CN101283456A - Ⅲ-ⅴ族氮化物半导体的制造方法和发光器件的制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明公开一种III－V族氮化物半导体的制造方法和发光器件的制造方法。III－V族氮化物半导体的制造方法按顺序包括工序(i)、(ii)和(iii)。发光器件的制造方法按顺序包括工序(i)、(ii)、(iii)和(iv)。各工序为：(i)在基板上配置无机粒子的工序，(ii)使半导体层生长的工序，(iii)向基板与半导体层之间照射光，将基板与半导体层分离的工序，以及(iv)形成电极的工序。

Description

Ⅲ－Ⅴ族氮化物半导体的制造方法和发光器件的制造方法
技术领域
本发明涉及一种III-V族氮化物半导体的制造方法和发光器件的制造方法。
背景技术
广泛用于蓝色LED等以InxGayAlzN(0≤x≤1、0≤y≤1、0≤z≤1、x+y+z＝1)式表示的III-V族氮化物半导体，一般地说，是使其在生长用基板上生长起来的。生长用基板(下面，简称为基板)通常是蓝宝石，III-V族氮化物半导体是在蓝宝石基板上用有机金属气相生长(MOVPE)法等取向附生的方法制成的。
III-V族氮化物半导体随着广泛地使用于LED，就要求高的发光输出功率。
作为显示高发光输出功率的发光器件，提出了没有蓝宝石基板的III-V族氮化物半导体。
如果从由蓝宝石基板、该基板上含有GaN层的III-V族氮化物半导体层以及其上的两个电极构成的现有III-V族氮化物半导体发光器件中删除蓝宝石基板，则发光器件不会存在由于蓝宝石基板引起的散热的阻碍，能够驱动高电流密度，呈现高的发光输出功率。另外，不存在由蓝宝石基板引起的通电的妨碍，可以制造III-V族氮化物半导体层两端设置有电极的纵式发光器件，可以期待发光器件结构的自由度的提高。
人们正在研究无蓝宝石基板的III-V族氮化物半导体制造方法。可是，由于III-V族氮化物半导体难以生长大块晶体，因此自立式基板，特别是导电性自立式基板的工业制造方法还没有得以实用化，也没有开发出使用自立式基板的III-V族氮化物半导体的制造方法。
相反，提出了各种在蓝宝石基板上生长III-V族氮化物半导体，然后分离基板的III-V族氮化物半导体制造方法(日本特表2001-501778号公报、日本特开2001-176813号公报)。
然而，这些公报记载的方法，不可能分离III-V族氮化物半导体与基板，或者分离工序中存在损伤III-V族氮化物半导体而不能获得显示足够发光输出功率的发光器件。
发明内容
本发明的目的在于提供一种适合发光器件使用的无基板的III-V族氮化物半导体的制造方法和发光器件的制造方法。
本发明人为解决上述课题，研究了III-V族氮化物半导体制造方法，结果完成了本发明。
即，本发明提供按该顺序包括工序(i)、(ii)和(iii)的III-V族氮化物半导体制造方法。
(i)在基板上面配置无机粒子的工序；
(ii)使半导体层生长的工序；以及
(iii)向基板与半导体层之间照射光，将基板与半导体层分离的工序。
本发明提供按该顺序包括工序(i)、(ii)、(iii)和(iv)的发光器件制造方法。
(iv)形成电极的工序。
附图说明
图1表示本发明的III-V族氮化物半导体制造方法的示例。
图2表示用本发明的制造方法所得的III-V族氮化物半导体层结构。
图3表示本发明的发光器件制造方法的示例。
符号说明
1基板
1A基板的表面
1B半导体层的成长范围
2无机粒子
3半导体层(III-V族氮化物)
11基板
12缓冲层
13n型层
14活性层
14A～14F阻挡层
14G～14J井层
14K盖层
15p型层
21基板
22无机粒子
23半导体层(III-V族氮化物)
24p电极
25密接性向上层
26粘合层
27导电性支撑体
28n电极
具体实施方式
III-V族氮化物半导体的制造方法
本发明的III-V族氮化物半导体制造方法，包括在基板上面配置无机粒子的工序(i)。
基板例如，包括蓝宝石、SiC、Si、MgAl2O4、LiTaO3、ZrB2、CrB2、GaN或AlN。如后所述，基板是光透射性的，基板与III-V族氮化物半导体的界面附近能够有效地传导热能。从这个角度看，基板较好的是蓝宝石、GaN、AlN，最好的是蓝宝石。从与III-V族氮化物半导体的反应性能、热膨胀系数差、高温下的稳定性、取得晶片的容易程度等方面的角度看，基板较好的是蓝宝石、SiC，最好是蓝宝石。
从这些角度出发，基板为蓝宝石是特别理想的。
无机粒子例如包括氧化物、氮化物、碳化物、硼化物、硫化物、硒化物以及金属。
氧化物是二氧化硅、氧化铝、氧化锆、氧化钛、氧化铈、氧化锌、氧化锡以及钇铝石榴石(YAG)等。
氮化物是氮化硅、氮化铝、氮化硼等。
碳化物是碳化硅(SiC)、碳化硼、金刚石、石墨、富勒烯类等。
硼化物是硼化锆(ZrB2)、硼化铬(CrB2)等。
硫化物是硫化锌、硫化镉、硫化钙、硫化锶等。
硒化物是硒化锌、硒化镉等。
氧化物、氮化物、碳化物、硼化物、硫化物、硒化物中，也可以用其它元素部分置换其中所含有的元素。作为以其它元素部分置换氧化物中所含元素后的例子，可以举出含有铈和铕作为活化剂的硅酸盐和铝酸盐的荧光体。
金属方面可以举出硅(Si)、镍(Ni)、钨(W)、钽(Ta)、铬(Cr)、钛(Ti)、镁(Mg)、钙(Ca)、铝(Al)、金(Au)、银(Ag)以及锌(Zn)。
当加热处理时，无机粒子可以为上述的氧化物、氮化物、碳化物、硼化物、硫化物、硒化物以及构成为金属的材料，例如，也可以是硅酮(silicone)。硅酮具有Si-O-Si的无机键作为主结构，是Si中有有机取代基结构的聚合物，加热到约500℃下处理时变成了二氧化硅。
无机粒子可以是由上述一种无机物构成的粒子，或者由它们的混合物或复合物的任何一种。由一种无机物构成的无机粒子，较好为氧化物，最好为二氧化硅构成。
