JP2014146722A - 半導体デバイスの管理装置、及び顕微鏡 - Google Patents

Abstract

【課題】
本発明は、半導体チップ等に微小な識別情報を設けることによる半導体デバイスの管理を容易に実現する半導体デバイスの管理装置、及び顕微鏡の提供を目的とする。
【解決手段】
上記目的を達成するために本発明では、指紋状パターン情報と、半導体製造条件、当該半導体を測定したときの測定条件、当該半導体を測定したときの測定結果、及びチップ情報の少なくとも１つを関連付けて記憶する記憶媒体にアクセス可能な演算装置を備え、当該演算装置は前記指紋状パターン情報の入力に基づいて、前記半導体製造条件、測定条件、測定結果、及びチップ情報の少なくとも１つを照会する半導体デバイスの管理装置、及び顕微鏡を提案する。
【選択図】 図５

Description

本発明は、半導体デバイスの管理装置、及び顕微鏡に係り、特に自己組織化リソグラフィ工程を経て作成された半導体デバイスの管理に好適な半導体デバイスの管理装置、及び顕微鏡に関する。

半導体チップを含む半導体装置の管理のため、半導体装置に半導体チップ情報を記録することで、半導体装置に追跡可能性（トレーサビリティ）をもたせることが行なわれている。半導体装置に組み立てた後に、製造条件や評価結果などの半導体チップ情報を読み取ることで、半導体装置の品質保証や不良解析を行なうことができる。特許文献１には、半導体チップの個別認識情報をチップ上に刻印することが説明されている。

一方、近年の半導体デバイスは微細化パターンの生成のため、Ｄｉｒｅｃｔｅｄ Ｓｅｌｆ−Ａｓｓｅｍｂｌｙ（ＤＳＡ）法を用いたパターンの形成が検討されている。ＤＳＡ法では、２種類のポリマーを連結ないし混合した複合ポリマー材の自己整列特性を利用する。特許文献２にはＤＳＡ技術によって形成されたパターンを走査電子顕微鏡によって観察した例やパターンの寸法測定を行う例が説明されている。

特開２００９−２７２５３７号公報 特開２０１０−２６９３０４号公報（対応米国特許ＵＳＰ８，１１４，３０６）

特許文献１に説明されているようにチップ単位で識別データを設けることによって、チップをもとに製造工程まで遡ったトレースが可能となるが、刻印された識別情報がチップ上で所定の大きさを持つことになる。このように識別情報を付加するための領域を確保すると、それ分、回路を構成するための領域の大きさに制約を受けることになるため、極力小さくすることが望ましい。また、識別すべき数分、異なる識別情報を付与する必要があるため、ナンバリング等の手間や桁数が増大することになる。特許文献２に開示されたＤＳＡ法は、一般的なリソグラフィ法によって形成された微細パターン間に、複数種のポリマーが化学的に結合した高分子化合物が充填されるようにウエハ上に塗布し、熱処理によってポリマーを相分離させることによってパターン形成を行う技術である。光近接効果（Ｏｐｔｉｃａｌ Ｐｒｏｘｉｍｉｔｙ Ｅｆｆｅｃｔ）による縮小露光の限界を超えた微細なパターニングが可能な技術であるが、特許文献２には半導体チップの管理にＤＳＡ法を用いることについての開示はない。

以下に、半導体チップ等に微小な識別情報を設けることによる半導体デバイスの管理を容易に実現することを目的とする半導体デバイスの管理装置、及び顕微鏡について説明する。

上記目的を達成するための一態様として、指紋状パターン情報と、半導体製造条件、当該半導体を測定したときの測定条件、当該半導体を測定したときの測定結果、及びチップ情報の少なくとも１つを関連付けて記憶する記憶媒体にアクセス可能な演算装置を備え、当該演算装置は前記指紋状パターン情報の入力に基づいて、前記半導体製造条件、測定条件、測定結果、及びチップ情報の少なくとも１つを照会する半導体デバイスの管理装置、及び顕微鏡を提案する。

