JP2017228754A - 静電容量測定用の測定器、及び、測定器を用いて処理システムにおける搬送位置データを較正する方法 - Google Patents

静電容量測定用の測定器、及び、測定器を用いて処理システムにおける搬送位置データを較正する方法 Download PDF

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Abstract

【課題】フォーカスリングと測定器との位置関係を把握する。【解決手段】静電容量測定用の測定器が提供される。測定器は、円盤形状を有するベース基板と、ベース基板のエッジに沿って配列された複数の側部電極をそれぞれ提供する複数の第１センサ、各々がベース基板の底面に沿って設けられた底部電極を有する一以上の第２センサ、及び、回路基板を備える。回路基板は、複数の側部電極及び底部電極に高周波信号を与え、複数の側部電極における電圧振幅のそれぞれから静電容量を表す複数の第１測定値を生成し、底部電極における電圧振幅から静電容量を表す第２測定値を生成するよう構成されている。【選択図】図５

Description

本発明の実施形態は、静電容量測定用の測定器、及び、測定器を用いて処理システムにおける搬送位置データを較正する方法に関するものである。
半導体デバイスといった電子デバイスの製造においては、円盤状の被加工物を処理する処理システムが用いられている。処理システムは、被加工物を搬送するための搬送装置、及び、被加工物を処理するための処理装置を有している。処理装置は、一般的に、チャンバ本体、及び、当該チャンバ本体内に設けられた載置台を有している。載置台は、その上に載置された被加工物を支持するよう構成されている。搬送装置は、載置台上に被加工物を搬送するよう構成されている。
処理装置における被加工物の処理においては、載置台上における被加工物の位置が重要である。したがって、載置台上における被加工物の位置が所定位置からずれている場合には、搬送装置を調整する必要がある。
搬送装置を調整する技術としては、特許文献１に記載された技術が知られている。特許文献１に記載された技術では、載置台上に凹部が形成されている。また、特許文献１に記載された技術では、被加工物と同様の円盤形状を有し、静電容量測定のための電極を有する測定器が利用されている。特許文献１に記載された技術では、測定器が搬送装置によって載置台上に搬送され、凹部と電極との相対的な位置関係に依存する静電容量の測定値が取得され、当該測定値に基づいて被加工物の搬送位置を修正するよう搬送装置が調整される。
特許第４９５６３２８号明細書
上述した処理システムの処理装置として、プラズマ処理装置が用いられることがある。プラズマ処理装置は、上述した処理装置と同様に、チャンバ本体及び載置台を備えている。また、プラズマ処理装置では、被加工物のエッジを囲むように、フォーカスリングが載置台上に設けられる。フォーカスリングは、中心軸線に対して周方向に延在する環状の板であり、例えば、シリコンから形成されている。
プラズマ処理装置を用いた被加工物に対するプラズマ処理では、フォーカスリングと被加工物との位置関係が重要である。例えば、フォーカスリングに対して円盤状の被加工物の位置がずれており、フォーカスリングと被加工物のエッジとの間の間隙の大きさが周方向において変動していると、大きな間隙が発生している部分にプラズマが侵入し、被加工物上にパーティクルを生じさせることがある。したがって、搬送装置によって搬送された被加工物とフォーカスリングとの位置関係を反映する信頼性の高いデータを取得することが必要である。
一態様においては、静電容量測定用の測定器が提供される。この測定器は、ベース基板、複数の第１センサ、一以上の第２センサ、及び、回路基板を備えている。ベース基板は円盤形状を有している。複数の第１センサは、ベース基板のエッジに沿って配列されており、複数の側部電極をそれぞれ提供している。一以上の第２センサの各々は、ベース基板の底面に沿って設けられた底部電極を有している。回路基板は、ベース基板上に搭載されており、複数の第１センサ及び一以上の第２センサのそれぞれに接続されている。回路基板は、複数の側部電極及び底部電極に高周波信号を与え、複数の側部電極における電圧振幅のそれぞれから静電容量を表す複数の第１の測定値を生成し、底部電極における電圧振幅から静電容量を表す第２の測定値を生成するよう構成されている。
一態様に係る測定器では、複数の第１センサによって提供される複数の側部電極がベース基板のエッジに沿って配列されている。この測定器がフォーカスリングによって囲まれた領域に配置されている状態では、複数の側部電極は、フォーカスリングの内縁に対面する。これら側部電極における電圧振幅から生成される複数の第１の測定値は、複数の側部電極それぞれとフォーカスリングとの間の距離を反映する静電容量を表している。したがって、この測定器によれば、被加工物を模した測定器とフォーカスリングとの相対的な位置関係を反映する測定データが得られる。また、この測定器では、一以上の第２センサの各々の底部電極が、ベース基板の底面に沿って配置されている。底部電極における電圧振幅から生成される第２の測定値は、底部電極と測定器の下方にある物体との間の静電容量を表している。即ち、第２の測定値は、底部電極と測定器の下方にある物体との相対的位置関係を反映している。したがって、第２の測定値によれば、測定器がフォーカスリングに囲まれた領域内で載置台上に配置されたか否かを確認することができる。かかる第２の測定値を用いることにより、上述した第１の測定値の信頼性を確認することが可能となる。
一実施形態では、一以上の第２センサの各々の底部電極は、円形状を有する。一以上の第２のセンサの各々は、底部電極を囲むように配置された周辺電極を更に有する。回路基板は、周辺電極に高周波信号を与え、周辺電極における電圧振幅から静電容量を表す第３の測定値を生成するよう更に構成されている。
一実施形態では、一以上の第２センサは、複数の第２センサである。複数の第２センサは、ベース基板の中心軸線を共有する円に沿って配置されている。
一実施形態では、一以上の第２センサの各々は、ベース基板の上面から該ベース基板の板厚方向に延びるように該ベース基板に設けられた複数の電極を更に有する。一以上の第２センサの各々の底部電極は、複数の電極の底面の側の端面によって構成されている。
一実施形態では、一以上の第２センサの各々は、ベース基板を貫通する一以上の貫通電極を更に有する。一以上の第２センサの各々の底部電極は、一以上の貫通電極を介して回路基板に接続されている。
一実施形態では、一以上の第２センサは、三以上の第２センサであり、三以上の第２センサの各々は、ベース基板の底面に沿って設けられた底部電極を有し、ベース基板の中心軸線を共有する円に沿って配置されており、三以上の第２センサの各々の底部電極のエッジの一部は、円弧形状を有し前記円上で延在する。
別の一態様においては、上記の測定器を用いて処理システムにおける搬送位置データを較正する方法が提供される。処理システムは、処理装置、及び、搬送装置を備えている。処理装置は、チャンバ本体、及び、静電チャックを有する。静電チャックは、チャンバ本体によって提供されるチャンバ内に設けられている。静電チャックは、円形のエッジを有する載置領域を有する。載置領域上には被加工物が載置される。搬送装置は、搬送位置データに基づき載置領域上に被加工物を搬送する。この方法は、搬送位置データによって特定される載置領域上の位置に、搬送装置を用いて測定器を搬送する工程と、載置領域上に搬送された測定器の三以上の第２センサにより三以上の静電容量を測定する工程と、三以上の静電容量の測定値から、測定器が搬送された載置領域上の位置の、載置領域上の所定の搬送位置に対する誤差を求める工程と、当該誤差を用いて搬送位置データを較正する工程と、を含む。
一実施形態では、底部電極のエッジの上記一部の曲率は、載置領域のエッジの曲率に一致している。
以上説明したように、被加工物を模した測定器とフォーカスリングとの位置関係を反映する信頼性の高いデータを取得することが可能となる。
処理システムを例示する図である。 アライナを例示する斜視図である。 プラズマ処理装置の一例を示す図である。 静電チャックを示す平面図である。 測定器を例示する斜視図である。 図５に示す測定器を底面側から見て示す平面図である。 第１センサの一例を示す斜視図である。 図７のＶＩＩＩ−ＶＩＩＩ線に沿ってとった断面図である。 図８のＩＸ−ＩＸ線に沿ってとった断面図である。 図６のＸ−Ｘ線に沿ってとった断面図である。 測定器の回路基板の構成を例示する図である。 第１センサの別の例を示す縦断面図である。 第２センサの別の例を示す図である。 図１３の（ｂ）のＸＩＶ−ＸＩＶ線に沿ってとった断面図である。 第２センサの更に別の例を示す図である。 第２センサの更に別の例を示す図である。 測定器の別の例を示す図である。 静電チャックを模式的に示す断面図である。 図１７の測定器の拡大図である。 図１７の測定器の回路基板の構成を例示する図である。 処理システムにおける搬送位置データを較正する方法の一実施形態を示す流れ図である。 静電チャックに対する測定器の搬送位置を示す図である。
