JPS58144829A - フオトマスクブランクス用基板のマ−キング方法 - Google Patents
フオトマスクブランクス用基板のマ−キング方法Info
- Publication number
- JPS58144829A JPS58144829A JP57027995A JP2799582A JPS58144829A JP S58144829 A JPS58144829 A JP S58144829A JP 57027995 A JP57027995 A JP 57027995A JP 2799582 A JP2799582 A JP 2799582A JP S58144829 A JPS58144829 A JP S58144829A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- marking
- substrate
- polished
- photomask blanks
- polishing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/38—Masks having auxiliary features, e.g. special coatings or marks for alignment or testing; Preparation thereof
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/50—Mask blanks not covered by G03F1/20 - G03F1/34; Preparation thereof
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
二の発明はフォトマスクブランクスの種類を識別するた
め、フォトマスクブランクス用基板(以下基板と、称す
る)の周辺部に所定の記号をマーキングする方法に関す
るものである。
め、フォトマスクブランクス用基板(以下基板と、称す
る)の周辺部に所定の記号をマーキングする方法に関す
るものである。
フォトマスクブランクスを識別するための従来からある
マーキング方、法としては、大別して次の3種類が挙げ
られる。
マーキング方、法としては、大別して次の3種類が挙げ
られる。
1)基板のエツジを削る方法。
2)基板の側周辺部に着色する方法。
3)基板表面の隅に印をする方法。
上記1)の方法は、第1図に示すように基板端面lの隅
角部を所定の角度で削り取り、マークJを付するもので
ある。−は面取り部である。
角部を所定の角度で削り取り、マークJを付するもので
ある。−は面取り部である。
2)の方法は第2図に示すように基板端面lに顔料9等
を用いて着色するものである。3)の方法は第3図に示
すように基板表面に表示部5を設けるものである。
を用いて着色するものである。3)の方法は第3図に示
すように基板表面に表示部5を設けるものである。
上記l)の方法においては、識別するためにマークの個
数で分類しなければならず、識別に時間がかかる上、基
板表面の有効エリアに応じてマーク自体が小さく見にく
いという欠点がある。また2)の方法においては、顔料
が研磨、洗浄等の工程でダメージを受けたり剥がれたり
し、その工程自体でも害をなすほか、クリーンルームに
チップを持ち込む二とになるし、゛顔料からなるマーク
も薄くなって見にくくなる。3)の方法においては基板
表面の有効エリア外に表示部を設けなければならないた
め1表示が小さい上に表示部が他の部分と高さが違うと
いう結果を生じ、コンタクト露光においては害になる。
数で分類しなければならず、識別に時間がかかる上、基
板表面の有効エリアに応じてマーク自体が小さく見にく
いという欠点がある。また2)の方法においては、顔料
が研磨、洗浄等の工程でダメージを受けたり剥がれたり
し、その工程自体でも害をなすほか、クリーンルームに
チップを持ち込む二とになるし、゛顔料からなるマーク
も薄くなって見にくくなる。3)の方法においては基板
表面の有効エリア外に表示部を設けなければならないた
め1表示が小さい上に表示部が他の部分と高さが違うと
いう結果を生じ、コンタクト露光においては害になる。
また研磨、洗浄工程のリサイクル、特に研磨において、
消えてしまう。
消えてしまう。
この発明は上記のような従来の欠点を除去するためにな
されたもので、フォトマスクブランクスの基板の種類、
薄膜の種類の識別を簡単に行うことができ、フォトマス
クブランクスの目的とする回路パターン作成になんら害
を与えることなく、シかもそのマークが半永久的に持続
するフォトマスクブランクス用、基板を得ることを目的
としたマーキング方法である。
されたもので、フォトマスクブランクスの基板の種類、
薄膜の種類の識別を簡単に行うことができ、フォトマス
クブランクスの目的とする回路パターン作成になんら害
を与えることなく、シかもそのマークが半永久的に持続
するフォトマスクブランクス用、基板を得ることを目的
としたマーキング方法である。
すなわち本拗明のマーキング方法は、フォトマスクブラ
