CN101096730A - 无Pb的Sn系材料、配线用导体、终端连接部和无Pb软钎焊合金 - Google Patents

无Pb的Sn系材料、配线用导体、终端连接部和无Pb软钎焊合金 Download PDF

Info

Publication number
CN101096730A
CN101096730A CNA2007101091811A CN200710109181A CN101096730A CN 101096730 A CN101096730 A CN 101096730A CN A2007101091811 A CNA2007101091811 A CN A2007101091811A CN 200710109181 A CN200710109181 A CN 200710109181A CN 101096730 A CN101096730 A CN 101096730A
Authority
CN
China
Prior art keywords
based material
conductor
oxidation
wiring
wiring conductor
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CNA2007101091811A
Other languages
English (en)
Other versions
CN101096730B (zh
Inventor
西甫
辻隆之
山野边宽
冲川宽
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Cable Ltd
Original Assignee
Hitachi Cable Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Cable Ltd filed Critical Hitachi Cable Ltd
Publication of CN101096730A publication Critical patent/CN101096730A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN101096730B publication Critical patent/CN101096730B/zh
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
    • C22C—ALLOYS
    • C22C13/00—Alloys based on tin
    • C22C13/02—Alloys based on tin with antimony or bismuth as the next major constituent
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
    • C22C—ALLOYS
    • C22C13/00—Alloys based on tin
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C26/00—Coating not provided for in groups C23C2/00 - C23C24/00
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C26/00—Coating not provided for in groups C23C2/00 - C23C24/00
    • C23C26/02—Coating not provided for in groups C23C2/00 - C23C24/00 applying molten material to the substrate
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C28/00—Coating for obtaining at least two superposed coatings either by methods not provided for in a single one of groups C23C2/00 - C23C26/00 or by combinations of methods provided for in subclasses C23C and C25C or C25D
    • C23C28/02—Coating for obtaining at least two superposed coatings either by methods not provided for in a single one of groups C23C2/00 - C23C26/00 or by combinations of methods provided for in subclasses C23C and C25C or C25D only coatings only including layers of metallic material
    • C23C28/021—Coating for obtaining at least two superposed coatings either by methods not provided for in a single one of groups C23C2/00 - C23C26/00 or by combinations of methods provided for in subclasses C23C and C25C or C25D only coatings only including layers of metallic material including at least one metal alloy layer
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C28/00—Coating for obtaining at least two superposed coatings either by methods not provided for in a single one of groups C23C2/00 - C23C26/00 or by combinations of methods provided for in subclasses C23C and C25C or C25D
    • C23C28/02—Coating for obtaining at least two superposed coatings either by methods not provided for in a single one of groups C23C2/00 - C23C26/00 or by combinations of methods provided for in subclasses C23C and C25C or C25D only coatings only including layers of metallic material
    • C23C28/023—Coating for obtaining at least two superposed coatings either by methods not provided for in a single one of groups C23C2/00 - C23C26/00 or by combinations of methods provided for in subclasses C23C and C25C or C25D only coatings only including layers of metallic material only coatings of metal elements only
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/22—Secondary treatment of printed circuits
    • H05K3/24—Reinforcing the conductive pattern
    • H05K3/244—Finish plating of conductors, especially of copper conductors, e.g. for pads or lands
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/07—Electric details
    • H05K2201/0753—Insulation
    • H05K2201/0769—Anti metal-migration, e.g. avoiding tin whisker growth
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T29/00—Metal working
    • Y10T29/53—Means to assemble or disassemble
    • Y10T29/5313—Means to assemble electrical device
    • Y10T29/532—Conductor
    • Y10T29/53209—Terminal or connector

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Non-Insulated Conductors (AREA)

Abstract

本发明提供在无Pb的Sn系材料部的表面抑制晶须产生的无Pb的Sn系材料、配线用导体、终端连接部以及无Pb软钎焊合金。本发明所涉及的配线用导体是在至少部分表面上具有无Pb的Sn系材料部的配线用导体，其为在Sn系材料部中添加从Sb、Bi、Cd、In、Ag、Au、Ni、Ti、Zr、Hf中选择的至少一种来作为相变延迟元素，并且添加从Ge、P、K、Zn、Cr、Mn、Na、V、Si、Al、Li、Mg、Ca中选择的至少一种来作为氧化抑制元素，并进行回流处理。

