CN101145505B - 基板处理装置和基板处理方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种基板处理装置和基板处理方法。基板处理装置(1)具有挡住从处理液供给部(3)供给而从基板(9)上飞溅出来的处理液的防溅罩(41)。防溅罩(41)由绝缘材料形成。对防溅罩(41)的外周面(411b)实施亲水化处理，在处理基板(9)时，将水保持在防溅罩(41)的外周面(411b)上。由此，不会因由特殊的导电材料形成防溅罩而大幅度地增加基板处理装置(1)的制造成本，能够利用保持在外周面(411b)上的水来抑制纯水飞溅时产生的防溅罩(41)的带电电位，其结果是，能够防止因基板(9)的感应带电而引起在向基板(9)供给处理液时在基板(9)上产生放电。

Description

基板处理装置和基板处理方法
技术领域
本发明涉及一种向基板供给处理液而对基板进行处理的技术。
背景技术
一直以来，在半导体基板(以下简称为“基板”)的制造工序中，使用基板处理装置对具有氧化膜等绝缘膜的基板实施各种处理，例如，一面使基板围绕垂直于主面的中心轴进行旋转一面将处理液供给到基板上，由此对基板的表面进行蚀刻等处理。这时，从旋转的基板上飞溅出来的处理液被包围基板的周围的防溅罩(splash guard)挡住，防止处理液飞溅到装置的外部。从对处理液的耐腐蚀性的观点来看，这样的防溅罩通常由氟树脂或聚氯乙烯树脂等绝缘材料形成。
此外，日本特开平11-283914号公报(文献1)公开了如下这样一种方法：在基板处理装置中，用防止带电的塑料材料形成防溅罩，从而防止在基板的处理中使防溅罩带电。另外，日本特开2004-356299号公报和特开2006-147672号公报公开了如下这样一种技术：在基板处理装置中，对防溅罩的内周面、或将多个防溅罩设置成同心状的情况下的内侧的防溅罩的外周面实施亲水化处理，从而抑制从基板上飞溅出来的处理液在防溅罩上返跳等而再次附着在基板上。
但是，在基板处理装置中也进行用纯水作为处理液的处理(例如清洗处理)。此时，因从基板上飞溅出来电阻率(resistivity)高的纯水而在具有绝缘性的防溅罩上产生摩擦带电，从而因来自的防溅罩的电场使基板的主体感应带电。当在这种状态下向基板上供给具有导电性的处理液时，绝缘膜的绝缘性就被破坏，在向基板提供的处理液与基板的主体之间就会经绝缘膜产生放电。像文献1那样，考虑用防止带电的塑料材料形成整个防溅罩，但是，这种特殊材料价格高，会大幅度地提高基板处理装置的制造成本。
发明内容
本发明的目的在于提供一种向基板供给处理液来对基板进行处理的基板处理装置和基板处理方法，不会大幅度地增大基板处理装置的制造成本，而能够防止由基板的感应带电而引起在基板上发生放电，其中，基板的感应带电是由纯水飞溅时产生的防溅罩的带电引起的。
本发明的基板处理装置具有：保持部，其对基板进行保持；处理液供给部，其至少将纯水作为处理液而供给到基板上；防溅罩，其主体由绝缘材料或半导电材料形成，该防溅罩具有包围保持部的周围而挡住从基板上飞溅出来的处理液的周壁部，并且，周壁部在内部具有相比形成主体的材料而电阻率小的部位，接地部，其使电阻率小的部位或防溅罩电性接地。
按照本发明，不大幅度地增大基板处理装置的制造成本，就能够抑制纯水飞溅时产生的防溅罩的带电电位，由此，能够防止因基板的感应带电而引起在基板上产生放电。
其他的优选的基板处理装置具有：保持部，其对基板进行保持；处理液供给部，其至少将纯水作为处理液而供给到基板上；防溅罩，其主体由绝缘材料或半导电材料形成，该防溅罩包围保持部的周围而挡住从基板上飞溅出来的处理液，并且，该防溅罩的内周面和外周面中的至少一个面是相比主体而电阻率小的构件的表面，或者至少一个面的一部分是电阻率小的构件的表面。因此，能够防止因基板的感应带电而引起在基板上产生放电。
另外的优选的基板处理装置具有：保持部，其对基板进行保持；处理液供给部，其至少将纯水作为处理液而供给到基板上；防溅罩，其由绝缘材料形成，该防溅罩包围保持部的周围而挡住从基板上飞溅出来的处理液；保持含水的液体的部件，将含水的液体保持在该防溅罩的内周面和外周面中的至少一个面上；接地部，其在至少一个面上保持有含水的液体的状态下，使含水的液体电性接地。在这样的基板处理装置中，能够进一步抑制防溅罩的带电电位。
本发明的一个方案中的基板处理装置具有：保持部，其对基板进行保持；处理液供给部，其至少将纯水作为处理液而供给到基板上；至少一个防溅罩，其分别由绝缘材料形成，并且，包围保持部的周围而挡住从基板上飞溅出来的处理液；保持含水的液体的部件，将含水的液体保持在至少一个防溅罩中处于最外侧的最外防溅罩的外周面上，接地部，在最外防溅罩的外周面上保 持有含水的液体的状态下，使含水的液体电性接地，或者使最外防溅罩电性接地。由此，能够抑制防溅罩的带电电位，而对工艺没有影响。
本发明的其他方案中的基板处理装置具有：保持部，其对基板进行保持；处理液供给部，其至少将纯水作为处理液而供给到基板上；至少一个防溅罩，其分别由绝缘材料或半导电材料形成，并且，包围保持部的周围而挡住从所述基板上飞溅出来的处理液；圆筒构件，其接近于至少一个防溅罩中处于最外侧的最外防溅罩的外周面而设置，并且，该圆筒构件的电阻率比所述最外防溅罩小，接地部，其使所述圆筒构件电性接地。因此，能够用圆筒构件抑制纯水飞溅时产生的防溅罩的带电电位。
本发明的另外的其他方案的基板处理装置具有：保持部，其对基板进行保持；处理液供给部，其至少将纯水作为处理液而供给到基板上；防溅罩，其主体由绝缘材料形成，该防溅罩具有包围保持部的周围而挡住从基板上飞溅出来的处理液的周壁部，并且，该周壁部在内部或表面上具有介电常数比绝缘材料高的辅助电介质。基板处理装置中，能够用辅助电介质抑制纯水飞溅时产生的防溅罩的带电电位，因此，能够防止因基板的感应带电而引起在基板上产生放电。
本发明还适用于对基板供给处理液来处理基板的基板处理方法。
一种基板处理方法，在基板处理装置中对基板进行处理，其特征在于所述基板处理装置具有：保持部，其对基板进行保持；处理液供给部，其至少将纯水作为处理液而供给到所述基板上；防溅罩，其由绝缘材料形成，并且，包围所述保持部的周围而挡住从所述基板飞溅出来的处理液，保持含水的液体的部件，其将含水的液体保持在该防溅罩的内周面和外周面中的至少一个面上；所述基板处理方法包括：a工序：对所述至少一个面给予含水的液体，通过所述保持含水的液体的部件，而使所述含水的液体保持在所述至少一面上；b工序：从所述处理液供给部向所述基板上供给处理液，在所述至少一个面上保持有所述含水的液体的状态下，将所述含水的液体电性接地。
一种基板处理方法，在基板处理装置中对基板进行处理，其特征在于，所述基板处理装置具有：保持部，其对基板进行保持；处理液供给部，其至少将纯水作为处理液而供给到所述基板上；至少一个防溅罩，其分别由绝缘材料形成，并且，包围所述保持部的周围而挡住从所述基板飞溅出来的处理 液，保持含水的液体的部件，其将含水的液体保持在所述至少一个防溅罩中处于最外侧的最外防溅罩的外周面上；所述基板处理方法包括：a工序：对所述外周面给予含水的液体，通过所述保持含水的液体的部件，而使所述含水的液体保持在所述外周面上；b工序：从所述处理液供给部向所述基板上供给处理液，在所述最外防溅罩的所述外周面上保持有所述含水的液体的状态下，使所述含水的液体电性接地，或者使所述最外防溅罩电性接地。
一种基板处理方法，向基板供给处理液而对所述基板进行处理，其特征在于，所述基板处理方法包括：由防溅罩包围基板的周围的工序，该防溅罩的主体由绝缘材料形成，并且，该防溅罩在周壁部的内部或表面上具有介电常数比所述绝缘材料高的辅助电介质；至少将纯水作为处理液而供给到基板上，同时由所述周壁部挡住从所述基板飞溅出来的处理液的工序。
以下参照附图进行的本发明的详细说明将使上述的或其他目的、特征、方式和优点更加明确。
附图说明
图1是表示第一实施方式的基板处理装置的结构的图。
图2是表示基板处理装置处理基板的动作的流程的图。
图3是用于说明向防溅罩的外周面给予纯水的动作的图。
图4是表示基板处理装置的其他例的图。
图5是表示基板处理装置的又一其他例的图。
图6是表示基板处理装置的又一其他例的图。
图7是表示基板处理装置的又一其他例的图。
图8是防溅罩的剖面图。
图9是表示基板处理装置的又一其他例的图。
图10是防溅罩的剖面图。
图11是表示防溅罩的其他例的图。
图12是表示基板处理装置的又一其他例的图。
图13是表示第二实施方式的基板处理装置的结构的图。
图14是表示基板处理装置处理基板的动作的部分流程的图。
图15是用于说明基板处理装置的基本动作的图。
图16是用于说明基板处理装置的基本动作的图。
图17是用于说明基板处理装置的基本动作的图。
图18是表示基板处理装置的其他例的图。
图19是表示基板处理装置的又一其他例的图。
图20是表示第三实施方式的基板处理装置的结构的图。
图21是表示基板处理装置的其他例的图。
图22是表示基板处理装置的又一其他例的图。
图23是表示基板处理装置的又一其他例的图。
图24是表示基板处理装置的又一其他例的图。
图25是表示第四实施方式的基板处理装置的结构的图。
图26是防溅罩的剖面图。
图27是表示向基板供给处理液来处理基板的动作流程的图。
图28是表示防溅罩的其他例的图。
图29是表示基板处理装置的其他例的图。
图30是防溅罩的剖面图。
图31是表示具有多个防溅罩的基板处理装置的局部结构的图。
具体实施方式
图1是表示本发明第一实施方式的基板处理装置1的结构的图。基板处理装置1是对在表面上形成了绝缘膜(例如氧化膜)的半导体基板9(例如硅基板，以下简称为“基板9”)供给处理液来进行蚀刻等处理的装置。
如图1所示，基板处理装置1具备从下侧保持基板9的基板保持部2、配置在基板9的上方并向基板9的上侧的主面(下称“上表面”)喷出清洗液的处理液供给部3、包围基板保持部2的周围的防溅罩41、作为使防溅罩41沿图1中的上下方向移动的气缸机构的升降机构5、和控制这些构成的控制部10。为了便于图示，在图1中，以剖面描绘基板保持部2的一部分(在图3至图7、图9、图12、图13、图15至图24也同样)。
