CN101364042A - 制造掩模坯料用基板、掩模坯料及掩模的方法 - Google Patents
制造掩模坯料用基板、掩模坯料及掩模的方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN101364042A CN101364042A CNA2008101460204A CN200810146020A CN101364042A CN 101364042 A CN101364042 A CN 101364042A CN A2008101460204 A CNA2008101460204 A CN A2008101460204A CN 200810146020 A CN200810146020 A CN 200810146020A CN 101364042 A CN101364042 A CN 101364042A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- mask blank
- substrate
- mask
- sign
- information
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 153
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 68
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 54
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 32
- 238000003860 storage Methods 0.000 claims description 23
- 238000009826 distribution Methods 0.000 claims description 22
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 claims description 12
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 claims description 12
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 9
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 8
- RKTYLMNFRDHKIL-UHFFFAOYSA-N copper;5,10,15,20-tetraphenylporphyrin-22,24-diide Chemical group [Cu+2].C1=CC(C(=C2C=CC([N-]2)=C(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC(N=2)=C(C=2C=CC=CC=2)C2=CC=C3[N-]2)C=2C=CC=CC=2)=NC1=C3C1=CC=CC=C1 RKTYLMNFRDHKIL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 238000010023 transfer printing Methods 0.000 claims description 4
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 claims 1
- 239000003550 marker Substances 0.000 abstract 2
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 18
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 13
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 10
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 8
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 description 8
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 7
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 7
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 5
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 3
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 2
- 238000000609 electron-beam lithography Methods 0.000 description 2
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 2
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 2
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N Carbon dioxide Chemical compound O=C=O CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 235000011089 carbon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 238000012790 confirmation Methods 0.000 description 1
- 239000013256 coordination polymer Substances 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/38—Masks having auxiliary features, e.g. special coatings or marks for alignment or testing; Preparation thereof
