JPH03116919A - ウエハの識別方法 - Google Patents
ウエハの識別方法Info
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- JPH03116919A JPH03116919A JP25661689A JP25661689A JPH03116919A JP H03116919 A JPH03116919 A JP H03116919A JP 25661689 A JP25661689 A JP 25661689A JP 25661689 A JP25661689 A JP 25661689A JP H03116919 A JPH03116919 A JP H03116919A
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- 230000000007 visual effect Effects 0.000 abstract description 3
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 63
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Landscapes
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は、例えば、半導体製造工程における半導体ウェ
ハにウェハ情報（ロット番号、ウェハ番号等）等のウェ
ハを識別する情報を付してウェハを識別できるようにし
たウェハの識別方法に関する。
ハにウェハ情報（ロット番号、ウェハ番号等）等のウェ
ハを識別する情報を付してウェハを識別できるようにし
たウェハの識別方法に関する。
［従来の技術］
例えば、半導体製造工程において用いられる半導体ウェ
ハには、該半導体ウェハのロット番号もしくはウェハ番
号等のウェハ情報を付して、用いられるウェハがいかな
るものであるかの識別ができるようにしておく必要があ
る。
ハには、該半導体ウェハのロット番号もしくはウェハ番
号等のウェハ情報を付して、用いられるウェハがいかな
るものであるかの識別ができるようにしておく必要があ
る。
このウェハを識別するためのウェハの識別方法としては
、従来、以下の方法があった。
、従来、以下の方法があった。
■ 半導体ウェハの基準面を表すために設けられるオリ
エンテーションフラット部に、彫刻、フォトエツチング
あるいはレーザマーキング等の方法により、数字、記号
あるいは文字等を刻みこんでおく方法。
エンテーションフラット部に、彫刻、フォトエツチング
あるいはレーザマーキング等の方法により、数字、記号
あるいは文字等を刻みこんでおく方法。
■ ウェハ面上に、該ウェハとほぼ同心円のリング状バ
ーコードマークを書き込んでおく方法。
ーコードマークを書き込んでおく方法。
［発明が解決しようとする課題］
ところが、上述の従来の方法には以下の欠点があった。
（ａ）前記■及び■の方法ともに、ウェハ表面の利用可
能な領域ににマーキングを付すものであるため、このマ
ーキングを付した部分が利用不可能となり、ウェハの有
効利用面積が少なくなる。したがって、例えば、このウ
ェハをカットして多数のチップを得る場合、そのチップ
の収量がその分少なくなる。
能な領域ににマーキングを付すものであるため、このマ
ーキングを付した部分が利用不可能となり、ウェハの有
効利用面積が少なくなる。したがって、例えば、このウ
ェハをカットして多数のチップを得る場合、そのチップ
の収量がその分少なくなる。
（ｂ）前記■及び■の方法ともに、マーキングを施すこ
とによりウェハ表面を汚染する原因となるおそれがある
。すなわち、一般に、ウェハ面は著しく活性であるため
、マーキングの際に取り除かれた屑が周囲の表面に付着
しやすく、特に、マーキングによって表面に凹凸が形成
されると、その周囲に異物が集積しやすくなる。この集
積して付着した異物は、フォトリソグラフィー法等によ
りウェハに微細なパターンを高密度で形成する場合に、
−様な露光の妨げになるとともに、工程中に脱離して他
を汚染する等の悪影響を及ぼす。それゆえ、マーキング
後にエツチング処理や研磨処理並びに異物の除去処理等
を行う必要があった。しかも、その処理を行ってもマー
ク自体の凹凸が残るので、凹部の不純物を完全に取り除
くのは困難であった。
とによりウェハ表面を汚染する原因となるおそれがある
。すなわち、一般に、ウェハ面は著しく活性であるため
、マーキングの際に取り除かれた屑が周囲の表面に付着
しやすく、特に、マーキングによって表面に凹凸が形成
されると、その周囲に異物が集積しやすくなる。この集
積して付着した異物は、フォトリソグラフィー法等によ
りウェハに微細なパターンを高密度で形成する場合に、
−様な露光の妨げになるとともに、工程中に脱離して他
を汚染する等の悪影響を及ぼす。それゆえ、マーキング
後にエツチング処理や研磨処理並びに異物の除去処理等
