CN100379838C - 光稳定的液晶介质 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及光稳定的液晶介质，包括结构式I的至少一种化合物和-结构式Ⅱ的至少一种化合物以及涉及用于电光学目的的用途和涉及含有这一介质的显示器。

Description

光稳定的液晶介质
本发明涉及光稳定的液晶介质，涉及它们用于电光学目的的用途，和涉及含有这一介质的显示器。
液晶主要用作显示设备中的电介质，因为此类物质的光学性质通过外加电压来改变。以液晶为基础的电子光学设备是所属技术领域的专业人员非常了解的并能够以各种效应为基础。此类设备的例子是具有动态散射的池，DAP(校直相的变形)池，宾/主池，具有扭转向列型结构的TN池，STN(超扭转向列)池，SBE(超双折射率效应)池和OMI(光学模式干涉)池。最普通的显示设备是以Schadt-Helfrich效应为基础的和具有扭转向列型结构。
该液晶材料必须具有良好的化学和热稳定性以及对电场和电磁辐射的良好稳定性。此外，该液晶材料应该具有低粘度和在池中生产短的寻址时间，低的阈电压和高的对比度。
它们应该进一步在常规的操作温度下，即在高于和低于室温的最宽可能范围中，对于上述池具有合适的中间相，例如向列型或胆甾型中间相。因为液晶一般作为多种组分的混合物来使用，重要的是这些组分彼此容易混溶。其它性能，如导电性，介电各向异性和光学各向异性，必须满足各种要求，这取决于应用的池类型和领域。例如，具有扭曲向列型结构的池的材料应该具有正的介电各向异性和低导电率。
例如，对于具有用于转换各个像素的整合非线性元件的矩阵液晶显示器(MLC显示器)，具有大的正介电各向异性，宽的向列型相，相对低的双折射率，很高的比电阻，良好的UV和温度稳定性和低级蒸汽压力的介质是所需要的。
这一类型的矩阵液晶显示器是已知的。能够用于各个像素的各个转换器的非线性元件是，例如，有源元件(即晶体管)。则使用术语“有源矩阵”，其中在两种类型之间可形成区别：
1.在作为基材的硅晶片上MOS(金属氧化物半导体)或其它二极管。
2.在作为基材的玻璃板上的薄膜晶体管(TFT)。
单晶硅作为基底材料的使用限制了显示器尺寸，因为各个部分显示器的甚至模块组装会在接合处导致问题。
对于更有希望的类型2(它是优选的)，所使用的电光效应通常是TN效应。在两种技术之间产生区别：包括化合物半导体如CdSe的TFT或以多晶或无定形硅为基础的TFT。在全世界范围内对于后一技术进行了深入的研究。
该TFT矩阵被应用于显示器的一片玻璃板之内，而其它玻璃板在其内侧上带有透明反电极。与像素电极的尺寸比较，TFT是非常小的和对图像几乎没有不利影响。这一技术也能够延伸到全颜色能力的显示器，其中红色、绿色和蓝色滤光器的嵌合体(mosaic)经过排列要求滤光器元件相对各自可转换的像素。
该TFT显示器通常作为在传输中具有交叉的起偏振镜的TN池来工作的并从背面照射。
这里的术语MLC显示器覆盖了具有整合的非线性元件的任何矩阵显示器，即除了有源矩阵之外，还以无源元件来显示，如可变电阻或二极管(MIM＝金属-绝缘体-金属)。
这一类型的MLC显示器特别适合于TV应用(例如袋装TV)或适合于计算机应用的高信息显示器(膝上计算机)和用于汽车或飞机结构中。除了有关对比度和响应时间的角度依赖性的问题，还在MLC显示器中遇到一些困难，因为液晶混合物的不足够高的比电阻[TOGASHI，S.，SEKOGUCHI，K.，TANABE，H.，YAMAMOTO，E.，SORIMACHI，K.，TAJIMA，E.，WATANABE，H.，SHIMIZU，H.，Proc.，Eurodisplay 84，Sept.1984：A 210-288 Matrix LCD Controlled by Double Stage Diode Rings，p.141 ff，Paris；STROMER，M.，Proc.Eurodisplay 84，Sept.1984：Design of Thin Film Transistors for Matrix Addressing ofTelevision Liquid Crystal Displays，p.145 ff，Paris]。随时随着降低电阻，MLC显示器的对比度会降低，和会发生余像消去的问题。因为由于与显示器的内表面的相互作用，液晶混合物的比电阻一般随着MLC显示器的寿命延长而下降，高(初始)电阻对于获得可接受的使用寿命是非常重要的。尤其对于低伏特混合物，迄今不可能实现非常高的比电阻值。此外重要的是，比电阻随着提高温度显示出最小的可能提高和在加热和/或UV辐照时的最低可能敏感度。现有技术的混合物的低温性能也是特别不利的。它要求没有结晶和/或近晶相存在，甚至在低温下，以及粘度的温度依赖性是尽可能低的。现有技术的MLC显示器无法满足今天的要求。
因此仍然更加需求具有非常高的比电阻，同时具有大的工作温度范围，甚至在低温下短的响应时间和低的阈电压，但不具有这些缺点或仅仅在较低程度上具有这些缺点的MLC显示器。
用于MLC显示器中的很多液晶混合物包括具有有限的光稳定性的化合物。虽然这些化合物对自然光一般是稳定的-甚至在长的时间内-并且通常也可以暴露于紫外线辐射一定时间而不导致各混合物成分的分解，但是该混合物尤其暴露于强烈紫外线辐射较长时间能够导致不希望有的光化过程，从而部分地分解了具有有限的光稳定性的化合物和因此以敏感方式改变了液晶混合物的组成和它们的性能或或甚至使得它们报废。这一问题最近通过以下事实来加剧了：所谓的“一滴填充方法(one-drop filling method)”[H.Kamiya，K.Tajima，K.Toriumi，K.Terada，H.Inoue，T.Yokoue，N.Shimizu，T.Kobayashi，S.Odahara，G.Hougham，C.Cai，J.H.Glownia，R.J.von Gutfeld，R.John，S.-C.，Alan Lien，SID 01 Digest(2001)，1354-1357]，在它的使用过程中填充了液晶混合物的显示池用UV光辐射较长时间以进行用作密封剂的单体(例如丙烯酸盐或环氧化物)的聚合反应来密封该池，现在已用于制造液晶显示器。
在分子的两个环成分(它们常常显然是内消旋产生型)之间具有-(CH2)2-，-COO-，-CH＝CH-，-CF＝CH-，-CH＝CF-，-CF＝CF-，-C≡C-或-CF2O-连接的化合物对紫外线辐射比较敏感。因此也希望改进液晶混合物的光稳定性但不损耗尤其为用于MLC显示器中所需要的上述性能。
在TN(Schadt-Helfrich)池中，在池中促进下列优点的介质是所希望的：
-扩展的向列相范围(尤其下延至低温)
-长的储存期限，甚至在极低温度下
-在极低温度下转换的能力(户外使用，汽车，航空电子)
-提高对紫外线辐射的耐受性(比较长的寿命)。
从现有技术中获得的介质无法在保持其它参数的同时实现这些优点。
对于超扭曲的(STN)池，允许有更大的多路转换性能和/或低的阈电压和/或宽的向列相范围(尤其在低温下)的介质是所需要的。为此目的，有用的参数范围(澄清点，近晶-向列转变或熔点，粘度，介电参数，弹性参数)的进一步加宽是迫切地需要的。
本发明是以提供介质，尤其用于这一类型的MLC、TN或STN显示器中，的目的为基础的，它不具有上述缺点，或仅仅在较低程度上具有上述缺点，和优选同时具有非常低的阈电压和同时高的电压保持率值(VHR)和具有对紫外线辐射的改进稳定性。
已经发现这一目的能够在根据本发明的介质用于显示器中时得以实现。
本发明因此涉及一种液晶介质，它包括
-结构式I的至少一种化合物
Figure C0382423700101
和
-结构式II的至少一种化合物
Figure C0382423700111
其中
L1，L2，L3和L4各自独立地是H或F；
R11是H，具有1到15个碳原子的卤代或未被取代的烷基，其中，另外，在这些基团中的一个或多个CH2基团各自可以彼此独立地被-C≡C-，-CH＝CH-，-O-，-CO-O-或-O-CO-取代，但要求O原子不彼此直接连接；
R21和R22各自独立地是H，Cl，F，CN，SF5，SCN，NCS，具有1到15个碳原子的卤代或未被取代的烷基，其中，另外，在这些基团中的一个或多个CH2基团各自可以彼此独立地被-C≡C-，-CH＝CH-，-O-，-CO-O-或-O-CO-取代，但要求O原子不彼此直接连接；