无机粒子的形状也可以为球状(例如，剖面为圆形、椭圆形)、板状(长度L与厚度T的长高比L/T为1.5～100)、针状(例如，宽度W与长度L之比L/W为1.5～100)或不定形(包括各种形状的粒子，作为全体的形状不规则)，理想的是球状。因此，无机粒子最好是球状二氧化硅。就球状二氧化硅而言，从容易得到单分散、粒径比较整齐的角度出发，推荐使用含有胶态二氧化硅的。胶态二氧化硅是二氧化硅粒子在溶剂(水等)中分散成胶状的物质，可通过离子交换硅酸钠的方法、加水分解原硅酸四乙酯(TEOS)这样的有机硅化合物的方法得到。
无机粒子的平均粒径一般是5nm以上、较好的是10nm以上、最好的是20nm以上，而且一般是50μm以下、较好的是10μm以下、最好的是1μm以下。只要在平均粒径范围内，也可以混合使用不同粒径的无机粒子。平均粒径是用离心沉降法测定的体积平均粒径。平均粒径测定法除离心沉降法以外，也可以采用例如动态光散射法、煤焦油计数法、激光衍射法、电子显微镜进行测定，但此时，只要进行校正，换算到用离心沉降法测定的体积平均粒径就可以。例如，用离心沉降法以及其它粒度测定法求出作为标准的粒子平均粒径，算出其相关系数。相关系数可以对不同粒径的多种标准粒子，算出相对于用离心沉降法测定的体积平均粒径相关系数，通过制成校正曲线来求得。如果使用校正曲线，则可以从由离心沉降法以外的测定法所得的平均粒径求得体积平均粒径。
配置的方法，例如把基板浸渍到含有无机粒子和介质的浆料中的方法，或者也可以是向基板涂布或喷雾浆料后进行干燥的方法。介质是水、甲醇、乙醇、异丙醇、正丁醇、乙二醇、二甲基乙酰胺、丁酮、甲基异丁基酮等，理想的是水。涂布理想的是用旋涂法进行，按照该方法，可均匀地配置无机粒子的密度。干燥也可以使用旋转器来进行。
无机粒子对基板的被覆率，根据扫描电子显微镜(SEM)从上面观察配置了无机粒子的基板表面时的测定视野内(面积S)中的粒子数P和粒子平均直径d，就可以用下式求得。
被覆率(％)＝((d/2)2×π·P·100)/S
无机粒子由一种无机物构成时，无机粒子对基板的被覆率通常为1％以上、较好的是30％以上、最好的是50％以上，通常为95％以下。
因为无机粒子容易取向附生，容易将半导体层平坦化，所以通常，在基板上面配置一层，只要能够取向附生半导体层并使之平坦化，就是二层以上也行，一种无机粒子至少配置二层也可以，分别单层配置至少二种无机粒子也可以。
本发明的制造方法包括生长半导体层的工序(ii)，通常，包括在经工序(i)配置的无机粒子和基板的上面生长半导体层的工序(ii)。
半导体层通常是III-V族氮化物，理想的是用InxGayAlzN(0≤x≤1、0≤y≤1、0≤z≤1、x+y+z＝1)表示的氮化物。半导体层无论一层还是二层也都可以。半导体层，也可以例如氮化物半导体发光器件工作需要的层，或者使该层成为高质量晶体的单层或多层(厚膜层、超晶格薄膜层等)。
在后述的工序(iii)，从容易进行基板分离的角度出发，也可以向半导体层之中的与基板相邻的半导体层或其附近的半导体层导入杂质、缺陷等。就这样的半导体层来说，可以举出低温(例如，500℃)生长的缓冲层(例如，InGaN、GaN)。缓冲层由GaN构成的场合，缓冲层的厚度通常为
Figure A20068003539800081
以上、较好是以上、最好是
Figure A20068003539800083
以上，通常是
Figure A20068003539800084
以下、较好是
Figure A20068003539800085
以下、最好是以下。
进而，半导体层也可以形成晶面(facet)构造，或不形成的两者之一，但无机粒子的被覆率较高的场合，形成晶面构造的半导体层是理想的。形成晶面构造的半导体层容易平坦化。
如上述那样，半导体层按顺序，通常包括n型层、活性层、p型层，根据需要含有缓冲层。活性层包括阻挡层、井(well)层、盖层，所以工序(ii)也可以包括缓冲层的生长分工序、n型层的生长分工序、活性层的生长分工序、p型层的生长分工序、阻挡层的生长分工序、井层的生长的分工序、或盖层的生长分工序。
生长例如用有机金属气相生长(MOVPE)、分子射线取向附生(MBE)、高干燥气相生长(HVPE)这样的取向附生方法进行都可以。
用MOVPE法生长III-V族氮化物半导体的场合，用载气把下列的III族原料和V族原料导入反应炉的方法来进行就行。
III族原料是：例如，
三甲基镓[(CH3)3Ga，以下称为TMG]、三乙基镓[(C2H5)3Ga，以下称为TEG]之类的式R1R2R3Ga(R1、R2、R3表示低级烷基。)所表示的三烷基镓；
三甲基铝[(CH3)3Al，以下称为TMA]、三乙基铝[(C2H5)3Al，以下称为TEA]、三异丁基铝[(i-C4H9)3Al]之类的式R1R2R3Al(R1、R2、R3表示低级烷基。)所表示的三烷基铝；
三甲基胺铝烷[(CH3)3N:AlH3]；
三甲基铟[(CH3)3In，以下称为TMI]、三乙基铟[(C2H5)3In，以下称为TEI]之类的式R1R2R3In(R1、R2、R3表示低级烷基。)所表示的三烷基铟；
二乙基氯化铟[(C2H5)3InCl]之类的从三烷基铟中1到2个烷基取代为卤素原子的物质；
氯化铟[InCl]之类的化学式InX(X为卤素原子)所表示的卤化铟等。这些可以单独使用也可以组合使用。III族原料之中TMG作为镓源、TMA作为铝源、TMI作为铟源是理想的。
V族原料可以举出：例如，氨、肼、甲基肼、1，1-二甲基肼、1，2-二甲基肼、t-丁胺、乙二胺等。这些都可以单独或组合使用。V族原料之中，较好的是氨、肼，最好是氨。
n型掺杂剂是，例如Si、Ge。作为掺杂剂使用的原料是例如硅烷、乙硅烷、锗烷、四甲基锗。
