JP2000132824A - 拡散防止層を有する磁気記録媒体 - Google Patents
拡散防止層を有する磁気記録媒体Info
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- JP2000132824A JP2000132824A JP10308084A JP30808498A JP2000132824A JP 2000132824 A JP2000132824 A JP 2000132824A JP 10308084 A JP10308084 A JP 10308084A JP 30808498 A JP30808498 A JP 30808498A JP 2000132824 A JP2000132824 A JP 2000132824A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 拡散防止層を有する磁気記録媒体に関し、磁
性層の組成比及び成膜条件を変えることなく、高保磁力
化及び低ノイズ化を実現する。 【解決手段】 磁気記録媒体を構成する磁性層３の堆積
表面に、磁性層３と化学的に反応を起こさない拡散防止
層４を設ける。
性層の組成比及び成膜条件を変えることなく、高保磁力
化及び低ノイズ化を実現する。 【解決手段】 磁気記録媒体を構成する磁性層３の堆積
表面に、磁性層３と化学的に反応を起こさない拡散防止
層４を設ける。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は拡散防止層を有する
磁気記録媒体に関し、特に、磁性層の組成比や成膜条件
を変更することなく高保磁力化及び低ノイズ化を実現す
るための積層構造に特徴のある拡散防止層を有する磁気
記録媒体に関するものである。
磁気記録媒体に関し、特に、磁性層の組成比や成膜条件
を変更することなく高保磁力化及び低ノイズ化を実現す
るための積層構造に特徴のある拡散防止層を有する磁気
記録媒体に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年のハードディスク装置の小型化，大
容量化の需要の高まりに伴い、高密度磁気記録が可能な
ハードディスク装置の研究開発が急速に進められてお
り、そのために、記録ビット間も記録密度の上昇に応じ
て狭くなってきている。
容量化の需要の高まりに伴い、高密度磁気記録が可能な
ハードディスク装置の研究開発が急速に進められてお
り、そのために、記録ビット間も記録密度の上昇に応じ
て狭くなってきている。
【０００３】より小さな記録ビットを磁気記録媒体に形
成するためには、記録ヘッドの高性能化もさることなが
ら、磁気記録媒体自体の高保磁力化及び低ノイズ化が重
要となる。
成するためには、記録ヘッドの高性能化もさることなが
ら、磁気記録媒体自体の高保磁力化及び低ノイズ化が重
要となる。
【０００４】磁性層の保磁力は磁性層の組成比に大きく
依存し、また、磁気ノイズは磁性層を構成する磁性粒子
間の磁気的相互作用に起因しているので、従来、磁気記
録媒体の高保磁力化及び低ノイズ化のためには、媒体を
構成する磁性層の組成比を変えたり、或いは、成膜時の
スパッタガス圧やスパッタエネルギー等の成膜条件を変
えて磁性粒子間の磁気的相互作用を低下させる等の方法
で高保磁力化及び低ノイズ化を図っている。
依存し、また、磁気ノイズは磁性層を構成する磁性粒子
間の磁気的相互作用に起因しているので、従来、磁気記
録媒体の高保磁力化及び低ノイズ化のためには、媒体を
構成する磁性層の組成比を変えたり、或いは、成膜時の
スパッタガス圧やスパッタエネルギー等の成膜条件を変
えて磁性粒子間の磁気的相互作用を低下させる等の方法
で高保磁力化及び低ノイズ化を図っている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかし、磁気記録媒体
の保磁力及びノイズは、磁性層とその上に設ける保護層
との間の反応により両者の界面に形成された磁性層の主
成分がカーバイド化したカーバイド化層によっても影響
を受けており、組成比や成膜条件を変えても必ずしも十
分な改善が得られないという問題ある。
の保磁力及びノイズは、磁性層とその上に設ける保護層
との間の反応により両者の界面に形成された磁性層の主
成分がカーバイド化したカーバイド化層によっても影響
を受けており、組成比や成膜条件を変えても必ずしも十
分な改善が得られないという問題ある。
【０００６】即ち、従来の磁気記録媒体においては、そ
の表面にＤＬＣ（ＤｉａｍｏｎｄＬｉｋｅ Ｃａｒｂｏ
ｎ）膜やカーボン膜等の硬質の保護層が設けられてお
り、このＤＬＣ膜やカーボン膜を構成するＣ（炭素）と