基板保持部2具备从下侧和外周侧将呈近似圆板状的基板9保持为水平 的卡盘21、和使基板9与卡盘21一起旋转的旋转机构22。旋转机构22具有与卡盘21的下侧相连接的旋转轴221和使旋转轴221旋转的电机222，通过驱动电机222，来使基板9以平行于基板9的法线方向且以通过基板9的中心的中心轴为中心与旋转轴221和卡盘21一起旋转。
处理液供给部3具有连接在供给管31上的喷出部32，供给管31在与喷出部32相反一侧分支，一个分支经纯水用阀331与纯水供给源相连接，另一分支经药液用阀332与规定的药液供给源相连接。在处理液供给部3中，通过开启纯水用阀331或药液用阀332，由此从喷出部32将纯水或(稀释过的)药液即处理液供给到基板9上。此外，从喷出部32喷出的药液是含水的液体，具有导电性。
防溅罩41具有周壁部411，该周壁部411配置在卡盘21的外周，用来防止供给到基板9上的处理液向周围的飞溅，周壁部411的上部构成为随着向处理液供给部3侧(上方)而直径渐小的倾斜部412。在本实施方式中，周壁部411用特富龙(注册商标)等氟树脂或聚氯乙烯树脂形成，内周面411a具有憎水性(疏水性)，通过实施等离子体处理或臭氧处理等亲水化处理，从而外周面411b具有亲水性。此外，通过利用防溅罩41的材料来增大外周面411b的粗糙度，从而也能够提高亲水性(浸湿性)。
在周壁部411的下端部安装着向中心轴J1突出而覆盖卡盘21的下方的环状的底部413，在底部413上设置有排出清洗液的排放口(省略图示)。另外，在周壁部411的下端部形成有辅助排水部414，该辅助排水部414向与底部413相反一侧呈环状扩展，并且前端向上方折弯，如后面所述，给予到周壁部411的外周面411b上的水经辅助排水部414而排出去。辅助排水部414由导电材料形成，在远离防溅罩41的位置上通过接地部61而接地。
下面，参照图2来说明基板处理装置1将处理液供给到基板而对基板进行处理的动作流程。在基板处理装置1中，作为实际对基板9进行处理之前的准备，使用不要的基板(所谓仿真基板)进行处理。首先，通过升降机构5使防溅罩41下降，直到防溅罩41的上端部处于卡盘21的下方为止，然后，由外部的搬送机构将仿真基板放置到卡盘21上，从而由基板保持部2保持仿真基板。
图3是表示将仿真基板9a保持在基板保持部2上之后的基板处理装置1 的图，当保持有仿真基板9a时，在处理液供给部3中仅开启纯水用阀331(参照图1)，从而将纯水供给到仿真基板9a的上表面上，并且，基板保持部2使基板9a开始旋转。此时，从处理液供给部3供给而从旋转的仿真基板9a上飞溅出来的纯水附着在防溅罩41上的倾斜部412的外周面411b上。如已经描述的那样，对外周面411b实施亲水化处理，从而给予到倾斜部412上的纯水被保持在外周面411b上，同时沿外周面411b扩展开，从而在周壁部411的外周面411b上形成有薄的水层(即，水膜，在图3中用标注附图标记71的粗线表示)(步骤S10)。如后所述，因为存在水或其他液体被保持在防溅罩的内周面上的情况，所以在图2的步骤S10中，表示出通常的处理的内容。
另外，从仿真基板9a上飞溅出来的剩余的水沿外周面411b一直到达辅助排水部414而被排放出去。实际上，基板处理装置1的周围用专用的盖子覆盖住，所以向防溅罩41的外侧飞溅出来的纯水也不会成为问题(在后述的图4、图13和图20的基板处理装置1、1a、1b中也同样)。
这时，由于在外周面411b上的水层71中溶入空气中的二氧化碳(CO2)等，所以水层71具有比用绝缘材料形成的周壁部411的电阻率足够小的电阻率。即，在防溅罩41的外周面411b上形成有产生了导电性的表面层。另外，由于水层71一直连续到辅助排水部414，所以实质上水层71经辅助排水部414并通过接地部61而电性接地。
当使仿真基板9a旋转并向外周面411b给予纯水预定的时间时，关闭图1的纯水用阀331而停止纯水的喷出，并且停止仿真基板9a的旋转。然后，通过外部的搬送机构取出仿真基板9a之后，将待处理对象的基板9放置在卡盘21上，而用基板保持部2保持住基板9(即，装载基板9)(步骤S11)。接着，使防溅罩41上升，而将卡盘21容置在防溅罩41内；然后，开始由基板保持部2进行的基板9的旋转，并且，在处理液供给部3中仅开启纯水用阀331而将纯水供给到基板9的上表面上，用纯水对基板9进行前清洗处理(预冲洗)(步骤S12)。此时，因为从处理液供给部3供给而从旋转基板9上飞溅出来的纯水被防溅罩41的内周面411a挡住，从而在防溅罩41的内周面411a上产生摩擦带电，但是，在基板处理装置1中，由于产生了导电性的表面层即水层71(参照图3)使周壁部411的电荷容量(静电容量) 增大，从而内周面411a的(相对接地电位的)带电电位的大小不会大幅度地增大(即，与没有水层71的情况相比，可抑制防溅罩41的带电电位)。因此，卡盘21上的基板9几乎不会发生感应带电。
接下来，在处理液供给部3中关闭纯水用阀331并开启药液用阀332，从而将给予到基板9的上表面上的处理液从纯水切换为药液(步骤S13)。持续给定时间向基板9供给药液，由此，就对基板9实施使用了药液的处理。与纯水供给时一样，由处理液供给部3供给而从旋转的基板9上飞溅出来的药液被防溅罩41的内周面411a挡住，从底部413上的排出口排放出去。
当向基板9上给予药液仅预定时间时，关闭药液用阀332，并开启纯水用阀331，从而将给予到基板9的上表面上的处理液从药液切换为纯水，然后，通过升降机构5使防溅罩41的上端部(倾斜部412的端部)下降到卡盘21的下方(参照图3)，用纯水对基板9进行后清洗处理(post-rinse)(步骤S14)。此时，由处理液供给部3供给而从旋转的基板9上飞溅出来的纯水附着在周壁部411的倾斜部412上的外周面411b上。这样，在基板9的后清洗中从处理液供给部3喷出纯水时，通过将防溅罩41的上端部配置在基板9的下方，从而从基板9飞溅出来的纯水就容易且有效地给予到防溅罩41的外周面411b上。因此，即使是在防溅罩41的外周面411b的水层71干燥而局部消失的情况下，通过将纯水补充到外周面411b上，也能够修补好水层71。
当用纯水对基板9的后清洗结束时，就停止纯水的喷出，并停止基板9的旋转。在通过外部搬送机构将基板9取出去之后(即卸下基板9之后)(步骤S15)，将下一张的成为待处理对象的基板9放置到卡盘21上，而由基板保持部2保持(步骤S16，S11)。然后与上述的动作同样，进行用纯水对基板9的前清洗(步骤S12)、用药液对基板9的处理(步骤S13)和用纯水对基板9的后清洗(步骤S14)。此时，在基板处理装置1中，在比当前的基板9先行处理的先行基板9被保持在基板保持部2上的期间内，通过将纯水给予到防溅罩41的外周面411b上，从而能够确实地抑制防溅罩41的带电电位。当基板9的后清洗结束时，将基板9卸下来(步骤S15)。
对所期望张数的基板9重复进行上述步骤S11～步骤S15的处理(步骤S16)之后，基板处理装置1中的动作就结束。
如以上的说明，在图1的单张式基板处理装置1中，通过包围基板保持部2的周围而挡住从基板9上飞溅出来的处理液的防溅罩41由绝缘材料形成，在处理基板9时，将水保持在防溅罩41的外周面411b上。这样，不会因由特殊的导电材料形成整个防溅罩41而导致大幅度地增加基板处理装置1的制造成本，能够抑制在纯水飞溅时产生的防溅罩41的带电电位，其结果是，能够防止因基板9的感应带电而引起在对基板9供给处理液时在基板9上产生放电。
另外，在防溅罩41上，仅仅对外周面411b实施亲水化处理，就能够容易地将水保持在外周面411b上，从而无需另外设置高价的零部件，就能够在外周面411b上容易地形成电阻率比周壁部411小的表面层。另外，在将水保持在防溅罩41上的状态下，实质上将水层71电性接地，从而能够进一步抑制防溅罩41的带电电位。
图4是表示在防溅罩上形成水层来抑制带电电位的基板处理装置1的其他例的图。在图4的基板处理装置1的防溅罩41中，与图1的基板处理装置1的不同之处在于，省略了对周壁部411的外周面411b的亲水化处理，并且，沿外周面411b通过粘结而安装有纤维材料46(在图4中用粗线表示)。
与图1的基板处理装置1一样，在图4的基板处理装置1中，在防溅罩41的上端部处于卡盘21的下方的状态下，从旋转的基板9上飞溅出来的纯水被给予到周壁部411的外周面411b上，纯水渗入纤维材料46内，而容易被保持在外周面411b上。渗入纤维材料46的纯水溶入有空气中的二氧化碳等而使电阻率下降，从而在防溅罩41的外周面411b上形成有产生了导电性的表面层，纤维材料46内的水实质上通过接地部61而电性接地。在图4的基板处理装置1中，形成在外周面411b上的水层抑制了基板9的处理中纯水飞溅出来时产生的防溅罩41的带电电位。由此，能够防止因基板9的感应带电而引起在对基板9供给处理液时在基板9上产生放电。
另外，在图4的基板处理装置1中，也可以设置例如由氟树脂形成的网状构件来代替纤维材料46，通过由网状构件来保持水，从而也可以抑制在纯水飞溅时产生的防溅罩41的带电电位。
图5是表示在防溅罩上形成水层来抑制带电电位的基板处理装置1的又一其他例的图。在图5的基板处理装置1的防溅罩41上，省略了对周壁部 411的外周面411b的亲水化处理，而对内周面411a实施亲水化处理。另外，防溅罩41的底部413a从周壁部411的下侧的端部向内侧呈环状扩展，并且，其前端朝上方折弯。底部413a由对处理液具有耐腐蚀性的导电材料形成，并连接有接地部61。其他构成与图1的基板处理装置1一样，并标注同样的附图标记。
在图5的基板处理装置1中处理基板9时，在图2的步骤S10的处理中，在将保持仿真基板的卡盘21容置在防溅罩41内的状态下，将纯水供给到仿真基板的上表面上，并且，开始由基板保持部2对仿真基板进行旋转(即，不将纯水给予到防溅罩41的外周面411b上)。这样，由处理液供给部3供给而从旋转的基板9上飞溅出来的纯水附着在防溅罩41中的内周面411a上，从而在内周面411a上形成有产生了导电性的水层71。此后，将仿真基板取出来之后，将待处理对象的基板9放置在卡盘21上(步骤S11)，进行用纯水对基板9的前清洗(步骤S12)、用药液对基板9的处理(步骤S13)和用纯水对基板9的后清洗(步骤S14)。在步骤S14的用纯水对基板9的后清洗中，卡盘21一直被容置在防溅罩41内。
