CN100474516C - 立式热处理装置的运用方法 - Google Patents

立式热处理装置的运用方法 Download PDF

Info

Publication number
CN100474516C
CN100474516C CNB200580022267XA CN200580022267A CN100474516C CN 100474516 C CN100474516 C CN 100474516C CN B200580022267X A CNB200580022267X A CN B200580022267XA CN 200580022267 A CN200580022267 A CN 200580022267A CN 100474516 C CN100474516 C CN 100474516C
Authority
CN
China
Prior art keywords
transfer
heat
resettlement section
brilliant boat
handled object
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
CNB200580022267XA
Other languages
English (en)
Other versions
CN1981366A (zh
Inventor
浅利聪
三原胜彦
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tokyo Electron Ltd
Original Assignee
Tokyo Electron Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tokyo Electron Ltd filed Critical Tokyo Electron Ltd
Publication of CN1981366A publication Critical patent/CN1981366A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN100474516C publication Critical patent/CN100474516C/zh
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67161—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers
    • H01L21/67178—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers vertical arrangement
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/324—Thermal treatment for modifying the properties of semiconductor bodies, e.g. annealing, sintering
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/22—Diffusion of impurity materials, e.g. doping materials, electrode materials, into or out of a semiconductor body, or between semiconductor regions; Interactions between two or more impurities; Redistribution of impurities
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H01L21/67109—Apparatus for thermal treatment mainly by convection
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H01L21/67757—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber vertical transfer of a batch of workpieces
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67763—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations the wafers being stored in a carrier, involving loading and unloading
    • H01L21/67778—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations the wafers being stored in a carrier, involving loading and unloading involving loading and unloading of wafers
    • H01L21/67781—Batch transfer of wafers
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S414/00—Material or article handling
    • Y10S414/135—Associated with semiconductor wafer handling
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S414/00—Material or article handling
    • Y10S414/135—Associated with semiconductor wafer handling
    • Y10S414/137—Associated with semiconductor wafer handling including means for charging or discharging wafer cassette
    • Y10S414/138—Wafers positioned vertically within cassette

Abstract

本发明的立式热处理装置具备在下方具有炉口的热处理炉。将被处理体在上下方向搭载在多段中的晶舟，通过上述炉口被收容在上述热处理炉的内部。支撑上述晶舟的盖体能够闭塞上述炉口。移载室与上述炉口连接。在上述移载室内设置有使上述盖体升降、以将上述晶舟搬入和搬出上述热处理炉的升降机构。在上述移载室的壁部设置有能够连接收容被处理体的搬运容器的开口部的连接口。在上述移载室内设置有临时收容下一个热处理用的未处理的被处理体的第一收容部和临时收容从上述热处理炉中搬出的处理完毕的被处理体的第二收容部。移载装置，在上述搬运容器、上述第一收容部、上述第二收容部和上述晶舟之间进行被处理体的移载。

