CN101147220B - 铝电解电容器电极用铝板、铝电解电容器和铝电解电容器的制造方法 - Google Patents

铝电解电容器电极用铝板、铝电解电容器和铝电解电容器的制造方法 Download PDF

Info

Publication number
CN101147220B
CN101147220B CN2006800092609A CN200680009260A CN101147220B CN 101147220 B CN101147220 B CN 101147220B CN 2006800092609 A CN2006800092609 A CN 2006800092609A CN 200680009260 A CN200680009260 A CN 200680009260A CN 101147220 B CN101147220 B CN 101147220B
Authority
CN
China
Prior art keywords
core
anode
aluminium
aluminium sheet
etching
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
CN2006800092609A
Other languages
English (en)
Other versions
CN101147220A (zh
Inventor
片野雅彦
矶部昌司
新井慎一
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nippon Light Metal Co Ltd
Original Assignee
Nippon Light Metal Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nippon Light Metal Co Ltd filed Critical Nippon Light Metal Co Ltd
Publication of CN101147220A publication Critical patent/CN101147220A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN101147220B publication Critical patent/CN101147220B/zh
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D11/00—Electrolytic coating by surface reaction, i.e. forming conversion layers
    • C25D11/02—Anodisation
    • C25D11/04—Anodisation of aluminium or alloys based thereon
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
    • C22C—ALLOYS
    • C22C21/00—Alloys based on aluminium
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25F—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC REMOVAL OF MATERIALS FROM OBJECTS; APPARATUS THEREFOR
    • C25F3/00—Electrolytic etching or polishing
    • C25F3/02—Etching
    • C25F3/04—Etching of light metals
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G9/00—Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G9/00—Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
    • H01G9/004—Details
    • H01G9/04—Electrodes or formation of dielectric layers thereon
    • H01G9/042—Electrodes or formation of dielectric layers thereon characterised by the material
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G9/00—Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
    • H01G9/004—Details
    • H01G9/04—Electrodes or formation of dielectric layers thereon
    • H01G9/042—Electrodes or formation of dielectric layers thereon characterised by the material
    • H01G9/045—Electrodes or formation of dielectric layers thereon characterised by the material based on aluminium
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G9/00—Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
    • H01G9/004—Details
    • H01G9/04—Electrodes or formation of dielectric layers thereon
    • H01G9/048—Electrodes or formation of dielectric layers thereon characterised by their structure
    • H01G9/055—Etched foil electrodes

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Electrochemistry (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
  • ing And Chemical Polishing (AREA)
  • Electrolytic Production Of Metals (AREA)

Abstract

为了达到铝电解电容器的高容量化、低背化、高频特性提高的目的，使用由铝纯度为99.98质量％以上、Fe含有量为5～50ppm、和其余部分为不可避免的杂质所构成的铝板(1)。该铝板(1)，结晶/析出物中的Fe的合计量为原含有量的1～50％，厚度为0.2～1mm。在形成电容器阳极时，以在厚度方向的中心部分余留平均厚度为50～150μm的芯部(2)的方式对铝板(1)进行交流蚀刻，扩大表面积后，进行阳极氧化。

