CN105143515B - 蚀刻液及线路形成方法 - Google Patents

Abstract

本发明涉及可抑制铜线路图案的侧蚀的铜的蚀刻液、其补充液及线路形成方法。铜的蚀刻液包括包含铜离子、卤化物离子及非离子性界面活性剂的酸性水溶液，所述非离子性界面活性剂的浊点为15～55℃。根据本发明的线路形成方法，通过将所述蚀刻液依序接触铜层(3)及金属氧化物层(2)，可形成包含经图案化的金属氧化物层(9)及铜线路图案(7)的叠层线路图案(10)。

Description

蚀刻液及线路形成方法

技术领域

本发明涉及一种铜的蚀刻液、其补充液、及线路形成方法。

背景技术

于电子机器中所使用的触摸屏式的显示设备等，具有显示的区域和设置在所述显示区域周围的边框区域。所述边框区域中，为了连接检出触摸位置的电路，而形成从显示区域拉出的复数线路。

形成所述边框区域的线路的方法，例如下述专利文献1所揭露的，在包含金属氧化物的电极层的上面涂布银浆(silver paste)来形成线路的方法。但是，近来为了因应智能型手机及平板终端(tablet terminator)等小型且要求高性能的终端显示设备，要求降低线路材料的电阻值。在此，检讨使用比银浆电阻低的铜为线路材料。

使用铜为线路材料来形成所述边框区域的线路的方法，检讨在包含金属氧化物的电极层上形成铜层，依序执行所述铜层的图案化与所述电极层的图案化的方法。此方法中，首先，使用溶解铜的蚀刻液对电极层上的铜层蚀刻形成铜线路图案后，使用不溶解铜而溶解金属氧化物的蚀刻液，来蚀刻在铜线路图案间露出的电极层(金属氧化物层)，而形成包含图案化的电极层及铜线路图案的叠层线路图案的方法。

然而，所述的方法中，除在铜层的蚀刻使用的蚀刻液，与在电极层的蚀刻使用的蚀刻液的2种蚀刻液，必须加以管理外，而且蚀刻工序有分成2次的必要，故难以提升生产性。

另外检讨在包含金属氧化物的电极层上形成铜层，使用可蚀刻铜及金属氧化物两者的蚀刻液，在同一蚀刻槽内进行铜线路图案的形成，及于所述铜线路图案间露出的金属氧化物的蚀刻的方法(以下称为“一起蚀刻”)。使用所述一起蚀刻的情况，因铜线路图案的形成与金属氧化物的蚀刻以同一蚀刻液进行，在溶液管理上，因为是在同一蚀刻槽内进行，可提升生产性。

[现有技术文献]

[专利文献]

专利文献1：日本特开2008-77332号公报

发明内容

[发明所要解决的问题]

但是，于使用所述一起蚀刻的情况，在蚀刻铜线路图案间的金属氧化物时，铜线路图案会被腐蚀，而会有产生铜线路图案的侧面的铜线路被除去的所谓“侧蚀”(sideetching)的现象的情况。

[解决问题的技术手段]

本发明鉴于所述现有技术的问题点，提供可抑制铜线路侧蚀的铜的蚀刻液与其补充液，及线路形成方法。

本发明的铜的蚀刻液包括包含铜离子、卤化物离子和非离子性界面活性剂的酸性水溶液。本发明的铜的蚀刻液的所述非离子性界面活性剂的浊点(cloud point)为15～55℃。

本发明的补充液为连续或重复使用所述本发明的蚀刻液时添加到所述蚀刻液中的补充液，为包括包含卤化物离子和非离子表面活性剂的酸性水溶液。本发明的补充液的所述非离子性界面活性剂的浊点为15～55℃。

本发明的线路形成方法包含：通过使所述本发明的蚀刻液接触在基材上依序叠层有金属氧化物层及铜层的叠层板的所述铜层的一部分，而蚀刻所述铜层的一部分，以形成铜线路图案的工序；与通过使本发明的蚀刻液接触所述金属氧化物层的未叠层所述铜线路图案的部分，而蚀刻所述金属氧化物层的所述部分，以形成包含经图案化的金属氧化物层及所述铜线路图案的叠层线路图案的工序。于本发明的线路形成方法中，所述金属氧化物层包含从锌、锡、铝、铟和镓所组成的群组中所选出的一种以上的金属的氧化物。