在图5的基板处理装置1中，由于将水保持在防溅罩41的内周面411a上，所以能够抑制因在基板9的处理时从旋转的基板9上飞溅出来纯水制在防溅罩41的内周面411a上产生摩擦带电，进而，即使产生了摩擦带电，也能够由实质上经接地部61而接地的水层71确实地抑制防溅罩41的带电电位。其结果是，能够防止因基板9的感应带电而在向基板9供给处理液时在基板9上产生放电。在图5的基板处理装置1中，由于使用了导电材料的部位仅仅是防溅罩41的一部分(底部413a)，所以不会大幅度增加防溅罩41的制造成本。此外，在图5的基板处理装置1中，通过在防溅罩41的内周面411a上设置纤维材料或网状构件，从而也可以将水保持在内周面411a上。
下面，说明在基板处理装置1中抑制防溅罩的带电电位的其他方法。图6是表示基板处理装置1的又一其他例的图。图6的基板处理装置1的防溅罩41A中，将导电性树脂薄膜47(在图6中用粗线表示)粘贴在主体的外周面上，来代替图4的基板处理装置1中的纤维材料46。这样，防溅罩41A的整个外周面411b就变成导电性树脂薄膜47的表面。在导电性树脂薄膜47上直接连接着接地部61，从而将导电性树脂薄膜47电性接地。此外，除粘 接之外，也可以用螺旋夹等固定导电性树脂薄膜47，进而，还可以通过涂敷在防溅罩41A的主体的外周面上形成导电性树脂薄膜。
另外，在基板处理装置1中处理基板9时，省略了图2的步骤S10的处理，在步骤14的用纯水对基板9的后清洗时，卡盘21一直被容置在防溅罩41内(即，不将纯水给予到防溅罩41的外周面411b上)。
如上所述，在图6的基板处理装置1中，仅将导电性树脂薄膜47粘贴在主体的外周面上就能够容易地将电阻率比主体小的构件设置在防溅罩41A的整个外周上。这样，周壁部411的电荷容量增大，无需进行将纯水给予到外周面411b上的动作，就能够在周壁部411的整周上抑制纯水飞溅时产生的防溅罩41A的带电电位，能够实现防止在基板9上的放电的发生。另外，在图6的基板处理装置1中，通过将导电性树脂薄膜47电性接地，从而能够进一步抑制防溅罩41A的带电电位。
图7是表示基板处理装置1的又一其他例的图，图8是在图7中的箭头I-I的位置上的防溅罩41A的剖面图。如图7和图8所示，防溅罩41A的周壁部411具有由导电性树脂或导电性碳(例如玻璃状碳)等形成的多个(图8的例子中是四个)导电构件47a，导电构件47a的电阻率比由绝缘材料形成的防溅罩41A的主体(图7的防溅罩41A中，周壁部411上的除导电构件47a之外的部位)的电阻率小。多个导电构件47a被等间隔地配置在防溅罩41A的周向上(即，被等角度间隔地配置在以中心轴J1为中心的圆周上)。实际上，多个导电构件47a形成在防溅罩41A的外周面411b上，并且，分别被嵌入在沿中心轴J1延伸的多个凹部内，导电构件47a的与中心轴J1相反一侧的表面包含在周壁部411的外周面411b内。另外，通过接地部61而将各导电构件47a接地。这样，即使在外周面411b局部包含电阻率比防溅罩41A的主体小的导电构件47a的表面的情况下，周壁部411的电荷容量增大，也可以抑制纯水飞溅时产生的防溅罩41A的带电电位。
如上所述，在图6和图7中的防溅罩41A中，外周面411b包含电阻率比主体小的构件的表面，从而能够抑制纯水飞溅时产生的防溅罩41A的带电电位，由此，能够防止因基板9的感应带电而引起在基板9上产生放电。与整个防溅罩由特殊的导电材料形成的情况相比，能够以低成本制造图6和图7中的防溅罩41A。
下面，说明基板处理装置1中抑制防溅罩41A的带电电位的又一其他方法。图9是表示基板处理装置1的又一其他例的图，图10是图9中的箭头II-II的位置上的防溅罩41B的剖面图。如图9和图10所示，在防溅罩41B的周壁部411上形成有以中心轴J1为中心的深的环状槽415，在环状槽415内注入有溶入了二氧化碳等的水、或在甲醇(CH3OH)中溶解了氯化铵(NH4C1)后的混合液等具有导电性的液体(如后所述，是被封入周壁部411的内部的液体，以下叫做“封入液”)47b。如图9所示，环状槽415的倾斜部412侧的开口用环状的盖构件416塞住，从而将封入液47b保持(封入)在周壁部411的内部。另外，在周壁部411上，环状槽415的外侧的一部分作为电极417而由导电性树脂等导电材料形成，通过将电极417连接在接地部61上，由此将封入液47b实质性接地。
这样，在图9和图10所示的防溅罩41B中，包围基板保持部2的周围并挡住从基板9上飞溅出来的处理液的周壁部411，其在内部沿整个圆周都具有电阻率比形成防溅罩41B的主体(在图9的防溅罩41B中，周壁部411上除封入液47b之外的部位)的材料小的部位。因此，周壁部411的电荷容量增大，可以在整个周壁411抑制纯水飞溅时产生的防溅罩41B的带电电位，从而能够防止在基板9上发生放电。另外，通过将封入液47b电接，从而能够进一步抑制防溅罩41B的带电电位。此外，在基板9的处理中，由于通常使用纯水，所以在要使用溶解有二氧化碳的水作为封入液的情况下，能够容易地准备封入液。
图11是表示防溅罩41B的又一例的图，是与图10相对应的防溅罩41B的剖面图。在图11的防溅罩41B上，沿周壁部411的周向等间隔地形成有剖面形状呈圆形的多个深孔415a(实际上，是与图9的环状槽415近似同样深度的四个孔415a)，在各孔415a内插入有由导电性树脂或导电性碳(例如玻璃状碳)等形成的圆柱状的导电构件47c，其中，孔415a的剖面垂直于中心轴J1。另外，导电构件47c经在周壁部411上形成在各导电构件47c外侧的微孔而与接地部61(省略图示)相连接。这样，在周壁部411的内部，在周壁部411的周向存在电阻率比形成防溅罩41B主体的材料小的部位的情况下，也能够抑制飞溅的纯水引起的防溅罩41B的带电电位。
如上所述，在图10和图11的防溅罩41B中，由于周壁部411在内部具 有电阻率比形成防溅罩41B主体的材料小的部位，所以能够抑制纯水飞溅时产生的防溅罩41B的带电电位，由此，能够防止因基板9的感应带电而引起在基板9上发生放电。另外，与整个防溅罩由特殊的导电材料形成的情况相比，能够以低成本制造图10和图11的防溅罩41B。此外，可以在图10的环状槽415内插入由导电性树脂或导电性碳等形成的环状的导电构件，也可以在图11的孔415a内封入封入液。进而，周壁部411也可以在内部具有导电构件的部位和封入液的部位，并使它们在周向位置相互错开。
接着，说明在基板处理装置1中抑制防溅罩的带电电位的又一其他方法。图12是表示基板处理装置1的又一其他例的图。在图12的基板处理装置1中，在防溅罩41C的周壁部411的周围设置有近似圆筒状的圆筒构件81(图12中省略图示剖面的平行斜线，在后述的图23的圆筒构件81a中也一样)，圆筒构件81的内周面依照着周壁部411的外周面411b，并与外周面411b之间形成小的间隙(例如，1毫米(mm)～10厘米(cm)宽的间隙)。圆筒构件81用不锈钢等金属形成，其表面用特富龙(注册商标)等氟树脂涂敷。另外，圆筒构件81通过接地部61而接地。
在图12的基板处理装置1中，导电性的圆筒构件81与防溅罩41C的外周面411b接近而设置，从而能够实质上增大周壁部411的电荷容量。这样，不会因由特殊的导电材料形成整个防溅罩而导致大幅度地增加基板处理装置1的制造成本，能够抑制在纯水飞溅时产生的防溅罩41C的带电电位，其结果是，能够防止因基板9的感应带电而引起在基板9上产生放电。另外，由于将圆筒构件81接地，所以能够进一步抑制防溅罩41C的带电电位。
可是，在基板9在基板处理装置1的处理中，为了确保半导体产品的制造中的一定的成品率，就要防止金属杂质向基板9的附着。因此，为了避免防溅罩上的金属的溶出，在通常设计的防溅罩中，在内部或表面上不能使用金属。相对于此，在图12的基板处理装置1中，由于圆筒构件81远离防溅罩41C而设置，所以能够用金属来廉价地形成圆筒构件81。另外，通过用氟树脂涂敷上述的圆筒构件81，从而能够防止腐蚀。当然，圆筒构件81也可以用导电性树脂或导电性碳来形成。
图13是表示本发明的第二实施方式的基板处理装置1a的结构的图。在图13的基板处理装置1a中，设置有同心状的多个防溅罩42～45，并且，处 理液供给部3a可以喷出多种药液。另外，基板处理装置1a的升降机构5具有电机51和滚珠丝杠机构52，升降机构5可以使防溅罩42～45在沿中心轴J1的方向上相对基板保持部2一体地移动。此外，基板保持部2的构成与图1的基板处理装置1一样，在图13的基板处理装置1a中，省略了控制部的图示(后述的图20的基板处理装置1b中也同样)。
在各防溅罩42～45中，分离设置有周壁部421、431、441、451和底部423、433、443、453，多个底部423、433、443、453形成为一体。详细地说，由绝缘材料形成的多个底部423、433、443、453呈以中心轴J1为中心的环状，在多个底部423、433、443、453的下表面(与处理液供给部3a相反一侧的面)上设置有接地的导电板490。底部423与底部433的边界、底部433与底部443的边界、底部443与底部453的边界以及底部453的外侧边界上分别设置有向处理液供给部3a侧(上方)突出并以中心轴J1为中心的圆筒状的隔板491、492、493、494。在周壁部421、431、441、451各自的下部以跨越隔板491、492、493、494的方式分为内侧圆筒部4211、4311、4411、4511和外侧圆筒部4212、4312、4412、4512(参照图13的左侧的附图标记)。另外，周壁部421、431、441、451的上部构成为随着向处理液供给部3a侧而直径渐小的倾斜部422、432、442、452，越是配置在内侧的防溅罩42～45，其倾斜部422、432、442、452越配置在远离处理液供给部3a的位置(即，下方)。