Description

立式热处理装置的运用方法
技术领域
本发明涉及一种立式热处理装置及其运用方法。
背景技术
在半导体装置的生产中，使用的是能够一次性对多个被处理体例如半导体晶片(制品晶片)进行热处理(多批量处理)的立式热处理装置。例如、特开2000-150400号公报和专利第2681055号公报中所示，立式热处理装置具备在下方具有炉口的热处理炉。将多枚晶片(被处理体)在上下方向保持在多段中的晶舟，通过上述炉口，被收容在上述热处理炉的内部。支撑上述晶舟的盖体能够塞闭上述炉口。移载室与上述炉口连接。在上述移载室内设置有使上述盖体升降、以将上述晶舟搬入和搬出上述热处理炉内的升降机构。在上述移载室内设置有：能够载置2个晶舟的载置部；在上述晶舟载置部与上述盖体之间进行晶舟转换的晶舟转换机构(晶舟转换装置)；和在能够收容多枚晶片的搬运容器(盒，搬运器，FOUP)与载置在上述晶舟载置部上的晶舟之间进行晶片移载的移载机构。
上述的立式热处理装置，因为能够使用2个晶舟，在开关热处理炉的炉口的盖体上载置一个晶舟，该晶舟被搬入热处理炉内，在对搭载在该晶舟中的晶片进行热处理期间，能够相对于晶舟载置部的另一晶舟进行晶片的移载。由此，能够提高生产率。
但是，在上述立式热处理装置中，需要晶舟转换机构。因而造成装置的大型化和成本的增加。另外，在晶舟的转换中如果发生地震，晶舟会发生摇晃或倒塌，造成晶片和晶舟的破损。再有，使用2个晶舟时，晶舟之间微妙的形状差异或由于使用状况所造成的个体差别，会对晶片的成膜性能产生差异。还有，此时，晶舟的累计膜厚的管理等也十分复杂。
特别是在制品晶片少却需要大量的模拟晶片(fill dummy)的小批量处理时，需要在移载室内保管(储存)模拟晶片用搬运容器。因此，需要有相应的空间和设备(储存室)，导致装置的大型化和成本的增加。
发明内容
本发明是鉴于上述情况而完成的发明，目的在于：提供一种不需要晶舟的转换机构，实现装置的小型化，降低成本并提高抗震性的立式热处理装置及其运用方法。
本发明提供一种立式热处理装置，其特征在于，具有：
热处理炉，在下方具有炉口，将被处理体在上下方向搭载在多段中的晶舟通过上述炉口被收容在内部，以对该被处理体进行热处理；
与上述炉口连接的移载室；
能够支撑上述晶舟、并闭塞上述炉口的盖体；
升降机构，设置在上述移载室内，使上述盖体升降，以将上述晶舟搬入和搬出上述热处理炉内；
连接口，设置在上述移载室的壁部，能够连接收容被处理体的搬运容器的开口部；
第一收容部，设置在上述移载室内，临时收容下一个热处理用的未处理的被处理体；
第二收容部，设置在上述移载室内，临时收容从上述热处理炉搬出的处理完毕的被处理体；和
移载机构，在上述搬运容器、上述第一收容部、上述第二收容部和上述晶舟之间，进行被处理体的移载。
根据本发明，因为在移载室内设置有临时收容下一个热处理用的未处理的被处理体的第一收容部和临时收容从上述热处理炉搬出的处理完毕的被处理体的第二收容部，所以不需要晶舟的转换机构，能够实现装置的小型化，降低成本并提高抗震性。
优选在上述第一收容部和上述第二收容部内分别设置用于临时收容模拟被处理体的模拟用收容部。该情况下，不使用模拟晶片用的搬运容器，能够将大量的模拟晶片保管在移载室内，适用于小批量处理。
另外，本发明涉及一种立式热处理装置的运用方法，其特征在于，
该立式热处理装置具有：
热处理炉，在下方具有炉口，将被处理体在上下方向搭载在多段中的晶舟通过上述炉口被收容在内部，以对该被处理体进行热处理；
与上述炉口连接的移载室；
能够支撑上述晶舟、并闭塞上述炉口的盖体；
升降机构，设置在上述移载室内，使上述盖体升降，以将上述晶舟搬入和搬出上述热处理炉内；
连接口，设置在上述移载室的壁部，能够连接收容被处理体的搬运容器的开口部；
第一收容部，设置在上述移载室内，临时收容下一个热处理用的未处理的被处理体；
第二收容部，设置在上述移载室内，临时收容从上述热处理炉搬出的处理完毕的被处理体；和
