CN101266754B - 显示装置、显示装置的驱动方法和电子设备 - Google Patents

Abstract

在本发明中，提供了一种显示装置、显示装置的驱动方法和电子设备，该显示装置包括：包括像素电路的像素阵列部，每个像素电路均具有光电元件、写晶体管、保持电容器和驱动晶体管，其中，写晶体管被配置为执行电压存储处理，保持电容器被配置为保持采样的视频信号，以及驱动晶体管被配置为驱动光电元件；第一扫描装置，用于以行为单位执行选择性扫描操作并驱动每个写晶体管；第二扫描装置，用于同步于选择性扫描操作，向每个驱动晶体管中提供第一或者第二电位；以及控制装置，用于在与驱动晶体管的阈值电压对应的电压被保持在保持电容器中之后，在不早于电压存储处理的开始的时间为止的时期内，使电源馈线保持浮接状态。

Description

显示装置、显示装置的驱动方法和电子设备

相关申请的交叉参考

本申请包含于2007年3月16日向日本专利局提交的日本专利申请JP 2007-068003的主题，其全部内容结合于此作为参考。

技术领域

本发明涉及一种显示装置、用于驱动该显示装置的方法、和电子设备。更具体地，本发明涉及一种平板型显示装置、用于驱动该显示装置的方法、和采用了该显示装置的电子设备，在平板型显示装置中，每个均包括光电元件的像素电路经布置形成矩阵。

背景技术

近年来，在用于显示图像的显示装置领域中，每个均包括发光元件的像素(像素电路)经布置形成矩阵的平板型显示装置已快速普及。包括在平板型显示装置中的每个像素电路中的发光元件是所谓电流驱动型的光电元件，其中，由元件发出的光束的亮度随着流过该元件的电流的大小而改变。将采用这种光电元件的有机EL(电致发光)显示装置的开发成商品已取得基站。所谓电流驱动型的光电元件的实例是以当向有机膜施加电场时通过元件产生光束的现象为基础操作的有机EL元件。

有机EL显示装置具有以下特性。有机EL显示装置中所采用的有机EL元件能被被所施加的不超过10V的电压驱动，从而元件的功耗低。另外，由于有机EL元件是发光元件，因此，有机EL显示装置能够显示比用于通过控制由包括在液晶显示装置的每个像素电路中的液晶晶元中的称为背光的光源所产生的光束的强度显示图像的液晶显示装置更可见的图像。除此之外，因为有机EL显示装置不需要诸如液晶显示装置所必需的背光的照明元件，所以能够轻易地将有机EL显示装置制得很轻并很薄。此外，有机EL元件具有提供了约几微秒的短响应时间的超高速度。因此，在显示运动图像的操作中不会产生余像(residual image)。

与液晶显示装置非常类似，可以采用无源矩阵方法或者有源矩阵方法作为用于驱动有机EL显示装置的方法。然而，即使采用无源矩阵方法的有机EL显示装置具有简单结构，该装置仍会出现诸如难以实现具有高分辨率的大显示屏的问题。

鉴于上述原因，采用有源矩阵方法的有机EL显示装置发展迅速。根据此有源矩阵方法，在与光电元件相同的像素电路中设置光电元件。有源元件用于控制流过光电元件的电流。有源元件的实例是通常为TFT(薄膜晶体管)的绝缘栅型场效应晶体管。由于采用了有源矩阵方法的有机EL显示装置中的每个光电元件会使所生成的光束持续1帧的周期，因此该装置可用于实现具有高分辨率的大显示屏。

顺便，已知有机EL元件的I-V特性(即，电流-电压特性)在所谓的老化过程中随时间而劣化。在采用了用于控制流过有机EL元件的电流的N-沟道TFT的像素电路中，有机EL元件连接至下文中被称为驱动晶体管的晶体管的源极。因此，当有机EL元件的I-V特性劣化时，存在于驱动晶体管的栅极和源极之间的电压Vgs改变。因此，由有机EL元件产生的光束的强度也改变。

更具体地，通过驱动晶体管和有机EL元件的操作点来确定存在于驱动晶体管的源极的电位。当有机EL元件的I-V特性劣化时，驱动晶体管和有机EL元件的操作点改变。因此，即使在驱动晶体管和有机EL元件的操作点改变后施加至晶体管的栅极的电压保持与驱动晶体管和有机EL元件的操作点变化前同样的电平(level)，存在于驱动晶体管的源极处的电位仍改变。因此，存在于驱动晶体管的栅极和源极之间的电压Vgs同样也改变，从而导致流过晶体管的电流和流过有机EL元件的电流改变。因此，由于流过有机EL元件的电流改变，所以由有机EL元件产生的光束的强度同样也改变。

另外，在像素电路采用多晶硅TFT的情况下，不仅有机EL元件的I-V特性随时间而劣化，而且驱动晶体管的阈值电压Vth和构成晶体管的沟道的半导体膜的迁移率μ也随时间改变。在以下描述中，构成驱动晶体管的沟道的半导体膜的迁移率μ被称为驱动晶体管的迁移率μ。除此之外，由于加工处理中的变化，驱动晶体管的阈值电压Vth和迁移率μ随着像素的不同而变化。即，驱动晶体管的特性随着像素的不同而变化。

如果驱动晶体管的阈值电压Vth和迁移率μ随着像素的不同而各自变化，那么流过晶体管的电流也随着像素的不同而变化。因此，即使向每个驱动晶体管的栅极施加相同的电压，由有机EL元件产生的光束的亮度仍随着像素的不同而变化。因此，屏幕丧失均匀性。

为了防止在即使向每个驱动晶体管的栅极施加相同的电压的情况下由有机EL元件产生的光束的亮度仍随着像素的不同而变化，并因此防止在即使I-V特性随时间而劣化和/或阈值电压Vth及迁移率μ随时间改变的情况下受到有机EL元件的I-V特性的劣化和/或驱动晶体管的阈值电压Vth及迁移率μ的改变的影响，必需为每个像素电路提供补偿功能和多种校正功能，这些功能在诸如专利参考1(第2006-133542号日本专利特许公开)的文件中有所描述。补偿功能是补偿有机EL元件的特性变化的功能。校正功能包括阈值电压校正功能和迁移率校正功能。阈值电压校正功能是对驱动晶体管的阈值电压(Vth)变化进行校正的功能。另一个方面，迁移率校正功能是对驱动晶体管的迁移率(μ)变化进行校正的功能。

发明内容

根据专利参考1中所公开的技术，为了防止即使向每个驱动晶体管的栅极施加相同的电压的情况下由有机EL元件产生的光束的亮度仍随着像素的不同而变化，并因此，防止在即使I-V特性随时间劣化和/或阈值电压Vth及迁移率μ随时间而变化的情况下受到有机EL元件的I-V特性的劣化和/或驱动晶体管的阈值电压Vth及迁移率μ的变化的影响，每个像素电路设置有用于补偿有机EL元件的特性变化的补偿功能、用于对驱动晶体管的阈值电压(Vth)变化进行校正的设置阈值电压校正功能、以及用于对驱动晶体管的迁移率(μ)变化进行校正的设置迁移率校正功能。然而，通过为每个像素电路设置这些功能，构成像素电路的组件的数量增加，从而很难使像素电路小型化，并因此很难提高显示装置的分辨率。

为了减少构成像素电路的组件和电路中所包括的配线的数目，例如，可以采用提供以下配置的技术，在该配置中，能够使提供给像素电路中所采用的驱动晶体管的电源电位互不相同。使提供给像素电路中所采用的驱动晶体管的电源电位互不相同的能力相当于作为用于控制有机EL元件的发光周期/非发光周期的功能提供给驱动晶体管的功能。因此，可能删去用于控制有机EL元件的发光周期/非发光周期的晶体管。

通过采用上述的方法，能够最小化构成像素电路的组件的数量。更具体地，可将像素电路配置为包括写晶体管、保持电容器和驱动晶体管。写晶体管是用于对视频信号的电压进行采样并将采样的电压保持在像素电路中的晶体管。电压保持电容器是用于保持由写晶体管保持在像素电路中的采样信号电压的电容器。驱动晶体管是用于基于由电压保持电容器保持的信号电压驱动有机EL元件的晶体管。

在上述配置中，驱动晶体管还用作用于控制有机EL元件的发光周期/非发光周期的晶体管。因此，能够减少构成像素电路的组件的数量。在该配置中，提供给在像素电路中所采用的驱动晶体管的电源电位可以从高电平变为低电平，反之亦然。然而，如果在已在连接在驱动晶体管的栅极和源极之间的电压保持电容器中保持用于阈值电压校正的与驱动晶体管的阈值电压Vth相对应的电压以用于后，提供给像素电路中所采用的驱动晶体管的电源电位保持高电平，则漏电流流向驱动晶体管，从而如稍后详细描述，不能执行期望的阈值电压校正。

为了解决上述问题，本发明的发明人发明了一种能够以以下配置高度可靠地执行期望的阈值电压校正处理的显示装置：驱动晶体管还用作用于控制光电元件的发光周期/非发光周期的晶体管；以及为了控制光电元件的发光周期/非发光周期，提供给驱动晶体管的电源电位从高电平变为低电平且反之亦然。另外，发明人还发明了一种用于驱动该显示装置的方法以及采用了该显示装置的电子设备。

