CN100411108C - 基板处理装置以及基板处理方法 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种基板处理装置和方法，可以在抑制损坏基板的同时对基板进行均匀的处理。与由多个卡盘销保持的基板对向而配置遮断板，通过从处理液喷嘴向基板表面和遮断板的对置面所夹持的空间中供给处理液，形成处理液的液密状态。并且，保持形成处理液的液密状态原样，使基板和遮断板旋转。在此状态，从超声波喷嘴对遮断板的对置面大致垂直地喷射传播了超声波振动的液体(纯水)。超声波振动在遮断板的内部向水平方向扩展，其中一部分的振动波从遮断板的对置面向液密状态的处理液扩展大范围并均匀地传递，使该处理液振动。为此，对基板表面振动能量不集中，可以在抑制基板损坏的同时对基板均匀处理。
Description
技术领域
本发明涉及一种使超声波传播到半导体晶片、光掩模用玻璃基板、液晶用玻璃基板、等离子显示用玻璃基板、光盘用基板等各种基板来实施清洗处理等规定的处理的基板处理装置以及方法。
背景技术
一直以来，为了除去附着在基板上的颗粒等微小的污染物质，在将处理液供给到基板的同时，对该处理液附加超声波振动，并传播到基板上。由此，通过基于处理液的化学清洗，再加上赋予基于超声波的物理振动，可以提高基板的清洗效果，有效地除去颗粒。在此，作为基板的清洗方法，有将多张基板一次浸入到处理液中进行处理的批次式清洗方法、和每次一张对基板表面供给处理液来进行处理的单张式清洗方法。
作为单张式基板处理装置，提案有例如专利文献1所记载的装置。在此装置中，通过在接近基板的背面(非器件面)并相对向的相对向构件(platter：盘状物)上埋设一个或其以上的超声波振动件，经由与基板和相对向构件双方接触的药剂使超声波振动传播到基板。入射到基板背面中的超声波的若干成透过基板到达基板的表面(器件面)。此时，通过从配置于基板上方的喷嘴向基板表面供给药剂，该药剂由于传播到基板表面侧的超声波而发生振动。这样，通过附加了超声波振动的药剂对基板作清洗处理。
此外，在专利文献2中记载的装置中，将超声波振动件编入到与基板表面相对向配置来供给处理液的处理液引导件中，使超声波振动传播到处理液来提高清洗效果。
专利文献1：JP特表2004-515053号公报(第20-22页、图2A)。
专利文献2：IP特开平8-130202号公报(第[0042]段-第[0043]段、图5)。
但是，在器件制造过程中，形成于基板上的图形逐年细微化，当为了除去基板上的颗粒而对基板施加多余的物理冲击时，图形就容易倒塌、破损。为此，即使对基板照射具有仅从基板上除去颗粒的能量的超声波，也需要控制到达基板的振动能量的阈值，以使能量不会达到损坏形成于基板的图形的程度。而且，必须使被控制的振动能量对被超声波清洗的被处理面进行均匀的传播，以使在基板的被处理面内，颗粒的除去性能没有偏错。
在现有装置中，由于在接近基板并相对向的相对向构件上直接安装超声波振动件，使超声波振动传播到基板，所以存在以下问题。即，超声波振动件本身的大小受限。因此，为了让控制为规定阈值的超声波振动能量均匀地传播到被处理面全体，必须在将多个振动件以对基板的被处理面全体均匀的方式安装在相对向构件上的同时，将从每个振动件发出的振荡输出控制为低输出并且没有偏差，使得成为不损坏图形的程度的能量。但是，加上各振动件具有的特性偏差的影响，振动件对相对向构件的安装要想做到全体均匀是极其困难的，会导致振动能量不在被处理面全体上均匀传播而集中起来。其结果是，有时会对形成于基板上的图形造成损坏，不能对基板做均匀的处理。而且，将每个振动件的振荡输出控制为低输出状态并且没有偏差事实上是不可能的。
发明内容