各周壁部421、431、441、451用绝缘材料形成，对内周面421a、431a、441a、451a和外周面421b、431b、441b、451b(参照图13的左侧的附图标记)分别实施同样的亲水化处理。此外，在以下的说明中，在周壁部421、431、441、451的下部，内侧圆筒部4211、4311、4411、4511的内侧面视为是内周面421a、431a、441a、451a的一部分，外侧圆筒部4212、4312、4412、4512的外侧面视为是外周面421b、431b、441b、451b的一部分。
升降机构5具有用与防溅罩42～45同样的绝缘材料形成的支承构件53，端部连接在外侧的防溅罩45(以下称为“最外防溅罩45”)的周壁部451上。另外，多个防溅罩42～45的周壁部421、431、441、451局部地相互连接着，在电机51的驱动下，通过支承构件53而使多个周壁部421、431、441、451在沿中心轴J1的方向上相对基板保持部2一体地升降。在支承构件53 上，设置有经滚珠丝杠机构52而接地的导电片531，对支承构件53的表面也实施与防溅罩42～45同样的亲水化处理。
处理液供给部3a具有四个阀331～334，开启纯水用阀331，就从喷出部32喷出纯水；开启第一药液用阀332，就从喷出部32喷出第一药液；开启第二药液用阀333，就从喷出部32喷出第二药液；开启第三药液用阀334，就从喷出部32喷出第三药液。此外，第一至第三药液为具有导电性且含水的液体。
图14是表示基板处理装置1a将处理液供给到基板上来处理基板的动作的部分流程的图，所表示的是在图2的步骤S13中进行的处理。首先，参照图2的步骤S11～S16和图14来说明基板处理装置1a中的基本动作。
关于图13的基板处理装置1a中的基本动作，首先，将基板9放置在卡盘21上，由基板保持部2保持(图2：步骤S11)；接着，通过升降机构5使防溅罩42～45上升，如图15所示，将基板9配置在内侧的周壁部421的倾斜部422与内侧圆筒部4211之间的位置(以下称为“前清洗位置”)；然后，开始旋转基板9，并从处理液供给部3a将纯水供给到基板9上(参照图1)，用纯水对基板9进行前清洗处理(步骤S12)。此时，从基板9上飞溅出来的纯水被防溅罩42的周壁部421的内周面421a挡住。此外，剩余的纯水从设置在底部423上的排出口排放出去。
当从开始供给纯水的时刻起经过给定的时间时，在处理液供给部3a中停止纯水的喷出，然后，使防溅罩42～45下降，如图1 6所示，基板9配置在从内侧起第二个的周壁部431的倾斜部432与内侧的周壁部421的倾斜部422之间的位置。此外，在基板处理装置1a中，在基板9升降期间也维持基板9的旋转，当然，也可以暂时停止旋转。
然后，开始从处理液供给部3a配出第一药液，而对基板9实施使用了第一药液的处理(图14：步骤S131)。此时，从旋转的基板9上飞溅出来的第一药液的大部分被防溅罩43的周壁部431的内周面431a挡住，从内周面431a上滴落下来的第一药液或从基板9上飞溅出来的第一药液的一部分也附着在内侧的周壁部421的外周面421b上。此外，第一药液从设置在底部433上的回收口被回收，而被再次利用(后述的第二和第三药液也同样)。
在从开始喷出第一药液的时刻起经过给定的时间之后，停止从处理液供 给部3a喷出第一药液，通过升降机构5使防溅罩42～45上升，基板9返回到图15所示的前清洗位置；接着，开始向基板9供给纯水，用纯水除掉基板9上的第一药液(步骤S132)。从喷出部32喷出纯水持续仅给定的时间之后，停止喷出，通过升降机构5将基板9配置在周壁部441的倾斜部442与周壁部431的倾斜部432之间。然后，开始第二药液的喷出，对基板9实施使用了第二药液的处理(步骤S133)。此时，从旋转的基板9上飞溅出来的第二药液的大部分被防溅罩44的周壁部441的内周面441a挡住(参照图13)，从内周面441a上滴落下来的第二药液或从基板9上飞溅出来的第二药液的一部分也附着在内侧的周壁部431的外周面431b上。
在从开始喷出第二药液的时刻起经过给定的时间之后，停止从处理液供给部3a喷出第二药液，将基板9返回到前清洗位置，而向基板9上供给纯水仅给定的时间，由此用纯水除掉基板9上的第二药液(步骤S134)；此后，停止供给纯水，将基板9配置在周壁部451的倾斜部452与周壁部441的倾斜部442之间。然后，开始第三药液的喷出，对基板9实施使用了第三药液的处理(步骤S135)。此时，从旋转的基板9上飞溅出来的第三药液的大部分被最外防溅罩45的周壁部451的内周面451a挡住。另外，从内周面451a上滴落下来的第三药液、或从基板9上飞溅出来的第三药液的一部分也附着在内侧的周壁部441的外周面441b上。
在从开始喷出第三药液的时刻起经过给定的时间之后，停止从处理液供给部3a喷出第三药液，通过使防溅罩42～45下降，从而如图17所示，周壁部451的上端部被配置在基板9的下方；然后，从喷出部32将纯水喷到基板9上，用纯水进行基板9的后清洗处理(图2：步骤S14)。此时，从旋转的基板9上飞溅出来的纯水给予到周壁部451的倾斜部452的外周面451b上。然后，当基板9的后清洗结束时，将基板9卸下来(步骤S15)，并将下一张成为待处理对象的基板9装载在基板处理装置1a内(步骤S16，S11)。
在基板处理装置1a内的实际处理中，作为事前准备，首先装上仿真基板，进行与上述步骤S12～S14同样的动作，而将含水的液体保持在防溅罩42～45的内周面和外周面上(步骤S10)。具体地说，在相当于步骤S12(以及步骤S132、S134)的处理中，从旋转的仿真基板上飞溅出来的纯水被周壁 部421的内周面421a挡住，而在防溅罩42的内周面421a上形成有水层(在图15和图17中用标注附图标记72a粗线表示)；在相当于步骤S131的处理中，从旋转的仿真基板上飞溅出来的第一药液被周壁部431的内周面431a挡住，并且还附着在周壁部421的外周面421b上，从而在防溅罩43的内周面431a和防溅罩42的外周面421b上分别形成有第一药液层(在图16和图17中用标注附图标记73a、72b的粗线表示)。另外，在相当于步骤S133的处理中，从旋转的仿真基板上飞溅出来的第二药液被周壁部441的内周面441a挡住，并且还附着在周壁部431的外周面431b上，从而在防溅罩44的内周面441a和防溅罩43的外周面431b上分别形成有第二药液层(在图17中用标注附图标记74a、73b的粗线表示)；在相当于步骤S135的处理中，从旋转的仿真基板上飞溅出来的第三药液被周壁部451的内周面451a挡住，并且还附着在周壁部441的外周面441b上，从而在最外防溅罩45的内周面451a和防溅罩44的外周面441b上分别形成有第三药液层(在图17中用标注附图标记75a、74b的粗线表示，)。在相当于步骤S14的处理中，从旋转的仿真基板上飞溅出来的纯水被周壁部451的外周面451b挡住，从而在最外防溅罩45的外周面451b上也形成有产生了导电性的水层(在图17中用标注附图标记75b的粗线表示)。其结果是，各防溅罩42～45的内周面421a、431a、441a、451a和外周面421b、431b、441b、451b具有水、第一药液、第二药液或第三药液的层72a、73a、74a、75a、72b、73b、74b、75b，作为电阻率比周壁部421、431、441、451小的表面层。
实际上，在将纯水给予到最外防溅罩45的外周面451b上时，由于纯水还附着在图13的支承构件53的表面上，所以外周面451b的水层75b实质上经支承构件53的表面的水层、导电片531和滚珠丝杠机构52而电性接地。即，支承构件53的表面的水层、导电片531和滚珠丝杠机构52构成为使水层75b接地的接地部。此外，也可以将导电片531设置成与外周面451b的水层75b直接连接。
并且，将仿真基板卸下来之后，对实际的称为待处理对象的基板9进行有关基板处理装置1a的基本动作的上述步骤S11～S16。此时，通过在图17中的内侧防溅罩42的内周面421a上形成的产生了导电性的表面层，来抑制因在步骤S12、S132、S134中从旋转的基板9上飞溅出来的纯水而导致在防 溅罩42的内周面421a上产生摩擦带电，进而，通过在防溅罩42的外周面421b及其外侧的防溅罩43～45的内周面和外周面上形成的表面层来更加确实地抑制基板9的感应带电。另外，通过最外在防溅罩45的外周面451b上形成的表面层，来抑制因在步骤S14中从旋转的基板9上飞溅出来的纯水而导致在最外防溅罩45的外周面451b上产生摩擦带电，除此以外，通过在最外防溅罩45及其内侧的防溅罩42～44上形成的表面层来确实地抑制基板9的感应带电。另外，即使在图13的防溅罩42～45的底部423、433、443、453带电的情况下，也能通过导电板490降低底部423、433、443、453的带电电位，从而抑制基板9的感应带电。
在对实际的处理对象的基板9的步骤S12、S131～S135、S14中，也将纯水、第一药液、第二药液或第三药液分别给予到防溅罩42～45的内周面421a、431a、441a、451a和外周面421b、431b、441b、451b上，从而在处理该基板9的下一张基板9时，确实地维持住防溅罩42～45的内周面421a、431a、441a、451a和外周面421b、431b、441b、451b分别保持着具有导电性的水、第一药液、第二药液或第三药液的状态。
这里，描述比较例的基板处理装置中的基板的放电现象的一个例子，该比较例的基板处理装置与图13的基板处理装置1a的构成相同，但对多个防溅罩的内周面和外周面都不实施亲水化处理。在比较例的基板处理装置中，在将基板配置在前清洗位置的状态下，将纯水供给到基板上，从而纯水飞溅到最内侧的防溅罩上，纯水流落下来之后，该防溅罩处于带电的状态。并且，因这种带电而使基板的主体感应带电。此时，若纯水残留在基板上的状态被维持，像已经描述过的那样，由于溶入了二氧化碳，而使纯水成为具有导电性的水，从而在基板上就有可能产生放电。另外，当在产生了导电性的水残留在基板上的状态下使防溅罩升降时，由于改变与带电的防溅罩的相对位置会改变基板主体的电位，所以在防溅罩升降时基板上也会产生放电(即，发生基板上的绝缘膜的绝缘破坏)。