根据用于解决上述问题的本发明，提供了一种显示装置，其包括：像素阵列部，包括经布置形成矩阵的像素电路，该像素电路为每个均具有光电元件、写晶体管、保持电容器、及驱动晶体管的像素电路，其中，写晶体管被配置为执行电压存储处理以对视频信号进行采样并将采样视频信号存储到像素电路中，保持电容器被配置为保持由写晶体管存储在像素电路中的采样视频信号，以及驱动晶体管被配置为基于由保持电容器保持的视频信号来驱动光电元件。该显示装置还包括：第一扫描装置，连接至像素阵列部中的各行像素电路，用于以行为单位对像素阵列部中的像素电路执行选择性扫描操作，并驱动写晶体管中的每个以执行电压存储处理；第二扫描装置，连接至像素阵列部中的各行像素电路，用于同步于由第一扫描装置所执行的选择性的扫描操作，向用于为每个驱动晶体管提供电流的电源馈线提供第一电位或低于第一电位的第二电位；以及控制装置，用于在电压存储处理之前并且与驱动晶体管的阈值电压对应的电压被保持在保持电容器中之后，在不早于由写晶体管执行的用于将视频信号存储在保持电容器中的电压存储处理的开始的时间为止的时期内，使电源馈线保持浮接状态。

在具有上述配置的显示装置以及采用该显示装置的电子设备中，在通过写晶体管执行的用于将视频信号存储在电压保持电容器中的电压存储处理之前将与驱动晶体管的阈值电压对应的电压保持在电压保持电容器中之后，在不早于电压存储处理的开始的时间为止的时期内，使电源馈线保持浮接状态。因此，漏电流不流向驱动晶体管。如果漏电流不流向驱动晶体管，则存在于驱动晶体管的源极处的电位不改变。因此，存在于驱动晶体管的栅极和源极之间的电压作为与驱动晶体管的阈值电压对应的电压维持在电压保持电容器中所保持的电压处。因此，在随后的用于将下一视频信号存储于电压保持电容器中的电压存储处理中，能够高度可靠地执行期望的阈值电压校正。

根据本发明，防止漏电流流向驱动晶体管。因此，在用于将视频信号存储在电压保持电容器中的电压存储处理中，能够高度可靠地执行期望的阈值电压校正。因此，能够使恒定电流作为不受随着时间改变的驱动晶体管中的阈值电压的变化和/或驱动晶体管阈值电压改变的影响的电流流向光电元件。因此，能够获得具有高质量的显示图像。

附图说明

图1是粗略示出了根据本发明实施例的有机EL显示装置的配置的系统配置示图；

图2是示出了在有机EL显示装置中所采用的像素(或者像素电路)的典型具体配置的电路图；

图3是示出了像素电路的典型截面结构的示图；

图4是示出了将在由根据本发明实施例的有机EL显示装置的电路所执行的操作的描述中涉及的时序图的说明图；

图5A～图6E是在由根据本发明实施例的有机EL显示装置的电路所执行的操作的描述中的说明图；

图7是在由驱动晶体管的阈值电压Vth随像素的不同而变化所引起的问题的描述中涉及的示例性特性图；

图8是在由驱动晶体管的迁移率μ随像素的不同而变化所引起的问题的描述中涉及的示例性特性图；

图9A～图9C是示出了在阈值电压和迁移率校正处理的效果的描述中涉及的每个均表示在代表视频信号的输入信号电压Vsig和流过驱动晶体管的漏极-源极电流Ids之间的关系的曲线的示图；

图10是示出了根据第一实施例的控制装置的典型配置的电路图；

图11是示出了在由根据第一实施例的控制装置所执行的操作的描述中涉及的时间图的说明图；

图12是示出了根据第二实施例的控制装置的典型配置的电路图；

图13是示出了在由根据第二实施例的由控制装置所执行的操作的描述中涉及的时间图的说明图；

图14是示出了根据第三实施例的控制装置的典型配置的电路图；

图15是示出了在由根据第三实施例的控制装置所执行的操作的描述中涉及的时间图的说明图；

图16是示出了应用根据本发明实施例的电视机的透视图的示图；

图17A是示出了应用根据本发明实施例的数码相机的前侧的透视图的示图；

图17B是示出了应用根据本发明实施例的数码相机的后侧的透视图的示图；

图18是示出了应用根据本发明实施例的笔记本式个人计算机的透视图的示图；

图19是示出了应用根据本发明实施例的摄影机的透视图的示图；

图20A是示出了应用根据本发明实施例的用作便携式终端的手机的正面的示图；

图20B是示出了应用根据本发明实施例的手机的侧面的示图；

图20C是示出了应用根据本发明实施例的处于折叠状态的手机的正面的示图；

图20D是示出了应用根据本发明实施例的处于折叠状态的手机的左侧面的示图；

图20E是示出了应用根据本发明实施例的处于折叠状态的手机的右侧面的示图；

图20F是示出了应用根据本发明实施例的处于折叠状态的手机的顶部的示图；以及

图20G是示出了应用根据本发明实施例的处于折叠状态的手机的底部的示图。

具体实施方式

如下将参考附图详细描述本发明的优选实施例。

图1是粗略示出了根据本发明实施例的有源矩阵显示装置的配置的系统配置示图。此典型配置包括每个均产生亮度由流过该元件的电流确定的光束的电流驱动光电元件。即，典型的有源矩阵显示装置是采用了每个均用作光电元件的发光元件的有源矩阵有机EL显示装置10。用作光电元件的发光元件的实例是有机EL元件。

如图1所示，根据本实施例的有机EL显示装置10采用：像素阵列部30，包括经二维布置形成矩阵的像素电路(PXLC)20；以及放置在像素阵列部30周围作为用于驱动像素电路20的部件的驱动部。驱动部通常具有写扫描电路40、电源馈线扫描电路50和水平驱动电路60。

像素阵列部30中的像素电路20形成了m行和n列的矩阵。m行分别连接至m条扫描线31-1～31-m，并且还分别连接至m条电源馈线32-1～32-m。另一方面，n列分别连接至n条信号线33-1～33-n。

像素阵列部30通常被制造在诸如玻璃基板的透明绝缘基板上，并且像素阵列部30具有板(平面)结构。可以通过利用非晶硅TFT(薄膜晶体管)或者低温多晶硅TFT制造每个像素电路。如果使用低温多晶硅TFT，则写扫描电路40、电源馈线扫描电路50和水平驱动电路60也被制造在其上制造有素阵列部30的显示面板(基板)70上。

写扫描电路40通常采用用于同步于时钟脉冲ck使开始脉冲sp移位(移动)的移位寄存器。为了执行将视频信号写入像素阵列部30的像素电路20的操作，写扫描电路40将连续扫描信号WS1～WSm分别提供给扫描线31-1～31-m，从而在所谓的逐行扫描操作(row sequential scan operation)中以行为单位对像素电路20进行顺序扫描。

电源馈线扫描电路50通常也采用用于同步于时钟脉冲ck使开始脉冲sp移位(移动)的移位寄存器。同步于由写扫描电路40所执行的逐行扫描操作，电源馈线扫描电路50分别向电源馈线32-1～32-m提供电源馈线电位DS1～DSm。电源馈线电位DS1～DSm均从低第二电位Vini切换到高第一电位Vccp，其中，低第二电位Vini低于高第一电位Vccp。

水平驱动电路60适当地选择表示视频信号的电压Vsig或偏置电压Vofs。表示视频信号的电压Vsig随着由信号提供源(图中未示出)提供的亮度信息而变化。然后，水平驱动电路60通常以列为单位通过信号线33-1～33-n将所选的电压Vsig或Vofs同时提供给像素阵列部30的像素电路20。即，在所谓的写逐行写驱动操作中，水平驱动电路60以列为单位同时将输入信号电压Vsig(或偏置电压Vofs)提供给所有像素电路。

偏置电压是用作表示视频信号的电压Vsig的基准的电压。通常，表示视频信号的电压Vsig的基准对应于视频信号的黑色电平。在以下描述中，表示视频信号的电压Vsig也被称为输入信号电压Vsig或仅称为信号电压Vsig。另外，低第二电位Vini是比偏置电压Vofs低很多的电位。

(像素电路)

图2是示出了像素(或像素电路)20的典型具体配置的电路图。如图2所示，像素电路20采用有机EL元件21作为用于产生亮度由流过元件的电流确定的光束的电流驱动光电元件。除了有机EL元件21外，像素电路20还采用驱动晶体管22、写晶体管23、电压保持电容器24和辅助电容器25。

在上述电路中，驱动晶体管22和写晶体管23均是N沟道TFT。然而，N沟道导通型的驱动晶体管22和写晶体管23只不过是一个典型。即，驱动晶体管22和写晶体管23的导通型决不限于N沟道导通型。

有机EL元件21的阴极连接至与所有像素电路20连接的共用电源馈线34。驱动晶体管22的源极连接至有机EL元件21的阳极，驱动晶体管22的漏极连接至电源馈线32(或者，更具体地，电源馈线32-1～32-m中对应的一条)。

写晶体管23的栅极连接至扫描线31(或者，更具体地，扫描线31-1～31-m中对应的一条)。写晶体管23的源极和漏极中的一个连接至信号线33(或者，更具体地，信号线33-1～33-n中对应的一条)，而写晶体管23的源极和漏极中的另一个连接至驱动晶体管22的栅极。电压保持电容器24的一端也连接至驱动晶体管22的栅极，而电压保持电容器24的另一端连接至驱动晶体管22的源极和有机EL元件21的阳极。

辅助电容器25的一端连接至有机EL元件21的阳极(或者，即，驱动晶体管22的源极)，而辅助电容器25的另一端连接至有机EL元件21的阴极。如上所述，有机EL元件21的阴极连接至共用电源馈线34。连接至有机EL元件21从而以此方式形成平行电路的辅助电容器25起到用于补偿有机EL元件21的电容不足(shortage)的辅助有机EL元件21的作用。因此，辅助电容器25并不是绝对必需的组件。即，如果有机EL元件21具有足够的电容，则可以省略辅助电容器25。

在具有上述配置的像素电路20中，当通过扫描线31将写扫描电路40所产生的扫描信号WS施加至写晶体管23的栅极时，写晶体管23进入导通状态。在此导通状态下，写晶体管23对由水平驱动电路60通过信号线33提供的输入信号电压Vsig(作为表示光束的亮度的视频信号电压)进行采样、或者对由水平驱动电路60通过信号线33提供的偏置电压Vofs进行采样，然后将所采样的电压写入像素电路20。更具体地，写晶体管23将所采样的输入信号电压Vsig或者所采样的偏置电压Vofs保持在电压保持电容器24中。