Description

无Pb的Sn系材料、配线用导体、终端连接部和无Pb软钎焊合金
技术领域
本发明涉及用于电子机器的无Pb的Sn系材料、配线用导体、终端连接部和无Pb软钎焊合金。
背景技术
以往，在配线材料，特别是铜和铜合金制的配线材料的表面上，为了防止氧化，实施镀Sn、镀Ag、镀Au或者镀Ni。例如如图1所示，在连接器1和柔性扁平电缆(以下称做“FFC”)3的终端连接部中，在连接器(连接部件)1的连接销(金属端子)2、FFC3的导体4的表面等实施了镀层。其中，Sn由于其成本低廉、工业上优良，所以，一般广泛地使用表面上实施了镀Sn的配线材料。作为该镀Sn用合金，以往使用耐晶须性良好的Sn-Pb合金。
但是，近年来，出于环境方面的考虑，需要使用无铅材料(非铅材料)、无卤素材料，需要实现用于配线材料的各种材料的无铅化、无卤素化。但是，伴随着镀Sn的无铅化，特别是在纯Sn镀敷中，会在镀Sn膜表面产生Sn的针状结晶的晶须，如图2所示，这些晶须5有可能造成邻接配线材料(导体4)之间发生短路。于是考虑到，为了缓和作为产生晶须的原因的向Sn镀膜的负荷应力，通过对实施了电镀等的Sn镀膜进行回流处理，来降低晶须的产生，其中，回流处理是在Sn镀膜上进行熔融-再固化处理。
专利文献1：特开2001-131663号公报
专利文献2：特开2002-317295号公报
专利文献3：特开2003-211283号公报
专利文献4：特开2000-208934号公报
专利文献5：特开2003-129278号公报
发明内容
发明要解决的问题
但是，现在尚未正确理解晶须的产生机理以及减少(抑制)晶须的机理，而且，在使配线材料和连接器相嵌合的终端连接部等受到新的外部应力的部位，即使实施回流处理，也不能够抑制晶须的产生，目前尚无有效的对策。
考虑到上述情况而提出的本发明的目的是，提供在无Pb的Sn系材料部的表面上抑制晶须产生的无Pb的Sn系材料，配线用导体，终端连接部，以及无Pb软钎焊合金。
解决问题的手段
为了达到上述目标，为了在使用时抑制伴随着体积变化而发生的无Pb的Sn系材料的晶体结构相变和氧化，为了抑制在无Pb的Sn系材料内部的应变能的产生，本发明的无Pb的Sn系材料是，在Sn系材料的母材中添加了作为第1添加成分的延迟晶体结构相变的元素(以下将第1添加成分的元素称为“延迟相变的元素”)，并添加了作为第2添加成分的抑制母材的金属材料氧化的元素(以下将第2添加成分的元素称为“氧化抑制元素”)。
本发明的配线用导体为，在包括室温在内的同素异形相变温度以下使用在至少部分表面上具有无Pb的Sn系材料部的配线用导体时，为了抑制在制造时具有体心正方晶体结构的Sn系材料部(βSn)转变成具有金刚石型晶体结构的αSn，并且为了抑制Sn系材料部的氧化而引起的体积膨胀，在Sn系材料的母材中，添加了从Sb、Bi、Cd、In、Ag、Au、Ni、Ti、Zr、Hf中选择的至少一种元素作为延迟相变的元素，添加了从Ce、Zn、P、K、Cr、Mn、Na、V、Si、Al、Li、Mg、Ca中选择的至少一种元素作为氧化抑制元素，并进行回流处理。
本发明的配线用导体为，在包括室温在内的同素异形相变温度以下使用至少在部分金属导体的表面上具有无Pb的Sn系材料部的配线用导体时，为了抑制在制造时具有体心正方晶体结构的Sn系材料部(βSn)转变成具有金刚石型晶体结构的αSn，并且为了抑制Sn系材料部的氧化而引起的体积膨胀，在Sn系材料部的上层或者金属导体的上层设置了由从Sb、Bi、Cd、In、Ag、Au、Ni、Ti、Zr、Hf中选择的至少一种元素构成的第1添加成分的层，以及设置了由从Ce、Zn、P、K、Cr、Mn、Na、V、Si、Al、Li、Mg、Ca中选择的至少一种元素构成的第2添加成分的层，并经过回流处理。
其中，希望分别以10wt％以下的比例在母材中添加相变延迟元素和氧化抑制元素。此外，关于在Sn系材料部的上层或者金属导体的上层上设置的第1添加成分的层和第2添加成分的层的量，优选其为Sn系材料部的10wt％以下。如果添加量过少，则添加效果不充分，如果添加量过多，则影响Sn系材料部的导电率和力学强度，因此，该添加量分别更优选为0.01～1.0wt％。
此外，为了抑制在室温放置3000hr、热冲击试验3000循环、耐湿放置3000hr的条件下的晶须的产生，需要使氧化抑制元素的添加量为0.01wt％以上，特别需要使所使用的相变抑制元素的添加量比氧化抑制元素的添加量多，具体而言，优选相变抑制元素的添加量为0.1wt％以上，更优选1wt％以上。
配线材料可以在由Cu系材料构成的芯材的周围设置了Sn系材料部的披覆层。此外，Sn系材料部可以是软钎料或者硬钎料。
另一方面，本发明的终端连接部，在金属导体的终端之间相互连接时，至少一方的终端由上述配线用导体构成，或者至少一方的终端表面由上述配线用导体所披覆，且终端之间由物理接触来连接。
此外，本发明的终端连接部，使由上述配线用导体构成的配线材料与具有由上述配线用导体构成的金属端子的连接部件进行物理接触来连接，或者使由上述配线用导体披覆金属端子表面的连接部件之间进行物理接触来连接。
而且，本发明的终端连接部是通过上述软钎料将金属导体之间相互电力软钎焊而连接的。此外，本发明的终端连接部是通过上述的硬钎料将金属导体之间相互电力硬钎焊而连接的。
本发明的无Pb软钎焊合金中，含0.1～5wt％的Ag，含0.1～5wt％的Cu，含有10wt％以下的从Sb、Bi、Cd、In、Ag、Au、Ni、Ti、Zr、Hf中选择的至少一种元素作为第1添加成分，含有10wt％以下的从Ce、Zn、P、K、Cr、Mn、Na、V、Si、Al、Li、Mg、Ca中选择的至少一种元素作为第2添加成分，其余部分为Sn。
发明的效果
根据本发明，可以得到终端连接部的连接可靠性高的无Pb的Sn系材料、配线用导体以及无Pb软钎焊合金，可以发挥优良的效果。此外，根据本发明，在电子机器用配线材料中，可以降低在表面实施有Sn系材料的配线材料的Sn系材料中所产生的应力，其结果是，可以抑制由于对Sn系材料的应力负荷而产生的Sn针状晶体的晶须，可以解决相邻配线材料之间短路的问题。
附图说明
图1：表示使连接器与FFC相嵌合、接触的图。
图2：是图1的部分放大图，是表示产生晶须，相邻配线材料发生短路的图。
符号说明
1：连接器；2：连接销；3：FFC；4：导体；5：晶须。
具体实施方式
说明本发明的一个合适的实施方式。
作为配线材料的镀材一般使用镀Sn，镀Sn的母合金的Sn具有两种晶体结构类型，即，存在具有体心正方晶型的晶体结构的βSn(白锡(white tin)，密度7.3g/cm3)和具有金刚石型晶体结构的αSn(灰锡(gray tin)，密度5.75g/cm3)。βSn向αSn的相变(以下称为β→α相变)的同素异形相变点约为13℃(或其以下)，因此，即使在制造时是βSn，在同素异形相变点以下的温度使用时也相变成为αSn。此外，Sn的氧化物的氧化数是2和4，即黑色的正方晶型晶体的SnO(氧化亚锡，密度6.45g/cm3)和无色的正方晶系晶体的SnO2(氧化锡，密度6.95g/cm3)。
本发明者经过深入研究的结果发现，在镀Sn膜表面产生晶须的原因可能是伴随着Sn的β→α相变或者氧化而产生的体积膨胀。特别是在镀Sn膜上承受外力负荷的部位上易于发生β→α相变，体积膨胀27％。此外，在高温多湿的条件下Sn发生氧化形成氧化物，氧化物为SnO时体积膨胀28％，为SnO2时体积膨胀33％。伴随着这样的体积膨胀，无处可去的Sn原子向镀Sn膜外部伸出而呈柱状，从而形成晶须。由此可知，如果延迟了Sn镀膜的β→α相变和氧化，就可能抑制晶须的产生。
作为延迟β→α相变的元素(以下称为相变延迟元素)，已知有Pb、Sb、Bi、Cd、In、Ag、Au、Ni，记载于例如在非专利文献1～3等中。这些元素中，除Ni以外的各元素，由于原子半径都比Sn大，认为具有抑制伴随着体积膨胀的β→α相变的效果。除此之外，作为原子半径比Sn大的元素还可例举Ti、Zr、Hf。本发明中由于以无Pb为前提，因此采用Sb、Bi、Cd、In、Ag、Au、Ni、Ti、Zr、Hf作为相变延迟元素。
非专利文献1：W.Lee.Williams，“GRAY TIN FORMATION IN SOLDEREDJOINTS AT LOW TEMPERATURE(低温焊接点处灰锡的形成)”，SYMPOSIUMON SOLDER
非专利文献2：Alfred.Bomemann，“TIN DISEASE IN SOLDER TYPEALLOYS(焊料型合金中的锡疫)”，SYMPOSIUM ON SOLDER(1956)
非专利文献3：C.E.Hormer and H.C.Watkins，“Transformation of Tin at LowTemperature(锡在低温下的转化)”，THE METAL INDUSTRY，1942，Vol.60，pp.364-366
此外，作为抑制氧化的元素(以下称为氧化抑制元素)，从艾林汉(Ellingham)图读取的比Sn氧化倾向大的元素有Ge、P、K、Zn、Cr、Mn、Na、V、Si、Ti、Al、Li、Mg、Ca、Zr。由于这些元素的氧化倾向比Sn大，因此比Sn优先氧化，认为具有抑制伴随着体积膨胀的Sn的氧化的效果。
本发明的合适的一个实施方式中的无Pb的Sn系材料，是在Sn系材料的母材中，添加了延迟晶体结构相变的相变延迟元素(第1添加成分的元素)和抑制氧化的氧化抑制元素(第2添加成分的元素)。相变延迟元素和氧化抑制元素是各自不同的元素。
本实施方式中的配线用导体是，仅由该无Pb的Sn系材料构成金属导体整体，或者在金属导体的表面披覆无Pb的Sn系材料等。这里所说的配线用导体，是指配线材料、电缆导体、印刷线路等的金属导体。
具体而言，本实施方式的配线用导体，至少在部分表面具有无Pb的Sn系材料部，Sn系材料部是由在母材中添加从Sb、Bi、Cd、In、Ag、Au、Ni、Ti、Zr、Hf中选择的至少一种来作为相变延迟元素，以及添加从K、Cr、Mn、Na、V、Si、Al、Li、Mg、Ca中选择的至少一种来作为氧化抑制元素而构成的。
作为配线用导体，可以列举在由Cu系材料构成的芯材周围设置Sn系材料部的披覆层的配线材料、整体由Sn系材料构成的配线材料(软钎料或者硬钎料)等。例如作为配线材料，可以列举柔性扁平电缆(FFC)、柔性印刷线路板(FPC)、金属上贴付了绝缘体的配线板(MFJ)、印刷配线板、作为在绝缘体上配线的部件的供电板(PSB)、细尺寸的同轴电缆、天线用电缆等电子机器用配线材料。
作为Sn系材料部的母材，可以是纯Sn和Sn合金中的任一种。此外，在母材中添加的相变延迟元素和氧化抑制元素的比例分别为0.001～10wt％，优选0.1wt％左右(或者0.01～1.0wt％)。如果相变延迟元素或者氧化抑制元素的添加比例小于0.001wt％，就不能充分达到延迟β→α相变的效果或者抑制Sn氧化的效果。相反，如果相变延迟元素或者氧化抑制元素的添加比例超过10wt％，会产生出现裂纹、焊接连接性下降等的问题。
