CN100446206C - 超声波安装方法及采用该方法的超声波安装设备 - Google Patents

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Abstract

本发明公开一种超声波安装设备及方法，其通过使用高频超声波提高安装效率，并还能安装大的半导体芯片。该超声波安装设备包括用于传播超声波振动器的超声波振动的喇叭管(15)，超声波安装设备通过将半导体芯片(52)置于与喇叭管的凸起部(15a)接触的位置并施加超声波，使该半导体芯片接合至基板(50)，该喇叭管由具有比金属更高的振动传播速度的陶瓷形成，其中在该超声波振动器(17)和该喇叭管之间的连接处插有一间隔器(27)，该间隔器由具有中等大小的振动传播速度的材料构成，所述中等大小的振动传播速度介于由金属制成的该超声波振动器的振动传播速度和由陶瓷制成的该喇叭管的振动传播速度之间。

Description

超声波安装方法及采用该方法的超声波安装设备
技术领域
本发明涉及一种将半导体芯片(semiconductor chip)接合至基板的超声波安装方法及一种采用该方法的超声波安装设备。
背景技术
当倒装芯片(flip-chip)式地将半导体芯片接合并安装在电路板上时，所采用的方法是：使该半导体芯片的电极端子(例如凸块(bump))与该电路板的电极端子(例如焊盘(pad))接触，并对该半导体芯片施加超声波振动，以使该半导体芯片和电路板的电极端子接合到一起。
传统地，采用大约50kHz作为施加于该半导体芯片的超声波频率。
然而，本发明的发明人已经发现：当采用大约200kHz的高频超声波时，会获得大量的接合能，这就意味着能提高安装效率。
在超声波安装过程中，振动从超声波振动器经由喇叭管(horn)施加到该半导体芯片，并传输大量的振动能量；该喇叭管设有-必要宽度的凸起部，其在对应于由超声波振动所致的振动波腹(loop)(最大振幅点)的位置处，并且该半导体芯片被置于与该凸起部接触的位置，以传输该振动能量。
当采用高频超声波时，波长会相应地缩短。因此，与该最大振幅点相对应设置的该凸起部的宽度就不可避免地变窄，从而就存在新的问题，即仅能安装小的半导体芯片。
发明内容
构思本发明以解决上述问题；本发明的目的是提供一种超声波安装方法及一种采用该方法的超声波安装设备，其通过采用高频超声波能提高安装效率，并且还能安装大的半导体芯片。
根据本发明的一种超声波安装方法，其使用超声波安装设备将半导体芯片超声地接合(bond)到基板，其中传播超声波振动器的超声波振动的喇叭管由具有比金属更高的振动传播速度的陶瓷制成，该方法包括下述步骤：将该基板放置在平台上；将该半导体芯片放置在该基板上；以及将该半导体芯片置于与该喇叭管上设置的凸起部接触的位置，并且施加超声波振动，以使该半导体芯片接合至该基板。
根据本发明的一种超声波安装设备，其包括用于传播超声波振动器的超声波振动的喇叭管，该超声波安装设备通过将半导体芯片置于与该喇叭管的凸起部接触的位置并施加超声波，使该半导体芯片接合至基板，该喇叭管由具有比金属更高的振动传播速度的陶瓷形成，其中在该超声波振动器和该喇叭管之间的连接处可以插有一间隔器(spacer)，该间隔器由具有中等大小的振动传播速度的材料构成，所述中等大小的振动传播速度介于由金属制成的该超声波振动器的振动传播速度和由陶瓷制成的该喇叭管的振动传播速度之间。
在该凸起部的侧壁上可以设置台阶部(stepped part)。
在该超声波振动器上可以形成有用于连接至该喇叭管的外螺纹，并且在该外螺纹上可以形成有涂层，该涂层由诸如铜或焊料的软金属材料构成。