又，本发明的“铜层”可以为仅由铜所构成的层，也可以为包括包含铜与其他金属的铜合金的层。再者，于本发明中，“铜”意指铜或铜合金。

再者，本发明中的“浊点”为以JIS K 2269为标准，将测定对象的非离子性界面活性剂的1重量％水溶液作为试料使用所测定的物性值。又，在浊点为49℃以上的非离子性界面活性剂的情况，以保持试料在比预期浊点高2～3℃的温度的状态依JIS K 2269的标准来测定。

[发明的效果]

依据本发明，可以提供可抑制铜线路图案侧蚀的铜的蚀刻液、其补充液及线路形成方法。

附图说明

图1(a)～(c)为示意显示本发明的线路形成方法的一个实施形态的各工序的剖面图。

具体实施方式

(蚀刻液)

以下说明有关本发明的铜的蚀刻液所包含的各成分。又，如后述，本发明的蚀刻液不仅是铜，也可蚀刻用于铜的防锈等的罩盖金属(cap metal)与金属氧化物。

(铜离子)

于本发明的蚀刻液中使用的铜离子，作为氧化金属铜的成分来调配。铜离子可通过藉调配铜离子源，能被包含在蚀刻液中。作为铜离子源，例如可从氯化铜、硫酸铜、溴化铜、有机酸的铜盐及氢氧化铜选出一种以上。

所述铜离子浓度优选为0.01～5重量％，更优选为0.1～1重量％，又更优选为0.2～0.7重量％。所述浓度若在0.01重量％以上，则因为蚀刻速度快，可迅速蚀刻铜。再者，所述浓度若在5重量％以下，则可维持铜的溶解稳定性。又，为了通过抑制铜线路图案侧面的剥落而提升铜线路图案的直线性，所述浓度优选为0.2～0.7重量％。

(卤化物离子)

本发明的蚀刻液所使用的卤化物离子，为作为促进铜蚀刻的成分而调配。再者，卤化物离子，在对铜与金属氧化物并存的蚀刻对象物蚀刻的情况，也具有作为除去金属氧化物的成分的功能。卤化物离子，例如可以由氟化物离子、氯化物离子、溴化物离子及碘化物离子选出一种以上，从铜的蚀刻性，及操作性的观点，优选为氯化物离子、溴化物离子，更优选为氯化物离子。卤化物离子，例如通过将盐酸、氢溴酸等的酸、或氯化钠、氯化铵、氯化钙、氯化钾、溴化钾、氟化钠、碘化钾、氯化铜、溴化铜等的盐等作为卤化物离子源来调配，可包含在蚀刻液中。又，例如氯化铜，溴化铜，可以当作具有与卤化物离子源和铜离子源两边的作用者来使用。

所述蚀刻液中的卤化物离子的浓度优选为1～36重量％，更优选为5～25重量％，又更优选为10～20重量％。所述浓度若在1重量％以上，则可提升铜的蚀刻性。再者，所述浓度若在36重量％以下，则可以防止于蚀刻液中的卤化物的析出。又，为了通过抑制铜线路图案的侧面的剥落而提升铜线路图案的直线性，所述浓度优选为10～20重量％。再者，于蚀刻铜与金属氧化物并存的蚀刻对象物的情形，卤化物离子浓度若在所述范围内，则除了铜的蚀刻性外，有提升金属氧化物的蚀刻性的倾向。

(非离子性界面活性剂)

