KR102350286B1 - 드롭 레시피를 결정하는 결정 방법, 임프린트 장치 및 물품 제조 방법 - Google Patents

드롭 레시피를 결정하는 결정 방법, 임프린트 장치 및 물품 제조 방법 Download PDF

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Abstract

임프린트 장치에서의 임프린트재의 배치를 나타내는 정보를 결정하는 방법은, 임프린트 장치에 의해, 잠정 배치에 따라 기판 상에 임프린트재를 배치하고, 임프린트재에 몰드를 접촉시킨 상태에서 임프린트재를 경화시킴으로써 패턴을 형성하며, 패턴에 기초하여 잠정 배치를 변경하는 처리를, 패턴의 품질이 미리결정된 조건을 만족할 때까지 반복하는 반복 공정; 및 임프린트 장치에 의해, 패턴의 품질이 미리결정된 조건을 만족하는 단계에서 최신의 잠정 배치에 기초하여 임프린트재의 배치를 나타내는 정보를 결정하는 결정 공정을 포함한다.

Description

드롭 레시피를 결정하는 결정 방법, 임프린트 장치 및 물품 제조 방법{METHOD OF DETERMINING DROP RECIPE, IMPRINT APPARATUS, AND ARTICLE MANUFACTURING METHOD}
본 발명은 드롭 레시피를 결정하는 결정 방법, 임프린트 장치 및 물품 제조 방법에 관한 것이다.
임프린트 장치는, 기판 상에 임프린트재를 공급하고, 임프린트재에 몰드를 접촉시키며, 임프린트재를 경화시킴으로써 기판 상에 임프린트재의 경화물로 이루어지는 패턴을 형성한다. 임프린트재는 드롭 레시피에 따라서 디스펜서로부터 임프린트재를 토출함으로써 기판에 공급될 수 있다. 드롭 레시피는 기판 상에서의 임프린트재의 배치를 나타내는 정보이다. 일본 특허 공개 제2012-69701호는, 기판에 전사된 패턴의 결함을 검사하고, 결함의 윤곽을 추출하며, 이 윤곽이 반영된 반도체 집적 회로의 패턴 데이터에 기초하여 드롭 레시피를 생성하는 임프린트 방법을 기재하고 있다. 일본 특허 공개 제2011-159764호는, 템플릿에 형성된 템플릿 패턴에 대한 정보에 기초하여 레지스트 도포 분포를 설정하는 패턴 형성 방법을 기재하고 있다.
새로운 패턴에 일치하는 드롭 레시피를 작성하기 위해서는, 패턴의 사양, 임프린트 장치의 사양, 임프린트재의 사양 등에 따라서 초기의 드롭 레시피가 작성된다. 후속하여, 임프린트 처리 및 기판에 형성된 결과적인 패턴의 평가를 반복하면서 드롭 레시피를 최적화하여, 최종 드롭 레시피를 결정할 수 있다. 이 작업에는 방대한 시간과 비용이 필요하다.
본 발명은 드롭 레시피를 효율적으로 결정하는데 유리한 기술을 제공한다.
본 발명의 양태 중 하나는, 임프린트재의 배치를 나타내는 정보를 임프린트 장치에서 결정하는 결정 방법을 제공하며, 상기 방법은, 상기 임프린트 장치에 의해, 잠정 배치에 따라서 기판 상에 임프린트재를 배치하고, 상기 임프린트재에 몰드를 접촉시킨 상태에서 상기 임프린트재를 경화시킴으로써 패턴을 형성하고, 상기 패턴에 기초하여 상기 잠정 배치를 변경하는 처리를, 상기 패턴의 품질이 미리결정된 조건을 만족할 때까지 반복하는 반복 공정, 및 상기 임프린트 장치에 의해, 상기 패턴의 품질이 상기 미리결정된 조건을 만족한 단계에서의 최신의 상기 잠정 배치에 기초하여 상기 임프린트재의 배치를 나타내는 정보를 결정하는 결정 공정을 포함한다.
본 발명의 추가적인 특징은 첨부된 도면을 참고한 예시적인 실시예에 대한 이하의 설명으로부터 명확해질 것이다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 임프린트 장치의 배치를 도시하는 도면이다.
도 2a 내지 도 2d는 임프린트 처리를 개략적으로 도시하는 도면이다.
도 3은 임프린트재 공급부의 토출 헤드의 배치의 예를 도시하는 도면이다.
도 4는 임프린트 장치의 제어부의 배치의 예를 도시하는 블록도이다.
도 5a는 샷 레이아웃을 예시하는 도면이다.
도 5b는 완전 샷 레이아웃을 예시하는 도면이다.
도 5c는 부분 샷 레이아웃을 예시하는 도면이다.
도 6은 임프린트 장치에 의해 실행되는 드롭 레시피 생성 방법의 수순을 도시하는 흐름도이다.
도 7a 및 도 7b는 임프린트 장치에 의해 행해진 드롭 레시피 생성 방법의 수순의 더 구체적인 예를 도시하는 흐름를 도시한다.
도 8은 임프린트 장치에 의해 실행되는 드롭 레시피 생성 방법의 수순의 더 구체적인 예를 도시하는 흐름도이다.
도 9a 및 도 9b는 샷 영역의 외측 에지 근방에 배치된 얼라인먼트 마크에서 발생할 수 있는 미충전 결함을 저감하기 위한 잠정 드롭 레시피의 변경 방법을 도시하는 도면이다.
도 10a 및 도 10b는 샷 영역의 외측 에지에서 발생하는 임프린트재의 돌출을 저감하기 위한 잠정 드롭 레시피의 변경 방법을 예시하는 도면이다.
도 11은 샷 영역의 외측 에지에서 발생하는 임프린트재의 돌출을 저감하기 위한 잠정 드롭 레시피의 변경 방법을 예시하는 도면이다.
도 12a 및 도 12b는 샷 영역의 외측 에지에서 발생하는 임프린트재의 돌출을 저감하기 위한 잠정 드롭 레시피의 변경 방법을 예시하는 도면이다.
도 13은 변경 후의 잠정 드롭 레시피에 따라서 형성된 패턴을 촬상함으로써 취득된 화상 데이터를 예시하는 도면이다.
도 14는 유저 인터페이스에 의해 제공되는 설정 화면을 예시하는 도면이다.
도 15a 내지 도 15f는 물품 제조 방법을 예시하는 도면이다.
도 16a 내지 도 16d는 다른 물품 제조 방법을 예시하는 도면이다.
도 17a는 부분 샷 영역에 대한 드롭 레시피를 생성하는 방법을 설명하는 도면이다.
도 17b는 부분 샷 영역에 대한 드롭 레시피를 생성하는 방법을 설명하는 도면이다.
도 17c는 부분 샷 영역에 대한 드롭 레시피를 생성하는 방법을 설명하는 도면이다.
도 18은 임프린트 장치에 의해 실행되는 드롭 레시피 생성 방법의 수순의 더 상세한 예를 도시하는 흐름도이다.
도 19는 유저 인터페이스에 의해 제공되는 설정 화면을 예시하는 도면이다.
도 20은 평가 조건 및 평가 지수를 나타내는 데이터 테이블의 예를 도시하는 도면이다.
본 발명을 예시적인 실시예에 의해 첨부의 도면을 참고하여 이하에서 설명한다.
도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 임프린트 장치(200)의 배치를 도시한다. 임프린트 장치(200)는, 기판(1) 위에 임프린트재(IM)를 배치하고, 임프린트재(IM)에 몰드(18)를 접촉시킨 상태에서 임프린트재(IM)에 경화용의 에너지를 부여함으로써 임프린트재(IM)의 경화물로 이루어지는 패턴을 형성한다. 결과적으로, 몰드(18)의 패턴이 기판(1)에 전사된다. 이와 같이 하여 기판(1) 위에 임프린트재(IM)의 경화물로 이루어지는 패턴을 형성하는 처리를 임프린트 처리라 칭한다.
임프린트재로서는, 경화용의 에너지를 수취함으로써 경화되는 경화성 조성물(미경화 수지라 칭할수도 있음)이 사용된다. 경화용의 에너지로서는, 전자파, 열 등이 사용될 수 있다. 전자파로서는, 예를 들어 그 파장이 10 nm(포함) 내지 1 mm(포함)의 범위로부터 선택되는 적외선, 가시광선, 자외선 등의 광이 사용될 수 있다. 경화성 조성물은, 광 조사 또는 열의 부여에 의해 경화되는 조성물일 수 있다. 이들 중, 광 조사에 의해 경화하는 광경화성 조성물은, 적어도 중합성 화합물과 광중합 개시제를 함유하고, 필요에 따라 비중합성 화합물 또는 용매를 더 함유할 수 있다. 비중합성 화합물은, 증감제, 수소 공여체, 내부 이형제, 계면활성제, 산화방지제, 중합체 성분 등을 포함하는 군으로부터 선택되는 적어도 1종의 재료이다. 임프린트재는, 임프린트재 공급부(디스펜서)에 의해, 액적 유사 형상, 혹은 복수의 액적이 서로 연결되어서 형성되는 섬 유사 형상 또는 막 유사 형상으로 기판에 배치될 수 있다. 임프린트재의 점도(25℃에서의 점도)는 예를 들어 1mPa·s(포함) 내지 100mPa·s(포함)로 설정될 수 있다. 예를 들어, 유리, 세라믹, 금속, 반도체, 수지 등이 기판의 재료로서 사용될 수 있다. 필요에 따라, 기판의 표면에는 기판의 재료와 상이한 재료로 이루어지는 부재가 제공될 수 있다. 예를 들어, 기판으로서는 실리콘 웨이퍼, 화합물 반도체 웨이퍼, 석영 유리 등이 사용된다.
이하에서는, 임프린트재(IM)를 경화시키기 위한 에너지로서 자외선을 사용하는 예를 설명한다. 본 명세서 및 첨부 도면에서는, 기판(1)의 표면에 평행한 방향이 X-Y 평면을 형성하는 X-Y-Z 좌표계에서 방향을 나타낸다. X-Y-Z 좌표계에서의 X-축, Y-축, 및 Z-축에 각각 평행한 방향을 X 방향, Y 방향, 및 Z 방향으로 한다. X 축을 중심으로 한 회전, Y-축을 중심으로 한 회전, 및 Z-축을 중심으로 한 회전을 각각 θX, θY, 및 θZ로 한다. X-축, Y-축, 및 Z-축에 관한 제어 또는 구동은, 각각 X-축에 평행한 방향, Y-축에 평행한 방향, 및 Z-축에 평행한 방향에 관한 제어 또는 구동을 의미한다. 또한,θX-축, θY-축, 및 θZ-축에 관한 제어 또는 구동은, 각각 X-축에 평행한 축을 중심으로 한 회전, Y-축에 평행한 축을 중심으로 한 회전, 및 Z-축에 평행한 축을 중심으로 한 회전에 관한 제어 또는 구동을 의미한다. 위치는 X-축, Y-축, 및 Z-축의 좌표에 기초해서 특정될 수 있는 정보이다. 자세는 θX-축, θY-축, 및 θZ-축의 값에 의해 특정될 수 있는 정보이다. 얼라인먼트는 위치 및/또는 자세를 제어하는 것을 의미한다. 얼라인먼트는 기판 및 몰드 중 적어도 하나의 위치 및/또는 자세의 제어를 포함할 수 있다.
임프린트 장치(200)는, 계측기(4), 계측기(6), 기판 스테이지(7), 브리지 구조체(8), 계측기(9), 경화용 광원(11), 얼라인먼트 계측기(12), 하프 미러(13), 배기 덕트(14), 연결 부재(15) 및 몰드 헤드(16)를 포함한다. 임프린트 처리 유닛(200)은, 가스 스프링(19), 베이스 정반(20), 가스 공급부(21), 홀더(22), 임프린트재 공급부(디스펜서)(23), 오프-액시스 스코프(24), 압력 센서(25), 검출부(26), 제어부(400) 및 유저 인터페이스(34)를 더 포함한다. 제어부(400)는 네트워크(301)를 통해 통괄 컴퓨터(300)에 접속되어 있다. 몰드 헤드(16)는, 패턴면(P)을 갖는 몰드(18)를 보유지지하는 몰드 척(17)을 포함한다. 몰드(18)의 패턴면(P)에는, 기판(1)에 형성해야 할 패턴에 대응하는 3차원 패턴이 형성된다.
검출부(26)는, 기판 상의 임프린트재에 대한 몰드(18)의 접촉 상태, 기판 상의 임프린트재에 의한 몰드(18)의 충전 상태, 및 기판 상의 임프린트재로부터의 몰드(18)의 분리 상태를 화상 정보로서 관찰할 수 있다. 검출부(26)는 또한 기판 스테이지(7)를 이동시킴으로써 기판 주변부와 기판 척 사이의 위치 관계를 관찰할 수 있다. 몰드 척(17)은 예를 들어 진공 흡착에 의해 몰드(18)를 보유지지한다. 몰드 척(17)은, 몰드 척(17)으로부터 몰드(18)가 탈락되는 것을 방지하는 구조를 가질 수 있다. 본 실시예에서는, 몰드 척(17)은 몰드 헤드(16)에 견고하게 결합되어 있다. 몰드 헤드(16)는, 브리지 구조체(8)를 기준으로 하여, 적어도, Z, θX 및 θY의 적어도 3개의 축 방향으로 자체적으로 이동(구동)할 수 있는 기구를 가질 수 있다. 몰드 헤드(16)는, 연결 부재(15)를 통해 브리지 구조체(8)에 연결되며, 브리지 구조체(8)에 의해 지지된다. 얼라인먼트 계측기(12) 또한 브리지 구조체(8)에 의해 지지된다.
