CN100436645C - 铜或铜合金的蚀刻溶液以及使用该溶液的电子基板的制法 - Google Patents

铜或铜合金的蚀刻溶液以及使用该溶液的电子基板的制法 Download PDF

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Abstract

提供一种能制造侧面蚀刻少、抑制铜配线的上部变细而且没有短路的电子基板的铜或铜合金的蚀刻溶液以及使用该溶液的电子基板的制造方法。是按规定的形状在电绝缘基材(1)上形成的铜层(2a)上进行蚀刻并形成铜配线(2c)的电子基板的制造方法，主蚀刻后，通过含有(a)铜的氧化剂1～50克/升和、(b)盐酸1～200克/升以及或者有机酸1～400克/升和、(c)选自聚亚烷基二醇、以及聚胺和聚亚烷基二醇的共聚物中的至少一种聚合物0.01～50克/升的水溶液除去铜配线(2b)的底部残存的应除去的铜(A)。

Description

铜或铜合金的蚀刻溶液以及使用该溶液的电子基板的制法
技术领域
本发明涉及能制造侧面蚀刻少、抑制铜配线的上部变细而且没有短路的电子基板的铜或铜合金的蚀刻溶液以及使用该溶液的电子基板的制造方法。
背景技术
电子基板的铜配线的形成法有各种方法，多采用如下的方法，如图2(a)～(c)所示，含浸环氧树脂的玻璃纤维基板、含浸环氧树脂的芳族聚酰胺纤维基板、陶瓷基板等电绝缘基材1的表面形成的铜层2a的表面上形成所期望形状的蚀刻保护层后，通过蚀刻铜层2a形成铜配线的方法(消去法)。
但是，在上述方法中，如图2(b)的A所示，铜配线2b底部部分的基材1表面容易残留铜(也称为根残)，有铜配线2b产生短路的危险。为了避开短路还继续蚀刻时，如图2(c)所示，有铜配线2c’变细的问题。该现象被称为侧面蚀刻。该现象在铜配线2c’的上部(蚀刻保护层附近部分)特别明显。铜配线2c’变细时，接地面积也变小，实际安装电子部件时，容易产生实际安装不良的现象。
下述特许文献1中提出将含有氯化铜100～300克/升、盐酸50～100克/升、2-氨基苯并噻唑系化合物0.05～0.2重量％以及聚乙二醇0.02～0.2重量％的蚀刻溶液作为侧面蚀刻少的蚀刻溶液。
特许文献1：特开平6-57453号公报
发明内容
可是，因为近年来随着铜配线的细线化的进展，配线间隔明显变窄，越来越担心短路，所以寻求具有更高信赖性的铜配线的形成法。
本发明其目的在于：为了解决上述以前的问题，提供能制造侧面蚀刻少、抑制铜配线的上部变细而且没有短路的电子基板的铜或铜合金的蚀刻溶液以及使用该溶液的电子基板的制造方法。
为了达到上述目的，本发明的铜或铜金属蚀刻溶液其特征在于：是由含有
(a)铜的氧化剂1～50克/升和、
(b)盐酸1～200克/升以及或者有机酸1～400克/升和、
(c)选自聚亚烷基二醇、以及聚胺和聚亚烷基二醇的共聚物中的至少一种聚合物0.01～50克/升的水溶液构成。
接着，电子基板的制造方法，其特征在于：是按规定的形状在电绝缘基材上形成的铜层上进行蚀刻并形成铜配线的电子基板的制造方法，主蚀刻后，通过含有
(a)铜的氧化剂1～50克/升和、
(b)盐酸1～200克/升以及或者有机酸1～400克/升和、
(c)选自聚亚烷基二醇、以及聚胺和聚亚烷基二醇的共聚物中的至少一种聚合物0.01～50克/升的水溶液除去铜配线的底部残存的应除去的铜。
如以上所说明的那样，主蚀刻后，通过使用特定的蚀刻溶液除去残存于铜配线底部的铜，能制造侧面蚀刻少、抑制铜配线的上部变细而且没有短路的电子基板。
附图说明
图1(a)～(c)是表示本发明一实施例的蚀刻方法的电子基板的截面图。
图2(a)～(c)是表示原有的蚀刻方法的电子基板的截面图。
符号说明：电绝缘基板；2a铜层；2b，2c，2c’铜配线；3保护层；A残存于底部的铜。
具体实施方式
就本发明的蚀刻溶液来说明。
(a)关于铜的氧化剂
作为铜的氧化剂，列举例如铜离子、铁离子。铜离子的情况下，配合氯化铜(II)、溴化铜(II)、氢氧化铜(II)等，溶液中可以产生铜离子。铁离子的情况，配合氯化铁(III)、溴化铁(III)、碘化铁(III)、硫酸铁(III)、硝酸铁(III)、乙酸铁(III)等，溶液中也可以产生的铁离子。从铜配线的底部残存的铜的除去性的观点考虑，氧化剂的浓度优选1克/升；从不产生铜配线的底部残存的铜的观点考虑，优选50克/升以下、特别优选45克/升以下。铜离子的情况更优选3～40克/升，铁离子的情况更优选5～30克/升。
(b)关于选自盐酸以及有机酸的至少一种酸
作为有机酸列举甲酸、乙酸、丙酸、丁酸、戊酸、已酸等饱和脂肪酸、丙烯酸、巴豆酸、异巴豆酸等不饱和脂肪酸、乙二酸、丙二酸、琥珀酸、戊二酸、已二酸、庚二酸等脂肪族饱和二羧酸、马来酸等脂肪族不饱和二羧酸、苯甲酸、苯二甲酸、肉桂酸等芳香族羧酸、乙二酸、乳酸、苹果酸、柠檬酸等含氧羧酸、磺酸、β-氯丙酸、烟酸、抗坏血酸、羟基酸(ヒドロキシピバリン酸)、乙酰丙酸等具有取代基的羧酸等。
作为酸，盐酸因为在短时间内能除去残存于铜配线底部的铜而优选。使用盐酸时的浓度，从残存于铜配线底部的铜的除去性的观点考虑，优选1克/升以上；从难以产生侧面蚀刻的观点考虑，优选200克/升以下。更优选10～120克/升。
使用有机酸时的浓度，从残存于铜配线底部的铜的除去性的观点考虑，优选1克/升以上；从难以产生侧面蚀刻的观点考虑，优选400克/升以下。更优选10～300克/升。
(c)关于选自聚亚烷基二醇、聚胺和聚亚烷基二醇的共聚物中的至少一种聚合物
作为聚亚烷基二醇，列举聚乙二醇、聚丙二醇、氧化乙烯·氧化丙烯共聚物等。
聚胺和聚亚烷基二醇的共聚物有如上述的聚亚烷基二醇和聚胺的共聚物。作为聚胺，列举乙二胺、二亚乙基三胺、三亚乙基四胺、四亚乙基五胺、五亚乙基六胺、N-乙基亚乙基二胺等乙二胺类等。
c成份的聚合物的分子量，从残存于铜配线中部的铜的除去性或溶解性的观点考虑，平均分子量优选400～30000，更优选900～10000。