ンクス用基板の側周辺部をつや出し加工し2次いでこの
つや出し部分に所定の記号を精密加工によりマーキング
することを特徴とするものである。
ンクス用基板の側周辺部をつや出し加工し2次いでこの
つや出し部分に所定の記号を精密加工によりマーキング
することを特徴とするものである。
本発明において、特につや出し部分を一辺の一部にした
理由は、−辺全面をつや出ししてしまうとあまり目立た
なくなってしまうからで、−辺の一部をつや出しするこ
とにより、どの角度からでも、マーキング箇所が識別で
きるようにしたものである。ただし−面全部をつや出し
し、つや消しを行わなくてもかまわない。
理由は、−辺全面をつや出ししてしまうとあまり目立た
なくなってしまうからで、−辺の一部をつや出しするこ
とにより、どの角度からでも、マーキング箇所が識別で
きるようにしたものである。ただし−面全部をつや出し
し、つや消しを行わなくてもかまわない。
本発明において、つや出し部分作成の際に遊離砥粒を用
いて行った場合は保護膜が必要であるが、第6図のよう
に固定砥粒(ポリッシングベルト)10を用いて行うと
、つや消し工程も省く二とができる。勿論つや出しを行
う研磨剤。
いて行った場合は保護膜が必要であるが、第6図のよう
に固定砥粒(ポリッシングベルト)10を用いて行うと
、つや消し工程も省く二とができる。勿論つや出しを行
う研磨剤。
ポリシャは何ら限定されることはなく、また研磨時間も
つや出し及びつや消しともに適宜決定する二とができる
。
つや出し及びつや消しともに適宜決定する二とができる
。
またマーキング方法もレーザー加工により行う二とがで
きるが、他にも精密加工のできるものであれば、超音波
加工、電子ビーム加工等を用いてもかまわない。
きるが、他にも精密加工のできるものであれば、超音波
加工、電子ビーム加工等を用いてもかまわない。
実施例
第4図に示すように、基板4X4X0.09(inch
)のQ−18((株)保谷電子 商品名〕の側周辺部に
一部保護膜6をつけ、端面のつや出しを、ポリシャ(ポ
リウレタン)8と研磨剤(酸化セリウム+水)7の相対
運動(約3分)で行う。
)のQ−18((株)保谷電子 商品名〕の側周辺部に
一部保護膜6をつけ、端面のつや出しを、ポリシャ(ポ
リウレタン)8と研磨剤(酸化セリウム+水)7の相対
運動(約3分)で行う。
次に、第5図に示すように上記とは逆につや出し部分に
保護膜6をつけ、サンドベルト(SiC砥粒付着)?に
より極弱い力でつや消しを行う(約1分)。
保護膜6をつけ、サンドベルト(SiC砥粒付着)?に
より極弱い力でつや消しを行う(約1分)。
最機にレーザーマーカーによりつや出し部分にIQ−1
8Jとのマーキングを行う。二のときのレーザー加工と
してはCO2ガスレーザーを用いる。マークの大きさは
一文字2■×2■■とじた。
8Jとのマーキングを行う。二のときのレーザー加工と
してはCO2ガスレーザーを用いる。マークの大きさは
一文字2■×2■■とじた。
二の方法1こよりマーキングされた基板では。
硝種、薄膜の種類が一カ所を確認するだけで簡単に、し
かも詳細な部分までわかる。そしてマスクブランクスに
よるICWJIItパターン作成工程に何ら害を及ぼさ
ない、しかもそのマーキングは半永久的である。
かも詳細な部分までわかる。そしてマスクブランクスに
よるICWJIItパターン作成工程に何ら害を及ぼさ
ない、しかもそのマーキングは半永久的である。
第1図乃至第3図はそれぞれ従来例を余す斜視図、第4
図及び第5−は本発明の一実施例を示し、第4図はつや
出し工程を、第5図はつや消し工程をそれぞれ示す斜視
図、第6図は他の実施例を示す斜視図である。 l 端面 −面取り部 3 マーク ダ 顔料 j 表示部 乙 保護膜 り 研磨剤 8 ポリシャ
図及び第5−は本発明の一実施例を示し、第4図はつや
出し工程を、第5図はつや消し工程をそれぞれ示す斜視
図、第6図は他の実施例を示す斜視図である。 l 端面 −面取り部 3 マーク ダ 顔料 j 表示部 乙 保護膜 り 研磨剤 8 ポリシャ
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、フォトマスクブランクス用基板の側周辺部をつや出
し加工し、次いでこのつや出し部分に所定の記号を精密
加工によりマーキングすることを特徴とするフォトマス
クブランクス用基板のマーキング方法。 2、つや出し加工工程が、フォトマスクブランクス用基
板の側周辺部に部分的に保護膜を被着し、この状態でつ
や出し加工1に保護されていない部分をつや出しし、次
いで逆につや出しした部分に保護膜を被着してつや消し
加工する二とよりなる特許請求の範囲第1項記載のフォ
トマスクブランクス用基板のマーキング方法。 3、マーキングに用いる精密加工がレーザー加工である
特許請求の範囲第1項または第2項記載のフォトマスク
ブランクス用基板のマーキング方法。 4、マーキングに用いる精密加工が超音波加工である特
許請求の範囲第1項または第2項記載のフォトマスクブ
ランクス用基板のマーキング方法。 5、マーキングに用いる精密加工が電子ビーム加工であ
