CN101161459A - 喷墨打印头和制造喷墨打印头的方法 - Google Patents

Abstract

本发明提供具有满足所期望的目的的流路形状的喷墨打印头、以及制造喷墨打印头的方法。在用于制造喷墨打印头的方法中，制备SOI基板，该SOI基板具有第一硅层、第二硅层、以及绝缘层。在第一单晶硅层上形成牺牲层。在牺牲层的上方形成蚀刻停止层。在SOI基板的表面上形成能量生成元件。对第二硅层和绝缘层执行蚀刻以形成墨供给口。通过蚀刻形成该供给口。蚀刻第一硅层以形成液体流路。除去蚀刻停止层的一部分以形成喷射口。

Description

喷墨打印头和制造喷墨打印头的方法

技术领域

本发明涉及喷墨打印头和用于制造喷墨打印头的方法。

背景技术

用于喷墨打印方法(液体喷射打印方法)的喷墨打印头一般包括形成在喷孔板中的多个微细喷射口和多个微细液体流路，以及各自设置在相应液体流路的一部分中的多个液体喷射压力生成部。喷墨打印头通常还包括形成在头基板中、与所述液体流路连通并且充当通孔的供给口。

这种喷墨打印头在与相应的喷射口连通的各个流路中具有生热部(加热器)；所述生热部、流路、以及喷射口构成打印元件。对应于打印信号的电能被选择性地施加到适当加热器中的发热电阻器上。所得到的能量被用于在热作用表面上快速加热墨。这导致膜沸腾以生成气泡，从而气泡的压力使墨从相应的喷射口喷射出。

作为具有如上所述的加热器的打印头，例如美国专利第6019457号公开了一种后溜(back chute)类型的喷墨打印头(此后称为后溜类型打印头)，其在喷孔板的液体流路表面上包括液体喷射压力生成部。对于后溜类型的打印头，可以使用通用的半导体制造方法来连续地形成喷孔板或者其一部分、以及布置在基板表面上的液体喷射压力生成部和驱动电路。

后溜类型打印头的基板例如通过绝缘硅(SOI)技术制造。通过SOI技术由绝缘体上的单晶硅半导体层形成的基板使得该基板与在其上制造有普通硅集成电路的体硅(bulk silicon)基板相比具有各种优势。在美国专利第6979076号中公开了具有此SOI基板的后溜类型打印头。

用于制造后溜类型打印头的方法如下所述。

B1.制备其中具有绝缘层903的SOI基板901的步骤，

B2.在基板的相对于绝缘层903的前表面中，与要形成液体流路壁的位置对准地形成达到绝缘层903的沟的步骤，

B3.在基板的前表面上和沟的表面上形成第一蚀刻停止层920的步骤(图8A)，

B4.在基板表面上的第一蚀刻停止层920上形成能量生成元件906和用于该能量生成元件906的驱动电路的步骤，

B5.形成从SOI基板的相对于绝缘层903的后表面延伸到绝缘层903的供给口908的步骤，

B6.在供给口908的内表面上形成第二蚀刻停止层921的步骤，

B7.选择性地除去蚀刻停止层921的与绝缘层903相接触的部分的步骤(图8B)，

B8.除去绝缘层903的暴露在供给口908中的部分的步骤，

B9.通过各向同性蚀刻技术，经由供给口908除去基板中由绝缘层903和第一蚀刻停止层920所围绕的部分的步骤，以及

B10.蚀刻第一蚀刻停止层920以形成喷射口910的步骤(图8C)。

在通过步骤B1到B10制造的喷墨打印头中，通过蚀刻技术除去由第一蚀刻停止层920和绝缘层903所围绕的部分，以形成流路909。

此外，通过上述制造方法制造的喷墨打印头必须在形成为液体流路壁的区域中形成第一蚀刻停止层920。这通常需要光刻步骤、基于RIE的蚀刻步骤、以及在内壁上执行的膜形成步骤。这使整个处理复杂。

此外，在步骤B4中，形成能量生成元件和用于该能量生成元件的驱动电路。因而，所形成的沟必须用第一蚀刻停止层920填充，并且沟的宽度必须充分小，例如大约为2μm。

另一方面，液体流路垂直于基板表面的尺寸、即液体流路的深度优选地至少为10μm。所形成的沟需要具有高的长宽比。在这种情况下，沟的形成需要更长的时间，并且可能不具有高的生产率。

