权利要求5所述的用于检查聚焦环的系统的动作方法，其特征在于，
还包括以下步骤：将所述测定值、所述平均值及所述消耗量中的至少一方作为日志保存于存储器。
7.根据权利要求3～6中的任一项所述的用于检查聚焦环的系统的动作方法，其特征在于，
还包括以下步骤：根据所述聚焦环的消耗量来调整所述聚焦环的高度，以使得遍及所述被加工物的上方的区域以及所述聚焦环的上方的区域地形成的等离子体与鞘层之间的界面变得平坦。
8.根据权利要求3～6中的任一项所述的用于检查聚焦环的系统的动作方法，其特征在于，
还包括以下步骤：根据所述聚焦环的消耗量来向所述聚焦环施加负极性的直流电压，以使得遍及所述被加工物的上方的区域以及所述聚焦环的上方的区域地形成的等离子体与鞘层之间的界面变得平坦。
CN201910176495.6A 2018-03-09 2019-03-08 测定器和用于检查聚焦环的系统的动作方法 Active CN110243273B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2018-042968 2018-03-09
JP2018042968A JP7037964B2 (ja) 2018-03-09 2018-03-09 測定器、及びフォーカスリングを検査するためのシステムの動作方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN110243273A true CN110243273A (zh) 2019-09-17
CN110243273B CN110243273B (zh) 2022-11-01

Family

ID=67842010

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201910176495.6A Active CN110243273B (zh) 2018-03-09 2019-03-08 测定器和用于检查聚焦环的系统的动作方法

Country Status (3)

Country Link
US (1) US11164729B2 (zh)
JP (1) JP7037964B2 (zh)
CN (1) CN110243273B (zh)

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7129325B2 (ja) 2018-12-14 2022-09-01 東京エレクトロン株式会社 搬送方法及び搬送システム
US20210280399A1 (en) * 2020-03-06 2021-09-09 Applied Materials, Inc. Capacitive sensors and capacitive sensing locations for plasma chamber condition monitoring
JP7466432B2 (ja) 2020-03-24 2024-04-12 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置及び消耗量測定方法
JP7516198B2 (ja) * 2020-05-01 2024-07-16 東京エレクトロン株式会社 エッチング装置及びエッチング方法
JP7534048B2 (ja) 2021-01-20 2024-08-14 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理システム及びプラズマ処理方法

Citations (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5985907A (ja) * 1982-11-09 1984-05-18 Sumitomo Metal Ind Ltd 溶融金属容器レンガ厚測定方法及び装置
CN1454391A (zh) * 2000-07-04 2003-11-05 东京毅力科创株式会社 消耗品的消耗程度预测方法、沉积膜厚度预测方法及等离子体处理装置
US20070224709A1 (en) * 2006-03-23 2007-09-27 Tokyo Electron Limited Plasma processing method and apparatus, control program and storage medium
TW200807594A (en) * 2006-07-31 2008-02-01 Zen Voce Corp Measurement compensation method for high abrasion and cutter bias of non-contact wafer dicing blade
KR20110080811A (ko) * 2010-01-07 2011-07-13 세메스 주식회사 정전척 유닛 및 이를 갖는 기판 처리 장치
CN102235852A (zh) * 2010-03-29 2011-11-09 东京毅力科创株式会社 消耗量测量方法
EP2428315A2 (en) * 2010-09-09 2012-03-14 Ebara Corporation Polishing apparatus
CN103811247A (zh) * 2014-02-17 2014-05-21 清华大学 用于等离子体刻蚀的聚焦环及具有其的等离子体刻蚀装置
US20160363556A1 (en) * 2015-06-11 2016-12-15 Tokyo Electron Limited System of inspecting focus ring and method of inspecting focus ring
CN106340479A (zh) * 2015-07-07 2017-01-18 东京毅力科创株式会社 基板输送方法和基板处理装置
CN106920729A (zh) * 2015-12-28 2017-07-04 中微半导体设备(上海)有限公司 一种均匀刻蚀基片的等离子体处理装置及方法
CN107086168A (zh) * 2016-02-12 2017-08-22 朗姆研究公司 用于蚀刻均匀性控制的可变深度边缘环
US20170278735A1 (en) * 2016-03-28 2017-09-28 Tokyo Electron Limited Method for acquiring data indicating electrostatic capacitance
JP2017183683A (ja) * 2016-03-28 2017-10-05 東京エレクトロン株式会社 静電容量を表すデータを取得する方法
CN107240541A (zh) * 2016-03-29 2017-10-10 朗姆研究公司 用于执行边缘环表征的系统和方法
JP2017228754A (ja) * 2016-06-20 2017-12-28 東京エレクトロン株式会社 静電容量測定用の測定器、及び、測定器を用いて処理システムにおける搬送位置データを較正する方法
JP2017228558A (ja) * 2016-06-20 2017-12-28 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置、及び波形補正方法