磁性層の主成分とが反応してカーバイド化層が形成さ
れ、このカーバイド化層は軟磁性であるので保磁力が低
下するとともに、ノイズも大きくなるという問題があ
る。
の表面にＤＬＣ（ＤｉａｍｏｎｄＬｉｋｅ Ｃａｒｂｏ
ｎ）膜やカーボン膜等の硬質の保護層が設けられてお
り、このＤＬＣ膜やカーボン膜を構成するＣ（炭素）と
磁性層の主成分とが反応してカーバイド化層が形成さ
れ、このカーバイド化層は軟磁性であるので保磁力が低
下するとともに、ノイズも大きくなるという問題があ
る。
【０００７】ここで、図３及び図４を参照して、従来の
磁気記録媒体におけるカーバイド化層の影響を説明す
る。 図３（ａ）参照 図３（ａ）は、ＤＬＣ保護層を設けた従来の磁気記録媒
体の概略的断面図であり、まず、Ａｌ基板３１上に、ス
パッタ法を用いてＭｏＣｒをスパッタしてＭｏＣｒ下地
層３２を形成したのち、再び、スパッタ法によってＣｏ
ＣｒＰｔＴａＮｂ磁性層３３を形成し、次いで、プラズ
マＣＶＤ法を用いてＤＬＣ保護層３４を形成することに
より磁気記録媒体、即ち、ハードディスクの基本構造が
得られる。
磁気記録媒体におけるカーバイド化層の影響を説明す
る。 図３（ａ）参照 図３（ａ）は、ＤＬＣ保護層を設けた従来の磁気記録媒
体の概略的断面図であり、まず、Ａｌ基板３１上に、ス
パッタ法を用いてＭｏＣｒをスパッタしてＭｏＣｒ下地
層３２を形成したのち、再び、スパッタ法によってＣｏ
ＣｒＰｔＴａＮｂ磁性層３３を形成し、次いで、プラズ
マＣＶＤ法を用いてＤＬＣ保護層３４を形成することに
より磁気記録媒体、即ち、ハードディスクの基本構造が
得られる。
【０００８】得られた磁気記録媒体に磁気ヘッドにより
“０”，“１”の繰り返しパターンを書き込んだのち、
ＭＦＭ（Ｍａｇｎｅｔｉｃ Ｆｏｒｃｅ Ｍｉｃｒｏｓ
ｃｏｐｅ）を用いてＭＦＭ像を観察したところ、規則的
に配列された記録ビットの像が白黒の繰り返しパターン
として観察されたが、全体的に不鮮明であり、記録ヘッ
ドの分解能を下回ってることを示している。なお、単位
記録ビットの大きさは、約０．１８μｍ×２．０μｍ程
度であった。
“０”，“１”の繰り返しパターンを書き込んだのち、
ＭＦＭ（Ｍａｇｎｅｔｉｃ Ｆｏｒｃｅ Ｍｉｃｒｏｓ
ｃｏｐｅ）を用いてＭＦＭ像を観察したところ、規則的
に配列された記録ビットの像が白黒の繰り返しパターン
として観察されたが、全体的に不鮮明であり、記録ヘッ
ドの分解能を下回ってることを示している。なお、単位
記録ビットの大きさは、約０．１８μｍ×２．０μｍ程
度であった。
【０００９】次いで、Ａｒイオンを用いたスパッタエッ
チングによって、ＤＬＣ保護層３４を除去したのち、再
び、ＭＦＭ像を観察したところ、規則的に配列された鮮
明な記録ビットの像が観察された。
チングによって、ＤＬＣ保護層３４を除去したのち、再
び、ＭＦＭ像を観察したところ、規則的に配列された鮮
明な記録ビットの像が観察された。
【００１０】図３（ｂ）参照 図３（ｂ）は、ＤＬＣ保護層３４の除去工程の際のオー
ジェ電子分光による深さ方向のプロファイルであり、こ
のプロファイルを参照するならば、スパッタエッチング
開始後約３分でＣｏＣｒＰｔＴａＮｂ磁性層３３を構成
する主成分のＣｏ及びＣｒが測定され、開始後約４分で
炭素の強度が低下しはじめ、開始後、約１０分で炭素は
ほとんど測定されなくなることが理解できる。
ジェ電子分光による深さ方向のプロファイルであり、こ
のプロファイルを参照するならば、スパッタエッチング
開始後約３分でＣｏＣｒＰｔＴａＮｂ磁性層３３を構成
する主成分のＣｏ及びＣｒが測定され、開始後約４分で
炭素の強度が低下しはじめ、開始後、約１０分で炭素は
ほとんど測定されなくなることが理解できる。
【００１１】即ち、ＣｏＣｒＰｔＴａＮｂ磁性層３３と
ＤＬＣ保護層３４との界面にはＣｏＣｒＰｔＴａＮｂ磁
性層３３を構成する主成分のＣｏ及びＣｒのカーバイド
化層が形成されているものと考えられる。
ＤＬＣ保護層３４との界面にはＣｏＣｒＰｔＴａＮｂ磁
性層３３を構成する主成分のＣｏ及びＣｒのカーバイド
化層が形成されているものと考えられる。
【００１２】この事実をＭＦＭ像と合わせて検討する
と、ＣｏＣｒＰｔＴａＮｂ磁性層３３には、精度良く磁
気記録されているのに、ＣｏＣｒＰｔＴａＮｂ磁性層３
３の表面に形成された軟磁性体のカーバイド化層におい
ては、高精度の記録ビットの形成が妨げられており、こ
のカーバイド化層の磁気記録特性が磁気記録媒体全体の
特性に表れているものと考えられる。
と、ＣｏＣｒＰｔＴａＮｂ磁性層３３には、精度良く磁
気記録されているのに、ＣｏＣｒＰｔＴａＮｂ磁性層３
３の表面に形成された軟磁性体のカーバイド化層におい
ては、高精度の記録ビットの形成が妨げられており、こ