发明内容

考虑到上述问题而做出了本发明。本发明的一个目的是提供一种喷墨打印头，其所具有的液体流路形状满足所期望的目的，以及提供一种用于制造喷墨打印头的方法。

因而，本发明提供一种用于制造喷墨打印头的方法，该喷墨打印头包括：墨喷射口；能量生成元件，其生成用来从喷射口喷射墨的能量；墨流路，其与喷射口连通；以及墨供给口，其与所述流路连通以供给墨，该方法包括：制备SOI基板的步骤，该SOI基板具有第一硅层、第二硅层、以及设置在第一硅层和第二硅层之间的绝缘层；使用能够相对于硅被选择性蚀刻的材料，以在第一硅层上形成牺牲层的步骤；在牺牲层的上方形成蚀刻停止层的步骤；在SOI基板的表面上形成能量生成元件的步骤；对第二硅层和绝缘层的一部分进行除去以形成墨供给口的步骤；在第一硅层上执行蚀刻以形成流路的步骤；以及除去蚀刻停止层的一部分以形成喷射口的步骤。

根据本发明的喷墨打印头使得液体流路能够沿着绝缘层而形成。这使得能够准确地制造供给口和液体流路之间的连通部分，使得能够提供稳定的基板。此外，可以获得具有满足所期望的目的的液体流路形状的喷墨打印头。

从以下对示例性实施例的描述(参照附图)中，本发明的其他特征将变得明显。

附图说明

图1是示出根据本发明第一实施例的喷墨打印头的图；

图2A到2F是示出制造根据本发明第一实施例的喷墨打印头的处理的图；

图3A到3F是示出制造根据本发明第二实施例的喷墨打印头的处理的图；

图4A到4B是示出根据本发明第二实施例的喷墨打印头的图；

图5A到5F是示出制造根据本发明第三实施例的喷墨打印头的处理的图；

图6A到6B是示出根据本发明第三实施例的喷墨打印头的图；

图7A到7B是示出根据本发明第四实施例的喷墨打印头的图；

图8A到8C是示出制造喷墨打印头的常规方法的图。

具体实施方式

以下将参照附图详细描述本发明的实施例。

(第一实施例)

图1是示出了根据本实施例的喷墨打印头的部分分解透视图。喷墨打印头1具有多个喷射口2、液体流路3、多个加热器4、以及墨供给口5，它们均形成在硅基板6上。墨从墨供给口5被馈送到液体流路3，并且利用设置在各个液体流路3中、并且充当能量生成元件的加热器4的热能而从喷射口2喷射出。能量生成元件4不限于加热器，还可以是压电元件等。在本实施例中，每个喷射口2被设置在由各能量生成元件4围绕、或者被夹在各能量生成元件4之间的相应区域中。然而，本发明不限于此。每个喷射口的位置可以邻近相应能量生成元件4的一侧。

喷墨打印头可以被安装在诸如打印机、复印机、具有通信系统的传真机、具有打印机部的文字处理器、以及复合地组合有处理设备的工业打印设备之类的设备中。该液体喷射头使得能够打印各种打印介质，诸如纸张、纱、纤维、布料、皮革、金属、塑料、玻璃、木材、以及陶瓷。此处所用的术语“打印”意味着不仅将有意义的图像诸如字符或图形、而且将无意义的图像诸如图案施加到打印介质上。

术语“墨”或“液体”应该被宽泛地解释，并且其指施加到打印介质上以形成图像和图案等、加工打印介质、或者对墨或打印介质进行处理的液体。在此，对墨或打印介质的处理例如意味着通过使施加到打印介质上的墨中的颜色材料固化或不溶而改善定影能力、改善打印品质或显色特性、或者改善图像持久度。

图2A到2F是示出了用于制造根据本发明第一实施例的喷墨打印头的方法的、沿图1的线IIF-IIF所取的截面视图。

首先，如图2A所示，制备直径为150mm的SOI基板215，其具有第一单晶硅层201、绝缘层203、以及第二单晶硅层202。在本实施例中，第一单晶硅层201的主表面213为{100}面，并且厚度为25μm。绝缘层203是厚度为0.3μm的氧化硅层。第二单晶硅层202的主表面214为{100}面，并且厚度为600μm。