由于电源馈线32(或者，更具体地，电源馈线32-1～32-m中对应的一条)的电位DS被为高第一电位Vccp，所以驱动晶体管22接收来自电源馈线32的电流，并将该电流作为用于驱动有机EL元件21的驱动电流提供给有机EL元件21。驱动电流的大小由在电压保持电容器24中所保持的输入信号电压Vsig确定。

(像素电路结构)

图3是示出了像素电路20的典型截面结构的示图。如图3所示，像素电路20被做成通过在玻璃基板201上构造绝缘膜202和窗式(wind)绝缘膜203而获得的配置，在玻璃基板上已制造了包括驱动晶体管22和写晶体管23的像素电路20。有机EL元件21被设置在窗式绝缘膜203中的齿(dent)203A中。

有机EL元件21具有阳极电极204、有机层205和阴极电极206。阳极电极204由包括制造在窗式绝缘膜203的齿203A的底部的金属的材料制成。制造在阳极电极204上的有机层205包括电子传输层2053、发光层2052和空穴传输层/空穴注入层2051。制造在有机层205上的阴极电极206由包括所有像素电路20共用的透明导通膜的材料制成。

通过顺序堆积空穴传输层/空穴注入层2051、发光层2052、电子传输层2053和附图中未示出的电子注入层以在阳极电极204上形成层压堆叠层来制造有机EL元件21的有机层205。由图2所示的驱动晶体管22产生的电流作为驱动电流通过阳极电极204从驱动晶体管22流向有机层205。因此，当空穴在发光层2052中与电子重新结合时，有机层205的发光层2052产生光。

在在玻璃基板201上构造有机EL元件21以对每个像素电路20使绝缘膜202和风绝缘膜203夹在有机EL元件21和玻璃基板201之间之后，通过粘合层209将密封基板208粘连至钝化膜207，在玻璃基板201上已制造包括驱动晶体管22和写晶体管23的像素电路20。以此方式，密封基板208密封有机EL元件21以最终得到显示面板70。

(阈值电压校正功能)

当水平驱动电路60在写晶体管23已处于导通状态之后将偏置电压Vofs提供给每条信号线33(即，信号线33-1～33-n)时，电源馈线扫描电路50将由此在电源馈线32上确定的电位DS从低第二电位Vini切换为高第一电位Vccp。通过使存在于电源馈线32上的电位DS从低第二电位Vini切换为高第一电位Vccp，在电压保持电容器24中保持对应于驱动晶体管22的阈值电压Vth的电压。

由于以下所述的原因，需要将对应于驱动晶体管22的阈值电压Vth的电压保持在电压保持电容器24中。由于制造驱动晶体管22的工艺随时间的变化以及特性随时间的改变，驱动晶体管22的特性会随着像素的不同而变化。驱动晶体管22的特性包括阈值电压Vth和迁移率μ。晶体管特性的变化导致即使向像素电路20的驱动晶体管22的栅极施加相同电位，在驱动晶体管22的漏极和源极之间流动的驱动电流Ids仍随着像素的不同而变化。因此，由有机EL元件21产生的光束的亮度也随像素的不同而变化。为了抵消(或校正)阈值电压Vth随像素的不同而变化的效应，需要预先在电压保持电容器24中保持对应于驱动晶体管22的阈值电压Vth的电压。

如下校正驱动晶体管22的阈值电压Vth。通过预先在电压保持电容器24中存储对应于阈值电压Vth的电压，在通过稍后将输入信号电压Vsig通过写晶体管23施加至驱动晶体管22的栅极来驱动驱动晶体管22的操作中，通过预先作为对应于阈值电压Vth的电压而保持在电压保持电容器24中的电压来抵消驱动晶体管22的阈值电压Vth。换句话说，在将输入信号电压Vsig通过写晶体管23施加至驱动晶体管22的栅极来驱动驱动晶体管22的操作之前，预先校正驱动晶体管22的阈值电压Vth。

在电压保持电容器24中预先保持对应于驱动晶体管22的阈值电压Vth的电压的功能称为阈值电压校正功能。通过执行此阈值电压校正功能，在由于制造驱动晶体管22的处理变化以及由于晶体管的特性随时间的变化而导致驱动晶体管22的阈值电压Vth随着像素的不同而变化的情况下，能够消除阈值电压Vth随着像素的不同而变化的效应。因此，由有机EL元件21产生的光束的亮度能够维持恒定值。稍后将描述阈值电压校正操作的原理。

(迁移率校正功能)

除了上述的阈值电压校正功能外，图2所示的像素电路20还设置有迁移率校正功能。如下执行迁移率校正功能。当水平驱动电路60在写晶体管23已处于导通状态之后，响应于由写扫描电路40分别提供给扫描线31-1～31-m的扫描信号WS1～WSm之一，将输入的信号电压Vsig提供给每条信号线33(即，信号线33-1～33-n)    时，即，在迁移率校正期间，在电压保持电容器24中保持输入信号电压Vsig的操作中执行迁移率校正处理，作为用于消除驱动晶体管22的漏极和源极之间流过的驱动电流Ids对迁移率μ的依赖的处理。稍后将描述迁移率校正功能的具体原理和具体操作。

(自举功能)

图2所示的像素电路20还设置有如下工作的自举功能。在已在电压保持电容器24中保持输入信号电压Vsig的阶段，为了使写晶体管23处于非导通状态，写扫描电路40从扫描线31(即，扫描线31-1～31-m中对应的一条)取出扫描信号WS(即，扫描信号WS1～WSm之一)。非导通状态使驱动晶体管22的栅极与信号线33(即，信号线33-1～33-n中对应的一条)电断开，并使驱动晶体管22的栅极处于浮接状态。

由于驱动晶体管22的栅极处于浮接状态，所以电压保持电容器24连接在驱动晶体管22的栅极和源极之间，从而存在于栅极上的电位Vg将以连动的方式跟随存在于源极上的电位Vs。因此，即使存在于源极上的电位Vs改变，存在于驱动晶体管22的栅极和源极之间的电压Vgs仍理想地保持恒定值。

用于通过使存在于栅极上的电位Vg以连动的方式跟随存在于源极上的电位Vs而使存在于驱动晶体管22的栅极和源极之间的电压Vgs理想地保持恒定值的操作被称为自举操作。通过执行此自举操作，即使有机EL元件21的特性随时间而改变，由有机EL元件21产生的光束的亮度仍能够保持恒定值。

也就是说，即使由于有机EL元件21的I-V特性随时间而变化而使存在于驱动晶体管22的源极上的电位Vs改变，自举操作的执行仍使存在于驱动晶体管22的栅极和源极之间的电压Vgs保持恒定值。因此，流过有机EL元件21的驱动电流不变化。对应地，由有机EL元件21产生的光束的亮度也能够保持恒定值。因此，即使有机EL元件21的I-V特性随时间而变化，仍有可能执行亮度不伴随I-V特性的改变而劣化的图像显示。

(本实施例的特性)

在具有作为上述阈值电压校正、迁移率校正和自举功能之一的阈值电压校正功能的有机EL显示装置10的情况下，本实施例的特性在于，为了能够理想地执行阈值电压校正操作，在通过写晶体管23执行的将表示视频信号的输入信号电压Vsig写入电压保持电容器24的操作之前，并且在通过写晶体管23将对应于驱动晶体管22的阈值电压Vth的电压存储在电压保持电容器24中之后，在不早于写输入信号电压Vsig的操作的开始的时间为止的时期内，电源馈线32(即，电源馈线32-1～32-m中对应的一条)处于浮接状态。稍后将描述用于使电源馈线32处于浮接状态的具体实施例。

(电路操作)

以下将通过参考图4的时序图以及图5A～图6E中的说明操作示图来阐述由根据该实施例的有机EL显示装置10执行的操作。应注意，为简化图5A～图6E中的说明操作示图，写晶体管23作为表示开关的符号而示出。另外，在附图中，电容器Csub作为表示辅助电容器25和有机EL元件21的寄生电容器的组合电容器而示出。

在图4所示的时序图中，水平轴是被图表共用的时间轴。时序图示出了沿时间轴的多种改变。时序图中所示的改变为：表示存在于扫描线31(表示扫描线31-1～31-m)上的扫描信号WS的电位的改变、存在于电源馈线32(表示电源馈线32-1～32-m)上的电位DS的改变、存在于信号线33(表示信号线33-1～33-n)上的电位的改变(从Vofs～Vsig，反之亦然)、存在于驱动晶体管22的栅极上的电位Vg的改变、以及存在于驱动晶体管22的源极上的电位Vs的改变。

<不发光时期>

如图5所示，在图4所示的时序图中的时间t1之前，电源馈线32维持在不向驱动晶体管22提供电流的浮接状态。因此，有机EL元件21保持不发光状态。

<阈值电压校正准备时期>

在时间t1，像素电路20进入逐行扫描处理的新扫描场(field)。此时，如图5B所示，存在于电源馈线32上的电位DS从浮接状态切换到充分低于存在于信号线33上的偏置电压Vofs的低第二电位Vini。

用符号Vel表示有机EL元件21的阈值电压，符号Vcath表示存在于共用电源馈线34上的电位。另外，假设低第二电位Vini满足关系式Vini＜(Vel+Vcath)。在这种情况下，由于存在于驱动晶体管22的源极上的电位Vs约等于低第二电位Vini，所以有机EL元件21处于反偏压状态。

然后，在时间t2，存在于扫描线31上的电位WS从低电平变为高电平，从而如图5C所示，写晶体管23处于导通状态。此时，由于水平驱动电路60已向信号线33提供偏置电压Vofs，因此存在于驱动晶体管22的栅极上的电位Vg同样也被设为偏置电压Vofs。另外，存在于驱动晶体管22的源极上的电位Vs被设为充分低于偏置电压Vofs的低第二电位Vini。