移载机构，在上述搬运容器、上述第一收容部、上述第二收容部和上述晶舟之间，进行被处理体的移载，
该立式热处理装置的运用方法包括：
将未处理的被处理体从某个搬运容器移载到上述晶舟中的第一移载工序；
在上述第一移载工序后，将上述晶舟搬入上述热处理炉内的第一搬入工序；
在上述第一搬入工序后，对搭载在上述晶舟中的上述未处理的被处理体进行热处理的第一热处理工序；
在上述第一热处理工序中，将未处理的被处理体从上述搬运容器或下一个第二搬运容器移载到上述第一收容部的第二移载工序；
在上述第一热处理工序后，将上述晶舟从上述热处理炉搬出的第一搬出工序；
在上述第一搬出工序后，将搭载在上述晶舟中的处理完毕的被处理体移载到上述第二收容部的第三移载工序；
在上述第三移载工序后，将上述未处理的被处理体从上述第一收容部移载到上述晶舟中的第四移载工序；
在上述第四移载工序后，将上述晶舟搬入上述热处理炉内的第二搬入工序；
在上述第二搬入工序后，对搭载在上述晶舟中的上述未处理的被处理体进行热处理的第二热处理工序；和
在上述第二热处理工序中，将上述处理完毕的被处理体从上述第二收容部移载到上述搬运容器或上述第二搬运容器的第五移载工序。
根据本发明，能够实现装置的小型化，降低成本并提高抗震性，同时，能够容易地进行大批量处理。
另外，本发明涉及一种立式热处理装置的运用方法，其特征在于，
该立式热处理装置具有：
热处理炉，在下方具有炉口，将被处理体在上下方向搭载在多段中的晶舟通过上述炉口被收容在内部，以对该被处理体进行热处理；
与上述炉口连接的移载室；
能够支撑上述晶舟、并闭塞上述炉口的盖体；
升降机构，设置在上述移载室内，使上述盖体升降，以将上述晶舟搬入和搬出上述热处理炉内；
连接口，设置在上述移载室的壁部，能够连接收容被处理体的搬运容器的开口部；
第一收容部，设置在上述移载室内，临时收容下一个热处理用的未处理的被处理体；
第二收容部，设置在上述移载室内，临时收容从上述热处理炉搬出的处理完毕的被处理体；
模拟用收容部，设置在上述移载室内，临时收容模拟被处理体；和
移载机构，在上述搬运容器、上述第一收容部、上述第二收容部、上述模拟用收容部和上述晶舟之间，进行被处理体的移载，
该立式热处理装置的运用方法包括：
将未处理的被处理体从某个搬运容器移载到上述晶舟中，同时将预先收容在上述模拟用收容部的模拟被处理体从该模拟用收容部移载到上述晶舟中的第一移载工序；
在上述第一移载工序后，将上述晶舟搬入上述热处理炉内的第一搬入工序；
在上述第一搬入工序后，对搭载在上述晶舟中的上述未处理的被处理体进行热处理的第一热处理工序；
在上述第一热处理工序中，将未处理的被处理体从上述搬运容器或下一个第二搬运容器移载到上述第一收容部的第二移载工序；
在上述第一热处理工序后，将上述晶舟从上述热处理炉搬出的第一搬出工序；
在上述第一搬出工序后，将搭载在上述晶舟中的处理完毕的被处理体移载到上述第二收容部，同时根据需要将搭载在上述晶舟中的模拟被处理体移载到上述模拟用收容部的第三移载工序；
在上述第三移载工序后，将上述未处理的被处理体从上述第一收容部移载到上述晶舟中，同时根据需要将预先收容在上述模拟用收容部的模拟被处理体从该模拟用收容部移载到上述晶舟中的第四移载工序；
在上述第四移载工序后，将上述晶舟搬入上述热处理炉内的第二搬入工序；
在上述第二搬入工序后，对搭载在上述晶舟中的上述未处理的被处理体进行热处理的第二热处理工序；和
在上述第二热处理工序中，将上述处理完毕的被处理体从上述第二收容部移载到上述搬运容器或上述第二搬运容器的第五移载工序。
根据本发明，能够实现装置的小型化，降低成本并提高抗震性，同时，能够容易地进行大批量处理。
附图说明
图1是表示本发明一个实施方式的立式热处理装置的概略纵向截面图。
图2是表示图1的立式热处理装置的概略横向截面图。
图3是表示图1的立式热处理装置的运用方法的一个实施方式(第一运用方法)的初期状态的图。
