CN100411019C

CN100411019C - 磁记录介质及其制造方法、以及用于磁记录介质的中间体

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Publication number: CN100411019C
Application number: CNB2005101049389A
Authority: CN
Inventors: 高井充; 服部一博; 诹访孝裕; 大川秀一
Original assignee: TDK Corp
Current assignee: TDK Corp
Priority date: 2004-09-22
Filing date: 2005-09-22
Publication date: 2008-08-13
Anticipated expiration: 2025-09-22
Also published as: JP2006092632A; US7538041B2; CN1783229A; US20060063042A1

Abstract

提供一种磁记录介质，在该磁记录介质中，以预定凹凸图案将磁记录层(5)设置在基片(1A)上，并用非磁性材料填充凹凸图案中的凹部分，在凹凸图案的凸部分上形成非磁性层(16)，所述非磁性层(16)由非磁性材料中的位于凹部分底面的非磁性材料形成，同时，使凸部分和凹部分的表面基本平坦化，并且所述非磁性层(16)的厚度等于或小于1nm。

Description

磁记录介质及其制造方法、以及用于磁记录介质的中间体

背景技术

本发明涉及一种磁记录介质、一种制造该磁记录介质的方法、以及一种用于该磁记录介质的中间体，更具体而言，涉及一种具有良好磁再生特性、不损害磁记录层的磁记录介质，以及一种制造该磁记录介质的方法。

通过使用提高构成磁记录层的磁粒的细微化、材料的改变以及磁头加工的细微化等的方法，促进了诸如硬盘等的磁记录介质的面记录密度的显著提高，因此，今后有望进一步提高面记录密度。然而，由于磁头加工的极限、增大的磁场产生的侧边缘化(side fringe)、串扰等问题，近年来使用的改进方法在提高面记录密度上面临着限制，因此使用传统方法不可以进一步提高面记录密度。

为解决这样的问题，例如，见JP-A-9-97419和JP-A-2000-195042，已提出了一种离散磁轨道型磁记录介质，其作为能够提高磁记录介质的面记录密度的方法之一。该离散磁轨道型磁记录介质具有以同心圆磁道图案形成的磁记录层，以及非磁性层，该非磁性层沿磁道方向连续填充在相邻磁道之间的凹部分内，以分隔同心圆磁道图案。

在制造离散磁轨道型磁记录介质时，为抑制其上安装有磁头的磁头浮动块的浮动偏差，通常用非磁性层填充以同心圆磁道图案形成的相邻磁道之间的凹部分，以使磁记录介质的顶面平坦化。用非磁性层填充相邻磁道之间的凹部分的方法，采用半导体制造领域中所用的诸如溅射等的成膜技术。如JP-A-2000-195042中所披露的，根据这样的成膜技术，非磁性层不仅形成在磁道之间，还形成在磁记录层的顶面上，这导致：当磁记录层上的非磁性层厚度大约为10nm时，通过气流浮动在磁记录介质上的磁头与构成磁记录介质的磁记录层之间的间隙长度增加(即，其导致磁头和磁记录层之间的间隙损耗增加)，这样使得检测灵敏度下降。

为解决这个问题，优选地，在对形成在磁记录层上的非磁性层的表面进行平坦化的同时，使其变得更薄，而且，平坦化装置例如使用干式蚀刻法。

然而，在上述使用干式蚀刻法的平坦化过程中，难以控制蚀刻速度，并且过度蚀刻可能损坏磁记录层。此外，在执行过度蚀刻的情况下，可能在磁记录层和填充在磁道之间的凹部分的非磁性层之间具有高低不平。结果，这使得通过气流在所得到的磁记录介质上面的磁头浮动不稳定，这样可能对磁头的浮动特性产生不利的影响。

因此，需要不损坏磁记录层，以及控制在磁记录层上形成的非磁性层的厚度，以便最大限度地抑制磁记录和再生特性的下降，所述磁记录和再生特性的下降由磁头与非磁性层之间的大间隙损耗所引起的。

发明内容

为达到上述目的，本发明的第一个目的在于：提供一种具有良好磁记录和再生特性的磁记录介质。此外，本发明的第二个目的在于：提供制造该磁记录介质的方法。再者，本发明的第三个目的在于：提供一种用于该磁记录介质的中间体，其允许制造所述磁记录介质。

用于达到第一个目的的本发明的磁记录介质是这样的磁记录介质：即，以预定凹凸图案将磁记录层设置在基片上；并用非磁性材料填充凹凸图案中的凹部分；由位于凹部分底面的非磁性材料形成的非磁性层，其形成在凹凸图案的凸部分上，同时，使凸部分和凹部分的表面基本平坦化。在这种情况下，非磁性层的厚度等于或小于1nm。

根据本发明，在凸部分上形成由填充凹部分的非磁性材料形成的各层中的非磁性层，所述非磁性层由位于凹部分底面的非磁性材料形成，并且所述非磁性层的厚度等于或小于1nm，所以，能形成具有未受损的磁记录层的磁记录介质。此外，根据本发明，用非磁性材料填充凹部分，并且凸部分和凹部分的表面基本平坦，所以，通过气流使磁头在磁记录介质上面的浮动变得稳定。根据本发明的磁记录介质，在形成凸部分的磁记录层上形成的非磁性层具有等于或小于1nm的厚度，所述非磁性层由位于凹部分底面的非磁性材料形成。然而，即使在所述非磁性层上形成多层保护层时，总厚度也是薄的，并且其变得平坦，所以，能使得磁记录层和磁头之间的间隙损耗变小，从而最大限度地抑制磁记录和再生特性的下降。

此外，为达到第一个目的的本发明的磁记录介质是这样的磁记录介质：即，以预定凹凸图案将磁记录层设置在基片上，并用非磁性材料填充凹凸图案中的凹部分，由位于凹部分底面的所述非磁性材料形成的非磁性层，其形成在所述凹凸图案的凸部分上，同时，使凸部分和凹部分的表面基本平坦化。在这种情况下，所述非磁性层的厚度等于或小于1nm。

根据本发明，在凸部分上形成由填充凹部分的非磁性材料形成的各层中的非磁性层，所述非磁性层由在凹部分底面的两层叠层的非磁性材料形成，并且非磁性层的厚度等于或小于1nm，所以，能形成具有未受损的磁记录层的磁记录介质。此外，根据本发明，如上所述，凸部分和凹部分的表面基本平坦，所以，使通过气流在磁记录介质上面的磁头浮动变得稳定。在这样的本发明的磁记录介质中，能使得磁记录层和磁头之间的间隙损耗小，从而最大限度地抑制磁记录和再生特性的下降。