上記構成によれば、チップ上の占有面積を極小化しつつ、高度な半導体製造工程等のトレースが可能となる。

ランダムパターンの一例を示す図。 半導体チップ上に指紋状のパターニングを施した例を示す図。 指紋状パターンの取得画像例を示す図。 半導体チップの識別票の一例を示す図。 半導体トレーサビリティシステムの一例を示す図。 ＤＳＡパターニングに基づいてトレーサビリティシステム用のデータベースを構築する工程を示すフローチャート。 ＤＳＡパターンの画像取得に基づいて、関連情報を照会する工程を示すフローチャート。 半導体デバイスに対する処理単位で半導体デバイス情報が更新されていく例を説明する図。 チップと製造条件等とを関連付けて記憶するデータベースの一例を示す図。 半導体チップ照会システムを構成する演算装置の一例を示す図。 チップ位置情報に基づいて、不良発生頻度をグラフ化した例を説明する図。

以下に説明する実施例は、顕微鏡などの画像を取り扱う装置において、試料を観察し、そこに写っている形状の寸法や位置を計測する技術に係り、その計測によってウエハから個別に切り離されたチップを識別するための装置や方法に関するものである。特に、走査型電子顕微鏡を用いて微細パターンを観察し、その形状や位置を計測する走査型電子顕微鏡に関り、任意に形状を変える性質を持つ微細パターンを測定して、その特徴量により個別に識別する方法を対象とする走査型電子顕微鏡に関する。

半導体デバイスの製造工程や検査工程において、ウエハから切り離されたチップのそれぞれが、いつ、どこで、どのウエハの、どの部分から切り離されたものであり、それがどのような製造プロセスを経てきたものかを、チップごとに個別に追跡調査できるようにする必要がある。なぜならば、チップ上のデバイスにて不良が発生したり、性能がチップ間でばらついたりしたときに、その原因を調査しなければならないからである。

チップにシリアル番号を記載するような場合、シリアル番号をプリントする領域を設ける必要があり、チップ内のパターン設計に制約を受ける可能性がある。また、半導体ウエハをダイシングすることによって得られるチップの数は、ウエハの数×チップの数となり、その数は膨大になる。また、シリアル番号を書き込むためには、チップに切り離す前に、各チップに異なる番号を、半導体製造の露光プロセス等において書き込む必要がある。一般に、半導体製造プロセスでは、ウエハ上のチップごとに異なる形状のパターンを形成することはほとんど無く、すべて同一の均一な形状の半導体パターンが各チップに形成されている。このような状況で、各チップにそれぞれ異なる番号になる形状のパターンを形成することは、通常の製造プロセスとは異なるプロセスになるため、製造装置のシステムを変更したり、パターン形状の設計データを、チップごとにいちいち書き換えるなどの手間が伴う。このような状況では、半導体製造コストを増大させたり、チップ間の不良を発生させたりする原因の一つになってしまう可能性がある。

以下に説明する実施例には、製造システムや設計データを変更することなく、各チップに固有の識別情報を付与することを目的とするものが含まれる。

以下に説明する実施例では、ＤＳＡ技術により形成された、指紋模様のランダム配向パターン（以下、ここでは「ランダムパターン」と呼ぶことにする）を、各チップ内に形成し、それによって各チップを識別できるようにする。このようにすると、ランダムパターンはチップごとにほぼ固有の模様を呈するので、各チップに固有の識別情報を付与することができる。ランダム配向パターンの形成には、製造システムや設計データをチップごとに変更する必要は無いため、半導体製造コストを増大させたり、チップ間の不良を発生させたりしてしまう要因を排除できる。また、ＤＳＡ技術によって形成されるパターンは非常に微小であり、識別性が高いため、微小領域に識別性の高い識別情報を付加することができる。

ＤＳＡによる指紋様のランダムパターンに関しては、「自己組織化材料の半導体微細パターニングへの応用（Ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎ ｏｆ Ｓｅｌｆ−Ａｓｓｅｍｂｌｙ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ ｔｏ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ Ｐａｔｔｅｒｎｉｎｇ）」；生井準人、杉田光、日城良樹、Ｊｏｙ Ｙ． Ｃｈｅｎｇ、Ｄａｎｉｅｌ Ｐ．Ｓａｎｄｅｒｓ、Ｒｏｂｅｒｔ Ｄ．Ａｌｌｅｎ；ＪＳＲ ＴＥＣＨＮＩＣＡＬ ＲＥＶＩＥＷ Ｎｏ．１１９／２０１２、に説明されている。

