CN100416877C - 用于制造垂直结构的发光二极管的方法 - Google Patents

用于制造垂直结构的发光二极管的方法 Download PDF

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Abstract

本发明提供了一种用于制造能够容易执行芯片分离工艺的垂直结构的LED(发光二极管)的方法。在该方法中，在具有多个器件区和至少一个器件隔离区的生长基板上形成发光结构，其中，发光结构包括在生长基板上顺序设置的n型覆层、有源层、和p型覆层。在发光结构上形成p电极。然后，在p电极上形成第一镀层使其连接多个器件隔离区。在器件区的第一镀层上形成第二镀层图样。去除生长基板，然后在n型覆层上形成n电极。

Description

用于制造垂直结构的发光二极管的方法
相关申请的交叉参考
本申请基于并要求于2005年10月5日提交的韩国申请第2005-93409号的优先权，其全部内容结合于此作为参考。
技术领域
本发明涉及一种用于制造半导体发光器件的方法，更具体地，涉及一种用于制造能够容易地执行单个元件的芯片分离工艺(chipseparation process)的垂直结构的发光二极管(LED)的方法。
背景技术
表示为AlxGayIn1-x-yN(0≤x≤1，0≤y≤1，0≤x+y≤1)的基于氮化稼(GaN)的半导体是适于在紫外线区域中发光的化合物半导体材料，并用于蓝色或绿色发光二极管(LED)。最新使用的基于GaN的LED主要分为两类，一类是水平结构的基于GaN的LED，以及另一类是垂直结构的基于GaN的LED。在水平结构的基于GaN的LED中，p电极和n电极设置在器件的同一侧。因此，LED器件的总面积应很大用于保证足够的发光面积。另外，由于透明电极和n电极相互靠近，因此水平结构的基于GaN的LED易受到静电(ESD)放电的影响。
相反地，垂直结构的基于GaN的LED与水平结构的基于GaN的LED相比具有多个优点。在垂直结构的基于GaN的LED中，p电极和n电极彼此相对设置，其中，在其之间插入基于GaN的外延层。
通常，通过导电基板(例如，硅或砷化稼(GaAs)基板)的附着工艺(attachment process)以及生长基板(例如，蓝宝石基板)的去除工艺(removal process)来制造垂直结构的基于GaN的LED。韩国专利公开出版物第2004-58479号披露了用于制造垂直结构的基于GaN的LED的方法，该方法包括Si基板的附着工艺、蓝宝石基板的去除工艺、以及Si基板的切割工艺(dicing process)。
图1a至图1f是示出用于制造垂直结构的基于GaN的LED的传统方法的截面图。首先，参照图1a，在蓝宝石基板11上顺序地形成由基于GaN的半导体形成的n型覆层15a、有源层15b、和p型覆层15c，从而形成发光结构15。此后，参照图1b，形成沟槽20以将发光结构15分割为独立的器件区，然后在p型覆层15c上形成p电极16。然后，参照图1c，使用导电粘合层17(例如金(Au)等)将诸如Si基板、GaAs基板等的导电基板21附着在p电极16上。随后，通过激光剥离工艺(lift-off process)将蓝宝石基板11从发光结构15上去除。详细地，将激光束18照射到蓝宝石基板11上，使得蓝宝石基板11从发光结构15上去除。因此，如图1d所示，获得去除了蓝宝石基板11的合成结构。此后，参照图1e，在n型覆层15a上形成n电极19。接下来，参照图1f，通过芯片分离工艺将图1e的合成结构分割为独立的元件，从而同时得到多个垂直结构的基于GaN的LED 10。
根据传统方法，应执行切除导电基板21的工艺用于使芯片相互分离。为了切除导电基板21，应使用切割轮执行切割半导体基板21的切割工艺。另外，还应执行诸如划线(scribing)和分断(breaking)工艺的复杂工艺。因此，由于该复杂的工艺，使得因此增加了制造成本以及延长了总的工艺时间。此外，在使用Si基板或GaAs基板作为导电基板21的情况下，由于基板21的导热性不是很好，因此放热效率很低，并且当向其施加大电流时，还会劣化器件的特性。此外，当将导电基板附着在发光结构15上时，在发光结构15中可能会出现裂纹，使得最终可能损坏器件。该问题还可能出现在使用III-V族的其它化合物半导体的垂直结构的LED(例如，垂直结构的基于AlGaInP的LED、基于AlGaAs的LED等)的制造工艺中。
发明内容
因此，本发明旨在提供一种用于制造垂直结构发光二极管的方法，其能够充分解决由于相关技术的局限和缺陷所引起的一个或多个问题。
本发明的一个目的在于提供一种垂直结构的发光二极管(LED)，其能够很容易地执行芯片分离工艺并提高放热效率。
本发明的其它优点、目的和特征将部分地在下面的描述中阐述，以及部分地根据下列分析对于本领域技术人员来说变得显而易见，或通过本发明的实施而了解。本发明的目的和其它优点可通过在说明书、权利要求书、以及附图中所具体指出的结构来实现和获得。