本发明的蚀刻液，为了抑制铜线路图案的侧蚀而调配浊点为15～55℃的一种以上的非离子性界面活性剂。可使用的非离子性界面活性剂只要浊点为15～55℃则没有特别限制，但可以在聚烷撑二醇衍生物(polyalkylene glycol derivative)、聚氧化烯烷基醚(polyoxyalkylene alkyl ether)、聚氧化烯烷基苯基醚(polyoxyalkylene alkylphenylether)、聚氧乙烯聚氧丙烯嵌段共聚物(polyoxyethylene polyoxypropylene blockcopolymer)、聚氧乙烯聚氧丙烯甘油醚(polyoxyethylene polyoxypropylene glycerylether)、聚氧化烯脂肪酸单酯(polyoxyalkylene fatty acid monoester)、聚氧化烯脂肪酸二酯(polyoxyalkylene fatty acid diester)、山梨糖醇高级脂肪酸酯(sorbitolhigher fatty acid ester)、甘油高级脂肪酸酯(glycerin higher fatty acid ester)，蔗糖高级脂肪酸酯(sucrose higher fatty acid ester)等的非离子性界面活性剂中，适当选择浊点为15～55℃者。

为有效抑制铜线路图案的侧蚀，优选使用浊点为17～38℃的非离子性界面活性剂。特别是，为了藉抑制铜线路图案的侧面的剥落而提升铜配图案的直线性，优选使用浊点为17～30℃的非离子性界面活性剂。

所述蚀刻液中的非离子性界面活性剂的浓度优选为0.01～20重量％，更优选为0.05～10重量％，又更优选为0.1～5重量％。所述浓度若在0.01～20重量％范围内，则可有效抑制铜线路图案的侧蚀。又，为了通过抑制铜线路图案的侧面的剥落而提升铜线路图案的直线性，所述浓度优选为0.1～5重量％。

(酸)

本发明的蚀刻液为酸性水溶液。作为让蚀刻液呈酸性而调配的酸，没有特别限制，例如可为甲磺酸(methanesulfonic acid)、苯磺酸(benzenesulfonic acid)、对甲苯磺酸(p‐toluenesulfonic acid)、牛磺酸(taurine)等的磺酸化合物(sulfonic acidcompound)、盐酸、氢溴酸、硫酸、硝酸、氟硼酸(fluoroboric acid)、磷酸等的无机酸、甲酸、乙酸、丙酸、丁酸等的羧酸。本发明的蚀刻液可以调配这些酸的一种或二种以上。

酸的浓度以H⁺浓度而论优选为0.01～1重量％，更优选为0.1～0.7重量％，又更优选为0.15～0.55重量％。所述浓度在0.01重量％以上的情况，因为蚀刻速度迅速，可快速地蚀刻铜。再者，所述浓度在1重量％以下的情况，可维持铜的溶解稳定性。又，对铜与金属氧化物并存的蚀刻对象物蚀刻的情况，若酸浓度在所述范围内，则可提升金属氧化物的蚀刻速度。再者，从提升铜线路图案的直线性的观点而言，优选是酸浓度在所述范围内。为了让酸浓度在所述范围内，所述酸优选使用无机酸。其中，在使用盐酸、氢溴酸的情况，于调整蚀刻液为酸性的同时也能成为所述卤化物离子源，故为优选。

本发明的蚀刻液，通过将所述各成分溶解于水而轻易调制。所述的水，优选为除去离子性物质及杂质的水，例如优选为离子交换水、纯水、超纯水等。又，本发明的蚀刻液中视需要也可以添加稳定剂等的添加剂。

本发明的蚀刻液的用途并无特别限制，例如可适用于形成仅包括铜线路图案的线路图案、或包含金属氧化物线路图案及铜线路图案的叠层线路图案等时的蚀刻液。尤其是在所述一起蚀刻中，适用于形成包含金属氧化物线路图案及铜线路图案的叠层线路图案时的蚀刻液的情况，可以有效地抑制金属氧化物线路图案形成时的铜线路图案的侧蚀。

(补充液)

其次说明本发明的补充液。本发明的补充液为在连续或反复使用所述本发明的蚀刻液时，添加至所述蚀刻液中的补充液，包括包含卤化物离子及非离子性界面活性剂的酸性水溶液。为了让本发明的补充液中调配的卤化物离子、非离子性界面活性剂及蚀刻液呈酸性而调配的酸和所述本发明的蚀刻液中调配的酸相同。

藉添加所述补充液而适当保持所述蚀刻液的各成分比，而可稳定维持本发明的蚀刻液的效果。又，本发明的补充液中，也可以进一步在铜离子浓度不超过0.7重量％的范围内包含氯化铜等的铜离子源。再者，本发明的补充液中除了所述成分以外，也可以调配在蚀刻液中添加的成分。