根据本发明的另一种超声波安装方法，其使用超声波安装设备将半导体芯片超声地接合到基板；该超声波安装设备包括：传播超声波振动器的超声波振动的喇叭管、在该喇叭管上对应最大振幅点形成的两个凸起部；所述最大振幅点相隔一个波长并由于该超声波振动而沿相同方向振动；该方法包括下述步骤：将该基板放置在平台上；将该半导体芯片放置在该基板上；以及将该半导体芯片插在该喇叭管的两个凸起部之间，并且从所述两个凸起部施加超声波振动，以使该半导体芯片接合至该基板。
在所述两个凸起部的互相面对的侧壁上可以形成能与该半导体芯片的边缘部分啮合的台阶部，该半导体芯片可以插在所述两个凸起部之间，以便所述边缘部分与所述台阶部啮合，并且可以在该半导体芯片受到所述台阶部的表面挤压的同时施加超声波。
该半导体芯片可以经由弹性体插在所述两个凸起部之间。
根据本发明的另一种超声波安装方法，其使用超声波安装设备将半导体芯片超声地接合到基板；该超声波安装设备包括：传播超声波振动器的超声波振动的平台、在该平台上对应最大振幅点形成的两个凸起部；所述最大振幅点相隔一个波长并由于该超声波振动而沿相同方向振动；该方法包括下述步骤：将该基板放置在该平台上，以将该基板插在所述两个凸起部之间；将该半导体芯片放置在该基板上；以及在该半导体芯片受到压制机构挤压的同时，从所述两个凸起部施加超声波振动至该基板，以使该半导体芯片接合至该基板。
在所述两个凸起部的互相面对的侧壁上可以形成能与该基板的边缘部分啮合的台阶部，并且该基板可以插在所述两个凸起部之间，以便所述边缘部分与所述台阶部啮合。
所述两个凸起部的互相面对的侧壁可以形成为倾斜表面，并且该基板可以放置在所述两个凸起部之间，以使该基板插在所述倾斜表面之间。
该基板可以经由弹性体插在所述两个凸起部之间。
采用根据本发明的超声波安装方法和超声波安装设备，可以通过使用高频超声波提高安装效率，并可以安装大的半导体芯片。
附图说明
图1是表示安装设备的整体结构的示意图；
图2是用于进一步解释图1所示的安装设备中的超声波接合单元的示意图；
图3是用于解释喇叭管和超声波振动器之间关系的示意图；
图4是图3的部分放大图；
图5是表示由喇叭管材料所致的振动传播速度和有效工具尺寸(toolsize)之间关系的坐标图；
图6A和图6B是用于解释在喇叭管的凸起部的侧壁上设置台阶部的结构的示意图；
图7A和图7B是用于解释凸起部的扭曲(warping)的示意图；
图8是用于解释在喇叭管和超声波振动器之间插有间隔器的实施例的示意图；
图9是用于解释在超声波振动器的外螺纹上形成有涂层的实施例的示意图；
图10是用于解释在喇叭管上设有两个凸起部的实施例的示意图；
图11是用于解释在凸起部上设有倾斜表面的实施例的示意图；
图12是用于解释经由弹性体插入半导体芯片的实施例的示意图；
图13是用于解释在平台上设有两个凸起部的实施例的示意图；
图14是用于解释在凸起部上设有倾斜表面的实施例的示意图；
图15是用于解释经由弹性体插入基板的实施例的示意图。
具体实施方式
下面将参考附图详细描述本发明的优选实施例。
图1是表示倒装芯片式安装设备10的整体结构的一个实例的示意图。
附图标记12代表超声波接合单元。超声波接合单元12包括：平台13，基板被传送到该平台13上；以及设置在平台13上方的接合工具(bondingtool)14，其使半导体芯片保持在该接合工具的下表面上，并能相对地朝向平台13和远离平台13移动。
平台13由公知的XY工作台构成，并能通过驱动装置(未示出)在水平面内沿期望的方向移动。XY工作台被构造成能通过旋转驱动装置(未示出)在水平面内围绕垂直轴旋转。