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/60—Substrates
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/62—Pellicles, e.g. pellicle assemblies, e.g. having membrane on support frame; Preparation thereof
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
本发明涉及一种掩模坯料用基板的制造方法、掩模坯料的制造方法、掩模的制造方法以及掩模坯料用基板,本发明能够适当地进行掩模坯料用基板以及掩模坯料等识别和管理。在掩模坯料用基板(10)的制造方法中具有以下工序:准备主表面(102)为四边形的板状的基板的基板准备工序;将用于识别或管理基板的标识(106a、106a~106d)形成在基板的与主表面(102)的各边分别连接的四个端面(104a~104d)中至少多个端面上的标识形成工序。
Description
技术领域
本发明涉及一种掩模坯料用基板的制造方法、掩模坯料的制造方法、掩模的制造方法以及掩模坯料用基板。
背景技术
以往,在先端掩模制造中,引入对作为其材料的掩模坯料的质量进行反馈的手段。例如,以往已知避开掩模坯料的缺陷部位而进行图案形成的方法(参照例如特开2001—33941号公报(专利文献1))。
为了进行这样的反馈,需要识别各个掩模坯料。作为识别掩模坯料的方法,以往已知形成用于识别或管理掩模坯料用玻璃基板的标识的结构或在掩模坯料用玻璃基板的端面等上设置光学读取型的区域编码(area code)的结构(参照例如特开2006—309143号公报(专利文献2)和特开2002—116533号公报(专利文献3))。
避开掩模坯料的缺陷部位而进行图案形成的情况下,例如对掩模坯料给予包括缺陷的种类和缺陷的坐标等的缺陷信息。并且,在掩模的生成时,根据其缺陷信息避开缺陷部位。另外,作为避开缺陷信息的方法例如考虑到通过在与主表面平行的面内使掩模坯料旋转,而改变掩模坯料的朝向而避开缺陷的位置来使用。
但是,例如在基板的端面上使用形成标识的掩模坯料的情况下,若改变掩模坯料的朝向,则形成标识的端面所朝的方向也变化。因此,每个掩模坯料上形成标识的端面的方向不同,难以管理掩模坯料。
另外,形成标识的端面的方向各不相同,则例如在掩模的制造工序中,使用读取装置自动读取标识变得困难。另外,结果,例如有可能会难以进行掩模的制造工序的自动化。
发明内容
本发明的目的在于提供一种能够解决上述问题的掩模坯料用基板的制造方法、掩模坯料的制造方法、掩模的制造方法以及掩模坯料用基板。
为了解决上述问题,本发明具有以下结构。
(结构1)在掩模坯料用基板的制造方法中,包括:基板准备工序,准备主表面为四边形的板状的基板;标识形成工序,将用于识别或管理所述基板的标识形成在所述基板的与所述主表面的各边分别连接的四个端面中至少多个所述端面上。
基板准备工序例如准备玻璃基板等透光性基板。另外,基板准备工序例如准备研磨成规定形状的基板。这种情况下,例如在标识形成工序后进行研磨基板的研磨工序。基板准备工序也可以准备研磨后的基板。用于识别基板的标识例如是表示基板固有的识别序号或识别记号等识别编码、管理序号或管理记号等管理编码等识别信息的标识。该标识例如与包括缺陷的种类和缺陷的坐标等的缺陷信息等对应,用于掩模坯料用基板的管理。标识例如也可以与形状、光学特性等的、缺陷以外的掩模坯料用基板的特性的信息对应。另外,用于管理基板的标识例如是直接表示用于管理掩模坯料用基板的特性的信息等基板的信息的标识。
若这样形成,则例如标识形成后,在使掩模坯料用基板或掩模坯料旋转的情况下,能够容意确保任一个标识朝向规定方向的状态。另外,由此使掩模坯料等旋转后也能够从一定的方向读取标识,所以例如在掩模的制造工序中使用该掩模坯料用基板制造的掩模坯料能够根据需要适当旋转。因此,若这样形成,则能够适当进行掩模坯料用基板和掩模坯料的识别和管理。另外,例如能够避开缺陷部位而适当形成掩模图案。另外,例如也能够适当形成与形状和光学特性等特性对应的掩模图案。
另外,标识形成工序例如通过在基板的端面照射激光,从而形成标识。这样的话,能够适当形成难以作为粒子发生源的标识。标识形成工序也可以在形成标识的多个端面中的任一个的端面上,形成可将该端面与其他端面区别的第二标识。这样的话,例如通过将第二标识作为原点标识使用,从而能够适当形成掩模坯料等的旋转的初始位置。
(结构2)如结构1所述的掩模坯料用基板的制造方法,其特征在于,所述标识形成工序在所述四个端面上形成所述标识。
由于主表面为四边形,所以使掩模坯料用基板或掩模坯料旋转的情况下,旋转角度通常为90°、180°或270°。因此,这样的话,即使使用任一个旋转角度的情况下,都能够确保任一个标识朝向规定的方向的状态。
(结构3)如结构2所述的掩模坯料用基板的制造方法,其特征在于,所述标识形成工序作为所述标识形成具有所述四个端面共用的共用标识部分和所述四个端面各自不同的端面固有标识部分的标识。
端面固有标识部分例如表示形成有该端面固有标识部分的端面的位置。
形成在四个端面上的标识为相同的情况下,不能够通过标识来识别各自的端面。因此,例如使掩模坯料等旋转后,也不能通过读取标识来确认旋转角度。
相对于此,这样的话,能够分别识别四个端面。因此,例如通过读取朝向一定的方向的一个端面的标识,从而能够确认掩模坯料等的旋转角度。另外,由此,能够更加适当管理掩模坯料用基板的制造工序和其后的掩模坯料和掩模的制造工序等。
(结构4)如结构1所述的掩模坯料用基板的制造方法,其特征在于,还包括基板特性取得工序,该基板特性取得工序取得表示所述基板的特性的主表面内的分布的特性面内分布信息,并将该特性面内分布信息与形成在所述基板上的所述标识对应地收纳在用于存储所述基板的特性的存储介质中。
这样的话,例如在掩模的制造工序中,使采用该掩模坯料用基板制造的掩模坯料旋转而改变朝向的情况下,能够适当选择适合于基板的特性的面内分布的方向。另外,由此,能够根据掩模坯料用基板的特性适当地制造掩模。另外,例如制造后解析掩模的特性的情况等时,能够适当进行基于特性面内分布信息的解析。另外,例如进行使用掩模制造的半导体装置等的不良解析的情况等时,能够适当利用特性面内分布信息。
