CN100346168C - 磁性传感器的制造方法及其引线框 - Google Patents

磁性传感器的制造方法及其引线框 Download PDF

Info

Publication number
CN100346168C
CN100346168C CNB031555071A CN03155507A CN100346168C CN 100346168 C CN100346168 C CN 100346168C CN B031555071 A CNB031555071 A CN B031555071A CN 03155507 A CN03155507 A CN 03155507A CN 100346168 C CN100346168 C CN 100346168C
Authority
CN
China
Prior art keywords
platform
magnetic sensor
lead
frame
sensor chips
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
CNB031555071A
Other languages
English (en)
Other versions
CN1490632A (zh
Inventor
足立浩司
齐藤博
白坂健一
佐藤秀树
大村昌良
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Yamaha Corp
Original Assignee
Yamaha Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from JP2003202107A external-priority patent/JP3823956B2/ja
Priority claimed from JP2003202104A external-priority patent/JP3823954B2/ja
Priority claimed from JP2003202106A external-priority patent/JP4214853B2/ja
Priority claimed from JP2003202105A external-priority patent/JP3823955B2/ja
Priority claimed from JP2003202103A external-priority patent/JP3823953B2/ja
Application filed by Yamaha Corp filed Critical Yamaha Corp
Publication of CN1490632A publication Critical patent/CN1490632A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN100346168C publication Critical patent/CN100346168C/zh
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01RMEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R33/00Arrangements or instruments for measuring magnetic variables
    • G01R33/02Measuring direction or magnitude of magnetic fields or magnetic flux
    • G01R33/0206Three-component magnetometers
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/495Lead-frames or other flat leads
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01CMEASURING DISTANCES, LEVELS OR BEARINGS; SURVEYING; NAVIGATION; GYROSCOPIC INSTRUMENTS; PHOTOGRAMMETRY OR VIDEOGRAMMETRY
    • G01C17/00Compasses; Devices for ascertaining true or magnetic north for navigation or surveying purposes
    • G01C17/02Magnetic compasses
    • G01C17/28Electromagnetic compasses
    • G01C17/30Earth-inductor compasses
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H01L21/56Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
    • H01L21/565Moulds
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/495Lead-frames or other flat leads
    • H01L23/49575Assemblies of semiconductor devices on lead frames
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L24/49Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001Core members of the connector
    • H01L2224/45099Material
    • H01L2224/451Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
    • H01L2224/48091Arched
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/48151Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/49Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • H01L2224/491Disposition
    • H01L2224/4912Layout
    • H01L2224/49171Fan-out arrangements
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/44Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L24/45Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L24/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01005Boron [B]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01006Carbon [C]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01013Aluminum [Al]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01019Potassium [K]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01021Scandium [Sc]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01029Copper [Cu]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01039Yttrium [Y]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01047Silver [Ag]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01051Antimony [Sb]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01078Platinum [Pt]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/013Alloys