接合工具14由公知的超声波接合装置构成，并包括用于超声波接合的喇叭管(horn)15和压制装置16，该压制装置由能使喇叭管15上下移动的汽缸机构或类似结构构成。半导体芯片通过吸力保持在喇叭管15的下表面上。
用于位置识别的摄像装置18被设置成能插在平台13和接合工具14之间。摄像装置18检测传送到平台13上的基板的位置和保持在接合工具14的喇叭管15上的半导体芯片的位置，并通过在水平面内水平移动平台13和/或旋转平台13使该基板和该半导体芯片对准。
图2是用于进一步解释超声波接合单元12的示意图。超声波接合单元12是公知的机构，因此将只做简要描述。
附图标记20代表控制压制装置16的压力控制单元；附图标记21代表超声波振动器；附图标记22代表图像处理单元；附图标记23代表移动摄像装置18的移动装置；附图标记24代表通过移动装置23控制移动的移动控制单元；附图标记25代表控制平台13移动和旋转的对准控制单元；附图标记26代表主控制器。
通过使用移动控制单元24驱动移动装置23，在已经传送到平台13上的基板和通过吸力保持在喇叭管15上的半导体芯片之间插入摄像装置18。来自摄像装置18的图像数据输入图像处理单元22中，检测该基板和该半导体芯片之间的位置偏移，并且通过对准控制单元25使平台13移动和/或旋转，以校正各种位置偏移，从而使该基板和该半导体芯片对准。接着，撤回摄像装置18。此后，压制装置16由压力控制单元20驱动，以降低喇叭管15并向保持在喇叭管15的下表面上的半导体芯片施加预定的力；超声波从超声波振动器21施加到半导体芯片，以将该半导体芯片接合到该基板上。通过主控制器26中设定的处理程序完整地进行各种控制单元的驱动控制。
在图1中，附图标记35代表用于半导体芯片的传送单元。
大量的半导体芯片储存在托盘(tray)(未示出)上，并由芯片供应平台36供应。使用包括能上下移动和水平移动的吸嘴37的芯片分布控制器(chip handler)38，通过吸力每次吸住一个芯片，将托盘内储存的半导体芯片吸到吸嘴37上，并将其输送至芯片翻转平台(chip inverting stage)40的安装台41上。
芯片翻转平台40具有一吸臂(suction arm)42。吸臂42包括吸嘴43，并被设置成能通过翻转装置44在位于安装台41上方的位置和相对侧的位置之间翻转180°。翻转装置44还被设置成能通过驱动单元(未示出)沿接近安装台41的方向和接近喇叭管15的方向来回地移动。
半导体芯片被传送到安装台41上，并且该半导体芯片形成有凸块的表面朝上。通过借助吸力使传送到安装台41上的半导体芯片保持在吸臂42的吸嘴43上、翻转吸臂42、以及使半导体芯片向喇叭管15移动，使得该半导体芯片能借助吸力保持在喇叭管15的下表面上。因此，该半导体芯片变成以形成有凸块的表面朝下的状态借助吸力保持在喇叭管15上。
应注意：喷嘴43被设置成能通过一机构(未示出)沿垂直于吸臂42的方向向内和向外伸出(移动)，从而能在安装台41和喇叭管15之间平稳地输送半导体芯片。
该基板通过基板传送机(conveyor)或类似的设备(未示出)被传送到平台13上。
另一方面，如上所述，半导体芯片52通过用于半导体芯片的传送单元35被传送至超声波接合单元12，并且借助吸力保持在喇叭管15的下表面。
摄像装置18插在传送到平台13上的基板50和保持在喇叭管15上的半导体芯片52之间，并按照如上所述地进行基板50和半导体芯片52的对准。