얼라인먼트 계측기(12)는, 몰드(18)와 기판(1) 사이의 얼라인먼트를 위한 얼라인먼트 계측을 행한다. 본 실시예에서, 얼라인먼트 계측기(12)는, 몰드(18)에 제공된 마크 및 기판 스테이지(7) 및 기판(1)에 제공된 마크를 검출함으로써 얼라인먼트 신호를 생성하는 얼라인먼트 검출 시스템을 포함한다. 또한, 얼라인먼트 계측기(12)는, 카메라(촬상 장치)를 포함할 수 있고, 검출부(26)와 마찬가지로, 자외선의 조사에 의한 기판(1) 상의 임프린트재(IM)의 경화 상태(임프린트 상태)를 관찰하는 기능을 가질 수 있다. 또한, 얼라인먼트 계측기(12)는, 기판(1) 상의 임프린트재에 대한 몰드(18)의 접촉 상태, 기판 상의 임프린트재에 의한 몰드(18)의 충전 상태 및 기판 상의 임프린트재로부터의 몰드(18)의 분리 상태를 관찰하는 기능도 가질 수 있다. 연결 부재(15)의 상방에는 하프 미러(13)가 배치된다. 경화용 광원(11)으로부터의 광은, 하프 미러(13)에 의해 반사되고, 몰드(18)를 투과하여 기판(1) 상의 임프린트재(IM)에 조사된다. 기판(1) 상의 임프린트재(IM)는 경화용 광원(11)으로부터의 광에 의한 조사에 의해 경화된다.
브리지 구조체(8)는, 바닥으로부터의 진동을 절연하기 위한 가스 스프링(19)을 통해 베이스 정반(20)에 의해 지지된다. 각각의 가스 스프링(19)은, 액티브 진동-방지 기능으로서 노광 장치에 의해 일반적으로 채용되는 구조를 가질 수 있다. 예를 들어, 각각의 가스 스프링(19)은, 브리지 구조체(8) 및 베이스 정반(20)에 제공되는 XYZ 상대 위치 계측 센서, XYZ 구동용 리니어 모터, 가스 스프링의 공기량을 제어하는 서보 밸브 등을 포함한다. 브리지 구조체(8)에는, 홀더(22)를 통해, 기판(1)에 임프린트재(IM)를 공급(도포)하기 위한 노즐, 및 공급 타이밍 및 공급량을 제어하는 제어부를 포함하는 임프린트재 공급부(23)(디스펜서)가 부착된다. 임프린트재 공급부(23)는, 예를 들어 임프린트재(IM)의 액적을 기판(1)에 공급한다. 임프린트재 공급부(23)로부터 임프린트재(IM)를 기판(1)에 공급하면서 기판 스테이지(7)(즉, 기판(1))를 이동시킴으로써, 기판(1) 상의 직사각형 형상 같은 임의 형상을 각각 갖는 샷 영역에 임프린트재(IM)를 배치할 수 있다.
기판(1)은, 예를 들어 원 형상을 가질 수 있다. 샷 영역은, 직사각형 형상을 각각 갖는 완전 샷 영역과, 각각의 일부가 기판(1)의 에지(기판 에지 또는 기판의 주변부)에 의해 규정되는 부분 샷 영역을 포함할 수 있다. 각각의 완전 샷 영역은 예를 들어 33 mm × 26 mm의 치수를 가질 수 있다. 1개의 샷 영역은 복수의 칩 영역을 포함할 수 있다.
임프린트 장치(200)에 의해 실시되는 임프린트 프로세스에서는, 기판(1)의 표면 상에 임프린트재(IM)의 경화물에 의해 형성되는 3차원 패턴의 오목부에 층이 남을 수 있다. 이 층을 잔류층이라 칭할 수 있다. 잔류층은 에칭에 의해 제거될 수 있다. 잔류층의 두께는 RLT(Residual Layer Thickness)라 칭할 것이다. 필요한 RLT에 대응하는 두께의 층이 샷 영역에 형성되지 않는 경우, 기판(1)은 원치않게 에칭에 의해 파내어 진다. 본 실시예에서는, 임프린트재 공급부(23)에 의한 임프린트재(IM)의 토출과 기판 스테이지(7)의 이동의 조합에 의해 기판(1) 상의 적절한 영역에 임프린트재(IM)가 배치된다.
기판 스테이지(7)는, 기판 척(기판 보유지지부)을 갖고, 기판 척에 의해 기판(1)을 보유지지한다. 기판 스테이지(7)는, X, Y, Z, θX, θY 및 θZ의 6축 방향으로 자체적으로 이동할 수 있는 기구를 갖는다. 본 실시예에서는, 기판 스테이지(7)는, X 방향 이동 기구를 포함하는 X 슬라이더(3) 및 Y 방향 이동 기구를 포함하는 Y 슬라이더(5)를 통해 브리지 구조체(8)에 의해 지지된다. X 슬라이더(3)는, X 슬라이더(3)와 Y 슬라이더(5)의 상대 위치를 계측하는 계측기(4)를 포함한다. Y 슬라이더(5)는, Y 슬라이더(5)와 브리지 구조체(8)의 상대 위치를 계측하는 계측기(6)를 포함한다. 따라서, 계측기(4 및 6)는, 브리지 구조체(8)를 기준으로 하고, 기판 스테이지(7)의 위치를 계측한다. 계측기(4 및 6) 각각은, 본 실시예에서는, 인코더(리니어 인코더)에 의해 형성된다.
기판 스테이지(7)와 브리지 구조체(8) 사이의 Z 방향에서의 거리는 브리지 구조체(8), X 슬라이더(3) 및 Y 슬라이더(5)에 의해 결정된다. X 슬라이더(3) 및 Y 슬라이더(5)의 Z 방향 및 틸트 방향의 강성을 10 nm/N 정도의 높은 값으로 유지함으로써, 기판 스테이지(7)와 브리지 구조체(8)의 Z 방향에서의 임프린트 동작의 변동을 몇십 nm의 변동으로 억제할 수 있다.
계측기(9)는, 브리지 구조체(8)에 제공되며, 본 실시예에서는 간섭계에 의해 형성된다. 계측기(9)는, 기판 스테이지(7)를 향해서 계측광(10)을 방출하고, 기판 스테이지(7)의 단부면에 제공된 간섭계 미러에 의해 반사된 계측광(10)을 검출함으로써 기판 스테이지(7)의 위치를 계측한다. 계측기(9)는, 기판 스테이지(7)의 기판(1)의 보유지지면에 대하여 계측기(4 및 6)보다 더 가까운 위치에서 기판 스테이지(7)의 위치를 계측한다. 도 1은, 계측기(9)로부터 기판 스테이지(7)에 방출되는 계측광(10)의 1개의 빔만을 도시하고 있지만, 계측기(9)는 적어도 기판 스테이지(7)의 XY 위치, 회전량 및 틸트량을 계측하도록 구성될 수 있다.
가스 공급부(21)는, 몰드(18)의 패턴에의 임프린트재(IM)의 충전성을 향상시키기 위해서, 몰드(18)의 근방, 더 구체적으로는 몰드(18)와 기판(1) 사이의 공간에 충전용 가스를 공급한다. 충전용 가스는, 몰드(18)와 임프린트재 사이에 갇힌 충전용 가스(기포)를 신속하게 저감시키고, 임프린트재에 의한 몰드(18)의 패턴(오목부)의 충전을 촉진시키기 위해서, 투과성 가스 및 응축성 가스 중 적어도 하나를 포함한다. 투과성 가스는, 몰드(18)에 대하여 높은 투과성을 갖고, 기판(1) 상의 임프린트재에 몰드(18)를 접촉시켰을 때에 몰드(18)를 투과하는 가스이다. 응축성 가스는, 기판(1) 상의 임프린트재에 몰드(18)를 접촉시켰을 때에 액화(응축)하는 가스이다.
오프-액시스 스코프(24)는, 몰드(18)의 개입 없이 기판 스테이지(7)에 배치된 기준 플레이트에 제공된 기준 마크 또는 얼라인먼트 마크를 검출한다. 또한, 오프-액시스 스코프(24)는, 기판(1)(그 각각의 샷 영역)에 제공된 얼라인먼트 마크를 검출할 수 있다. 압력 센서(25)는, 본 실시예에서는, 기판 스테이지(7)에 제공되고, 몰드(18)를 기판(1) 상의 임프린트재에 접촉시킴으로써 기판 스테이지(7)에 작용하는 압력을 검출한다. 압력 센서(25)는, 기판 스테이지(7)에 작용하는 압력을 검출함으로써, 몰드(18)와 기판(1) 상의 임프린트재 사이의 접촉 상태를 검출하는 센서로서 기능한다. 압력 센서(25)는, 몰드 헤드(16)에 제공될 수 있고, 몰드 헤드(16) 및 기판 스테이지(7) 중 적어도 하나에 제공되면 된다.
가스 공급부(21)로부터 공급되는 충전용 가스의 굴절률은 공기의 굴절률이 크게 상이하다. 그러므로, 계측기(4 및 6)가 충전용 가스에 노출되면(즉, 계측기(4 및 6)의 계측 광로에 충전용 가스가 누설되면), 계측기(4 및 6)의 계측값(계측 결과)이 변동한다. 이러한 문제는, 특히, 계측 광로 길이가 긴 간섭계에 대하여 현저하고, 기판 스테이지(7)의 위치를 제어할 때에 높은 게인을 갖기 때문에, 서보 에러를 일으킨다. 계측 광로 길이가 짧은 인코더를 사용하는 경우에도, 나노미터 정도의 계측 정밀도가 요구되는 임프린트 장치에서는 그 영향을 무시할 수 없다. 그러나, 인코더의 계측 광로 길이는 간섭계의 계측 광로 길이보다 짧기 때문에, 간섭계에서보다 영향이 작다. 도 1에 도시한 바와 같이, 본 실시예에서는, 가스 공급부(21)(그 충전용 가스의 공급구)로부터 계측기(4 및 6)까지 충분한 거리를 남겨둘 수 있고, 계측기(4 및 6)가 인코더로 형성된다. 따라서, 계측기(4 및 6)는, 충전용 가스에 의한 계측값의 변동 영향을 거의 받지 않게 구성되므로, 서보 에러를 거의 일으키지 않는다.
가스 공급부(21)는, 상술한 바와 같이, 임프린트 처리를 행하는 동안에, 몰드(18)와 기판(1) 사이의 공간에 충전용 가스를 공급한다. 몰드(18)와 기판(1) 사이에 공급된 충전용 가스는, 몰드 헤드(16)의 상부로부터 배기 덕트(14)를 통해 흡인되고, 임프린트 장치(200)의 외부로 배출된다. 또한, 몰드(18)와 기판(1) 사이에 공급된 충전용 가스는 외부로 배출되는 대신에 가스 회수 기구(도시하지 않음)에 의해 회수될 수 있다.
도 2a 내지 도 2d는 임프린트 처리를 개략적으로 도시한다. 도 2a은, 임프린트재 공급부(23)에 의해 임프린트재(27a)가 공급된 기판(1)의 샷 영역에 몰드(18)의 패턴면(P)이 접촉하기 시작하기 전의 상태를 도시한다. 도 2b는, 몰드(18)의 패턴면(P)과 기판(1)의 샷 영역 상의 임프린트재가 서로 접촉한 상태를 도시한다. 이 상태에서, 경화용 광원(11)으로부터의 광이 기판(1)의 샷 영역 상의 임프린트재에 조사된다. 결과적으로, 임프린트재(27b)가 경화된다. 도 2c는, 몰드 헤드(16)를 상승시킴으로써 기판(1)의 샷 영역 상의 경화된 임프린트재로부터 몰드(18)가 분리되는 상태를 도시한다. 결과적으로, 기판(1)의 샷 영역에는, 몰드(18)의 패턴면(P)의 패턴에 대응하는 패턴(27c)이 남는다. 도 2d는, 몰드(18)의 패턴면(P)의 패턴과 경화된 임프린트재를 도시한다. 몰드(18)의 패턴은, 기판에 형성해야 할 볼록 패턴에 대응하는 볼록 형성 패턴(35)과, 기판에 형성해야 할 오목 패턴에 대응하는 오목 형성 패턴(36)을 포함한다. Pd는 패턴 깊이(Pattern Depth)를 나타내고, RLT은 잔류층 두께(Residual Layer Thickness)를 나타낸다.