根据本发明的一个方面，提供了一种用于制造垂直结构的发光二极管(LED)的方法，该方法包括以下步骤：在具有多个器件区和至少一个器件隔离区的生长基板上形成发光结构，其中，发光结构包括顺序设置在生长基板上的n型覆层、有源层、和p型覆层；在发光结构上形成p电极；在p电极上形成第一镀层，以连接多个器件区；在器件区的第一镀层上形成第二镀层的图样；以及去除生长基板，并在n型覆层上形成n电极。
根据本发明的另一方面，该方法还包括步骤：在形成第一镀层的步骤之前，在器件隔离区上的发光结构的区域中形成沟槽，以将发光结构分割为单独的器件区。
根据本发明的又一方面，该方法还包括步骤：在去除生长基板之后，在器件隔离区上的发光结构的区域中形成沟槽，以将发光结构分割为单独的器件区。
优选地，该方法还包括步骤：在形成沟槽之后，在被分割为单独的器件区的发光结构的侧表面上形成钝化层。
根据本发明的再一方面，该方法还包括步骤：在形成n电极之后，通过湿蚀刻去除器件隔离区的第一镀层。优选地，第一镀层由不同于形成第二镀层的金属材料的金属材料形成，并且第一镀层具有比第二镀层更高的蚀刻选择性。
根据本发明的再一方面，该方法还包括步骤：在形成n电极之后，去除器件隔离区的第一镀层。
根据本发明的再一方面，该方法还包括步骤：在形成n电极之后，通过将激光束照射在形成在器件隔离区上的第一镀层上来切掉器件隔离区的第一镀层。利用第一镀层的激光切除，可以容易地执行芯片分离工艺将芯片分离为单独的元件，而不需要附加的切割或划线工艺。
第一镀层可由在包括Au、Cu、Ni、Ag、Cr、W、Al、Pt、Sn、Pb、Fe、Ti、Mo及它们的组合组成的组中所选择的至少一种金属材料形成。第二镀层可由在包括Au、Cu、Ni、Ag、Cr、W、Al、Pt、Sn、Pb、Fe、Ti、Mo及它们的组合的组中所选择的至少一种金属材料形成。
根据本发明的再一方面，在包括p电极顶部表面的整个表面上涂覆第一镀层。可选地，形成第一镀层，使其敞开(open)器件隔离区的一部分。
根据本发明的再一方面，形成第一镀层的步骤包括：在p电极上形成‘用于镀的接种层(seed layer)’，使其连接多个器件区；以及在接种层上执行电镀。可通过无电镀或沉积工艺来形成接种层。
根据本发明的再一方面，形成第二镀层的图样的步骤包括：形成光刻胶图样，其敞开器件区的第一镀层；以及使用光刻胶图样选择性地在器件区的第一镀层上执行电镀。
通过物理、化学、或机械方法执行去除生长基板的步骤。当去除生长基板时，第一镀层被用作一种支撑件。例如，可通过激光剥离(LLO)工艺或化学剥离(CLO)工艺来去除生长基板。具体地，在通过CLO工艺去除生长基板的情况下，可形成第一镀层使其敞开器件隔离区的一部分。
n型覆层、有源层、和p型覆层可由III-V族化合物半导体材料形成。在这种情况中，生长基板可以是绝缘基板(例如，蓝宝石基板)或导电基板。
根据本发明的又一实施例，n型覆层、有源层、和p型覆层由表示为AlxGayIn1-x-yN(0≤x≤1，0≤y≤1，0≤x+y≤1)的半导体材料形成。在这种情况下，可将蓝宝石基板用作生长基板。
根据本发明的再一实施例，n型覆层、有源层、和p型覆层由表示为AlxGayIn1-x-yP(0≤x≤1，0≤y≤1，0≤x+y≤1)的半导体材料形成。可选地，n型覆层、有源层、和p型覆层由表示为AlxGa1-xAs(0≤x≤1)的半导体材料形成。
根据本发明，通过选择性地湿蚀刻、分断、或激光切割器件隔离区的第一镀层，可以容易地执行芯片分离工艺，而不需要附加的切割工艺或划线工艺。因此，可以减少制造成本和加工时间。另外，由于支撑基板是通过镀工艺形成的，因此可以防止当附着导电基板时出现裂纹的问题。
应该理解，本发明的先前的一般描述和下列的详细描述都是示例性的和说明性的，目的在于提供对所要求的本发明的进一步地说明。
附图说明
用于提供对本发明的进一步理解、并入以及组成说明书一部分的附图示出了本发明的实施例，并与描述一起用于解释本发明的原理。在附图中：
图1A至图1F是示出用于制造垂直结构的发光二极管(LED)的传统方法的截面图；
图2至图11是示出根据本发明一个实施例的用于制造垂直结构的发光二极管(LED)的方法的截面图；
图12是示出在图4的结构上形成的第一镀层的平面图；以及
图13至图18是示出根据本发明的另一个实施例的用于制造垂直结构的发光二极管(LED)的方法的截面图。
具体实施方式
现在将详细参考本发明的优选实施例，附图中示出了这些实施例的实例。然而，本发明可以以多种不同的形式来实现，而不应局限于这里所阐述的实施例，相反地，对本领域的技术人员来说，提供这些实施例，使得本发明充分公开并完全覆盖本发明的范围。在附图中，为了清晰起见，可放大元件的形状和尺寸，并且相同的参考标号表示相同的元件。