因此，存在于驱动晶体管22的栅极和源极之间的电压Vgs变得等于差(Vofs-Vini)。如果差(Vofs-Vini)不大于驱动晶体管22的阈值电压Vth，则不能执行前述的阈值电压校正操作。因此，必需设置(Vofs-Vini)＞Vth的电位关系式。将通过将电位Vg定为(或者固定地设置为)偏置电压Vofs初始化存在于驱动晶体管22的栅极上的电位Vg的操作以及通过将电位Vs定为(或者固定地设置为)低第二电位Vini初始化存在于驱动晶体管22的源极上的电位Vs的操作称为阈值电压校正准备操作。

<阈值电压校正时期>

然后，在时间t3，如图5D所示，存在于电源馈线32上的电位DS从低第二电位Vini变为高第一电位Vccp。此时，存在于驱动晶体管22的源极上的电位Vs开始升高。在适当的时候，存在于驱动晶体管22的栅极和源极之间的电压Vgs变得等于驱动晶体管22的源极的阈值电压Vth，从而将对应于驱动晶体管22的阈值电压的电压保持在电压保持电容器24中。

此处，为了方便，将对应于驱动晶体管22的阈值电压Vth的电压保持在电压保持电容器24中的时间称为阈值电压校正时期。应注意，为了在阈值电压校正时期内使电流只流向电压保持电容器24而没有任何电流流向有机EL元件21，需要通过将共用电源馈线34设为电位Vcath而使有机EL元件21处于截止状态。

然后，在时间t4，如图5E所示，存在于电源馈线32上的电位DS从高第一电位Vccp变为浮接状态，从而结束阈值电压校正时期。

然后，在时间t5，如图6A所示，存在于扫描线31上的电位WS从高电平变为低电平，从而使写晶体管23处于非导通状态。此时，驱动晶体管22的栅极处于浮接状态，并且由于存在于驱动晶体管22的栅极和源极之间的电压Vgs约等于驱动晶体管22的阈值电压Vth，所以驱动晶体管22处于截止状态。因此，漏极-源极电流Ids不流过驱动晶体管22。

然后，在时间t6，如图6B所示，存在于信号线33上的电位从偏置电压Vofs变为表示视频信号的输入信号电压Vsig。

<写入时期>

然后，在时间t7，如图6C所示，存在于扫描线31上的电位WS从低电平变到高电平，从而使写晶体管23处于导通状态。在此导通状态中，写晶体管23采样表示视频信号的输入信号电压Vsig，然后通过将输入信号电压Vsig存储在电压保持电容器24中，将所采样的输入信号电压Vsig写入像素电路20。作为通过写晶体管23将输入信号电压Vsig保持在电压保持电容器24中而执行的操作的结果，存在于驱动晶体管22的栅极上的电位Vg变得等于输入信号电压Vsig。

<迁移率校正时期>

然后，在时间t8，如图6D所示，存在于电源馈线32上的电位DS从浮接状态变为高第一电位Vccp。由于电源馈线32的电位DS变为高第一电位Vccp，所以对应于输入信号电压Vsig的电流从电源馈线32流向驱动晶体管22。

在所谓的阈值电压校正处理中，在利用对应于输入信号电压Vsig的电流驱动驱动晶体管22的操作中，通过作为对应于驱动晶体管22的阈值电压Vth的电压而预先保持在电压保持电容器24中的电压来抵消驱动晶体管22的阈值电压Vth。稍后将阐述所谓的阈值电压校正处理的原理。

此时，由于有机EL元件21最初处于截止(高阻抗)状态，因此，与作为表示视频信号的输入信号电压Vsig而施加给信号线33的电压相对应的从电源馈线32流向驱动晶体管22的漏极-源极电流Ids进入与有机EL元件21并联连接的电容器Csub。即，开始充电电容器Csub的处理。

充电电容器Csub的处理使得存在于驱动晶体管22的源极上的电位Vs随时间而升高。此时，已校正驱动晶体管22的阈值电压Vth的变化。然而，流过驱动晶体管22的漏极-源极电流Ids取决于驱动晶体管22的迁移率μ。

在适当的时候，存在于驱动晶体管22的源极上的电位Vs升高为电平(Vofs-Vth+ΔV)，从而存在于驱动晶体管22的栅极和源极之间的电压Vgs等于(Vsig-Vofs+Vth-ΔV)。即，存在于驱动晶体管22的栅极和源极之间的电压Vgs被设置的电平(Vsig-Vofs+Vth-ΔV)是从电压保持电容器24所保持的电压(Vofs-Vth+ΔV)中减去存在于驱动晶体管22的源极上的电位的增量ΔV而得到的负反馈的结果。换句话说，负反馈起到放电电压保持电容器24的作用。因此，电位Vs的增量ΔV是负反馈的反馈量。

通过如上所述将与流过驱动晶体管22的漏极-源极电流Ids成比例的负反馈量ΔV反馈给驱动晶体管22的栅极，即，通过将负反馈量ΔV施加给存在于驱动晶体管22的栅极和源极之间的电压Vgs，消除了流过驱动晶体管22的漏极-源极电流Ids对迁移率μ的依赖。即，执行迁移率校正操作来校正迁移率μ的变化。

更具体地，表示视频信号的输入信号电压Vsig越高，流过驱动晶体管22的漏极-源极电流Ids越大，从而，负反馈的反馈量ΔV的绝对值变得越大。在以下的描述中，负反馈的反馈量ΔV也被称为校正量ΔV。因此，根据由有机EL元件21产生的光束的亮度级别来执行迁移率校正操作。另外，由于视频信号的输入信号电压Vsig保持恒定值，所以驱动晶体管22的迁移率μ越大，负反馈的负反馈量ΔV的绝对值就越大。因此，能够消除迁移率μ由于像素的不同的变化。稍后将阐述迁移率校正操作的原理。

<发光时期>

然后，在时间t9，如图6E所示，存在于扫描线31上的电位WS从高电平变为低电平，从而使写晶体管23处于非导通状态。在此状态中，驱动晶体管22的栅极与信号线33断开。同时，漏极-源极电流Ids开始流过有机EL元件21，从而存在于有机EL元件21的阳极上的电位随漏极-源极电流Ids而升高。

存在于有机EL元件21的阳极上的电位的升高只是存在于驱动晶体管22的源极上的电位Vs的升高。由于存在于驱动晶体管22的源极上的电位Vs升高，所以存在于驱动晶体管22的栅极上的电位Vg也由于电压保持电容器24的自举操作而以连动方式升高。此时，存在于驱动晶体管22的栅极上的电位Vg的增量等于存在于驱动晶体管22的源极上的电位Vs的增量。因此，在发光时期内，存在于驱动晶体管22的栅极和源极之间的电压Vgs保持电平(Vsig-Vofs+Vth-ΔV)。

然后，在时间t10，存在于信号线33上的电位从表示视频信号的输入信号电压Vsig变为偏置电压Vofs。稍后，在时间t11，电源馈线32进入浮接状态，从而停止从电源馈线32向驱动晶体管22提供漏极-源极电流Ids的操作。此时，发光时期结束。

(阈值电压校正的原理)

以下将阐述用于校正驱动晶体管22的阈值电压Vth的操作的原理。设计成能够在饱和状态操作，驱动晶体管22用作恒定电流源。因此，驱动晶体管22将驱动电流Ids提供给有机EL元件21。下文中还被称为漏极-源极电流Ids的驱动电流具有用以下等式(1)表示的固定大小。

Ids＝(1/2)*μ(W/L)Cox(Vgs-Vth)² ...(1)

符号W表示驱动晶体管22的沟道宽度，符号L表示驱动晶体管22的沟道长度，符号Cox表示驱动晶体管22的单位面积的栅极电容。

图7是每个均表示流过驱动晶体管22的漏极-源极电流Ids和存在于驱动晶体管22的栅极和源极之间的栅极-源极电压Vgs之间的关系的典型特性曲线图。如前所述，驱动晶体管22的阈值电压Vth随像素的不同而变化。在通过附图的典型特性曲线示出的典型特性曲线的情况下，像素电路A中的驱动晶体管22的阈值电压Vth是Vth1，而像素电路B中的驱动晶体管22的阈值电压Vth是大于Vth1的Vth2(即，Vth2＞Vth1)。因此，对存在于驱动晶体管22的栅极和源极之间的同样的栅极-源极电压Vgs，如果不执行阈值电压校正操作，那么像素电路A的驱动晶体管22就产生大于像素电路B的驱动晶体管22产生的漏极-源极电流Ids2的漏极-源极电流Ids1(即，Ids2＜Ids1)。也就是说，如果驱动晶体管22的阈值电压Vth变化，那么即使施加至驱动晶体管22的栅极和源极之间的栅极-源极电压Vgs保持不变，驱动晶体管22产生的漏极-源极电流Ids也仍然变化。

另一方面，在像素(或者像素电路)20具有上述配置的情况下，存在于驱动晶体管22的栅极和源极之间的栅极-源极电压Vgs如上所述为(Vsig-Vofs+Vth-ΔV)。将(Vsig-Vofs+Vth-ΔV)取代栅极-源极电压Vgs插入等式(1)得到漏极-源极电流Ids的如下表达式：

Ids＝(1/2)*μ(W/L)Cox(Vsig-Vofs-ΔV)²  ...(2)