相对于此，在图13的基板处理装置1a中，由于在各防溅罩42～45的内周面421a、431a、441a、451a和外周面421b、431b、441b、451b上保持有纯水、第一药液、第二药液或第三药液的状态下对基板9进行处理，所以能够将由飞溅出来的纯水引起的防溅罩的带电电位通过形成在该防溅罩和 其他防溅罩上的含水的液体层来切实地抑制。其结果是，能够防止在向基板9供给处理液时或使防溅罩42～45升降时等因防溅罩的带电而引起在基板9上产生放电。此外，也可以按照基板处理装置1a的设计，将内侧的防溅罩42～44实质上也电性接地(在后述的图18和图19的基板处理装置1a中也一样)。
图18是表示基板处理装置1a的其它例的图。在图18的基板处理装置1a中，与图6的防溅罩41A一样，在各周壁部421、431、441、451的主体的内周面和外周面上粘贴有导电性树脂薄膜47，而将防溅罩42A～45A的内周面421a、431a、441a、451a和外周面421b、431b、441b、451b分别做成为导电性树脂薄膜47的表面。此外，在图18的基板处理装置1a中，由于省略了图13的最外防溅罩45的周壁部451的外侧圆筒部4512，所以外周面451b包括与内侧圆筒4511的外周面相当的部位。另外，最外防溅罩45的外周面451b直接连接在接地部61上。多个防溅罩42A～45A的配置和装置的其它结构与图13的基板处理装置1a一样，并标注同样的附图标记。
在图18的基板处理装置1a中处理基板9时，省略了图2的步骤S10的处理，在步骤S14的用纯水对基板9的后清洗处理时，将卡盘21一直容置在防溅罩42A～45A内(即，纯水不给予到最外防溅罩45的外周面451b上)(在后述的图19的基板处理装置1a、和图21至图23的基板处理装置1b中也一样)。
如上所述，在图18的基板处理装置1a中，各防溅罩42A～45A的内周面421a、431a、441a、451a和外周面421b、431b、441b、451b被做成为电阻率比周壁部421、431、441、451的主体小的构件的表面，所以能够确实地抑制由飞溅出来的纯水引起的防溅罩的带电电位。其结果是，能够防止在向基板9供给处理液时等因防溅罩的带电而引起在基板9上产生放电。此外，与图7的防溅罩41A同样，防溅罩42A～45A的内周面和外周面也可以局部包含沿周向等间隔排列的导电构件的表面。
图19是基板处理装置1a的又一其它例的图。在图19的基板处理装置1a的各防溅罩42B～45B中，与图11的防溅罩41B一样，在各周壁部421、431、441、451的内部设置有棒状的多个导电构件(图19中，用标注附图标记47c的粗线表示)。实际上，在周壁部421、431、441、451的周向上等 间隔配置多个导电构件47c(参照图11)。另外，防溅罩42B～45B的内周面421a、431a、441a、451a和外周面421b、431b、441b、451b保持为绝缘材料的表面不变，而具有憎水性(在后述的图22和图23的基板处理装置1b中也一样)。多个防溅罩42B～45B的配置和装置的其它结构与图13的基板处理装置1a一样，标注同样的附图标记。
图19的基板处理装置1a中，在做成为同样结构的多个防溅罩42B～45B中，周壁部421、431、441、451在内部具有电阻率比形成其主体(在图19的防溅罩42B～45B中，周壁部421、431、441、451上除导电构件47c之外的部位)的材料小的部位。因此，能够确实地抑制由飞溅出来的纯水引起的防溅罩的带电电位，并可以防止在基板9上产生放电。也可以沿周壁部421、431、441、451的整个圆周，在其内部设置导电构件或封入液(在后述的图22的周壁部451中也同样)。
图20是表示本发明的第三实施方式的具有多个防溅罩42～45的基板处理装置1b的图。在图20的基板处理装置1b中，省略了图13的基板处理装置1a中的外侧防溅罩45(最外防溅罩45)的周壁部451的外侧圆筒部4512。另外，仅对最外防溅罩45的外周面451b(其中，包含与图13的最外防溅罩45的内侧圆筒4511的外周面相当的部位)实施亲水化处理，而最外防溅罩45的内周面451a以及其它防溅罩42～44的内周面421a、431a、441a和外周面421b、431b、441b保持为绝缘材料的表面不变，具有憎水性。另外，在最外防溅罩45的下端部设置有辅助排水部454，该辅助排水部454向与最外防溅罩45相反一侧呈环状扩展，并且，其前端向上方折弯；由导电材料形成的辅助排水部454在远离最外防溅罩45的位置通过接地部61而接地。内侧的防溅罩42～44的形状和基板处理装置1b的其它结构与图13的基板处理装置1a一样。
虽然基板处理装置1b中的基本动作与图13的基板处理装置1a一样，但是在使用仿真基板进行的事前准备中的处理不同。具体地说，在使用仿真基板的处理中(图2：步骤S10)，通过利用升降机构5使防溅罩42～45在沿中心轴J1的方向上相对基板保持部2一体地移动，由此，将最外防溅罩45的周壁部451的上端部配置在仿真基板的下方。接着，开始喷出纯水(参照图17)，由从旋转的仿真基板上飞溅出来的纯水在最外防溅罩45的外周 面451b上形成水层(图20中用标注附图标记75b的粗线表示)，从而使用仿真基板使液体保持在防溅罩上的处理结束。然后，与图13的基板处理装置1a一样，对实际的成为待处理对象的基板9进行有关基本动作的上述步骤S11～S16。
此时，因在步骤S12、S132、S134中从旋转的基板9上飞溅出来的纯水而在防溅罩42的内周面421a上产生摩擦带电，但是，通过在最外防溅罩45的整个外周面451b上形成的具有导电性的水层75b而能够某种程度地抑制内侧的防溅罩42的带电电位，由此，能够防止在基板9上产生放电。
如上所述，在图1、图4和图20的基板处理装置1、1b中，将含水的液体仅保持在防溅罩的外周面上；在图5的基板处理装置1中，将含水的液体仅保持在防溅罩的内周面上；在图13的基板处理装置1a中，将含水的液体保持在防溅罩的内周面和外周面上，由此，能够抑制由纯水的飞溅而引起带电的防溅罩的带电电位。因此，从抑制防溅罩的带电电位的观点来看，必须将含水的液体保持在防溅罩的内周面和外周面的至少一个的面上。
但是，按照基板处理装置的设计或基板处理装置中所使用的药液的种类，从不影响工艺的观点来看，如图1的基板处理装置1和图20的基板处理装置1b那样，仅在一个防溅罩41的外周面411b或同心状的多个防溅罩42～45中的最外防溅罩45的外周面451b上、即在使用了药液的基板处理时未附着有从基板9上飞溅出来的药液的面上形成水层71、75b也可能最好。因此，为了容易地抑制防溅罩41～45的带电电位而又不影响工艺，最好将含水的液体保持在至少一个防溅罩中处于最外侧的最外防溅罩41、45的外周面411b、451b上。
图21是表示基板处理装置1b的其它例的图。图21的基板处理装置1b为在图18的防溅罩41A～45A中仅将最外防溅罩45A的周壁部451的外周面451b做成导电性树脂薄膜47的表面的装置，最外防溅罩45A的内周面451a以及其它防溅罩42A～44A的内周面421a、431a、441a和外周面421b、431b、441b保持为绝缘材料的表面不变，具有憎水性。在图21的基板处理装置1b中，因从旋转的基板9上飞溅出来的纯水，也在由绝缘材料形成整个周壁部421的防溅罩42A的内周面421a上产生摩擦带电，但是，通过最外防溅罩45A而能够某种程度地抑制内侧的防溅罩42A的带电电位，由此， 能够防止在基板9上产生放电。
另外，在图6和图21的基板处理装置1、1b中，仅防溅罩(最外防溅罩)的外周面含有电阻率比防溅罩的主体的电阻率小的构件的表面；而图18的基板处理装置1a中，防溅罩的内周面和外周面含有电阻率比防溅罩的主体的电阻率小的构件的表面，但是，在基板处理装置中，仅防溅罩的内周面含有电阻率比防溅罩的主体的电阻率小的构件的表面，也能够抑制防溅罩的带电电位。即，为了抑制因纯水的飞溅而带电的防溅罩的带电电位，防溅罩的内周面和外周面的至少一个的面必须含有电阻率比防溅罩的主体的电阻率小的构件的表面。
图22是表示基板处理装置1b的又一其它例的图。图22的基板处理装置1b与图19的基板处理装置1a相比，不同之处在于：将棒状的多个导电构件47c(图22中用粗线表示)仅仅设置在最外防溅罩45B上，其他的结构相同。在图22的基板处理装置1b中，能够通过最外防溅罩45B某种程度地抑制因从基板9上飞溅出来的纯水而产生的内侧防溅罩42B的带电电位，因此，能够防止在基板9上产生放电。
图23是基板处理装置1b的又一其它例的图。与图12的基板处理装置1同样，在图23的基板处理装置1b中，在最外防溅罩45C的周壁部451的周围设置有近似圆筒状的圆筒构件81a，圆筒构件81a依照着外周面451b，并与外周面451b之间形成间隙。另外，圆筒构件81a与接地部61连接而接地。与图12的基板处理装置1同样，在具有多个防溅罩42C～45C的基板处理装置1b中，也将导电性的圆筒构件81a设置得接近于最外防溅罩45C的外周面451b，由此能够某种程度地抑制因从基板9上飞溅出来的纯水而产生的内侧防溅罩42C的带电电位，从而防止在基板9上产生放电。
如上述那样，在基板处理装置中，在至少一个防溅罩中处于最外侧的最外防溅罩41C的外周面411b、451b接近设置有电阻率比最外防溅罩41C、45C小的圆筒构件，从而不改变防溅罩的构造就能抑制防溅罩的带电电位。
以上说明了第一至第三实施方式的基板处理装置1、1a、1b，但是基板处理装置1、1a、1b可以有种种变形。
如已经描述的那样，在基板处理装置中，通过将含水的液体保持在防溅罩的内周面和外周面的至少一个面上，或者防溅罩的内周面和外周面的至少 一个的面含有电阻率比防溅罩的主体的电阻率小的构件的表面，从而能够抑制防溅罩的带电电位，但是，在需要使内周面具有憎水性来确保一定的排水性能的情况下，像图1的防溅罩41、图4的防溅罩41、图6的防溅罩41A、图20的最外防溅罩45和图21的最外防溅罩45A那样，最好将含水的液体仅保持在外周面上、或者仅在外周面上含有电阻率比防溅罩的主体的电阻率小的构件的表面。另一方面，由于从基板9上飞溅出来的纯水通常在与防溅罩的内周面之间产生摩擦带电，所以通过至少在内周面保持有含水的液体、或者至少在内周面上含有电阻率小的构件的表面，从而能够减少防溅罩的带电量而进一步抑制防溅罩的带电电位。