接下来，撤回摄像装置18，并且通过压制装置16降低借助吸力保持半导体芯片52的喇叭管15，从而以必要的压力将半导体芯片52压到基板50上。此后，运行超声波振动器21，并将超声波从喇叭管15施加到半导体芯片52。这样做，就使半导体芯片52的凸块52a超声地接合至基板50的焊盘(未示出)。
图3示出了上述倒装芯片式安装设备10的喇叭管15、超声波振动器17、半导体芯片52和基板50之间的关系。图4是图3的局部放大图。凸起部15a形成于喇叭管15的上表面和下表面。
超声波振动如压缩波那样在喇叭管15内部传播。在这种情况下，原则上说，波腹(最大振幅点)出现在喇叭管15的两端，并且多个其它的最大振幅点出现在喇叭管15的中间部分。凸起部15a以必要的宽度形成在与这样的最大振幅点对应的位置。
自然地，这样的超声波振动的最大振幅点以波长一半的间距出现。
压缩波的最大振幅点的位置是：能从喇叭管15向半导体芯片52施加沿水平方向的最大振动的位置，以及能最大可能程度地传输超声波能量的位置；并且，通过在这些位置设置必要宽度的凸起部15a，可以有效地进行半导体芯片52的超声波接合。凸起部15a的宽度延伸横跨一最大振幅点，并与获得基本一致的振幅值范围相对应。
超声波振动器17由诸如钛合金的金属构成，其中包含有压电元件。
与传统装置一样，喇叭管15由诸如钛合金等金属形成。
超声波在一部件内传播的速度对该部件是唯一的，其由所使用的材料决定。
然而，传播速度C、频率f和波长λ之间的关系是：C＝f·λ。
因此，当频率从50kHz变到200kHz的高频时，波长变为原来的四分之一。传统地，如果喇叭管15由诸如钛合金等金属形成，则当频率是50kHz时，可以将凸起部15a的宽度设定为大约12mm，并能对尺寸大约是12mm的半导体芯片进行接合。然而，当频率上升到200kHz时，波长变为原来的四分之一，从而凸起部15a的宽度也减小到大约原来的四分之一，即宽度仅能被设定为约3-4mm，从而不能安装大的半导体芯片。
然而，在本实施例中，超声波振动器的超声波振动传播到的喇叭管15由比金属的振动传播速度高的陶瓷形成。
下面示出了多种金属和陶瓷的振动传播速度(米/秒)：
铁                5950
A5052             6190
钛合金            6313(Ti-6Al-4V合金)
氧化锆            7036
金属陶瓷          9086
氮化铝            10198
氮化硅            10764
硅铝氧氮陶瓷      11032
氧化铝            11804
碳化硅            12018
单晶蓝宝石        12624
对本发明而言，词语“陶瓷”包括氧化锆和金属陶瓷。除了上述陶瓷以外，诸如莫来石、钛氧陶瓷和堇青石等陶瓷是有效的。
如上所述，当使用陶瓷时，振动传播速度大约是金属的两倍；因此，即使使用具有200kHz频率的高频超声波，喇叭管15的凸起部15a的宽度也能增加到大约8mm，从而也能安装大的半导体芯片。
图5是表示各种材料的喇叭管和振动传播速度与有效工具尺寸(凸起部的宽度)之间关系的模型的坐标图。因而可以这样理解：通过使用陶瓷作为喇叭管15的材料能增大工具尺寸(凸起部的宽度)。
图6A和图6B显示了在上述喇叭管15的凸起部15a的侧壁部分上设置台阶部19的实施例。
在图7A和图7B中，凸起部15a简单地设置在喇叭管15上，但由于设置了凸起部15a，在凸起部15a的高度方向(Z方向)上产生了振幅分量(amplitude component)，并且凸起部15a发生变形，以变得扭曲(参见图7B)，从而存在超声波振动不能均匀地传输到半导体芯片52的问题。