Description

铝电解电容器电极用铝板、铝电解电容器和铝电解电容器的制造方法
技术领域
本发涉及铝电解电容器电极用铝板、铝电解电容器和铝电解电容器的制造方法。
背景技术
近年来，正如手机的多功能化所代表的那样，信息处理量正在不断增大，但是半导体处理能力正在增大，另一方面的现状却是能与之对应的电容追赶不上其能力。信息处理能力的增大，换句话说，意味着在更高频率下的处理电流的增大，为了与高频的处理电流的增大相对应，增大静电电容量是不可缺少的。例如现在，在手机中主要使用钽电解电容器，相关的钽电解电容器在低频区域的静电电容量比铝电解电容器大，但是当到了高频区域时，由于其烧结构造为主要原因的静电电容量下降很大，达不到实际要求的特性。
另一方面，现有的铝固体电解电容器无论如何只能够得到比钽电解电容器低的静电电容量，即使高频特性比钽电解电容器好，也不能够与高频区域中的大电流对应。这里，铝电解电容器用的铝材料通常将纯度在99.9质量％以上的铝熔融液通过半连续铸造制成平板，再进一步经过面切削、均质化处理、热轧，必要时中间退火、冷轧完成厚度为0.05～0.12mm的产品。此后，由电容制造商在称为蚀刻的工序中用交流或直流电流扩大表面积后，用化学合成工序在表面形成电介质膜制成电解电容器用电极材料。用这种工序制造的市售的铝电解电容器箔的静电电容量，例如，对于20V化学合成的低压品，约为100μF/cm3左右，对于370V化学合成的高压品，约为1.2μF/cm3左右。因此，在铝固体电解电容器中，为了达到高电容量化可以通过增加叠层片数来对应。
这里，由于蚀刻是通过使铝箔熔解而扩大其表面积，所以蚀刻越深应该越能够得到高的静电电容量，但是在蚀刻的进行过程中若蚀刻凹坑彼此连接起来时，则不能得到高的静电电容量。因此，关于铝箔，正在对铝以外的成分控制等进行各种研讨(例如，参照专利文献1、2、3、4)。
专利文献1：日本特开平6-181146号专利公报
专利文献2：日本特开2004-149835号专利公报
专利文献3：日本特公平3-61333号专利公报
专利文献4：日本专利第3393607号专利公报
发明内容
但是，即使是上述专利文献中揭示的铝箔，也不能够将蚀刻进行得很深直至能够消除铝固体电解电容器的上述问题而得到高的静电电容量。因此，当构成铝固体电解电容器时，因为不得不增多叠层片数，所以存在着电容的高度尺寸大，不能够对应用户所要求的薄型化的问题。
此外，现有技术中，由于寻求在阳极表面等上实现与阳极引线的接合，所以越增多叠层片数，由于随之相伴的结构因素，存在诱发高频特性的降低的问题。而且，若在阳极表面等上接合阳极引线，则存在该部分对静电电容量没有贡献的问题。
鉴于以上问题点，本发明的课题是提供能够实现铝电解电容器的高容量化、低背化、高频特性提高的铝电解电容器电极用铝板、铝电解电容器和铝电解电容器的制造方法。
本发明的发明者等发现通过对用连续铸造或半连续铸造制作的铝纯度为99.98质量％以上、Fe含有量为5～50ppm的平板进行适当的热处理和压延，形成厚度为0.2～1mm的板，并且以芯部的平均厚度为50～150μm的方式对其进行交流或直流的蚀刻处理，通过在芯部的侧端面接合引线等的阳极引线，能够实现具有高容量、低背化、良好的高频特性的铝固体电解电容器的电极材料，从而提出本专利申请。
即，本发明具有以下特征：首先，通过使铝纯度、Fe含有量、结晶/析出物的Fe的合计量或立方体方位含有率最佳化，能够不使蚀刻凹坑彼此连接而蚀刻到深处，此外，通过使厚度厚至0.2～1mm，使蚀刻进行到更深的位置，从而得到高的静电电容量。而且，这些结构组合的结果是，可以余留厚的芯部，使引线等的阳极引线可以与芯部的侧端面接合。
这里，作为蚀刻处理，存在进行交流蚀刻的情况和进行直流蚀刻的情况，交流蚀刻被利用于制造低压用的铝电解电容器。
在利用这种交流蚀刻的领域中，本发明的铝电解电容器电极用铝板的特征在于：铝纯度为99.98质量％以上、Fe含有量为5～50ppm、其余部分为不可避免的杂质，结晶/析出物中的Fe的合计量为原含有量的1～50％。
本发明的铝电解电容器电极用铝板的特征在于：铝纯度为99.98质量％以上、Fe含有量为5～50ppm、其余部分为不可避免的杂质，结晶/析出物中的Fe的合计量为1～15ppm。
在本发明中，优选上述铝板的厚度为0.2～1mm。
本发明的铝电解电容器的特征在于，具有：以在厚度方向的中心部分余留平均厚度为50～150μm的芯部的方式，对铝纯度为99.98质量％以上、Fe含有量为5～50ppm、其余部分为不可避免的杂质，结晶/析出物中的Fe的合计量为原含有量的1～50％，厚度为0.2～1mm的铝板进行蚀刻，并且，至少在蚀刻面上形成有电介质膜和固体电解质层的电容器阳极；和与该电容器阳极的上述芯部电连接的阳极引线。
本发明的铝电解电容器的特征在于，具有：以在厚度方向的中心部分余留平均厚度为50～150μm的芯部的方式，对铝纯度为99.98质量％以上、Fe含有量为5～50ppm、其余部分为不可避免的杂质，结晶/析出物中的Fe的合计量为1～15ppm，厚度为0.2～1mm的铝板进行蚀刻，并且，至少在蚀刻面上形成有电介质膜和固体电解质层的电容器阳极；和与该电容器阳极的上述芯部电连接的阳极引线。
在本发明的铝电解电容器中，优选对上述电容器阳极的整个表面和整个背面实施上述蚀刻。
在本发明中，优选上述阳极引线与上述芯部的侧端面接合。更为优选此外，叠层多片上述电容器阳极。
本发明的铝电解电容器的制造方法的特征在于：以在厚度方向的中心部分余留平均厚度为50～150μm的芯部的方式，对铝纯度为99.98质量％以上、Fe含有量为5～50ppm、其余部分为不可避免的杂质，结晶/析出物中的Fe的合计量为原含有量的1～50％，厚度为0.2～1mm的铝板进行交流蚀刻，扩大表面积后，进行阳极氧化，形成电容器阳极。
本发明的铝电解电容器的制造方法的特征在于：以在厚度方向的中心部分余留平均厚度为50～150μm的芯部的方式，对铝纯度为99.98质量％以上、Fe含有量为5～50ppm、其余部分为不可避免的杂质，结晶/析出物中的Fe的合计量为1～15ppm，厚度为0.2～1mm的铝板进行交流蚀刻，扩大表面积后，进行阳极氧化，形成电容器阳极。
在本发明的铝电解电容器的制造方法中，优选在上述阳极氧化后，切断上述铝板，形成对整个表面和整个背面实施过上述交流蚀刻和上述阳极氧化的上述电容器阳极。
另一方面，直流蚀刻一般被利用于制造中高压用的铝电解电容器，但是在用这种方法进行蚀刻时，由于蚀刻凹坑的直径大，所以具有能够确实地将固体电解质层形成至深处的优点。从而，根据电解电容器中所要求的特性，也可以用于低压用的铝固体电解电容器。
在利用这种直流蚀刻的领域中，本发明的铝电解电容器电极用铝板的特征在于：铝纯度为99.98质量％以上、Fe含有量为5～50ppm、其余部分为不可避免的杂质，立方体方位含有率在80％以上，厚度为0.2～1mm。