图2至图11是示出根据本发明的一个实施例的用于制造垂直结构的发光二极管(LED)的方法的截面图。为了制造LED，将蓝宝石基板用作生长基板，并将表示为AlxGayIn1-x-yN(0≤x≤1，0≤y≤1，0≤x+y≤1)的基于氮化稼(GaN)的半导体用作发光结构。
首先，参照图2，在蓝宝石基板101上顺序形成n型覆层115a、有源层115b、和p型覆层115c，以在蓝宝石基板101上获得发光结构115。其上形成有发光结构115的蓝宝石基板101包括多个器件区A和至少一个器件隔离区B。器件区A对应于将要形成LED芯片的区，以及器件隔离区B对应于LED芯片之间的边界区。
此后，参照图3，去除器件隔离区B的发光结构115，从而形成器件隔离沟槽120。因此，发光结构115被分割为单独的器件区A。之后，在p型覆层115c上形成P电极106。例如，P电极106可包括Pt/Au层、Ni/Au层、或Ni/Ag/Pt层。P电极106与p型覆层115c进行欧姆接触。
可选地，形成器件隔离沟槽120和p电极106的工艺可以不同的顺序执行。换言之，可首先在p型覆层115c上形成p电极106。此后，可在器件隔离区B中形成器件隔离沟槽120，以将发光结构115分割为单独的器件区A。
然后，参照图4，在p电极106和器件隔离区B上形成第一镀层136，使其连接多个器件区A。为了形成第一镀层136，预先在p电极106和器件隔离区B的顶部表面上形成‘用于镀的接种层’(未示出)，使其连接多个器件区A。例如，通过无电镀或沉积工艺(例如，溅射等)可以很容易地形成接种层。此后，执行电镀以在接种层上涂覆金属。结果，获得第一镀层136。例如，第一镀层136可由在包括Au、Cu、Ni、Ag、Cr、W、Al、Pt、Sn、Pb、Fe、Ti、Mo及它们的组合的组中所选择的至少一种金属材料形成。
正如随后将要更充分说明的，当去除蓝宝石基板101时，第一镀层136起到支撑件的作用。由于该原因，应形成第一镀层136，使其可连接多个器件隔离区A。例如，可形成第一镀层136，使其涂覆在结合p电极106顶部表面的整个表面(即，图3的合成结构的整个表面)上。然而，第一镀层136可不必涂覆在整个表面上。可以参照图12(a)和图12(b)更全面地示出第一镀层136不同的涂覆类型。
图12(a)和图12(b)是示出第一镀层136涂覆类型的实例的平面示意图。图4是沿图12(a)和图12(b)的线X-X′截取的截面图。首先，参照图12(a)，可以将第一镀层136涂覆在包括所有器件区A和器件隔离区B的整个表面上。
可选地，可以涂覆第一镀层136，使其敞开器件隔离区B的一部分。也就是说，参照图12(b)，可将第一镀层136不涂覆在器件隔离区B上的预定部分上。具体地，在使用化学剥离工艺去除基板101的情况下，优选地，如图12(b)所示，形成第一镀层136使其敞开器件隔离区B的预定部分。
随后，参照图5，形成光刻胶图样110，以敞开器件区A的第一镀层136。可通过光刻胶涂覆、曝光和显影工艺形成光刻胶图样110。
此后，参照图6，使用光刻胶图样110只在器件隔离区A的p电极106上选择性地执行电镀，从而在光刻胶图样110之间形成第二导电层156。例如，第二导电层156可由在包括Au、Cu、Ni、Ag、Cr、W、Al、Pt、Sn、Pb、Fe、Ti、Mo及它们的组合的组中所选择的至少一种金属材料形成。尽管图6示出了第二导电层156形成为单层，但是其也可形成为多层。参照图7，在形成第二镀层156之后，利用去膜溶液(stripping solution)去除光刻胶图样110。
接下来，参照图8，使用物理、化学、或机械方法将蓝宝石基板101从发光结构115分离或去除。此时，第一和第二镀层136和156起到支撑基板的作用。例如，可以通过诸如激光剥离(LLO)、化学剥离(CLO)、化学蚀刻、接地(grounding)/研磨(lapping)等的机械或化学机械抛光来去除蓝宝石基板101。
具体地，如果通过CLO工艺去除生长基板，如图12(b)所示，优选地形成第一镀层136使其敞开器件隔离区B的一部分。原因在于去除生长基板所使用的化学物质可通过器件隔离区B所敞开的部分容易地渗透进发光结构115和蓝宝石基板101之间的界面。
然后，参照图9，在去除蓝宝石基板101所露出的n型覆层115a上形成n电极119。注意到，与图8的结构相比，图9是倒置的视图。优选地，在形成n电极119之前，可对通过去除蓝宝石基板101而露出的n型覆层115a的顶部表面进行清洗和蚀刻。
然后，参照图10，通过湿蚀刻工艺去除器件隔离区B的第一镀层136。优选地，第一镀层136可由不同于形成第二镀层156的材料形成。具体地，第一镀层136可由具有比第二镀层156更高蚀刻选择性的材料形成。因此，由于第一镀层136的蚀刻选择性高于第二镀层156的蚀刻选择性，所以在蚀刻第一镀层136时，第二镀层156几乎不被蚀刻。因此，可以获得被分割为单独元件的多个垂直结构的LED 100。