为达到第二个目的的制造磁记录介质的方法是这样的方法：即，该方法包括：以预定凹凸图案在基片上形成磁记录层的步骤，在凹凸图案上形成第一非磁性层的步骤，在所述第一非磁性层上形成蚀刻监测层的步骤，在所述蚀刻监测层上形成第二非磁性层的步骤，以及至少蚀刻形成在磁记录层上的第二非磁性层的步骤，所述磁记录层用于形成凹凸图案的凸部分。这种情况下，在执行第一非磁性层形成步骤、蚀刻监测层形成步骤、以及第二非磁性层形成步骤后，用各个步骤中形成的非磁性层中的至少一种或多种非磁性层填充凹凸图案的凹部分，并且蚀刻步骤是使凸部分和凹部分的表面基本平坦化的步骤，其还包括这样的步骤：即，在开始蚀刻设置在形成凸部分的磁记录层上的蚀刻监测层后，将所述蚀刻监测层的蚀刻速度、所述第一非磁性层的蚀刻速度、或者当第二非磁性层仍然留在所述凹凸图案的凹部分上时将所述第二非磁性层的蚀刻速度，调整到零或使其降低。

根据本发明，在开始蚀刻在形成凸部分的磁记录层上形成的蚀刻监测层后，还包括调整蚀刻速度的步骤，其将蚀刻监测层的蚀刻速度、第一非磁性层的蚀刻速度、或者当第二非磁性层仍然留在凹凸图案的凹部分上时将第二非磁性层的蚀刻速度，调整到零或者降低这些蚀刻速度，所以，在能容易地控制磁记录层上的残余层以使其具有薄且均匀的厚度的同时，能以高蚀刻速率来执行蚀刻，直到检测到在形成凸部分的磁记录层上的蚀刻监测层为止。此外，根据本发明，蚀刻步骤是使凸部分和凹部分表面基本平坦化的步骤，这样使得将磁记录介质的表面平坦化变得方便。根据本发明的这样的制造方法，即使当在磁记录层上的残余层上进一步形成保护层等层时，也能最大限度地使在形成凸部分的磁记录层上的多层的总厚度薄，所以，能容易地制造这样的磁记录介质：其使磁记录层和磁头之间的间隙损耗小。

根据本发明，执行蚀刻步骤后，在磁记录层上存在具有单层结构或双层结构的非磁性层，并且能容易地制造非磁性层的厚度等于或小于1nm的磁记录介质，所以，能制造这样的磁记录介质，其具有未受损的磁记录层和良好的磁记录特性。

根据本发明的制造磁记录介质的方法，第一非磁性层和第二非磁性层由相同的材料形成。

根据本发明，设置在磁记录层上的第一非磁性层和第二非磁性层由相同的材料形成，所以，在蚀刻步骤中不需要在相当大的程度上改变蚀刻条件，从而能容易地制造磁记录介质。此外，即使当在凹部分内存在第二非磁性层时，也能在调整蚀刻速率的步骤以后，使得第一非磁性层的蚀刻速率与第二非磁性层的蚀刻速率一样，所以，使磁记录介质的表面平坦化变得更加容易。

为达到本发明第三个目的的用于磁记录介质的中间体，包括：以预定凹凸图案形成在基片上的磁记录层；填充在所述凹凸图案的凹部分中的非磁性材料；以及形成在所述凹凸图案的凸部分上的非磁性层。在这种情况下，所述非磁性层至少由三层构成，所述三层中的中间层具有与顶层和底层这两层的元素不同的元素。

在使用本发明的用于磁记录介质的中间体来制造磁记录介质的方法中，由至少三层构成的非磁性层的中间层具有与顶层和底层的元素不同的元素，所以，中间层能用作蚀刻监测层，以在蚀刻步骤期间检测元素，这容易地控制在蚀刻后的磁记录层上残余层的厚度。结果，借助于用于磁记录介质的中间体，以高精度来蚀刻在磁记录层上的残余层变得可能，从而能制造这样的磁记录介质：其具有未受损的磁记录层和良好的磁记录特性。

此外，在本申请中，除了以预定图案将被划分成多个记录元素的磁记录层设置在基片上的情况外，“以预定凹凸图案形成在基片上的磁记录层”还包括：设置其一部分被局部划分的磁记录层的情况、像具有漩涡形状的磁记录层那样将磁记录层连续形成在基片上的各个部分上的情况、以及以连续的凹凸图案形成磁记录层的情况，所述凹凸图案形成凸部分和凹部分。此外，在本申请中，“凹凸图案的凸部分”是指在垂直于表面的剖面内的凹凸形状的凸起部分。此外，在本申请中，当图8所示的圆锥角出现在由凸部分82和凹部分81构成的凹凸图案的凸部分82中时，凸部分82包括锥形部分。

如上所述，根据本发明的磁记录介质，由于磁记录层未被损坏，所以，防止了磁记录介质的磁记录和再生特性的下降。此外，在本发明的磁记录介质中，凸部分和凹部分上的表面基本平坦，所以，使借助于气流在磁记录介质上面的磁头浮动变得稳定。此外，在形成凸部分的磁记录层上形成的非磁性层的厚度薄且平坦，所以，当磁头在磁记录介质上浮动时，能使得磁记录层和磁头之间的间隙损耗小，从而能最大限度地抑制磁记录和再生特性的下降。

根据本发明的制造磁记录介质的方法，在能容易地控制磁记录层上的残余层以使其具有薄且均匀的厚度的同时，能以高蚀刻速率有效地执行蚀刻，直到检测到在形成凸部分的磁记录层上的蚀刻监测层为止。此外，使磁记录介质的表面平坦化变得容易。根据本发明的制造方法，即使当在磁记录层上的残余层上形成保护层时，也能最大限度地使形成凸部分的磁记录层上的非磁性层的总厚度薄，所以，能容易地制造这样的磁记录介质，其能使得磁记录层和磁头之间的间隙损耗小。当将这样制造的磁记录介质应用于磁记录和再生装置时，能最大限度地抑制磁记录和再生特性的下降。

根据本发明的用于磁记录介质的中间体，具有不同元素的中间层用作蚀刻监测层，以在随后的蚀刻步骤期间检测元素，所以，能容易地控制蚀刻后在磁记录层上残留的层的厚度。结果，借助于这样的用于磁记录介质的中间体，能以高精度来蚀刻在磁记录层上残留的层的厚度，所以，能容易地制造这样的磁记录介质：其具有未受损的磁记录层和良好的磁记录特性。此外，借助于本发明的用于磁记录介质的中间体，可以容易地提供能使间隙损耗小的磁记录介质。

附图说明

图1A至1B是表示本发明的磁记录介质的一个实例的剖面示意图。

图2A至2B是表示本发明的磁记录介质的另一实例的剖面示意图。

图3A至3G是说明本发明的磁记录介质制造过程的剖面图。

图4A至4F是说明本发明的磁记录介质制造过程的剖面图。

图5A至5F是说明根据本发明另一实施例的磁记录介质制造过程的剖面图。

图6是表示蚀刻时间与在形成凹凸图案的凸部分的磁记录层上的非磁性层(第一非磁性层、蚀刻监测层和第二非磁性层)的厚度之间关系的曲线图。

图7是表示磁头浮动高度与接触次数之间关系的图。

图8是说明凹凸图案的凸部分的范围的示意图。

具体实施方式

下文将详细说明本发明的磁记录介质，制造该磁记录介质的方法，以及用于该磁记录介质的中间体。

(磁记录介质)