本发明的铝电解电容器的特征在于，具有：以在厚度方向的中心部分余留平均厚度为50～150μm的芯部的方式，对铝纯度为99.98质量％以上、Fe含有量为5～50ppm、其余部分为不可避免的杂质，立方体方位含有率为80％以上，厚度为0.2～1mm的铝板进行蚀刻，并且，至少在蚀刻面上形成有电介质膜和固体电解质层的电容器阳极；和与该电容器阳极的上述芯部电连接的阳极引线。
这种情况也优选在构成固体电解电容器的情况下，对上述电容器阳极的整个表面和整个背面实施上述蚀刻。此外，优选上述阳极引线与上述芯部的侧端面接合。进一步优选，叠层多片上述电容器阳极。
本发明的铝电解电容器的制造方法的特征在于：以在厚度方向的中心部分余留平均厚度为50～150μm的芯部的方式，对铝纯度为99.98质量％以上、Fe含有量为5～50ppm、其余部分为不可避免的杂质，立方体方位含有率为80％以上，厚度为0.2～1mm的铝板进行直流蚀刻，扩大表面积后，进行阳极氧化，形成电容器阳极。
在本发明的铝电解电容器的制造方法中，优选在上述阳极氧化后，切断上述铝板，形成对整个表面和整个背面实施过上述直流蚀刻和上述阳极氧化的上述电容器阳极。
在本发明的铝电解电容器的制造方法中，优选阳极引线与上述芯部的侧端面接合。因为上述芯部的侧端面本来就对静电电容量没有贡献，所以与在阳极表面接合阳极引线的情况不同，能够避免阳极引线的接合处变得对静电电容量没有贡献。此外，即使在叠层片数多的情况下，也能够避免由于阳极引线的接合部分的结构因素，使高频特性降低。而且，因为通过对铝板的整个表面和整个背面进行蚀刻，能够行效地利用铝板面，所以能够由此提高静电电容量。
在本发明的铝电解电容器的制造方法中，在使阳极引线与上述芯部的侧端面接合时，优选利用激光焊接。如果是激光焊接，则能够结合上述芯部的侧端面的厚度而会聚聚光点。此处，如果芯部的侧端面是阳极氧化后的切断面，则那里不存在电介质膜，若在露出芯部的侧端面的状态下进行阳极氧化，则在芯部的侧端面也形成电介质膜。在后者的情况下，虽然也可以在从上述芯部的侧端面除去电介质膜后进行激光焊接，但是如果是激光焊接，即使在上述芯部的侧端面上形成有电介质膜的状态下，也能够使芯部和阳极引线接合。
附图说明
图1是表示在对本发明实施方式1的铝电解电容器电极用铝板进行交流蚀刻后的剖面照片的图。
图2是表示在本发明实施方式1的铝电解电容器电极的芯部的侧端部安装阳极引线的说明图。
图3是表示本发明实施方式1的结晶/析出物中的Fe的合计量与CV积的关系的图。
标号说明
1  铝电解电容器电极用的铝板
2  芯部
3  蚀刻凹坑部
4  侧端部
5  焊接部
6  引线
具体实施方式
下面，作为蚀刻处理，对采用交流蚀刻的情况对应的实施方式和采用直流蚀刻的情况对应的实施方式进行说明。
[实施方式1]
(基本结构)
本实施方式是采用交流蚀刻的情况对应的实施方式，本实施方式的铝电解电容器电极用铝板，铝纯度为99.98质量％以上、Fe含有量为5～50ppm、其余部分为不可避免的杂质，结晶/析出物中的Fe的合计量为原含有量的1～50％，厚度为0.2～1mm。
在使用这种铝板制造铝固体电解电容器时，首先，以在厚度方向的中心部分余留平均厚度为50～150μm的芯部的方式对铝板进行交流蚀刻，扩大表面积后，进行阳极氧化，形成电容器阳极。
在图1中，表示例如，以在厚度方向的中心部分余留平均厚度为100μm的芯部2的方式对铝纯度为99.98质量％以上、Fe含有量为30ppm、其余部分为不可避免的杂质，Fe的结晶/析出物中的Fe的合计量为原含有量的5％，厚度为0.35mm的铝板1进行交流蚀刻，从而形成蚀刻凹坑部3时的剖面照片。其中，杂质中的元素含有量，Si为35ppm、Ni为1.5ppm、Ti为1ppm以下、Zr为1ppm以下、其它元素分别为2ppm以下。
接着，对铝板1实施阳极氧化在铝板1上形成电介质膜后，将铝板1切断为规定的大小。其结果，能够得到对铝板1的整个表面和整个背面实施过交流蚀刻和阳极氧化的电容器阳极。
接着，对于电容器阳极的芯部2的侧端面，接合引线等的阳极引线。图2是表示将阳极引线安装在本发明实施方式1的铝电解电容器电极的芯部的侧端部的样子的说明图。如图2所示，对于通过对上述铝板实施交流蚀刻所形成的蚀刻凹坑部3所夹着的电容器阳极的芯部2的侧端面4，进行引线6等的阳极引线接合。作为接合方法，优选使聚光点直径会聚成不足芯部厚度的激光焊接。聚光点直径为20～100μmΦ是现实的。
接着，在电容器阳极的表面形成固体电解质层后，在固体电解质层的表面上用碳糊剂和银糊剂等形成阴极，构成电极体。此后，将电极体层叠规定的片数而制造成铝固体电解电容器。这样，能够构成具备至少在蚀刻面上形成有电介质膜和固体电解质层的电容器阳极和与该电容器阳极的芯部电连接的阳极引线的铝固体电解电容器。
其中，关于形成电容器阳极以后的工序，虽然根据其电极形状，可以替换其工序顺序，但是任意一种情况均优选对电容器阳极的芯部的侧端面接合阳极引线。
(详细结构)
在这样用交流电流进行蚀刻的情况下，铝纯度在99.98质量％以上。若铝含有量即铝纯度不足下限值时，在平板的铸造、均质化处理或热轧等工序中，各种金属间化合物过量地结晶/析出，由于这些金属间化合物在与铝基体(aluminium matrix)之间具有电位差，所以优先熔解部分变多，蚀刻时优先熔解部分过量地进行，蚀刻凹坑崩塌而导致静电电容量降低的缘故。
此外，若铝中Si、Ni等杂质增加时，基体(matrix)中的金属间化合物量增加，蚀刻处理时在其周边发生凹坑的合体，所以诱发凹坑崩塌的倾向变强，静电电容量降低。此外，Ti、Zr等杂质增加时在蚀刻处理时形成的氧化薄膜中产生缺陷，诱发全面熔解，静电电容量降低。Si在60ppm以下为好，优选40ppm以下。此外，Ni、Ti、Zr分别在10ppm以下为好，优选3ppm以下。进一步，优选其它的杂质在3ppm以下。
这种高纯度的铝是通过电解一次原料金属而制造的。作为这时使用的精制方法广泛采用三层式电解法和结晶分馏法，通过这些精制方法，铝以外的元素(也包含Fe)的大半被除去。但是，关于Fe，由于能够不作为杂质而作为微量合金成分加以利用，所以在测定精制后的各元素的含有量，Fe的含有量不足规定量的情况下，在平板铸造时，通过在熔融液中添加Al-Fe母合金等，调整Fe的含有量。Fe的含有量在5～50ppm为好。若超过上限值时在结晶/析出量的适当范围下的控制困难，由化合物引起的凹坑崩塌变得显著。若不足下限时，相反地凹坑的起点过少，所以静电电容量反而降低。更为优选的是Fe量为5～40ppm。