Y11是F，Cl，CN，SF5，SCN，NCS，卤代烷基，卤代链烯基，卤代烷氧基或卤代链烯氧基，各自具有至多6个碳原子；
Z11是单键，-CH2-CH2-，-CH＝CH-，-CH＝CF-，-CF＝CH-，-CF＝CF-，-C≡C-，-COO-，-OCO-，-CF2O-或-OCF2-；
a和f彼此独立地是0或1；
b，c，d和e彼此独立地是0，1或2；
Figure C0382423700112
是或
Figure C0382423700114
和
Figure C0382423700115
是
Figure C0382423700116
Figure C0382423700121
或
Figure C0382423700122
特别优选的是根据本发明的液晶介质，它包括
-结构式IA的至少一种化合物
Figure C0382423700123
和
-结构式II的至少一种化合物
Figure C0382423700124
其中
L2是H或F
R11是H，具有1到15个碳原子的卤代或未被取代的烷基，其中，另外，在这些基团中的一个或多个CH2基团各自可以彼此独立地被-C≡C-，-CH＝CH-，-O-，-CO-O-或-O-CO-取代，但要求O原子不彼此直接连接；
R21和R22各自独立地是H，Cl，F，CN，SF5，SCN，NCS，具有1到15个碳原子的卤代或未被取代的烷基，其中，另外，在这些基团中的一个或多个CH2基团各自可以彼此独立地被-C≡C-，-CH＝CH-，-O-，-CO-O-或-O-CO-取代，但要求O原子不彼此直接连接；
Y11是F，Cl，CN，SF5，SCN，NCS，卤代烷基，卤代链烯基，卤代烷氧基或卤代链烯氧基，各自具有至多6个碳原子；
Z11是单键，-COO-或-CF2O-；
f是0或1，
b，c，d和e彼此独立地是0，1或2；
Figure C0382423700131
是
Figure C0382423700132
或
Figure C0382423700133
和
Figure C0382423700134
是
Figure C0382423700135
Figure C0382423700136
或
Figure C0382423700137
(如果在结构式I或IA中的Z11是单键和在结构式II中的f是零，则在根据本发明的介质中存在的结构式I或IA的这些化合物一方面和结构式II的化合物另一方面需要加以选择以使它们不相同。)
根据本发明的液晶介质优选形成正性介电各向异性的极性化合物的混合物的基础物或是此类混合物的成分。结构式I和II的化合物具有大范围的应用。取决于取代基的选择，这些化合物能够用作基础材料，液晶介质主要地由该材料组成；然而，还有可能将通式I和II的化合物加入到选自其它类型的化合物的液晶基础材料中，例如为了改进这一类型的电介质的介电和/或光学各向异性和/或优化它的阈电压和/或它的粘度和尤其改进它的光稳定性。
包括结构式I和II的化合物的本发明的液晶介质对于液晶混合物的UV稳定性而言证明是特别有利的。
在纯净状态下，结构式I和II的化合物是无色的和在有利地为电光学应用所确定的温度范围形成液晶中间相。
如果R11，R21和/或R22是烷基和/或烷氧基(即，其中(至少)-CH2-基团(R11，R21或R22经由它分别地键接于所述环上)被O替代的烷基)，则这可以是直链或支链。它优选是直链，具有1，2，3，4，5，6或7个碳原子和因此优选是甲基，乙基，丙基，丁基，戊基，己基，庚基，甲氧基，乙氧基，丙氧基，丁氧基，戊氧基，己氧基或庚氧基，以及辛基，壬基，癸基，十一基，十二烷基，十三烷基，十四烷基，十五烷基，辛基氧基，壬氧基，癸氧基，十一烷氧基，十二烷氧基，十三烷氧基或十四烷氧基。
氧杂烷基-即其中至少一个CH2基团已经被O取代，但氧原子不直接键接于被R11，R21或R22取代的环上-的烷基链优选是直链2-氧杂丙基(＝甲氧基甲基)，乙氧基甲基或3-氧杂丁基(＝2-甲氧基乙基)，2-，3-或4-氧杂戊基，2-，3-，4-或5-氧杂己基，2-，3-，4-，5-或6-氧杂庚基，2-，3-，4-，5-，6-或7-氧杂辛基，2-，3-，-4-，5-，6-，7-或8-氧杂壬基，或2-，3-，4-，5-，6-，7-，8-或9-氧杂癸基。
如果R11，R21和/或R22是其中一个CH2基团已经被-CH＝CH-取代的烷基，这可以是直链或支链。这一类型的基团也已知为链烯基。它优选是直链和具有2-10个碳原子。因此，它特别优选是乙烯基，丙-1-或-2-烯基，丁-1-，-2-或-3-烯基，戊-1-，-2-，-3-或-4-烯基，己-1-，-2-，-3-，-4-或-5-烯基，庚-1-，-2-，-3-，-4-，-5-或-6-烯基，辛-1-，-2-，-3-，-4-，-5-，-6-或-7-烯基，壬-1-；-2-，-3-，-4-，-5-，-6-，-7-或-8-烯基，或癸-1-，-2-，-3-，-4-，-5-，-6-，-7-，-8-或-9-烯基。如果该链烯基基团能够具有E或Z构型，则E构型(反式构型)一般是优选的。
如果R11，R21和/或R22是其中一个CH2基团已经被-O-替代和一个CH2基团已经被-CO-替代的烷基，则这些优选是相邻的。这些因此含有酰氧基-CO-O-或氧基羰基-O-CO。这些优选是直链和具有2-6个碳原子。因此，它们尤其是乙酰氧基，丙酰氧基，丁酰氧基，戊酰氧基，己酰氧基，乙酰氧基甲基，丙酰氧基甲基，丁酰氧基甲基，戊酰氧基甲基，2-乙酰氧基乙基，2-丙酰氧基乙基，2-丁酰氧基乙基，3-乙酰氧基丙基，3-丙酰氧基丙基，4-乙酰氧基丁基，甲氧基羰基，乙氧基羰基，丙氧基羰基，丁氧基羰基，戊氧基羰基，甲氧基羰基甲基，乙氧基羰基甲基，丙氧基羰基甲基，丁氧基羰基甲基，2-(甲氧基羰基)乙基，2-(乙氧基羰基)乙基，2-(丙氧基羰基)-乙基，3-(甲氧基羰基)丙基，3-(乙氧基羰基)丙基或4-(甲氧基-羰基)丁基。
如果R11，R21和/或R22是其中一个CH2基团已经被未被取代的或取代的-CH＝CH-替代和相邻的CH2基团已经被CO、CO-O或O-CO替代的烷基，则这可以是直链或支链的。它优选是直链和具有4-12个碳原子。因此，它尤其是丙烯酰氧基甲基，2-丙烯酰氧基乙基，3-丙烯酰氧基丙基，4-丙烯酰氧基丁基，5-丙烯酰氧基戊基，6-丙酰氧基己基，7-丙烯酰氧基庚基，8-丙烯酰氧基辛基，9-丙烯酰氧基-壬基，10-丙烯酰氧基癸基，甲基丙烯酰氧基甲基，2-甲基丙烯酰氧基乙基，3-甲基丙酰氧基丙基，4-甲基丙烯酰氧基丁基，5-甲基丙烯酰氧基戊基，6-甲基丙烯酰氧基己基，7-甲基丙烯酰氧基庚基，8-甲基丙烯酰氧基辛基或9-甲基丙烯酰氧基壬基。
如果R11，R21和/或R22是至少被卤素单取代的烷基，烷氧基或链烯基，这一基团优选是直链，和卤素优选是F或Cl。对于多取代的情况，卤素优选是F。所形成的基团还包括全氟化基团。对于单取代的情况，氟或氯取代基可以在任何所需位置上，但优选是在ω-位置上。特别优选是-CF3，-CHF2，-CH2F，-CH2CF3，-CHFCHF2，-CF2CF3，-OCF3，-OCHF2，-OCH2F和-CF＝CF2。
含有支化侧翼基团R11，R21和/或R22的化合物有时是重要的，由于在通常的液晶基础材料中的较佳溶解度，但是尤其作为手性掺杂剂，如果它们是旋光活性的。这一类型的近晶化合物适合作为铁电材料的组分。
这一类型的支链基团优选含有不超过一个的链分支。优选的支化基团R是异丙基，2-丁基(＝1-甲基-丙基)，异丁基(＝2-甲基丙基)，2-甲基丁基，异戊基(＝3-甲基-丁基)，2-甲基戊基，3-甲基戊基，2-乙基己基，2-丙基戊基，异丙氧基，2-甲基丙氧基，2-甲基丁氧基，3-甲基丁氧基，2-甲基-戊氧基，3-甲基戊氧基，2-乙基己氧基，1-甲基己氧基和1-甲基庚氧基。
如果R11，R21和/或R22是其中两个或多个CH2基团已经被-O-和/或-CO-O-替代的烷基，这可以是直链或支链的。它优选是支化的和具有3-12个碳原子。因此，它尤其是双羧基甲基，2，2-双羧基乙基，3，3-双羧基丙基，4，4-双羧基丁基，5，5-双羧基戊基，6，6-双-羧基己基，7，7-双羧基庚基，8，8-双羧基辛基，9，9-双羧基-壬基，10，10-双羧基癸基，双(甲氧基羰基)甲基，2，2-双-(甲氧基羰基)乙基，3，3-双(甲氧基羰基)丙基，4，4-双(甲氧基-羰基)丁基，5，5-双(甲氧基羰基)戊基，6，6-双(甲氧基羰基)-己基，7，7-双(甲氧基羰基)庚基，8，8-双(甲氧基羰基)辛基，双(乙氧基羰基)甲基，2，2-双(乙氧基羰基)乙基，3，3-双(乙氧基-羰基)丙基，4，4-双(乙氧基羰基)丁基或5，5-双(乙氧基羰基)-戊基。