도 3은 임프린트재 공급부(23)의 토출 헤드(32)의 배치의 일례를 도시한다. 토출 헤드(32)는 복수의 오리피스(33)를 포함한다. 복수의 오리피스(33)의 배치 간격을 좁게 하면, 몰드(18)의 볼록 형성 패턴 내에의 임프린트재의 충전에 요하는 시간이 짧아진다. 한편, 배치 간격이 지나치게 좁으면, 토출 헤드(32)의 제조가 어려워질 수 있고, 인접하는 오리피스(33)로부터 토출된 임프린트재의 액적이 서로 간섭할 수 있다. 복수의 임프린트재의 액적이 서로 간섭하면, 그것들이 서로 결합된다. 이는 기판 상에 배치되는 액적의 오정렬을 일으킬 수 있다. 도 3의 예에서는, 2개의 열을 형성하도록 복수의 오리피스(33)가 배치되고, 열 방향에서의 오리피스(33)의 중심 사이의 거리(L1), 및 2개의 열의 중심선 사이의 간격(L2)이 오리피스(33)의 배치 정보로서 사용된다.
도 4는 제어부(400)의 배치예를 도시한다. 제어부(400)는, 예를 들어 프로그램이 설치된 범용 컴퓨터, FPGA(Field Programmable Gate Array의 약어) 같은 PLD(Application Specific Integrated Circuit의 약어), ASIC(Programmable Logic Device의 약어), 또는 이들 모두 또는 일부의 조합물에 의해 형성될 수 있다.
제어부(400)는, 주제어부(410), 드롭 레시피 생성부(420), 임프린트 제어부(430) 및 입력/출력 인터페이스(440)를 포함할 수 있다. 주제어부(410)는, 드롭 레시피 생성부(420), 임프린트 제어부(430) 및 입력/출력 인터페이스(440)를 제어할 수 있다. 드롭 레시피 생성부(420)는, 임프린트재 공급부(23)에 의해 기판(1) 위에 공급되는 임프린트재(IM)(액적)의 배치를 나타내는 드롭 레시피를 생성한다. 임프린트 제어부(430)는 임프린트 처리를 행하도록 임프린트 기구(IMM)를 제어한다. 임프린트 기구(IMM)는 임프린트 처리를 행하기 위한 기구이다. 임프린트 기구(IMM)는, 도 1을 참조하여 설명된 구성 요소, 예를 들어 기판(1)의 반송, 기판(1)에의 임프린트재(IM)의 공급, 기판 스테이지(7)의 구동, 얼라인먼트, 임프린트재(IM)에의 광의 조사, 몰드(18)의 구동 등을 위한 구성 요소를 포함할 수 있다.
입력/출력 인터페이스(440)는, 유저 인터페이스(34)에 접속되며, 네트워크(301)를 통해 통괄 컴퓨터(300)에 접속된다. 유저 인터페이스(34)는, 예를 들어 드롭 레시피의 생성에 관한 정보를 유저로부터 수취하거나, 정보를 유저에 제공한다. 통괄 컴퓨터(300)는, 임프린트 처리를 제어하기 위한 제어 정보(프로세스 레시피)를 제어부(400)에 제공한다. 오프-액시스 스코프(24)는, 기판(1)에 형성된 패턴을 촬상함으로써 취득된 화상 데이터를 드롭 레시피 생성부(420)에 제공한다. 기판(1) 상에 형성된 패턴을 촬상함으로써 취득된 화상 데이터는, 검출부(26) 또는 얼라인먼트 계측기(12)로부터 드롭 레시피 생성부(420)에 제공될 수 있다. 대안적으로, 기판(1)의 상에 형성된 패턴을 촬상함으로써 취득된 화상 데이터를 드롭 레시피 생성부(420)에 제공하는 다른 촬상 유닛이 제공될 수 있다.
도 5a는 샷 레이아웃을 예시하고 있다. 샷 레이아웃은 기판(1) 상의 복수의 샷 영역의 배치이다. 전술한 바와 같이, 기판(1) 상의 복수의 샷 영역은, 직사각형 형상을 각각 갖는 완전 샷 영역과, 각각의 일부가 기판 에지(1')(기판(1)의 에지 또는 주변부)에 의해 규정되는 부분 샷 영역을 포함할 수 있다. 완전 샷 영역은 풀 필드 샷 영역(FF 샷 영역)이라고도 지칭된다. 부분 샷 영역은 파티셜 필드 샷 영역(PF 샷 영역)이라고도 지칭된다. 도 5a의 예에서는, 샷 영역 번호=1 내지 20이 완전 샷 영역을 나타내며, 샷 영역 번호=22 내지 44가 부분 샷 영역을 나타낸다. 샷 영역의 배치를 나타내는 샷 레이아웃 정보는, 프로세스 레시피의 일부로서 통괄 컴퓨터(300) 또는 유저 인터페이스(34)로부터 임프린트 장치(200)의 제어부(400)에 제공될 수 있다. 프로세스 레시피는, 부가적으로 임프린트재(IM)를 경화시키기 위한 제어 정보(예를 들어, 노광 선량(Exposure Dose)), 얼라인먼트 조건을 나타내는 정보, 및 임프린트재에 몰드를 접촉시키고 나서 임프린트재를 경화시킬 때까지의 대기 시간(확산 시간), 몰드가 임프린트재에 접촉하는 타이밍에서의 압력(임프린트력), 및 패턴면(P)이 임프린트재에 접촉하는 타이밍에서 몰드의 패턴면을 변형시키기 위한 압력(캐비티 압력)을 나타내는 정보를 포함할 수 있다.
기판(1) 상의 복수의 완전 샷 영역은 동일한 형상을 가지기 때문에, 일반적으로 복수의 완전 샷 영역에 대한 공통의 드롭 레시피가 결정될 수 있다. 완전 샷 영역을 위한 공통 드롭 레시피는, 기판의 복수의 완전 샷 영역을 사용하여 시험적으로 임프린트 처리를 행하고, 이에 의해 형성되는 패턴을 평가함으로써 결정될 수 있다.
더 구체적으로는, 완전 샷 영역에 공급되는 임프린트재의 액적의 배치 정보를 나타내는 드롭 레시피를 결정하는 결정 방법은, 잠정 드롭 레시피를 준비한 후,
(a) 잠정 드롭 레시피에 따라서 완전 샷 영역 상에 임프린트재를 배치하고, 임프린트재에 몰드를 접촉시킨 상태에서 임프린트재를 경화시킴으로써 패턴을 형성하고,
(b) 패턴에 기초하여 잠정 드롭 레시피를 변경하는 단위 처리를,
사용되는 완전 샷 영역을 변경하면서 패턴의 품질이 미리결정된 조건을 만족할 때까지 반복하는 반복 공정을 포함할 수 있다.
상기 결정 방법은 또한 패턴의 품질이 미리결정된 조건을 만족시키는 단계에서의 최신의 잠정 드롭 레시피에 기초하여 드롭 레시피를 결정하는 결정 공정을 포함할 수 있다. 도 5a의 예에서, 반복 공정은 샷 영역 번호=1 내지 20이 부여된 완전 샷 영역의 전부 또는 일부를 사용하여 실시될 수 있다. 샷 영역 번호=1 내지 20이 부여된 완전 샷 영역의 전부를 사용하여 반복 공정을 실시해도 패턴의 품질이 미리결정된 조건을 만족하지 않는 경우에는, 다른 기판(1)을 사용하여 반복 공정을 계속할 수 있다.
완전 샷 영역과 달리, 기판(1) 상의 복수의 부분 샷 영역은, 상이한 형상을 가지므로, 통상은 개개의 부분 샷 영역에 대하여 개개의 드롭 레시피(부분 샷 영역에 공급되는 임프린트재의 액적의 배치 정보)를 결정할 필요가 있다.
부분 샷 영역을 위한 드롭 레시피는, 기판(1)의 개개의 부분 샷 영역을 사용하여 시험적으로 임프린트 처리를 행하고, 이것에 의해 형성되는 패턴을 평가함으로써 결정될 수 있다.
더 구체적으로는, 부분 샷 영역을 위한 드롭 레시피를 결정하는 결정 방법은, 잠정 드롭 레시피를 준비한 후,
(a) 잠정 드롭 레시피에 따라서 부분 샷 영역 상에 임프린트재를 배치하고, 임프린트재에 몰드를 접촉시킨 상태에서 임프린트재를 경화시킴으로써 패턴을 형성하고,
(b) 패턴에 기초하여 잠정 드롭 레시피를 변경하는 단위 처리를,
사용되는 기판을 변경하면서 패턴의 품질이 미리결정된 조건을 만족할 때까지 반복하는 반복 공정을 포함할 수 있다.
상기 결정 방법은 또한 패턴의 품질이 미리결정된 조건을 만족하는 단계에서 최신의 잠정 드롭 레시피에 기초하여 드롭 레시피를 결정하는 결정 공정을 포함할 수 있다. 도 5a의 예에서는, 샷 영역 번호=21 내지 44를 갖는 부분 샷 영역 중 지정된 부분 샷 영역에 대한 드롭 레시피를 결정하기 위해서 N회(N은 자연수)에 걸쳐 단위 처리를 행하는 경우, N매의 기판이 필요하다.
따라서, 부분 샷 영역에 대한 드롭 레시피를 결정하는 처리를 완전 샷 영역에 대한 드롭 레시피를 결정하는 처리보다 효율이 낮다. 그러나, 완전 샷 영역을 위한 드롭 레시피를 결정하기 위한 처리를 행한 후에 부분 샷 영역을 결정하기 위한 처리를 전부 또는 일부 실행하면, 효율을 향상시킬 수 있다. 부분 샷 영역을 결정하기 위한 처리는, 완전 샷 영역을 위해서 최종 결정된 드롭 레시피(또는, 아직 드롭 레시피가 최종적으로 결정되지 않은 경우에는, 최신의 잠정 드롭 레시피)를 제1 잠정 드롭 레시피로서 사용하여 행해질 수 있다. 부분 샷 영역을 위한 제1 잠정 드롭 레시피는, 완전 샷 영역을 위한 드롭 레시피에서의 임프린트재의 배치의 일부(기판에 배치할 수 없는 액적)를 제거함으로써 형성될 수 있다.
도 5b는 완전 샷 영역의 배치를 나타내는 완전 샷 레이아웃을 예시한다. 도 5c는 부분 샷 영역의 배치를 나타내는 부분 샷 레이아웃을 예시한다. 본 실시예에서는, 완전 샷 레이아웃에 관한 프로세스 레시피와, 부분 샷 영역에 관한 프로세스 레시피가, 통괄 컴퓨터(300) 또는 유저 인터페이스(34)로부터 임프린트 장치(200)의 제어부(400)에 제공된다.
도 6은, 임프린트 장치(200)에 의해 행해지는 드롭 레시피 생성 방법의 수순을 도시한다. 이 동작은 제어부(400)에 의해 제어된다. 단계 S10에서는, 주제어부(410)는 드롭 레시피 생성부(420), 임프린트 제어부(430) 및 입력/출력 인터페이스(440)를 제어하여 반복 공정을 행한다. 더 구체적으로는, 단계 S10에서는, 주제어부(410)는, 입력/출력 인터페이스(440)에 의해, 통괄 컴퓨터(300) 및/또는 유저 인터페이스(34)로부터 잠정 드롭 레시피를 포함하는 조정 레시피를 취득한다. 그리고, 주제어부(410)는,
(a) 잠정 드롭 레시피에 따라서 샷 영역 상에 임프린트재를 배치하고, 임프린트재에 몰드를 접촉시킨 상태에서 상기 임프린트재를 경화시킴으로써 패턴을 형성하며,
(b) 패턴에 기초하여 잠정 드롭 레시피를 변경하는 단위 처리를,
사용되는 완전 샷 영역을 변경하면서 패턴의 품질이 미리결정된 조건을 만족할 때까지 반복한다. (a)의 처리는, 주제어부(410)가 임프린트 제어부(430)를 통해 임프린트 기구(IMM)를 제어할 때 행해질 수 있다. (b)의 처리는, (a)의 처리에서 기판(1) 상에 형성된 패턴을 주제어부(410)가 오프-액시스 스코프(24)(계측기)로 하여금 촬상하게 하고, 이에 의해 취득되는 화상 데이터를 드롭 레시피 생성부(420)가 처리하게 함으로써 행해질 수 있다.
드롭 레시피 생성부(420)는, 오프-액시스 스코프(24)로부터 제공되는 화상 데이터에 기초하여, 기판(1) 상에 형성된 패턴을 평가하고, 결함이 제거되도록 잠정 드롭 레시피를 변경한다. 예를 들어, 드롭 레시피 생성부(420)는, 임프린트재(IM)가 부족한 영역에 임프린트재(IM)의 액적(드롭)을 추가하고, 임프린트재(IM)가 과잉인 영역으로부터 임프린트재(IM)의 액적(드롭)을 제거한다. 상기의 미리결정된 조건은, 기판(1) 상에 형성되는 패턴에 존재하는 결함 영역의 면적, 개수 등의 허용 범위 내일 수 있다.