本发明是鉴于上述问题而提出的，其目的在于提供一种在抑制对基板的损坏的同时能够对基板进行均匀处理的基板处理装置和方法。
本发明的基板处理装置，为了实现上述目的，其特征在于，包括：基板保持装置，其将基板以大致水平姿势保持；振动构件，其由能够传播超声波振动的材料形成，同时，具有能够和由基板保持装置保持的基板的被处理面相对向的对置面，该对置面与被处理面分离开并相对向；处理液供给装置，其通过向基板的被处理面和振动构件的对置面所夹持的空间中供给处理液，从而在该空间中积存处理液，使该空间成为充满处理液的状态；超声波赋予装置，其使传播了超声波振动的液体碰撞到振动构件的对置面之外的非对置面上。
此外，本发明涉及的基板处理方法，为了实现上述目的，其特征在于，包括：振动构件配置工序，将由能够传播超声波振动的材料形成的振动构件的一面作为基板对置面，与基板的被处理面相对向配置；液密形成工序，通过向基板的被处理面和振动构件的对置面所夹持的空间中供给处理液，使得该空间成为充满处理液的状态；超声波赋予工序，使传播了超声波振动的液体碰撞到振动构件的对置面以外的非对置面上。
在这样构成的发明(基板处理装置和方法)中，通过振动构件与基板的被处理面相对向分离配置，在基板的被处理面和振动构件的对置面之间形成空间。并且，通过对此空间供给处理液，在该空间形成处理液的液密状态。在此状态，通过将传播了超声波振动的液体碰撞到除振动构件的对置面之外的非对置面，使超声波振动传播到振动构件。传播到振动构件的超声波振动在振动构件内分散的同时扩展。其中一部分振动波，从振动构件的对置面全体向液密状态的处理液大范围并均匀地传递，使该处理液振动。由此，可以使超声波振动能量均等地分散同时传播到基板的被处理面。这样，由于经由传播了超声波振动的液体，使振动能量在振动构件全体均等地分散，所以对基板的被处理面，振动能量不会集中，并且可以使传播到被处理面的能量密度均等地衰减。其结果是可以在抑制基板损坏的同时对基板均匀处理。
在此，也可以在使基板旋转的同时使传播了超声波振动的液体碰撞到振动构件。根据此结构，可以在保持在基板和振动构件之间形成处理液的液密状态下，在旋转方向高效地处理基板的同时，可以用作用于处理液的离心力，将除去了的污染物质迅速地向基板外排出。
此外，传播了超声波振动的液体向振动构件的非对置面的入射方向最好是大致水平的。由此，在振动构件内传播的超声波振动向水平方向分散，防止振动能量集中。而且，由于超声波的传播方向(传播了超声波振动的液体的入射方向)和基板的被处理面是大致平行的关系，超声波可以直接到达基板的被处理面，防止给基板带来损坏。
进而，将相对于基板对置面大致垂直立起的侧壁面作为振动构件的非对置面，传播了超声波振动的液体大致垂直地碰撞于侧壁面，不会妨碍超声波透过液体(传播了超声波振动的液体)和固体(振动构件)的界面，可以防止在界面附近振动能量集中。
在此，优选振动构件的对置面具有和基板的被处理面的平面尺寸同等或其以上的大小的平面尺寸。根据此结构，在使超声波振动能量分散的有效面积扩大的同时，对基板的被处理面的全体，可以形成处理液的液密状态。其结果是，可以实现传播到被处理面的振动能量的均一的分散效果。
此外，优选使振动构件旋转的同时，使传播了超声波振动的液体碰撞于该振动构件。根据此结构，可以让传播到振动构件内的超声波振动进一步有效地分散，可以防止振动能量集中并到达基板的被处理面。此外，通过可以旋转地构成振动构件，可以通过旋转甩掉并排出附着在振动构件上的处理液，同时可以定期地清洗振动构件本身。
另外，作为振动构件的材质，从易于传播超声波、要求洁净度、具有耐药液性能、和易于加工的观点来说，优选使用石英。此外，也可以用石英以外的材料，如蓝宝石、陶瓷材料、SiC等作为传递超声波振动的材料构成振动构件。
