JP2022132087A

JP2022132087A - 搬送システム、搬送装置及び搬送方法

Info

Publication number: JP2022132087A
Application number: JP2021211397A
Authority: JP
Inventors: 紀彦網倉; Norihiko Amikura; 俊明豊巻; Toshiaki Toyomaki; 正知北; Masatomo Kita
Original assignee: Tokyo Electron Ltd
Current assignee: Tokyo Electron Ltd
Priority date: 2021-02-26
Filing date: 2021-12-24
Publication date: 2022-09-07

Abstract

【課題】搬送ロボットに対するティーチングを自動化できる技術を提供する。
【解決手段】本開示の一態様による搬送システムは、動作指示に基づいてエンドエフェクタにより搬送対象物を搬送する搬送ロボットと、前記動作指示を前記搬送ロボットに出力する制御部と、を備え、前記エンドエフェクタ及び前記搬送対象物の少なくともいずれか一方はセンサ及びカメラの少なくともいずれか一方を有し、前記制御部は、前記センサの検出結果及び前記カメラの撮影結果の少なくともいずれか一方に基づき、前記エンドエフェクタと前記搬送対象物との相対位置を算出し、前記制御部は、前記相対位置に基づいて前記搬送対象物に対する前記エンドエフェクタの教示位置を決定し、当該教示位置に当該エンドエフェクタが配置されるように前記動作指示を前記搬送ロボットに出力する。
【選択図】図１

Description

本開示は、搬送システム、搬送装置及び搬送方法に関する。

外周縁部に複数のカメラが配置された検査用ウエハを用いた搬送装置のティーチング方法が知られている（例えば、特許文献１参照）。

フォーカスリング（環状部材）の搬送位置を調整してフォーカスリング（環状部材）の載置位置の精度を向上させる方法が知られている（例えば、特許文献２参照）。

特開２０１９－１０２７２８号公報特開２０２０－０９６１２２号公報

本開示は、搬送ロボットに対するティーチングを自動化できる技術を提供する。

本開示の一態様による搬送システムは、動作指示に基づいてエンドエフェクタにより搬送対象物を搬送する搬送ロボットと、前記動作指示を前記搬送ロボットに出力する制御部と、を備え、前記エンドエフェクタ及び前記搬送対象物の少なくともいずれか一方はセンサ及びカメラの少なくともいずれか一方を有し、前記制御部は、前記センサの検出結果及び前記カメラの撮影結果の少なくともいずれか一方に基づき、前記エンドエフェクタと前記搬送対象物との相対位置を算出し、前記制御部は、前記相対位置に基づいて前記搬送対象物に対する前記エンドエフェクタの教示位置を決定し、当該教示位置に当該エンドエフェクタが配置されるように前記動作指示を前記搬送ロボットに出力する。

本開示によれば、搬送ロボットに対するティーチングを自動化できる。

図１は、実施形態の処理システムの一例を示す図である。図２は、実施形態のプラズマ処理システムの一例を示す図である。図３は、実施形態のプラズマ処理装置の一例を示す図である。図４は、真空搬送ロボットのフォークと基板との相対位置の説明図である。図５は、大気搬送ロボットのフォークと基板との相対位置の説明図である。図６は、静電容量センサの一例を示す図である。図７は、静電容量センサの別の一例を示す図である。図８は、大気搬送ロボットの位置合わせ方法の一例を示す図である。図９は、大気搬送ロボットとアライナとロードポートとの位置合わせの一例を示す図である。図１０は、大気搬送ロボットとストレージとの位置合わせの一例を示す図である。図１１は、大気搬送ロボットとストレージとの位置合わせの別の一例を示す図である。図１２は、大気搬送ロボットとロードロックモジュールとの位置合わせの一例を示す図である。図１３は、大気搬送ロボットとロードロックモジュールとの位置合わせの別の一例を示す図である。図１４は、真空搬送ロボットの位置合わせ方法の一例を示す図である。図１５は、真空搬送ロボットとロードロックモジュールとの位置合わせの一例を示す図である。図１６は、真空搬送ロボットとプロセスモジュールとの位置合わせの一例を示す図である。図１７は、実施形態の第１構成例に係る搬送装置のエンドエフェクタの上面図である。図１８は、実施形態の第１構成例に係る搬送装置のエンドエフェクタと基板との相対位置の説明する図である。図１９は、実施形態の第１構成例に係る搬送装置のエンドエフェクタと環状部材との相対位置の説明する図である。図２０は、実施形態の第２構成例に係る搬送装置のエンドエフェクタの上面図である。図２１は、実施形態の第２構成例に係る搬送装置のエンドエフェクタによる基板の位置ずれの測定を説明する図である。図２２は、実施形態の第２構成例に係る搬送装置のエンドエフェクタによる基板の位置ずれの測定を説明する図である。図２３は、実施形態の第２構成例に係る搬送装置のエンドエフェクタによる基板の位置ずれの測定を説明する図である。図２４は、実施形態の第３構成例に係る搬送装置のエンドエフェクタの下面図である。図２５は、本実施形態に係る搬送ロボットのエンドエフェクタの上面図である。図２６は、本実施形態に係る搬送ロボットのエンドエフェクタの下面図である。図２７は、本実施形態に係る搬送ロボットのエンドエフェクタによる基板の位置ずれの測定を説明する図である。図２８は、本実施形態に係る搬送ロボットのエンドエフェクタによる基板の位置ずれの測定を説明する図である。図２９は、本実施形態に係る搬送ロボットのエンドエフェクタによる基板の位置ずれの測定を説明する図である。図３０は、本実施形態に係る搬送システムの処理を説明するフロー図である。図３１は、本実施形態に係る搬送システムの処理を説明するフロー図である。図３２は、本実施形態に係る搬送システムの処理を説明するフロー図である。図３３は、本実施形態に係る搬送システムの処理を説明する図である。

以下、添付の図面を参照しながら、本開示の限定的でない例示の実施形態について説明する。添付の全図面中、同一又は対応する部材又は部品については、同一又は対応する参照符号を付し、重複する説明を省略する。

＜第１の実施形態＞
〔処理システム〕
図１を参照し、実施形態の処理システムの一例について説明する。図１に示されるように、処理システムＰＳは、基板にプラズマ処理等の各種処理を施すことが可能なシステムである。

処理システムＰＳは、真空搬送モジュールＴＭ１，ＴＭ２、プロセスモジュールＰＭ１～ＰＭ１２、ロードロックモジュールＬＬ１，ＬＬ２、大気搬送モジュールＬＭ、アライナＡＮ、ストレージＳＲ等を備える。

真空搬送モジュールＴＭ１，ＴＭ２は、それぞれ平面視において略四角形状を有する。真空搬送モジュールＴＭ１は、対向する２つの側面にプロセスモジュールＰＭ１～ＰＭ６が接続されている。真空搬送モジュールＴＭ１の他の対向する２つの側面のうち、一方の側面にはロードロックモジュールＬＬ１，ＬＬ２が接続され、他方の側面には真空搬送モジュールＴＭ２と接続するためのパス（図示せず）が接続されている。真空搬送モジュールＴＭ１のロードロックモジュールＬＬ１，ＬＬ２が接続される側面は、２つのロードロックモジュールＬＬ１，ＬＬ２に応じて角度が付けられている。真空搬送モジュールＴＭ２は、対向する２つの側面にプロセスモジュールＰＭ７～ＰＭ１２が接続されている。真空搬送モジュールＴＭ２の他の対向する２つの側面のうち、一方の側面には真空搬送モジュールＴＭ１と接続するためのパス（図示せず）が接続されている。真空搬送モジュールＴＭ１，ＴＭ２は、真空雰囲気の真空室を有し、内部にそれぞれ真空搬送ロボットＴＲ１，ＴＲ２が配置されている。

真空搬送ロボットＴＲ１，ＴＲ２は、旋回、伸縮、昇降自在に構成されている。真空搬送ロボットＴＲ１，ＴＲ２は、後述する制御部ＣＵが出力する動作指示に基づいて搬送対象物を搬送する。例えば、真空搬送ロボットＴＲ１は、先端に配置されたフォークＦＫ１１，ＦＫ１２で搬送対象物を保持し、ロードロックモジュールＬＬ１，ＬＬ２、プロセスモジュールＰＭ１～ＰＭ６及びパス（図示せず）の間で搬送対象物を搬送する。例えば、真空搬送ロボットＴＲ２は、先端に配置されたフォークＦＫ２１，ＦＫ２２で搬送対象物を保持し、プロセスモジュールＰＭ７～ＰＭ１２及びパス（図示せず）の間で搬送対象物を搬送する。なお、フォークは、ピック、エンドエフェクタとも称される。

搬送対象物は、基板及び消耗部材を含む。基板は、例えば半導体ウエハ、センサウエハである。消耗部材は、プロセスモジュールＰＭ１～ＰＭ１２内に交換可能に取り付けられる部材であり、プロセスモジュールＰＭ１～ＰＭ１２内でプラズマ処理等の各種の処理が行われることで消耗する部材である。消耗部材は、例えば後述するリングアセンブリ１１２、シャワーヘッド１３を構成する部材を含む。

プロセスモジュールＰＭ１～ＰＭ１２は、処理室を有し、内部に配置されたステージ（載置台）を有する。プロセスモジュールＰＭ１～ＰＭ１２は、ステージに基板が設置された後、内部を減圧して処理ガスを導入し、ＲＦ電力を印加してプラズマを生成し、プラズマによって基板にプラズマ処理を施す。真空搬送モジュールＴＭ１，ＴＭ２とプロセスモジュールＰＭ１～ＰＭ１２とは、開閉自在なゲートバルブＧ１で仕切られている。

ロードロックモジュールＬＬ１，ＬＬ２は、真空搬送モジュールＴＭ１と大気搬送モジュールＬＭとの間に配置されている。ロードロックモジュールＬＬ１，ＬＬ２は、内部を真空、大気圧に切り換え可能な内圧可変室を有する。ロードロックモジュールＬＬ１，ＬＬ２は、内部に配置されたステージを有する。ロードロックモジュールＬＬ１，ＬＬ２は、基板を大気搬送モジュールＬＭから真空搬送モジュールＴＭ１へ搬入する際、内部を大気圧に維持して大気搬送モジュールＬＭから基板を受け取り、内部を減圧して真空搬送モジュールＴＭ１へ基板を搬入する。ロードロックモジュールＬＬ１，ＬＬ２は、基板を真空搬送モジュールＴＭ１から大気搬送モジュールＬＭへ搬出する際、内部を真空に維持して真空搬送モジュールＴＭ１から基板を受け取り、内部を大気圧まで昇圧して大気搬送モジュールＬＭへ基板を搬入する。ロードロックモジュールＬＬ１，ＬＬ２と真空搬送モジュールＴＭ１とは、開閉自在なゲートバルブＧ２で仕切られている。ロードロックモジュールＬＬ１，ＬＬ２と大気搬送モジュールＬＭとは、開閉自在なゲートバルブＧ３で仕切られている。

大気搬送モジュールＬＭは、真空搬送モジュールＴＭ１に対向して配置されている。大気搬送モジュールＬＭは、例えばＥＦＥＭ（Equipment Front End Module）であってよい。大気搬送モジュールＬＭは、直方体状であり、ＦＦＵ（Fan Filter Unit）を備え、大気圧雰囲気に保持された大気搬送室である。大気搬送モジュールＬＭの長手方向に沿った一の側面には、２つのロードロックモジュールＬＬ１，ＬＬ２が接続されている。大気搬送モジュールＬＭの長手方向に沿った他の側面には、ロードポートＬＰ１～ＬＰ４が接続されている。ロードポートＬＰ１～ＬＰ４には、複数（例えば２５枚）の基板を収容する容器Ｃが載置される。容器Ｃは、例えばＦＯＵＰ（Front-Opening Unified Pod)であってよい。大気搬送モジュールＬＭ内には、搬送対象物を搬送する大気搬送ロボットＴＲ３が配置されている。

大気搬送ロボットＴＲ３は、大気搬送モジュールＬＭの長手方向に沿って移動可能に構成されると共に、旋回、伸縮、昇降自在に構成されている。大気搬送ロボットＴＲ３は、後述する制御部ＣＵが出力する動作指示に基づいて搬送対象物を搬送する。例えば、大気搬送ロボットＴＲ３は、先端に配置されたフォークＦＫ３１で搬送対象物を保持し、ロードポートＬＰ１～ＬＰ４、ロードロックモジュールＬＬ１，ＬＬ２、アライナＡＮ及びストレージＳＲの間で搬送対象物を搬送する。

アライナＡＮは、大気搬送モジュールＬＭの短手方向に沿った一の側面に接続されている。ただし、アライナＡＮは、大気搬送モジュールＬＭの長手方向に沿った側面に接続されていてもよい。また、アライナＡＮは、大気搬送モジュールＬＭの内部に設けられていてもよい。アライナＡＮは、支持台、光学センサ（いずれも図示せず）等を有する。ここでいうアライナとは、搬送対象物の位置を検出する装置である。

支持台は、鉛直方向に延びる軸線中心に回転可能な台であり、その上に基板を支持するように構成されている。支持台は、駆動装置（図示せず）によって回転される。駆動装置は、後述する制御部ＣＵによって制御される。駆動装置からの動力により支持台が回転すると、当該支持台の上に設置された基板も回転するようになっている。

光学センサは、基板が回転する間、基板のエッジを検出する。光学センサは、エッジの検出結果から、基準角度位置に対する基板のノッチ（或いは、別のマーカー）の角度位置のずれ量、及び、基準位置に対する基板の中心位置のずれ量を検出する。光学センサは、ノッチの角度位置のずれ量及び基板の中心位置のずれ量を後述する制御部ＣＵに出力する。制御部ＣＵは、ノッチの角度位置のずれ量に基づき、ノッチの角度位置を基準角度位置に補正するための回転支持台の回転量を算出する。制御部ＣＵは、この回転量の分だけ回転支持台を回転させるよう、駆動装置（図示せず）を制御する。これにより、ノッチの角度位置を基準角度位置に補正することができる。また、制御部ＣＵは、大気搬送ロボットＴＲ３のフォークＦＫ３１上の所定位置に基板の中心位置が一致するよう、アライナＡＮから基板を受け取る際の大気搬送ロボットＴＲ３のフォークＦＫ３１の位置を、基板の中心位置のずれ量に基づき、制御する。

ストレージＳＲは、大気搬送モジュールＬＭの長手方向に沿った側面に接続されている。ただし、ストレージＳＲは、大気搬送モジュールＬＭの短手方向に沿った側面に接続されていてもよい。また、ストレージＳＲは、大気搬送モジュールＬＭの内部に設けられていてもよい。ストレージＳＲは、搬送対象物を収容する。

処理システムＰＳには、制御部ＣＵが設けられている。制御部ＣＵは、例えばコンピュータであってよい。制御部ＣＵは、ＣＰＵ（Central Processing Unit）、ＲＡＭ（Random Access Memory）、ＲＯＭ（Read Only Memory）、補助記憶装置等を備える。ＣＰＵは、ＲＯＭ又は補助記憶装置に格納されたプログラムに基づいて動作し、処理システムＰＳの各部を制御する。例えば、制御部ＣＵは、動作指示を真空搬送ロボットＴＲ１，ＴＲ２、大気搬送ロボットＴＲ３等に出力する。動作指示は、搬送対象物を搬送するフォークＦＫ１１，ＦＫ１２，ＦＫ２１，ＦＫ２２，ＦＫ３１と、搬送対象物の搬送場所との位置合わせの指示を含む。

〔プラズマ処理システム〕
図２を参照し、プロセスモジュールＰＭ１～ＰＭ１２のいずれかとして採用され得るプラズマ処理システムの一例について説明する。

一実施形態において、プラズマ処理システムは、プラズマ処理装置１及びプラズマ処理制御部２を含む。プラズマ処理装置１は、プラズマ処理チャンバ１０、基板支持部１１及びプラズマ生成部１２を含む。プラズマ処理チャンバ１０は、プラズマ処理空間を有する。また、プラズマ処理チャンバ１０は、少なくとも１つの処理ガスをプラズマ処理空間に供給するための少なくとも１つのガス供給口と、プラズマ処理空間からガスを排出するための少なくとも１つのガス排出口とを有する。ガス供給口は、後述するガス供給部２０に接続され、ガス排出口は、後述する排気システム４０に接続される。基板支持部１１は、プラズマ処理空間内に配置され、基板を支持するための基板支持面を有する。