단계 S20에서는, 주제어부(410)는, 기판(1) 상에 형성된 패턴의 품질이 상술한 미리결정된 조건을 만족하는 단계에서의 최신의 잠정 드롭 레시피에 기초하여, 드롭 레시피 생성부(420)에 대해 드롭 레시피를 결정한다.
조정 레시피는, 완전 샷 영역을 위한 드롭 레시피를 결정하는 FF 샷 조정 레시피 및 부분 샷 영역을 위한 드롭 레시피를 결정하는 PF 샷 조정 레시피 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 조정 레시피가 FF 샷 조정 레시피 및 PF 샷 영역 레시피의 양자 모두를 실행하기 위한 지령을 포함하는 경우, 완전 샷 영역을 위한 드롭 레시피를 결정하기 위한 처리가 먼저 실행될 수 있고, 그 후 부분 샷 영역을 위한 드롭 레시피를 결정하기 위한 처리가 실행될 수 있다. 조정 레시피가 FF 샷 조정 레시피 및 PF 샷 조정 레시피 중 하나만을 실행하기 위한 지령을 포함하는 경우, 드롭 레시피를 결정하기 위한 처리가 그들 중 하나에 대해서만 실행될 수 있다.
도 7a, 도 7b 및 도 8 각각은, 임프린트 장치(200)에 의해 실행되는 드롭 레시피 생성 방법의 수순의 더 구체적인 예를 도시한다. 이 동작은 제어부(400)에 의해 제어된다. 도 7a 및 도 7b에서, 단계 S101 내지 S118는 단계 S10에 대응하고, 단계 S200은 단계 S20에 대응한다. 단계 S101에서는, 주제어부(410)는, 임프린트 제어부(430)가 몰드(18)와 기판 스테이지(7) 사이의 얼라인먼트를 실행하게 한다. 더 구체적으로는, 몰드 반송 시스템(도시하지 않음)에 의해 몰드(18)가 임프린트 장치(200)에 반입되고, 몰드 척(17)에 전달되며, 몰드 척(17)에 의해 보유지지된다. 그리고, 얼라인먼트 계측기(12)를 사용하여 몰드(18)와 기판 스테이지(7)를 정렬한다. 얼라인먼트 계측기(12)에 의해 검출되는 마크는, 전용 기준 마크로서 기판 스테이지(7)에 제공될 수 있거나, 전용 얼라인먼트 기판에 제공될 수 있다.
단계 S102에서는, 주제어부(410)는 임프린트 제어부(430)가 기판(1)을 반입하게 한다. 기판(1)은, 기판 스테이지(7)의 기판 척에 의해 보유지지된다. 단계 S103에서는, 주제어부(410)는 임프린트 제어부(430)가 프리-얼라인먼트를 실행하게 한다. 프리-얼라인먼트에서는, 기판(1)이 오프-액시스 스코프(24) 아래로 이동되고, 오프-액시스 스코프(24)는 기판(1)의 위치를 계측한다. 프리-얼라인먼트는, 몰드(18)와 기판(1)의 각 샷 영역의 상대 위치를 계측하는 처리이다.
단계 S104에서는, 주제어부(410)는, 프로세스 레시피에 포함되는 샷 레이아웃 정보에 기초하여, 임프린트 처리의 대상이 되는 샷 영역(대상 샷 영역)을 선택한다. 단계 S105에서는, 주제어부(410)는, 임프린트 제어부(430)가 임프린트재의 배치 처리를 실행하게 한다. 배치 처리에서는, 임프린트 제어부(430)는, 잠정 드롭 레시피에 따라서 대상 샷 영역에 임프린트재(IM)가 배치되도록, 기판 스테이지(7)의 이동과 임프린트재 공급부(23)로부터의 임프린트재(IM)의 토출을 제어한다. 이 단계에서는, 가스 공급부(21)가, 몰드(18)와 기판(1) 사이의 공간에 충전용 가스를 공급할 수 있다.
단계 S106에서는, 주제어부(410)는, 임프린트 제어부(430)가, 기판(1)의 대상 샷 영역 위의 임프린트재(IM)와 몰드(18) 사이의 접촉 처리를 실행하게 한다. 이 접촉 처리에서는, 임프린트 제어부(430)는, 몰드 헤드(16)를 하강시켜서 대상 샷 영역 위의 임프린트재(IM)에 몰드(18)의 패턴면(P)을 접촉시킨다. 또한, 임프린트 제어부(430)는, 얼라인먼트 계측기(12)가 대상 샷 영역과 몰드(18)의 상대 위치를 계측하게 하고, 그 결과에 기초하여 대상 샷 영역과 몰드(18) 사이의 얼라인먼트를 행한다. 이러한 얼라인먼트는 다이-바이-다이 얼라인먼트라고 불린다.
단계 S107에서는, 주제어부(410)는, 임프린트 제어부(430)가 임프린트재(IM)의 경화 처리를 실행하게 한다. 경화 처리에서는, 임프린트 제어부(430)는, 임프린트재(IM)에 경화용 광이 조사되도록 경화용 광원(11)을 제어한다. 결과적으로, 임프린트재(IM)가 경화되고, 경화된 임프린트재(IM)로 이루어지는 패턴이 대상 샷 영역에 형성된다.
단계 S108에서는, 주제어부(410)는, 임프린트 제어부(430)가, 기판(1)의 대상 샷 영역 위의 임프린트재(IM)로부터의 몰드(18)의 분리 처리를 실행하게 한다. 이 분리 처리에서는, 임프린트 제어부(430)는, 몰드 헤드(16)를 상승시켜, 기판(1)의 대상 샷 영역 위의 경화된 임프린트재(IM)로부터 몰드(18)를 분리시킨다. 결과적으로, 기판(1)의 대상 샷 영역 상에는, 몰드(18)의 패턴면(P)에 대응하는 패턴이 남는다. 즉, 몰드(18)의 패턴면(P)에 대응하는 패턴이 기판(1)의 대상 샷 영역 상에 형성된다. 몰드(18)를 경화된 임프린트재(IM)로부터 분리할 때에는, 경화된 임프린트재(IM)로 이루어지는 패턴이 파단하지 않도록, 몰드(18)의 패턴면(P)에 작용하는 전단 응력을 해당 패턴의 파단 응력 이하에 유지하면서 몰드 헤드(16)를 상승시킨다.
단계 S109에서는, 주제어부(410)는, 오프-액시스 스코프(24)가 대상 샷 영역 위의 경화된 임프린트재(IM)로 이루어지는 패턴을 촬상하게 하고, 이것에 의해 취득되는 화상 데이터에 기초하여 해당 패턴의 품질을 평가한다. 이 평가는, 본 실시예에서는, 화상 데이터로부터 추출되는 결함 영역의 크기 평가를 포함한다. 단계 S110에서는, 주제어부(410)는, 단계 S109에서 패턴이 평가된 결함 영역의 크기가 규격 내인지의 여부(미리결정된 조건을 만족하는 지의 여부)를 판단한다. 그리고, 결함 영역의 크기가 규격 내일 경우에는 처리는 단계 S200로 진행하고, 크기가 규격 외일 경우에는 처리는 단계 S111로 진행한다.
도 8은 단계 S111의 상세를 도시한다. 먼저, 도 7a 및 도 7b를 참조하여 단계 S111 내지 S118를 개략적으로 설명한다. 단계 S111에서는, 현재의 기판(1)에 임프린트재를 배치하고 패턴을 형성하기 위한 빈 영역이 존재하는 지의 여부를 판단한다. 드롭 레시피가 결정되지 않은 샷 영역의 빈 영역이 존재하는 경우에는 처리는 단계 S112로 진행하고, 빈 영역이 존재하지 않는 경우에는 처리는 단계 S113에 진행한다. 드롭 레시피가 결정되지 않은 샷 영역은 부분 샷 영역의 빈 영역 및/또는 완전 샷 영역의 빈 영역일 수 있다. 단계 S112에서는, 주제어부(410)는, 드롭 레시피 생성부(420)가 잠정 드롭 레시피를 변경하게 하고, 단계 S104로 복귀된다. 드롭 레시피 생성부(420)는, 현재의 잠정 드롭 레시피(최신의 드롭 레시피)를 단계 S109에서의 평가의 결과에 기초하여 변경한다. 단계 S111로부터 단계 S112를 거쳐서 단계 S104에 복귀되는 처리는, 변경 후의 잠정 드롭 레시피에 따라서 임프린트재를 배치하고 패턴을 형성하기 위한 빈 영역이 현재의 기판에 존재하는 경우에, 현재의 기판을 사용하여 단계 S104내지 S110를 반복하는 것을 의미한다.
단계 S113에서는, 주제어부(410)는, 미리 설정되어 있는 지정 매수(후술하는 "Continual Wafer Number")의 기판을 처리했는지의 여부를 판단하고, 지정 매수의 기판을 이미 처리된 경우에는 단계 S114로 진행한다. 한편, 아직 지정 매수의 기판이 처리되지 않은 경우에는, 주제어부(410)는 단계 S116로 진행한다. 지정 매수의 기판이 이미 처리되었다는 사실은, 지정 매수의 기판을 처리했지만, 이상 영역이 규격 내로 들어오지 않은 것, 즉 적절한 드롭 레시피의 결정이 실패한 것을 의미한다. 단계 S114에서는, 주제어부(410)는, 유저 인터페이스(34) 및/또는 통괄 컴퓨터(300)에 에러 정보를 출력한다. 에러 정보는, 적절한 드롭 레시피의 결정에 실패한 것을 나타내는 정보를 포함할 수 있다. 단계 S112에서는, 주제어부(410)는 현재의 잠정 드롭 레시피(최신의 드롭 레시피)를 단계 S109에서의 평가의 결과에 기초하여 변경하고, 단계 S104로 복귀한다.
단계 S116에서는, 주제어부(410)는 드롭 레시피 생성부(420)가 잠정 드롭 레시피를 변경하게 한다. 드롭 레시피 생성부(420)는, 현재의 잠정 드롭 레시피(최신의 드롭 레시피)를 단계 S109에서의 평가의 결과에 기초하여 변경한다. 단계 S117에서는, 주제어부(410)는, 임프린트 제어부(430)가 기판(1)을 반출하게 하고, 단계 S102로 복귀한다. 단계 S113로부터 단계 S117을 거쳐서 단계 S102에 복귀되는 처리는, 변경 후의 잠정 드롭 레시피에 따라서 임프린트재를 배치하고 패턴을 형성하기 위한 빈 영역이 현재의 기판에 존재하지 않는 경우에, 현재의 기판을 사용하여 단계 S104 내지 S110를 반복하는 것을 의미한다. 이와 같이, 본 실시예에서는, 단계 S102에서 기판(1)이 임프린트 장치의 기판 척(기판 보유지지부)에 의해 보유지지된 후, 그 기판(1)을 사용하여 반복 공정을 실행하는 동안에, 그 기판(1)이 해당 기판 보유지지부에 의해 보유지지된 상태가 유지된다.
단계 S110에서, 단계 S109에서 패턴을 평가한 결함 영역의 크기가 규격 내에 있다고 판단된 경우에는, 단계 S200에서 주제어부(410)는 현재의 드롭 레시피(최신의 드롭 레시피)를 조정된 드롭 레시피로서 결정한다. 단계 S115에서는, 주제어부(410)는, 모든 샷 영역에 대해서 드롭 레시피가 결정되었는지의 여부를 판단하고, 모든 샷 영역에 대해서 드롭 레시피가 결정되었다고 판단한 경우에는 단계 S118로 진행한다. 한편, 주제어부(410)가 모든 샷 영역에 대해서 드롭 레시피가 아직 결정되지 않았다고 판단한 경우에는, 단계 S104로 복귀한다.
단계 S118에서는, 주제어부(410)는 임프린트 제어부(430)가 기판(1)을 반출하게 한다. 이와 같이, 본 실시예에서는, 단계 S102에서 기판(1)이 임프린트 장치의 기판 척(기판 보유지지부)에 의해 보유지지된 후, 그 기판(1)을 사용하여 반복 공정이 실행되는 동안에, 기판(1)이 기판 보유지지부에 의해 보유지지된 상태가 유지된다.
이어서, 도 8을 참조하여 단계 S111를 상세하게 설명한다. 단계 S121에서는, 주제어부(410)는 대상 샷 영역이 완전 샷 영역 또는 부분 샷 영역 인지 여부를 판단한다. 그리고, 주제어부(410)는, 대상 샷 영역이 완전 샷 영역인 경우에는 단계 S122로 진행하고, 대상 샷 영역이 부분 샷 영역인 경우에는 단계 S125로 진행한다.
단계 S122에서는, 주제어부(410)는 현재의 기판(1)에 빈의 완전 샷 영역이 존재하는 지의 여부를 판단한다. 완전 샷 영역이 존재하는 경우에는 처리는 단계 S112로 진행하고, 완전 샷 영역이 존재하지 않는 경우에는 단계 S113로 진행한다.
단계 S125에서는, 주제어부(410)는, 현재의 기판(1)에 드롭 레시피가 결정되지 않은 빈 부분 샷 영역이 존재하는지의 여부를 판단하고, 현재의 기판(1)에 빈의 부분 샷 영역이 존재하는 경우에는 단계 S112로 진행한다. 한편, 현재의 기판(1)에 빈 부분 샷 영역이 존재하지 않는 경우에는, 주제어부(410)는 단계 S113로 진행한다.
