CN102469701A - 互连结构的制作方法 - Google Patents

Abstract

本发明提供互连结构的制作方法，包括：提供基板，所述基板上依次形成有第一基板焊盘和第一导电凸块；形成与所述第一导电凸块齐平的第一绝缘介质层；在第一绝缘介质层上形成导电层；刻蚀所述导电层形成导电层开口；在所述导电层上形成绝缘掩膜层，所述绝缘掩膜层内形成有掩膜层开口，所述掩膜层开口露出下方的第一导电凸块和剩余的部分导电层；进行电镀沉积工艺，在所述掩膜层开口内形成第二基板焊盘；去除绝缘掩膜层和未被第二基板焊盘覆盖的部分导电层；在所述基板上形成第二绝缘介质层，所述第二绝缘介质层与所述第二基板焊盘齐平。本发明提高了印刷线路板互连结构的可靠性。

Description

互连结构的制作方法

技术领域

本发明涉及印制线路板，特别涉及印制线路板的互连结构的制作方法。

背景技术

近年来各种电子产品的设计日趋轻、薄、短、小方向发展，因此各种电子元件或用以安装电子元件的印制线路板也需要相对地小型化和轻量化，这对印制线路板(printed circuit board，PCB)的高密度化要求也日益提高。现有技术将配线层堆叠成多层而形成高密度印刷线路板。

多层式高密度印制线路板的一种常规制造方法为沉积的方法，即通常在设有配线层的基板上沉积绝缘介质层，然后在所述绝缘介质层上沉积另一配线层，如此依序反复沉积绝缘介质层和配线层，进而堆叠成高密度互连印制线路板。多层式高密度互连印刷线路板中的线路设计必须使上下各配线层之间的部分特定接点互相导通，目前有多种方法来达到相互导通的目的，如在制造中利用激光或机械钻孔的方式在互连部位形成介质孔，再在介质孔上形成能够电导通的电镀层，另一种常用的方式是在配线层的互连部位设置导电凸块(呈实心柱状的铜块)来直接连通另一配线层上的接点。

其中，利用导电凸块互连导通方式比在介质孔内设电镀层互连导通的方式容易进行控制，并且电导通效率高，因此，使用导电凸块的互连导通方式更多地使用在多层式印刷线路板中。现有技术的高密度印刷线路板用于互连导通的导电凸块的制作方法请参考图1至图8。

首先，参考图1，提供基板100，所述基板100上形成有第一导电层110，所述第一导电层110利用化学气相沉积工艺制作。

然后，参考图2，在所述第一导电层110上形成第一绝缘掩膜层120，所述第一绝缘掩膜层120内形成有第一掩膜层开口，所述第一掩膜层开口露出下方的第一导电层110。

然后，参考图3，进行电镀沉积工艺，在所述第一掩膜层开口内形成第一基板焊盘130。

接着，参考图4，在所述第一绝缘掩膜层120上形成第二绝缘掩膜层140，在所述绝缘掩膜层140内形成第二掩膜层开口。然后，进行电镀沉积工艺，在所述第二掩膜层开口内形成第一导电凸块150。

接着，参考图5，去除所述第一绝缘掩膜层120和第二绝缘掩膜层130。对所述第一导电层110进行刻蚀，去除未被所述第一基板焊盘130覆盖的第一导电层110。

然后，参考图6，形成与所述第一导电凸块160齐平的第一绝缘介质层160。

接着，参考图7，进行化学气相沉积工艺，在所述第一绝缘介质层160和第一导电凸块150上形成第二导电层170。在所述第二导电层170上形成第三绝缘掩膜层180，所述第三绝缘掩膜层180内形成有第三掩膜层开口。

接着，仍然参考图7，进行电镀沉积工艺，在所述第三掩膜层开口内形成第二基板焊盘190。接着，在所述第三绝缘掩膜层180和第二基板焊盘190上形成第四绝缘掩膜层200，所述第四绝缘掩膜层200内形成有第四掩膜层开口。接着，进行电镀沉积工艺，在所述第四掩膜层开口内第二导电凸块210。

最后，参考图8，去除所述第三绝缘掩膜层180和第四绝缘掩膜层200。对所述第二导电层170进行刻蚀，去除未被所述第二基板焊盘190覆盖的第二导电层170。然后在所述基板100上形成与所述第二导电凸块210齐平的第二绝缘介质层220。