基板的特性的主表面内的分布例如是与主表面平行的平面的基板的特性的二维分布。例如使与主表面的各位置对应的基板的特性与主表面的各位置对应的分布。作为特性面内分布信息考虑使用例如表示缺陷、基板的形状或光学特性的分布的信息。作为表示缺陷的分布的信息例如能够使用避开缺陷的种类和缺陷的坐标的信息。作为表示基板的形状的分布的信息例如能够使用表示相对于规定的基准面的主表面内的各位置的高度或深度的信息。作为光学特性的分布的信息例如能够使用表示主表面内的各位置的透射率的信息、和表示主表面的双重折射的分布的信息等。作为双重折射的分布例如是主表面内的各位置的双重折射的强度的分布、各位置的偏向的方位轴的角度等。特性面内分布信息也可以是表示从各特性从规定的基准范围离开的区域的信息。
(结构5)在掩模坯料的制造方法中,使用由权利要求1所述的掩模坯料用基板的制造方法制造的掩模坯料用基板来制造在光刻用掩模的制造中使用的掩模坯料,其特征在于,包括:薄膜形成工序,在所述掩模坯料用基板上形成掩模图案用薄膜;薄膜特性取得工序,取得表示所述掩模图案用薄膜的特性的薄膜信息,并使该薄膜信息与掩模对应地收纳在存储介质中。
(结构6)如结构5所述的掩模坯料的制造方法,其特征在于,具有:在所述掩模图案用薄膜上形成抗蚀膜的抗蚀膜形成工序;取得表示所述抗蚀膜的特性信息的抗蚀信息,使其与掩模对应而收纳在存储介质中的抗蚀特性取得工序。
(结构7)在掩模的制造方法中,其制造光刻用掩模,其特征在于,包括:准备结构6所述的掩模坯料的坯料准备工序;读取掩模坯料的标识而与存储介质对照,取得具有与标识对应的特性面内分布信息、薄膜信息以及抗蚀信息的掩模坯料信息的工序;旋转角度确定工序,根据所述掩模坯料信息,确定以与转印在掩模图案用薄膜上的掩模图案相对的掩模坯料的特定的标识为基准的方向,确定使掩模坯料旋转的旋转角度;构图工序,将掩模坯料在以特定的标识为基准并旋转由所述旋转角度确定工序所确定的旋转角度的状态下安装在描绘装置上,并对抗蚀膜进行掩模图案的描绘。
(结构8)在掩模坯料用基板中,其用于掩模坯料的制造,其特征在于,用于识别或管理所述掩模坯料用基板的标识形成在多个端面上。
(结构9)如结构8所述的掩模坯料用基板,其特征在于,标识形成在四个端面上。
(结构10)如结构9所述的掩模坯料用基板,其特征在于,标识由所述四个端面共用的共用标识部分和所述四个端面各自不同的端面固有标识部分构成。
根据本发明,例如能够适当进行掩模坯料用基板和掩模坯料等的识别和管理。
附图说明
图1A和图1B是说明本发明的一实施方式的掩模坯料用基板10的结构的一例的图。图1A是掩模坯料用基板10的立体图。图1B表示形成在端面104a上的标识106a的详细结构的一例。
图2是表示制造所述掩模坯料用基板10的制造方法的一例的流程图。
图3A和图3B是说明使用所述掩模坯料用基板10制造的掩模坯料20的图。图3A表示所述掩模坯料20的结构的一例。图3B是表示所述掩模坯料20的制造方法的一例的流程图。
图4A和图4B是说明使用所述掩模坯料20制造的掩模30的图。图4A表示所述掩模30的结构。图4B是表示所述掩模30的制造方法的一例的流程图。
图5A和图5B是表示在描绘装置40上安装所述掩模坯料20的状态的一例的图。图5A表示旋转角度为0°而安装所示掩模坯料20的状态。图5B表示旋转角度为90°而安装所述掩模坯料20的状态。
图6A和图6B是分别说明本发明的掩模坯料用基板的变形例的图。图6A表示所述掩模坯料用基板10的第一变形例。图6B表示所述掩模坯料用基板10的第二变形例。
具体实施方式
以下参照附图说明本发明的实施方式。图1A和图1B是说明本发明的一实施方式的掩模坯料用基板10的结构的一例的图。图1A是掩模坯料用基板10的立体图。本实施例中,掩模坯料用基板10是主表面102为四边形的玻璃基板,在与主表面102的各边分别相连的基板的四个端面104a、104b、104c、104d形成标识106a、106b、106c、106d。
图1B表示形成在端面104a上的标识106a的详细结构的一例。本实施例中,标识106a是用于识别掩模坯料用基板10的标识,具有共用标识部分108和端面固有标识部分110。共用标识部分108是表示四个端面104a~104b共用的信息的部分。另外,端面固有标识部分110是表示四个端面各自不同的信息的部分。其他端面104b、104c、104d上形成的标识106b、106c、106d与标识106a同样地具有共用标识部分108和各自端面104a~104d不同的端面固有标识部分110。
根据本实施例,通过各标识106a~106d的共用标识部分108,而能够适当表示掩模坯料用基板10固有的标识信息。另外,通过各标识106a~106d的端面固有标识部分110而能够适当识别各自的端面104a~104d。
另外,本实施例中,共用标识部分108和端面固有标识部分110例如是能够光学读取的二维编码。共用标识部分108表示掩模坯料用基板10固有的识别序号或识别记号等识别编码、管理编号或管理记号等管理编码。端面固有标识部分110表示区别各自的端面104a~104d的序号或记号等。作为共用标识部分108和端面固有标识部分110使用的二维编码例如有数据矩阵、QR编码、SP编码、百利编码(VeriCode)、马克西编码(MaxiCode)、CP编码、Codel、AztecCode、因塔科特编码(Intacta Code)、e—卡(力—ドe)等。特别优选数据矩阵。
另外,本实施例中,标识设置在基板的端面上,但是在也可以是在与作为端面相接的区域即主表面之间形成的导角面或凹槽标识(notch mark)形成部上设置标识的形式。另外,也可以在形成转印图案的区域的外周区域的主表面上设置标识。另外,作为端面固有标识部分110也可以形成信息量比共用标识部分108小的标识。另外,作为标识106a~106d可以形成部分含有共用标识部分108和端面固有标识部分110的一个二维编码或条形码等。这种情况下,作为标识106a~106d例如形成各自一部分不同的二维编码或条形码等。
图2是表示制造所述掩模坯料用基板10的制造方法的一例的流程图。在掩模坯料用基板10的制造工序中,本实施例中,最初准备研磨成主表面为四边形的板状的玻璃基板(基板准备工序S102)。然后,在玻璃基板的四个端面104a~104d上形成标识106a~106d(标识形成工序S104)。由此,标识形成工序S104使用掩模坯料用基板10制造的掩模坯料的不影响转印的区域上形成标识106a~106d。另外,标识形成工序S104例如通过碳酸气体激光器等的激光照射来形成标识106a~106d。然后,形成标识106a~106d后,将玻璃基板的主表面102和端面104a~104d研磨为规定的表面粗糙度(研磨工序S106)。