以下、図面を参照して種々の実施形態について詳細に説明する。なお、各図面において同一又は相当の部分に対しては同一の符号を附すこととする。
まず、円盤状の被加工物を処理するための処理装置、及び、当該処理装置に被処理体を搬送するための搬送装置を有する処理システムについて説明する。図１は、処理システムを例示する図である。処理システム１は、台２ａ〜２ｄ、容器４ａ〜４ｄ、ローダモジュールＬＭ、アライナＡＮ、ロードロックモジュールＬＬ１，ＬＬ２、プロセスモジュールＰＭ１〜ＰＭ６、トランスファーモジュールＴＦ、及び、制御部ＭＣを備えている。なお、台２ａ〜２ｄの個数、容器４ａ〜４ｄの個数、ロードロックモジュールＬＬ１，ＬＬ２の個数、及び、プロセスモジュールＰＭ１〜ＰＭ６の個数は限定されるものではなく、一以上の任意の個数であり得る。
台２ａ〜２ｄは、ローダモジュールＬＭの一縁に沿って配列されている。容器４ａ〜４ｄはそれぞれ、台２ａ〜２ｄ上に搭載されている。容器４ａ〜４ｄの各々は、例えば、ＦＯＵＰ（Ｆｒｏｎｔ Ｏｐｅｎｉｎｇ Ｕｎｉｆｉｅｄ Ｐｏｄ）と称される容器である。容器４ａ〜４ｄのそれぞれは、被加工物Ｗを収容するように構成されている。被加工物Ｗは、ウエハのように略円盤形状を有する。
ローダモジュールＬＭは、大気圧状態の搬送空間をその内部に画成するチャンバ壁を有している。この搬送空間内には搬送装置ＴＵ１が設けられている。搬送装置ＴＵ１は、例えば、多関節ロボットであり、制御部ＭＣによって制御される。搬送装置ＴＵ１は、容器４ａ〜４ｄとアライナＡＮとの間、アライナＡＮとロードロックモジュールＬＬ１〜ＬＬ２の間、ロードロックモジュールＬＬ１〜ＬＬ２と容器４ａ〜４ｄの間で被加工物Ｗを搬送するように構成されている。
アライナＡＮは、ローダモジュールＬＭと接続されている。アライナＡＮは、被加工物Ｗの位置の調整（位置の較正）を行うように構成されている。図２は、アライナを例示する斜視図である。アライナＡＮは、支持台６Ｔ、駆動装置６Ｄ、及び、センサ６Ｓを有している。支持台６Ｔは、鉛直方向に延びる軸線中心に回転可能な台であり、その上に被加工物Ｗを支持するように構成されている。支持台６Ｔは、駆動装置６Ｄによって回転される。駆動装置６Ｄは、制御部ＭＣによって制御される。駆動装置６Ｄからの動力により支持台６Ｔが回転すると、当該支持台６Ｔ上に載置された被加工物Ｗも回転するようになっている。
センサ６Ｓは、光学センサであり、被加工物Ｗが回転されている間、被加工物Ｗのエッジを検出する。センサ６Ｓは、エッジの検出結果から、基準角度位置に対する被加工物ＷのノッチＷＮ（或いは、別のマーカー）の角度位置のずれ量、及び、基準位置に対する被加工物Ｗの中心位置のずれ量を検出する。センサ６Ｓは、ノッチＷＮの角度位置のずれ量及び被加工物Ｗの中心位置のずれ量を制御部ＭＣに出力する。制御部ＭＣは、ノッチＷＮの角度位置のずれ量に基づき、ノッチＷＮの角度位置を基準角度位置に補正するための支持台６Ｔの回転量を算出する。制御部ＭＣは、この回転量の分だけ支持台６Ｔを回転させるよう、駆動装置６Ｄを制御する。これにより、ノッチＷＮの角度位置を基準角度位置に補正することができる。また、制御部ＭＣは、搬送装置ＴＵ１のエンドエフェクタ（ｅｎｄ ｅｆｆｅｃｔｏｒ）上の所定位置に被加工物Ｗの中心位置が一致するよう、アライナＡＮから被加工物Ｗを受け取る際の搬送装置ＴＵ１のエンドエフェクタの位置を、被加工物Ｗの中心位置のずれ量に基づき、制御する。
図２に戻り、ロードロックモジュールＬＬ１及びロードロックモジュールＬＬ２の各々は、ローダモジュールＬＭとトランスファーモジュールＴＦとの間に設けられている。ロードロックモジュールＬＬ１及びロードロックモジュールＬＬ２の各々は、予備減圧室を提供している。
トランスファーモジュールＴＦは、ロードロックモジュールＬＬ１及びロードロックモジュールＬＬ２にゲートバルブを介して接続されている。トランスファーモジュールＴＦは、減圧可能な減圧室を提供している。この減圧室には、搬送装置ＴＵ２が設けられている。搬送装置ＴＵ２は、例えば、多関節ロボットであり、制御部ＭＣによって制御される。搬送装置ＴＵ２は、ロードロックモジュールＬＬ１〜ＬＬ２とプロセスモジュールＰＭ１〜ＰＭ６との間、及び、プロセスモジュールＰＭ１〜ＰＭ６のうち任意の二つのプロセスモジュール間において、被加工物Ｗを搬送するように構成されている。
プロセスモジュールＰＭ１〜ＰＭ６は、トランスファーモジュールＴＦにゲートバルブを介して接続されている。プロセスモジュールＰＭ１〜ＰＭ６の各々は、被加工物Ｗに対してプラズマ処理といった専用の処理を行うよう構成された処理装置である。
この処理システム１において被加工物Ｗの処理が行われる際の一連の動作は以下の通り例示される。ローダモジュールＬＭの搬送装置ＴＵ１が、容器４ａ〜４ｄの何れかから被加工物Ｗを取り出し、当該被加工物ＷをアライナＡＮに搬送する。次いで、搬送装置ＴＵ１は、その位置が調整された被加工物ＷをアライナＡＮから取り出して、当該被加工物ＷをロードロックモジュールＬＬ１及びロードロックモジュールＬＬ２のうち一方のロードロックモジュールに搬送する。次いで、一方のロードロックモジュールが、予備減圧室の圧力を所定の圧力に減圧する。次いで、トランスファーモジュールＴＦの搬送装置ＴＵ２が、一方のロードロックモジュールから被加工物Ｗを取り出し、当該被加工物ＷをプロセスモジュールＰＭ１〜ＰＭ６のうち何れかに搬送する。そして、プロセスモジュールＰＭ１〜ＰＭ６のうち一以上のプロセスモジュールが被加工物Ｗを処理する。そして、搬送装置ＴＵ２が、処理後の被加工物ＷをプロセスモジュールからロードロックモジュールＬＬ１及びロードロックモジュールＬＬ２のうち一方のロードロックモジュールに搬送する。次いで、搬送装置ＴＵ１が被加工物Ｗを一方のロードロックモジュールから容器４ａ〜４ｄの何れかに搬送する。
この処理システム１は、上述したように制御部ＭＣを備えている。制御部ＭＣは、プロセッサ、メモリといった記憶装置、表示装置、入出力装置、通信装置等を備えるコンピュータであり得る。上述した処理システム１の一連の動作は、記憶装置に記憶されたプログラムに従った制御部ＭＣによる処理システム１の各部の制御により、実現されるようになっている。
図３は、プロセスモジュールＰＭ１〜ＰＭ６の何れかとして採用され得るプラズマ処理装置の一例を示す図である。図３に示すプラズマ処理装置１０は、容量結合型プラズマエッチング装置である。プラズマ処理装置１０は、略円筒形状のチャンバ本体１２を備えている。チャンバ本体１２は、例えば、アルミニウムから形成されており、その内壁面には、陽極酸化処理が施され得る。このチャンバ本体１２は保安接地されている。
チャンバ本体１２の底部上には、略円筒形状の支持部１４が設けられている。支持部１４は、例えば、絶縁材料から構成されている。支持部１４は、チャンバ本体１２内に設けられており、チャンバ本体１２の底部から上方に延在している。また、チャンバ本体１２によって提供されるチャンバＳ内には、載置台ＰＤが設けられている。載置台ＰＤは、支持部１４によって支持されている。
載置台ＰＤは、下部電極ＬＥ及び静電チャックＥＳＣを有している。下部電極ＬＥは、第１プレート１８ａ及び第２プレート１８ｂを含んでいる。第１プレート１８ａ及び第２プレート１８ｂは、例えばアルミニウムといった金属から構成されており、略円盤形状をなしている。第２プレート１８ｂは、第１プレート１８ａ上に設けられており、第１プレート１８ａに電気的に接続されている。
第２プレート１８ｂ上には、静電チャックＥＳＣが設けられている。静電チャックＥＳＣは、導電膜である電極を一対の絶縁層又は絶縁シート間に配置した構造を有しており、略円盤形状を有している。静電チャックＥＳＣの電極には、直流電源２２がスイッチ２３を介して電気的に接続されている。この静電チャックＥＳＣは、直流電源２２からの直流電圧により生じたクーロン力等の静電力により被加工物Ｗを吸着する。これにより、静電チャックＥＳＣは、被加工物Ｗを保持することができる。
第２プレート１８ｂの周縁部上には、フォーカスリングＦＲが設けられている。このフォーカスリングＦＲは、被加工物Ｗのエッジ及び静電チャックＥＳＣを囲むように設けられている。フォーカスリングＦＲは、第１部分Ｐ１及び第２部分Ｐ２を有している（図８参照）。第１部分Ｐ１及び第２部分Ｐ２は環状板形状を有している。第２部分Ｐ２は、第１部分Ｐ１上に設けられている。第２部分Ｐ２の内縁Ｐ２ｉは第１部分Ｐ１の内縁Ｐ１ｉの直径よりも大きい直径を有している。被加工物Ｗは、そのエッジ領域が、フォーカスリングＦＲの第１部分Ｐ１上に位置するように、静電チャックＥＳＣ上に載置される。このフォーカスリングＦＲは、シリコン、炭化ケイ素、酸化シリコンといった種々の材料のうち何れかから形成され得る。