可选地，使用分断或激光切割工艺来代替蚀刻工艺，可以从图9的结构获得多个垂直结构的LED。也就是说，在获得图9的结构之后，将器件隔离区B的第一镀层136去除或用激光束照射，使得可从器件隔离区B将第一镀层136切掉。因此，如图11所示，可以得到被分割为单独元件的多个垂直结构的LED 200。
如上所述，根据本发明的实施例，可通过第一镀层136的湿蚀刻、分断、和激光切割，容易得到被分割为单独元件的多个垂直结构的LED 100和200，而不需要附加的切割工艺或划线工艺。因此，可以防止由于切割工艺等造成的制造成本和加工时间的增加。另外，由于本发明采用镀工艺来代替导电基板的附着工艺，使得不存在可由基板的附着工艺而产生裂纹的危险。此外，由于将通过镀工艺形成的金属材料(即，第二导电层156)用作单独LED 100和200的导电基板，所以本发明的LED显示出优良的放热效果。
在前述实施例中，在去除蓝宝石基板101之前形成沟槽120。然而，本发明不限于此。也就是说，可以提前将蓝宝石基板101去除，随后可形成器件隔离沟槽120。
图13至图18是示出根据本发明另一个实施例的用于制造垂直结构的发光二极管(LED)的方法的截面图。在本发明的另一个实施例中，在去除蓝宝石基板101之后形成器件隔离沟槽120。
首先，如已经参照图2所述，在蓝宝石基板101上形成发光结构115。然后，参照图13，在发光结构115上形成p电极106，并在其上形成第一镀层136′。
然后，参照图14，形成光刻胶图样110以敞开器件区A的第一镀层136′。然后，使用光刻胶图样110形成第二镀层156。随后，参照图15，去除光刻胶图样110，然后利用激光剥离工艺等去除蓝宝石基板。
参照图16，在去除蓝宝石基板101之后，去除器件隔离区B的发光结构115，以形成器件隔离沟槽120′，然后，在n型覆层115a上形成n电极119。
此后，通过湿蚀刻工艺去除器件隔离区B的第一镀层136′，以将合成结构分割为单独的发光元件(参见图17)。因此，获得多个垂直结构的LED 300。可选地，可以通过第一镀层136′的分断和激光切割代替湿蚀刻，来形成多个垂直结构的LED 400(参见图18)。
根据本发明的该实施例，通过第一镀层136′的去除或湿蚀刻，还可以很容易地执行芯片分离工艺，而不需要附加的切割工艺或划线工艺。
尽管在前述实施例中没有示出，但在形成沟槽120和120′之后，可以在露出的发光结构115的侧表面上形成钝化层。钝化层起保护发光结构115的作用，并防止由于半导体层115a、115b和115c之间的非期望的短路所造成的漏电流。
在前述实施例中，尽管蓝宝石基板101用作生长基板，以及AlxGayIn1-x-yN(0≤x≤1，0≤y≤1，0≤x+y≤1)的半导体材料用作发光结构，但本发明不限于此。也就是说，本发明可应用于III-V族的其它化合物半导体。
例如，根据本发明的又一实施例，可将GaAs基板代替蓝宝石基板101来用作生长基板，以及可将AlxGayIn1-x-yP(0≤x≤1，0≤y≤1，0≤x+y≤1)的半导体材料用作发光结构115。作为又一实施例，可将GaAs基板代替蓝宝石基板101来用作生长基板，以及可将AlxGa1-xAs(0≤x≤1)的半导体材料用作发光结构115。
如上所述，根据本发明，可以通过第一镀层的湿蚀刻、分断、和激光切割容易地执行芯片分离工艺，而不需要附加的切割或划线工艺。因此，可以防止由于切割工艺等造成的制造成本和加工时间的增加。另外，由于本发明使用镀工艺来代替导电基板的附着工艺，所以不存在可由于基板的附着工艺所造成的裂纹的危险。此外，由于将通过镀工艺形成的金属材料用作单独LED的导电基板，所以通过本发明的方法制造的LED显示出优良的放热效果。
本领域的技术人员应该明白，可以对本发明做出各种改变和变化。因此，本发明旨在覆盖在所附权利要求及其等同物范围内的修改和变化。

Claims (24)

1. 一种用于制造垂直结构的发光二极管(LED)的方法，所述方法包括以下步骤：
在具有多个器件区和至少一个器件隔离区的生长基板上形成发光结构，其中，所述发光结构包括顺序设置在所述生长基板上的n型覆层、有源层和p型覆层；
在所述发光结构上形成p电极；
在所述p电极上形成第一镀层，以连接所述多个器件区；
形成敞开所述器件区的所述第一镀层的光刻胶图样；
使用所述光刻胶图样在所述器件区的所述第一镀层上执行电镀，从而形成第二镀层的图样；以及
去除所述生长基板，并在所述n型覆层上形成n电极。
2. 根据权利要求1所述的方法，还包括：在形成所述第一镀层之前，在所述器件隔离区上的所述发光结构的区域中形成沟槽，以将所述发光结构分割为单独的器件区。
3. 根据权利要求1所述的方法，还包括：在去除所述生长基板之后，在所述器件隔离区上的所述发光结构的区域中形成沟槽，以将所述发光结构分割为单独的器件区。
4. 根据权利要求2所述的方法，还包括：在形成所述沟槽之后，在被分割为所述单独器件区的所述发光结构的侧表面上形成钝化层。