P型掺杂剂是，例如Mg、Zn、Cd、Ca、Be，较好的是Mg和Ca。用作P型掺杂剂的Mg原料是，例如双环戊二烯基镁[(C5H5)2Mg]、双甲基环戊二烯基镁[(C5H4CH3)2Mg]、双乙基环戊二烯基镁[(C5H4C2H5)2Mg]。Ca原料是，双环戊二烯基钙[(C5H5)2Ca]及其衍生物，例如双甲基环戊二烯基钙[(C5H4CH3)2Ca]、双乙基环戊二烯基钙[(C5H4C2H5)2Ca]、双全氟环戊二烯基钙[(C5F5)2Ca]；双-1-萘钙及其衍生物；乙炔基钙及其衍生物，例如双(4，4-二氟-3-丁烷-1-炔-钙、双苯乙炔基钙。这些也都可以单独或者组合使用。
生长时的氛围气体和原料的载气，可以举出例如，氮气、氢气、氩气、氦气，理想的是氢气、氦气。这些气体也都可以单独或者组合使用。
反应炉通常配备从保管容器将原料供给反应炉的供给管路和感应器。感应器是加热基板的装置，并安置在反应炉内。为了均匀地生长半导体层，通常，感应器有利用动力旋转的机构。感应器的内部具有红外线灯之类的加热装置。借助于加热装置，使通过供给管路送到反应炉的原料在基板上面热分解，使基板上面气相生长半导体层。送到反应炉内的原料之中的未反应原料，一般由排气管从反应炉排出外部，送往排气处理装置。
用HVPE法生长III-V族氮化物半导体层的场合，也可以通过用下面的载气把III族原料和V族原料导入上述反应炉内的方法来实施。
III族原料是，通过高温使金属镓与氯化氢气体反应而生成的氯化镓，和通过高温使金属铟与氯化氢气体反应而生成的氯化铟气体。
V族原料例如氨。
载气例如氮气、氢气、氩气、氦气，理想的是氢气、氦气。这些载气单独或者组合使用都行。
并且，用MBE法生长III-V族氮化物半导体层的场合，半导体层的生长也可以用将下述III族原料气体和V族原料气体导入上述反应炉内的方法来实施。
III族原料是，例如镓、铝、铟这样的金属。
V族原料是，例如氮气和氨的气体。
在工序(ii)中，通常，半导体层在不存在无机粒子的地方作为生长区域开始生长，接着，形成晶面构造。
在工序(ii)，进而也可以使半导体层的表面平坦化，例如通过促进横向生长的办法，也可以是埋入一边形成晶面构造一边生长半导体层所得的基板晶面构造而使其平坦化。通过这样的生长，直到晶面的位移弯曲到横向，使无机粒子埋入半导体层内，以减少半导体层的缺陷。
本发明的制造方法还包括，向基板与半导体层之间照射光，使基板与III-V族氮化物半导体层分离的工序(iii)，通常，包括对工序(ii)所得到的物品照射光，使III-V族氮化物半导体的局部分解，将基板与半导体层分离的工序(iii)。
照射的光只要是赋予能够分解III-V族氮化物半导体层的能量即可。从使III-V族氮化物半导体高效地吸收用以分解的能量的角度来考虑，光理想的是激光。光通常都有被III-V族氮化物半导体吸收的波长，并且具有大于III-V族氮化物半导体带隙的能量。III-V族氮化物半导体由GaN(带隙：约3.4eV)构成的场合，光波长短于365nm就行。就激光来说，可以举出例如，YAG、YVO4的三次谐波(triple harmonics)(波长355nm)或四次谐波(波长266nm)、ArF(波长193nm)、KrF(波长248nm)、XeCl(波长308nm)之类的激发源，从能量均匀性的角度考虑，理想的是YAG或YVO4。
给III-V族氮化物半导体内引入杂质、缺陷等并形成带隙内的能级，增加III-V族氮化物半导体的吸收时，照射的光也可以具有小于带隙的能量。
使用激光的场合，振荡状态可以举出：连续振荡、正态(normal)脉冲振荡、Q开关脉冲振荡之类等，从减少热影响的角度考虑，理想的是具有纳秒级的短脉冲和高峰值功率的CW激励Q开关脉冲振荡。
为了更有效地分解III-V族氮化物半导体，吸收区域较大的光是所希望的。光以斑点、线束、区域等状态，向基板与III-V族氮化物半导体的界面附近提供能量。光为斑点、线状的激光时，从缩短分离基板的工作时间方面考虑，优选将从基板侧面入射的光的焦点从基板与III-V族氮化物半导体的界面向III-V族氮化物半导体侧面稍微移动(散焦)。由于激光供给的能量有空间上的分布，所以从分离基板与III-V族氮化物半导体(例如，约2英寸径的III-V族氮化物半导体)的角度来考虑，使照射区域完全重叠，给基板与III-V族氮化物半导体的界面上均匀地供给能量是理想的。在激光进入区域内配置有无机粒子时，就能够更有效地以较低的能量分离基板。
本发明的制造方法，在工序(iii)分离了基板以后，还可以包括除去有时也残存于III-V族氮化物半导体表面(例如，剥离面)上的无机粒子的工序。可以通过诸如蚀刻这样的化学处理、抛光和研磨这样的物理处理进行除去。
本发明的III-V族氮化物半导体制造方法的实施方式，按图1进行说明。
工序(i)，如图1(A)所示，基板1的上面配置无机粒子2。
在工序(ii)，配置于基板1(例如，蓝宝石)上面的无机粒子2(例如，二氧化硅)在半导体层3(例如，诸如GaN这样的III-V族氮化物)生长时起到掩蔽作用，基板1的表面1A中没有无机粒子2的部分就成为生长区域1B。向配置了无机粒子2的基板1上面供应生长半导体层3所需要的原料气体等进行取向附生时，如图1(B)所示，半导体层3以从生长区域1B开始生长且掩埋无机粒子2的方式进行生长。进而，继续取向附生，如图1(C)所示，无机粒子2被埋入半导体层3内，长成III-V族氮化物半导体3。如图1(B)所示，在配置了无机粒子2的基板1上面一边形成晶面构造一边生长半导体层3，又如图1(C)所示，通过促进横向生长埋入晶面构造使之平坦化时，达到晶面的位移弯向横向，因而可以把无机粒子2掩埋配置在半导体层3内，获得有高质量晶体的III-V族氮化物半导体。