接着。例如兼用作掩模坯料用基板10的检测,而取得表示玻璃基板的特性的主表面内的分布的特性面内分布信息。然后,在要存储掩模坯料用基板10的特性的存储介质中,将取得的特性面内分布信息与标识106a~106d对应地收纳(基板特性取得工序S108)。该存储介质例如是管理掩模坯料用基板10的特性的数据库。
在此,作为特性面内分布信息,例如考虑使用表示缺陷、基板的形状或光学特性的分布的信息。作为表示缺陷的分布的信息例如能够使用包括缺陷的种类以及缺陷的坐标的信息。这时,缺陷的坐标系中,标识106a~106d中的最少一个,将与其特定的标识和坐标系的原点间的位置关系相关的信息收纳在存储介质中。作为表示基板的形状的分布的信息例如能够使用表示相对于规定的基准面的主表面内的各位置的高度或深度的信息。作为光学特性的分布的信息例如能够使用表示主表面内的各位置的透过率的信息、表示主表面内的双折射的分布的信息等。
根据本实施例,例如通过在研磨前的初期的工序中在玻璃基板上形成标识106a~106d,从而例如能够使其后的研磨工序S106等能够识别玻璃基板而进行。由此,能够更加细腻地进行工序的管理,能够适当地管理掩模坯料用基板的制造工序。
另外,通过使玻璃基板的特性面内分布信息和标识106a~106d对应,即使在使用掩模坯料用基板10进行的掩模坯料和掩模的制造工序中也能够适当地把握掩模坯料用基板10的特性。另外,由此,能够根据各自的掩模坯料用基板10的特性,更适当地制造掩模坯料和掩模。另外,能够更加适当地管理掩模坯料和掩模的制造工序等。
另外,基板准备工序S102也可以准备进行研磨工序S106后的玻璃基板。这种情况下,标识形成工序S104中在研磨后的玻璃基板上形成标识106a~106d。另外,标识形成工序S104中也可以在基板特性取得工序S108后进行。这种情况下,标识形成工序S104也可以直接表示用于管理掩模坯料用基板的特性的信息等的基板的标识。
图3A和图3B是说明使用所述掩模坯料用基板10制造的掩模坯料20的图。图3A表示所述掩模坯料20的结构的一例。本实施例中,标识掩模坯料20的构成的一例。本实施例中,掩模坯料20具备掩模坯料用基板10和掩模图案用薄膜12。掩模图案用薄膜12是在光致掩模的制造工序中用于形成掩模图案用薄膜的遮光膜或半透光膜等,形成在掩模坯料用基板10上。掩模图案用薄膜12也可以是多种类的薄膜的层叠膜。另外,掩模坯料20在掩模图案用薄膜12上还可以具有抗蚀膜。
图3B是表示所述掩模坯料20的制造方法的一例的流程图。在掩模坯料20的制造工序中,本实施例中,最初准备由图2说明的制造方法制造的掩模坯料用基板10(坯料用基板准备工序S202)。然后,在掩模坯料用基板10上形成掩模图案用薄膜12(薄膜形成工序S204)。
接着,例如兼用作掩模坯料20的检测,而取得表示掩模坯料20的特性的掩模坯料信息。并且,在要存储掩模坯料20的特性的存储介质中与标识106a~106d对应而收纳所取得的掩模坯料信息(坯料特性取得工序S206)。该存储介质例如是管理掩模坯料20的特性的数据库。
在此,本实施例中,坯料特性取得工序S206至少包含使用时形状信息取得工序。使用时形状信息取得工序作为掩模坯料信息的至少一部分取得使用掩模坯料20制造的掩模的使用时形状信息。然后,将取得的使用时形状信息与标识106a~106d对应而收纳在要存储掩模坯料20的特性的存储介质中。掩模的使用时形状信息例如是表示使用掩模坯料20制造的掩模安装在曝光装置上的状态下的掩模的主表面形状的信息。该曝光装置例如是步进模式(ステツパ)。
根据本实施例,例如在掩模的制造工序中,能够适当地利用使用时形状信息等的掩模坯料信息。另外,由此能够与各自的掩模坯料20的特性对应而根据适当地制造掩模。
另外,使用时形状信息取得工序例如通过基于掩模坯料的主表面形状的模拟而取得使用时形状信息。使用时形状信息取得工序中也可以将加工成掩模前的掩模坯料20安装在曝光装置上而进行表面形状的测量,根据测量结果算出使用时形状信息。
坯料特性取得工序S206中还可以含有取得表示掩模图案用薄膜12的特性的薄膜信息的薄膜特性取得工序。另外,在掩模坯料20还具有抗蚀膜的情况下,坯料特性取得工序S206还可以含有取得表示抗蚀膜的特性的抗蚀信息的抗蚀特性取得工序。这种情况下,在薄膜特性取得工序和抗蚀特性取得阶段将取得的薄膜信息和抗蚀信息与标识106a~106d对应而收纳在要存储掩模坯料20的特性的存储介质中。薄膜信息例如是表示掩模图案用薄膜12的缺陷等的主表面内的分布的信息。另外,抗蚀信息例如是表示抗蚀膜的缺陷等的主表面内的分布的信息。
图4A和图4B是说明使用所述掩模坯料20制造的掩模30的图。图4A表示掩模30的结构的一例。该实施例中,掩模30具有掩模坯料用基板10和掩模图案用薄膜12。另外,掩模图案用薄膜12构图为规定的掩模图案22。
图4B是表示掩模30的制造方法的一例的流程图。掩模30的制造工序中,本实施例中,最初准备使用图3B说明的制造方法制造的掩模坯料20(坯料准备工序S302)。
然后,确定表示掩模图案22的描绘时的掩模坯料20的配置的旋转角度(旋转角度确定工序S304)。该旋转角度例如是表示,将要形成在掩模图案用薄膜12上的掩模图案22的方向固定,相对于在其上将掩模坯料20最合适地配置时的方向,当前在从配置掩模坯料20的方向向任一方向上,在与主表面102(参照图1A)平行的面内旋转多少的角度,该旋转角度以设置于掩模坯料20的预先设定的一端面上的标识(特定的标识、例如106a)为基准确定。旋转角度确定阶段S304中,作为旋转角度例如选择0、90、180或270°中的任一角度。
在此,本实施例中,旋转角度确定工序S304中,读取掩模坯料用基板10的标识106a~106d的至少一个。然后,从存储掩模坯料用基板10的特性的存储介质中取得与读取到的标识106对应的特性面内分布信息。另外,从存储掩模坯料20的特性的存储介质中取得含有使用时形状信息等的掩模坯料信息。然后,根据取得的特性面内分布信息和掩模坯料信息来确定使掩模坯料20旋转的旋转角度。
根据本实施例,能够与掩模坯料用基板10的特性的主表面内的分布对应地确定旋转角度。例如作为特性面内分布信息能够使用缺陷信息,从而能够在避开缺陷的位置上形成掩模图案。另外,例如作为特性面内分布信息使用形状和光学特性等的信息,从而能够形成适合于其特性的分布的掩模图案。另外,通过根据使用时形状信息来确定旋转角度,从而例如相对于掩模30的使用时的主表面形状的变化能够确定最合适的旋转角度。另外,由此能够适当地提高掩模图案22的位置精度。
然后,接着旋转角度确定工序S304,进行描绘前的掩模图案22的修正(图案修正工序S306)。掩模图案22的修正例如为掩模图案22的描绘使用的掩模图案的数据的修正。