图4是表示将晶片从搬运容器移载到晶舟中的工序(第一移载工序)的图。
图5是表示将晶舟搬入热处理炉内的工序(第一搬入工序)的图。
图6是表示在热处理(第一热处理工序)中，将晶片从搬运容器移载到第一收容部的工序(第二移载工序)的图。
图7是表示在热处理后将晶舟从热处理炉搬出的工序(第一搬出工序)的图。
图8是表示将处理完毕的晶片从晶舟移载到第二收容部的工序(第三移载工序)的图。
图9是表示将晶片从第一收容部移载到晶舟中的工序(第四移载工序)的图。
图10是表示将晶舟再次搬入热处理炉内的工序(第二搬入工序)的图。
图11是表示在热处理(第二热处理工序)中，将处理完毕的晶片从第二收容部移载到搬运容器的工序(第五移载工序)的图。
图12是表示在图1的立式热处理装置的运用方法的其他实施方式(第二运用方法)中，将模拟晶片从搬运容器移载到模拟晶片用收容部的工序的图。
图13是表示将晶片从搬运容器移载到晶舟中的工序(第一移载工序)的图。
图14是表示将模拟晶片从模拟用收容部移载到晶舟中的工序(第一移载工序)的图。
图15是表示将晶舟搬入热处理炉内的工序(第一搬入工序)的图。
图16是表示在热处理工序(第一热处理工序)中，将晶片从搬运容器移载到第一收容部的工序(第二移载工序)的图。
图17是表示在热处理后，将晶舟从热处理炉搬出的工序(第一搬出工序)的图。
图18是表示将处理完毕的晶片从晶舟移载到第二收容部的工序(第三移载工序)的图。
图19是表示将模拟晶片从晶舟移载到模拟用收容部的工序(第三移载工序)的图。
图20是表示将晶片从第一收容部移载到晶舟中的工序(第四移载工序)的图。
图21是表示将模拟晶片从模拟用收容部移载到晶舟中的工序(第四移载工序)的图。
图22是表示将晶舟再次搬入热处理炉内的工序(第二搬入工序)的图。
图23是表示在热处理(第二热处理工序)中，将处理完毕的晶片从第二收容部移载到搬运容器的工序(第五移载工序)的图。
具体实施方式
以下，就本发明的实施方式，根据附图进行说明。图1是表示本发明的一种实施方式的立式热处理装置的纵向概略截面图。图2是表示图1的立式热处理装置的横向概略截面图。
在上述图中，本实施方式的立式热处理装置1具备在下方具有炉口3a的热处理炉3。将多枚(例如50～150枚左右)作为被处理体的半导体晶片在上下方向搭载在多段中的晶舟2，通过炉口3a，被收容在热处理炉3的内部。支撑晶舟2的盖体4能够闭塞炉口3a。热处理炉3在炉口3a被闭塞的状态下，能够对内部的晶片进行热处理(批量处理)。
移载室(loading area：负载区)6与炉口3a连接。在移载室6内设置有使盖体4升降、以将晶舟2搬入和搬出热处理炉3内的升降机构5。在移载室6的壁部设置有能够与收容多枚(例如25枚左右)晶片的搬运容器7的开口部连接的连接口8。另外，在移载室6内设置有临时收容下一个热处理用(批量处理用)的未处理的晶片wa的第一收容部10和临时收容从热处理炉3中搬出的处理完毕的晶片wb的第二收容部11。另外，在移载室6内还设置有在搬运容器7、第一收容部10、第二收容部11和晶舟2之间进行晶片移载的移载机构12。
作为被处理体，可以使用例如直径为300mm的大口径晶片。热处理炉3，主要由下端开口的例如石英制的处理容器(处理管：processtube)13和覆盖该处理容器13的周围而设置的加热机构(加热器：heater)14构成。
在处理容器13中设置有：导入处理气体或不活性气体(例如N2)的导入部15；和连接能够将处理容器13内减压排气至规定压力的减压或真空排气系统的排气部(省略图示)。在炉口3a的附近，优选设置盖体4下降、从热处理炉3搬出晶舟2后，遮盖(关闭)炉口3a的闸门(shutter)(省略图示)。
晶舟2例如为石英制，在顶板2a与底板2b之间具有数根支柱2c。为了以规定间隔多段地保使多枚晶片(包括监控晶片和模拟晶片)，在支柱2c上设置保持槽等保持部。另外，图1的晶舟2，具有1根支撑脚部2d，该支撑脚部2a与气密性贯通盖体4的旋转导入部(省略图示)连接。这样，晶舟2在热处理中能够旋转驱动。