を行う必要があった。しかも、その処理を行ってもマー
ク自体の凹凸が残るので、凹部の不純物を完全に取り除
くのは困難であった。
（Ｃ）前記■及び■の方法ともに、比較的大掛かりな書
き込み装置と読取り装置が必要となる。
き込み装置と読取り装置が必要となる。
さらに、゛前記■のレーザマーキング方法では、オリエ
ンテーションフラットを基準にしてウェハの位置を精密
に合わせるための位置合わせ装置も必要となる。
ンテーションフラットを基準にしてウェハの位置を精密
に合わせるための位置合わせ装置も必要となる。
（ｄ）前記■のバーコードの方法では、目視による識別
及び確認ができない。
及び確認ができない。
本発明は、上述の背景のもとでなされたものであり、特
別な装置等を用いず、比較的簡単に情報を付すことがで
き、また、目視による読取りが可能であり、しかも、情
報を付すことによってウェハを汚染せず、ウェハの有効
利用面積をせまくすることもないウェハの識別方法を提
供することを目ｎ勺としたちのて′ある。
別な装置等を用いず、比較的簡単に情報を付すことがで
き、また、目視による読取りが可能であり、しかも、情
報を付すことによってウェハを汚染せず、ウェハの有効
利用面積をせまくすることもないウェハの識別方法を提
供することを目ｎ勺としたちのて′ある。
［課題を解決するための手段］
本発明は、以下の構成とすることにより上述の課題を解
決している。
決している。
ウェハの外周部を複数の領域に分割し、各領域内の外周
部に識別可能な面取を施すか否かによってこれら各領域
内の外周部に単位情報を付し、これら複数の領域に付さ
れた各単位情報の組み合わせによって前記ウェハを識別
する情報とすることを特徴とした構成。
部に識別可能な面取を施すか否かによってこれら各領域
内の外周部に単位情報を付し、これら複数の領域に付さ
れた各単位情報の組み合わせによって前記ウェハを識別
する情報とすることを特徴とした構成。
［作用］
上述の構成において、前記各領域内の外周部の面取の有
無によって、これら各領域内に付された単位情報を読取
ることができる。これにより、これら各単位情報の組み
合わせを知ることができ、この組み合わせによって表さ
れる情報を解読することにより、ウェハを識別する情報
を読取ることができる。
無によって、これら各領域内に付された単位情報を読取
ることができる。これにより、これら各単位情報の組み
合わせを知ることができ、この組み合わせによって表さ
れる情報を解読することにより、ウェハを識別する情報
を読取ることができる。
この場合、前記単位情報を付すのに、ウェハのもともと
利用不可能な外周部に施すだけであるから、ウェハの有
効利用面積をせまくすることがない。また、単位情報を
付す方法として面取りによっており、従来のように、ウ
ェハ表面に凹凸が生ずるようなことがないから汚染等の
おそれを除去できる。また、この情報は目視により読取
ることができる。しかも、面取り加工には特別な装置等
を用いる必要がないから、上す的簡単に情報を付すこと
が可能である。
利用不可能な外周部に施すだけであるから、ウェハの有
効利用面積をせまくすることがない。また、単位情報を
付す方法として面取りによっており、従来のように、ウ
ェハ表面に凹凸が生ずるようなことがないから汚染等の
おそれを除去できる。また、この情報は目視により読取
ることができる。しかも、面取り加工には特別な装置等
を用いる必要がないから、上す的簡単に情報を付すこと
が可能である。
［実施例］
第１図は本発明の一実施例にがかるウェハの識別方法を
実施してウェハの識別情報が付された半導体ウェハの平
面図、第２図は第１図における■−■線断面図、第３図
は第１図における■−■線断面図である。以下、これら
の図面を参照しなから一実施例を詳述する。
実施してウェハの識別情報が付された半導体ウェハの平
面図、第２図は第１図における■−■線断面図、第３図
は第１図における■−■線断面図である。以下、これら
の図面を参照しなから一実施例を詳述する。
図において、符号１はシリコン等の半導体ウェハ、符号
１１は該ウェハ１の表面、符号１２はウェハ１の側面、
符号１３はウェハ１の裏面、符号１４及び１５は縁取部
、符号１６．１７はオリエンテーションフラット、符号
１４０，１４２゜１４６は面取部である。
１１は該ウェハ１の表面、符号１２はウェハ１の側面、
符号１３はウェハ１の裏面、符号１４及び１５は縁取部
、符号１６．１７はオリエンテーションフラット、符号
１４０，１４２゜１４６は面取部である。
前記縁取部１４及び１５は、前記側面１２と表面１１及
び裏面１３とが交わる角部をそれぞれ除去して形成され
たものである。また、前記オリエンテーションフラット
１６及び１７は、ウェハの基準位置を定めるもので側面
１２の一部が平坦に形成されたものである。なお、これ
ら縁取部１４゜１５並びにオリエンテーションフラット
１６゜１７は、あらかじめウェハ１に形成されている。
び裏面１３とが交わる角部をそれぞれ除去して形成され
たものである。また、前記オリエンテーションフラット