在图1、图4、图5、图13和图20的基板处理装置1、1a、1b中，由从处理液供给部3、3a喷出的处理液在防溅罩的内周面或外周面上形成含水的液体层，但是，例如，像图24所示的防溅罩41那样，也可以在周壁部411的上端部的周围设置环状的供给管481作为液体给予部，从形成在供给管481上的多个孔482将含水并具有导电性的液体给予到周壁部411的外周面411b。此外，在图24的防溅罩41上，在周壁部411的周围设置有近似圆筒状的辅助构件483(图24中省略图示剖面的平行斜线)，该辅助构件483依照着外周面411b，并与外周面411b之间形成微小的间隙，从供给管481给予的液体就能够保持在周壁部411的外周面411b与辅助构件483之间。如图24的防溅罩41所示，在设置了连续供给液体的液体给予部的情况下，例如，也可以仅在防溅罩的外周面上形成多个槽来将纯水等实质上保持在外周面上，从而形成有产生了导电性的表面层。
也可以将图4的防溅罩41中的使用纤维材料46或网状构件的方法用于具有多个防溅罩42～45的图13或图20的基板处理装置1a、1b中。
像已经描述的那样，在基板处理装置中对基板9处理时，要求防止金属杂质附着在基板9上，因此，通常在防溅罩的内部或表面上不能使用金属，但是，可以根据防溅罩的设计或待处理对象的基板的种类等，替代图9的封入液47b而将由难以溶出的金属(例如金或白金等)形成的环状构件设置在环状槽415内，或者用该金属来形成图11、图19和图22的导电构件47c。此外，为了确实地防止防溅罩中的金属的溶出，最好用非金属材料形成导电构件。
在图8的防溅罩41A中，在周壁部411的周向上等间隔地配置了四个导电构件47a，但是，从在防溅罩41A的大致整个周面上抑制带电电位的观点来看，重要的是，将表面被包含在周壁部411的内周面411a或外周面411b内、且电阻率比防溅罩41A的主体小的构件，设置为在防溅罩41A的周向上等间隔地配置的三个以上的要素构件的集合。在图11中的防溅罩41B也同样，在周壁部411的周向上等间隔地配置了四个导电构件47c，但是，为了在防溅罩41B的大致整个周面上抑制带电电位，重要的是，将设置在周壁部411的内部、且电阻率比防溅罩41B的主体小的部位，设置为在周壁部411的周向上等间隔地配置的三个以上的要素部位的集合。
在上述第一至第三实施方式中，从处理液供给部3、3a将纯水或药液供给到基板9上，但是，如已经描述的那样，即便是仅供给纯水的装置，在基板上残存有水的状态下，在基板上也可能产生放电。因此，在具有至少将纯水作为处理液来供给到基板上的处理液供给部的情况下，基板处理装置使用抑制防溅罩的带电电位并防止基板上的放电的发生的上述方法变得很重要。
在图1、图4、图13和图20的基板处理装置1、1a、1b中，将基板9保持为其法线方向朝向上下方向，在将防溅罩的上端部配置在基板9的下方的状态下用纯水清洗基板9，由此，在基板9的处理过程中高效率地将纯水给予到最外侧的防溅罩(仅设置有一个防溅罩的情况下，就是该防溅罩)的外周面，而容易地形成水层，但是，不需要将纯水给予到最外侧的防溅罩的外周面的情况下，基板9的法线方向就不必朝向上下方向。另外，不必在所有基板9的处理时都进行向最外侧的防溅罩的外周面给予纯水，也可以仅在每隔给定张数的基板9的处理时进行。
基板处理装置1、1a、1b中，从由基板保持部2进行旋转的基板9上飞溅出来的处理液被防溅罩挡住，但是，例如，也可以在基板保持部中省略旋转机构，在将纯水供给到被基板保持部保持的基板9上之后，因另外单独设置的风刀而从基板9上飞溅出来的纯水被防溅罩挡住。在这种情况下，由于飞溅出来的纯水会使防溅罩带电，所以必须采用抑制防溅罩的带电电位的上述方法。
在上述第一至第三实施方式中，通过升降机构5而使防溅罩相对基板9进行升降，但是也可以固定防溅罩而使保持基板9的基板保持部2升降。即， 只要防溅罩相对基板保持部2进行相对地升降即可。
图6至图12、图18、图19和图21至图23的防溅罩(的主体)未必用绝缘材料形成，内周面和外周面的至少一个的面包含有电阻率比主体的电阻率小的构件的表面的防溅罩、和在内部具有电阻率比主体的电阻率小的部位的防溅罩，其主体也可以用具有比该构件或该部位高的电阻率(例如：2MΩ·cm以上)的半导电材料来形成。这种情况下，也可以用该构件或该部位来抑制防溅罩的带电电位而减轻基板9的感应带电。同样，将圆筒构件接近设置于最外防溅罩的外周面的一个防溅罩或多个防溅罩也可以用电阻率比该圆筒构件高的半导电材料来形成。
除半导体基板之外，基板处理装置中的处理对象还可以是例如玻璃基板等基板。
图25是表示本发明的第四实施方式的基板处理装置1c的结构的图。
除防溅罩141之外，图25所示的基板处理装置1c的结构与图1的基板处理装置1一样。图25中，为便于图示，将基板保持部2的一部分描绘为剖面(在后述的图29和图31中也同样)。
防溅罩141具有配置在卡盘21的外周来防止供给到基板9上的处理液向周围飞溅的周壁部1411，周壁部1411的上部构成为随着朝向处理液供给部3侧(上方)而直径渐小的倾斜部1412。周壁部1411的下端部上安装着向中心轴J1侧突出而盖住卡盘21的下方的环状的底部1413，并且，在底部1413上设置有排放处理液的排出口(省略图示)。
图26是图25中的箭头III-III位置上的防溅罩141的剖面图。如图25和图26所示，在防溅罩141的周壁部1411上，形成有以中心轴J1为中心的深的环状槽1415，在环状槽1415注入纯水。如图25所示，由环状的盖构件1416封闭住环状槽1415的倾斜部1412侧的开口，从而将纯水147保持(封入)在周壁部1411的内部。本实施方式中，用特富龙(注册商标)形成防溅罩141的主体(图25的防溅罩141中，周壁部1411内除纯水147的部位之外的部分)，从而内周面1411a具有憎水性(疏水性)。另外，被保持在周壁部1411的内部的纯水147的介电常数约为80，比形成防溅罩141的主体的特富龙(注册商标)的介电常数(3～4)高。
下面，参照图27来说明基板处理装置1c将处理液供给到基板来处理基 板的动作流程。首先，通过升降机构5使防溅罩141下降到其上端部处于卡盘21的下方的位置，并通过外部的搬送机构将待处理对象的基板放置在卡盘21上，用基板保持部2保持住(即，装载基板9)。然后，通过使防溅罩141上升，从而将卡盘21容置在防溅罩141内，防溅罩141将基板9的周围围住(步骤S111)。
接着，开始用基板保持部2对基板9进行旋转，并在处理液供给部3中仅开启纯水用阀331而将纯水供给到基板9的上表面上，用纯水对基板9进行前清洗处理(预冲洗)(步骤S112)。此时，因为由处理液供给部3供给而从旋转基板9上飞溅出来的纯水被防溅罩141的内周面1411a挡住，从而在防溅罩141的内周面1411a上产生摩擦带电，但是，由于在基板处理装置1c中介电常数比主体高的纯水147被保持在周壁部1411的内部，所以使周壁部1411的电荷容量(静电容量)增大，从而对于在内周面1411a上产生的电荷，内周面1411a的(相对接地电位的)带电电位的大小不会大幅度地增大(即，与没有纯水147或未形成环状槽1415的情况相比，可抑制防溅罩141的带电电位)。因此，卡盘21上的基板9几乎不发生感应带电。
接下来，在处理液供给部3中关闭纯水用阀331，并开启药液用阀332，从而将给予到基板9的上表面的处理液从纯水切换为药液(步骤S113)。继续给定时间向基板9供给药液，由此，对基板9实施使用了药液的处理。此外，与供给纯水时一样，由处理液供给部3供给而从旋转的基板9上飞溅出来的药液被防溅罩141的内周面1411a挡住，并从底部1413上的排放口排出去。
将药液给予到基板9上预定时间之后，关闭药液用阀332，并开启纯水用阀331，从而将给予到基板9的上表面上的处理液从药液切换为纯水，然后，用纯水对基板9进行后清洗处理(步骤S114)。
当用纯水对基板9的后清洗结束时，停止纯水的喷出，并停止基板9的旋转。接着，通过升降机构5使防溅罩141的上端部(倾斜部1412的端部)下降到卡盘21的下方，而由外部搬送机构将基板9取出来(即卸下基板9)(步骤S115)，然后，将下一张成为待处理对象的基板9放置到卡盘21上，并容置在防溅罩141内(步骤S116，S111)。然后与上述的动作同样，进行用纯水对基板9的前清洗(步骤S112)、用药液对基板9的处理(步骤S113) 和用纯水对基板9的后清洗(步骤S114)。当基板9的后清洗结束时，将基板9卸下来(步骤S115)。
当对所希望张数的基板9重复进行上述步骤S111～步骤S115的处理(步骤S116)时，基板处理装置1c中的动作就结束。
如以上的说明，在图25的基板处理装置1c中，包围基板保持部2的周围而挡住从基板9上飞溅出来的处理液的周壁部1411，沿整周在内部具有介电常数比形成防溅罩141的主体的绝缘材料高的纯水147。这样，不会因将整个防溅罩由特殊的导电材料形成而导致大幅度地增加基板处理装置1c的制造成本，能够在周壁部1411整个周面上抑制在纯水飞溅时产生的防溅罩141的带电电位，其结果是，能够防止因基板9的感应带电而引起在对基板9供给处理液时在基板9上产生放电。另外，周围环境中的颗粒恐怕会因基板带电而附着在基板上，但是由于抑制了基板带电，所以能够防止这种颗粒附着。
可是，在基板处理装置1c中对基板9处理时，为了确保半导体产品的制造中的一定的成品率，就要防止金属杂质附着在基板9上，而在图26的防溅罩141中，仅是将纯水保持在周壁部1411的内部，由于未使用金属，所以就不存在上述的金属污染的问题(在后述的图28至图31的防溅罩中也同样)。
