CN101253825A - 片状复合电子部件及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明包括下述构成：具备：在至少一方的主面形成有第1薄膜电子部件(2、3)，在该主面或另一方的面上形成有与外部电路连接用的外部连接端子的第1片状基板(1)；在至少一方的主面形成有第2薄膜电子部件(6)的第2片状基板(5)；使第1薄膜电子部件(2、3)和第2薄膜电子部件(6)相向，粘接固定第1片状基板(1)和第2片状基板(5)的绝缘性粘接树脂层(9)；以及将第1薄膜电子部件(2、3)和第2薄膜电子部件(6)的预先设定的电极端子之间电连接的层间连接导体(7)。

Description

片状复合电子部件及其制造方法
技术领域
本发明涉及在柔性片状的基体材料搭载多个具有不同功能的薄膜电子部件的复合化电子部件，具体地说，涉及包括薄型的LC电路、CR电路的片状复合电子部件(以下，记为“复合电子部件”)及其制造方法。
背景技术
近年，伴随以便携电话机为代表的便携终端设备的小型化、薄型化、高功能化，电子部件也要求芯片部件的进一步薄型、小型化。但是，仅仅是芯片部件小型、薄型化，在对电路基板进行安装等的制造工序方面预测会产生非常大的困难。
对此，日本特开平9-171949号公报(以下，记为“专利文献1”)中，公开了具有预定尺寸的有机膜和在该膜以预定的顺序搭载的多个功能部件的电子部件及其制造方法。该电子部件的制造方法的特征在于包括：供给预定宽度的带(tape)的第1供给工序；供给搭载有功能部件的多个带的第2供给工序；以及将多个功能部件以预定的顺序搭载到由第1供给工序供给的带的搭载工序。
该复合构成的电子部件中，在1片单位基板上复合地搭载电阻、电容及电感等。从而，与将分别制作的电子部件，例如芯片部件等分别安装到电路基板的方法相比，可形成较高的密度。
但是，该复合电子部件，是将以薄膜方式形成的电子部件在平面上排列的构成，在这样的平面上的配置构成中，电子部件的集成度受到限制。
对此，日本特开2005-45112号公报(以下，记为“专利文献2”)公开了在例如基体材料上依次层叠形成电子部件的3维构成。
该部件内置的柔性电路基板，具有柔性耐热性树脂膜的基体材料和至少1个薄膜无源部件，后者用由导电体薄膜形成的第1电极电路布线及第2电极电路布线夹持由电介质、电阻体及导体的任一材料形成的功能性薄膜而构成。薄膜无源部件的第1电极电路布线、第2电极电路布线及功能性薄膜的膜厚都比基体材料薄，而且在基体材料上多层层叠薄膜无源部件，形成无源部件层叠体。
该部件内置柔性电路基板采用在薄的有机膜基体材料上直接形成厚度为1μm以下的电容、电阻等的功能性薄膜的技术，与传统的芯片部件比较，其厚度约为1/100。而且，若利用薄且柔性的基体材料的性质，则还可在有限的空间进行器件的设置。另外，通过层叠连接具有器件功能的片状构件彼此，可使器件间的布线长度非常短，能降低高频信号的传输损耗。而且，由于可层叠多个无源部件，因此可显著提高电路设计的自由度。
上述专利文献1中，各个电子部件用薄膜形成法或印刷法形成，因此与传统的芯片部件比较，可显著变薄。另外，由于还可预先检查各个电子部件或通过修整等调节其特性，因此，可以仅使合格品搭载在主带上，形成复合化的电子部件。
但是，该例中，只能获得各个电子部件在平面上排列并安装的平面配置结构的电子部件。
另一方面，上述专利文献2中是用薄膜形成法三维地层叠电子部件的构成，因此可实现小型化、薄型化。
但是，该例中，虽然说明了例如层叠电阻和电容、电容之间、或者电容和电感的示例，但是为了用薄膜形成法对它们进行层叠，必须多次反复进行成膜工序及图形加工工序，工序非常复杂。
另外，先制作完成的薄膜电子部件容易受到其上层叠的薄膜电子部件的制作工序的影响而成为不合格品。例如，在先制作完成的电容上形成电阻时，由于电阻形成时的加热、用于形成预定的图形的刻蚀等，容易产生电容的短路、特性的劣化。结果，由于作为层叠后的最终构成的部件内置的柔性电路基板的成品率低，因此存在成本变高的问题。
发明内容
本发明的复合电子部件，具备：在至少一方的主面形成第1薄膜电子部件，在上述一方的主面或另一方的主面上形成与外部电路连接用的外部连接端子的第1片状基板；在至少一方的主面形成第2薄膜电子部件的第2片状基板；以及使上述第1薄膜电子部件和上述第2薄膜电子部件相向地，粘接固定上述第1片状基板和上述第2片状基板的绝缘性粘接树脂层。
通过该构成，由于层叠包括多个薄膜电子部件的电子部件而形成片状复合电子部件，因此与在平面上配置电子部件的构成相比，可进一步小型化。而且，这些薄膜电子部件与通常采用的芯片部件等相比非常薄，因此即使层叠，其厚度也可比芯片部件等薄。从而，除了小型化还可实现薄型化。
另外，本发明的复合电子部件的制造方法，包括：在第1树脂片的至少一方的主面形成多个第1薄膜电子部件，以及在上述主面或另一方的面上形成与外部电路连接用的外部连接端子的工序；在第2树脂片的至少一方的主面中且在与上述第1薄膜电子部件对应的位置形成第2薄膜电子部件的工序；在上述第1薄膜电子部件或上述第2薄膜电子部件的预先设定的电极端子上电及机械地连接层间连接导体的工序；将上述第1薄膜电子部件和上述第2薄膜电子部件位置对齐并加压，通过上述层间连接导体电连接上述第1薄膜电子部件和上述第2薄膜电子部件的各个电极端子之间，并通过绝缘性粘接树脂层对上述第1树脂片和上述第2树脂片之间粘接固定的工序；以及通过切断上述第1树脂片和上述第2树脂片而制成复合电子部件的工序。
通过该方法，将第1薄膜电子部件和第2薄膜电子部件分别在第1树脂片和第2树脂片中分开而分别形成，因此各自的工序简化。而且，由于在统一进行它们的粘接和层间的电连接后进行切断而制作复合电子部件，因此可防止制造时的不良发生，且成品率高地进行制造。
附图说明
图1A是本发明第1实施例中的复合电子部件的要部剖面图。
图1B是本发明第1实施例中的复合电子部件的俯视图。
图1C是本发明第1实施例中的复合电子部件的等效电路图。
图2A是说明本发明第1实施例的复合电子部件的制造方法的剖面图。
图2B是说明本发明第1实施例的复合电子部件的制造方法的剖面图。
图2C是说明本发明第1实施例的复合电子部件的制造方法的剖面图。
图2D是说明本发明第1实施例的复合电子部件的制造方法的剖面图。
图2E是说明本发明第1实施例的复合电子部件的制造方法的剖面图。
图2F是说明本发明第1实施例的复合电子部件的制造方法的剖面图。
图2G是说明本发明第1实施例的复合电子部件的制造方法的剖面图。
图3A是表示本发明第1实施例的复合电子部件的其他制造方法中，在构成第2片状基板的第2树脂片上以一定的间隔形成多个电感元件的状态的俯视图。