１６及び１７は、ウェハの基準位置を定めるもので側面
１２の一部が平坦に形成されたものである。なお、これ
ら縁取部１４゜１５並びにオリエンテーションフラット
１６゜１７は、あらかじめウェハ１に形成されている。
この一実施例に係る方法は、前記ウェハ１の外周部を複
数の領域に別け、以下のように、各領域に単位情報を付
すようにしたものである。
数の領域に別け、以下のように、各領域に単位情報を付
すようにしたものである。
まず、前記ウェハ１の外周部を前記オリエンテーション
フラットが形成された領域を含めて１２の領域、Ａ、０
，１．Ｂ、２，３，４，５，６゜７．８，９．に分ける
。これら領域のうち、領域Ａ、Ｂにそれぞれオリエンテ
ーションフラット１６及び１７が形成されている。これ
ら領域Ａ。
フラットが形成された領域を含めて１２の領域、Ａ、０
，１．Ｂ、２，３，４，５，６゜７．８，９．に分ける
。これら領域のうち、領域Ａ、Ｂにそれぞれオリエンテ
ーションフラット１６及び１７が形成されている。これ
ら領域Ａ。
Ｂを除くＯ〜９の領域をそれぞれ０〜９番地とする。そ
して、各領域に「１」又は「０」の単位情報を付す。こ
の単位情報は、各領域における縁取部１４の一部を平坦
に除去し、面取部を形成するか否かにより付す。すなわ
ち、面取部を形成した場合を「１」、形成しない場合を
「０」とする。
して、各領域に「１」又は「０」の単位情報を付す。こ
の単位情報は、各領域における縁取部１４の一部を平坦
に除去し、面取部を形成するか否かにより付す。すなわ
ち、面取部を形成した場合を「１」、形成しない場合を
「０」とする。
これにより、１０２４の異なる組み合わせを得ることが
できる。この実施例では、領域０，２．６にそれぞれ面
取部１４０．１４２．１４６を形成し、これら各領域の
単位情報を「１」とし、その他の領域１，３．４，５，
７．８．９の単位情報を「０」としている。これにより
、２進数でｒｉｏｉ。
できる。この実施例では、領域０，２．６にそれぞれ面
取部１４０．１４２．１４６を形成し、これら各領域の
単位情報を「１」とし、その他の領域１，３．４，５，
７．８．９の単位情報を「０」としている。これにより
、２進数でｒｉｏｉ。
００１０００、の情報、すなわち、１０進数でｒ６８４
゜の情報を表している。したがって、この情報を、ウェ
ハの製造番号、ロフト番号その他の識別情報として利用
することができる。
゜の情報を表している。したがって、この情報を、ウェ
ハの製造番号、ロフト番号その他の識別情報として利用
することができる。
なお、前記面取部１４６（面取部１４０，１４２も同じ
）の表面１１に対してなす角度θを、前記縁取部１４の
表面１１に対する角度と異ならしめることにより、目視
による確認を容易にすることができる。なお、この角度
θは１０″〜３０”程度に設定することが望ましい。ま
た、この実施例では、ウェハ１の直径が３インチ、面取
部１４０゜１４２．１４６の長さ１は５〜１０ｍｍとさ
れている。
）の表面１１に対してなす角度θを、前記縁取部１４の
表面１１に対する角度と異ならしめることにより、目視
による確認を容易にすることができる。なお、この角度
θは１０″〜３０”程度に設定することが望ましい。ま
た、この実施例では、ウェハ１の直径が３インチ、面取
部１４０゜１４２．１４６の長さ１は５〜１０ｍｍとさ
れている。
この実施例によれば、以下の利点が得られる。
前記単位情報を、ウェハ１の、もともと利用不可能な外
周部に施しているから、ウェハの１の有効利用面積をせ
まくすることがない。また、単位情報を付す方法として
面取りによっており、従来のように、ウェハ１の表面１
１に凹凸が生ずるようなことがないから汚染等のおそれ
を除去できる。
周部に施しているから、ウェハの１の有効利用面積をせ
まくすることがない。また、単位情報を付す方法として
面取りによっており、従来のように、ウェハ１の表面１
１に凹凸が生ずるようなことがないから汚染等のおそれ
を除去できる。
また、この情報は目視により読取ることができる。
しかも、面取りは特別な装置等を用いず、比較的簡単に
情報を付すことが可能である。
情報を付すことが可能である。
第４図及び第５図は、本発明の他の実施例の説明図であ
る。すなわち、これらの図は本発明の他の実施例を実施
してウェハ情報を施したウェハの一部断面図である。
る。すなわち、これらの図は本発明の他の実施例を実施
してウェハ情報を施したウェハの一部断面図である。
第４図に示される例は、ウェハ２の側面２２と表面２１
及び裏面２３との交差する角部を丸く削ってそれぞれ曲
面形状の縁取部２４が形成された場合の例である。この
場合にも、この縁取部２４の一部を平坦に除去して面取
部２４１等を形成することにより、前記一実施例と同様
の単位情報を付すことができる。
及び裏面２３との交差する角部を丸く削ってそれぞれ曲
面形状の縁取部２４が形成された場合の例である。この
場合にも、この縁取部２４の一部を平坦に除去して面取
部２４１等を形成することにより、前記一実施例と同様
の単位情報を付すことができる。
