JPH03211718A - マーキング法 - Google Patents
マーキング法Info
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- JPH03211718A JPH03211718A JP2005720A JP572090A JPH03211718A JP H03211718 A JPH03211718 A JP H03211718A JP 2005720 A JP2005720 A JP 2005720A JP 572090 A JP572090 A JP 572090A JP H03211718 A JPH03211718 A JP H03211718A
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- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 45
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Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B44—DECORATIVE ARTS
- B44B—MACHINES, APPARATUS OR TOOLS FOR ARTISTIC WORK, e.g. FOR SCULPTURING, GUILLOCHING, CARVING, BRANDING, INLAYING
- B44B7/00—Machines, apparatus or hand tools for branding, e.g. using radiant energy such as laser beams
- B44B7/005—Machines, apparatus or hand tools for branding, e.g. using radiant energy such as laser beams by multi-step processes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2223/00—Details relating to semiconductor or other solid state devices covered by the group H01L23/00
- H01L2223/544—Marks applied to semiconductor devices or parts
- H01L2223/54406—Marks applied to semiconductor devices or parts comprising alphanumeric information
-
- H—ELECTRICITY
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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- H01L2223/54493—Peripheral marks on wafers, e.g. orientation flats, notches, lot number
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- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
- Duplication Or Marking (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、ウェハ上にウェハの識別用の識別パターンを
形成するマーキング法に関するものである。
形成するマーキング法に関するものである。
ＩＣ，ＬＳＩ等の製造プロセスにおいては、個々のウェ
ハに番号等の識別パターンをつけることによって、プロ
セス管理を容易にし、識別パターンと自動認識装置とを
組み合わせることにより、プロセス管理の自動化を可能
としている。
ハに番号等の識別パターンをつけることによって、プロ
セス管理を容易にし、識別パターンと自動認識装置とを
組み合わせることにより、プロセス管理の自動化を可能
としている。
このような識別パターンを形成するマーキング法として
一般に用いられているのは、ウェハの所定領域にウェハ
識別のための番号等よりなる識別パターンをウェハ表面
に形成された溝で構成する方法である。識別パターンを
形成する領域としては、ウェハの表面又は裏面が一般的
で、特に表面に識別パターンを形成した場合には、自動
認識装置による読み取りの場合のみならず、作業員の目
視による識別においても好都合である。
一般に用いられているのは、ウェハの所定領域にウェハ
識別のための番号等よりなる識別パターンをウェハ表面
に形成された溝で構成する方法である。識別パターンを
形成する領域としては、ウェハの表面又は裏面が一般的
で、特に表面に識別パターンを形成した場合には、自動
認識装置による読み取りの場合のみならず、作業員の目
視による識別においても好都合である。
上述の従来のマーキング法では、素子形成直前にウェハ
にマーキングを行っているので、クリーンルーム内の清
浄度の高い雰囲気でマーキングを実施したとしても、溝
を形成するというマーキング作業そのものから生ずる塵
埃がウェハ全体に付着してしまうので、この付着物を除
去するための洗浄が必要となる。特に、マーキングで形
成された溝内に残存する塵埃の完全除去は大変むずかし
い。付着物が存在するとウェハ上に形成される素子の合