再者，在用交流电流进行蚀刻时控制Fe含有量和结晶/析出物中的Fe的合计显特别重要。含有Fe的结晶/析出物为，例如：AlmFe、Al6Fe、Al3Fe、Al-(Fe，M)-Si等金属间化合物。其中，m为3、6以外的数，M为Fe以外的金属元素。结晶/析出物中的Fe的合计量为原含有量的1～50％，优选1～20％。若结晶/析出物中的Fe的合计量超过50％时由化合物引起的凹坑崩塌变得显著，若不足下限时相反地凹坑的起点过少，所以静电电容量反而降低。关于结晶/析出物中的Fe的合计量的控制，其制造方法没有特别的限定，可以举出以下方法：例如通过带式连铸机这种金属冷却速度为5～50℃/秒这样的急冷凝固装置，制作平板，之后仅通过冷轧达到规定的厚度以供蚀刻；或者，对在530℃以上的温度下将半连续铸造平板进行均质化处理，并且通过板温度区域变为300～400℃的经过次数为2次以下，优选1次以下的这种热轧所制造的热轧板，仅通过冷轧达到规定的厚度以供蚀刻。结晶/析出物中的Fe的合计量能够用公知的分析法进行测定。例如，可以举出用热苯酚液溶解试料，用ICP发光分析装置(ICP-AES)或ICP质量分析装置(ICP-MS)测定残渣的方法。
由于用交流电流形成的蚀刻凹坑以大量且适量存在的化合物作为进行的起点，所以产生分支，凹坑直径细微为几μm以下。特别是当结晶/析出物中的Fe的合计量为1～15ppm时，在用交流电流进行蚀刻的情况下产生大量分支细微直径凹坑，能够得到静电电容量和化学合成电压之积高的电解电容。这可认为是由于含有Fe的结晶/析出物有效地使蚀刻进行的分支产生，结晶/析出物中的Fe的合计量在上述范围中，分支起点数表示最佳值的缘故。因此，优选将该板作为化学合成电压100V以下的低压电容用材料。
此外，在用交流电流进行蚀刻时，以使余留芯部的平均厚度为50～150μm的方式进行蚀刻。在用交流进行蚀刻的情况下，用含有氯离子的电解液，进一步优选将蚀刻阶段数分成2阶段以上。例如，在第一阶段中短时间流过电流密度比较高的交流电流，形成大量的初期凹坑。在第二阶段以后(称为主蚀刻)用电流密度比第一阶段低的交流电流，进一步为了防止化学上的无效溶解而优选使用温度比第一阶段低的电解液。作为第一阶段的电解液，优选含有2～8摩尔/L的氯离子的20～60℃的溶液。为了防止表面溶解，更为优选单独或复合地添加微量的硫酸离子、硝酸离子、磷酸离子、草酸离子等具有氧化作用的离子类。添加量在0.02～0.3摩尔/L的范围内足够。交流波形优选正弦波、矩形波、三角波等，频率优选1～100Hz。电流密度优选0.5～2A/cm2，电量为5～50C/cm2足够。接着，在主蚀刻中，电解液优选含有6～8摩尔/L的氯离子的10～40℃的溶液。为了防止表面溶解，更为优选单独或复合地添加微量的硫酸离子、硝酸离子、磷酸离子、草酸离子等具有氧化作用的离子类。添加量在0.1～0.3摩尔/L的范围内足够。交流波形优选正弦波、矩形波、三角波、交直流重叠波形等，频率优选1～100Hz。电流密度设定得比第一阶段低，优选范围为0.1～1A/cm2。以电量为500～4000C/cm2，至少为第一阶段的10倍以上，且余留芯部平均厚度为50～150μm的方式进行蚀刻。
(交流蚀刻中的材料的溶解举动)
在用直流或交流电流的电解蚀刻中以盐酸作为主体的酸使用，但是本发明的发明者等，在特别是使用盐酸的交流蚀刻中的材料的溶解行动中发现了特异的现象。即，由交流蚀刻产生的溶解量能够用化学溶解量和交流电解时的电溶解量之和表示。前者的化学溶解量，大致直线地与结晶/析出物中的Fe的合计量成比例地增加，因此该现象被推测是由于含有Fe的结晶/析出物相对基体来说电位高，在该电位高的化学物周边优先发生溶解，溶解量增加的缘故。另一方面，后者的交流电解时的电溶解量表示结晶/析出物中的Fe的合计量减少至规定量，此后转而增加的现象。
在此，在使用交流的电解蚀刻中在交流特性上，交互地重复以溶解为主体的阳极半周和以具有防止溶解能力的水合薄膜的形成为主体的阴极半周。本发明的发明者等未能究明该交流蚀刻中的溶解和水合薄膜形成的机理，但是推测如下：
即，因为与基体的电位不同，所以难以在含有Fe的结晶/析出物的表面上形成该水合薄膜，而且该水合薄膜如果凹坑加深则氢离子浓度降低，其结果在凹坑深的地方，形成比在表面附近的凹坑厚的水合薄膜。
此外，阳极半周中的溶解度被推定为受结晶/析出物中的Fe的合计量所左右。即，在结晶/析出物中的Fe的合计量多的情况下，换句话说在含有Fe的化合物多的情况下，与化学溶解相同，在化合物周边的优先溶解变多，所以以溶解为主体的阳极半周中的溶解作用胜过在阴极半周中形成的水合薄膜所产生的溶解阻止作用，使化合物的周边优先溶解，在蚀刻过程中凹坑崩塌，溶解量增加。
与此相对，在结晶/析出物中的Fe的合计量少的情况下，换句话说在含有Fe的化合物少的情况下，在凹坑深的地方，阴极半周中形成的厚的水合薄膜的溶解阻止作用胜过阳极半周中的溶解效果，变得难以溶解，同时凹坑的进行也停滞，但是另一方面，比凹坑深的地方离子浓度高，在阴极半周中形成的水合薄膜厚度薄的表层中凹坑部分优先溶解，诱发全面溶解，即使在凹坑的深部存在难以溶解的地方，因为表层部的全面溶解量多，所以结果溶解量增加。
在交流电解蚀刻中，结晶物和析出物的数量被认为存在最佳值，其结果，以交流电解蚀刻整体的溶解减量为纵轴，结晶物和析出物中的Fe的合计量为横轴，对各种结晶物和析出物中的Fe的合计量，测定交流电解蚀刻整体的溶解减量并打点，成为描绘向下凸的曲线。而且，蚀刻后的静电电容量和溶解减量之间存在大致反比的关系。这是由于为了得到高的静电电容量在最佳的溶解减量范围外，如已述的那样，在含有Fe的化合物少的情况下，形成有凹坑的表层全面溶解，在含有Fe的化合物多的情况下，发生无效溶解而凹坑崩塌的缘故。本实施方式中的适当的结晶/析出物中的Fe的合计量为1～15ppm，优选2～10ppm。
图3是表示准备由铝纯度为99.98质量％以上、Fe含有量为25ppm和作为其余部分的不可避免的杂质，Si为35ppm、Ni为1.5ppm、Ti和Zr各为1ppm以下，其它元素各为2ppm以下所构成，通过铸造和热处理使结晶/析出物中的Fe的合计量发生种种改变的厚度为0.35mm的铝板，在对这些铝板实施交流蚀刻时的、结晶/析出物中的Fe的合计量与CV积(静电电容量和化学合成电压之积)的关系的图。
作为对铝板实施蚀刻的方法，首先，将铝板以0.1N苛性液脱脂后，在第一阶段的处理中形成初期凹坑，然后，在第二阶段和第三阶段的处理中使初期凹坑成长，完成蚀刻凹坑。接着，在己二酸銨水溶液中进行20V化学合成形成阳极氧化薄膜的电介质膜。干燥后，测定静电电容量和薄膜化学合成电压。在测定Al-Fe系金属间化合物的Fe含有量时，在热苯酚液中溶解，用ICP测定残渣。第一阶段～第三阶段的处理条件为：
第一阶段的处理条件
溶液：4摩尔/L盐酸+0.1摩尔/L硫酸    50℃
条件：正弦波交流，频率20Hz，电流密度50A/dm2，电解时间45s
第二阶段的处理条件
溶液：5摩尔/L盐酸+0.1摩尔/L硫酸    32℃
条件：交直流重叠波形(正弦波交流+DC)，频率50Hz，负载比0.80，电流密度15A/dm2，电解时间60s
第三阶段的处理条件
溶液：5摩尔/L盐酸+0.1摩尔/L硫酸    32℃
条件：正弦波交流，频率50Hz，电流密度25A/dm2，电解时间2700s
如图3所示，可知结晶/析出物中的Fe的合计量为1～15ppm时CV积高，此外，2～10ppm，更严密地4～7ppm时存在其峰值。