此外，作为本发明中使用的形成液密状态的处理液，除纯水以外，从在处理液中高效地发生由超声波振动引起的气蚀的观点来说，可以使用氮溶解水、有蚀刻作用的药液，例如SCl(氨/过氧化氢的混合液)等。此外，也可以在处理液中添加界面活性剂，使对基板表面的润湿性上升。
根据本发明，在基板的被处理面和振动构件的对置面之间，将处理液积存为液密状态，使传播了超声波振动的液体碰撞于该振动构件的非对置面。由此，超声波振动在振动构件内大范围的扩散并传播，从振动构件的对置面全体向液密状态的处理液大范围均一地传递，使该处理液振动。为此，不会对基板的被处理面集中振动能量，而且可以让传播到被处理面的能量均匀地衰减。其结果是，可以在控制基板的损坏的同时对基板进行均匀处理。
附图说明
图1是表示本发明的基板处理装置的一个实施方式的图。
图2是表示超声波喷嘴的结构的图。
图3是表示图1的基板处理装置的动作的流程图。
图4A～图4C是示意性表示图1的基板处理装置的动作的图。
图5是表示遮断板的变形方式的图。
具体实施方式
图1是表示本发明的基板处理装置的一个实施方式的图。此基板处理装置是用于清洗处理的单张式基板处理装置，该清洗处理用于除去附着在半导体晶片等的基板W的表面Wf(相当于本发明的“被处理面”)上的颗粒或各种金属杂质等污染物质。更具体的说，是对形成器件图形的基板表面Wf供给纯水或者清洗用药液(以下称为“处理液”)的同时，对该处理液赋予超声波振动来清洗基板W的装置。
此基板处理装置具有：旋转卡盘1，其将基板W在其表面Wf朝向上方的状态下保持水平并使其旋转；遮断板3，其与被保持在旋转卡盘1上的基板W的上表面相对向而配置；处理液喷嘴5，其向被保持在旋转卡盘1上的基板W的上表面中央部供给处理液；超声波喷嘴7，其向遮断板3排出传播了超声波振动的液体(以下称为“超声波传播液”)。
旋转卡盘1，将旋转轴11连接在包含马达的卡盘旋转驱动机构13的旋转轴上，通过卡盘旋转驱动机构13的驱动，可以绕沿垂直方向延伸的旋转轴J旋转。在此旋转轴11的上端部，圆盘状的旋转基座15通过螺钉等连结部件连接为一体。因此，对应于来自控制装置全体的控制单元4的动作指令，驱动卡盘旋转驱动机构13，从而旋转基座15以旋转轴J为中心进行旋转。这样，在此实施方式中，卡盘旋转驱动机构13起到本发明的“基板旋转装置”的作用。
在旋转基座15的周边部附近，竖立设置有用于把持基板W的周边部的多个卡盘销17。为了可靠地保持圆形的基板W，卡盘销17只要设置为3个或其以上就行，沿旋转基座15的周边部以等角度间隔配置。卡盘销17分别具备有从下方支撑基板W的周边部的基板支撑部17a、按压由基板支撑部17a支撑着的基板W的外周端面来保持基板W的基板保持部17b。各卡盘销17，以可以在基板保持部17b按压基板W的外周端面的按压状态，和基板保持部17b离开基板W的外周端面的解除状态之间切换的方式而构成。
对旋转基座15交接基板W时，多个卡盘销17为解除状态，在对基板W进行清洗处理时，多个卡盘销17为按压状态。通过成为按压状态，多个卡盘销17，把持基板W的周缘部，可将该基板W从旋转基座15间隔规定间隔而保持大致水平姿态。基板W，以其表面(器件图形形成面)Wf朝向上面侧，背面Wb朝向下面侧的状态而被保持。这样，在此实施方式中，卡盘销17起到本发明的“基板保持装置”的作用。
在旋转卡盘1的上方，水平配设有与被卡盘销17保持的基板W相对向的圆盘状的遮断板3(相当于本发明“振动构件”)。此遮断板3，具有比基板W(表面Wf)的平面尺寸D大一些的平面尺寸，以便可以覆盖基板表面Wf的全部区域，可一体旋转地安装在与旋转卡盘1的旋转轴11在同一个轴上配置的旋转轴31的下端部。在此旋转轴31上，连接有遮断板旋转驱动机构33，对应于来自控制单元4的动作指令，驱动遮断板旋转驱动机构33的马达，由此使遮断板3以垂直轴J为中心进行旋转。控制单元4，以使遮断板旋转驱动机构33与卡盘旋转驱动机构13同步的方式进行控制，从而能够以与旋转卡盘1相同的旋转方向和相同的旋转速度旋转驱动遮断板3。这样，在此实施方式中，遮断板旋转驱动机构33起到本发明的“振动构件旋转装置”的作用。