图2A是示出由第一单晶硅层201、绝缘层203、和第二单晶硅层202形成的SOI基板215的图，其中该第一单晶硅层201由主表面213为{100}面的单晶硅制成，该第二单晶硅层202由主表面214为{100}面的单晶硅制成。

接着，根据液体流路的形状，构成牺牲层204的铝层被图案化到第一单晶硅层201所存在的表面(此后也称为前表面)上。牺牲层204在角部分中具有补偿图案，以便使得能够适当地执行如下所述的蚀刻。即，当补偿图案形成在液体流路形成部分和供给口形成部分之间的连通部分中时，例如在形成有作为分隔液体流路的壁的凸缘尖端的部分中，牺牲层可以被成形为如同变窄的平面。

在本实施例中，将可溶解于碱的铝用于牺牲层204。然而，可以使用多孔硅、任何其他晶体硅、非晶硅等。在这些情况下，单次的晶体各向异性蚀刻操作使得能够进行如下所述的将SOI基板从SOI基板的后表面蚀刻到牺牲层204的步骤，以及除去牺牲层204以形成液体流路的步骤。

牺牲层204可以由能够被氟化氢除去的材料制成，诸如氧化硅。绝缘层203可以由诸如氮化硅、碳化硅、或者氧化铝之类的无机层；或者不容易被氟化氢除去的材料制成。在这种情况下，氟化氢可以用于除去牺牲层204的步骤中，如下所述。

然后，充当蚀刻停止层205的氮化硅层形成在牺牲层204上。然后，执行通用半导体步骤来形成作为生成用于喷射液体的能量的能量生成元件的发热电阻器206以及用于它的驱动电路。可以通过诸如电镀之类的涂覆技术在驱动电路上形成另外的膜，以增厚喷孔板。增厚的喷孔板使得能够增大喷射口的长度、以及所喷射的墨的直行性。

由氮化硅制成的发热电阻器206的保护层212形成在最上层上。氧化硅层207形成在第二单晶硅层202所存在的表面(此后也称为后表面)上。

图2B示出其上层叠了后表面掩模层207、第二单晶硅层204、绝缘层203、牺牲层204、蚀刻停止层205、发热电阻器206、以及氮化硅层207的基板。

作为热释放元件的金可以通过在保护层212上进行电镀而随后生长成另外的层。在这种情况下，可以通过进行图案化而在喷射口形成位置处设置干膜，并且在电镀生长之后除去该干膜，防止金出现在喷射口形成位置。

然后，将环化橡胶树脂施加到基板的前表面，以形成临时保护膜211。后表面上要形成氧化硅层的供给口的区域被蚀刻掉。对第二单晶硅层202进行晶体各向异性蚀刻，并且被蚀刻到绝缘层203。通过除去第二单晶硅层202的一部分和绝缘层203的一部分而形成供给口208。

图2C是示出其中供给口208已形成到绝缘层203的基板的图。

然后，经由供给口除去绝缘层203，并且以蚀刻进行到作为牺牲层204的铝层的方式对第一单晶硅层201进行晶体各向异性蚀刻。

图2D是示出其中蚀刻已经进行到牺牲层204的基板的图。

继续蚀刻以除去牺牲层204，同时沿着牺牲层204的图案形成液体流路。

图2E是示出如下的基板的图，在该基板中，已经沿着牺牲层204的图案形成了底表面由绝缘层203形成的液体流路209。在这种情况下，液体流路的底表面由绝缘层203形成，或者液体流路的侧表面由(111)面形成。

最终，使用二甲苯除去环化橡胶，并且通过RIE蚀刻作为蚀刻停止层205的氮化硅层以形成喷射口。

图2F是示出已经形成了喷射口210的基板的图。

(第二实施例)

图3A到3F是示出用于制造根据本发明第二实施例的喷墨打印头的方法的截面视图。该截面与图2A到2F的相同。本实施例对应于其中SOI基板中的两个单晶硅层具有不同结晶方向的示例。

首先，制备直径为150mm的SOI基板314，其通过层叠第一单晶硅层、绝缘层、以及第二单晶硅层而制造。在本实施例中，第一单晶硅层301的主表面312为{100}面，并且厚度为25μm。绝缘层303是厚度为0.3μm的氧化硅层。第二单晶硅层302的主表面313为{110}面，并且厚度为600μm。