如图6B所示，通过在凸起部15a的侧壁上设置台阶部19，产生了如下效果：扭曲被台阶部19吸收，并且减小了凸起部15a的整体扭曲。
图8显示了在喇叭管15和超声波振动器17的连接处插有间隔器27的实施例。
对于该间隔器27使用这样的材料：其具有介于由金属制成的超声波振动器17的振动传播速度和由陶瓷制成的喇叭管15的振动传播速度之间的中等大小的振动传播速度。
例如，使用钛合金作为超声波振动器17，使用陶瓷作为间隔器27，且使用氧化铝作为喇叭管15。
当超声波振动器17由金属制成且喇叭管15由陶瓷制成时，就会由于这些材料而导致振动传播速度的巨大差异，从而存在超声波振动在超声波振动器17和喇叭管15的交界处受到反射而降低超声波传输率的危险；但是，这个问题可以通过插入间隔器27而得到解决，该间隔器27相对于上述两部分具有中等振动传播速度。
图9显示了在用于连接喇叭管15的超声波振动器17的外螺纹17a的表面上形成有一涂层的实施例，其中该涂层由诸如铜或焊料的软金属材料构成。
通过将外螺纹17a旋入喇叭管15的内螺纹(未示出)来结合超声波振动器17；并且，当不同材料被螺纹连接到一起时，通过在外螺纹17a的表面上设置软金属材料的涂层，填充上述两部分之间的间隙，并且能连接不同材料以达到彼此的良好配合。
图10显示了另一实施例。
在此实施例中，采用具有两个凸起部15a和15b的元件作为喇叭管15，其中所述两个凸起部15a和15b对应于由于超声波振动而沿相同方向振动且间隔一个波长的最大振幅点P。
通过将基板50放置在平台13上、将半导体芯片52放置在基板50上、在喇叭管15的两个凸起部15a和15b之间插入半导体芯片52、以及从两个凸起部15a和15b施加超声波振动，将半导体芯片52接合至基板50。
这里，半导体芯片52的背面被设定为不接触喇叭管15。由于压缩波的传播使凸起部15a、15b同步振动(即，同相位)，所以没有破坏半导体芯片52的危险。
此外，由于半导体芯片52被插在互相间隔不是半波长而是一个波长的两个凸起部15a、15b之间，所以能进行大的半导体芯片的安装。喇叭管15的材料不限于陶瓷，可以使用金属喇叭管。
在图11所示的实施例中，在图10中所示凸起部15a、15b的彼此面对的侧壁处形成倾斜表面28，半导体芯片52被放置在两个凸起部15a、15b之间，以插在倾斜表面28之间。这样就可以在以预定压力经由倾斜表面28将半导体芯片52压到基板50上时施加超声波。应注意：可以形成能与半导体芯片52的边缘部分啮合的台阶部(未示出)来代替倾斜表面28，半导体芯片52插在两个凸起部15a、15b之间，从而边缘部分与台阶部啮合，并且在半导体芯片52受到台阶表面挤压的同时，施加超声波。
在图12所示的实施例中，半导体芯片52经由弹性体29插在图10所示的凸起部15a、15b之间。超声波能经由弹性体29从凸起部15a、15b施加到半导体芯片52。
图13显示了这样的结构：代替从喇叭管施加超声波，超声波振动器17连接到平台13，并且超声波振动被施加到放置在平台13上的基板50，以接合半导体芯片52。
在该实施例中，在平台13中形成两个凸起部13a、13b，所述凸起部13a、13b与最大振幅点P对应，所述最大振幅点P相隔一个波长且由于超声波振动而沿相同方向振动。
将基板50放置在平台13上，以使该基板50插在两个凸起部13a、13b之间，将半导体芯片52放置在基板50上；并且，当半导体芯片52通过适当的压制机构(未示出)进行挤压时，超声波振动从两个凸起部13a、13b施加到基板50，以将半导体芯片52接合到基板50上。