此外，遮断板3，与遮断板升降驱动机构35连接，通过使遮断板升降驱动机构35的升降驱动用驱动器(例如气缸等)动作，可以使遮断板3接近旋转基座15并相对向，或相反使其离开。具体来说，通过控制单元4驱动遮断板升降驱动机构35，在对基板处理装置搬入搬出基板W时，使遮断板3上升到旋转卡盘1的上方的避让位置。另一方面，在对基板W进行清洗处理时，使遮断板3下降到设定于被保持在旋转卡盘1的基板W的表面Wf附近的规定的处理位置。由此，在遮断板3的下表面(对置面3a)与基板表面Wf接近的状态下分离并相对向配置。
旋转轴31，是中空轴，其内部插通了处理液供给管51。此处理液供给管51的前端形成有处理液喷嘴5。处理液供给管51与纯水供给单元21和药液供给单元23相连接，有选择地供给纯水或药液。并且，通过从处理液喷嘴5供给处理液(纯水或药液)，可以在基板表面Wf和遮断板3的对置面3a所夹持的空间SP将处理液存为液密状态。这样，在此实施方式中，处理液喷嘴5起到本发明的“处理液供给装置”的作用。
遮断板3的侧壁(侧壁面3b)成为从后述的超声波喷嘴7排出的超声波传播液的入射面，相对于基板对置面3a垂直立起。此侧壁面3b的高度(遮断板3的厚度)，具有从超声波喷嘴7排出的超声波传播液不向遮断板3的上表面和下表面(对置面3a)漫延的程度的大小。超声波传播液碰撞到遮断板3的侧壁面3b时，超声波振动就传播到遮断板3，遮断板3整体振动。传播到遮断板3的超声波振动，在遮断板3内部传播并扩展，其一部分振动波，从遮断板3向液密状态的处理液传递，使该处理液振动。
作为遮断板3的材质，从(1)易于传播超声波、(2)要求清洁度、(3)具有耐药液性能、和(4)易于加工的观点出发，使用高纯度石英。此外，作为除石英以外可传递超声波振动的材料，如果没有向处理液(不仅限于纯水)稀出等的问题，或者如果在稀出等能够容许的范围内即可，也可以用蓝宝石、陶瓷材料、SiC等构成。
在遮断板3的侧方，朝向该遮断板3的侧壁面3b，配置有排出超声波振动传播的液体(纯水)的超声波喷嘴7作为本发明的“超声波赋予装置”。具体来说，在遮断板3下降到与基板W接近并相对向的处理位置时，以从超声波喷嘴7排出的液体大致垂直地与遮断板3的侧壁面3b相碰撞的方式配置超声波喷嘴7。就是说，超声波喷嘴7的排出口，朝向遮断板3的侧壁面3b开口，超声波传播液的排出方向P与基板表面Wf为大致平行的关系。
接着，参照图2详细说明超声波喷嘴7的结构。超声波喷嘴7是所谓的喇叭形喷嘴，喷嘴主体71具备：有盖圆筒形状的主体部71a、和与该主体部71a相结合并且剖面形状为大致V字形的喷嘴前端部71b。在此喷嘴主体71的内部形成可填充液体(纯水)的填充空间FS。在喷嘴前端部71b设有排出口72，从该排出口72排出被供给到填充空间FS内的液体。此排出口72的开口面积小于主体部71a的纵向剖面(与液体的排出方向P大致垂直的剖面)的面积。就是说，喷嘴前端部71b的纵向剖面的面积，从与主体部71a的结合部(图2的右侧)向着开口部(图2的左侧)逐渐变小。在主体部71a的侧面，设有向填充空间FS供给纯水的供给口73，经由配管74，与纯水供给单元21连通连接。因此，当经由此配管74向填充空间FS供给纯水时，从填充空间FS经由排出口72向排出方向P排出纯水。