本实施例中,图案修正工序S306中,读取掩模坯料用基板10的标识106a~106d的至少一个。然后,从存储掩模坯料用基板10的特性的存储介质取得与读取到的标识106对应的使用时形状信息。然后,根据取得的使用时形状信息修正掩模图案22。
根据本实施例,能够预见到对曝光装置的安装导致的掩模30的主表面形状的变化,从而以高精度修正掩模图案22。因此,例如能够适当地降低掩模30使用时的主表面形状的变化的影响。另外,由此能够更加适当地提高掩模图案22的位置精度。
另外,图案修正工序S306中,也可以使用在旋转角度确定阶段S304中取得的使用时形状信息。这种情况下,图案修正工序S306经由旋转角度确定阶段S304而从存储掩模坯料用基板10的特性的存储介质中取得使用时形状信息。另外,图案修正工序S306中,也可以在电子束曝光装置等描绘装置上安装掩模坯料20后进行掩模图案22的修正。
接着图案修正工序S306,通过光刻工序对掩模图案用薄膜12进行构图(构图工序S308)。该光刻工序例如通过在形成于掩模图案用薄膜12上的抗蚀膜上照射电子束,从而描绘要形成的掩模图案22。然后,通过进一步进行显像和蚀刻等,构图形成掩模图案用薄膜12。
本实施例中,构图工序S308中,通过电子束曝光装置等描绘装置进行利用电子束的描绘。另外,构图工序S308中,将事先设定的一端面即端面104a朝向由旋转角度确定工序S304确定的旋转角度的方向,将掩模坯料20安装在描绘装置上。
由此,构图工序S308中,根据由旋转角度确定工序S304确定的旋转角度,使掩模坯料20旋转。因此,根据本实施例,能够相对于要形成的掩模图案22,适当地旋转掩模坯料20。另外,由此例如能够根据掩模坯料用基板10和掩模坯料20的特性来适当地制造掩模30。
图5A和图5B是表示在描绘装置40上安装所述掩模坯料20的状态的一例的图。另外,本实施例中,描绘装置40具有读取掩模坯料20的掩模坯料用基板10中朝向规定方向的端面的标识的读取装置50。
图5A表示旋转角度为0°而安装所示掩模坯料20的状态。在该状态下,掩模坯料20在使端面104a的标识106a朝向读取装置50的方向上被安装在描绘装置40上。图5B表示旋转角度为90°而安装所述掩模坯料20的状态。该状态下,掩模坯料20从图5A的状态向右旋转90°,在使端面104b的标识106b朝向读取装置50的方向上被安装在描绘装置40上。
另外,如图示省略的,旋转角度为180°的情况下,掩模坯料20在使端面104c的标识106c(参照图1A)朝向读取装置50的方向上被安装在描绘装置40上。旋转角度为270°的情况下,掩模坯料20在使端面104d的标识106d(参照图1A)朝向读取装置50的方向上被安装在描绘装置40上。
如以上,本实施例中,使掩模坯料20旋转的情况下,能够确保标识106a~106d的任一个朝向读取装置50的方向的状态。另外,由此能够使掩模坯料20旋转后从位于一定方向的读取装置50读取标识106a~106d。因此,根据本实施例,在掩模的制造工序中,能够根据需要适当地使掩模坯料20旋转。
另外,在本实施例中,描绘装置40基于由读取装置50读取到的标识106a~106d中的共用标识部分108(参照图1B),识别安装于描绘装置40的掩模坯料20。此外,基于标识106a~106d中的端面固有标识部分110(参照图1B),识别掩模坯料20的旋转角度。由此,描绘装置40确认到被安装的掩模坯料20和掩模坯料20的旋转角度是正确的。因此,根据本实施例,例如能够适当地管理各个掩模坯料20和描绘时的旋转角度。另外,由此例如能够适当地推进掩模的制造工序的自动化。
另外,本实施例中,掩模坯料20的旋转例如在对描绘装置40安装前进行。掩模坯料20的旋转可以在描绘装置40内进行。这种情况下,描绘装置40例如还将有使掩模坯料20旋转的旋转装置。描绘装置40根据标识106a~106d的端面固有标识部分110来识别例如表示进行旋转前的掩模坯料20的方向的旋转角度,通过旋转装置使掩模坯料20从被识别的旋转角度向由旋转角度确定工序确定的旋转角度旋转。
另外,掩模的制造工序中,不仅掩模图案22的描绘时,包括其他的各工序时和检测时等,也优选读取标识106a~106d来识别掩模坯料20。另外,优选根据需要,根据标识106a~106d的端面固有标识部分110,识别掩模坯料20的旋转角度。这种情况下,各工序使用的制造装置、检测用的检测装置等具有例如与描绘装置40同一或同样的读取装置。通过形成这样的结构,则能够更加适当地管理掩模坯料20。
图6A和图6B是分别说明本发明的掩模坯料用基板的变形例的图。图6A表示所述掩模坯料用基板10的第一变形例。本实施例中,在四个端面104a~104d上形成表示相同信息的标识106a~106d。这种情况下,标识106a~106d也可以例如与使用图1B说明的共用标识部分108同一或同样的。
另外,一端面104a上,除了标识106a外,还可以形成原点标识112。原点标识112是能够使端面104a与其他端面104b、104c、104d区别的标识。本实施例中,也能够通过标识106a~106d来适当地管理掩模坯料20。例如,通过确认形成原点标识112的端面104a的方向,从而适当地认识例如用掩模坯料用基板10制造的掩模坯料20的旋转的初始位置。由此,能够适当地管理掩模坯料20的旋转角度。
图6B表示所述掩模坯料用基板10的第二变形例。本实施例中,掩模坯料用基板10上还形成目视用标识114。目视用标识114例如形成在主表面102的缘部等上。由此,能够容易确认掩模坯料用基板10的主表面是否朝向上下的任一方。另外,目视用标识114例如形成在一端面104a的附近。由此,能够将其端面104a与其他端面104b、104c、104d区别。
另外,本实施例中,标识106a~106d与使用图1说明的标识106a~106d同一或同样。根据本实施例,除了能够利用标识106a~106d的读取来确认旋转角度,通过操作者的目视也能够确认掩模坯料20的旋转角度。另外,进行标识106a~106d的读取的调整和动作的确认的情况等,能够容易地通过目视确认掩模坯料20的旋转角度。
另外,目视用标识114优选在对使用采用掩模坯料用基板10的掩模30(参照图4A)的情况下对转印没有影响的区域,并且在操作者容易确认的情况下进行。例如,目视用标识114也可以形成在一端面104a上。另外,目视用标识114例如在与操作者的手动作业或操作对应地进行掩模坯料20的旋转的情况下也是有用的。这种情况下,操作者通过目视用标识114确认掩模坯料20的旋转角度。
以上使用实施方式说明了本发明,但是本发明的技术范围不限于上述实施方式所记载的范围。对于本领域技术人员来说自然明白上述实施方式能够进行各种变更或改良。从本发明的权利要求范围可知这样变更或改良基础上的实施方式也包含在本发明的技术范围内。