作为搬运容器7，例如使用在前面具有能够装卸的盖的高气密性带盖搬运容器(FOUP)。移载室6由筐体17(壁部)划分形成。在移载室6的前方壁部，设置1个连接口8。在该连接口8中设置被称为FIMS(Front Interface Mechanical System)的系统。即，设置：用于载置搬运容器7的载置台18；在将载置台18上搬运容器7的前面周缘部密合在连接口8上的状态下进行保持的保持机构；将连接口8从移载室6内能够开关地遮盖的门机构19；和从搬运容器7拆卸盖的盖装卸机构(省略图示)。
如图2所示，在移载室6内的一侧的侧部设置有将清洁空气或气体(例如不活性气体)吹向相对的另一侧面的侧部的空气清洁装置20。在本实施方式中，第一收容部10和第二收容部11设置在空气清洁装置20的附近。移载机构12设置在第一收容部10和第二收容部11与另一侧的侧部的壁之间。连接口8不是在第一收容部10和第二收容部11一侧(附近)，而是设在移载装置12的一侧(附近)。
热处理炉3，如图1所示，设置在移载室6的后方的顶部。从平面看，如图2所示，在移载室6的前方的连接口8与移载室6的后方的热处理炉3之间，设置移载机构12，在移载机构12的一侧的侧方并排设置第一收容部10和第二收容部11。
移载机构12主要由可升降、可水平移动和可旋转的纵长的基台12a，设置在该基台12a上、沿长边方向可进退移动的保持晶片的多枚(例如5枚)薄板叉状的移载臂12b构成。
在本实施方式的第一收容部10和第二收容部11中，设置用于临时收容模拟晶片(模拟被处理体)dw的模拟用收容部21a和21b。第一收容部10和第二收容部11，能够分别将多枚(例如150枚左右)的晶片在上下方向以规定间隔保持在多段中。另外，模拟用收容部21a和21b，分别能够将多枚(例如50枚左右)的模拟晶片在上下方向以规定间隔保持在多段中。为了抑制由模拟晶片产生的颗粒的影响，模拟用收容部21a和21b，优选分别设置在第一收容部10和第二收容部11的下部。
第一收容部10和第二收容部11，可以形成为与石英制的晶舟相同的构造。但是，通常，第一收容部10和第二收容部11被固定在移载室6内、使之无法移动。例如，分别在石英制的顶板22、隔板23和底板24之间，设置石英制的多根支柱25，为了以规定间隔多段地保持多枚晶片(包括监测晶片和模拟晶片)，在支柱25上设置保持槽等保持部。而且，顶板22与隔板23之间的区域能够作为第一收容部10或第二收容部11被利用，隔板23与底板24之间的区域能够作为模拟用收容部21a或21b被利用。
根据由以上构造形成的立式热处理装置1，在移载室6内，因为设置有：用于临时收容下一个热处理用的规定数量的晶片wa的第一收容部10；和用于临时收容从热处理炉3搬出的处理完毕的晶片的第二收容部11，所以不需要晶舟2的转换机构，能够实现装置的小型化，降低成本及提高抗震性。另外，因为在第一收容部10和第二收容部11中，设置有用于临时收容模拟晶片dw的模拟用收容部21a、21b，可以不使用模拟晶片用的搬运容器或其存储器，将大量的模拟晶片保管在移载室6内，能够容易地进行小批量处理。
下面，针对上述立式热处理装置的运用方法进行说明。首先，针对进行大批量处理时的第一运用方法，参照图3至图11进行说明。
在第一运用方法中，1个批量处理中，使用例如125枚制品晶片、5枚监测晶片和10枚侧面模拟晶片。如图3所示，在第一运用方法的初期状态中，第一收容部10和第二收容部11中什么也不收容。另外，在从热处理炉3搬出的处于待机状态的晶舟2上，只搭载有侧面模拟晶片sd。在这个状态下，如图4所示，搬运容器7被搬运连接至移载室6的连接口8上，通过移载机构12将规定数量的晶片wa从搬运容器7移载到晶舟2(第一移载工序)。之后，如图5所示，该晶舟2被搬入热处理炉3内(第一搬入工序)，开始晶片wa的热处理(第一热处理工序)。另外，在连接口8，可以对应于1个批量处理所需的晶片数量，依次交换搬运容器7。