所述补充液中各成分的浓度，虽根据蚀刻液中各成分的浓度适当设定，但从稳定维持所述本发明的蚀刻液的效果的观点而言，优选为卤化物离子的浓度为1～36重量％、非离子性界面活性剂的浓度为0.01～40重量％，酸的浓度以H⁺的浓度而论为0.01～1重量％。

(线路形成方法)

接着参照图1(a)～(c)来说明本发明的线路形成方法。图1(a)～(c)为示意显示本发明的线路形成方法的一实施形态的工序剖面图

首先，如图1(a)所示，准备包含基材1、与在基材1上依序形成的金属氧化物层2、铜层3及罩盖金属层4的叠层板100，在此一叠层板100的罩盖金属层4上形成光阻图案5。光阻图案5通常形成为线宽(L)/线距(S)＝1μm/1μm～100μm/100μm程度的图案。又叠层板也可以是在铜层上没有罩盖金属层者。于铜层上没有形成罩盖金属层的情况，在铜层上形成光阻图案。

基材1可以使用聚对苯二甲酸乙二醇酯薄膜(PET薄膜)等的树脂基材，或玻璃基材。金属氧化物层2为包含由锌、锡、铝、铟和镓所构成群组中选出的一种以上的金属的氧化物的层，在基材1上直接，或介入由SiO₂等所构成的底涂层来设置。在基材上设置金属氧化物层2的方法，例如可使用真空蒸镀、喷溅等公知方法。金属氧化物层2的厚度优选为5～200nm的程度。

构成金属氧化物层2的金属氧化物，可以为单一金属氧化物，也可以为复合金属氧化物。例如，ZnO、SnO₂、Al₂O₃、氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)，或者对于ZnO掺杂异种金属的复合金属氧化物等。作为所述于ZnO掺杂异种金属的复合金属氧化物，例如为掺杂铝的AZO，与掺杂镓的GZO等。尤其，以图案形成性的观点而言，由锌、锡及铝所构成的群组中选出的一种以上的金属的氧化物为优选，更优选为由ITO、IZO、AZO及GZO选出一种以上的金属氧化物。

所述金属氧化物虽可以为非晶质或结晶质的任一种金属氧化物，但在结晶质的情况，于导电性及耐久性的提升上较优选。在金属氧化物为结晶质的情况，以往的蚀刻液蚀刻铜比蚀刻金属氧化物更容易，故蚀刻金属氧化物时难以抑制铜线路图案7(参照图1(b))的侧蚀。如后述，依据本实施形态的线路方法，因为使用所述本发明的蚀刻液，金属氧化物即使为结晶质也可抑制铜线路图案7的侧蚀。

又，金属氧化物是否为结晶质，例如通过场发射穿透式电子显微镜(FE-TEM)来观察金属氧化物的表面而可判别。在金属氧化物为结晶质的情况，例如可以观察到多角形或长圆形状的结晶粒。于本发明中，结晶质的金属氧化物是指，通过所述场发射穿透式电子显微镜(FE-TEM)观察金属氧化物表面时所述结晶粒所占的面积比例超过50％者，优选是所述结晶粒所占的面积比例为从70％至100％的金属氧化物。

铜层3可通过例如真空蒸镀、喷溅等公知方法来形成在金属氧化物层2上。铜层3的优选厚度为20～1000nm的程度。

为了铜层3的防锈等，可视需要在铜层3上设置罩盖金属层4。作为罩盖金属层4的材质，例如为铝、钛、铬、钴、镍、锌、钼、银、及这些金属与铜的合金等。但是，铜层3为由铜合金所构成的情况，罩盖金属层4优选为与铜层3的材质不同的铜合金、或铜由以外的合金所构成者。其中，从铜层3的防锈的观点及图案形成性的观点而言，优选为镍、钼、及这些金属与铜的合金选出一种以上者。特别优选是镍/铜的重量比率为30/70～70/30的镍-铜合金。