本发明的磁记录介质指诸如硬盘、软盘、磁带等的仅使用磁来记录并读取信息的磁记录介质，但其并不限定于此，还可以包括使用光和磁的磁光(MO)记录介质，以及使用热和磁的热辅助型记录介质。

根据本发明优选实施例的磁记录介质是一种具有软磁性层的垂直记录型磁记录介质，如第一、第三和第四实施例各自的图1A、2A和2B所示，以预定凹凸图案设置基片1上的磁记录层5，并用非磁性材料填充凹凸图案的凹部分，在凹凸图案的凸部分上形成由非磁性材料形成的多个层中的一个非磁性层16(第一非磁性层6)，所述非磁性层16由位于凹部分底面的非磁性材料形成，同时，使凸部分和凹部分的表面基本平坦化。另外，根据本发明，非磁性层16(第一非磁性层6)的厚度等于或小于1nm。

此外，如第二实施例的图1B所示，根据本发明另一优选实施例的磁记录介质是这样的磁记录介质：即，以预定凹凸图案设置基片1上的磁记录层5，并用非磁性材料填充凹凸图案的凹部分，在凹凸图案的凸部分上形成由非磁性材料形成的多个层中的一个非磁性层16(第一非磁性层6和蚀刻监测层9)，所述非磁性层16由层叠在凹部分底面上的两种非磁性材料形成，同时，使凸部分和凹部分的表面基本平坦化。此外，根据本发明，非磁性层16(第一非磁性层6和蚀刻监测层9)的厚度等于或小于1nm。

首先，将参考附图详细说明本发明的磁记录介质的各个实施例。图1和2是示意性地示出本发明的磁记录介质的各个实施例的实例剖面图，图1A对应第一实施例，图1B对应第二实施例，图2A对应第三实施例，图2B对应第四实施例，将依次对它们进行说明。参照图1A，为简化说明，参考标号1A表示“基片1A”的整体，其中，基层2、软磁性层3和对准层(alignment layer)4按顺序层叠在基片1上，所以，当使用基片1A时，在图1B、2A和2B中未示出诸如基片1、基层2、软磁性层3和对准层4等的参考标号。

如图1A所示，在根据第一实施例的磁记录介质10中，以预定凹凸图案设置基片1A上的磁记录层5，并用非磁性材料填充凹凸图案的凹部分，在凹凸图案的凸部分上，将由非磁性材料形成的多个层(6、9和6b)中的非磁性层16(第一非磁性层6)形成为具有单层结构，所述非磁性层16由位于凹部分底面上的非磁性材料形成。在磁记录介质10中，用依次层叠在基片1A上的第一非磁性层6、蚀刻监测层9、以及第二非磁性层6b填充凹凸图案的凹部分。

如图1B所示，在根据第二实施例的磁记录介质11中，以预定凹凸图案设置基片1A上的磁记录层5，并用非磁性材料填充凹凸图案的凹部分，在凹凸图案的凸部分上，将由非磁性材料形成的多个层(6、9和6b)中的非磁性层16(第一非磁性层6和蚀刻监测层9)形成为具有双层结构，所述非磁性层16由位于凹部分底面上的两种非磁性材料形成。在磁记录介质11中，用依次层叠在基片1A上的第一非磁性层6、蚀刻监测层9、以及第二非磁性层6b填充凹凸图案的凹部分。

如图2A所示，在根据第三实施例的磁记录介质20中，以预定凹凸图案设置基片1A上的磁记录层5，并用非磁性材料填充凹凸图案的凹部分，在凹凸图案的凸部分上形成非磁性层16(第一非磁性层6)，所述非磁性层16由非磁性材料形成且具有单层结构。另外，显示了以预定凹凸图案形成在基片1A上的磁记录层5与5之间不存在磁记录层时的磁记录介质20的剖面图。

如图2B所示，在根据第四实施例的磁记录介质21中，在基片1A中形成凹凸图案，并对应于凹凸图案而在基片1A上用薄膜形成磁记录层5，其被称为PERM型，其它结构与根据第三实施例的磁记录介质20相同。

在根据上述第一至四实施例的各个磁记录介质10、11、20和21中，在形成凹凸图案的凸部分的磁记录层上设置具有单层结构或双层结构的非磁性层16，该非磁性层16由填充凹部分的非磁性材料形成，并且非磁性层16的厚度T₁等于或小于1nm。具有这种特性的磁记录介质具有厚度等于或小于1nm的非磁性层16，以便能够形成没有损坏的磁记录层，从而最大限度地抑制磁记录与再生特性的下降。

在上述第一至四实施例中，凹凸图案中的凸部分和凹部分的表面基本平坦，而没有形成高低差异。另外，在第二实施例中，由在凹凸图案凸部分上形成的第一非磁性层6和蚀刻监测层9构成的非磁性层16的表面、以及由填充在凹部分中的第一非磁性层6、蚀刻监测层9和第二非磁性层6b构成的非磁性层的表面基本平坦，而没有形成高低不平。即使在它们中的任何一种情况下，也形成保护层7和润滑层8以覆盖所述平坦的表面。根据这样的磁记录介质，能使通过气流在磁记录介质上面的磁头浮动稳定。

另外，在本发明的磁记录介质中，非磁性层16的厚度T₁等于或小于1nm，所以，即使进一步在非磁性层上形成保护层7和润滑层8，也能使得从磁记录层5到磁记录介质顶面的总厚度小，从而使得磁记录层和磁头之间的间隙损耗小。

在下文，将参考图1A主要说明具有软磁性层3的垂直记录型磁记录介质10，但本发明的磁记录介质可以是纵向(面内)记录型磁记录介质，或者如图2B所示，也可以是磁记录层也存在于凹凸图案的凹部分的磁记录介质21。

下面，将说明构成本发明磁记录介质的各层。

基片1典型地形成为盘状，优选地，其非常光滑且没有高低起伏，以便允许磁头通过气流在磁记录介质上面浮动得低。优选地，使用玻璃基片、或者镀NiP的Al-Mg合金基片作为基片1。尤其是，玻璃基片具有低的表面粗糙度，从而容易获得表面光滑度高的基片，并且具有良好的耐冲击特性，所以，其优选地用在小型的磁记录介质中。