作为本发明中的c成份，特别优选乙二胺使环氧乙烯和环氧丙烷聚合的平均分子量3000～7000的共聚物。上述聚合物也可以使用作为非离子表面活性剂市售的物质。
上述聚合物的浓度，从残存于铜配线的铜的除去性的观点考虑，优选0.01克/升以上；从使铜配线和蚀刻保护层的密封性不降低的观点考虑，优选50克/升以下。更优选0.1～2克/升的范围。
本发明的蚀刻溶液中还可以适当配合其它成份。作为其它成份，例如列举抑制喷雾处理等时起泡的消泡剂等。
本发明的蚀刻溶液能通过使上述的各成份溶解于水容易调制而成。作为上述水，优选离子交换水、纯水、超纯水等除去离子性物质或不纯物的水。
本发明的蚀刻溶液的详细作用并不清楚，其特征在于：与通常的蚀刻溶液不同，容易侵蚀与电绝缘基材连接的部分的铜。因此，对除去残存于铜配线底部的铜是有用的。
下面，说明关于电子基板的制造方法。
首先，如图1(a)所示，将铜层2a贴在电绝缘基材1的表面，在铜层2a的表面形成对应于所期望的铜配线形状的蚀刻保护层3。作为电绝缘基材1，列举环氧树脂、粘胶马来酸酐缩亚胺·三氮杂苯树脂、氟树脂、聚酰亚胺、聚亚苯基醚、液晶聚合物等树脂基材或陶瓷基材等。上述树脂基材也可以用玻璃纤维、芳族聚酰胺纤维等强化。铜层2也可用镀层法、飞溅涂层法等形成。另外，在铜层2a表面涂布电绝缘基材1的树脂并硬化后，在铜层2a的其它表面也可以形成对应于所期望的铜配线形状的蚀刻保护层3。
接着，通过喷涂以氯化铁、氯化铜等为主成份的蚀刻溶液作为主蚀刻来蚀刻铜层2a(图1(b))。本详细说明书中所说的主蚀刻是指如图1(b)所示的那样、铜配线2b底部A的除去是不充分的、除此之外的铜层约是目的形状的铜配线2b的蚀刻。这时，如果只用主蚀刻除去铜的原有方法，包括唯恐发生图1(b)的A所示的短路的部分也发生蚀刻，但是在本发明中残留该部分停止主蚀刻。
接着，通过喷涂本发明的蚀刻溶液或通过浸入到本发明的蚀刻溶液中，除去残存于铜配线底部的图1(b)的A所示部分的铜，形成线中部广阔的铜配线2c(图1(c))。利用本发明的蚀刻溶液的处理时间由应除去铜的多少、铜配线的形状等适当调整。
如以上的那样，主蚀刻后，使用本发明的蚀刻溶液除去残存于铜配线底部的铜时，能制造侧面蚀刻少、抑制铜配线的上部变细而且没有短路的电子基板。
以下，利用实施例更具体地说明。
准备电绝缘基材的两面贴有厚18μm的铜箔的玻璃布基材环氧树脂含浸铜张层积板。接着，将该板浸入到钯胶态溶液中并附与镀层催化剂后，进行无电解铜镀层，形成厚1μm的无电解镀层。接着，使用硫酸铜浴进行电解铜镀层，形成厚25μm的电解铜镀层。
接着，抛光研磨电解铜镀层表面后，层压干膜保护层。接着，通过遮光模露出紫外线，显影并形成铜配线宽/配线间隔(L/S)为70/70μm的保护模型。
接着，由含有氯化铜300克/升以及盐酸100克/升的水溶液构成的铜蚀刻溶液，在液温40度、喷涂压0.05MPa的条件下蚀刻150秒。
接着，表1～2所示组成的蚀刻溶液，液温25度、喷涂压0.05MPa的条件下，喷涂表1～2所示的时间，除去残存于铜配线底部的铜。另外，表1～2所示的铁离子浓度通过添加39重量％的氯化铁水溶液调制而成。另外，铜离子浓度通过添加氯化铜调制而成。
接着，浸入到干膜保护层剥离液中并剥离干膜保护层。
通过扫描电子显微镜用1500倍以及3500倍观察得到的电子基板，调查有无残存于铜配线底部的铜(图1(b)的A)。O表示充分除去上述A的部分，V表示残留少许上述A的部分，×表示残留有上述A的部分。另外，通过光学显微镜以400倍的倍率摄影得到的铜配线上部的线宽，通过计测得到的画像来求得。结果如表1～2所示。
表1
  实验号 组成(克/升)   处理时间(秒)   残存的铜   上部的配线宽(μm)
  实施例1   盐酸                       110铁离子                       13铜离子                       8乙二胺PO加成物(平均分子量900)0.1 40 O 33.3
  离子交换水                        余量
  实施例2   盐酸                              110铁离子                            13铜离子                            8乙二胺EO·PO加成物(平均分子量5000)0.1离子交换水                        余量 60 O 32.9
  实施例3   盐酸                              70铁离子                            7铜离子                            4乙二胺EO·PO加成物(平均分子量3500)0.3离子交换水                        余量 15 O 36.7
  实施例4   盐酸                              70铁离子                            13铜离子                            8乙二胺EO·PO加成物(平均分子量7000)0.6离子交换水                        余量 15 O 34.6
  实施例5   盐酸                              70铁离子                            26铜离子                            16乙二胺EO·PO加成物(平均分子量6300)0.6离子交换水                        余量 15 O 33.5