图28是表示防溅罩的其他例的示图，且是对应于图26的防溅罩141a的剖面图。在图28的防溅罩141a中，剖面形状呈圆形的多个深孔1415a(实际上，是与图25的环状槽1415大体同深的四个孔1415a)沿周壁部1411的周向等间隔地形成(即，在以中心轴J1为中心的圆周上等角度间隔地配置)，并在各孔1415a中插入有圆柱构件147a，其中，孔的剖面与中心轴J1垂直。另外，圆柱构件147a由介电常数比用绝缘材料形成的防溅罩141的主体高的碳化硅(SiC)(介电常数为10)等陶瓷形成。这样，在防溅罩141a在周壁部1411的内部沿周壁部1411的周向局部具有介电常数比形成其主体的绝缘材料高的构件的情况下，在基板处理装置1c中也能够抑制由飞溅出来的纯水引起的防溅罩141a的带电电位。由于仅是将孔1415a设置在用绝缘材料形成的周壁部1411上并插入圆柱构件147a，所以能够容易而廉价地制造图28的防溅罩141a，不会大幅度提高基板处理装置1c的制造成本。
图29是表示基板处理装置1c的其他例的图，图30是图29中的箭头IV-IV位置上的防溅罩141b的剖面图。在图29和图30所示的防溅罩141b的周壁部1411上，在外周面1411b上沿防溅罩141b的周向等间隔形成沿中心轴J1延伸的多个凹部1415b，并在各凹部1415b内嵌入板构件147b。实际上，板构件147b的厚度与凹部1415b的深度(垂直于中心轴J1的方向的深度)近似相同，板构件147b的与中心轴J1相反一侧的表面被包含在周壁部1411的外周面1411b内。另外，板构件147b由介电常数比用绝缘材料形成的防溅罩141b的主体(图29的防溅罩141b中，周壁部1411上除板构件147b之外的部分)高的陶瓷形成。
这样，在周壁部1411在表面上具有介电常数比防溅罩141b的主体高的板构件147b的情况下，周壁部1411的电荷容量也变大，从而能够抑制纯水飞溅时产生的防溅罩141b的带电电位。另外，由于仅是在用绝缘材料形成的周壁部1411上设置凹部1415b，并插入板构件147b，所以能够容易而廉价地制造图29的防溅罩141a。此外，也可以按照基板处理装置1c的设计，在周壁部1411的外周面1411b上呈环状地设置有用陶瓷材料形成的构件。
在图26、图28和图30的防溅罩141、141a、141b中，周壁部1411在内部或表面上具有介电常数比绝缘性的主体高的纯水147、圆柱构件147a(的集合)或板构件147b(的集合)，来作为增大防溅罩141、141a、141b的电荷容量的辅助电介质，从而来实现抑制纯水飞溅时产生的防溅罩141、141a、141b的带电电位，但是上述的方法也可以用于设置有多个防溅罩的基板处理装置。
图31是表示具有多个防溅罩142～145的基板处理装置1d的局部结构的图，图31中，仅仅示出了多个防溅罩142～145的垂直于基板9的剖面的右侧。图31的基板处理装置1d中，可以从处理液供给部3a喷出多种药液和纯水，一体地升降的多个防溅罩142～145的相对基板9的位置可以按照来自处理液供给部3的处理液的种类而改变，例如，在从处理液供给部3供给纯水时，基板9被配置在内侧的周壁部1421的倾斜部1422的下方的位置(图31中所示的位置，以下称为“纯水供给位置”)；在供给一种药液时，基板9被配置在内侧的周壁部1421的倾斜部1422与该周壁部1421的外侧的周壁部1431的倾斜部1432之间的位置(图31中，用双点划线所示的位 置)。与图28的防溅罩141a一样，在图31所示的内侧的防溅罩142中，也在周壁部1421的内部设置有圆柱构件147a(实际上，在周壁部1421的周向上等间隔地配置多个圆柱构件147a)。这样，在基板处理装置1d中，能够抑制纯水飞溅时产生的防溅罩142的带电电位，并能够防止基板9上的放电的发生。此外，与图25的防溅罩141一样，在防溅罩142中，也可以在周壁部1421的内部保持有纯水。
在这里，描述比较例的基板处理装置中的基板的放电现象的一个例子，该比较例的基板处理装置与图31的基板处理装置1d的结构相同，但在内侧的防溅罩的内部未设置有辅助电介质。在比较例的基板处理装置中，在将基板配置在纯水供给位置的状态下将纯水供给到基板上，从而纯水飞溅到最内侧的防溅罩上，纯水流落下来之后，该防溅罩处于带电的状态。并且，因这种带电而引起基板的主体感应带电。此时，当维持纯水残留在基板上的状态时，通常，由于基板上的纯水内溶入了二氧化碳而使纯水成为具有导电性的水，所以在基板上就有可能产生放电。另外，当在产生了导电性的水残留在基板上的状态下使防溅罩升降时，由于改变与带电的防溅罩的相对位置会使基板的主体的电位变化，所以在防溅罩进行升降时，基板上也可能产生放电(即，发生基板上的绝缘膜的绝缘破坏)。
相对于此，在图31的基板处理装置1d中，由于在防溅罩142中将介电常数比主体高的圆柱构件147a设置在周壁部1421的内部，所以能够抑制由飞溅出来的纯水引起的防溅罩的带电电位。其结果是，能够防止在向基板9供给处理液时或使防溅罩142～145升降时等因防溅罩的带电而在基板9上产生放电。另外，还抑制了由基板带电引起的颗粒向基板的附着。
以上说明了第四实施方式的基板处理装置1c、1d，但是基板处理装置1c、1d可以有种种变形。
在图26的防溅罩141中，除纯水之外，也可以将介电常数比防溅罩141的主体高的其他液体保持在周壁部1411的内部。可是，在基板9的处理中，由于通常使用纯水，所以将纯水保持在周壁部1411的内部的情况下，即使万一内部的液体从周壁部1411中漏出来，也不会对被保持在防溅罩141内的基板9产生影响。
另外，在图26的防溅罩141中，也可以将用陶瓷形成的环状构件插入 在环状槽1415内，在图28的防溅罩141a中，也可以将纯水封入到孔1415a内。在将在防溅罩内设置陶瓷构件的情况下，可以确保一定的强度而不增大周壁部的厚度；在将纯水保持在防溅罩的内部的情况下，可以降低材料费用。当然，周壁部也可以在周向位置相互错开地具有陶瓷的部位和纯水的部位。
在图30的防溅罩141b中，也可以在内周面1411a上设置板构件147b，但是，这种情况下，由于要求板构件147b具有对药液的耐腐蚀性(在使防溅罩141b的内周面1411a具有憎水性的情况下，板构件147b还具有憎水性)，所以有时就必须对板构件147b进行表面处理等。因此，为了容易地将板构件147b设置在周壁部1411的表面上，最好将板构件147b的表面做成为周壁部1411的外周面1411b的一部分。
在图28和图30的防溅罩141a、141b中，将圆柱构件147a或板构件147b作为辅助要素，在周壁部1411的周向上等间隔配置的四个辅助要素的集合起到增大防溅罩的电荷容量的辅助电介质的作用，从而实现在防溅罩141a、141b的各位置上抑制带电电位，但是，从在防溅罩的大体整个周面上抑制带电电位的观点来看，重要的是，辅助电介质作设置为在周壁部1411的周向上等间隔配置的三个辅助要素的集合。
防溅罩的主体未必一定要用特富龙(注册商标)来形成，也可以用其他氟树脂或聚氯乙烯树脂等绝缘材料来形成。在基板处理装置中，将设置在周壁部的内部或表面上的辅助电介质做成介电常数高于形成防溅罩的主体的绝缘材料的介电常数的构件，从而能够抑制纯水飞溅时产生的防溅罩的带电电位。
在上述第四实施方式中，从处理液供给部3、3a将纯水和药液供给到基板9上，但是，如已经描述的那样，即便是仅供给纯水的装置，在基板上残存有水的状态下，在基板上也可能产生放电。因此，在具有至少将纯水作为处理液而供给到基板上的处理液供给部的情况下，基板处理装置在周壁部的内部或表面上设置介电常数高于防溅罩的主体的辅助电介质来抑制防溅罩的带电电位变得很重要。
基板处理装置1c、1d中，从由基板保持部2进行旋转的基板9上飞溅出来的处理液被防溅罩挡住，但是，例如，也可以在基板保持部中省略旋转机构，而在将纯水供给到被基板保持部保持的基板9上之后，因另外相对独 立设置的风刀而从基板9上飞溅出来的纯水被防溅罩挡住。在这种情况下，由于飞溅出来的纯水也会使防溅罩带电，所以也必须采用抑制防溅罩的带电电位的上述方法。
除半导体基板之外，基板处理装置中的处理对象也可以是例如玻璃基板等基板。
虽然上面详细描述了本发明，但是已述的说明仅是示例性的，而不是限定性的说明。因此，应该理解为在不脱离本发明的范围的限度内，可以有多种变形或方式。

Claims (40)

1.一种基板处理装置，其向基板供给处理液而对所述基板进行处理，其特征在于，该基板处理装置具有：
保持部，其对基板进行保持；
处理液供给部，其至少将纯水作为处理液而供给到所述基板上；
防溅罩，其主体由绝缘材料或半导电材料形成，该防溅罩具有包围所述保持部的周围而挡住从所述基板上飞溅出来的处理液的周壁部，并且，所述周壁部在内部具有相比形成所述主体的材料而电阻率小的部位；
接地部，其使所述电阻率小的部位或所述防溅罩电性接地。
2.如权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
所述电阻率小的部位设置在所述周壁部的整周上。
3.如权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
所述电阻率小的部位是在所述周壁部的周向上以等间隔配置的三个以上要素部位的集合。
4.如权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
所述电阻率小的部位是导电性树脂或导电性碳。
5.如权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
所述电阻率小的部位是保持在所述周壁部的内部，并且相比形成所述主体的材料而电阻率小的液体。
6.如权利要求1至5中任一项所述的基板处理装置，其特征在于，
该基板处理装置还具有另一个防溅罩，该另一个防溅罩具有与所述防溅罩相同的结构，并且，该另一个防溅罩配置在所述防溅罩的内侧且相比所述防溅罩更远离所述处理液供给部的位置上，
所述防溅罩和所述另一个防溅罩能够相对所述保持部而沿所述基板的法线方向进行相对移动。
7.如权利要求1至5中任一项所述的基板处理装置，其特征在于，