互いに非相容な２つのポリマー成分を連結したポリマー分子構造を持つ溶液を精製し、これを誘導ガイドパターン、例えば数ミクロン角の矩形パターン上に塗布する。これに適切な加温プロセス等を施すと、指紋様のラインアンドスペースパターンを矩形パターン内部に形成することができる。

このパターンは、図１に例示するランダムパターン１０１のように、人間の指紋（Ｆｉｎｇｅｒ Ｐｒｉｎｔ）のような模様となる。この指紋模様は同一形状の誘導ガイドパターンを多数並べて形成しても、紋様はガイドパターンごとに異なる紋様になる。それらは、ほぼ一つとして同じ形状のものは無く、各ランダムパターンをその紋様の特徴によって個別に識別することが可能である。

これに対して、個別の誘導ガイドパターンはすべて同一に近い形状であり、それぞれ全く同じ製造プロセスによって形成され、それにＤＳＡ溶液を塗布するプロセスや、ランダムパターン形成のための加温プロセスなども、すべて同じ製造プロセスである。言いかえれば、全く同じ設計データに基づいて同じ形状の複数の誘導ガイドパターンに、全く同じ製造プロセスによってＤＳＡのパターンを形成すると、それぞれの各誘導ガイドパターン内には互いに異なる形状のランダムパターンを形成することができるわけである。

この性質を、以下の半導体チップを個別に識別するための手段に応用する。
半導体製造プロセスでは、ウエハ表面が格子状のセル領域に区切られており、それぞれのセル領域内にほぼ同一の形状や構造を持つ半導体パターンが作りこまれる。それらは、セルごとにばらばらになるように切断され、ほぼ同一の形状や構造を持つチップに分けられる。それぞれのチップは、切断後にパッケージングなどの工程を経て、半導体デバイスに加工される。

ところで、各チップには個別に識別できるような情報、たとえばシリアル番号等を書き込むことにより、切断後でも、各チップがいつ、どこで、どのような製造プロセスを経て、どのウエハのどの部分から切り出されたかを追跡調査できるようにする必要がある。なぜならば、あるチップに不良生じたり、性能がばらついたりするなどの問題が発生したときに、その原因を特定するための追跡調査が必要になるからである。

例えば、半導体デバイスのメーカ名や工場名を識別するためであれば、ウエハ上の各チップすべてに同一のマークや、文字を書き込めばよい。しかしながら、製造日や生産ロット、あるいはウエハごとに異なる製造プロセスを特定するためには、ウエハごとに異なる番号などを各チップに書き込む必要がある。また、成膜プロセスやドライエッチングプロセスなど、ウエハ内で不均一な加工状態が発生するプロセスの影響を追跡調査するためには、さらに特定のウエハのどの部分から切り出されたチップなのかを特定する必要があるため、チップごとに異なる番号を書き込む必要がある。

ところが、一般に半導体製造プロセスでは、ウエハ上の各チップに互いに異なる形状のパターンを形成することはほとんど無く、すべて同一の形状や構造の半導体パターンが各チップに形成されている。このような状況で、各チップにそれぞれ異なる番号の形状パターンを形成することは、通常の製造プロセスとは異なるプロセスになるため、製造装置のシステムを変更したり、パターン形状の設計データを、チップごとにいちいち書き換えるなどの、非定常な作業を伴う。このような状況では、半導体製造コストを増大させたり、チップ間の不良を発生させたりする原因の一つになってしまうという、問題を発生する可能性がある。

そこで、ＤＳＡによる指紋様のランダムパターンを、各チップ内に形成し、それによって各チップを個別に識別できるようにする。
このようにすると、ランダムパターンは各チップごとに異なり、固有の模様を呈するので、各チップに固有の識別情報を付与できる。さらに、ランダム配向パターンの形成には、製造システムや設計データをチップごとに変更する必要は無く、すべて同じプロセスを施せばいいので、半導体製造コストを増大させたり、チップ間の不良を発生させたりしてしまう要因を排除できる。

例えば、図２チップ上の指紋模様パターンの例に示すように、チップ２０１の右下隅など、チップごとに同一の場所に、幅０．１ミクロンのラインパターンを、２ミクロン角の正方形を形作るように形成して、これを誘導ガイドパターン２０２とする。そこに、ジブロックコポリマーなどを塗布し、熱処理によって、指紋模様ランダムパターン２０３が形成される。

この指紋模様パターンは微細であるため、電子顕微鏡により指紋模様を識別する。例えば、ＣＤ−ＳＥＭにより倍率約２０万倍で観察すれば、誘導ガイドパターン内の約０．７ミクロン角の領域を観察でき、その画像を保存する。さらに、画像内のいくつかの特定のピクセルの輝度をセットにした数列や、人間の指紋認識システムを用いて指紋様の特徴を数値化したものなど、その指紋様の固有の特徴を数値化したものを同時に記録しておいてもよい。これら、画像や数値データなどは、ウエハ固有の識別番号や、製造日、さらにウエハ内のチップの位置を表す座標データなどと一緒に結合して、データベース化して保存しておく。

このあとのダイシングプロセスによって、ウエハは切断され、ばらばらのチップに分けられる。そして、ある特定のチップで不良や性能ばらつきなどの問題が発生したときに、そのチップがいつ、どこで、どのような製造プロセスを経て、どのウエハのどの部分から切り出されたかを追跡調査する際には、チップ内のあらかじめ決められた位置に形成された誘導ガイドパターンを電子顕微鏡で観察する。その画像の紋様、もしくは指紋様の特徴を数値化したものを、前記のデータベースに照会することによって、追跡調査が可能になる。

指紋様ランダムパターンを電子顕微鏡で観察する際には、特別な観察法が必要である。それは、図３に例示するランダムパターンの画像のように、電子顕微鏡での観察した画像３０１に、例えば誘導ガイドパターン３０２の左下角を入れるようにする。そして、この左下角を画像内の座標原点３０３とし、画像に写っている誘導ガイドパターンの下辺をＸ座標軸３０４、左辺をＹ座標軸３０５とする。

指紋様ランダムパターン３０６の特徴をデータベース化するときには、画像内の各点における紋様の特徴量と、その点の座標とをセットにする。
このようにすると、ダイシング前に観察した場所と、ほぼ同じ場所をダイシング後のチップ上で観察できる。なぜならば、ダイシング前にはウエハのまま電子顕微鏡で観察するが、ダンシング後にはばらばらに切断された後のチップを、場合によっては別の電子顕微鏡で観察することがあるため、ダイシング前後の画像間では、観察している場所がずれていたり、回転していたりすることがあるからである。

本方式であれば、いずれの画像においても、座標原点３０３、Ｘ座標軸３０４、およびＹ座標軸３０５が映っているので、それらを基準にした座標データにより、同じ場所の特徴量を測定することが可能になる。もし、その場所がずれていると、指紋様の特徴を比較するときに誤差が発生して、誤認識する問題が生じやすい。

ところで、ＤＳＡによる指紋様は、人間の指紋に比べて模様のコントラストがより高く、また曲線の線幅がより均一である特徴を持っている。この特徴により、場合によっては光学顕微鏡で指紋模様の特徴を識別できるのであれば、電子顕微鏡のかわりに光学顕微鏡を使用することも可能である。その際には、例えば誘導ガイドパターンを約５０ミクロン角の大きさにして、光学顕微鏡の光のスポット径と同等もしくはそれ以上の大きさにする必要がある。

また、光あるいはＸ線などをチップ表面から低い仰角で入射して指紋模様に当てると、そこからの反射光の波長スペクトルや干渉縞などを測定し、それらの特徴量によって、個別のチップを識別するようにしても良い。その際には、指紋模様の画像データの代わりに、スペクトル等を記録保存すればよいので、画像よりも少ないデータを保存すればよいというメリットがある。

また、上述する手法の別なメリットとして、指紋模様パターンは肉眼ではその違いが識別できず、複写機やカメラ等を用いて複製品を作ることができない、という点がある。また、同一のＤＳＡプロセスで製造しても、同一の指紋模様ランダムパターンを作成することが、非常に困難であるという点もある。すなわち、偽造が困難な識別マークを、人工的な安い製造コストで大量に作成することができるというメリットである。

その応用例として、図４に半導体デバイスの識別票の例を示す。識別票４０１の上に識別情報４０２が書き込まれていて、これらは肉眼での確認が可能である。そして、指紋様ランダムパターン４０３が、識別票４０１の右下隅付近に貼りつけられている。

ここで、識別情報４０２を作為的に書き換えたり、同じ識別情報４０２が書かれた識別票４０１を作為的に複製したりすることは、比較的容易にできてしまう。

しかしながら、指紋様ランダムパターン４０３だけは、意図的な紋様に書き換えたり、複製品を偽造したりすることはほぼ不可能であるため、作為的な書き換えや複製が仮に行われたとしても、指紋様ランダムパターン４０３を識別することによって、それらを見破ることが可能である。

図５は半導体デバイスを管理するトレーサビリティシステム５０６（管理装置）を含む半導体デバイス管理システムの一例を示す図である。このシステム内には、半導体デバイスの製造装置Ａ５０１、製造装置Ｂ５０２、製造装置Ｃ５０３、及びこれらの製造装置の製造条件を設定するプロセス管理システム５０４が含まれている。プロセス管理システム５０４にて設定される露光装置のフォーカス条件やドーズ量のような製造条件は製造装置に伝達され、装置条件として設定される。また、各製造装置で設定された製造条件は、プロセス管理システム５０４に伝達され、装置条件として管理される。

また、半導体デバイス上に形成されたパターンの寸法を測定するための半導体プロセス管理用の走査電子顕微鏡５０７が含まれている。走査電子顕微鏡５０７は、電子源から放出される電子ビームを試料上に走査することによって得られる電子に基づいて、画像や信号プロファイルを形成し、信号プロファイル等を利用してパターンの寸法を測定する装置である。得られた測定結果や欠陥検査情報等は、記憶媒体５０５に記憶される。また、上述したように走査電子顕微鏡５０７では半導体チップ上に形成された指紋模様パターンを取得するために用いられる。トレーサビリティシステム５０６は、走査電子顕微鏡５０７の寸法測定結果、欠陥検査情報、測定、検査条件、プロセス管理システム５０４や製造装置の製造条件情報、試料の材料情報等の少なくとも１つと、ＤＳＡパターン画像情報とを関連付けて記憶し、データベース化するために用いられる。併せてチップ位置に関する情報も当該データベース情報として記憶される。データベース情報は例えば記憶媒体５０５、或いはトレーサビリティシステム５０６内の記憶媒体に記憶される。

また、トレーサビリティシステム５０６は、走査電子顕微鏡５０７にて得られたＤＳＡパターン画像を照会情報として、記憶媒体５０５等から当該ＤＳＡパターンによって特定されるチップの製造条件等を読み出すために用いられる。図１０は、演算装置１００１が内蔵されたトレーサビリティシステム５０６の概要を示す図である。データベース作成部１００２は上述したように、ＤＳＡパターン画像と、その他の情報を関連付けて記憶するデータベースを作成し、そのデータベースを記憶媒体５０５に記憶する。データベース照会部１００３は、走査電子顕微鏡５０７によって得られたＤＳＡ画像を問い合わせ用データ（入力データ）として、データベースを照会し、製造情報等の必要な情報を照会するためのものである。

図６は、データベース作成部１００２によるデータベース作成工程を示すフローチャートである。半導体の製造工程中、或いは製造工程後に、ＤＳＡ法によるパターニングを実行し、指紋模様のパターンを形成する（ステップ６０１）。次に半導体ウエハの各チップの指紋模様パターンのＳＥＭ画像を取得する（ステップ６０２）。このとき、走査電子顕微鏡５０７或いは走査電子顕微鏡に測定チップ情報を提供するトレーサビリティシステム５０６から、チップ情報（チップ位置情報）を取得し、製造条件等を併せて図９に例示するようなデータベースを構築する（ステップ６０３）。

ＤＳＡパターン画像が取得されるまでは、製造条件等の情報は所定の識別情報に基づいて分類しておく。また、ウエハ内の製造情報が同じ場合には、ウエハ単位で製造情報を管理しておき、ＤＳＡパターン画像を取得した後に、チップ単位での情報管理が可能なように、チップ情報とＤＳＡパターン画像情報と関連付けて記憶するようにしても良い。

図８は、チップの識別情報が出来上がる過程を示す図である。識別情報８０８０３〜８０５は、ウエハ単位の識別情報であり、各製造装置の製造条件が書き込まれている。例えば識別情報８０５によって識別されるウエハの画像を電子顕微鏡にて取得し、ＤＳＡパターン画像８０１やその際の測定条件、測定結果、及び／又はチップ位置の情報を付加することによってチップ単位の識別情報８０２となる。