图3A是示出由第一单晶硅层301、绝缘层303、和第二单晶硅层302形成的SOI基板314的图，其中该第一单晶硅层301由主表面312为{100}面的单晶硅制成，该第二单晶硅层302由主表面313为{100}面的单晶硅制成。

接着，根据液体流路的形状，构成牺牲层304的铝层被图案化到第一单晶硅层301所存在的表面(此后也称为前表面)上。牺牲层304在角部分中具有补偿图案，以便使得能够适当地执行如下所述的蚀刻。即，当补偿图案形成在液体流路形成部分和供给口形成部分之间的连通部分中时，例如在形成作为分隔液体流路的壁的凸缘尖端的部分中，牺牲层可以被成形为如同变窄的平面。

牺牲层的材料与第一实施例中的相同。

接着，在牺牲层304上形成充当蚀刻停止层305和绝缘层这二者的氮化硅层。接着，执行通用半导体步骤来形成作为生成用于喷射液体的能量的能量生成元件的发热电阻器306以及用于它的驱动电路。可以通过诸如电镀之类的涂覆技术在驱动电路上形成另外的膜，以增厚喷孔板。增厚的喷孔板使得能够增大喷射口的长度、以及所喷射的墨的直行性。

氮化硅层形成在最上层上。氧化硅层307形成在第二单晶硅层302所存在的表面(此后也称为后表面)上。

对于驱动电路，可以在第一单晶硅层301上设置MOS晶体管。

图3B示出其上层叠了后表面掩模层307、第二单晶硅层302、绝缘层303、牺牲层304、蚀刻停止层305、发热电阻器306、以及氮化硅层307的基板。

金可以通过电镀而随后生长成另外的层。在这种情况下，可以通过进行图案化而在喷射口形成位置处设置干膜，并且在电镀生长之后除去该干膜，防止金出现在喷射口形成位置。

然后，将环化橡胶树脂施加到基板的前表面，以形成临时保护膜(未示出)。后表面上要形成氧化硅层的供给口的区域被蚀刻掉。接着，在图案的角部分通过激光形成向下延伸到绝缘层附近的先导孔311。该先导孔在后述的晶体各向异性蚀刻期间充当各向异性蚀刻剂的流路。先导孔提高蚀刻速率，并且使得蚀刻能够从先导孔的内表面开始。先导孔因而使得能够确定蚀刻开始表面。以蚀刻进行到绝缘层303的方式对第二单晶硅层302进行晶体各向异性蚀刻，以形成供给口。

图3C是示出其中已形成供给口308的基板的图。

然后，经由供给口308除去绝缘层303，并且以蚀刻进行到作为牺牲层304的铝层的方式对第一单晶硅层301进行晶体各向异性蚀刻。

图3D是示出其中蚀刻已经进行到牺牲层304的基板的图。

继续蚀刻以除去牺牲层304，同时沿着牺牲层304的图案形成液体流路。此时，液体流路的底表面由绝缘层形成。

图3E是示出如下的基板的图，在该基板中，已经沿着牺牲层304的图案形成了液体流路309。

最终，使用二甲苯除去环化橡胶，并且通过RIE蚀刻作为蚀刻停止层305的氮化硅层以形成喷射口。

图3F是示出已经形成了喷射口310的基板的图。

图4A和4B是根据参照图3A到3F所描述的本实施例的喷墨打印头的顶视图和截面视图(与图2A到2F相同)；该截面视图是沿虚线IIF-IIF所取的。附图标记311表示第二单晶硅层中所形成的先导孔所曾经存在的位置。第二单晶硅层302的主表面313为{100}面。供给口308的至少两个侧表面315、316实质上由垂直于基板的(111)面制成。这使得能够密集地布置若干个供给口308。这使得能够降低打印头的尺寸。如果要从单个硅晶片获得多个打印头，则可以获得更多打印头。因此，可以改善生产率。此外，如图4A和4B中的顶视图(喷射口形成表面)所示，供给口308的沟的端部是先导孔311在蚀刻之前先前形成的位置。即，可以通过在蚀刻之前形成先导孔311来限定蚀刻的形状。

第一单晶硅层301的主表面312为{100}面。液体流路309至少具有三个实质上由(111)面制成的侧表面(例如317、318、319)。

如果驱动电路在第一单晶硅层301中包括MOS晶体管，则由于电子移动性，设置在主表面为{100}面的单晶硅上的MOS晶体管可以具有减小的表面积。这进一步使得能够降低打印头的尺寸。