设置基层2，以用于在其上形成的软磁性层3的对准控制；设置软磁性层3，以用于在磁头和磁记录介质之间形成磁路；设置对准层4，以用于在其上形成的磁记录层5的对准控制。

以预定图案设置磁记录层5作为硬盘驱动器等的磁记录层。例如，在离散磁轨道型磁记录介质中，在构成磁记录介质的数据磁道区域中，沿磁道的径向以微小间隔的同心圆图案形成以记录和再生磁记录信息的磁记录层。另一方面，在构成磁记录介质的伺服图案区域中，以这样的图案形成磁记录层：即，该图案是跟踪磁头至预定数据磁道的跟踪控制基准。此外，在离散位型磁记录介质中，在构成磁记录介质的数据磁道区域中，沿磁道的周向和径向以微小间隔的磁道图案形成磁记录层。另一方面，在构成磁记录介质的伺服图案区域中，以与预定伺服信息对应的图案形成磁记录层。

例如，优选地，可以将诸如CoCrTa、CoCrPt、CoCrPtTa等的Co-Cr基多组分合金用作形成磁记录层5的材料，所述磁记录层5是通过诸如溅射法等的成膜法和蚀刻法在5nm至30nm的厚度范围内形成的。另外，例如，在数据磁道区域中的5nm至300nm的图案宽度和10nm至500nm的图案间距内形成磁记录层的同心圆形状的图案(其是由磁记录层5形成的负责磁记录的一部分的图案，又称为“磁记录层图案”或“磁道图案”)，并且在伺服图案区域中，在15nm至1000nm的图案宽度和30nm至2000nm的图案间距内形成具有各种形状的磁记录层图案。

非磁性层16是由填充在凹部分中的非磁性材料中的位于凹部分底面的非磁性材料形成的层，并将其设置在形成凹凸图案的凸部分的磁记录层5上。在此说明的非磁性层16可以指的是如图1A、2A和2B所示的由第一非磁性层6构成的单层结构，或者指的是如图1B所示的由第一非磁性层6和蚀刻监测层9构成的双层结构。本发明的磁记录介质至少包括形成在凸部分上的非磁性层16，以便能够依靠非磁性层16的存在来防止磁记录层被蚀刻损坏，从而实现了这样一种磁记录介质：其能够防止磁记录和再生特性的下降。

第一非磁性层6是填充凹凸图案的凹部分的非磁性层之一，并将其设置在形成凹凸图案的凸部分的磁记录层5上。可以将第一非磁性层6直接形成在形成凸部分的磁记录层5上，或者可以形成在二者之间插入的另外一层上。第一非磁性层6是在填充凹凸图案的凹部分的非磁性材料中位于基片底面上的层。形成第一非磁性层6的非磁性材料可以包括例如二氧化硅(SiO₂)、铟(In)、锡掺杂氧化铟(ITO)、Al₂O₃、TiN、TaSi合金、Ta、MgO、SiC、TiC等等，所述第一非磁性层6通过使用溅射法的成膜法形成。

优选地，形成第一非磁性层6的材料是这样一种混合物：即，该混合物包含从上述各种非磁性材料中的氧化物(SiO₂、ITO、Al₂O₃、MgO等等)、氮化物(TiN等等)和碳化物(SiC、TiC等等)选择的一种或多种材料。这些混合物自身具有良好的化学稳定性，并且也不会由于与具有金属组分的磁记录层5接触而引起腐蚀，所以能够提供具有良好化学稳定性的磁记录介质。本发明中，优选地使用尤其是具有SiO₂作为其主要组分的非磁性材料。由于能够通过蚀刻容易地加工SiO₂，所以，使得通过控制蚀刻条件能够容易地执行平坦化处理。此外，SiO₂具有与磁记录层5的良好粘结性，并能够方便地形成抑制晶粒在其内成长的第一非磁性层6。

此外，优选地，可以在第一非磁性层6中使用具有无定形结构或者微晶态的非磁性材料。当第一非磁性层6由晶体材料形成时，可以沿晶体材料所具有的晶界进行蚀刻，从而在蚀刻所形成的第一非磁性层6时使蚀刻表面的表面粗糙度降低。然而，使用具有微晶态的材料，由于该材料基本不受到具有无定形结构或者晶界材料存在的影响，所以，不容易出现表面粗糙度降低的现象。具有无定形结构或者微晶态的非磁性材料的具体实例可以包括C、Si、SiO2、Al2O3、TaSi合金、TbFeCo合金非磁性材料、CoZr合金等等，其可以通过使用溅射法的成膜法形成。此外，具有微晶态的材料指的是在X射线衍射中没有晶体峰(crystalline peak)的材料。

设置保护层7，用以通过与下述的润滑层8协同保护磁记录介质的表面来确保抗滑动特性。尤其是，设置保护层7以在磁记录介质与安装有磁头的磁头浮动块接触时防止磁记录介质的损坏。形成保护层7的材料可以包括称为类金刚石碳(下文中称为“DLC”)的硬碳层、二氧化锆(ZrO₂)、二氧化硅(SiO₂)等，其通过使用化学气相沉积(CVD)法、溅射法等等的成膜法形成。此外，DLC是以碳作为其主要成分的无定形结构层，其是在维氏硬度测量中表现出大约为2×10⁹至8×10¹⁰Pa的硬度的碳材料。

设置润滑层8，用以通过与保护层7协同保护磁记录介质的表面来确保抗滑特性。形成润滑层8的材料可以包括诸如全氟聚醚(PFPE)等的液态氟化物基混合物，其通过使用浸渍法等等的成膜法形成。

在本发明中，设置在磁记录层5上的非磁性层16优选地具有等于或小于1nm的厚度，所述磁记录层5用于形成凹凸图案的凸部分。由于这种薄的非磁性层16形成在凸部分上，所以，保护层7或在其上形成的润滑层8包括非磁性层在内的总厚度T变薄。根据该磁记录介质，能使得磁记录介质与安装在磁头浮动块中的磁头之间的间隙损耗变小。此外，非磁性层16厚度的最低极限优选地为0.1nm。当非磁性层16的厚度小于0.1nm时，设置在非磁性层16正下面的磁记录层5可能会由于蚀刻而被损坏。

此外，在本发明中，由于非磁性层16(图1A、2A和2B中的第一非磁性层6)的厚度T₁等于或小于1nm，所以，能使得形成在第一非磁性层6上的保护层7和润滑层8的总厚度大约为3nm或者更大。结果，根据本发明，充分保护了磁记录层5以具有良好的滑动特性，并且磁记录介质具有小的间隙损耗。虽然并不特别地限定保护层7和润滑层8的厚度，但优选的是保护层7形成具有1nm至2nm的厚度，并且优选的是润滑层8形成具有1nm至2nm的厚度。