图3B是表示本发明第1实施例的复合电子部件的其他制造方法中，在包括多个第1片状基板的第1树脂片上形成多个电容元件的状态的俯视图。
图3C是表示本发明第1实施例的复合电子部件的其他制造方法中，这些第2树脂片和第1树脂片贴合的状态的俯视图。
图4A是表示本发明第2实施例中的复合电子部件的构成的剖面图。
图4B是表示本发明第2实施例中的复合电子部件的第2片状基板的构成的俯视图。
图4C是说明本发明第2实施例中的复合电子部件的第1片状基板的构成的俯视图，且是在第2片状基板贴合时与电感元件的电连接的示意图。
图4D是本发明第2实施例中的复合电子部件的等效电路图。
图5A是表示本发明第2实施例的第1变形例的复合电子部件的构成的剖面图。
图5B是说明本发明第2实施例的第1变形例的复合电子部件的第1片状基板的构成的俯视图，且是表示第2片状基板贴合时与电感元件的电连接的示意图。
图5C是本发明第2实施例的第1变形例的复合电子部件的等效电路图。
图6A是表示本发明第2实施例的第2变形例的复合电子部件的构成的剖面图。
图6B是说明本发明第2实施例的第2变形例的复合电子部件的第1片状基板的构成的俯视图，且是表示贴合第2片状基板时与电感元件的电连接的示意图。
图6C是本发明第2实施例的第2变形例的复合电子部件的等效电路图。
图7A是说明本发明第3实施例中的复合电子部件的构成的从第2片状基板侧观察的俯视图。
图7B是图7A的7B-7B线的剖面图。
图7C是本发明第3实施例中的复合电子部件的等效电路图。
图8A是表示本发明第3实施例的复合电子部件的制造方法中，在长条的膜状的第2树脂片上以一定间距形成电阻元件的状态的剖面图。
图8B是表示本发明第3实施例的复合电子部件的制造方法中，在长条的膜状的第2树脂片上以一定间距形成电阻元件的状态的俯视图。
图9A是表示本发明第3实施例的复合电子部件的制造方法中，在长条的膜状的第1树脂片上以与第2树脂片上形成的电阻元件对应的间距形成电容元件的状态的剖面图。
图9B是表示本发明第3实施例的复合电子部件的制造方法中，在长条的膜状的第1树脂片上以与第2树脂片上形成的电阻元件对应的间距形成电容元件的状态的俯视图。
图10A是第1树脂片和第2树脂片的剖面图，用于说明本发明第3实施例的复合电子部件的制造方法中，贴合从第2树脂片沿切断线切断而制作的第2片状基板的工艺。
图10B是说明本发明第3实施例的复合电子部件的制造方法中，将从第2树脂片沿切断线切断而制作的第2片状基板与第1树脂片贴合的工序的俯视图。
图11A是说明本发明第4实施例中的复合电子部件的构成的俯视图。
图11B是表示本发明第4实施例中的复合电子部件的去除第2片状基板的一部分的内部构成的俯视图。
图11C是本发明第4实施例中的复合电子部件的等效电路图。
图12A是在第2树脂片上以一定的排列间距形成4个电阻元件阵列的状态的示图，说明本发明第4实施例的复合电子部件的各个薄膜电子部件的构成和它们的连接构成。
图12B是在第1树脂片上与电阻元件对应的位置形成电容元件的状态的示图，说明本发明第4实施例的复合电子部件的各个薄膜电子部件的构成和它们的连接构成。
图13A是说明本发明第5实施例中的复合电子部件的构成的俯视图。
图13B是图13A的13B-13B线的剖面图。
图13C是图13A的13C-13C线的剖面图。
图14是本发明第5实施例中的复合电子部件的等效电路图。
图15A是表示在本发明第5实施例中的复合电子部件中采用的第2片状基板上形成的第2薄膜电子部件的构成的俯视图。
图15B是表示在本发明第5实施例中的复合电子部件中采用的第1片状基板上形成的第1薄膜电子部件的构成的俯视图。
图15C是表示在本发明第5实施例中的复合电子部件中采用的第3片状基板上形成的第3薄膜电子部件的构成的俯视图。
符号的说明
1，23，26，72，85第1片状基板
2，3，32，49，50，51，52，84电容元件(第1薄膜电子部件)
2A，3A，32A，53，84A下部电极层
2B，3B，32B，54，84B电介质层
2C，3C，32C，55，84C上部电极层
4电容电极端子
5，17，21，24，33，73，83第2片状基板
5A端子露出部
6，19，20电感元件(第2薄膜电子部件)
7，8，25，37，91，98层间连接导体
9，36，90，92绝缘性粘接树脂层(粘接层)
10，11，12，13，27，28，29，41，42，43，44，45，46，47，48，56，86，87，93，94，95，96外部连接端子
14，34，57第2树脂片
14A，71缺口部
15，15A，15B，15C切断线
16，35，40第1树脂片
18，89，97，99，181贯通导体
22层间绝缘层
30，82一方的电极端子
31，58，59，60，61，81电阻元件(第2薄膜电子部件)
31A，63，81A电阻体层
31B，81B另一方的电极端子
62，64，65，66，67，68，69，70电极端子
88第3片状基板
100，110，120，130，140，150，160复合电子部件
101电感元件(第3薄膜电子部件)
101A，101B端子图形
具体实施方式
以下，参照图面详细说明本发明的实施例。另外，对相同要件附上相同符号，有时其说明省略。另外，俯视图中，为了方便理解，有部分的层省略或者缺失表示的情况。
(第1实施例)
图1A到图1C是表示本发明第1实施例的复合电子部件100的构成的示图，图1A是要部剖面图，图1B是俯视图，图1C是等效电路图。另外，图1A表示图1B的1A-1A线的剖面图。
如图1A和图1B所示，本实施例的复合电子部件100具备第1片状基板1、第2片状基板5以及粘接固定第1片状基板1和第2片状基板5的绝缘性粘接树脂层9。第1片状基板1在至少一方的主面形成第1薄膜电子部件2、3，而且在该一方的主面或另一方的主面上形成与外部电路连接用的外部连接端子10、11、12、13。另外，第2片状基板5在至少一方的主面形成第2薄膜电子部件6。绝缘性粘接树脂层9以使第1薄膜电子部件2、3和第2薄膜电子部件6相向的状态，粘接固定第1片状基板1和第2片状基板5。
另外，本实施例中，为了电连接第1薄膜电子部件2、3和第2薄膜电子部件6的预先设定的电极端子之间，还设置有层间连接导体7、8。
即，在第1片状基板1的一方的主面，设置第1薄膜电子部件2、3即2个电容元件。以下，对作为第1薄膜电子部件2、3的电容元件2、3进行说明。一方的电容元件2由下部电极层2A、电介质层2B及上部电极层2C形成。同样，另一方的电容元件3也由下部电极层3A、电介质层3B及上部电极层3C形成。