プラズマ生成部１２は、プラズマ処理空間内に供給された少なくとも１つの処理ガスからプラズマを生成するように構成される。プラズマ処理空間において形成されるプラズマは、容量結合プラズマ（ＣＣＰ；ＣａｐａｃｉｔｉｖｅｌｙＣｏｕｐｌｅｄＰｌａｓｍａ）、誘導結合プラズマ（ＩＣＰ；ＩｎｄｕｃｔｉｖｅｌｙＣｏｕｐｌｅｄＰｌａｓｍａ）、ＥＣＲプラズマ（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ－Ｃｙｃｌｏｔｒｏｎ－ｒｅｓｏｎａｎｃｅｐｌａｓｍａ）、ヘリコン波励起プラズマ（ＨＷＰ：ＨｅｌｉｃｏｎＷａｖｅＰｌａｓｍａ）、又は、表面波プラズマ（ＳＷＰ：ＳｕｒｆａｃｅＷａｖｅＰｌａｓｍａ）等であってもよい。また、ＡＣ（ＡｌｔｅｒｎａｔｉｎｇＣｕｒｒｅｎｔ）プラズマ生成部及びＤＣ（ＤｉｒｅｃｔＣｕｒｒｅｎｔ）プラズマ生成部を含む、種々のタイプのプラズマ生成部が用いられてもよい。一実施形態において、ＡＣプラズマ生成部で用いられるＡＣ信号（ＡＣ電力）は、１００ｋＨｚ～１０ＧＨｚの範囲内の周波数を有する。従って、ＡＣ信号は、ＲＦ（ＲａｄｉｏＦｒｅｑｕｅｎｃｙ）信号及びマイクロ波信号を含む。一実施形態において、ＲＦ信号は、２００ｋＨｚ～１５０ＭＨｚの範囲内の周波数を有する。

プラズマ処理制御部２は、本開示において述べられる種々の工程をプラズマ処理装置１に実行させるコンピュータ実行可能な命令を処理する。プラズマ処理制御部２は、ここで述べられる種々の工程を実行するようにプラズマ処理装置１の各要素を制御するように構成され得る。一実施形態において、プラズマ処理制御部２の一部又は全てがプラズマ処理装置１に含まれてもよい。プラズマ処理制御部２は、例えばコンピュータ２ａを含んでもよい。コンピュータ２ａは、例えば、処理部（ＣＰＵ：ＣｅｎｔｒａｌＰｒｏｃｅｓｓｉｎｇＵｎｉｔ）２ａ１、記憶部２ａ２、及び通信インターフェース２ａ３を含んでもよい。処理部２ａ１は、記憶部２ａ２に格納されたプログラムに基づいて種々の制御動作を行うように構成され得る。記憶部２ａ２は、ＲＡＭ（ＲａｎｄｏｍＡｃｃｅｓｓＭｅｍｏｒｙ）、ＲＯＭ（ＲｅａｄＯｎｌｙＭｅｍｏｒｙ）、ＨＤＤ（ＨａｒｄＤｉｓｋＤｒｉｖｅ）、ＳＳＤ（ＳｏｌｉｄＳｔａｔｅＤｒｉｖｅ）、又はこれらの組み合わせを含んでもよい。通信インターフェース２ａ３は、ＬＡＮ（ＬｏｃａｌＡｒｅａＮｅｔｗｏｒｋ）等の通信回線を介してプラズマ処理装置１との間で通信してもよい。

図３を参照し、以下に、プラズマ処理装置１の一例としての容量結合プラズマ処理装置の構成例について説明する。

容量結合プラズマ処理装置１は、プラズマ処理チャンバ１０、ガス供給部２０、電源３０及び排気システム４０を含む。また、プラズマ処理装置１は、基板支持部１１及びガス導入部を含む。ガス導入部は、少なくとも１つの処理ガスをプラズマ処理チャンバ１０内に導入するように構成される。ガス導入部は、シャワーヘッド１３を含む。基板支持部１１は、プラズマ処理チャンバ１０内に配置される。シャワーヘッド１３は、基板支持部１１の上方に配置される。一実施形態において、シャワーヘッド１３は、プラズマ処理チャンバ１０の天部（ｃｅｉｌｉｎｇ）の少なくとも一部を構成する。プラズマ処理チャンバ１０は、シャワーヘッド１３、プラズマ処理チャンバ１０の側壁１０ａ及び基板支持部１１により規定されたプラズマ処理空間１０ｓを有する。側壁１０ａは接地される。シャワーヘッド１３及び基板支持部１１は、プラズマ処理チャンバ１０筐体とは電気的に絶縁される。

基板支持部１１は、本体部１１１及びリングアセンブリ１１２を含む。本体部１１１は、基板（ウエハ）Ｗを支持するための中央領域（基板支持面）１１１ａと、リングアセンブリ１１２を支持するための環状領域（リング支持面）１１１ｂとを有する。本体部１１１の環状領域１１１ｂは、平面視で本体部１１１の中央領域１１１ａを囲んでいる。基板Ｗは、本体部１１１の中央領域１１１ａ上に配置され、リングアセンブリ１１２は、本体部１１１の中央領域１１１ａ上の基板Ｗを囲むように本体部１１１の環状領域１１１ｂ上に配置される。一実施形態において、本体部１１１は、基台及び静電チャックを含む。基台は、導電性部材を含む。基台の導電性部材は下部電極として機能する。静電チャックは、基台の上に配置される。静電チャックの上面は、基板支持面１１１ａを有する。リングアセンブリ１１２は、１又は複数の環状部材を含む。１又は複数の環状部材のうち少なくとも１つはエッジリングである。また、図示は省略するが、基板支持部１１は、静電チャック、リングアセンブリ１１２及び基板のうち少なくとも１つをターゲット温度に調節するように構成される温調モジュールを含んでもよい。温調モジュールは、ヒータ、伝熱媒体、流路、又はこれらの組み合わせを含んでもよい。流路には、ブラインやガスのような伝熱流体が流れる。また、基板支持部１１は、基板Ｗの裏面と基板支持面１１１ａとの間に伝熱ガスを供給するように構成された伝熱ガス供給部を含んでもよい。

シャワーヘッド１３は、ガス供給部２０からの少なくとも１つの処理ガスをプラズマ処理空間１０ｓ内に導入するように構成される。シャワーヘッド１３は、少なくとも１つのガス供給口１３ａ、少なくとも１つのガス拡散室１３ｂ、及び複数のガス導入口１３ｃを有する。ガス供給口１３ａに供給された処理ガスは、ガス拡散室１３ｂを通過して複数のガス導入口１３ｃからプラズマ処理空間１０ｓ内に導入される。また、シャワーヘッド１３は、導電性部材を含む。シャワーヘッド１３の導電性部材は上部電極として機能する。なお、ガス導入部は、シャワーヘッド１３に加えて、側壁１０ａに形成された１又は複数の開口部に取り付けられる１又は複数のサイドガス注入部（ＳＧＩ：ＳｉｄｅＧａｓＩｎｊｅｃｔｏｒ）を含んでもよい。

ガス供給部２０は、少なくとも１つのガスソース２１及び少なくとも１つの流量制御器２２を含んでもよい。一実施形態において、ガス供給部２０は、少なくとも１つの処理ガスを、それぞれに対応のガスソース２１からそれぞれに対応の流量制御器２２を介してシャワーヘッド１３に供給するように構成される。各流量制御器２２は、例えばマスフローコントローラ又は圧力制御式の流量制御器を含んでもよい。さらに、ガス供給部２０は、少なくとも１つの処理ガスの流量を変調又はパルス化する少なくとも１つの流量変調デバイスを含んでもよい。

電源３０は、少なくとも１つのインピーダンス整合回路を介してプラズマ処理チャンバ１０に結合されるＲＦ電源３１を含む。ＲＦ電源３１は、ソースＲＦ信号及びバイアスＲＦ信号のような少なくとも１つのＲＦ信号（ＲＦ電力）を、基板支持部１１の導電性部材及び／又はシャワーヘッド１３の導電性部材に供給するように構成される。これにより、プラズマ処理空間１０ｓに供給された少なくとも１つの処理ガスからプラズマが形成される。従って、ＲＦ電源３１は、プラズマ生成部１２の少なくとも一部として機能し得る。また、バイアスＲＦ信号を基板支持部１１の導電性部材に供給することにより、基板Ｗにバイアス電位が発生し、形成されたプラズマ中のイオン成分を基板Ｗに引き込むことができる。

一実施形態において、ＲＦ電源３１は、第１のＲＦ生成部３１ａ及び第２のＲＦ生成部３１ｂを含む。第１のＲＦ生成部３１ａは、少なくとも１つのインピーダンス整合回路を介して基板支持部１１の導電性部材及び／又はシャワーヘッド１３の導電性部材に結合され、プラズマ生成用のソースＲＦ信号（ソースＲＦ電力）を生成するように構成される。一実施形態において、ソースＲＦ信号は、１３ＭＨｚ～１５０ＭＨｚの範囲内の周波数を有する。一実施形態において、第１のＲＦ生成部３１ａは、異なる周波数を有する複数のソースＲＦ信号を生成するように構成されてもよい。生成された１又は複数のソースＲＦ信号は、基板支持部１１の導電性部材及び／又はシャワーヘッド１３の導電性部材に供給される。第２のＲＦ生成部３１ｂは、少なくとも１つのインピーダンス整合回路を介して基板支持部１１の導電性部材に結合され、バイアスＲＦ信号（バイアスＲＦ電力）を生成するように構成される。一実施形態において、バイアスＲＦ信号は、ソースＲＦ信号よりも低い周波数を有する。一実施形態において、バイアスＲＦ信号は、４００ｋＨｚ～１３．５６ＭＨｚの範囲内の周波数を有する。一実施形態において、第２のＲＦ生成部３１ｂは、異なる周波数を有する複数のバイアスＲＦ信号を生成するように構成されてもよい。生成された１又は複数のバイアスＲＦ信号は、基板支持部１１の導電性部材に供給される。また、種々の実施形態において、ソースＲＦ信号及びバイアスＲＦ信号のうち少なくとも１つがパルス化されてもよい。

また、電源３０は、プラズマ処理チャンバ１０に結合されるＤＣ電源３２を含んでもよい。ＤＣ電源３２は、第１のＤＣ生成部３２ａ及び第２のＤＣ生成部３２ｂを含む。一実施形態において、第１のＤＣ生成部３２ａは、基板支持部１１の導電性部材に接続され、第１のＤＣ信号を生成するように構成される。生成された第１のＤＣ信号は、基板支持部１１の導電性部材に印加される。一実施形態において、第１のＤＣ信号が、静電チャック内の電極のような他の電極に印加されてもよい。一実施形態において、第２のＤＣ生成部３２ｂは、シャワーヘッド１３の導電性部材に接続され、第２のＤＣ信号を生成するように構成される。生成された第２のＤＣ信号は、シャワーヘッド１３の導電性部材に印加される。種々の実施形態において、第１及び第２のＤＣ信号がパルス化されてもよい。なお、第１及び第２のＤＣ生成部３２ａ，３２ｂは、ＲＦ電源３１に加えて設けられてもよく、第１のＤＣ生成部３２ａが第２のＲＦ生成部３１ｂに代えて設けられてもよい。

排気システム４０は、例えばプラズマ処理チャンバ１０の底部に設けられたガス排出口１０ｅに接続され得る。排気システム４０は、圧力調整弁及び真空ポンプを含んでもよい。圧力調整弁によって、プラズマ処理空間１０ｓ内の圧力が調整される。真空ポンプは、ターボ分子ポンプ、ドライポンプ又はこれらの組み合わせを含んでもよい。

〔相対位置の算出方法〕
図４を参照し、真空搬送ロボットＴＲ１のフォークＦＫ１１と基板Ｗとの相対位置を算出する方法の一例について説明する。なお、真空搬送ロボットＴＲ１のフォークＦＫ１２及び真空搬送ロボットＴＲ２のフォークＦＫ２１，ＦＫ２２と基板Ｗとの相対位置を算出する方法についても同様であってよい。

図４は、真空搬送ロボットＴＲ１のフォークＦＫ１１と基板Ｗとの相対位置の説明図である。図４（ａ）は、基板Ｗを保持したフォークＦＫ１１の平面図である。図４（ｂ）は、基板Ｗを保持したフォークＦＫ１１の断面図であり、図４（ａ）における一点鎖線４Ｂ－４Ｂで切断した断面を示す。

フォークＦＫ１１は、平面視で略Ｕ字形状を有する。フォークＦＫ１１は、複数のパッドＰＤ、導体ＣＤ１等を含む。複数のパッドＰＤは、基板Ｗの下面に接触して該基板Ｗを保持する。導体ＣＤ１は、フォークＦＫ１１の所定位置（例えば中心位置）に基板Ｗが設置されたときに、平面視でその中心が静電容量センサＣＳの中心と一致する位置に設けられている。導体ＣＤ１は、例えばアルミニウムである。

基板Ｗは、円板形状のセンサウエハである。基板Ｗは、位置検出センサＰＳ１～ＰＳ６、静電容量センサＣＳ等を含む。

位置検出センサＰＳ１～ＰＳ６は、例えば基板Ｗの表面の外周縁部に同一円周上に配置されている。位置検出センサＰＳ１～ＰＳ６は、例えば基板Ｗの下方や側方を撮影可能に構成されるカメラであってよい。ただし、位置検出センサＰＳ１～ＰＳ６の種類はこれに限定されるものではない。

静電容量センサＣＳは、基板Ｗの所定位置に設けられている。静電容量センサＣＳは、基板ＷがフォークＦＫ１１に保持された際、フォークＦＫ１１に設けられた導体ＣＤ１との位置関係に応じた静電容量を検出し、検出値（検出結果）を制御部ＣＵに出力する。

図５を参照し、大気搬送ロボットＴＲ３のフォークＦＫ３１と基板Ｗとの相対位置を算出する方法の一例について説明する。

図５は、大気搬送ロボットＴＲ３のフォークＦＫ３１と基板Ｗとの相対位置の説明図である。図５（ａ）は、基板Ｗを保持したフォークＦＫ３１の平面図である。図５（ｂ）は、基板Ｗを保持したフォークＦＫ３１の断面図であり、図５（ａ）における一点鎖線５Ｂ－５Ｂで切断した断面を示す。

フォークＦＫ３１は、平面視で略Ｕ字形状を有する。フォークＦＫ３１は、複数の吸引孔Ｖ１、吸引路Ｖ２、導体ＣＤ２等を含む。フォークＦＫ３１は、基板Ｗの下面を複数の吸引孔Ｖ１により真空吸着して保持する。複数の吸引孔Ｖ１は、吸引路Ｖ２及び排気管Ｖ３を介して排気装置Ｖ４に接続されている。排気装置Ｖ４は、バルブ、レギュレータ、真空ポンプ等を含み、圧力を調整しながら吸引路Ｖ２及び排気管Ｖ３内を吸引する。排気管Ｖ３には、吸着センサＶ５が介設されている。吸着センサＶ５は、排気管Ｖ３内の圧力（以下「吸着圧力」ともいう。）を検出し、制御部ＣＵに出力する。制御部ＣＵは、吸着センサＶ５により検出される吸着圧力に基づいて、フォークＦＫ３１の上面が基板Ｗの下面と接触したときの高さ位置を算出する。導体ＣＤ２は、フォークＦＫ３１の所定位置（例えば中心位置）に基板Ｗが設置されたときに、平面視でその中心が静電容量センサＣＳの中心と一致する位置に設けられている。導体ＣＤ２は、例えばアルミニウムである。

基板Ｗは、図４（ａ）及び図４（ｂ）に示される基板Ｗと同じである。すなわち、基板Ｗは、円板形状のセンサウエハである。基板Ｗは、位置検出センサＰＳ１～ＰＳ６、静電容量センサＣＳ等を含む。

静電容量センサＣＳは、基板Ｗの所定位置に設けられている。静電容量センサＣＳは、基板ＷがフォークＦＫ３１に吸着保持された際、フォークＦＫ３１に設けられた導体ＣＤ２との位置関係に応じた静電容量を検出し、検出値（検出結果）を制御部ＣＵに出力する。