上述过程中，第一导电层110、第一基板焊盘130、第一导电凸块150、第二导电层170、第二基板焊盘190、第二导电凸块210构成基板的互连结构。

在授权公告号为CN2617121Y的中国实用新型中可以发现更多关于现有的印刷线路板的信息。

在实际中发现，现有的方法制作的印刷线路板可靠性无法满足要求，电信号传输性能不好。

发明内容

本发明解决的技术问题是提供了一种互连结构的制作方法，所述方法改善了印刷线路板的可靠性，提高了印刷线路板的电信号传输性能。

为了解决上述问题，本发明提供一种互连结构的制作方法，包括：

提供基板，所述基板上依次形成有第一基板焊盘和第一导电凸块，所述第一基板焊盘和第一导电凸块利用电镀沉积工艺形成；

形成与所述第一导电凸块齐平的第一绝缘介质层；

在所述第一绝缘介质层上形成导电层；

刻蚀所述导电层形成导电层开口，所述导电层开口位于所述第一导电凸块上方，剩余的导电层与所述第一导电凸块电连接；

在所述导电层上形成绝缘掩膜层，所述绝缘掩膜层内形成有掩膜层开口，所述掩膜层开口露出下方的第一导电凸块和剩余的部分导电层；

进行电镀沉积工艺，在所述掩膜层开口内形成第二基板焊盘；

去除绝缘掩膜层和未被第二基板焊盘覆盖的部分导电层；

在所述基板上形成第二绝缘介质层，所述第二绝缘介质层与所述第二基板焊盘齐平。

可选地，所述第一导电凸块的宽度小于等于所述第一基板焊盘的宽度。

可选地，所述导电层的材质为金属，所述金属为金、银、铜或铝。

可选地，所述导电层为铜，所述导电层利用湿法工艺进行刻蚀，所述湿法工艺利用酸性溶液进行。

可选地，所述酸性溶液为双氧水、硫酸和水的混合溶液，其中双氧水的浓度范围为10～30g/L，硫酸的浓度范围为25～75g/L。

可选地，所述绝缘掩膜层的材质选自光敏材质或高分子聚合物。

可选地，所述第一导电凸块、第一基板焊盘、导电层、第二基板焊盘的材质为铜。

可选地，所述绝缘掩膜层采用贴附工艺、喷涂工艺或旋涂工艺制作。

可选地，所述第一绝缘介质层和第二绝缘介质层的材质选自光敏材质或高分子聚合物。

可选地，所述绝缘介质层采用丝网印刷工艺、喷涂工艺或旋涂工艺制作。

可选地，所述导电层开口的宽度为所述第一导电凸块宽度的40％～90％。

与现有技术相比，本发明具有以下优点：

在形成有第一基板焊盘和第一导电凸块的基板上形成第一绝缘介质层，在所述第一绝缘介质层内形成导电层，刻蚀所述导电层形成导电层开口，使得剩余的导电层与第一导电凸块电连接，从而使得在电镀沉积工艺时，保证全基板通电，从而能够在绝缘掩膜层的掩膜层开口内形成第二基板焊盘，由于所述第二基板焊盘是利用电镀沉积工艺制作，所述第一导电凸块也是利用电镀沉积工艺制作，与现有技术的第一导电凸块利用电镀沉积工艺制作，第一基板焊盘利用化学气相沉积工艺制作，从而两者之间存在应力相比，本发明减小了第一导电凸块与第二基板焊盘之间的应力，提高了第一导电凸块与第二基板焊盘之间的连接的可靠性，避免所述第一导电凸块与所述第二基板焊盘之间分离，防止印刷线路板出现开路的情况；并且，由于所述第二基板焊盘利用电镀沉积工艺形成，电镀沉积工艺的基板焊盘的电学性能优于化学气相沉积的基板焊盘的性能，因此，本发明还提高了印刷线路板的互连结构的电学性能。