一方的电容元件2的下部电极层2A的布线图形延伸，与外部连接端子12连接。而且，上部电极层2C在贴合有第2片状基板5时，与在与第2薄膜电子部件6的另一方的端子对应的位置设置的电容电极端子及外部连接端子11连接。
另外，另一方的电容元件3的下部电极层3A的布线图形延伸，与外部连接端子13连接。而且，上部电极层3C与外部连接端子10连接，该外部连接端子10和电容电极端子4通过布线导体连接。
另外，在第2片状基板5，形成第2薄膜电子部件6即电感元件。以下，说明作为第2薄膜电子部件6的电感元件6。该电感元件6是由导体形成的螺旋状结构形成的。该电感元件6的一方的电极端子延伸到与第1片状基板1的电容电极端子4对应的位置。另外，另一方的电极端子设置在螺旋线圈的中心的、且对应于与电容元件2的上部电极层2C连接的电容电极端子的位置。
这样形成的第1片状基板1和第2片状基板5用绝缘性粘接树脂层(以下，记为“粘接层”)9以下述方式贴合，该方式为：使电容元件2、3的电容电极端子和电感元件6的电极端子在相向的面侧贴合。此时，至少对于电感元件侧的包围电感元件的区域的粘接层9，可采用下记所述的分散有磁粉的材料。然后，经由层间连接导体7，将电感元件6的一方的电极端子和电容元件2的一方的电容电极端子连接。另外，同样经由层间连接导体8，将电感元件6的另一方的电极端子和从电容元件2的上部电极层2C延伸的电容电极端子连接。
如图1B所示，在第1片状基板1，形成端子露出部5A。即，通过在第2片状基板5的端子露出部5A所对应的位置设置缺口部，使在第1片状基板1形成的外部连接端子10、11、12、13露出。通过露出的外部连接端子10、11、12、13，分别与电路基板(未图示)的布线图形的端子部连接。另外，电容电极端子4是将电感元件6与外部连接端子10连接用的中继端子。另外，外部连接端子10、11与例如电路基板的信号端子连接，外部连接端子12、13与电路基板的接地端子连接。
另外，外部连接端子10、11、12、13也可以不必如上述地形成在第1片状基板1的形成有电容元件2、3的面上，而设置在第1片状基板1的另一方的面。该场合，虽然必须在第1片状基板1设置贯通导体，但是不必在第2片状基板5设置缺口部。
这样，如图1C所示，可获得由1个电感、2个电容构成的作为功能电路的π型结构的LC滤波器。
这样的复合电子部件100，可以使用下记的材料。作为第1片状基板1、第2片状基板5，可采用例如聚酰亚胺膜，聚酯膜等的柔性高分子膜。电容元件2、3的下部电极层2A、3A、上部电极层2C、3C及电感元件6的导体，可采用包括铝(Al)、钛(Ti)、钽(Ta)、铜(Cu)、镍(Ni)、银(Ag)、金(Au)或这些的合金的材料，通过例如蒸镀法、溅射法等形成。而且，根据需要也可以进行镀敷等。另外，作为电介质层的材料，采用二氧化钛、钛酸锶或氧化铝等，例如利用溅射法、蒸镀法或者溶胶凝胶法等形成。
粘接层9的材料也可采用例如环氧类树脂。或者，也可采用橡胶类的粘接树脂。若采用具有柔性的粘接树脂，则在贴合后也可保持柔性。另外，也可采用例如分散有铁氧体等的磁粉的粘接树脂。该场合，在包围电感元件的区域也可采用磁粉的添加量多的粘接树脂。采用这样的粘接树脂，可增大电感元件6的电感值。
以下，参照图2A到图2G说明本实施例中的复合电子部件100的制造方法。
图2A到图2G是说明在第1片状基板1上形成电容元件2、3的工序及将在第2片状基板5形成的电感元件6位置对齐地贴合到第1片状基板1上的工序的主要工序剖面图。另外，图2A到图2G用图1B所示的1A-1A线的剖面图表示。
图2A和图2B是说明在制作有电感元件6的第2片状基板5上配置层间连接导体7、8的工序的工序剖面图。另外，图2C到图2F是说明在第1片状基板1上的电容元件2、3的制造工序的工序剖面图。图2G是说明将第1片状基板1和第2片状基板5通过粘接层9粘接形成复合电子部件的制造工序的工序剖面图。
首先，如图2A所示，在第2片状基板5的主面形成电感元件6。该场合的电感元件6，可例如用溅射法形成铜(Cu)后进行刻蚀，通过图形加工成螺旋状而容易地形成。另外，根据需要也可进行镀敷等。
接着，在电感元件6的一方的端子和处于螺旋的中心的另一方的端子上，分别设置层间连接导体7、8。该层间连接导体7、8也可采用例如导电性粘接剂。或者，也可以通过导电性粘接剂粘接金属柱或表面被镀敷的树脂柱等。或者，也可采用由引线键合方式形成的凸起。另外，在第2片状基板5，在与图1B所示端子露出部5A对应的位置设置缺口。另外，电感元件6的厚度最好为5～50μm。另外，电容元件2、3的厚度为1～10μm左右。从而，层间连接导体7、8的厚度为6～60μm左右即可。
接着，说明在第1片状基板1上制作电容元件2、3的工序。
如图2C所示，在第1片状基板1的面上，形成：下部电极层2A、3A；与这些下部电极层2A、3A连接的外部连接端子12、13；与上部电极层2C、3C连接用的外部连接端子10、11；及中继用的电容电极端子4。另外，虽然未图示，也形成与层间连接导体8连接用的电容电极端子。它们若通过例如溅射法形成铝(Al)并通过曝光及刻蚀工艺等进行加工，则可容易地形成。
对于外部连接端子10、11、12、13，为了能与外部电路通过焊料进行连接等，可在例如镀敷镍(Ni)、铜(Cu)等后，再镀敷金(Au)而形成。另外，该镀敷也可在电容元件2、3形成后进行。
接着，如图2D所示，以覆盖下部电极层2A、3A的方式形成电介质层2B、3B。电介质层2B、3B若通过例如溅射法形成钛酸锶(ST)后通过曝光及刻蚀工艺进行加工，则可容易地形成。
接着，如图2E所示，经由电介质层2B、3B形成具有分别与下部电极层2A、3A重叠的区域的上部电极层2C、3C。该上部电极层2C、3C可通过与下部电极层同样的方法形成。但是，对上部电极层2C、3C刻蚀加工时，必须采用不会使下部电极层2A、3A被刻蚀的不同导体材料或者通过抗蚀剂进行保护等的公知的方法。
接着，如图2F所示，在第1片状基板1的表面形成粘接层9。该粘接层9可通过例如印刷法等形成粘接剂膏体，也可以贴合具有预定的厚度的粘接片。另外，也可在图2B所示的形成有层间连接导体7、8的第2片状基板5的表面形成粘接层9。
接着，如图2G所示，在粘接第1片状基板1和第2片状基板5的同时，由层间连接导体7、8进行层间的电连接。该场合，层间连接导体7、8和第1片状基板1的电容电极端子4通过压接被电连接。但是，不一定限于压接，例如也可采用导电性粘接剂。
通过以上，可制作本实施例的复合电子部件100。