부분 샷 영역을 위한 드롭 레시피를 결정하기 위한 반복 공정에서는, 완전 샷 영역을 위한 드롭 레시피를 결정하기 위한 반복 공정보다 많은 기판이 필요할 수 있다. 따라서, 주제어부(410)는, 완전 샷 영역을 사용하여 부분 샷 영역을 위한 드롭 레시피를 결정하기 위한 반복 공정을 전부 또는 일부 실행할 수 있다. 이것은, 부분 샷 영역을 위한 잠정 드롭 레시피를 사용하여 완전 샷 영역에 대하여 임프린트 처리를 행하고, 이것에 의해 형성되는 패턴을 평가함으로써 이루어질 수 있다.
이하, 도 17a, 도 17b, 도 17c, 도 7a, 도 7b 및 도 8을 참조하여 부분 샷 영역을 위한 드롭 레시피의 생성 처리에 대해서 포착한다. 도 17a는, 부분 샷 영역을 위한 드롭 레시피를 결정하기 위한 제1 기판을 예시한다. 도 17b는, 부분 샷 영역을 위한 드롭 레시피를 결정하기 위한 제2 기판을 예시한다. 도 17c는, 부분 샷 영역을 위한 드롭 레시피를 결정하기 위한 제3 기판을 예시한다.
실선으로 나타내는 각각의 부분 샷 영역은, 단계 S110에서 결함 영역의 크기가 규격 외(불합격)에 있다고 판단된 부분 샷 영역이다. 파선으로 나타내진 각각의 부분 샷 영역은, 단계 S110에서 결함 영역의 크기가 규격 내(합격)에 있다고 판단된 부분 샷 영역이다. 결함 영역의 크기가 규격 외(불합격)에 있다는 판단은, 그 부분 샷 영역에 관한 현재의 드롭 레시피를 변경할 필요가 있다는 것을 의미한다. 한편, 결함 영역의 크기가 규격 내(합격)에 있다는 판단은, 그 부분 샷 영역에 관한 현재의 드롭 레시피가 조정된 드롭 레시피로서 결정될 수 있다는 것을 의미한다. 일점 쇄선으로 나타난 각각의 부분 샷 영역은, 이미 결정된 드롭 레시피를 가지며, 드롭 레시피 조정 대상 외부에 있는 부분 샷 영역이다.
제N 기판에 대한 처리에서, 어느 샷 영역을 임프린트 대상 샷 영역으로 할지는, 프로세스 레시피에 포함되는 샷 레이아웃 정보와 처리 순서 정보에 기초하여 단계 S104에서 판단될 수 있다. 처리 순서 정보는, 샷 레이아웃 정보에서의 복수의 샷 영역을 처리하는 특정 순서를 나타내는 정보이며, 도 17a, 도 17b 및 도 17c에서는 샷 영역을 나타내는 직사각형에 각각 기재된 숫자에 의해 나타낸다. 단계 S110에서 결함 영역의 크기가 규격 내에 있다고 판단된 샷 영역에 대해서는, 그 샷 영역 번호가 프로세스 레시피에 반영되고, 제 N+1 기판에 대한 처리의 단계 S104에서 임프린트 대상 샷 영역의 후보로부터 제외된다.
도 17a에 나타낸 제1 기판에 대한 판단 결과에 기초하여, 제2 기판에서는, 샷 영역 번호=22와 샷 영역 번호=32를 갖는 샷 영역이 임프린트 대상 샷 영역으로부터 제외된다. 도 17b에 나타낸 제2 기판에 관한 판단 결과에 기초하여, 제3 기판에서는, 샷 영역 번호=22, 25, 32, 39, 및 40를 갖는 샷 영역이 임프린트 대상 샷 영역으로부터 제외된다. 도 17c에 나타낸 제3 기판에 대한 판단 결과에 기초하여, 제4 기판(도시하지 않음)에서는, 샷 영역 번호=22, 25, 32, 34, 36, 39, 및 40를 갖는 샷 영역이 임프린트 대상 샷 영역으로부터 제외된다.
도 17a, 도 17b, 및 17c에 나타난 판단 결과가 취득된 경우에서의 도 7a 및 도 7b에 나타낸 드롭 레시피 결정 처리의 순서를 설명한다. 부분 샷 영역을 위한 드롭 레시피를 결정하는 처리에 사용되는 제1 기판에 대해서 최초에 실행되는 단계 S104에서는, 가장 샷 영역 번호가 작은 샷 영역 번호=22를 갖는 샷 영역이 선택된다. 샷 영역 번호=22를 갖는 샷 영역에 대해서는, 단계 S110에서 결함 영역의 크기가 규격 내에 있다고 판단되고, 단계 S200에서 잠정 드롭 레시피가 조정된 드롭 레시피로서 결정된다. 이어서, 단계 S115에서, 제1 기판의 모든 샷 영역에 대해서 드롭 레시피가 아직 결정되지 않았고, 따라서 처리는 단계 S104로 진행하고, 여기서 샷 영역 번호=22의 다음에 샷 영역 번호가 가장 작은 샷 영역 번호=23를 갖는 샷 영역이 선택된다. 샷 영역 번호=23를 갖는 샷 영역에 대해서는, 단계 S110에서 결함 영역의 크기가 규격 외에 있다고 판단되고, 단계 S111 내의 단계 S121에서 대상 샷 영역이 완전 샷 영역이 아니라고 판단되며, 처리는 단계 S125로 진행한다. 단계 S125에서는, 샷 영역 번호=23는 기판 내의 최종 샷 영역인 샷 영역 번호=44가 아니기 때문에, 처리는 단계 S112로 진행한다. 단계 S112에서는, 잠정 드롭 레시피가 변경되고, 처리는 단계 S104로 진행한다. 단계 S104에서는, 샷 영역 번호=23의 다음에 샷 영역 번호가 가장 작은 샷 영역 번호=24를 갖는 샷 영역이 선택된다. 상술한 바와 같이, 제1 기판의 부분 샷 영역에 대한 드롭 레시피 결정 처리가 행해진다.
부분 샷 영역을 위한 드롭 레시피의 결정에 사용되는 제2 기판에서는, 단계 S104에서, 최적인 드롭 레시피가 결정되지 않은 가장 작은 샷 영역 번호로서 샷 영역 번호=23이 결정된다. 제1 기판과 마찬가지로, 제2 기판에서는, 샷 영역 번호(23, 32)를 갖는 샷 영역 이외의 샷 영역에 대한 드롭 레시피를 결정하기 위한 처리가 행해진다.
이하, 결함 영역의 검출과 잠정 드롭 레시피를 변경하는 방법(드롭 레시피를 결정하는 결정 방법)을 설명한다. 잠정 드롭 레시피의 변경(드롭 레시피의 결정)은 드롭 레시피 생성부(420)에 의해 이루어질 수 있다. 결함 영역의 종류는, 몰드(18)와 기판(1) 사이에 임프린트재(IM)가 충전되지 않는 미충전 결함 영역과, 샷 영역으로부터 임프린트재(IM)가 돌출하는 돌출 결함 영역을 포함한다. 먼저, 도 9a 및 도 9b를 참조하여, 샷 영역의 외측 에지 근방에 배치된 얼라인먼트 마크에서 발생할 수 있는 미충전 결함 영역을 저감하기 위한 잠정 드롭 레시피의 변경 방법을 예시적으로 설명한다.
도 9a는, 단계 S109에 있어서 샷 영역 위의 경화된 임프린트재로 이루어지는 패턴을 오프-액시스 스코프(24)에 의해 촬상함으로써 취득되는 화상 데이터를 예시한다. 화상 데이터는, 오프-액시스 스코프(24)에 의해 전체 샷 영역에 대해서 취득될 수 있거나, 오프-액시스 스코프(24)에 의해 전체 샷 영역 중 지정된 부분 영역에 대해 취득될 수 있다. 부분 영역은, 후술하는 "Detect Area <1>" 내지 "Detect Area <5>"에 대한 유저에 의한 입력에 의해 지정될 수 있다. 부분 영역은, 경험적으로 혹은 통계적으로 결함 영역이 되기 쉬운 영역에 대해 지정될 수 있다. 경험적으로 혹은 통계적으로 결함 영역이 되기 쉬운 영역은, 예를 들어 완전 샷 영역 및 부분 샷 영역 각각의 외측 에지 부근이다. 경험적으로 또는 통계적으로 결함 영역이 되기 쉬운 부분 샷 영역은 기판 에지 부근의 영역이다.
도 9b는, 오프-액시스 스코프(24)에 의해 취득된 화상 데이터를 드롭 레시피 생성부(420)가 2진화하게 함으로써 취득된 2진 화상 데이터를 예시한다. 드롭 레시피 생성부(420)는, 2진 화상 데이터를 미리설정된 기준 화상 데이터와 비교하고, 각각의 단위 영역에 대한 결함의 유무를 판단하며, 결함 영역(28)(미충전 결함 영역)의 면적을 산출한다. 각각의 단위 영역은, 결함의 유무를 판단하는 단위이며, 도 9b에는 그리드에 의해 규정된 직사각형 영역으로서 나타나 있다. 결함 영역(28)(미충전 결함 영역)의 면적은, 결함(미충전 결함)을 갖는 단위 영역을 카운트함으로써 취득될 수 있다. 도 9b에서, UnitCell1은 그 전역이 결함을 갖는 단위 영역이며, UnitCell2는 그 일부가 결함을 갖는 단위 영역이다.
드롭 레시피 생성부(420)는 이하에 의해 점정 드롭 레시피를 변경할 수 있다:
단계 1: 결함 영역의 면적과 각종 정보에 기초하여 액적수를 산출(식 (1))
단계 2: 결함 영역을 산출된 액적수로 분할하여 분할 영역을 결정
단계 3: 각각의 분할 영역마다 무게중심 위치를 산출(식 (2) 내지 식 (4))
단계 4: 무게중심 위치에 가장 가까운 미배치 그리드에 액적 배치
단계 1에서, 드롭 레시피 생성부(420)는 이하에 따라서 액적수를 산출할 수 있다:
액적수 = 결함 영역의 면적 × (RLT + Pd × 결함 영역의 요철 비율) ÷ 한 방울량 ...(1)
여기서, RLT은 잔류층 두께(Residual Layer Thickness)이고, Pd는 패턴 깊이(Pattern Depth)이고, 한 방울량은 도 3의 오리피스(33)로부터 1회의 토출에서 토출되는 임프린트재의 액량이며, 요철 비율은 패턴이 모든 볼록부를 가질 때 0%가 주어지고 패턴이 모든 오목부를 가질 때 100%가 주어지도록 규정되는 몰드(18)의 패턴의 요철 비율이다.
단계 3에서, 드롭 레시피 생성부(420)는 이하에 따라 무게중심 위치를 산출할 수 있다:
Wt = ΣWi ...(2)
Xg = (Σ(Xi × Wi)) ÷ Wt ...(3)
Yg = (Σ(Yi × Wi)) ÷ Wt ...(4)
여기서, Wt는 총중량이고, (Xg, Yg)는 무게중심 위치이고, (Xi, Yi)는 분할 영역의 중심 좌표이고, Wi는 분할 영역의 중량이며, 1 내지 n은 분할 영역 수이다.
분할 영역의 중량과 관련하여, 그 백분율은, 전체 단위 영역이 결함을 갖는 경우에는 100으로서 할당되고, 모든 단위 영역 중 하나가 결함을 갖는 경우에는 0 내지 100의 범위에서 할당된다.
도 9b는 식 (1)에 의해 산출된 액적수의 근사 정수가 2인 예를 도시한다. 결함 영역은 A 및 C에 의해 지정된 솔리드-화이트(solid-white) 분할 영역 및 B 및 C에 의해 지정된 솔리드-화이드 분할 영역으로 분할된다.
임프린트재가 평면 상에서 균등하게 확산되는 것을 상정하면, 결함 영역을 분할하는 방법은, 무게중심으로부터 경계까지의 거리의 변동이 최소가 되도록 결함 영역을 구분하는 방법일 수 있다. 대안적으로, 결함 영역을 분할하는 방법은, 일본 특허 공개 제2012-506600호에 개시되어 있는 무게중심 보로노이 분할법(Centroidal Voronoi Tessellation)일 수 있거나, 또는 다른 방법일 수 있다. 또한, 몰드 패턴의 방향을 따른 방향에서 확산되는 경향이 있는 임프린트재의 특성을 고려하면, 몰드 패턴의 방향에 수직인 방향에서보다 몰드 패턴의 방향에서 분할 영역의 길이를 더 길게하는 방법도 유용하다.
도 9b의 예에서는, A 및 C에 의해 지정되는 솔리드-화이트 영역에서, 무게중심 위치에 가장 가까운 위치(27d)에 추가적인 액적이 배치된다. B 및 C에 의해 지정되는 솔리드-화이트 영역에서, 위치(27f)가 무게중심 위치에 가장 가까운 위치로서 산출되고, 액적이 위치(27f)에 이미 배치된 경우, 가장 근접하는 미배치 위치(27e)가 선택된다.
