CN101034526A - 等离子显示装置 - Google Patents

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Abstract

一种等离子显示装置，在其驱动电路中，对于提供发光电流的驱动元件设置内置有反向导通二极管的IGBT和/或在回收电能并充电的驱动元件设置内置有具有反向截止功能的二极管的IGBT。

Description

等离子显示装置
技术领域
本发明涉及等离子显示装置的省电化和低成本化，尤其适合于可以降低驱动电路的损失和削减部件数量的等离子显示装置。
背景技术
近年来，与现有的阴极射线管(布劳恩管)相比，等离子显示装置因其画面较大并且形状较薄而得以迅速普及。但由于画面大而造成了消耗电流大、成本也高的问题。图8为等离子显示装置的像素结构及其动作的示意图。前面玻璃板10a和后面玻璃板10b由肋板10c间隔并封入了Xe等发光气体9。在前面玻璃板10a上形成了电极Y 8a和电极X 8b等，对电极Y 8a和电极X 8b施加电压，在与其相接触的前面玻璃板10a的相对表面上产生电荷，当该电荷的电位差超过放电电压时就会发光。即，对于电路而言，开关8c导通成放电状态。为了将其实现，采用了开关1x、2x、1y、2y作为外部电路。首先1x和2y导通，然后1y和2x导通，彼此交替反复导通。通过每次导通时发光，增加反复交互的次数可以增加等离子显示装置的亮度。
图9表示发光时的XY间的面板电压和面板电流的时间变化。若在期间a施加面板电压，则首先流过的是对前面玻璃板和XY布线等的电容进行充电的电流。面板电压如果比放电开始电压高，则在期间b流过急剧的发光电流。此时，因X和Y布线的电感，面板电压降低ΔV。接下来，解除面板电压，则在期间c中由前面玻璃板以及XY布线等电容存储的电荷放电。该期间短至约3μs，以10KHz-数百KHz的高速反复进行。此时，流过开关1x、2x、1y、2y的充电电流、发光电流、放电电流引起的各开关的损失，成为等离子显示装置的电能消耗增加的原因。
图10为专利文献1(特开2000-330514号公报)中公开的等离子显示装置的驱动电路的示意图。相对于图8的电路，新增加了回收充电电流和放电电流的电能回收开关12a和12b，其特征为，这些开关元件使用IGBT(绝缘栅双极晶体管)。通过使用IGBT，与现有的功率MOSFET相比，元件内产生传导率调制，电阻变小，可以降低电能损失。在上述专利文献1的装置中，由于一般的IGBT中未内置二极管，输出元件11a、11b以及电能回收开关12a、12b要另外设置二极管。因此，其部件数多，电路以及组装加工复杂，成本较高。
图11并非等离子显示装置而是专利文献2(特开平9-199712号公报)中公开的用于机动车点火装置的内置有二极管的IGBT。当因点火线圈引起的电压振荡而向点火线圈施加反向电压时，通过在IGBT芯片的周围设置的二极管来回避反向电压。二极管形成于p层108和n层110之间，因其pn间流过电流产生的正向电压VF作得比p层120和n层121间的反向耐压小。但是，由于点火器的开关因与每分钟几千转的引擎转数相对应而比较慢，其内置的二极管也动作较慢，所以不能用于等离子显示装置。即，开关时的损失较大，不适于等离子显示装置的高速动作。
特开2000-307116号公报公开了一种沟槽绝缘栅型IGBT的例子。
发明内容
本发明之目的在于解决上述现有技术的问题点，尤其是，通过使用内置有二极管的IGBT实现等离子显示装置的省电化、低成本化，尤其适合于可以降低驱动电路的损失和削减部件数量的等离子显示装置。
用于解决上述问题的本发明的等离子显示装置的特征在于至少具有第1驱动元件和第2驱动元件的任一个，第1驱动元件包括具有一对主表面且可由栅极控制从一个主表面的第1主电极向另一主表面的第2主电极流过的电流的第1 IGBT和具有集成于该第1 IGBT中并可流过与上述电流相反方向的电流的第1二极管，对发光电流进行控制；第2驱动元件包括具有一对主表面、且可由栅极控制从一个主表面的第3主电极向另一主表面的第4主电极流过的电流的第2 IGBT和具有集成于该第2 IGBT中可阻止与上述电流相反方向的电流流过的第2二极管，控制电能回收和充电电流。
本发明的其它的等离子显示装置的特征为，在上述等离子显示装置中，对集成了上述第1二极管的上述第1 IGBT和集成了上述第2二极管的第2 IGBT的至少一方进行寿命控制。
本发明的其它的等离子显示装置的特征为，在具有上述第1IGBT和第2 IGBT的上述等离子显示装置中，上述第1驱动元件的上述第1二极管设置于上述第1 IGBT的终止区域，上述第1二极管的阳极电连接至上述第2主电极，上述第1二极管的阴极电连接至上述第1主电极。