该基板处理装置还具有另一个防溅罩，该另一个防溅罩的整个周壁部用绝缘材料或半导电材料形成，并且，该另一个防溅罩配置在所述防溅罩的内侧且相比所述防溅罩更远离所述处理液供给部的位置上，
所述防溅罩和所述另一个防溅罩能够相对所述保持部而沿所述基板的法线方向进行相对移动。
8.一种基板处理装置，其向基板供给处理液而对所述基板进行处理，其特征在于，该基板处理装置具有：
保持部，其对基板进行保持；
处理液供给部，其至少将纯水作为处理液而供给到所述基板上；
防溅罩，其主体由绝缘材料或半导电材料形成，该防溅罩包围所述保持部的周围而挡住从所述基板上飞溅出来的处理液，并且，该防溅罩的内周面和外周面中的至少一个面是相比所述主体而电阻率小的构件的表面，或者所述至少一个面的一部分是所述电阻率小的构件的表面；
接地部，其使所述电阻率小的构件或所述防溅罩电性接地。
9.如权利要求8所述的基板处理装置，其特征在于，
所述电阻率小的构件设置在所述防溅罩的整周上。
10.如权利要求9所述的基板处理装置，其特征在于，
所述电阻率小的构件是导电性树脂薄膜。
11.如权利要求8所述的基板处理装置，其特征在于，
所述电阻率小的构件是在所述防溅罩的周向上以等间隔配置的三个以上要素构件的集合。
12.一种基板处理装置，其向基板供给处理液而对所述基板进行处理，其特征在于，该基板处理装置具有：
保持部，其对基板进行保持；
处理液供给部，其至少将纯水作为处理液而供给到所述基板上；
防溅罩，其由绝缘材料形成，该防溅罩包围所述保持部的周围而挡住从所述基板上飞溅出来的处理液；
保持含水的液体的部件，其将含水的液体保持在所述防溅罩的内周面和外周面中的至少一个面上；
接地部，其在所述至少一个面上保持有所述含水的液体的状态下，使所述含水的液体电性接地。
13.如权利要求12所述的基板处理装置，其特征在于，
所述保持含水的液体的部件是实施了亲水化处理的所述至少一个面。
14.如权利要求12所述的基板处理装置，其特征在于，
所述保持含水的液体的部件具有设置在所述至少一个面上的纤维材料或网状构件。
15.如权利要求12至14中任一项所述的基板处理装置，其特征在于，
所述基板的法线朝向上下方向，通过升降机构使所述防溅罩相对于所述保持部相对地进行升降，
所述至少一个面包含所述外周面，
在从所述处理液供给部喷出纯水时，所述升降机构将所述防溅罩的上端部配置在所述基板的下方，从而将从所述基板上飞溅出来的纯水给予到所述外周面上。
16.如权利要求8至14中任一项所述的基板处理装置，其特征在于，
所述至少一个面包含所述内周面。
17.如权利要求8至14中任一项所述的基板处理装置，其特征在于，
所述至少一个面仅是所述外周面，而所述内周面具有憎水性。
18.如权利要求8至14中任一项所述的基板处理装置，其特征在于，
该基板处理装置还具有另一个防溅罩，该另一个防溅罩由与所述防溅罩同样的材料形成，该另一个防溅罩的内周面和外周面中的至少一个面与所述防溅罩的所述内周面和外周面中的至少一个面相同，并且，该另一个防溅罩配置在所述防溅罩的内侧且相比所述防溅罩更远离所述处理液供给部的位置上，
所述防溅罩和所述另一个防溅罩能够相对所述保持部而沿所述基板的法线方向进行相对移动。
19.如权利要求8至14中任一项所述的基板处理装置，其特征在于，
该基板处理装置还具有另一个防溅罩，该另一个防溅罩由与所述防溅罩同样的材料形成，该另一个防溅罩的内周面和外周面是所述材料的表面，该另一个防溅罩配置在所述防溅罩的内侧且相比所述防溅罩更远离所述处理液供给部的位置上，
所述防溅罩和所述另一个防溅罩能够相对所述保持部而沿所述基板的法线方向进行相对移动。
20.一种基板处理装置，其向基板供给处理液而对所述基板进行处理，其特征在于，该基板处理装置具有：
保持部，其对基板进行保持；
处理液供给部，其至少将纯水作为处理液而供给到所述基板上；
至少一个防溅罩，其分别由绝缘材料形成，并且，包围所述保持部的周围而挡住从所述基板上飞溅出来的处理液，
保持含水的液体的部件，其将含水的液体保持在所述至少一个防溅罩中处于最外侧的最外防溅罩的外周面上；
接地部，在所述最外防溅罩的所述外周面上保持有所述含水的液体的状态下，该接地部使所述含水的液体电性接地，或者使所述最外防溅罩电性接地。
21.如权利要求20所述的基板处理装置，其特征在于，
所述保持含水的液体的部件是实施了亲水化处理的的所述外周面。
22.如权利要求20所述的基板处理装置，其特征在于，
所述保持含水的液体的部件具有设置在所述外周面上的纤维材料或网状构件。
23.如权利要求20至22中任一项所述的基板处理装置，其特征在于，
所述基板的法线朝向上下方向，通过升降机构使所述至少一个防溅罩相对于所述保持部相对地进行升降，
在从所述处理液供给部喷出纯水时，所述升降机构将所述至少一个防溅罩的上端部配置在所述基板的下方，从而将从所述基板飞溅出来的纯水给予到所述外周面上。
24.一种基板处理装置，其向基板供给处理液而对所述基板进行处理，其特征在于，该基板处理装置具有：
保持部，其对基板进行保持；
处理液供给部，其至少将纯水作为处理液而供给到所述基板上；
至少一个防溅罩，其分别由绝缘材料或半导电材料形成，并且，包围所述保持部的周围而挡住从所述基板飞溅出来的处理液；
圆筒构件，其接近于所述至少一个防溅罩中处于最外侧的最外防溅罩的外周面而设置，并且，该圆筒构件的电阻率比所述最外防溅罩小，
接地部，其使所述圆筒构件电性接地。
25.如权利要求24所述的基板处理装置，其特征在于，
所述圆筒构件由金属形成。
26.一种基板处理装置，其向基板供给处理液而对所述基板进行处理，其特征在于，该基板处理装置具有：
保持部，其对基板进行保持；
处理液供给部，其至少将纯水作为处理液而供给到所述基板上；
防溅罩，其主体由绝缘材料形成，该防溅罩具有包围所述保持部的周围而挡住从所述基板飞溅出来的处理液的周壁部，并且，所述周壁部在内部或表面上具有介电常数比所述绝缘材料高的辅助电介质。
27.如权利要求26所述的基板处理装置，其特征在于，
所述辅助电介质设置在所述周壁部的整周上。
28.如权利要求26所述的基板处理装置，其特征在于，
所述辅助电介质是在所述周壁部的周向上以等间隔配置的三个以上辅助要素的集合。
29.如权利要求26所述的基板处理装置，其特征在于，
所述辅助电介质是陶瓷。
30.如权利要求26至28中任一项所述的基板处理装置，其特征在于，
所述辅助电介质是保持在所述周壁部的内部的液体。
31.如权利要求26至29中任一项所述的基板处理装置，其特征在于，
所述辅助电介质是作为所述周壁部的外周面的一部分而设置的构件。
32.一种基板处理方法，在基板处理装置中对基板进行处理，其特征在于
所述基板处理装置具有：
保持部，其对基板进行保持；
处理液供给部，其至少将纯水作为处理液而供给到所述基板上；
防溅罩，其由绝缘材料形成，并且，包围所述保持部的周围而挡住从所述基板飞溅出来的处理液，
保持含水的液体的部件，其将含水的液体保持在所述防溅罩的内周面和外周面中的至少一个面上；
所述基板处理方法包括：
a工序：对所述至少一个面给予含水的液体，通过所述保持含水的液体的部件，而使所述含水的液体保持在所述至少一面上；
b工序：从所述处理液供给部向所述基板上供给处理液，
在所述至少一个面上保持有所述含水的液体的状态下，将所述含水的液体电性接地。
33.如权利要求32所述的基板处理方法，其特征在于，
所述保持含水的液体的部件是实施了亲水化处理的所述至少一个面。
34.如权利要求32所述的基板处理方法，其特征在于，
所述保持含水的液体的部件具有设置在所述至少一个面上的纤维材料或网状构件。
35.如权利要求32至34中任一项所述的基板处理方法，其特征在于，
所述基板的法线朝向上下方向，通过升降机构使所述防溅罩相对于所述保持部相对地进行升降，
所述至少一个面包含所述外周面，
所述a工序在比所述基板先行处理的先行基板保持在所述保持部的期间内执行，在所述a工序中，从所述处理液供给部喷出纯水的同时将所述防溅罩的上端部配置在所述先行基板的下方，由此将从所述先行基板上飞溅出来的纯水给予到所述外周面上。
36.一种基板处理方法，在基板处理装置中对基板进行处理，其特征在于，
所述基板处理装置具有：
保持部，其对基板进行保持；
处理液供给部，其至少将纯水作为处理液而供给到所述基板上；
至少一个防溅罩，其分别由绝缘材料形成，并且，包围所述保持部的周围而挡住从所述基板飞溅出来的处理液，
保持含水的液体的部件，其将含水的液体保持在所述至少一个防溅罩中处于最外侧的最外防溅罩的外周面上；
所述基板处理方法包括：
a工序：对所述外周面给予含水的液体，通过所述保持含水的液体的部件，而使所述含水的液体保持在所述外周面上；
b工序：从所述处理液供给部向所述基板上供给处理液，
在所述最外防溅罩的所述外周面上保持有所述含水的液体的状态下，使所述含水的液体电性接地，或者使所述最外防溅罩电性接地。
37.如权利要求36所述的基板处理方法，其特征在于，
所述保持含水的液体的部件是实施了亲水化处理的所述外周面。
38.如权利要求36所述的基板处理方法，其特征在于，
所述保持含水的液体的部件是具有设置在所述外周面上的纤维材料或网状构件。
39.如权利要求36至38中任一项所述的基板处理方法，其特征在于，
所述基板的法线朝向上下方向，通过升降机构使所述至少一个防溅罩相对于所述保持部相对地进行升降，
所述a工序在比所述基板先行处理的先行基板保持在所述保持部的期间内执行，在所述a工序中，从所述处理液供给部喷出纯水的同时将所述至少一个防溅罩的上端部配置在所述先行基板的下方，由此将从所述先行基板上飞溅出来的纯水给予到所述外周面上。
40.一种基板处理方法，向基板供给处理液而对所述基板进行处理，其特征在于，所述基板处理方法包括：
由防溅罩包围基板的周围的工序，该防溅罩的主体由绝缘材料形成，并且，该防溅罩在周壁部的内部或表面上具有介电常数比所述绝缘材料高的辅助电介质；
至少将纯水作为处理液而供给到基板上，同时由所述周壁部挡住从所述基板飞溅出来的处理液的工序。
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