此外，为了抑制在室温放置3000hr、热冲击试验3000循环、耐湿放置3000hr的条件下的晶须的产生，需要使氧化抑制元素的添加量为0.01wt％以上，特别需要使所使用的相变抑制元素的添加量比氧化抑制元素的添加量多，具体而言，优选相变抑制元素的添加量为0.1wt％以上，更优选1wt％以上。
其理由据认为是，氧化抑制元素仅以在镀Sn的极表面的改性所必需的比例下即可，极少量就能发挥其效果，但相变抑制元素需要在镀Sn全体中添加，要发挥效果就必需一定程度的添加量。
在母材中添加的相变抑制元素和氧化抑制元素，如果考虑到制造时的工作环境和安全性，作为相变延迟元素，特别优选Sb、Bi、Ag、Au、Ni、Ti、Zr、Hf，作为氧化抑制元素，特别优选Ge、Zn、P、K、Mn、V、Si、Al、Mg、Ca。
通过使用无Pb的软钎焊合金母材作为Sn系材料的母材，在该软钎焊合金母材中，分别以10wt％以下的比例添加上述相变延迟元素和氧化抑制元素，可以得到无Pb的软钎焊合金(软钎料或者硬钎料)。作为无Pb的软钎焊合金母材，可以列举Sn-0.1～5wt％Ag-0.1～5wt％Cu合金，但并不特别限定于此，现有的无Pb的软钎焊合金都可以适用。
其中，通过在Sn系材料部的母材中添加In作为相变延迟元素，可以在延迟β→α相变的同时，实现降低配线导体的熔点。这样，在配线用导体与软钎料或硬钎料等相接合时，可以提高流动性和接合性。
此外，除了在Sn系材料部的母材中添加相变延迟元素和氧化抑制元素之外，还可以以例如0.1～5.0wt％的比例添加Cu。这样，在配线用导体与软钎料软钎焊接合时，可以防止配线用导体的焊锡腐蚀(食われ)。
以下，说明本实施方式的作用。
本实施方式的配线用导体，例如在FFC的导体等中使用的配线材料的情形下，作为配线用导体，可以列举在由Cu系导体构成的芯材的周围具有镀Sn膜的配线材料，其中镀Sn膜由在镀Sn母材中分别添加0.001～10wt％的比例的相变延迟元素和氧化抑制元素而形成。该配线材料不仅满足镀Sn膜的无Pb化要求，还具有与具有良好耐晶须性效果的Sn-Pb合金(软钎焊)镀膜的配线材料同等的耐晶须性。
具体而言，具有这样镀Sn膜的配线材料(参照图1中的4)在与图1所示的连接器(连接部件)1的连接销2相嵌合、接触而连接时，即使在镀Sn膜上负荷巨大的压缩应力，由于相变延迟元素的作用使得Sn的β→α相变延迟，同时由于氧化抑制元素抑制了Sn的氧化，因而抑制了在镀Sn膜表面上晶须的产生。也就是说，象配线材料和连接销嵌合、接触的终端连接部那样，即使在受到巨大外部压力的环境下，在镀Sn膜的表面几乎不产生晶须。这样的结果，对于终端连接部，可以避免伴随晶须的产生而发生的相邻导体的短路等的麻烦，提高终端连接部的连接可靠性。
此外，即使在低温(同素异形相变点以下的温度)或高温下使用具有这样的镀Sn膜的配线材料，也可以抑制伴随体积变化的Sn的β→α相变和氧化。因此，对于上述的终端连续部，由于能够在抑制产生晶须的同时，抑制配线材料(配线用导体)内部的应变能的产生、残留，因此可以良好地保持耐弯曲性。
另一方面，本实施方式的无Pb软钎焊合金是对金属导体之间进行电力连接的软钎料(或者硬钎料)，是由在软钎料(或者硬钎料)的母材中分别以0.001～10wt％的比例添加相变延迟元素和氧化抑制元素而形成的材料所构成。对于使用这些软钎料(或者硬钎料)使金属导体之间由电力相互连接的终端连接部，该连接部具有与耐晶须性效果良好的Sn-Pb合金(软钎焊)的连接部同等的耐晶须性。因此，即使在低温(同素异形相变点以下的温度)或高温下使用该终端连接部，也可以抑制连接部中晶须的产生，可以避免伴随晶须的产生而发生的导体短路等的麻烦，提高连接部的连接可靠性。
以下，说明本发明的其他实施方式
本实施方式的配线用导体，是在金属导体的整体表面(至少部分表面)上设置无Pb的镀Sn膜，并且在该镀Sn膜的上层，设置相变延迟元素的层和氧化抑制元素的层，然后进行回流处理而形成的，在金属导体的整体表面上具有无Pb的Sn的披覆层。
无Pb的Sn的披覆层是主要由相变延迟元素、氧化抑制元素和Sn的合金构成的层，可以是全部的层由合金构成，也可以是层的一部分中残存若干相变延迟元素的层、氧化抑制元素的层和镀Sn膜中的任一种。
相对于镀Sn膜的重量，相变延迟元素的层和氧化抑制元素的层的重量比例分别为0.001～10wt％，优选0.1wt％左右(或者0.01～1.0wt％)。
此外，为了抑制在室温放置3000hr、热冲击试验3000循环、耐湿放置3000hr的条件下的晶须的产生，需要使氧化抑制元素的添加量为0.01wt％以上，特别需要使所使用的相变抑制元素的添加量比氧化抑制元素的添加量多，具体而言，优选相变抑制元素的添加量为0.1wt％以上，更优选1wt％以上。
本实施方式中，以在镀Sn膜的上层设置了相变延迟元素的层和氧化抑制元素的层的情况为例进行了说明，但也可以是在金属导体的上层(镀Sn膜的下层)设置相变延迟元素的层和氧化抑制元素的层。此外，也可以是在镀Sn膜的上层设置相变延迟元素的层(或者氧化抑制元素的层)，在镀Sn膜的下层设置氧化抑制元素的层(或者相变延迟元素的层)。
以下说明本实施方式的配线用导体的制造方法
首先，对于金属导体，进行无Pb的Sn系材料的镀敷，在至少部分金属导体表面设置镀Sn膜。
在该镀Sn膜上设置相变延迟元素的镀膜(以下简称相变延迟镀膜)，并且设置氧化抑制元素的镀膜(以下简称氧化抑制镀膜)。关于相变延迟镀膜和氧化抑制镀膜的形成顺序，哪一个在先均可。
然后，对具有镀Sn膜、相变延迟镀膜和氧化抑制镀膜的金属导体，实施适当的压延加工、断面收缩加工等，之后进行回流处理(通电退火)。这样，镀Sn膜的Sn、构成相变延迟镀膜的相变延迟元素和构成氧化抑制镀膜的氧化抑制元素发生扩散，形成由镀Sn膜、相变延迟镀膜和氧化抑制镀膜的合金构成的披覆层。
回流的退火温度和时间要采用使镀Sn膜的Sn、构成相变延迟镀膜的相变延迟元素和构成氧化抑制镀膜的氧化抑制元素发生扩散的充分的温度和时间。该退火温度和时间根据所使用的相变延迟元素和氧化抑制元素而不同，可以根据所使用的相变延迟元素和氧化抑制元素来适度调节。
本发明并不限定于上述实施方式，当然是可以设想多种其他方式的。
以下，基于实施例说明本发明，但本发明并不限定于这些实施例。
实施例
分别采用
(a)在纯Sn中分别添加0.01wt％的相变延迟元素(Sb、Bi、In、Ag、Au、Ni、Ti、Zr、Hf中的任意一种)和0.01wt％的氧化抑制元素(Ge、Zn、P、K、Mn、V、Si、Al、Mg、Ca中的任意一种)的材料；
(b)在纯Sn中分别添加0.01wt％的相变延迟元素(Bi)、0.01wt％的相变延迟元素(Ni)和0.01wt％的氧化抑制元素(P、Zn中任一种)的材料；
(c)在纯Sn中分别添加1wt％的相变延迟元素(Sb、Bi、In、Ag、Au中的任意一种)和0.01wt％的氧化抑制元素(Zn、P、K、Mn、V中的任意一种)的材料；
(d)在纯Sn中分别添加0.1wt％的相变延迟元素(Ni、Ti、Zr、Hf中的任意一种)和0.01wt％的氧化抑制元素(Si、P、Zn、Ge、Al、Mg、Ca中的任意一种)的材料；
(e)在纯Sn中分别添加1wt％的相变延迟元素(Bi)、0.1wt％的相变延迟元素(Ni)和0.01wt％的氧化抑制元素(P、Zn中任一种)的材料；
(f)在纯Sn中仅添加0.01wt％的相变延迟元素的材料；
(g)在纯Sn中仅添加0.01wt％的氧化抑制元素的材料；
(h)在纯Sn中不添加任何物质的材料，
进行熔融镀敷，制成配线材料(实施例1～14、实施例15、实施例16、实施例17～23、实施例24～30、实施例31、实施例32、比较例1～9、比较例10～18，现有技术例1)。
此外，分别采用
(i)在作为无Pb软钎焊的Sn-3wt％Ag-0.5wt％Cu合金中分别添加0.01wt％的相变延迟元素(Sb、Bi、In、Ag、Au、Ni、Ti、Zr、Hf中的任意一种)和0.01wt％的氧化抑制元素(Ge、Zn、P、K、Mn、V、Si、Al、Mg、Ca中的任意一种)的材料；
(j)在作为无Pb软钎焊的Sn-3wt％Ag-0.5wt％Cu合金中分别添加0.01wt％的相变延迟元素(Bi)、0.01wt％的相变延迟元素(Ni)和0.01wt％的氧化抑制元素(P、Zn中任一种)的材料；
(k)在作为无Pb软钎焊的Sn-3wt％Ag-0.5wt％Cu合金中分别添加1wt％的相变延迟元素(Sb、Bi、In、Ag、Au中的任意一种)和0.01wt％的氧化抑制元素(Zn、P、K、Mn、V中的任意一种)的材料；
(l)在作为无Pb软钎焊的Sn-3wt％Ag-0.5wt％Cu合金中分别添加0.1wt％的相变延迟元素(Ni、Ti、Zr、Hf中的任意一种)和0.01wt％的氧化抑制元素(Si、P、Zn、Ge、Al、Mg、Ca中的任意一种)的材料；
(m)在作为无Pb软钎焊的Sn-3wt％Ag-0.5wt％Cu合金中分别添加1wt％的相变延迟元素(Bi)、0.1wt％的相变延迟元素(Ni)和0.01wt％的氧化抑制元素(P、Zn中任一种)的材料；
(o)在作为无Pb软钎焊的Sn-3wt％Ag-0.5wt％Cu合金中仅添加0.01wt％的相变延迟元素的材料；
(p)在作为无Pb软钎焊的Sn-3wt％Ag-0.5wt％Cu合金中仅添加0.01wt％的氧化抑制元素的材料；
(q)在作为无Pb软钎焊的Sn-3wt％Ag-0.5wt％Cu合金中不添加任何物质的材料，
进行熔融镀敷，制成配线材料(实施例33～46、实施例47、实施例48、实施例49～55、实施例56～62、实施例63、实施例64、比较例19～27、比较例28～36，现有技术例2)。
将这些各种配线材料分别与连接器嵌合接触，实施通常的室温放置试验(25℃)1000hr、热冲击试验(-55～125℃)1000循环和耐湿放置试验(55℃，95％RH)1000hr。进而，对于添加了0.1wt％以上的相变抑制元素的实施例17～32、实施例49～64，实施通常的室温放置试验(25℃)3000hr、热冲击试验(-55～125℃)3000循环和耐湿放置试验(55℃，95％RH)3000hr。然后，将各配线材料从连接器中取出，使用电子显微镜分别观察在镀膜表面的连接器嵌合部(连接部)上的晶须的生长状况(晶须的长度)。各试验后的各配线材料的耐晶须性评价结果如表1和表2所示。
表1
例 添加金属              耐晶须性
  室温放置试验     热冲击试验   耐湿放置试验
实施例(纯Sn+相变延迟元素+氧化抑制元素)   1     0.01wt％Sb   0.01wt％P   ◎     ◎   ◎
  2     0.01wt％Bi   0.01wt％K   ◎     ◎   ◎
  3     0.01wt％Bi   0.01wt％P   ◎     ◎   ◎
  4     0.01wt％Bi   0.01wt％Zn   ◎     ◎   ◎
  5     0.01wt％In   0.01wt％Zn   ◎     ◎   ◎
  6     0.01wt％Ag   0.01wt％Mn   ◎     ◎   ◎
  7     0.01wt％Au   0.01wt％V   ◎     ◎   ◎