(本实施方式的主要效果)
如以上说明的那样，因为在本实施方式的铝电解电容器电极用铝板中，使铝纯度、Fe含有量、结晶/析出物中的Fe的合计量最佳化，所以蚀刻凹坑彼此能够不连接而蚀刻至深处，并且，因为使厚度厚到0.2～1mm，所以能够使蚀刻进行至更深的位置。从而，因为能够得到每单位面积的静电电容量高的阳极，所以当层叠阳极确保作为铝固体电解电容器的静电电容量时，能够减少其叠层片数。从而，即使在使铝板的厚度厚到0.2～1mm的情况下，也能够谋求铝固体电解电容器的高容量化、低背化、高频特性的提高。此外，组合上述结构的结果，由于能够余留厚的芯部，所以即使不能够实现在阳极的表面等上与外部端子的接合，也能够在芯部的侧端面连接端子。从而，不会通过端子的连接在阳极上产生对静电电容量没有贡献的部分。此外，如果在芯部的侧端面连接端子，即使层叠阳极，高度尺寸也不会变大，并且，高频特性也不会降低。
例如，根据本实施方式的结构，作为阳极能够通过20V化学合成得到200μF/cm2的静电电容量。此外，通过采用本实施方式的端子接合，能够使实效面积增加30％。其结果，当制作D型外壳(7.5×4.3mm)10V-150μF的电容时，在现有技术中用10个叠层，产品高度为4.2mm，但是，根据本发明，用3个叠层就能够得到同等的静电电容量，并且其高度尺寸收为2.8mm。
其中，作为固体电解质在使用二氧化锰的情况下，频率特性(阻抗值)能得到如下所示的结果。
[表1]
    100kHz     1000kHz   产品高度尺寸
本发明产品     0.055Ω     0.023Ω     2.8mm
现有产品     0.097Ω     0.046Ω     4.2mm
钽电容器     0.120Ω     0.098Ω     2.8mm
此外，作为固体电解质在使用聚吡咯的情况下，频率特性(阻抗值)能得到如下所示的结果。
[表2]
    100kHz     1000kHz 产品高度尺寸
本发明产品     0.023Ω     0.003Ω     2.8mm
现有产品     0.067Ω     0.008Ω     4.2mm
[实施方式2]
本实施方式是与采用直流蚀刻的情况对应的实施方式，本实施方式的铝电解电容器电极用铝板，铝纯度在99.98质量％以上，Fe含有量为5～50ppm，立方体方位含有率(cube orientation content)在80％以上，厚度为0.2～1mm。
在使用这种铝板，制造铝固体电解电容器时，首先，以在厚度方向的中心部分余留平均厚度为50～150μm的芯部的方式对铝板进行直流蚀刻面扩大表面积后，进行阳极氧化，形成电容器阳极。
接着，对于电容器阳极的芯部的侧端面，通过点焊接合引线等的阳极引线。
接着，在电容器阳极的表面形成固体电解质层后，在固体电解质层的表面用碳糊剂和银糊剂等形成阴极，构成电极体。此后，将电极体层叠规定的片数而制造铝固体电解电容器。因为其它结构与实施方式1共通，所以省略说明。
在进行这种直流蚀刻的情况下，例如，作为适合于化学合成电压200V以上的材料有必要使蚀刻凹坑直径大，因此，需要用不使大量存在的化合物作为凹坑起点的直流电流进行蚀刻。蚀刻凹坑的起点为板表面氧化薄膜中的氧化物。氧化物分布能够由用于使立方体方位粒子成长的退火温度进行控制。如果最终使用的电压区域高，则在板的立方体方位粒子充分成长的范围中降低最终退火温度并减少氧化物量；如果减少凹坑的起点，则因为凹坑密度降低所以凹坑直径变大；如果使用电压比较低则通过提高最终退火温度并增加氧化物量，增加凹坑密度，凹坑直径变小。例如在化学合成电压200～400V下优选在480～530°进行最终退火，其以上的化学合成电压优选在530～600°进行最终退火。
即使在将这种铝电解电容器电极用铝板用于中高压用铝电解电容器的情况下，或者用于低压用铝固体电解电容器的情况下，不论哪一种，当用直流电流进行蚀刻时更为重要的都是板中的结晶粒子组织中所占有的立方体方位占有率高。由直流电流产生的蚀刻凹坑，因为具有按照结晶方位直线地行进的性质，所以在板表面上垂直地进行的比例越大，则与其它凹坑合体，凹坑崩塌的情况就越少。因此，立方体方位占有率越高，静电电容量越高。占有率在80％以上为好，优选在90％以上。
为了提高立方体方位占有率，有必要与实施方式1同样地控制以Fe为首，Si、Ni等杂质的量。铝纯度在99.98质量％以上为好，优选在99.99质量％以上，若不足该纯度时各种杂质会阻碍立方体方位的成长。特别是Fe量的控制非常重要。适当的Fe量的范围为5～50ppm，优选5～20ppm。若Fe量超过上限值时，立方体方位粒子的成长显著受阻碍，若不足下限时则不能够抑制晶粒成长，在最终退火时形成显著粗大的粒子。该粗大粒子具有立方体方位以外的方位，机理不确定但是氧化薄膜的性质与形成于具有立方体方位的晶粒上的氧化薄膜不同。其结果是成为静电电容量零散的原因，所以不理想。
其次，当用直流电流进行蚀刻时，以使余留芯部的平均厚度为50～150μm的方式进行蚀刻。在用直流进行蚀刻的情况下也与交流电流蚀刻同样将蚀刻阶段数分成2阶段以上为好。在第一阶段中用比第二阶段以后(称为凹坑直径扩大蚀刻)高的电流密度形成初期凹坑。作为电解液，可以使用包含2～4摩尔/L的硫酸离子和0.5～2摩尔/L的氯离子的60～90℃的混合酸溶液。可以在电流密度为0.2～1A/cm2、电量为30～500C/cm2的范围中，根据规定的板厚来决定。在凹坑直径扩大蚀刻中电解液包含1～2摩尔/L的氯离子，为了防止表面溶解，可以使用单独或复合地添加了微量的硫酸离子、硝酸离子、磷酸离子、草酸离子等具有氧化作用的离子类的溶液。添加量在0.01～0.5摩尔/L的范围内足够。优选溶液温度好60～90℃。使用这种溶液，通过由直流电流或浸渍产生的化学溶解而扩大凹坑直径。优选电解时的电流密度为0.1～0.6A/cm2左右。直流电解和化学溶解共同溶解量为第一阶段的1～10倍，优选1～5倍的范围，并且以余留芯部平均厚度为50～150μm的方式设定时间，进行蚀刻。
因为本发明使铝纯度、Fe含有量、结晶/析出物中的Fe的合计量或立方体方位含有率最佳化，所以蚀刻凹坑彼此能够不连接而蚀刻至深处，并且，因为厚度厚至0.2～1mm，所以能够使蚀刻进行到例如，深度50μm以上，或者100μm以上的更深的位置，从而，因为能够得到每单位面积的静电电容量高的阳极，所以当通过层叠阳极制作电容，在确保规定的静电电容量时，能够减少其叠层片数。从而，即使在厚度厚至0.2～1mm的情况下，也能够达到铝电解电容器的高容量化、低背化、高频特性提高的目的。此外，将上述结构组合起来的结果，由于能够余留厚的芯部，所以即使不能够实现在阳极的表面等上与外部端子的接合，也能够在芯部的侧端面连接端子。从而，不会通过端子的连接在阳极上产生对静电电容量没有贡献的部分。此外，如果在芯部的侧端面连接端子，即使层叠阳极，高度尺寸也不会变大，并且，高频特性也不会降低。