  实施例6   盐酸                              18铁离子                            13铜离子                            8乙二胺EO·PO加成物(平均分子量6300)0.6离子交换水                        余量 15 O 37.3
  实施例7   盐酸                              70铁离子                            13铜离子                            8乙二胺EO·PO加成物(平均分子量6300)1.8离子交换水                        余量 15 O 35.2
  实施例8   盐酸                              35铁离子                            7乙二胺EO·PO加成物(平均分子量6300)1.2离子交换水                        余量 15 O 36.4
(备考)EO表示环氧乙烷、PO表示环氧丙烷
表2
  实验号 组成(克/升)   处理时间(秒)   残存的铜   上部的配线宽(μm)
  实   盐酸          70
  施例9   铜离子                            8乙二胺EO·PO加成物(平均分子量6300)1.2离子交换水                        余量   60   O   34.2
  实施例10   盐酸                              70铁离子                            13铜离子                            8乙二胺EO·PO加成物(平均分子量2000)0.6离子交换水                        余量 30 O 33.0
  实施例11   甲酸                              35铁离子                            13铜离子                            8乙二胺EO·PO加成物(平均分子量6300)1.2离子交换水                        余量 120 O 35.1
  实施例12   盐酸                              35铁离子                            6铜离子                            4乙二胺EO·PO加成物(平均分子量6300)0.01离子交换水                        余量 60 O 34.5
  实施例13   甲酸                              400铁离子                            13乙二胺EO·PO加成物(平均分子量6300)0.6离子交换水                        余量 30 O 33.3
  实施例14   盐酸                              200铁离子                            1乙二胺EO·PO加成物(平均分子量6300)0.6离子交换水                        余量 200 O 31.2
  实施例15   盐酸                              1铜离子                            50乙二胺EO·PO加成物(平均分子量6300)1离子交换水                        余量 60 O 35
  实施例16   甲酸                              1铜离子                            50乙二胺EO·PO加成物(平均分子量6300)1离子交换水                        余量 90 O 34.1
  实施例17   盐酸                              35铁离子                            6乙二胺PO加成物(平均分子量900)     50离子交换水                        余量 60 O 34.5
  实施例18   乙酸                              100铁离子                            6乙二胺EO·PO加成物(平均分子量6300)0.8离子交换水                        余量 30 O 35.5
(备考)EO表示环氧乙烷、PO表示环氧丙烷
 实验号 组成(克/升)   处理时间(秒)   残存的铜   上部的配线宽(μm)
 比较例1   -   -   ×   38.2
 比较例2   盐酸                    110铁离子                  13铜离子                  8离子交换水              余量 60 × 25.1
 比较例3   甲酸                    110铁离子                  13铜离子                  8乙二胺PO加成物(平均分子量200)1离子交换水              余量 20 × 35.1
 比较例4   盐酸                    90铜离子                  120聚乙二醇(平均分子量4000)52-氨基苯并噻唑          1离子交换水              余量 10 × 33.2
(备用)EO表示环氧乙烷、PO表示环氧丙烷