R21和R22也可以彼此独立地是F，Cl，CN，SF5，SCN或NCS，尤其F或Cl。
如果Y11是卤代的烷基，链烯基，烷氧基或链烯氧基，这一基团可以是直链或支化的。该基团优选是直链，并由F或Cl取代。对于多取代的情况，卤素尤其是F。取代的基团还包括全氟化基团。对于单取代的情况，卤素取代基可以在任何所需要的位置上，优选在ω位置上。Y11特别优选是F，Cl，CF3，OCHF2或OCF3，尤其F。
Z11是单键或是-CH2-CH2-，-CH＝CH-，-CH＝CF-，-CF＝CH-，-CF＝CF-，-C≡C-，-COO-，-OCO-，-CF2O-或-OCF2-。Z11优选是单键或是-COO-或-CF2O-；Z11尤其优选是-CF2O-。
在结构式I和结构式IA的化合物中，
Figure C0382423700171
是
或
Figure C0382423700173
而是
Figure C0382423700175
或
Figure C0382423700178
Figure C0382423700179
优选是1，4-亚环己基或1，4-亚苯基环，而
Figure C03824237001710
优选是未取代或被氟单取代或多取代的1，4-亚苯基环。
在结构式I中的a能够是0或1。a特别优选是1。
如果在结构式II中的f是零，结构式II的化合物是三联苯，它-取决于b，c和d的意义-也可以携带一个或多个氟取代基。如果，相反，在结构式II中的f是1，结构式II的化合物是四联苯形式，则它本身-取决于b，c，d和e的意义-是被氟单取代或多取代的。根据本发明的液晶介质还有可能同时包括结构式II的至少一个三联苯和一个四联苯。根据本发明的介质优选包括结构式II的三联苯(f＝0)或结构式II的四联苯(f＝1)。如果f＝0，则b，c和d中的至少一个或两个优选是1或2。如果f＝1，则结构式II的化合物的e优选是0，即相应苯基环不被F取代，同时b，c和d中的至少两个优选是1或2。在本发明的优选实施方案中，b，c，d和e经过选择使得b+c+d+e≥3；结构式II的化合物的侧部氟取代基特别优选是3，4，5或6。
结构式I的和II的化合物是通过如在文献中(例如在权威著作，如Houben-Weyl，Methoden der Organischen Chemie[有机化学方法]，Georg-Thieme-Verlag，Stuttgart中)描述的本身已知的方法制备的，确切地说在已知的和适合于该反应的反应条件下。这里还可以使用本身已知、但这里没有更详细提及的变化形式。
结构式II的化合物例如也能够由相应芳族硼酸或硼酸酯与适当取代的苯基化合物的Suzuki交互偶合来形成-它也能够接连地进行。反应历程1以举例方式显示了经由Suzuki交互偶合方法制备结构式II化合物的合成路线。R21，R22，b，c，d和e在这里与以上对于结构式II的定义相同。M是Si，Ge或Sn。其它制备方法尤其描述在德国专利申请10211597.4和欧洲专利申请03003811.1中。
Figure C0382423700191
反应路线1
本发明还涉及含有这一类型的介质的电光学显示器(尤其是具有两个平行平面的外板(它与框架一起形成池)，用于转换在外板上的独立像素的集成非线性元件，和位于池中的具有正介电各向异性和高的比电阻的向列型液晶混合物的STN或MLC显示器)，和涉及这些介质在电光学领域中的用途。
根据本发明的液晶混合物允许可利用的参量幅度的显著变宽。澄清点、在低温下的粘度、热和紫外线稳定性和介电各向异性的可实现的综合远远超过了现有技术的先前材料。
尤其，根据本发明的液晶介质的UV稳定性与现有技术的已知材料相比得到显著改进，并且其它所需的或必要的参数一般不仅未受损害，而且同样显著地改进。因此，在包括根据本发明的液晶介质的液晶混合物中，在UV辐射之后与普通混合物的情况相比观察到电压保持比(VHR)的较少下降[S.Matsumoto等人，Liquid Crystals 5 1320(1989)；K.Niwa等人，Proc.SID Conference，San Francisco，1984年6月，p.304(1984)；G.Weber等人，Liquid Crystals 5，1381(1989)]。可比较的情形也适用于由于UV处理的结果该混合物的比电阻(SR)的改变：与不具有根据本发明的介质的混合物相比，包括根据本发明的液晶介质的液晶混合物在UV处理之后具有高得多的比电阻并证明是对辐射不太敏感的。
在结构式I的化合物的添加之后光稳定性会降低的液晶混合物，其中Z11＝-(CH2)2-，-COO-，-OCO-，-CH＝CH-，-CF＝CH-，-CH＝CF-，-CF＝CF-，-C≡C-，-OCF2-或-CF2O-，也显示出显著地改进的UV稳定性，如果除了结构式I(或IA)的化合物之外，在这些混合物中还使用如以上所定义的结构式II的至少一种化合物。
结构式I和II的化合物的结合物似乎影响以它们的结合物用于电光学显示器中的各种相关参数，比现有技术中的已知材料好得多
根据本发明的混合物优选适合作为用于具有3.3-2.5V驱动电压的笔记本式个人电脑中的TN-TFT混合物。它们还可以用作以透射模式和以反射模式的投影应用的TFT混合物。
对于高澄清点、在低温下的向列相和高Δε的要求迄今仅仅在有限的程度上实现。根据本发明的液晶混合物，在保持向列相低至-20℃和优选低至-30℃，特别优选低至-40℃的同时，使澄清点高于60℃，优选高于65℃，特别优选高于70℃，同时通常使介电各向异性值Δε≥6，优选≥8，和达到高的比电阻值，从而获得优异的STN和MLC显示器。尤其，混合物体现特征于低的工作电压。TN阈值电压低于2.0V，优选低于1.5V，特别优选＜1.3V。
不用说，通过根据本发明的混合物的各组分的合适选择，还有可能在较高的阈电压下实现较高的澄清点(例如高于110℃)或在较低的阈电压下实现较低的澄清点，同时保留了其它理想性能。在相应地仅仅轻徽提高的粘度下，同样有可能获得具有更大Δε和因此较低阈电压的混合物。根据本发明的MLC显示器优选在第一Gooch和Tarry透射最小限度下操作[C.H.Gooch and H.A.Tarry，Electron.Lett.10，2-4，1974；C.H.Gooch and H.A.Tarry，Appl.Phys.，Vol.8，1575-1584，1975]，其中除了特别有益的电光学性能，例如，特征线的高陡度和对比度的低角度依赖性(德国专利30 22 818)之外，较低介电各向异性对于与在模拟显示器中在第二最小限度下的阈电压相同的阈电压是足够的。这允许在第一最小限度下使用根据本发明的混合物实现非常高的比电阻。通过各组分和它们的重量比的合适选择，所属技术领域的专业人员能够通过使用简单的常用方法来为MLC显示器的预定层厚度设定所需要的双折射率。
该向列相范围优选是至少90℃，尤其至少100℃。这一范围优选至少从-20℃延伸到+80℃。
短的响应时间是在液晶显示器中所希望的。这尤其适用于能够放象(video reproduction)的显示器。对于这一类型的显示器，至多16ms的响应时间(总计：Ton+Toff)是需要的。响应时间的上限是由图象更新频率决定的。
结构式I优选覆盖了结构式IA的化合物，尤其下列化合物：
Figure C0382423700221
Figure C0382423700231
Figure C0382423700241
Figure C0382423700251
Figure C0382423700261
Figure C0382423700271
Figure C0382423700281
Figure C0382423700291
Figure C0382423700301
其中R11与以上对于结构式I和IA的定义相同。R11优选是CH3，C2H5，n-C3H7，n-C4H9，n-C5H11，n-C6H13，n-C7H15，CH2＝CH，CH3CH＝CH或3-链烯基(即在3-位上具有C＝C双键的链烯基，例如，CH2＝CH-CH2-CH2-)，尤其C2H5，n-C3H7，n-C4H9或n-C5H11。