本发明的其它的等离子显示装置的特征为，在上述等离子显示装置中，上述第2主电极、上述第1二极管的阳极和上述第1二极管的阴极的任一个形成于上述另一主表面，上述第1二极管的阴极通过键合引线电连接至上述第1主电极。
本发明的其它的等离子显示装置的特征为，在上述等离子显示装置中具有：低电阻地与上述第1 IGBT的第1主电极相接触的一种导电类型的第1半导体层；与该第1半导体层相接触的另一种导电类型的第2半导体层；与该第2半导体层相接触且比该第2半导体层的杂质浓度低的另一种导电类型的第3半导体层；低电阻地与上述第1IGBT的第2主电极相接触并在上述第3半导体层上延伸的、且比上述第3半导体层的杂质浓度高的一种导电类型的第4半导体层；在该第4半导体层内延伸并低电阻地与第2主电极相接触的、比上述第4半导体层的杂质浓度高的另一导电类型的第5半导体层；和与上述第3半导体层、上述第4半导体层以及上述第5半导体层相接触的绝缘栅。
本发明的其他的等离子显示装置的特征为，在上述等离子显示装置中，上述第2二极管由低电阻地与上述第2 IGBT的第3主电极相接触的一种导电类型的第6半导体层和与该第6半导体层相接触的另一导电类型的第7半导体层形成，由该第6半导体层和第7半导体层形成的pn二极管的耐压与上述第2 IGBT的耐压相同。
本发明的其它的等离子显示装置的特征为，在上述等离子显示装置中，上述第6半导体层与从上述第2 IGBT的另一主表面伸出的一种导电类型的第8半导体层相接触，在该第8半导体层和低电阻地与上述另一主表面的第4主电极相接触的一种导电类型的第9半导体层之间具有上述第7半导体层。
本发明的其它的等离子显示装置的特征为，在上述等离子显示装置中具有位于上述第8半导体层和上述第9半导体层之间、从另一主表面延伸向上述第7半导体层、比上述第7半导体层浓度高的另一导电类型的第10半导体层。
本发明的其它的等离子显示装置的特征为，在上述等离子显示装置中，上述第1 IGBT和上述第2 IGBT的至少一方是由FZ的硅晶体制成。
本发明的其它的等离子显示装置的特征为，在上述等离子显示装置中，上述第1 IGBT和上述第2 IGBT的至少一方的绝缘栅具有沟槽栅结构。
本发明的其它的等离子显示装置的特征为，在上述等离子显示装置中，上述第1 IGBT比上述第2 IGBT的耐压高。
本发明的其它的等离子显示装置的特征为，在上述等离子显示装置中，上述第1 IGBT和上述第2 IGBT的至少一方或者其沟槽栅间的电位为悬浮、或者具有通过电阻与第2主电极或第4主电极连接的一种导电类型的第11半导体层。
本发明的其它的等离子显示装置的特征为，在上述等离子显示装置中，具有控制发光电流的串联连接的上臂IGBT和下臂IGBT，至少上臂的IGBT具有第1驱动元件，上臂的第1驱动元件的二极管电流或电流容量比与下臂IGBT并联设置的二极管电流或电流容量小。
本发明的其它的等离子显示装置的特征为，在上述等离子显示装置中，当第2驱动元件的第6半导体层和第7半导体层被反向偏置而向反向截止状态转变时，上述绝缘栅维持在开启状态。
根据本发明，通过在提供发光电流的驱动元件中安装内置有反向导通二极管的IGBT、在回收电能并充电的驱动元件中安装内置有具有反向截止功能的二极管的IGBT，可以削减等离子显示装置的部件数量，并可以削减组装加工成本，通过安装适合于等离子显示装置的二极管并进行控制，可以降低损失，削减电能消耗。
附图说明
图1为本发明的等离子显示装置的实施例的示意图；
图2为本发明的内置有反向导通二极管的IGBT的实施例的示意图；
图3为本发明的内置有反向导通二极管的IGBT的其他实施例的示意图；
图4为本发明的内置有反向导通二极管的IGBT的又一实施例的示意图；；
图5为本发明的内置有反向截止二极管的IGBT的实施例的示意图；
图6为本发明的内置有反向截止二极管的IGBT的其他实施例的示意图；
图7为本发明的内置有反向截止二极管的IGBT的又一实施例的示意图；
图8为AC型PDP的单元概要剖面图和其驱动的示意图；
图9为AC型PDP的驱动波形的示意图；
图10为现有的等离子显示装置的驱动电路的示意图；
图11为内置有反向导通二极管的IGBT的现有例的示意图。
具体实施方式