    • H01L2924/014Solder alloys
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11Device type
    • H01L2924/14Integrated circuits
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181Encapsulation
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T29/00Metal working
    • Y10T29/49Method of mechanical manufacture
    • Y10T29/49002Electrical device making
    • Y10T29/49117Conductor or circuit manufacturing
    • Y10T29/49121Beam lead frame or beam lead device
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T29/00Metal working
    • Y10T29/49Method of mechanical manufacture
    • Y10T29/49002Electrical device making
    • Y10T29/49117Conductor or circuit manufacturing
    • Y10T29/49169Assembling electrical component directly to terminal or elongated conductor
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T29/00Metal working
    • Y10T29/49Method of mechanical manufacture
    • Y10T29/49002Electrical device making
    • Y10T29/49117Conductor or circuit manufacturing
    • Y10T29/49174Assembling terminal to elongated conductor

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Radar, Positioning & Navigation (AREA)
  • Remote Sensing (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • General Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Geology (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Environmental & Geological Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Hall/Mr Elements (AREA)
  • Measuring Magnetic Variables (AREA)

Abstract

本发明公开了一种磁性传感器的制造方法及其引线框。用磁性传感器芯片(2,3)和框(9)构成磁性传感器(1),磁性传感器芯片(2,3)安装在由互连构件(12,13)支持的平台(6,7)上,框(9)具有在引线框(10)中的引线(4)。这里,平台随着互连构件的弹性变形而倾斜。当框固持在金属模中且平台受压时,互连构件弹性形变,从而把磁性传感器芯片粘结到基本放在同一平面中的平台上,然后与引线(4)连线。而后,从压力下释放平台,使互连构件从其弹性形变状态恢复。当磁性传感器芯片结合在一起来实现三个敏感方向时,能精确地测量磁性的三维方位,磁性传感器的尺寸可以减小,其制造成本也可减少。

Description

磁性传感器的制造方法及其引线框
技术领域
本发明涉及制造用于测量方位(或方位角)的磁性传感器的方法。本发明还涉及在磁性传感器中使用的引线框。
背景技术
通常,磁性传感器用于检测磁性,目的是测量关于所施加的外部磁场的方位。
图83示出了传统上已知的磁性传感器单元64,其中,磁性传感器51和61布置在板(或基板)63的表面63a上。该磁性传感器单元64能以三维方式测量外部磁场的方位。
具体地说,磁性传感器51包括在两个方向上对外部磁场的分量敏感的磁性传感器芯片52,其中,提供了两个敏感方向(即,X轴方向和Y轴方向),这两个方向在板63的表面63a上相互垂直。磁性传感器61包括只在一个方向上对外部磁场的分量敏感的磁性传感器芯片62,其中,敏感方向在与板63的表面63a垂直的方向(即,Z轴方向)上。
根据检测由磁性传感器芯片52和62测量的三个方向的磁性分量,确定外部磁场的方位作为三维空间中的向量。
如上所述,传统上已知的磁性传感器单元64分别为磁性传感器51和61提供了磁性传感器芯片52和62。因而,在磁性传感器单元64的制造中,需要分别生产磁性传感器51和61,并把它们以各自的位置布置在板63的表面63a上。这增加了制造磁性传感器单元的步骤,从而增加了其制造成本。
另外,传统的磁性传感器单元64难以精确地把磁性传感器61布置在板63的表面63a上使得磁性传感器芯片62的敏感方向与磁性传感器芯片52的敏感方向垂直。
发明内容
本发明的目的是提供一种制造磁性传感器的方法,所述磁性传感器能准确测量外部磁场的三维方位,其中,可以减少制造成本。
在本发明的第一方面,提供了一种磁性传感器,其能以三维方式精确地测量外部磁场的方位,能通过用专门设计的引线框简化制造步骤,减少制造成本,所述引线框包括至少两个平台,具有包围这些平台的多个引线的框,支持与框互连的平台的多个互连构件。具体地说,互连构件有塑性变形,从而使平台分别倾斜;然后,在压力下按压平台,同时把框固定在预定的位置,从而使互连构件弹性变形;把磁性传感器芯片粘结到平台上,平台大致布置在与框同一平面中;把导线布置成将引线和磁性传感器芯片互连在一起;最后,解除对平台的压力,从而使互连构件从其弹性变形状态恢复。如上所述,在把磁性传感器芯片粘结到平台上之前,平台随着互连构件的塑性变形而倾斜;即,平台能在引线框的制造时同时以规定角度分别可靠地倾斜;因而,能显著地简化磁性传感器的制造步骤。另外,可以容易地同时把多个磁性传感器芯片粘结到平台上,平台预先基本放在同一平面中。
在上文中,一个磁性传感器芯片沿其平台表面有两个敏感方向,而另一磁性传感器芯片沿其平台的表面有一个敏感方向。本文中,通过在制造引线框期间分别以规定角度倾斜平台,能在以三维方式相互交叉的三个敏感方向两两之间建立规定的角度关系。这使磁性传感器精确地在三维空间内检测三个敏感方向上的磁性分量,从而可以将磁性方位确定为三维空间中的向量。