优选的是根据本发明的介质，它包括结构式IA1、IA5、IA9、IA17、IA40、IA41、IA42、IA47、IA52和/或IA53中的至少一种化合物，特别优选在各情况下结构式IA47的至少一种化合物，特别优选其中R11是具有1-7个碳原子的直链烷基的化合物。
结构式I的进一步优选的化合物是结构式I1至I8的化合物：
Figure C0382423700311
Figure C0382423700321
其中R11与以上对于通式I和IA的定义相同。R11优选是CH3，C2H5，n-C3H7，n-C4H9，n-C5H11，n-C6H13，n-C7H15，CH2＝CH，CH3CH＝CH或3-链烯基，尤其C2H5，n-C3H7，n-C4H9或n-C5H11。
根据本发明的液晶介质进一步优选包括结构式I和/或IA的至少两种化合物。
结构式II优选覆盖下面化合物：
Figure C0382423700331
Figure C0382423700341
其中R21和R22如上所定义。
在结构式II1到II15的化合物中的R21和R22优选彼此独立地是F，Cl，CF3或具有1到7个碳原子的直链烷基。R21尤其是CH3，C2H5，n-C3H7，n-C4H9，n-C5H11，n-C6H13或n-C7H15，尤其特别优选C2H5，n-C3H7，n-C4H9或n-C5H11，而R22尤其是F，Cl，CF3，CH3，C2H5，n-C3H7，n-C4H9，n-C5H11，n-C6H13或n-C7H15，尤其特别优选F，C2H5，n-C3H7，n-C4H9或n-C5H11。在这些优选的化合物当中，其中R21和R22彼此独立地是C1-7烷基的结构式II2、II3、II9和II10的化合物和其中R21是C1-7烷基和R22是F或C1-7烷基的结构式II15的化合物是特别优选的。
根据本发明的介质更优选另外包括结构式III的至少一种化合物：
Figure C0382423700342
其中
L31是H或F；
R31是H，具有1-15个碳原子的卤代或未被取代的烷基，其中在这些基团中的一个或多个CH2基团也可以被-C≡C-，-CH＝CH-，-O-，-CO-O-或-O-CO-替代，但要求O原子彼此不直接连接；
R32是H，F，Cl，具有1-15个碳原子的卤代或未被取代的烷基，其中在这些基团中的一个或多个CH2基团可以被-C≡C-，-CH＝CH-，-O-，-CO-O-或-O-CO-替代，但要求O原子彼此不直接连接；和
j是0或1。
如果R31和/或R32是烷基或烷氧基，这可以是直链或支链的。它优选是直链的，具有1，2，3，4，5，6或7个碳原子和因此优选是甲基，乙基，丙基，丁基，戊基，己基，庚基，甲氧基，乙氧基，丙氧基，丁氧基，戊氧基，己氧基或庚氧基，此外辛基，壬基，癸基，十一基，十二烷基，十三烷基，十四烷基，十五烷基，辛基氧基，壬氧基，癸氧基，十一烷氧基，十二烷氧基，十三烷氧基或十四烷氧基。
氧杂烷基优选是直链2-氧杂丙基(＝甲氧基甲基)，乙氧基甲基或3-氧杂丁基(＝2-甲氧基乙基)，2-，3-或4-氧杂戊基，2-，3-，4-或5-氧杂己基，2-，3-，4-，5-或6-氧杂庚基，2-，3-，4-，5-，6-或7-氧杂辛基，2-，3-，4-，5-，6-，7-或8-氧杂壬基或2-，3-，4-，5-，6-，7-，8-或9-氧杂癸基。
如果R31和/或R32是其中一个CH2基团已经被-CH＝CH-替代的烷基，这可以是直链或支链的。这一类型的基团也已知为链烯基。它优选是直链和具有2-10个碳原子。因此，它尤其优选是乙烯基，丙-1-或-2-烯基，丁-1-，-2-或-3-烯基，戊-1-，-2-，-3-或-4-烯基，己-1-，-2-，-3-，-4-或-5-烯基，庚-1-，-2-，-3-，-4-，-5-或-6-烯基，辛-1-，-2-，-3-，-4-，-5-，-6-或-7-烯基，壬-1-，-2-，-3-，-4-，-5-，-6-，-7-或-8-烯基，或癸-1-，-2-，-3-，-4-，-5-，-6-，-7-，-8-或-9-烯基。如果该链烯基能够具有E或Z构型，则E构型(反式构型)一般是优选的。
如果R31和/或R32是其中一个CH2基团已经被-O-替代的烷基和其中一个CH2基团已经被-CO-替代的烷基，这些优选是相邻的。这些因此含有酰氧基-CO-O-或氧基羰基-O-CO。这些优选是直链和具有2-6个碳原子。因此，它们尤其是乙酰氧基，丙酰氧基，丁酰氧基，戊酰氧基，己酰氧基，乙酰氧基甲基，丙酰氧基甲基，丁酰氧基甲基，戊酰氧基甲基，2-乙酰氧基乙基，2-丙酰氧基乙基，2-丁酰氧基乙基，3-乙酰氧基丙基，3-丙酰氧基丙基，4-乙酰氧基丁基，甲氧基羰基，乙氧基羰基，丙氧基羰基，丁氧基羰基，戊氧基羰基，甲氧基羰基甲基，乙氧基羰基甲基，丙氧基羰基甲基，丁氧基羰基甲基，2-(甲氧基羰基)乙基，2-(乙氧基羰基)乙基，2-(丙氧基羰基)-乙基，3-(甲氧基羰基)丙基，3-(乙氧基羰基)丙基或4-(甲氧基羰基)丁基。
如果R31和/或R32是其中一个CH2基团被未取代或已取代的-CH＝CH-所替代和相邻CH2基团已经被CO、CO-O或O-CO替代的烷基，这可以是直链或支链的。它优选是直链和具有4-12个碳原子。因此，它尤其是丙烯酰氧基甲基，2-丙烯酰氧基乙基，3-丙烯酰氧基丙基，4-丙烯酰氧基丁基，5-丙烯酰氧基戊基，6-丙酰氧基己基，7-丙烯酰氧基庚基，8-丙烯酰氧基辛基，9-丙烯酰氧基-壬基，10-丙烯酰氧基癸基，甲基丙烯酰氧基甲基，2-甲基丙烯酰氧基乙基，3-甲基丙酰氧基丙基，4-甲基丙烯酰氧基丁基，5-甲基丙烯酰氧基戊基，6-甲基丙烯酰氧基己基，7-甲基丙烯酰氧基庚基，8-甲基丙烯酰氧基辛基或9-甲基丙烯酰氧基壬基。
如果R31和/或R32是至少被卤素单取代的烷基、烷氧基或链烯基，则这一基团优选是直链，和卤素优选是F或Cl。就多取代而言，卤素优选是F。所形成的基团还包括全氟化基团。对于单取代的情况，氟或氯取代基可以在任何所想望的位置，但优选是ω-位上。尤其优选是-CF3，-CHF2，-CH2F，-CH2CF3，-CHFCHF2，-CF2CF3，-OCF3，-OCHF2，-OCH2F和-CF＝CF2。
含有支化翼基团R31和/或R32的化合物有时是重要的，因为在常见的液晶基础材料中的具有更好溶解度，但尤其作为手性掺杂剂，如果它们是旋光活性的话。这一类型的近晶化合物适合作为铁电材料的组分。
这一类型的支化基团优选含有不超过一个的链分支。优选的支化基团R是异丙基，2-丁基(＝1-甲基-丙基)，异丁基(＝2-甲基丙基)，2-甲基丁基，异戊基(＝3-甲基-丁基)，2-甲基戊基，3-甲基戊基，2-乙基己基，2-丙基戊基，异丙氧基，2-甲基丙氧基，2-甲基丁氧基，3-甲基丁氧基，2-甲基戊氧基，3-甲基戊氧基，2-乙基己氧基，1-甲基己氧基和1-甲基庚氧基。
如果R31和/或R32是其中两个或多个CH2基团已经被-O-和/或-CO-O-替代的烷基，则这可以是直链或支链的。它优选是支链的和具有3-12个碳原子。因此，它尤其是双羧基甲基，2，2-双羧基乙基，3，3-双羧基丙基，4，4-双羧基丁基，5，5-双羧基戊基，6，6-双羧基己基，7，7-双羧基庚基，8，8-双羧基辛基，9，9-双羧基壬基，10，10-双羧基癸基，双(甲氧基羰基)甲基，2，2-双(甲氧基羰基)乙基，3，3-双(甲氧基羰基)丙基，4，4-双(甲氧基-羰基)丁基，5，5-双(甲氧基羰基)戊基，6，6-双(甲氧基羰基)-己基，7，7-双(甲氧基羰基)庚基，8，8-双(甲氧基羰基)辛基，双(乙氧基羰基)甲基，2，2-双(乙氧基羰基)乙基，3，3-双(乙氧基-羰基)丙基，4，4-双(乙氧基羰基)丁基或5，5-双(乙氧基羰基)戊基。
R31优选是H或甲基，乙基，正丙基或正丁基，尤其H。R32优选是F，Cl或具有1，2，3，4，5，6或7个碳原子的直链烷基，尤其F或正丙基或正戊基。
结构式III的特别优选的化合物是
Figure C0382423700371
其中n和m彼此独立地是0，1，2，3，4，5，6或7。尤其特别优选的是其中m＝3，4或5的结构式III1a和III1b的化合物，其中m＝2，3，4或5的结构式III2Aa的化合物，和结构式III3a的化合物：
Figure C0382423700381
根据本发明的液晶介质进一步优选包括结构式IV和/或V的一种或多种化合物：