之后，在该热处理工序(第一热处理工序)中，如图6所示，通过移载机构12将规定数量的晶片wa从下一个的搬运容器7(第二搬运容器)移载到第一收容部10(第二移载工序)。在上述热处理后，如图7所示，晶舟2从热处理炉3搬出(第一搬出工序)，如图8所示，通过移载机构12将处理完毕的晶片wb从该晶舟2移载到第二收容部11(第三移载工序)。在该第三移载工序后，如图9所示，通过移载机构12将晶片wa从第一收容部10移载到晶舟2中(第四移载工序)，在该第四移载工序后，如图10所示，晶舟2被搬入热处理炉3内(第二搬入工序)，进行热处理(第二热处理工序)。在该热处理工序(第二热处理工序)中，如图11所示，通过移载机构12将处理完毕的晶片从第二收容部11移载到与连接口8连接的空的搬运容器7内(第五移载工序)。由此，完成1个批量处理。在该第五移载工序后，使用图6进行说明的第一移载工序再次进行，以后以同样的循环方式反复地进行批量处理。
如上所述，根据上述立式热处理装置1的第一运用方法，能够实现装置的小型化，降低成本并提高抗震性，同时，能够进行多批量处理。
下面，针对小批量处理的第二运用方法，参照图12至图23进行说明。
在第二运用方法中，在1个批量处理中，使用50枚制品晶片、3枚监测晶片、10枚侧面模拟晶片和50枚fill dummy晶片。与图3所示的不同，在第二运用方法的初期状态中，模拟晶片用的搬运容器7x与连接口8连接，通过移载机构12，预先将规定数量的模拟晶片dw从该搬运容器7x移载到第一收容部10的模拟用收容部21a和第二收容部11的模拟用收容部21b(参照图12)。另外，与图3的情况相同，从热处理炉3搬出的处于待机状态的晶舟2上，只搭载侧面模拟晶片sd(参照图12)。
在该状态中，如图13所示，搬运容器7搬送并连接在移载室6的连接口8上，通过移载装置12，将规定数量的晶片wa从搬运容器7移载到晶舟2中(第一移载工序)。并且，如图14所示，将规定数量的模拟晶片dw从模拟收容部21a、21b移载到晶舟2中(第一移载工序)。之后，如图15所示，该晶舟2被搬入热处理炉3内(第一搬入工序)，开始晶片wa的热处理工序(第一热处理工序)。
然后，在热处理工序(第一热处理工序)中，如图16所示，通过移载机构12，将规定数量的晶片wa从下一个的搬运容器7(第二搬运容器)移载到第一收容部10(第二移载工序)。在上述热处理后，如图17所示，将晶舟2从热处理炉3搬出(第一搬出工序)，如图18所示，通过移载机构12，将处理完毕的晶片wb从该晶舟2移载到第二收容部11(第三移载工序)。并且，根据需要，如图19所示，通过移载机构12，将规定数量的模拟晶片dw从晶舟2移载到模拟收容部21a、21b(第三移载工序)。
在第三移载工序后，如图20所示，通过移载机构12将晶片wa从第一收容部10移载到晶舟2中(第四移载工序)，并且，根据需要，如图21所示，将规定数量的模拟晶片dw从模拟收容部21a、21b移载到晶舟2中(第四移载工序)。在该第四移载工序后，如图22所示，晶舟2被搬入热处理炉3内(第二搬入工序)，进行热处理(第二热处理工序)。在该热处理工序(第二热处理工序)中，如图23所示，通过移载机构12将处理完毕的晶片从第二收容部11移载到与连接口8连接的空的搬运容器7内(第五移载工序)。由此，完成1个批量处理。在第五移载工序后，再次开始进行使用图16说明的第一移载工序，以后以同样的循环方式反复进行批量处理。
如上所述，根据上述立式热处理装置1的第二运用方法，能够实现装置的小型化，降低成本并提高抗震性，同时，能够容易地进行小批量处理。
以上，参照附图对本发明的实施方式进行详细说明，本发明不仅局限于上述的实施方式，能够在不脱离本发明的主旨的范围内进行各种的设计变更。