  8     0.01wt％Ni   0.01wt％Si   ◎     ◎   ◎
  9     0.01wt％Ni   0.01wt％P   ◎     ◎   ◎
  10     0.01wt％Ni   0.01wt％Zn   ◎     ◎   ◎
  11     0.01wt％Ni   0.01wt％Ge   ◎     ◎   ◎
  12     0.01wt％Ti   0.01wt％Mg   ◎     ◎   ◎
  13     0.01wt％Zr   0.01wt％Al   ◎     ◎   ◎
  14     0.01wt％Hf   0.01wt％Ca   ◎     ◎   ◎
  15     0.01wt％Bi+0.01wt％Ni   0.01wt％P   ◎     ◎   ◎
  16     0.01wt％Bi+0.01wt％Ni   0.01wt％Zn   ◎     ◎   ◎
  17     1wt％Sb   0.01wt％P   ☆     ☆   ☆
18     1wt％Bi   0.01wt％K   ☆     ☆   ☆
  19     1wt％Bi   0.01wt％P   ☆     ☆   ☆
  20     1wt％Bi   0.01wt％Zn   ☆     ☆   ☆
  21     1wt％In   0.01wt％Zn   ☆     ☆   ☆
  22     1wt％Ag   0.01wt％Mn   ☆     ☆   ☆
  23     1wt％Au   0.01wt％V   ☆     ☆   ☆
  24     0.1wt％Ni   0.01wt％Si   ☆     ☆   ☆
  25     0.1wt％Ni   0.01wt％P   ☆     ☆   ☆
  26     0.1wt％Ni   0.01wt％Zn   ☆     ☆   ☆
  27     0.1wt％Ni   0.01wt％Ge   ☆     ☆   ☆
  28     0.1wt％Ti   0.01wt％Mg   ☆     ☆   ☆
  29     0.1wt％Zr   0.01wt％Al   ☆     ☆   ☆
  30     0.1wt％Hf   0.01wt％Ca   ☆     ☆   ☆
  31     1wt％Bi+0.1wt％Ni   0.01wt％P   ☆     ☆   ☆
  32     1wt％Bi+0.1wt％Ni   0.01wt％Zn   ☆     ☆   ☆
比较例(纯Sn+相变延迟元素)   1     0.01wt％Sb   ○     ○   ○
  2     0.01wt％Bi   ○     ○   ○
  3     0.01wt％In   ○     ○   ○
  4     0.01wt％Ag   ○     ○   ○
  5     0.01wt％Au   ○     ○   ○
  6     0.01wt％Ni   ○     ○   ○
  7     0.01wt％Ti   ○     ○   ○
  8     0.01wt％Zn   ○     ○   ○
  9     0.01wt％Hf   ○     ○   ○
比较例(纯Sn+氧化抑制元素)   10     0.01wt％P   ○     ○   ○
  11     0.01wt％K   ○     ○   ○
  12     0.01wt％Zn   ○     ○   ○
  13     0.01wt％Mn   ○     ○   ○
  14     0.01wt％V   ○     ○   ○
  15     0.01wt％Si   ○     ○   ○
  16     0.01wt％Mg   ○     ○   ○
  17     0.01wt％Al   ○     ○   ○
  18     0.01wt％Ca   ○     ○   ○
现有技术例   1     无   ×     ×   ×
☆：没有晶须(室温放置3000hr、热冲击试验3000循环、耐湿放置3000hr)
◎：没有晶须(室温放置1000hr、热冲击试验1000循环、耐湿放置1000hr)
○：最大晶须长度小于50μm(室温放置1000hr、热冲击试验1000循环、耐湿放置1000hr)
×：最大晶须长度50μm以上(室温放置1000hr、热冲击试验1000循环、耐湿放置1000hr)
表2
           例                          添加金属               耐晶须性
  室温放置试验     热冲击试验   耐湿放置试验
实施例(Sn-3Ag-0.5Cu+相变延迟元素+氧化抑制元素)   33     0.01wt％Sb   0.01wt％P   ◎     ◎   ◎
  34     0.01wt％Bi   0.01wt％K   ◎     ◎   ◎
  35     0.01wt％Bi   0.01wt％P   ◎     ◎   ◎
  36     0.01wt％Bi   0.01wt％Zn   ◎     ◎   ◎
  37     0.01wt％In   0.01wt％Zn   ◎     ◎   ◎
  38     0.01wt％Ag   0.01wt％Mn   ◎     ◎   ◎
  39     0.01wt％Au   0.01wt％V   ◎     ◎   ◎
  40     0.01wt％Ni   0.01wt％Si   ◎     ◎   ◎
  41     0.01wt％Ni   0.01wt％P   ◎     ◎   ◎
  42     0.01wt％Ni   0.01wt％Zn   ◎     ◎   ◎
  43     0.01wt％Ni   0.01wt％Ge   ◎     ◎   ◎
  44     0.01wt％Ti   0.01wt％Mg   ◎     ◎   ◎
  45     0.01wt％Zr   0.01wt％Al   ◎     ◎   ◎
46 0.01wt％Hf   0.01wt％Ca   ◎     ◎   ◎
  47     0.01wt％Bi+0.01wt％Ni   0.01wt％P   ◎     ◎   ◎
  48     0.01wt％Bi+0.01wt％Ni   0.01wt％Zn   ◎     ◎   ◎
  49     1wt％Sb   0.01wt％P   ☆     ☆   ☆
  50     1wt％Bi   0.01wt％K   ☆     ☆   ☆
  51     1wt％Bi   0.01wt％P   ☆     ☆   ☆
  52     1wt％Bi   0.01wt％Zn   ☆     ☆   ☆
  53     1wt％In   0.01wt％Zn   ☆     ☆   ☆
  54     1wt％Ag   0.01wt％Mn   ☆     ☆   ☆
  55     1wt％Au   0.01wt％V   ☆     ☆   ☆
  56     0.1wt％Ni   0.01wt％Si   ☆     ☆   ☆
  57     0.1wt％Ni   0.01wt％P   ☆     ☆   ☆
  58     0.1wt％Ni   0.01wt％Zn   ☆     ☆   ☆
  59     0.1wt％Ni   0.01wt％Ge   ☆     ☆   ☆
  60     0.1wt％Ti   0.01wt％Mg   ☆     ☆   ☆
  61     0.1wt％Zr   0.01wt％Al   ☆     ☆   ☆
  62     0.1wt％Hf   0.01wt％Ca   ☆     ☆   ☆
  63     1wt％Bi+0.1wt％Ni   0.01wt％P   ☆     ☆   ☆
  64     1wt％Bi+0.1wt％Ni   0.01wt％Zn   ☆     ☆   ☆
比较例(Sn-3Ag-0.5Cu+相变延迟元素)   19     0.01wt％Sb   ○     ○   ○
  20     0.01wt％Bi   ○     ○   ○
  21     0.0wt％In   ○     ○   ○
  22     0.01wt％Ag   ○     ○   ○
  23     0.01wt％Au   ○     ○   ○
  24     0.01wt％Ni   ○     ○   ○
  25     0.01wt％Ti   ○     ○   ○
  26     0.01wt％Zr   ○     ○   ○
  27     0.01wt％Hf   ○     ○   ○
比较例Sn-3Ag-0.5Cu+氧化抑制元素)   28     0.01wt％P   ○     ○   ○
  29     0.01wt％K   ○     ○   ○
  30     0.01wt％Zn   ○     ○   ○
  31     0.01wt％Mn   ○     ○   ○
  32     0.01wt％V   ○     ○   ○
  33     0.01wt％Si   ○     ○   ○
  34     0.01wt％Mg   ○     ○   ○
  35     0.01wt％Al   ○     ○   ○
  36     0.01wt％Ca   ○     ○   ○
现有技术例   2     无   ×     ×   ×
☆：没有晶须(室温放置3000hr、热冲击试验3000循环、耐湿放置3000hr)
◎：没有晶须(室温放置1000hr、热冲击试验1000循环、耐湿放置1000hr)
○：最大晶须长度小于50μm(室温放置1000hr、热冲击试验1000循环、耐湿放置1000hr)
×：最大晶须长度50μm以上(室温放置1000hr、热冲击试验1000循环、耐湿放置1000hr)
由表1和表2可知，对于在纯Sn和Sn-3wt％Ag-0.5wt％Cu合金中不添加任何元素的现有技术例1、2中，产生的晶须的最大长度为50μm以上，完全得不到抑制晶须的效果。另一方面，仅添加了相变延迟元素或仅添加了氧化抑制元素的比较例1～36中，产生的晶须的最大长度变短为小于50上m，全部得到了抑制晶须的效果。
与这些相比，添加了相变延迟元素和氧化抑制元素的实施例1～64，在评价耐晶须性的各试验后，完全没有产生晶须，可以确认得到比比较例1～36更高的抑制晶须的效果。特别是对于相变抑制元素的添加量在0.1wt％以上的实施例17～32、实施例49～64，即使各试验时间和次数分别为原来的3倍(室温放置3000hr、热冲击试验3000循环和耐湿放置3000hr)，也完全没有产生晶须，可以确认获得了极高的抑制晶须的效果。