第２プレート１８ｂの内部には、冷媒流路２４が設けられている。冷媒流路２４は、温調機構を構成している。冷媒流路２４には、チャンバ本体１２の外部に設けられたチラーユニットから配管２６ａを介して冷媒が供給される。冷媒流路２４に供給された冷媒は、配管２６ｂを介してチラーユニットに戻される。このように、冷媒流路２４とチラーユニットとの間では、冷媒が循環される。この冷媒の温度を制御することにより、静電チャックＥＳＣによって支持された被加工物Ｗの温度が制御される。
載置台ＰＤには、当該載置台ＰＤを貫通する複数（例えば、三つ）の貫通孔２５が形成されている。これら、複数の貫通孔２５には、複数本（例えば、３本）のリフトピン２５ａがそれぞれ挿入されている。なお、図３においては、一本のリフトピン２５ａが挿入された一つの貫通孔２５が描かれている。
図４は、載置台ＰＤを構成する静電チャックＥＳＣを示す平面図である。図４に示すように、複数のリフトピン２５ａは、静電チャックＥＳＣの中心軸線、即ち載置台ＰＤの中心軸線を共有する円に直交し且つ鉛直方向に延びる複数の直線に沿ってそれぞれ配置されている。複数のリフトピン２５ａは、この中心軸線に対して周方向に等間隔で配置され得る。これらリフトピン２５ａは、例えばアクチュエータによって昇降するリンクに支持されている。リフトピン２５ａは、その先端が静電チャックＥＳＣの上方に突き出た状態で、当該リフトピン２５ａの先端に被加工物Ｗを支持する。しかる後に、リフトピン２５ａが下降することにより被加工物Ｗが静電チャックＥＳＣ上に載置される。また、被加工物Ｗのプラズマ処理後には、リフトピン２５ａが上昇することにより、被加工物Ｗが静電チャックＥＳＣから引き離される。即ち、リフトピン２５ａは、被加工物Ｗのローディング及びアンローディングのために用いられる。
また、プラズマ処理装置１０には、ガス供給ライン２８が設けられている。ガス供給ライン２８は、伝熱ガス供給機構からの伝熱ガス、例えばＨｅガスを、静電チャックＥＳＣの上面と被加工物Ｗの裏面との間に供給する。
また、プラズマ処理装置１０は、上部電極３０を備えている。上部電極３０は、載置台ＰＤの上方において、当該載置台ＰＤと対向配置されている。上部電極３０は、絶縁性遮蔽部材３２を介して、チャンバ本体１２の上部に支持されている。上部電極３０は、天板３４及び支持体３６を含み得る。天板３４はチャンバＳに面しており、当該天板３４には複数のガス吐出孔３４ａが設けられている。この天板３４は、シリコン又は石英から形成され得る。或いは、天板３４は、アルミニウム製の母材の表面に酸化イットリウムといった耐プラズマ性の膜を形成することによって構成され得る。
支持体３６は、天板３４を着脱自在に支持するものであり、例えばアルミニウムといった導電性材料から構成され得る。この支持体３６は、水冷構造を有し得る。支持体３６の内部には、ガス拡散室３６ａが設けられている。このガス拡散室３６ａからは、ガス吐出孔３４ａに連通する複数のガス通流孔３６ｂが下方に延びている。また、支持体３６には、ガス拡散室３６ａに処理ガスを導くガス導入口３６ｃが形成されており、このガス導入口３６ｃには、ガス供給管３８が接続されている。
ガス供給管３８には、バルブ群４２及び流量制御器群４４を介して、ガスソース群４０が接続されている。ガスソース群４０は、複数種のガス用の複数のガスソースを含んでいる。バルブ群４２は複数のバルブを含んでおり、流量制御器群４４はマスフローコントローラといった複数の流量制御器を含んでいる。ガスソース群４０の複数のガスソースはそれぞれ、バルブ群４２の対応のバルブ及び流量制御器群４４の対応の流量制御器を介して、ガス供給管３８に接続されている。
また、プラズマ処理装置１０では、チャンバ本体１２の内壁に沿ってデポシールド４６が着脱自在に設けられている。デポシールド４６は、支持部１４の外周にも設けられている。デポシールド４６は、チャンバ本体１２にエッチング副生物（デポ）が付着することを防止するものであり、アルミニウム材に酸化イットリウム等のセラミックスを被覆することにより構成され得る。
チャンバ本体１２の底部側、且つ、支持部１４とチャンバ本体１２の側壁との間には排気プレート４８が設けられている。排気プレート４８は、例えば、アルミニウム材に酸化イットリウム等のセラミックスを被覆することにより構成され得る。排気プレート４８には、その板厚方向に貫通する複数の孔が形成されている。この排気プレート４８の下方、且つ、チャンバ本体１２には、排気口１２ｅが設けられている。排気口１２ｅには、排気管５２を介して排気装置５０が接続されている。排気装置５０は、圧力調整弁及びターボ分子ポンプなどの真空ポンプを有しており、チャンバ本体１２内の空間を所望の真空度まで減圧することができる。また、チャンバ本体１２の側壁には被加工物Ｗの搬入出口１２ｇが設けられており、この搬入出口１２ｇはゲートバルブ５４により開閉可能となっている。
また、プラズマ処理装置１０は、第１の高周波電源６２及び第２の高周波電源６４を更に備えている。第１の高周波電源６２は、プラズマ生成用の第１の高周波を発生する電源であり、例えば、２７〜１００ＭＨｚの周波数を有する高周波を発生する。第１の高周波電源６２は、整合器６６を介して上部電極３０に接続されている。整合器６６は、第１の高周波電源６２の出力インピーダンスと負荷側（上部電極３０側）の入力インピーダンスを整合させるための回路を有している。なお、第１の高周波電源６２は、整合器６６を介して下部電極ＬＥに接続されていてもよい。
第２の高周波電源６４は、被加工物Ｗにイオンを引き込むための第２の高周波を発生する電源であり、例えば、４００ｋＨｚ〜１３．５６ＭＨｚの範囲内の周波数の高周波を発生する。第２の高周波電源６４は、整合器６８を介して下部電極ＬＥに接続されている。整合器６８は、第２の高周波電源６４の出力インピーダンスと負荷側（下部電極ＬＥ側）の入力インピーダンスを整合させるための回路を有している。
このプラズマ処理装置１０では、複数のガスソースのうち選択された一以上のガスソースからのガスがチャンバＳに供給される。また、チャンバＳの圧力が排気装置５０によって所定の圧力に設定される。さらに、第１の高周波電源６２からの第１の高周波によってチャンバＳ内のガスが励起される。これにより、プラズマが生成される。そして、発生した活性種によって被加工物Ｗが処理される。なお、必要に応じて、第２の高周波電源６４の第２の高周波に基づくバイアスにより、被加工物Ｗにイオンが引き込まれてもよい。
以下、測定器について説明する。図５は、測定器を例示する斜視図である。図６は、図５に示す測定器を底面側から見て示す平面図である。図５及び図６に示す測定器１００は、ベース基板１０２を備えている。ベース基板１０２は、例えば、シリコンから形成されており、被加工物Ｗの形状と同様の形状、即ち略円盤形状を有している。ベース基板１０２の直径は、被加工物Ｗの直径と同様の直径であり、例えば、３００ｍｍである。測定器１００の形状及び寸法は、このベース基板１０２の形状及び寸法によって規定される。したがって、測定器１００は、被加工物Ｗの形状と同様の形状を有し、且つ、被加工物Ｗの寸法と同様の寸法を有する。また、ベース基板１０２のエッジには、ノッチ１０２Ｎ（或いは、別のマーカー）が形成されている。
ベース基板１０２は、下側部分１０２ａ及び上側部分１０２ｂを有している。下側部分１０２ａは、測定器１００が静電チャックＥＳＣの上方に配置されるときに、上側部分１０２ｂよりも静電チャックＥＳＣの近くに位置する部分である。ベース基板１０２の下側部分１０２ａには、静電容量測定用の複数の第１センサ１０４Ａ〜１０４Ｄが設けられている。なお、測定器１００に設けられる第１センサの個数は、三個以上の任意の個数であり得る。複数の第１センサ１０４Ａ〜１０４Ｄは、ベース基板１０２のエッジに沿って、例えば当該エッジの全周において等間隔に、配列されている。具体的には、複数の第１センサ１０４Ａ〜１０４Ｄの各々の前側端面１０４ｆがベース基板１０２の下側部分１０２ａのエッジに沿うように設けられている。
ベース基板１０２の上側部分１０２ｂの上面は、凹部１０２ｒを提供している。凹部１０２ｒは、中央領域１０２ｃ及び複数の放射領域１０２ｈを含んでいる。中央領域１０２ｃは、中心軸線ＡＸ１００と交差する領域である。中心軸線ＡＸ１００は、ベース基板１０２の中心を板厚方向に通過する軸線である。中央領域１０２ｃには、回路基板１０６が設けられている。複数の放射領域１０２ｈは、中央領域１０２ｃから複数の第１センサ１０４Ａ〜１０４Ｄが配置されている領域の上方まで中心軸線ＡＸ１００に対して放射方向に延在している。複数の放射領域１０２ｈには、複数の第１センサ１０４Ａ〜１０４Ｄと回路基板１０６とをそれぞれ電気的に接続するための配線群１０８Ａ〜１０８Ｄが設けられている。なお、複数の第１センサ１０４Ａ〜１０４Ｄはベース基板１０２の上側部分１０２ｂに設けられていてもよい。
また、ベース基板１０２には、静電容量測定用の複数の第２センサ１０５Ａ〜１０５Ｃが設けられている。なお、測定器１００に設けられる第２センサの個数は、一以上の任意の個数であり得る。一実施形態では、三つの第２センサ１０５Ａ〜１０５Ｃが、ベース基板１０２の中心軸線ＡＸ１００を共有する円に沿って、周方向に等間隔で配置されている。なお、第２センサ１０５Ａ〜１０５Ｃの各々の後述の底部電極と中心軸線ＡＸ１００との間の距離は、載置台ＰＤの中心軸線とリフトピン２５ａの各々との間の距離に略一致し得る。