る特許請求の範囲第1項または第2項記載のフォトマス
クブランクス用基板のマーキング方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP57027995A JPS58144829A (ja) | 1982-02-22 | 1982-02-22 | フオトマスクブランクス用基板のマ−キング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP57027995A JPS58144829A (ja) | 1982-02-22 | 1982-02-22 | フオトマスクブランクス用基板のマ−キング方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS58144829A true JPS58144829A (ja) | 1983-08-29 |
JPS6240699B2 JPS6240699B2 (ja) | 1987-08-29 |
Family
ID=12236400
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP57027995A Granted JPS58144829A (ja) | 1982-02-22 | 1982-02-22 | フオトマスクブランクス用基板のマ−キング方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS58144829A (ja) |
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6080450U (ja) * | 1983-11-07 | 1985-06-04 | 日本電気株式会社 | フオトマスク基板 |
JPS6116552U (ja) * | 1984-07-05 | 1986-01-30 | 旭硝子株式会社 | 集積回路製造用マスク基板 |
JPS6241145U (ja) * | 1985-08-30 | 1987-03-12 | ||
JPS6341157U (ja) * | 1986-09-02 | 1988-03-17 | ||
JPS6341158U (ja) * | 1986-09-02 | 1988-03-17 | ||
JP2002116533A (ja) * | 2000-10-11 | 2002-04-19 | Dainippon Printing Co Ltd | エリアコード付きフォトマスク用ブランクスとエリアコード付きフォトマスク、およびフォトマスクの製造方法 |
JP2009058950A (ja) * | 2007-08-07 | 2009-03-19 | Hoya Corp | マスクブランク用基板の製造方法、マスクブランクの製造方法、マスクの製造方法、及びマスクブランク用基板 |
TWI463248B (zh) * | 2005-03-30 | 2014-12-01 | Hoya Corp | 空白光罩玻璃基板之製法、空白光罩之製法、光罩之製法、空白光罩玻璃基板 、空白光罩及光罩 |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5888239U (ja) * | 1981-12-01 | 1983-06-15 | 三洋電機株式会社 | 半導体装置用マスク |
-
1982
- 1982-02-22 JP JP57027995A patent/JPS58144829A/ja active Granted
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5888239U (ja) * | 1981-12-01 | 1983-06-15 | 三洋電機株式会社 | 半導体装置用マスク |
Cited By (8)
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JP2002116533A (ja) * | 2000-10-11 | 2002-04-19 | Dainippon Printing Co Ltd | エリアコード付きフォトマスク用ブランクスとエリアコード付きフォトマスク、およびフォトマスクの製造方法 |
TWI463248B (zh) * | 2005-03-30 | 2014-12-01 | Hoya Corp | 空白光罩玻璃基板之製法、空白光罩之製法、光罩之製法、空白光罩玻璃基板 、空白光罩及光罩 |
JP2009058950A (ja) * | 2007-08-07 | 2009-03-19 | Hoya Corp | マスクブランク用基板の製造方法、マスクブランクの製造方法、マスクの製造方法、及びマスクブランク用基板 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS6240699B2 (ja) | 1987-08-29 |
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