此外，在喷嘴主体71的内部，与排出口72相对向而在主体部71a的上壁面固定设置有超声波振动件75。在超声波振动件75的表面粘贴有石英或高纯度SiC(碳化硅)的薄板。在超声波振动件75上电连接有电缆76，电缆76与超声波振荡器(图示略)电连接。可以从超声波振动件75向填充空间FS内的纯水振荡超声波，可以对从排出口72排出的纯水赋予超声波。
接着，说明上述那样构成的基板处理装置的动作。图3是表示图1的基板处理装置的动作的流程图。此外，图4是示意性表示图1的基板处理装置的动作的图。在此装置中，当在基板的表面Wf上形成了器件图形的基板W，在将图形形成面朝向上方的状态下被搬入，并载置于旋转基座15上时，通过控制单元4将多个卡盘销17从解除状态变为按压状态，从而把持基板W的周边部。由此，基板W保持大致水平姿势。另外，在进行基板W的搬送时，遮断板3在旋转卡盘1的上方的避让位置，防止与基板W的干涉。
当基板W被保持在卡盘销17时，控制单元4使遮断板3下降到处理位置，并接近基板W而相对向配置(步骤S1：振动构件配置工序)。由此，基板表面Wf被遮断板3的基板对置面3a覆盖，遮断基板W周围的外部环境。并且，如图4A所示，从处理液喷嘴5向基板表面Wf的大致中央部供给处理液，使基板表面Wf和遮断板3的基板对置面3a夹持的空间SP变为液密状态，从而在该空间SP将处理液积存为浆状(パドル状)(步骤S2：液密形成工序)。在此，因为遮断板3的平面尺寸形成为大于等于基板W的平面尺寸D的大小，所以在基板表面Wf的全体区域形成处理液的液密状态(使基板表面Wf成为大致剖面形状的液柱)。
接着，控制单元4控制卡盘旋转驱动机构13使旋转基座15旋转，由此基板W和遮断板3之间形成处理液的液密状态，在此状态下使基板W旋转(步骤S3)。此时，优选对应于基板旋转来控制遮断板旋转驱动机构33，以与旋转基座15的转速大致相同的转速，使遮断板3向同一方向旋转。由此，如后面所述那样，可以高效地将被赋予给遮断板3的超声波振动分散在遮断板3的内部。
在此状态下，如图4B所示，从遮断板3的侧方的超声波喷嘴7排出超声波传播液(纯水)，并以大致垂直入射的方式碰撞于遮断板3的侧壁面3b(步骤S4：超声波赋予工序)。由此，超声波透过液体(超声波传播液)和固体(遮断板3)的界面，传播到遮断板3内，使该遮断板3振动。入射到遮断板3的超声波振动，在遮断板3内部向水平方向分散并扩展。其一部分的振动波(相对于超声波向遮断板3的入射方向垂直且向下的成分)，从遮断板3的对置面3a的全体向液密状态的处理液扩展并且均匀传递，使处理液振动。这样，因为经由液体(超声波传播液)，使遮断板3整体振动，所以可以让振动能量高效地分散在遮断板3内。
由此，可以让传播到基板表面Wf的超声波振动的能量密度均匀地衰减。具体来说，可以让将阈值控制为不损坏图形的程度的振动能量在基板表面Wf的整体区域传播。其结果是，不会损坏形成于基板表面Wf的图形，而可以除去颗粒等污染物质。另外，除去了的污染物质在作用于处理液的离心力的作用下，被迅速地向基板外排出。
这样，当基板W的清洗处理结束时，如图4C所示那样，控制单元4提高卡盘旋转驱动机构13和遮断板旋转驱动机构33的马达的旋转速度，使基板W和遮断板3高速旋转。由此，甩掉附着在清洗后的基板W和遮断板3上的处理液来使其干燥(步骤S5)。
当干燥处理结束时，控制单元4在控制遮断板旋转驱动机构33使遮断板3的旋转停止的同时，控制卡盘旋转驱动机构13并使基板W的旋转停止(步骤S6)。其后，遮断板3上升，保持基板W周边部的多个卡盘销17从按压状态变为解除状态，处理结束的基板W被从装置搬出(步骤S7)。