另外,能进一步布置从矩形框部分向平台突出的冲压件,其中,冲压件在引线框的厚度方向上按压平台。在平台在引线框的厚度方向上受到冲压件按压的条件下,互连构件(或引线)的易变形部分弹性变形,从而将平台保持在框上的预定位置。为了把磁性传感器芯片安装在平台上,把冲压件与平台分离,这就解除了冲压件施加的压力,从而可以把平台基本放在同一平面上;这样,能容易地把磁性传感器芯片同时粘结到平台上。
在本发明的第二方面,引线框包括框、至少两个平台、引线和互连构件以及突起元件,突起元件分别从平台向上或向下突起,其中,互连构件有扭曲部分,在把引线框放在闭合的金属模中时,随突起元件的降低而塑性变形,从而使平台可以容易地斜靠在框上。
在上文中,磁性传感器芯片可以同时粘结到多个平台的表面上,平台在金属模中倾斜之前基本布置在同一平面中。然后,金属模按压突起元件以便使平台倾斜,然后把平台囊封在树脂中。因而,能容易地精确设定磁性传感器芯片表面之间形成的规定角。另外,用同一金属模使平台倾斜,形成模制的树脂壳,该树脂壳囊封包括倾斜平台的引线框;因此,能简化制造磁性传感器的制造步骤。此外,通过充分改变引线框的平台的突起元件的形状和尺寸,能容易地改变平台的倾斜角,从而用同一金属模生产多种磁性传感器。
在本发明的第三方面,在制造磁性传感器时使用的引线框包括:至少两个平台,用于安装在三维空间中敏感的磁性传感器芯片;框,把多条引线布置成包围平台;和多个互连构件,用于使平台与框互连。本文中,当平台以规定角度斜靠在框上时,固定到平台两侧端的互连构件端部塑性变形。另外,至少一个平台互连构件布置成把平台相互连接在一起,其中,也经历有塑性变形。具体地说,把一对平台互连构件布置成把彼此相邻布置的平台的两侧端互连在一起,每个平台互连构件的尺寸减小。或者,在平台之间布置至少一个Z形的允许塑性变形的平台互连构件。
在本发明的第四方面,用多个磁性传感器芯片构成磁性传感器,所述磁性传感器芯片布置在同一封装内,并斜靠在封装的底部。使用两个磁性传感器芯片时,第一磁性传感器芯片有两个敏感方向;而第二磁性传感器芯片有一个敏感方向,该方向与第一磁性传感器芯片的两个敏感方向所限定的平面交叉。或者,第一和第二磁性传感器芯片均有两个敏感方向,使得第一磁性传感器芯片的两个敏感方向所限定的第一平面与第二磁性传感器芯片的两个敏感方向所限定的第二平面交叉。使用均有一个敏感方向的三个磁性传感器芯片时,第三磁性传感器芯片的敏感方向与其它两个磁性传感器芯片的敏感方向所限定的平面交叉。
在本发明第五方面,互连构件布置在平台的两个侧端附近,并布置成关于经过平台中心的轴线线性对称,它们有塑性变形时能扭曲的扭曲部分。本文中,例如磁性传感器芯片粘结到平台上,在金属模内突起的销等使平台倾斜之前,平台基本放在同一平面中。
本发明提供了一种由薄金属板制成的引线框,其包括:至少两个平台;框,其具有多条引线,布置成包围平台;和多个互连构件,有弹性形变能力,与框整体结合在一起并布置成把平台和框互连在一起。
本发明提供了一种磁性传感器的制造方法,磁性传感器把能在至少一个方向上感应磁场的至少一个磁性传感器芯片囊封在模制树脂中,包括步骤:提供由薄金属板制成的引线框,该引线框包括至少两个平台、具有布置成包围平台的多条引线的框和用来把框和平台互连在一起的多个互连构件;使平台随互连构件的塑性变形而相对于框倾斜;在压力下对平台加压,同时把框固定在预定的位置,从而使互连构件弹性形变;把磁性传感器芯片粘结到平台上,同时把平台和框基本放在同一平面中;将线布置成把引线和磁性传感器芯片互连在一起;和从压力下释放平台,从而使互连构件从其弹性形变状态恢复。
本发明提出了一种磁性传感器的制造方法,磁性传感器把能在至少一个方向上感应磁性的至少一个磁性传感器芯片囊封在模制树脂中,包括步骤:制备由薄金属板制成的引线框,该引线框包括至少两个平台、有包围平台的多条引线的框、用来把平台与框互连的多个互连构件和从引线指向平台突起的多个冲压件;把磁性传感器芯片粘结到基本在框的同一平面中的每个平台上;把磁性传感器芯片与引线布线在一起;和互连构件弹性形变的同时,平台和冲压件在薄金属板的厚度方向上的位置处重叠,使平台分别以规定角度斜靠在框上。
本发明提供了一种由薄金属板制成的引线框,包括:至少两个平台;框,其具有包围平台的多条引线;多个互连构件,用来把平台与框互连,其中互连构件有塑性变形和/或弹性变形的扭曲部分;和多个突起元件,分别从平台向上或下突起。
本发明提供了一种磁性传感器的制造方法,包括步骤:制备由薄金属板制成的引线框,该引线框包括至少两个平台、具有多条引线的框、用来把平台与框互连的多个互连构件和分别从平台向上或下突起的多个突起元件;把在至少一个方向上感应磁性的磁性传感器芯片粘结到每个平台上;把引线与安装在平台上的磁性传感器芯片连线;把引线框固定到金属模中;用金属模对突起元件加压,以便使平台斜靠在框上,使互连构件部分变形;和把树脂材料注入金属模中,以便把安装在引线框的平台上的磁性传感器芯片囊封在树脂中。
本发明提供了一种由薄金属板制成的引线框,包括:至少两个平台;框,把多条引线布置成包围平台;和多个互连构件,用来把平台与框互连,其中,互连构件有分别布置在多个平台附近且可以随塑性变形和/或弹性变形而弯曲的弯曲部分。
本发明提供了一种由薄金属板制成的引线框,包括:至少两个平台;框,有布置成包围平台的多条引线;多个互连构件,用来把平台与框互连;和至少一个平台互连构件,把平台相互互连在一起,其中,平台互连构件的形状能塑性变形。
本发明提供了一种配备有至少一个磁性传感器芯片的磁性传感器的制造方法,所述磁性传感器芯片对预定的方向上的磁性分量敏感,所述方法包括步骤:制备由薄金属板制成的引线框,该引线框包括至少两个平台、有包围平台的多条引线的框和用来把平台与框互连的多个互连构件;把磁性传感器芯片粘结到每个平台上;把磁性传感器芯片与引线连线;和互连构件塑性变形,以便使平台以规定角度斜靠在框上。
本发明提供了一种配备有至少一个磁性传感器芯片的磁性传感器的制造方法,所述磁性传感器芯片对预定的方向上的磁性分量敏感,所述方法包括步骤:制备由薄金属板制成的引线框,该引线框包括至少两个平台、具有包围平台的多条引线的框和用来把平台与框互连的多个互连构件;把磁性传感器芯片粘结到每个平台上;把磁性传感器芯片与引线连线;和使互连构件和平台的预定部分塑性变形,以便使平台以规定角度斜靠在框上。
本发明提供了一种配备有至少一个磁性传感器芯片的磁性传感器的制造方法,所述磁性传感器芯片对预定的方向上的磁性分量敏感,所述方法包括步骤:制备由薄金属板制成的引线框,该引线框包括至少两个平台、具有包围平台的多条引线的框、用来把平台与框互连的多个互连构件和用来把多个平台相互互连在一起的至少一个平台互连构件;把磁性传感器芯片粘结到每个平台上;把磁性传感器芯片与引线连线;和使平台互连构件塑性变形,以便使平台以规定角度斜靠在框上。
本发明提供了一种薄金属板制成的引线框,包括:至少两个平台;框,有布置成围绕平台的多条引线;和多个互连构件,用来把平台和框互连的一起,其中,把互连构件与平台的两个侧端互连,并对通过平台的中心的中心轴线线性对称,其中,互连构件有塑性变形和/或弹性变形时能扭曲的扭曲部分。
本发明提供了一种具有至少一个磁性传感器芯片的磁性传感器的制造方法,所述磁性传感器芯片对一个方向上的磁性分量敏感,所述方法包括步骤:制备由薄金属板制成的引线框,该引线框包括至少两个平台、具有包围平台的多条引线的框和用来把平台与框互连的多个互连构件;把磁性传感器芯片粘结到每个平台上;把磁性传感器芯片与引线连线;用销使平台在金属模中倾斜,以便部分地使互连构件变形;和把熔化的树脂注入到金属模中,从而把引线框和磁性传感器芯片模制在树脂中。
附图说明
参考下面的附图,更详细地描述本发明的这些和其它目的、方面和实施例,其中:
图1是示出根据本发明第一实施例的制造方法制造的磁性传感器的平面图;
图2是图1所示磁性传感器的纵截面图;