静電容量センサＣＳは、例えば図６に示されるように、平面視で導体ＣＤ１（ＣＤ２）よりも大きい円形状を有する。ただし、静電容量センサＣＳは、平面視で導体ＣＤ１（ＣＤ２）と同じ大きさの円形状を有していてもよく、平面視で導体ＣＤ１（ＣＤ２）よりも小さい円形状を有していてもよい。また、静電容量センサＣＳは、円形状とは異なる形状、例えば矩形状等の多角形状を有していてもよい。

静電容量センサＣＳは、例えば図７に示されるように、平面視で正三角形の頂点に配置された３つの静電容量センサＣＳ１～ＣＳ３を含んでいてもよい。３つの静電容量センサＣＳ１～ＣＳ３は、それぞれ平面視で導体ＣＤ１（ＣＤ２）よりも小さい円形状を有する。ただし、複数の静電容量センサの各々は、円形状とは異なる形状、例えば矩形状等の多角形状を有していてもよい。また、静電容量センサＣＳは、２つの静電容量センサを含んでいてもよく、４つ以上の静電容量センサを含んでいてもよい。

なお、図４及び図５の例では、静電容量センサＣＳが基板Ｗに設けられている場合を説明したが、これに限定されない。例えば、静電容量センサＣＳはフォークＦＫ１１，ＦＫ３１に設けられていてもよい。

〔位置合わせ方法〕
実施形態の位置合わせ方法について、前述の処理システムＰＳにおいて実施される場合を例に挙げて説明する。

実施形態の位置合わせ方法は、例えば処理システムＰＳの起動時に実施される。また、実施形態の位置合わせ方法は、例えば真空搬送ロボットＴＲ１のフォークＦＫ１１，ＦＫ１２、真空搬送ロボットＴＲ２のフォークＦＫ２１，ＦＫ２２、大気搬送ロボットＴＲ３のフォークＦＫ３１の交換時に実施される。また、実施形態の位置合わせ方法は、例えばプロセスモジュールＰＭ１～ＰＭ１２内の部品（例えば静電チャック、エッジリング）の交換時に実施される。ただし、実施形態の位置合わせ方法が実施されるタイミングは、例示したタイミングに限定されるものではない。

また、実施形態の位置合わせ方法に先立って、ラフティーチングを実施することが好ましい。ラフティーチングは、搬送ロボットのフォークについて、搬送対象物の搬送場所に対して搬送位置座標を仮決定するものである。ラフティーチングは、フォークに保持される搬送対象物が処理システム内の部材等と接触しないようにするために実施されるものであり、荒い精度で搬送位置座標が仮決定される。なお、処理システムの組み立て誤差が小さい場合等には、処理システムの設計数値から搬送位置座標を算出し、ラフティーチングを省略してもよい。

以下では、まず大気搬送ロボットＴＲ３の位置合わせ方法について説明し、次いで真空搬送ロボットＴＲ１，ＴＲ２の位置合わせ方法について説明する。

（大気搬送ロボットの位置合わせ）
図８を参照し、大気搬送ロボットＴＲ３の位置合わせ方法の一例について説明する。図８に示されるように、大気搬送ロボットＴＲ３の位置合わせ方法では、まず、工程Ｓ１０において、大気搬送ロボットＴＲ３とアライナＡＮとロードポートＬＰ１～ＬＰ４との位置合わせを行う。次いで、工程Ｓ２０において、大気搬送ロボットＴＲ３とストレージＳＲとの位置合わせを行う。次いで、工程Ｓ３０において、大気搬送ロボットＴＲ３とロードロックモジュールＬＬ１，ＬＬ２との位置合わせを行う。ただし、工程Ｓ２０と工程Ｓ３０との順序は入れ替えてもよい。

図９を参照し、大気搬送ロボットＴＲ３とアライナＡＮとロードポートＬＰ１との位置合わせ（工程Ｓ１０）の一例について説明する。なお、工程Ｓ１０の開始時において、ロードポートＬＰ１にセンサウエハを収容した容器Ｃが載置されているものとする。

ステップＳ１１において、制御部ＣＵは、フォークＦＫ３１によりロードポートＬＰ１に載置された容器Ｃ内からセンサウエハを取得するように、大気搬送ロボットＴＲ３を制御する。このとき、制御部ＣＵは、フォークＦＫ３１の吸着センサＶ５の検出値に基づいて、フォークＦＫ３１の上面がセンサウエハの下面と接触したときの高さ位置を算出する。また、制御部ＣＵは、算出した高さ位置に基づいてＺ軸の教示（ティーチング）位置を補正する。

ステップＳ１２において、制御部ＣＵは、フォークＦＫ３１が取得したセンサウエハをアライナＡＮに搬送するように、大気搬送ロボットＴＲ３を制御する。

ステップＳ１３において、制御部ＣＵは、センサウエハの水平方向の位置を検出するように、アライナＡＮを制御する。水平方向の位置は、ノッチの角度位置、センサウエハの中心位置等を含む。

ステップＳ１４において、制御部ＣＵは、アライナＡＮの検出結果に基づいて、ロードポートＬＰ１とアライナＡＮとの間の水平方向の位置ずれ量を算出する。また、制御部ＣＵは、算出した位置ずれ量に基づいて、Ｘ軸の教示位置及びＹ軸の教示位置を補正する。

ステップＳ１５において、制御部ＣＵは、補正された位置でフォークＦＫ３１によりアライナＡＮからセンサウエハを取得するように、大気搬送ロボットＴＲ３を制御する。

ステップＳ１６において、制御部ＣＵは、フォークＦＫ３１とセンサウエハとの相対位置を算出する。例えば、制御部ＣＵは、センサウエハに設けられた静電容量センサＣＳの検出値に基づいて、フォークＦＫ３１とセンサウエハとの相対位置を算出する。ただし、制御部ＣＵは、センサウエハに設けられた位置検出センサＰＳ１～ＰＳ６の検出値に基づいて、フォークＦＫ３１とセンサウエハとの相対位置を算出してもよい。

ステップＳ１７において、制御部ＣＵは、算出したフォークＦＫ３１とセンサウエハとの相対位置が基準値内であるか否かを判定する。ステップＳ１７において、相対位置が基準値内である場合、制御部ＣＵは処理をステップＳ１８へ進める。一方、ステップＳ１７において、相対位置が基準値内でない場合、制御部ＣＵは相対位置が基準値内となるように教示位置の補正を行い、処理をステップＳ１５へ戻す。

ステップＳ１８において、制御部ＣＵは、フォークＦＫ３１が取得したセンサウエハを所定の回収位置に搬送するように、大気搬送ロボットＴＲ３を制御する。所定の回収位置は、ロードポートＬＰ１に載置された容器Ｃ、ストレージＳＲ等であってよい。センサウエハが回収された後、制御部ＣＵは処理を終了させる。

以上、大気搬送ロボットＴＲ３とアライナＡＮとロードポートＬＰ１との位置合わせの一例について説明したが、ロードポートＬＰ２～ＬＰ４についてもロードポートＬＰ１と同様の方法により位置合わせできる。

図１０を参照し、大気搬送ロボットＴＲ３とストレージＳＲとの位置合わせ（工程Ｓ２０）の一例について説明する。なお、工程Ｓ２０の開始時において、大気搬送ロボットＴＲ３とアライナＡＮとロードポートＬＰ１との位置合わせ（工程Ｓ１０）が完了しているものとする。

ステップＳ２１において、制御部ＣＵは、フォークＦＫ３１によりストレージＳＲの所定位置（例えば中心位置）にセンサウエハを設置するように、大気搬送ロボットＴＲ３を制御する。このとき、制御部ＣＵは、センサウエハの位置検出センサＰＳ１～ＰＳ６の検出値に基づいて、センサウエハをストレージＳＲの所定位置に設置するように、大気搬送ロボットＴＲ３を制御する。

ステップＳ２２において、制御部ＣＵは、フォークＦＫ３１によりストレージＳＲからセンサウエハを取得するように、大気搬送ロボットＴＲ３を制御する。このとき、制御部ＣＵは、フォークＦＫ３１の吸着センサＶ５の検出値に基づいて、フォークＦＫ３１の上面がセンサウエハの下面と接触したときの高さ位置を算出する。また、制御部ＣＵは、算出した高さ位置に基づいてＺ軸の教示位置を補正する。

ステップＳ２３において、制御部ＣＵは、フォークＦＫ３１によりセンサウエハをアライナＡＮに搬送するように、大気搬送ロボットＴＲ３を制御する。

ステップＳ２４において、制御部ＣＵは、センサウエハの水平方向の位置を検出するように、アライナＡＮを制御する。

ステップＳ２５において、制御部ＣＵは、アライナＡＮの検出結果に基づいて、ストレージＳＲとアライナＡＮとの間の水平方向の位置ずれ量を算出する。また、制御部ＣＵは、算出した位置ずれ量に基づいて、Ｘ軸の教示位置及びＹ軸の教示位置を補正する。

ステップＳ２６において、制御部ＣＵは、フォークＦＫ３１によりセンサウエハを所定の回収位置に搬送するように、大気搬送ロボットＴＲ３を制御する。所定の回収位置は、ロードポートＬＰ１に載置された容器Ｃ、ストレージＳＲ等であってよい。センサウエハが回収された後、制御部ＣＵは処理を終了させる。

図１１を参照し、大気搬送ロボットＴＲ３とストレージＳＲとの位置合わせ（工程Ｓ２０）の別の一例について説明する。なお、工程Ｓ２０の開始時において、大気搬送ロボットＴＲ３とアライナＡＮとロードポートＬＰ１との位置合わせ（工程Ｓ１０）が完了しているものとする。

ステップＳ２１Ａにおいて、制御部ＣＵは、フォークＦＫ３１によりストレージＳＲの所定位置（例えば中心位置）にセンサウエハを設置するように、大気搬送ロボットＴＲ３を制御する。また、制御部ＣＵは、フォークＦＫ３１の吸着センサＶ５の検出値に基づいて、フォークＦＫ３１の上面がセンサウエハの下面と接触したときの高さ位置を算出する。また、制御部ＣＵは、算出した高さ位置に基づいてＺ軸の教示位置を補正する。

ステップＳ２２Ａにおいて、制御部ＣＵは、ストレージＳＲとセンサウエハとの相対位置を算出する。例えば、制御部ＣＵは、センサウエハに設けられた位置検出センサＰＳ１～ＰＳ６の検出値に基づいて、ストレージＳＲとセンサウエハとの相対位置を算出する。ただし、制御部ＣＵは、センサウエハに設けられた静電容量センサＣＳの検出値に基づいて、ストレージＳＲとセンサウエハとの相対位置を算出してもよい。

ステップＳ２３Ａにおいて、制御部ＣＵは、算出したストレージＳＲとセンサウエハとの相対位置が基準値内であるか否かを判定する。ステップＳ２３Ａにおいて、相対位置が基準値内である場合、制御部ＣＵは処理をステップＳ２７Ａへ進める。一方、ステップＳ２３Ａにおいて、相対位置が基準値内でない場合、制御部ＣＵは、相対位置が基準値内となるように教示位置の補正を行い、処理をステップＳ２４Ａへ進める。

ステップＳ２４Ａにおいて、制御部ＣＵは、補正された位置でフォークＦＫ３１によりストレージＳＲからセンサウエハを取得するように、大気搬送ロボットＴＲ３を制御する。

ステップＳ２５Ａにおいて、制御部ＣＵは、フォークＦＫ３１が取得したセンサウエハをストレージＳＲに戻すように、大気搬送ロボットＴＲ３を制御する。

ステップＳ２６Ａにおいて、制御部ＣＵは、ストレージＳＲとセンサウエハとの相対位置を算出する。例えば、制御部ＣＵは、センサウエハに設けられた位置検出センサＰＳ１～ＰＳ６の検出値に基づいて、ストレージＳＲとセンサウエハとの相対位置を算出する。ただし、制御部ＣＵは、センサウエハに設けられた静電容量センサＣＳの検出値に基づいて、ストレージＳＲとセンサウエハとの相対位置を算出してもよい。制御部ＣＵは、相対位置を算出した後、処理をステップＳ２３Ａに戻す。

ステップＳ２７Ａにおいて、制御部ＣＵは、フォークＦＫ３１によりセンサウエハを所定の回収位置に搬送するように、大気搬送ロボットＴＲ３を制御する。所定の回収位置は、ロードポートＬＰ１に載置された容器Ｃ、ストレージＳＲ等であってよい。センサウエハが回収された後、制御部ＣＵは処理を終了させる。

図１２を参照し、大気搬送ロボットＴＲ３とロードロックモジュールＬＬ１との位置合わせ（工程Ｓ３０）の一例について説明する。なお、工程Ｓ３０の開始時において、大気搬送ロボットＴＲ３とアライナＡＮとロードポートＬＰ１との位置合わせ（工程Ｓ１０）が完了しているものとする。

ステップＳ３１において、制御部ＣＵは、フォークＦＫ３１によりロードロックモジュールＬＬ１の所定位置（例えば中心位置）にセンサウエハを設置するように、大気搬送ロボットＴＲ３を制御する。このとき、制御部ＣＵは、センサウエハの位置検出センサＰＳ１～ＰＳ６の検出値に基づいて、センサウエハをロードロックモジュールＬＬ１の所定位置に設置するように、大気搬送ロボットＴＲ３を制御する。

ステップＳ３２において、制御部ＣＵは、フォークＦＫ３１によりロードロックモジュールＬＬ１からセンサウエハを取得するように、大気搬送ロボットＴＲ３を制御する。このとき、制御部ＣＵは、フォークＦＫ３１の吸着センサＶ５の検出値に基づいて、フォークＦＫ３１の上面がセンサウエハの下面と接触したときの高さ位置を算出する。また、制御部ＣＵは、算出した高さ位置に基づいてＺ軸の教示位置を補正する。

ステップＳ３３において、制御部ＣＵは、フォークＦＫ３１によりセンサウエハをアライナＡＮに搬送するように、大気搬送ロボットＴＲ３を制御する。

ステップＳ３４において、制御部ＣＵは、センサウエハの水平方向の位置を検出するように、アライナＡＮを制御する。

ステップＳ３５において、制御部ＣＵは、アライナＡＮの検出結果に基づいて、ロードロックモジュールＬＬ１とアライナＡＮとの間の水平方向の位置ずれ量を算出する。また、制御部ＣＵは、算出した位置ずれ量に基づいて、Ｘ軸の教示位置及びＹ軸の教示位置を補正する。

ステップＳ３６において、制御部ＣＵは、フォークＦＫ３１によりセンサウエハを所定の回収位置に搬送するように、大気搬送ロボットＴＲ３を制御する。所定の回収位置は、ロードポートＬＰ１に載置された容器Ｃ、ストレージＳＲ等であってよい。センサウエハが回収された後、制御部ＣＵは処理を終了させる。

以上、大気搬送ロボットＴＲ３とロードロックモジュールＬＬ１との位置合わせの一例について説明したが、ロードロックモジュールＬＬ２についてもロードロックモジュールＬＬ１と同様の方法により位置合わせできる。

図１３を参照し、大気搬送ロボットＴＲ３とロードロックモジュールＬＬ１との位置合わせ（工程Ｓ２０）の別の一例について説明する。なお、工程Ｓ３０の開始時において、大気搬送ロボットＴＲ３とアライナＡＮとロードポートＬＰ１との位置合わせ（工程Ｓ１０）が完了しているものとする。

ステップＳ３１Ａにおいて、制御部ＣＵは、フォークＦＫ３１によりロードロックモジュールＬＬ１の所定位置（例えば中心位置）にセンサウエハを設置するように、大気搬送ロボットＴＲ３を制御する。また、制御部ＣＵは、フォークＦＫ３１の吸着センサＶ５の検出値に基づいて、フォークＦＫ３１の上面がセンサウエハの下面と接触したときの高さ位置を算出する。また、制御部ＣＵは、算出した高さ位置に基づいてＺ軸の教示位置を補正する。