Claims (10)

1.一种无Pb的Sn系材料，其特征在于，在Sn系材料的母材中，添加作为第1添加成分的延迟晶体结构相变的相变延迟元素，以及作为第2添加成分的与所述相变延迟元素不同的元素的氧化抑制元素。
2.一种配线用导体，其特征在于，在至少部分表面上具有Sn系材料部的配线用导体中，在Sn系材料部中添加从Sb、Bi、Cd、In、Ag、Au、Ni、Ti、Zr、Hf中选择的至少一种元素来作为第1添加成分，并且添加从Ge、Zn、P、K、Cr、Mn、Na、V、Si、Al、Li、Mg、Ca中选择的至少一种元素来作为第2添加成分，并进行回流处理。
3.根据权利要求2所述的配线用导体，其中，所述Sn系材料部中添加的所述第1添加成分的元素和所述第2添加成分的元素分别为10wt％以下。
4.一种配线用导体，其特征在于，对于至少在部分金属导体的表面上具有无Pb的Sn系材料部的配线用导体，在所述Sn系材料部的上层或者所述金属导体的上层上，设置由从Sb、Bi、Cd、In、Ag、Au、Ni、Ti、Zr、Hf中选择的至少一种元素构成的第1添加成分的层，和由从Ge、Zn、P、K、Cr、Mn、Na、V、Si、Al、Li、Mg、Ca中选择的至少一种元素构成的第2添加成分的层，并进行回流处理。
5.根据权利要求4所述的配线用导体，其中，在所述Sn系材料部的上层或者所述金属导体的上层上设置的所述第1添加成分的层和所述第2添加成分的层的量为，  Sn系材料部的10wt％以下。
6.根据权利要求2～5任一项所述的配线用导体，其中，其为在由Cu系材料构成的芯材的周围设置了所述Sn系材料部的披覆层的配线材料。
7.根据权利要求2～5任一项所述的配线用导体，其中，所述Sn系材料部是软钎料或者硬钎料。
8.一种终端连接部，其特征在于，在连接配线材料的导体和连接器部件的连接销时，所述导体或者所述连接销中至少一方由权利要求2～7的任一项所述的配线用导体构成。
9.一种终端连接部，其特征在于，配线材料的导体之间相互连接时，所述导体中至少一方由权利要求2～7的任一项所述的配线用导体构成。
10.一种无Pb软钎焊合金，其特征在于，含有0.1～5wt％的Ag，含有0.1～5wt％的Cu，含有10wt％以下的从Sb、Bi、Cd、In、Ag、Au、Ni、Ti、Zr、Hf中选择的至少一种元素作为第1添加成分以及含有从Ce、Zn、P、K、Cr、Mn、Na、V、Si、Al、Li、Mg、Ca中选择的至少一种元素作为第2添加成分，其余部分为Sn。
CN2007101091811A 2006-06-26 2007-06-14 终端连接部 Expired - Fee Related CN101096730B (zh)