이하 도 10a 및 도 10b 참조하여 샷 영역의 외측 에지에서 발생하는 임프린트재의 돌출을 저감하기 위한 잠정 드롭 레시피를 변경하는 방법에 대해서 설명한다. 도 10a는, 단계 S109에서 샷 영역 위의 경화된 임프린트재로 이루어지는 패턴을 오프-액시스 스코프(24)에 의해 촬상함으로써 취득된 화상 데이터를 예시한다.
E-Area는 샷 영역의 주변 영역에서 돌출부가 발생하는 부분의 화상 데이터이다. 도 10b는 화상 데이터를 확대하고 2진화함으로써 취득되는 2진 화상 데이터를 예시한다. 드롭 레시피 생성부(420)는, 2진 화상 데이터를 미리설정된 기준 화상 데이터와 비교하고, 각각의 단위 영역마다 결함의 유무를 판단하며, 결함 영역(돌출 결함 영역)의 면적을 산출한다.
드롭 레시피 생성부(420)는 이하의 단계 1 내지 5에서 잠정 드롭 레시피를 변경할 수 있다. 이 예에서는, 산출된 액적수의 근사 정수가 2인 경우를 이하에서 설명한다.
단계 1: 결함 영역의 면적과 각종 정보로부터 액적수를 산출(식(1))
단계 2: 결함 영역을 액적수로 분할하고 분할 영역을 결정
단계 3: 각각의 분할 영역마다 무게중심 위치를 산출(식(2)) 내지(식(4))
단계 4: 무게중심 위치에 가장 가까운 주변부에 배치된 액적을 추출
단계 5: 주변부에 배치된 액적을 샷 영역의 중심 방향으로 이동
도 10b는 식 (1)에 의해 산출된 액적수의 근사 정수가 2인 예를 도시한다. 도 10b의 예에서, 영역(29a)은 지정된 허용값(돌출 면적) 내에 있다고 판단되고 보정되지 않는 영역이다. 영역(29b)은, 지정된 허용값으로부터 벗어나고 보정되는 돌출 결함 영역으로서 판단되는 영역이다.
도 11은, 도 10b의 영역(29b)(허용값으로부터 벗어난 돌출 결함 영역)과 그 근방의 액적 배치 사이의 위치 관계를 예시한다. 영역(29b1) 및 영역(29b2)은, 돌출 결함 영역으로서 판단된 영역(29b)을 식 (1)에 의해 산출된 액적수의 근사 정수인 2로 분할하여 취득한 분할 영역이다. 각 부분 영역의 무게중심 위치는 (Xg1, Yg1) 및 (Xg2, Yg2)이다. (Xg1, Yg1)에 가장 가까운, 변경 전의 잠정 드롭 레시피에서의 액적의 위치는 위치 27g이다. (Xg2, Yg2)에 가장 가까운, 변경 전의 잠정 드롭 레시피에서의 액적의 위치는 위치 27h 이다. 도 12a는 변경 전의 잠정 드롭 레시피를 예시한다. 도 12b는 변경 후의 잠정 드롭 레시피를 예시한다. 도 12a에서의 위치(27g, 27h)를 샷 영역의 중심 방향에서의, 액적을 배치할 수 있는 위치(27i, 27j)로 이동시킴으로써, 도 12b에 예시되는 변경 후의 잠정 드롭 레시피가 취득된다.
도 13은, 도 10a, 도 10b, 도 11, 도 12a, 및 도 12b를 참조하여 설명된 변경 후의 잠정 드롭 레시피에 따라서 단계 S104 내지 S109를 실행한 결과로서의, 단계 S109에서 오프-액시스 스코프(24)에 의해 취득된 화상 데이터를 예시한다. 도 13에서는 결함 영역은 존재하지 않는다.
여기에서는, 돌출 결함 영역이 존재하는 경우에 액적을 이동시킴으로써 돌출 영역을 해소하는 방법을 예시하였다. 그러나, 돌출 영역에 대응하는 액적수를 산출하고 돌출 영역 근방의 액적을 삭제하는 방법도 유용하다.
도 14는 유저 인터페이스(34)에 의해 제공되는 설정 화면을 예시한다. 이 설정 화면을 통해서, 유저는 드롭 레시피를 조정하기 위한 조건을 설정할 수 있다. 이하에서 설정 화면에서의 설정가능 항목을 설명한다. "Max Iteration Count of One Wafer"은 대상 샷 영역을 변경하면서 1개의 기판에 대해서 단계 S104 내지 S109를 반복하는 횟수를 지정하는 파라미터이다. 단계 S111에서, 빈 영역의 유무는 "Max Iteration Count of One Wafer"에 기초하여 판단될 수 있다. "Detect Tolerance Local Area"는 1개의 결함 영역의 면적의 허용값(규격)을 지정하는 파라미터이다. 단계 S110에서, "Detect Tolerance Local Area"에 기초하여 결함 영역의 면적이 규격 내에 있는지의 여부를 판단할 수 있다. 단계 S110에서는, "Detect Tolerance Local Area"를 초과하는 결함 영역이 1개라도 존재하는 경우 결함 영역의 면적이 규격 내에 있지 않다고 판단할 수 있다.
"Defect Tolerance Total Area"는, 대상 샷 영역의 모든 결함 영역의 총 면적에 대한 허용값(규격)을 지정하는 파라미터이다. 단계 S110에서는, "Defect Tolerance Total Area"에 기초하여 결함 영역의 총 면적이 규격 내에 있는지의 여부를 판단할 수 있다. "Detect Area <1> UL/DR" 내지 "Detect Area <5> UL/DR"은, 각각 샷 영역에서의 결함의 검사를 실시해야 할 검사 대상 영역을 지정하기 위한 파라미터이다. 각각의 검사 대상 영역은, 좌측 상단의 좌표(UL)와 우측 하단의 좌표(DR)로 지정되는 직사각형 영역으로서 설정된다. <1> 내지 <5>는 검사를 행해야 할 순서를 나타낸다. "Add Detect Area"은 검사 대상 영역을 추가하기 위한 지시를 부여하기 위한 체크 박스이다. 이 체크가 체크되면, "Detect Area <X> UL/DR"이 추가된다.
"Shot Peripheral Check"는 몰드 패턴의 외부 영역의 검사를 실시할지의 여부를 설정하기 위한 체크 박스이다. 이 체크 박스가 체크되면, 몰드 패턴의 외부 영역의 검사가 실시된다. "Continual Wafer Number"는 드롭 레시피를 결정하기 위해 사용되는 기판의 수를 지정하기 위한 파라미터이다. 단계 S113에서는, "Continual Wafer Number"에 기초하여, 지정된 수의 기판이 처리되었는지의 여부가 판단된다. "FF Recipe Name"은 완전 샷 영역(FF 샷 영역)을 위한 드롭 레시피를 결정하기 위한 조정 레시피명을 설정하기 위한 입력 영역이다. "PF Recipe Name"는 부분 샷 영역(PF 샷 영역)을 위한 드롭 레시피를 결정하기 위한 조정 레시피명을 설정하기 위한 입력 영역이다.
도 14의 예에서는, 결함 검사를 실시할 영역이 유저에 의한 화면 조작에 의해 입력된다. 그러나, 시험에 의해 결함이 발생하기 쉬운 영역은 몰드 패턴 경계 영역, 얼라인먼트 마크 위치, 및 그 근방이라는 것이 드러났다. 이러한 특정 영역을 지정하기 위해서, 제어부(400)는 입력/출력 인터페이스(440)에 의해 유저 인터페이스(34) 또는 통괄 컴퓨터(300)로부터 몰드의 설계 정보를 취득할 수 있고 이 설계 정보에 기초하여 특정 영역을 지정할 수 있다. 이 방법은 유저가 검사 영역을 설정하지 않아도 되게 하여, 드롭 레시피를 효율적으로 결정할 수 있게 해준다. 몰드 패턴 경계 영역은, 패턴 선폭이 영역 블록에 따라 상이한 경우 또는 패턴 방향이 영역 블록에 따라 상이한 경우에 각각의 영역 블록이 서로 근접하는 영역이다.
임프린트 장치를 사용하여 형성된 경화물의 패턴은, 각종 물품의 적어도 일부에 영구적으로 사용되거나, 다양한 물품이 제조될 때 일시적으로 사용된다. 물품은 전기 회로 소자, 광학 소자, MEMS, 기록 소자, 센서, 몰드 등을 포함한다. 전기 회로 소자는, 예를 들어 DRAM, SRAM, 플래시 메모리, 또는 MRAM과 같은, 휘발성 혹은 불휘발성 반도체 메모리나, LSI, CCD, 이미지 센서, 또는 FPGA와 같은 반도체 소자를 포함한다. 광학 소자는, 마이크로렌즈, 도광체, 도파로, 반사방지 막, 회절 격자, 편광 소자, 컬러 필터, 발광 소자, 디스플레이, 태양 전지 등을 포함한다. MEMS는 DMD, 마이크로채널, 전기기계 변환기 등을 포함한다. 기록 소자는, CD 또는 DVD 같은 광학 디스크, 자기 디스크, 광자기 디스크, 자기 헤드 등을 포함한다. 센서는 자기 센서, 광학 센서, 자이로 센서 등을 포함한다. 몰드는 임프린트 몰드 등을 포함한다.
경화물의 패턴은, 상술한 물품의 적어도 일부의 구성 요소로서, 그대로 사용되거나, 혹은 레지스트 마스크로서 일시적으로 사용된다. 레지스트 마스크는 기판의 가공 단계에서 에칭, 이온 주입 등이 행하여진 후에 제거된다.
이어서 임프린트 장치에 의해 기판에 패턴을 형성하고, 해당 패턴이 형성된 기판을 처리하고, 해당 처리가 행하여진 기판으로부터 물품을 제조하는 물품 제조 방법에 대해서 설명한다. 도 15a에 도시하는 바와 같이, 절연체 등의 가공 대상 재료(2z)가 표면에 형성된 실리콘 웨이퍼 등의 기판(1z)을 준비하고, 계속해서 잉크젯법 등에 의해 가공 대상 재료(2z)의 표면에 임프린트재(3z)를 부여한다. 여기에서는, 복수의 액적으로 형성된 임프린트재(3z)가 기판 상에 부여된 상태를 나타내고 있다.
도 15b에 도시하는 바와 같이, 임프린트 몰드(4z)의, 그 3차원 패턴이 형성된 측이 기판 상의 임프린트재(3z)에 대면한다. 도 15c에 도시하는 바와 같이, 임프린트재(3z)가 부여된 기판(1z)과 몰드(4z)를 서로 접촉시키고, 압력을 가한다. 임프린트재(3z)는 몰드(4z)와 가공 대상 재료(2z) 사이의 간극을 충전한다. 이 상태에서 경화용의 에너지로서 광을 몰드(4z)를 통해 조사함으로써 임프린트재(3z)는 경화된다.
도 15d에 도시하는 바와 같이, 임프린트재(3z)를 경화시킨 후, 몰드(4z)와 기판(1z)을 서로 분리함으로써, 기판(1z) 위에 임프린트재(3z)의 경화물의 패턴이 형성된다. 이 경화물의 패턴은, 몰드의 오목부가 경화물의 볼록부에 대응하고, 몰드의 오목부가 경화물의 볼록부에 대응하는 형상을 갖는다. 즉, 임프린트재(3z)에 몰드(4z)의 3차원 패턴이 전사된다.
도 15e에 도시하는 바와 같이, 경화물의 패턴을 에칭 저항 마스크로서 사용하여 에칭을 행함으로써, 가공 대상 재료(2z)의 표면 중, 경화물이 없는 부분 혹은 경화물이 얇게 유지되는 부분이 제거되어 트렌치(5z)가 된다. 도 15f에 도시된 바와 같이, 경화물의 패턴을 제거함으로써, 가공 대상 재료(2z)의 표면에 트렌치(5z)가 형성된 물품을 취득할 수 있다. 여기서 경화물의 패턴이 제거된다. 그러나, 경화물의 패턴은, 가공 후에도 제거하지 않고, 예를 들어 반도체 소자 등에 포함되는 층간 절연용 막, 즉 물품의 구성 부재로서 이용될 수 있다.
이어서, 다른 물품 제조 방법에 대해서 설명한다. 도 16a에 도시하는 바와 같이, 석영 유리 등의 기판(1y)을 준비하고, 계속해서 잉크젯법 등에 의해 기판(1y)의 표면에 임프린트재(3y)를 부여한다. 필요에 따라, 기판(1y)의 표면에 금속이나 금속 화합물 등의 다른 재료의 층을 제공할 수 있다.
도 16b에 도시하는 바와 같이, 임프린트 몰드(4y)의, 그 3차원 패턴이 형성된 측이 기판 상의 임프린트재(3y)에 대면한다. 도 16c에 도시하는 바와 같이, 임프린트재(3y)가 부여된 기판(1y)과 몰드(4y)를 서로 접촉시키고, 압력을 가한다. 임프린트재(3y)는 몰드(4y)와 기판(1y) 사이의 간극을 충전한다. 이 상태에서 광을 몰드(4y)를 통해 조사함으로써 임프린트재(3y)를 경화시킨다.