本发明能够适当地用于掩模坯料用基板。
Claims (10)
1、一种掩模坯料用基板的制造方法,其特征在于,包括:
基板准备工序,准备主表面为四边形的板状的基板;
标识形成工序,将用于识别或管理所述基板的标识形成在所述基板的与所述主表面的各边分别连接的四个端面中至少多个所述端面上。
2、如权利要求1所述的掩模坯料用基板的制造方法,其特征在于,
所述标识形成工序在所述四个端面上形成所述标识。
3、如权利要求2所述的掩模坯料用基板的制造方法,其特征在于,
所述标识形成工序形成具有如下部分的标识作为所述标识,即:所述四个端面共用的共用标识部分、和所述四个端面各自不同的端面固有标识部分。
4、如权利要求1所述的掩模坯料用基板的制造方法,其特征在于,
还包括基板特性取得工序,该基板特性取得工序取得表示所述基板的特性的主表面内的分布的特性面内分布信息,并将该特性面内分布信息与形成在所述基板上的所述标识对应地收纳在用于存储所述基板的特性的存储介质中。
5、一种掩模坯料的制造方法,其使用由权利要求1所述的掩模坯料用基板的制造方法制造的掩模坯料用基板来制造在光刻用掩模的制造中使用的掩模坯料,其特征在于,包括:
薄膜形成工序,在所述掩模坯料用基板上形成掩模图案用薄膜;
薄膜特性取得工序,取得表示所述掩模图案用薄膜的特性的薄膜信息,并使该薄膜信息与掩模对应地收纳在存储介质中。
6、如权利要求5所述的掩模坯料的制造方法,其特征在于,包括:
抗蚀膜形成工序,在所述掩模图案用薄膜上形成抗蚀膜;
抗蚀特性取得工序,取得表示所述抗蚀膜的特性信息的抗蚀信息,并使该抗蚀信息与标识对应地收纳在存储介质中。
7、一种掩模的制造方法,其是光刻用的掩模的制造方法,其特征在于,包括:
坯料准备工序,准备权利要求6所述的掩模坯料;
读取掩模坯料的标识并与存储介质对照,取得具有与标识对应的特性面内分布信息、薄膜信息以及抗蚀信息的掩模坯料信息的工序;
旋转角度确定工序,基于所述掩模坯料信息,确定掩模坯料相对于转印在掩模图案用薄膜上的掩模图案的以特定的标识为基准的方向,确定使掩模坯料旋转的旋转角度;
构图工序,将掩模坯料在以特定的标识为基准并旋转由所述旋转角度确定工序所确定的旋转角度的状态下安装在描绘装置上,并对抗蚀膜进行掩模图案的描绘。
8、一种掩模坯料用基板,其是掩模坯料的制造中使用的掩模坯料用基板,其特征在于,
用于识别或管理所述掩模坯料用基板的标识形成在多个端面上。
9、如权利要求8所述的掩模坯料用基板,其特征在于,
标识形成在四个端面上。
10、如权利要求9所述的掩模坯料用基板,其特征在于,
标识包括:所述四个端面共用的共用标识部分、和所述四个端面各自不同的端面固有标识部分。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007-204922 | 2007-08-07 | ||
JP2007204922 | 2007-08-07 | ||
JP2007204922 | 2007-08-07 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN101364042A true CN101364042A (zh) | 2009-02-11 |
CN101364042B CN101364042B (zh) | 2012-10-24 |
Family
ID=40227139
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN2008101460204A Expired - Fee Related CN101364042B (zh) | 2007-08-07 | 2008-08-06 | 制造掩模坯料用基板、掩模坯料及掩模的方法 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US7648807B2 (zh) |
JP (1) | JP5046394B2 (zh) |
KR (1) | KR101512515B1 (zh) |
CN (1) | CN101364042B (zh) |
DE (1) | DE102008036471A1 (zh) |
TW (1) | TWI452417B (zh) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102822743A (zh) * | 2010-03-30 | 2012-12-12 | Hoya株式会社 | 掩模坯料用基板的制造方法、掩模坯料的制造方法、转印用掩模的制造方法以及半导体器件的制造方法 |
CN105981037B (zh) * | 2014-02-11 | 2019-01-22 | 法国圣戈班玻璃厂 | 读取玻璃片材上的标识码的方法 |
Families Citing this family (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4536804B2 (ja) * | 2008-06-27 | 2010-09-01 | Hoya株式会社 | フォトマスクの製造方法 |
CN101833235B (zh) * | 2009-03-13 | 2012-11-14 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 掩模版原片的质量检测系统和方法 |
TW201113631A (en) * | 2009-10-14 | 2011-04-16 | Evervision Electronics Co Ltd | Improved light mask manufacturing process |
JP6460619B2 (ja) * | 2012-03-12 | 2019-01-30 | Hoya株式会社 | 反射型マスクブランク及び反射型マスクの製造方法 |
FR2994605B1 (fr) * | 2012-08-20 | 2014-08-22 | Commissariat Energie Atomique | Procede de fabrication de masques euv minimisant l'impact des defauts de substrat |