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004071755A (ja) * 2002-08-05 2004-03-04 Matsushita Electric Ind Co Ltd プラズマ処理方法およびプラズマ処理装置
US7618515B2 (en) * 2004-11-15 2009-11-17 Tokyo Electron Limited Focus ring, plasma etching apparatus and plasma etching method
JP4707421B2 (ja) * 2005-03-14 2011-06-22 東京エレクトロン株式会社 処理装置，処理装置の消耗部品管理方法，処理システム，処理システムの消耗部品管理方法
JP4833890B2 (ja) * 2007-03-12 2011-12-07 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置及びプラズマ分布補正方法
JP6539113B2 (ja) * 2015-05-28 2019-07-03 株式会社日立ハイテクノロジーズ プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法
US9903739B2 (en) 2015-06-11 2018-02-27 Tokyo Electron Limited Sensor chip for electrostatic capacitance measurement and measuring device having the same
JP6537433B2 (ja) 2015-06-11 2019-07-03 東京エレクトロン株式会社 静電容量測定用のセンサチップ及び同センサチップを備えた測定器
JP6656200B2 (ja) * 2017-04-12 2020-03-04 東京エレクトロン株式会社 位置検出システム及び処理装置
JP6826955B2 (ja) * 2017-06-14 2021-02-10 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法

Patent Citations (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5985907A (ja) * 1982-11-09 1984-05-18 Sumitomo Metal Ind Ltd 溶融金属容器レンガ厚測定方法及び装置
CN1454391A (zh) * 2000-07-04 2003-11-05 东京毅力科创株式会社 消耗品的消耗程度预测方法、沉积膜厚度预测方法及等离子体处理装置
US20070224709A1 (en) * 2006-03-23 2007-09-27 Tokyo Electron Limited Plasma processing method and apparatus, control program and storage medium
TW200807594A (en) * 2006-07-31 2008-02-01 Zen Voce Corp Measurement compensation method for high abrasion and cutter bias of non-contact wafer dicing blade
KR20110080811A (ko) * 2010-01-07 2011-07-13 세메스 주식회사 정전척 유닛 및 이를 갖는 기판 처리 장치
CN102235852A (zh) * 2010-03-29 2011-11-09 东京毅力科创株式会社 消耗量测量方法
EP2428315A2 (en) * 2010-09-09 2012-03-14 Ebara Corporation Polishing apparatus
CN103811247A (zh) * 2014-02-17 2014-05-21 清华大学 用于等离子体刻蚀的聚焦环及具有其的等离子体刻蚀装置
US20160363556A1 (en) * 2015-06-11 2016-12-15 Tokyo Electron Limited System of inspecting focus ring and method of inspecting focus ring
TW201721083A (zh) * 2015-06-11 2017-06-16 Tokyo Electron Ltd 用以檢查聚焦環之系統、以及檢查聚焦環之方法
CN106340479A (zh) * 2015-07-07 2017-01-18 东京毅力科创株式会社 基板输送方法和基板处理装置
CN106920729A (zh) * 2015-12-28 2017-07-04 中微半导体设备(上海)有限公司 一种均匀刻蚀基片的等离子体处理装置及方法
CN107086168A (zh) * 2016-02-12 2017-08-22 朗姆研究公司 用于蚀刻均匀性控制的可变深度边缘环
US20170278735A1 (en) * 2016-03-28 2017-09-28 Tokyo Electron Limited Method for acquiring data indicating electrostatic capacitance
JP2017183683A (ja) * 2016-03-28 2017-10-05 東京エレクトロン株式会社 静電容量を表すデータを取得する方法
CN107240541A (zh) * 2016-03-29 2017-10-10 朗姆研究公司 用于执行边缘环表征的系统和方法
JP2017228754A (ja) * 2016-06-20 2017-12-28 東京エレクトロン株式会社 静電容量測定用の測定器、及び、測定器を用いて処理システムにおける搬送位置データを較正する方法
JP2017228558A (ja) * 2016-06-20 2017-12-28 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置、及び波形補正方法

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
单振清 等: "《传感器与检测技术应用》", 29 February 2016, 北京理工大学出版社 *
曾庆波 等: "《微型计算机控制技术》", 30 April 2013, 电子科技大学出版社 *

Also Published As

Publication number Publication date
US11164729B2 (en) 2021-11-02
US20190279848A1 (en) 2019-09-12
JP2019160914A (ja) 2019-09-19
CN110243273B (zh) 2022-11-01
JP7037964B2 (ja) 2022-03-17

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN110243273A (zh) 测定器和用于检查聚焦环的系统的动作方法
CN109841555A (zh) 求出偏离量的方法和校准搬送位置数据的方法
CN109324303B (zh) 对测定器进行校准的方法和箱体
TWI794563B (zh) 搬送方法及搬送系統
KR102299122B1 (ko) 정전 용량을 나타내는 데이터를 취득하는 방법
CN110246796A (zh) 测定器和求出测定器的偏离量的方法
CN108693409B (zh) 静电电容测量用的测量器
TW202220091A (zh) 搬運位置資料之校正方法
US20240353217A1 (en) Showerhead to pedestal gapping with differential capacitive sensor substrate
TW202232108A (zh) 測定器及測定方法
JP2024036173A (ja) 測定方法、測定システムおよび測定器
TW202314891A (zh) 利用差動電容感測器基板的噴淋頭至台座間隙測量
KR20230099647A (ko) 측정기

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant