JP2017055115A - インプリント装置、物品製造方法、レシピ生成装置、レシピを変更する方法およびプログラム - Google Patents

Abstract

【課題】高いスループットと所望の精度を有するパターンの形成とを両立するために有利な技術を提供する。【解決手段】インプリント装置は、基板の表面上にインプリント材を供給し、該インプリント材にモールドを接触させた状態で該インプリント材を硬化させるインプリント処理を行う。インプリント装置は、同一のモールドを使用してインプリント処理を連続的に行う期間において、インプリント処理の条件の変化に基づいて、基板へのインプリント材の供給を制御するパターンレシピを再生成するとともに、元のパターンレシピから再生成されたパターンレシピへの切り替えのタイミングを決定する制御部を備える。【選択図】図８

Description

本発明は、インプリント装置、物品製造方法、レシピ生成装置、レシピを変更する方法およびプログラムに関する。

インプリント装置は、基板の表面上に樹脂材などのインプリント材を供給し、該インプリント材にモールドを接触させた状態で該インプリント材を硬化させることによって基板の表面上にパターンを形成する。基板の表面上へのインプリント材の供給は、該表面上にインプリント材の液滴を配列するようになされうる。この液滴の配列が不適切であると、良好なパターンを基板の表面上に形成することができない。

特許文献１には、テンプレート（モールド）の凹凸パターン内に充填されるインプリント材の量に基づいて基板へのインプリント材の滴下位置を求めることが記載されている。特許文献２には、被処理基板上に転写されたパターンの欠陥検査の結果を半導体集積回路のパターンデータに反映させ、そのパターンデータに基づいてドロップレシピ（硬化性樹脂材料の塗布量分布を定義したもの）を更新することが記載されている。特許文献３には、モールドの表面形状及び／又は厚さ分布、被転写体の表面形状及び／又は厚さ分布に基づいて、被転写体に塗布するレジストの塗布量分布を制御することが記載されている。

特開２０１２−５４３２２号公報 特開２０１２−６９７０１号公報 特開２００７−２９６７８３号公報

同一のモールドを使用してインプリント処理を連続的に行う期間において、例えば、ロットの途中で基板の表面形状に違いが現れたり、基板の表面上にインプリント材を供給する供給部の特性が変化したりしうる。このようなインプリント処理の条件の変化に対応するために、基板へのインプリント材の供給を制御するパターンレシピをショット領域毎又は基板毎に生成する方法があるかもしれない。しかしながら、このような方法では、パターンレシピを生成するための計算負荷が大きく、そのためにインプリント処理の実行が待たされることになりうる。ショット領域毎にパターンレシピを生成する場合にはショット領域毎に待ち時間が発生し、基板毎にパターンレシピを生成する場合には基板毎に待ち時間が発生しうる。一方で、インプリント処理の条件の変化を考慮することなく、固定のパターンレシピに従って基板の表面上にインプリント材を供給しパターンを生成し続ける方法では、パターン形成の正確さを維持することは難しい。

本発明は、本発明者による上記の課題認識を契機としてなされたものであり、パターン形成の正確さとスループットとの両立に有利な技術を提供することを例示的目的とする。

本発明の１つの側面は、基板の表面上にインプリント材を供給し、該インプリント材にモールドを接触させた状態で該インプリント材を硬化させるインプリント処理を行うインプリント装置であって、同一のモールドを使用してインプリント処理を連続的に行う期間において、インプリント処理の条件の変化に基づいて、基板へのインプリント材の供給を制御するパターンレシピを再生成するとともに、元のパターンレシピから再生成されたパターンレシピへの切り替えのタイミングを決定する制御部を備える。

本発明によれば、例えば、パターン形成の正確さとスループットとの両立に有利な技術が提供される。

本発明の実施形態におけるインプリント装置の概略構成を示す図。 図１に示されたインプリント装置の第１モードにおける動作を示す図。 インプリント処理を模式的に示す図。 図１に示されたインプリント装置の制御部の構成例を示す図。 モールドのパターンを例示する図。 図５に示されたモールドの複数の小領域における凸形成パターンと凹形成パターンとの比率を例示する図。 レジスト供給部の吐出ヘッドと吐出口の構成例を示す図。 図１に示されたインプリント装置の第２モードにおける動作を示す図。 モールドのパターン面と基板の表面上のレジストとの接触面積が広がる過程において観察される干渉縞を例示する図。 図８のＳ３０５、Ｓ３０７（サブルーチン１）の詳細の流れを示す図。 図８のＳ３０３（サブルーチン２）の詳細の流れを示す図。 基板とショットレイアウトとを例示する図。 図１１の基板外周ショット３５（インプリント順番番号３７）の拡大図。 レジスト供給部の吐出ノズルからの吐出量の設計値と実際の値との比率を複数の基板についてプロットした図、および、基板全域における下地凹凸の分布３σの値を基板毎にプロットした図。 基板、レジストおよびモールドの位置関係を例示する図。 基板、レジストおよびモールドの位置関係を例示する図。

以下、添付図面を参照して、本発明の好適な実施の形態について説明する。

図１は、本発明の第１の実施形態におけるインプリント装置１００の構成を示す概略図である。インプリント装置１００は、基板１の表面上にインプリント材を供給し、該インプリント材にモールド（原版、型、テンプレートとも呼ばれる）１８を接触させた状態で該インプリント材を硬化させるインプリント処理を行う。インプリント装置１００は、本実施形態では、インプリント材としてレジストを使用し、レジストの硬化法として、紫外線（ＵＶ光）の照射によってレジストを硬化させる光硬化法を採用する。従って、インプリント装置１００は、基板１の表面上にレジストを供給し、レジストとモールド１８（のパターン面）とを接触させた状態でレジストを硬化させることによって基板１の表面上にパターンを形成する。但し、インプリント装置１００は、その他の波長域の光の照射によってレジストを硬化させてもよいし、その他のエネルギー、例えば、熱によってレジストを硬化させる熱硬化法を採用してもよい。また、以下では、基板上のレジストに対して照射する紫外線の光軸に平行な方向をＺ軸とし、Ｚ軸に垂直な平面内で互いに直交する方向をＸ軸及びＹ軸とする。

インプリント装置１００は、インプリント環境を一定の温度、湿度に維持し、異物の侵入を排除するためのチャンバー２００を有する。また、インプリント装置１００は、計測器４、計測器６、基板ステージ７、ブリッジ構造体８、計測器９、硬化用光源１１、アライメント計測部１２、ハーフミラー１３、排気ダクト１４、連結部材１５およびモールドヘッド１６を有する。更に、インプリント装置１００は、空気ばね１９、ベース定盤２０、ガス供給部２１、ホルダ２２、レジスト供給部（ディスペンサ）２３、オフアクシススコープ２４、圧力センサ２５、検出部２６、制御部４００およびユーザーインターフェース３４を有する。制御部４００は、ネットワーク３０１を介して、統括コンピュータ３００と接続されている。モールドヘッド１６は、パターン面Ｐを有するモールド１８を保持するモールドチャック１７を含む。モールド１８のパターン面Ｐには、基板１に形成すべきパターンに対応する凹凸パターンが形成されている。

検出部２６は、基板１上のレジストに対するモールド１８の接触状態、基板１上のレジストのモールド１８への充填状態、基板１上のレジストからのモールド１８の離型状態を画像情報として観察することが可能である。また、検出部２６は、基板ステージ７が移動することで、基板１における周辺部と基板ステージ７に設けられた基板チャックとの位置関係を観察することも可能である。

モールドチャック１７は、例えば、真空吸着によってモールド１８を保持する。モールドチャック１７は、モールドチャック１７からのモールド１８の脱落を防止する構造を有していてもよい。本実施形態では、モールドチャック１７は、モールドヘッド１６と強固に結合している。モールドヘッド１６は、ブリッジ構造体８を基準として、少なくとも、Ｚ、ωＸ及びωＹの３軸方向に移動（駆動）することが可能な機構を有する。モールドヘッド１６は、連結部材１５を介して、ブリッジ構造体８に連結され、ブリッジ構造体８によって支持されている。また、アライメント計測部１２もブリッジ構造体８によって支持されている。

アライメント計測部１２は、モールド１８と基板１との位置合わせ（アライメント）のためのアライメント計測を行う。アライメント計測部１２は、本実施形態では、モールド１８に設けられたマーク及び基板ステージ７や基板１に設けられたマークを検出してアライメント信号を生成するアライメント検出系を含む。また、アライメント計測部１２は、カメラを含んでいてもよく、検出部２６と同様に、紫外線の照射による基板１上のレジストの硬化状態（インプリント状態）を観察する機能を有していてもよい。この場合、アライメント計測部１２は、基板上のレジストの硬化状態だけではなく、基板上のレジストに対するモールド１８の接触状態、基板上のレジストのモールド１８への充填状態、基板上のレジストからのモールド１８の離型状態も観察することが可能である。連結部材１５の上方には、ハーフミラー１３が配置されている。硬化用光源１１からの光は、ハーフミラー１３で反射され、モールド１８を透過して基板１の上のレジストに照射される。基板１の上のレジストは、硬化用光源１１からの光の照射によって硬化する。

ブリッジ構造体８は、床からの振動を絶縁するための空気ばね１９を介して、ベース定盤２０に支持されている。空気ばね１９は、アクティブ防振機能として露光装置で一般的に採用されている構造を有する。例えば、空気ばね１９は、ブリッジ構造体８及びベース定盤２０に設けられたＸＹＺ相対位置測定センサ、ＸＹＺ駆動用リニアモータ、空気ばねの内部のエア容量を制御するサーボバルブなどを含む。ブリッジ構造体８には、ホルダ２２を介して、基板１にレジストを供給（塗布）するためのノズルを含むレジスト供給部２３（ディスペンサ）が取り付けられている。レジスト供給部２３は、例えば、レジストの液滴を線状に基板１に供給する。レジスト供給部２３からレジストを基板１に供給しながら基板ステージ７（即ち、基板１）を移動させることによって、基板１上の矩形形状等の任意形状の領域にレジストを塗布することができる。

基板１は、本実施形態では、円形状を有する。従って、基板１上に矩形形状のショット領域を規定する場合、周辺領域では、ショット領域が基板１（の外周）からはみ出し、矩形形状のショット領域を確保することができない。このようなショット領域は、一般に、欠けショット領域と呼ばれる。現状では、３３ｍｍ×２６ｍｍの１つのショット領域に複数のチップを形成することが可能である。従って、基板１に効率よくチップを形成するためには、欠けショット領域にもパターンを形成する必要がある。

また、インプリント装置１００を使用するプロセスでは、基板１の表面上に形成される凹凸パターンの凹部に膜が残る。この膜は残膜と呼ばれる。残膜は、エッチングによって除去される必要がある。残膜の厚さは、ＲＬＴ（Ｒｅｓｉｄｕａｌ Ｌａｙｅｒ Ｔｈｉｃｋｎｅｓｓ）と呼ばれる。必要なＲＬＴに相当する厚さの膜がショット領域に形成されていない場合には、エッチングによって基板１がえぐれてしまう。これを防止するためには、基板１の周辺領域、即ち、欠けショット領域へのレジストの塗布が有効である。但し、この際、レジスト供給部２３が矩形形状にレジストを塗布すると、基板１からレジストがはみ出してしまう。この状態において、硬化用光源１１から光を照射すると、基板１を保持する保持面（例えば、基板ステージ７に設けられた基板チャック）上でレジストが硬化して付着する。これにより、基板１が保持面に接着されてしまうことに加えて、次にインプリント処理を行う基板１が付着物（硬化したレジスト）を挟んで保持され、基板１の表面の面精度が低下して正常にパターンを形成することができなくなってしまう。そこで、本実施形態では、レジスト供給部２３によるレジストの吐出と基板ステージ７の移動との組み合わせによって、基板１の適切な領域にレジストを塗布するようにする。

基板ステージ７は、基板チャックを有し、該基板チャックによって基板１を保持する。基板ステージ７は、Ｘ、Ｙ、Ｚ、ωＸ、ωＹ及びωＺの６軸方向に移動することが可能な機構を有する。本実施形態では、基板ステージ７は、Ｘ方向の移動機構を含むＸスライダー３、及び、Ｙ方向の移動機構を含むＹスライダー５を介して、ブリッジ構造体８によって支持されている。Ｘスライダー３には、Ｘスライダー３とＹスライダー５との相対位置を計測する計測器４が設けられている。また、Ｙスライダー５には、Ｙスライダー５とブリッジ構造体８との相対位置を計測する計測器６が設けられている。従って、計測器４及び６は、ブリッジ構造体８を基準として、基板ステージ７の位置を計測する。計測器４及び６のそれぞれは、本実施形態では、エンコーダ（リニアエンコーダ）で構成されている。

基板ステージ７とブリッジ構造体８とのＺ方向における距離は、ブリッジ構造体８、Ｘスライダー３及びＹスライダー５によって決まる。Ｘスライダー３及びＹスライダー５のＺ方向、チルト方向の剛性を十ｎｍ／Ｎ程度に高く維持することによって、基板ステージ７とブリッジ構造体８とのＺ方向におけるインプリント動作の変動を数十ｎｍ程度の変動に抑えることができる。

計測器９は、ブリッジ構造体８に設けられ、本実施形態では、干渉計で構成されている。計測器９は、基板ステージ７に向けて計測光１０を照射し、基板ステージ７の端面に設けられた干渉計用ミラーで反射された計測光１０を検出することで、基板ステージ７の位置を計測する。計測器９は、基板ステージ７の基板１の保持面に対して計測器４及び６よりも近い位置において、基板ステージ７の位置を計測する。なお、図１では、計測器９から基板ステージ７に照射される計測光１０を１つしか図示していないが、計測器９は、少なくとも基板ステージ７のＸＹ位置、回転量及びチルト量が計測できるように構成されている。

ガス供給部２１は、モールド１８のパターンへのレジストの充填性を向上させるために、モールド１８の近傍、具体的には、モールド１８と基板１との間の空間に充填用ガスを供給する。充填用ガスは、モールド１８とレジストとの間に挟み込まれた充填用ガス（気泡）を迅速に低減させ、モールド１８のパターンへのレジストの充填を促進させるために、透過性ガス及び凝縮性ガスの少なくとも１つを含む。ここで、透過性ガスとは、モールド１８に対して高い透過性を有し、基板１上のレジストにモールド１８を接触させた際にモールド１８を透過するガスである。また、凝縮性ガスとは、基板１上のレジストにモールド１８を接触させた際に液化（即ち凝縮）するガスである。

オフアクシススコープ２４は、モールド１８を介さずに、基板ステージ７に配置された基準プレートに設けられた基準マークやアライメントマークを検出する。また、オフアクシススコープ２４は、基板１（の各ショット領域）に設けられたアライメントマークを検出することも可能である。圧力センサ２５は、本実施形態では、基板ステージ７に設けられ、モールド１８を基板１上のレジストに接触させることで基板ステージ７に作用する圧力を検出する。圧力センサ２５は、基板ステージ７に作用する圧力を検出することによって、モールド１８と基板１上のレジストとの接触状態を検出するセンサとして機能する。また、圧力センサ２５は、モールドヘッド１６に設けてもよく、モールドヘッド１６及び基板ステージ７のうち少なくとも一方に設けられていればよい。

制御部４００は、ＣＰＵやメモリなどを含み、インプリント装置１００の動作を制御する。制御部４００は、本実施形態では、インプリント処理及びそれに関連する処理の制御と、パターンレシピの生成を行う。制御部４００の詳細については後述する。

ガス供給部２１から供給される充填用ガスの屈折率は、空気の屈折率とは大きく異なるため、計測器４及び６が充填用ガスに曝されると（即ち、計測器４及び６の計測光路に充填用ガスが漏れると）、計測器４及び６の計測値（計測結果）が変動してしまう。このような問題は、特に、計測光路長が長い干渉計に対して顕著であり、基板ステージ７の位置を制御する際にハイゲインとなるため、サーボエラーを起こしてしまう。また、計測光路長が短いエンコーダであっても、ナノメートルオーダーの計測精度が要求されるインプリント装置では、その影響を無視することができない。但し、エンコーダの計測光路長は干渉計の計測光路長よりも短いため、干渉計よりも影響は軽微である。また、図１に示すように、本実施形態では、ガス供給部２１（の充填用ガスの供給口）から計測器４及び６までの距離を十分にとることができ、且つ、計測器４及び６をエンコーダで構成している。従って、計測器４及び６は、充填用ガスによる計測値の変動の影響を受けにくい構成となっているため、サーボエラーが起こりにくくなっている。

ガス供給部２１は、上述したように、インプリント処理を行っている間において、モールド１８と基板１との間の空間に充填用ガスを供給する。モールド１８と基板１との間に供給された充填用ガスは、モールドヘッド１６の上部から排気ダクト１４を介して吸引されて、インプリント装置１００の外部に排出される。また、モールド１８と基板１との間に供給された充填用ガスをインプリント装置１００の外部に排出するのではなく、ガス回収機構（不図示）で回収してもよい。

インプリント装置１００は、動作モードとして第１モードおよび第２モードを有する。まず、図２を参照しながら第１モードにおけるインプリント装置１００の動作を説明する。この動作は、制御部４００によって制御される。Ｓ１０１では、アライメント計測部１２によるアライメント計測の結果に基づいて、モールド１８と基板ステージ７との位置合わせが行われる。この際、モールド１８は、モールド搬送系（不図示）によってインプリント装置１００に搬入され、モールドチャック１７に渡され、モールドチャック１７によって保持される。アライメント計測部１２（アライメント検出系）によって検出されるマーク（アライメントマーク）は、専用の基準マークとして基板ステージ７に設けておいてもよいし、専用のアライメント基板に設けておいてもよい。

Ｓ１０２では、基板１がインプリント装置１００に搬入され、基板１が基板ステージ７（基板チャック）によって保持される。Ｓ１０３では、プリアライメントが行われる。基板１がインプリント装置１００に搬入された後に初めて行われるプリアライメント（Ｓ１０３）では、基板１がオフアクシススコープ２４の下に移動され、オフアクシススコープ２４によって基板１の位置が計測される。この際のプリアライメントは、モールド１８と基板１とのアライメント（Ｓ１０６）において、基板１の各ショット領域に設けられたアライメントマークがアライメント計測部１２の計測レンジに収まるような精度（１μｍ〜２μｍ程度）で行われる。

ショット領域毎に行われるプリアライメント（Ｓ１０３）は、アライメント（Ｓ１０６）の際の補正駆動量を少なくする目的で行われる。このプリアライメント（Ｓ１０３）では、アライメント計測部１２によるアライメント計測の結果に基づいて、モールド１８と基板１のインプリント対象のショット領域との位置合わせが行われる。

Ｓ１０４では、基板１のインプリント対象のショット領域がレジスト供給部２３の下に位置するように基板ステージ７が移動される。また、ガス供給部２１によって、モールド１８と基板１との間の空間に充填用ガスが供給される。

Ｓ１０５では、レジスト供給部２３によって基板１のインプリント対象のショット領域にレジストが供給される。具体的には、レジスト供給部２３は、レジスト供給部２３の下に移動した基板１のインプリント対象のショット領域に対して、予め定められた塗布パターンに従ってレジストを供給する。また、基板１のインプリント対象のショット領域にレジストが供給されたら、該ショット領域がモールド１８（のパターン面Ｐ）の下に位置するように基板ステージ７が移動される。

Ｓ１０６では、モールド１８のパターン面Ｐと基板１上のレジストとが接触した状態において、アライメント計測部１２によるアライメント計測の結果に基づいて、モールド１８と基板１（のインプリント対象のショット領域）とのアライメントが行われる。このアライメントは、ダイバイダイアライメントと呼ばれる。

Ｓ１０７では、モールド１８のパターン面Ｐと基板１上のレジストとが接触した状態において、モールド１８を介して、硬化用光源１１からの光が基板１のインプリント対象のショット領域上のレジストに照射される。

Ｓ１０８では、モールドヘッド１６を上昇させて、基板１のインプリント対象のショット領域上の硬化したレジストからモールド１８が引き離される。これにより、基板１のインプリント対象のショット領域には、モールド１８のパターン面Ｐに対応したレジストパターンが残る。即ち、モールド１８のパターン面Ｐに対応したパターンが基板１のインプリント対象のショット領域に形成される。モールド１８を硬化したレジストから引き離す際には、レジストパターンが破断しないように、モールド１８のパターン面Ｐにかかるせん断力がレジストパターンの破断応力以下になるように、モールドヘッド１６を上昇させる。

Ｓ１０９では、制御部４００は、基板１の指定された全てのショット領域にパターンが形成されたかどうかを判断する。全てのショット領域にパターンが形成されていない場合には、次のショット領域にパターンを形成するために、Ｓ１０３に移行する。全てのショット領域にパターンが形成されている場合には、Ｓ１１０に移行する。

Ｓ１１０では、基板１がインプリント装置１００から搬出される。Ｓ１１１では、制御部４００は、インプリント処理で得られた処理データを、ネットワーク３０１を介して、統括コンピュータ３００に送る。

Ｓ１１２では、制御部４００は、全ての基板１にインプリント処理を行ったかどうかを判断する。全ての基板１にインプリント処理を行っていない場合には、次の基板１にインプリント処理を行うために、Ｓ１０２に移行する。全ての基板１にインプリント処理を行っている場合には、処理を終了する。

図３には、インプリント処理が模式的に示されている。図３（ａ）は、レジスト供給部２３によってレジスト２７ａが供給された基板１のショット領域にモールド１８のパターン面Ｐが接触を開始する前の状態を示している。図３（ｂ）は、モールド１８のパターン面Ｐと基板１のショット領域上のレジストとが接触した状態を示している。この状態で、硬化用光源１１からの光が基板１のショット領域上のレジストに照射される。これによって、レジスト２７ｂが硬化する。図３（ｃ）は、モールドヘッド１６を上昇させて、基板１のショット領域上の硬化したレジストからモールド１８が引き離される様子を示している。これにより、基板１のショット領域には、モールド１８のパターン面Ｐのパターンに対応したレジストパターン２７ｃが残る。図３（ｄ）は、モールド１８のパターン面Ｐのパターンと、硬化後のレジストを示している。モールド１８のパターンは、基板に形成すべき凸パターンに対応する凸形成パターン２８と、基板に形成すべき凹パターンに対する凹形成パターン３６とを有する。Ｐｄは、パターン深さを表し、ＲＬＴは残膜厚（Ｒｅｓｉｄｕａｌ Ｌａｙｅｒ Ｔｈｉｃｋｎｅｓｓ： ＲＬＴ）を表す。

図４は、図１に示す制御部４００の構成例を示している。インプリント処理制御部（主制御部）４０１は、基板１の搬送、レジストの供給、基板ステージ７の駆動、アライメント、硬化用光源１１、モールド１８の駆動等のインプリント装置１００の動作の全般を制御する。外部情報入力部４０２は、ユーザーインターフェース３４またはネットワーク３０１を介し、統括コンピュータ３００から、モールド情報、基板下地情報、吐出特性情報を受け取る。

モールド情報には、モールド１８のパターンの深さＰｄ、および、比率情報が含まれうる。比率情報は、モールド１８のパターン面の凸形成パターン２８と凹形成パターン３６の比率を示す情報であり、一例において、モールド１８のパターン全体を分割した少領域ごとに凸形成パターン２８と凹形成パターン３６との比率を示す情報を含みうる。基板下地情報には、基板１の下地の各ショット領域の凹凸情報を含む。ここで、基板１の下地とは、インプリント処理によって形成されるパターンの下地であり、基板１の表面のことを意味する。吐出特性情報は、レジスト供給部２３の吐出ヘッド３２の取付け位置誤差、吐出ヘッド３２の吐出口３３から吐出されるレジスト液滴の位置ずれ量およびレジスト液滴量、それぞれの経時変化に関係する情報を含みうる。吐出特性情報は、例えば、レジスト供給部２３から吐出されたレジスト液滴をそれにモールド１８を接触させることなく硬化させた結果を計測器によって計測し、その計測結果を処理することによって得られる。

パターンレシピ生成部（レシピ生成部）４０３は、外部情報入力部４０２に供給されたモールド情報、基板下地情報、ディスペンサ情報、および、装置データベース４０６に保管された情報に基づいてパターンレシピを生成する。装置データベース４０６に保管されパターンレシピの生成において参照される情報は、処理レシピ情報（例えば、ショットサイズ情報、基板レイアウト情報、ＲＬＴ情報）、レジスト供給部２３のノズルの配置情報、吐出レジスト容量情報、補正情報等を含みうる。パターンレシピ生成部４０３は、現在のパターンレシピを新たなパターンレシピを変更するレシピ変更部としても理解することができる。

同期制御部４０４は、パターンレシピ生成部４０３における処理の影響により、インプリント処理制御部４０１における処理の遅延が発生しないように、双方の処理を制御する機能を有する。インプリント処理制御部４０１は、インプリント対象のショット領域のパターンレシピを再生成する必要があるかどか、どのロット、どの基板、どのショット領域をターゲットとするかを判断する。装置データベース４０６には、上記の情報の他、インプリント装置１００の調整情報、ロット処理レシピ情報、エラー時の警告表示文書情報等が保管される。

図５は、モールド１８のパターンの一部を構成する複数の小領域を例示している。この例では、モールド１８のパターンの一部が等間隔Ｌ３で１０列Ｃ１〜Ｃ１０に分割されるとともに等間隔Ｌ４で１１行Ｒ１〜Ｒ１１に分割されることによって１０×１１の小領域が定義されている。２９〜３１は、それぞれ、小領域である。黒色が凸形成パターン２８、白色が凹形成パターン３６である。凸形成パターン２８と凹形成パターン３６との比率は、小領域ごとに異なりうる。

図６は、図５の各小領域における凸形成パターン２８と凹形成パターン３６との比率を百分率で示した例である。比率は、例えば、（凸形成パターン２８の面積）／｛（凸形成パターン２８の面積）＋（凹形成パターン３６の面積）｝で定義されうる。比率が大きい小領域は、配置するべきレジストの量が多く、比率が小さい小領域は、配置するべきレジストの量が少ない。図５の小領域２９、小領域３０、小領域３１は、それぞれ図６のＣ７−Ｒ１、Ｃ１−Ｒ１、Ｃ１−Ｒ１１に対応する。

パターンレシピは、レジスト液滴の配置を示す情報である。パターンレシピは、例えば、以下のレシピ生成パラメータに基づいて、レジスト液滴の総量を計算し、比率に応じて該総量を複数の小領域に分配することによって決定される。

＜レシピ生成パラメータの例＞
・モールドの各小領域の凸形成パターンと凹形成パターンとの比率
・小領域サイズＬ３、Ｌ４
・パターン深さＰｄ
・残膜厚ＲＬＴ
・レジスト供給部の吐出口の配置情報Ｌ１、Ｌ２
・吐出レジスト量
・ショット領域の縦横サイズ
・ショット領域のレイアウト情報（欠けショット領域判断のため）
・補正データ（詳細は後述）

図７は、レジスト供給部２３の吐出ヘッド３２と吐出口３３の構成例を示している。吐出口３３の配置間隔を狭くすると、モールド１８の凸形成パターン内へのレジストの充填に要する時間が短くなるが、該配置間隔が狭すぎると、吐出ヘッド３２の製造が困難になるし、隣接する吐出口３３から吐出されたレジスト液滴が干渉しうる。複数のレジスト液滴が干渉すると、それらが相互に結合することによって位置がずれる。図７の例では、２つの列を構成するように吐出口３３が配列され、列方向における吐出口３３の中心間距離Ｌ１、２つの列の中心線の間隔Ｌ２が吐出口３３の配置情報として使用される。

図８を参照しながら第２モードにおけるインプリント装置１００の動作を説明する。この動作は、制御部４００によって制御される。ここで、制御部４００は、前述のように、インプリント処理制御部４０１およびパターンレシピ生成部４０３等を含む。インプリント処理制御部４０１とパターンレシピ生成部４０３とは、共通のコンピュータによって構成される。

図８の左側に記載された処理は、インプリント処理制御部４０１によって実行されるインプリントロット処理である。図８の右側に記載された処理は、パターンレシピ生成部４０３によって実行されるパターンレシピ生成処理である。ここで、インプリントロット処理は、同一のモールドを使用してインプリント処理を連続的あるいは継続的に行う処理である。また、インプリント処理は、基板の表面上にインプリント材を供給し、該インプリント材にモールドを接触させた状態で該インプリント材を硬化させる処理である。第２モードでは、制御部４００は、インプリントロット処理の期間において、インプリント処理の条件の変化に基づいて、基板１へのレジストの供給を制御するパターンレシピを再生成することによって新たなパターンレシピを準備する。あるいは、第２モードでは、制御部４００は、インプリントロット処理の期間において、インプリント処理の条件の変化に基づいて、事前登録されたパターンレシピ群からパターンレシピを選択することによって新たなパターンレシピを準備してもよい。また、第２モードでは、制御部４００は、インプリント処理の条件の変化に基づいて、元のパターンレシピから該新たなパターンレシピへの切り替えのタイミングを決定する。あるいは、第２モードでは、制御部４００は、インプリントロット処理の期間において、インプリント処理の条件の変化に基づいて基板の表面上へのインプリント材の供給を制御するパターンレシピを変更し、かつ該変更のタイミングを決定しうる。

Ｓ２０１では、インプリント処理制御部４０１は、Ｓ２０１の開始直後に、同期制御部４０４に保存されている同期処理テーブルの排他処理実行フラグを１に書き換える。排他処理実行フラグが１であることは、インプリントロット処理において、処理遅延が発生した場合に、インプリント処理のスループットが低下する状態であることを表す。排他処理実行フラグが０であることは、インプリントロット処理のスループットに影響が発生しない状態であることを表す。排他処理実行フラグが１であるときは、パターンレシピ生成部４０３によるパターンレシピの生成処理（後述のＳ４０６、Ｓ４０８、Ｓ４１０）が禁止される。即ち、インプリントロット処理の期間の一部において、パターンレシピ生成部４０３によるパターンレシピの生成処理（後述のＳ４０６、Ｓ４０８、Ｓ４１０）が禁止される。

Ｓ２０１では、排他処理実行フラグを１に書き換えた後に、アライメント計測部１２によるアライメント計測の結果に基づいて、モールド１８と基板ステージ７との位置合わせが行われる。この際、モールド１８は、モールド搬送系（不図示）によってインプリント装置１００に搬入され、モールドチャック１７に渡され、モールドチャック１７によって保持される。アライメント計測部１２（アライメント検出系）によって検出されるマーク（アライメントマーク）は、専用の基準マークとして基板ステージ７に設けておいてもよいし、専用のアライメント基板に設けておいてもよい。Ｓ２０１では、モールド１８と基板ステージ７との位置合わせの完了後に、インプリント処理制御部４０１は、排他処理実行フラグを０に書き換える。

Ｓ２０２では、基板１がインプリント装置１００に搬入され、基板１が基板ステージ７（基板チャック）によって保持される。Ｓ３０４では、インプリント処理制御部４０１は、外部情報入力部４０２に入力された基板下地情報に基づいてパターンレシピを再生成するモードが選択されているか否をチェックし、パターンレシピを再生成するモードが選択されている場合は、Ｓ３０５へ進む。パターンレシピを再生成するモードが設定されていない場合は、Ｓ２０３へ進む。

Ｓ３０５では、インプリント処理制御部４０１は、パターンレシピ生成処理を起動するかどうかを判断するサブルーチン１を実行する。Ｓ２０３では、インプリント処理制御部４０１は、Ｓ２０３の開始直後に、同期制御部４０４に保存されている同期処理テーブルの排他処理実行フラグを１に書き換える。Ｓ２０３では、排他処理実行フラグを１に書き換えた後に、図２のＳ１０３と同様のプリアライメントが行われる。即ち、Ｓ２０３では、基板１がインプリント装置１００に搬入された後に初めて行われるプリアライメント（Ｓ２０３）では、基板１がオフアクシススコープ２４の下に移動され、オフアクシススコープ２４によって基板１の位置が計測される。この際のプリアライメントは、モールド１８と基板１とのアライメント（Ｓ２０６）において、基板１の各ショット領域に設けられたアライメントマークがアライメント計測部１２の計測レンジに収まるような精度（１μｍ〜２μｍ程度）で行われる。ショット領域毎に行われるプリアライメント（Ｓ２０３）は、アライメント（Ｓ２０６）の際の補正駆動量を少なくする目的で行われる。このプリアライメント（Ｓ２０３）では、アライメント計測部１２によるアライメント計測の結果に基づいて、モールド１８と基板１のインプリント対象のショット領域との位置合わせが行われる。Ｓ２０３では、インプリント処理制御部４０１は、プリアライメントの完了後に、排他処理実行フラグを０に書き換える。

Ｓ３０６では、インプリント処理制御部４０１は、Ｓ２０３におけるプリアライメントの結果に基づいてパターンレシピを再生成するモードが選択されているか否をチェックし、パターンレシピを再生成するモードが選択されている場合は、Ｓ３０７へ進む。パターンレシピを再生成するモードが設定されていない場合は、Ｓ３０８へ進む。

Ｓ３０８では、インプリント処理制御部４０１は、パターンレシピの再生成が開始された後、パターンレシピの準備が完了したかどうかを判断する。準備が完了している場合、インプリント処理制御部４０１は、Ｓ２０４を実行する。準備が完了していない場合は、インプリント処理制御部４０１は、所定時間の経過を待って再度Ｓ３０８を実行する。

Ｓ２０５では、インプリント処理制御部４０１は、パターンレシピ生成部４０３で生成され、装置データベース４０６に保管された最新のパターンレシピを取得する。そして、インプリント処理制御部４０１は、そのパターンレシピに従って基板１のインプリント対象のショット領域にレジストを供給するようにレジスト供給部２３を制御する。具体的には、レジスト供給部２３は、レジスト供給部２３の下に移動した基板１のインプリント対象のショット領域に対して、最新のレシピパターンに従ってレジストを供給する。また、基板１のインプリント対象のショット領域にレジストが供給されたら、インプリント処理制御部４０１は、そのショット領域がモールド１８（のパターン面Ｐ）の下に位置するように基板ステージ７を移動させる。

ここで、Ｓ２０５では、インプリント処理制御部４０１は、後述のターゲット情報が設定されている場合は、インプリント対象のターゲットが、ターゲット情報によって指定されているターゲットであることを条件として、最新のパターンレシピを取得しうる。つまり、ターゲット情報は、最新のパターンレシピの使用を開始するタイミングを制御する情報である。ターゲットは、例えば、処理対象のロット、処理対象の基板、および、処理対象のショット領域の少なくとも１つでありうる。この例によれば、最新のパターンレシピの使用を開始するタイミングは、処理対象のロット、処理対象の基板、および、処理対象のショット領域のいずれかを単位として決定されうる。

Ｓ２０６では、インプリント処理制御部４０１は、Ｓ２０６の開始直後に、排他処理実行フラグを１に書き換える。Ｓ２０６では、その後、モールド１８のパターン面Ｐと基板１上のレジストとが接触した状態において、アライメント計測部１２によるアライメント計測の結果に基づいて、モールド１８と基板１とのアライメントが行われる。Ｓ２０６では、インプリント処理制御部４０１は、アライメントの完了後に、排他処理実行フラグを０に書き換える。

Ｓ３０１では、インプリント処理制御部４０１は、検出部２６からインプリント中の画像情報を取得する。Ｓ３０２では、インプリント処理制御部４０１は、インプリント中の画像情報に基づいてパターンレシピを再生成するモードが選択されているかどうかをチェックし、パターンレシピを再生成するモードが選択されている場合は、Ｓ３０３へ進む。パターンレシピを再生成するモードが設定されていない場合は、Ｓ２０７へ進む。

Ｓ３０３では、インプリント処理制御部４０１は、パターンレシピ生成処理を起動するかどうかを判断するサブルーチン２を実行する。Ｓ２０７では、モールド１８のパターン面Ｐと基板１上のレジストとが接触した状態において、モールド１８を介して、硬化用光源１１からの光が基板１のインプリント対象のショット領域上のレジストに照射される。Ｓ２０８では、モールドヘッド１６を上昇させて、基板１のインプリント対象のショット領域上の硬化したレジストからモールド１８が引き離される。これにより、基板１のインプリント対象のショット領域には、モールド１８のパターン面Ｐに対応したレジストパターンが残る。即ち、モールド１８のパターン面Ｐに対応したパターンが基板１のインプリント対象のショット領域に形成される。モールド１８を硬化したレジストから引き離す際には、レジストパターンが破断しないように、モールド１８のパターン面Ｐにかかるせん断力がレジストパターンの破断応力以下になるように、モールドヘッド１６を上昇させる。

Ｓ２０９では、インプリント処理制御部４０１は、基板１の指定された全てのショット領域にパターンが形成されたかどうかを判断する。全てのショット領域にパターンが形成されていない場合には、次のショット領域にパターンを形成するために、Ｓ１０３に移行する。全てのショット領域にパターンが形成されている場合には、Ｓ１１０に移行する。Ｓ２１０では、基板１がインプリント装置１００から搬出される。

Ｓ２１１では、インプリント処理制御部４０１は、Ｓ２１１の開始直後に、排他処理実行フラグを１に書き換える。Ｓ２１１では、排他処理実行フラグを１に書き換えた後に、インプリント処理制御部４０１は、インプリント処理で得られた処理データを、ネットワーク３０１を介して、統括コンピュータ３００に送る。Ｓ２１１では、インプリント処理制御部４０１は、処理データがネットワーク３０１を介して統括コンピュータ３００に送られた後に、排他処理実行フラグを０に書き換える。

Ｓ２１２では、インプリント処理制御部４０１は、全ての基板１にインプリント処理を行ったかどうかを判断する。全ての基板１にインプリント処理を行っていない場合には、次の基板１にインプリント処理を行うために、Ｓ２０２に移行する。全ての基板１にインプリント処理を行っている場合には、処理を終了する。

Ｓ４０１では、パターンレシピ生成部４０３は、パターンレシピの生成に必要なレシピ生成パラメータに記載されたパターンレシピ生成情報を演算処理関数に設定する。Ｓ４０２では、パターンレシピ生成部４０３は、パターンレシピの最適化処理を実行する前に用いるパターレシピを生成するための初期アルゴリズムを選択する。初期アルゴリズムを選択するための情報は、例えば、処理レシピ情報の一部として、または、モールド情報の一部として提供されうる。あるいは、初期アルゴリズムは、インプリント装置１００の操作者に選択させてもよい。

Ｓ４０３では、パターンレシピ生成部４０３は、選択されたアルゴリズムに従ってパターレシピの中間データを生成する。Ｓ４０４では、パターンレシピ生成部４０３は、最適化処理を実行するかどうかを判断する。最適化処理を実行すると判断した場合は、Ｓ４０５へ進む。最適化処理を実行しないと判断した場合は、Ｓ４１１へ進む。最適化処理を実行するかどうかを判断するための情報は、例えば、処理レシピ情報の一部として、または、モールド情報の一部として提供されうる。あるいは、この判断は、インプリント装置１００の操作者にさせてもよい。

Ｓ４０５では、パターンレシピ生成部４０３は、同期制御部４０４に保存された同期処理テーブルに排他処理実行フラグを参照する。排他処理実行フラグが１の場合、一定の微小時間だけ待ち、再度Ｓ４０５を実行する。排他処理実行フラグが０の場合、Ｓ４０６へ進む。同様に、Ｓ４０７では、パターンレシピ生成部４０３は、同期制御部４０４に保存された同期処理テーブルに排他処理実行フラグを参照する。排他処理実行フラグが１の場合、一定の微小時間だけ待ち、再度Ｓ４０７を実行する。排他処理実行フラグが０の場合、Ｓ４０８へ進む。同様に、Ｓ４０９では、パターンレシピ生成部４０３は、同期制御部４０４に保存された同期処理テーブルに排他処理実行フラグを参照する。排他処理実行フラグが１の場合、一定の微小時間だけ待ち、再度Ｓ４０９を実行する。排他処理実行フラグが０の場合、Ｓ４１０へ進む。

Ｓ４０６、Ｓ４０８、Ｓ４１０では、パターンレシピ生成部４０３は、分割されたパターンレシピの最適化処理を実行する。この最適化処理は、配置されるレジスト液滴の位置をずらしながら、周辺のレジスト液滴の位置を再配置する処理で、数千から十数万滴のレジスト液滴の位置の補正と逐次判断を行うことから、膨大な処理負荷がかかる。この処理負荷を分散することを目的に、演算処理が分割される。つまり、Ｓ４０６、Ｓ４０８、Ｓ４１０の各々では、パターンレシピの最適化処理の一部ずつを実行する。図８では、最適化処理を３分割した場合の例で説明したが、インプリントロット処理に影響しないように更に分割数を増やす場合、または減らす場合があり得る。

Ｓ４１１では、パターンレシピの最終データを、装置データベース４０６へ出力する。ここでは、最終データを装置データベース４０６へ出力する方式で説明したが、データファイルとして、制御部４００のハードディスク（不図示）に出力し、インプリント処理制御部４０１がハードディスクから情報を読み取ってもよい。

以上のように、排他処理実行フラグに従って、インプリントロット処理のスループットに与える影響が小さいときにパターンレシピの生成を実行することにより、パターンレシピの生成によるインプリントロット処理の遅延を抑えることができる。これにより、インプリントロット処理のスループットの低下を抑えることができる。

パターンレシピの生成処理が、既に準備されているパターンレシピの部分的な修正で良いと判断できる場合は、数千から十数万滴のレジスト液滴の位置を再配置する処理を行わず、部分修正によりパターンレシピを生成する場合もあり得る。部分修正によりパターンレシピを生成するケースとして、下地状態（下地平坦度）の異常がショット領域の局所的な一部のみであった場合を挙げることができる。部分修正によりパターンレシピを生成する他のケースとして、一部の領域を欠いた周辺ショット領域（いわゆる欠けショット領域、例えば図１２における周辺ショット領域３５のこと。）において液滴を配置する領域と液滴を配置しない領域との境界の変更のみで済む場合を挙げることができる。

また、インプリント処理の条件の変化に基づいて、予め推定する変化を想定してパターンレシピを生成準備し、装置データベース４０６に格納しておき、その格納したパターンレシピから条件に合致するパターンレシピを選択する方法を取ってもよい。

図９は、モールド１８のパターン面Ｐと基板１上のレジストとの接触面積が広がる過程においてモールド１８のパターン面Ｐからの反射光と基板１からの反射光とによって生じる干渉縞（ニュートンリング）を例示している。検出部２６は、図９に例示されるような干渉縞を撮像し、撮像結果を干渉縞情報としてインプリント処理制御部４０１に提供する。インプリント処理制御部４０１は、検出部２６から提供された干渉縞情報に基づいて、パターンレシピを再生成する必要があるかどうかを判断する。

図９（ａ）の例では、干渉縞（ニュートンリング）を構成する複数のリング（リングは、中央の円または楕円を含む。以下同様）の中心が相互に一致し、かつ、これらの中心がショット領域の中心に一致している理想状態であり、パターンレシピを変更する必要がないと判断できる。図９（ｂ）の例では、干渉縞の中心がショット領域の中心からＹ方向にＬ５だけずれている。図９（ｃ）の例では、干渉縞の中心がショット領域の中心からＸ方向にＬ６だけずれている。図９（ｂ）、（ｃ）のように、干渉縞（ニュートンリング）を構成する複数のリングの中心が相互に一致し、かつ、各リングが円形である場合は、基板１の下地状態、または、パターンレシピにおける液滴配置に偏りが発生していることが推定される。ここで、下地状態は、表面状態と同義であり、例えば、平坦度を含む。図９（ｂ）、（ｃ）のような特徴がある場合、パターンレシピの再生成により図９（ａ）のような結果が得られる理想状態に近づけることができる。

図９（ｄ）の例では、干渉縞（ニュートンリング）を構成する複数のリングの中心が相互にずれている。このような状態を生じさせる原因は、モールド１８と基板１とが平行ではないことにある。この場合、例えば、中央のリング（円）の中心と、当該円の外側のリングの中心とのずれ量Ｌ７、Ｌ８に基づいて、基板ステージ７とモールドヘッド１６との相対的な傾きを補正することで図９（ａ）のような結果が得られる理想状態に近づけることができる。

図９（ｅ）の例では、干渉縞（ニュートンリング）を構成する複数のリングの中心が相互に一致しているが、各リングが同一の傾向で楕円になっている。このような状態を生じさせる原因としては、基板１の下地状態（下地平坦度）、または、パターンレシピにおける液滴配置に二次関数で近似される偏りがあることが推定される。この場合、基板ステージ７とモールドヘッド１６との相対的な傾きを変更することで図９（ａ）のような結果が得られる理想状態に近づけることはできない。図９（ｅ）のような特徴がある場合、パターンレシピの再生成により図９（ａ）のような結果が得られる理想状態に近づけることができる。

図９（ｆ）の例では、干渉縞（ニュートンリング）を構成する複数のリングが同一の傾向で楕円になっており、かつ同一の傾向で回転している。この傾向は二次関数で近似される偏りと、回転成分θが加わったものである。図９（ｆ）のような特徴がある場合、パターンレシピの再生成により図９（ａ）のような結果が得られる理想状態に近づけることができる。

図９（ｇ）の例では、１つの干渉縞（ニュートンリング）を構成する複数のリングの中心が相互に一致し、かつ、これらの中心がショット領域の中心に一致しているが、他の１つの干渉縞９０がショット領域の中心から離れた特異点を中心として形成されている。こうした特異点で干渉縞が発生する原因は、パターンレシピの再生成による補正が不可能な異物の付着であると判断できる。

図９（ｂ）〜図９（ｇ）の例は、干渉縞が理想状態からずれる異常の原因が複合しないものであるが、実際のインプリント処理においては、複数の原因が複合して発生する場合が多い。こうした場合、インプリント処理制御部４０１がそれぞれの原因に応じた補正データを生成してパターンレシピ生成部４０３に提供し、パターンレシピ生成部４０３にパターンレシピを生成させる。図９を参照して干渉縞の形状的な特徴に基づいて異常を判断する方法を説明したが、例えば、干渉縞の画像のコントラストの傾きなどに基づいて異常を判断してもよいし、他の特徴に基づいて異常を判断してもよい。

図１０は、図８のＳ３０５およびＳ３０７のサブルーチン１の詳細の流れを示すフローチャートである。サブルーチン１は、パターンレシピ生成部４０３にパターンレシピを再生成させるかどうかを判断し、再生成をさせる場合に、パターンレシピ生成部４０３を起動するサブルーチンである。

Ｓ６０１では、インプリント処理制御部４０１は、処理対象の基板１の表面状態（インプリント処理の条件の１つ）に基づいて、パターンレシピの再生成の必要性を検出する。そして、インプリント処理制御部４０１は、パターンレシピの再生成の必要性を検出した場合（必要があると判断した場合）はＳ６０２へ進み、そうでない場合はＳ６０４に進む。インプリント処理制御部４０１は、例えば、現在のパターンレシピを生成した時に参照した基板１の表面状態と、処理対象の基板１の表面状態との差異（インプリント条件の変化）が閾値を越えている場合には、再生成が必要であると判断する。

Ｓ６０２では、インプリント処理制御部４０１は、パターンレシピを再生成することで規格を満たすインプリント結果が得られるかどうかを判断する。パターンレシピを再生成することで再生成することで規格を満たすインプリント結果が得られると判断された場合はＳ６０３へ進み、そうでないと判断できる場合はＳ６１１へ進む。基板１の表面状態を示す情報は、ユーザーインターフェース３４を介して操作者から与えられてもよいし、ネットワーク３０１を介して統括コンピュータ３００から与えられてもよい。あるいは、当該情報は、オフアクシススコープ２４あるいはアライメント計測部１２あるいは検出部２６を用いて取得されてよい。

Ｓ６０３では、インプリント処理制御部４０１は、基板１の表面状態を示す情報（補正データ）と、再生成されたパターンレシピを適用するターゲットを示すターゲット情報を設定する。ターゲット情報は、再生成されたパターンレシピをどのロットの、どの基板の、どのショット領域に適用するかを示す情報を含む。ターゲット情報は、特定のショット領域、基板、ロットのみをターゲットするものでもよいし、特定のショット領域、基板、ロット以降の全ての処理に適用する情報であってもよい。また、ターゲット情報は、直後にインプリント処理を行うべきショット領域、基板、ロットを示すこともあるし、それ以降のショット領域、基板、ロットを示すこともある。また、ターゲット情報は、ロット、基板およびショット領域の少なくとも１つを示す情報でありうる。

Ｓ６０４では、インプリント処理制御部４０１は、設計上の座標と、プリアライメントで計測した結果から算出される基板１の周辺ショット領域の座標と、のずれ量（インプリント処理の条件の１つ）に基づいて、パターンレシピの再生成の必要性を検出する。ここで、設計上の座標とプリアライメントで計測した結果から算出される座標とのずれ量（インプリント条件の変化）が許容ずれ量より大きい場合、インプリント処理制御部４０１は、パターンレシピの再生成の必要性を検出する。パターンレシピの再生成の必要性を検出した場合（必要があると判断した場合）はＳ６０５へ進み、そうでない場合はＳ６０７へ進む。

インプリント装置１００では、基板１のエッジに基づいて得られる基板１の中心が基板ステージ７の中心に一致するように、基板搬送ロボットによって、基板１が基板ステージ７に搬送されるが、実際には搬送位置誤差が生じうる。プリアライメントによって得られたショット領域の座標と設計上のショット領域の座標とのずれ量は、基板１のエッジに基づいて決定される基板１の中心と、ショット領域の配列に基づいて決定される基板１の中心とのずれ量に一致しうる。

他の例において、搬送位置誤差とプリアライメントによって得られたショット領域の座標とに基づいて、ショット領域のずれ量が許容ずれ量より大きいか否かが判断されうる。ここで、基板１が基板ステージ７に搬送される際の搬送位置誤差による基板１の中心と基板ステージ７の中心とのずれ量は、例えば、検出部２６によって基板１のエッジを２点以上検出することによって求めることができる。これによって基板ステージ７上における基板１が存在する領域を特定することができる。一方、プリアライメントによって得られたショット領域の座標に基づいて、基板１のエッジと周辺ショット領域との位置関係を特定することができる。

図１２には、基板１とショットレイアウト（ショット領域のレイアウト）とが例示されている。図１２における周辺ショット領域３５（インプリント順番番号３７）が図１３に拡大して示されている。図１２において、実線は、基板１のエッジ、破線が設計上のショットレイアウトにおける有効領域のエッジ（レジストを塗布する領域のエッジ）を示している。また、図１２において、一点鎖線は、プリアライメントの結果から算出される実際のショットレイアウトにおける有効領域のエッジ（レジストを塗布する領域のエッジ）を示している。

図１３に示された例では、設計上のショットレイアウトにおける有効領域のエッジから基板のエッジまでの距離Ａに比べ、実際のショットレイアウトにおける有効領域のエッジから基板のエッジまでの距離Ｂが短くなる。この場合、事前に準備したパターンレシピをそのまま使用すると、基板における周辺部分に配置されたレジスト液滴が基板の周辺部分の傾斜（べべリング）の影響を受け、ショット領域外にはみ出しうる。このようなレジスト液滴が硬化されると異物となり、不良ショット領域を発生させうる。そこで、周辺ショット領域のためのパターンレシピを再生成することで、こうした問題を回避する。つまり、インプリント処理制御部４０１は、インプリント処理を行うべき基板のショット領域の位置に基づいて、パターンレシピを再生成する必要性を検出する。あるいは、インプリント処理制御部４０１は、基板の周辺ショット領域における有効領域のエッジと該基板のエッジとの相対位置を示す情報に基づいて、該周辺ショット領域に対するインプリント材の供給を制御するためのパターンレシピを生成する。

図１５には、図１３で示した設計上のショットレイアウトにおける基板とレジストとモールドとを水平方向（ｘ方向）から見た様子が模式的に示されている。図１６には、基板１の外形によって特定される中心とショットレイアウトの中心との間にずれがある場合の基板１とレジストとモールドとを水平方向から見た様子が模式的に示されている。２７ｄは、ショット領域外にはみ出したインプリント材（レジスト材）が硬化した結果として生成されたもの（異物またはコンタミナント）である。２７ｅは、レジストのはみ出しによって欠乏したレジストにより発生するレジストの欠陥領域である。

Ｓ６０５では、インプリント処理制御部４０１は、パターンレシピを再生成することで、レジスト液滴のはみ出しによる不良発生のないインプリント結果が得られるかどうかを判断する。そして、再生成することで所望のインプリント結果が得られると判断された場合はＳ６０６へ進み、得られないと判断された場合はＳ６１１へ進む。この例では、基板搬送ロボットによって基板１の中心が基板ステージ７の中心に一致するように基板１が基板ステージ７に搬送されることが前提とされている。この前提の下で、プリアライメント結果から得られる基板１のショットレイアウトにおける有効領域のエッジに基づいてパターンレシピの再生成の必要性が判断される。しかしながら、基板搬送ロボットによる搬送の精度の再現性が低いケースにおいては、基板１のエッジをオフアクシススコープ２４あるいはアライメント計測部１２によって計測し、その結果を用いてもよい。

Ｓ６０６では、インプリント処理制御部４０１は、パターンレシピを再生成する必要があると判断されるショット領域のずれ量情報（補正データ）と、再生成されたパターンレシピを適用するターゲットを示すターゲット情報を設定する。ターゲット情報は、生成されたパターンレシピをどのロットの、どの基板の、どのショット領域に適用するかを示す情報を含む。ここで、周辺ショット領域であっても、図１３に示された基板外周のショット領域３５（インプリント順番番号３７）と基板中心を隔てた反対側のショット領域（インプリント順番番号２５）では、実際のレイアウトのエッジから基板のエッジまでの距離が長い。そこで、異物の発生の危険が無いことから、インプリント順番番号２５のショット領域については、処理時間のかかるパターンレシピの再生成のターゲットショットから外す判断が好ましい。

Ｓ６０７では、インプリント処理制御部４０１は、レジスト供給部２３の吐出特性情報（インプリント処理の条件の１つ）に基づいて、パターンレシピの再生成の必要性を検出する。パターンレシピの再生成の必要性を検出した場合（必要があると判断した場合）はＳ６０８へ進み、そうでない場合は処理を終了する。吐出特性は、例えば、レジスト供給部２３の吐出ヘッド３２の取付け位置誤差、吐出口３３から吐出されるレジスト液滴の位置のずれ量および吐出液滴量、それぞれの経時変化に関係する吐出特性情報に基づいて評価することができる。例えば、吐出ヘッド３２の取付け位置誤差、吐出口３３から吐出されるレジスト液滴の位置のずれ量および吐出液滴量のずれ量ののうち少なくとも一つが許容値より大きい場合は、パターンレシピを再生成する必要があると判断することができる。吐出特性情報は、例えば、レジスト供給部２３から吐出されたレジスト液滴をそれにモールド１８を接触させることなく硬化させた結果を計測器によって計測し、その計測結果を処理することによって得られる。計測は、オフアクシススコープ２４あるいはアライメント計測部１２を使ってなされてもよいし、インプリント装置１００の外でなされてもよい。あるいは、吐出性能情報は、吐出ヘッド３２から吐出されるレジスト液を観察する計測器を設けて、それによる計測によって取得されてもよい。

Ｓ６０８では、インプリント処理制御部４０１は、パターンレシピを再生成することで規格を満たすインプリント結果が得られるかどうかを判断する。パターンレシピを再生成することで再生成することで規格を満たすインプリント結果が得られると判断された場合はＳ６０９へ進み、そうでないと判断できる場合はＳ６１１へ進む。Ｓ６０９では、インプリント処理制御部４０１は、吐出性能情報（補正データ）と、再生成されたパターンレシピを適用するターゲットを示すターゲット情報を設定する。ターゲット情報は、生成されたパターンレシピをどのロットの、どの基板の、どのショット領域に適用するかを示す情報を含む。このターゲット情報は、特定のショット領域、基板、ロットのみをターゲットするものでもよいし、特定のショット領域、基板、ロット以降全ての処理に適用する情報であってもよい。Ｓ６１１では、インプリント処理制御部４０１は、異常発生エラーをユーザーインターフェース３４のモニター画面に出力し、処理を終了する。Ｓ６１０では、インプリント処理制御部４０１は、パターンレシピ生成部４０３を起動し、パターンレシピ生成処理を実行させる。

パターンレシピを変更するべきかどうかを判断するためのインプリント処理の条件としては、種々の条件が考慮されうる。例えば、インプリント処理を行うべき基板上におけるショット領域の位置、インプリント処理を行うべき基板の平坦度、インプリント材を吐出する吐出口からのインプリント材の吐出量の少なくとも１つが考慮されうる。なお、インプリント処理制御部（主制御部）４０１は、基板の外形（の中心または基準点）とショット領域のレイアウト（の中心または基準点）との間の位置ずれまたは相対位置に基づいて、当該基板上におけるショット領域の位置を得るようにしうる。

図１１は、図８のＳ３０３のサブルーチン２の詳細の流れを説明したフローチャートである。サブルーチン２は、パターンレシピ生成部４０３にパターンレシピを再生成させるかどうかを判断し、再生成をさせる場合に、パターンレシピ生成部４０３を起動するサブルーチンである。

Ｓ５０１では、インプリント処理制御部４０１は、検出部２６から取得した画像に異常が発生しているかどうかを判断し、発生している場合はＳ５０２へ進み、発生していない場合は処理を終了する。Ｓ５０２では、インプリント処理制御部４０１は、画像の異常が図９（ｇ）に例示されたような特異点によるものかどうかを判断し、画像の異常が特異点によるものであればＳ５０３へ進み、そうではない場合はＳ５０４へ進む。Ｓ５０３では、インプリント処理制御部４０１は、異常発生エラーをユーザーインターフェース３４のモニター画面に出力し、処理を終了する。

Ｓ５０４では、インプリント処理制御部４０１は、過去にパターンレシピの再生成を行ったにもかかわらず同一傾向の画像の異常が連続で発生したかどうかを判断し、連続して発生していない場合はＳ５０５へ進み、連続して発生した場合はＳ５０３へ進む。この判断は、例えば、後述のＳ５０８を実行した事実と実行の時刻を記録しておき、それを参照することによってなされうる。

Ｓ５０５では、インプリント処理制御部４０１は、検出部２６から取得した画像から干渉縞の情報を抽出し、それに基づいて、例えばＸ方向、Ｙ方向のシフト成分、回転成分をＸ成分およびＹ成分に分離した値、倍率のＸ成分およびＹ成分を補正情報として求める。倍率成分の絶対量は、モールド１８のパターン面Ｐと基板１上のレジストを接触させるための接近制御を開始してから同じ計測タイミングで得られた、干渉縞の径の違いに基づいて求めることができる。補正情報は、パターンレシピを補正によって再生成するために用いられる。補正情報は、理想状態の干渉縞からのずれ量を数値化する方法である。このような方法に代えて、理想状態からの干渉縞の歪量から近似平面を算出する方法や、ショット領域を細分化し、各位置のＺ位置の変位量を求め、これを補正情報としてもよい。このような補正情報により基板の下地平面（表面）の凹凸を推定することができる。

Ｓ５０６では、インプリント処理制御部４０１は、Ｓ５０５で求めた補正情報に基づいて補正が補正可能範囲であるかどうかを判断し、補整可能範囲であればＳ５０８へ進み、補整可能範囲を超えていればＳ５０７へ進む。

Ｓ５０７では、インプリント処理制御部４０１は、パターンレシピの再生成ができないことを示す異常発生エラーをユーザーインターフェース３４のモニター画面に出力し、処理を終了する。

Ｓ５０８では、インプリント処理制御部４０１は、補正情報（補正データ）と、再生成されたパターンレシピを適用するターゲットを示すターゲット情報を設定する。ターゲット情報は、再生成されたパターンレシピをどのロットの、どの基板の、どのショット領域に適用するかを示す情報を含む。また、ターゲット情報は、複数の基板の同一ショット領域について補正情報を蓄積し、補正情報の変化の傾向に基づいて決定してもよいし、基板内における補正情報の変化の傾向に基づいて決定してもよい。Ｓ５０９では、パターンレシピ生成部４０３を起動し、パターンレシピ生成処理を実行させる。起動されたパターンレシピ生成部４０３は、パターンレシピを再生成することによって新たなパターンレシピを準備する。あるいは、起動されたパターンレシピ生成部４０３は、事前登録されたパターンレシピ群からパターンレシピを選択することによって新たなパターンレシピを準備してもよい。この場合には、パターンレシピ生成処理に要する時間が不要である。

図１４（ａ）は、図７に例示されるレジスト供給部２３の吐出口３３からの吐出量の設計値と実際の値との比率を複数の基板についてプロットした図である。図１３（ａ）において、横軸は基板の番号、縦軸は比率である。比率が１より大きい場合は、設計値より多めにレジストが吐出されている場合であり、１より小さい場合は設計値より少なめにレジストが吐出されている場合である。吐出量の変化の傾向から、パターンレシピを補または再生成すべきターゲットとなるロット、基板、ショット領域を推定することが可能となる。

一例において、吐出量の変化が１％以内であれば、インプリント性能に影響を与えることがなく、補正が不要であると判断することができる。また、吐出量の変化が±１％より大きく±２％以内である場合は、パターンレシピの補正が必要であると判断し、±２％より大きい場合は、パターンレシピの補正によりインプリント性能を所望の範囲に収めることが不可能と判断することができる。ここで、図１４（ａ）に記載された例において、比率が−１％より大きくなる（０．９９を下回る）基板番号を４４番と推定し、基板番号４４をパターンレシピの再生成を行うターゲットとすることができる。パターンレシピを補正する方法としては、例えば、吐出量が減少する場合、その量に応じて、レジスト液滴の配置の間隔を狭くする方法を挙げることができる。パターンレシピの情報として、吐出するレジスト液滴毎の吐出量を持たせる場合は、該当する吐出口の位置の吐出量を補正する方法も有効である。

図１４（ｂ）は、基板全域における下地凹凸の分布３σの値を基板毎にプロットした図である。３σの値が一定値以下の場合は、パターンレシピを再生成することなく、規格を満たすインプリント性能が得られることが分かっている。この３σの値の変化を複数の基板について蓄積し、変化の傾向から、パターンレシピを再生成すべきターゲットとなるロット、基板、ショット領域を推定することが可能となる。一例において、３σの値が３［ｎｍ］より大きく４［ｎｍ］以内である場合はパターンレシピの補正が必要となると判断し、４［ｎｍ］より大きい場合はパターンレシピの補正によりインプリント性能を所望の範囲に収めることが不可能と判断することができる。ここで、図１４（ｂ）に記載された例において、３σが３［ｎｍ］より大きくなる基板番号を３９番と推定し、基板番号３９がパターンレシピを補正するターゲットとされる。

パターンレシピの再生成は、ターゲットとなるロット、基板、ショット領域の下地の凹凸情報、基板面内における凹凸の深さのばらつきを示す凹凸分布情報を用いて行うことができる。吐出量を多くする場合、その量に応じて近接する吐出位置を狭くし、吐出量を少なくする場合、その量に応じて近接する吐出位置を広げる方法が有効である。インプリント処理の対象のショット領域の凹凸状態を示す情報は、ユーザーインターフェース３４を介して洗えられてもよいし、ネットワーク３０１を介して統括コンピュータ３００から与えられてもよい。あるいは、該情報は、オフアクシススコープ２４あるいはアライメント計測部１２を用いて取得されてもよい。

物品としてのデバイス（半導体集積回路素子、液晶表示素子等）の製造方法は、上述したインプリント装置を用いて基板（ウエハ、ガラスプレート、フィルム状基板）にパターンを形成する工程を含む。さらに、該製造方法は、パターンが形成された基板を処理（例えば、エッチング）する工程を含みうる。なお、パターンドメディア（記録媒体）や光学素子などの他の物品を製造する場合には、該製造方法は、エッチングの代わりに、パターンを形成された基板を加工する他の処理を含みうる。本実施形態の物品製造方法は、従来の方法に比べて、物品の性能・品質・生産性・生産コストの少なくとも一つにおいて有利である。

（その他の実施例）
本発明は、上述の実施形態の１以上の機能を実現するプログラムを、ネットワーク又は記憶媒体を介してシステム又は装置に供給し、そのシステム又は装置のコンピュータにおける１つ以上のプロセッサーがプログラムを読出し実行する処理でも実現可能である。また、１以上の機能を実現する回路（例えば、ＡＳＩＣ）によっても実現可能である。

１００：インプリント装置、１：基板、７：基板ステージ、１８：モールド、２３：レジスト供給部

Claims (24)

1. 基板の表面上にインプリント材を供給し、該インプリント材にモールドを接触させた状態で該インプリント材を硬化させるインプリント処理を行うインプリント装置であって、
   同一のモールドを使用してインプリント処理を連続的に行う期間において、インプリント処理の条件の変化に基づいて、基板へのインプリント材の供給を制御するパターンレシピを再生成し又は事前登録されたパターンレシピ群からパターンレシピを選択することによって新たなパターンレシピを準備するとともに、元のパターンレシピから該新たなパターンレシピへの切り替えのタイミングを決定する制御部を備える、
   ことを特徴とするインプリント装置。
2. 前記制御部は、インプリント処理の条件の変化に基づいて前記タイミングを決定する、
   ことを特徴とする請求項１に記載のインプリント装置。
3. 前記制御部は、前記タイミングを特定する情報として、処理対象のロット、処理対象の基板、および、処理対象のショット領域の少なくとも１つを決定する、
   ことを特徴とする請求項２に記載のインプリント装置。
4. 前記制御部は、主制御部と、パターンレシピを生成するレシピ生成部を含み、
   前記主制御部は、パターンレシピを再生成する必要性の検出に応じて前記レシピ生成部を起動し、前記レシピ生成部によってパターンレシピが再生成されるまで基板へのインプリント材の供給を待つ、
   ことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載のインプリント装置。
5. 前記主制御部は、インプリント処理を行うべき基板の表面状態を示す情報に基づいて、パターンレシピを再生成する必要性を検出する、
   ことを特徴とする請求項４に記載のインプリント装置。
6. 前記主制御部は、基板の表面上のインプリント材と前記モールドとの接触状態を示す情報に基づいて、パターンレシピを再生成する必要性を検出する、
   ことを特徴とする請求項４又は５に記載のインプリント装置。
7. 前記主制御部は、インプリント処理を行うべき基板のショット領域の位置に基づいて、パターンレシピを再生成する必要性を検出する、
   ことを特徴とする請求項４乃至６のいずれか１項に記載のインプリント装置。
8. 前記主制御部は、基板の表面上にインプリント材を供給する供給部の特性を示す情報に基づいて、パターンレシピを再生成する必要性を検出する、
   ことを特徴とする請求項４乃至７のいずれか１項に記載のインプリント装置。
9. 前記主制御部および前記レシピ生成部は、同一のコンピュータで構成され、前記主制御部は、前記期間の一部において、前記レシピ生成部がレシピを再生成する処理を実行することを禁止する、
   ことを特徴とする請求項４乃至８のいずれか１項に記載のインプリント装置。
10. 請求項１乃至９のいずれか１項に記載のインプリント装置を用いて基板にパターンを形成する工程と、
    前記パターンが形成された前記基板を処理する工程と、
    を含むことを特徴とする物品製造方法。
11. 基板へのインプリント材の供給を制御するためのパターンレシピを生成するレシピ生成装置であって、
    基板の周辺ショット領域における有効領域のエッジと該基板のエッジとの相対位置を示す情報に基づいて、前記周辺ショット領域に対するインプリント材の供給を制御するためのパターンレシピを生成する、
    ことを特徴とするレシピ生成装置。
12. 基板の表面上にインプリント材を供給し、該インプリント材に型を接触させた状態で該インプリント材を硬化させるインプリント処理を行うインプリント装置であって、
    同一の型を使用して前記インプリント処理を継続的に行う期間において、前記インプリント処理の条件の変化に基づいて、基板の表面上へのインプリント材の供給を制御するパターンレシピを変更し、かつ該変更のタイミングを決定する制御部を備える、
    ことを特徴とするインプリント装置。
13. 前記制御部は、前記タイミングを、処理対象のロット、処理対象の基板、および処理対象のショット領域のうちいずれかを単位として決定する、
    ことを特徴とする請求項１２に記載のインプリント装置。
14. 前記制御部は、主制御部と、前記パターンレシピを変更するレシピ変更部を含み、
    前記主制御部は、前記パターンレシピを変更する必要性の検出に応じて前記レシピ変更部を起動し、前記レシピ変更部によって前記パターンレシピが変更されるまで基板へのインプリント材の供給を待たせる、
    ことを特徴とする請求項１２又は１３に記載のインプリント装置。
15. 前記主制御部は、前記インプリント処理を行うべき基板の表面状態を示す情報に基づいて、前記検出を行う、
    ことを特徴とする請求項１４に記載のインプリント装置。
16. 前記主制御部は、基板の表面上のインプリント材と前記型との接触状態を示す情報に基づいて、前記検出を行う、
    ことを特徴とする請求項１４又は１５に記載のインプリント装置。
17. 前記主制御部は、前記インプリント処理を行うべき基板のショット領域の位置に基づいて、前記検出を行う、
    ことを特徴とする請求項１４乃至１６のいずれか１項に記載のインプリント装置。
18. 前記主制御部は、基板の表面上にインプリント材を供給する供給部の特性を示す情報に基づいて、前記検出を行う、
    ことを特徴とする請求項１４乃至１７のいずれか１項に記載のインプリント装置。
19. 前記主制御部および前記レシピ変更部は、同一のコンピュータで構成され、前記主制御部は、前記期間の一部において、前記レシピ変更部がレシピを変更する処理を実行することを禁止する、
    ことを特徴とする請求項１４乃至１８のいずれか１項に記載のインプリント装置。
20. 前記条件は、前記インプリント処理を行うべき基板上におけるショット領域の位置、前記インプリント処理を行うべき基板の平坦度、および前記インプリント材を吐出する吐出口からの前記インプリント材の吐出量のうち少なくとも一つに関することを特徴とする請求項１２乃至１９のいずれか１項に記載のインプリント装置。
21. 前記主制御部は、前記基板の外形と前記ショット領域のレイアウトとの間の相対位置に基づいて、前記ショット領域の位置を得ることを特徴とする請求項２０に記載のインプリント装置。
22. 請求項１２乃至２１のいずれか１項に記載のインプリント装置を用いて基板にパターンを形成する工程と、
    前記工程において前記パターンを形成された前記基板を処理する工程と、
    を含むことを特徴とする物品製造方法。
23. 基板の表面上に供給されたインプリント材に型を接触させた状態で該インプリント材を硬化させるインプリント処理において前記基板の表面上へのインプリント材の供給を制御するパターンレシピを変更する方法であって、
    同一の型を使用して前記インプリント処理を継続的に行う期間において、前記インプリント処理の条件の変化に基づいて、前記パターンレシピを変更し、かつ該変更のタイミングを決定する、
    ことを特徴とする方法。
24. 請求項２３に記載のパターンレシピを変更する方法をコンピュータに実行させることを特徴とするプログラム。

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