本实施例的复合电子部件100的制造方法，在第2片状基板5上仅仅形成电感元件6，在第1片状基板1上仅仅形成电容元件2，3。从而，各个片状基板上的成膜工艺及加工工艺简单，且不会因层叠而导致下层的电子部件产生不良。其结果为，可成品率高地制造复合电子部件100。
另外，本实施例的复合电子部件也可采用长条的膜状的树脂片，在各个树脂片上形成第1薄膜电子部件和第2薄膜电子部件后，通过贴合的方法制作。
图3A到图3C是表示用长条的膜状的树脂片形成时的示例的主要工序的俯视图。即，该例包括以下的方法，即，在长条的膜状的第1树脂片16和第2树脂片14的表面分别以一定的间距统一制作电容元件2、3和电感元件6，将它们贴合后切断成预定的形状，制造本实施例的复合电子部件100的方法。
本实施例的复合电子部件100的制造方法包括以下方法，该方法包括以下工序：在第1树脂片16的至少一方的主面形成多个电容元件2，3及在该主面或另一方的面上形成与外部电路连接用的外部连接端子10、11、12、13的工序；在第2树脂片14的至少一方的主面，且在与电容元件2、3对应的位置形成电感元件6的工序；在电容元件2、3或电感元件6的预先设定的电极端子上电及机械地连接层间连接导体7、8的工序；使电容元件2、3和电感元件6位置对齐并加压，通过层间连接导体7、8电连接电容元件2、3和电感元件6的各个电极端子之间，并通过粘接层9粘接固定第1树脂片16和第2树脂片14之间的工序；以及通过切断第1树脂片16和第2树脂片14而形成复合电子部件的工序。
以下，根据图3A到图3C详细说明本实施例的制造方法。
图3A表示在构成第2片状基板5的第2树脂片14上，电感元件6以一定的间距形成多个的状态。在第2树脂片14，形成缺口部14A。形成最终的本实施例的复合电子部件100时，通过沿该缺口部14A的中心的切断线15切断。即，由切断线15夹持的区域成为第2片状基板5。
图3B表示在包括多个第1片状基板1的第1树脂片16上，电容元件2、3以与电感元件6相同的间距形成多个的状态。通过图3B所示的切断线15，被最终地切断。即，切断线15夹持的区域成为第1片状基板1。
图3C是表示将这些第2树脂片14和第1树脂片16贴合的状态的示图。另外，为了便于理解，除去了第2树脂片14的一部分进行表示。贴合前，预先形成图2A到图2G说明的层间连接导体及粘接层的工序，是同样的。通过粘接，电感元件6的一方的电极端子和电容元件3的一方的电极端子，电感元件6的另一方的电极端子和电容元件2的一方的电极端子，分别通过层间连接导体7、8连接。另外，由于在第2树脂片14设置有缺口部14A，因此形成：在第1树脂片16设置的外部连接端子10、11、12、13露出的区域，即端子露出部5A。这样的状态后，若沿切断线15切断，则可一次获得大量的图1A所示的复合电子部件100。
另外，本实施例中，层间连接导体7、8和在第1片状基板1上设置的连接端子的连接采用压接，但是也可由焊接、导电性粘接剂进行连接等。该场合，也可在先通过焊接或者导电性粘接剂连接后，注入液状的粘接层9。
另外，本实施例中，说明了用1个电感元件、2个电容元件形成LC滤波器的复合电子部件的情况，但是本发明不限于此。例如，也可以是配置多个LC滤波器的多联结构的复合电子部件。
(第2实施例)
图4A到图4D是表示本发明第2实施例中的复合电子部件110的构成的示图。另外，本实施例中，也以第1薄膜电子部件为电容元件、第2薄膜电子部件为电感元件的场合为例进行说明。
图4A是沿图4C的4A-4A线的剖面部分的示图。但是，如后述，图4C中仅仅示意地图示了第2片状基板17，因此不是正确的剖面图。图4B是表示第2片状基板17的构成的俯视图。图4C是说明第1片状基板1的构成的俯视图，并且是贴合第2片状基板17时与电感元件19、20电连接的示意图。图4D是等效电路图。
本实施例中的复合电子部件110的特征是，与第1实施例的复合电子部件100具有同一形状，通过串联电感元件19、20，进一步增大电感值。
以下，说明作为第2薄膜电子部件19、20的电感元件19、20。
即，本实施例中，如图4A所示，在第2片状基板17的各自的面上形成电感元件19、20，通过贯通导体18进行串联，螺旋的卷绕数成为2倍。从而，电感元件19、20的螺旋的卷绕方向是同一方向。从而，获得为第1实施例的复合电子部件100的电感元件6的电感值的约2倍的电感值。
如图4B所示，在第2片状基板17的两面形成电感元件19，20，它们通过在中央部及一方的端部设置的贯通导体18、18A连接。从图4B可明白，电感元件19、20串联。
如图4C所示，在第1片状基板1的一方的面，形成第1薄膜电子部件2、3即电容元件。以下，说明作为第1薄膜电子部件2、3的电容元件2、3。该制作方法与第1实施例同样，因此说明省略。但是，第1实施例中设置电容电极端子4，而本实施例未设置，这点不同。
用图4C说明电感元件19、20和电容元件2、3的连接。电感元件19的一方的电极端子通过层间连接导体(未图示)连接到外部连接端子10。此外，另一方的电极端子经由贯通导体18与电感元件20的一方的电极端子连接。电感元件20的另一方的电极端子，通过层间连接导体(未图示)连接到外部连接端子11。
另外，贯通导体18也可以这样制作，即，在第2片状基板17预先开设贯通孔，电感元件19、20形成时在贯通孔也形成导电性薄膜。或者，也可以在电感元件19，20形成前，预先通过蒸镀法、镀敷法或印刷法等形成。
通过以上的连接构成，可获得由图4D的等效电路所示的电感元件19、20串联而成的π型结构的LC滤波器。
另外，本实施例的复合电子部件110中，第1片状基板1、第2片状基板17、电容元件2、3、电感元件19、20、层间连接导体、粘接层等的材料及其制作方法可以与第1实施例同样，因此说明省略。
另外，本实施例中，也与第1实施例同样，可采用图3A到图3C所示的长条的膜状的树脂片，在它们上分别形成电容元件2、3和电感元件19、20并在贴附后进行切断，制作复合电子部件。
另外，本实施例中，说明了基本上采用1个电感元件、2个电容元件的LC滤波器结构的复合电子部件110，但是本发明不限于此。例如，也可以是配置多个LC滤波器的多联结构的复合电子部件。
图5A是表示本实施例的第1变形例的复合电子部件120的构成的剖面图，图5B是说明第1片状基板1的构成的俯视图，同时是贴合第2片状基板21时与电感元件19、20的电连接的示意图，图5C是等效电路图。另外，图5A是图5B所示的5A-5A线的剖面图，也包括电感元件19、20的构成而表示。
该第1变形例的复合电子部件120也通过串联电感元件19、20，可使电感值为第1实施例的复合电子部件100的电感元件6的电感值的约2倍。因而，第1变形例的复合电子部件120中，在第2片状基板21的一方的主面，经由层间绝缘层22层叠形成2个电感元件19、20。