Claims (4)

1.铜或铜合金的蚀刻溶液，其特征在于：是由含有
(a)铜的氧化剂1～50克/升和、
(b)盐酸1～200克/升以及/或者有机酸1～400克/升和、
(c)分子量为400～30000的在乙二胺中加成聚亚烷基二醇而得的加成物0.01～50克/升的水溶液构成的。
2.根据权利要求1所述的铜或铜合金的蚀刻溶液，其特征在于：铜的氧化剂是选自铜离子以及铁离子的至少一种离子、其浓度为1～45克/升。
3.电子基板的制造方法，其特征在于：是按规定的形状在电绝缘基材上形成的铜层上进行蚀刻并形成铜配线的电子基板的制造方法，主蚀刻后，通过含有
(a)铜的氧化剂1～50克/升和、
(b)盐酸1～200克/升以及/或者有机酸1～400克/升和、
(c)分子量为400～30000的在乙二胺中加成聚亚烷基二醇而得的加成物0.01～50克/升的水溶液除去铜配线的底部残存的应除去的铜。
4.根据权利要求3所述的电子基板的制造方法，其特征在于：铜的氧化剂是选自铜离子以及铁离子的至少一种离子、其浓度为1～45克/升。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101949014A (zh) * 2009-07-09 2011-01-19 株式会社Adeka 含铜材料用蚀刻剂组合物及含铜材料的蚀刻方法