罩盖金属层4可以包括单层，也可以包括多层。罩盖金属层4的厚度优选为5～200nm程度。罩盖金属层4的形成方法，例如为真空蒸镀、喷溅等的公知方法。

其次，让所述本发明的蚀刻液接触铜层3，形成如图1(b)所示的铜线路图案7。再者，通过让所述本发明的蚀刻液接触金属氧化物层2的未叠层铜线路图案7处(图1(b)的露出部分8)，形成图1(c)所示的金属氧化物线路图案9，而获得包含金属氧化物线路图案9、及铜线路图案7的叠层线路图案10。在铜层3上形成罩盖金属4的情况，在所述本发明的蚀刻液接触铜层3前，让所述本发明的蚀刻液接触罩盖金属层4，形成如图1(b)所示的罩盖金属线路图案6。此一情况，叠层线路图案10如图1(c)所示，在铜线路图案7上具有罩盖金属线路图案6。本实施形态中，通过使本发明的蚀刻液接触叠层板100表面的未叠层光阻图案5的区域，而获得预定形状的叠层线路图案10。

本实施形态中，通过使用所述本发明的蚀刻液形成铜线路图案7，而可抑制形成铜线路图案7时的罩盖金属线路图案6的侧蚀。再者，通过使用所述本发明的蚀刻液形成金属氧化物线路图案9，而可抑制形成金属氧化物线路图案9时的罩盖金属线路图案6及铜线路图案7的侧蚀。从而可以抑制罩盖金属线路图案6的线宽W1及铜线路图案7的线宽W2变细。

又，在形成由与铜层3不同的材质所构成的罩盖金属层4的情况，若用以往的蚀刻液蚀刻铜层3与金属氧化物层2，则恐因电腐蚀(galvanic corrosion)而进行铜线路层7的侧蚀。但是使用本发明的蚀刻液的情况，即使铜层3上形成异种金属的罩盖金属层4，也可抑制铜线路层7的侧蚀。

本发明的蚀刻液的使用方法没有特别限制，例如，在叠层板100表面的未叠层光阻图案5的区域喷洒所述蚀刻液的方法、或将设有光阻图案5的叠层板100浸渍于所述蚀刻液中的方法等。

在通过喷洒蚀刻的情况，优选为以所述蚀刻液的温度保持在30～60℃、喷洒压力0.03～0.3MPa来处理。在通过浸渍蚀刻的情况，优选为以所述蚀刻液的温度保持30～60℃来处理。

本发明的实施形态中，通过使所述蚀刻液接触叠层板100表面的未叠层光阻图案5的区域，而蚀刻罩盖金属层4并且形成罩盖金属线路图案6，并且使蚀刻液接触通过罩盖金属层4的蚀刻所形成铜层3的露出部分而蚀刻铜层3，而形成铜线路图案7。再者，使蚀刻液接触因通过铜层3的蚀刻所形成的金属氧化物层2的露出部分8，而蚀刻金属氧化物层2并且形成金属氧化物线路图案9。如前所述，本发明的蚀刻液对于铜及金属氧化物两者都有蚀刻性。因此，在铜层3被蚀刻形成铜线路图案7后，也可以继续蚀刻金属氧化物层2。即，本实施形态中，使所述本发明的蚀刻液接触铜层3，与使所述本发明的蚀刻液接触金属氧化物层2可作为连续工序来实施。

又，于本发明的实施形态中，罩盖金属层4的蚀刻处理与铜层3的蚀刻处理与金属氧化物层2的蚀刻处理，可以在同一蚀刻槽中进行，也可以在各别蚀刻槽中进行。罩盖金属层4、铜层3及金属氧化物层2若在相同蚀刻槽中处理，则可减少蚀刻工序，而且蚀刻液管理也被简化，所以较优选。

罩盖金属层4的蚀刻与铜层3的蚀刻与金属氧化物层2的蚀刻于各别蚀刻槽中进行时，在各别蚀刻槽中使用的蚀刻液的调配，可以为同一组成，也可以为不同组成。再者，复数蚀刻槽并没有必要分别对应罩盖金属层4、铜层3及金属氧化物层2的蚀刻处理。例如，可于第一蚀刻槽中，除罩盖金属层4及铜层3外并进行金属氧化物层2的深度方向的一部分蚀刻处理后，于第二蚀刻槽再对金属氧化物层2进行蚀刻处理，而形成金属氧化物层线路图案9。

