JPS58144829A - フオトマスクブランクス用基板のマ−キング方法 - Google Patents

フオトマスクブランクス用基板のマ−キング方法

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JPS58144829A
JPS58144829A JP57027995A JP2799582A JPS58144829A JP S58144829 A JPS58144829 A JP S58144829A JP 57027995 A JP57027995 A JP 57027995A JP 2799582 A JP2799582 A JP 2799582A JP S58144829 A JPS58144829 A JP S58144829A
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JP
Japan
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marking
substrate
polished
photomask blanks
polishing
Prior art date
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JP57027995A
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English (en)
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JPS6240699B2 (ja
Inventor
Kazufumi Asakawa
浅川 一文
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Hoya Corp
Original Assignee
Hoya Corp
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Publication date
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Publication of JPS58144829A publication Critical patent/JPS58144829A/ja
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    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/38Masks having auxiliary features, e.g. special coatings or marks for alignment or testing; Preparation thereof
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/50Mask blanks not covered by G03F1/20 - G03F1/34; Preparation thereof

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  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 二の発明はフォトマスクブランクスの種類を識別するた
め、フォトマスクブランクス用基板(以下基板と、称す
る)の周辺部に所定の記号をマーキングする方法に関す
るものである。
フォトマスクブランクスを識別するための従来からある
マーキング方、法としては、大別して次の3種類が挙げ
られる。
1)基板のエツジを削る方法。
2)基板の側周辺部に着色する方法。
3)基板表面の隅に印をする方法。
上記1)の方法は、第1図に示すように基板端面lの隅
角部を所定の角度で削り取り、マークJを付するもので
ある。−は面取り部である。
2)の方法は第2図に示すように基板端面lに顔料9等
を用いて着色するものである。3)の方法は第3図に示
すように基板表面に表示部5を設けるものである。
上記l)の方法においては、識別するためにマークの個
数で分類しなければならず、識別に時間がかかる上、基
板表面の有効エリアに応じてマーク自体が小さく見にく
いという欠点がある。また2)の方法においては、顔料
が研磨、洗浄等の工程でダメージを受けたり剥がれたり
し、その工程自体でも害をなすほか、クリーンルームに
チップを持ち込む二とになるし、゛顔料からなるマーク
も薄くなって見にくくなる。3)の方法においては基板
表面の有効エリア外に表示部を設けなければならないた
め1表示が小さい上に表示部が他の部分と高さが違うと
いう結果を生じ、コンタクト露光においては害になる。
また研磨、洗浄工程のリサイクル、特に研磨において、
消えてしまう。
この発明は上記のような従来の欠点を除去するためにな
されたもので、フォトマスクブランクスの基板の種類、
薄膜の種類の識別を簡単に行うことができ、フォトマス
クブランクスの目的とする回路パターン作成になんら害
を与えることなく、シかもそのマークが半永久的に持続
するフォトマスクブランクス用、基板を得ることを目的
としたマーキング方法である。
すなわち本拗明のマーキング方法は、フォトマスクブラ
ンクス用基板の側周辺部をつや出し加工し2次いでこの
つや出し部分に所定の記号を精密加工によりマーキング
することを特徴とするものである。
本発明において、特につや出し部分を一辺の一部にした
理由は、−辺全面をつや出ししてしまうとあまり目立た
なくなってしまうからで、−辺の一部をつや出しするこ
とにより、どの角度からでも、マーキング箇所が識別で
きるようにしたものである。ただし−面全部をつや出し
し、つや消しを行わなくてもかまわない。
本発明において、つや出し部分作成の際に遊離砥粒を用
いて行った場合は保護膜が必要であるが、第6図のよう
に固定砥粒(ポリッシングベルト)10を用いて行うと
、つや消し工程も省く二とができる。勿論つや出しを行
う研磨剤。
ポリシャは何ら限定されることはなく、また研磨時間も
つや出し及びつや消しともに適宜決定する二とができる
またマーキング方法もレーザー加工により行う二とがで
きるが、他にも精密加工のできるものであれば、超音波
加工、電子ビーム加工等を用いてもかまわない。
実施例 第4図に示すように、基板4X4X0.09(inch
)のQ−18((株)保谷電子 商品名〕の側周辺部に
一部保護膜6をつけ、端面のつや出しを、ポリシャ(ポ
リウレタン)8と研磨剤(酸化セリウム+水)7の相対
運動(約3分)で行う。
次に、第5図に示すように上記とは逆につや出し部分に
保護膜6をつけ、サンドベルト(SiC砥粒付着)?に
より極弱い力でつや消しを行う(約1分)。
最機にレーザーマーカーによりつや出し部分にIQ−1
8Jとのマーキングを行う。二のときのレーザー加工と
してはCO2ガスレーザーを用いる。マークの大きさは
一文字2■×2■■とじた。
二の方法1こよりマーキングされた基板では。
硝種、薄膜の種類が一カ所を確認するだけで簡単に、し
かも詳細な部分までわかる。そしてマスクブランクスに
よるICWJIItパターン作成工程に何ら害を及ぼさ
ない、しかもそのマーキングは半永久的である。
【図面の簡単な説明】
第1図乃至第3図はそれぞれ従来例を余す斜視図、第4
図及び第5−は本発明の一実施例を示し、第4図はつや
出し工程を、第5図はつや消し工程をそれぞれ示す斜視
図、第6図は他の実施例を示す斜視図である。 l 端面      −面取り部 3 マーク     ダ 顔料 j 表示部     乙 保護膜 り 研磨剤     8 ポリシャ

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、フォトマスクブランクス用基板の側周辺部をつや出
    し加工し、次いでこのつや出し部分に所定の記号を精密
    加工によりマーキングすることを特徴とするフォトマス
    クブランクス用基板のマーキング方法。 2、つや出し加工工程が、フォトマスクブランクス用基
    板の側周辺部に部分的に保護膜を被着し、この状態でつ
    や出し加工1に保護されていない部分をつや出しし、次
    いで逆につや出しした部分に保護膜を被着してつや消し
    加工する二とよりなる特許請求の範囲第1項記載のフォ
    トマスクブランクス用基板のマーキング方法。 3、マーキングに用いる精密加工がレーザー加工である
    特許請求の範囲第1項または第2項記載のフォトマスク
    ブランクス用基板のマーキング方法。 4、マーキングに用いる精密加工が超音波加工である特
    許請求の範囲第1項または第2項記載のフォトマスクブ
    ランクス用基板のマーキング方法。 5、マーキングに用いる精密加工が電子ビーム加工であ
    る特許請求の範囲第1項または第2項記載のフォトマス
    クブランクス用基板のマーキング方法。
JP57027995A 1982-02-22 1982-02-22 フオトマスクブランクス用基板のマ−キング方法 Granted JPS58144829A (ja)

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