Figure C0382423700382
其中
R41，R42和R51彼此独立地是具有1-12个碳原子的烷基。
R41，R42和R51优选彼此独立地是各自具有1到7个碳原子的直链烷基链，即甲基，乙基，正丙基，正丁基，正戊基，正己基或正庚基，特别优选正丙基，正丁基或正戊基。
另外，根据本发明的液晶介质优选包括结构式VI和/或VII和/或VIII的至少一种化合物：
Figure C0382423700383
Figure C0382423700391
其中
R61、R71和R81彼此独立地是具有1到12个碳原子的烷基。
R61、R71和R81优选彼此独立地是各自具有1到7个碳原子的未支化的烷基，即甲基，乙基，正丙基，正丁基，正戊基，正己基或正庚基，特别优选乙基，正丙基，正丁基或正戊基。
结构式VI、VII和VIII的化合物也形成了一组优选的结构式I的化合物(其中，尤其，对于结构式VII和VIII而言Z11＝单键，或对于结构式VI而言Z11＝-CH2CH2-)。在本发明的某些实施方案中，结构式I的化合物选自由结构式VI，VII和VIII的化合物所组成的组。在另一特别优选的实施方案中，除了也不由结构式VI、VII和VIII中的一个表示的结构式I的至少一种化合物以外，结构式VI、VII和/或VIII的化合物存在于根据本发明的液晶介质中；如果结构式I的化合物是结构式IA的一种或多种化合物，则这尤其是如此。
结构式I和II的化合物在整个混合物中的合并比例优选是5-85wt％，尤其10-75wt％，特别优选15-65wt％。
结构式II的化合物在整个液晶混合物中的比例优选是0.1-10wt％，尤其0.25-5wt％和特别优选0.5-2wt％。
在优选的实施方案中，除了结构式I，尤其结构式IA，和结构式II的化合物以及任何其它成分，例如结构式III、IV、V、VI、VII和/或VIII的化合物，以外，根据本发明的液晶介质进一步包括结构式IX和/或X的化合物：
Figure C0382423700401
其中
R91和R101各自彼此独立地是H，具有1到15个碳原子的卤代或未被取代的烷基，其中，另外，在这些基团中的一个或多个CH2基团可以各自彼此独立地被-C≡C-，-CH＝CH-，-O-，-CO-O-或-O-CO-替代，但要求O原子彼此不直接连接；
X91和X101各自彼此独立地是F，Cl，CN，SF5，SCN，NCS，卤代烷基，卤代链烯基，卤代烷氧基或卤代链烯氧基，各自具有至多6个碳原子；
Z101和Z102各自彼此独立地是-CF2O-，-OCF2-或单键，其中Z101≠Z102；
L5，L6，L7，L8，L9和L10各自彼此独立地是H或F；和
Figure C0382423700402
和各自彼此独立地是，
Figure C0382423700404
Figure C0382423700405
或
Figure C0382423700406
同时，结构式IX的化合物构成了结构式I的一组优选化合物(其中，尤其是，Z11＝-COO-)。在本发明的某些优选实施方案中，结构式I的化合物选自由结构式IX的化合物所形成的组。在其它特别优选的实施方案中，除了也不由结构式IX表示的结构式I的至少一种化合物以外，结构式IX的一种或多种化合物存在于根据本发明的液晶介质中；如果结构式I的化合物是结构式IA的一种或多种化合物，这尤其是如此。
结构式IX的优选化合物是下面化合物：
Figure C0382423700411
在这些结构式中，R91与以上对于结构式IX的定义相同。R91优选是H，CH3，C2H5，n-C3H7，n-C4H9，n-C5H11，n-C6H13，CH2＝CH，CH3CH＝CH或3-链烯基。
结构式X的化合物优选具有结构式XA的结构：
Figure C0382423700422
在这一结构式中，R101和X101与以上对于结构式X的定义相同，以及L11，L12，L13，L14和L15彼此独立地是H或F。在结构式XA的这些化合物当中，下列结构式XA1到XA24的那些化合物是特别优选的：
Figure C0382423700431
Figure C0382423700441
Figure C0382423700451
Figure C0382423700461
在这些结构式中，R101与以上对于结构式X和XA的定义相同和优选是具有1-7个碳原子的直链烷基，尤其CH3，C2H5，n-C3H7，n-C4H9，n-C5H11，n-C6H13或n-C7H15，此外1E-或3-链烯基，尤其CH2＝CH，CH3CH＝CH，CH2＝CHCH2CH2或CH3CH＝CH-CH2CH2。
根据本发明的介质更优选地另外包括选自通式XI到XVII的化合物中的一种或多种化合物：
Figure C0382423700471
其中各基团具有下面的意义：
R0是H，正烷基，氧杂烷基，氟烷基或链烯基，各自具有至多9个碳原子；
X0是F，Cl，具有至多6个碳原子的卤代烷基，链烯基，链烯氧基或烷氧基；
Z0是-C2F4-，-CF＝CF-，-C2H4-，-(CH2)4-，-CF2O-，-OCF2-，-OCH2-或-CH2O-；
Y1，Y2，Y3和Y4各自彼此独立地是H或F；和
r是0或1。
(结构式XI，XII，XIV，XV和XVII的一些化合物-假如X0、Z0、Y1、Y2、Y3、Y4和r有相应的选择-在各情况下形成了结构式I(和/或结构式IA)的一组化合物。在本发明的某些优选实施方案中，结构式I的化合物(或，对于结构式XII、XV和XVII，还有结构式IA的某些化合物)选自结构式XI，XII，XIV，XV和XVII的化合物；这尤其适用于其中Y1＝F，Y2＝H或F和，当存在时，Z0＝-CF2O-，的结构式XII、XV和XVII的化合物。在其它特别优选的实施方案中，除了结构式I或尤其结构式IA的至少一种化合物(它不由结构式XI、XII、XIV、XV和/或XVII表示)以外，结构式XI、XII、XIV、XV和/或XVII的一种或多种化合物存在于根据本发明的液晶介质中。)
结构式XII的优选化合物是：
其中R0如上所定义。
结构式XV的优选化合物是：
Figure C0382423700492
其中R0如上所定义。
所述介质优选另外包括选自通式XVIII到XXIV中的一种或多种化合物：
Figure C0382423700501
其中R0，X0，Y1和Y2各自彼此独立地是与以上对于结构式XI到XVII中的一个所定义的相同。Y3是H或F。X0优选是F，Cl，CF3，OCF3或OCHF2。R0优选是烷基，氧杂烷基，氟烷基或链烯基，各具有至多6个碳原子。
该介质优选另外包括结构式Ea到Ec的一种或多种酯化合物(如果它们不是早已作为结构式I或IA的化合物存在的话)
Figure C0382423700511
其中R0与以上对于结构式XI到XVII中的一个所定义的相同。
Figure C0382423700512
优选是
Figure C0382423700513
Figure C0382423700514
Figure C0382423700515
或
Figure C0382423700516
该介质另外包括一种、两种、三种或更多种，优选两种或三种，结构式O1的化合物：
Figure C0382423700521
其中“烷基”和“烷基*”各自彼此独立地是具有1-9个碳原子的直链或支链烷基。
结构式O1的化合物在根据本发明的混合物中的比例优选是5-10wt％。
该介质优选包括选自H1到H12中的化合物类的一种、两种或三种，此外四种，的同系物(其中n＝1，2，3，4，5，6，7，8，9，10，11或12)：
Figure C0382423700522
Figure C0382423700531
Figure C0382423700541
该介质包括其它化合物，优选从结构式RI到RIX的化合物中选择的其它化合物：
Figure C0382423700542
其中
R0是正烷基，氧杂烷基，氟烷基，链烯氧基或链烯基，各自具有至多9碳原子；
Y1，Y3和Y5彼此独立地是H或F；
“烷基”和“烷基*”各自彼此独立地是具有1-9个碳原子的直链或支链烷基；
“链烯基”是具有至多9个碳原子的直链或支化链烯基。
该介质优选包括下列结构式的一种或多种化合物：
Figure C0382423700551