在工序(iii)，如图1(D)所示，从基板1的侧面照射光。光为YVO4激光器三次谐波(波长355nm)的场合，光未被基板1有效吸收，但被半导体层3吸收。在通过光照射而使半导体层3热分解的区域，析出III族原料和氮气。半导体层3为GaN时，析出Ga，因而假如基板1的温度为Ga的熔点(30℃)以上，如图1(E)所示，就很容易使基板1与半导体层3分开。
本发明申请，如图1所示那样，除半导体层3是单层的III-V族氮化物半导体外，还包括半导体层3由二层以上构成的III-V族氮化物半导体的制造方法。如图2所示，可以举出例如，将基板11、缓冲层12(例如，InGaN、GaN、AlGaN、AlN)、n型层13(例如，n-GaN、n-AlGaN)、活性层14、p型层15(掺Mg的AlGaN、掺Mg的GaN)依次取向附生而构成的III-V族氮化物半导体的制造方法。活性层14由阻挡层14A～14F(例如，InGaN、GaN、AlInGaN)、井层14G～14J(例如，InGaN、GaN、AlInGaN)、盖层14K(例如，非掺杂的GaN、非掺杂的AlGaN)构成。
本发明还包括，例如，含有GaN基板上面配置无机粒子的工序(i′)，其上顺序生长InGaN半导体层和GaN半导体层的工序(ii′)以及从GaN基板侧面照射光而使GaN基板与InGaN半导体层分离的工序(iii′)的制造方法。本例中，在工序(ii′)，获得GaN基板/InGaN半导体层/GaN半导体层的层叠构造，含有无机粒子的区域处于InGaN半导体层或InGaN半导体层附近。从GaN基板侧面照射YVO4激光器二次谐波(波长532nm)时，光没有被GaN基板吸收而被InGaN半导体层吸收。由于光照射，在InGaN半导体层被热分解了的区域析出III族材料和氮气。如果温度在III族材料的熔点以上，就各自回收GaN基板和GaN半导体层。回收的GaN基板和GaN半导体层分别研磨剥离面，还可以用作基板。
在本发明方面，当基板由蓝宝石构成且半导体层由GaN构成时，蓝宝石基板的面中与GaN生长面的相反面上，也可以淀积热膨胀系数小于蓝宝石并具有透光性的材料，例如AlN(热膨胀系数为4.15×10-6/℃)等。通过这样的操作，能够减少因蓝宝石与GaN的热膨胀系数差别(热膨胀系数分别为7.5×10-6/℃、5.59×10-6/℃(300K，垂直于晶体c面的方向)而引起的制造过程中基板的翘曲。
本发明的制造方法，用较低的光照射能量使基板与半导体层分离，并获得III-V族氮化物半导体。缓解了由于能量造成的工艺加工限制，提高大面积III-V族氮化物半导体的生产率。
发光器件的制造方法
本发明的发光器件的制造方法包括：形成上述的工序(i)、(ii)、(iii)以及形成电极的工序(iv)。
电极是n电极和p电极。n电极与n型接触层相接触，例如是包括以选自由Al、Ti及V构成的组中至少一种元素作为主要成分的合金或化合物，理想的是Al、TiAl、VAl。p电极与p型接触层相接触，例如是NiAu、Ni/Au/Pt。可以利用真空蒸镀设备进行形成。通常，可以通过涂布抗蚀剂、烘焙抗蚀剂、图案曝光、图案显影等这些光刻工序，用真空蒸镀的方法形成电极。
下面，用图3说明本发明的发光器件制造方法的实施方式。图3所示的发光器件与导电性支承体相接合，在纵向可通电的III-V族氮化物半导体的两个面上各自具有一个电极。
进行与图1(A)～(C)中说明过的相同操作，如图3(A)所示，在基板21上面配置无机粒子22并生长半导体层23。根据需要通过光刻/干法蚀刻或激光加工，在半导体层23上面蚀刻形成隔离沟直到基板21。
然后，清洗半导体层23的表面，如图3(B)所示，其表面上形成欧姆p电极24(例如，Ni/Au、Ni/Au/Pt)、密接性提高层25(例如，Ti/Pt)及粘合层26(例如，热压用Au、Cu、AuSn之类的焊接金属)。
准备导电支承体27，并在导电支承体27上形成上述附着性提高层25。如图3(B)所示，在导电支承体27上形成附着性提高层25和上述粘合层26是理想的。导电支承体27为，例如Si、GaAs、SiC之类的半导体，Cu、Al、W、Mo、Hf、Ir、Ru、Os、Nb之类的金属材料，较好的是热膨胀系数在1.5×10-6/℃以下的金属材料，最好是Mo。导电支承体27理想的是表面进行了镜面抛光，理想的是表面的平均粗糙度用触针式表面粗糙度测定装置测定为约10nm以下。从减轻翘曲的角度看，导电支承体27的厚度优选约30μm～约200μm。
如图3(C)所示的贴合，并获得由半导体层23、欧姆p电极24、密接性提高层25、粘合层26、(粘合层26)、密接性提高层25、导电支承体27构成的层叠体。也可以用热压法、利用焊接金属的接合法来进行。
如图3(D)所示那样从基板21侧面照射光，如图3所示那样分离基板21。
接着，如图3所示，在n型层上面形成电极28(例如，透明电极、网状电极)的话，就获得该面为发光面的发光器件。透明电极，例如由ITO、ZnO构成。发光器件也可以根据需要切断来调整大小。
根据本发明，降低了由于光照射而引起的半导体层损伤，因而获得高发光输出功率的发光器件。发光器件不仅用于室内显示，而且适合使用于照明、室外显示、信号灯的这种要求高亮度的用途上。
实施例
通过实施例详细说明本发明，但是本发明并非限定于实施例。
实施例1
作为基板，使用了镜面抛光C面后的蓝宝石。作为无机粒子，使用了含有胶态二氧化硅((株)日本触媒制SEAHOSTAR-KE-KE-W50(商品名称)，平均粒径550nm)的二氧化硅粒子。在旋涂机上安置基板，在其上涂布20重量％的胶态二氧化硅，进行了旋转干燥。用SEM观察的结果为基板表面的二氧化硅粒子被覆率为60％。