5. 根据权利要求3所述的方法，还包括：在形成所述沟槽之后，在被分割为所述单独器件区的所述发光结构的侧表面上形成钝化层。
6. 根据权利要求1所述的方法，还包括：在形成所述n电极之后，通过湿蚀刻去除所述器件隔离区的所述第一镀层。
7. 根据权利要求6所述的方法，其中，所述第一镀层由不同于形成所述第二镀层的金属材料的金属材料形成，以及所述第一镀层具有比所述第二镀层更高的蚀刻选择性。
8. 根据权利要求1所述的方法，还包括：在形成所述n电极之后，去除所述器件隔离区的所述第一镀层。
9. 根据权利要求1所述的方法，还包括：在形成所述n电极之后，通过将激光束照射在形成在所述器件隔离区上的所述第一镀层上，来切掉所述器件隔离区的所述第一镀层。
10. 根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一镀层由在包括Au、Cu、Ni、Ag、Cr、W、Al、Pt、Sn、Pb、Fe、Ti、Mo及它们的组合的组中所选择的至少一种金属材料形成。
11. 根据权利要求1所述的方法，其中，所述第二镀层由在包括Au、Cu、Ni、Ag、Cr、W、Al、Pt、Sn、Pb、Fe、Ti、Mo及它们的组合的组中所选择的至少一种金属材料形成。
12. 根据权利要求1所述的方法，其中，在包括所述p电极顶部表面的整个表面上涂覆所述第一镀层。
13. 根据权利要求1所述的方法，其中，形成所述第一镀层使其敞开所述器件隔离区的一部分。
14. 根据权利要求1所述的方法，其中，形成所述第一镀层的步骤包括：
在所述p电极上形成用于电镀的接种层，使其连接所述多个器件区；以及
在所述接种层上执行电镀。
15. 根据权利要求14所述的方法，其中，通过无电镀或沉积工艺形成所述接种层。
16. 根据权利要求1所述的方法，其中，通过物理、化学或机械方法执行去除所述生长基板的所述步骤。
17. 根据权利要求16所述的方法，其中，通过激光剥离工艺执行去除所述生长基板的所述步骤。
18. 根据权利要求16所述的方法，其中，通过化学剥离工艺执行去除所述生长基板的所述步骤。
19. 根据权利要求18所述的方法，其中，形成所述第一镀层，使其敞开所述器件隔离区的一部分。
20. 根据权利要求1所述的方法，其中，所述n型覆层、所述有源层和所述p型覆层由III-V族的化合物半导体材料形成。
21. 根据权利要求1所述的方法，其中，所述n型覆层、所述有源层和所述p型覆层由表示为AlxGayIn1-x-yN的半导体材料形成，其中，0≤x≤1，0≤y≤1，0≤x+y≤1。
22. 根据权利要求21所述的方法，其中，所述生长基板包括蓝宝石基板。
23. 根据权利要求1所述的方法，其中，所述n型覆层、所述有源层和所述p型覆层由表示为AlxGayIn1-x-yP的半导体材料形成，其中，0≤x≤1，0≤y≤1，0≤x+y≤1。
24. 根据权利要求1所述的方法，其中，所述n型覆层、所述有源层和所述p型覆层由表示为AlxGa1-xAs的半导体材料形成，其中，0≤x≤1。
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102263119A (zh) * 2010-05-24 2011-11-30 Lg伊诺特有限公司 发光器件阵列及其制造方法以及发光器件封装
CN103367552A (zh) * 2012-03-27 2013-10-23 比亚迪股份有限公司 一种半导体发光器件的制作方法
CN106486470A (zh) * 2015-08-31 2017-03-08 三星显示有限公司 发光二极管结构和显示装置

Families Citing this family (41)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010500764A (ja) * 2006-08-07 2010-01-07 セミ−フォトニクス カンパニー リミテッド 複数の半導体ダイを分離する方法
KR100870719B1 (ko) * 2007-06-22 2008-11-27 (주)웨이브스퀘어 수직구조를 갖는 질화갈륨계 ｌｅｄ소자의 제조방법
US8097478B2 (en) 2007-06-29 2012-01-17 Showa Denko K.K. Method for producing light-emitting diode
DE102007043877A1 (de) * 2007-06-29 2009-01-08 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zur Herstellung von optoelektronischen Bauelementen und optoelektronisches Bauelement
TWI411124B (zh) * 2007-07-10 2013-10-01 Delta Electronics Inc 發光二極體裝置及其製造方法