图3是示出根据本发明第一实施例的制造方法的引线框的平面图,在上面安装了磁性传感器芯片;
图4是图3所示具有磁性传感器芯片的引线框的纵截面图;
图5是一个截面图,其中,一个夹具用于按压平台,以把磁性传感器芯片安装在金属模中;
图6是一个截面图,其中,把磁性传感器芯片安装在图5所示的金属模中所夹持的平台上;
图7图示性地示出了由引线和突起部分构成的把持机构,引线从引线框的矩形框部分向内突起,突起部分从用于安装磁性传感器芯片的平台突起;
图8图示性地示出了把持机构,其中,引线和突起部分相互啮合,以便把平台固持为倾斜状态;
图9是示出用于测量磁性的二维分量的磁性传感器芯片的输出值之间关系的曲线图;
图10是示出根据第一实施例的修改例在制造磁性传感器时使用的引线框的平面图;
图11是示出图10所示引线框的主要部分的纵截面图;
图12是简单地示出与图10的引线框中的引线互连的平台的纵截面图;
图13是示出安装在由夹具按压的图10的引线框的平台上的磁性传感器芯片的纵截面图;
图14是示出由夹具按压的图10的引线框的截面图,与图13相比取了另一方向;
图15是示出根据第一实施例的另一修改例在制造磁性传感器时使用的引线框的平面图;
图16是示出与图15的引线框的引线连接的平台的纵截面图;
图17是示出安装在图15的引线框的平台上的磁性传感器芯片的纵截面图;
图18是示出根据第一实施例的又一修改例在制造磁性传感器时使用的引线框的平面图;
图19是示出平台与图18的引线框中的引线之间的位置关系的纵截面图;
图20是示出安装在图18的引线框的平台上的磁性传感器芯片的纵截面图;
图21是示出安装在由冲压件按压的图18的引线框的平台上的磁性传感器芯片的纵截面图;
图22是示出根据本发明第二实施例的制造方法制造的磁性传感器的平面图;
图23是图22所示磁性传感器的纵截面图;
图24是示出引线框的平面图,其中,磁性传感器芯片安装在平台上;
图25是引线框的纵截面图,引线框在图24所示的平台后面有突起元件;
图26是放在金属模中的图25所示具有突起元件的引线框的纵截面图;
图27是图25所示具有突起元件的引线框的纵截面图,引线框放在金属模中,激励用来使平台与磁性传感器芯片一起倾斜;
图28是示出根据第二实施例的修改例制造磁性传感器时使用的引线框的平面图;
图29是图28所示引线框的纵截面图;
图30是示出根据第二实施例的另一修改例制造磁性传感器时使用的引线框的主要部分的平面图;
图31是示出根据第二实施例的又一修改例制造磁性传感器时使用的引线框的主要部分的平面图;
图32是示出根据第二实施例的又一修改例制造磁性传感器时使用的引线框的主要部分的平面图;
图33是示出根据第二实施例的又一修改例制造磁性传感器时使用的引线框的主要部分的平面图;
图34是示出图33的引线框的纵截面图,引线框固持在金属模中,使平台与磁性传感器芯片一起倾斜;
图35是示出在与第一侧相关的平台的表面中有突起元件的引线框的纵截面图,引线框放在金属模中;
图36是示出引线框的纵截面图,引线框在分别相对于第一侧和第二侧的平台的表面和背面中有突起元件,引线框放在金属模中;
图37是示出根据第二实施例的又一修改例制造磁性传感器时使用的引线框的平面图;
图38是图37所示引线框的纵截面图;
图39是示出根据第二实施例的又一修改例制造磁性传感器时使用的引线框的平面图;
图40是图39所示引线框的纵截面图;
图41是示出根据第二实施例的又一修改例制造磁性传感器时使用的引线框的平面图;
图42是示出根据第二实施例的又一修改例制造磁性传感器时使用的引线框的平面图;
图43是示出引线框的纵截面图,引线框在平台的背面有突起元件,引线框放在金属模中;
图44是图23所示引线框的纵截面图,其中,平台在金属模施加的压力下倾斜;
图45是示出根据本发明第三实施例的制造方法制造的磁性传感器的平面图;
图46是示出制造图45所示的磁性传感器的主要部分的纵截面图;
图47是示出制造图45所示的磁性传感器时使用的引线框的平面图;
图48是图47的引线框的纵截面图,其中,磁性传感器芯片安装在平台上;
图49图示性地示出了用来支持平台的引线的突起部分;
图50是示出金属模所固持的图47的引线框的主要部分的纵截面图,其中,平台与磁性传感器芯片一起倾斜;
图51是示出根据第三实施例的修改例制造磁性传感器时使用的引线框的平面图;
图52是固持在金属模之间的图51所示引线框的纵截面图;
图53A图示性地示出了部分弯曲的引线的修改例;
图53B图示性地示出了厚度部分减小的引线的另一修改例;
图53C图示性地示出了部分形成为Z形的引线的又一修改例;
图54是示出根据第三实施例的另一修改例制造磁性传感器时使用的引线框的平面图;
图55是示出根据第三实施例的又一修改例制造磁性传感器时使用的引线框的主要部分的放大平面图;
图56A是示出根据第三实施例的又一修改例制造磁性传感器时使用的引线框的主要部分的放大平面图;
图56B是示出根据第三实施例的又一修改例制造磁性传感器时使用的引线框的主要部分的放大平面图;
图57是示出根据第三实施例的又一修改例制造磁性传感器时使用的引线框的主要部分的放大平面图;
图58是示出根据第三实施例的又一修改例制造磁性传感器时使用的引线框的主要部分的放大平面图;
图59是示出根据第三实施例的又一修改例制造磁性传感器时使用的引线框的主要部分的放大平面图;
图60是示出根据第三实施例的又一修改例制造磁性传感器时使用的引线框的主要部分的放大平面图;
图61是示出根据第三实施例的又一修改例制造磁性传感器时使用的引线框的主要部分的放大平面图;
图62是示出根据第三实施例的又一修改例制造磁性传感器时使用的引线框的平面图;
图63是示出根据本发明第四实施例的制造方法制造的磁性传感器的平面图;
图64是示出图63所示磁性传感器的主要部分的侧视图;
图65是示出磁性传感器中磁性传感器芯片的不同排列的侧视图;
图66是示出根据第四实施例的修改例制造的磁性传感器的平面图;
图67是示出图66所示的磁性传感器的主要部分的侧视图;
图68是示出磁性传感器中磁性传感器芯片的不同排列的侧视图;
图69是示出磁性传感器中磁性传感器芯片的不同排列的侧视图;
图70是示出磁性传感器中磁性传感器芯片的不同排列的侧视图;
图71是示出根据第四实施例的又一修改例制造的磁性传感器的平面图;
图72是示出图71所示的磁性传感器的主要部分的侧视图;
图73是示出根据第四实施例的又一修改例制造的磁性传感器的平面图;
图74是示出图73所示的磁性传感器的主要部分的侧视图;
图75是示出考虑到本发明的第四实施例的具有一个磁性传感器芯片的磁性传感器的平面图;
图76是简单地示出图75所示磁性传感器的主要部分的侧视图;
图77是示出根据本发明第五实施例的制造方法制造的磁性传感器的平面图;
图78是示出图77所示的磁性传感器的主要部分的纵截面图;
图79是示出制造图77所示磁性传感器时使用的引线框的平面图;
图80是示出引线框的主要部分的纵截面图,其中,磁性传感器芯片安装在基本放在同一平面中的多个平台上;
图81是示出固持在金属模中的引线框的主要部分的纵截面图,其中,平台随着销所施加的向上的压力而倾斜;
图82A是示出根据第五实施例的修改例的由具有扭曲部分的引线支持的平台的放大平面图;
图82B是示出由于图82A所示的引线扭曲而倾斜的平台的放大截面图;
图83是示出用两个磁性传感器芯片来测量磁性的三个方向的分量的磁性传感器单元的传统上已知实例的透视图;和
图84示出了数学表达式和关于测量磁性的两个方向的分量的磁性传感器芯片的方位之间的关系。
图85A是示出在具有盖件的板上的磁性传感器芯片的水平配置的纵截面图;
图85B是示出在具有盖件的板上的磁性传感器芯片的垂直配置的纵截面图;
图86示意性示出了分别以规定角度倾斜的磁性传感器芯片的倾斜状态;
图87A示意性示出了包括磁性传感器芯片的芯片在板上的布置;
图87B是沿图87A中线A-A′截取的纵截面图;
图88示意性示出了包括磁性传感器芯片的芯片在板上的布置;
图89是示出包括磁性传感器芯片的多芯片封装在具有盖件的板上耦合在一起的纵截面图;