DE102013107215B3 (de) * | 2013-07-09 | 2014-10-09 | Heraeus Quarzglas Gmbh & Co. Kg | Verfahren zur Herstellung eines Spiegelsubstrat-Rohlings aus Titan-dotiertem Kieselglas für die EUV-Lithographie, sowie System zur Positionsbestimmung von Defekten in einem Rohling |
US11141370B2 (en) | 2017-06-06 | 2021-10-12 | The Procter And Gamble Company | Hair compositions comprising a cationic polymer mixture and providing improved in-use wet feel |
US10912732B2 (en) | 2017-12-20 | 2021-02-09 | The Procter And Gamble Company | Clear shampoo composition containing silicone polymers |
Family Cites Families (22)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS58144829A (ja) * | 1982-02-22 | 1983-08-29 | Hoya Corp | フオトマスクブランクス用基板のマ−キング方法 |
JPS5915938A (ja) * | 1982-07-19 | 1984-01-27 | Hoya Corp | マ−キングを施されたフオトマスクブランクス用基板 |
JPS6354146U (zh) * | 1986-09-26 | 1988-04-12 | ||
JPH02962A (ja) * | 1988-05-25 | 1990-01-05 | Mitsubishi Electric Corp | フォトマスクの作成方法 |
JPH03255445A (ja) * | 1990-03-05 | 1991-11-14 | Nec Corp | フォトマスク基板 |
JPH0571855U (ja) * | 1992-02-28 | 1993-09-28 | 大日本印刷株式会社 | フォトマスク用ガラス基板 |
US5956564A (en) * | 1997-06-03 | 1999-09-21 | Ultratech Stepper, Inc. | Method of making a side alignment mark |
JPH1165088A (ja) * | 1997-08-19 | 1999-03-05 | Canon Inc | デバイス製造用の基板 |
JPH1165093A (ja) * | 1997-08-19 | 1999-03-05 | Canon Inc | 基板管理装置、基板収納容器、基板収納装置、およびデバイス製造方法 |
JP3673632B2 (ja) * | 1997-12-26 | 2005-07-20 | Hoya株式会社 | 透光性物質の不均一性検査方法及びその装置、並びに透明基板 |
JP3898326B2 (ja) * | 1998-02-10 | 2007-03-28 | 大日本印刷株式会社 | 生産工程管理方法、およびid付基板 |
JP2001033941A (ja) * | 1999-07-16 | 2001-02-09 | Toshiba Corp | パターン形成方法及び露光装置 |
JP2002116533A (ja) * | 2000-10-11 | 2002-04-19 | Dainippon Printing Co Ltd | エリアコード付きフォトマスク用ブランクスとエリアコード付きフォトマスク、およびフォトマスクの製造方法 |
JP4122735B2 (ja) * | 2001-07-24 | 2008-07-23 | 株式会社日立製作所 | 半導体デバイスの検査方法および検査条件設定方法 |
KR100779956B1 (ko) * | 2002-12-03 | 2007-11-28 | 호야 가부시키가이샤 | 포토마스크 블랭크 및 포토마스크 제조방법 |
US7323276B2 (en) * | 2003-03-26 | 2008-01-29 | Hoya Corporation | Substrate for photomask, photomask blank and photomask |
TWI230846B (en) * | 2003-11-04 | 2005-04-11 | Grace Semiconductor Mfg Corp | Photo mask with photolithography photoresist detecting pattern and its detecting method |
WO2005079470A2 (en) | 2004-02-17 | 2005-09-01 | Toppan Photomasks, Inc. | Photomask and method for conveying information associated with a photomask substrate |
JP4339214B2 (ja) * | 2004-09-13 | 2009-10-07 | Hoya株式会社 | マスクブランク用透明基板とその製造方法及びマスクブランクとその製造方法 |
CN1841189A (zh) * | 2005-03-30 | 2006-10-04 | Hoya株式会社 | 掩模板玻璃衬底制造方法、掩模板制造方法、掩模制造方法、掩模板玻璃衬底、掩模板和掩模 |
JP4979941B2 (ja) * | 2005-03-30 | 2012-07-18 | Hoya株式会社 | マスクブランクス用ガラス基板の製造方法、マスクブランクスの製造方法 |
JP4591367B2 (ja) | 2006-01-31 | 2010-12-01 | トヨタ自動車株式会社 | 壁間防水構造 |
-
2008
- 2008-08-04 JP JP2008200371A patent/JP5046394B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2008-08-05 DE DE102008036471A patent/DE102008036471A1/de not_active Withdrawn