以下、第１センサについて詳細に説明する。図７は、センサの一例を示す斜視図である。図８は、図７のＶＩＩＩ−ＶＩＩＩ線に沿ってとった断面図であり、センサと共に測定器のベース基板及びフォーカスリングを示している。図９は、図８のＩＸ−ＩＸ線に沿ってとった断面図である。図７〜図９に示す第１センサ１０４は、測定器１００の複数の第１センサ１０４Ａ〜１０４Ｄとして利用されるセンサであり、一例では、チップ状の部品として構成されている。なお、以下の説明では、ＸＹＺ直交座標系を適宜参照する。Ｘ方向は、第１センサ１０４の前方向を示しており、Ｙ方向は、Ｘ方向に直交する一方向であって第１センサ１０４の幅方向を示しており、Ｚ方向は、Ｘ方向及びＹ方向に直交する方向であって第１センサ１０４の上方向を示している。
図７〜図９に示すように、第１センサ１０４は、前側端面１０４ｆ、上面１０４ｔ、下面１０４ｂ、一対の側面１０４ｓ、及び、後側端面１０４ｒを有している。前側端面１０４ｆは、Ｘ方向において第１センサ１０４の前側表面を構成している。第１センサ１０４は、前側端面１０４ｆが中心軸線ＡＸ１００に対して放射方向に向くように、測定器１００のベース基板１０２に搭載される（図５参照）。また、第１センサ１０４がベース基板１０２に搭載されている状態では、前側端面１０４ｆは、ベース基板１０２のエッジに沿って延在する。したがって、測定器１００が静電チャックＥＳＣ上に配置されるときに、前側端面１０４ｆは、フォーカスリングＦＲの内縁に対面する。
後側端面１０４ｒは、Ｘ方向において第１センサ１０４の後側表面を構成している。第１センサ１０４がベース基板１０２に搭載されている状態では、後側端面１０４ｒは、前側端面１０４ｆよりも中心軸線ＡＸ１００の近くに位置する。上面１０４ｔはＺ方向において第１センサ１０４の上側表面を構成しており、下面１０４ｂはＺ方向において第１センサ１０４の下側表面を構成している。また、一対の側面１０４ｓは、Ｙ方向において第１センサ１０４の表面を構成している。
第１センサ１０４は、電極（側部電極）１４３を有している。第１センサ１０４は、電極１４１及び電極１４２を更に有していてもよい。電極１４１は、導体から形成されている。電極１４１は、第１部分１４１ａを有している。図７及び図８に示すように、第１部分１４１ａは、Ｘ方向及びＹ方向に延在している。
電極１４２は、導体から形成されている。電極１４２は、第２部分１４２ａを有している。第２部分１４２ａは、第１部分１４１ａの上で延在している。第１センサ１０４内において、電極１４２は、電極１４１から絶縁されている。図７及び図８に示すように、第２部分１４２ａは、第１部分１４１ａの上で、Ｘ方向及びＹ方向に延在している。
電極１４３は、導体から形成されたセンサ電極である。電極１４３は、電極１４１の第１部分１４１ａ及び電極１４２の第２部分１４２ａの上に設けられている。電極１４３は、第１センサ１０４内において電極１４１及び電極１４２から絶縁されている。電極１４３は、前面１４３ｆを有している。この前面１４３ｆは、第１部分１４１ａ及び第２部分１４２ａに交差する方向に延びている。また、前面１４３ｆは、第１センサ１０４の前側端面１０４ｆに沿って延在している。一実施形態では、前面１４３ｆは、第１センサ１０４の前側端面１０４ｆの一部を構成している。或いは、第１センサ１０４は、電極１４３の前面１４３ｆの前側に当該前面１４３ｆを覆う絶縁膜を有していてもよい。
図７〜図９に示すように、電極１４１及び電極１４２は、電極１４３の前面１４３ｆが配置されている領域の側（Ｘ方向）で開口し、且つ、電極１４３の周囲を囲むように延在していてもよい。即ち、電極１４１及び電極１４２は、電極１４３の上方、後方、及び、側方において、当該電極１４３を囲むように延在していてもよい。
また、第１センサ１０４の前側端面１０４ｆは、所定の曲率を有する曲面であり得る。この場合に、前側端面１０４ｆは、当該前側端面の任意の位置で一定の曲率を有しており、当該前側端面１０４ｆの曲率は、測定器１００の中心軸線ＡＸ１００と当該前側端面１０４ｆとの間の距離の逆数であり得る。この第１センサ１０４は、前側端面１０４ｆの曲率中心が中心軸線ＡＸ１００に一致するように、ベース基板１０２に搭載される。
また、第１センサ１０４は、基板部１４４、絶縁領域１４６〜１４８、パッド１５１〜１５３、及び、ヴィア配線１５４を更に有し得る。基板部１４４は、本体部１４４ｍ及び表層部１４４ｆを有している。本体部１４４ｍは、例えばシリコンから形成されている。表層部１４４ｆは、本体部１４４ｍの表面を覆っている。表層部１４４ｆは、絶縁材料から形成されている。表層部１４４ｆは、例えば、シリコンの熱酸化膜である。
電極１４２の第２部分１４２ａは、基板部１４４の下方において延在しており、基板部１４４と電極１４２との間には、絶縁領域１４６が設けられている。絶縁領域１４６は、例えば、ＳｉＯ２、ＳｉＮ、Ａｌ２Ｏ３、又は、ポリイミドから形成されている。
電極１４１の第１部分１４１ａは、基板部１４４及び電極１４２の第２部分１４２ａの下方において延在している。電極１４１と電極１４２との間には絶縁領域１４７が設けられている。絶縁領域１４７は、例えば、ＳｉＯ２、ＳｉＮ、Ａｌ２Ｏ３、又は、ポリイミドから形成されている。
絶縁領域１４８は、第１センサ１０４の上面１０４ｔを構成している。絶縁領域１４８は、例えば、ＳｉＯ２、ＳｉＮ、Ａｌ２Ｏ３、又は、ポリイミドから形成されている。この絶縁領域１４８には、パッド１５１〜１５３が形成されている。パッド１５３は、導体から形成されており、電極１４３に接続されている。具体的には、絶縁領域１４６、電極１４２、絶縁領域１４７、及び、電極１４１を貫通するヴィア配線１５４によって、電極１４３とパッド１５３が互いに接続されている。ヴィア配線１５４の周囲には絶縁体が設けられており、当該ヴィア配線１５４は電極１４１及び電極１４２から絶縁されている。パッド１５３は、ベース基板１０２内に設けられたヴィア配線１２３、及び、凹部１０２ｒの放射領域１０２ｈに設けられた配線１８３を介して回路基板１０６に接続されている。パッド１５１及びパッド１５２も同様に導体から形成されている。パッド１５１及びパッド１５２はそれぞれ、対応のヴィア配線を介して、電極１４１、電極１４２に接続されている。また、パッド１５１及びパッド１５２は、ベース基板１０２に設けられた対応のヴィア配線及び凹部１０２ｒの放射領域１０２ｈに設けられた対応の配線を介して回路基板１０６に接続される。
以下、第２センサについて詳細に説明する。図１０は、図６のＸ−Ｘ線に沿ってとった断面図である。なお、図１０では、リフトピン２５ａによって測定器１００が支持されている状態を示している。以下、図５、図６、及び、図１０を参照する。第２センサ１０５Ａ〜１０５Ｃの各々は、底部電極１６１を含んでいる。一実施形態では、第２センサ１０５Ａ〜１０５Ｃの各々は、周辺電極１６２ａ〜１６２ｄ、及び、貫通電極１６５ａ〜１６５ｅを更に含んでいる。底部電極１６１及び周辺電極１６２ａ〜１６２ｄは、ベース基板１０２の底面に沿って形成されている。貫通電極１６５ａ〜１６５ｅは、ベース基板１０２を貫通している。底部電極１６１、周辺電極１６２ａ〜１６２ｄ、及び、貫通電極１６５ａ〜１６５ｅは、導体から形成されている。
底部電極１６１は、円形状を有し得る。底部電極１６１の大きさは、例えばリフトピン２５ａの上端面の大きさと略同じである。周辺電極１６２ａ〜１６２ｄは、底部電極１６１を囲む円上に配列されている。周辺電極１６２ａ〜１６２ｄの各々は、底部電極１６１１の中心を共有し且つ異なる半径を有する二つの円弧によって規定される平面形状を有している。また、周辺電極１６２ａ〜１６２ｄは、底部電極１６１の中心に対して周方向に配列されている。ベース基板１０２の底面には、絶縁膜１６９が形成されている。絶縁膜１６９は、底部電極１６１及び周辺電極１６２ａ〜１６２ｄを覆っている。この絶縁膜１６９は、例えばＳｉＯ２、ＳｉＮ、Ａｌ２Ｏ３、又は、ポリイミドから形成されている。
複数の貫通電極１６５ａ〜１６５ｅの一端は、周辺電極１６２ａ〜１６２ｄ及び底部電極１６１にそれぞれ接続されている。また、複数の貫通電極１６５ａ〜１６５ｅのそれぞれの他端は、回路基板１０６に電気的に接続されている（図５参照）。複数の貫通電極１６５ａ〜１６５ｅは、例えばＴＳＶ（Ｔｈｒｏｕｇｈ−Ｓｉｌｉｃｏｎ Ｖｉａ）技術を用いて形成され得る。
以下、回路基板１０６の構成について説明する。図１１は、測定器の回路基板の構成を例示する図である。図１１に示すように、回路基板１０６は、高周波発振器１７１、複数のＣ／Ｖ変換回路１７２Ａ〜１７２Ｄ、複数のＣ／Ｖ変換回路１８０Ａ〜１８０Ｏ、Ａ／Ｄ変換器１７３、プロセッサ１７４、記憶装置１７５、通信装置１７６、及び、電源１７７を有している。