以下用实施例的图对本发明的内容进行说明。图1为本发明的等离子显示装置的一个实施例的示意图。符号8为等离子面板的等价电路示意图，内置有反向导通二极管的IGBT 1、2(以下简称反向导通IGBT)与电源7串联成图腾柱电路结构。2个反向导通IGBT的连接点(中点50)50连接至等价电路8，主要在发光时供给电能。即，如果反向IGBT导通，则向等价电路8施加正电位并发光。其后，通过使内置有反向截止二极管4b的IGBT 4导通，利用线圈5和电容8a、8b的共振电流将等离子面板的电容8a、8b中积蓄的电能回收至电容6。当反向导通IGBT的中点50通过共振而下降至接近地的低电位时，反向导通IGBT导通，将中点50固定于地电位。此时，通过将反向截止IGBT 4的栅电压保持在开启状态直至反向导通IGBT充分导通，可以将反向截止IGBT 4中的电荷高速释放，从而可以降低开关损失。接着，当向等离子面板8再度施加电压时，首先使反向截止IGBT 3导通，利用线圈5将存储在电容器6中的电能向等离子面板8供给。当上述中点50的电位通过共振上升至接近电源7的电位时，反向导通IGBT 1导通，等离子面板8的电位升高至电源7的电位，使之再度发光。当反向导通IGBT 1导通时，同样地通过将反向截止IGBT 3的栅保持开启状态直至反向导通IGBT 1充分导通可以将反向截止IGBT 3中的电荷高速释放，从而降低开关损失。在此，通过以上的动作原理，将包括电源7和反向导通IGBT 1、2的电路称为发光放电电路401，将包括线圈5、电容6、反向截止IGBT 3、4的电路称为电能回收电路402。发光放电电路401和电能回收电路402也设置于等离子面板8的相反一侧，并与中点51相连接，其动作相同。
另外，在下文中把在图1的等离子显示装置中连接在与电源7相连接的高电位一侧和与等离子面板相连接的中点50之间的电路部分称为上臂，把与连接在与接地电位相连接的低电位一侧和与等离子面板相连接的中点50之间的电路部分称为下臂。
在此，反向导通IGBT 1的二极管1b，在电容6和电容8a、8b以及线圈5共振时，保护中点50的电压不至达到电源7以上。中点50若成过电压，就会向等离子面板8施加过电压，在最坏情况下面板会被破坏。但是，流过该二极管1b的电流小到为流过IGBT 1a的电流的1/10以下，用小电流容量的二极管即可。因此，通过集成到IGBT1a的芯片外围，可充分发挥作为等离子面板的二极管1b的作用，这在后面有详细说明。但是，由于等离子面板以数10KHz～数100KHz的高速进行开关动作，即使二极管1b的电流容量很小，也必须是高速的，优选利用电子束照射等降低少数载流子的寿命。此时，其寿命最大也必须在1μs以下。
另一方面，反向导通IGBT 2的二极管2b在连接至中点51一侧的反向截止IGBT 4导通时流过电流。这样，二极管2b中流过与反向截止IGBT 4同等的数10A的大电流。因此，即使反向导通IGBT 1、2是相同的，它们也是所使用二极管的电流容量完全不同的反向导通IGBT。因此，当将二极管2b设置在IGBT芯片的外围时，优选在芯片的外围整体地形成二极管，这在后面有详细说明。此外，由于等离子面板以数10KHz～数100KHz的高速进行开关，在反向导通IGBT 1导通之前，有必要降低反向导通IGBT 2的二极管2b的少数载流子的寿命，以削减反向导通IGBT 2的二极管2b内部的电荷。如果二极管2b残留有的寿命长的电荷，当反向导通IGBT 1导通时，来自电源7的电流贯通反向导通IGBT 1、2而导致流过短路电流，产生极大的损失。
图10中所示的电能回收开关12a、12b与二极管简单地串联连接至IGBT。因此，当电流流过电能回收开关12a、12b时，产生双重的电位，即正向偏置二极管的pn结的约1V的扩散电位和正向偏置位于IGBT的集电极侧的pn结的约1V的扩散电位，产生很大的电能损失，出现电能回收效率低下的问题。本发明的反向截止IGBT 3、4共用了二极管3b、4b的pn结和IGBT 3a、4a的pn结。因此，现有技术的二重pn结变成一个，消除了约1V的电压降，显著提高了电能回收效率。现有的75％的电能回收效率变成85％。当电能回收效率提高时，中点50、51的电位能够接近电源7的电位和地电位，从而使施加到二极管3b、4b的反向偏置变小，不易产生噪声。为了进一步降低噪声，优选也通过电子束照射等手段降低反向截止IGBT 3、4的少数载流子的寿命。通过将寿命降至1μs以下可以进一步提高电能回收效率。
如上所述，通过在等离子显示装置中使用反向导通IGBT 1、2以及反向截止IGBT 3、4，与现有的IGBT和二极管分别使用的情形相比，部件数减半，组装加工也更为简单。另外，通过将二极管内置，可以降低损失，提高电能回收效率。另外，由于不需要二极管的专用供电，布线变短，因布线的电感而产生的噪声也变小，可以实现容易操作的驱动电路。再者，通过缩短反向导通IGBT 1、2以及反向截止IGBT 3、4的寿命(lifetime)，可以高频驱动，提高等离子显示装置的亮度，色阶也可以变得更加细致。