- 2008-08-06 KR KR20080076792A patent/KR101512515B1/ko active IP Right Grant
- 2008-08-06 US US12/187,052 patent/US7648807B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2008-08-06 CN CN2008101460204A patent/CN101364042B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2008-08-06 TW TW097129758A patent/TWI452417B/zh not_active IP Right Cessation
-
2009
- 2009-12-08 US US12/632,900 patent/US7794900B2/en active Active
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102822743A (zh) * | 2010-03-30 | 2012-12-12 | Hoya株式会社 | 掩模坯料用基板的制造方法、掩模坯料的制造方法、转印用掩模的制造方法以及半导体器件的制造方法 |
CN102822743B (zh) * | 2010-03-30 | 2014-09-03 | Hoya株式会社 | 掩模坯料用基板的制造方法、掩模坯料的制造方法、转印用掩模的制造方法以及半导体器件的制造方法 |
CN105981037B (zh) * | 2014-02-11 | 2019-01-22 | 法国圣戈班玻璃厂 | 读取玻璃片材上的标识码的方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20100081069A1 (en) | 2010-04-01 |
US7794900B2 (en) | 2010-09-14 |
DE102008036471A1 (de) | 2009-02-12 |
US7648807B2 (en) | 2010-01-19 |
CN101364042B (zh) | 2012-10-24 |
US20090042109A1 (en) | 2009-02-12 |
JP5046394B2 (ja) | 2012-10-10 |
TW200907561A (en) | 2009-02-16 |
TWI452417B (zh) | 2014-09-11 |
KR20090014988A (ko) | 2009-02-11 |
JP2009058950A (ja) | 2009-03-19 |
KR101512515B1 (ko) | 2015-04-15 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN101364042B (zh) | 制造掩模坯料用基板、掩模坯料及掩模的方法 | |
US8021804B2 (en) | Photomask manufacturing method | |
US8754538B2 (en) | Semiconductor chip including identifying marks | |
US6373976B1 (en) | Method and apparatus to accurately correlate defect coordinates between photomask inspection and repair systems | |
CN104040411A (zh) | 用于在眼镜透镜、眼镜透镜毛坯或眼镜透镜半成品上存储信息的方法 | |
KR20050027240A (ko) | 마스크 기판 정보 생성 방법 및 마스크 기판의 제조 방법 | |
JP4340638B2 (ja) | 基板の表側または裏側に結像するためのリソグラフィ装置、基板識別方法、デバイス製造方法、基板、およびコンピュータプログラム | |
KR101231423B1 (ko) | 마스크 블랭크용 글래스 기판, 마스크 블랭크, 마스크, 반사형 마스크, 및 이들의 제조 방법 | |
CN109270804B (zh) | 倾斜直写曝光机镜头倍率以及偏转角度的标定调整方法 | |
CN1255855C (zh) | 掩模基板及其制造方法 | |
WO2014140047A2 (en) | Method and device for writing photomasks with reduced mura errors | |
CN101134638B (zh) | 基板图案输入系统、基板图案形成方法、及记录介质 | |
CN101561633B (zh) | 监控光刻工艺的方法与监控标记 | |
CN1139845C (zh) | 阵列式光探针扫描集成电路光刻系统中的对准方法 | |
JP2014146722A (ja) | 半導体デバイスの管理装置、及び顕微鏡 | |
JP5691264B2 (ja) | 露光装置 | |
CN101526731A (zh) | 掩模版的修复方法 | |
CN1210627C (zh) | 阵列式光探针扫描集成电路光刻系统中的对准装置 | |
JP2009054649A (ja) | 半導体ウェーハの識別記号読み取り方法及びその装置 | |
US6741330B2 (en) | Exposure device | |
KR20060106379A (ko) | 오버레이 키 및 그를 이용한 오버레이 계측방법 | |
KR100800809B1 (ko) | Opc마스크의 제작방법 | |
CN117830407A (zh) | 激光识别定位方法及系统、激光切割系统、设备及介质 | |
KR20000040995A (ko) | 웨이퍼정렬용 인식표지 | |
JPH11121623A (ja) | 半導体集積回路、レーザリペア装置内の半導体集積回路の位置合わせ方法及びレーザリペア装置のレーザパワーの調整方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
C14 | Grant of patent or utility model | ||
GR01 | Patent grant | ||
CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
Granted publication date: 20121024 |