複数の第１センサ１０４Ａ〜１０４Ｄの各々は、複数の配線群１０８Ａ〜１０８Ｄのうち対応の配線群を介して回路基板１０６に接続されている。また、複数の第１センサ１０４Ａ〜１０４Ｄの各々は、対応の配線群に含まれる幾つかの配線を介して、複数のＣ／Ｖ変換回路１７２Ａ〜１７２Ｄのうち対応のＣ／Ｖ変換回路に接続されている。また、複数の第２センサ１０５Ａ〜１０５Ｃの各々は、複数の配線１８４を介して、複数のＣ／Ｖ変換回路１８０Ａ〜１８０Ｏのうち対応のＣ／Ｖ変換回路（一実施形態では五つのＣ／Ｖ変換回路）に接続されている。以下、複数の第１センサ１０４Ａ〜１０４Ｄの各々と同構成の一つの第１センサ１０４、複数の配線群１０８Ａ〜１０８Ｄの各々と同構成の一つの配線群１０８、複数のＣ／Ｖ変換回路１７２Ａ〜１７２Ｓの各々と同構成の一つのＣ／Ｖ変換回路１７２、複数の第２センサ１０５Ａ〜１０５Ｃの各々と同構成の一つの第２センサ１０５、及び、複数のＣ／Ｖ変換回路１８０Ａ〜１８０Ｏの各々と同構成のＣ／Ｖ変換回路１８０について説明する。
配線群１０８は、配線１８１〜１８３を含んでいる。配線１８１の一端は、電極１４１に接続されたパッド１５１に接続されている。この配線１８１は、回路基板１０６のグランドＧＣに接続されたグランド電位線ＧＬに接続されている。なお、配線１８１は、グランド電位線ＧＬにスイッチＳＷＧを介して接続されていてもよい。また、配線１８２の一端は、電極１４２に接続されたパッド１５２に接続されており、配線１８２の他端はＣ／Ｖ変換回路１７２に接続されている。また、配線１８３の一端は、電極１４３に接続されたパッド１５３に接続されており、配線１８３の他端はＣ／Ｖ変換回路１７２に接続されている。
第２センサ１０５の周辺電極１６２ａ〜１６２ｄ及び底部電極１６１は、回路基板１０６に対して個別に接続されている。即ち、周辺電極１６２ａ〜１６２ｄにそれぞれ接続された貫通電極１６５ａ〜１６５ｄと、底部電極１６１に接続された貫通電極１６５ｅとは、個別の配線１８４を介して複数のＣ／Ｖ変換回路１８０（一実施形態では五つのＣ／Ｖ変換回路）にそれぞれ接続されている。
高周波発振器１７１は、バッテリーといった電源１７７に接続されており、当該電源１７７からの電力を受けて高周波信号を発生するよう構成されている。なお、電源１７７は、プロセッサ１７４、記憶装置１７５、及び、通信装置１７６にも接続されている。高周波発振器１７１は、複数の出力線を有している。高周波発振器１７１は、発生した高周波信号を複数の出力線を介して、配線１８２、配線１８３、及び、配線１８４に与えるようになっている。したがって、高周波発振器１７１は、第１センサ１０４の電極１４２及び電極１４３に電気的に接続されており、当該高周波発振器１７１からの高周波信号は、電極１４２及び電極１４３に与えられるようになっている。また、高周波発振器１７１は、第２センサ１０５の底部電極１６１及び周辺電極１６２ａ〜１６２ｄに電気的に接続されており、当該高周波発振器１７１からの高周波信号は、底部電極１６１及び周辺電極１６２ａ〜１６２ｄに与えられるようになっている。
Ｃ／Ｖ変換回路１７２の入力には配線１８２及び配線１８３が接続されている。即ち、Ｃ／Ｖ変換回路１７２の入力には、第１センサ１０４の電極１４２及び電極１４３が接続されている。また、複数のＣ／Ｖ変換回路１８０の入力には、底部電極１６１及び周辺電極１６２ａ〜１６２ｄがそれぞれ接続されている。Ｃ／Ｖ変換回路１７２及びＣ／Ｖ変換回路１８０は、その入力における電圧振幅から、当該入力に接続された電極の静電容量を表す電圧信号を生成し、当該電圧信号を出力するよう構成されている。なお、Ｃ／Ｖ変換回路１７２に接続された電極の静電容量が大きいほど、当該Ｃ／Ｖ変換回路１７２が出力する電圧信号の電圧の大きさは大きくなる。同様に、Ｃ／Ｖ変換回路１８０に接続された電極の静電容量が大きいほど、当該Ｃ／Ｖ変換回路１８０が出力する電圧信号の電圧の大きさは大きくなる。
Ａ／Ｄ変換器１７３の入力には、複数のＣ／Ｖ変換回路１７２Ａ〜１７２Ｄ及び複数のＣ／Ｖ変換回路１８０Ａ〜１８０Ｏの出力が接続している。また、Ａ／Ｄ変換器１７３は、プロセッサ１７４に接続している。Ａ／Ｄ変換器１７３は、プロセッサ１７４からの制御信号によって制御され、複数のＣ／Ｖ変換回路１７２Ａ〜１７２Ｄの出力信号（電圧信号）及び複数のＣ／Ｖ変換回路１８０Ａ〜１８０Ｏの出力信号（電圧信号）を、デジタル値に変換する。即ち、Ａ／Ｄ変換器１７３は、電極１４３の静電容量を表す第１の測定値を生成する。また、Ａ／Ｄ変換器１７３は、底部電極１６１の静電容量を表す第２の測定値を生成し、周辺電極１６２ａ〜１６２ｄそれぞれの静電容量を表す複数の第３の測定値を生成する。Ａ／Ｄ変換器１７３は、第１の測定値、第２の測定値、及び、第３の測定値をプロセッサ１７４に出力する。
プロセッサ１７４には記憶装置１７５が接続されている。記憶装置１７５は、揮発性メモリといった記憶装置であり、後述する測定データを記憶するよう構成されている。また、プロセッサ１７４には、別の記憶装置１７８が接続されている。記憶装置１７８は、不揮発性メモリといった記憶装置であり、プロセッサ１７４によって読み込まれて実行されるプログラムが記憶されている。
通信装置１７６は、任意の無線通信規格に準拠した通信装置である。例えば、通信装置１７６は、Ｂｌｕｅｔｏｏｔｈ（登録商標）に準拠している。通信装置１７６は、記憶装置１７５に記憶されている測定データを無線送信するように構成されている。
プロセッサ１７４は、上述したプログラムを実行することにより、測定器１００の各部を制御するように構成されている。例えば、プロセッサ１７４は、電極１４２、電極１４３、底部電極１６１、及び、周辺電極１６２ａ〜１６２ｄに対する高周波発振器１７１からの高周波信号の供給、記憶装置１７５に対する電源１７７からの電力供給、通信装置１７６に対する電源１７７からの電力供給等を制御するようになっている。さらに、プロセッサ１７４は、上述したプログラムを実行することにより、第１〜第３の測定値の取得、第１〜第３の測定値の記憶装置１７５への記憶、及び、第１〜第３の測定値の送信等を実行するようになっている。
以上説明した測定器１００では、第１センサ１０４Ａ〜１０４Ｄによって提供される複数の電極１４３（側部電極）がベース基板１０２のエッジに沿って配列されている。測定器１００がフォーカスリングＦＲによって囲まれた領域に配置されている状態では、複数の電極１４３はフォーカスリングＦＲの内縁と対面する。これら電極１４３における電圧振幅から生成される複数の第１の測定値は、複数の電極１４３それぞれとフォーカスリングとの間の距離を反映する静電容量を表している。なお、静電容量Ｃは、Ｃ＝εＳ／ｄで表される。εは電極１４３の前面１４３ｆとフォーカスリングＦＲの内縁との間の媒質の誘電率であり、Ｓは電極１４３の前面１４３ｆの面積であり、ｄは電極１４３の前面１４３ｆとフォーカスリングＦＲの内縁との間の距離と見なすことができる。したがって、測定器１００によれば、被加工物Ｗを模した当該測定器１００とフォーカスリングＦＲとの相対的な位置関係を反映する測定データが得られる。例えば、測定器１００によって取得される複数の第１の測定値は、電極１４３の前面１４３ｆとフォーカスリングＦＲの内縁との間の距離が大きくなるほど、小さくなる。
また、測定器１００では、第２センサ１０５Ａ〜１０５Ｃそれぞれの底部電極１６１が、ベース基板１０２の底面に沿って配置されている。底部電極１６１における電圧振幅から生成される第２の測定値は、底部電極１６１と測定器１００の下方にある物体との間の静電容量を表している。即ち、第２の測定値は、底部電極１６１と測定器１００の下方にある物体との相対的位置関係を反映している。一実施形態では、第２の測定値は、底部電極１６１と測定器１００の下方にある物体であるリフトピン２５ａとの相対的位置関係を反映している。具体的には、第２の測定値は、底部電極１６１とリフトピン２５ａの先端とが対面しているときには、大きくなり、一方、底部電極１６１の位置がリフトピン２５ａの先端位置からずれている場合には、小さくなる。上述したように、第２センサ１０５Ａ〜１０５Ｃのそれぞれ底部電極１６１と測定器１００の中心軸線ＡＸ１００との間の位置関係は、載置台ＰＤの中心軸線とリフトピン２５ａのそれぞれとの位置関係に略一致している。したがって、第２の測定値が所定値以上の値である場合には、リフトピン２５ａの下降によって測定器１００は、フォーカスリングＦＲによって囲まれた領域に配置されたものと確認され得る。故に、第２の測定値によれば、測定器１００がフォーカスリングＦＲに囲まれた領域内で載置台ＰＤ上に配置されたか否かを確認することができる。かかる第２の測定値を用いることにより、上述した第１の測定値の信頼性を確認することが可能となる。したがって、測定器１００によれば、被加工物Ｗを模した当該測定器１００とフォーカスリングＦＲとの位置関係を反映する信頼性の高いデータを取得することが可能となる。
また、第２センサ１０５Ａ〜１０５Ｃの各々には、底部電極１６１を囲むように周辺電極１６２ａ〜１６２ｄが設けられている。これら周辺電極１６２ａ〜１６２ｄのそれぞれにおける電圧振幅から求められる複数の第３の測定値を第２の測定値と共に用いることにより、測定器１００がフォーカスリングＦＲに囲まれた領域内で載置台ＰＤ上に配置されたか否かをより正確に確認することができる。