Applications Claiming Priority (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2006175279 2006-06-26
JP2006-175279 2006-06-26
JP2006175279 2006-06-26
JP2007045927 2007-02-26
JP2007045927A JP5376553B2 (ja) 2006-06-26 2007-02-26 配線用導体及び端末接続部
JP2007-045927 2007-02-26

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN101096730A true CN101096730A (zh) 2008-01-02
CN101096730B CN101096730B (zh) 2013-10-09

Family

ID=38872536

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN2007101091811A Expired - Fee Related CN101096730B (zh) 2006-06-26 2007-06-14 终端连接部

Country Status (3)

Country Link
US (1) US20070295528A1 (zh)
JP (1) JP5376553B2 (zh)
CN (1) CN101096730B (zh)

Cited By (36)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101412159A (zh) * 2008-11-24 2009-04-22 天津市宏远电子有限公司 热浸镀锡铜线用无铅焊料合金
CN101789453A (zh) * 2010-03-03 2010-07-28 昆明三利特科技有限责任公司 太阳能光伏电池导电无铅涂锡合金铜带
CN101988165A (zh) * 2009-07-31 2011-03-23 中国科学院金属研究所 一种抗高温氧化的无铅搪锡合金
CN102011025A (zh) * 2010-10-11 2011-04-13 宁波市鄞州品达电器焊料有限公司 一种耐超高温的无铅焊锡
CN102082001A (zh) * 2009-11-30 2011-06-01 住友电气工业株式会社 扁平电缆及其制造方法
CN102197477A (zh) * 2008-09-16 2011-09-21 艾格瑞系统有限公司 具有改进的机械性能的无Pb焊料凸点
CN101760665B (zh) * 2009-04-17 2012-01-04 南安市三晶阳光电力有限公司 一种具有韧性和高硬度的硅锡复合材料及其制造方法
CN101534603B (zh) * 2008-03-13 2012-05-09 日立电线株式会社 挠性基板用导体及其制造方法以及挠性基板
CN102690975A (zh) * 2012-06-11 2012-09-26 东莞市闻誉实业有限公司 一种三元锡-锌合金及其电镀方法
CN102787256A (zh) * 2012-08-28 2012-11-21 苏州金仓合金新材料有限公司 一种用于焊接的环保锡锌锰合金棒及其制备方法
CN103042315A (zh) * 2013-01-22 2013-04-17 马莒生 耐热耐湿低熔点无铅焊料合金
CN103906598A (zh) * 2011-08-02 2014-07-02 阿尔法金属公司 高冲击韧性的焊料合金
CN104008787A (zh) * 2014-06-03 2014-08-27 江西理工大学 一种耐高温镀锡铜线
US8907226B2 (en) 2008-03-11 2014-12-09 Hitachi Metals, Ltd. Conductor for flexible substrate and fabrication method of same, and flexible substrate using same
CN104851496A (zh) * 2015-05-08 2015-08-19 芜湖航天特种电缆厂 高强度超柔镀锡铜箔丝防电磁波编织套
CN104851499A (zh) * 2015-05-08 2015-08-19 芜湖航天特种电缆厂 镀锡铜箔丝防电磁波编织套
CN105463247A (zh) * 2015-12-03 2016-04-06 江阴恩特莱特镀膜科技有限公司 一种绑定靶材用合金及其制备方法和应用
CN106191523A (zh) * 2016-08-31 2016-12-07 高兴贵 一种锡金属材料及使用其的首饰模具制版工艺
CN106475704A (zh) * 2016-11-30 2017-03-08 安徽华众焊业有限公司 用于钎焊连接ptc陶瓷与铝合金的自钎钎料及其制备方法
CN106607650A (zh) * 2015-10-23 2017-05-03 东莞市天铖锡业有限公司 一种稀土铈焊料合金焊锡膏
CN106794557A (zh) * 2015-05-26 2017-05-31 千住金属工业株式会社 软钎料合金、焊料球、芯片状软钎料、焊膏及钎焊接头
CN106808110A (zh) * 2015-11-30 2017-06-09 千住金属工业株式会社 软钎料合金
TWI587964B (zh) * 2012-10-09 2017-06-21 阿爾發裝配解決方案公司 無鉛、無銻焊接合金、彼之用途、包含彼之焊接點，以及形成焊接點之方法
CN107614186A (zh) * 2015-05-20 2018-01-19 日本电气株式会社 焊料合金
CN107614187A (zh) * 2015-05-20 2018-01-19 日本电气株式会社 焊料合金
CN107617831A (zh) * 2017-10-17 2018-01-23 无锡日月合金材料有限公司 一种陶瓷与金属封接用抗氧化低银钎料
CN107838575A (zh) * 2017-10-17 2018-03-27 无锡日月合金材料有限公司 一种陶瓷与金属封接用低银含量银钎料
CN108004429A (zh) * 2017-11-29 2018-05-08 广西厚思品牌策划顾问有限公司 一种低熔点无铅焊料合金及其制备方法
CN109628870A (zh) * 2019-01-22 2019-04-16 陶乐敏 一种环保型无铅合金材料及其加工工艺
CN109794703A (zh) * 2019-01-25 2019-05-24 汕尾市索思电子封装材料有限公司 Au-Ga钎料
CN109848606A (zh) * 2018-12-17 2019-06-07 中南大学 一种高界面结合强度的Sn-Ag-Cu无铅焊料及其制备方法
CN110117737A (zh) * 2019-06-10 2019-08-13 深圳市启晟新材科技有限公司 一种潜艇发动机底座减振用液态金属材料及其加工工艺
CN111250894A (zh) * 2020-04-07 2020-06-09 上海锡喜材料科技有限公司 一种关于ic功率器件用无铅无药芯软焊丝产品的配方
CN111440965A (zh) * 2020-04-15 2020-07-24 深圳市兴鸿泰锡业有限公司 一种抗氧化合金线及其制备工艺
CN111590234A (zh) * 2020-06-11 2020-08-28 中山翰华锡业有限公司 一种应用于自动焊接的高熔点环保超细焊锡丝及其制备方法
CN112338387A (zh) * 2015-09-17 2021-02-09 富士电机株式会社 半导体装置用软钎焊材料