图2为适用于图1的反向导通IGBT 1、2的实施方式示意图。反向导通IGBT 200包括在与p层210相接触的n-层211上扩散的p层213、在p层213内形成的n+层214，集电极252低电阻地与p层210接触。p层210可以通过在以FZ法形成的n-衬底211上扩散p层210的方法形成，或者可以在p+衬底210上结晶生长n-层的外延层来形成。以与n+层214、p层213、n-层211相接触的方式，隔着绝缘栅220形成沟槽形状的栅电极254。在反向导通IGBT 200的外围，在终止区域(termination region)上形成抑制耗尽层的延伸的沟道阻挡层n+层230，该n+层230与阴极电极251低电阻地接触。在n+层230和其附近的p层213之间，形成包括p层215的场限制环FLR(Field LimitingRing)，确保反向导通IGBT 200的耐压。通过将阴极电极251和集电极252用电连接布线253低电阻地连接，可以在p层213和n+层230之间将反向导通的二极管内置在IGBT中。连接的方法有引线键合和焊接等方法。
在一般的IGBT中，除本实施方式中所示的沟槽型的栅结构外，还有在硅表面平坦地形成绝缘栅的平面栅结构，但研究结果表明，沟槽栅结构的IGBT的损失更低。
其理由为，由于等离子显示装置的电容负载上流过急剧的电流，因此优选饱和电流密度较大即相对于绝缘栅的单位面积较密集的IGBT。其结果是，优选沟槽型的绝缘栅220、254的间隔A较小，其间形成的p层变窄。另一方面，反向导通的二极管需要流过电流，因此最外围的p层213的宽度B需要变大，为了使二极管的动作导致的电荷运动不影响绝缘栅的下方，宽度B的大小至少要比A大。此外，宽度B的大小即使在所需的以上，二极管的正向电压也并不减小，故宽度B在n-层211的厚度的二倍以下就足够了。此外，n+层230的宽度C也和宽度B同样，需要比A宽，优选和宽度B同样的幅度。
为了使反向导通IGBT 200高速化，可以采用电子束照射反向导通IGBT 200整体，来缩短少数载流子的寿命。据此，不仅IGBT区域，二极管区域也同时得以高速化，可以简便地实现耐高频动作的反向导通IGBT 200。
图3中，其特征为在p层210和n-层211之间设置有n层216。通过设置n层216，可以使得n-层211比图1薄，可以将从n+层230注入的电子电流通过比n-层211的电阻低的n层216导向p层213，反向导通IGBT 201的二极管的正向电压得以减小，可以降低损失。n层216的杂质浓度比n-高2个数量级以上，因此通过电子束缩短寿命的效果明显，可以得到更加高速的反向导通IGBT 201，是更适于等离子显示装置的高亮度化、高色阶化的结构。在具有沟槽栅的IGBT区域，n-层211较薄，因此快速引起传导率调制，可以使发光电流低损失地流过，且n层216的寿命较短，可以高速截止。
图4为反向导通IGBT 202的其他实施方式。其特征为，在沟槽栅间交替设置悬浮的p层217。通过设置该悬浮p层217，可以进一步促进沟槽栅结构的IGBT的传导率调制，本发明者从其他的发明专利文献3(特开2000-307116号公报)中看出，本结构对作为电容负载的等离子显示装置亦有效，也可以将反向导通的二极管内置。此外，对于形成二极管的p层240，形成比p层213深的p层240。
为了降低pn二极管的正向电压，缩短具有FLR 215的p层240和n+层230间的距离是有效的。为此，可以看出，将p层240以及FLR 215的深度加深可以缓和电场，因而是有效的。此外通过加深p层240，使杂质浓度的倾斜变缓，使得空穴的注入降低，横向pn二极管柔和地恢复，从而可降低噪声。
图5为电能回收电路402的反向截止IGBT 3、4的一个实施方式示意图。反向截止IGBT 300包括与p+衬底218相接触地形成的p+层210、位于n-层211内并在芯片位外围延伸的p层219、与p层219低电阻接触的阳极电极256以及低电阻地与n+层230接触的阴极电极255等。在IGBT的区域内形成沟槽型栅绝缘膜220和栅电极254。p层213及p层219与n+层215之间形成反向连接的pn二极管，也可以根据必要的耐压形成包括p层的FLR 215。尽管在动作上不需阴极电极255和阳极电极256，但通过将发射极250、阴极电极255、阳极电极256隔着绝缘膜222延伸到n-层211上，可以容易地实现高耐压化。在该反向截止IGBT 300中，正向的耐压主要通过p层213和n-层211之间达成。另一方面，反向的耐压主要由p+层210及p层219与n-层211之间确保。其结果是，无需图10所示的电能回收开关的二极管，从电能回收电路402减少了一个二极管的正向电压，可以实现电能回收电路402的低损失化和高效率化。
在此，说明反向截止IGBT 300的制作方法。首先，在p+衬底218上形成具有相当于210层和211层合起来厚度的n-外延层。接着通过从阳极电极256一侧利用离子注入来导入并通过扩散形成p层219。此时，来自p+衬底210的p型杂质同时扩散，形成p层210并与p层219接触。进而形成沟槽栅结构220、254以及p层213、215以及n+层214，并形成各种电极252、250、255、256，从而完成。如在图1中曾经提到的，该反向截止IGBT 300也可以利用电子束照射等缩短少数载流子的寿命，可使等离子显示装置高亮度化，高色阶化。