附图说明

图1～图8为现有技术的高密度印刷线路板用于互连导通的导电凸块的制作方法剖面结构示意图。

图9为本发明的互连结构制作方法流程示意图。

图10～图20为本发明一个实施例的互连结构制作方法剖面结构示意图。

具体实施方式

现有的印刷线路板的可靠性不高，且电信号传输性能不好，并且现有的印刷线路板存在开路的问题。造成上述问题的原因是由于印刷线路板的互连结构的内部存在应力。具体地，由于印刷线路板的互连结构包括基板焊盘、导电层、导电凸块的交替排布，其中导电层是利用化学气相沉积方法制作的铜层，而基板焊盘和导电凸块是利用电镀沉积工艺制作的铜层，由于化学气相沉积的铜层与电镀沉积的铜层之间存在应力，使得化学气相沉积的铜层与电镀沉积的铜层之间的连接不可靠，即导电层与下方的导电凸块和上方的基板焊盘的电连接不可靠，并且在应力作用下容易分离，从而使得互连结构失效，引起印刷线路板失效。并且，利用化学气相沉积制作的导电层的电学性能不好，使得现有的印刷线路板的互连结构的电学性能不佳，影响了现有的印刷线路板的信号传递性能。

对应地，发明人提出一种互连结构的制作方法，请参考图10，所述方法包括：

步骤S1，提供基板，所述基板上依次形成有第一基板焊盘和第一导电凸块，所述第一基板焊盘和第一导电凸块利用电镀沉积工艺形成；

步骤S2，形成与所述第一导电凸块齐平的第一绝缘介质层；

步骤S3，在所述第一绝缘介质层上形成导电层；

步骤S4，刻蚀所述导电层形成导电层开口，所述导电层开口位于所述第一导电凸块上方，剩余的导电层与所述第一导电凸块电连接；

步骤S5，在所述导电层上形成绝缘掩膜层，所述绝缘掩膜层内形成有掩膜层开口，所述掩膜层开口露出下方的第一导电凸块和剩余的部分导电层；

步骤S6，进行电镀沉积工艺，在所述掩膜层开口内形成第二基板焊盘；

步骤S7，去除绝缘掩膜层和未被第二基板焊盘覆盖的部分导电层；

步骤S8，在所述基板上形成第二绝缘介质层，所述第二绝缘介质层与所述第二基板焊盘齐平。

下面将结合具体的实施例对本发明的技术方案进行详细的描述。请结合图10～20，为本发明一个实施例的互连结构制作方法剖面结构示意图。

首先，请参考图10，提供基板300，所述基板300的一个或两个线路面上形成有第一导电层310。

其中，所述基板300可以为单层板，也可以为多层板。所述基板300的材质通常为有机基板或金属基板(例如镍-铜板)。

所述线路面是指基板300的需要形成布线结构的表面。本实施中，所述基板300的一个线路面上形成有第一导电层310。在其他的实施例中，所述第一导电层310可以分别形成于基板100的两个线路面上，所述两个线路面为基板100的相对的且需要形成布线结构的表面。

本实施例中，所述第一导电层310的厚度范围为2～5微米，其材质为金属。所述金属可以为金、银、铜或铝等。本实施例中，所述第一导电层310的材质为铜。所述第一导电层310覆盖整个基板100的表面，这样所述第一导电层310可以用于在后续的电镀工艺中实现基板300的全基板导电。

在本实施例中，第一导电层310利用化学气相沉积工艺形成。在其他的实施例中，所述第一导电层310还可以利用表面贴附工艺，将铜层贴附于基板300的表面。

接着，参考图11，在所述基板300上形成第一绝缘掩膜层320，然后，利用曝光、显影的工艺在所述第一绝缘掩膜层320形成第一掩膜层开口，所述第一掩膜层开口暴露出第一导电层310。所述第一掩膜层开口用于在随后的电镀沉积工艺中形成第一基板焊盘。

所述第一绝缘掩膜层320的材质可以为光敏材质，例如是干膜或湿膜。在其他的实施例中，所述第一绝缘掩膜层320的材质还可以为高分子聚合物，例如是polymer。当所述第一绝缘掩膜层320的材质为干膜时，可以通过贴附工艺形成于所述第一导电层310上方，并且通过曝光、显影等工艺在所述第一绝缘掩膜层320内形成露出所述第一导电层310的第一掩膜层开口；当所述第一绝缘掩膜层320的材质为湿膜时，可以通过旋涂或喷涂工艺形成于所述第一导电层310上方，并且通过曝光、显影工艺形成第一掩膜层开口；当所述第一绝缘掩膜层320的材质为高分子聚合物时，可以通过贴附工艺形成于所述第一导电层310上方，并通过机械钻孔或激光钻孔的方法在所述第一绝缘掩膜层320内形成开口。其中机械钻孔或激光钻孔的方法作为本领域技术人员的公知技术，在此不做详细的说明。