のカーバイド化層の磁気記録特性が磁気記録媒体全体の
特性に表れているものと考えられる。
【００１３】次に、カーボン保護層を設けた従来の磁気
記録媒体におけるカーバイド化層の影響を説明する。 図４（ａ）参照 図４（ａ）は、カーボン保護層を設けた従来の磁気記録
媒体の概略的断面図であり、まず、Ｓｉ基板４１の表面
を酸化することによってＳｉＯ2 膜４２を形成したの
ち、スパッタ法を用いてＣｒをスパッタしてＣｒ下地層
４３を形成し、次いで、再び、スパッタ法によってＣｏ
ＣｒＰｔ磁性層４４を形成したのち、再び、スパッタ法
を用いてカーボン保護層４５を形成することにより磁気
記録媒体の基本構造が得られる。なお、この場合のカー
ボン保護層とは、ＤＬＣとグラファイトの中間の特性を
有しているものと考えられる。
記録媒体におけるカーバイド化層の影響を説明する。 図４（ａ）参照 図４（ａ）は、カーボン保護層を設けた従来の磁気記録
媒体の概略的断面図であり、まず、Ｓｉ基板４１の表面
を酸化することによってＳｉＯ2 膜４２を形成したの
ち、スパッタ法を用いてＣｒをスパッタしてＣｒ下地層
４３を形成し、次いで、再び、スパッタ法によってＣｏ
ＣｒＰｔ磁性層４４を形成したのち、再び、スパッタ法
を用いてカーボン保護層４５を形成することにより磁気
記録媒体の基本構造が得られる。なお、この場合のカー
ボン保護層とは、ＤＬＣとグラファイトの中間の特性を
有しているものと考えられる。
【００１４】得られた磁気記録媒体に磁気ヘッドにより
“０”，“１”の繰り返しパターンを書き込んだのち、
ＭＦＭ像を観察したところ、規則的に配列された記録ビ
ットの像が白黒の繰り返しパターンとして観察された
が、全体的に不鮮明であり、磁気記録の分解能を上回っ
ていることを示している。なお、単位記録ビットの大き
さは、約０．２３μｍ×２．０μｍ程度であった。
“０”，“１”の繰り返しパターンを書き込んだのち、
ＭＦＭ像を観察したところ、規則的に配列された記録ビ
ットの像が白黒の繰り返しパターンとして観察された
が、全体的に不鮮明であり、磁気記録の分解能を上回っ
ていることを示している。なお、単位記録ビットの大き
さは、約０．２３μｍ×２．０μｍ程度であった。
【００１５】次いで、Ａｒイオンを用いたスパッタエッ
チングによって、カーボン保護層４５を除去したのち、
再び、ＭＦＭ像を観察したところ、規則的に配列された
鮮明な記録ビットの像が観察された。
チングによって、カーボン保護層４５を除去したのち、
再び、ＭＦＭ像を観察したところ、規則的に配列された
鮮明な記録ビットの像が観察された。
【００１６】図４（ｂ）参照 図４（ｂ）は、カーボン保護層４５の除去工程の際のオ
ージェ電子分光による深さ方向のプロファイルであり、
このプロファイルを参照するならば、スパッタエッチン
グ開始後約２分でＣｏＣｒＰｔ磁性層４４を構成する主
成分のＣｏ及びＣｒが測定され、開始後約４分で炭素の
強度が低下しはじめ、開始後、約１０分で炭素はほとん
ど測定されなくなることが理解できる。
ージェ電子分光による深さ方向のプロファイルであり、
このプロファイルを参照するならば、スパッタエッチン
グ開始後約２分でＣｏＣｒＰｔ磁性層４４を構成する主
成分のＣｏ及びＣｒが測定され、開始後約４分で炭素の
強度が低下しはじめ、開始後、約１０分で炭素はほとん
ど測定されなくなることが理解できる。
【００１７】この事実をＭＦＭ像と合わせて検討する
と、ＣｏＣｒＰｔ磁性層４４とカーボン保護層４５との
界面にはＣｏＣｒＰｔ磁性層４４を構成する主成分のＣ
ｏ及びＣｒのカーバイド化層が形成されており、この様
なカーバイド化層が磁気記録媒体全体の特性に悪影響を
与えているものと考えられる。
と、ＣｏＣｒＰｔ磁性層４４とカーボン保護層４５との
界面にはＣｏＣｒＰｔ磁性層４４を構成する主成分のＣ
ｏ及びＣｒのカーバイド化層が形成されており、この様
なカーバイド化層が磁気記録媒体全体の特性に悪影響を
与えているものと考えられる。
【００１８】以上の事実から、従来の炭素系の保護層を
設けた磁気記録媒体においては、保護層を構成する炭素
が磁性層を構成する主成分が反応して両者の界面にカー
バイド化層を形成し、このカーバイド化層が高保磁力化
及び低ノイズ化を妨げていることは明らかである。
設けた磁気記録媒体においては、保護層を構成する炭素
が磁性層を構成する主成分が反応して両者の界面にカー
バイド化層を形成し、このカーバイド化層が高保磁力化
及び低ノイズ化を妨げていることは明らかである。
【００１９】したがって、本発明は、磁性層の組成比及
び成膜条件を変えることなく、高保磁力化及び低ノイズ
化を実現することを目的とする。
び成膜条件を変えることなく、高保磁力化及び低ノイズ