格率を低下させることになるため溝内を含めて付着物除
去は完全に行なわれなければならない。この完全除去と
いう難点を克服するためには、洗浄方法の工夫等が必要
であるばかりでなく、かなりの労力を必要とし、又、マ
ーキング作業時のウェハの取り扱いは傷等が付ないよう
にする等の配慮が必要であり、特にガリウム砒素（Ｇａ
Ａｓ）ウェハ等はたいへん傷付き易い材質であるため、
その作業には相当の神経を使わなければならない。
にマーキングを行っているので、クリーンルーム内の清
浄度の高い雰囲気でマーキングを実施したとしても、溝
を形成するというマーキング作業そのものから生ずる塵
埃がウェハ全体に付着してしまうので、この付着物を除
去するための洗浄が必要となる。特に、マーキングで形
成された溝内に残存する塵埃の完全除去は大変むずかし
い。付着物が存在するとウェハ上に形成される素子の合
格率を低下させることになるため溝内を含めて付着物除
去は完全に行なわれなければならない。この完全除去と
いう難点を克服するためには、洗浄方法の工夫等が必要
であるばかりでなく、かなりの労力を必要とし、又、マ
ーキング作業時のウェハの取り扱いは傷等が付ないよう
にする等の配慮が必要であり、特にガリウム砒素（Ｇａ
Ａｓ）ウェハ等はたいへん傷付き易い材質であるため、
その作業には相当の神経を使わなければならない。
以上の如く、素子形成直前にウェハに識別パターンを形
成する従来のマーキング法では、洗浄のみで塵埃の除去
を完全に行なわなければならないと共に、特に素子形成
面に傷等を付けないよう細心の注意を払う必要があった
。
成する従来のマーキング法では、洗浄のみで塵埃の除去
を完全に行なわなければならないと共に、特に素子形成
面に傷等を付けないよう細心の注意を払う必要があった
。
本発明は、従来技術の欠点を除去し、マーキング作業及
びその後の付着物除去のための作業が容易なマーキング
法を提供可能とすることを目的とするものである。
びその後の付着物除去のための作業が容易なマーキング
法を提供可能とすることを目的とするものである。
上述の課題を解決するためにとられた本発明の構成は、
（１）ウェハに該ウェハの識別用の識別パターンを形成
するマーキング法において、前記ウェハ上の所定の領域
に前記識別パターンを構成する溝を形成する第１の工程
と、前記ウェハ上の少なくとも前記溝の形成された前記
所定の領域を含む部分を、前記溝の深さ方向の寸法は減
する方向に化学的に腐蝕する第２の工程とよりなること
を特徴とし、 （２） （１）において、前記第１の工程が、レーザー
光線を用いて行なわれることを特徴とし、（３）ウェハ
に該ウェハの識別用の識別パターンを形成するマーキン
グ法において、前記ウェハ上の所定の領域の前記識別パ
ターンを構成する部分を非晶質化させる第１の工程と、
前記ウェハ上の少なくとも、前記非晶質化させた前記所
定の領域を含む部分を、前記非晶質化させた深さ方向の
寸法を減する方向に化学的に腐蝕する第２の工程とより
なることを特徴とし。
するマーキング法において、前記ウェハ上の所定の領域
に前記識別パターンを構成する溝を形成する第１の工程
と、前記ウェハ上の少なくとも前記溝の形成された前記
所定の領域を含む部分を、前記溝の深さ方向の寸法は減
する方向に化学的に腐蝕する第２の工程とよりなること
を特徴とし、 （２） （１）において、前記第１の工程が、レーザー
光線を用いて行なわれることを特徴とし、（３）ウェハ
に該ウェハの識別用の識別パターンを形成するマーキン
グ法において、前記ウェハ上の所定の領域の前記識別パ
ターンを構成する部分を非晶質化させる第１の工程と、
前記ウェハ上の少なくとも、前記非晶質化させた前記所
定の領域を含む部分を、前記非晶質化させた深さ方向の
寸法を減する方向に化学的に腐蝕する第２の工程とより
なることを特徴とし。
（４） （３）において、前記第２の工程がイオンビー
ムを用いて行なわれることを特徴とする。
ムを用いて行なわれることを特徴とする。
ものである。
すなわち１本発明は、ウェハの研磨加工の途中において
、あらかじめマーキングを実施する方法を用いることに
よって、マーキングにより生じる付着物の除去、マーキ
ング時のウェハの取り扱い性を容易にするものである。
、あらかじめマーキングを実施する方法を用いることに
よって、マーキングにより生じる付着物の除去、マーキ
ング時のウェハの取り扱い性を容易にするものである。
本発明は、第１の工程において、ウェハ上の所定の領域
に識別パターンを構成する溝を形成するか、又はウェハ
上の所定の領域の識別パターンを構成する部分を非晶質
化させるので、この第１の工程におけるマーキング作業
によって生じた塵埃が付着したり、傷が付いたりしても
、第２の工程においてウェハ上の少なくとも溝が形成さ
れた領域を含む部分、又は識別パターンを構成する部分
を非晶質化した領域を含む部分を、溝の深さ又は非晶質
化させた深さ方向の寸法を減する方向に化学的に腐蝕す
る際に除去できるので、マーキング作業及びその後の付
着物除去のための作業を容易とすることができる。
に識別パターンを構成する溝を形成するか、又はウェハ
上の所定の領域の識別パターンを構成する部分を非晶質
化させるので、この第１の工程におけるマーキング作業
によって生じた塵埃が付着したり、傷が付いたりしても
、第２の工程においてウェハ上の少なくとも溝が形成さ
れた領域を含む部分、又は識別パターンを構成する部分
を非晶質化した領域を含む部分を、溝の深さ又は非晶質
化させた深さ方向の寸法を減する方向に化学的に腐蝕す
る際に除去できるので、マーキング作業及びその後の付
着物除去のための作業を容易とすることができる。