作为优选的实施例，所述第一绝缘掩膜层320的材质选自干膜，其可以使用简单的曝光、显影工艺形成开口，并且在需要去除时，可以通过刻蚀工艺去除。本实施例中，所述干膜的型号为R3025的干膜，其为日本日立公司(Hitachi)的一种干膜产品，可以利用贴附工艺形成。

作为本发明的一个实施例，所述干膜的贴附工艺具体为：在贴膜之前，先对第一导电层310进行表面处理，去除第一导电层310上的有机以及无机杂质，并用去离子水冲洗，之后，采用自动切割压膜机，首先对自动切割压膜机进行预热，预热机温度为100℃±10℃，之后，在110℃±10℃的温度条件下，施加3～5kg/cm²的压力，进行贴膜处理。

之后，在第一绝缘掩膜层320内形成第一掩膜层开口，暴露出第一导电层310。在第一绝缘掩膜层320内形成第一掩膜层开口的具体工艺可以采用干膜曝光、显影工艺。作为一个实施例，干膜曝光采用半自动对位曝光机，曝光能量为150～250mj/cm²，显影采用非接触式显影设备，显影液组成：例如采用台湾友缘公司生产的型号为PC-550的显影液原液2～8％(重量百分比浓度)，碳酸钾2～4％(重量百分比浓度)，去离子水90～96％(重量百分比浓度)，温度28～32℃，喷淋压力3.0kg/cm²，处理时间5～10分钟。

然后，参考图12，在所述第一绝缘掩膜层320的第一掩膜层开口内形成第一基板焊盘330。所述第一基板焊盘330的材质为金属，所述金属可以为金、银、铜或铝等。本实施例中，所述第一基板焊盘330的材质为铜，其制作方法为电镀沉积工艺。电镀时第一导电层310在基板300上形成全基板导电，由于部分的第一导电层310上覆盖有第一绝缘掩膜层320，因此，电镀沉积工艺仅在第一绝缘掩膜层320未覆盖的第一导电层320表面形成第一基板焊盘330。所述第一基板焊盘330部分覆盖所述第一导电层310。

作为一个实施例，所述第一基板焊盘320的制作方法包括：

首先，对所述基板300进行脱脂处理，将所述基板300浸入温度为20～30℃的酸性脱脂液中，酸性脱脂液的成分为：安美特公司生产的型号为Pro S4的电镀液2～10％(重量百分比浓度)，硫酸4～10％(重量百分比浓度)，去离子水80～93％(重量百分比浓度)。脱脂处理主要是为了增强第一绝缘掩膜层320内的第一绝缘层开口的润湿性并除掉第一绝缘掩膜层320在所述第一绝缘层开口内以及第一导电层320上的残留物，脱脂之后，在所述基板300垂直悬挂，做前后45°水平摇动，处理6～8分钟，确保所述基板300完全脱脂。

脱脂之后，对所述基板300进行微蚀处理，微蚀的目的是为后续的电镀工艺提供一个微粗糙的表面结构，以增强所述第一绝缘层开口内沉积的导电材料(本实施例中为铜)与所述第一导电层310之间的结合力。微蚀温度控制在20～25℃，微刻蚀溶液采用过硫酸盐与硫酸体系，所述过硫酸盐与硫酸体系的溶液组成为：过硫酸钠5～10％(重量百分比浓度)，硫酸8～16％(重量百分比浓度)，去离子水75～85％(重量百分比浓度)，处理时间3～5分钟。

进行微蚀处理之后，将基板300进行酸浸处理，酸浸的目的有三个：第一，除去所述基板300的第一导电层310表面的杂质例如氧化物等；第二，对所述基板300进行清洁，避免在电镀过程中将杂质粒子带入电镀槽中，污染电镀溶液；第三，增强所述基板300上的第一导电层310的润湿性。酸浸溶液采用硫酸溶液，其组成为硫酸10～30％(重量百分比浓度)，去离子水70～90％(重量百分比浓度)，处理温度为20～30℃，处理时间为1～3分钟。