相对于图1中所示反向导通IGBT 1、2一直施加与电源7的电压相当的电压，由于反向截止IGBT 3、4的线圈5和电容6保持电压，只对其施加了电源7约一半的电压。因此，反向截止IGBT 3、4的n-层的厚度优选比反向导通IGBT 1、2的n-层的厚度薄。
图6表示其他的反向截止IGBT的实施例。在反向截止IGBT 301中首先利用以FZ法形成的n-层211的硅晶体形成p层218。再形成沟槽栅结构220、254以及p层213、215、n+层214，形成电极250、255、256，在n-层211的硅晶体减薄至希望的厚度之后，形成p+层210，并形成集电极252。由此，可以不使用通过昂贵的外延而形成的n-层211地形成反向截止IGBT 301，可以降低等离子显示装置的成本。此外半导体层的总厚度减薄，热阻抗变小，具有冷却简便的优点。
图7为反向截止IGBT的其他的实施例。与图4同样，形成悬浮的p层217和深的p层215，与图4中所述相同，具有可以促进传导率调制、使反向截止IGBT 302低损失化的效果，以及可以通过短距离的终止区域形成高耐压从而可以使反向截止IGBT 302小型化、低成本化。
根据本发明，可以削减等离子显示装置的部件数，减少组装加工工序，降低等离子显示装置的驱动电路的损失，实现电流消耗小的低成本的等离子显示装置。

Claims (15)

1.一种等离子显示装置，其特征为，至少具有第1驱动元件和第2驱动元件中的任一个，
其中，上述第1驱动元件具有可由栅极控制从形成在衬底的一个主表面上的第1主电极流向形成在与上述一个主表面相对的另一主表面上的第2主电极的电流的第1IGBT(绝缘栅双极晶体管)、和集成在上述第1IGBT中、可流过与从上述第1主电极流向上述第2主电极的电流相反方向的电流的第1二极管，该第1驱动元件对发光电流进行控制，
上述第2驱动元件具有可由栅极控制从形成在与上述衬底不同的衬底的一个主表面上的第3主电极流向形成在与上述一个主表面相对的另一主表面上的第4主电极的电流的第2IGBT、和集成在该第2IGBT中、可阻止与从上述第3主电极流向上述第4主电极的电流相反方向的电流流过的第2二极管，该第2驱动元件对电能回收/充电电流进行控制。
2.如权利要求1记载的等离子显示装置，其特征为，
对集成了上述第1二极管的上述第1IGBT和集成了上述第2二极管的第2IGBT的至少一方进行寿命控制。
3.如权利要求1记载的等离子显示装置，其特征为，
上述第1二极管设置于形成有上述第1IGBT的衬底的终止区域，
上述第1二极管的阳极电连接至上述第2主电极，
上述第1二极管的阴极电连接至上述第1主电极。
4.如权利要求1记载的等离子显示装置，其特征为，
上述第2主电极、上述第1二极管的阳极和上述第1二极管的阴极中的任一个形成于上述另一主表面上，
上述第1二极管的阴极通过键合引线电连接至上述第1主电极。
5.如权利要求1中记载的等离子显示装置，其特征为具有：
低电阻地与上述第1IGBT的第1主电极相接触的、具有第1导电类型的第1半导体层；
与该第1半导体层相接触且具有与上述第1半导体层相反导电类型的第2导电类型的第2半导体层；
与该第2半导体层相接触且比该第2半导体层的杂质浓度低的、具有上述第2导电类型的第3半导体层；
低电阻地与上述第1IGBT的第2主电极相接触并在上述第3半导体层上延伸的、比上述第3半导体层的杂质浓度高的具有第1导电类型的第4半导体层；
在该第4半导体层内延伸并低电阻地与第2主电极相接触的、比上述第4半导体层的杂质浓度高的、具有第2导电类型的第5半导体层；和
分别与上述第3半导体层和上述第4半导体层以及上述第5半导体层相接触的MIS栅。
6.如权利要求1记载的等离子显示装置，其特征为，
上述第2二极管由低电阻地与上述第2IGBT的第3主电极相接触的具有第1导电类型的第6半导体层、和与该第6半导体层相接触且比上述第6半导体层的杂质浓度低的具有第2导电类型的第7半导体层形成，
由该第6半导体层和第7半导体层形成的pn二极管的耐压由上述第2IGBT的耐压决定。
7.如权利要求6记载的等离子显示装置，其特征为，
上述第6半导体层与从上述第2IGBT的另一主表面伸出的具有第1导电类型的第8半导体层相接触，
在该第8半导体层和与形成在上述另一主表面上的第4主电极低电阻地相接触的具有第1导电类型的第9半导体层之间具有上述第7半导体层。
8.如权利要求6记载的等离子显示装置，其特征为，
具有位于上述第8半导体层和上述第9半导体层之间、从上述另一主表面伸向上述第7半导体层、且比上述第7半导体层浓度高的具有第2导电类型的第10半导体层。