化を実現することを目的とする。
【００２０】
【課題を解決するための手段】図１は本発明の原理的構
成の説明図であり、この図１を参照して本発明における
課題を解決するための手段を説明する。 図１（ａ）及び（ｂ）参照 （１）本発明は、拡散防止層４を有する磁気記録媒体に
おいて、磁性層３の堆積表面に、磁性層３と化学的に反
応を起こさない拡散防止層４を設けたことを特徴とす
る。
成の説明図であり、この図１を参照して本発明における
課題を解決するための手段を説明する。 図１（ａ）及び（ｂ）参照 （１）本発明は、拡散防止層４を有する磁気記録媒体に
おいて、磁性層３の堆積表面に、磁性層３と化学的に反
応を起こさない拡散防止層４を設けたことを特徴とす
る。
【００２１】この様に、磁性層３の堆積表面に、磁性層
３と化学的に反応を起こさない拡散防止層４を設けるこ
とによって、磁気特性に悪影響を与えるカーバイド化層
の形成を防止することができ、それによって、磁気記録
媒体の高保磁力化及び低ノイズ化を実現することができ
る。また、この拡散防止層４が硬度の大きく、且つ、耐
候性に優れている場合には、拡散防止層４をそのまま保
護層５として兼用することができる。
３と化学的に反応を起こさない拡散防止層４を設けるこ
とによって、磁気特性に悪影響を与えるカーバイド化層
の形成を防止することができ、それによって、磁気記録
媒体の高保磁力化及び低ノイズ化を実現することができ
る。また、この拡散防止層４が硬度の大きく、且つ、耐
候性に優れている場合には、拡散防止層４をそのまま保
護層５として兼用することができる。
【００２２】（２）また、本発明は、上記（１）におい
て、拡散防止層４を有する磁気記録媒体において、磁性
層３の堆積表面に、磁性層３と化学的に反応を起こさな
い拡散防止層４を設けるとともに、拡散防止層４の表面
に保護層５を設けたことを特徴とする。
て、拡散防止層４を有する磁気記録媒体において、磁性
層３の堆積表面に、磁性層３と化学的に反応を起こさな
い拡散防止層４を設けるとともに、拡散防止層４の表面
に保護層５を設けたことを特徴とする。
【００２３】この様に、磁気記録媒体の高保磁力化及び
低ノイズ化のために拡散防止層４を設ける場合、拡散防
止層４の硬度或いは耐候性が十分でない場合には、拡散
防止層４の表面にＤＬＣ膜等の保護層５を設ける必要が
あり、保護層５を設けても拡散防止層４が介在している
のでカーバイド化層が形成されることがない。なお、拡
散防止層４の硬度或いは耐候性が十分な場合にも、より
硬度の高いＤＬＣ膜等を保護層５を設けても良いもので
ある。
低ノイズ化のために拡散防止層４を設ける場合、拡散防
止層４の硬度或いは耐候性が十分でない場合には、拡散
防止層４の表面にＤＬＣ膜等の保護層５を設ける必要が
あり、保護層５を設けても拡散防止層４が介在している
のでカーバイド化層が形成されることがない。なお、拡
散防止層４の硬度或いは耐候性が十分な場合にも、より
硬度の高いＤＬＣ膜等を保護層５を設けても良いもので
ある。
【００２４】（３）また、本発明は、上記（２）におい
て、拡散防止層４の厚さが、５〜７０Åであることを特
徴とする。
て、拡散防止層４の厚さが、５〜７０Åであることを特
徴とする。
【００２５】この様に、拡散防止層４の上に保護層５を
設ける場合には、耐候性等を考慮する必要がないので、
拡散防止層４の厚さによる磁性層３からの磁束の減衰を
少なくするために、５〜７０Åの極薄膜であることが好
適である。
設ける場合には、耐候性等を考慮する必要がないので、
拡散防止層４の厚さによる磁性層３からの磁束の減衰を
少なくするために、５〜７０Åの極薄膜であることが好
適である。
【００２６】（４）また、本発明は、上記（１）乃至
（３）のいずれかにおいて、拡散防止層４として、酸化
珪素、窒化珪素、或いは、酸化アルミニウムの内のいず
れかを用いたことを特徴とする。
（３）のいずれかにおいて、拡散防止層４として、酸化
珪素、窒化珪素、或いは、酸化アルミニウムの内のいず
れかを用いたことを特徴とする。
【００２７】この様に、拡散防止層４としては、化学的
に極めて安定な酸化珪素、典型的にはＳｉＯ2 、窒化珪
素、典型的にはＳｉ3 Ｎ4 、或いは、酸化アルミニウ
ム、典型的にはＡｌ2 Ｏ3 のいずれかを用いることが好
適である。
に極めて安定な酸化珪素、典型的にはＳｉＯ2 、窒化珪
素、典型的にはＳｉ3 Ｎ4 、或いは、酸化アルミニウ
ム、典型的にはＡｌ2 Ｏ3 のいずれかを用いることが好
適である。
【００２８】（５）また、本発明は、上記（１）乃至
（４）のいずれかにおいて、磁性層３を、下地層２を介
して基板１上に設けたことを特徴とする。
（４）のいずれかにおいて、磁性層３を、下地層２を介