本实施例使用主表面312为{100}面的第一单晶硅层301和主表面313为{110}面的第二单晶硅层302。然而，可以使用主表面为{110}面的第一单晶硅层和主表面为{100}面的第二单晶硅层。即，只需通过将主表面为{110}面的单晶硅用于第一单晶硅层301和第二单晶硅层302中至少之一来形成与基板垂直的(111)面。通过将主表面为{110}面的单晶硅层用于第一单晶硅层，当通过蚀刻形成液体流路时，可以形成垂直于基板的(111)面。这使得能够密集地布置喷射口，允许打印头中的每个喷射口的表面面积减小。

(第三实施例)

在第二实施例中，第一和第二单晶硅层的主表面分别为{100}面和{110}面。然而，本发明不限于此种单晶硅层的组合。

在本实施例中，第一单晶硅层的主表面为{110}面，并且第二单晶硅层的主表面为{110}面。这使得能够密集地布置液体流路。

图5A到5F是示出用于制造根据本发明第三实施例的喷墨打印头的方法的截面视图，并且该截面图与图2A到2F相同。

图5A是示出由第一单晶硅层501、绝缘层503、和第二单晶硅层502形成的直径为150mm的SOI基板的图，其中该第一单晶硅层501的主表面512为{110}面，并且厚度为25μm，该第二单晶硅层502的主表面513也为{110}面，并且厚度为600μm。

图5B示出如同第一实施例中一样在其上层叠了后表面掩模层507、第二单晶硅层502、绝缘层503、牺牲层504、蚀刻停止层505、发热电阻器506、以及氮化硅层的基板。

图5C是示出其中在第一单晶硅层501中已形成供给口508的基板的图。

图5B到5F是示出形成液体流路509的步骤的图。如图5E所示，通过蚀刻形成液体流路509，其中该液体流路509的侧表面515关于基板表面倾斜大约15°。

图6A是根据参照图5A到5F所描述的本实施例的基板的顶视图和截面视图；图6B是沿图6A的虚线IIF-IIF所取的截面图。附图标记511表示形成在第二单晶硅层中的先导孔曾经存在的位置。

液体流路509至少具有两个实质上由(111)面构成的平行的侧表面515、518。在这种情况下，选择每个层的结晶方向，使得(111)面构成供给口508的侧表面516、517以及液体流路之间的壁。这使得能够制造尺寸减小、并且液体流路密集布置的打印头。

(第四实施例)

根据本实施例的基板对应于根据第二实施例的基板，在第二实施例中，在图3A的状态下，从第一单晶硅层301到绝缘层303形成先导孔。在牺牲图案的角部所要定位的部分中、以及第一单晶硅层中直接位于供给口正上方的一部分中，通过激光、RIE、离子铣(ion milling)等形成向下延伸到绝缘层附近的先导孔。特别地，这使得能够按照期望成形液体流路的底表面和内表面。

根据第二实施例的液体流路由垂直于基板表面的(111)面和关于基板表面倾斜大约15°的(111)面形成。在本实施例中，还形成和使用先导孔以确定蚀刻开始表面。结果，可以使根据第二实施例的关于基板表面倾斜大约15°的(111)面垂直于基板表面。

图7A和7B是根据本实施例的喷墨打印头的顶视图和截面视图；该截面视图是沿虚线IIF-IIF所取的。附图标记711表示形成在第二单晶硅层中的先导孔曾经存在的位置。附图标记712表示形成在第一单晶硅层中的先导孔曾经存在的位置。先导孔712的形成使得与关于图6所示的基板表面倾斜大约15°的(111)面相对应的液体流路的壁表面，如同图7所示的壁表面715那样垂直于基板表面。这使得能够缩短液体流路长度，而液体流路的体积不变。并且，这使得能够进一步减小打印头的尺寸。

虽然已经参照示例性实施例描述了本发明，但是应该理解，本发明不限于所公开的示例性实施例。以下权利要求的范围应被给予最宽的解释，以便涵盖所有这种变形以及等同结构和功能。

Claims (12)

1.一种用于制造喷墨打印头的方法，该喷墨打印头包括：墨喷射口；能量生成元件，其生成用来从喷射口喷射墨的能量；墨流路，其与喷射口连通；以及墨供给口，其与所述流路连通以供给墨，该方法包括：