9.如权利要求1记载的等离子显示装置，其特征为，
上述第1IGBT和上述第2IGBT的至少一方的栅具有沟槽栅结构。
10.如权利要求1记载的等离子显示装置，其特征为，
上述第1IGBT的集电极与发射极之间的耐压比上述第2IGBT的集电极与发射极之间的耐压高。
11.如权利要求1记载的等离子显示装置，其特征为，
上述第1IGBT和上述第2IGBT的至少一方或者其沟槽栅间的电位是悬浮的、或者具有通过电阻与上述第1驱动元件的上述第2主电极或上述第2驱动元件的上述第4主电极相连接的、具有第1导电类型的第11半导体层。
12.如权利要求1记载的等离子显示装置，其特征为，
具有包含上述第1IGBT的上臂和包含第2IGBT的下臂，其中上述上臂的一端与电源相连接、另一端与等离子面板装置相连接；上述下臂的一端与上述上臂相连接、另一端连接至地电位；
至少对于上述第1IGBT使用上述第1驱动元件，
构成上述第1驱动元件的二极管的电流或电流容量比并联地设置在上述第2IGBT上的二极管的电流或电流容量小。
13.如权利要求6记载的等离子显示装置，其特征为，
当第2驱动元件的上述第6半导体层和上述第7半导体层被反向偏置而向反向截止状态转变时，上述MIS栅维持在开启状态。
14.如权利要求6记载的等离子显示装置，其特征为，
上述第2驱动元件的上述第6半导体层的厚度比上述第1驱动元件的上述第3半导体的厚度薄。
15.如权利要求1记载的等离子显示装置，其特征为，
上述第1驱动元件和上述第2驱动元件的至少一方使用由FZ法形成的硅衬底。
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101814266A (zh) * 2010-04-27 2010-08-25 四川长虹电器股份有限公司 一种pdp显示屏行驱动芯片中igbt驱动方法
CN102569297A (zh) * 2010-12-23 2012-07-11 万国半导体股份有限公司 制备准谐振变换器的单片igbt和二极管结构及方法
CN106031005A (zh) * 2014-02-18 2016-10-12 丰田自动车株式会社 半导体模块

Families Citing this family (26)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101681282A (zh) 2006-12-06 2010-03-24 弗森多系统公司（dba弗森-艾奥） 用于共享的、前端、分布式raid的装置、系统和方法
JP5011091B2 (ja) * 2007-12-27 2012-08-29 株式会社日立製作所 プラズマディスプレイ装置
JP5444758B2 (ja) * 2009-02-27 2014-03-19 日産自動車株式会社 半導体装置
KR102524388B1 (ko) * 2010-02-23 2023-04-24 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 제조 방법
WO2012083308A2 (en) 2010-12-17 2012-06-21 Fusion-Io, Inc. Apparatus, system, and method for persistent data management on a non-volatile storage media
US9093286B2 (en) 2010-12-23 2015-07-28 Alpha And Omega Semiconductor Incorporated Monolithic IGBT and diode structure for quai-resonant converters
US9201677B2 (en) 2011-05-23 2015-12-01 Intelligent Intellectual Property Holdings 2 Llc Managing data input/output operations
AU2011375931B2 (en) * 2011-08-30 2014-07-24 Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha Semiconductor device
US10102117B2 (en) 2012-01-12 2018-10-16 Sandisk Technologies Llc Systems and methods for cache and storage device coordination