ステップＳ３２Ａにおいて、制御部ＣＵは、ロードロックモジュールＬＬ１とセンサウエハとの相対位置を算出する。例えば、制御部ＣＵは、センサウエハに設けられた位置検出センサＰＳ１～ＰＳ６の検出値に基づいて、ロードロックモジュールＬＬ１とセンサウエハとの相対位置を算出する。ただし、制御部ＣＵは、センサウエハに設けられた静電容量センサＣＳの検出値に基づいて、ロードロックモジュールＬＬ１とセンサウエハとの相対位置を算出してもよい。

ステップＳ３３Ａにおいて、制御部ＣＵは、算出したロードロックモジュールＬＬ１とセンサウエハとの相対位置が基準値内であるか否かを判定する。ステップＳ３３Ａにおいて、相対位置が基準値内である場合、制御部ＣＵは処理をステップＳ３７Ａへ進める。一方、ステップＳ３３Ａにおいて、相対位置が基準値内でない場合、制御部ＣＵは、相対位置が基準値内となるように教示位置の補正を行い、処理をステップＳ３４Ａへ進める。

ステップＳ３４Ａにおいて、制御部ＣＵは、補正された位置でフォークＦＫ３１によりロードロックモジュールＬＬ１からセンサウエハを取得するように、大気搬送ロボットＴＲ３を制御する。

ステップＳ３５Ａにおいて、制御部ＣＵは、フォークＦＫ３１が取得したセンサウエハをロードロックモジュールＬＬ１に戻すように、大気搬送ロボットＴＲ３を制御する。

ステップＳ３６Ａにおいて、制御部ＣＵは、ロードロックモジュールＬＬ１とセンサウエハとの相対位置を算出する。例えば、制御部ＣＵは、センサウエハに設けられた位置検出センサＰＳ１～ＰＳ６の検出値に基づいて、ロードロックモジュールＬＬ１とセンサウエハとの相対位置を算出する。ただし、制御部ＣＵは、センサウエハに設けられた静電容量センサＣＳの検出値に基づいて、ロードロックモジュールＬＬ１とセンサウエハとの相対位置を算出してもよい。制御部ＣＵは、相対位置を算出した後、処理をステップＳ３３Ａに戻す。

ステップＳ３７Ａにおいて、制御部ＣＵは、フォークＦＫ３１によりセンサウエハを所定位置に搬送するように、大気搬送ロボットＴＲ３を制御する。所定の回収位置は、ロードポートＬＰ１に載置された容器Ｃ、ストレージＳＲ等であってよい。センサウエハが回収された後、制御部ＣＵは処理を終了させる。

以上、大気搬送ロボットＴＲ３とロードロックモジュールＬＬ１との位置合わせの別の一例について説明したが、ロードロックモジュールＬＬ２についてもロードロックモジュールＬＬ１と同様の方法により位置合わせできる。

（真空搬送ロボットの位置合わせ）
図１４を参照し、真空搬送ロボットＴＲ１，ＴＲ２の位置合わせ方法の一例について説明する。図１４に示されるように、真空搬送ロボットＴＲ１，ＴＲ２の位置合わせ方法では、まず、工程Ｓ４０において、真空搬送ロボットＴＲ１，ＴＲ２とロードロックモジュールＬＬ１，ＬＬ２との位置合わせを行う。次いで、工程Ｓ５０において、真空搬送ロボットＴＲ１，ＴＲ２とプロセスモジュールＰＭ１～ＰＭ１２との位置合わせを行う。

図１５を参照し、真空搬送ロボットＴＲ１のフォークＦＫ１１とロードロックモジュールＬＬ１との位置合わせ（工程Ｓ４０）の一例について説明する。なお、工程Ｓ４０の開始時において、ロードロックモジュールＬＬ１の所定位置（例えば中心位置）にセンサウエハが設置されているものとする。

ステップＳ４１において、制御部ＣＵは、フォークＦＫ１１によりロードロックモジュールＬＬ１の所定位置（例えば中心位置）に設置されたセンサウエハを取得するように、真空搬送ロボットＴＲ１を制御する。

ステップＳ４２において、制御部ＣＵは、フォークＦＫ１１とセンサウエハとの相対位置を算出する。例えば、制御部ＣＵは、センサウエハに設けられた静電容量センサＣＳの検出値に基づいて、フォークＦＫ１１とセンサウエハとの相対位置を算出する。ただし、制御部ＣＵは、センサウエハに設けられた位置検出センサＰＳ１～ＰＳ６の検出値に基づいて、フォークＦＫ１１とセンサウエハとの相対位置を算出してもよい。

ステップＳ４３において、制御部ＣＵは、算出したフォークＦＫ１１とセンサウエハとの相対位置が基準値内であるか否かを判定する。ステップＳ４３において、相対位置が基準値内である場合、制御部ＣＵは処理をステップＳ４７へ進める。一方、ステップＳ４３において、相対位置が基準値内でない場合、制御部ＣＵは、相対位置が基準値内となるように教示位置の補正を行い、処理をステップＳ４３へ進める。

ステップＳ４４において、制御部ＣＵは、フォークＦＫ１１によりセンサウエハをロードロックモジュールＬＬ１に戻すように、真空搬送ロボットＴＲ１を制御する。

ステップＳ４５において、制御部ＣＵは、相対位置の検出結果に基づいて、フォークＦＫ１１とロードロックモジュールＬＬ１との間の水平方向の位置ずれ量を算出する。また、制御部ＣＵは、算出した位置ずれ量に基づいて、Ｘ軸の教示位置及びＹ軸の教示位置を補正する。

ステップＳ４６において、制御部ＣＵは、補正された位置でフォークＦＫ１１によりロードロックモジュールＬＬ１からセンサウエハを取得するように、真空搬送ロボットＴＲ１を制御する。

ステップＳ４７において、制御部ＣＵは、フォークＦＫ１１によりセンサウエハを所定の回収位置に搬送するように、真空搬送ロボットＴＲ１を制御する。所定の回収位置は、ロードロックモジュールＬＬ１等であってよい。センサウエハが回収された後、制御部ＣＵは処理を終了させる。

以上、真空搬送ロボットＴＲ１のフォークＦＫ１１とロードロックモジュールＬＬ１との位置合わせの一例について説明したが、ロードロックモジュールＬＬ２についてもロードロックモジュールＬＬ１と同様の方法により位置合わせできる。

図１６を参照し、真空搬送ロボットＴＲ１のフォークＦＫ１１とプロセスモジュールＰＭ１との位置合わせ（工程Ｓ５０）の一例について説明する。なお、工程Ｓ５０の開始時において、ロードロックモジュールＬＬ１の所定位置（例えば中心位置）にセンサウエハが設置されているものとする。

ステップＳ５１において、制御部ＣＵは、フォークＦＫ１１によりプロセスモジュールＰＭ１にセンサウエハを設置するように、真空搬送ロボットＴＲ１を制御する。

ステップＳ５２において、制御部ＣＵは、プロセスモジュールＰＭ１内の部品（例えば静電チャック、エッジリング）とセンサウエハとの相対位置を算出する。例えば、制御部ＣＵは、センサウエハに設けられた位置検出センサＰＳ１～ＰＳ６の検出値に基づいて、プロセスモジュールＰＭ１内の部品とセンサウエハとの相対位置を算出する。ただし、制御部ＣＵは、センサウエハに設けられた静電容量センサＣＳの検出値に基づいて、プロセスモジュールＰＭ１内の部品とセンサウエハとの相対位置を算出してもよい。

ステップＳ５３において、制御部ＣＵは、算出したプロセスモジュールＰＭ１とセンサウエハとの相対位置が基準値内であるか否かを判定する。ステップＳ５３において、相対位置が基準値内である場合、制御部ＣＵは処理をステップＳ５７へ進める。一方、ステップＳ５３において、相対位置が基準値内でない場合、制御部ＣＵは、相対位置が基準値内となるように教示位置の補正を行い、処理をステップＳ５４へ進める。

ステップＳ５４において、制御部ＣＵは、補正された位置でフォークＦＫ１１によりプロセスモジュールＰＭ１からセンサウエハを取得するように、真空搬送ロボットＴＲ１を制御する。

ステップＳ５５において、制御部ＣＵは、フォークＦＫ１１が取得したセンサウエハをプロセスモジュールＰＭ１に戻すように、真空搬送ロボットＴＲ１を制御する。

ステップＳ５６において、制御部ＣＵは、プロセスモジュールＰＭ１内の部品（例えば静電チャック、エッジリング）とセンサウエハとの相対位置を算出する。例えば、制御部ＣＵは、センサウエハに設けられた位置検出センサＰＳ１～ＰＳ６の検出値に基づいて、プロセスモジュールＰＭ１内の部品とセンサウエハとの相対位置を算出する。ただし、制御部ＣＵは、センサウエハに設けられた静電容量センサＣＳの検出値に基づいて、プロセスモジュールＰＭ１内の部品とセンサウエハとの相対位置を算出してもよい。制御部ＣＵは、相対位置を算出した後、処理をステップＳ５３に戻す。

ステップＳ５７において、制御部ＣＵは、フォークＦＫ１１によりセンサウエハを所定の回収位置に搬送するように、真空搬送ロボットＴＲ１を制御する。所定の回収位置は、ロードロックモジュールＬＬ１等であってよい。センサウエハが回収された後、制御部ＣＵは処理を終了させる。

以上、真空搬送ロボットＴＲ１のフォークＦＫ１１とプロセスモジュールＰＭ１との位置合わせの一例について説明したが、プロセスモジュールＰＭ２～ＰＭ６についてもプロセスモジュールＰＭ１と同様の方法により位置合わせできる。

以上に説明したように、実施形態によれば、静電容量センサがフォークと基板との相対位置を配置情報として制御部に出力し、制御部が該配置情報に基づいて基板に対するフォークの教示位置を決定する。これにより、フォークと基板との間の位置合わせを自動で調整できる。

なお、図８～図１６を用いて実施形態の位置合わせ方法を例示したが、位置合わせ方法の具体的手法は必ずしもこれらのフローチャートに示したものに限定されない。

上記の実施形態では、フォークと搬送対象物との相対位置を検出するセンサとして静電容量センサを利用する場合を説明したが、該センサの種類はこれに限定されない。例えば、静電容量センサに代えて、光学センサ、磁力センサ等の非接触式センサ、カメラ等を利用してもよい。光学センサは、ＬＥＤ（light emitting diode）センサでもよい。カメラは、例えばＣＣＤカメラである。

カメラを用いることによって、基板Ｗやエンドエフェクタの位置精度が向上する効果および経時変化を観察できる効果が奏される。また、カメラを用いることによって、プラズマ処理チャンバ１０の内部全体を観察できる。カメラは、静電容量センサと同じ位置に設置してもよく、エンドエフェクタの根元に設置してもよい。カメラは、エンドエフェクタの上面と下面の両方に設置してもよいし、いずれか一方に設置してもよい。カメラを用いると、下部電極（チャック）の溝や穴を目印にして、エンドエフェクタを位置合わせすることもできる。

フォークにカメラが設けられる場合、後の基板Ｗのプラズマ処理に際して付着したデポが剥離、飛散しないように、当該後の基板Ｗに対するプラズマ処理の条件（例えばプラズマ処理チャンバ１０の内部圧力や処理ガス流量、ＲＦ信号のパワー等）を制御することができる。

具体的には、例えばプラズマ処理チャンバ１０からの先の基板Ｗの搬出時において、カメラによりプラズマ処理チャンバ１０の壁面や基板支持部１１の表面を撮像する。そして、撮像により得られたプラズマ処理チャンバ１０の内部におけるデポの付着状態と予め定められた基準となるデポの付着状態との変化量に基づいて後の基板Ｗに対するプラズマ処理の条件を最適化し、後の基板Ｗのプラズマ処理に際してデポの剥離や飛散の発生を抑制する。

なお、上述した「基準となるデポの付着状態」としては、例えば先の基板Ｗの搬出時の撮像結果を用いてもよいし、例えばプラズマ処理チャンバ１０のセットアップ等に際して任意に決定された状態を用いてもよい。

なお、カメラによる撮像面は、例えば基板Ｗに対するプラズマ処理の条件に応じて適宜決定することができ、プラズマ処理チャンバ１０の内部の側壁面や天井面、又は基板支持部１１の上面や側面等から選択的に撮像してもよい。例えばプラズマ処理の条件によりデポの付着しやすい面が既知である場合には、当該デポの付着しやすい一面のみを撮像してもよいし、又は複数面を撮像してもよい。この時、プラズマ処理チャンバ１０の天井面を撮像する場合にあっては、カメラはフォーク上に保持される基板Ｗとは干渉しない位置に設けられることが望ましい。

また、フォークに対するカメラの設置数も特に限定されるものではなく、複数のカメラが設置されていてもよいし、一のカメラがプラズマ処理チャンバ１０内の複数面を撮像可能に構成されていてもよい。

なお、以上の説明においては基準の付着状態からの変化量に応じて、後の基板Ｗに対するプラズマ処理条件を変化させたが、例えばプラズマ処理チャンバ１０の内部におけるデポの付着量が多い場合には、後の基板Ｗに対するプラズマ処理に先立ってドライクリーニング処理、すなわちデポの除去処理を行うように制御してもよい。また係る場合、デポの付着量に応じてドライクリーニング処理の条件（例えばクリーニングガスの流量やクリーニング時間等）の調整を行うようにしてもよい。

なお、以上の説明においては、プラズマ処理チャンバ１０からの先の基板Ｗの搬出時においてプラズマ処理チャンバ１０の内部を撮像する場合を例に説明を行ったが、基板Ｗの搬出とは独立してフォークをプラズマ処理チャンバ１０の内部に進入させ、デポの撮像を行ってもよい。

上記の実施形態では、基板が半導体ウエハである場合を説明したが、本開示はこれに限定されない。例えば、基板は、ＬＣＤ(Liquid Crystal Display)、ＦＰＤ(Flat Panel Display)に用いられる各種基板、ＣＤ基板、プリント基板等であっても良い。

＜第２の実施形態＞
〔処理システム〕
図１を参照し、実施形態の処理システムの一例について説明する。図１に示されるように、処理システムＰＳは、基板にプラズマ処理等の各種処理を施すことが可能なシステムである。

真空搬送ロボットＴＲ１，ＴＲ２は、旋回、伸縮、昇降自在に構成されている。真空搬送ロボットＴＲ１，ＴＲ２は、後述する制御部ＣＵが出力する動作指示に基づいて搬送対象物を搬送する。例えば、真空搬送ロボットＴＲ１は、アームＡＲ１１、ＡＲ１２の先端にそれぞれ配置されたエンドエフェクタＦＫ１１，ＦＫ１２で搬送対象物を保持し、ロードロックモジュールＬＬ１，ＬＬ２、プロセスモジュールＰＭ１～ＰＭ６及びパス（図示せず）の間で搬送対象物を搬送する。例えば、真空搬送ロボットＴＲ２は、アームＡＲ２１、ＡＲ２２の先端にそれぞれ配置されたエンドエフェクタＦＫ２１，ＦＫ２２で搬送対象物を保持し、プロセスモジュールＰＭ７～ＰＭ１２及びパス（図示せず）の間で搬送対象物を搬送する。なお、エンドエフェクタは、フォーク、ピックとも称される。

大気搬送モジュールＬＭは、真空搬送モジュールＴＭ１に対向して配置されている。大気搬送モジュールＬＭは、例えばＥＦＥＭ（ＥｑｕｉｐｍｅｎｔＦｒｏｎｔＥｎｄＭｏｄｕｌｅ）であってよい。大気搬送モジュールＬＭは、直方体状であり、ＦＦＵ（ＦａｎＦｉｌｔｅｒＵｎｉｔ）を備え、大気圧雰囲気に保持された大気搬送室である。大気搬送モジュールＬＭの長手方向に沿った一の側面には、２つのロードロックモジュールＬＬ１，ＬＬ２が接続されている。大気搬送モジュールＬＭの長手方向に沿った他の側面には、ロードポートＬＰ１～ＬＰ４が接続されている。ロードポートＬＰ１～ＬＰ４には、複数（例えば２５枚）の基板を収容する容器Ｃが載置される。容器Ｃは、例えばＦＯＵＰ（Ｆｒｏｎｔ－ＯｐｅｎｉｎｇＵｎｉｆｉｅｄＰｏｄ）であってよい。大気搬送モジュールＬＭ内には、搬送対象物を搬送する大気搬送ロボットＴＲ３が配置されている。