即，在被称为阈值电压校正操作的过程中，从等式(1)中消去了驱动晶体管22的阈值电压Vth这一项，从而得到等式(2)所表达的漏极-源极电流Ids。换句话说，由于阈值电压校正操作，驱动晶体管22提供的漏极-源极电流Ids不再取决于驱动晶体管22的阈值电压Vth。因此，对存在于栅极和源极之间的给定栅极-源极电压Vgs，即使由于制造驱动晶体管22的处理变化和/或由于随时间的改变而使驱动晶体管22的阈值电压Vth随着像素的不同变化，但是漏极-源极电流Ids仍不变化。因此，对存在于栅极和源极之间的给定栅极-源极电压Vgs，有机EL元件21产生具有亮度并不随着像素的不同而变化并且不随时间改变的光束。

(迁移率校正的原理)

以下将阐述用于校正驱动晶体管22的迁移率的操作的原理。图8是示出了每个均表示流过驱动晶体管22的漏极-源极电流Ids和栅极-源极电压Vgs(存在于驱动晶体管22的栅极和源极之间)之间的关系典型特性曲线的示图。如前所述，驱动晶体管22的迁移率μ随着像素的不同而变化。在通过附图的典型特性曲线示出的典型特性曲线的情况下，像素电路A中的驱动晶体管22的迁移率μ大于像素电路B中的驱动晶体管22的迁移率μ。如果驱动晶体管22是多晶硅薄膜晶体管，则不能避免诸如迁移率μ在像素电路A和B之间的差别的像素-像素迁移率变化。

如果驱动晶体管22的迁移率μ在像素A和B之间有差别，那么除非执行用某种方法校正迁移率μ的处理，否则即使向像素电路A和B施加同一电平的输入信号电压Vsig，流过像素电路A(所具有的驱动晶体管22具有较大迁移率μ)中的驱动晶体管22的漏极-源极电流Ids1’仍远大于流过像素电路B(所具有的驱动晶体管22具有较小迁移率μ)中的驱动晶体管22的漏极-源极电流Ids2’。如果由于迁移率(μ)如上所述随像素的不同而变化，使得在一个像素电路中流动的漏极-源极电流Ids非常不同于在另一个像素电路中流动的漏极-源极电流Ids，那么就失去了像素-电路的一致性。

从由先前给出的等式(1)表示的晶体管特性等式明显看出，迁移率μ越大，漏极-源极电流Ids越大。因此，迁移率μ越大，负反馈的反馈量ΔV就变得越大。如图8所示，所具有的驱动晶体管22带有较大迁移率μ的像素电路A的反馈量ΔV1远大于所具有的驱动晶体管22带有较小迁移率μ的像素电路B的反馈量ΔV2。在迁移率校正处理中，驱动晶体管22的漏极-源极电流Ids被负反馈给输入信号电压Vsig侧。在此负反馈中，迁移率μ越大，反馈量ΔV就变得越大。因此，能够抑制迁移率μ的变化。

更具体地，如果对所具有的驱动晶体管22带有较大迁移率μ的像素电路A执行使用反馈量ΔV1的迁移率校正处理，则流过驱动晶体管22的漏极-源极电流Ids从漏极-源极电流Ids1’大幅度减小为漏极-源极电流Ids1。另一方面，如果对所具有的驱动晶体管22带有较小迁移率μ的像素电路B执行使用反馈量ΔV2的迁移率校正处理，则流过驱动晶体管22的漏极-源极电流Ids从漏极源极电流Ids2’减少为漏极源极电流Ids2，但是漏极-源极电流Ids的减少并不像像素电路A那么大。这是由于施加给像素电路B的反馈量ΔV2小于施加给像素电路A的反馈量ΔV1。因此，由于对迁移率μ进行了迁移率校正处理，所以流过像素电路A的驱动晶体管22的漏极-源极电流Ids1变得约等于流过像素电路B的驱动晶体管22的漏极-源极电流Ids2。

总之，如果存在具有不同移率μ的像素电路A和B，则施加给所具有的驱动晶体管22带有较大迁移率μ的像素电路A的反馈量ΔV1大于施加给所具有的驱动晶体管22带有较小迁移率μ的像素电路B的反馈量ΔV2。即，像素电路的迁移率μ越大，施加给该像素电路的反馈量ΔV就变得越大，并且漏极-源极电流Ids减少的就越多。因此，通过将驱动晶体管22的漏极-源极电流Ids负反馈给输入信号电压Vsig侧，能够使流过作为具有不同迁移率μ的晶体管而包括在像素电路中的驱动晶体管22的漏极-源极电流Ids的大小一致。因此，在迁移率校正处理中能够消除迁移率μ的变化。

图9是每个均示出了在各种情况(既不执行阈值电压校正操作也不执行迁移率校正操作的情况、执行阈值电压校正操作但不执行迁移率校正操作的情况、以及既执行阈值电压校正操作又执行迁移率校正操作的情况)下的表示视频信号的输入信号电压Vsig和流过图2所示的像素(或者像素电路)20的驱动晶体管22的漏极-源极电流Ids之间的关系的多个示图。

更具体地，图9A是示出了在既不执行阈值电压校正操作也不执行迁移率校正操作情况下的表示视频信号的输入信号电压Vsig与流过像素电路A和B中的驱动晶体管22的漏极-源极电流Ids之间的关系的示图。图9B是示出了在执行阈值电压校正操作但不执行迁移率校正操作情况下的表示视频信号的输入信号电压Vsig与流过像素电路A和B中的驱动晶体管22的漏极-源极电流Ids之间的关系的示图。图9C是示出了在既执行阈值电压校正操作又执行迁移率校正操作情况下的表示视频信号的输入信号电压Vsig与流过像素电路A和B中的驱动晶体管22的漏极-源极电流Ids之间的关系的示图。如图9A所示，在既不执行阈值电压校正操作也不执行迁移率校正操作的情况下，对相同的输入信号电压Vsig，由于阈值电压Vth和迁移率μ在像素电路A与B之间的变化，所以漏极-源极电流Ids在像素电路A与B之间的差别很大。

另一方面，如图9B所示，在执行阈值电压校正操作但不执行迁移率校正操作的情况下，对相同的输入信号电压Vsig，即使由于迁移率μ在像素电路A与B之间的大部分剩余变化而使得漏极-源极电流Ids在像素电路A与B之间的差别仍然存在，但是在一定程度上还是减少了漏极-源极电流Ids在像素电路A与B之间的差别。如图9C所示，在既执行阈值电压校正操作又执行迁移率校正操作的情况下，对相同的输入信号电压Vsig，由于阈值电压Vth和迁移率μ在像素电路A与B之间的少量剩余变化，所以漏极-源极电流Ids在像素电路A与B之间的差别几乎为零。因此，在任意灰度下，在有机EL元件21中不产生亮度变化。因此，能够获得具有高质量的显示图像。

(本实施例的效果)

如上所述，在至少具有阈值电压校正功能的有机EL显示装置10中，在写晶体管23所执行的用于将表示视频信号的输入信号电压Vsig写入像素电路20的操作之前，在对应于驱动晶体管22的阈值电压Vth的电压已在从时间t3～时间t4的阈值电压校正时期内被保持在电压保持电容器24中之后，在不早于将输入信号电压Vsig写入像素电路20的操作的开始的时间为止的时期内，电源馈线32保持浮接状态，从而给出如下所述的效果。更具体地，在至少从时间t4延伸至时间t7时期内，存在于电源馈线32上的电位DS保持浮接状态，在时间t7开始将输入信号电压Vsig写入像素电路20的操作。在本实施例的情况下，在从时间t4延伸至晚于时间t7的时间t8的典型时期内，电源馈线32保持浮接状态。

由于电源馈线32在例如从时间t4延伸至时间t7的典型时期内保持浮接状态，所以电源馈线32在此时期内不向驱动晶体管22提供电流。因此，漏电流不流向驱动晶体管22。由于漏电流不流向驱动晶体管22，所以存在于驱动晶体管22的源极上的电位Vs并不波动。因此，存在于驱动晶体管22的栅极和源极之间的电压Vgs作为对应于驱动晶体管22的阈值电压Vth的电压保持在电压保持电容器24中。

因此，在随后由写晶体管23执行的用于将下一表示视频信号的输入信号电压Vsig保持在电压保持电容器24中的电压写入处理中，能够高度可靠地执行期望的阈值电压校正处理。在这种情况下，期望的阈值电压校正处理是使驱动晶体管22的阈值电压Vth和预先作为对应于阈值电压Vth的电压持在电压保持电容器24中的电压互相抵消的理想处理。因此，由于能够消除阈值电压的变化(归因于制造驱动晶体管22的处理以及由于特性随时间而变化)，所以能够获得不受阈值电压Vth随像素不同而变化的影响的高质量显示图像。

顺便，在驱动晶体管22也被用作用于控制有机EL元件21的发光时期/不发光时期的晶体管的可选配置情况下，存在于电源馈线32上的电位DS从高第一电位Vccp切换为低第二电位Vini，反之亦然。因此，存在于电源馈线32上的电位DS通常定在高第一电位Vccp或低第二电位Vini，而无需处于浮接状态。

因此，在此可选配置情况下，在从时间t4延伸至时间t8的时期内，电源馈线32并不处于浮接状态。相反，在对应于驱动晶体管22的阈值电压Vth的电压已在从时间t3延伸至时间t4的时期内所执行的操作中保持在电压保持电容器24中之后，存在于电源馈线32上的电位DS事实上固定在高第一电位Vccp上，在时间t7，开始写输入信号电压Vsig的操作。然而，在可选配置情况下，出现了以下问题。

如果对应于驱动晶体管22的阈值电压Vth的电压已在从时间t3延伸至时间t4的阈值电压校正时期内所执行的操作中保持在电压保持电容器24中之后，存在于电源馈线32上的电位DS事实上固定在高第一电位Vccp，则漏电流流向驱动晶体管22。因此，存在于驱动晶体管22的源极上的电位Vs升高由漏电流的大小所确定的量。此时，写晶体管23处于使驱动晶体管22的栅极处于浮接状态的非导通状态中。因此，存在于驱动晶体管22的栅极上的电位Vg也升高，从而跟随存在于驱动晶体管22的源极上的电位Vs。