以上说明本发明的线路形成方法的一个实施形态，但本发明不为所述实施形态所限制。例如，所述实施形态虽然将罩盖金属层以本发明的蚀刻液来蚀刻，但也可用和本发明的蚀刻液不同的蚀刻液来蚀刻。再者，所述实施形态中，虽主要以设置罩盖金属层的案例来说明，但本发明的线路形成方法也可以使用于没有设置罩盖金属层的叠层板。

[实施例]

接着一并说明本发明的实施例与比较例。又，本发明不限定在下述实施例。

(包括PET薄膜/ITO层/铜层/镍-铜合金层的叠层板的评估)

(叠层线路图案的形成)

准备在厚度100μm的PET薄膜上依序形成包含结晶质的ITO的ITO层(厚度20μm)、铜层(厚度150μm)、镍/铜重量比＝30/70的镍-铜合金层(厚度20nm)的样品叠层板。使用所述叠层板按照以下的顺序进行叠层线路图案的形成。

将所述叠层板浸渍于10重量％的硫酸水溶液(温度25℃)里1分钟，除去镍-铜合金层表面的氧化物后，在所述镍-铜合金层表面，使用干膜光阻(商品编号AQ-209A、旭化成电子材料公司制造)形成线宽/线距＝20μm/20μm的光阻图案。其次，将所述叠层板在表1及表2所记载的各蚀刻液(温度45℃)中浸渍90秒后水洗并干燥。又，表1的各蚀刻液中，固定铜离子及卤化物离子的浓度而变更非离子界面活性剂的种类。表2的各蚀刻液中，使用和表1的实施例5相同的非离子界面活性剂，而变更卤化铜及酸的种类与浓度、以及非离子界面活性剂的种类及浓度。表2一并显示表1所示的实施例5的蚀刻液的组成及评估结果。

将干燥后的各叠层板的一部分取样，以扫描式电子显微镜(型号JSM-7000F、日本电子公司制造)观察表面，每一片叠层板中，相当于图1(c)的金属氧化物线路图案9的ITO线路图案间的ITO层皆被除去。

(侧蚀量的测定)

接着，将蚀刻后的各叠层板的一部分取样10mm x 10mm，嵌入包埋树脂中，进行可看出铜线路图案的剖面的研磨加工后，藉使用扫描式电子显微镜(型号JSM-7000F、日本电子公司制造)的影像量测来测定铜线路图案的宽度(图1(c)的W2)中最细的处的宽度(最小宽度)。接着，将光阻图案的线宽(20μm)减去所测定的所述最小宽度所得到的值作为侧蚀量，算出任意选择5处的侧蚀量的平均值。结果(平均值)如表1及表2所示。

(直线性的测定)

从蚀刻后的各叠层板的PET薄膜侧，通过光学显微镜摄影铜线路图案的底部影像，进行底部宽度的影像量测。于进行此一底部宽度的影像量测时，沿铜线路图案的长边方向以间隔5μm测定10点，将所得到的测定值的标准偏差值作成直线性(μm)。结果如表1及表2所示。

(综合评估)

综合评估分为A～D的4个等级来评估。即，评估A为侧蚀量未达6μm且直线性未达1μm的情况；评估B为侧蚀量未达6μm且直线性在1μm以上未达2μm的情况；评估C为侧蚀量在6μm以上未达7μm且直线性在1μm以上未达2μm的情况；评估D为侧蚀量在8μm以上且直线性在2μm以上的情况。

[表1]

[表2]

*1制造公司：第一工业制药 种类：聚氧化烯烷基醚浊点：30℃

如表1、2所示，各实施例的侧蚀量及直线性均良好，综合评估也为A、B或C。另一方面，各比较例的侧蚀量及直线性均较实施例差，综合评估为D。

(包括玻璃板/IZO层/铜层/钼层的叠层板的评估)

(叠层线路图案的形成)