根据上述本发明的磁记录介质，由位于凹部分底面的非磁性材料形成的非磁性层存在于磁记录层上，并且该非磁性层的厚度等于或小于1nm，所述磁记录层用于形成凹凸图案的凸部分。因此，所得到的磁记录介质具有未受损的磁记录层。此外，由于凹凸图案中的凸部分和凹部分的表面基本平坦，所以，使通过气流而在磁记录介质上的磁头浮动变得稳定。即使当在磁记录层上的非磁性层16上进一步形成保护层等层时，这样的磁记录介质具有的总厚度也较薄，并且平坦，所述磁记录层用于形成凹凸图案的凸部分，所以，能使得磁记录层和安装在磁头浮动块中的磁头之间的间隙损耗变小，从而防止磁记录和再生特性的下降。

此外，上述实施例中，在本发明磁记录介质中，将磁记录层5下面的基层2、软磁性层3和对准层4形成在基片1上，然而，本发明并不限定于此，而是可以根据磁记录介质的种类适当地改变磁记录层5下面的结构。例如，可以省略基层2、软磁性层3和对准层4中的任何一层或两层，并且可以将记录层直接形成在基片上。

此外，在上述实施例中，本发明的磁记录介质是垂直记录型的离散磁轨道磁盘，在该离散磁轨道磁盘中，沿磁道的径向以微小间隔划分磁记录层，然而，本发明并不限定于此，而是可以应用到如下磁盘中的任何一种磁盘中：即，沿磁道的周向(扇区方向)以微小间隔划分磁记录层的磁盘、沿磁道的径向和周向以微小间隔划分磁记录层的磁盘、具有如图2B所示的连续凹凸图案的磁记录层的PERM型磁盘，以及磁记录层为螺旋形状的磁盘。

(制造磁记录介质的方法)

接下来，将说明制造上述磁记录介质的方法的一个实例。图3至5是说明本发明的磁记录介质的制造过程的剖面图。

制造根据本发明的磁记录介质的方法包括如下步骤：在凹凸图案上形成第一非磁性层6的步骤，所述凹凸图案是以预定图案在基片1A上设置磁记录层5而产生的；在第一非磁性层6上形成蚀刻监测层9的步骤；在蚀刻监测层9上形成第二非磁性层6b的步骤；以及至少蚀刻在形成凹凸图案的凸部分的磁记录层5上形成的第二非磁性层6b的步骤。此外，蚀刻步骤是使凹凸图案的凸部分和凹部分上的表面基本平坦化的步骤，并且其包括这样的步骤：即，在要开始蚀刻在形成凸部分的磁记录层5上所形成的蚀刻监测层9后，将蚀刻监测层9的蚀刻速度、第一非磁性层6的蚀刻速度、或者当第二非磁性层6b保留在凹凸图案的凹部分上时将第二非磁性层6b的蚀刻速度，调整到零或者降低这些蚀刻速度。

该制造方法中，在执行第一非磁性层形成步骤、蚀刻监测层形成步骤、以及第二非磁性层形成步骤后，用各个步骤中形成的至少一种或多种非磁性层填充凹凸图案的凹部分。

此外，根据本发明，在执行蚀刻步骤后，在形成凸部分的磁记录层5上残留的层为具有由第一非磁性层6构成的单层结构的非磁性层16，或者是具有由第一非磁性层6和蚀刻监测层9构成的双层结构的非磁性层16，并且具有单层或双层结构的非磁性层16的厚度等于或小于1nm。

此外，例如，制造本发明的磁记录介质的方法优选地包括：在蚀刻的层上形成具有等于或小于1nm厚度的保护层7的步骤，或者形成润滑层8的步骤。

下面，将参考图3和图4详细说明制造本发明的磁记录介质的方法，然而，本发明并不限定于此。

1)形成磁记录层图案的步骤：

首先，制备基片1，然后，使用例如溅射法依次将各个具有预定厚度的基层2、软磁性层3、对准层4和磁记录层5层叠在基片1上(见图3A)。接着，使用例如溅射法依次将第一掩模层31和第二掩模层32叠层在磁记录层5上，然后，例如使用浸渍法或者旋涂法进一步在其上层叠抗蚀层33(见图3B)。在这种情况下，第一掩模层31由例如TiN形成，第二掩模层32由例如Ni形成，抗蚀层33由例如负性抗蚀剂(NEB22A，住友化学工业株式会社制造)形成。

接下来，使用纳米印刷法将预定的凹凸图案转印到抗蚀层33上以形成抗蚀图案，通过使用氧气作为反应气体的活性离子束蚀刻来去除抗蚀图案的凹部分底面的抗蚀层(见图3C)。此外，也可以使用平版印刷法形成抗蚀图案。

接下来，通过使用例如氩气的离子束蚀刻来去除暴露在抗蚀图案的凹部分底面的第二掩模层32。在这种情况下，也去除了在除凹部分外的区域中形成的抗蚀层33的极少一部分(见图3D)。然后，通过使用例如SF₆气体的活离子束蚀刻来去除位于凹部分底面的第一掩模层31(见图3E)。因此，使磁记录层5暴露在凹部分的底面上。此外，完全去除了在除凹部分外的区域中形成的抗蚀层33，并且部分地去除了在除凹部分外的区域中形成的第二掩模层32，所以，残留了少量的第二掩模层32。

接下来，通过使用例如CO气体和NH₃气作为反应气体的活性离子束蚀刻来去除暴露在凹部分底面的磁记录层5(见图3F)。结果，形成了具有预定凹凸图案的磁记录层5。此外，借助于活性离子蚀刻，在部分去除在凹部分以外的区域中形成的第一掩模层31的同时，完全去除在凹凸图案的凹部分以外的区域中形成的第二掩模层32。此外，在磁记录层5上残留了少量的第一掩模层31。

接下来，借助于使用SF₆气体作为反应气体的活性离子束蚀刻，完全去除在用作凹凸图案的凸部分的磁记录层5上残留的第一掩模层31(见图3G)。这样，形成了具有预定凹凸图案的磁记录层5。这种情况下，通过干式清洁技术去除残余的活性气体。

2)形成第一非磁性层的步骤：

接下来，使用溅射法形成作为非磁性材料的SiO₂膜，从而在位于磁记录层5与5之间的凹凸图案的凹部分形成第一非磁性层6，并在凹凸图案的凸部分的磁记录层5上形成非磁性层16(第一非磁性层6)，该非磁性层16由与第一非磁性层6相同的非磁性材料形成(见图4A)。这种情况下，形成第一非磁性层6的上述材料中的任何一种材料可以从上面提及的材料中进行选择，以作为形成第一非磁性层6的非磁性材料。

3)形成蚀刻监测层的步骤：

接下来，在第一非磁性层6上形成蚀刻监测层9(见图4B)。如果蚀刻监测层9由在后面将要说明的蚀刻步骤期间可检测的元素构成或者包含该元素，那么，并不特别限定蚀刻监测层9。因此，蚀刻监测层9可以包含第一非磁性层6或第二非磁性层6b中所不包含的元素。例如，形成蚀刻监测层9的材料可以包括诸如碳、DLC等等的碳材料、诸如Al₂O₃等等的氧化物材料、诸如Ta(钽)、W(钨)等等的金属材料。此外，可以使用质谱仪监测器等等作为检测装置。优选地，蚀刻监测层9的厚度在大约1nm至5nm的范围内，不过，可以根据与检测装置的灵敏度的关系任意设定最小极限值，并根据与蚀刻监测层的蚀刻速率的关系任意设定最大极限值。