Claims (4)

1.一种立式热处理装置的运用方法，其特征在于，
该立式热处理装置具有：
热处理炉，在下方具有炉口，将被处理体在上下方向搭载在多段中的晶舟通过所述炉口被收容在内部，以对该被处理体进行热处理；
与所述炉口连接的移载室；
能够支撑所述晶舟、并闭塞所述炉口的盖体；
升降机构，设置在所述移载室内，使所述盖体升降，以将所述晶舟搬入和搬出所述热处理炉内；
连接口，设置在所述移载室的壁部，能够连接收容被处理体的搬运容器的开口部；
第一收容部，设置在所述移载室内，临时收容下一个热处理用的未处理的被处理体；
第二收容部，设置在所述移载室内，临时收容从所述热处理炉搬出的处理完毕的被处理体；和
移载机构，在所述搬运容器、所述第一收容部、所述第二收容部和所述晶舟之间，进行被处理体的移载，
该立式热处理装置的运用方法包括：
将未处理的被处理体从某个搬运容器移载到所述晶舟中的第一移载工序；
在所述第一移载工序后，将所述晶舟搬入所述热处理炉内的第一搬入工序；
在所述第一搬入工序后，对搭载在所述晶舟中的所述未处理的被处理体进行热处理的第一热处理工序；
在所述第一热处理工序中，将下一个未处理的被处理体从所述搬运容器或下一个第二搬运容器移载到所述第一收容部的第二移载工序；
在所述第一热处理工序后，将所述晶舟从所述热处理炉搬出的第一搬出工序；
在所述第一搬出工序后，将搭载在所述晶舟中的处理完毕的被处理体移载到所述第二收容部的第三移载工序；
在所述第三移载工序后，将所述下一个未处理的被处理体从所述第一收容部移载到所述晶舟中的第四移载工序；
在所述第四移载工序后，将所述晶舟搬入所述热处理炉内的第二搬入工序；
在所述第二搬入工序后，对搭载在所述晶舟中的所述下一个未处理的被处理体进行热处理的第二热处理工序；和
在所述第二热处理工序中，将所述处理完毕的被处理体从所述第二收容部移载到所述搬运容器或所述第二搬运容器的第五移载工序。
2.一种立式热处理装置的运用方法，其特征在于，
该立式热处理装置具有：
热处理炉，在下方具有炉口，将被处理体在上下方向搭载在多段中的晶舟通过所述炉口被收容在内部，以对该被处理体进行热处理；
与所述炉口连接的移载室；
能够支撑所述晶舟、并闭塞所述炉口的盖体；
升降机构，设置在所述移载室内，使所述盖体升降，以将所述晶舟搬入和搬出所述热处理炉内；
连接口，设置在所述移载室的壁部，能够连接收容被处理体的搬运容器的开口部；
第一收容部，设置在所述移载室内，临时收容下一个热处理用的未处理的被处理体；
第二收容部，设置在所述移载室内，临时收容从所述热处理炉搬出的处理完毕的被处理体；
模拟用收容部，设置在所述移载室内，临时收容模拟被处理体；和
移载机构，在所述搬运容器、所述第一收容部、所述第二收容部、所述模拟用收容部和所述晶舟之间，进行被处理体的移载，
该立式热处理装置的运用方法包括：
将未处理的被处理体从某个搬运容器移载到所述晶舟中，同时将预先收容在所述模拟用收容部的模拟被处理体从该模拟用收容部移载到所述晶舟中的第一移载工序；
在所述第一移载工序后，将所述晶舟搬入所述热处理炉内的第一搬入工序；
在所述第一搬入工序后，对搭载在所述晶舟中的所述未处理的被处理体进行热处理的第一热处理工序；
在所述第一热处理工序中，将下一个未处理的被处理体从所述搬运容器或下一个第二搬运容器移载到所述第一收容部的第二移载工序；
在所述第一热处理工序后，将所述晶舟从所述热处理炉搬出的第一搬出工序；
在所述第一搬出工序后，将搭载在所述晶舟中的处理完毕的被处理体移载到所述第二收容部的第三移载工序；
在所述第三移载工序后，将所述下一个未处理的被处理体从所述第一收容部移载到所述晶舟中的第四移载工序；
在所述第四移载工序后，将所述晶舟搬入所述热处理炉内的第二搬入工序；
在所述第二搬入工序后，对搭载在所述晶舟中的所述下一个未处理的被处理体进行热处理的第二热处理工序；和
在所述第二热处理工序中，将所述处理完毕的被处理体从所述第二收容部移载到所述搬运容器或所述第二搬运容器的第五移载工序。
3.如权利要求2所述的运用方法，其特征在于：
在所述第三移载工序中，还将搭载在所述晶舟中的模拟被处理体移载到所述模拟用收容部。
4.如权利要求2或3所述的运用方法，其特征在于：
在所述第四移载工序中，还将预先收容在所述模拟用收容部的模拟被处理体从该模拟用收容部移载到所述晶舟中。
CNB200580022267XA 2004-06-30 2005-06-20 立式热处理装置的运用方法 Expired - Fee Related CN100474516C (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2004192490A JP4358690B2 (ja) 2004-06-30 2004-06-30 縦型熱処理装置及びその運用方法
JP192490/2004 2004-06-30

