JPH03255445A - フォトマスク基板 - Google Patents
フォトマスク基板Info
- Publication number
- JPH03255445A JPH03255445A JP2054115A JP5411590A JPH03255445A JP H03255445 A JPH03255445 A JP H03255445A JP 2054115 A JP2054115 A JP 2054115A JP 5411590 A JP5411590 A JP 5411590A JP H03255445 A JPH03255445 A JP H03255445A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- photomask
- substrate
- photomask substrate
- side faces
- transparent substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
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Landscapes
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はフォトマスクを製造する為のフォトマスク基板
に関する。
に関する。
従来のフォトマスク基板は、石英ガラス、ソーダライム
ガラス等の透明基板上にクロム、酸化クロム、ニッケル
、酸化鉄等の遮光性を有する金属被膜を形成した構造と
なっていた。
ガラス等の透明基板上にクロム、酸化クロム、ニッケル
、酸化鉄等の遮光性を有する金属被膜を形成した構造と
なっていた。
一般に、フォトマスクの製造は、フォトマスク基板上に
放射線感応レジスト膜を形成した後、電子ビーム描画装
置等のパターン発生装置により、所望部分を描画し、そ
の後所定のプロセス処理を施し、最終的に必要とする遮
光パターンを形成することにより完了する。
放射線感応レジスト膜を形成した後、電子ビーム描画装
置等のパターン発生装置により、所望部分を描画し、そ
の後所定のプロセス処理を施し、最終的に必要とする遮
光パターンを形成することにより完了する。
従来のフォトマスク基板を用いた場合、フォトマスク基
板に形成されるパターン領域のフォトマスク基板に対す
る相対位置は、前述した電子ビーム露光装置等のパター
ン発生装置にフォトマスク基板をセットする時の位置精
度及びフォトマスク基板のサイズの誤差により決定され
る。この為、フォトマスク基板をパターン発生装置のホ
ルダーにセットする時に位置ずれを生じたり、フォトマ
スク基板のサイズが規定の大きさと異なった場合、フォ
トマスク基板の中心とパターン領域の中心が異なったり
、パターン領域がフォトマスク基板に対して回転したフ
ォトマスクが出来上がることがあった。
板に形成されるパターン領域のフォトマスク基板に対す
る相対位置は、前述した電子ビーム露光装置等のパター
ン発生装置にフォトマスク基板をセットする時の位置精
度及びフォトマスク基板のサイズの誤差により決定され
る。この為、フォトマスク基板をパターン発生装置のホ
ルダーにセットする時に位置ずれを生じたり、フォトマ
スク基板のサイズが規定の大きさと異なった場合、フォ
トマスク基板の中心とパターン領域の中心が異なったり
、パターン領域がフォトマスク基板に対して回転したフ
ォトマスクが出来上がることがあった。
フォトマスク基板に対してパターン領域が相対的に位置
ずれを有するフォトマスクを後の半導体集積回路の製造
工程で用いられる縮小投影露光装置、すなわちステッパ
ー等のパターン転写装置に使用すると、フォトマスクと
転写装置の位置合わせができなくなることがあり、生産
性を悪化させる原因となっていた。
ずれを有するフォトマスクを後の半導体集積回路の製造
工程で用いられる縮小投影露光装置、すなわちステッパ
ー等のパターン転写装置に使用すると、フォトマスクと
転写装置の位置合わせができなくなることがあり、生産
性を悪化させる原因となっていた。
本発明は、透明基板の一主平面上に金属被膜を有するフ
ォトマスク基板において、前記フォトマスク基板の四つ
の側面のうち少なくとも２つの側面の各々に少くとも二
つの鏡面部を設けたことを特徴とする。
ォトマスク基板において、前記フォトマスク基板の四つ
の側面のうち少なくとも２つの側面の各々に少くとも二
つの鏡面部を設けたことを特徴とする。
本発明のフォトマスク基板は、すくなくとも２ケ所の側
面に鏡面状の金属膜が形成されているため、パターン描
画時にこの鏡面を用いてレーザー干渉式の位置測定を行
ない、フォトマスク基板をホルダーにセットする時の位
置ずれやフォトマスク基板サイズの誤差を補正し、フォ