此外，当蚀刻监测层9由具有低蚀刻速率的材料形成时，将蚀刻监测层9中的蚀刻进程暂时地延迟，以便在延迟时间内获得时间余量来改变蚀刻条件。结果，通过改变蚀刻条件而能高精度地控制形成在蚀刻监测层9下面的第一非磁性层6的厚度。形成延迟蚀刻速率的进程的蚀刻监测层9的材料可以包括上述材料，尤其是包括Ta、W等等。此外，如图4B所示，也将蚀刻监测层9形成在凹部分中。

4)形成第二非磁性层的步骤：

接下来，在蚀刻监测层9上形成第二非磁性层6b(见图4C)。第二非磁性层6b优选的由从上述形成第一非磁性层6的非磁性材料中选择的材料形成，更优选的是由与第一非磁性层6相同的材料形成。由于第二非磁性层6b和第一非磁性层6由相同的材料形成，所以，在蚀刻步骤中不需要在相当大程度上改变蚀刻条件，以便能够容易地制造磁记录介质。此外，如图4C所示，也将第二非磁性层6b形成在凹部分中。

在形成第二非磁性层的步骤中，优选的是在施加偏压功率到基片1的同时，形成第二非磁性层。这样，形成第二非磁性层同时抑制表面的凹凸形状，以便能够有效地使磁记录介质的表面平坦化。

如图4C所示，执行形成第二非磁性层的步骤后，在随后的蚀刻步骤期间设置用于磁记录介质的中间体40。

根据用于磁记录介质的中间体40，具体的是，以预定凹凸图案设置基片1A上的磁记录层5，用非磁性材料填充凹凸图案的凹部分，在凹凸图案的凸部分上形成非磁性层16，并且用于磁记录介质的中间体涉及在制造本发明的磁记录介质的过程中在蚀刻步骤之前的样子。具体而言，非磁性层至少由三层构成，三层中的中间层具有不同于顶层和底层这两层的元素。此外，这三层是这样形成的：即，将第一非磁性层6、蚀刻监测层9、第二非磁性层6b依次层叠在磁记录层5上。根据用于磁记录介质的中间体40，在制造磁记录介质的过程中，在随后的蚀刻步骤中检测形成在第一非磁性层6和第二非磁性层6b之间的蚀刻监测层9，以便能容易地将蚀刻后残留在磁记录层5上的层的厚度控制为等于或小于1nm。结果，通过使用这样的用于磁记录介质的中间体40，可以高精度地控制在磁记录层5上残留的层的厚度，这使得能提供具有小间隙损耗的磁记录介质。

5)蚀刻步骤：

蚀刻步骤是蚀刻第二非磁性层6b和蚀刻监测层9，以使在磁记录层5上的第一非磁性层6的厚度等于或小于1nm的步骤(见图4D和4E)。

具体而言，执行形成第二非磁性层的上述步骤之后，在通过离子束蚀刻对要加工对象的表面进行蚀刻的同时，首先启动检测蚀刻监测层9的检测装置。当蚀刻进行到蚀刻监测层9时，检测装置检测到构成蚀刻监测层9的元素或者包含在蚀刻监测层9中的元素，从而调整蚀刻速度，以便在检测后使蚀刻监测层9的蚀刻速度降低(该步骤称为“调整蚀刻速度的步骤”)。通过这样的蚀刻步骤，能够去除在形成凸部分的磁记录层5上的蚀刻检测层9和第二非磁性层6b的一部分或者全部。例如，如图4E所示，通过使用去除磁记录层5上的全部蚀刻检测层9和第二非磁性层6b的步骤，能将由磁记录层5上残留的第一非磁性层6构成的非磁性层16的厚度调整为等于或小于1nm。此外，如图4E所示，能将凹凸图案中的凸部分和凹部分上的表面形成为没有高低不平，这样，可以基本使表面平坦化。

这种情况下，当通过降低蚀刻检测层9的蚀刻速度连续进行蚀刻时，即使检测到蚀刻检测层9，由仍然形成在磁记录层5上的蚀刻检测层9和第一非磁性层6所构成的非磁性层16的厚度通常也会超过1nm。

在该蚀刻步骤中，对于离子束蚀刻，应用使用例如氩气的离子束蚀刻方法。当在如上所述检测到蚀刻监测层9后必须进一步执行蚀刻时，以具有相对较快的蚀刻速率的条件来蚀刻蚀刻监测层9，直到其被检测为如图4D所示的情况为止，并且在检测到蚀刻监测层9后，以具有低蚀刻速率的条件对其进行蚀刻。能根据离子束41的入射角、蚀刻功率、气压、气体种类等等，来对蚀刻速率进行改变，并可以考虑成膜条件或者第一非磁性层6、蚀刻监测层9和第二非磁性层6b的构成材料的性质而对蚀刻速率任意进行设定。例如，在检测到蚀刻监测层9后，能将离子束的入射角从具有高蚀刻速率的入射角改变到具有低蚀刻速率的入射角，或者能将气体种类从具有高蚀刻速率的气体改变到具有低蚀刻速率的气体。

在本发明中，由于包括这样的蚀刻步骤，所以，当使得磁记录层上的非磁性层16的厚度等于或小于1nm时，能够不损坏磁记录层5来制造磁记录介质。此外，由于非磁性层16残留在磁记录层5上并且其厚度等于或小于1nm，所以，即使当使用下面将要说明的步骤在非磁性层16上进一步形成保护层等层时，也能使得磁记录层上的总厚度尽可能地薄，所以，能够容易地制造这样的磁记录介质：其使得磁记录层与磁头之间的间隙损耗小。

此外，在本申请中，“离子束蚀刻”是指将电离气体照射到将要去除的对象上的方法的总称，诸如离子铣削等，然而，它并不限定于照射窄束离子束的加工方法。此外，“入射角”是离子束(电离气体)对加工对象表面的入射角，即，是指由加工对象表面和离子束中心轴所形成的角。例如，当离子束的中心轴与加工对象表面平行时，入射角为0°，当离子束的中心轴与加工对象表面垂直时，入射角为90°。

6)形成保护层和润滑层的步骤：

在本发明的磁记录介质中，将保护层7或润滑层8形成在非磁性层16(例如，图4E中所示的第一非磁性层6)上，所述非磁性层16在蚀刻步骤中被蚀刻成等于或小于1nm的厚度。例如，使用CVD(化学气相沉积)法将保护层7形成在具有等于或小于1nm厚度的非磁性层16(例如，第一非磁性层6)上，使用浸渍法将润滑层8形成在保护层7上。因此，完成了本发明的磁记录介质的形成，并且能制造由小间隙损耗而具有良好滑动特性的磁记录介质(见图4F)。此外，当将这样制造的磁记录介质应用到磁记录和再生装置中时，能最大限度地防止磁记录和再生特性的下降。