用常压MOVPE法，按下面的条件，在基板上面取向附生III-V族氮化物半导体，使二氧化硅粒子掩埋在III-V族氮化物半导体层内。在压力：1个气压、感应器温度：485℃、载气：用氢气的条件下，供给载气、氨和TMG，生长了厚度约的GaN的低温缓冲层。把感应器温度升到900℃，供给载气、氨和TMG，生长形成晶面用的非掺杂GaN层。再把感应器温度升到1040℃，压力降为1/4气压，供给载气、氨和TMG，生长形成非掺杂GaN层。而后，顺序生长由GaN构成的n型层、由GaN和InGaN构成的双异质结构造的阻挡层和井层(多重量子井构造)、由GaN和AlGaN构成的盖层、以及由GaN构成的p型层，获得呈现蓝色发光的III-V族氮化物半导体。
在N2中700℃下对III-V族氮化物半导体热处理20分钟，使p型层成为低电阻的p型。接着，顺序进行在III-V族氮化物半导体的表面上涂布抗蚀剂、烘焙抗蚀剂、图案曝光(器件分离图案制造)、图案显影的光刻技术以后，用ICP干法蚀刻法，蚀刻蓝宝石直至隔离沟到达蓝宝石基板上。ICP干法蚀刻法是在蚀刻气体：Cl2、CH2Cl2、Ar的混合气体，气体流量：分别为20、10、40sccm、压力：0.8Pa、ICP功率：200W、偏置功率：100W的条件下进行的。干法蚀刻结束后，用有机溶剂除去剩余的掩模。
为了在隔离了器件后的取向附生晶体表面上形成欧姆p电极，对p型取向附生晶体表面，顺序用丙酮溶液进行了超声波清洗、热王水清洗(60℃)、超纯水的超声波清洗。为了形成作为欧姆p电极的NiAu电极，顺序进行了向该表面上涂布抗蚀剂、烘焙抗蚀剂、图案曝光、图案显影以后，用真空蒸镀设备蒸镀
Figure A20068003539800151
的Ni、的Au，再用剥离法形成电极图案。在含有5体积％氧的氮气氛中在500℃下热处理10分钟，制成NiAu欧姆p电极。
使用表面镜面抛光过的以触针式表面粗糙度测定装置测得的平均表面粗糙度约5nm、厚度100μm的两英寸径Mo作为金属支承体。在金属支承体表面上，用真空蒸镀法分别形成了
Figure A20068003539800153
的Ti/Pt作为提高粘合层的附着性，而且防止欧姆p电极与粘合层相互扩散而不致降低各自功能用的相互扩散防止层以后，在氮气氛中350℃下热处理30分钟。
用真空蒸镀法形成厚度
Figure A20068003539800154
的Au-Sn合金层(Au80％-Sn20％)作为粘合层。通过使用了剥离法的光刻技术和真空蒸镀法，在取向附生基板的NiAu欧姆p电极上面，形成与Mo支承体上面形成的相同层构造的密接性提高层。
采用真空热压法按压力：1×10-3Torr以下、温度：300℃、时间：5分钟、负重：6000N的条件下，贴合III-V族氮化物半导体的粘合层和Mo支承体的粘合层。
用真空吸附法将试料(III-V族氮化物半导体和支承体贴合品)固定在工作台上。以350mm/sec线形扫描该工作台，扫描一线道部分结束后，平行移动工作台15μm，重复进行线形扫描，对试料全面照射光。光是用换流器把CW激励YVO4激光的三次谐波(波长355nm)调制成频率15kHz的脉冲后的光，Q开关脉冲宽度约为8ns左右、振荡模为TEM00、三次谐波输出功率在试料面处为0.26W(激光器驱动电流19.5A)。光从蓝宝石侧面入射并散焦，以使聚焦焦点会聚于距蓝宝石/GaN取向附生界面的GaN侧450μm的位置。
光照射后，从蓝宝石侧面观察了试料，蓝宝石与GaN的界面附近整个都由透明转变为灰色。把试料投入100℃的水中，分离了蓝宝石。
分离了蓝宝石的表面上，形成网状Al/Pt/Ni电极作为欧姆n电极。电极的形成中，进行了BHF清洗、用研磨法除去III-V族氮化物半导体表面残留的Ga、除去劣质晶体层以及使表面平坦化。接着，顺次进行了给表面上面涂布抗蚀剂、烘焙抗蚀剂、图案曝光、图案显影以后，用真空蒸镀设备蒸镀
Figure A20068003539800155
的Al、的Pt、的Ni，再用剥离法形成电极图案，形成电极直径：200μm、网格电极宽度：2μm、网格电极间距：25μm、电极焊盘：50μm见方、开口率：85％的Al/Pt/Ni的欧姆n电极，获得有Mo支承体的III-V族氮化物半导体纵式发光器件。
发光器件在驱动电流20mA下呈现明亮的蓝色发光。而且发光器件在驱动电流20mA下，以高的光输出功率呈现明亮的蓝色发光。
比较例1
除不使用无机粒子外都与实施例1同样操作，得到采用了Mo导电性支承体的III-V族氮化物半导体纵式发光器件。
与实施例1同样，照射激光照射输出0.26W(激光器驱动电流19.5A)的光。从蓝宝石侧面观察光照射结束后的贴合试料。蓝宝石与GaN界面附近整个都是透明的。试料即使投入100℃的水中，蓝宝石也无法分离。
比较例2
除不使用无机粒子外都与实施例1同样操作，得到采用了Mo导电性支承体的III-V族氮化物半导体纵式发光器件。
与实施例1同样，照射激光照射输出0.39W(激光器驱动电流22.5A)的光。从蓝宝石侧面观察光照射结束后的贴合试料。蓝宝石与GaN界面附近整个都是透明的。试料即使投入100℃的水中，蓝宝石也无法分离。
比较例3
除不使用无机粒子外都与实施例1同样操作，得到采用了Mo导电性支承体的III-V族氮化物半导体纵式发光器件。
照射激光照射输出0.42W(激光器驱动电流24A)的光。从蓝宝石侧面观察光照射结束后的贴合试料。蓝宝石与GaN界面附近整个都由透明转变为灰色。试料投入100℃的水中时，蓝宝石分离。所得的发光器件，在驱动电流20mA下没有出现发光。
实施例2
作为基板，使用了镜面抛光C面后的蓝宝石。作为无机粒子，使用了含有胶态二氧化硅((株)日本触媒制SEAHOSTAR-KE-KE-W50(商品名称)，平均粒径550nm)的二氧化硅粒子。在旋涂机上安置基板，在其上涂布20重量％的胶态二氧化硅，进行了旋转干燥。用SEM观察的结果，基板表面的二氧化硅粒子被覆率为60％。
用常压MOVPE法，按下面的条件，在基板上面取向附生III-V族氮化物半导体，使二氧化硅粒子掩埋在III-V族氮化物半导体层内。在压力：1个气压、感应器温度：485℃、载气：氢气的条件下，供给载气、氨和TMG，生长厚度约