また、第５図に示される例は、ウェハ３の側面３２の一
部を平坦に除去して面取部３２１を形成したもので、あ
る種のウェハではこの方法でも可能である。
部を平坦に除去して面取部３２１を形成したもので、あ
る種のウェハではこの方法でも可能である。
「発明の効果］
以上、詳述したように、本発明は、
ウェハの外周部を複数の領域に分割し、各領域内の外周
部に識別可能な面取を施すか否かによってこれら各領域
内の外周部に単位情報を付し、これら複数の領域に付さ
れた各単位情報の組み合わせによって前記ウェハを識別
する情報とすることを特徴とした構成を有し、 これにより、特別な装置等を用いず、比較的簡単に情報
を付すことができ、また、目視による読取りが可能であ
り、しかも、情報を付すことによってウェハを汚染せず
、ウェハの有効利用面積をせまくすることもないウェハ
の識別方法を得ているものである。
部に識別可能な面取を施すか否かによってこれら各領域
内の外周部に単位情報を付し、これら複数の領域に付さ
れた各単位情報の組み合わせによって前記ウェハを識別
する情報とすることを特徴とした構成を有し、 これにより、特別な装置等を用いず、比較的簡単に情報
を付すことができ、また、目視による読取りが可能であ
り、しかも、情報を付すことによってウェハを汚染せず
、ウェハの有効利用面積をせまくすることもないウェハ
の識別方法を得ているものである。
第１図は本発明の一実施例にがかるウェハの識別方法を
実施してウェハの識別情報が付された半導体ウェハの平
面図、第２図は第１図における■−■線断面図、第３図
は第１図における■−■線断面図、第４図及び第５図は
他の実施例の説明図である。 １．２．３・・・ウェハ、１１，２１．３１・・・ウェ
ハ表面、１２，２２．３２・・・ウェハ側面、１３２３
．３３・・・ウェハ裏面、１４．．１５，２４゜２５．
３４．３５・・・縁取部、１４０，１４２゜１４６．２
４１，３２１・・・面取部。
実施してウェハの識別情報が付された半導体ウェハの平
面図、第２図は第１図における■−■線断面図、第３図
は第１図における■−■線断面図、第４図及び第５図は
他の実施例の説明図である。 １．２．３・・・ウェハ、１１，２１．３１・・・ウェ
ハ表面、１２，２２．３２・・・ウェハ側面、１３２３
．３３・・・ウェハ裏面、１４．．１５，２４゜２５．
３４．３５・・・縁取部、１４０，１４２゜１４６．２
４１，３２１・・・面取部。
Claims (1)
- ウェハの外周部を複数の領域に分割し、各領域内の外
周部に識別可能な面取を施すか否かによってこれら各領
域内の外周部に単位情報を付し、これら複数の領域に付
された各単位情報の組み合わせによって前記ウェハを識
別する情報とすることを特徴としたウェハの識別方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25661689A JPH03116919A (ja) | 1989-09-29 | 1989-09-29 | ウエハの識別方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25661689A JPH03116919A (ja) | 1989-09-29 | 1989-09-29 | ウエハの識別方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03116919A true JPH03116919A (ja) | 1991-05-17 |
Family
ID=17295099
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25661689A Pending JPH03116919A (ja) | 1989-09-29 | 1989-09-29 | ウエハの識別方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03116919A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6877668B1 (en) | 1999-10-26 | 2005-04-12 | Komatsu Electronic Metals Co., Ltd. | Marking method for semiconductor wafer |
-
1989
- 1989-09-29 JP JP25661689A patent/JPH03116919A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6877668B1 (en) | 1999-10-26 | 2005-04-12 | Komatsu Electronic Metals Co., Ltd. | Marking method for semiconductor wafer |
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