大気搬送ロボットＴＲ３は、大気搬送モジュールＬＭの長手方向に沿って移動可能に構成されると共に、旋回、伸縮、昇降自在に構成されている。大気搬送ロボットＴＲ３は、後述する制御部ＣＵが出力する動作指示に基づいて搬送対象物を搬送する。例えば、大気搬送ロボットＴＲ３は、アームＡＲ３１の先端に配置されたエンドエフェクタＦＫ３１で搬送対象物を保持し、ロードポートＬＰ１～ＬＰ４、ロードロックモジュールＬＬ１，ＬＬ２、アライナＡＮ及びストレージＳＲの間で搬送対象物を搬送する。

光学センサは、基板が回転する間、基板のエッジを検出する。光学センサは、エッジの検出結果から、基準角度位置に対する基板のノッチ（或いは、別のマーカー）の角度位置のずれ量、及び、基準位置に対する基板の中心位置のずれ量を検出する。光学センサは、ノッチの角度位置のずれ量及び基板の中心位置のずれ量を後述する制御部ＣＵに出力する。制御部ＣＵは、ノッチの角度位置のずれ量に基づき、ノッチの角度位置を基準角度位置に補正するための回転支持台の回転量を算出する。制御部ＣＵは、この回転量の分だけ回転支持台を回転させるよう、駆動装置（図示せず）を制御する。これにより、ノッチの角度位置を基準角度位置に補正することができる。また、制御部ＣＵは、大気搬送ロボットＴＲ３のエンドエフェクタＦＫ３１上の所定位置に基板の中心位置が一致するよう、アライナＡＮから基板を受け取る際の大気搬送ロボットＴＲ３のエンドエフェクタＦＫ３１の位置を、基板の中心位置のずれ量に基づき、制御する。

処理システムＰＳには、制御部ＣＵが設けられている。制御部ＣＵは、例えばコンピュータであってよい。制御部ＣＵは、ＣＰＵ（ＣｅｎｔｒａｌＰｒｏｃｅｓｓｉｎｇＵｎｉｔ）、ＲＡＭ（ＲａｎｄｏｍＡｃｃｅｓｓＭｅｍｏｒｙ）、ＲＯＭ（ＲｅａｄＯｎｌｙＭｅｍｏｒｙ）、補助記憶装置等を備える。ＣＰＵは、ＲＯＭ又は補助記憶装置に格納されたプログラムに基づいて動作し、処理システムＰＳの各部を制御する。例えば、制御部ＣＵは、動作指示を真空搬送ロボットＴＲ１，ＴＲ２、大気搬送ロボットＴＲ３等に出力する。動作指示は、搬送対象物を搬送するエンドエフェクタＦＫ１１，ＦＫ１２，ＦＫ２１，ＦＫ２２，ＦＫ３１と、搬送対象物の搬送場所との位置合わせの指示を含む。

（実施形態の第１構成例）
実施形態の第１構成例に係る搬送装置１７０のエンドエフェクタ１００について説明する。図１７は、実施形態の第１構成例に係る搬送装置１７０のエンドエフェクタ１００の上面図である。

なお、図には、説明の便宜のためＸＹＺ直交座標系が設定される場合がある。図面の紙面に対して垂直な座標軸については、座標軸の丸の中にバツ印は紙面に対して奥の方向が正、丸の中に黒丸印は紙面に対して手前側が正であることを表している。ただし、当該座標系は、説明のために定めるものであって、エンドエフェクタ等の姿勢について限定するものではない。

なお、本開示では、特に説明しない限り、Ｘ軸及びＹ軸はエンドエフェクタの載置面に平行な方向の軸とする。Ｙ軸は、エンドエフェクタの先端部が延びる方向の軸とする。Ｘ軸は、Ｙ軸に垂直な軸とする。Ｚ軸は、当該Ｘ軸、Ｙ軸に垂直な方向の軸とする。なお、Ｚ軸方向を上下方向という場合がある。

搬送装置１７０は、例えば、真空搬送ロボットＴＲ１、真空搬送ロボットＴＲ２及び大気搬送ロボットＴＲ３の少なくともいずれか一つを示す。搬送装置１７０は、基板Ｗ及びプラズマ処理装置１（基板処理装置）内に設けられる消耗部品を搬送する。

搬送装置１７０は、エンドエフェクタ１００と、アーム１６０と、制御装置１５０と、を備える。

エンドエフェクタ１００は、例えば、エンドエフェクタＦＫ１１、エンドエフェクタＦＫ１２、エンドエフェクタＦＫ２２及びエンドエフェクタＦＫ３１の少なくともいずれか一つを示す。アーム１６０は、例えば、エンドエフェクタ１００に対応するアームＡＲ１１、ＡＲ１２、ＡＲ２１、ＡＲ２２、ＡＲ３１のいずれかである。エンドエフェクタ１００は、大気圧雰囲気下及び真空雰囲気下の少なくとも一方で、搬送対象物を搬送する。

制御装置１５０は、アーム１６０を制御する。また、制御装置１５０は、後述する静電容量センサ１２１、静電容量センサ１２２及び静電容量センサ１２３のそれぞれが接続される。制御装置１５０は、静電容量センサ１２１、静電容量センサ１２２及び静電容量センサ１２３のそれぞれが測定した結果に基づいて、基板Ｗとエンドエフェクタ１００との位置関係を測定する。そして、制御装置１５０は、測定した基板Ｗとエンドエフェクタ１００との位置関係に基づいて、基板Ｗの位置が所望の位置からずれている場合は、位置ずれを補正する。

エンドエフェクタ１００は、基板及びプラズマ処理装置１に設けられる消耗部品が載置される。プラズマ処理装置１に設けられる消耗部品は、例えば、リングアセンブリ１１２の環状部材である。

エンドエフェクタ１００は、平面視で略Ｕ字形状を有する。エンドエフェクタ１００は、Ｘ軸方向の中心を通る中心軸ＡＸに対して、平面視で対称な形状を有する。

エンドエフェクタ１００は、基部１０１と、先端部１０２及び先端部１０３と、を有する。先端部１０２及び先端部１０３のそれぞれは、基部１０１から＋Ｙ軸方向に延びて設けられる。先端部１０２及び先端部１０３のそれぞれは、Ｘ軸方向に短く、Ｙ軸方向に長い平面視で略長方形状である。先端部１０２は、先端部１０３に対して＋Ｘ軸方向に離隔して設けられる。エンドエフェクタ１００は、例えば、セラミックスで形成される。

エンドエフェクタ１００は、基板及び消耗部品のいずれかを載置する載置面１００Ｓを有する。エンドエフェクタ１００は、載置面１００Ｓに、静電容量センサ１２１、静電容量センサ１２２及び静電容量センサ１２３と、基板Ｗが載置面１００Ｓに接触しないように保護する複数のパッド１４０と、を備える。

静電容量センサ１２１、静電容量センサ１２２及び静電容量センサ１２３のそれぞれは、平面視で略円形状の電極を備える。静電容量センサ１２１、静電容量センサ１２２及び静電容量センサ１２３のそれぞれは、それぞれの電極と載置面１００Ｓに載置される基板Ｗとの間の静電容量を測定する。すなわち、静電容量センサ１２１、静電容量センサ１２２及び静電容量センサ１２３のそれぞれは、それぞれの電極と基板Ｗとの平面視における重なりを測定する。

静電容量センサ１２１は、基部１０１のＸ軸方向の中心に設けられる。すなわち、静電容量センサ１２１は、中心軸ＡＸ上に設けられる。静電容量センサ１２２は、先端部１０２のＹ軸方向の＋Ｙ側の先端に設けられる。静電容量センサ１２３は、先端部１０３のＹ軸方向の＋Ｙ側の先端に設けられる。

静電容量センサ１２１、静電容量センサ１２２及び静電容量センサ１２３のそれぞれの位置について説明する。図１８は、実施形態の第１構成例に係る搬送装置１７０のエンドエフェクタ１００と基板Ｗとの相対位置の説明する図である。なお、図１８は、基板Ｗが、エンドエフェクタ１００に対して、位置ずれのない基準位置に載置されている状態を示す。

静電容量センサ１２１、静電容量センサ１２２及び静電容量センサ１２３のそれぞれは、基板Ｗが基準位置に載置されている場合に、静電容量センサ１２１、静電容量センサ１２２及び静電容量センサ１２３のそれぞれの電極が基板Ｗによって上面視で略半分覆われる位置に設けられる。

静電容量センサ１２１、静電容量センサ１２２及び静電容量センサ１２３のそれぞれは、制御装置１５０に接続される。制御装置１５０は、基板Ｗを受け取る際に、静電容量センサ１２１、静電容量センサ１２２及び静電容量センサ１２３のそれぞれで測定した静電容量から、エンドエフェクタ１００の基板を載置する基準位置に対する基板Ｗの位置ずれ量を算出する。例えば、制御装置１５０は、基板Ｗの中心位置を求める。そして、基準位置に対する当該中心位置のずれ量より基板Ｗの位置ずれ量を算出する。なお、静電容量センサ１２１、静電容量センサ１２２及び静電容量センサ１２３は、基板Ｗを搬送中に計測するようにしてもよい。

基板Ｗが基準位置にある場合は、静電容量センサ１２１、静電容量センサ１２２及び静電容量センサ１２３のそれぞれが検出する静電容量は、互いに等しくなる。一方、基板Ｗが基準位置からずれている場合は、位置がずれている方向に位置する静電容量センサが検出する静電容量が大きくなる。したがって、静電容量センサ１２１、静電容量センサ１２２及び静電容量センサ１２３のそれぞれが検出する静電容量から、基板Ｗの中心位置が求められる。

制御装置１５０は、算出した位置ずれ量が、所望の範囲より大きい場合、すなわち、基板Ｗが所望の位置からずれている場合、には、基板Ｗの位置ずれを補正して、再度基板Ｗを載置する。

なお、静電容量センサの数としては、３個に限らず、例えば、４個以上備えてもよい。すなわち、エンドエフェクタ１００は、少なくとも２か所以上に設けられる静電容量センサを備えてもよい。また、静電容量センサは、エンドエフェクタ１００の同一円周上の少なくとも３か所以上に設けられていてもよい。

また、エンドエフェクタ１００の搬送対象物としては、基板Ｗに限らない。例えば、リングアセンブリ１１２の環状部材や、上部電極（例えば、シャワーヘッド１３）を搬送対象物としてもよい。図１９は、実施形態の第１構成例に係る搬送装置１７０のエンドエフェクタ１００と環状部材ＲＮＧとの相対位置を説明する図である。

リングアセンブリ１１２の環状部材ＲＮＧの内径は、基板Ｗの外形とほぼ等しい。したがって、図１９に示すように、エンドエフェクタ１００は、環状部材ＲＮＧの位置ずれを測定できる。

［作用・効果］
実施形態の第１構成例に係る搬送装置１７０のエンドエフェクタ１００によれば、エンドエフェクタ１００に対する基板Ｗの位置ずれを検出できる。エンドエフェクタ１００に対する基板Ｗの位置ずれを検出して、基板Ｗの位置を補正することにより、基板Ｗを搬送する際のエンドエフェクタ１００に対する位置精度を向上できる。基板Ｗのエンドエフェクタ１００に対する位置精度を向上させることにより、搬送精度を向上させ、搬送装置の性能を向上できる。

また、実施形態の第１構成例に係る搬送装置１７０のエンドエフェクタ１００によれば、リアルタイムで基板Ｗの搭載位置を補正できる。したがって、搬送装置の信頼性を向上できる。

更に、実施形態の第１構成例に係る搬送装置１７０のエンドエフェクタ１００によれば、複数枚の基板Ｗを処理する際に、それぞれの基板Ｗについて、位置ずれを測定して、搭載位置を補正できる。したがって、搬送装置の性能を向上できる。

更にまた、実施形態の第１構成例に係る搬送装置１７０のエンドエフェクタ１００によれば、位置ずれを補正できることから、搬送装置の高精度なティーチングが不要となり、ティーチングの自動化を行うことができる。したがって、省人化ができる。また、生産性を向上できる。

また、実施形態の第１構成例に係る搬送装置１７０のエンドエフェクタ１００によれば、位置ずれを補正できることから、繰り返し搬送性能の低い搬送装置を適用できる。したがって、搬送装置をコストダウンできる。

更に、実施形態の第１構成例に係るエンドエフェクタ１００によれば、位置ずれを補正できることから、対象の温度変化及び消耗による形状の変化に追従できる。

例えば、センサウエハ等を用いて、リングアセンブリ１１２の環状部材の中心位置を測定できたとしても、エンドエフェクタと基板Ｗとの位置が基準位置からずれていると、環状部材の中心位置に基板Ｗを載置できない。実施形態の第１構成例に係るエンドエフェクタ１００によれば、エンドエフェクタ１００に対する基板Ｗの位置ずれを補正できることから、リングアセンブリ１１２の環状部材の中心位置に基板Ｗを載置できる。

また、センサウエハ等を用いて、搬送ロボットをティーチングしても、環境の変化（例えば、温度）又はセンサウエハと実際に搬送する基板Ｗとの違い等により、基板Ｗの運搬時に、ティーチングを行ったときと同じ精度で基板Ｗを運搬できるとは限らない。実施形態の第１構成例に係るエンドエフェクタ１００によれば、エンドエフェクタ１００に対する基板Ｗの位置ずれを補正できることから、基板Ｗを高い位置精度で搬送できる。

（実施形態の第２構成例）
次に、実施形態の第２構成例に係る搬送装置２７０のエンドエフェクタ２００について説明する。図２０は、実施形態の第２構成例に係る搬送装置２７０のエンドエフェクタ２００の上面図である。エンドエフェクタ２００は、実施形態の第１構成例に係る搬送装置１７０のエンドエフェクタ１００の静電容量センサ１２１、静電容量センサ１２２及び静電容量センサ１２３に換えて、光学センサ２２２及び光学センサ２２３を備える。

搬送装置２７０は、エンドエフェクタ２００と、アーム１６０と、制御装置２５０と、を備える。

光学センサ２２２及び光学センサ２２３のそれぞれは、光学的に光学センサ２２２及び光学センサ２２３のそれぞれの上側に基板Ｗが存在するかどうかを検出する。光学センサ２２２及び光学センサ２２３のそれぞれは、制御装置２５０に接続される。

例えば、光学センサ２２２及び光学センサ２２３のそれぞれは画像センサである。画像センサである光学センサ２２２及び光学センサ２２３のそれぞれは、光学センサ２２２及び光学センサ２２３のそれぞれの上側を撮像する。そして、制御装置２５０は、撮像した画像から、光学センサ２２２及び光学センサ２２３のそれぞれの上側に基板Ｗがあるかどうかを判断する。

また、光学センサ２２２及び光学センサ２２３のそれぞれは、例えば、距離センサである。距離センサである光学センサ２２２及び光学センサ２２３のそれぞれは、光学センサ２２２及び光学センサ２２３のそれぞれの上側に位置する物体までの距離を計測する。そして、制御装置２５０は、計測した距離から、光学センサ２２２及び光学センサ２２３のそれぞれの上側に基板Ｗがあるかどうかを判断する。

更に、光学センサ２２２及び光学センサ２２３のそれぞれは、例えば、反射型光強度センサである。反射型光強度センサである光学センサ２２２及び光学センサ２２３のそれぞれは、光学センサ２２２及び光学センサ２２３のそれぞれの上側に光を照射して、上側に位置する物体から反射して戻ってくる光の強度を計測する。そして、制御装置２５０は、計測した光の強度から、光学センサ２２２及び光学センサ２２３のそれぞれの上側に基板Ｗがあるかどうかを判断する。

また、光学センサ２２２及び光学センサ２２３のそれぞれは、例えばＬＥＤセンサであってもよい。

位置ずれの測定方法について説明する。図２１から図２３は、実施形態の第２構成例に係る搬送装置２７０のエンドエフェクタ２００による基板の位置ずれの測定を説明する図である。

基板支持部１１に載置された基板Ｗの下側に、矢印ＡＭに沿って、エンドエフェクタ２００を移動させる。図２１に示すように、最初は、光学センサ２２２及び光学センサ２２３のそれぞれの上側には基板Ｗは位置していない。したがって、光学センサ２２２及び光学センサ２２３のそれぞれは、基板Ｗを検出しない。