도 16d에 도시하는 바와 같이, 임프린트재(3y)를 경화시킨 후, 몰드(4y)와 기판(1y)을 서로 분리함으로써, 기판(1y) 위에 임프린트재(3y)의 경화물의 패턴이 형성된다. 이렇게 해서 경화물의 패턴을 구성 부재로서 갖는 물품이 취득된다. 또한, 도 16d의 상태에서 경화물의 패턴을 마스크로서 사용하여 기판(1y)을 에칭하면, 몰드(4y)에 대하여 오목부와 볼록부가 반전된 물품, 예를 들어 임프린트 몰드를 취득할 수도 있다.
이하에서 본 발명의 제2 실시예에 대해서 설명한다. 제2 실시예로서 언급되지 않는 사항은 제1 실시예를 준용할 수 있다. 기판(1) 상의 복수의 완전 샷 영역은 동일한 형상을 가지기 때문에, 일반적으로 복수의 완전 샷 영역에 대한 공통의 드롭 레시피가 결정될 수 있다. 제1 실시예에서는, 완전 샷 영역을 위한 공통 드롭 레시피는, 기판의 복수의 완전 샷 영역을 사용하여 시험적으로 임프린트 처리를 행하고, 이에 의해 형성되는 패턴을 평가함으로써 결정될 수 있다.
제2 실시예에서는, 기판(1) 상의 복수의 완전 샷 영역에 대해 상이한 임프린트 조건에 다라 시험적으로 임프린트 처리를 행하고 이에 의해 형성되는 패턴을 평가함으로써 최적 드롭 레시피가 선택 또는 결정된다. 상이한 임프린트 조건은 프로세스 레시피에서 설정될 수 있다. 상이한 임프린트 조건은 다른 샷 영역의 것과 상이한 임프린트 조건이 개별 샷 영역에 대해 설정되도록 설정될 수 있다.
각각의 임프린트 조건은 이하 중 적어도 하나를 포함할 수 있다:
·기판과 몰드 사이의 얼라인먼트가 완료될 때의 기판과 몰드 사이의 상대 위치,
·몰드를 임프린트재와 접촉시키고 나서 몰드를 경화시키기 까지의 시간,
·몰드가 임프린트재와 접촉될 때의 압력, 및
·몰드가 임프린트재에 접촉될 때의 몰드의 변형.
도 18은 제2 실시예에 따라 임프린트 장치(200)에 의해 실행되는 드롭 레시피 생성 방법의 수순의 상세한 예를 도시한다. 이 동작은 제어부(400)에 의해 제어된다. 도 18의 단계 S101 내지 S108 및 S118은 도 7a 및 도 7b의 단계 S101 내지 S108 및 S118과 동일하기 때문에, 그에 대한 설명은 생략한다. 단계 S301에서, 제어부(400)는 프로세스 레시피로부터 임프린트 조건 정보를 판독하고 이것을 내부 데이터로서 저장한다.
단계 S302에서, 제어부(400)는 입력/출력 인터페이스(440)에 의해 통괄 컴퓨터(300) 또는 유저 인터페이스(34)로부터 우선순위 조건 및 레시피 결정 조건에 대한 정보를 취득한다.
단계 S303에서는, 주제어부(410)는, 오프-액시스 스코프(24)가 대상 샷 영역 위의 경화된 임프린트재(IM)로 이루어지는 패턴을 촬상하게 하고, 이것에 의해 취득되는 화상 데이터에 기초하여 해당 패턴의 품질을 평가한다.
본 실시예에서는, 패턴의 품질의 평가는 화상 데이터로부터 추출된 결함의 크기, 각각의 결함 크기에 대해 분류된 각각의 순위에서의 결함의 수, 및 샷 영역으로부터의 임프린트재의 압출에서는 압출된 영역의 면적의 총합에 관한 평가를 포함할 수 있다. 패턴의 품질의 평가는 또한 막 두께 계측기(도시되지 않음)에 의한 대상 샷 영역에서의 복수의 지정된 부분의 막 두께의 평가 및 계측값의 변동의 취득을 포함할 수 있다. 또한, 단계 S106에서 실행된 다이-바이-다이 얼라인먼트의 위치 잔류 정보가 평가될 수 있다.
단계 S304에서는, 주제어부(410)는 드롭 레시피 생성부(420)가 잠정 드롭 레시피를 변경하게 한다. 드롭 레시피 생성부(420)는 단계 S303에서의 화상 데이터로부터 추출된 결함 영역의 크기의 평가 결과에 기초하여 현재의 잠정 드롭 레시피(최신 드롭 레시피)를 변경한다.
단계 S305에서, 주제어부(410)는 처리가 모든 임프린트 조건(샷 영역)에 대해 종료되었는지 여부를 판단하고, 처리가 종료된 경우 단계 S306으로 진행한다. 주제어부(410)는 처리가 종료되지 않은 경우 단계 S104로 복귀한다. 단계 S104로의 복귀는, 변경 후에 잠정 드롭 레시피에 따라 임프린트재를 배치하고, 기판을 사용하여 프로세스 레시피에 의해 설정된 모든 샷 영역에 대해 패턴을 형성 및 평가하는 처리(단계 S104 내지 S304)를 반복하는 것을 의미한다.
단계 S306에서, 주제어부(410)는, 복수의 샷 영역에 형성된 패턴의 평가 결과 중 미리결정된 조건을 만족하는 평가 결과를 나타내는 패턴을 특정한다. 그리고, 주제어부(410)는 특정된 패턴이 형성된 샷 영역에 대해 임프린트재를 배치하기 위해 사용된 잠정 드롭 레시피에 기초하여 드롭 레시피를 결정한다.
단계 S306에서, 예를 들어, 미리설정된 평가 지수의 우선순위 정보에 기초하여, 모든 평가 지수가 규격 내에 있는 상태에서 임프린트 조건에 대한 최상의 평가 결과를 나타내는 임프린트 조건에 대응하는 잠정 드롭 레시피를 선택하고 드롭 레시피로서 결정한다.
도 19의 예에서, 최적 드롭 레시피를 선택 또는 결정하기 위한 각각의 평가 지수에 의해 만족되는 규격값 및 평가 지시의 우선순위 정보는 유저에 의한 화면 조작에 의해 입력된다. 우선순위가 각각의 평가 지수에 대해 우선순위 필드에 미리 입력되는 경우, 주제어부(410)는 공차 필드에서 지정된 규격값을 만족하는 샷 영역 중 우선순위 필드에서 높은 우선순위를 갖는 평가 항목으로부터 최상의 항목을 선택한다.
평가 지수는 서로 영향을 줄 수 있다. 예를 들어, 임프린트재가 결함을 방지하기 위해서 과도하게 배치되는 경우, 잔류층 두께는 광범위하게 변동할 수 있다. 임프린트재가 샷 영역으로부터의 임프린트재의 압출을 방지하기 위해 불충분하게 배치되는 경우, 잔류층 두께는 마찬가지로 광범위하게 변동할 수 있어 결함을 유발한다. 임프린트 조건으로서의 임프린트로부터 경화까지의 시간이 장기화되는 경우, 압출은 증가하는 경향이 있으며 결함의 수는 감소하는 경향이 있다. 얼라인먼트 정밀도를 증가시키기 위한 몰드 및 기판의 틸트 제어는 압출 경향을 변화시킬 수 있다. 반도체의 제조에서, 패턴 폭, 밀도, 반도체의 다른 경향에 따라, 얼라인먼트 정밀도가 강조되어야 하는 반도체 디바이스, 또는 잔류층 두께의 변동이 강조되어야 하는 반도체 디바이스가 있을 수 있다. 즉, 평가 지수의 영향의 정도는 제조되는 반도체 디바이스에 따라 변할 수 있다. 이 경우에는 평가 항목을 우선순위화하고 이에 기초하여 드롭 패턴을 결정하는 방법이 유리할 수 있다.
주제어부(410)는 이하의 수순에 의해 드롭 레시피를 결정할 수 있다.
단계 1: 모든 평가 항목이 기준을 만족하는 샷 영역을 모든 평가된 샷 영역으로부터 추출한다.
단계 2: 추출된 샷 영역에서, 규격으로부터 가장 높은 그리고 가장 큰 여유로 우선순위화되는 평가 지수의 값을 갖는 샷 영역을 추출한다.
단계 3: 복수의 평가값이 규격으로부터 가장 큰 여유를 각각 갖는 샷 영역에 대해 수치에 있어서 동일한 경우, 선택된 평가값에서 규격으로부터 가장 큰 여유를 각각 갖는 샷 영역을 다시 더 높은 우선순위로부터 추출한다.
단계 4: 임프린트 시에 추출된 샷 영역에 대해 사용되는 잠정 드롭 레시피를 드롭 레시피로서 결정한다.
단계 1 내지 단계 4는 단계 S306에서 실행될 수 있다.
도 20은 제어부(400)의 메모리에서 주제어부(410)에 의해 관리되며, 평가 조건 및 평가 지수를 저장하는 데이터 테이블의 예를 도시한다. 우선순위 필드의 값 및 공차 필드의 값은 도 19의 화면을 사용하여 입력될 수 있다. 완전 샷 영역만을 사용하여 임프린트가 행해질 때의 샷 영역을 각각 특정하는 샷 번호를 샷 필드에 나타낼 수 있다. 사용되는 잠정 드롭 레시피의 레시피명을 드롭 레시피 필드에 나타낼 수 있다. 각각의 샷 수에서 사용되는 잠정 드롭 레시피는 드롭 레시피가 결정될 때까지 보존될 수 있다.
몰드를 임프린트재에 접촉하고 나서 임프린트재를 경화시킬 때까지의 대기 시간을 확산 시간 필드에 나타낸다. 패턴면(P)이 임프린트재에 접촉하는 타이밍에서의 몰드의 패턴면을 변형시키는 압력을 캐비티 압력 필드에 나타낸다. 몰드를 임프린트재에 접촉시키는 타이밍에서의 압력을 임프린트력 필드에 나타낸다. 임프린트재를 경화시키는 노광 선량을 노광 선량 필드에 나타낸다. 주제어부(410)는 프로세스 레시피로부터 이들 정보를 취득할 수 있다.
각각의 샷 영역의 이하의 정보는 평가 필드의 평가값에 나타낼 수 있다.
압출: 압출된 면적의 총합
보이드 결함: 결함의 크기에 기초하여 분류된 순위 A, B 및 C 각각에 대한 결함의 수
얼라인먼트: X 및 Y에 대한 다이-바이-다이 얼라인먼트에서의 위치 잔류
RLTU: 샷 영역의 잔류층 두께의 변동
이 예에서, 주제어부(410)는 예를 들어 이하의 수순에 의해 드롭 레시피를 결정할 수 있다.
단계 1: 모든 평가된 샷 영역(샷 번호)에서, 모든 평가 항목이 기준을 만족하는 샷 영역(4 내지 8, 12 내지 14, 19 및 20)을 추출한다.
단계 2: 추출된 샷 영역에서, 가장 높게 우선순위화되는 평가 지수의 보이드 결함의 순위 A 및 두번째로 우선순위화되는 평가 지수의 순위 B는 동등하고, 따라서 다음 평가 지수 얼라인먼트의 X 값에서 규격으로부터 여유를 각각 갖는 샷 영역(5 및 6)을 추출한다.
단계 3: 복수의 평가값이 가장 큰 여유를 각각 갖는 샷 영역에 대해 수치가 동일하고, 따라서 샷 영역 4가 세번째로 가장 높은 우선순위를 갖는 순위 C의 규격에서 추출된다.
단계 4: 추출된 샷 영역 4가 임프린트될 때 사용되는 잠정 드롭 레시피를 드롭 레시피로서 결정한다.
제2 실시예의 드롭 레시피를 결정하는 방법에 따르면, 평가 지수가 서로 영향을 주는 반도체 제조 처리에서 사용되는 드롭 레시피를 효율적으로 결정할 수 있다.