Claims (8)

1.一种铝电解电容器，其具有至少在铝板的蚀刻面上形成有电介质膜和固体电解质层的电容器阳极、和与该电容器阳极电连接的阳极引线，其特征在于：
所述铝板的铝纯度为99.98质量％以上、Fe含有量为5～50ppm、其余部分为不可避免的杂质，结晶/析出物中的Fe的合计量为原含有量的1～50％，
所述电容器阳极，以在厚度方向的中心部分余留平均厚度为50～150μm的芯部的方式蚀刻厚度为0.2～1mm的所述铝板，
所述蚀刻被实施于所述电容器阳极的整个表面和整个背面，所述阳极引线与所述芯部的侧端面接合。
2.一种铝电解电容器，其具有至少在铝板的蚀刻面上形成有电介质膜和固体电解质层的电容器阳极、和与该电容器阳极电连接的阳极引线，其特征在于：
所述铝板的铝纯度为99.98质量％以上、Fe含有量为5～50ppm、其余部分为不可避免的杂质，结晶/析出物中的Fe的合计量为1～15ppm，
所述电容器阳极，以在厚度方向的中心部分余留平均厚度为50～150μm的芯部的方式蚀刻厚度为0.2～1mm的所述铝板，
所述蚀刻被实施于所述电容器阳极的整个表面和整个背面，所述阳极引线与所述芯部的侧端面接合。
3.一种铝电解电容器，其具有至少在铝板的蚀刻面上形成有电介质膜和固体电解质层的电容器阳极、和与该电容器阳极电连接的阳极引线，其特征在于：
所述铝板的铝纯度为99.98质量％以上、Fe含有量为5～50ppm、其余部分为不可避免的杂质，立方体方位含有率为80％以上，
所述电容器阳极，以在厚度方向的中心部分余留平均厚度为50～150μm的芯部的方式蚀刻厚度为0.2～1mm的所述铝板，
所述蚀刻被实施于所述电容器阳极的整个表面和整个背面，所述阳极引线与所述芯部的侧端面接合。
4.根据权利要求1～3中任一项所述的铝电解电容器，其特征在于：
所述电容器阳极层叠有多片。
5.一种铝电解电容器的制造方法，其对铝板进行阳极氧化，形成电容器阳极，其特征在于：
所述铝板的铝纯度为99.98质量％以上、Fe含有量为5～50ppm、其余部分为不可避免的杂质，结晶/析出物中的Fe的合计量为原含有量的1～50％，
对厚度为0.2～1mm的所述铝板，以在厚度方向的中心部分余留平均厚度为50～150μm的芯部的方式，进行交流蚀刻，扩大表面积后，进行阳极氧化，在所述阳极氧化后，切断所述铝板，形成在整个表面和整个背面实施过所述交流蚀刻和所述阳极氧化的所述电容器阳极，
然后，将阳极引线与所述芯部的侧端面接合。
6.一种铝电解电容器的制造方法，其对铝板进行阳极氧化，形成电容器阳极，其特征在于：
所述铝板的铝纯度为99.98质量％以上、Fe含有量为5～50ppm、其余部分为不可避免的杂质，结晶/析出物中的Fe的合计量为1～15ppm，
对厚度为0.2～1mm的所述铝板，以在厚度方向的中心部分余留平均厚度为50～150μm的芯部的方式，进行交流蚀刻，扩大表面积后，进行阳极氧化，在所述阳极氧化后，切断所述铝板，形成在整个表面和整个背面实施过所述交流蚀刻和所述阳极氧化的所述电容器阳极，
然后，将阳极引线与所述芯部的侧端面接合。
7.一种铝电解电容器的制造方法，其对铝板进行阳极氧化，形成电容器阳极，其特征在于：
所述铝板的铝纯度为99.98质量％以上、Fe含有量为5～50ppm、其余部分为不可避免的杂质，立方体方位含有率为80％以上，
对厚度为0.2～1mm的所述铝板，以在厚度方向的中心部分余留平均厚度为50～150μm的芯部的方式，进行直流蚀刻，扩大表面积后，进行阳极氧化，在所述阳极氧化后，切断所述铝板，形成在整个表面和整个背面实施过所述直流蚀刻和所述阳极氧化的所述电容器阳极，
然后，将阳极引线与所述芯部的侧端面接合。
8.根据权利要求5～7中任一项所述的铝电解电容器的制造方法，其特征在于：
通过激光焊接将所述阳极引线与所述芯部的侧端面接合。
CN2006800092609A 2005-03-23 2006-03-13 铝电解电容器电极用铝板、铝电解电容器和铝电解电容器的制造方法 Expired - Fee Related CN101147220B (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2005084108 2005-03-23
JP084108/2005 2005-03-23
PCT/JP2006/304854 WO2006100949A1 (ja) 2005-03-23 2006-03-13 アルミニウム電解コンデンサ電極用アルミニウム板、アルミニウム電解コンデンサ、およびアルミニウム電解コンデンサの製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN101147220A CN101147220A (zh) 2008-03-19
CN101147220B true CN101147220B (zh) 2010-09-15