其中n和m彼此独立地是1，2，3，4，5，6，7，8，9，10，11或12。n和m优选彼此独立地是1，2，3，4，5或6。对于结构式RIXa，n尤其是2。
在其它实施方案中，根据本发明的介质优选包括结构式AN1到AN11的具有稠环的一种或多种化合物：
Figure C0382423700561
Figure C0382423700571
其中R0如上所定义。
已经发现，包括与普通的液晶材料相混合的，尤其与结构式III、IV、V、VI、VII和/或VIII的和结构式IX、X、XI、XII、XIII、XIV、XV、XVI和/或XVII的一种或多种化合物相混合的结构式I和II的化合物的本发明介质导致有非常良好的稳定性，阈电压的显著降低和高的VHR值(100℃)，具有宽的向列型相并同时观察到低的近晶-向列型转变温度，改进了储存期限。结构式I到XVII的化合物是稳定的并且彼此之间和与其它液晶材料之间是易于混溶的。
该术语“烷基”或“烷基*”-除非在本说明书中或在权利要求中其它地方另外定义-覆盖了具有1-12个，优选1-7个碳原子的直链和支链烷基，尤其直链基团甲基，乙基，丙基，丁基，戊基，己基和庚基。具有1-5个碳原子的基团一般是优选的。
该术语“链烯基”-除非在本说明书中或在权利要求中其它地方另外定义-覆盖了具有2-12个，优选2-7个碳原子的直链和支化链烯基，尤其直链基团。优选的链烯基是C2-C7-1E-链烯基，C4-C7-3E-链烯基，C5-C7-4-链烯基，C6-C7-5-链烯基和C7-6-链烯基，尤其C2-C7-1E-链烯基，C4-C7-3E-链烯基和C5-C7-4-链烯基。特别优选的链烯基基团的例子是乙烯基，1E-丙烯基，1E-丁烯基，1E-戊烯基，1E-己烯基，1E-庚烯基，3-丁烯基，3E-戊烯基，3E-己烯基，3E-庚烯基，4-戊烯基，4Z-己烯基，4E-己烯基，4Z-庚烯基，5-己烯基，6-庚烯基等等。具有至多5个碳原子的基团一般是优选的。
该术语“氟烷基”优选包括具有末端氟的直链基团，即氟甲基，2-氟乙基，3-氟丙基，4-氟丁基，5-氟戊基，6-氟己基和7-氟庚基。然而，不排除氟的其它位置。
该术语“氧杂烷基”优选包括通式CnH2n+1-O-(CH2)m的直链基团，其中n和m各自彼此独立地是1到6。优选，n＝1和m是1到6。
通过R0和X0的含义的适当选择，寻址时间、阈电压、传输特征线的陡度等等能够以所理想的方式改进。例如，1E-链烯基基团、3E-链烯基基团、2E-链烯氧基基团等一般导致更短的寻址时间，改进的向列倾向以及弹性常数k33(弯曲)和k11(斜面)的更高比率，这是与烷基或烷氧基基团相比的。与烷基和烷氧基基团相比，4-链烯基基团、3-链烯基基团等一般导致更低的阈电压和更小的k33/k11。
与单个共价键相比，-CH2CH2-基团一般导致较高的k33/k11值。较高的k33/k11值会促进，例如，在具有90°扭曲的TN池中比较扁平的传输特征线(以获得灰色调)和在STN、SBE和OMI池中较陡的传输特征线(更大的多路转换能力)，反之亦然。
本发明的优选方面涉及存在于液晶混合物中的根据本发明的液晶介质，它体现特征于高的光学各向异性Δn值，优选＞0.16，尤其＞0.20。这一类型的所谓“高Δn”液晶混合物尤其用于OCB(光学补偿双折射率)、PDLC(聚合物分散液晶)、TN和STN池，尤其用于在TN和STN池中实现小的层厚度以缩短响应时间。在这些“高Δn”液晶混合物中，根据本发明的液晶介质除了包括结构式II的至少一种化合物以外还包括结构式I的化合物，后者有助于提高光学各向异性Δn。结构式I的这些化合物优选是一种或多种的下列化合物：
Figure C0382423700601
这里R11与以上对于结构式I和IA的定义相同。根据本发明的这些介质可以进一步包括其它化合物，尤其结构式III，IV，V，VI，VII，VIII，IX，X，XI，XII，XIII，XIV，XV，XVI和/或XVII的化合物，如果所形成的混合物具有足够高的光学各向异性值Δn从而优选用作“高Δn”混合物。
结构式I和II+III+IV+V+VI+VII+VIII(任选+IX+X+XI+XII+XIII+XIV+XV+XVI+XVII)的化合物的最佳混合比基本上取决于所需要的性能，尤其取决于所预期的用途，取决于这些化合物的选择以及所存在的任何其它化合物的选择。合适的混合比能够容易地从一种情况到另一种情况加以确定。
通式I到XVII的化合物在根据本发明的混合物中的总量不是重要的。所述混合物因此包括用于优化各种性能的一种或多种其它组分。
用于根据本发明的介质中的上述通式和它们的子通式的各个化合物是已知的或能够与已知化合物类似地制备。
根据本发明的MLC显示器从起偏振镜、电极基板和表面处理的电极的构造对应于这一类型的显示器的常规结构。该术语“常规结构”广泛地描绘和也覆盖了MLC显示器的全部派生和改性形式，尤其包括以poly-Si TFT或MIM为基础的矩阵显示元件。
然而，在根据本发明的显示器和以扭曲向列型池为基础的普通显示器之间的显著差异在于液晶层的液晶参数的选择。
显示设备能够以常规方式，但尤其由“一滴填充法”，用包括根据本发明的液晶介质的液晶混合物来填充。
根据本发明的液晶混合物是以本身常用的方法来制备。通常，将所需量的必须以较低量使用的组分溶于构成主成分的组分，有利地在升高的温度下。还有可能将组分的溶液混入有机溶剂，例如混入丙酮，氯仿或甲醇中，和在充分混合之后再次除去溶剂，例如通过蒸馏。
该电介质也可包括为所属技术领域的专业人员所已知的和描述在文献中的其它添加剂。例如能够添加0-15％的多向色的染料或手性掺杂剂。
在本申请和在下面的实施例中，液晶化合物的结构是利用首字母缩写词来表示，根据下面表A和B来转变成化学式。全部基团CnH2n+1和CmH2m+1是分别地具有n和m个碳原子的直链烷基；n和m是整数，优选是0，1，2，3，4，5，6，7，8，9，10，11或12。在表B中的译码是不言自明的。在表A中仅仅给出了母体结构的首字母缩写词。在各情况下，在母体结构的首字母缩写词之后接着是被破折号分开的对于取代基R1*，R2*，L1*和L2*所给出的代码。
  R<sup>1*</sup>，R<sup>2*</sup>，L<sup>1*</sup>，L<sup>2*</sup>的代码   R<sup>1*</sup>   R<sup>2*</sup>   L<sup>1*</sup>   L<sup>2*</sup>
  nmnO.mnOmnnN.FnN.F.FnFnCLnF.FnF.F.FnmFnCF<sub>3</sub>nOCF<sub>3</sub>nOCF<sub>3</sub>.Fn-VmnV-Vm   C<sub>n</sub>H<sub>2n+1</sub>OC<sub>n</sub>H<sub>2n+1</sub>C<sub>n</sub>H<sub>2n+1</sub>C<sub>n</sub>H<sub>2n+1</sub>C<sub>n</sub>H<sub>2n+1</sub>C<sub>n</sub>H<sub>2n+1</sub>C<sub>n</sub>H<sub>2n+1</sub>C<sub>n</sub>H<sub>2n+1</sub>C<sub>n</sub>H<sub>2n+1</sub>C<sub>n</sub>H<sub>2n+1</sub>C<sub>n</sub>H<sub>2n+1</sub>C<sub>n</sub>H<sub>2n+1</sub>C<sub>n</sub>H<sub>2n+1</sub>C<sub>n</sub>H<sub>2n+1</sub>C<sub>n</sub>H<sub>2n+1</sub>C<sub>n</sub>H<sub>2n+1</sub>-CH＝CH-   C<sub>m</sub>H<sub>2m+1</sub>C<sub>m</sub>H<sub>2m+1</sub>OC<sub>m</sub>H<sub>2m+1</sub>CNCNCNFClFFC<sub>m</sub>H<sub>2m+1</sub>CF<sub>3</sub>OCF<sub>3</sub>OCF<sub>3</sub>-CH＝CH-C<sub>m</sub>H<sub>2m+1</sub>-CH＝CH-C<sub>m</sub>H<sub>2m+1</sub>   HHHHFFHHFFFHHFHH   HHHHHFHHHFHHHHHH