如图5A所示，在第2片状基板21的一方的主面形成电感元件19。在其上形成层间绝缘层22。而且，在层间绝缘层22上形成电感元件20。从而，获得2个电感元件19、20在第2片状基板21上串联的构成。另外，基本的构成与图4B所示的电感元件19、20相同。
接着，用图5B说明电感元件19、20和电容元件2、3的连接。电感元件19的一方的电极端子通过层间连接导体(未图示)连接到外部连接端子10。此外，另一方的电极端子，通过贯通导体181连接到电感元件20的一方的电极端子。电感元件20的另一方的电极端子通过层间连接导体(未图示)连接到外部连接端子11。
通过以上的连接构成，可获得图5C的等效电路所示的电感元件19、20串联的π型结构的LC滤波器。
另外，该第1变形例的复合电子部件120中，第1片状基板1、第2片状基板21、电容元件2、3、电感元件19、20、层间连接导体、粘接层等的材料及其制作方法也可与第1实施例同样，因此说明省略。另外，层间绝缘层22可例如通过溅射等形成氧化硅等的无机绝缘膜。或者，也可用绝缘性树脂膏体通过印刷法形成。而且，贯通导体181可通过预先在层间绝缘层22的预定的部位设置开口部，并在电感元件20形成的同时，在开口部也形成导电性薄膜而制作。或者，也可以在电感元件20形成前，预先通过蒸镀法、镀敷法或印刷法等形成。
通过以上的连接构成，可获得图5C的等效电路所示的电感元件19、20串联的π型结构的LC滤波器。
另外，该第1变形例的复合电子部件120中，第1片状基板1、第2片状基板21、电容元件2、3、电感元件19、20、层间连接导体、粘接层等的材料及其制作方法，也可与第1实施例同样，因此说明省略。
另外，该第1变形例的场合中，也可与第1实施例同样，采用图3A到图3C所示的长条的膜状的树脂片，在它们上分别形成电容元件2、3和电感元件19、20并贴附后，进行切断，制作第1变形例的复合电子部件120。
另外，该第1变形例的复合电子部件120中，说明了基本采用1个电感元件、2个电容元件的LC滤波器结构，但是本发明不限于此。例如，也可是配置多个LC滤波器的多联结构的复合电子部件。
图6A是表示本实施例的第2变形例的复合电子部件130的构成的剖面图，图6B是说明第1片状基板23的构成的俯视图，同时是贴合第2片状基板24时与电感元件19、20的电连接的示意图，图6C是等效电路图。另外，图6A是图6B所示的6A-6A线的剖面图，也包括电感元件19、20的构成而表示。
该第2变形例的复合电子部件130也可通过串联电感元件19、20，使电感值为第1实施例的复合电子部件100的电感元件6的电感值的约2倍。
以下，进一步详细说明该第2变形例的复合电子部件130的构成。
如图6A所示，在第2片状基板24的主面，形成电感元件19。另一方面，在第1片状基板23的一方的主面，形成电容元件2、3。另外，在另一方的主面，形成电感元件20。然后，第1片状基板23和第2片状基板24通过粘接层9粘接固定。另外，基本的构成与图4B所示的电感元件19、20相同。
该粘接固定时，也进行电感元件19、20间的层间连接。以下，说明电感元件19、20、电容元件2、3及外部连接端子10、11、12、13之间的连接结构。电感元件19的一方的电极端子，按图6B示意所示地，通过在第1片状基板23的未图示位置设置的贯通导体电连接到外部连接端子10。而且，电感元件19的另一方的电极端子，通过层间连接导体25电连接到电感元件20的一方的电极端子。而且，电感元件20的另一方的电极端子，通过层间连接导体(未图示)电连接到在第1片状基板23的另一方的主面的未图示位置设置的中继用电极端子。另外，未图示的中继用电极端子，经由在第1片状基板23设置的贯通导体(未图示)电连接到外部连接端子11。
通过以上的连接构成，可获得图6C的等效电路所示的电感元件19、20串联的π型结构的LC滤波器。
另外，该第2变形例的复合电子部件130中，第1片状基板23、第2片状基板24、电容元件2、3、电感元件19、20、层间连接导体、粘接层等的材料及其制作方法也可以与第1实施例同样，因此说明省略。
另外，第2变形例的场合中，也与第1实施例同样，可采用图3A到图3C所示的长条的膜状的树脂片，在它们上分别形成电容元件2、3和电感元件19、20并在贴附后进行切断，制作第2变形例的复合电子部件130。
另外，该第2变形例的复合电子部件130中，说明了基本采用1个电感元件、2个电容元件的LC滤波器构成，但是本发明不限于此。例如，也可以是配置多个LC滤波器的多联结构的复合电子部件。
另外，本实施例中，说明了形成π型构成的LC滤波器的情况，但是本发明不限于此。例如，也可同样制作T型构成的LC滤波器。在该T型构成的LC滤波器的情况下，也可形成多联结构。
(第3实施例)
图7A是说明本发明第3实施例中的复合电子部件140的构成的从第2片状基板33侧观察的俯视图。图7B是图7A的7B-7B线的剖面图。图7C是其等效电路图。
本实施例的复合电子部件140包括以下的结构，即，在第1片状基板26形成的第1薄膜电子部件即电容元件32和在第2片状基板33形成的第2薄膜电子部件即电阻元件31通过层间连接导体37电连接，且第1片状基板26和第2片状基板33通过绝缘性粘接树脂层36粘接固定的结构。以下，说明作为第1薄膜电子部件的电容元件32和作为第2薄膜电子部件的电阻元件31。
另外，从图7A到图7C可明白，本实施例的复合电子部件140分别各设置5个电容元件32及电阻元件31。
如图7C的等效电路图所示，各个电容元件32的下部电极层32A的延伸部与外部连接端子28连接，上部电极层32C的延伸部与外部连接端子29连接。
另外，各个电阻元件31的一方的电极端子30共同连接在一起，如图7C所示，经由层间连接导体37与作为接地端子的外部连接端子27连接。相对于此，各个电阻元件31的另一方的电极端子31B和电容元件32的下部电极层32A的延伸部，同样通过层间连接导体37电连接。
外部连接端子27、28、29即使在贴合第2片状基板33后也露出，可容易地连接到外部电路。
从而，获得多联的CR高通滤波器构成的复合电子部件140。该复合电子部件140与由传统的芯片部件构成的CR滤波器相比，可显著变薄，若配置在例如半导体芯片、连接器元件等的下方，则几乎不会增加整体的厚度，可实现高密度的电子电路装置。
图8A到图10B是用于说明本实施例的复合电子部件140的制造方法的图。
图8A及图8B是表示在长条的膜状的第2树脂片34上以一定的间距形成电阻元件31的状态的示图。图8A是图8B所示的8A-8A线的剖面图，图8B是俯视图。