して基板１上に設けたことを特徴とする。
【００２９】この様に、磁性層３を基板１上に設ける場
合には、磁性特性を劣化させないためには、下地層２を
介して設けることが好適である。
合には、磁性特性を劣化させないためには、下地層２を
介して設けることが好適である。
【００３０】
【発明の実施の形態】ここで、図２（ａ）を参照して、
本発明の第１の実施の形態の磁気記録媒体を説明する。 図２（ａ）参照 図２（ａ）は、本発明の第１の実施の形態の磁気記録媒
体の概略的断面図であり、まず、Ａｌ基板１１上に、ス
パッタ法によって厚さ１０〜１５ｎｍ、例えば、１３ｎ
ｍのＭｏＣｒ膜を堆積させてＭｏＣｒ下地層１２を形成
し、引き続いて、スパッタ法を用いてＣｏ74Ｃｒ15Ｐｔ
4 Ｔａ 4Ｎｂ3 膜を堆積させてＣｏＣｒＰｔＴａＮｂ磁
性層１３を形成する。
本発明の第１の実施の形態の磁気記録媒体を説明する。 図２（ａ）参照 図２（ａ）は、本発明の第１の実施の形態の磁気記録媒
体の概略的断面図であり、まず、Ａｌ基板１１上に、ス
パッタ法によって厚さ１０〜１５ｎｍ、例えば、１３ｎ
ｍのＭｏＣｒ膜を堆積させてＭｏＣｒ下地層１２を形成
し、引き続いて、スパッタ法を用いてＣｏ74Ｃｒ15Ｐｔ
4 Ｔａ 4Ｎｂ3 膜を堆積させてＣｏＣｒＰｔＴａＮｂ磁
性層１３を形成する。
【００３１】次いで、プラズマＣＶＤ法を用いて拡散防
止層となる厚さ５〜７０Å、例えば、１０ÅのＡｌ2 Ｏ
3 層１４を堆積させたのち、再び、プラズマＣＶＤ法を
用いて厚さ３〜１５ｎｍ、例えば、１２ｎｍのＤＬＣ保
護層１５を堆積させることによってハードディスクとな
る磁気記録媒体の基本構成が得られる。
止層となる厚さ５〜７０Å、例えば、１０ÅのＡｌ2 Ｏ
3 層１４を堆積させたのち、再び、プラズマＣＶＤ法を
用いて厚さ３〜１５ｎｍ、例えば、１２ｎｍのＤＬＣ保
護層１５を堆積させることによってハードディスクとな
る磁気記録媒体の基本構成が得られる。
【００３２】この本発明の第１の実施の形態において
は、ＣｏＣｒＰｔＴａＮｂ磁性層１３とＤＬＣ保護層１
５との間に、化学的に極めて安定なＡｌ2 Ｏ3 層１４を
設けているので、ＣｏＣｒＰｔＴａＮｂ磁性層１３とＤ
ＬＣ保護層１５との界面に磁気特性に悪影響を与えるカ
ーバイド化層が形成されることがなく、したがって、高
保磁力で低ノイズの磁気記録媒体を再現性良く得ること
ができる。
は、ＣｏＣｒＰｔＴａＮｂ磁性層１３とＤＬＣ保護層１
５との間に、化学的に極めて安定なＡｌ2 Ｏ3 層１４を
設けているので、ＣｏＣｒＰｔＴａＮｂ磁性層１３とＤ
ＬＣ保護層１５との界面に磁気特性に悪影響を与えるカ
ーバイド化層が形成されることがなく、したがって、高
保磁力で低ノイズの磁気記録媒体を再現性良く得ること
ができる。
【００３３】また、この場合、拡散防止層となるＡｌ2
Ｏ3 層１４の厚さは５〜７０Åと非常に薄いため、Ａｌ
2 Ｏ3 層１４の厚さに起因するＣｏＣｒＰｔＴａＮｂ磁
性層１３からの磁束の減衰の影響を極力低減することが
できる。
Ｏ3 層１４の厚さは５〜７０Åと非常に薄いため、Ａｌ
2 Ｏ3 層１４の厚さに起因するＣｏＣｒＰｔＴａＮｂ磁
性層１３からの磁束の減衰の影響を極力低減することが
できる。
【００３４】次に、図２（ｂ）を参照して、本発明の第
２の実施の形態の磁気記録媒体を説明する。 図２（ｂ）参照 図２（ｂ）は、本発明の第２の実施の形態の磁気記録媒
体の概略的断面図であり、まず、Ｓｉ基板２１の表面を
熱酸化して、厚さが例えば、０．１〜０．２μｍ、例え
ば、０．１μｍのＳｉＯ2 膜２２を形成したのち、スパ
ッタ法によって厚さ５〜２０ｎｍ、例えば、１９ｎｍの
Ｃｒ膜を堆積させてＣｒ下地層２３を形成し、引き続い
て、スパッタ法を用いてＣｏ76.3Ｃｒ17Ｐｔ6.7 膜を堆
積させて ＣｏＣｒＰｔ磁性層２４を形成する。この場
合、Ｓｉ基板２１とＳｉＯ2 膜２２を合わせて、磁性膜
を堆積させるための基板とする。
２の実施の形態の磁気記録媒体を説明する。 図２（ｂ）参照 図２（ｂ）は、本発明の第２の実施の形態の磁気記録媒
体の概略的断面図であり、まず、Ｓｉ基板２１の表面を
熱酸化して、厚さが例えば、０．１〜０．２μｍ、例え
ば、０．１μｍのＳｉＯ2 膜２２を形成したのち、スパ
ッタ法によって厚さ５〜２０ｎｍ、例えば、１９ｎｍの
Ｃｒ膜を堆積させてＣｒ下地層２３を形成し、引き続い
て、スパッタ法を用いてＣｏ76.3Ｃｒ17Ｐｔ6.7 膜を堆
積させて ＣｏＣｒＰｔ磁性層２４を形成する。この場
合、Ｓｉ基板２１とＳｉＯ2 膜２２を合わせて、磁性膜
を堆積させるための基板とする。
【００３５】次いで、ＣＶＤ法を用いて拡散防止層兼保
護層となる厚さ５〜１０ｎｍ、例えば、１０ｎｍのＳｉ