US9116812B2 (en) 2012-01-27 2015-08-25 Intelligent Intellectual Property Holdings 2 Llc Systems and methods for a de-duplication cache
US10019353B2 (en) 2012-03-02 2018-07-10 Longitude Enterprise Flash S.A.R.L. Systems and methods for referencing data on a storage medium
US9612966B2 (en) 2012-07-03 2017-04-04 Sandisk Technologies Llc Systems, methods and apparatus for a virtual machine cache
US10339056B2 (en) 2012-07-03 2019-07-02 Sandisk Technologies Llc Systems, methods and apparatus for cache transfers
WO2014030457A1 (ja) * 2012-08-22 2014-02-27 富士電機株式会社 半導体装置および半導体装置の製造方法
US10346095B2 (en) 2012-08-31 2019-07-09 Sandisk Technologies, Llc Systems, methods, and interfaces for adaptive cache persistence
JP2014086600A (ja) * 2012-10-24 2014-05-12 Fuji Electric Co Ltd 半導体装置、半導体装置の製造方法および半導体装置の制御方法
US10558561B2 (en) 2013-04-16 2020-02-11 Sandisk Technologies Llc Systems and methods for storage metadata management
US10102144B2 (en) 2013-04-16 2018-10-16 Sandisk Technologies Llc Systems, methods and interfaces for data virtualization
US9842128B2 (en) 2013-08-01 2017-12-12 Sandisk Technologies Llc Systems and methods for atomic storage operations
US10019320B2 (en) 2013-10-18 2018-07-10 Sandisk Technologies Llc Systems and methods for distributed atomic storage operations
US10073630B2 (en) 2013-11-08 2018-09-11 Sandisk Technologies Llc Systems and methods for log coordination
EP2947691B1 (en) * 2014-05-19 2020-05-27 Nexperia B.V. Semiconductor device
JP6245087B2 (ja) * 2014-06-18 2017-12-13 富士電機株式会社 逆阻止ｉｇｂｔおよびその製造方法
US9450581B2 (en) 2014-09-30 2016-09-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Logic circuit, semiconductor device, electronic component, and electronic device
US9946607B2 (en) 2015-03-04 2018-04-17 Sandisk Technologies Llc Systems and methods for storage error management
CN109686787B (zh) * 2018-11-20 2020-12-29 电子科技大学 一种利用二极管钳位的具有载流子存储层的igbt器件

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3844247A1 (de) * 1988-12-29 1990-07-12 Minnesota Mining & Mfg Vorrichtung, insbesondere pflaster zum transdermalen verabreichen eines medikaments