在图14所示的实施例中，在图13中所示凸起部13a、13b的彼此面对的侧壁处形成倾斜表面28，基板50被放置在两个凸起部13a、13b之间，以插在倾斜表面28之间。因此，可以经由倾斜表面28施加超声波至基板50。应注意：可以形成能与基板50的边缘部分啮合的台阶部(未示出)来代替倾斜表面28，基板50插在两个凸起部13a、13b之间，从而边缘部分与台阶部啮合。
在图15所示的实施例中，基板50经由弹性体29插在图13所示的凸起部13a、13b之间。超声波能经由弹性体29从凸起部13a、13b施加到基板50。

Claims (10)

1.一种超声波安装设备，包括用于传播超声波振动器的超声波振动的喇叭管，该超声波安装设备通过将半导体芯片置于与该喇叭管的凸起部接触的位置并施加超声波，使该半导体芯片接合至基板，该喇叭管由具有比金属更高的振动传播速度的陶瓷形成，其中在该超声波振动器和该喇叭管之间的连接处插有一间隔器，该间隔器由具有中等大小的振动传播速度的材料构成，所述中等大小的振动传播速度介于由金属制成的该超声波振动器的振动传播速度和由陶瓷制成的该喇叭管的振动传播速度之间。
2.根据权利要求1所述的超声波安装设备，其中在该超声波振动器上形成有用于连接至该喇叭管的外螺纹，并且在该外螺纹上形成有涂层，该涂层由软金属材料构成。
3.根据权利要求2所述的超声波安装设备，其中所述软金属材料为铜或焊料。
4.一种超声波安装方法，其使用超声波安装设备将半导体芯片超声地接合到基板；该超声波安装设备包括：传播超声波振动器的超声波振动的喇叭管、在该喇叭管上对应最大振幅点形成的两个凸起部；所述最大振幅点相隔一个波长并由于该超声波振动而沿相同方向振动；该方法包括下述步骤：
将该基板放置在平台上；
将该半导体芯片放置在该基板上；以及
将该半导体芯片插在该喇叭管的两个凸起部之间，并且从所述两个凸起部施加超声波振动，以使该半导体芯片接合至该基板。
5.根据权利要求4所述的超声波安装方法，其中在所述两个凸起部的互相面对的侧壁上形成能与该半导体芯片的边缘部分啮合的台阶部，该半导体芯片插在所述两个凸起部之间，以便所述边缘部分与所述台阶部啮合，并且在该半导体芯片受到所述台阶部的表面挤压的同时施加超声波。
6.根据权利要求4所述的超声波安装方法，其中该半导体芯片经由弹性体插在所述两个凸起部之间。
7.一种超声波安装方法，其使用超声波安装设备将半导体芯片超声地接合到基板；该超声波安装设备包括：传播超声波振动器的超声波振动的平台、在该平台上对应最大振幅点形成的两个凸起部；所述最大振幅点相隔一个波长并由于该超声波振动而沿相同方向振动；该方法包括下述步骤：
将该基板放置在该平台上，以将该基板插在所述两个凸起部之间；
将该半导体芯片放置在该基板上；以及
在该半导体芯片受到压制机构挤压的同时，从所述两个凸起部施加超声波振动至该基板，以使该半导体芯片接合至该基板。
8.根据权利要求7所述的超声波安装方法，其中在所述两个凸起部的互相面对的侧壁上形成能与该基板的边缘部分啮合的台阶部，并且该基板插在所述两个凸起部之间，以便所述边缘部分与所述台阶部啮合。
9.根据权利要求7所述的超声波安装方法，其中所述两个凸起部的互相面对的侧壁形成为倾斜表面，并且该基板被放置在所述两个凸起部之间，以使该基板插在所述倾斜表面之间。
10.根据权利要求7所述的超声波安装方法，其中该基板经由弹性体插在所述两个凸起部之间。
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