然而，由于写晶体管23的栅极和驱动晶体管22的栅极之间有寄生电容器，所以当存在于驱动晶体管22的源极上的电位Vs升高时，存在于驱动晶体管22的栅极上的电位Vg的增加量小于电位Vs的增加量。因此，存在于驱动晶体管22的栅极和源极之间的栅极-源极电压Vgs变得小于对应于驱动晶体管22的阈值电压Vth的电压。

如果如上所述存在于驱动晶体管22的栅极和源极之间的栅极-源极电压Vgs小于对应于驱动晶体管22的阈值电压Vth的电压，即，如果保持在电压保持电容器24中的电压小于对应于驱动晶体管22的阈值电压Vth的电压，则在时间t7将表示视频信号的输入信号电压Vsig保持在电压保持电容器24中的操作中，预先由电压保持电容器24保持的电压并不抵消驱动晶体管22的阈值电压Vth。因此，通常没有执行理想的阈值电压校正操作。

如上所述，当存在于驱动晶体管22的源极上的电位Vs升高由流过驱动晶体管22的漏电流的大小确定的量时，由于在写晶体管23的栅极和驱动晶体管22的栅极之间存在寄生电容器，所以存在于驱动晶体管22的栅极上的电位Vg的增加量小于电位Vs的增加量。应注意，在前述自举操作中，也可以说存在于驱动晶体管22的栅极上的电位Vg的增加量小于电位Vs的增加量。

然而，在理想自举操作的情况下，存在于驱动晶体管22的栅极上的电位Vg的增加量应等于电位Vs的增加量，从而使存在于驱动  晶体管22的栅极和源极之间的栅极-源极电压Vgs保持固定值。

实际上，不存在理想的自举操作。尽管如此，如果在实际的自举操作中，存在于驱动晶体管22的栅极上的电位Vg的增加量小于电位Vs的增加量，则存在于驱动晶体管22的栅极和源极之间的栅极-源极电压Vgs减小，从而使有机EL元件21产生的光束的亮度只减小一点。因此，与如上所述通常不能执行理想阈值电压校正处理的问题相比，在实际的自举操作中，电位Vgs的减小也可以说对所显示的图像几乎没有任何影响。

另一方面，在本实施例的情况下，在如图4的时序图所示的从时间t4延伸至时间t8的时期内，电源馈线32保持浮接状态，从而防止漏电流流向驱动晶体管22。然而，应注意，通过仅使电源馈线32在写输入信号电压Vsig的操作的开始为止的时期内(即，在从时间t4延伸至时间t7的时期内)保持浮接状态，仍能够达到同样的结果。

从图4所示的时序图可以明显看出，如果电源馈线32在从时间t4延伸至时间t8的时期内处于浮接状态，则从时间t7延伸至时间t8的时期变成了用于将输入信号电压Vsig写入像素电路20的时期，而从时间t8延伸至时间t9的时期变成了迁移率校正时期。也就是说，从时间t7延伸至时间t9的时期被分成了两段时期，即，用于将输入信号电压Vsig写入像素电路20的时期和紧跟在用于将输入信号电压Vsig写入像素电路20的时期之后的迁移率校正时期。

通过如上所述将迁移率校正时期设为紧跟在用于将输入信号电压Vsig写入像素电路20的时期之后，在用于将输入信号电压Vsig写入像素电路的操作执行完之后，开始迁移率校正操作。因此，能够以稳定方式执行迁移率校正操作。因此，能够消除迁移率随着像素的不同而产生变化，从而带来改善的图像质量。

上述实施例实现了采用有机EL元件21的有机EL显示装置10，每个有机EL元件在像素电路20中均用作光电元件。然而，应注意，本发明的范围并不限于本实施例。即，能够将本发明应用于采用电流-驱动光电元件(也称发光元件)的任何普通显示装置，每个电流-驱动光电元件均产生亮度由流过该元件的电流确定的光束。

[其他实施例]

以下的描述阐述了每个均实现用于在不早于将输入信号电压Vsig写入像素电路20的操作的开始的时间为止的时期内(即，例如，在从时间t4延伸至时间t7的典型时期内)使电源馈线32保持浮接状态的控制装置的具体实施例，其中，由写晶体管23执行的用于将表示视频信号的输入信号电压Vsi在时间t7g保持在像素电路20中所采用的电压保持电容器24中的操作之前，在对应于驱动晶体管22的阈值电压Vth的电压已在从时间t3延伸至时间t4的阈值电压校正时期内保持在电压保持电容器24之后，在时间t7开始将输入信号电压Vsig写到像素电路20的操作。在目前所述的实施例的情况下，如图4的时序图所示，在从时间t4延伸至时间t8的典型时期内，电源馈线32保持浮接状态。

(第一实施例)

图10是示出了根据第一实施例的控制装置的典型配置的电路图。如图所示，控制装置采用了连接至电源馈线32(即，电源馈线32-1～32-m中的任一条)的末级(last-stage)缓冲器50A。末级缓冲器50A是包括在电源馈线扫描电路50中的作为连接至电源馈线32的部分的部分，电源馈线32连接至像素阵列部30的像素行。

末级缓冲器50A具有包括P-沟道MOS晶体管P11和N-沟道MOS晶体管N11的CMOS反相器配置。P-沟道MOS晶体管P11的源极连接至高第一电位Vccp的电源线。N沟道MOS晶体管N11的源极连接至低第二电位Vini的电源线。P-沟道MOS晶体管P11的漏极通过漏极共用连接节点n11连接至N-沟道MOS晶体管N11的漏极，而P-沟道MOS晶体管P11的栅极连接至N-沟道MOS晶体管N11的栅极。

在末级缓冲器50A中，P-沟道MOS晶体管P11和N-沟道MOS晶体管N11的栅极从末级缓冲器50A的前一级接收扫描脉冲DSIN。使P-沟道MOS晶体管P11和N-沟道MOS晶体管N11的漏极彼此连接的漏极共用连接节点n11用作末级缓冲器50A的输出端以及电源馈线扫描电路50的输出端。漏极共用连接节点n11通过开关元件80连接至电源馈线32。

用于在从时间t4延伸至时间t8的时期内使电源馈线32保持浮接状态的控制装置还采用了用于将漏极共用连接节点n11连接至电源馈线32的开关元件80。通常，开关元件80是诸如MOS开关或者CMOS转换开关的电子开关。开关元件80根据提供给开关元件80的控制脉冲DS而处于开或关状态。

接下来，通过参考图11所示的时序图来阐述根据第一实施例的电路的操作。图11是示出了存在于连接至像素行的扫描线31上的电位WS、提供给末级缓冲器50A的扫描脉冲DSIN、由模拟缓冲器50A输出的电源电位DSOUT、控制脉冲DSF和存在于电源馈线32上的电位DS的时序图的示图。

如图11的时序图所示，在到时间t3为止的时期内，扫描脉冲DSIN保持高电位，在从时间t3延伸至时间t12的时期内，扫描脉冲DSIN保持低电位，并且在开始于时间t12的时期内扫描脉冲DSIN再返回高电位。在以下描述中，高电位和低电位分别称为H电平和L电平。

另一方面，在从时间t1延伸至时间t4的时期内以及从时间t8延伸至时间t1的时期内，控制脉冲DSF保持H电平，在到时间t1为止的时期内、从时间t4延伸至时间t8的时期内、以及起始于时间t11的时期内，控制脉冲DSF保持L电平。

当将扫描脉冲DSIN提供给末级缓冲器50A时，末级缓冲器50A产生电源电位DSOUT，在到时间t3为止的时期内，电源电位DSOUT保持低第二电位Vini，在从时间t3延伸至时间t12的时期内，电源电位DSOUT保持高第一电位Vccp，在起始于时间t12的时期内，电源电位DSOUT回复到低第二电位Vini。

根据控制脉冲DSF，在到时间t1为止的时期内、从时间t4延伸至时间t8的时期内、以及起始于时间t11的时期内，开关元件80保持断开状态。在这几个时期内，作为末级缓冲器50A的输出端的漏极共用连接节点n11保持处于与电源馈线32电断开的状态。

如图14的时序图所示，通过如上所述操作开关元件80，在将对应于驱动晶体管22的阈值电压Vth的电压保持在电压保持电容器24中之后，在从时间t4延伸至时间t8的时期内，电源馈线32保持浮接状态，在时间t8，将信号电压Vsig写入像素电路20的操作的时期结束。因此，在将输入信号电压Vsig写入像素电路20中的操作中，能够实现理想的阈值电压校正。

应注意，通过将移位寄存器输出的移位脉冲作为基于，作为逻辑电路执行的逻辑处理的结果，可以产生用于开或关开关元件80的控制脉冲DSF，逻辑电路一般设置在电源馈线扫描电路50中采用的移位寄存器的后一级处。

(第二实施例)

图12是示出了根据第二实施例的控制装置的典型配置的电路图。图12所示的与图10所示的各个对应元件相同的元件是用与对应元件同样的符号来表示的。如图12所示，控制装置采用连接至电源馈线32(即，电源馈线32-1～32-m中的任一条)的末级缓冲器50B。末级缓冲器50B是包括在电源馈线扫描电路50中作为连接至电源馈线32的部分的部分，电源馈线32连接至像素阵列部30的像素行。

末级缓冲器50B具有包括P-沟道MOS晶体管P11、P-沟道MOS晶体管P12、N-沟道MOS晶体管N11、及N-沟道MOS晶体管N12的定时反相器配置。P-沟道MOS晶体管P11的源极连接至高第一电位Vccp的电源线。N-沟道MOS晶体管N11的源极连接至低第二电位Vini的电源线。P-沟道MOS晶体管P11的漏极连接至P-沟道MOS晶体管P12的源极。P-沟道MOS晶体管P12的漏极通过漏极共用连接节点n12连接至N-沟道MOS晶体管N12的漏极，而P-沟道MOS晶体管P11的栅极连接至N-沟道MOS晶体管N11的栅极。N-沟道MOS晶体管N12的源极连接至N-沟道MOS晶体管N11的漏极。