Family

ID=37023616

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN2006800092609A Expired - Fee Related CN101147220B (zh) 2005-03-23 2006-03-13 铝电解电容器电极用铝板、铝电解电容器和铝电解电容器的制造方法

Country Status (7)

Country Link
US (1) US7612986B2 (zh)
JP (1) JP4816640B2 (zh)
KR (1) KR20070103500A (zh)
CN (1) CN101147220B (zh)
DE (1) DE112006000692T5 (zh)
TW (1) TW200744113A (zh)
WO (1) WO2006100949A1 (zh)

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101861633B (zh) * 2007-11-14 2012-05-23 日本轻金属株式会社 电解电容器用铝蚀刻板
JPWO2009118774A1 (ja) * 2008-03-24 2011-07-21 日本軽金属株式会社 電解コンデンサ用アルミニウムエッチド板、電解コンデンサ用アルミニウム電極板、およびそれらの製造方法
US8349462B2 (en) * 2009-01-16 2013-01-08 Alcoa Inc. Aluminum alloys, aluminum alloy products and methods for making the same
TWI483352B (zh) 2012-03-12 2015-05-01 Ind Tech Res Inst 固態電解電容基板模組及包括該固態電解電容基板模組的電路板
US10529497B2 (en) 2016-09-16 2020-01-07 Japan Capacitor Industrial Co., Ltd. Stereostructure
JP6762888B2 (ja) 2017-02-10 2020-09-30 日本軽金属株式会社 電極ホルダおよびアルミニウム電解コンデンサ用電極の製造方法