また、上述したように、測定器１００に搭載される第１センサ１０４では、電極１４３（センサ電極）が、電極１４１の上に設けられており、電極１４１と電極１４３との間には電極１４２の第２部分が介在している。この第１センサ１０４の利用時には、スイッチＳＷＧが閉じられて電極１４１の電位がグランド電位に設定され、電極１４２と電極１４３には高周波信号が供給される。このとき、電極１４３の電圧振幅は、当該電極１４３に対して電極１４１が設けられている方向、即ち第１センサ１０４の下方からの静電容量の影響を受けず、特定方向、即ち、電極１４３の前面１４３ｆが向いている方向（Ｘ方向）における静電容量を反映した電圧振幅となる。したがって、第１センサ１０４によれば、特定方向に高い指向性をもって静電容量を測定することが可能となる。
また、電極１４１及び電極１４２は、電極１４３の前面が配置されている領域の側（Ｘ方向）で開口し、且つ、電極１４３の周囲を囲むように延在している。したがって、電極１４１及び電極１４２によって、電極１４３が特定方向以外の方向に対して遮蔽される。故に、静電容量の測定において、特定方向に対する第１センサ１０４の指向性が更に向上される。
また、第１センサ１０４の前側端面１０４ｆは所定の曲率を有する曲面として構成されており、電極１４３の前面１４３ｆは、前側端面１０４ｆに沿って延在している。したがって、電極１４３の前面１４３ｆの各位置とフォーカスリングＦＲの内縁との間の径方向の距離を略等距離に設定することができる。故に、静電容量の測定の精度が更に向上される。
以下、測定器１００に搭載することができる第１センサの別の例について説明する。図１２は、第１センサの別の例を示す縦断面図である。図１２には、第１センサ２０４の縦断面図が示されており、また、第１センサ２０４と共にフォーカスリングＦＲが示されている。
第１センサ２０４は、電極２４１、電極２４２、及び、電極２４３を有している。第１センサ２０４は、基板部２４４及び絶縁領域２４７を更に有し得る。基板部２４４は、本体部２４４ｍ及び表層部２４４ｆを有している。本体部２４４ｍは、例えばシリコンから形成されている。表層部２４４ｆは本体部２４４ｍの表面を覆っている。表層部２４４ｆは絶縁材料から形成されている。表層部２４４ｆは、例えば、シリコンの熱酸化膜である。
基板部２４４は、上面２４４ａ、下面２４４ｂ、及び、前側端面２４４ｃを有している。電極２４２は、基板部２４４の下面２４４ｂの下方に設けられており、Ｘ方向及びＹ方向に延在している。また、電極２４１は、絶縁領域２４７を介して電極２４２の下方に設けられており、Ｘ方向及びＹ方向に延在している。
基板部２４４の前側端面２４４ｃは、段状に形成されている。前側端面２４４ｃの下側部分２４４ｄは、当該前側端面２４４ｃの上側部分２４４ｕよりもフォーカスリングＦＲの側に向けて突出している。電極２４３は、前側端面２４４ｃの上側部分２４４ｕに沿って延在している。
この第１センサ２０４を測定器１００のセンサとして用いる場合には、電極２４１が配線１８１に接続され、電極２４２が配線１８２に接続され、電極２４３が配線１８３に接続される。
第１センサ２０４においては、センサ電極である電極２４３が、電極２４１及び電極２４２によって、第１センサ２０４の下方に対して遮蔽されている。したがって、この第１センサ２０４によれば、特定方向、即ち、電極２４３の前面２４３ｆが向いている方向（Ｘ方向）に高い指向性をもって静電容量を測定することが可能となる。
以下、第２センサ１０５Ａ〜１０５Ｃに代えて測定器１００に搭載することができる第２センサの別の例について説明する。図１３の（ａ）は、別の例の第２センサの複数の電極を測定器の底面側から見て示す平面図であり、図１３の（ｂ）は第２センサを測定器の上面側からみて示す平面図である。また、図１４は、図１３の（ｂ）のＸＩＶ−ＸＩＶ線に沿ってとった断面図である。なお、図１４では、リフトピン２５ａによって測定器１００が支持されている状態を示している。
第２センサ３０５は、複数の電極３６５を含んでいる。複数の電極３６５は、ベース基板１０２の上面から当該ベース基板１０２の板厚方向に延びるよう、ベース基板１０２に設けられている。第２センサ３０５では、複数の電極３６５は、ベース基板１０２を貫通している。複数の電極３６５の各々は、ベース基板１０２の底面の側に端面３６５ａを提供している。複数の電極３６５の端面３６５ａは、底部電極及び複数の周辺電極を構成している。具体的には、図１３の（ａ）に示すように、複数の電極３６５の端面３６５ａのうち、中央の円形の領域３６１内に存在する幾つかの電極３６５の端面３６５ａは底部電極を構成している。また、領域３６１を囲む周辺領域３６２ａ〜３６２ｄのそれぞれに存在する幾つかの電極３６５の端面３６５ａが、周辺電極を構成している。なお、図１３に示す例では、周辺領域の個数は四つである。これらの周辺領域３６２ａ〜３６２ｄは、異なる半径を有する二つの円弧によって規定され、領域３６１の中心に対して周方向に配列されている。図１４に示すように、ベース基板１０２の底面には、絶縁膜１６９が形成されている。この絶縁膜１６９は、複数の電極３６５の端面３６５ａを覆っている。
ベース基板１０２の上面には、周辺領域３６２ａ〜３６２ｄ及び領域３６１にそれぞれ対向し、且つ、周辺領域３６２ａ〜３６２ｄ及び領域３６１とそれぞれ略同形状を有するパターン電極３６６ａ〜３６６ｅが形成されている。周辺領域３６２ａにおいて端面３６５ａを提供する電極３６５は、パターン電極３６６ａに接続している。周辺領域３６２ｂにおいて端面３６５ａを提供する電極３６５は、パターン電極３６６ｂに接続している。周辺領域３６２ｃにおいて端面３６５ａを提供する電極３６５は、パターン電極３６６ｃに接続している。周辺領域３６２ｄにおいて端面３６５ａを提供する電極３６５は、パターン電極３６６ｄに接続している。また、領域３６１において端面３６５ａを提供する電極３６５は、パターン電極３６６ｅに接続している。上述した第２センサ１０５Ａ〜１０５Ｃの各々の作成においては貫通電極１６５ａ〜１６５ｅとは別に底部電極及び周辺電極を形成する工程が必要である。一方、第２センサ３０５では貫通電極１６５ａ〜１６５ｅと同様にベース基板１０２の板厚方向に延びる複数の電極３６５が底部電極及び周辺電極を提供するので、第２センサ３０５の作成においては底部電極及び周辺電極を形成する別途の工程が不要となる。
以下、第２センサ１０５Ａ〜１０５Ｃに代えて測定器１００に搭載することができる第２センサの更に別の例について説明する。図１５は、第２センサの更に別の例を示す断面図である。
図１５に示す第２センサ４０５は、複数の電極４６５を有している。複数の電極４６５は、ベース基板１０２の上面から当該ベース基板１０２の板厚方向に延びるよう、ベース基板１０２に設けられている。第２センサ４０５では、複数の電極４６５は、ベース基板１０２の上面と底面との間の途中において端面４６５ａを提供している。第２センサ３０５の複数の電極３６５の端面３６５ａと同様に、複数の電極４６５の端面４６５ａは、底部電極及び複数の周辺電極を構成している。第２センサ４０５を搭載する測定器１００では、ベース基板１０２は、例えばガラス基板であり得る。第２センサ４０５の作成においても、底部電極及び複数の周辺電極を別途に形成する工程が不要となる。
以下、第２センサ１０５Ａ〜１０５Ｃに代えて測定器１００に搭載することができる第２センサの更に別の例について説明する。図１６は、第２センサの更に別の例を示す断面図である。
図１６に示す第２センサ５０５は、第２センサ３０５と同様に、領域３６１及び周辺領域３６２ａ〜３６２ｄの各々に配置された複数の電極３６５を有している。そして、第２センサ５０５は、包囲電極３７０ａ〜３７０ｅを更に有している。包囲電極３７０ａ〜３７０ｅは、導体から形成されており、第２センサ５０５内において電極３６５から絶縁されている。包囲電極３７０ａは、周辺領域３６２ａ内に配置された一群の電極３６５の端面３６５ａを一括で囲むようにベース基板の底面に沿って形成されている。包囲電極３７０ａにはベース基板を貫通するヴィア電極３７１ａが接続されている。また、包囲電極３７０ｂは、周辺領域３６２ｂ内に配置された一群の電極３６５の端面３６５ａを一括で囲むようにベース基板の底面に沿って形成されている。包囲電極３７０ｂにはベース基板を貫通するヴィア電極３７１ｂが接続されている。また、包囲電極３７０ｃは、周辺領域３６２ｃ内に配置された一群の電極３６５の端面３６５ａを一括で囲むようにベース基板の底面に沿って形成されている。包囲電極３７０ｃにはベース基板を貫通するヴィア電極３７１ｃが接続されている。また、包囲電極３７０ｄは、周辺領域３６２ｄ内に配置された一群の電極３６５の端面３６５ａを一括で囲むようにベース基板の底面に沿って形成されている。包囲電極３７０ｄにはベース基板を貫通するヴィア電極３７１ｄが接続されている。また、包囲電極３７０ｅは、領域３６１内に配置された一群の電極３６５の端面３６５ａを一括で囲むようにベース基板の底面に沿って形成されている。包囲電極３７０ｅにはベース基板を貫通するヴィア電極３７１ｅが接続されている。ヴィア電極３７１ａ〜３７１ｅの各々には、高周波発振器１７１が電気的に接続されており、包囲電極３７０ａ〜３７０ｅの各々に高周波信号が与えられるようになっている。第２センサ５０５では、一群の電極３６５の端面３６５ａが、包囲電極３７０ａ〜３７０ｅのうち当該一群の電極３６５の端面３６５ａを囲む包囲電極によって、当該包囲電極の外側に対して遮蔽される。したがって、静電容量の測定において、第２センサ５０５の指向性が向上される。