电阻元件31由独立的另一方的电极端子31B和全部共同连接在一起的一方的电极端子30以及连接在两电极端子30、31B之间的电阻体层31A构成。该电阻元件31可通过用溅射法形成成为电阻体层31A的材料例如镍铬合金且用溅射法形成成为一方的电极端子30及另一方的电极端子31B的材料例如铝(Al)后，借助曝光工艺和刻蚀工艺而形成。另外，贴合到第1树脂片35时，在沿切断线15A切断第2树脂片34而成为第2片状基板33的状态后进行贴合。
图9A及图9B是表示在长条的膜状的第1树脂片35上，以与在第2树脂片34形成的电阻元件31对应的间距形成电容元件32的状态的示图。图9A是图9B所示的9A-9A线的剖面图，图9B是俯视图。
电容元件32与第1实施例同样，在第1树脂片35上层叠下部电极层32A、电介质层32B及上部电极层32C并进行预定的图形加工而形成。这些电容元件32形成为各自独立的图形形状。而且，下部电极层32A的延伸部连接到各自独立的外部连接端子28。另外，上部电极层32C的延伸部也连接到各自独立的外部连接端子29。而且，在形成有外部连接端子29的区域，配置与电阻元件31的一方的电极端子30连接的成为接地端子的外部连接端子27。
图10A及图10B是说明贴合从第2树脂片34沿切断线15A切断而制作的第2片状基板33的工艺的图，图10A是图10B所示的10A-10A线的剖面图，图10B是俯视图。
如图10A及图10B的左侧所示，从长条的第2树脂片34沿切断线15A切断而获得形成有电阻元件31的第2片状基板33后，将第2片状基板33贴合到第1树脂片35的面上。该场合，预先将层间连接导体37分别电连接到电阻元件31的一方的电极端子30和另一方的电极端子31B的表面上并固定。另外，一方的电极端子30的表面上固定的层间连接导体37在与外部连接端子27的延伸部相向的位置设置一个即可。而且，预先在第1树脂片35的形成有电容元件32的面上形成粘接层36。
然后，在第1树脂片35上粘接第2片状基板33并通过层间连接导体37进行层间的电连接。该连接中，各个电阻元件31的一方的电极端子30通过层间连接导体37电连接到成为接地端子的外部连接端子27。另一方面，各个电阻元件31的另一方的电极端子31B和与其对应的电容元件32的下部电极层32A的延伸部通过层间连接导体37分别电连接。
另外，层间连接导体37及粘接层36可采用第1实施例及第2实施例说明的材料及连接方法，因此说明省略。另外，第2片状基板33对第1树脂片35上的粘接和电连接方法也可以与第1实施例同样，因此说明省略。
同样，在第1树脂片35上的其他部位，也粘接固定第2片状基板33。然后，若沿切断线15B切断第1树脂片35，则可获得图7A所示的复合电子部件140。另外，第2树脂片34的宽度设定得比第1树脂片35的宽度小使外部连接端子27、28、29露出的区域的量。
采用这样的制造方法，由于在各自不同的树脂片上制作电容元件32和电阻元件31，因此不仅各自的工序简化，而且工序中难以产生不良。另外，由于可以用大面积的树脂片统一进行制作，批量生产性也可改善。
另外，上述制造方法中，仅使在第1树脂片35和第2树脂片34上形成的电容元件32和电阻元件31的各自的组为1列，但是也可以为2列以上。
而且，本实施例中，采用切断第2树脂片34形成第2片状基板24后、与第1树脂片35粘接的方法，但是本发明不限于此。例如，在第2树脂片34，若预先在与形成于第1树脂片35的外部连接端子对应的位置设置缺口部即开口部，将第2树脂片34贴合到第1树脂片35，统一进行粘接和电连接后再切断，则可同时制作大量的复合电子部件。
另外，本实施例中，说明了多联结构的CR滤波器，但也可以仅仅是1个。或者，还可以增加个数。
(第4实施例)
图11A是说明本发明第4实施例中的复合电子部件150的构成的俯视图。图11B是去除第2片状基板73的一部分而表示内部构成的俯视图，图11C是等效电路图。本实施例的复合电子部件150是构成包括2个带通滤波器的功能电路的例。本实施例中也说明第1薄膜电子部件以电容元件为例、第2薄膜电子部件以电阻元件为例的情况。如图11A和图11B所示，在第1片状基板72上形成4个电容元件49、50、51、52，其上贴合形成有电阻元件58、59、60、61的第2片状基板73，通过进行预定的部位的层间连接，构成图11C的等效电路图所示的2个带通滤波器。
另外，外部连接端子41、46、47、48是接地端子。外部连接端子42、43、44、45是输入输出端子，外部连接端子56是无效端子，不与外部电路连接。
以下，用图12A和图12B说明电容元件49、50、51、52及电阻元件58、59、60、61的构成和它们的连接。图12A和图12B是说明本实施例的复合电子部件的各个薄膜电子部件的构成和它们的连接构成的图。
图12A是表示在第2树脂片57上以一定的排列间距形成4个电阻元件阵列的状态的示图。电阻元件58由电极端子62、64和电阻体层63构成。另外，电阻元件59由电极端子65、66和电阻体层63构成。而且，电阻元件60由电极端子67、68和电阻体层63构成。另外，电阻元件61由电极端子69、70和电阻体层63构成。
这些电阻元件58、59、60、61，例如，可以采用镍铬合金作为电阻体层63，采用铝(Al)作为电极端子62、64、65、66、67、68、69、70，通过溅射进行成膜，然后通过曝光工艺和刻蚀工艺而制作。为了获得期望的电阻值，通过改变形状可设定各个电阻元件的电阻值。另外，作为电阻体层63，不限于镍铬合金，可使用通常作为薄膜电阻采用的材料。而且，作为电极端子62、64、65、66、67、68、69、70，不限于铝(Al)，可采用铜(Cu)、镍(Ni)、金(Au)等的金属材料、合金材料等。另外，不仅可采用单层构成，也可采用层叠构成。
另外，在第2树脂片57，如图12A所示，在预定部位设置缺口部71，即本实施例的开口部。通过设置该缺口部71，在第1树脂片40上粘接第2树脂片57后沿切断线15C切断，可一并制作大量的复合电子部件150。
图12B是表示在第1树脂片40上，在与电阻元件58、59、60、61对应的位置形成电容元件49、50、51、52的状态的示图。电容元件49、50、51、52由下部电极层53、电介质层54及上部电极层55构成。这些电容元件49、50、51、52的材料及制作方法与第1实施例同样，因此说明省略。
