JPH03122239A - 電解コンデンサ陰極箔用アルミニウム合金 - Google Patents
電解コンデンサ陰極箔用アルミニウム合金Info
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
この発明は電解コンデンサ陰極箔用アルミニウム合金に
関する。
関する。
従来の技術
アルミニウム電解コンデンサの静電容量を増大してその
性能を向上させるためには、陽極用アルミニウム箔のみ
ならず陰極箔の静電容量も増大させる必要がある。
性能を向上させるためには、陽極用アルミニウム箔のみ
ならず陰極箔の静電容量も増大させる必要がある。
このため一般に、陰極箔に化学的あるいは電気化学的エ
ツチング処理を施して実効面積を拡大し単位体積当りの
静電容量の増大を図ることが行われており、さらに、こ
のエツチング特性を改善すべく陰極箔の材料組成の面か
らの研究がなされている。そのようなエツチング特性を
改善した陰極箔として、従来、Ｃｕを０．１〜０．５ｗ
ｔ％程度添加含有したアルミニウム合金陰極箔が知られ
ている（例えば特開昭５６−１３３４４４号、特開昭６
２−１４９８５８号）。
ツチング処理を施して実効面積を拡大し単位体積当りの
静電容量の増大を図ることが行われており、さらに、こ
のエツチング特性を改善すべく陰極箔の材料組成の面か
らの研究がなされている。そのようなエツチング特性を
改善した陰極箔として、従来、Ｃｕを０．１〜０．５ｗ
ｔ％程度添加含有したアルミニウム合金陰極箔が知られ
ている（例えば特開昭５６−１３３４４４号、特開昭６
２−１４９８５８号）。
発明が解決しようとする課題
ところが、Ｃｕを含有した陰極箔を電解コンデンサに用
いると、箔中のＣｕが析出して洩れ電流が増え、甚しく
はコンデンサ本体の破損を引起こす場合があるという問
題を生ずることが判明した。
いると、箔中のＣｕが析出して洩れ電流が増え、甚しく
はコンデンサ本体の破損を引起こす場合があるという問
題を生ずることが判明した。
この発明は、かかる事情に鑑みてなされたものであって
、高静電容量を保有するものでありながらもコンデンサ
４こ用いた場合の洩れ電流の増大や破損を生じない陰極
箔となしつる電解コンデンサ陰極箔用アルミニウム合金
の提供を目的とする。
、高静電容量を保有するものでありながらもコンデンサ
４こ用いた場合の洩れ電流の増大や破損を生じない陰極
箔となしつる電解コンデンサ陰極箔用アルミニウム合金
の提供を目的とする。
課題を解決するための手段
上記目的を達成するために、この発明に係る陰極箔用ア
ルミニウム合金は、Ｎｉ：０．００１〜０．００５ｗｔ
％、Ｆｅ ： ０．０５〜０．２ｗｔ％、Ｓｉ：０．１
ｗｔ％以下を含有し、不可避不純物としてＴｉ ： ０
．００１５ｗｔ％以下、Ｃｕ ＳＭ ｎ ｒ Ｍ ｇ
ＳＣｒ ＳＺ ｎ ＳＶ −、Ｂ ：各０６００５ｗｔ
％以下にそれらの含有量が規制され、残部がアルミニウ
ム及び前記以外の不可避不純物からなることを特徴とす
る。
ルミニウム合金は、Ｎｉ：０．００１〜０．００５ｗｔ
％、Ｆｅ ： ０．０５〜０．２ｗｔ％、Ｓｉ：０．１
ｗｔ％以下を含有し、不可避不純物としてＴｉ ： ０
．００１５ｗｔ％以下、Ｃｕ ＳＭ ｎ ｒ Ｍ ｇ
ＳＣｒ ＳＺ ｎ ＳＶ −、Ｂ ：各０６００５ｗｔ
％以下にそれらの含有量が規制され、残部がアルミニウ
ム及び前記以外の不可避不純物からなることを特徴とす
る。
上記において、Ｎｉは、表面積拡大のためのエツチング
処理においてエツチング開始点を増大させ、それにより
拡面率の向上ひいては静電容量の増大に寄与するもので
ある。しかし、０゜００１ｗｔ％（１０ｐｐａ＋）未満
の含有量ではその効果に乏しく、逆に０．００５ｗｔ％
（５０ｐｐＩ１１）を超えると過度の表面溶解により拡
面率の向上を妨げ結果的に静電容量の増大が図れなくな
るとともに、腐食減量が多くなって機械的強度の低下を
もたらす。
処理においてエツチング開始点を増大させ、それにより
拡面率の向上ひいては静電容量の増大に寄与するもので
ある。しかし、０゜００１ｗｔ％（１０ｐｐａ＋）未満
の含有量ではその効果に乏しく、逆に０．００５ｗｔ％
（５０ｐｐＩ１１）を超えると過度の表面溶解により拡
面率の向上を妨げ結果的に静電容量の増大が図れなくな
るとともに、腐食減量が多くなって機械的強度の低下を