图90示意性示出了包括关于板而垂直耦合在一起的磁性传感器芯片的多芯片封装的构造;
图91A是示出用于构造磁性传感器芯片的引线框的第一实例的平面图;
图91B是沿图91A中线A-A′截取的纵截面图;
图92A是示出用于构造磁性传感器芯片的引线框的第二实例的平面图;
图92B是沿图92A中线A-A′截取的纵截面图;
图93A是示出用于构造磁性传感器芯片的引线框的第三实例的平面图;
图93B是沿图93A中线A-A′截取的纵截面图;
图94A是示出用于构造磁性传感器芯片的引线框的第四实例的平面图;
图94B是沿图94A中线A-A′截取的纵截面图;
图95A是示出用于构造磁性传感器芯片的引线框的第五实例的平面图;
图95B是沿图95A中线A-A′截取的纵截面图;
图96A是示出用于构造磁性传感器芯片的引线框的第六实例的平面图;
图96B是沿图96A中线A-A′截取的纵截面图;
图97A是示出用于构造磁性传感器芯片的引线框的第七实例的平面图;
图97B是沿图97A中线A-A′截取的纵截面图。
具体实施方式
参考附图,用实例的方式,更详细地描述本发明。
1.第一实施例
参考图1和2,描述根据本发明第一实施例制造的磁性传感器的整体构成。即,把图1的磁性传感器1设计成测量所施加的外部磁场的方向和大小,磁性传感器1包括两个磁性传感器芯片2和3、多条用来把磁性传感器芯片2和3与外部装置(未示出)电连接起来的引线4以及模制的树脂壳5,模制的树脂壳5用于整体地把磁性传感器芯片2和3以及引线4固定在里面。
在平面图中,磁性传感器芯片2和3均形成为矩形板形状,分别安装在平台6和7上。磁性传感器芯片2和3均囊封在模制的树脂壳5中,模制的树脂壳5有下表面5a和上表面5c,与引线4比较起来,布置得与上表面5c接近。另外,分别具有表面2a和3a的磁性传感器芯片2和3相对于模制的树脂壳5的“水平”下表面5a倾斜,磁性传感器芯片2和3的表面2a和3a的端部2c和3c指向下表面5a,同时另一端分别在反方向以同一锐角θ向下表面5a倾斜。
在上文中,在平台6的表面6d和平台7的背面7c之间形成锐角θ。
磁性传感器芯片2感应相对于外部磁场的地磁的两个方向的分量。即,有两个敏感方向(即,方向A和B),该两个方向沿磁性传感器芯片2的表面2a以直角相互交叉。
相反,磁性传感器芯片3感应相对于外部磁场的地磁的一个方向的分量;即,沿表面3a的平面(或A和B方向所定义的A-B平面)有一个敏感方向(即,方向C)。
每条引线4由诸如铜的预定金属材料制成,其中,引线4的背面4a暴露在模制的树脂壳5的下表面5a中。引线4的端部4b经金属导线8与磁性传感器芯片2和3电连接,其中,二者之间的连接部分嵌在模制的树脂壳5中。
下面,详细描述用来制造磁性传感器1的方法。
首先,对薄金属板冲压加工,以形成图3和4所示的引线框10,其中,平台6和7都由框9支持。
框9由矩形框部分11以及多条引线4,12,13和14构成,矩形框部分11在平面图中形成为矩形从而包围平台6和7,而这些引线从矩形框部分11向内突起。
引线(或互连构件)12和13是用来把平台6和7相对于矩形框部分11固定在预定位置的悬挂引线,引线12与平台6和7的第一侧6a和7a互连,同时,引线13与平台6和7的第二侧6b和7b互连。
具体地说,引线13的具体结构是多个部件,它们在平台6和7之间相互连接在一起,其中,突起部分13b从引线13的中心部分突起,分别指向平台6和7。当平台6和7倾斜且平台6和7上分别安装有磁性传感器芯片2和3时,突起部分13b防止磁性传感器芯片2和3沿斜坡向下移动。
引线14(构成第二突起部分)突向平台6和7,突起部分15(即,第一突起部分)从这里从平台6和7突向矩形框部分11和引线14。这里,引线14和突起部分15形成把持机构100,用来把平台6和7以规定角固持在倾斜状态下。
随着光刻工艺的应用,可以把包括平台6和7的引线框10的内部区域形成为任意厚度,平台6和7从引线4朝内引出,其中,与引线框10的其它部分相比,大约形成为该厚度的一半,目的是防止引线12和平台6和7的背面6c和7c露在模制的树脂壳5的下表面5a下。
除了冲压加工,执行弯曲加工,使平台6和7斜靠在框9上,从而使它们相互倚靠。参考图5和6进行详细描述。由于如图5所示的弯曲加工,使布置在平台6和7附近的引线12和13的端部12a和13a(构成弯曲部分)弯曲,并塑性变形,从而使平台6和7分别以规定角倾斜。利用执行冲压加工的同一金属模(未示出)执行弯曲加工。
然后,框9的矩形框部分11固定在金属模D中,杆状夹具E用来把平台6和7的表面6d和7d压在平台6和7的第一侧6a和7a附近的预定位置。本文中,金属模D有表面D1和洞(或孔)D2,从而把引线12的一端12a放到洞D2的空间中,从而防止进一步变形。引线12有易变形部分12b,易变形部分12b能容易地弹性变形。光刻过程使预定的形状适于易变形部分12b,其中,与引线12的其它部分相比,易变形部分12b例如形成为该厚度的一半。
因而,引线12的易变形部分12b和引线13的弯曲部分(已经进行了塑性变形)弹性形变,使得平台6和7的表面6d和7d沿金属模D的表面D1布置,如图6所示。
在图6所示上述条件下,用银膏把磁性传感器芯片2和3分别粘结在平台6和7的表面6d和7d上,把上述的导线8布置成用图3和4所示的引线4与磁性传感器芯片2和3电连接。
在用来布置导线8的上述步骤之后的下一步骤中,平台6和7分别倾斜成可以使导线8与磁性传感器芯片2和3之间的粘结部分以及导线8和引线4之间的其它粘结部分相互分离。因此,导线8布置成长度和高度上具有足够的空间。
而后,夹具E逐渐在平台6和7上向上移动,从而释放,使得弯曲部分和易变形部分12b从弹性形变恢复;这样,能把平台6和7恢复成倾斜状态。这时,磁性传感器芯片2和3的端部2c和3c与引线13的突起部分13b接触,使得即使银膏没硬化,也能可靠地防止磁性传感器芯片2和3沿斜面意外地向下移动。
当银膏已经硬化时,磁性传感器芯片2和3牢牢地固定在平台6和7的表面6d和7d的预定位置处。
银膏硬化的同时,把持机构100将平台6和7固持为规定角的倾斜状态。即,如图7所示,随着光刻过程的应用,洞14b形成在引线14的表面14a上。另外,随着上述冲压加工的应用,在突起部分15的下端表面15a上形成突起15b。
如图8所示,引线14和突起部分15移动,以便在引线框10的厚度方向上垂直重叠,突起15b插入引线14的洞14b中,从而构成把持机构100。由于提供了把持机构100,把以规定角倾斜的平台6和7固持成不返回框9。
在上文中,必需在引线框10的厚度方向上把突起15b移向引线14的洞14b。本文中,可以使用凸轮机构,突起15b可以响应驱动力通过凸轮机构插入洞14b中,使夹具E例如向上或下移动。
其上安装有磁性传感器芯片2和3的引线框10布置在金属模(未示出)内,把熔化了的树脂注入金属模中,以便形成模制树脂壳,把磁性传感器芯片2和3囊封在里面。这样,能牢牢地把反方向相互倾斜的磁性传感器芯片2和3牢牢地固定到模制树脂壳内。而后,切除“不想要”的矩形框部分11,从而完成磁性传感器1的制造,如图1所示。
在上述制造方法中,在对薄金属板进行冲压加工之前,执行作用于引线框10的不同部分的光刻过程。
上述磁性传感器1安装在设置在便携式终端装置(或移动终端装置,未示出)中的板(或基板)上,例如,其中,在显示屏上示出由磁性传感器1测量的地磁的方位。下面,将描述用磁性传感器1测量地磁的方位的方法;下文中,“地磁”简称为“磁性”。
即,磁性传感器芯片2和3分别检测A、B和C方向的磁性分量,从而产生与这些方向上的磁性分量大约成比例的值Sa、Sb和Sc。
图9示出了磁性传感器芯片2的输出值Sa和Sb之间的关系。当沿A-B平面定义磁性方向时,输出值Sa在磁性传感器芯片2的方向B朝东时变为最大值,而在方向B朝西时变为最小值,在方向B指向南或北时变为0。
另外,输出值Sb在磁性传感器芯片2的方向B朝北时变为最大值,在方向B朝南时变为最小值,在方向B朝东或西时变为0。
此外,建立图9的曲线所示的输出值Sa和Sb使从磁性传感器1实际输出的值均除以最大值和最小值之差的一半。