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63265415A (ja) * 1987-04-23 1988-11-01 Showa Alum Corp 電解コンデンサ電極用アルミニウム合金箔
JP3393607B2 (ja) 1992-08-20 2003-04-07 日本製箔株式会社 電解コンデンサ電極用アルミニウム合金箔
JP3293081B2 (ja) 1992-08-28 2002-06-17 日本軽金属株式会社 電解コンデンサ陽極用アルミニウム箔及びその製造方法
JP3396902B2 (ja) * 1992-12-21 2003-04-14 日本ケミコン株式会社 固体電解コンデンサ及びその製造方法
JP3061333B2 (ja) * 1992-12-25 2000-07-10 株式会社竹中工務店 床たわみコントロール法と鉄骨造多層建物の構築方法。
US6865071B2 (en) * 1998-03-03 2005-03-08 Acktar Ltd. Electrolytic capacitors and method for making them
JP3725392B2 (ja) * 2000-03-10 2005-12-07 松下電器産業株式会社 電解コンデンサおよびその製造方法
US6459565B1 (en) * 2001-06-11 2002-10-01 Kemet Electronics Corporation Surface mount aluminum capacitor having anode foil anodized in an aqueous phosphate solution
TWI254333B (en) * 2002-03-18 2006-05-01 Sanyo Electric Co Solid electrolytic capacitor and method of manufacturing same
JP3953408B2 (ja) 2002-10-29 2007-08-08 日本軽金属株式会社 交流エッチングに供する中・低圧電解コンデンサ用軟質アルミニウム箔およびその製造方法
JP4338179B2 (ja) * 2003-04-16 2009-10-07 日本カーリット株式会社 アルミニウム固体電解コンデンサの製造方法
US6801424B1 (en) * 2003-05-30 2004-10-05 Medtronic, Inc. Electrolytic capacitor for use in an implantable medical device
JP2005045007A (ja) * 2003-07-22 2005-02-17 Matsushita Electric Ind Co Ltd 固体電解コンデンサ及びその製造方法
US7170736B2 (en) * 2003-08-28 2007-01-30 Tessera, Inc. Capacitor having low resistance electrode including a thin silicon layer
US7224575B2 (en) * 2004-07-16 2007-05-29 Cardiac Pacemakers, Inc. Method and apparatus for high voltage aluminum capacitor design
DE102005033839A1 (de) * 2005-07-20 2007-01-25 H.C. Starck Gmbh Elektrolytkondensatoren mit polymerer Außenschicht und Verfahren zur ihrer Herstellung

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
JP平3-61333A 1991.09.19

Also Published As

Publication number Publication date
JP4816640B2 (ja) 2011-11-16
WO2006100949A1 (ja) 2006-09-28
TW200744113A (en) 2007-12-01
US7612986B2 (en) 2009-11-03
KR20070103500A (ko) 2007-10-23
JPWO2006100949A1 (ja) 2008-09-04
DE112006000692T5 (de) 2008-02-07
US20090021892A1 (en) 2009-01-22
CN101147220A (zh) 2008-03-19

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN101147220B (zh) 铝电解电容器电极用铝板、铝电解电容器和铝电解电容器的制造方法
JP5094172B2 (ja) エッチング用アルミニウム基材及びそれを用いた電解コンデンサ用アルミニウム電極材
JP4970742B2 (ja) 電解コンデンサ電極用アルミニウム材、電解コンデンサ用アルミニウム材の製造方法、アルミニウム電解コンデンサ用陽極材及びアルミニウム電解コンデンサ
JPWO2011004777A1 (ja) アルミニウム貫通箔
CN102422370A (zh) 电解电容器用铝电极板的制造方法
JPH055145A (ja) 電解コンデンサ電極箔用アルミニウム合金
JP4237236B2 (ja) 電解コンデンサ用アルミニウム箔およびその製造方法
JP4958478B2 (ja) 電解コンデンサ用アルミニウム電極箔の製造方法
CN101960544B (zh) 电解电容器用铝电极板的制造方法
JP5063057B2 (ja) 電解コンデンサ電極用アルミニウム材、電解コンデンサ用電極材の製造方法、電解コンデンサ用電極材ならびにアルミニウム電解コンデンサ
JP2012062576A (ja) 電解コンデンサ電極用アルミニウム材、電解コンデンサ用アルミニウム材の製造方法、アルミニウム電解コンデンサ用陽極材及びアルミニウム電解コンデンサ
JP4002291B2 (ja) ピット生成エッチング方法
JP3920306B1 (ja) 電解コンデンサ用アルミニウム箔
JP5117673B2 (ja) 電解コンデンサ電極用アルミニウム材、電解コンデンサ用電極材の製造方法、アルミニウム電解コンデンサ用陽極材及びアルミニウム電解コンデンサ
JP4827103B2 (ja) 電解コンデンサ電極用アルミニウム箔の製造方法
JP5681397B2 (ja) 電解コンデンサ用アルミニウム箔およびその製造方法
JPH03165508A (ja) 電解コンデンサ陰極箔用アルミニウム合金
JPH03122239A (ja) 電解コンデンサ陰極箔用アルミニウム合金
JP4539912B2 (ja) 電解コンデンサ陽極用アルミニウム箔およびその製造方法
JP2011006747A (ja) 電解コンデンサ用アルミニウム箔
JP4793827B2 (ja) 電解コンデンサ用アルミニウム箔およびその製造方法
JP4539911B2 (ja) 電極コンデンサ陽極用アルミニウム箔およびその製造方法
JP2007254847A (ja) 高純度Ｎｉ拡散メッキ鋼板の製造方法
JP4243719B2 (ja) エッチング用アルミニウム箔及び電解コンデンサ用アルミニウム電極箔
JP2006274375A (ja) エッチング用アルミニウム箔及び電解コンデンサ用アルミニウム電極箔

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
REG Reference to a national code

Ref country code: HK

Ref legal event code: DE

Ref document number: 1117269

Country of ref document: HK

C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
REG Reference to a national code

Ref country code: HK

Ref legal event code: WD

Ref document number: 1117269

Country of ref document: HK

CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20100915

Termination date: 20150313

EXPY Termination of patent right or utility model