もたらす。
Ｆｅもまた、Ｎｉと同様にエツチング開始点を増大して
静電容量の増大に寄与するものである。しかし、その含
有量が０．０５νｔ％（５００ｐｐｍ）未満では上記効
果に乏しく、逆に０゜２ｗｔ％（２０００ｐｐａ＋）を
超えるとアルミニウム箔焼鈍後の結晶組織における立方
体方位の結晶生成を抑制してエツチングピットの成長を
妨げ、静電容量を低下させる。Ｆｅの特に好ましい含有
量は０，０５〜０．１５ｗｔ％である。
静電容量の増大に寄与するものである。しかし、その含
有量が０．０５νｔ％（５００ｐｐｍ）未満では上記効
果に乏しく、逆に０゜２ｗｔ％（２０００ｐｐａ＋）を
超えるとアルミニウム箔焼鈍後の結晶組織における立方
体方位の結晶生成を抑制してエツチングピットの成長を
妨げ、静電容量を低下させる。Ｆｅの特に好ましい含有
量は０，０５〜０．１５ｗｔ％である。
Ｓｉはエツチングの均一性と安定性に寄与するものであ
るが、０．１ｗｔ％（１０００ｐｐａ＋）を超えるとそ
の効果がなく表面溶解量が多くなって静電容量が低下す
る。従って０． ｌｗｔ％以下の範囲で含有されなけ
ればならず、好ましくは０．０５νｔ％以下の範囲で含
有するのが良い。
るが、０．１ｗｔ％（１０００ｐｐａ＋）を超えるとそ
の効果がなく表面溶解量が多くなって静電容量が低下す
る。従って０． ｌｗｔ％以下の範囲で含有されなけ
ればならず、好ましくは０．０５νｔ％以下の範囲で含
有するのが良い。
上記各必須元素の他、エツチング特性の向上元素として
任意的にＧａ０．００５〜０．０２ｗｔ％（５０〜２０
０ｐｐｒａ）を含有せしめても良い。
任意的にＧａ０．００５〜０．０２ｗｔ％（５０〜２０
０ｐｐｒａ）を含有せしめても良い。
不可避不純物としてのＭｎ、Ｍｇ５Ｃｒ、Ｚｎ５Ｖ、Ｂ
はこれらが多量に含有されるとエツチング特性が劣化し
て過度の表面溶解を招き静電容量が低下する。従ってＭ
ｎ、Ｍｇ５Ｃｒ。
はこれらが多量に含有されるとエツチング特性が劣化し
て過度の表面溶解を招き静電容量が低下する。従ってＭ
ｎ、Ｍｇ５Ｃｒ。
Ｚｎ、Ｖ、Ｂはそれぞれ０．００５ｗｔ％（５０ｐｐ１
１）以下に含有量が規制されなければならない。特に好
ましくは０．００３ｗｔ％以下に規制されるのが良い。
１）以下に含有量が規制されなければならない。特に好
ましくは０．００３ｗｔ％以下に規制されるのが良い。
同じく不可避不純物としてのＴｉも静電容量の増大に対
してその妨げとなるため可及的減するのが望ましい。し
かし、０゜００１５ｗｔ％（１５ｐｐｍ）以下の範囲で
あれば−その弊害が少ないため、Ｔｉは０゜０Ｏ１５ｗ
ｔ％以下の範囲でその含有が許容される。また不可避不
純物としてのＣｕは、これが多量に含有されると電解コ
ンデンサに用いた場合に析出して洩れ電流の増加やコン
デンサ本体の破壊の危険があることから、かかる危険の
ない０．００５ｗｔ％（５０ｐｐｍ）以下に規制されな
ければならなず、好ましくは０．００２ｗｔ％以下に規
制されるのが良い。
してその妨げとなるため可及的減するのが望ましい。し
かし、０゜００１５ｗｔ％（１５ｐｐｍ）以下の範囲で
あれば−その弊害が少ないため、Ｔｉは０゜０Ｏ１５ｗ
ｔ％以下の範囲でその含有が許容される。また不可避不
純物としてのＣｕは、これが多量に含有されると電解コ
ンデンサに用いた場合に析出して洩れ電流の増加やコン
デンサ本体の破壊の危険があることから、かかる危険の
ない０．００５ｗｔ％（５０ｐｐｍ）以下に規制されな
ければならなず、好ましくは０．００２ｗｔ％以下に規
制されるのが良い。
この発明に係るアルミニウム合金の電解コンデンサ陰極
箔への製造は常法に従って行えば良く、例えばアルミニ
ウム溶湯から縦型または横型の半連続鋳造法によりスラ
ブを鋳造したのち、このスラブを熱間圧延、冷間圧延さ
らに箔圧延により厚さ３０〜６０μｍ程度の箔とすれば
良い。こうして製造した箔は、−膜内には焼鈍処理によ
り軟化させたのち電気化学的あるいは化学的エツチング
処理を施して箔表面の実効面積を拡大し電解コンデンサ
陰極箔とする。
箔への製造は常法に従って行えば良く、例えばアルミニ
ウム溶湯から縦型または横型の半連続鋳造法によりスラ
ブを鋳造したのち、このスラブを熱間圧延、冷間圧延さ
らに箔圧延により厚さ３０〜６０μｍ程度の箔とすれば
良い。こうして製造した箔は、−膜内には焼鈍処理によ