JP5074138B2 (ja) * 2007-09-27 2012-11-14 昭和電工株式会社 発光ダイオードの製造方法
KR20090032207A (ko) * 2007-09-27 2009-04-01 삼성전기주식회사 질화갈륨계 발광다이오드 소자
JP5220916B2 (ja) * 2008-04-02 2013-06-26 ソン，ジュンオ 発光素子及びその製造方法
KR101428066B1 (ko) * 2008-04-02 2014-08-07 엘지이노텍 주식회사 수직구조 그룹 3족 질화물계 반도체 발광다이오드 소자 및이의 제조 방법
JP5237763B2 (ja) * 2008-11-10 2013-07-17 スタンレー電気株式会社 半導体素子の製造方法
JP5237764B2 (ja) * 2008-11-10 2013-07-17 スタンレー電気株式会社 半導体素子の製造方法
JP5237765B2 (ja) * 2008-11-10 2013-07-17 スタンレー電気株式会社 半導体素子の製造方法
KR101014045B1 (ko) * 2009-02-18 2011-02-10 엘지이노텍 주식회사 발광소자 및 그 제조방법
US8587017B2 (en) 2009-07-05 2013-11-19 Industrial Technology Research Institute Light emitting device and method of fabricating a light emitting device
WO2011069242A1 (en) * 2009-12-09 2011-06-16 Cooledge Lighting Inc. Semiconductor dice transfer-enabling apparatus and method for manufacturing transfer-enabling apparatus
US20110151588A1 (en) * 2009-12-17 2011-06-23 Cooledge Lighting, Inc. Method and magnetic transfer stamp for transferring semiconductor dice using magnetic transfer printing techniques
US8334152B2 (en) 2009-12-18 2012-12-18 Cooledge Lighting, Inc. Method of manufacturing transferable elements incorporating radiation enabled lift off for allowing transfer from host substrate
US8674383B2 (en) * 2010-01-21 2014-03-18 Siphoton Inc. Solid state lighting device on a conductive substrate
US8722441B2 (en) * 2010-01-21 2014-05-13 Siphoton Inc. Manufacturing process for solid state lighting device on a conductive substrate
KR101482050B1 (ko) * 2010-02-04 2015-01-13 에피스타 코포레이션 발광다이오드 어레이
WO2011111937A2 (ko) * 2010-03-09 2011-09-15 신왕균 투명 엘이디 웨이퍼 모듈 및 그 제조방법
KR101125334B1 (ko) * 2010-04-09 2012-03-27 엘지이노텍 주식회사 발광 소자, 발광 소자 제조방법 및 발광 소자 패키지
JP5531794B2 (ja) 2010-06-09 2014-06-25 日亜化学工業株式会社 半導体発光素子の製造方法
DE102010045390A1 (de) 2010-09-15 2012-03-15 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Halbleiterbauteil und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronisches Halbleiterbauteils
US8912033B2 (en) * 2010-10-08 2014-12-16 Tsmc Solid State Lighting Ltd. Dicing-free LED fabrication
