JP7534048B2 - プラズマ処理システム及びプラズマ処理方法 - Google Patents
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Description
(プラズマ処理システム)
図1~図3を参照し、第1の実施形態のプラズマ処理システムの一例について説明する。第1の実施形態のプラズマ処理システムPS1は、基板にプラズマ処理等の各種の処理を施すことが可能なシステムである。
図4を参照し、図1のプラズマ処理システムPS1が備えるプロセスモジュールPM1~PM4として用いられるプラズマ処理装置の一例について説明する。
図5を参照し、プラズマ処理装置1におけるエッジリングFRを昇降させるリフタの一例について説明する。
図6を参照し、プラズマ処理装置1におけるエッジリングFRを吸着させる吸着機構及びエッジリングFRの裏面に伝熱ガスを供給する伝熱ガス供給機構の一例について説明する。
図7を参照し、プラズマ処理装置1におけるエッジリングFRにバイアス電圧を印加するバイアス電源の一例について説明する。
図8を参照し、プラズマ処理装置1における基板Wを加熱する加熱機構の一例について説明する。
図9を参照し、実施形態の搬送方法の一例について説明する。以下では、図1に示されるプラズマ処理システムPS1において、エッジリングFRが設置されていないプロセスモジュールPM1内のステージにエッジリングFRを設置する場合を例に挙げて説明する。
図11を参照し、第2の実施形態のプラズマ処理システムの一例について説明する。第2の実施形態のプラズマ処理システムPS2は、厚さ検出センサS11及び位置検出センサS12がゲートバルブG1の近傍に設けられている点で、第1の実施形態のプラズマ処理システムPS1と異なる。なお、その他の点については、第1の実施形態のプラズマ処理システムPS1と同じであってよい。
図12を参照し、第3の実施形態のプラズマ処理システムの一例について説明する。第3の実施形態のプラズマ処理システムPS3は、厚さ検出センサS11の機能が位置検出センサS12に統合されている点で、第2の実施形態のプラズマ処理システムPS2と異なる。なお、その他の点については、第2の実施形態のプラズマ処理システムPS2と同じであってよい。
図13を参照し、第4の実施形態のプラズマ処理システムの一例について説明する。第4の実施形態のプラズマ処理システムPS4は、大気搬送室LM内にエッジリングFRを保管するバッファBFが設けられている点で、第1の実施形態のプラズマ処理システムPS1と異なる。
図14を参照し、第5の実施形態のプラズマ処理システムの一例について説明する。第5の実施形態のプラズマ処理システムPS5は、真空搬送室TMに、エッジリングFRを保管する保管チャンバSCが接続されている点で、第1の実施形態のプラズマ処理システムPS1と異なる。
PS1~PS5 プラズマ処理システム
PM1~PM4 プロセスモジュール
S11 厚さ検出センサ
TM 真空搬送室
TR 搬送ロボット
FR エッジリング
Claims (22)
- 基板にプラズマ処理を施すプラズマ処理システムであって、
内部に消耗部材が取り付けられるチャンバと、
前記チャンバに接続される真空搬送室と、
前記真空搬送室内に設けられ、前記チャンバとの間で前記消耗部材を搬送する搬送装置と、
当該プラズマ処理システム内の前記チャンバ外に設けられ、前記消耗部材の状態を検出する測定器と、
当該プラズマ処理システムの各要素を制御する制御部と、
を備え、
前記測定器は、前記チャンバ外である前記真空搬送室に設けられ、前記消耗部材の厚さを検出する厚さ検出センサを含む、
プラズマ処理システム。 - 前記測定器は、前記搬送装置が前記消耗部材を搬送する搬送経路において前記消耗部材の状態を検出する、
請求項1に記載のプラズマ処理システム。 - 前記測定器は、前記搬送装置に保持された前記消耗部材の状態を検出する、
請求項1又は2に記載のプラズマ処理システム。 - 前記測定器は、前記チャンバと前記真空搬送室との間に設けられるゲートバルブに隣接して設けられる、
請求項1乃至3のいずれか一項に記載のプラズマ処理システム。 - 前記測定器は、前記真空搬送室の1箇所に設けられる、