다른 실시예
본 발명의 실시예(들)는, 전술한 실시예(들) 중 하나 이상의 기능을 실행하기 위해 저장 매체(보다 완전하게는 '비일시적 컴퓨터 판독가능 저장 매체'라 칭할수도 있음)에 기록된 컴퓨터 실행가능 명령어(예를 들어, 하나 이상의 프로그램)를 판독 및 실행하고 그리고/또는 전술한 실시예(들) 중 하나 이상의 기능을 실행하는 하나 이상의 회로(예를 들어, 주문형 집적 회로(ASIC))를 포함하는 시스템 또는 장치의 컴퓨터에 의해, 그리고 예를 들어 전술한 실시예(들) 중 하나 이상의 기능을 실행하기 위해 저장 매체로부터 컴퓨터 실행가능 명령어를 판독 및 실행함으로써 그리고/또는 전술한 실시예(들) 중 하나 이상의 기능을 실행하기 위해 하나 이상의 회로를 제어함으로써 상기 시스템 또는 장치의 컴퓨터에 의해 실행되는 방법에 의해 실현될 수도 있다. 컴퓨터는 하나 이상의 프로세서(예를 들어, 중앙 처리 유닛(CPU), 마이크로 처리 유닛(MPU))를 포함할 수 있고 컴퓨터 실행가능 명령어를 판독 및 실행하기 위한 별도의 컴퓨터 또는 별도의 프로세서의 네트워크를 포함할 수 있다. 컴퓨터 실행가능 명령어는 예를 들어 네트워크 또는 저장 매체로부터 컴퓨터에 제공될 수 있다. 저장 매체는, 예를 들어 하드 디스크, 랜덤 액세스 메모리(RAM), 리드 온리 메모리(ROM), 분산형 컴퓨팅 시스템의 스토리지, 광디스크(예를 들어, 콤팩트 디스크(CD), 디지털 다기능 디스크(DVD) 또는 블루레이 디스크(BD)TM), 플래시 메모리 디바이스, 메모리 카드 등 중 하나 이상을 포함할 수 있다.
(기타의 실시예)
본 발명은, 상기의 실시형태의 1개 이상의 기능을 실현하는 프로그램을, 네트워크 또는 기억 매체를 개입하여 시스템 혹은 장치에 공급하고, 그 시스템 혹은 장치의 컴퓨터에 있어서 1개 이상의 프로세서가 프로그램을 읽어 실행하는 처리에서도 실현가능하다.
또한, 1개 이상의 기능을 실현하는 회로(예를 들어, ASIC)에 의해서도 실행가능하다.
본 발명을 예시적인 실시예를 참고하여 설명하였지만, 본 발명은 개시된 예시적인 실시예로 한정되지 않음을 이해해야 한다. 이하의 청구항의 범위는 이러한 모든 변형과 동등한 구조 및 기능을 포함하도록 최광의로 해석되어야 한다.

Claims (22)

  1. 임프린트재의 배치를 나타내는 정보를 임프린트 장치에서 결정하는 결정 방법이며, 상기 방법은,
    상기 임프린트 장치에 의해, 잠정 배치에 따라서 기판 상에 임프린트재를 배치하고, 상기 임프린트재에 몰드를 접촉시킨 상태에서 상기 임프린트재를 경화시킴으로써 경화된 임프린트재의 패턴을 형성하고, 상기 경화된 임프린트재의 패턴에 기초하여 상기 잠정 배치를 변경하는 처리를, 상기 경화된 임프린트재의 패턴의 품질이 미리결정된 조건을 만족할 때까지 반복하는 반복 공정; 및
    상기 임프린트 장치에 의해, 상기 경화된 임프린트재의 패턴의 품질이 상기 미리결정된 조건을 만족한 단계에서의 최신의 상기 잠정 배치에 기초하여 상기 임프린트재의 배치를 나타내는 정보를 결정하는 결정 공정을 포함하는 결정 방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 반복 공정은, 변경 후의 상기 잠정 배치에 따라서 임프린트재를 배치하여 상기 경화된 임프린트재의 패턴을 형성하기 위한 빈 공간이 상기 기판에 존재하는 경우에는, 상기 기판을 사용하여 실행되는 결정 방법.
  3. 제2항에 있어서, 상기 임프린트 장치의 기판 보유지지부가 상기 기판을 보유지지한 후, 상기 기판을 사용하여 상기 반복 공정이 실행되는 동안에, 상기 기판 보유지지부가 상기 기판을 보유지지하는 상태가 유지되는 결정 방법.
  4. 제2항에 있어서, 상기 반복 공정은, 변경 후의 상기 잠정 배치에 따라서 임프린트재를 배치하여 상기 경화된 임프린트재의 패턴을 형성하기 위한 빈 공간이 상기 기판에 존재하지 않는 경우에는, 상기 기판 대신에 다른 기판을 사용하여 실행되는 결정 방법.
  5. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 직사각형 형상을 갖는 완전 샷 영역을 위한 제1 배치가 완전 샷 영역을 사용하여 결정되도록 상기 반복 공정이 실행되고, 그 후,
    일부가 기판 에지에 의해 규정된 부분 샷 영역을 위한 제2 배치가 상기 부분 샷 영역을 사용하여 결정되도록 상기 반복 공정이 실행되며,
    상기 제2 배치를 결정하기 위한 제1 잠정 배치가 상기 제1 배치에 기초하여 결정되는 결정 방법.
  6. 제1항에 있어서, 직사각형 형상을 갖는 완전 샷 영역을 위한 제1 배치가 기판의 완전 샷 영역을 사용하여 결정되도록 상기 반복 공정이 실행되고, 그 후,
    일부가 기판 에지에 의해 규정된 부분 샷 영역을 위한 제2 배치가 상기 기판의 부분 샷 영역을 사용하여 결정되도록 상기 반복 공정이 실행되며,
    상기 제2 배치를 결정하기 위한 제1 잠정 배치가 상기 제1 배치에 기초하여 결정되는 결정 방법.
  7. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 일부가 기판 에지에 의해 규정된 부분 샷 영역을 위한 임프린트재의 배치를 나타내는 정보가 결정되도록 상기 반복 공정이 실행되며,
    상기 부분 샷 영역을 위한 임프린트재의 배치를 나타내는 정보를 결정하기 위한 상기 반복 공정의 전부 및 일부 중 하나에서, 직사각형 형상을 갖는 완전 샷 영역이 사용되는 결정 방법.
  8. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 경화된 임프린트재의 패턴의 품질이 상기 미리결정된 조건을 만족하는 지의 여부를 검사하기 위한 검사 영역을 지정하는 정보를, 유저 인터페이스를 통해 취득하는 공정을 더 포함하는 결정 방법.
  9. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 경화된 임프린트재의 패턴의 품질이 상기 미리결정된 조건을 만족하는지의 여부를 검사하기 위한 검사 영역을, 상기 몰드의 설계 정보에 기초하여 결정하는 결정 공정을 더 포함하는 결정 방법.
  10. 임프린트재의 배치를 나타내는 정보를 임프린트 장치에서 결정하는 결정 방법이며, 상기 방법은,
    상기 임프린트 장치에 의해, 잠정 배치에 따라서 기판 상에 임프린트재를 배치하고, 상기 임프린트재에 몰드가 접촉하는 상태에서 상기 임프린트재를 경화시킴으로써 경화된 임프린트재의 패턴을 형성하고, 상기 임프린트 장치의 기판 보유지지부가 상기 기판을 보유지지한 후에 상기 기판의 복수의 샷 영역에 대해 상기 잠정 배치를 변경하는 처리를 반복하는 반복 공정;
    상기 임프린트 장치에 의해, 상기 복수의 샷 영역에 각각 형성된 상기 경화된 임프린트재의 패턴의 평가 결과 중 미리결정된 조건을 만족하는 평가 결과를 나타내는, 상기 경화된 임프린트재의 패턴이 형성된 샷 영역에 대해 상기 임프린트재를 배치하기 위해 사용되는 잠정 배치에 기초하여 상기 임프린트재의 배치를 나타내는 정보를 결정하는 결정 공정을 포함하는 결정 방법.
  11. 제10항에 있어서, 상기 반복 공정에서, 상기 경화된 임프린트재의 패턴은 지정된 임프린트 조건에서 형성되며,
    상기 임프린트 조건은, 상기 기판과 상기 몰드 사이의 얼라인먼트가 완료될 때의 상기 기판과 상기 몰드의 상대 위치, 상기 몰드를 상기 임프린트재에 접촉시키고 나서 상기 몰드를 경화시키기 까지의 시간, 상기 몰드가 상기 임프린트재에 접촉되는 타이밍에서의 압력, 및 상기 몰드가 상기 임프린트재에 접촉되는 타이밍에서의 상기 몰드의 변형 중 적어도 하나를 포함하는 결정 방법.
  12. 제10항에 있어서, 상기 미리결정된 조건은 상기 임프린트재의 미충전, 샷 영역으로부터의 상기 임프린트재의 압출, 얼라인먼트 결과, 및 샷 영역에서의 잔류층 두께의 변동 중 적어도 하나에 관한 조건을 포함하는 결정 방법.
  13. 기판 상에 몰드를 사용하여 임프린트재의 패턴을 형성하도록 구성되는 임프린트 기구와, 상기 임프린트 기구를 제어하도록 구성되는 제어부를 포함하는 임프린트 장치이며,
    상기 제어부는, 상기 임프린트재의 배치를 나타내는 정보를 결정하는 기능을 갖고,
    상기 제어부는, 잠정 배치에 따라서 기판 상에 임프린트재를 배치하고, 상기 임프린트재에 몰드가 접촉하는 상태에서 상기 임프린트재를 경화시킴으로써 경화된 임프린트재의 패턴을 형성하고, 상기 경화된 임프린트재의 패턴에 기초하여 상기 잠정 배치를 변경하는 처리를, 상기 경화된 임프린트재의 패턴의 품질이 미리결정된 조건을 만족할 때까지 반복하는 반복 공정을 상기 임프린트 기구가 실행하게 하며,
    상기 제어부는, 상기 경화된 임프린트재의 패턴의 품질이 상기 미리결정된 조건을 만족시킨 단계에서의 최신의 상기 잠정 배치에 기초하여 상기 임프린트재의 배치를 나타내는 정보를 결정하는 임프린트 장치.
  14. 제13항에 있어서, 상기 제어부는, 변경 후의 상기 잠정 배치에 따라서 임프린트재를 배치하여 상기 경화된 임프린트재의 패턴을 형성하기 위한 빈 공간이 상기 기판에 존재하는 경우에는, 상기 기판을 사용하여 상기 반복 공정을 실행하는 임프린트 장치.
  15. 제14항에 있어서, 상기 임프린트 장치의 기판 보유지지부가 상기 기판을 보유지지한 후, 상기 기판을 사용하여 상기 반복 공정이 실행되는 동안에, 상기 기판 보유지지부가 상기 기판을 보유지지한 상태가 유지되는 임프린트 장치.
  16. 제14항에 있어서, 상기 제어부는, 변경 후의 상기 잠정 배치에 따라서 임프린트재를 배치하여 상기 경화된 임프린트재의 패턴을 형성하기 위한 빈 공간이 상기 기판에 존재하지 않는 경우에는, 상기 기판 대신에 다른 기판을 사용하여 상기 반복 공정을 실행하는 임프린트 장치.
  17. 제13항에 있어서, 상기 제어부는, 직사각형 형상을 갖는 완전 샷 영역을 위한 제1 배치가 완전 샷 영역을 사용하여 결정되도록 상기 반복 공정을 실행하고, 그 후, 일부가 기판 에지에 의해 규정된 부분 샷 영역을 위한 제2 배치가 부분 샷 영역을 사용하여 결정되도록 상기 반복 공정을 실행하며,
    상기 제어부는, 상기 제2 배치를 결정하기 위한 제1 잠정 배치를 상기 제1 배치에 기초하여 결정하는 임프린트 장치.
  18. 제13항에 있어서, 상기 제어부는, 직사각형 형상을 갖는 완전 샷 영역을 위한 제1 배치가 기판의 완전 샷 영역을 사용하여 결정되도록 상기 반복 공정을 실행하고, 그 후, 일부가 기판 에지에 의해 규정된 부분 샷 영역을 위한 제2 배치가 상기 기판의 부분 샷 영역을 사용하여 결정되도록 상기 반복 공정을 실행하며,
    상기 제어부는, 상기 제2 배치를 결정하기 위한 제1 잠정 배치를 상기 제1 배치에 기초하여 결정하는 임프린트 장치.
  19. 제13항에 있어서, 상기 제어부는, 일부가 기판 에지에 의해 규정된 부분 샷 영역에 공급되는 임프린트재의 배치를 나타내는 정보가 결정되도록 상기 반복 공정을 실행하고, 상기 부분 샷 영역을 위한 임프린트재의 배치를 나타내는 정보를 결정하기 위한 상기 반복 공정의 전부 및 일부 중 하나에서 직사각형 형상을 갖는 완전 샷 영역을 사용하는 임프린트 장치.
  20. 제13항에 있어서, 상기 경화된 임프린트재의 패턴의 품질이 상기 미리결정된 조건을 만족하는 지의 여부를 검사하기 위한 검사 영역을 지정하는 정보를 취득하도록 구성되는 유저 인터페이스를 더 포함하는 임프린트 장치.
  21. 제13항에 있어서, 상기 제어부는, 상기 몰드의 설계 정보에 기초하여, 상기 경화된 임프린트재의 패턴의 품질이 상기 미리결정된 조건을 만족하는지의 여부를 검사하기 위한 검사 영역을 결정하는 임프린트 장치.
  22. 물품 제조 방법이며,
    제13항에 규정된 임프린트 장치를 사용하여 기판에 패턴을 형성하는 공정; 및
    상기 형성 공정에서 상기 패턴이 형성된 상기 기판을 가공하는 공정을 포함하며,
    상기 가공을 거친 상기 기판으로부터 물품이 제조되는 물품 제조 방법.
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