Families Citing this family (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4904953B2 (ja) * 2006-04-06 2012-03-28 日立電線株式会社 配線用導体及びその製造方法並びに端末接続部並びにＰｂフリーはんだ合金
JP2008021501A (ja) * 2006-07-12 2008-01-31 Hitachi Cable Ltd 配線用電気部品及び端末接続部並びに配線用電気部品の製造方法
TWI443232B (zh) * 2007-06-29 2014-07-01 Furukawa Electric Co Ltd A metal material, a method for manufacturing the same, and an electrical and electronic part using the same
JPWO2009122912A1 (ja) * 2008-03-31 2011-08-04 三洋電機株式会社 はんだ構造体、はんだ構造体の形成方法、はんだ構造体を含む半導体モジュール、および携帯機器
JP5379403B2 (ja) * 2008-05-12 2013-12-25 株式会社弘輝 鉛フリーＳｎ−Ｎｉ系半田合金及び半田合金粉末
JP5181876B2 (ja) * 2008-06-30 2013-04-10 住友電気工業株式会社 フラットケーブルの製造方法
CN102132638B (zh) * 2008-08-21 2014-01-29 艾格瑞系统有限公司 在sn膜中晶须的减少
KR101285958B1 (ko) * 2008-10-24 2013-07-12 미쓰비시덴키 가부시키가이샤 땜납 합금 및 반도체 장치
JP5584427B2 (ja) * 2009-04-14 2014-09-03 新日鉄住金マテリアルズ株式会社 無鉛ハンダ合金、ハンダボール及びハンダバンプを有する電子部材
JP2011147982A (ja) * 2010-01-22 2011-08-04 Nippon Dempa Kogyo Co Ltd はんだ、電子部品、及び電子部品の製造方法
JP4787384B1 (ja) 2010-10-29 2011-10-05 ハリマ化成株式会社 低銀はんだ合金およびはんだペースト組成物
JP5724411B2 (ja) * 2011-01-31 2015-05-27 富士通株式会社 はんだ、はんだ付け方法及び半導体装置
CN104023902B (zh) * 2011-12-27 2016-05-04 千住金属工业株式会社 Sn-Cu系无铅焊料合金
JP5903625B2 (ja) * 2012-03-16 2016-04-13 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 はんだ材料
CN103572092B (zh) * 2013-04-19 2015-10-14 苏州凯丰电子电器有限公司 一种复合锡铝合金金属的配方
US10260159B2 (en) * 2013-07-05 2019-04-16 The Boeing Company Methods and apparatuses for mitigating tin whisker growth on tin and tin-plated surfaces by doping tin with gold
CN103436732B (zh) * 2013-08-15 2016-05-04 江西理工大学 一种高效锡液抗氧化添加剂
US20170348805A1 (en) 2014-12-15 2017-12-07 Senju Metal Industry Co., Ltd. Solder alloy for plating and electronic component
JP6788337B2 (ja) * 2015-10-16 2020-11-25 Ａｇｃ株式会社 接合用組成物
JP6504401B2 (ja) * 2015-11-05 2019-04-24 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 はんだ合金およびそれを用いた実装構造体
JP2017157582A (ja) * 2016-02-29 2017-09-07 株式会社東芝 半導体装置
CN109154036B (zh) 2016-05-06 2021-09-14 爱法组装材料公司 高可靠度的无铅焊料合金
US20180102464A1 (en) * 2016-10-06 2018-04-12 Alpha Assembly Solutions Inc. Advanced Solder Alloys For Electronic Interconnects
JP6471765B2 (ja) * 2017-04-17 2019-02-20 三菱電機株式会社 太陽電池モジュール
TWI725664B (zh) 2018-12-14 2021-04-21 日商千住金屬工業股份有限公司 焊料合金、焊料膏、焊料預形體及焊料接頭

Family Cites Families (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4667871A (en) * 1985-07-24 1987-05-26 Gte Products Corporation Tin based ductile brazing alloys
JP2802530B2 (ja) * 1990-02-06 1998-09-24 株式会社日立製作所 電子装置
JP3107483B2 (ja) * 1993-07-13 2000-11-06 日本アルミット株式会社 無ないし低含鉛半田合金
JP3108302B2 (ja) * 1994-12-28 2000-11-13 古河電気工業株式会社 電気接触特性および半田付性に優れたＳｎ合金めっき材の製造方法
US5537742A (en) * 1995-05-22 1996-07-23 General Signal Corporation Method for joining multiple conductor cables
CN1087994C (zh) * 1995-09-29 2002-07-24 松下电器产业株式会社 无铅钎料合金
JPH10144718A (ja) * 1996-11-14 1998-05-29 Fukuda Metal Foil & Powder Co Ltd スズ基鉛フリーハンダワイヤー及びボール
US5833921A (en) * 1997-09-26 1998-11-10 Ford Motor Company Lead-free, low-temperature solder compositions
KR20010072364A (ko) * 1999-06-11 2001-07-31 이즈하라 요조 무연 땜납
JP2001129682A (ja) * 1999-10-29 2001-05-15 Topy Ind Ltd 熱サイクル特性に優れたＳｎ基Ｐｂフリー半田
JP4039653B2 (ja) * 1999-11-01 2008-01-30 千住金属工業株式会社 リードメッキ用Ｓｎ合金
JP2002263880A (ja) * 2001-03-06 2002-09-17 Hitachi Cable Ltd Ｐｂフリー半田、およびこれを使用した接続用リード線ならびに電気部品
CN1295053C (zh) * 2001-08-30 2007-01-17 胜美达股份有限公司 无铅软钎焊合金及使用它的电子部件
JP2003211283A (ja) * 2002-01-22 2003-07-29 Japan Science & Technology Corp 鉛フリーはんだ材料
US7029542B2 (en) * 2002-07-09 2006-04-18 Senju Metal Industry Co., Ltd. Lead-free solder alloy
JP4144415B2 (ja) * 2003-01-07 2008-09-03 千住金属工業株式会社 鉛フリーはんだ
JP2004225070A (ja) * 2003-01-20 2004-08-12 Furukawa Electric Co Ltd:The Ｓｎ合金めっき材料およびそれを用いた嵌合型接続端子
JP4367149B2 (ja) * 2004-01-30 2009-11-18 日立電線株式会社 フラットケーブル用導体及びその製造方法並びにフラットケーブル
JP2005353542A (ja) * 2004-06-14 2005-12-22 Furukawa Electric Co Ltd:The 導電性被覆材料とその製造方法、この被覆材料を用いたコネクタ端子または接点
KR20050030237A (ko) * 2004-11-13 2005-03-29 삼성전자주식회사 무연 솔더 합금
JP2006156800A (ja) * 2004-11-30 2006-06-15 Fujikura Ltd フレキシブルプリント配線板またはフレキシブルフラットケーブル
JP4904953B2 (ja) * 2006-04-06 2012-03-28 日立電線株式会社 配線用導体及びその製造方法並びに端末接続部並びにＰｂフリーはんだ合金