制备SOI基板的步骤，该SOI基板具有第一硅层、第二硅层、以及设置在第一硅层和第二硅层之间的绝缘层；

使用能够相对于硅被选择性蚀刻的材料，以在所述第一硅层上形成牺牲层的步骤；

在所述牺牲层的上方形成蚀刻停止层的步骤；

在所述SOI基板的表面上形成能量生成元件的步骤；

对所述第二硅层和所述绝缘层的一部分进行除去以形成所述墨供给口的步骤；

在所述第一硅层上执行蚀刻以形成所述流路的步骤；以及

除去所述蚀刻停止层的一部分以形成所述喷射口的步骤。

2.如权利要求1所述的用于制造喷墨打印头的方法，其中所述绝缘层使用可溶解于氟化氢的材料。

3.如权利要求1所述的用于制造喷墨打印头的方法，其中第一硅层和第二硅层具有不同的结晶方向。

4.如权利要求1所述的用于制造喷墨打印头的方法，其中所述第一硅层的主表面为{110}面。

5.一种喷墨打印头，该喷墨打印头包括基板表面，该基板表面包括墨喷射口和生成用来从喷射口喷射墨的能量的能量生成元件，

所述基板包括第一硅层和第二硅层，

所述第一硅层具有形成在其中的、与喷射口连通的流路，

所述第二硅层具有形成在其中以供给墨的供给口，

所述流路至少包括两个(111)晶面，该供给口至少包括两个(111)晶面，该流路和供给口中的至少一个的晶面与基板表面垂直。

6.如权利要求5所述的喷墨打印头，其中所述第一硅层和所述第二硅层具有不同的晶面主表面。

7.一种喷墨打印头，该喷墨打印头包括基板，该基板包括墨喷射口和生成用来从喷射口喷射墨的能量的能量生成部，

所述基板包括第一硅层和第二硅层，

所述第一硅层具有形成在其中的、与喷射口连通的流路，

所述第二硅层具有形成在其中以供给墨的供给口，

所述第一硅层和所述第二硅层具有不同的结晶方向。

8.如权利要求7所述的喷墨打印头，其中所述第一硅层的主表面为{110}。

9.如权利要求7所述的喷墨打印头，其中所述第二硅层的主表面为{110}。

10.一种用于制造喷墨打印头的方法，该喷墨打印头包括：墨喷射口；能量生成元件，其生成用来从喷射口喷射墨的能量；墨流路，其与喷射口连通；以及墨供给口，其与所述流路连通以供给墨，该方法包括：

制备SOI基板的步骤，该SOI基板具有第一硅层、结晶方向与第一硅层不同的第二硅层、以及设置在第一硅层和第二硅层之间的绝缘层；

在所述第一硅层上形成蚀刻停止层的步骤；

在所述蚀刻停止层上形成所述能量生成元件的步骤；

执行晶体各向异性蚀刻，以使得蚀刻从所述第二硅层向着所述绝缘层进行，以便形成所述墨供给口的步骤；

除去所述绝缘层从所述供给口暴露出的一部分的步骤，

在所述第一单晶硅层上执行晶体各向异性蚀刻以形成所述流路的步骤；以及

在所述蚀刻停止层的一部分上形成所述喷射口的步骤。

11.如权利要求10所述的用于制造喷墨打印头的方法，其中形成所述墨供给口的步骤还包括在所述第二硅层中形成用于晶体各向异性蚀刻剂的先导孔的步骤。

12.一种用于制造喷墨打印头的方法，该喷墨打印头包括：生成用来从喷射口喷射墨的能量的能量生成元件；与所述能量生成元件相关联地形成的墨喷射口；与所述喷射口连通的墨流路；以及与所述流路连通以供给墨的墨供给口，该方法包括：

制备硅基板的步骤；

使用能够相对于硅被选择性地蚀刻的材料，形成牺牲层的步骤；

在所述牺牲层的上方形成蚀刻停止层的步骤；

在覆盖有所述牺牲层的所述蚀刻停止层的区域上形成所述能量生成元件的步骤；

从硅基板的与其上已形成了所述牺牲层的表面相对的表面蚀刻硅基板，使得被蚀刻的区域到达所述牺牲层，并且除去所述牺牲层以形成所述流路和所述供给口的步骤；以及

除去所述蚀刻停止层的一部分以形成所述喷射口的步骤。

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