酸浸之后，即可进行所述导电材料的沉积工艺，以金属铜的电镀沉积为例，采用的电镀液的组分比例以重量百分数计：电镀液的基本成分：硫酸铜8～15％，硫酸15～20％，氯离子0.004～0.006％，安美特公司生产的型号为Cu200的基础液：6～20％，安美特公司生产的型号为Cu200光亮剂：0.3～0.5％，安美特公司生产的型号为Cu200整平剂：0.8～1.2％，去离子水45～75％。电镀工艺为：溶液温度为24～30℃，电镀时的电流密度为3～8ASD，电镀时间为10～180min。

然后，参考图12，在所述第一绝缘掩膜层320和第一基板焊盘330上形成第二绝缘掩膜层340。所述第二绝缘掩膜层340的材质可以为光敏材质、高分子聚合物。本实施例中，所述第二绝缘掩膜层340的材质与第一绝缘掩膜层320的材质相同，具体的制作方法可以参考本实施例中制作第一绝缘掩膜层320的方法，在此不做赘述。

然后，仍然参考图12，在所述第二绝缘掩膜层340内形成第二掩膜层开口，所述第二掩膜层开口的位置与所述第一基板焊盘330的位置对应。形成所述第二掩膜层开口的方法可以通过曝光、显影工艺。所述曝光、显影工艺作为本领域技术人员的公知技术，在此不做详细的说明。

所述第二掩膜层开口用于进行电镀沉积工艺，形成第一导电凸块。本实施例中，所述第二掩膜层开口的宽度小于等于所述第一基板焊盘330的宽度，优选地，所述第二掩膜层开口的宽度等于所述第一极板焊盘的宽度。

所述第二掩膜层开口的深度决定了最终形成的第一导电凸块的深度，本实施例中，所述第二掩膜层开口的深度范围为15～25微米。

然后，仍然参考图12，进行电镀沉积工艺，在所述第二掩膜层开口内形成第一导电凸块350。所述第一导电凸块350的材质为金属，所述第一导电凸块350的材质与第一基板焊盘330的材质相同。本实施例中，所述第一导电凸块350的材质为铜。

所述第一导电凸块350利用电镀沉积工艺形成。电镀沉积工艺方法与本实施例形成第一基板焊盘330的方法相同，在此不做赘述。

然后，请参考图13，去除所述第一绝缘掩膜层320和第二绝缘掩膜层340(结合图12)。所述第一绝缘掩膜层320和第二绝缘掩膜层340的去处工艺为剥膜，采用氢氧化钾或氢氧化钠溶液(浓度5～10％，温度40～50℃)。

然后，对所述第一导电层310进行刻蚀，去除未被所述第一极板焊盘330覆盖的第一导电层310。

所述刻蚀方法为湿法刻蚀。所述湿法刻蚀利用酸性溶液进行。本实施例中，所述酸性溶液为双氧水、硫酸和水的混合溶液，其中双氧水的浓度范围为10～30g/L，硫酸的浓度范围为25～75g/L，在上述溶液的刻蚀作用下，对所述第一导电层310的刻蚀速率为0.8～1.5微米/分钟，基于上述刻蚀速率，可以干净的去除未被第一基板焊盘310覆盖的第一导电层310，而不会损伤所述基板300。

需要说明的是，刻蚀所述第一导电层310的同时，对所述第一基板焊盘330和第一导电凸块350有刻蚀作用，因此，所述第一基板焊盘330的宽度、所述第一导电凸块350的深度和宽度的均有所减小，但是所述减小对第一基板焊盘330和第一导电凸块350的实际尺寸影响较小，在图中并未示出。但是，在实际中，所述第一基板焊盘330和第一导电凸块350的尺寸需要进行优化设置(即所述第一基板焊盘330和第一导电凸块350的尺寸选择比目标的第一基板焊盘330和第一导电凸块350的尺寸略大)，使得经过酸性溶液刻蚀后的第一基板焊盘330和第一导电凸块350的尺寸符合实际要求。

接着，请仍然参考图14，形成与所述第一导电凸块350齐平的第一绝缘介质层360。所述第一绝缘介质层360的材料为光敏材质，例如光敏树脂，所述光敏树脂可以为正丙烯酸盐、环氧树脂、聚酰亚胺等，所述第一绝缘介质层360的材质还可为玻璃纤维、高分子聚合物或热固性树脂。其中所述热固性树脂可以为聚酰亚胺或者环氧树脂以及Taiyo HRP-700系列环氧树脂等。所述的Taiyo HRP-700系列环氧树脂是日本太阳(Taiyo)油墨制造株式会社制造的一种热固性树脂。