トマスク基板に対するパターン領域の相対位置が正しい
フォトマスクの製造を可能にするものである。
面に鏡面状の金属膜が形成されているため、パターン描
画時にこの鏡面を用いてレーザー干渉式の位置測定を行
ない、フォトマスク基板をホルダーにセットする時の位
置ずれやフォトマスク基板サイズの誤差を補正し、フォ
トマスク基板に対するパターン領域の相対位置が正しい
フォトマスクの製造を可能にするものである。
次に、本発明の実施例について図面を参照して説明する
。
。
第１図は本発明の一実施例の斜視図である。
石英ガラス等の透明基板１の４つの側面について、各側
面の２箇所を幅１０ｍｍに亘って研磨する６次に、透明
基板１の一主平面上にスパッタリング法や蒸着法によっ
て金属クロムＷＡ２を形成する。次に、透明基板の側面
の研磨部分に金属クロム膜をスパッタリング法や蒸着法
により２００〜１０００Ａ厚で形威し、鏡面部３を設け
る。金属クロム膜は研磨部分に形成されるから鏡面とな
る。
面の２箇所を幅１０ｍｍに亘って研磨する６次に、透明
基板１の一主平面上にスパッタリング法や蒸着法によっ
て金属クロムＷＡ２を形成する。次に、透明基板の側面
の研磨部分に金属クロム膜をスパッタリング法や蒸着法
により２００〜１０００Ａ厚で形威し、鏡面部３を設け
る。金属クロム膜は研磨部分に形成されるから鏡面とな
る。
上記実施例では、鏡面部３を金属クロムで形成したが、
銀その他の鏡面を形成できる材料であれば何でも良い。
銀その他の鏡面を形成できる材料であれば何でも良い。
以上説明したように本発明は、フォトマスク基板のすく
なくとも２ケ所以上の側面に鏡面の金属クロム膜を設け
たのでパターン描画時に生じるフォトマスク基板とパタ
ーン領域の相対的な位置ずれの補正を可能にし、フォト
マスク基板に対するパターン領域の相対位置が正しいフ
ォトマスクの製造を可能にするという効果を有する。
なくとも２ケ所以上の側面に鏡面の金属クロム膜を設け
たのでパターン描画時に生じるフォトマスク基板とパタ
ーン領域の相対的な位置ずれの補正を可能にし、フォト
マスク基板に対するパターン領域の相対位置が正しいフ
ォトマスクの製造を可能にするという効果を有する。
第１図は本発明の一実施例の斜視図である。
１・・・透明基板、２・・・金属クロム膜、３・・・鏡
面部。
面部。
Claims (1)
- 透明基板の一主平面上に金属被膜を有するフォトマス
ク基板において、前記フォトマスク基板の四つの側面の
うち少なくとも２つの側面の各々に少くとも二つの鏡面
部を設けたことを特徴とするフォトマスク基板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2054115A JPH03255445A (ja) | 1990-03-05 | 1990-03-05 | フォトマスク基板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2054115A JPH03255445A (ja) | 1990-03-05 | 1990-03-05 | フォトマスク基板 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03255445A true JPH03255445A (ja) | 1991-11-14 |
Family
ID=12961598
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2054115A Pending JPH03255445A (ja) | 1990-03-05 | 1990-03-05 | フォトマスク基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03255445A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009058950A (ja) * | 2007-08-07 | 2009-03-19 | Hoya Corp | マスクブランク用基板の製造方法、マスクブランクの製造方法、マスクの製造方法、及びマスクブランク用基板 |
-
1990
- 1990-03-05 JP JP2054115A patent/JPH03255445A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009058950A (ja) * | 2007-08-07 | 2009-03-19 | Hoya Corp | マスクブランク用基板の製造方法、マスクブランクの製造方法、マスクの製造方法、及びマスクブランク用基板 |
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