更に、エンドエフェクタ２００を矢印ＡＭに沿って移動させると、図２２に示すように、光学センサ２２２及び光学センサ２２３のそれぞれの上側に基板Ｗが位置する。したがって、光学センサ２２２及び光学センサ２２３のそれぞれは、基板Ｗを検出する。

更に、エンドエフェクタ２００を矢印ＡＭに沿って移動させると、図２３に示すように、光学センサ２２２及び光学センサ２２３のそれぞれの上側には、基板Ｗは位置しない。したがって、光学センサ２２２及び光学センサ２２３のそれぞれは、基板Ｗを検出しない。

そして、制御装置２５０は、光学センサ２２２及び光学センサ２２３のそれぞれが検出した基板Ｗが存在した位置の情報を用いて、エンドエフェクタ２００に対する基板Ｗの位置ずれを検出する。例えば、制御装置２５０は、基板Ｗの中心位置を求める。そして、制御装置２５０は、基準位置に対する当該中心位置のずれ量より基板Ｗの位置ずれ量を算出する。

制御装置２５０は、例えば、光学センサ２２２及び光学センサ２２３のそれぞれが検出した基板Ｗの端点の情報から、基板Ｗの中心位置を求めてもよい。光学センサ２２２及び光学センサ２２３のそれぞれにより、合計で４個の光学センサ２２２及び光学センサ２２３のそれぞれが検出する基板Ｗの端点が求められる。当該４個の端点の座標から、例えば、最小二乗法により基板Ｗの中心座標を求めてもよいし、当該４個の端点から３個の端点を抽出して、３個の端点を通る円の中心座標を基板Ｗの中心座標としてもよい。なお、中心座標の求め方については、上記に限らず公知の手法を適用してもよい。

なお、上述の説明では、矢印ＡＭに沿って移動させる場合、すなわち、基板Ｗを載置する（受け取る）場合について説明したが、矢印ＡＭと逆向き移動させる場合、すなわち、基板Ｗを載置後にエンドエフェクタ２００を待避する場合に基板Ｗの位置を計測してもよい。

また、光学センサ２２２及び光学センサ２２３は、基板Ｗに限らず、プラズマ処理装置１（基板処理装置）内に設けられる消耗部品、例えば、リングアセンブリ１１２の環状部材の位置を検出してもよい。なお、光学センサの数は２個に限らず、例えば、２個以上備えてもよい。すなわち、光学センサは、少なくとも２か所以上に設けられてもよい。

［作用・効果］
実施形態の第２構成例に係るエンドエフェクタ２００によれば、実施形態の第１構成例に係るエンドエフェクタ１００の効果に加えて、搬送対象物を基板支持部１１等の設置に載置後に、搬送対象物の位置を検出することができる。

（実施形態の第３構成例）
次に、実施形態の第３構成例に係る搬送装置３７０のエンドエフェクタ３００について説明する。図２４は、実施形態の第３構成例に係る搬送装置３７０のエンドエフェクタ３００の下面図である。エンドエフェクタ３００は、実施形態の第１構成例に係る搬送装置１７０のエンドエフェクタ１００に、更に、静電容量センサ３３１、静電容量センサ３３２及び静電容量センサ３３３を備える。エンドエフェクタ３００の上面図は、図１７と同様であることから省略する。

搬送装置３７０は、エンドエフェクタ３００と、アーム１６０と、制御装置３５０と、を備える。

エンドエフェクタ３００は、載置面と反対側の底面３００Ｓ１に、静電容量センサ３３１、静電容量センサ３３２及び静電容量センサ３３３を備える。すなわち、エンドエフェクタ３００は、下側に、静電容量センサ３３１、静電容量センサ３３２及び静電容量センサ３３３を備える。

静電容量センサ３３１、静電容量センサ３３２及び静電容量センサ３３３のそれぞれは、平面視で略円形状の電極を備える。静電容量センサ３３１、静電容量センサ３３２及び静電容量センサ３３３のそれぞれは、それぞれの電極と底面３００Ｓ１の下側に位置する基板Ｗとの間の静電容量を測定する。静電容量センサ３３１、静電容量センサ３３２及び静電容量センサ３３３のそれぞれは、平面視で、それぞれの電極と基板Ｗとの平面視における重なりを測定する。

静電容量センサ３３１は、基部１０１のＸ軸方向の中心に設けられる。静電容量センサ３３１は、静電容量センサ１２１に対応する位置に設けられる。静電容量センサ３３２は、先端部１０２のＹ軸方向の＋Ｙ側の先端に設けられる。静電容量センサ３３２は、静電容量センサ１２２に対応する位置に設けられる。静電容量センサ３３３は、先端部１０３のＹ軸方向の＋Ｙ側の先端に設けられる。静電容量センサ３３３は、静電容量センサ１２３に対応する位置に設けられる。

静電容量センサ３３１、静電容量センサ３３２及び静電容量センサ３３３は、基板Ｗを載置対象、例えば、基板支持部１１に載置後の基板Ｗの位置を検出する。載置後の基板Ｗの位置を検出することによって、基板Ｗを載置後に正しい位置に基板Ｗが載置されているかを検出できる。例えば、基板Ｗがずれて載置されている場合には、制御装置３５０は再度基板Ｗの位置を補正して載置する。

また、静電容量センサ３３１、静電容量センサ３３２及び静電容量センサ３３３は、基板Ｗに限らず、プラズマ処理装置１（基板処理装置）内に設けられる消耗部品、例えば、リングアセンブリ１１２の環状部材、の位置を検出してもよい。

なお、静電容量センサ３３１、静電容量センサ３３２及び静電容量センサ３３３のそれぞれは、第２センサの一例である。

［作用・効果］
実施形態の第３構成例に係るエンドエフェクタ３００によれば、実施形態の第１構成例に係るエンドエフェクタ１００の効果に加えて、搬送対象物を基板支持部１１等の設置に載置後に、搬送対象物の位置を検出することができる。

なお、静電容量センサ３３１、静電容量センサ３３２及び静電容量センサ３３３に換えて、底面に実施形態の第２構成例において説明した光学センサを用いてもよい。また、載置面のセンサについても、静電容量センサに限らず光学センサとしてもよい。

上記の実施形態では、基板とエンドエフェクタとの位置関係の算出は、制御装置で行っていたが、基板とエンドエフェクタとの位置関係の算出は、制御装置に限らない。例えば、制御部ＣＵが、搬送装置（搬送ロボット）に取り付けられたエンドエフェクタが備える静電容量センサ及び光学センサの少なくともいずれか一方の検出結果に基づいて、搬送対象物との相対位置（位置関係）を算出してもよい。また、制御部ＣＵが、算出した相対位置に基づいて、当該搬送装置（搬送ロボット）への教示位置を決定してもよい。更に、制御部ＣＵが決定した教示位置にエンドエフェクタが配置されるように動作指示を搬送装置（搬送ロボット）に出力してもよい。なお、制御部ＣＵと、搬送装置と、を備えるシステムを搬送システムという。

上記の実施形態では、フォークと搬送対象物との相対位置を検出するセンサとして静電容量センサ及び光学センサを利用する場合を説明したが、該センサの種類はこれに限定されない。例えば、静電容量センサ又は光学センサに換えて、磁力センサ等の非接触式センサ等を利用してもよい。また、第１の実施形態と同様に、センサとしてカメラを利用してもよい。

上記の実施形態では、基板が半導体ウエハである場合を説明したが、本開示はこれに限定されない。例えば、基板は、ＬＣＤ（ＬｉｑｕｉｄＣｒｙｓｔａｌＤｉｓｐｌａｙ）、ＦＰＤ（ＦｌａｔＰａｎｅｌＤｉｓｐｌａｙ）に用いられる各種基板、ＣＤ基板、プリント基板等であってもよい。

＜第３の実施形態＞
〔処理システム〕
図１を参照し、実施形態の処理システムの一例について説明する。図１に示されるように、処理システムＰＳは、基板にプラズマ処理等の各種処理を施すことが可能なシステムである。

プラズマ生成部１２は、プラズマ処理空間内に供給された少なくとも１つの処理ガスからプラズマを生成するように構成される。プラズマ処理空間において形成されるプラズマは、容量結合プラズマ（ＣＣＰ：ＣａｐａｃｉｔｉｖｅｌｙＣｏｕｐｌｅｄＰｌａｓｍａ）、誘導結合プラズマ（ＩＣＰ：ＩｎｄｕｃｔｉｖｅｌｙＣｏｕｐｌｅｄＰｌａｓｍａ）、ＥＣＲプラズマ（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ－Ｃｙｃｌｏｔｒｏｎ－ｒｅｓｏｎａｎｃｅｐｌａｓｍａ）、ヘリコン波励起プラズマ（ＨＷＰ：ＨｅｌｉｃｏｎＷａｖｅＰｌａｓｍａ）、又は、表面波プラズマ（ＳＷＰ：ＳｕｒｆａｃｅＷａｖｅＰｌａｓｍａ）等であってもよい。また、ＡＣ（ＡｌｔｅｒｎａｔｉｎｇＣｕｒｒｅｎｔ）プラズマ生成部及びＤＣ（ＤｉｒｅｃｔＣｕｒｒｅｎｔ）プラズマ生成部を含む、種々のタイプのプラズマ生成部が用いられてもよい。一実施形態において、ＡＣプラズマ生成部で用いられるＡＣ信号（ＡＣ電力）は、１００ｋＨｚ～１０ＧＨｚの範囲内の周波数を有する。従って、ＡＣ信号は、ＲＦ（ＲａｄｉｏＦｒｅｑｕｅｎｃｙ）信号及びマイクロ波信号を含む。一実施形態において、ＲＦ信号は、２００ｋＨｚ～１５０ＭＨｚの範囲内の周波数を有する。

＜本実施形態に係る搬送ロボット４７０のエンドエフェクタ４００＞
本実施形態に係る搬送ロボット４７０のエンドエフェクタ４００について説明する。図２５は、本実施形態に係る搬送ロボット４７０のエンドエフェクタ４００の上面図である。図２６は、本実施形態に係る搬送ロボット４７０のエンドエフェクタ４００の下面図である。

搬送ロボット４７０は、例えば、真空搬送ロボットＴＲ１、真空搬送ロボットＴＲ２及び大気搬送ロボットＴＲ３の少なくともいずれか一つを示す。搬送ロボット４７０は、制御部ＣＵからの動作指示に基づいて基板Ｗ及びプラズマ処理装置１（基板処理装置）内に設けられる消耗部品を搬送する。

搬送ロボット４７０は、エンドエフェクタ４００と、アーム１６０と、制御装置４５０と、を備える。搬送ロボット４７０の制御装置４５０は、制御部ＣＵと通信可能に接続される。制御部ＣＵは、搬送ロボット４７０に動作指示を出力する。搬送ロボット４７０は、制御部ＣＵが出力する動作指示に基づいて、エンドエフェクタ４００により搬送対象物を搬送する。なお、搬送ロボット４７０と制御部ＣＵとの組み合わせを搬送システム４８０という。

エンドエフェクタ４００は、例えば、エンドエフェクタＦＫ１１、エンドエフェクタＦＫ１２、エンドエフェクタＦＫ２１、エンドエフェクタＦＫ２２及びエンドエフェクタＦＫ３１の少なくともいずれか一つを示す。アーム１６０は、例えば、エンドエフェクタ４００に対応するアームＡＲ１１、アームＡＲ１２、アームＡＲ２１、アームＡＲ２２及びアームＡＲ３１のいずれかである。エンドエフェクタ４００は、大気圧雰囲気下及び真空雰囲気下の少なくとも一方で、搬送対象物を搬送する。

制御装置４５０は、アーム１６０を制御する。また、制御装置４５０は、後述する光学センサ４２２及び光学センサ４２３のそれぞれが接続される。制御装置４５０は、光学センサ４２２及び光学センサ４２３のそれぞれが測定した結果に基づいて、基板Ｗとエンドエフェクタ４００との位置関係を測定する。そして、制御装置４５０は、測定した基板Ｗとエンドエフェクタ４００との位置関係を制御部ＣＵに送信する。なお、制御部ＣＵが、光学センサ４２２及び光学センサ４２３のそれぞれが測定した結果に基づいて、基板Ｗとエンドエフェクタ４００との位置関係を測定してもよい。

エンドエフェクタ４００は、基板及びプラズマ処理装置１に設けられる消耗部品が載置される。プラズマ処理装置１に設けられる消耗部品は、例えば、リングアセンブリ１１２の環状部材である。

エンドエフェクタ４００は、平面視で略Ｕ字形状を有する。エンドエフェクタ４００は、Ｘ軸方向における中心を通りＹ軸方向に延びる中心軸ＡＸに対して、平面視で対称な形状を有する。

エンドエフェクタ４００は、基部１０１と、先端部１０２及び先端部１０３と、を有する。先端部１０２及び先端部１０３のそれぞれは、基部１０１から＋Ｙ軸方向に延びて設けられる。先端部１０２及び先端部１０３のそれぞれは、Ｘ軸方向に短く、Ｙ軸方向に長い平面視で略長方形状である。先端部１０２は、先端部１０３に対して＋Ｘ軸方向に離隔して設けられる。エンドエフェクタ４００は、例えば、セラミックスで形成される。

エンドエフェクタ４００は、基板及び消耗部品のいずれかを載置する載置面１００Ｓ１を有する。エンドエフェクタ４００は、載置面１００Ｓ１に、光学センサ４２２及び光学センサ４２３と、基板Ｗが載置面１００Ｓ１に接触しないように保護する複数のパッド１４０と、を備える。光学センサ４２２は、先端部１０２のＹ軸方向の＋Ｙ側の先端に設けられる。光学センサ４２３は、先端部１０３のＹ軸方向の＋Ｙ側の先端に設けられる。

また、エンドエフェクタ４００は、載置面１００Ｓ１と反対側の底面１００Ｓ２に、光学センサ５２２及び光学センサ５２３を備える。光学センサ５２２及び光学センサ５２３は、それぞれ光学センサ４２２及び光学センサ４２３の裏側に設けられる。

光学センサ４２２及び光学センサ４２３のそれぞれは、光学的に光学センサ４２２及び光学センサ４２３のそれぞれの上側に基板Ｗが存在するかどうかを検出する。光学センサ４２２及び光学センサ４２３のそれぞれは、制御装置４５０に接続される。

光学センサ５２２及び光学センサ５２３のそれぞれは、光学的に光学センサ５２２及び光学センサ５２３のそれぞれの下側に基板Ｗが存在するかどうかを検出する。また、光学センサ５２２及び光学センサ５２３のそれぞれは、光学センサ５２２及び光学センサ５２３のそれぞれの下側にある、例えば、基板載置面又はリングアセンブリの環状部材等を検出する。光学センサ５２２及び光学センサ５２３のそれぞれは、光学センサ５２２及び光学センサ５２３のそれぞれの下側にある、例えば、基板載置面又はリングアセンブリの環状部材等を検出することにより、基板または環状部材の載置場所の状態を検出する。光学センサ５２２及び光学センサ５２３のそれぞれは、制御装置４５０に接続される。

例えば、光学センサ４２２、光学センサ４２３、光学センサ５２２及び光学センサ５２３のそれぞれは画像センサである。画像センサである光学センサ４２２及び光学センサ４２３のそれぞれは、光学センサ４２２及び光学センサ４２３のそれぞれの上側を撮像する。また、画像センサである光学センサ５２２及び光学センサ５２３のそれぞれは、光学センサ５２２及び光学センサ５２３のそれぞれの下側を撮像する。

そして、制御装置４５０は、撮像した画像から、光学センサ４２２及び光学センサ４２３のそれぞれの上側に基板Ｗがあるかどうかを判断する。また、制御装置４５０は、撮像した画像から、光学センサ５２２及び光学センサ５２３のそれぞれの下側に基板Ｗがあるかどうかを判断する。さらに、制御装置４５０は、光学センサ５２２及び光学センサ５２３のそれぞれの下側にある、例えば、基板載置面又はリングアセンブリの環状部材等の状態（位置等）を判断する。

また、光学センサ４２２、光学センサ４２３、光学センサ５２２及び光学センサ５２３のそれぞれは、例えば、距離センサである。距離センサである光学センサ４２２及び光学センサ４２３のそれぞれは、光学センサ４２２及び光学センサ４２３のそれぞれの上側に位置する物体までの距離を計測する。また、距離センサである光学センサ５２２及び光学センサ５２３のそれぞれは、光学センサ５２２及び光学センサ５２３のそれぞれの下側に位置する物体までの距離を計測する。