作为本发明的一个优选实施例，所述第一绝缘介质层360采用丝网印刷工艺形成。具体包括：粗化所述基板300、第一基板焊盘330和第一导电凸块350，所述的粗化工艺可以为黑氧化、棕氧化、有机棕化或白氧化工艺；

在基板300、第一基板焊盘330和第一导电凸块350上丝网印刷绝缘介质层并进行预烘烤；

预固化所述绝缘介质层；

平整化所述绝缘介质层，暴露出导电凸块的端面；

后固化所述绝缘介质层，形成第一绝缘介质层360。

其中，在基板300、第一基板焊盘330和第一导电凸块350上丝网印刷绝缘介质层并进行预烘烤的工艺进行1次以上。

作为优选的实施例，在基板300的第一基板焊盘330和第一导电凸块350上丝网印刷形成绝缘介质层并进行预烘烤的工艺进行2次，包括如下步骤：在板300的第一基板焊盘330和第一导电凸块350上丝网印刷第一子绝缘介质层，丝网印刷的第一子绝缘介质层的厚度为第一绝缘介质层360总厚度的25％至30％；预烘烤第第一子绝缘介质层；在第一子绝缘介质层上丝网印刷第二子绝缘介质层，丝网印刷的第二子绝缘介质层的厚度为第一绝缘介质层360总厚度的70％至75％；预烘烤第二子绝缘介质层，第二子绝缘介质层和第一子绝缘介质层组成所述第一绝缘介质层360。

其中，预烘烤的温度为预烘烤的温度为100～120℃，预烘烤时间为10～30min；较好的，预烘烤的温度为110～115℃，预烘烤时间为16～20min。

所述的预固化的温度为130～160℃，预固化时间为30～60min；较好的预固化温度为145～155℃，预固化时间为40～60min。预固化后，所述第一绝缘介质层360的硬度不小于4H，较好的是，所述第一绝缘介质层360的铅笔硬度大于等于4H小于等于6H。预固化的温度为130～160℃，预固化时间为30～60min，较好的预固化温度为145～155℃，预固化时间为40～60min。

预固化的作用在于使第一绝缘介质层360的硬度相比预烘后的第一绝缘介质层360的硬度增加，方便预固化之后对第一绝缘介质层360进行的表面平坦化处理。可以提高平整化绝缘介质层的效率。同时，平坦化所述第一绝缘介质层360时通常会对其表面进行微粗化的处理，预固化可以提高微粗化时微粗化溶液对所述第一绝缘介质层360表面的粗化能力。

进行平坦化所述第一绝缘介质层360的工艺为本领域技术人员熟知的现有技术，例如采用机械研磨的工艺方法，采用水平研磨机。

本实施例所述的后固化的温度为170～190℃，后固化时间为30～60min；较好的后固化温度为175～185℃，后固化时间为40～60min。采用所述固化工艺之后，所述第一绝缘介质层150被完全固化，增强了第一绝缘介质层360与基板300、第一基板焊盘330及第一导电凸块350之间的结合力。

所述硬度为铅笔硬度，作为一个实施例，所述铅笔硬度的测试方法为：准备指定的H铅笔，并将铅笔削成扁平状，将待测的核心板水平放置在工作台上，用铅笔头与核心板面成45度角度由内向外画一道长6.4mm(1/4inch)的线，然后检查所画线是否对核心板的绝缘介质层有损伤，无损伤则绝缘介质层硬度大于6H。

然后，参考图15，在所述基板300上形成覆盖所述第一绝缘介质层360和第一导电凸块350的上表面的第二导电层370。

所述第二导电层370用于在后续电镀工艺时使所述基板300全通电。本实施例中，所述第二导电层370的厚度为2至5微米，可以提高基板的导电性能。

所述第二导电层370的材质为铜，采用化学气相沉积工艺或者电镀沉积工艺形成。本实施例中，所述第二导电层370利用化学气相沉积工艺形成。

形成所述第二导电层370的化学气相沉积工艺的具体工艺为：首先将所述第一绝缘介质层360和第一导电凸块350的表面进行清洗，去除所述表面的无机以及有机杂质，然后进行化学气相沉积工艺，形成第二导电层370。清洗的溶液和方法以及化学气相沉积的方法与现有技术相同，作为本领域技术人员的公知技术，在此不做详细的说明。