电容元件49的下部电极层53延伸，与外部连接端子56连接，上部电极层55的延伸部与外部连接端子42连接。另外，电容元件50的下部电极层53延伸，与外部连接端子47连接，上部电极层55的延伸部与外部连接端子43连接。而且，电容元件51的下部电极层53延伸，与外部连接端子56连接，上部电极层55的延伸部与外部连接端子44连接。另外，电容元件52的下部电极层53延伸，与外部连接端子48连接，上部电极层55的延伸部与外部连接端子45连接。
以下说明贴合第1树脂片40和第2树脂片57时的层间的连接结构。
对于电阻元件58，将其电极端子62和电容元件52的下部电极层53的延伸部连接。另外，将电极端子64的延伸部和外部连接端子46的延伸部连接。
对于电阻元件59，将其电极端子66和电容元件51的上部电极层55的延伸部连接。另外，电极端子62和电极端子65在最初就被连接。
对于电阻元件61，将其电极端子69和电容元件49的下部电极层53的延伸部连接。另外，将电极端子70的延伸部和外部连接端子41的延伸部连接。
对于电阻元件60，将其电极端子68和电容元件50的上部电极层55的延伸部连接。另外，电极端子67和电极端子69在最初就被连接。
通过以上的连接，获得图11C所示的2个带通滤波器构成。另外，层间连接导体(未图示)及粘接层(未图示)的材料及采用它们的粘接和电连接方法，与第1实施例同样，因此说明省略。
在第1树脂片40上制作带通滤波器结构后，沿切断线15C切断，可获得图11A所示的复合电子部件150。本实施例的复合电子部件150既是非常薄型的结构，又具有2个带通滤波器，可进一步促进各种电子电路的小型化。
另外，本实施例中，说明了2个带通滤波器，但是本发明不限于此。可以是仅1个，也可以是3个以上。另外，本实施例的制造方法中，说明了在第1树脂片40和第2树脂片57上，形成1列构成1个组的电阻元件及电容元件的例，但是形成2列以上也可用同样工序制造。
另外，电阻元件和电容元件的连接构成不限于本实施例，还可采用各种各样的连接构成。
(第5实施例)
图13A到图13C是说明本发明的第5实施例中的复合电子部件160的构成的图。图13A是从第2片状基板83侧观察的俯视图。图13B是图13A的13B-13B线的剖面图。图13C是图13A的13C-13C线的剖面图。另外，图14是该复合电子部件160的等效电路图。而且，图15A到图15C是说明本实施例的复合电子部件160中采用的各个片状基板的构成的图。图15A是表示在第2片状基板83形成的第2薄膜电子部件的构成的俯视图。图15B是表示在第1片状基板85形成的第1薄膜电子部件的构成的俯视图。图15C是表示在第3片状基板88形成的第3薄膜电子部件的构成的俯视图。
本实施例的复合电子部件160具备：在至少一方的主面形成有多个第1薄膜电子部件84的第1片状基板85；在至少一方的主面形成有第2薄膜电子部件81的第2片状基板83；以及在至少一方的主面形成有第3薄膜电子部件101的第3片状基板88。如图13B所示，分别经由粘接层90、92贴合第1片状基板85和第2片状基板83以及第1片状基板85和第3片状基板88。而且，包括以下的结构：多个第1薄膜电子部件84中的预先设定的第1薄膜电子部件和第2薄膜电子部件81以及预先设定的第1薄膜电子部件和第3薄膜电子部件101电连接。
另外，本实施例中，在第1片状基板85形成6个作为第1薄膜电子部件84的电容元件。以下，将第1薄膜电子部件84称为电容元件84。另外，在第2片状基板83形成作为第2薄膜电子部件81的5个电阻元件。以下，将第2薄膜电子部件81称为电阻元件81。而且，在第3片状基板88形成作为第3薄膜电子部件101的1个电感元件。以下，将第3薄膜电子部件101称为电感元件101。
这里，如图15B所示，在第1片状基板85形成6个电容元件84。电容元件84通过层叠下部电极层84A、电介质层84B及上部电极层84C而构成。
另外，在形成有电容元件84的第1片状基板85的一方的主面上，形成外部连接端子86、87、93、94、95、96。外部连接端子86与电容元件84的下部电极层84A连接，外部连接端子87与电容元件84的上部电极层84C连接。另外，仅仅图15B所示的左侧的电容元件84与电感元件101连接，其他电容元件84与电阻元件81连接。在外部连接端子93、95形成贯通导体97。
另外，如图15A所示，电阻元件81由独立的另一方的电极端子81B、全部共同连接的一方的电极端子82和与一方的电极端子82及另一方的电极端子81B连接的电阻体层81A构成。一方的电极端子82的延伸部配置成能够与在第1片状基板85设置的外部连接端子96连接。
而且，如图15C所示，2个端子图形101A、101B设置在同一面的电感元件101，在第3片状基板88的两面形成为线圈状，通过在线圈的中心部设置的贯通导体89串联。并且，背面形成的线圈图形经由贯通导体99，与在表面形成的端子图形101B连接。
第1片状基板85、第2片状基板83及第3片状基板88具有以上的构成，通过将它们贴合、将预定的元件之间电连接，可获得本实施例的复合电子部件160。即，将第1片状基板85的电容元件84和第2片状基板83的电阻元件81电连接，构成图14所示的5个CR滤波器。另外，将第1片状基板85的电容元件84和第3片状基板88的电感元件101电连接，构成图14所示的1个LC滤波器。即，本实施例的复合电子部件160包括5个CR滤波器和1个LC滤波器。
外部连接端子86与电容元件84的下部电极层84A连接。而且，该外部连接端子86经由层间连接导体91也与电阻元件81的另一方的电极端子81B连接。另外，各个外部连接端子87，分别连接到电容元件84的上部电极层84C。电阻元件81的一方的电极端子82，如图15A所示，5个电阻元件81全部共同连接，经由层间连接导体(未图示)，与外部连接端子96连接。而且，外部连接端子93与电容元件84的下部电极层84A连接。而且，该外部连接端子93经由贯通导体97和层间连接导体98，与电感元件101的一方的端子图形101A连接。另外，外部连接端子94与电容元件84的上部电极层84C连接。另一方面，外部连接端子95经由贯通导体97和层间连接导体98，与电感元件101的另一方的端子图形101B连接。外部连接端子86、87、93、94、95、96和电容元件84、电阻元件81及电感元件101如上述地进行连接。这里，外部连接端子86、93是输入端子，外部连接端子87、94是输出端子，外部连接端子95、96是接地端子。
通过为以上的构成，在第1片状基板85仅形成电容元件84，在第2片状基板83仅形成电阻元件81，在第3片状基板88仅形成电感元件101，通过将它们各个进行贴附并电连接，可形成具有5个CR滤波器和1个LC滤波器的复合电子部件160。该复合电子部件160与由传统的芯片部件构成的CR滤波器及LC滤波器的复合电路相比，可显著变薄，例如即使在半导体芯片、连接器元件等的下方也可容易地配置。从而，可几乎不会增加电路整体的厚度地，实现高密度的电子电路装置。