〔実施例〕
以下、実施例について説明する。
（実施例１）
第１図はマーキングを実施したウェハ１の平面図で、オ
リエンテーションフラット部１ａ近くにウェハ識別番号
２をレーザー光線を用いて施したものである。
リエンテーションフラット部１ａ近くにウェハ識別番号
２をレーザー光線を用いて施したものである。
第２図はウェハ識別番号２の拡大図で、３はマーキング
の溝の深さの測定位置を示している。溝の深さの測定に
は表面粗さ計を用い、測定用センサーを測定位置３に付
した矢印の方向に走査した。
の溝の深さの測定位置を示している。溝の深さの測定に
は表面粗さ計を用い、測定用センサーを測定位置３に付
した矢印の方向に走査した。
第３図及び第４図はその測定結果の説明図で、第３図は
ラッピングした表面にマーキングを行った状態、第４図
はマーキングの行われた表面をエツチング仕上げした状
態の測定結果を示している。
ラッピングした表面にマーキングを行った状態、第４図
はマーキングの行われた表面をエツチング仕上げした状
態の測定結果を示している。
次に、マーキングの工程について説明する。
直径３インチのＧ ａ Ａ ｓウェハについて１表面は
鏡面仕上げ、裏面はラッピング後エツチング仕上げの仕
様で処理し、マーキングは表面に行なった。レーザーに
はＹＡＧレーザーを用い、光線（スポット径０．１５ｍ
ｍ）をウェハ１面に当て走査することによりマーキング
を行った。このレーザーによるマーキングは表面のラッ
ピング後実施し、溝の深さは第３図に示す如く約５μｍ
の深さであった。マーキングを行った後、ウェハの表面
はエツチング及び鏡面研磨により約４５μｍの厚さ骨除
去した。第４図は鏡面研磨後のマーキング溝深さを示し
ており、深さは６〜７μｍで蛍光灯下でも十分目視識別
出来た。この実施例では約５μｍの溝部に対して約４５
μｍの厚さ分の除去を行なっているのであるが、エツチ
ング及び鏡面研磨における化学研磨作用のため、溝は深
さ方向に進展し溝深さはほぼマーキング時の深さを保っ
ていた。
鏡面仕上げ、裏面はラッピング後エツチング仕上げの仕
様で処理し、マーキングは表面に行なった。レーザーに
はＹＡＧレーザーを用い、光線（スポット径０．１５ｍ
ｍ）をウェハ１面に当て走査することによりマーキング
を行った。このレーザーによるマーキングは表面のラッ
ピング後実施し、溝の深さは第３図に示す如く約５μｍ
の深さであった。マーキングを行った後、ウェハの表面
はエツチング及び鏡面研磨により約４５μｍの厚さ骨除
去した。第４図は鏡面研磨後のマーキング溝深さを示し
ており、深さは６〜７μｍで蛍光灯下でも十分目視識別
出来た。この実施例では約５μｍの溝部に対して約４５
μｍの厚さ分の除去を行なっているのであるが、エツチ
ング及び鏡面研磨における化学研磨作用のため、溝は深
さ方向に進展し溝深さはほぼマーキング時の深さを保っ
ていた。
溝幅はわずかに広がっただけでマーキングそのものが不
鮮明になる等の不具合は全く生じなかった。
鮮明になる等の不具合は全く生じなかった。
この実施例では、ラッピング後のウェハにマーキングを
実施したためウェハのハンドリングもきわめて容易で、
傷を付ける等のトラブルにより不良となるウェハは生じ
なかった。鏡面仕上げ後の表面状態は、清浄度、平坦度
ともマーキング無しのウェハと同等の仕上がりであった
。又、この実施例のウェハ上１こＦＥＴ（電界効果トラ
ンジスタ）を形成したが、マーキング無しのウェハと比
較し遜色のない歩留りが得られた。
実施したためウェハのハンドリングもきわめて容易で、
傷を付ける等のトラブルにより不良となるウェハは生じ
なかった。鏡面仕上げ後の表面状態は、清浄度、平坦度
ともマーキング無しのウェハと同等の仕上がりであった
。又、この実施例のウェハ上１こＦＥＴ（電界効果トラ
ンジスタ）を形成したが、マーキング無しのウェハと比
較し遜色のない歩留りが得られた。
（実施例２）
ウェハとして直径３インチのＧ ａ Ａ ｓを用い、実
施例１と同様にウェハの表面をラッピング加工後に表面
にイオンビームを用いて識別パターンのマーキングを行
った。すなわち、この実施例では。
施例１と同様にウェハの表面をラッピング加工後に表面
にイオンビームを用いて識別パターンのマーキングを行
った。すなわち、この実施例では。
実施例１の場合の如く、溝を形成する代りに、イオンビ
ームによってウェハ上の識別番号を形成する部分を非晶
質化し、その後、ウェハ表面をエツチング及び鏡面研摩
し、厚さ約４５μｍを除去した。
ームによってウェハ上の識別番号を形成する部分を非晶
質化し、その後、ウェハ表面をエツチング及び鏡面研摩
し、厚さ約４５μｍを除去した。
イオンビームにより非晶質化した部分は、イオンビーム
をあてた段階では、実施例１の場合のようしこ溝は形成
されていないが、マーキング後の鏡面研磨により目視で
十分識別出来る溝が形成され、その溝の深さは２〜４μ
ｍであった。すなわち、この実施例の場合では非晶質化
した部分が非晶質化以後の加工において優先的にエツチ
ング及び化学研磨作用を受け、イオンビーム走査により
非晶質化した部分が溝として残り、識号番号が形成され
る。
をあてた段階では、実施例１の場合のようしこ溝は形成
されていないが、マーキング後の鏡面研磨により目視で
十分識別出来る溝が形成され、その溝の深さは２〜４μ
ｍであった。すなわち、この実施例の場合では非晶質化
した部分が非晶質化以後の加工において優先的にエツチ
ング及び化学研磨作用を受け、イオンビーム走査により
非晶質化した部分が溝として残り、識号番号が形成され
る。
本発明によるマーキング法を用いることにより、（１）
マーキング時のウェハのハンドリングが容易となる。