然后，请参考图16，对所述第二导电层370进行刻蚀，在所述第二导电层370内形成与所述第一导电凸块350的位置对应的第一导电层开口，所述第一导电层开口位于所述第一导电凸块350上方，剩余的第二导电层370与第一导电凸块350电连接。

所述剩余的第二导电层370用于在后续进行电镀沉积形成第二基板焊盘的工艺中使得所述基板300的全基板导电。

所述第二导电层开口的宽度应小于等于所述第一导电凸块350的宽度。作为优选的实施例，所述第二导电层开口的宽度等于第一导电凸块350的40％～90％。

所述第二导电层370的刻蚀方法与现有技术相同，作为本领域技术人员的公知技术，在此不做详细的说明。

然后，请参考17，在所述第二导电层370上形成第三绝缘掩膜层380。所述第三掩膜层380内形成有第三掩膜层开口，所述第三掩膜层开口的位置与所述第一导电凸块350的位置对应。所述第三掩膜层开口的宽度大于等于所述第一导电层开口的宽度，所述第三掩膜层开口用于进行电镀沉积工艺，形成第二基板焊盘。本实施例中，所述第三掩膜层开口的宽度等于第二掩膜层开口的宽度，以使得形成的第二基板焊盘的宽度等于第一基板焊盘的宽度。在其他的实施例中，所述第三掩膜层开口的宽度还可以根据实际需要进行具体的设置。所述第三掩膜层开口的深度等于所述第三掩膜层380的厚度，本实施例中，所述深度的范围为15～20微米。

所述第三绝缘掩膜层380的材质和制作方法可以参考本实施例中形成第一绝缘掩膜层和第二绝缘掩膜层的材质和制作方法，在此不做赘述。

接着，仍然参考图17，在所述第三绝缘掩膜层380内形成第二基板焊盘390。所述第二基板焊盘390部分覆盖所述第一导电凸块350。由于所述第二基板焊盘390通过电镀沉积形成，下方的第一导电凸块350也通过电镀沉积形成，所述第二基板焊盘390直接形成于所述第一导电凸块350上，第二基板焊盘390直接与所述第一导电凸块350电连接，与现有技术的第二基板焊盘与第二导电凸块之间通过第二导电层电连接相比，大大减小了第一导电凸块与第二导电层、以及第二基板焊盘与第二导电层之间的应力，改善了互连结构的可靠性。

需要说明的是，本实施例中，所述第一导电凸块350与第二基板焊盘390之间存在部分第二导电层370，使得所述第一导电凸块350与第二导电层370直接、以及第二基板焊盘390与所述第二导电层370之间存在应力，但是所述应力较小，对互连结构的影响不大，几乎可以忽略不计。

作为本发明的一个实施例，还需要在所述第二基板焊盘390上制作第二导电凸块、第三基板焊盘、第三导电凸块。

具体地，请参考图18，在所述第三绝缘掩膜层380和第二基板焊盘390上形成第四绝缘掩膜层400，在所述第四绝缘掩膜层400内形成第四掩膜层开口。所述第四掩膜层400的制作方法请参考本实施例中制作第一绝缘掩膜层、第二绝缘掩膜层、第三绝缘掩膜层的方法，在此不做赘述。

本实施例中，所述第四绝缘掩膜层开口深度范围为15～12微米，所述第四绝缘掩膜层开口的宽度可以根据工艺需要进行具体设置。作为一个实施例，所述第四绝缘掩膜层开口的宽度等于第一导电凸块350的宽度。

然后，进行沉积工艺，在所述第四绝缘掩膜层内形成第二导电凸块410。所述第二导电凸块410的深度范围70～90微米。

最后，参考图19，去除所述第三绝缘掩膜层380和第四绝缘掩膜层400，并去除未被所述第二基板焊盘390覆盖的第二导电层370，去除的所述第三绝缘掩膜层380和第四绝缘掩膜层方法为剥膜工艺，请参考本实施中去除第一绝缘掩膜层和第二绝缘掩膜层的剥膜工艺，去除所述第二导电层370的方法为湿法刻蚀工艺，请参考实施例中刻蚀所述第一导电层310的湿法工艺，在此不做赘述。