Cited By (45)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8907226B2 (en) 2008-03-11 2014-12-09 Hitachi Metals, Ltd. Conductor for flexible substrate and fabrication method of same, and flexible substrate using same
CN101534603B (zh) * 2008-03-13 2012-05-09 日立电线株式会社 挠性基板用导体及其制造方法以及挠性基板
CN102197477A (zh) * 2008-09-16 2011-09-21 艾格瑞系统有限公司 具有改进的机械性能的无Pb焊料凸点
CN101412159A (zh) * 2008-11-24 2009-04-22 天津市宏远电子有限公司 热浸镀锡铜线用无铅焊料合金
CN101760665B (zh) * 2009-04-17 2012-01-04 南安市三晶阳光电力有限公司 一种具有韧性和高硬度的硅锡复合材料及其制造方法
CN101988165B (zh) * 2009-07-31 2014-06-18 中国科学院金属研究所 一种抗高温氧化的无铅搪锡合金
CN101988165A (zh) * 2009-07-31 2011-03-23 中国科学院金属研究所 一种抗高温氧化的无铅搪锡合金
CN102082001A (zh) * 2009-11-30 2011-06-01 住友电气工业株式会社 扁平电缆及其制造方法
CN102082001B (zh) * 2009-11-30 2013-12-18 住友电气工业株式会社 扁平电缆及其制造方法
CN101789453A (zh) * 2010-03-03 2010-07-28 昆明三利特科技有限责任公司 太阳能光伏电池导电无铅涂锡合金铜带
CN102011025A (zh) * 2010-10-11 2011-04-13 宁波市鄞州品达电器焊料有限公司 一种耐超高温的无铅焊锡
CN103906598A (zh) * 2011-08-02 2014-07-02 阿尔法金属公司 高冲击韧性的焊料合金
CN102690975B (zh) * 2012-06-11 2014-12-03 东莞市闻誉实业有限公司 一种三元锡-锌合金及其电镀方法
CN102690975A (zh) * 2012-06-11 2012-09-26 东莞市闻誉实业有限公司 一种三元锡-锌合金及其电镀方法
CN102787256A (zh) * 2012-08-28 2012-11-21 苏州金仓合金新材料有限公司 一种用于焊接的环保锡锌锰合金棒及其制备方法
TWI655052B (zh) * 2012-10-09 2019-04-01 美商‧阿爾發裝配解決方案公司 無鉛、無銻焊接合金、彼之用途、包含彼之焊接點，以及形成焊接點之方法
US11090768B2 (en) 2012-10-09 2021-08-17 Alpha Assembly Solutions Inc. Lead-free and antimony-free tin solder reliable at high temperatures
TWI587964B (zh) * 2012-10-09 2017-06-21 阿爾發裝配解決方案公司 無鉛、無銻焊接合金、彼之用途、包含彼之焊接點，以及形成焊接點之方法
CN103042315A (zh) * 2013-01-22 2013-04-17 马莒生 耐热耐湿低熔点无铅焊料合金
US10828731B2 (en) 2013-01-22 2020-11-10 Jusheng MA Pb-free solder alloy
CN104008787A (zh) * 2014-06-03 2014-08-27 江西理工大学 一种耐高温镀锡铜线
CN104851499A (zh) * 2015-05-08 2015-08-19 芜湖航天特种电缆厂 镀锡铜箔丝防电磁波编织套
CN104851496A (zh) * 2015-05-08 2015-08-19 芜湖航天特种电缆厂 高强度超柔镀锡铜箔丝防电磁波编织套
CN107614186A (zh) * 2015-05-20 2018-01-19 日本电气株式会社 焊料合金
CN107614187A (zh) * 2015-05-20 2018-01-19 日本电气株式会社 焊料合金
US11465244B2 (en) 2015-05-26 2022-10-11 Senju Metal Industry Co., Ltd. Solder alloy, solder ball, chip solder, solder paste and solder joint
CN106794557A (zh) * 2015-05-26 2017-05-31 千住金属工业株式会社 软钎料合金、焊料球、芯片状软钎料、焊膏及钎焊接头
CN112338387A (zh) * 2015-09-17 2021-02-09 富士电机株式会社 半导体装置用软钎焊材料
CN106607650A (zh) * 2015-10-23 2017-05-03 东莞市天铖锡业有限公司 一种稀土铈焊料合金焊锡膏
CN106808110B (zh) * 2015-11-30 2019-04-16 千住金属工业株式会社 软钎料合金
CN106808110A (zh) * 2015-11-30 2017-06-09 千住金属工业株式会社 软钎料合金
CN105463247A (zh) * 2015-12-03 2016-04-06 江阴恩特莱特镀膜科技有限公司 一种绑定靶材用合金及其制备方法和应用
CN106191523A (zh) * 2016-08-31 2016-12-07 高兴贵 一种锡金属材料及使用其的首饰模具制版工艺
CN106475704A (zh) * 2016-11-30 2017-03-08 安徽华众焊业有限公司 用于钎焊连接ptc陶瓷与铝合金的自钎钎料及其制备方法
CN107838575A (zh) * 2017-10-17 2018-03-27 无锡日月合金材料有限公司 一种陶瓷与金属封接用低银含量银钎料
CN107617831A (zh) * 2017-10-17 2018-01-23 无锡日月合金材料有限公司 一种陶瓷与金属封接用抗氧化低银钎料
CN108004429A (zh) * 2017-11-29 2018-05-08 广西厚思品牌策划顾问有限公司 一种低熔点无铅焊料合金及其制备方法
CN109848606A (zh) * 2018-12-17 2019-06-07 中南大学 一种高界面结合强度的Sn-Ag-Cu无铅焊料及其制备方法
CN109628870A (zh) * 2019-01-22 2019-04-16 陶乐敏 一种环保型无铅合金材料及其加工工艺
CN109794703A (zh) * 2019-01-25 2019-05-24 汕尾市索思电子封装材料有限公司 Au-Ga钎料
CN110117737A (zh) * 2019-06-10 2019-08-13 深圳市启晟新材科技有限公司 一种潜艇发动机底座减振用液态金属材料及其加工工艺
CN111250894A (zh) * 2020-04-07 2020-06-09 上海锡喜材料科技有限公司 一种关于ic功率器件用无铅无药芯软焊丝产品的配方
CN111440965A (zh) * 2020-04-15 2020-07-24 深圳市兴鸿泰锡业有限公司 一种抗氧化合金线及其制备工艺
CN111440965B (zh) * 2020-04-15 2022-01-14 深圳市兴鸿泰锡业有限公司 一种抗氧化合金线及其制备工艺
CN111590234A (zh) * 2020-06-11 2020-08-28 中山翰华锡业有限公司 一种应用于自动焊接的高熔点环保超细焊锡丝及其制备方法

Also Published As

Publication number Publication date
JP5376553B2 (ja) 2013-12-25
JP2008031550A (ja) 2008-02-14
CN101096730B (zh) 2013-10-09
US20070295528A1 (en) 2007-12-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN101096730B (zh) 终端连接部
JP4904953B2 (ja) 配線用導体及びその製造方法並びに端末接続部並びにＰｂフリーはんだ合金
CN101051535B (zh) 配线用导体及其制造方法、终端连接部、无铅焊锡合金
EP0855242B1 (en) Lead-free solder
JP3296289B2 (ja) はんだ合金
CN1390672A (zh) 锡锌基含稀土元素的无铅钎料合金
CN101780607B (zh) 一种用于电子封装组装钎焊的无铅钎料及其制备方法
CN1195592A (zh) 焊料用无铅合金
CN1498066A (zh) 软钎焊结构及电子部件的软钎焊方法
KR20070005682A (ko) 솔더 및 그것을 사용한 실장품
JP3353662B2 (ja) はんだ合金
CN111230355B (zh) 无铅焊料合金
CN103978323A (zh) 一种无铅焊料
JP2000144482A (ja) 金属材料
JPH1177367A (ja) 半田組成物
CN1555960A (zh) 锡锌铜无铅钎料合金
JP2002185130A (ja) 電子回路装置及び電子部品
JP2000169996A (ja) 金属材料
JP2000169997A (ja) 金属材料
JP2012124025A (ja) めっき被覆銅線およびその製造方法
JPH08192291A (ja) クリームはんだ
TWI404588B (zh) 一種控制銲點結構中錫晶體結構取向的方法
JP4796522B2 (ja) 配線用導体およびその製造方法
CN100366376C (zh) 含铈的Sn-Cu-Ni钎料
JP7420363B2 (ja) はんだ継手

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20131009

Termination date: 20190614