マーキング時のウェハのハンドリングが容易となる。
（２）マーキング後の洗浄に関しては特別の技術を用い
る必要もなく、マーキング無しのウェハと同等の清浄度
を得ることができる。
る必要もなく、マーキング無しのウェハと同等の清浄度
を得ることができる。
等の効果を得ることができ、産業上の効果の大なるもの
である。
である。
第１図は、本発明のマーキング法の一実施例で得られた
マーキングされたウェハの平面図、第２図は第１図の要
部の説明図、第３図及び第４図は本発明のマーキング法
の一実施例で形成された溝の、それぞれ異なる状態にお
ける溝の深さの測定結果を示す説明図である。
マーキングされたウェハの平面図、第２図は第１図の要
部の説明図、第３図及び第４図は本発明のマーキング法
の一実施例で形成された溝の、それぞれ異なる状態にお
ける溝の深さの測定結果を示す説明図である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、ウェハに該ウェハの識別用の識別パターンを形成す
るマーキング法において、前記ウェハ上の所定の領域に
前記識別パターンを構成する溝を形成する第１の工程と
、前記ウェハ上の少なくとも前記溝の形成された前記所
定の領域を含む部分を、前記溝の深さ方向の寸法を減す
る方向に化学的に腐蝕する第２の工程とよりなることを
特徴とするマーキング法。 ２、前記第１の工程が、レーザー光線を用いて行なわれ
る特許請求の範囲第１項記載のマーキング法。 ３、ウェハに該ウェハの識別用の識別パターンを形成す
るマーキング法において、前記ウェハ上の所定の領域の
前記識別パターンを構成する部分を非晶質化させる第１
の工程と、前記ウェハ上の少なくとも、非晶質化させた
前記所定の領域を含む部分を、前記非晶質化させた深さ
方向の寸法を減する方向に化学的に腐蝕する第２の工程
とよりなることを特徴とするマーキング法。 ４、前記第２の工程が、イオンビームを用いて行なわれ
る特許請求の範囲第３項記載のマーキング法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2005720A JPH03211718A (ja) | 1990-01-13 | 1990-01-13 | マーキング法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2005720A JPH03211718A (ja) | 1990-01-13 | 1990-01-13 | マーキング法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03211718A true JPH03211718A (ja) | 1991-09-17 |
Family
ID=11618957
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2005720A Pending JPH03211718A (ja) | 1990-01-13 | 1990-01-13 | マーキング法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03211718A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5800725A (en) * | 1996-01-31 | 1998-09-01 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | Method of manufacturing semiconductor wafers |
| JP2006186173A (ja) * | 2004-12-28 | 2006-07-13 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | レーザーマーク付き半導体ウェーハの製造方法、及びその半導体ウェーハ |
| CN106425105A (zh) * | 2016-12-08 | 2017-02-22 | 中国电子科技集团公司第四十六研究所 | 一种砷化镓晶片打印激光标识的方法 |
-
1990
- 1990-01-13 JP JP2005720A patent/JPH03211718A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5800725A (en) * | 1996-01-31 | 1998-09-01 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | Method of manufacturing semiconductor wafers |
| JP2006186173A (ja) * | 2004-12-28 | 2006-07-13 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | レーザーマーク付き半導体ウェーハの製造方法、及びその半導体ウェーハ |
| JP4565994B2 (ja) * | 2004-12-28 | 2010-10-20 | 信越半導体株式会社 | レーザーマーク付き半導体ウェーハの製造方法、及びその半導体ウェーハ |
| CN106425105A (zh) * | 2016-12-08 | 2017-02-22 | 中国电子科技集团公司第四十六研究所 | 一种砷化镓晶片打印激光标识的方法 |
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