以上、種々の実施形態について説明してきたが、上述した実施形態に限定されることなく種々の変形態様を構成可能である。例えば、プロセスモジュールＰＭ１〜ＰＭ６の例として、プラズマ処理装置を例示したが、プロセスモジュールＰＭ１〜ＰＭ６は、静電チャック及びフォーカスリングを利用するものであれば、任意の処理装置であることができる。また、上述したプラズマ処理装置１０は、容量結合型のプラズマ処理装置であったが、プロセスモジュールＰＭ１〜ＰＭ６として利用可能なプラズマ処理装置は、誘導結合型のプラズマ処理装置、マイクロ波といった表面波を利用するプラズマ処理装置のように、任意のプラズマ処理装置であり得る。
また、上述した実施形態では、複数の第２センサの底部電極と測定器１００の中心軸線ＡＸ１００の位置関係は、載置台ＰＤの中心軸線とリフトピン２５ａとの位置関係に略一致しているが、複数の第２センサの底部電極と測定器１００の中心軸線ＡＸ１００の位置関係は、これに限定されるものではない。例えば、複数の第２センサの底部電極のそれぞれと測定器１００の中心軸線ＡＸ１００との間の距離は、載置台ＰＤの中心軸線と静電チャックのエッジとの間の距離に略一致していてもよい。
以下、このような別の実施形態に係る測定器について説明する。即ち、複数の第２センサの底部電極のそれぞれと測定器の中心軸線ＡＸ１００との間の距離が載置台ＰＤの中心軸線と静電チャックのエッジとの間の距離に略一致する測定器について説明する。なお、当該別の実施形態に係る測定器も図１に示される処理システムにおいて使用され得る。図１７は、測定器を底面側から見て示す平面図である。図１７に示す測定器６００は、ベース基板１０２を備えている。ベース基板１０２の下側部分１０２ａには、静電容量測定用の四個の第１センサ１０４Ａ〜１０４Ｄが設けられている。また、ベース基板１０２の下側部分１０２ａには、図６に示した第２センサ１０５Ａ〜１０５Ｃに代えて、四個の第２センサ６０５Ａ〜６０５Ｄが設けられている。なお、測定器６００に設けられる第２センサの個数は、三以上の任意の個数であり得る。第２センサ６０５Ａ〜６０５Ｄは、ベース基板１０２の中心軸線ＡＸ１００を共有する円に沿って、周方向に等間隔で配置されている。また、第２センサ６０５Ａ〜６０５Ｄと第１センサ１０４Ａ〜１０４Ｄは、周方向において交互に配置されている。四個の第２センサ６０５Ａ〜６０５Ｄの各々は、ベース基板１０２の底面に沿って設けられた底部電極６０６を有している。
図１８は、静電チャックの断面図であり、静電チャックに被加工物が載置された状態を示す。一実施形態では、静電チャックＥＳＣは、導電膜である電極Ｅを一対の絶縁層又は絶縁シート間に配置した構造を有しており、略円盤形状を有している。静電チャックＥＳＣは、被加工物Ｗ及び測定器６００がその上に載置される載置領域Ｒを有している。載置領域Ｒは、円形のエッジを有している。被加工物Ｗ及び測定器６００は、載置領域Ｒの外径よりも大きい外径を有している。
図１９は、図１７の部分拡大図であり、一つの第２センサを示す。底部電極６０６のエッジは部分的に円弧形状をなしている。即ち、底部電極６０６は、中心軸線ＡＸ１００を中心とした異なる半径を有する二つの円弧６０６ａ，６０６ｂによって規定される平面形状を有している。複数の第２センサ６０５Ａ〜６０５Ｄそれぞれの底部電極６０６における径方向外側の円弧６０６ｂは、共通する円上で延在する。また、複数の第２センサ６０５Ａ〜６０５Ｄそれぞれの底部電極６０６における径方向内側の円弧６０６ａは、他の共通する円上で延在する。底部電極６０６のエッジの一部の曲率は、静電チャックＥＳＣ（載置領域Ｒ）のエッジの曲率に一致している。一実施形態では、底部電極６０６における径方向外側のエッジを形成する円弧６０６ｂの曲率が、静電チャックＥＳＣの載置領域Ｒのエッジの曲率に一致している。なお、円弧６０６ｂの曲率中心、即ち、円弧６０６ｂがその上で延在する円の中心は、中心軸線ＡＸ１００を共有している。
一実施形態では、第２センサ６０５Ａ〜６０５Ｄの各々は、底部電極６０６を囲む電極６０７を更に含んでいる。電極６０７は、枠状をなしており、底部電極６０６をその全周にわたって囲んでいる。電極６０７と底部電極６０６は、それらの間に絶縁領域６０８が介在するよう、互いに離間している。また、一実施形態では、第２センサ６０５Ａ〜６０５Ｄの各々は、電極６０７の外側で当該電極６０７を囲む電極６０９を更に含んでいる。電極６０９は、枠状をなしており、電極６０７をその全周にわたって囲んでいる。電極６０７と電極６０９は、それらの間に絶縁領域６１０が介在するよう互いに離間している。
図２０は、測定器の回路基板の構成を例示する図である。測定器６００は、回路基板１０６Ａを有している。回路基板１０６Ａは、測定器１００における回路基板１０６に相当する。図２０に示すように、回路基板１０６Ａは、高周波発振器１７１、複数のＣ／Ｖ変換回路１７２Ａ〜１７２Ｄ、複数のＣ／Ｖ変換回路６８０Ａ〜６８０Ｄ、Ａ／Ｄ変換器１７３、プロセッサ１７４、記憶装置１７５、通信装置１７６、電源１７７、及び、記憶装置１７８を有している。
第２センサ６０５Ａ〜６０５Ｄの底部電極６０６は、対応の配線６８１を介して、Ｃ／Ｖ変換回路６８０Ａ〜６８０Ｄのうち対応のＣ／Ｖ変換回路に接続されている。また、第２センサ６０５Ａ〜６０５Ｄの電極６０７は、対応の配線６８２を介して、Ｃ／Ｖ変換回路６８０Ａ〜６８０Ｄのうち対応のＣ／Ｖ変換回路に接続されている。第２センサ６０５Ａ〜６０５Ｄの各々の底部電極６０６及び電極６０７は、それらに高周波発振器１７１からの高周波信号が与えられるよう、高周波発振器１７１に電気的に接続されている。Ｃ／Ｖ変換回路６８０Ａ〜６８０Ｄの各々は、その入力における電圧振幅から、当該入力に接続された電極の静電容量を表す電圧信号を生成し、当該電圧信号を出力するよう構成されている。また、第２センサ６０５Ａ〜６０５Ｄの電極６０９は、対応の配線６８３を介して、グランド電位線ＧＬに接続されている。なお、配線６８３は、グランド電位線ＧＬにスイッチＳＷＧを介して接続されていてもよい。
Ａ／Ｄ変換器１７３の入力には、複数のＣ／Ｖ変換回路６８０Ａ〜６８０Ｄの出力が接続している。これにより、Ａ／Ｄ変換器１７３は、底部電極６０６の静電容量を表すデジタル値（測定値）を生成する。Ａ／Ｄ変換器１７３は、生成されたデジタル値をプロセッサ１７４に出力する。
以下、測定器６００を用いて処理システム１における搬送位置データを較正する方法について説明する。なお、上述の通り、処理システム１における搬送装置ＴＵ２は、制御部ＭＣによって制御される。一実施形態では、搬送装置ＴＵ２は、制御部ＭＣから送信される搬送位置データに基づき静電チャックＥＳＣの載置領域Ｒ上に被加工物Ｗ及び測定器６００を搬送し得る。図２１は、一実施形態に係る処理システムの搬送装置の較正方法を示す流れ図である。
図２１に示す方法ＭＴでは、まず、工程ＳＴ１が実行される。工程ＳＴ１では、搬送位置データによって特定される載置領域Ｒ上の位置に、搬送装置ＴＵ２によって測定器６００が搬送される。具体的には、搬送装置ＴＵ１が、ロードロックモジュールＬＬ１及びロードロックモジュールＬＬ２のうち一方のロードロックモジュールに測定器６００を搬送する。そして、搬送装置ＴＵ２が、搬送位置データに基づいて、一方のロードロックモジュールから、プロセスモジュールＰＭ１〜ＰＭ６のうち何れかに測定器６００を搬送し、当該測定器６００を静電チャックＥＳＣの載置領域Ｒ上に載置する。搬送位置データは、例えば載置領域Ｒの中心位置に測定器６００の中心軸線ＡＸ１００の位置が一致するように予め定められた座標データである。
続く工程ＳＴ２では、測定器６００が静電容量の測定を行う。具体的には、測定器６００は、静電チャックＥＳＣの載置領域Ｒと第２センサ６０５Ａ〜６０５Ｄのそれぞれの底部電極６０６との間の静電容量の大きさに応じた複数のデジタル値（測定値）を取得し、当該複数のデジタル値を記憶装置１７５に記憶する。なお、複数のデジタル値は、プロセッサ１７４による制御の下で予め定められたタイミングで取得され得る。一実施形態では、第２センサ６０５Ａ〜６０５Ｄによる静電容量の測定のタイミングで、第１センサ１０４Ａ〜１０４Ｄによる静電容量の測定が実行されてもよい。