方位“a”以用0°表示东的方式示出在便携式终端装置的显示屏上,随着该装置在依次从东到南、西和北的方向上旋转而增大。例如根据图84所示的表中所写的数学表达式来确定方位“a”。
当把磁性方向定义为穿过A-B平面时,磁性传感器1在使用磁性传感器芯片2的输出之外,还使用磁性传感器芯片3的输出,磁性传感器芯片3检测方向C(穿过A-B平面)的分量磁性,以便产生大约与之成比例的值Sc。
与上述的值Sa和Sb类似,建立把输出值Sc,使从磁性传感器1实际输出的值除以最大值和最小值之差的一半。
一检测到方向C上的磁性分量(穿过A-B平面),就产生输出值Sc,并且输出值Sc与上述输出值Sa和Sb结合,以便在三维空间中产生向量,用来确定磁性方向。
在方向C和A-B平面之间形成的角θ大于0°且不大于90°;理论上,能在角θ大于0°时确定磁性的三维方位。然而,实际上,角θ最好不小于0°,角θ不小于30°更好。
在上述的磁性传感器1的制造方法中,用同一金属模同时执行冲压加工,其中,从薄金属板提取引线框10的图形,并且执行使平台6和7倾斜的弯曲加工。因而,能简化制造过程。
另外,夹具E用于按压平台6和7,使引线12的易变形部分12b和引线13的弯曲部分弹性形变,把磁性传感器芯片2和3粘结到基本布置在同一平面上的平台6和7上。因而,能同时容易地把多个磁性传感器芯片粘结到平台上。即,能减少磁性传感器1的制造成本。
在制造引线框10时,使平台6和7倾斜;因而,能相对于平台6和7精确地设定倾斜角。另外,引线14和突起部分15部分相互重叠且固定在一起;因而,能可靠地固持平台6和7,以便不返回框9。这样,能容易而精确地设定磁性传感器芯片2和3的表面2a和3a之间所形成的角。
如上所述,能精确地以A-B平面穿过磁性传感器芯片3的敏感方向,从而总共建立三个敏感方向。这使得在三个敏感方向测量的磁性方位确定为三维空间中的向量,从而能精确地测量三维空间内的磁性方位。
在第一实施例中,引线13的弯曲部分完全弯曲,并在平台6和7倾斜时塑性变形。当然,本发明不必限于第一实施例;因而,用来支持平台6和7的引线13的弯曲部分塑性变形成使平台6和7倾斜。
在第一实施例中,先塑性变形的弯曲部分是用来把平台6和7互连的引线13的端部13a,以及把框9与平台6和7互连的引线12的端部12a;而后塑性变形的部分是已经塑性变形的引线13的端部13a以及引线12的易变形部分12b。本发明在弯曲部分和易变形部分12b的位置、弯曲方向以及弹性形变的方向方面不必限于第一实施例,而是可以根据平台6和7的倾斜方向和角度来充分进行设定。
在第一实施例中,把磁性传感器芯片2和3粘结到平台6和7的表面6d和7d上之后,布置导线8,然后,弯曲部分和易变形部分12b从弹性形变状态恢复。当然,本发明不必限于第一实施例。即,可以用以下方式修改第一实施例:在磁性传感器芯片2和3粘结之后,平台6和7分别以规定角倾斜,然后,银膏硬化。本文中,再次开动夹具E,把平台6和7的表面6d和7d几乎布置在同一平面中,从而布置导线8,然后,弯曲部分和易变形部分12b从弹性形变状态恢复。
在第一实施例中,引线13的端部13a和引线12的易变形部分12b从弹性形变状态恢复之后,用来把磁性传感器芯片2和3粘结到平台6和7上的银膏硬化,但这不是限制性的。即,银膏可以在引线13的端部13a和引线12的易变形部分12b从弹性形变状态恢复之前硬化。这种情况下,不必布置突起部分13b,突起部分13b最初布置成在平台6和7倾斜时防止磁性传感器芯片2和3意外移动。
另外,磁性传感器芯片2和3不必以下面的方式倾斜:其端部2b和3b指向模制的树脂壳5的上表面5c。即,要求磁性传感器芯片2和3相对于框9相互倾斜,从而以A-B平面穿过磁性传感器芯片3的敏感方向。
可以用多种方式来修改第一实施例,参考实例进行描述。
参考图10到14,详细描述第一实施例的第一修改例,其中,磁性传感器的总体构成基本与图1和2所示的上述磁性传感器1相同,而在制造磁性传感器时,用新的框(见图10)来代替引线框10(见图3)。在图10到14中,与图1到8所示相同的部分用相同的附图标记来表示;因此,不再赘述。
在制造磁性传感器之前,用同一金属模同时对薄金属板进行冲压加工、光刻和弯曲加工,从而能生产包括平台6和7的引线框20,平台6和7由框19支持(见图10)。框19包括多条引线4、21和22,它们从矩形框部分11向内突起。
引线21和22是悬挂引线,用来把平台6和7固定在相对于矩形框部分11的预定位置,引线21布置成分别与平台6和7的第一侧6a和7a互连。引线22具有布置在平台6和7之间的特殊结构,它们具有与平台6和7的第二侧6b和7b互连的中间部分22d。
引线21的端部21a(即,弯曲部分)位于平台6和7附近,随着弯曲加工的应用而塑性变形,使平台6和7以规定角倾斜。另外,在引线22的预定位置形成一对弯曲部分22a,在这对弯曲部分22a之间夹有中间部分22d,随着弯曲加工,弯曲部分22a塑性变形,从而使引线22的中间部分22d在引线框20的厚度方向上稍微突向矩形框部分11。此外,随着弯曲加工,一对弯曲部分22b塑性变形,并布置成分别与平台6和7的第二侧毗连。
因而,如图11和12所示,由于提供了引线21的端部21a和引线22的弯曲部分22a和22b,所以,平台6和7相互倾斜,使得其第二侧6b和7b在矩形框部分11的同一厚度方向上移动。
另外,容易弹性形变的易变形部分22c形成在这对弯曲部分22a与引线22的中间部分22d之间的位置上。易变形部分通过光刻特殊成形,并且与引线22的其它部分相比,大致形成为该厚度的一半。
上述引线框20安装在图13和14所示的金属模F的平表面F1上,杆状的夹具G用于按压引线22的中间部分22d的表面,从而易变形部分22c弹性形变,使引线22的中间部分22d的背面与金属模F的表面F1接触。这时,与引线22的中间部分22d互连的平台6和7的表面6d和7d沿金属模F的表面F1布置。
在上述条件下,用银膏将磁性传感器芯片2和3粘结在平台6和7的表面6d和7d上,同时引线4与平台6和7布线在一起。银膏的硬化完成之后,夹具G从引线22的中间部分22d解除,从而使引线21的端部21a以及引线22的弯曲部分22b和易变形部分22c都从弹性形变状态恢复,使平台6和7相应地恢复到倾斜状态。然后,上述把持机构100把平台6和7固持为分别以规定角倾斜。最后,模制树脂壳形成为把磁性传感器芯片2和3囊封在树脂中;然后,切除不想要的部分,诸如矩形框部分11,从而完成磁性传感器的制造。
在图10到14所示的第一修改例中,用同一金属模同时执行冲压加工和弯曲加工;因此,能简化磁性传感器的制造步骤。本文中,引线21的端部21a和引线22的弯曲部分22b以及易变形部分22c弹性形变,从而能把多个磁性传感器芯片同时容易地粘结到多个平台上,这些台基本放在同一平面中。这样,能减少磁性传感器的制造成本。
在制造引线框20期间,平台6和7分别以规定角倾斜,把持机构100固持平台6和7,以便不恢复到框9的位置。因而,能容易而精确地设定相互形成在磁性传感器芯片2和3的表面2a和3a之间的规定角度。
下面,参考图15到17描述第一实施例的第二修改例,其中,与图1到8中所示相同的部分用相同的附图标记表示;因此,不再赘述。
在制造磁性传感器时,用同一金属模对薄金属板同时冲压加工、光刻和弯曲加工,从而产生包括平台6和7的引线框30,平台6和7由图15所示的框29支持。框29包括多条引线4、31和32,这些引线从矩形框部分11向内突起。
引线31和32是悬挂引线,用来把平台6和7固定在相对于矩形框部分11的预定位置,一对引线31布置成与平台6的第一侧6e互连,而一对引线32布置成与平台7的第一侧7e互连。本文中,第一侧6e和7e布置在平台6和7的宽度方向上,且都垂直于用来布置平台6和7的方向,以便相互粘结,它们分别布置在平台6和7的相对的第二侧6f和7f,其中,它们分别相对于平台6和7布置在相对侧上。