CN104332546B (zh) * 2011-12-29 2016-04-06 义乌市运拓光电科技有限公司 一种led芯片
TWI528578B (zh) * 2012-03-28 2016-04-01 鴻海精密工業股份有限公司 發光二極體製造方法
JP6017834B2 (ja) * 2012-05-16 2016-11-02 Ｄｏｗａエレクトロニクス株式会社 半導体素子の製造方法ならびに半導体素子集合体および半導体素子
US9608016B2 (en) * 2012-05-17 2017-03-28 Koninklijke Philips N.V. Method of separating a wafer of semiconductor devices
TWI590302B (zh) * 2012-10-09 2017-07-01 晶元光電股份有限公司 半導體發光元件及其製作方法
DE102012218457A1 (de) 2012-10-10 2014-04-10 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches bauelement und verfahren zu seiner herstellung
KR101969308B1 (ko) * 2012-10-26 2019-04-17 삼성전자주식회사 반도체 발광소자 및 그 제조 방법
CN103811593B (zh) 2012-11-12 2018-06-19 晶元光电股份有限公司 半导体光电元件的制作方法
JP6111818B2 (ja) * 2013-04-24 2017-04-12 三菱電機株式会社 半導体素子、半導体素子の製造方法
JP2015195244A (ja) * 2014-03-31 2015-11-05 ソニー株式会社 半導体ユニット、半導体素子、発光装置、表示装置、半導体素子の製造方法
DE102015111721A1 (de) 2015-07-20 2017-01-26 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zur Herstellung einer Vielzahl von Halbleiterchips und strahlungsemittierender Halbleiterchip
CN105470354B (zh) * 2015-12-11 2019-01-08 佛山市国星半导体技术有限公司 Led芯片及其制作方法
CN105355731B (zh) * 2015-12-11 2019-01-08 佛山市国星半导体技术有限公司 Led芯片及其制作方法
CN111326948B (zh) * 2018-12-15 2023-04-07 深圳市中光工业技术研究院 激光器芯片的制备方法
US20210066547A1 (en) 2019-08-28 2021-03-04 Tslc Corporation Semiconductor Components And Semiconductor Structures And Methods Of Fabrication
CN112993112B (zh) * 2021-02-02 2022-08-12 华灿光电(苏州）有限公司 发光二极管芯片制备方法

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10190057A (ja) * 1996-12-24 1998-07-21 Toshiba Electron Eng Corp 半導体チップとその製造方法
US6057571A (en) * 1998-03-31 2000-05-02 Lsi Logic Corporation High aspect ratio, metal-to-metal, linear capacitor for an integrated circuit
CN1458699A (zh) * 2002-05-14 2003-11-26 张修恒 Led构装基座及插脚的构造及制造方法

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH1012917A (ja) 1996-06-25 1998-01-16 Hitachi Cable Ltd 発光ダイオード及びその製造方法
US6071795A (en) * 1998-01-23 2000-06-06 The Regents Of The University Of California Separation of thin films from transparent substrates by selective optical processing