如上所述，根据此实施方式，在基板表面Wf和遮断板3的对置面3a夹持的空间SP中形成处理液的液密状态的同时，传播了超声波振动的液体碰撞在遮断板3的侧壁面3b上。由此，超声波振动，在遮断板3的内部扩展分散并传播，从遮断板3的对置面3a全体经由液密状态的处理液到达基板表面Wf。为此，不会对基板表面Wf集中振动能量，而且可以让传播到基板表面Wf的能量密度均等地衰减。其结果是，可以在抑制基板W的损坏的同时对基板进行均匀的处理。
此外，根据此实施方式，因为遮断板3的平面尺寸具有和基板W的平面尺寸D相同或其以上的大小，可以得到以下的作用效果。即，通过将使超声波振动能量分散的有效面积扩大到基板W(表面Wf)的平面尺寸D，可以有效地实现传播到基板表面Wf的振动能量的均匀的分散。此外，通过使液密状态的处理液(液柱)的剖面尺寸比遮断板3的平面尺寸小，可以避免在遮断板3的对置面3b产生的超声波的反射造成的影响。就是说，通过将处理液和周围环境的边界(液柱的侧面)收缩到遮断板3对置面3b的径向内侧，减轻在遮断板3内部存在于侧面壁3b附近的反射波造成的影响，可以防止对图形的损坏。
从上述的观点来说，如图5所示，优选遮断板3的平面尺寸以比基板W的平面尺寸D足够大的方式形成遮断板3。由此，可以可靠地排除由在遮断板3的对置面3b发生的超音波的反射造成的影响。
此外，根据此实施方式，由于超声波传播液大致水平地入射到遮断板3，在遮断板3内传播的超声波振动向水平方向分散，可以防止振动能量集中。就是说，在以相对遮断板3的上表面或下表面(对置面3a)具有规定角度的方式使超声波传播液碰撞到遮断板3时，振动能量不能充分地向水平方向分散，在集中在狭小的范围的状态下，超声波向基板W传递，会造成损坏，但是根据此实施方式，通过防止振动能量的集中，防止了对基板W的损坏。而且，超声波传播液的入射方向和基板表面Wf是大致平行的关系，所以可以防止超声波直接到达基板表面Wf而对基板W造成损坏。此外，因为超声波传播液大致垂直地入射到遮断板3的侧壁面3b，不会妨碍超声波透过液体(超声波传播液)和固体(遮断板3)之间的界面，防止在界面附近集中振动能量。
进而，根据此实施方式，由于使遮断板3旋转的同时，使超声波传播液碰撞到该遮断板3，所以可以有效地分散传播到遮断板3内的超声波振动。此外，这样，通过可以旋转地构成遮断板3，在通过旋转而甩掉并排出附着在遮断板3的处理液的同时，可以定期地清洗遮断板3。
根据此发明，因为以经由超声波传播液使遮断板3振动的方式而构成，所以可以解决在遮断板等的和基板接近的相对向构件上直接安装超声波振动件的情况下发生的如下的问题。即，如果在与基板W接近的相对向构件上具备用于安装超声波振动件和驱动该超声波振动件的配线等，对不能有污染存积的清洗装置来说是极其不利的，也可能抵消清洗效果。特别是在上方配置相对向构件，使附着在该相对向构件的液滴不残留的同时，在清洗相对向构件本身的情况下，必须使相对向构件旋转。此时，当在旋转轴上缠绕多条配线，并通过处理液和必要的情况下通过气体(氮气等)时，就容易引起污染存积，即使通过自清洗也不能变得清洁。
另一方面，如本发明所述，在经由超声波传播液让与基板W接近的相对向构件振动的方式中，由于不需要在相对向构件本身上安装超声波振动件和配线等，所以很难引起上述的污染存积，通过自清洗来维持清洁度也是容易的。
另外，本发明并不仅限于上述的实施方式，只要不脱离其宗旨可以对其进行各种上述方式以外的变更。例如，在上述实施方式中，虽然将遮断板3的平面尺寸做成和基板W的平面尺寸D相同或其以上的大小，但并不限定于此，只要可以在与基板表面Wf之间形成处理液的液密状态即可，可以是任意的大小。例如，即使使遮断板的平面尺寸为基板W的平面尺寸D的一半的情况下，通过使保持基板表面Wf与遮断板之间形成处理液的液密状态，在此状态下使基板W(或是遮断板)旋转，从而可以对基板表面Wf全体区域进行清洗处理。