そして、制御装置４５０は、計測した距離から、光学センサ４２２及び光学センサ４２３のそれぞれの上側に基板Ｗがあるかどうかを判断する。また、計測した距離から、光学センサ５２２及び光学センサ５２３のそれぞれの下側に基板Ｗがあるかどうかを判断する。さらに、制御装置４５０は、光学センサ５２２及び光学センサ５２３のそれぞれの下側にある、例えば、基板載置面又はリングアセンブリの環状部材等の状態（位置等）を判断する。

さらに、光学センサ４２２、光学センサ４２３、光学センサ５２２及び光学センサ５２３のそれぞれは、例えば、反射型光強度センサである。反射型光強度センサである光学センサ４２２及び光学センサ４２３のそれぞれは、光学センサ４２２及び光学センサ４２３のそれぞれの上側に光を照射して、上側に位置する物体から反射して戻ってくる光の強度を計測する。また、反射型光強度センサである光学センサ５２２及び光学センサ５２３のそれぞれは、光学センサ５２２及び光学センサ５２３のそれぞれの下側に光を照射して、下側に位置する物体から反射して戻ってくる光の強度を計測する。

そして、制御装置４５０は、計測した光の強度から、光学センサ４２２及び光学センサ４２３のそれぞれの上側に基板Ｗがあるかどうかを判断する。また、制御装置４５０は、計測した光の強度から、光学センサ５２２及び光学センサ５２３のそれぞれの下側に基板Ｗがあるかどうかを判断する。さらに、制御装置４５０は、光学センサ５２２及び光学センサ５２３のそれぞれの下側にある、例えば、基板載置面又はリングアセンブリの環状部材等の状態（位置等）を判断する。

また、光学センサ４２２、光学センサ４２３、光学センサ５２２及び光学センサ５２３のそれぞれは、例えばＬＥＤセンサであってもよい。

位置ずれの測定方法について説明する。図２７から図２９は、本実施形態に係る搬送ロボット４７０のエンドエフェクタ４００による基板の位置ずれの測定を説明する図である。ここでは、基板支持部１１に載置された基板Ｗの位置ずれの測定について説明する。例えば、ロードロックモジュールにおける基板Ｗの測定についても同様に測定できる。基板Ｗは、エンドエフェクタ４００の上側に位置する。なお、エンドエフェクタ４００の下側の測定についても同様に測定できる。

基板支持部１１に載置された基板Ｗの下側に、矢印ＡＭに沿って、エンドエフェクタ４００を移動させる。図２７に示すように、最初は、光学センサ４２２及び光学センサ４２３のそれぞれの上側には基板Ｗは位置していない。したがって、光学センサ４２２及び光学センサ４２３のそれぞれは、基板Ｗを検出しない。

さらに、エンドエフェクタ４００を矢印ＡＭに沿って移動させると、図２８に示すように、光学センサ４２２及び光学センサ４２３のそれぞれの上側に基板Ｗが位置する。したがって、光学センサ４２２及び光学センサ４２３のそれぞれは、基板Ｗを検出する。

さらに、エンドエフェクタ４００を矢印ＡＭに沿って移動させると、図２９に示すように、光学センサ４２２及び光学センサ４２３のそれぞれの上側には、基板Ｗは位置しない。したがって、光学センサ４２２及び光学センサ４２３のそれぞれは、基板Ｗを検出しない。

そして、制御装置４５０は、光学センサ４２２及び光学センサ４２３のそれぞれが検出した基板Ｗが存在した位置の情報を用いて、エンドエフェクタ４００に対する基板Ｗの位置ずれを検出する。例えば、制御装置４５０は、基板Ｗの中心位置を求める。そして、制御装置４５０は、基準位置に対する当該中心位置のずれ量より基板Ｗの位置ずれ量を算出する。なお、制御部ＣＵは、制御装置４５０に換えて、基板Ｗの位置ずれ量を算出してもよい。

制御装置４５０は、例えば、光学センサ４２２及び光学センサ４２３のそれぞれが検出した基板Ｗの端点の情報から、基板Ｗの中心位置を求めてもよい。光学センサ４２２及び光学センサ４２３のそれぞれにより、合計で４個の基板Ｗの端点が求められる。当該４個の端点の座標から、例えば、最小二乗法により基板Ｗの中心座標を求めてもよいし、当該４個の端点から３個の端点を抽出して、３個の端点を通る円の中心座標を基板Ｗの中心座標としてもよい。なお、中心座標の求め方については、上記に限らず公知の手法を適用してもよい。

なお、上述の説明では、矢印ＡＭに沿って移動させる場合、すなわち、基板Ｗを載置する（受け取る）場合について説明したが、矢印ＡＭと逆向き移動させる場合、すなわち、基板Ｗを載置後にエンドエフェクタ４００を退避する場合に基板Ｗの位置を計測してもよい。

また、光学センサ５２２及び光学センサ５２３は、基板Ｗに限らず、プラズマ処理装置１（基板処理装置）内に設けられる消耗部品、例えば、リングアセンブリ１１２の環状部材の位置を検出してもよい。リングアセンブリ１１２の環状部材（エッジリング）の内径は、基板Ｗの外径と略等しいことから、基板Ｗの位置ずれ量の算出と同様に環状部材の位置ずれ量を算出できる。なお、光学センサの数は２個に限らず、例えば、２個以上備えてもよい。すなわち、光学センサは、少なくとも２か所以上に設けられてもよい。

＜本実施形態に係る搬送システム４８０の処理＞
本実施形態に係る搬送システム４８０の処理について説明する。図３０から図３２は、本実施形態に係る搬送システム４８０の処理を説明するフロー図である。図３３は、本実施形態に係る搬送システム４８０の処理を説明する図である。なお、図３３では、搬送ロボット４７０のエンドエフェクタ４００をエンドエフェクタＦＫとして示す。

ここでは、図３０に示す基板ＷをロードロックモジュールＬＬＭから搬出して、プロセスモジュールＰＭに搬入する搬送方法について説明する。

［基板ＷをロードロックモジュールＬＬＭから搬出する工程］
最初に基板ＷをロードロックモジュールＬＬＭから搬出する（ステップＳ１００）。ステップＳ１００の基板ＷをロードロックモジュールＬＬＭから搬出する工程（ステップＳ１００）の詳細について、図３１を用いて説明する。

図３３のａに示すように、ロードロックモジュールＬＬＭから基板Ｗを搬出する際には、基板Ｗは、ロードロックモジュールＬＬＭからピンＰＩＮにより、上側に持ち上げられた状態となっている。そして、制御部ＣＵは、基板Ｗの位置を測定する。具体的には、エンドエフェクタＦＫを矢印Ａ１の方向に移動させながら、搬送ロボット４７０の制御装置４５０は基板Ｗの位置を測定する（ステップＳ１１０）。なお、基板Ｗの位置を測定するために、図３３のａの矢印Ｓ１の方向について載置面１００Ｓ１側の光学センサ４２２及び光学センサ４２３を用いて測定を行う。

ステップＳ１１０の測定は、図３３のｂのように、エンドエフェクタＦＫが、基板Ｗの挿入側と反対側まで移動するまで行う。そして、搬送ロボット４７０の制御装置４５０は、基板Ｗの位置を測定した結果を制御部ＣＵに送信する。

制御部ＣＵは、基板Ｗの位置と所望の位置とのずれ量を算出する（ステップＳ１１５）。制御部ＣＵは、算出したずれ量が第１閾値以上であるかどうかを判定する（ステップＳ１２０）。算出したずれ量が第１閾値以上である場合（ステップＳ１２０のＹＥＳ）は、制御部ＣＵは、算出したずれ量が第１閾値より大きい第２閾値以上であるかどうかを判定する（ステップＳ１３０）。

算出したずれ量が第２閾値以上である場合（ステップＳ１３０のＹＥＳ）は、制御部ＣＵは、修復が困難な不具合が発生したとして緊急停止処理を実行する（ステップＳ１４０）。制御部ＣＵは、緊急停止処理として、例えば、アラートを発してシステムを停止させる。

一方、ステップＳ１３０においてずれ量が第２閾値未満の場合（ステップＳ１３０のＮＯ）は、制御部ＣＵは、基板Ｗのずれを補正可能と判定してずれ補正処理を行う（ステップＳ１５０）。制御部ＣＵは、例えば、ずれ量を補正するように、エンドエフェクタＦＫの位置を補正する。

そして、ステップＳ１２０においてずれ量が第１閾値未満の場合（ステップＳ１２０のＮＯ）及びステップＳ１５０の処理終了後に、基板搬送処理を実行する（ステップＳ１６０）。ステップＳ１６０では、図３３のｃに示すように、エンドエフェクタＦＫに基板Ｗを載置して、矢印Ａ２の方向に基板Ｗを載置したエンドエフェクタＦＫを移動させて、基板Ｗを搬出する。

［基板ＷをプロセスモジュールＰＭに搬入する工程］
次に基板ＷをプロセスモジュールＰＭに搬入する（ステップＳ２００）。ステップＳ２００の基板ＷをプロセスモジュールＰＭに搬入する工程（ステップＳ２００）の詳細について、図３２を用いて説明する。

図３３のｄに示すように、プロセスモジュールに基板Ｗを搬入する際には、エンドエフェクタＦＫを矢印Ａ３の方向に移動させる。そして、基板Ｗは、プロセスモジュールＰＭからピンＰＩＮにより、上側に持ち上げられた状態となる。

そして、エンドエフェクタＦＫを矢印Ａ４の方向に移動させながら、搬送ロボット４７０の制御装置４５０は基板Ｗと基板Ｗが載置される載置場所の位置を測定する（ステップＳ２１０）。なお、基板Ｗと基板Ｗが載置される載置場所の位置を測定するために、図３３のｅの矢印Ｓ１の方向について載置面１００Ｓ１側の光学センサ４２２及び光学センサ４２３を用いて測定を行う。また、図３３のｅの矢印Ｓ２の方向について底面１００Ｓ２側の光学センサ５２２及び光学センサ５２３を用いて測定を行う。

基板Ｗが載置される載置場所の位置の測定は、リングアセンブリ１１２の環状部材（エッジリング）の端部を計測して測定してもよいし、基板支持面１１１ａ又はエッジリング支持面１１１ｂを計測して測定してもよい。

ステップＳ２１０の測定後、搬送ロボット４７０の制御装置４５０は、基板Ｗの位置を測定した結果を制御部ＣＵに送信する。

制御部ＣＵは、基板Ｗの位置と載置場所の位置とのずれ量を算出する（ステップＳ２１５）。制御部ＣＵは、算出したずれ量が第１閾値以上であるかどうかを判定する（ステップＳ２２０）。算出したずれ量が第１閾値以上である場合（ステップＳ２２０のＹＥＳ）は、制御部ＣＵは、算出したずれ量が第１閾値より大きい第２閾値以上であるかどうかを判定する（ステップＳ２３０）。

算出したずれ量が第２閾値以上である場合（ステップＳ２３０のＹＥＳ）は、制御部ＣＵは、修復が困難な不具合が発生したとして緊急停止処理を実行する（ステップＳ２４０）。制御部ＣＵは、緊急停止処理として、例えば、アラートを発してシステムを停止させる。

一方、ステップＳ２３０においてずれ量が第２閾値未満の場合（ステップＳ２３０のＮＯ）は、制御部ＣＵは、基板Ｗのずれを補正可能と判定してずれ補正処理を行う（ステップＳ２５０）。制御部ＣＵは、基板Ｗを再びエンドエフェクタＦＫに載置して、例えば、ずれ量を補正するように、エンドエフェクタＦＫの位置を補正する。そして、再びプロセスモジュールＰＭに載置する。次に、ステップＳ２１０に戻って再度処理を繰り返す。

そして、ステップＳ２２０においてずれ量が第１閾値未満の場合（ステップＳ２２０のＮＯ）、基板載置処理を実行する（ステップＳ２６０）。ステップＳ２６０を実行することにより、図３３のｆに示すように、プロセスモジュールＰＭに基板Ｗが載置される。

なお、上記の説明においては、ステップＳ１２０とステップＳ２２０において、同じ第１閾値により判定しているが、ステップＳ１２０とステップＳ２２０において異なる閾値を用いてよい。ステップＳ１３０とステップＳ２３０の第２閾値についても同様である。

［作用・効果］
本実施形態に係る搬送システム４８０によれば、基板Ｗの位置ずれを搬送システム４８０で自己診断して自己補正できる。したがって、搬送システム４８０によれば、基板Ｗを搬送する際に位置精度を向上できる。基板Ｗを搬送する際に位置精度を向上させることにより、搬送精度を向上させ、搬送ロボットの性能を向上できる。また、自己補正することにより、装置稼働時間を引き延ばすことができる。

また、本実施形態に係る搬送システム４８０によれば、リアルタイムで基板Ｗの搭載位置を補正できる。したがって、搬送ロボットの信頼性を向上できる。

さらに、本実施形態に係る搬送システム４８０によれば、位置ずれを補正できることから、搬送ロボットの高精度なティーチングが不要となり、ティーチングの自動化を行うことができる。したがって、省人化ができる。また、調整の時間を短くして、生産性を向上できる。高精度なティーチングを行う際には、チャンバを大気開放して調整を行っていたが、搬送ロボットの高精度なティーチングが不要となることにより、チャンバを大気開放する時間を短くできる。

さらにまた、本実施形態に係る搬送システム４８０によれば、位置ずれを補正できることから、繰り返し搬送性能の低い搬送ロボットを適用できる。したがって、搬送ロボットをコストダウンできる。

さらに、本実施形態に係る搬送システム４８０によれば、位置ずれを補正できることから、対象の温度変化及び消耗による形状の変化に追従できる。

例えば、センサウエハ等を用いて、リングアセンブリ１１２の環状部材の中心位置を測定できたとしても、エンドエフェクタと基板Ｗとの位置が基準位置からずれていると、環状部材の中心位置に基板Ｗを載置できない。本実施形態に係る搬送システム４８０によれば、基板Ｗの位置ずれを補正できることから、リングアセンブリ１１２の環状部材の中心位置に基板Ｗを載置できる。

また、センサウエハ等を用いて、搬送ロボットをティーチングしても、環境の変化（例えば、温度）又はセンサウエハと実際に搬送する基板Ｗとの違い等により、基板Ｗの運搬時に、ティーチングを行ったときと同じ精度で基板Ｗを運搬できるとは限らない。本実施形態に係る搬送システム４８０によれば、基板Ｗの位置ずれを補正できることから、基板Ｗを高い位置精度で搬送できる。

なお、上記の説明においては、本実施形態に係る搬送システム４８０を用いて基板Ｗを搬送する場合について説明したが、搬送対象物は基板Ｗに限らない。例えば、本実施形態に係る搬送システム４８０を用いて、リングアセンブリ１１２、シャワーヘッド１３を構成する部材を搬送する際に搬送システム４８０を用いてもよい。

上記の実施形態では、フォークと搬送対象物との相対位置を検出するセンサとして光学センサを利用する場合を説明したが、該センサの種類はこれに限定されない。例えば、光学センサに換えて、磁力センサ等の非接触式センサ等を利用してもよい。また、第１の実施形態と同様に、センサとしてカメラを利用してもよい。

＜第１～第３の実施形態の作用・効果＞
以上に説明した第１～第３実施形態によれば、さらに以下に示す（１）搬送ロボットの自己発熱影響低減の効果、及び（２）搬送経路差影響低減の効果が奏される。

（１）従来は、搬送ロボットの自己発熱によって、若干の制御誤差が生じる場合があった。しかし、第１～第３の実施形態では、搬送対象物とエンドエフェクタとの位置関係を逐一測定するため、自己発熱の有無にかかわらず位置補正ができる。また、搬送ロボットの冷却が重要ではなくなるため、冷媒（例えば冷却ガス）の流量を減らすことができる。

（２）従来は、搬送経路によって搬送ロボットの姿勢が異なることから、搬送経路が異なると制御誤差が生じる場合があった。しかし、第１～第３の実施形態では、搬送対象物とエンドエフェクタとの位置関係を逐一測定するため、搬送経路にかかわらず位置補正ができる。