Ｏ2 層２５を堆積させる。この場合のＳｉＯ2 層２５
は、上記の第１の実施の形態におけるＡｌ2 Ｏ3 層１４
より厚く形成しているので、保護層としても作用するこ
とになり、ＤＬＣ膜等の保護層を別個に設ける必要はな
い。
護層となる厚さ５〜１０ｎｍ、例えば、１０ｎｍのＳｉ
Ｏ2 層２５を堆積させる。この場合のＳｉＯ2 層２５
は、上記の第１の実施の形態におけるＡｌ2 Ｏ3 層１４
より厚く形成しているので、保護層としても作用するこ
とになり、ＤＬＣ膜等の保護層を別個に設ける必要はな
い。
【００３６】この本発明の第２の実施の形態において
は、ＤＬＣ保護層やカーボン保護層等の炭素系保護層を
設けずに、ＣｏＣｒＰｔ磁性層２４上に化学的に極めて
安定なＳｉＯ2 層２５を設けているので、炭素系保護層
に起因するカーバイド化層が形成されることがなく、し
たがって、高保磁力で低ノイズの磁気記録媒体を再現性
良く得ることができる。
は、ＤＬＣ保護層やカーボン保護層等の炭素系保護層を
設けずに、ＣｏＣｒＰｔ磁性層２４上に化学的に極めて
安定なＳｉＯ2 層２５を設けているので、炭素系保護層
に起因するカーバイド化層が形成されることがなく、し
たがって、高保磁力で低ノイズの磁気記録媒体を再現性
良く得ることができる。
【００３７】また、この場合、拡散防止層となるＳｉＯ
2 層２５の厚さは５〜１０ｎｍと比較的厚く形成してい
るが、従来のＤＬＣ保護層等の保護層とほぼ同じ厚さで
あるので、ＳｉＯ2 層２５の厚さに起因してＣｏＣｒＰ
ｔ磁性層２４からの磁束の減衰が従来より大きくなるこ
とはない。
2 層２５の厚さは５〜１０ｎｍと比較的厚く形成してい
るが、従来のＤＬＣ保護層等の保護層とほぼ同じ厚さで
あるので、ＳｉＯ2 層２５の厚さに起因してＣｏＣｒＰ
ｔ磁性層２４からの磁束の減衰が従来より大きくなるこ
とはない。
【００３８】以上、本発明の各実施の形態を説明してき
たが、本発明は各実施の形態に記載された構成・条件に
限られるものではなく、各種の変更が可能である。例え
ば、上記の第１の実施の形態の説明においては、拡散防
止層としてのＡｌ 2 Ｏ3 層を５〜７０Åと薄く形成し、
その上にＤＬＣ保護層を設けているが、上記の第２の実
施の形態と同様に、このＡｌ2 Ｏ3 層を５〜１０ｎｍ程
度に厚く堆積させて、保護層を兼ねるようしても良いも
のであり、その場合には当然ＤＬＣ保護膜は不要とな
る。
たが、本発明は各実施の形態に記載された構成・条件に
限られるものではなく、各種の変更が可能である。例え
ば、上記の第１の実施の形態の説明においては、拡散防
止層としてのＡｌ 2 Ｏ3 層を５〜７０Åと薄く形成し、
その上にＤＬＣ保護層を設けているが、上記の第２の実
施の形態と同様に、このＡｌ2 Ｏ3 層を５〜１０ｎｍ程
度に厚く堆積させて、保護層を兼ねるようしても良いも
のであり、その場合には当然ＤＬＣ保護膜は不要とな
る。
【００３９】逆に、上記の第２の実施の形態の説明にお
いては、拡散防止層としてのＳｉＯ 2 層を５〜１０ｎｍ
と厚く形成しているが、上記の第１の実施の形態と同様
に、このＳｉＯ2 層を５〜７０Å程度に薄く堆積させ
て、その上にＤＬＣ保護層を設けても良いものである。
いては、拡散防止層としてのＳｉＯ 2 層を５〜１０ｎｍ
と厚く形成しているが、上記の第１の実施の形態と同様
に、このＳｉＯ2 層を５〜７０Å程度に薄く堆積させ
て、その上にＤＬＣ保護層を設けても良いものである。
【００４０】また、上記の各実施の形態の説明において
は、拡散防止層としてＡｌ2 Ｏ3 或いはＳｉＯ2 を用い
ているが、Ａｌ2 Ｏ3 或いはＳｉＯ2 に限られるもので
はなく、これらの同様に化学的に安定なＳｉ3 Ｎ4 を用
いても良いものである。なお、拡散防止層としてＳｉ3
Ｎ4 を用いる場合には、磁性層をスパッタ法によって堆
積させたのち、プラズマＣＶＤ法を用いて堆積させれば
良い。
は、拡散防止層としてＡｌ2 Ｏ3 或いはＳｉＯ2 を用い
ているが、Ａｌ2 Ｏ3 或いはＳｉＯ2 に限られるもので
はなく、これらの同様に化学的に安定なＳｉ3 Ｎ4 を用
いても良いものである。なお、拡散防止層としてＳｉ3
Ｎ4 を用いる場合には、磁性層をスパッタ法によって堆
積させたのち、プラズマＣＶＤ法を用いて堆積させれば
良い。
【００４１】また、この様な拡散防止層に用いるＡｌ2
Ｏ3 、ＳｉＯ2 、或いは、Ｓｉ3 Ｎ 4 は厳密に化学量論
比を満たす組成である必要はなく、多少化学量論比から
ずれた組成比の酸化アルミニム、酸化珪素、或いは、窒
化珪素を用いても良いものである。
Ｏ3 、ＳｉＯ2 、或いは、Ｓｉ3 Ｎ 4 は厳密に化学量論
比を満たす組成である必要はなく、多少化学量論比から