Figure A20068003539800161
的GaN的低温缓冲层。把感应器温度升到900℃，供给载气、氨和TMG，生长形成晶面用的GaN层。再把感应器温度升到1040℃，压力降为1/4气压，供给载气、氨和TMG，生长形成GaN层。而后，顺序生长由GaN构成的n型层、由GaN和InGaN构成的双异质结构造的阻挡层和井层(多重量子井构造)、由GaN和AlGaN构成的盖层、以及由GaN构成的p型层，获得呈现发蓝色光的III-V族氮化物半导体。
下面，与实施例1同样操作，得到有MO导电性支承体的III-V族氮化物半导体纵式发光器件。
发光器件在驱动电流20mA下呈现明亮的发蓝色发光。发光器件在驱动电流200mA下，以高光输出功率呈现明亮的蓝色发光。
实施例3
作为基板，使用了镜面抛光C面后的蓝宝石。作为无机粒子，使用了含有胶态二氧化硅((株)日本触媒制SEAHOSTAR-KE-KE-W50(商品名称)，平均粒径550nm)的二氧化硅粒子。在旋涂机上安置基板，在其上涂布20重量％的胶态二氧化硅，进行了旋转干燥。用SEM观察的结果为基板表面的二氧化硅粒子被覆率为60％。
用常压MOVPE法，按下面的条件，在基板上面取向附生III-V族氮化物半导体，使二氧化硅粒子掩埋在III-V族氮化物半导体层内。在压力：1个气压、感应器温度：485℃、载气：氢气的条件下，供给载气、氨和TMG，生长厚度约
Figure A20068003539800171
的GaN的缓冲层。把感应器温度升到900℃，供给载气、氨和TMG，生长GaN层。再把感应器温度升到1040℃，压力降为1/4气压，供给载气、氨和TMG，生长GaN层。而后，顺序生长由GaN构成的n型层、由GaN和InGaN构成的双异质结构造的阻挡层和井层(多重量子井构造)、由GaN和AlGaN构成的盖层、由GaN构成的p型层、以及由InGaN构成的n+型层，获得呈现外延晶体厚度20μm的发蓝色光的III-V族氮化物半导体。
在N2中700℃下对III-V族氮化物半导体热处理20分钟，使p型层成为低电阻的p型。接着，为了在III-V族氮化物半导体表面上形成欧姆n+电极，对III-V族氮化物半导体表面进行了用丙酮溶液的超声波清洗、热王水清洗(60℃)、超纯水的超声波清洗。用真空蒸镀设备蒸镀120nm的ITO，在其表面上面涂布抗蚀剂、烘焙抗蚀剂、图案曝光、图案显影以后，以1∶1比例混合氯化铁水溶液与盐酸的溶液进行蚀刻，形成了构成欧姆n+电极的ITO电极。图案形成后，剥离残存的抗蚀剂。
向III-V族氮化物半导体的n型层露出区域表面上涂布抗蚀剂、烘焙抗蚀剂、图案曝光(器件分离用图案制造)、图案显影并进行图案成形以后，用ICP干法蚀刻法，蚀刻外延晶体直到露出n型层的深度，露出了n型层表面(台面形状)。ICP干法蚀刻法是在蚀刻气体：Cl2、CH2Cl2、Ar的混合气体、气体流量：分别为20、10、40Sccm、压力：0.8Pa、ICP功率：200W、偏置功率：100W的条件下进行的。干法蚀刻结束后，用有机溶剂除去剩余的掩模。
露出了的n型层表面上涂布抗蚀剂、烘焙抗蚀剂、图案曝光、图案显影，用真空蒸镀设备蒸镀10nm的V、蒸镀100nm的Al以后，用剥离法形成了构成欧姆n电极的V/Al电极图案。
通过激光照射，制成包含III-V族氮化物半导体的外延晶体的隔离沟。激光是用换流器把CW激励YVO4激光的三次谐波(波长355nm)调成频率35kHz的脉冲后的激光，Q开关脉冲宽度约为8ns、振荡模为TEM00、三次谐波输出功率在试料面处为0.2W。使激光从外延晶体表面侧入射，照射焦点位于晶体表面处。隔离沟宽度为20μm以下。以10mm/sec扫描工作台，对一线路部分扫描5次结束后，按作为器件尺寸的420μm来平行移动工作台。重复其扫描，网状地对取向附生晶体照射激光，并划分为约420μm×420μm的多个区域。
用真空吸附法，将试料(III-V族氮化物半导体)固定在工作台上。以350mm/sec线形扫描该工作台，扫描一线路部分结束后，平行移动工作台15μm，重复进行线形扫描，对试料全面照射光。光是用换流器把CW激励YVO4激光的三次谐波(波长355nm)调制成频率15kHz的脉冲后的激光，Q开关脉冲宽度约为8ns、振荡模为TEM00、三次谐波输出功率在试料面处为0.26W(激光器驱动电流19.5A)。光从蓝宝石侧面入射，聚焦焦点会聚于距蓝宝石/GaN取向附生界面的GaN侧450μm的位置。
光照射后，从蓝宝石侧观察试料，蓝宝石与GaN的界面附近整个都由透明转变为灰色。
将试料放置在4英寸左右的环形卡盘上面固定的树脂胶带中心部分。树脂胶带为厚约70μm的PVC/丙烯系底膜上有厚约10μm、粘合力18gf/25mm的厚粘合层，使用膜与粘合层两者全都很薄且粘合性弱的。
在树脂胶带上，把蓝宝石基板侧朝向上方而外延晶体表面侧朝下放置的试料加热到约60℃后，剥离蓝宝石基板。在这个阶段，将位于树脂胶带上面的外延晶体的蓝宝石剥离面浸入缓冲氢氟酸(BHF)里10分钟以除去残留的Ga。
采用从放置有以蓝宝石剥离面侧作为上方的试料的树脂胶带，转移到同种树脂胶带上的办法，就可使外延晶体表面侧朝向上方。
所得的单独III-V族氮化物半导体的横式发光器件在驱动电流20mA下，呈现明亮的发光。而且，发光器件在驱动电流200mA下，呈现以高的光输出功率发出明亮的蓝色光。
比较例4
除不使用无机粒子外都与实施例3同样操作，得到III-V族氮化物半导体横式发光器件。
与实施例3同样，照射激光照射输出0.26W(激光器驱动电流19.5A)的光。从蓝宝石基板侧观察光照射后的试料。蓝宝石基板与GaN的界面附近整个都是透明的。试料加热到60℃时，蓝宝石基板没有分离。
比较例5
除不使用无机粒子外都与实施例3同样操作，得到III-V族氮化物半导体横式发光器件。