在末级缓冲器50B中，P-沟道MOS晶体管P12和N-沟道MOS晶体管的栅极从末级缓冲器50B的前一级接收扫描脉冲DSIN。另外，P-沟道MOS晶体管P12和N-沟道MOS晶体管N12的栅极分别接收控制脉冲xDSF和DSF。

在末级缓冲器50B中，使P-沟道MOS晶体管P12和N-沟道MOS晶体管N12的漏极彼此连接的漏极共用连接节点n12用作末级缓冲器50B的输出端以及电源馈线扫描电路50的输出端。漏极共用连接节点n12连接至电源馈线32。N-沟道MOS晶体管N12和P-沟道MOS晶体管P12用作用于使电源馈线32在从时间t4延伸至时间t8的时期内保持浮接状态的控制装置。

接下来，通过参考图13所示的时序图来阐述根据第二实施例的电路的操作。图13是示出了存在于连接至像素行的扫描线31上的电位WS、提供给末级缓冲器50B的扫描脉冲DSIN、控制脉冲DSF及xDSF、以及存在于电源馈线32的电位DS的时序图的示图。

如图13的时序图所示，扫描脉冲DSIN在到时间t3为止的时期内保持H电平、在从时间t3延伸至时间t12的时期内保持L电平，在起始于时间t12的时期内返回H电平。

控制脉冲DSF在从时间t1延伸至时间t4的时期内以及从时间t8延伸至时间t11的时期内保持H电平，在其他时期内保持L电平。另一方面，控制脉冲xDSF在从时间t1延伸至时间t4的时期内以及从时间t8延伸至时间t11的时期内保持L电平，在其他时期内保持H电平。

因为扫描脉冲DSIN在到时间t3为止的时期内被设为H电平，所以在此时期内，N-沟道MOS晶体管N11保持导通状态，从而输出低第二电位Vini。然而，因为控制脉冲DSF在到时间t1为止的时期内保持L电平，所以在此时期内，N-沟道MOS晶体管N12处于N-沟道MOS晶体管N11与电源馈线32电断开的非导通状态。

在到时间t1为止的时期内，P-沟道MOS晶体管P11也处于非导通状态。因此，在到时间t1为止的时期内，电源馈线32保持浮接状态。然后，在时间t1，控制脉冲DSF被设为H电平，从而使N-沟道MOS晶体管N12处于导通状态。因此，N-沟道MOS晶体管N11通过N-沟道MOS晶体管N12将低第二电位Vini提供给电源馈线32。

在从时间t3延伸至时间t12的时期内，扫描脉冲DSIN保持L电平，从而使P-沟道MOS晶体管P11保持导通状态，这使P-沟道MOS晶体管P12输出高第一电位Vccp。然而，因为控制脉冲xDSF在从时间t4延伸至时间t8的时期内保持H电平，所以在此时期内，P-沟道MOS晶体管P12处于P-沟道MOS晶体管P11与电源馈线32电断开的非导通状态。

在从时间t4延伸至时间t8的时期内，N-沟道MOS晶体管N11也处于非导通状态。因此，在从时间t4延伸至时间t8的时期内，电源馈线32也保持浮接状态。在其他时期内，P-沟道MOS晶体管P12还保持导通状态。因此，在这些其他时期内，P-沟道MOS晶体管P11通过P-沟道MOS晶体管P12将高第一电位Vccp提供给电源馈线32。

如图13的时序图所示，在具有上述定时配置的末级缓冲器50B中，通过N-沟道MOS晶体管N12和P-沟道MOS晶体管P12的操作，在将对应于驱动晶体管22的阈值电压Vth的电压保持在电压保持电容器24中之后，电源馈线32在从时间t4延伸至时间t8的时期内保持浮接状态，在时间t8结束将输入信号电压Vsig写入像素电路20的操作的时期。因此，在将输入信号电压Vsig写入像素电路20的操作中，能够实现理想的阈值电压校正。

应注意，通过将移位寄存器输出的移位脉冲作为基准，作为逻辑电路所进行的逻辑处理的结果，能够产生分别提供给N-沟道MOS晶体管N12和P-沟道MOS晶体管P12的栅极的控制脉冲DSF和xDSF，逻辑电路通常被设置在电源馈线扫描电路50中采用的移位寄存器的后一级处。

(第三实施例)

图14是示出了根据第三实施例的控制装置的典型配置的电路图。如图所示，控制装置采用连接至电源馈线32(即，电源馈线32-1～32-m中的任一条)的末级缓冲器50C。末级缓冲器50C是包括在电源馈线扫描电路50中作为连接至电源馈线32的部分的部分，其，电源馈线32连接至像素阵列部30的像素行。

末级缓冲器50C具有包括P-沟道MOS晶体管P13和N-沟道MOS晶体管N13的双相输入反相器配置。P-沟道MOS晶体管P13的源极连接至高第一电位Vccp的电源线。N-沟道MOS晶体管N13的源极连接至低第二电位Vini的电源线。P-沟道MOS晶体管P13的漏极通过漏极共用连接节点n13连接至N-沟道MOS晶体管N13的漏极。向P-沟道MOS晶体管P13的栅极提供扫描脉冲DSP，而向N-沟道MOS晶体管N13的栅极提供扫描脉冲DSN，其中，扫描脉冲DSN的相位与扫描脉冲DSP的相位不同。

在末级缓冲器50C中，使P-沟道MOS晶体管P13的漏极和N-沟道MOS晶体管N13的漏极彼此连接的漏极共用连接节点n13，用作末级缓冲器50C的输出端以及电源馈线扫描电路50的输出端。漏极共用连接节点n13连接至电源馈线32。

扫描脉冲DSP和DSN的相位之间的关系如图15的时序图所示。如图所示，在到时间t3为止的时期内、从时间t4延伸至时间t8的时期内、以及起始于时间t11的时期内，扫描脉冲DSP保持H电平，在从时间t3延伸至时间t4的时期内、以及从时间t8延伸至时间t11的时期内，扫描脉冲DSP保持L电平。另一方面，在从时间t1延伸至时间t3的时期内，扫描脉冲DSN保持H电平，而在其他时期内，扫描脉冲DSN保持L电平。

接下来，通过参考图15所示的时序图来阐述根据第三实施例的电路的操作。图15是示出了存在于连接至像素行的扫描线31上的电位WS、作为具有互不相同相位的扫描脉冲而提供给末级缓冲器50C的扫描脉冲DSP和DSN、以及存在于电源馈线32上的电位DS的时序图的示图。

在到时间t1为止的时期内，扫描脉冲DSP保持H电平，而扫描脉冲DSN保持L电平。因此，P-沟道MOS晶体管P13和N-沟道MOS晶体管N13保持非导通状态。因此，在此时期内，漏极共用连接节点n13以及连接至漏极共用连接节点n13的电源馈线32保持浮接状态。

在从时间t1延伸至时间t3的时期内，扫描脉冲DSN保持H电平，从而使N-沟道MOS晶体管N13保持导通状态。因此，在此时期内，通过漏极共用连接节点n13将低第二电位Vini提供给电源馈线32。

在从时间t3延伸至时间t4的时期内，扫描脉冲DSN和扫描脉冲DSP均保持L电平，从而使N-沟道MOS晶体管N13保持非导通状态，而使P-沟道MOS晶体管P13保持导通状态。因此，在此时期内，通过漏极共用连接节点n13将高第一电位Vccp提供给电源馈线32。

在从时间t4延伸至时间t8的时期内，扫描脉冲DSP保持H电平，而扫描脉冲DSN保持L电平，从而使N-沟道MOS晶体管N13和P-沟道MOS晶体管P13均保持非导通状态。因此，在此时期内，电源馈线32保持浮接状态。

在从时间t8延伸至时间t11的时期内，扫描脉冲DSN和扫描脉冲DSP均保持L电平，从而使N-沟道MOS晶体管N13保持非导通状态，而使P-沟道MOS晶体管P13保持导通状态。因此，在此时期内，通过漏极共用连接节点n13将高第一电位Vccp提供给电源馈线32。

在起始于时间t11的时期内，扫描脉冲DSP保持H电平，而扫描脉冲DSN保持L电平，从而使N-沟道MOS晶体管N13和P-沟道MOS晶体管P13均保持非导通状态。因此，在此时期内，电源馈线32保持浮接状态。

从上描述可明显看出，构成末级缓冲器50C的N-沟道MOS晶体管N13和P-沟道MOS晶体管P13用作用于使电源馈线32在从时间t4延伸至时间t8的时期内保持浮接状态的控制装置。

另外，将相位互不相同的扫描脉冲DSP和DSN分别提供给P沟道MOS晶体管P13和N-沟道MOS晶体管N13的栅极，从而同步于通过电源馈线扫描电路50执行的扫描操作，将存在于电源馈线32(即，电源馈线32-1～32-m中对应的一条)上的电位DS适当地从高第一电位Vccp切换为低第二电位Vini，反之亦然。除此之外，扫描脉冲DSP和DSN还用作用于使电源馈线32在从时间t4延伸至时间t8的时期内保持浮接状态的控制脉冲。

如上所述，如图15的时序图所示，在上述具有二相反相器配置的末级缓冲器50C中，通过N-沟道MOS晶体管N13和P-沟道MOS晶体管P13的操作，在对应于驱动晶体管22的阈值电压Vth的电压被保持在电压保持电容器24中之后，电源馈线32在从时间t4延伸至时间t8的时期内保持浮接状态，在时间t8结束将输入信号电压Vsig写入像素电路20的操作的时期。因此，在将输入信号电压Vsig写入像素电路20的操作中，能够实现理想的阈值电压校正。