Families Citing this family (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4916455B2 (ja) * 2008-01-15 2012-04-11 株式会社Ａｄｅｋａ 銅含有材料用エッチング剤組成物
CN101910468B (zh) * 2008-01-15 2013-05-29 三菱制纸株式会社 用于铜或铜合金的蚀刻液、蚀刻前处理液及蚀刻方法
CN101952484B (zh) * 2008-02-12 2014-05-07 三菱制纸株式会社 蚀刻方法
JP4521460B2 (ja) * 2008-02-20 2010-08-11 メック株式会社 エッチング液及びこれを用いた銅配線の形成方法
WO2010071078A1 (ja) * 2008-12-17 2010-06-24 三菱製紙株式会社 銅または銅合金用のエッチング液、エッチング方法及びエッチング液の再生管理方法
CN101481616B (zh) * 2009-02-05 2013-07-10 广州市和携化工科技有限公司 金属及金属氧化物蚀刻油墨及其制备方法与应用
EP2415849A4 (en) 2009-03-30 2014-12-17 Toray Industries CONDUCTIVE FILM ELIMINATING AGENT AND METHOD FOR REMOVING CONDUCTIVE FILM
JP5443863B2 (ja) * 2009-07-09 2014-03-19 株式会社Ａｄｅｋａ 銅含有材料用エッチング剤組成物及び銅含有材料のエッチング方法
JP2011017052A (ja) * 2009-07-09 2011-01-27 Adeka Corp 銅含有材料のウエットエッチングシステム及びパターニング方法
JP5561761B2 (ja) * 2009-11-26 2014-07-30 株式会社Ｕａｃｊ製箔 フレキシブルプリント配線板の製造方法
WO2011102238A1 (ja) 2010-02-22 2011-08-25 Jx日鉱日石金属株式会社 フレキシブルラミネート基板への回路形成方法
JP6101421B2 (ja) 2010-08-16 2017-03-22 インテグリス・インコーポレーテッド 銅または銅合金用エッチング液
CN103222349A (zh) 2010-11-12 2013-07-24 吉坤日矿日石金属株式会社 柔性层压基板上的电路形成方法
KR101922625B1 (ko) 2012-07-03 2018-11-28 삼성디스플레이 주식회사 금속 배선 식각액 및 이를 이용한 금속 배선 형성 방법
CN105143515B (zh) * 2013-04-16 2019-03-08 Mec股份有限公司 蚀刻液及线路形成方法
JP6417556B2 (ja) * 2014-03-28 2018-11-07 メック株式会社 配線形成方法及びエッチング液
CN104294273B (zh) * 2014-11-08 2016-09-21 汕头超声印制板（二厂）有限公司 一种无毒剥金液及其应用于印制电路板检测的方法
JP6000420B1 (ja) 2015-08-31 2016-09-28 メック株式会社 エッチング液、補給液及び銅配線の形成方法
JP6218000B2 (ja) 2016-02-19 2017-10-25 メック株式会社 銅のマイクロエッチング剤および配線基板の製造方法
KR101776055B1 (ko) 2016-12-21 2017-09-19 와이엠티 주식회사 터치패널용 식각조성물 및 터치패널의 식각방법
KR102598530B1 (ko) * 2018-01-05 2023-11-06 가부시키가이샤 아데카 조성물 및 에칭 방법
CN109954888B (zh) * 2019-04-10 2021-10-26 延边大学 一种三角片形状的单质铜纳米片及其制备方法
WO2020261995A1 (ja) * 2019-06-28 2020-12-30 株式会社Adeka 組成物及びエッチング方法
JP7274221B2 (ja) * 2020-11-11 2023-05-16 メック株式会社 エッチング剤及び回路基板の製造方法

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4965035A (en) * 1986-08-13 1990-10-23 Showa Denko Kabushiki Kaisha Method of preforming a cover member of a can-shaped container
JPH0657453A (ja) * 1992-08-07 1994-03-01 Asahi Kagaku Kogyo Kk 銅または銅合金のエッチング用組成物およびそのエッチング方法
JPH0657452A (ja) * 1992-08-07 1994-03-01 Asahi Kagaku Kogyo Kk 銅または銅合金のエッチング用組成物
JPH06287774A (ja) * 1993-04-05 1994-10-11 Metsuku Kk 銅および銅合金の表面処理剤
JPH1030194A (ja) * 1996-07-16 1998-02-03 Nec Toyama Ltd 銅及び銅合金の表面処理剤
CN1249360A (zh) * 1997-01-29 2000-04-05 美克株式会社 铜和铜合金的微浸蚀剂

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4965035A (en) * 1986-08-13 1990-10-23 Showa Denko Kabushiki Kaisha Method of preforming a cover member of a can-shaped container
JPH0657453A (ja) * 1992-08-07 1994-03-01 Asahi Kagaku Kogyo Kk 銅または銅合金のエッチング用組成物およびそのエッチング方法
JPH0657452A (ja) * 1992-08-07 1994-03-01 Asahi Kagaku Kogyo Kk 銅または銅合金のエッチング用組成物
JPH06287774A (ja) * 1993-04-05 1994-10-11 Metsuku Kk 銅および銅合金の表面処理剤
JPH1030194A (ja) * 1996-07-16 1998-02-03 Nec Toyama Ltd 銅及び銅合金の表面処理剤
CN1249360A (zh) * 1997-01-29 2000-04-05 美克株式会社 铜和铜合金的微浸蚀剂

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101949014A (zh) * 2009-07-09 2011-01-19 株式会社Adeka 含铜材料用蚀刻剂组合物及含铜材料的蚀刻方法
CN101949014B (zh) * 2009-07-09 2013-07-24 株式会社Adeka 含铜材料用蚀刻剂组合物及含铜材料的蚀刻方法

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