EP0405200A1 (de) * 1989-06-30 1991-01-02 Asea Brown Boveri Ag MOS-gesteuertes, bipolares Leistungshalbleiter-Bauelement
JPH03105977A (ja) * 1989-09-20 1991-05-02 Hitachi Ltd 半導体装置
JPH04192366A (ja) * 1990-11-26 1992-07-10 Hitachi Ltd 半導体装置及び点火プラグの放電回路
JPH0513767A (ja) * 1991-07-02 1993-01-22 Fuji Electric Co Ltd 絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ
US5471075A (en) * 1994-05-26 1995-11-28 North Carolina State University Dual-channel emitter switched thyristor with trench gate
JP3331846B2 (ja) * 1995-12-28 2002-10-07 株式会社日立製作所 半導体装置
JPH09199712A (ja) 1996-01-12 1997-07-31 Hitachi Ltd 車載イグナイタ用半導体装置
JP4198251B2 (ja) * 1999-01-07 2008-12-17 三菱電機株式会社 電力用半導体装置およびその製造方法
JP4310017B2 (ja) * 1999-02-17 2009-08-05 株式会社日立製作所 半導体装置及び電力変換装置
JP4441946B2 (ja) * 1999-05-20 2010-03-31 株式会社日立製作所 表示装置、ｐｄｐ表示装置及びその駆動回路
JP4788028B2 (ja) * 2000-08-28 2011-10-05 富士電機株式会社 逆阻止型ｉｇｂｔを逆並列に接続した双方向ｉｇｂｔ
JP2004334030A (ja) * 2003-05-09 2004-11-25 Fujitsu Hitachi Plasma Display Ltd プラズマディスプレイ装置
JP4096838B2 (ja) * 2003-08-20 2008-06-04 富士電機デバイステクノロジー株式会社 半導体装置およびその製造方法
US7157785B2 (en) * 2003-08-29 2007-01-02 Fuji Electric Device Technology Co., Ltd. Semiconductor device, the method of manufacturing the same, and two-way switching device using the semiconductor devices
KR100589363B1 (ko) * 2003-10-16 2006-06-14 삼성에스디아이 주식회사 플라즈마 디스플레이 패널의 스위칭 소자
JP2005316132A (ja) * 2004-04-28 2005-11-10 Mitsubishi Electric Corp フラットパネルディスプレイ装置及びこれに用いる半導体素子
JP4791704B2 (ja) * 2004-04-28 2011-10-12 三菱電機株式会社 逆導通型半導体素子とその製造方法

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101814266A (zh) * 2010-04-27 2010-08-25 四川长虹电器股份有限公司 一种pdp显示屏行驱动芯片中igbt驱动方法
CN101814266B (zh) * 2010-04-27 2011-12-07 四川长虹电器股份有限公司 一种pdp显示屏行驱动芯片中igbt驱动方法
CN102569297A (zh) * 2010-12-23 2012-07-11 万国半导体股份有限公司 制备准谐振变换器的单片igbt和二极管结构及方法
CN102569297B (zh) * 2010-12-23 2015-07-15 万国半导体股份有限公司 制备准谐振变换器的单片igbt和二极管结构及方法
CN106031005A (zh) * 2014-02-18 2016-10-12 丰田自动车株式会社 半导体模块
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