此外，如上所述，在制造本发明的磁记录介质的方法中，可以使用下述情况中的任意一种情况：(i)通过蚀刻来去除形成在磁记录层5上的第二非磁性层6b和蚀刻监测层9二者，在磁记录层5上残留的非磁性层16具有仅由第一非磁性层6构成的单层结构；(ii)通过蚀刻来去除形成在磁记录层5上的蚀刻监测层9的一部分和第二非磁性层6b的全部，在磁记录层5上残留的非磁性层16具有由第一非磁性层6和一部分蚀刻监测层9构成的双层结构；以及(iii)通过蚀刻来去除形成在磁记录层5上的全部的蚀刻监测层9和第二非磁性层6b，并进一步去除第一非磁性层6的一部分，并且在磁记录层5上残留的非磁性层16具有仅由第一非磁性层6的一部分构成的单层结构。使用诸如(i)至(iii)的情况等的这些方式能实现图1A和1B中显示的样子。

(其它实施例)

在其它实施例中，例如，如图2A和2B所示，能给出用第一非磁性层6填充凹凸图案的凹部分的实施例。例如，图5是说明根据图2A的实施例的磁记录介质的制造过程的剖面图。

如图5A所示，在形成第一非磁性层的上述步骤中，将第一非磁性层6的成膜条件改变为具有较大的厚度，以便能用第一非磁性层6填充凹部分。根据本实施例的磁记录介质与根据图4所示的实施例的磁记录介质的不同之处在于：仅用第一非磁性层6填充凹凸图案的凹部分，但能应用与各步骤中说明方法的相同方法。因此，尽管在图5中已示出，但在本实施例中将省略其详细说明。

同样，根据制造本发明的磁记录介质的方法，当借助于蚀刻步骤使磁记录层5上的非磁性层16具有等于或小于1nm的厚度时，能不损坏磁记录层5而制造磁记录介质，所述磁记录层5用于形成凹凸图案的凸部分。此外，在制造的磁记录介质中，在形成凹凸图案的凸部分的磁记录层5上的非磁性层16具有等于或小于1nm的厚度，所以，即使在非磁性层16上形成保护层等层时，也能使得在磁记录层5上形成的层的总厚度尽可能地小，从而能容易地制造这样的磁记录介质：其使得磁记录层与磁头之间的间隙损耗小。此外，由于在形成凹凸图案的凸部分的磁记录层5上的非磁性层16的厚度T₁等于或小于1nm，所以，能使得由在非磁性层16上形成的保护层7和润滑层8所构成的层的厚度至少为3nm。结果，能制造具有良好滑动特性的磁记录介质。

下文中，将参考实例和比较实例详细说明本发明。

(加工对象的制造)

首先，制造用于形成离散磁轨道型磁记录介质的对象。将基层2、软磁性层3、对准层4、磁记录层5(厚度：20nm)、第一掩模层(TiN：25nm)和第二掩模层(Ni：10nm)依次形成在盘形基片1上，所述基片1具有635m的厚度并由玻璃基片形成。使用旋涂法将负性抗蚀剂(NEB22A，住友化学工业株式会社制造)涂敷在形成的样品上，以形成具有100nm厚度的抗蚀层。借助于使用具有预定凹凸形状的压模的纳米印刷法，通过压力和使用氧气作为反应气体的活性离子束蚀刻，在样品表面的抗蚀层上执行转印，从而形成由细微形状构成的抗蚀图案。随后，借助于离子束蚀刻法将抗蚀图案的细微形状转印到第二掩模层上，从而形成由细微形状构成的第二掩模图案，所述离子束蚀刻法使用抗蚀图案作为掩模并使用氩气作为反应气体。随后，借助于离子束蚀刻法将第二掩模图案的细微形状转印到第一掩模层上，从而形成由细微形状构成的第一掩模图案，所述离子束蚀刻法使用第二掩模图案作为掩模并使用SF₆作为反应气体。随后，将第一掩模图案用作掩模，并且将CO气体和NH₃气体用作反应气体。借助于活性离子蚀刻法将第一掩模图案的细微形状转印到磁记录层5上，从而形成由细微形状构成的磁记录层图案。随后，通过使用SF₆作为反应气体的活性离子蚀刻法去除在磁记录层图案上残留的第一掩模层。

借助于上述方法，制造了用于形成离散磁轨道型磁记录介质的加工对象。磁记录层图案的加工尺寸如下：磁道间距为150nm，磁记录层的图案宽度为90nm，凹部分的深度为20nm。

(实施例1)

将第一非磁性层6形成在如上所述获得的对象的凹凸图案上。首先，在成膜功率(施加到靶上的功率)为RF500W和氩气气压为0.3Pa的条件下，使用溅射SiO₂的方法形成厚度为3nm的第一非磁性层6，所述SiO₂用作非磁性材料。随后，在成膜功率为DC500W和氩气气压为0.3Pa的条件下，使用溅射Ta的方法在第一非磁性层6上形成具有厚度为2nm的蚀刻监测层9。随后，在成膜功率为RF500W、氩气气压为0.3Pa以及施加到对象上的偏压功率为RF150W的条件下，使用溅射SiO₂的方法在蚀刻监测层9上形成厚度为95nm的第二非磁性层6b，所述SiO₂用作非磁性材料。此外，这里说明的层厚度是指在形成凸部分的磁记录层5上的层的厚度。

在将第一非磁性层6、蚀刻监测层9、第二非磁性层6b按顺序形成在磁记录层5上之后，在对象上执行使用氩气的具有入射角为8°的离子束蚀刻，直到质谱仪检测到构成蚀刻监测层9的Ta为止。在这种情况下，束电压为700V，束电流为1100mA。使用二次离子质谱法的质谱仪(SIMS)作为质谱仪。在检测蚀刻监测层9之后，在使蚀刻速率降低的蚀刻条件中，将氩离子束的入射角改变到1°，以维持蚀刻。此外，图6是表示蚀刻时间与在形成凹凸图案凸部分的磁记录层5上的非磁性层(即，第一非磁性层6、蚀刻监测层9和第二非磁性层6b)的厚度之间关系的曲线图。从图6可以看出，直到检测到蚀刻监测层9，都以大约40nm/min的蚀刻速率进行蚀刻，然而，在检测到蚀刻监测层9之后，以大约1nm/min的蚀刻速率进行蚀刻。此外，当确定借助于SIMS检测到由于构成蚀刻监测层9的Ta的检测量降低而开始检测第一非磁性层6(SiO₂)时，同时，将束电压变化到500V，并将束电流变化到200mA，以大约1nm/min的蚀刻速率执行蚀刻。使用该侵蚀速度和该蚀刻时间对形成于磁记录层5上的第一非磁性层6进行蚀刻，直到其厚度达到0.5nm。使用CVD法将由DLC形成的保护层7形成在第一非磁性层6上，以具有2nm的厚度，并且使用浸渍法将由全氟聚醚(PFPE)形成的润滑层8形成在保护层7上，以具有1nm的厚度。