り軟化させたのち電気化学的あるいは化学的エツチング
処理を施して箔表面の実効面積を拡大し電解コンデンサ
陰極箔とする。
発明の効果
この発明に係る電解コンデンサ陰極箔用アルミニウム合
金によれば、後述の実施例の参酌によっても明らかなよ
うに、Ｃｕを実質的に含まないものでありながらも大き
な静電容量を有する陰極箔の提供が可能となる。しかも
、Ｃｕを実質的に含まないことにより、該陰極箔を電解
コンデンサに使用した場合にも従来のような洩れ電流の
増大、コンデンサの破損の危険を回避しうる。
金によれば、後述の実施例の参酌によっても明らかなよ
うに、Ｃｕを実質的に含まないものでありながらも大き
な静電容量を有する陰極箔の提供が可能となる。しかも
、Ｃｕを実質的に含まないことにより、該陰極箔を電解
コンデンサに使用した場合にも従来のような洩れ電流の
増大、コンデンサの破損の危険を回避しうる。
実施例
次にこの発明の詳細な説明する。
下記第１表に示される成分量に調整されたアルミニウム
溶湯から半連続鋳造法によりスラブを鋳造し、これに常
法による熱間圧延、冷間圧延、更に箔圧延を施して厚さ
５０μｍの箔を製作した。次にこの箔に焼鈍処理を施し
て軟化させた後、これを７％塩酸、０．２％リン酸及び
０、 ２％硝酸からなる温度５５０Ｃ±ＩＯＣの混合水
溶液中に浸漬し、電流密度６０Ａ／ｄｍの交流電流を通
じて１３５秒間エツチングを行い、陰極箔とした。
溶湯から半連続鋳造法によりスラブを鋳造し、これに常
法による熱間圧延、冷間圧延、更に箔圧延を施して厚さ
５０μｍの箔を製作した。次にこの箔に焼鈍処理を施し
て軟化させた後、これを７％塩酸、０．２％リン酸及び
０、 ２％硝酸からなる温度５５０Ｃ±ＩＯＣの混合水
溶液中に浸漬し、電流密度６０Ａ／ｄｍの交流電流を通
じて１３５秒間エツチングを行い、陰極箔とした。
上記により得た各陰極箔につき、５％ホウ酸及び５％ク
エン酸の混合水溶液（温度３００Ｃ）中に浸漬し、交流
万能ブリッジにて静電容量を測定した。その結果を同じ
く第１表に示す。
エン酸の混合水溶液（温度３００Ｃ）中に浸漬し、交流
万能ブリッジにて静電容量を測定した。その結果を同じ
く第１表に示す。
［以下余白］
第１表に示される結果から明らなように、この発明の合
金によれば、それにより製造される陰極箔の静電容量を
、Ｃｕの含有量を極めて低く抑えつつも、非常に高いも
のにすることができることを確認しえた。
金によれば、それにより製造される陰極箔の静電容量を
、Ｃｕの含有量を極めて低く抑えつつも、非常に高いも
のにすることができることを確認しえた。
以上
Claims (1)
- Ｎｉ：０．００１〜０．００５ｗｔ％、Ｆｅ：０．０５
〜０．２ｗｔ％、Ｓｉ：０．１ｗｔ％以下を含有し、不
可避不純物としてＴｉ：０．００１５ｗｔ％以下、Ｃｕ
、Ｍｎ、Ｍｇ、Ｃｒ、Ｚｎ、Ｖ、Ｂ：各０．００５ｗｔ
％以下にそれらの含有量が規制され、残部がアルミニウ
ム及び前記以外の不可避不純物からなることを特徴とす
る電解コンデンサ陰極箔用アルミニウム合金。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26112789A JPH03122239A (ja) | 1989-10-05 | 1989-10-05 | 電解コンデンサ陰極箔用アルミニウム合金 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26112789A JPH03122239A (ja) | 1989-10-05 | 1989-10-05 | 電解コンデンサ陰極箔用アルミニウム合金 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03122239A true JPH03122239A (ja) | 1991-05-24 |
| JPH05461B2 JPH05461B2 (ja) | 1993-01-06 |
Family
ID=17357474