应注意，通过将移位寄存器输出的移位脉冲作为基准，作为逻辑电路执行的逻辑处理的结果，能够产生作为相位互不相同的扫描脉冲分别提供给N-沟道MOS晶体管N13和P-沟道MOS晶体管P13的栅极的扫描脉冲DSN和DSP，逻辑电路通常被设置在电源馈线扫描电路50中所采用的移位寄存器的下一级处。

[典型应用]

根据上述实施例的显示装置通常被应用于图16～图20所示的各种电子设备。更具体地，该显示装置可用作电子设备(在所有领域中用作用于在显示装置上显示提供给设备的视频信号或者在设备中产生的视频信号作为图像或者视频的设备)中所采用的显示装置。电子设备的实例是数码相机、笔记本式个人计算机、诸如手机的便携式终端、以及摄影机。

如上所述，根据本发明的显示装置具有以下配置，其中，驱动晶体管还用作用于控制光电元件的发光时期/不发光时期的晶体管，并且通过使提供给驱动晶体管的电源电位从高电平切换为低电平(反之亦然)来控制发光时期/不发光时期。利用这种配置，能够高度可靠地执行期望的阈值电压校正处理。换句话说，这种配置能够以理想方式执行期望的阈值电压校正处理。因此，显示装置具有通过显示具有高质量的图像的能力所赋予的优点。如下描述了应用本发明实施例的几种典型的电子设备。

应注意，根据本发明的显示装置包括具有密封模块配置的显示装置。在典型的密封模块配置中，粘到诸如一块透明玻璃的反相(opposed)元件上的显示模块对应于像素阵列部30。在反相透明元件上，还能设置先前所述的滤色片、保护膜、光屏蔽膜和另一个组件。还应注意，在显示模块上，可设置电路或FPC(柔性印制电路)。电路用于从外部源输入信号并将信号提供给像素阵列部30，以及用于将来自像素阵列部30的信号输出至外部对象。

图16是示出了应用本发明实施例的TV的透视图的示图。如图所示，用作实施例的典型应用的TV采用了诸如包括前面板102和滤色玻璃103的视频显示屏101的部件。在TV中，根据本发明的显示装置用作视频显示屏101。

图17A和图17B是示出应用本发明实施例的数码相机的透视图的示图。更具体地，图17A是示出了前侧的透视图的示图，而图17B是示出了后侧的透视图的示图。如图所示，根据本实施例的数码相机采用了诸如发光部11、显示部112、菜单切换113和快门按钮114的部件。在数码相机中，根据本发明的显示装置用作显示部112。

图18是示出了应用本发明实施例的笔记本式个人计算机的透视图的示图。如图所示，根据本实施例的笔记本式个人计算机的主体121包括诸如键盘122和显示部123的部件。键盘122是用户操作以键入诸如字符串的输入的部件，以及显示部123是用于显示图像的部件。在笔记本式个人计算机中，根据本发明的显示装置用作显示部123。

图19是示出了应用本发明实施例的摄像机的透视图的示图。如图所示，根据本实施例的摄像机的主体131包括诸如透镜132、开始/停止开关133和显示部134的部件。在摄像机中，根据本发明的显示装置用作显示部134。

图20A～图20G是示出了应用本发明实施例的便携式终端的透视图的示图。便携式终端的实例是手机。更具体地，图20A是示出了手机的正面的示图，而图20B是了示出手机的侧面的示图。图20C是示出了处于折叠状态的手机的正面的示图，而图20D是示出了处于折叠状态的手机的左侧面的示图。图20E是示出了处于折叠状态的手机的右侧面的示图，而图20F是示出了处于折叠状态的手机的顶部的示图。图20G是示出了处于折叠状态的手机的底部的示图。如图所示，根据本实施例的手机采用了诸如上机壳141、下机壳142、链接部(或铰链部)143、显示部144、子显示部145、画面光146和照相机147的部件。在手机中，根据本发明的显示装置用作显示部144和副显示部145。

本领域的技术人员应了解，根据设计需要和其它因素，可以有各种修改、组合、子组合和改进，均应在本发明的所附权利要求或等同物的范围之内。

Claims (7)

1.一种显示装置，包括：

像素阵列部，包括经布置形成矩阵的像素电路，每个所述像素电路均具有：

光电元件，

写晶体管，被配置为执行电压存储处理，从而采样视频信号并将所采样的视频信号存储到所述像素电路中，

保持电容器，被配置为保持由所述写晶体管存储在所述像素电路中的所述采样视频信号，以及

驱动晶体管，被配置为基于由所述保持电容器保持的所述视频信号驱动所述光电元件；

第一扫描装置，连接至所述像素阵列部中的各行所述像素电路，用于以行为单位对所述像素阵列部中的所述像素电路执行选择性扫描操作，并驱动每个所述写晶体管以执行所述电压存储处理；

第二扫描装置，连接至所述像素阵列部中的所述各行像素电路，并被配置为同步于由所述第一扫描装置进行的所述选择性扫描操作，向用于为每个所述驱动晶体管提供电流的电源馈线选择性地提供第一电位或者低于所述第一电位的第二电位；以及

控制装置，用于在所述电压存储处理之前并且与所述驱动晶体管的阈值电压对应的电压被保持在所述保持电容器中之后，至少到由所述写晶体管执行的用于将所述视频信号存储在所述保持电容器中的所述电压存储处理的开始的时间为止的时期内，使所述电源馈线保持浮接状态。 

2.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述控制装置使用于提供所述第一电位的电源线和用于提供所述第二电位的电源线与所述电源馈线电断开。 

3.根据权利要求2所述的显示装置，其中，所述控制装置是连接在所述第二扫描装置的输出端和所述电源馈线之间的开关元件。 

4.根据权利要求2所述的显示装置，其中： 

所述第二扫描装置具有末级缓冲器，所述末级缓冲器包括第一P-沟道晶体管、第一N-沟道晶体管、第二P-沟道晶体管和第二N-沟道晶体管， 

所述第一P-沟道晶体管的源极连接至用于提供所述第一电位的所述电源线， 

所述第一N-沟道晶体管的源极连接至用于提供所述第二电位的所述电源线， 

所述第一P-沟道晶体管的漏极连接至所述第二P-沟道晶体管的源极， 

所述第二P-沟道晶体管的漏极连接至所述第二N-沟道晶体管的漏极， 

所述第一P-沟道晶体管的栅极连接至所述第一N-沟道晶体管的栅极，以及 

所述第二N-沟道晶体管的源极连接至所述第一N-沟道晶体管的漏极；以及 

所述第二N-沟道晶体管和所述第二P-沟道晶体管用作所述控制装置。 

5.根据权利要求2所述的显示装置，其中： 

所述第二扫描装置具有包括P-沟道晶体管和N-沟道晶体管的末级缓冲器， 

所述P-沟道晶体管的源极连接至用于提供所述第一电位的所述电源线， 

所述N-沟道晶体管的源极连接至用于提供所述第二电位的所述电源线， 

所述P-沟道晶体管的漏极连接至所述N-沟道晶体管的漏极，以及 

所述P-沟道晶体管的栅极接收相位与所述N-沟道晶体管的栅极接收的扫描脉冲的相位不同的扫描脉冲；以及 

所述P-沟道晶体管和所述N-沟道晶体管用作所述控制装置。 

6.一种显示装置采用的驱动方法，包括： 

像素阵列部，包括经布置形成矩阵的像素电路，每个所述像素电路均具有： 

光电元件， 

写晶体管，被配置为执行电压存储处理，从而采样视频信号并将所采样的视频信号存储到所述像素电路中，保持电容器，被配置为保持由所述写晶体管存储在所述像素电路中的所述采样所述视频信号，以及 

驱动晶体管，被配置为基于由所述保持电容器保持的所述视频信号驱动所述光电元件； 

第一扫描装置，连接至所述像素阵列部中的各行所述像素电路，用于以行选择性扫描操作，并驱动每个所述写晶体管以执行所述电压存储处理；以及

第二扫描装置，连接至所述像素阵列部中的所述各行像素电路，用于同步于由所述第一扫描装置执行的所述选择性扫描操作，向用于为每个所述驱动晶体管提供电流的电源馈线提供第一电位或低于所述第一电位的第二电位， 

从而，在所述电压存储处理之前并且与所述驱动晶体管的阈值电压对应的电压被保持在所述保持电容器中之后，至少到由所述写晶体管执行的用于将所述视频信号存储在所述保持电容器中的所述电压存储处理的开始的时间为止的时期内，所述电源馈线保持浮接状态。 

7.一种包括显示装置的电子设备，所述显示装置包括：

像素阵列部，包括经布置形成矩阵的像素电路，每个所述像素电路均具有：

光电元件，

写晶体管，被配置为执行电压存储处理，从而采样输入信号电压并将所采样的输入信号电压存储到所述像素电路中，

保持电容器，被配置为保持由所述写晶体管存储在所述像素电路中的所述采样输入信号电压，以及

驱动晶体管，被配置为基于由所述保持电容器保持的所述输入信号电压驱动所述光电元件；

第一扫描装置，连接至所述像素阵列部中的各行所述像素电路，用于以行为单位对所述像素阵列部中的所述像素电路执行选择性扫描操作，并驱动每个所述写晶体管以执行所述电压存储处理； 

第二扫描装置，连接至所述像素阵列部中的所述各行像素电路，用于同步于由所述第一扫描装置执行的所述选择性扫描操作，向用于为每个所述驱动晶体管提供电流的电源馈线选择性地提供第一电位或低于所述第一电位的第二电位；以及

控制装置，用于在所述电压存储处理之前并且与所述驱动晶体管的阈值电压对应的电压被保持在所述保持电容器中之后，在至少到由所述写晶体管执行的用于将所述视频信号存储在所述保持电容器中的所述电压存储处理的开始的时间为止的时期内，使所述电源馈线保持浮接状态。 

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