ずれた組成比の酸化アルミニム、酸化珪素、或いは、窒
化珪素を用いても良いものである。
【００４２】また、上記の各実施の形態においては、磁
性層を構成する磁性膜として、Ｃｏ 74Ｃｒ15Ｐｔ4 Ｔａ
4 Ｎｂ3 磁性膜或いはＣｏ76.3Ｃｒ17Ｐｔ6.7 磁性膜を
用いているが、この様な組成比に限られるものではな
く、必要とする磁気特性に応じて適宜変更しても良いも
のであり、さらには、他の元素を含む磁性膜であっても
良いことは言うまでもない。
性層を構成する磁性膜として、Ｃｏ 74Ｃｒ15Ｐｔ4 Ｔａ
4 Ｎｂ3 磁性膜或いはＣｏ76.3Ｃｒ17Ｐｔ6.7 磁性膜を
用いているが、この様な組成比に限られるものではな
く、必要とする磁気特性に応じて適宜変更しても良いも
のであり、さらには、他の元素を含む磁性膜であっても
良いことは言うまでもない。
【００４３】
【発明の効果】本発明によれば、磁性層の堆積表面に接
するように磁性層と化学的に反応しないＡｌ2 Ｏ3 膜、
ＳｉＯ2 膜、或いは、Ｓｉ3 Ｎ4 膜等の拡散防止層を形
成しているので、磁性層が保護膜を構成する炭素と反応
してカーバイド化層を形成することがなく、それによっ
て、磁性層の成膜条件に左右されることなく、磁気記録
媒体の高保磁力化及び低ノイズ化を実現することができ
るので、ハードディスク装置等の磁気記録装置の大容量
化及び高密度磁気記録化に寄与するところが大きい。
するように磁性層と化学的に反応しないＡｌ2 Ｏ3 膜、
ＳｉＯ2 膜、或いは、Ｓｉ3 Ｎ4 膜等の拡散防止層を形
成しているので、磁性層が保護膜を構成する炭素と反応
してカーバイド化層を形成することがなく、それによっ
て、磁性層の成膜条件に左右されることなく、磁気記録
媒体の高保磁力化及び低ノイズ化を実現することができ
るので、ハードディスク装置等の磁気記録装置の大容量
化及び高密度磁気記録化に寄与するところが大きい。
【図１】本発明の原理的構成の説明図である。
【図２】本発明の第１及び第２の実施の形態の磁気記録
媒体の概略的断面図である。
媒体の概略的断面図である。
【図３】ＤＬＣ保護層を設けた従来の磁気記録媒体の説
明図である。
明図である。
【図４】カーボン保護層を設けた従来の磁気記録媒体の
説明図である。
説明図である。
１ 基板 ２ 下地層 ３ 磁性層 ４ 拡散防止層 ５ 保護層 １１ Ａｌ基板 １２ ＭｏＣｒ下地層 １３ ＣｏＣｒＰｔＴａＮｂ磁性層 １４ Ａｌ2 Ｏ3 層 １５ ＤＬＣ保護層 ２１ Ｓｉ基板 ２２ ＳｉＯ2 層 ２３ Ｃｒ下地層 ２４ ＣｏＣｒＰｔ磁性層 ２５ ＳｉＯ2 層 ３１ Ａｌ基板 ３２ ＭｏＣｒ下地層 ３３ ＣｏＣｒＰｔＴａＮｂ磁性層 ３４ ＤＬＣ保護層 ４１ Ｓｉ基板 ４２ ＳｉＯ2 層 ４３ Ｃｒ下地層 ４４ ＣｏＣｒＰｔ磁性層 ４５ カーボン保護層
Claims (5)
- 【請求項１】 磁性層の堆積表面に、前記磁性層と化学
的に反応を起こさない拡散防止層を設けたことを特徴と
する拡散防止層を有する磁気記録媒体。 - 【請求項２】 磁性層の堆積表面に、前記磁性層と化学
的に反応を起こさない拡散防止層を設けるとともに、前
記拡散防止層の表面に保護層を設けたことを特徴とする
拡散防止層を有する磁気記録媒体。 - 【請求項３】 上記拡散防止層の厚さが、５〜７０Åで
あることを特徴とする請求項１記載の拡散防止層を有す
る磁気記録媒体。 - 【請求項４】 上記拡散防止層として、酸化珪素、窒化
珪素、或いは、酸化アルミニウムの内のいずれかを用い
たことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記
載の拡散防止層を有する磁気記録媒体。 - 【請求項５】 上記磁性膜を、下地層を介して基板上に
設けたことを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項
に記載の拡散防止層を有する磁気記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10308084A JP2000132824A (ja) | 1998-10-29 | 1998-10-29 | 拡散防止層を有する磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10308084A JP2000132824A (ja) | 1998-10-29 | 1998-10-29 | 拡散防止層を有する磁気記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000132824A true JP2000132824A (ja) | 2000-05-12 |
Family
ID=17976685