另外,弯曲部分31a和32a形成在引线31和32的预定位置,以将平台6和7斜靠在矩形框部分11上,并且弯曲部分31a和32a随着对引线31和32的弯曲加工而塑性变形,使得平台6和7保持为分别以规定角倾斜。因此,平台6和7对矩形框部分11的倾斜角分别取决于弯曲部分31a和32a的弯曲角。
如上所述,平台6和7的第二侧6f和7f均在矩形框部分11的同一厚度方向上移动,并以规定角相互倾斜。即,平台6和7随着沿布置方向绕轴线的旋转而相互倾斜。
此外,易变形部分31b形成在平台6的第一侧6e附近的引线31的预定位置处以及矩形框部分附近的引线31的其它位置处,从而把弯曲部分31a分别夹在成对的易变形部分31b之间。类似地,易变形部分32b形成在平台7的第一侧7e附近的引线32的预定位置处以及矩形框部分11附近的引线32的其它位置处,从而将弯曲部分32a分别夹在成对的易变形部分32b之间。通过光刻来专门成形所有的易变形部分31b和32b,从而如图16所示,与引线31和32的其它部分相比,大约形成为该厚度的一半。
上述引线框30放在金属模H的平表面H1上,如图17所示,夹具I用于按压第二侧6f和7f附近的平台6和7的表面6d和7d。本文中,在金属模H的表面H1上形成洞H2,从而迫使引线31和32的弯曲部分31a和32a插入洞H2中,从而防止它们进一步变形。这时,引线31和32的易变形部分31b和32b与洞H2的边缘部分接触并弹性形变。这样,平台6和7的表面6d和7d受力,从而沿金属模H的表面H1布置。
在上述条件下,用银膏把磁性传感器芯片2和3分别粘结到平台6和7的表面6d和7d上;然后,用引线4布线。银膏的硬化完成之后,夹具I释放平台6和7,从而使引线31和32的易变形部分31b和32b从弹性形变状态恢复,使得平台6和7恢复其倾斜状态。
然后,把持机构100固持平台6和7,以便分别以规定角度倾斜。最后,形成模制树脂壳,把磁性传感器芯片2和3囊封在里面;然后,切除不想要的部分,诸如矩形框部分11,从而完成磁性传感器的制造。
在上述第二修改例中,用同一金属模同时执行冲压加工和弯曲加工;因而能简化磁性传感器的制造步骤。由于引线31和32的易变形部分31b和32b的弹性形变,所以,平台6和7可以基本放在同一平面中;因而,能容易地同时把多个磁性传感器芯片粘结到多个平台上,这又减少了磁性传感器的制造成本。
在制造引线框30时,平台6和7倾斜,把持机构100固持平台6和7,以便不恢复到框9上。因而,能容易地精确设定磁性传感器芯片2和3的表面2a和3a之间形成的规定角度。
此外,上述把持机构100构成为使形成在突起部分15的下端表面15a上的突起15b插入引线14的洞14b中,但这不是限制性的。因而,可以用以下方式修改第一实施例:引线14和突起部分15分别具有突起,例如这是因为要求引线14和突起部分15在引线框10的厚度方向上有某种程度的重叠。
把持机构100设计成把平台6和7分别以规定角度固持为倾斜状态。如果即使在引线13和21的端部13a和21a、引线12,22,31和32的易变形部分12b,22c,31b和32b以及引线22的弯曲部分22d从弹性形变状态恢复时,平台6和7也分别以规定角度稳定在倾斜状态,就不必提供把持机构100。
另外,易变形部分12b,22c,31b和32b均受到光刻,使得与引线12,22,31和32的其他部分相比,大约为该厚度的一半,但这不是限制性的。即,能任意确定易变形部分的厚度,或者能部分地改变引线的厚度。或者,能在引线上布置凹槽而不改变厚度,或者,能在引线的预定部分形成通孔。简言之,要求引线12,22,31和32能容易地在预定位置变形。
将参考图18到21描述第一实施例的第三修改例,其中,与图1到8所示相同的部分用相同的附图标记来表示;因此,不再赘述。
在制造磁性传感器之前,用同一金属模对薄金属板进行冲压加工、光刻和弯曲加工,从而生产包括两个平台6和7的引线框40,平台6和7由框39支持,如图18所示。引线框40有多条引线4以及41到44,所述引线从矩形框部分11向内突起。
引线41和42是悬挂引线,用来把平台6和7固定到矩形框部分11的预定位置,引线41与平台6的第一侧6e互连,而引线42与平台7的第一侧7e互连。
一对引线(或冲压件)43和44从矩形框部分11突向平台6的第二侧6f,第二侧6f与第一侧6e相对;一对引线(或冲压件)43和44从矩形框部分11突向平台7的第二侧7f,第二侧7f与第一侧7e相对。
如图19所示,引线43的尖端布置成分别在端部6a和7a附近与平台6和7的表面6d和7d接触,而引线44的尖端布置成分别在另一端6b和7b附近与平台6和7的背面6c和7c接触。在该条件下,引线43的弹力把平台6和7的表面6d和7d向下压,而引线44的弹力把平台6和7的背面6c和7c向上压。因此,在造成绕分别连接在第一侧6e和7e之间以及第二侧6f和7f之间的轴线旋转的力的影响下放置平台6和7。这些力使引线41和42的易变形部分41a和42a弹性形变并扭曲,从而使平台6和7分别倾斜。即,平台6和7倾斜成使其端部6b和7b在矩形框部分11的同一厚度方向上移动。
然后,如图20和21所示,夹具J和K与引线43和44接触,引线43和44分别与平台6和7分开。这时,平台6和7从引线43和44施加到其上的压力下解除,使易变形部分41a和42a从其弹性形变状态恢复。因而,平台6和7基本放在引线框40中矩形框部分11的同一平面上。
在上述条件下,用银膏把磁性传感器芯片2和3分别粘结到平台6和7的表面6d和7d上,并且磁性传感器芯片2和3用引线4来布线。银膏的硬化完成之后,引线43和44从夹具J和K施加到上面的压力下解除。这样,引线43再对平台6和7的表面6d和7d加压,引线44再对平台6和7的背面6c和7c加压。这使易变形部分41a和42a弹性形变,使平台6和7再次倾斜。
最后,形成模制树脂壳,把磁性传感器芯片2和3囊封在树脂中;然后,切除不想要的部分,诸如矩形框部分11,完成磁性传感器的制造。
在上述制造方法中,在引线框40的制造过程中形成用来使平台6和7倾斜的引线43和44;因而,在用引线4把磁性传感器芯片2和3布线在一起之后,能容易地使平台6和7倾斜。即,能简化磁性传感器的制造。另外,夹具J和K用于把引线43和44与平台6和7分离,使得引线41和42的易变形部分41a和42a从弹性形变状态恢复,从而把平台6和7基本放在同一平面中。这使多个磁性传感器芯片容易地同时粘结到多个平台上。这样,能减少磁性传感器的制造成本。
由于提供了引线43和44,平台6和7能可靠地保持在倾斜状态;因而,能容易而精确地设定磁性传感器芯片2和3的表面2a和3a之间的规定角。
在关于第一实施例的上述实例中,用银膏把磁性传感器芯片2和3粘结到平台6和7上,但这不是限制性的。即,任何导电粘合剂都可以满足把磁性传感器芯片2和3粘结到平台6和7上的要求。
另外,磁性传感器芯片2和3粘结到平台6和7的表面6d和7d上,但这不是限制性的。即,可以把至少一个磁性传感器芯片粘结到平台(6或7)的背面(6c或7c)上。
此外,磁性传感器使用两个磁性传感器芯片2和3,其中,磁性传感器芯片3有一个敏感方向,但这不是限制性的。即,能用多个磁性传感器芯片来实现三个或三个以上的敏感方向,这些方向相互交叉,以便能把磁性方向表达为三维空间中的一个向量。例如,磁性传感器芯片3可以修改为具有两个敏感方向。或者,能使用均具有一个敏感方向的三个磁性传感器芯片。
在上文中,引线4的背面4a露在模制的树脂壳5的下表面5a之下,但这不是限制性的。例如,引线4的背面4a可部分地布置在模制的树脂壳5的下表面5a下。
在引线4和导线8的数量和位置方面,本发明不必限于关于第一实施例的上述实例。即,根据磁性传感器芯片的类型,能任意改变粘结到磁性传感器芯片上的导线的数量和位置,能任意改变引线的数量和位置。
此外,上述磁性传感器1设计成能安装到便携式终端装置中,但这不是限制性的。例如,磁性传感器1可以重新设计以用于医疗仪器,诸如插入人体内的导尿管、纤维镜和照相机。为了测量插入人体内的照相机的方位,把人体置于磁场的影响下,从而用磁性传感器1测量磁性方向。因而,能以三维方式确定磁性传感器和磁场之间的相对角。这样,能参考磁性方向精确地检测照相机的方位。