請求項1乃至4のいずれか一項に記載のプラズマ処理システム。 - 前記測定器は、基準位置に対する前記消耗部材の位置ずれを検出する、
請求項1乃至5のいずれか一項に記載のプラズマ処理システム。 - 前記測定器は、非接触で前記消耗部材の状態を検出する、
請求項1乃至6のいずれか一項に記載のプラズマ処理システム。 - 前記制御部は、前記チャンバ内に搬入する前の未使用の前記消耗部材の状態を検出するように前記搬送装置及び前記測定器を制御する、
請求項1乃至7のいずれか一項に記載のプラズマ処理システム。 - 前記制御部は、前記プラズマ処理を経た使用中の前記消耗部材の状態を検出するように前記搬送装置及び前記測定器を制御する、
請求項1乃至8のいずれか一項に記載のプラズマ処理システム。 - 前記制御部は、前記測定器が検出した前記消耗部材の状態に基づき前記プラズマ処理の条件を変更する、
請求項1乃至9のいずれか一項に記載のプラズマ処理システム。 - 前記消耗部材は、前記基板の周囲に配置されるエッジリングである、
請求項10に記載のプラズマ処理システム。 - 前記プラズマ処理の条件は、前記エッジリングの持ち上げ量を含む、
請求項11に記載のプラズマ処理システム。 - 前記プラズマ処理の条件は、前記エッジリングの裏面に供給される伝熱ガスの供給圧及び供給流量の少なくとも1つを含む、
請求項11又は12に記載のプラズマ処理システム。 - 前記プラズマ処理の条件は、前記エッジリングに供給されるバイアス電圧の大きさを含む、
請求項11乃至13のいずれか一項に記載のプラズマ処理システム。 - 前記基板の中心部を加熱する第1のヒータと、前記基板の周縁部を加熱する第2のヒータとを含む加熱部を更に備え、
前記プラズマ処理の条件は、前記第2のヒータの設定温度を含む、
請求項11乃至14のいずれか一項に記載のプラズマ処理システム。 - 前記消耗部材の状態は、前記消耗部材の厚さである、
請求項1乃至15のいずれか一項に記載のプラズマ処理システム。 - 基板にプラズマ処理を施すプラズマ処理方法であって、
(a)消耗部材が取り付けられたチャンバ内において第1の条件で基板にプラズマ処理を施す工程と、
(b)前記プラズマ処理を経た前記消耗部材を前記チャンバに接続された真空搬送室内に搬送する工程と、
(c)前記真空搬送室内に搬送された前記消耗部材の状態を検出する工程と、
(d)状態の検出が行われた前記消耗部材を前記チャンバ内に搬送する工程と、
(e)前記工程(d)の後に前記チャンバ内において前記消耗部材の状態に基づいて設定される第2の条件で基板にプラズマ処理を施す工程と、
を有し、
前記工程(c)において検出される前記消耗部材の状態は、前記チャンバ外である前記真空搬送室に設けられた厚さ検出センサにより検出される前記消耗部材の厚さを含む、
プラズマ処理方法。 - 前記工程(c)の前に、(f)基準位置に対する前記真空搬送室内に搬送された前記消耗部材の位置ずれの有無を判定する工程を更に有し、
前記工程(f)において前記消耗部材の位置ずれが無いと判定された場合に前記工程(c)を行う、
請求項17に記載のプラズマ処理方法。 - 前記工程(f)において前記消耗部材の位置ずれが有ると判断された場合に、(g)前記位置ずれが補正可能であるか否かを判定する工程を更に有し、
前記工程(g)において前記位置ずれが補正可能であると判定された場合に前記工程(c)を行う、
請求項18に記載のプラズマ処理方法。 - 前記工程(b)の後かつ前記工程(d)の前に、(h)前記チャンバ内をクリーニングする工程を更に有する、
請求項17乃至19のいずれか一項に記載のプラズマ処理方法。 - 前記工程(c)の後に、(i)前記工程(c)において検出された前記消耗部材の状態が許容範囲内か否かを判定する工程を更に有し、
前記工程(i)において前記消耗部材の状態が許容範囲内である場合に前記工程(d)を行う、
請求項17乃至20のいずれか一項に記載のプラズマ処理方法。 - 前記消耗部材の状態は、前記消耗部材の厚さである、
請求項17乃至21のいずれか一項に記載のプラズマ処理方法。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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