続く工程ＳＴ３では、測定器６００がプロセスモジュールから搬出され、トランスファーモジュールＴＦ、ロードロックモジュールＬＬ１，ＬＬ２、ローダモジュールＬＭ及び容器４ａ〜４ｄの何れかに戻される。続く工程ＳＴ４では、測定器６００が搬送された載置領域Ｒ上の位置と載置領域Ｒ上の所定の搬送位置との誤差が導出される。なお、所定の搬送位置は、載置領域Ｒの中心位置であり得る。一実施形態の工程ＳＴ３では、まず、記憶装置１７５に記憶されている複数のデジタル値が制御部ＭＣに送信される。複数のデジタル値は、制御部ＭＣからの指令によって通信装置１７６から制御部ＭＣに送信されてもよく、或いは、回路基板１０６Ａに設けられたタイマのカウントに基づくプロセッサ１７４の制御により、所定のタイミングで制御部ＭＣに送信されてもよい。続いて、制御部ＭＣが、受信した複数のデジタル値に基づき、測定器６００の搬送位置の誤差を導出する。一実施形態では、制御部ＭＣは、載置領域Ｒ上の測定器６００の搬送位置と第２センサ６０５Ａ〜６０５Ｄによって取得されるデジタル値との関係を示すデータテーブルを有している。このデータテーブルには、例えば、載置領域Ｒの各径方向における底部電極６０６の位置と当該位置における底部電極６０６の静電容量を表すデジタル値との関係が登録されている。
図２２は、静電チャックの載置領域に対する測定器の搬送位置を示す図である。図２２の（ａ）は、所定の搬送位置に測定器６００が搬送された場合における載置領域Ｒと一つの底部電極６０６との位置関係を示す。図２２の（ｂ），（ｃ）は、所定の搬送位置からずれて測定器６００が搬送された場合における載置領域Ｒと一つの底部電極６０６との位置関係を示す。図２２の（ｂ）に示すように、底部電極６０６が載置領域Ｒに対して載置領域Ｒの径方向の外側にずれた場合、底部電極６０６によって測定される静電容量は、所定の搬送位置に測定器６００が搬送された場合（図２２の（ａ））の静電容量に比べて小さくなる。図２２の（ｃ）に示すように、底部電極６０６が載置領域Ｒに対して載置領域Ｒの径方向の内側にずれた場合、電極Ｅの影響によって、底部電極６０６によって測定される静電容量は、所定の搬送位置に測定器６００が搬送された場合（図２２の（ａ））の静電容量に比べて大きくなる。したがって、第２センサ６０５Ａ〜６０５Ｄの各々の底部電極６０６の静電容量を表すデジタル値を用いてデータテーブルを参照することによって、載置領域Ｒの各径方向における各底部電極６０６のずれ量を求めることができる。そして、各径方向における第２センサ６０５Ａ〜６０５Ｄの各々の底部電極６０６のずれ量から、測定器６００の搬送位置の誤差を求めることができる。
測定器６００の搬送位置の誤差が、所定の閾値よりも大きい場合には、続く工程ＳＴ５において、搬送位置データの較正が必要であると判定される。この場合、工程ＳＴ６において、誤差を除去するように搬送位置データが制御部ＭＣによって修正される。そして、工程ＳＴ７において、直前に測定器６００が搬送されていたプロセスモジュールと同じプロセスモジュールに再び測定器６００が搬送され、工程ＳＴ２〜工程ＳＴ５が再度実行される。一方、測定器６００の搬送位置の誤差が、所定の閾値よりも小さい場合には、工程ＳＴ５において、搬送位置データの較正が必要ないものと判定される。この場合、工程ＳＴ８において、次に測定器６００が搬送されるべき別のプロセスモジュールに測定器６００を搬送するか否かが判定される。次に測定器６００が搬送されるべき別のプロセスモジュールが残っている場合には、続く工程ＳＴ９において、当該別のプロセスモジュールに測定器６００が搬送され、工程ＳＴ２〜工程ＳＴ５が実行される。一方、次に測定器６００が搬送されるべき別のプロセスモジュールが残っていない場合には、方法ＭＴが終了する。
このように測定器６００を用いる方法ＭＴによれば、搬送装置ＴＵ２による搬送に利用される搬送位置データの較正において利用可能な複数のデジタル値が測定器６００によって提供される。かかる複数のデジタル値を用いることにより、必要に応じて搬送位置データを較正することが可能となる。このように較正された搬送位置データを搬送装置ＴＵ２による被加工物Ｗの搬送に用いることにより、被加工物Ｗを所定の搬送位置に搬送することが可能となる。
また、一実施形態では、第２センサ６０５Ａ〜６０５Ｄの各々の底部電極６０６が、ベース基板１０２の中心軸線ＡＸ１００を共有する円に沿って配置されている。この場合には、所定の搬送位置である載置領域Ｒの中心にベース基板１０２の中心軸線ＡＸ１００が一致するように測定器６００が搬送された場合には、第２センサ６０５Ａ〜６０５Ｄそれぞれの底部電極６０６の静電容量を表すデジタル値は理想的には同一になる。したがって、容易に測定器６００の搬送位置の誤差を求めることができる。
また、第２センサ６０５Ａ〜６０５Ｄの各々の底部電極６０６のエッジの一部は、円弧形状を有しており、載置領域Ｒの直径と略一致する直径を有する円上で延在している。また、底部電極６０６のエッジの当該一部の曲率は、載置領域Ｒのエッジの曲率に一致している。したがって、測定器６００の搬送位置と所定の搬送位置との間の各径方向におけるずれ量を精度良く測定することができる。
１００…測定器、１０２…ベース基板、１０４…第１センサ、１０４Ａ〜１０４Ｄ…第１センサ、１０５…第２センサ、１０５Ａ〜１０５Ｃ…第２センサ、１４３…電極（側部電極）、１６１…底部電極、１６２ａ〜１６２ｄ…周辺電極、１６５ａ〜１６５ｅ…貫通電極、１０６…回路基板、ＰＤ…載置台、ＥＳＣ…静電チャック、ＦＲ…フォーカスリング、６００…測定器、６０５Ａ〜６０５Ｄ…第２センサ、６０６…底部電極。

Claims (8)

  1. 静電容量測定用の測定器であって、
    円盤形状を有するベース基板と、
    前記ベース基板のエッジに沿って配列された複数の側部電極をそれぞれ提供する複数の第１センサと、
    各々が前記ベース基板の底面に沿って設けられた底部電極を有する一以上の第２センサと、
    前記ベース基板上に搭載されており、前記複数の第１センサ及び前記一以上の第２センサのそれぞれに接続された回路基板であって、前記複数の側部電極及び前記底部電極に高周波信号を与え、前記複数の側部電極における電圧振幅のそれぞれから静電容量を表す複数の第１の測定値を生成し、前記底部電極における電圧振幅から静電容量を表す第２の測定値を生成するよう構成された、該回路基板と、
    を備える測定器。
  2. 前記一以上の第２センサの各々の前記底部電極は、円形状を有し、
    前記一以上の第２センサの各々は、前記底部電極を囲むように配置された周辺電極を更に有し、
    前記回路基板は、前記周辺電極に前記高周波信号を与え、前記周辺電極における電圧振幅から静電容量を表す第３の測定値を生成するよう更に構成されている、
    請求項１に記載の測定器。
  3. 前記一以上の第２センサは、複数の第２センサであり、
    前記複数の第２センサは、前記ベース基板の中心軸線を共有する円に沿って配置されている、
    請求項１又は２に記載の測定器。
  4. 前記一以上の第２センサの各々は、前記ベース基板の上面から該ベース基板の板厚方向に延びるように該ベース基板に設けられた複数の電極を更に有し、
    前記一以上の第２センサの各々の前記底部電極は、前記複数の電極の前記底面の側の端面によって構成されている、
    請求項１〜３のいずれか一項に記載の測定器。
  5. 前記一以上の第２センサの各々は、前記ベース基板を貫通する一以上の貫通電極を更に有し、
    前記一以上の第２センサの各々の前記底部電極は、前記一以上の貫通電極を介して前記回路基板に接続されている、
    請求項１〜３のいずれか一項に記載の測定器。
  6. 前記一以上の第２センサは、三以上の第２センサであり、
    前記三以上の第２センサの各々は、前記ベース基板の底面に沿って設けられた底部電極を有し、前記ベース基板の中心軸線を共有する円に沿って配置されており、
    前記三以上の第２センサの各々の前記底部電極のエッジの一部は、円弧形状を有し前記円上で延在する、
    請求項１に記載の測定器。
  7. 請求項６に記載の測定器を用いて処理システムにおける搬送位置データを較正する方法であって、
    前記処理システムは、
    チャンバ本体、及び、該チャンバ本体によって提供されるチャンバ内に設けられており、円形のエッジを有する載置領域を有し、該載置領域上に被加工物が載置される静電チャックを有する処理装置と、
    搬送位置データに基づき前記載置領域上に前記被加工物を搬送する搬送装置と、
    を備え、該方法は、
    前記搬送位置データによって特定される前記載置領域上の位置に、前記搬送装置を用いて前記測定器を搬送する工程と、
    前記載置領域上に搬送された前記測定器の前記三以上の第２センサにより三以上の静電容量を測定する工程と、
    前記三以上の静電容量の測定値から、前記測定器が搬送された前記載置領域上の位置の、前記載置領域上の所定の搬送位置に対する誤差を求める工程と、
    前記誤差を用いて前記搬送位置データを較正する工程と、
    を含む方法。
  8. 前記底部電極のエッジの前記一部の曲率は、前記載置領域のエッジの曲率に一致している、請求項７に記載の方法。
JP2016207649A 2016-06-20 2016-10-24 静電容量測定用の測定器、及び、測定器を用いて処理システムにおける搬送位置データを較正する方法 Active JP6712939B2 (ja)

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