如第1实施例等所说明，分别采用长条的膜状的第1树脂片、第2树脂片及第3树脂片，在各个树脂片上形成电容元件84、电阻元件81及电感元件101后贴合并进行切断，可制作本实施例的复合电子部件160。另外，电容元件84、电阻元件81及电感元件101的材料、制作方法等，也可以采用与第1实施例同样的材料及制作方法，因此说明省略。
另外，从第1实施例到第5实施例中，说明了在第1片状基板的电容元件的形成面上形成外部连接端子的例。但是，本发明不限于此。也可采用将外部连接端子形成于电容元件的形成面的相反侧的面，通过贯通导体，将其与电容元件及电阻元件连接的构成。另外，也可在第2片状基板侧设置外部连接端子。或者，在第5实施例的场合，也可在第3片状基板侧设置外部连接端子。
另外，第1实施例和第2实施例中，说明了LC滤波器电路的例，第3实施例和第4实施例中，说明了CR滤波器电路的例。而且，第5实施例中，说明了包括CR滤波器和LC滤波器的复合电子部件的例。但是，本发明不限于上述LC滤波器电路、CR滤波器电路、它们的复合化电路或者元件数目。本发明的复合电子部件的特征在于，在各个片状基板上形成薄膜电子部件后，通过将它们进行粘接和电连接而构成功能电路。从而，作为薄膜电子部件，不限于上述的电容元件、电阻元件、电感元件，也可以是半导体薄膜功能元件或者传感器元件。
作为半导体薄膜功能元件，例如，若在第1片状基板或第2片状基板上形成多个薄膜晶体管，在第2片状基板或第1片状基板上形成电阻元件、电容元件、电感元件或者传感器元件，将它们粘接并将预定部位电连接，则可获得更高功能的复合电子部件。
另外，也可以在第1片状基板、第2片状基板及第3片状基板的两面分别形成功能不同的薄膜电子部件，将它们电连接，构成功能电路。例如，也可以在第1片状基板的各个面上形成电容元件和电感元件，在第2片状基板的各个面上形成电阻元件和电容值不同的电容元件，将它们通过层间连接导体电连接，构成功能电路。
另外，从第1实施例到第5实施例中，说明了层间连接导体通过导电性粘接剂、或者将金属柱、表面进行了镀敷的树脂柱等通过导电性粘接剂粘接的方法的例子，但是本发明不限于此。例如，也可以采用在形成外部连接端子时，在电极端子面上形成与上述实施例所说明的层间连接导体相同高度的连接导体，进行电连接的结构。或者，也可以在第1片状基板、第2片状基板及第3片状基板之一上设置外部连接端子。
本发明的片状复合电子部件是薄型、小型且高功能的复合电子部件。因此，在进一步要求各种电子设备的小型、薄型化的便携设备等的电子设备领域是有用的。

Claims (13)

1.一种片状复合电子部件，其特征在于，具备：
在至少一方的主面形成有第1薄膜电子部件，在上述一方的主面或另一方的主面上形成有用于与外部电路连接的外部连接端子的第1片状基板；
在至少一方的主面形成有第2薄膜电子部件的第2片状基板；以及
使上述第1薄膜电子部件和上述第2薄膜电子部件相向，粘接固定上述第1片状基板和上述第2片状基板的绝缘性粘接树脂层。
2.如权利要求1所述的片状复合电子部件，其特征在于：上述第1薄膜电子部件和上述第2薄膜电子部件的预先设定的电极端子之间通过层间连接导体电连接。
3.如权利要求1或2所述的片状复合电子部件，其特征在于：上述第1片状基板的上述第1薄膜电子部件和上述第2片状基板的上述第2薄膜电子部件，分别具有不同的功能，电连接而构成功能电路。
4.如权利要求3所述的片状复合电子部件，其特征在于：设置有多个上述功能电路而形成为多联构成。
5.如权利要求1所述的片状复合电子部件，其特征在于：上述第1薄膜电子部件及上述第2薄膜电子部件是从电容元件、电感元件、电阻元件、半导体薄膜功能元件及传感器元件中选择的任一种。
6.如权利要求3所述的片状复合电子部件，其特征在于：上述第1薄膜电子部件是电容元件，上述第2薄膜电子部件是电感元件，上述功能电路是LC滤波器电路。
7.如权利要求3所述的片状复合电子部件，其特征在于：上述第1薄膜电子部件是电容元件，上述第2薄膜电子部件是电阻元件，上述功能电路是CR滤波器电路。
8.如权利要求1所述的片状复合电子部件，其特征在于：上述第1薄膜电子部件或上述第2薄膜电子部件是电感元件，上述绝缘性粘接树脂层包括分散有磁粉的材料。
9.如权利要求8所述的片状复合电子部件，其特征在于：在上述绝缘性粘接树脂层中，在包围上述电感元件的区域采用磁粉的添加量多的材料。
10.如权利要求1所述的片状复合电子部件，其特征在于：上述外部连接端子，在形成上述第1薄膜电子部件的上述第1片状基板的上述主面上形成，
上述第2片状基板，其与上述外部连接端子对应的区域形成有缺口，
形成为下述构成：当通过上述绝缘性粘接树脂层粘接固定了上述第1片状基板和上述第2片状基板时，上述外部连接端子露出。
11.一种片状复合电子部件，其特征在于，
具备：在至少一方的主面形成有多个第1薄膜电子部件的第1片状基板；
在至少一方的主面形成有第2薄膜电子部件的第2片状基板；以及
在至少一方的主面形成有第3薄膜电子部件的第3片状基板；
上述第1片状基板和上述第2片状基板、以及上述第1片状基板和上述第3片状基板分别贴合，多个上述第1薄膜电子部件中的预先设定的第1薄膜电子部件和上述第2薄膜电子部件、以及预先设定的第1薄膜电子部件和上述第3薄膜电子部件电连接。
12.一种片状复合电子部件的制造方法，其特征在于，包括：
在第1树脂片的至少一方的主面形成多个第1薄膜电子部件，以及在上述主面或另一方的面上形成用于与外部电路连接的外部连接端子的工序；
在第2树脂片的至少一方的主面且在与上述第1薄膜电子部件对应的位置，形成第2薄膜电子部件的工序；
在上述第1薄膜电子部件或上述第2薄膜电子部件的预先设定的电极端子上，电及机械地连接层间连接导体的工序；
将上述第1薄膜电子部件和上述第2薄膜电子部件位置对齐并加压，通过上述层间连接导体电连接上述第1薄膜电子部件和上述第2薄膜电子部件的各自的电极端子之间，并通过绝缘性粘接树脂层对上述第1树脂片和上述第2树脂片之间粘接固定的工序；以及
通过切断上述第1树脂片和上述第2树脂片而形成复合电子部件的工序。
13.如权利要求12所述的片状复合电子部件的制造方法，其特征在于：
在上述第1树脂片的上述主面上形成上述外部连接端子，
还具备在上述第2树脂片中、在与上述外部连接端子对应的区域形成缺口部的工序，
在形成上述缺口部之后，进行上述粘接固定的工序。
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