准备在厚度2mm的玻璃板上依序形成包含结晶质的IZO的层(厚度20nm)、铜层(厚度150nm)、钼层(厚度20nm)的叠层板。使用所述叠层板按下列顺序进行叠层线路图案的形成。

将所述叠层板在10重量％的硫酸水溶液(温度25℃)中浸渍1分钟，除去钼层表面的氧化物后，在所述钼层表面使用液状光阻剂(商品号OFPR-800、东京应化工业公司制造)，形成线宽/线距＝20μm/20μm的光阻图案。接着，通过和上述(包括PET薄膜/ITO层/铜层/镍-铜合金层的叠层板的评估)相同的顺序而获得包含叠层线路图案的叠层板。就所得到的各叠层板取样一部分，通过扫描式电子显微镜(型号JSM-7000F、日本电子公司制造)观察表面时，每一片叠层板中，相当于图1(c)的金属氧化物线路图案9的IZO线路图案间的IZO层皆被除去。

(评估)

通过和所述(由PET薄膜/ITO层/铜层/镍-铜合金层所构成叠层板的评估)同样方式进行评估。结果如表3所示。

[表3]

表3和表1所示的结果相同，非离子为界面活性剂的浊点与铜线路图案的蚀刻性间认定有一定的关联。即，各实施例的侧蚀量及直线性均良好，综合评估也为A、B或C。相反的，各比较例的侧蚀量及直线性皆较实施例差，综合评估为D。就这些结果可知，通过使用本发明的蚀刻液，不论金属氧化物层与罩盖金属层的材质为何，皆可将铜与金属氧化物并存的蚀刻对象物用低侧蚀量一起蚀刻。

标号说明

1：基材

2：金属氧化物层

3：铜层

4：罩盖金属层

5：光阻图案

6：罩盖金属线路图案

7：铜线路图案

8：露出部分

9：金属氧化物线路图案

10：叠层线路图案

100：叠层板

Claims (8)

1.一种蚀刻液，为铜的蚀刻液，其特征在于，包括包含铜离子、卤化物离子及非离子性界面活性剂的酸性水溶液，所述非离子性界面活性剂的浊点为15～55℃，H⁺浓度为0.1～1重量％。

2.如权利要求1所述的蚀刻液，其特征在于，所述非离子性界面活性剂的浊点为17～38℃。

3.如权利要求2所述的蚀刻液，其特征在于，所述非离子性界面活性剂的浊点为17～30℃。

4.如权利要求1至3中任一项所述的蚀刻液，其特征在于，所述卤化物离子为氯化物离子。

5.如权利要求1至3中任一项所述的蚀刻液，其特征在于，所述铜离子的浓度为0.01～5重量％；

所述卤化物离子的浓度为1～36重量％；

所述非离子性界面活性剂的浓度为0.01～20重量％。

6.一种线路形成方法，其特征在于，包含：

通过使权利要求1至5中任一项所述的蚀刻液接触在基材上依序叠层有金属氧化物层及铜层的叠层板的所述铜层的一部分，而蚀刻所述铜层的一部分，以形成铜线路图案的工序；及

通过使权利要求1至5中任一项所述的蚀刻液接触所述金属氧化物层的未叠层所述铜线路图案的部分，而蚀刻所述金属氧化物层的所述部分，以形成包含经图案化的金属氧化物层及所述铜线路图案的叠层线路图案的工序；

所述金属氧化物层包含由锌、锡、铝、铟和镓所构成群组中所选的一种以上的金属的氧化物。

7.如权利要求6所述的线路形成方法，其特征在于，所述金属的氧化物为结晶质。

8.如权利要求6或7所述的线路形成方法，其特征在于，所述叠层板更包含设置在所述铜层的所述金属氧化物层侧的相反侧的面的罩盖金属层；

所述罩盖金属层包含由铝、钛、铬、钴、镍、锌、钼、银及这些金属与铜的合金所组成群组中所选的一种以上的金属；

所述线路形成方法更包含在蚀刻所述铜层的一部分前，通过使权利要求1至5中任一项所述的蚀刻液接触叠层于所述铜层上的所述罩盖金属层的一部分，而蚀刻叠层在所述铜层上的所述罩盖金属层，以形成罩盖金属线路图案的工序。