DE10014667C1 (de) * 2000-03-24 2001-10-18 Envitec Wismar Gmbh Verfahren zur Herstellung von Gasdiffusionsmembranen durch partielle Laserverdampfung
DE10051465A1 (de) * 2000-10-17 2002-05-02 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements auf GaN-Basis
US20030189215A1 (en) * 2002-04-09 2003-10-09 Jong-Lam Lee Method of fabricating vertical structure leds
JP3896044B2 (ja) * 2002-07-11 2007-03-22 シャープ株式会社 窒化物系半導体発光素子の製造方法およびその製品
CN100595937C (zh) * 2002-08-01 2010-03-24 日亚化学工业株式会社 半导体发光元件及发光装置
DE10245631B4 (de) * 2002-09-30 2022-01-20 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Halbleiterbauelement
KR100495215B1 (ko) * 2002-12-27 2005-06-14 삼성전기주식회사 수직구조 갈륨나이트라이드 발광다이오드 및 그 제조방법
US7244628B2 (en) * 2003-05-22 2007-07-17 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Method for fabricating semiconductor devices
JP4295669B2 (ja) 2003-05-22 2009-07-15 パナソニック株式会社 半導体素子の製造方法
FR2857893B1 (fr) 2003-07-24 2006-09-22 Roulements Soc Nouvelle Procede de realisation d'une collerette de retention a transition progressive
JP4766845B2 (ja) * 2003-07-25 2011-09-07 シャープ株式会社 窒化物系化合物半導体発光素子およびその製造方法
WO2005088743A1 (en) * 2004-03-15 2005-09-22 Tinggi Technologies Private Limited Fabrication of semiconductor devices
JP2005268642A (ja) * 2004-03-19 2005-09-29 Uni Light Technology Inc 金属ベースを有する発光ダイオードの形成方法

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10190057A (ja) * 1996-12-24 1998-07-21 Toshiba Electron Eng Corp 半導体チップとその製造方法
US6057571A (en) * 1998-03-31 2000-05-02 Lsi Logic Corporation High aspect ratio, metal-to-metal, linear capacitor for an integrated circuit
CN1458699A (zh) * 2002-05-14 2003-11-26 张修恒 Led构装基座及插脚的构造及制造方法

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102263119A (zh) * 2010-05-24 2011-11-30 Lg伊诺特有限公司 发光器件阵列及其制造方法以及发光器件封装
CN102263119B (zh) * 2010-05-24 2013-11-13 Lg伊诺特有限公司 发光器件阵列及其制造方法以及发光器件封装
CN103367552A (zh) * 2012-03-27 2013-10-23 比亚迪股份有限公司 一种半导体发光器件的制作方法
CN103367552B (zh) * 2012-03-27 2016-03-30 比亚迪股份有限公司 一种半导体发光器件的制作方法
CN106486470A (zh) * 2015-08-31 2017-03-08 三星显示有限公司 发光二极管结构和显示装置

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