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN1981366A CN1981366A (zh) 2007-06-13
CN100474516C true CN100474516C (zh) 2009-04-01

Family

ID=35782616

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CNB200580022267XA Expired - Fee Related CN100474516C (zh) 2004-06-30 2005-06-20 立式热处理装置的运用方法

Country Status (7)

Country Link
US (1) US7416405B2 (zh)
EP (1) EP1780775A4 (zh)
JP (1) JP4358690B2 (zh)
KR (1) KR100961583B1 (zh)
CN (1) CN100474516C (zh)
TW (1) TWI433205B (zh)
WO (1) WO2006003805A1 (zh)

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8190277B2 (en) * 2007-11-30 2012-05-29 Tokyo Electron Limited Method for limiting expansion of earthquake damage and system for limiting expansion of earthquake damage for use in semiconductor manufacturing apparatus
JP5433290B2 (ja) * 2009-04-20 2014-03-05 東京エレクトロン株式会社 基板収納方法及び制御装置
KR102401606B1 (ko) * 2015-07-18 2022-05-23 안범주 반도체 프로세싱을 위한 수직 적층형 다중 챔버
JP7091227B2 (ja) * 2018-11-05 2022-06-27 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 熱処理方法および熱処理装置
CN112414107B (zh) * 2020-11-04 2023-01-17 北京北方华创微电子装备有限公司 立式热处理设备及其炉体装卸方法和转运装置
CN117276159A (zh) * 2023-11-17 2023-12-22 合肥晶合集成电路股份有限公司 晶圆运送系统

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4770590A (en) 1986-05-16 1988-09-13 Silicon Valley Group, Inc. Method and apparatus for transferring wafers between cassettes and a boat
US5055036A (en) * 1991-02-26 1991-10-08 Tokyo Electron Sagami Limited Method of loading and unloading wafer boat
JP3234617B2 (ja) * 1991-12-16 2001-12-04 東京エレクトロン株式会社 熱処理装置用基板支持具
US5565034A (en) * 1993-10-29 1996-10-15 Tokyo Electron Limited Apparatus for processing substrates having a film formed on a surface of the substrate
JP3478364B2 (ja) * 1995-06-15 2003-12-15 株式会社日立国際電気 半導体製造装置
US5829969A (en) * 1996-04-19 1998-11-03 Tokyo Electron Ltd. Vertical heat treating apparatus
US5947718A (en) * 1997-03-07 1999-09-07 Semitool, Inc. Semiconductor processing furnace
JPH10321703A (ja) 1997-05-16 1998-12-04 Kokusai Electric Co Ltd 半導体製造装置
JP2000068218A (ja) * 1998-08-22 2000-03-03 Tokyo Electron Ltd 熱処理装置
JP3664897B2 (ja) * 1998-11-18 2005-06-29 東京エレクトロン株式会社 縦型熱処理装置
JP2002289666A (ja) * 2001-03-27 2002-10-04 Tokyo Electron Ltd 熱処理装置
JP2003077974A (ja) * 2001-08-31 2003-03-14 Hitachi Kokusai Electric Inc 基板処理装置および半導体装置の製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
US7416405B2 (en) 2008-08-26
EP1780775A4 (en) 2009-03-11
TWI433205B (zh) 2014-04-01
EP1780775A1 (en) 2007-05-02
JP4358690B2 (ja) 2009-11-04
WO2006003805A1 (ja) 2006-01-12
TW200610009A (en) 2006-03-16
JP2006019320A (ja) 2006-01-19
US20070231763A1 (en) 2007-10-04
KR20070024517A (ko) 2007-03-02
CN1981366A (zh) 2007-06-13
KR100961583B1 (ko) 2010-06-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3258748B2 (ja) 熱処理装置
US6530732B1 (en) Single substrate load lock with offset cool module and buffer chamber
CN100474516C (zh) 立式热处理装置的运用方法
CN100403509C (zh) 立式热处理装置及其使用方法
US20070065581A1 (en) Substrate processing system and method
TWI508216B (zh) 半導體處理裝置及半導體處理方法
JP2003007800A (ja) 基板処理装置および半導体装置の製造方法
JP2003124284A (ja) 基板処理装置および半導体装置の製造方法
JP2018198305A (ja) 真空搬送モジュール及び基板処理装置
TWI545671B (zh) 基板冷卻單元及基板處理設備
JP2008270266A (ja) 基板処理装置
JP4883804B2 (ja) 半導体熱処理方法及び半導体熱処理装置
JP4383636B2 (ja) 半導体製造装置および半導体装置の製造方法
EP3706162A1 (en) Substrate accommodation device
KR101433810B1 (ko) 기판 처리 설비 및 방법
JPWO2019172274A1 (ja) 処理装置、排気システム、半導体装置の製造方法
JPH10189685A (ja) 基板処理装置
JP2003092330A (ja) 熱処理装置および熱処理方法
JP3176153B2 (ja) 半導体製造装置
JP2004023032A (ja) 半導体製造装置
JP6000038B2 (ja) スペーサ、スペーサの搬送容器、スペーサの搬送方法、処理方法、及び、処理装置
JP2002246436A (ja) 基板処理装置
JP2012104702A (ja) 基板処理装置
CN114664693A (zh) 基板处理系统和微粒去除方法
JPH0870028A (ja) 半導体製造装置及び大気浸入防止方法

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20090401

Termination date: 20150620

EXPY Termination of patent right or utility model