与实施例3同样，照射激光照射输出0.39W(激光器驱动电流22.5A)的光。从蓝宝石基板侧观察光照射后的试料。蓝宝石基板与GaN的界面附近整个都是透明的。试料加热到60℃时，蓝宝石基板没有分离。
比较例6
除不使用无机粒子外都与实施例3同样操作，得到III-V族氮化物半导体横式发光器件。
与实施例3同样，照射激光照射输出0.42W(激光器驱动电流24A)的光。从蓝宝石基板侧观察光照射后的试料。蓝宝石基板与GaN的界面附近整个都由透明转变为灰色。试料加热到60℃时，蓝宝石基板分离。
独立的III-V族氮化物半导体横式发光器件，在驱动电流20mA下不发光。
实施例4
作为基板，使用了镜面抛光C面后的蓝宝石。作为无机粒子，使用了含有胶态二氧化硅((株)日本触媒制SEAHOSTAR-KE-KE-W50(商品名称)，平均粒径550nm)的二氧化硅粒子。在旋涂机上安置基板，在其上涂布20重量％的胶态二氧化硅，进行了旋转干燥。用SEM观察的结果，基板表面的二氧化硅粒子被覆率为60％。
用常压MOVPE法，按下面的条件，在基板上面取向附生III-V族氮化物半导体，使二氧化硅粒子掩埋在III-V族氮化物半导体层内。在压力：1个气压、感应器温度：485℃、载气：氢气的条件下，供给载气、氨和TMG，生长厚度约
Figure A20068003539800201
的GaN的缓冲层。把感应器温度升到900℃，供给载气、氨和TMG，生长GaN层。再把感应器温度升到1040℃，压力降为1/4气压，供给载气、氨和TMG，生长GaN层。而后，顺序生长由GaN构成的n型层、由GaN和InGaN构成的双异质结构造的阻挡层和井层(多重量子井构造)、由GaN和AlGaN构成的盖层、由GaN构成的p型层、以及由InGaN构成的n+型层，获得呈现外延晶体厚度20μm的发蓝色光的III-V族氮化物半导体。
在N2中700℃下对III-V族氮化物半导体热处理20分钟，使p型层成为低电阻的p型。接着，为了在III-V族氮化物半导体表面上形成欧姆n+电极，对III-V族氮化物半导体表面进行用丙酮溶液的超声波清洗、热王水清洗(60℃)、超纯水的超声波清洗。用真空蒸镀设备蒸镀120nm的ITO，在其表面上面涂布抗蚀剂、烘焙抗蚀剂、图案曝光、图案显影以后，以1∶1比例混合氯化铁水溶液与盐酸的溶液进行蚀刻，形成了构成欧姆n+电极的ITO电极。图案形成后，剥离残存的抗蚀剂。
通过激光照射，制成包含III-V族氮化物半导体的外延晶体的隔离沟。激光是用换流器把CW激励YVO4激光的三次谐波(波长355nm)调成频率35kHz的脉冲后的激光，Q开关脉冲宽度约为8ns、振荡模为TEM00、三次谐波输出功率在试料面处为0.2W。使激光从外延晶体表面侧入射，以使照射焦点位于晶体表面处。隔离沟宽度为20μm以下。以10mm/sec扫描工作台，对一线路部分扫描5次结束后，按作为器件尺寸的420μm来平行移动工作台。重复其扫描，网状地对取向附生晶体照射激光，并划分为约420μm×420μm的多个区域。
用真空吸附法，将试料(III-V族氮化物半导体)固定在工作台上。以350mm/sec线形扫描该工作台，扫描一线路部分结束后，平行移动工作台15μm，重复进行线形扫描，对试料全面照射光。光是用换流器把CW激励YVO4激光的三次谐波(波长355nm)调制成频率15kHz的脉冲后的光，Q开关脉冲宽度约为8ns、振荡模为TEM00、三次谐波输出功率在试料面处为0.26W(激光器驱动电流19.5A)。光从蓝宝石基板侧面入射并散焦，以使聚焦焦点会聚于距蓝宝石/GaN取向附生界面的GaN侧450μm的位置。
光照射后，从蓝宝石侧观察试料，蓝宝石与GaN的界面附近整个都由透明转变为灰色。
将试料放置在4英寸左右的环形卡盘上面固定的树脂胶带中心部分。树脂胶带为厚约70μm的PVC/丙烯系底膜上有厚约10μm、粘合力18gf/25mm的厚粘合层，优选使用膜与粘合层两者全都很薄、粘合性弱的。
在树脂胶带上，把蓝宝石基板侧朝向上方而外延晶体表面侧朝下放置的试料加热到约60℃，剥离蓝宝石基板。在这个阶段，将位于树脂胶带上面的外延晶体的蓝宝石剥离面浸入缓冲氢氟酸(BHF)里10分钟以除去残留的Ga。
为了形成III-V族氮化物半导体的欧姆电极，对蓝宝石剥离面用ICP干法蚀刻法，在蚀刻气体：Cl2、CH2Cl2、Ar的混合气体，气体流量：分别为20、10、40SCCM、压力：0.8Pa、ICP功率：200W、偏置功率：100W的条件下，蚀刻取向附生晶体约
Figure A20068003539800211
露出了的n型层表面上，用真空蒸镀设备蒸镀10nm的V、蒸镀100nm的Al以后，形成了构成欧姆n电极的V/Al电极。
采用从放置有以蓝宝石剥离面侧作为上方的试料的树脂胶带，转移到同种树脂胶带上的办法，就可使外延晶体表面侧朝向上方。
所得的单独III-V族氮化物半导体的横式发光器件在驱动电流20mA下，呈现明亮的发光。而且，发光器件在驱动电流200mA下，以高的光输出功率呈现明亮的蓝色发光。
实施例5
作为基板，使用了镜面抛光C面后的GaN。作为无机粒子，使用了含有胶态二氧化硅((株)日本触媒制SEAHOSTAR-KE-KE-W50(商品名称)，平均粒径550nm)的二氧化硅粒子。在旋涂机上安置基板，在其上涂布20重量％的胶态二氧化硅，进行了旋转干燥。
用常压MOVPE法，按下面的条件，在基板上面取向附生III-V族氮化物半导体，使二氧化硅粒子掩埋在III-V族氮化物半导体层内。在压力：1个气压、载气：用氮气的条件下，供给载气、氨、TMG和TMI，生长InGaN的缓冲层。把感应器温度升到900℃，供给载气、氨和TMG，生长GaN层。再把感应器温度升到1040℃，压力降为1/4气压，供给载气、氨和TMG，生长GaN层。而后，顺序生长由GaN构成的n型层、由GaN和InGaN构成的双异质结构造的阻挡层和井层(多重量子井构造)、由GaN和AlGaN构成的盖层、由GaN构成的p型层、以及由GaN构成的n+型层，获得外延晶体厚度20μm的呈现蓝色发光的III-V族氮化物半导体。