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26112789A Granted JPH03122239A (ja) | 1989-10-05 | 1989-10-05 | 電解コンデンサ陰極箔用アルミニウム合金 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03122239A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0521288A (ja) * | 1991-07-09 | 1993-01-29 | Showa Alum Corp | 電解コンデンサ陰極箔用アルミニウム合金 |
| JP2008019509A (ja) * | 2007-08-10 | 2008-01-31 | Mitsubishi Alum Co Ltd | 電解コンデンサ電極用アルミニウム箔の製造方法 |
| JP2008150692A (ja) * | 2006-12-20 | 2008-07-03 | Mitsubishi Alum Co Ltd | 電解コンデンサ電極用アルミニウム材 |
| US7473506B2 (en) | 2005-08-26 | 2009-01-06 | Fuji Electric Device Technology Co., Ltd. | Method of producing an electrophotographic photoconductor and an electrophotographic photoconductor produced by this method |
| JP2010275586A (ja) * | 2009-05-28 | 2010-12-09 | Mitsubishi Alum Co Ltd | 電解コンデンサ陰極用アルミニウム合金箔及びその製造方法 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5395265A (en) * | 1977-01-31 | 1978-08-21 | Mitsubishi Keikinzoku Kogyo | Aluminum anode foil for electrolytic capacitor and method of making same |
| JPS57110646A (en) * | 1980-12-26 | 1982-07-09 | Sumitomo Alum Smelt Co Ltd | High-purity aluminum alloy foil for anode of electrolytic capacitor |
| JPS63290239A (ja) * | 1987-05-22 | 1988-11-28 | Toyo Alum Kk | 電解コンデンサ陰極用アルミニウム合金箔 |
-
1989
- 1989-10-05 JP JP26112789A patent/JPH03122239A/ja active Granted
Patent Citations (3)
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|---|---|---|---|---|
| JPS5395265A (en) * | 1977-01-31 | 1978-08-21 | Mitsubishi Keikinzoku Kogyo | Aluminum anode foil for electrolytic capacitor and method of making same |
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| JP2008150692A (ja) * | 2006-12-20 | 2008-07-03 | Mitsubishi Alum Co Ltd | 電解コンデンサ電極用アルミニウム材 |
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| JP2010275586A (ja) * | 2009-05-28 | 2010-12-09 | Mitsubishi Alum Co Ltd | 電解コンデンサ陰極用アルミニウム合金箔及びその製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH05461B2 (ja) | 1993-01-06 |
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