此外，在上述实施方式中，虽然遮断板3的形状是圆盘状的板状构件，但遮断板3的形状并不仅限于此。只要是有基板对置面，可以在与基板W之间形成处理液的液密状态，并且可以向除了该基板的对置面以外的非对置面入射超声波传播液的形状即可。例如可以是长方体、圆锥形、圆顶形状等。
此外，作为在此基板处理装置中使用的处理液，纯水也认可其清洗效果，但除了纯水以外，在处理液中高效地发生由超声波振动产生的气蚀的观点来说，可以使用氮溶解水、有蚀刻作用的药液，例如SCl(氨/过氧化氢的混合溶液)等。此外，也可以在处理液中添加界面活性剂，使对基板表面Wf的润湿性上升。此外，从超声波喷嘴7排出的液体也不仅限于纯水，只要是不对液密状态的处理液带来恶劣的影响就可以。
本发明能够适用于使超声波传播到包含半导体晶片、光掩模用玻璃基板、液晶显示用玻璃基板、等离子显示用玻璃基板、光盘用基板等基板全体的表面，而实施规定的处理的基板处理装置。
Claims (10)
1. 一种基板处理装置，其特征在于，包括：
基板保持装置，其将基板以水平姿势保持；
振动构件，其由能够传播超声波振动的材料形成，同时，具有能够和由上述基板保持装置保持的基板的被处理面相对向的对置面，该对置面与上述被处理面分离开并相对向；
处理液供给装置，其通过向上述基板的被处理面和上述振动构件的对置面所夹持的空间中供给处理液，从而在该空间中积存上述处理液，使该空间成为充满上述处理液的状态；
超声波赋予装置，其使传播了超声波振动的液体碰撞到上述振动构件的对置面之外的非对置面上。
2. 如权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，还具备通过使上述基板保持装置旋转而使基板旋转的基板旋转装置。
3. 如权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，上述传播了超声波振动的液体向上述振动构件的非对置面的入射方向水平。
4. 如权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，将相对于上述基板对置面而垂直立起的侧壁面作为上述非对置面，上述传播了超声波振动的液体垂直碰撞于上述侧壁面。
5. 如权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，上述振动构件的对置面具有大于等于上述基板被处理面的平面尺寸的大小的平面尺寸。
6. 如权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，还具备使上述振动构件旋转的振动构件旋转装置。
7. 如权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，上述振动构件是由石英形成的。
8. 一种基板处理方法，其特征在于，包括：
振动构件配置工序，将由能够传播超声波振动的材料形成的振动构件的一面作为基板对置面，与基板的被处理面相对向配置；
液密形成工序，通过向上述基板的被处理面和上述振动构件的对置面所夹持的空间中供给处理液，使得该空间成为充满上述处理液的状态；
超声波赋予工序，使传播了超声波振动的液体碰撞到振动构件的对置面以外的非对置面上。
9. 如权利要求8所述的基板处理方法，其特征在于，在上述超声波赋予工序中，使基板旋转的同时，使传播了超声波振动的液体碰撞到上述振动构件的非对置面上。
10. 如权利要求8或9所述的基板处理方法，其特征在于，在上述超声波赋予工序中，使上述振动构件旋转的同时，使传播了超声波振动的液体碰撞到上述振动构件的非对置面上。
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