优选的混合物组分在表A和B中给出。
表A
Figure C0382423700621
Figure C0382423700631
表B
Figure C0382423700662
Figure C0382423700671
Figure C0382423700681
Figure C0382423700691
Figure C0382423700701
Figure C0382423700711
Figure C0382423700721
Figure C0382423700741
特别优选的是液晶混合物，它，除了结构式I的化合物之外，还包括表B中的至少一种、两种、三种或四种化合物。
表C：
表C给出了可能的掺杂剂，它一般被加到根据本发明的混合物中。
Figure C0382423700761
表D
能够添加例如到根据本发明的混合物中的稳定剂是如下所提及的：
Figure C0382423700771
Figure C0382423700781
Figure C0382423700791
Figure C0382423700801
上下文中，百分数是重量百分率。全部温度是以摄氏温度给出。m.p.表示熔点，cl.p.表示澄清点。此外，C＝晶态，N＝向列相，S＝近晶相，和I＝各向同性相。Sc表示近晶C相。在这些符号之间的数据表示该转变温度。V10表示有10％透射的电压(视角垂直于板表面)。ton表示在与2.0倍V10值对应的工作电压下的接通时间和toff表示关闭时间。Δn表示光学各向异性(Δn＝ne-no，其中ne是非寻常射线的折射指数和no是寻常射线的折射指数)(589nm，20℃)。Δε表示介电各向异性(Δε＝ε||-ε⊥，其中ε||表示平行于分子纵轴的介电常数和ε⊥表示垂直于分子纵轴的介电常数)(1kHz，20℃)。该电光学数据是在TN池中在第一最小限度下(即在0.5μm的d·Δn值下)于20℃下测量的，除非另外特意指明。该光学数据是在20℃下测量的，除非另外特意说明。该流动粘度ν20(mm2/sec)是在20℃下测定的。旋转粘度γ1[mPa·s]同样在20℃下测定的。SR表示比电阻[Ω·cm]。电压保持比率VHR是在100℃下的热负荷或用UV辐射(波长＞300nm；辐射强度765W/m2)达2小时来测定的。这些物理参数是按照在“Licristal，Physical Properties OfLiquid Crystals，Description of the Measurement Methods”，Ed.W.Becker，Merck KGaA，Darmstadt，修订版，1998中所述以实验方法测定的。
下列实施例用于解释本发明但不限制它。
实施例
实施例1
a)没有结构式II的化合物：混合物M1
  CCP-2OCF3.F   14.00％   S→N[℃]：＜-30
  CCP-2F.F.F   10.00％   澄清点[℃]：+85
  CCP-3F.F.F   14.00％   n<sub>e</sub>[589nm；20℃]：1.5468
  CCP-5F.F.F   6.00％   n<sub>o</sub>[589nm；20℃]：1.4707
  CCZU-2-F   4.00％   Δn[589nm；20℃]：+0.0761
  CCZU-3-F   17.00％   ε<sub>||</sub>[1kHz；20℃]：15.3
  CCZU-5-F   4.00％   ε<sub>⊥</sub>[1kHz；20℃]：4.3
  CGU-2-F   6.00％   Δε[1kHz；20℃]：+11.0
  CGZP-2-OT   8.00％   VHR(100℃)：94.6
  CCH-5CF3   8.00％   VHR(2h UV辐射.)：92.3
  CCOC-4-3   3.00％
  CCOC-3-3   3.00％
  CCOC-3-5   3.00％
b)有结构式II的化合物：
将各种量的式II化合物添加到以上混合物M1中，和在UV辐射2小时之后测定VHR：
  混合物   VHR(2h UV辐射)[％]
  没有通式II化合物的M1   92.3
  M1+0.60％wt.的PYGP-4-3   94.7
  M1+0.62％wt.的YGGP-4-3   94.9
  M1+0.69％wt.的PYGP-4-4   95.0
实施例2
a)没有通式II的化合物：混合物M2
  GGP-3-CL   9.00％   S→N[℃]：＜-20
  GGP-5-CL   24.00％   澄清点[℃]：+100
  PGIGI-3-F   4.00％   n<sub>e</sub>[589nm；20℃]：1.7162
  BCH-3F.F   4.00％   n<sub>o</sub>[589nm；20℃]：1.5161
  BCH-5F.F   5.00％   Δn[589nm；20℃]：+0.2001
  BCH-3F.F.F   9.00％   ε<sub>||</sub>[1kHz；20℃]：16.9
  BCH-5F.F.F   10.00％％   ε<sub>⊥</sub>[1kHz；20℃]：4.6
  CBC-33F   3.00％   Δε[1kHz；20℃]：+12.3
  CBC-53F   4.00％   k<sub>1</sub>[pN]：14.5
  CCG-V-F   6.00％   k<sub>3</sub>[pN]：15.3
  PGU-2-F   6.00％   k<sub>3</sub>/k<sub>1</sub>：1.05
  PGU-3-F   7.00％   γ<sub>1</sub>[mPa·s；20℃]：327
  FET-2CL   5.00％   V<sub>10</sub>[V]：1.15
  FET-3CL   4.00％
b)有结构式II的化合物：
将各种量的式II化合物添加到以上混合物M2中，和在UV辐射2小时之后测定VHR：
  混合物   VHR(2h UV辐射)[％]
  没有通式II化合物的M2   96.0
M2+0.53％wt.的PYGP-4-3 97.1
  M2+0.99％wt.的PYGP-4-3   97.5
  M2+1.51％wt.的PYGP-4-3   97.6
  M2+1.98％wt.的PYGP-4-3   97.3
实施例3
a)没有结构式II的化合物：混合物M3
  CC-5-V   10.00％   澄清点[℃]：+55
  PCH-53   30.00％   n<sub>e</sub> [589nm；20℃]：1.5545
  CCP-2F.F.F   15.00％   n<sub>o</sub>[589nm；20℃]：1.4837
  CCP-3F.F.F   15.00％   Δn[589nm；20℃]：+0.0708
  CCP-5F.F.F   10.00％   ε<sub>||</sub>[1kHz；20℃]：6.8
  CCP-31   10.00％   ε<sub>⊥</sub>[1kHz；20℃]：3.0
  CCG-V-F   10.00％   Δε[1kHz；20℃]：+3.8
b)有结构式II的化合物：
将20wt％的PUQU-3-F(＝混合物M3A)和各种量的结构式II化合物添加到以上混合物M3中，并在UV辐射2小时后测定VHR：
  混合物   VHR(2h UV辐射)[％]
  没有通式II化合物的M3A   94.2
  M3+0.5％wt.的PYGP-4-3   96.4
  M3+1.0％wt.的PYGP-4-3   96.4
此外，没有和添加结构式II化合物的混合物M3A的比电阻SR是在UV辐射之后于玻璃池中测定的：
  混合物   SR[Ω·cm]在0小时之后   SR[Ω·cm]在10小时之后   SR[Ω·cm]在50小时之后
  没有通式II化合物的M3A   3.5·10<sup>14</sup>   2·10<sup>13</sup>   4·10<sup>10</sup>
  M3A+0.5％wt.的PYGP-4-3   1.0·10<sup>14</sup>   1.5·10<sup>14</sup>   6·10<sup>12</sup>