在N2中700℃下对III-V族氮化物半导体热处理20分钟，使p型层成为低电阻的p型。接着，为了在III-V族氮化物半导体表面上形成欧姆n+电极，对III-V族氮化物半导体表面进行用丙酮溶液的超声波清洗、热王水清洗(60℃)、超纯水的超声波清洗。用真空蒸镀设备蒸镀120nm的ITO，在其表面上面涂布抗蚀剂、烘焙抗蚀剂、图案曝光、图案显影以后，以1∶1比例混合氯化铁水溶液与盐酸的溶液进行蚀刻，形成构成欧姆n+电极的ITO电极。图案形成后，剥离残存的抗蚀剂。
给III-V族氮化物半导体的n型层露出区域表面上涂布抗蚀剂、烘焙抗蚀剂、图案曝光(制作器件隔离用图案)、图案显影并进行图案成形以后，用ICP干法蚀刻法，蚀刻外延晶体直到露出n型层的深度，露出了n型层表面(台面形状)。干法蚀刻结束后，用有机溶剂除去剩余的掩模。
在露出了的n型层表面上涂布抗蚀剂、烘焙抗蚀剂、图案曝光、图案显影，用真空蒸镀设备蒸镀10nm的V、蒸镀100nm的Al，再用剥离法形成构成欧姆n电极的V/Al电极图案。
通过激光照射，制成包含III-V族氮化物半导体的外延晶体的隔离沟。激光是用换流器把CW激励YVO4激光的三次谐波(波长355mm)调成频率35kHz的脉冲后的激光，Q开关脉冲宽度约为8ns、振荡模为TEM00、三次谐波输出功率在试料面处为0.2W。使激光从外延晶体表面侧入射，以焦点位于晶体表面处的方式进行照射。以10mm/sec扫描工作台，对一线路部分扫描5次结束后，按作为器件尺寸的420μm来平行移动工作台。重复其扫描，网状地对取向附生晶体照射激光，并划分为约420μm×420μm的多个区域。
用真空吸附法，将试料(III-V族氮化物半导体)固定在工作台上。以350mm/sec线形扫描该工作台，扫描一线路部分结束后，平行移动工作台15μm，重复进行线形扫描，对试料全面照射光。光是CW激励YVO4激光的二次谐波(波长532nm)脉冲。光从GaN基板侧入射并散焦，以使聚焦焦点会聚于距GaN/取向附生晶体界面的外延晶体侧的位置。
将试料放置在4英寸左右的环形卡盘上面固定的树脂胶带中心部分。树脂胶带为厚约70μm的PVC/丙烯系底膜上有厚约10μm、粘合力18gf/25mm的厚粘合层，优选使用膜与粘合层两者全都很薄、粘合性弱的。
将在树脂胶带上GaN基板侧朝向上方而外延晶体表面侧朝下放置的试料加热，并剥离GaN基板。在这个阶段，除去位于树脂胶带上面的外延晶体在GaN基板剥离面的残留物。
采用从放置有以GaN基板剥离面侧作为上方的试料的树脂胶带，转移到同种树脂胶带上的办法，就可使外延晶体表面侧朝向上方。
所得的单独III-V族氮化物半导体的横式发光器件在驱动电流20mA下，呈现明亮的发光。而且，发光器件在驱动电流200mA下，呈现以高的光输出功率发出明亮的蓝色光。
回收的GaN基板经过对剥离面进行研磨并镜面化以后，就可以再用做基板。
根据本发明，提供一种显示发光输出功率高的发光器件的制造方法。而且，根据本发明，提供一种适合应用于发光器件的、无须基板的III-V族氮化物半导体的制造方法。

Claims (17)

1. 一种III-V族氮化物半导体的制造方法，其特征在于，依次包括工序(i)、(ii)和(iii)，
(i)在基板上面配置无机粒子的工序；
(ii)使半导体层生长的工序；以及
(iii)向基板与半导体层之间照射光，将基板与半导体层分离的工序。
2. 根据权利要求1所述的方法，其特征在于，工序(i)的基板由蓝宝石、SiC、Si、MgAl2O4、LiTaO3、ZrB2、CrB2、GaN或AlN构成。
3. 根据权利要求1所述的方法，其特征在于，工序(i)的基板是透光性的。
4. 根据权利要求3所述的方法，其特征在于，基板由蓝宝石、GaN或AlN构成。
5. 根据权利要求1所述的方法，其特征在于，无机粒子含有选自氧化物、氮化物、碳化物、硼化物、硫化物、硒化物以及金属中的至少一种。
6. 根据权利要求5所述的方法，其特征在于，氧化物是选自二氧化硅、氧化铝、氧化锆、氧化钛、氧化铈、氧化锌、氧化锡以及钇铝石榴石的至少一种。
7. 根据权利要求6所述的方法，其特征在于，氧化物是二氧化硅。
8. 根据权利要求1所述的方法，其特征在于，无机粒子的形状是球状、板状、针状或不定形。
9. 根据权利要求8所述的方法，其特征在于，无机粒子的形状是球状。
10. 根据权利要求9所述的方法，其特征在于，无机粒子的平均粒径是5nm以上且50μm以下。
11. 根据权利要求1所述的方法，其特征在于，工序(ii)的半导体层由III-V族氮化物构成。
12. 根据权利要求11所述的方法，其特征在于，工序(ii)包括n型层的生长分工序、活性层的生长分工序和p型层的生长分工序。
13. 根据权利要求1所述的方法，其特征在于，生长通过有机金属气相生长、分子射线取向附生或高干燥气相生长来进行。
14. 根据权利要求1所述的方法，其特征在于，光是激光。
15. 根据权利要求1所述的方法，其特征在于，还使光照射无机粒子。
16. 一种发光器件的制造方法，其特征在于，依次包括工序(i)、(ii)、(iii)和(iv)，
(i)在基板上面配置无机粒子的工序；
(ii)使半导体层生长的工序；
(iii)向基板与半导体层之间照射光，将基板和半导体层分离的工序；以及
(iv)形成电极的工序。
17. 根据权利要求16所述的方法，其特征在于，工序(ii)包括n型层的生长分工序、活性层的生长分工序和p型层的生长分工序。
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