最后，参考图20，在所述第二导电凸块410上形成第三导电层430、第三基板焊盘440和第三导电凸块460。所述第三导电层430、第三基板焊盘440和第三导电凸块460的制作方法参考本实施例中制作第二导电层、第二基板焊盘和第二导电凸块的方法，在此不再赘述。所述第三导电层430内形成有第三导电层开口，所述第三基板焊盘440通过所述第三导电层开口与下方的第二导电凸块410电连接。所述第三导电凸块460位于所述第三基板焊盘440上方。最后，形成与所述第三导电凸块460齐平的第三绝缘介质层450。所述第三绝缘介质层450的制作方法可以参考本实施例制作第一绝缘介质层和第二绝缘介质层的方法。

需要说明的是，本发明仅以基板的一个线路面为例进行示意，说明了形成3层互连结构的制作过程。在其他的实施例中，还可以在基板的两个线路面形成互连结构，并且还可以形成具有更多更配线层的互连结构。

综上，本发明提供的互连结构，由于利用电镀沉积工艺在不同层的绝缘介质层之间形成导电凸块，不同层的绝缘介质层之间的导电凸块受到的应力小，避免了现有技术利用化学气相沉积的导电层和电镀沉积的导电凸块之间的应力问题，减小了互连结构受到的应力，提高了互连结构的可靠性，避免了印刷线路板开路的问题，提高了印刷线路板的电信号的传输可靠性。

本发明虽然已以较佳实施例公开如上，但其并不是用来限定本发明，任何本领域技术人员在不脱离本发明的精神和范围内，都可以利用上述揭示的方法和技术内容对本发明技术方案做出可能的变动和修改，因此，凡是未脱离本发明技术方案的内容，依据本发明的技术实质对以上实施例所作的任何简单修改、等同变化及修饰，均属于本发明技术方案的保护范围。

Claims (11)

1.一种互连结构的制作方法，其特征在于，包括：

提供基板，所述基板上依次形成有第一基板焊盘和第一导电凸块，所述第一基板焊盘和第一导电凸块利用电镀沉积工艺形成；

形成与所述第一导电凸块齐平的第一绝缘介质层；

在所述第一绝缘介质层上形成导电层；

刻蚀所述导电层形成导电层开口，所述导电层开口位于所述第一导电凸块上方，剩余的导电层与所述第一导电凸块电连接；

在所述导电层上形成绝缘掩膜层，所述绝缘掩膜层内形成有掩膜层开口，所述掩膜层开口露出下方的第一导电凸块和剩余的部分导电层；

进行电镀沉积工艺，在所述掩膜层开口内形成第二基板焊盘；

去除绝缘掩膜层和未被第二基板焊盘覆盖的部分导电层；

在所述基板上形成第二绝缘介质层，所述第二绝缘介质层与所述第二基板焊盘齐平。

2.如权利要求1所述的互连结构的制作方法，其特征在于，所述第一导电凸块的宽度小于等于所述第一基板焊盘的宽度。

3.如权利要求1所述的互连结构的制作方法，其特征在于，所述导电层的材质为金属，所述金属为金、银、铜或铝。

4.如权利要求3所述的互连结构的制作方法，其特征在于，所述导电层为铜，所述导电层利用湿法工艺进行刻蚀，所述湿法工艺利用酸性溶液进行。

5.如权利要求4所述的互连结构的制作方法，其特征在于，所述酸性溶液为双氧水、硫酸和水的混合溶液，其中双氧水的浓度范围为10～30g/L，硫酸的浓度范围为25～75g/L。

6.如权利要求1所述的互连结构的制作方法，其特征在于，所述绝缘掩膜层的材质选自光敏材质或高分子聚合物。

7.如权利要求1所述的互连结构的制作方法，其特征在于，所述第一导电凸块、第一基板焊盘、导电层、第二基板焊盘的材质为铜。

8.如权利要求1所述的互连结构的制作方法，其特征在于，所述绝缘掩膜层采用贴附工艺、喷涂工艺或旋涂工艺制作。

9.如权利要求1所述的互连结构的制作方法，其特征在于，所述第一绝缘介质层和第二绝缘介质层的材质选自光敏材质或高分子聚合物。

10.如权利要求1所述的互连结构的制作方法，其特征在于，所述绝缘介质层采用丝网印刷工艺、喷涂工艺或旋涂工艺制作。

11.如权利要求1所述的互连结构的制作方法，其特征在于，所述导电层开口的宽度为所述第一导电凸块宽度的40％～90％。

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