  M3A+1.0％wt.的PYGP-4-3   1.0·10<sup>14</sup>   1.7·10<sup>14</sup>   3·10<sup>13</sup>
  M3A+1.0％wt.的PGP-2-2   1.3·10<sup>14</sup>   1.0·10<sup>14</sup>   2.5·10<sup>12</sup>
  M3A+1.0％wt.的GGP-5-3   2.5·1014   7·10<sup>13</sup>   1.5·10<sup>12</sup>
实施例4
a)没有结构式II化合物：混合物M4
  CCH-35   3.00％
  CC-3-V1   4.00％   澄清点[℃]：+84
  CCP-1F.F.F   10.00％   n<sub>e</sub>[589nm；20℃]：1.5672
  CCP-2F.F.F   8.00％   n<sub>o</sub>[589nm；20℃]：1.4745
  CCP-3F.F.F   9.00％   Δn[589nm；20℃]：+0.0927
  CCP-2OCF3.F   12.00％   ε<sub>||</sub>[1kHz；20℃]：15.4
  CCP-2OCF3   8.00％   ε<sub>⊥</sub>[1kHz；20℃]：4.0
  CCP-3OCF3   8.00％   Δε[1kHz；20℃]：+11.5
  CCP-4OCF3   5.00％   γ<sub>1</sub>[mPa·s；20℃]：132
  CCP-5OCF3   7.00％
  PUQU-2-F   6.00％
  PUQU-3-F   9.50％
  CGU-2-F   3.50％
  CCGU-3-F   5.00％
  CBC-33   2.00％
b)有结构式II的化合物：
将各种量的式II化合物添加到以上混合物M4中，并在UV辐射2小时之后测定VHR：
  混合物   VHR(2h UV辐射)[％]
  没有通式II化合物的M4   95.8
  M4+0.5％wt.的PYGP-4-3   96.6
  M4+1.0％by wt.的PYGP-4-3   97.2
此外，没有和添加结构式II化合物的混合物M4的比电阻SR是在UV辐射之后于玻璃池中测定的：
  混合物   SR[Ω·cm]在0小时之后   SR[Ω·cm]在10小时之后   SR[Ω·cm]在50小时之后
  没有通式II化合物的M4   1.0·10<sup>14</sup>   2.2·10<sup>13</sup>   3·10<sup>10</sup>
  M4+0.5％wt.的PYGP-4-3   1.3·10<sup>14</sup>   1.6·10<sup>14</sup>   2·10<sup>13</sup>
  M4+1.0％wt.的PYGP-4-3   2.0·10<sup>14</sup>   2.3·10<sup>14</sup>   1.2·10<sup>14</sup>

Claims (10)

1.液晶介质，它包括
-结构式I的至少一种化合物
Figure C038242370002C1
和
-结构式II的至少一种化合物
Figure C038242370002C2
其中
L1，L2，L3和L4各自独立地是H或F；
R11是H，具有1到15个碳原子的卤代或未被取代的烷基，其中，另外，在这些基团中的一个或多个CH2基团各自任选地彼此独立地被-C≡C-，-CH＝CH-，-O-，-CO-O-或-O-CO-替代，但要求O原子不彼此直接连接；
R21和R22各自独立地是H或具有1到15个碳原子的未被取代的烷基，其中，另外，在这些基团中的一个或多个CH2基团各自任选地彼此独立地被-C≡C-，-CH＝CH-，-O-，-CO-O-或-O-CO-替代，但要求O原子不彼此直接连接；
Y11是F，Cl，CN，SF5，SCN，NCS，卤代烷基，卤代链烯基，卤代烷氧基或卤代链烯氧基，各自具有至多6个碳原子；
Z11是单键，-CH2-CH2-，-CH＝CH-，-CH＝CF-，-CF＝CH-，-CF＝CF-，-C≡C-，-COO-，-OCO-，-CF2O-或-OCF2-；
a是0或1；
f是1；
b，c，d和e彼此独立地是0，1或2；
Figure C038242370003C1
是
Figure C038242370003C2
Figure C038242370003C3
或
Figure C038242370003C4
和
Figure C038242370003C5
是
Figure C038242370003C6
Figure C038242370003C7
Figure C038242370003C8
Figure C038242370003C9
Figure C038242370003C10
Figure C038242370003C11
或
Figure C038242370003C12
2.根据权利要求1的液晶介质，它包括
-结构式IA的至少一种化合物
Figure C038242370003C13
和
-结构式II的至少一种化合物
Figure C038242370004C1
其中
L2是H或F；
R11是H，具有1到15个碳原子的卤代或未被取代的烷基，其中，另外，在这些基团中的一个或多个CH2基团各自任选地彼此独立地被-C≡C-，-CH＝CH-，-O-，-CO-O-或-O-CO-替代，但要求O原子不彼此直接连接；
R21和R22各自独立地是H或具有1到15个碳原子的未被取代的烷基，其中，另外，在这些基团中的一个或多个CH2基团各自任选地彼此独立地被-C≡C-，-CH＝CH-，-O-，-CO-O-或-O-CO-替代，但要求O原子不彼此直接连接；
Y11是F，Cl，CN，SF5，SCN，NCS，卤代烷基，卤代链烯基，卤代烷氧基或卤代链烯氧基，各自具有至多6个碳原子；
Z11是单键，-COO-或-CF2O-；
f是1，
b，c，d和e彼此独立地是0，1，或2；
Figure C038242370004C2
是
Figure C038242370004C4
或
Figure C038242370004C5
和
Figure C038242370004C6
是
Figure C038242370004C7
Figure C038242370004C8
或
Figure C038242370004C9
3.根据权利要求1-2中任何一项的液晶介质，其特征在于R11和R21彼此独立地是具有1-7个碳原子的直链烷基；和R22是Cl，F，CF3或具有1-7个碳原子的直链烷基。
4.根据权利要求1的液晶介质，其特征在于
Y11是F，Cl，CF3，OCHF2或OCF3。
5.根据权利要求1的液晶介质，其特征在于它进一步包括结构式III的化合物：
Figure C038242370005C1
其中
L31是H或F；
R31是H，具有1-15个碳原子的卤代或未被取代的烷基，其中在这些基团中的一个或多个CH2基团也任选地被-C≡C-，-CH＝CH-，-O-，-CO-O-或-O-CO-替代，但要求O原子彼此不直接连接；
R32是H，F，Cl，具有1-15个碳原子的卤代或未被取代的烷基，其中在这些基团中的一个或多个CH2基团任选地被-C ≡C-，-CH＝CH-，-O-，-CO-O-或-O-CO-替代，但要求O原子彼此不直接连接；和
j是0或1。
6.根据权利要求1的液晶介质，其特征在于它进一步包括结构式IV和/或V的化合物：
Figure C038242370006C1
Figure C038242370006C2
其中
R41，R42和R51彼此独立地是具有1-12个碳原子的烷基。
7.根据权利要求1的液晶介质，其特征在于它进一步包括结构式VI和/或VII和/或VIII的化合物：
Figure C038242370006C3
Figure C038242370006C5
其中
R61，R71和R81彼此独立地是具有1-12个碳原子的烷基。
8.根据权利要求1的液晶介质，其特征在于结构式II的化合物在整个混合物中的比例是0.1-10wt％。
9.根据权利要求1-8中任何一项的液晶介质用于电光学目的的用途。
10.含有根据权利要求1-8中任何一项的液晶介质的电光学液晶显示器。
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