今回開示された実施形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。上記の実施形態は、添付の請求の範囲及びその趣旨を逸脱することなく、様々な形態で省略、置換、変更されてもよい。

本発明は、例示的実施形態を参照して説明されているが、この説明は、限定的な意味に解釈されるように意図されない。例示的実施形態の様々な修正及び組み合わせ、並びに本発明の他の実施形態は、説明の参照時に当業者に明らかであろう。例えば、図４から図７まで、及び図１７から図２９までの実施形態は、さらなる実施形態において組み合わされてもよい。同様に、図８から図１６までの実施形態は、図１７から図２９までと組み合わされてもよい。したがって、添付の特許請求の範囲は、任意のそのような修正又は実施形態を包含することが意図される。

以上の実施形態に関し、さらに以下の付記を開示する。

（付記１）
動作指示に基づいてエンドエフェクタにより搬送対象物を搬送する搬送ロボットと、
前記動作指示を前記搬送ロボットに出力する制御部と、
を備え、
前記エンドエフェクタ及び前記搬送対象物の少なくともいずれか一方はセンサ及びカメラの少なくともいずれか一方を有し、
前記制御部は、前記センサの検出結果及び前記カメラの撮影結果の少なくともいずれか一方に基づき、前記エンドエフェクタと前記搬送対象物との相対位置を算出し、
前記制御部は、前記相対位置に基づいて前記搬送対象物に対する前記エンドエフェクタの教示位置を決定し、当該教示位置に当該エンドエフェクタが配置されるように前記動作指示を前記搬送ロボットに出力する、
搬送システム。

（付記２）
前記動作指示は、前記搬送対象物を搬送するエンドエフェクタと、前記搬送対象物の搬送場所との位置合わせの指示を含む、
付記１に記載の搬送システム。

（付記３）
前記搬送場所は、
前記搬送対象物が収容される容器が載置されるロードポート、
大気圧雰囲気で前記搬送対象物の位置を検出するアライナ、
大気圧雰囲気で前記搬送対象物を収容するストレージ、
前記搬送対象物を収容して大気圧雰囲気と真空雰囲気とを切り替え可能なロードロックモジュール、及び
前記搬送対象物を収容してプラズマ処理を行うプロセスモジュール
の少なくとも１つを含む、
付記２に記載の搬送システム。

（付記４）
前記搬送対象物は、基板及び該基板を囲むリングアセンブリの少なくともいずれか一方であり、
前記基板及び前記リングアセンブリは、前記搬送場所の位置を検出する位置検出センサを有する、
付記２又は付記３に記載の搬送システム。

（付記５）
前記搬送ロボットは、大気圧雰囲気下及び真空雰囲気下の少なくともいずれか一方で前記搬送対象物を搬送する、
付記１から付記４のいずれか一項に記載の搬送システム。

（付記６）
搬送システムによる搬送方法であって、
前記搬送システムは、
動作指示に基づいてエンドエフェクタにより搬送対象物を搬送する搬送ロボットと、
前記動作指示を前記搬送ロボットに出力する制御部と、
を備え、
前記エンドエフェクタ及び前記搬送対象物の少なくともいずれか一方はセンサ及びカメラの少なくともいずれか一方を有し、
前記制御部が、前記センサの検出結果及び前記カメラの撮影結果の少なくともいずれか一方に基づき、前記エンドエフェクタと前記搬送対象物との相対位置を算出する工程と、
前記制御部が、前記相対位置に基づいて前記搬送対象物に対する前記エンドエフェクタの教示位置を決定し、当該教示位置に当該エンドエフェクタが配置されるように前記動作指示を前記搬送ロボットに出力する工程と、
を有する、搬送方法。

（付記７）
前記動作指示は、前記搬送対象物を搬送するエンドエフェクタと、前記搬送対象物の搬送場所との位置合わせの指示を含む、
付記６に記載の搬送方法。

（付記８）
前記搬送場所は、
前記搬送対象物が収容される容器が載置されるロードポート、
大気圧雰囲気で前記搬送対象物の位置を検出するアライナ、
大気圧雰囲気で前記搬送対象物を収容するストレージ、
前記搬送対象物を収容して大気圧雰囲気と真空雰囲気とを切り替え可能なロードロックモジュール、及び
前記搬送対象物を収容してプラズマ処理を行うプロセスモジュール
の少なくとも１つを含む、
付記７に記載の搬送方法。

（付記９）
前記搬送対象物は、基板及び該基板を囲むリングアセンブリの少なくともいずれか一方であり、
前記基板及び前記リングアセンブリは、前記搬送場所の位置を検出する位置検出センサを有する、
付記７または付記８に記載の搬送方法。

（付記１０）
前記搬送ロボットは、大気圧雰囲気下及び真空雰囲気下の少なくともいずれか一方で前記搬送対象物を搬送する、
付記６から付記９のいずれか一項に記載の搬送方法。

（付記１１）
前記搬送システムの起動時、前記エンドエフェクタの交換時及び前記搬送対象物を収容してプラズマ処理を行うプロセスモジュール内の部品の交換時の少なくとも１つにおいて実施する、
付記６から付記１０のいずれか一項に記載の搬送方法。

（付記１２）
搬送対象物を搬送する搬送装置であって、
前記搬送対象物が載置されるエンドエフェクタと、
前記エンドエフェクタを移動させるアームと、
前記アームを制御する制御装置と、
を備え、
前記エンドエフェクタは、前記搬送対象物を載置する側にセンサ及びカメラの少なくともいずれか一方を有し、
前記センサ及び前記カメラの少なくともいずれか一方は、前記搬送対象物と前記エンドエフェクタとの位置関係を測定する、
搬送装置。

（付記１３）
前記搬送対象物は、基板及び該基板を囲むリングアセンブリの少なくともいずれか一方である、
付記１２に記載の搬送装置。

（付記１４）
前記センサ及び前記カメラの少なくともいずれか一方は、前記搬送対象物の中心位置を計測する、
付記１２または付記１３に記載の搬送装置。

（付記１５）
前記センサ及び前記カメラの少なくともいずれか一方は、前記搬送対象物を搬送中に、前記搬送対象物の中心位置を計測する、
付記１４に記載の搬送装置。

（付記１６）
前記エンドエフェクタは前記センサを有し、
前記センサは、前記エンドエフェクタの少なくとも２か所以上に設けられる静電容量センサである、
付記１５に記載の搬送装置。

（付記１７）
前記静電容量センサは、前記エンドエフェクタの同一円周上の少なくとも３か所以上に設けられる、
付記１６に記載の搬送装置。

（付記１８）
前記センサ及び前記カメラの少なくともいずれか一方は、前記搬送対象物を受け取る際に、前記搬送対象物の中心位置を計測する、
付記１４から付記１７のいずれか一項に記載の搬送装置。

（付記１９）
前記センサ及び前記カメラの少なくともいずれか一方は、前記搬送対象物を基板処理装置内に載置する際に、前記搬送対象物の中心位置を計測する、
付記１４から付記１８のいずれか一項に記載の搬送装置。

（付記２０）
前記エンドエフェクタは前記センサを有し、
前記センサは、前記エンドエフェクタの少なくとも２か所以上に設けられる光学センサである、
付記１８または付記１９に記載の搬送装置。

（付記２１）
前記光学センサは、前記エンドエフェクタの先端に設けられる、
付記２０に記載の搬送装置。

（付記２２）
前記制御装置は、前記中心位置が、所望の位置からずれている場合は、前記搬送対象物の位置ずれを補正する、
付記１４から付記１９のいずれか一項に記載の搬送装置。

（付記２３）
前記エンドエフェクタの下側に、第２センサを更に備え、
前記制御装置は、前記搬送対象物を載置した場所の位置ずれを測定して補正する、
付記１２から付記２２のいずれか一項に記載の搬送装置。

（付記２４）
前記搬送装置は、大気圧雰囲気下及び真空雰囲気下の少なくとも一方で前記搬送対象物を搬送する、
付記１２から付記２３のいずれか一項に記載の搬送装置。

（付記２５）
動作指示に基づいてエンドエフェクタにより搬送対象物を搬送する搬送ロボットと、
前記動作指示を前記搬送ロボットに出力する制御部と、
を備え、
前記エンドエフェクタはセンサ及びカメラの少なくともいずれか一方を有し、
前記制御部は、前記センサの検出結果及び前記カメラの少なくともいずれか一方に基づき、前記エンドエフェクタと前記搬送対象物との相対位置を算出し、
前記制御部は、前記相対位置に基づいて前記搬送対象物に対する前記エンドエフェクタの教示位置を決定し、当該教示位置に当該エンドエフェクタが配置されるように前記動作指示を前記搬送ロボットに出力する、
搬送システム。

（付記２６）
搬送システムによる搬送方法であって、
前記搬送システムは、
動作指示に基づいてエンドエフェクタにより搬送対象物を搬送する搬送ロボットと、
前記動作指示を前記搬送ロボットに出力する制御部と、
を備え、
前記エンドエフェクタは前記搬送対象物を載置する側にセンサ及びカメラの少なくともいずれか一方を有し、
（ａ）前記制御部が、前記センサの検出結果及び前記カメラの撮影結果の少なくともいずれか一方に基づき、前記搬送対象物の位置を測定する工程と、
（ｂ）前記制御部が、測定した前記搬送対象物の位置と所望の位置とのずれ量を算出する工程と、
を有する、
搬送方法。

（付記２７）
（ｃ）前記制御部が、前記ずれ量が第１閾値以上第２閾値未満である場合に、前記ずれ量を補正する工程を更に有する、
付記２６に記載の搬送方法。

（付記２８）
（ｄ）前記制御部が、前記ずれ量が前記第２閾値以上である場合に、アラートを発してシステムを停止する工程を更に有する、
付記２７に記載の搬送方法。

（付記２９）
前記（ａ）の工程は、前記エンドエフェクタが前記搬送対象物を受け取る際に行う、
付記２６から付記２８のいずれか一項に記載の搬送方法。

（付記３０）
前記（ａ）の工程は、前記エンドエフェクタが前記搬送対象物を載置する際に行う、
付記２６から付記２８のいずれか一項に記載の搬送方法。

（付記３１）
前記エンドエフェクタは前記センサを有し、
前記センサは光学センサである、
付記２６から付記３０のいずれか一項に記載の搬送方法。

（付記３２）
動作指示に基づいてエンドエフェクタにより搬送対象物を搬送する搬送ロボットと、
前記動作指示を前記搬送ロボットに出力する制御部と、
を備え、
前記エンドエフェクタは前記搬送対象物を載置する側にセンサ及び前記カメラの少なくともいずれか一方を有し、
前記制御部は、
（ａ）前記センサの検出結果及び前記カメラの撮影結果の少なくともいずれか一方に基づき、前記搬送対象物の位置を測定する工程と、
（ｂ）測定した前記搬送対象物の位置と所望の位置とのずれ量を算出する工程と、
を実行する、
搬送システム。

ＣＵ制御部
ＣＳ静電容量センサ
ＴＲ１真空搬送ロボット
ＦＫ１１，ＦＫ１２フォーク
ＴＲ２真空搬送ロボット
ＦＫ２１，ＦＫ２２フォーク
ＴＲ３大気搬送ロボット
ＦＫ３１フォーク
Ｗ基板

Claims

動作指示に基づいてエンドエフェクタにより搬送対象物を搬送する搬送ロボットと、
前記動作指示を前記搬送ロボットに出力する制御部と、
を備え、
前記エンドエフェクタ及び前記搬送対象物の少なくともいずれか一方はセンサ及びカメラの少なくともいずれか一方を有し、
前記制御部は、前記センサの検出結果及び前記カメラの撮影結果の少なくともいずれか一方に基づき、前記エンドエフェクタと前記搬送対象物との相対位置を算出し、
前記制御部は、前記相対位置に基づいて前記搬送対象物に対する前記エンドエフェクタの教示位置を決定し、当該教示位置に当該エンドエフェクタが配置されるように前記動作指示を前記搬送ロボットに出力する、
搬送システム。
前記動作指示は、前記搬送対象物を搬送するエンドエフェクタと、前記搬送対象物の搬送場所との位置合わせの指示を含む、
請求項１に記載の搬送システム。
前記搬送対象物は、基板及び該基板を囲むリングアセンブリの少なくともいずれか一方であり、
前記基板及び前記リングアセンブリは、前記搬送場所の位置を検出する位置検出センサを有する、
請求項２に記載の搬送システム。
搬送対象物を搬送する搬送装置であって、
前記搬送対象物が載置されるエンドエフェクタと、
前記エンドエフェクタを移動させるアームと、
前記アームを制御する制御装置と、
を備え、
前記エンドエフェクタは、前記搬送対象物を載置する側にセンサ及びカメラの少なくともいずれか一方を有し、
前記センサ及び前記カメラの少なくともいずれか一方は、前記搬送対象物と前記エンドエフェクタとの位置関係を測定する、
搬送装置。
前記搬送対象物は、基板、該基板を囲むリングアセンブリ、及び上部電極のうち少なくともいずれか１つである、
請求項４に記載の搬送装置。
前記センサ及び前記カメラの少なくともいずれか一方は、前記搬送対象物の中心位置を計測する、
請求項４または請求項５に記載の搬送装置。
前記センサ及び前記カメラの少なくともいずれか一方は、前記搬送対象物を搬送中に、前記搬送対象物の中心位置を計測する、
請求項６に記載の搬送装置。
前記エンドエフェクタは前記センサを有し、
前記センサは、前記エンドエフェクタの少なくとも２か所以上に設けられる静電容量センサである、
請求項７に記載の搬送装置。
前記静電容量センサは、前記エンドエフェクタの同一円周上の少なくとも３か所以上に設けられる、
請求項８に記載の搬送装置。
前記センサ及び前記カメラの少なくともいずれか一方は、前記搬送対象物を受け取る際に、前記搬送対象物の中心位置を計測する、
請求項６から請求項９のいずれか一項に記載の搬送装置。
前記センサ及び前記カメラの少なくともいずれか一方は、前記搬送対象物を基板処理装置内に載置する際に、前記搬送対象物の中心位置を計測する、
請求項６から請求項１０のいずれか一項に記載の搬送装置。
前記エンドエフェクタは前記センサを有し、
前記センサは、前記エンドエフェクタの少なくとも２か所以上に設けられる光学センサである、
請求項１０または請求項１１に記載の搬送装置。
前記光学センサは、前記エンドエフェクタの先端に設けられる、
請求項１２に記載の搬送装置。
前記制御装置は、前記中心位置が、所望の位置からずれている場合は、前記搬送対象物の位置ずれを補正する、
請求項６から請求項１１のいずれか一項に記載の搬送装置。
前記エンドエフェクタの下側に、第２センサを更に備え、
前記制御装置は、前記搬送対象物を載置した場所の位置ずれを測定して補正する、
請求項４から請求項１４のいずれか一項に記載の搬送装置。
搬送システムによる搬送方法であって、
前記搬送システムは、
動作指示に基づいてエンドエフェクタにより搬送対象物を搬送する搬送ロボットと、
前記動作指示を前記搬送ロボットに出力する制御部と、
を備え、
前記エンドエフェクタは前記搬送対象物を載置する側にセンサ及びカメラの少なくともいずれか一方を有し、
（ａ）前記制御部が、前記センサの検出結果及び前記カメラの撮影結果の少なくともいずれか一方に基づき、前記搬送対象物の位置を測定する工程と、
（ｂ）前記制御部が、測定した前記搬送対象物の位置と所望の位置とのずれ量を算出する工程と、
を有する、
搬送方法。
（ｃ）前記制御部が、前記ずれ量が第１閾値以上第２閾値未満である場合に、前記ずれ量を補正する工程を更に有する、
請求項１６に記載の搬送方法。
（ｄ）前記制御部が、前記ずれ量が前記第２閾値以上である場合に、アラートを発してシステムを停止する工程を更に有する、
請求項１７に記載の搬送方法。
前記（ａ）の工程は、前記エンドエフェクタが前記搬送対象物を受け取る際に行う、
請求項１６から請求項１８のいずれか一項に記載の搬送方法。
前記（ａ）の工程は、前記エンドエフェクタが前記搬送対象物を載置する際に行う、
請求項１６から請求項１８のいずれか一項に記載の搬送方法。