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10308084A Pending JP2000132824A (ja) | 1998-10-29 | 1998-10-29 | 拡散防止層を有する磁気記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000132824A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1324317A1 (en) * | 2001-12-27 | 2003-07-02 | Fujitsu Limited | Information recording medium and information storing device |
| JP2006044250A (ja) * | 2004-06-30 | 2006-02-16 | Dainippon Ink & Chem Inc | 磁気記録媒体上の新規絵柄形成方法及びこれに用いる転写用積層体及び磁気記録媒体 |
| KR100738105B1 (ko) | 2006-02-09 | 2007-07-12 | 삼성전자주식회사 | 확산 방지층이 삽입된 연자성 하지층을 포함하는 수직 자기기록 매체 |
| JP2007530402A (ja) * | 2004-04-03 | 2007-11-01 | アプライド マテリアルズ ゲーエムベーハー アンド コンパニー カーゲー | ガラスコーティング |
| US7538041B2 (en) | 2004-09-22 | 2009-05-26 | Tdk Corporation | Magnetic recording medium, method of manufacturing the same, and intermediate for magnetic recording medium |
| CN114863952A (zh) * | 2021-02-04 | 2022-08-05 | 昭和电工株式会社 | 磁记录介质、磁记录再生装置及磁记录介质的制造方法 |
-
1998
- 1998-10-29 JP JP10308084A patent/JP2000132824A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1324317A1 (en) * | 2001-12-27 | 2003-07-02 | Fujitsu Limited | Information recording medium and information storing device |
| US6875527B2 (en) | 2001-12-27 | 2005-04-05 | Fujitsu Limited | Information recording medium and information storing device |
| JP2007530402A (ja) * | 2004-04-03 | 2007-11-01 | アプライド マテリアルズ ゲーエムベーハー アンド コンパニー カーゲー | ガラスコーティング |
| US7727632B2 (en) | 2004-04-03 | 2010-06-01 | Applied Materials Gmbh & Co. Kg. | Glass coating |
| JP2006044250A (ja) * | 2004-06-30 | 2006-02-16 | Dainippon Ink & Chem Inc | 磁気記録媒体上の新規絵柄形成方法及びこれに用いる転写用積層体及び磁気記録媒体 |
| US7538041B2 (en) | 2004-09-22 | 2009-05-26 | Tdk Corporation | Magnetic recording medium, method of manufacturing the same, and intermediate for magnetic recording medium |
| KR100738105B1 (ko) | 2006-02-09 | 2007-07-12 | 삼성전자주식회사 | 확산 방지층이 삽입된 연자성 하지층을 포함하는 수직 자기기록 매체 |
| CN114863952A (zh) * | 2021-02-04 | 2022-08-05 | 昭和电工株式会社 | 磁记录介质、磁记录再生装置及磁记录介质的制造方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20031111 |