根据以上述方式制造的磁记录介质，如图1A所示，包括由设置在磁记录层5上面的第一非磁性层6构成的非磁性层16、保护层7和润滑层8在内的层的总厚度T为3.5nm，所述磁记录层5形成凹凸图案的凸部分。此外，制造根据实施例1的十个磁记录介质，并借助于透射电子显微镜(TEM)观察磁记录介质的剖面来测量它们的总厚度，这样获得的厚度标准偏差为0.05nm，其允许制造具有极小偏差的平坦的磁记录介质。

(比较实例1)

除了省略实施例1中执行的形成蚀刻监测层的步骤，以及在加工期间不执行蚀刻条件的改变外，执行与实施例1相同的步骤，从而制造比较实例1的磁记录介质。此外，当第一非磁性层6和第二非磁性层6b形成在磁记录层5上之后，使得SiO₂的厚度变为100nm，对于蚀刻对象的步骤，则执行使用氩气、具有入射角为8°的离子束蚀刻(束电压为700V，束电流为1100mA)。这时，从蚀刻速率与先前测量的蚀刻时间之间的关系可以得出蚀刻时间为2.49分钟，并且执行蚀刻，直到在磁记录层5上形成的非磁性层16的厚度达到0.5nm为止。使用CVD法将由DLC形成的保护层7形成在非磁性层16上，以具有2nm的厚度，使用浸渍法将由PFPE形成的润滑层8形成在保护层7上，以具有1nm的厚度。此外，制造根据本比较实例1的十个磁记录介质，并使用与实施例1相同的方法来测量包括非磁性层16、保护层7和润滑层8在内的层的总厚度，由此获得的厚度标准偏差为0.5nm。因此，与上述实施例1比较，偏差增大了。

(非磁性层厚度与磁头浮动高度之间的关系)

检验了形成在磁记录层5上的非磁性层16(第一非磁性层6，或者第一非磁性层6和蚀刻监测层9)的厚度与磁头浮动高度之间的关系。当将非磁性层16设置在磁记录层5上时，有必要降低磁头的浮动高度，以便抑制间隙损耗，所述间隙损耗的大小取决于从磁记录层到磁头的距离。图7是表示在改变磁头浮动高度的同时执行滑动-高度测试时，磁头与磁记录介质的表面接触次数的图。该测量结果是这样获得的：即，通过使磁头扫描由传统的连续层介质构成的2.5英寸介质的整个表面，以对磁头与磁记录介质表面的接触次数进行计数，并将接触次数标准化为这样：即，将以10nm磁头浮动高度的平均接触次数作为1。

在磁头浮动高度为12nm至10nm的范围内，磁头几乎以稳定的方式浮动，然而，当使磁头浮动高度为8nm时，接触次数快速增长了20多倍。这是因为当磁头浮动高度降低到8nm时，磁头非常容易与磁记录介质表面上可能存在的微小的突出或起伏接触。同时，为了实现获得高记录密度和小间隙损耗的磁记录和再生装置，考虑到间隙损耗，使磁记录层的表面到磁头的距离为等于或小于10nm是有效的。然而，如上面的结果所述，当磁头浮动高度降低到等于或小于8nm时，在磁头与磁记录层之间可能会产生频繁的接触。这就是为什么要使得在磁记录层5上形成的非磁性层16的厚度等于或小于1nm的原因，如同本发明的磁记录介质，因此，在磁记录层5上不具有非磁性层16的情况下，能使得磁头浮动高度的降低量等于或小于1nm，以便维持间隙损耗。因此，在能抑制取决于磁记录层与磁头之间的距离的间隙损耗的同时，能方便地抑制磁头与磁记录介质表面接触。

Claims

1. 一种磁记录介质，包括：

基片；

以预定凹凸图案形成在所述基片上的磁记录层；

填充在所述凹凸图案的凹部分中的非磁性材料；

由位于凹部分底面的两种层叠的非磁性材料形成的非磁性层，其形成在所述凹凸图案的凸部分上，同时，使凸部分和凹部分的表面平坦化，所述非磁性层为依次形成在磁记录层凹凸图案的凸部上的第一非磁性层和蚀刻监测层，

其中，所述非磁性层的厚度为大于0.1nm并小于或等于1nm。

2. 一种制造磁记录介质的方法，该方法包括如下步骤：

以预定凹凸图案在基片上形成磁记录层；

在所述凹凸图案上形成第一非磁性层；

在所述第一非磁性层上形成蚀刻监测层；

在所述蚀刻监测层上形成第二非磁性层；以及

至少蚀刻形成在所述磁记录层上的第二非磁性层，所述磁记录层形成所述凹凸图案的凸部分，

其中，在执行所述第一非磁性层形成步骤、所述蚀刻监测层形成步骤、以及所述第二非磁性层形成步骤后，用各个步骤中形成的非磁性层中的至少一种或多种非磁性材料填充所述凹凸图案的凹部分，以及

其中，蚀刻步骤是使凸部分和凹部分的表面平坦化的步骤，并且包括这样的步骤：在开始蚀刻设置在形成凸部分的所述磁记录层上的蚀刻监测层后，将所述蚀刻监测层的蚀刻速度、所述第一非磁性层的蚀刻速度、或者当第二非磁性层仍然留在所述凹凸图案的凹部分上时将所述第二非磁性层的蚀刻速度，调整到零或使其降低。

3. 根据权利要求2所述的制造磁记录介质的方法，

其中，在执行所述蚀刻步骤后，在形成凸部分的所述磁记录层上残留的层为由所述第一非磁性层构成的具有单层结构的非磁性层，或者为由所述第一非磁性层和所述蚀刻监测层构成的具有双层结构的非磁性层，具有单层或双层结构的所述非磁性层的厚度为大于0.1nm并小于或等于1nm。

4. 根据权利要求2所述的制造磁记录介质的方法，

其中，所述第一非磁性层和第二非磁性层由相同的材料形成。

5. 根据权利要求3所述的制造磁记录介质的方法，

6. 一种用于磁记录介质的中间体，包括：

以预定凹凸图案形成在基片上的磁记录层；

填充在所述凹凸图案的凹部分中的非磁性材料；以及

形成在所述凹凸图案的凸部分上的非磁性层，

其中，所述非磁性层至少由依次层叠在所述磁记录层上的第一非磁性层、蚀刻监测层、第二非磁性层这三层构成，并且所述蚀刻监测层具有与所述第二非磁性层和所述第一非磁性层这两层的元素不同的元素。