図７は、ＤＳＡパターン画像情報を用いて、チップの製造条件等を照会する工程を示すフローチャートである。まず、不良として判断された半導体チップを電子顕微鏡に導入し（ステップ７０１）、上述のような手法に基づいてＤＳＡパターンに対して電子顕微鏡の視野合わせを行った上で、ＤＳＡパターン画像を取得する（ステップ７０２）。ＤＳＡパターン画像情報はチップ固有のものであるため、ＤＳＡパターン画像を用いた照会を行うことによって、当該チップ固有の情報であるチップ位置や製造条件等の情報を得ることができる。

このような照会システムによれば、不良が発生したチップがどのような製造工程を経て、ウエハ上のどの位置のチップであるのかを容易に特定することが可能となる。

図１１は、ウエハ上のチップ位置毎の不良発生数をグラフ表示した例を示す図である。このような集計処理は、トレーサビリティシステム５０６内の演算装置によって行われ、図１１に示すような集計結果はトレーサビリティシステム５０６の表示装置等に表示される。輪郭線１１０１はウエハの輪郭を示すものであり、チップ単位でどの程度不良が発生したかを棒グラフで示している。このように集計結果を表示することによって、チップ位置に応じた不良数を容易に特定することができる。例えば図１１の例では、ウエハの中心に対して相対的に外側のチップに不良が多く発生していることがわかる。或るロットでこのような傾向がある場合、例えばウエハに反りが有り、ウエハ中心では適正な露光が行われているものの、外側部分で露光が適正に行われず、それが不良となっている可能性がある。このようにチップの位置をも特定することができれば、不良の原因の追跡を多角的に行うことが可能となる。

なお、上記説明では画像取得装置である走査電子顕微鏡とトレーサビリティシステムを別の装置として説明したが、走査電子顕微鏡内に図１０に例示するような演算装置を組み込むことによって、走査電子顕微鏡をトレーサビリティシステムとするようにしても良い。

５０１ 製造装置Ａ
５０２ 製造装置Ｂ
５０３ 製造装置Ｃ
５０４ プロセス管理システム
５０５ 記憶媒体
５０６ トレーサビリティシステム
５０７ 走査電子顕微鏡

Claims (6)

1. 半導体デバイスの情報を当該半導体デバイスの識別情報に基づいて照会する半導体デバイスの管理装置であって、指紋状パターン情報と、半導体製造条件、当該半導体を測定したときの測定条件、当該半導体を測定したときの測定結果、及びチップ情報の少なくとも１つを関連付けて記憶する記憶媒体にアクセス可能な演算装置を備え、当該演算装置は前記指紋状パターン情報の入力に基づいて、前記半導体製造条件、測定条件、測定結果、及びチップ情報の少なくとも１つを照会することを特徴とする半導体デバイスの管理装置。
2. 請求項１において、
   前記指紋状パターンは、ＤＳＡ（Ｄｉｒｅｃｔｅｄ Ｓｅｌｆ−Ａｓｓｅｍｂｌｙ）法を用いたパターニングに基づいて形成されるものであることを特徴とする半導体デバイスの管理装置。
3. 請求項１において、
   前記チップ情報は、ウエハ内のチップの位置に関する情報であることを特徴とする半導体デバイスの管理装置。
4. 請求項１において、
   前記指紋状パターンにはガイドパターンが備えられていることを特徴とする半導体デバイスの管理装置。
5. ビーム照射に基づいて得られる信号に基づいて画像を形成する演算装置を備えた顕微鏡において、前記画像内の指紋状パターン情報と、半導体製造条件、当該半導体を測定したときの測定条件、当該半導体を測定したときの測定結果、及びチップ情報の少なくとも１つを関連付けて記憶する記憶媒体にアクセス可能な演算装置を備え、当該演算装置は前記指紋状パターン情報の入力に基づいて、前記半導体製造条件、測定条件、測定結果、及びチップ情報の少なくとも１つを照会することを特徴とする顕微鏡。
6. 請求項５において、
   前記指紋状パターンは、ＤＳＡ（Ｄｉｒｅｃｔｅｄ Ｓｅｌｆ−Ａｓｓｅｍｂｌｙ）法を用いたパターニングに基づいて形成されるものであることを特徴とする顕微鏡。