如上所述,第一实施例及其相关实例有多种效果和技术特点,现描述如下。
(1)适于磁性传感器的引线框包括至少两个平台和具有弹性形变能力的互连构件,从而可以通过充分设定安装在平台上的磁性传感器芯片之间的位置关系容易地制造多种类型的磁性传感器。
(2)在互连构件中形成可以因弹性形变而弯曲的弯曲部分,这能容易地把平台布置在规定的位置上。具体地说,很容易在互连构件中形成能弹性形变的易变形部分;因而,能很容易地把多个磁性传感器芯片同时粘结到平台上,而平台的表面基本在同一平面中。
(3)第一突起部分(例如,引线)从引线框的框向内突起,而第二突起部分从平台突起。即,引线框有第一和第二突起部分,第一和第二突起部分彼此邻近,在相反的方向上突起,并在厚度方向上相互重叠。随着第一和第二突起部分啮合,一旦通过使弯曲部分充分弯曲来把平台布置在规定的位置上,能防止平台回到框上。这样,能可靠地把传感器芯片固定在规定的位置上。
(4)由于在互连构件中提供了易变形部分,所以,在制造引线框期间使平台自动倾斜,其中,可以把多个磁性传感器芯片同时粘结到平台上,平台通过冲压件而受压并基本放在同一平面中。由于提供了冲压件,所以,可以把平台保持在预定的位置上;因而,能精确地设定磁性传感器芯片的表面之间的规定角。
(5)在制造磁性传感器时,能同时把多个磁性传感器芯片粘结到多个平台上,多个平台倾斜,并基本按需要放在同一平面中;因而,能减少制造磁性传感器时的步骤数;这样,能减少磁性传感器的制造成本。
(6)能容易地精确设定磁性传感器芯片的表面之间所形成的规定的角度。在一个磁性传感器芯片有两个敏感方向而另一个磁性传感器芯片有一个敏感方向时,能精确地测量磁性的方位,能将其确定为三维空间中的一个向量。
(7)可以把平台保持在倾斜状态,以便不返回到框上;因而,能可靠地把多个磁性传感器芯片分别以规定角度倾斜固定。
(8)在制造磁性传感器时,形成冲压件,以便使平台倾斜;因而,能简化磁性传感器的制造过程。另外,可以容易地把多个磁性传感器芯片同时粘结到多个平台上;因而,能减少磁性传感器的制造成本。
2.第二实施例
首先,参考图22和23,描述用根据本发明第二实施例的制造方法制造的磁性传感器101的构成。与上述第一实施例的磁性传感器1类似,第二实施例的磁性传感器101设计成测量所施加的外部磁场的方向和大小,它包括:两个磁性传感器芯片102和103;多个引线104,用来把磁性传感器芯片102和103与外部装置(未示出)电连接;和模制树脂壳105,用来囊封磁性传感器芯片102和103以及引线104并将它们整体固定在模制树脂壳中的预定位置处。
在平面图中,磁性传感器芯片102和103均大致形成为矩形板形状,并且它们分别安装在平台106和107上。磁性传感器芯片102和103嵌在模制树脂壳105中,其中,磁性传感器芯片102和103布置在引线104上方,在模制树脂壳105的上表面105c附近。另外,磁性传感器芯片102和103分别向模制树脂壳105的下表面105a倾斜,其中,磁性传感器芯片102和103的端部102b和103b指向模制树脂壳105的上表面105c,从而使磁性传感器芯片102和103的表面102a和103a相互倾斜,夹角是锐角θ。即,在平台106的表面106d和平台107的背面107c之间形成锐角θ。
在上文中,磁性传感器芯片102对沿其表面102a以直角交叉的两个方向(即,方向A和B)上的外部磁场的磁性分量敏感。相反,磁性传感器芯片103对一个方向(即,方向C)上的外部磁场的磁性分量敏感,方向C与沿其表面103a由方向A和B定义的A-B平面以锐角相交。
引线104均由预定的金属材料制成,诸如铜,引线104的背面104a露在模制树脂壳105的下表面105a下。引线104的端部104b经导线108与磁性传感器芯片102和103电连接,其间的互连部分嵌在模制树脂壳105中。
下面,描述根据本发明第二实施例的磁性传感器101的制造方法。
首先,对薄金属板进行冲压加工或腐蚀,或者同时进行冲压加工和腐蚀;这样,能形成引线框110,如图24和25所示,其中,平台106和107由框109支持。框109包括:矩形框部分111,形成为把平台106和107包围在里面;和多条引线104和112,从矩形框部分111向内突起。
引线112是相对于矩形框部分111固定平台106和107的悬挂引线,其中,引线112的端部112a(即,互连构件)沿宽度方向与平台106和107的第一侧106a和107a的侧端互连。另外,在引线112的端部112a的侧面位置上形成切块,与引线112的其它部分相比其厚度减少。即,引线112的端部112a有扭曲部分,在平台106和107倾斜时,扭曲部分能容易地扭曲和变形。
相对于第二侧106b在平台106的背面106c形成一对突起元件113,相对于第二侧107b在平台107的背面107c形成一对突起元件114。把突起元件113和114布置成分别使平台106和107倾斜。突起元件113和114均形成为细杆状,其中,用于平台106的突起元件113布置成与用于平台107的突起元件114相对。
沿平台106的侧端以预定间距形成的突起元件113与沿平台107的侧端以预定间距形成的突起元件114隔开,从而能防止在形成模制树脂壳105期间在提供树脂时出现缺陷。为了以稳定的方式精确地使平台106和107倾斜,最好增大突起元件113之间的距离和突起元件114之间的距离。另外,突起元件113和114有“圆形”尖端113a和114a,尖端113a和114a均有半圆形形状,目的是使不想露在模制树脂壳105的下表面之下的突起元件113和114最小。
在实施光刻期间,在引线104内包括平台106和107的引线框110的内部区域与引线框110的其它区域相比要薄,例如与其它区域相比,大致形成为该厚度的一半。在对薄金属板进行冲压加工之前执行光刻,目的是避免意外地将引线112以及平台106和107的背面106c和107c暴露在模制树脂壳105的下表面之下。
准备好引线框110之后,把磁性传感器芯片102和103分别粘结到平台106和107的表面106d和107d上;然后,把导线108布置成将磁性传感器芯片102和103与引线104电连接。
在使平台106和107倾斜的步骤期间,把导线108与磁性传感器芯片102和103之间的粘结部分同导线108和引线104之间的粘结部分分离。因此,导线108要布置成在长度和高度上有足够的空间。
如图26所示,除了引线104和112的预定部分之外,框109固持和固定在包括上模Dm和下模Em的金属模中,磁性传感器芯片102和103用其嵌在树脂中。
当将框109固持在金属模中时,下模Em的内壁E1对突起元件113和114的尖端113a和114a加压,从而使平台106和107分别绕轴线旋转,轴线把布置在平台106和107侧端上的引线112的端部112a互连在一起,从而使引线112的端部112a扭曲和变形。这样,如图27所示,磁性传感器芯片102和103与平台106和107一起以规定角度斜靠在引线112和内壁E1上。
在突起元件113和114的尖端113a和114a受到下模Em的内壁E1的压力的条件下,把熔化的树脂材料注入到包括上模Dm和下模Em的金属模中,这样,形成了囊封磁性传感器芯片102和103的模制树脂。因而,能固定地把以规定角度相互倾斜的磁性传感器芯片102和103布置在模制树脂中。
而后,切除不想要的部分,诸如在模制树脂之外突起的矩形框部分111和引线112,以便完成磁性传感器101的制造,如图22所示。
磁性传感器101安装在布置在便携式终端装置(未示出)内的板(或基板)上,例如,其中,在显示屏上示出由磁性传感器101测量的磁性方位。
与上述第一实施例类似,磁性传感器芯片102和103检测方向A、B和C上的磁性分量,以便产生大约与检测的磁性分量成比例的值Sa、Sb和Sc。结合第一实施例,参考图9进行了详细地描述。这样,第二实施例提供了与上述第一实施例类似的效果。
在第二实施例中,突起元件113和114有“半圆形”尖端113a和114a,但这不是限制性的。即,要求突起元件113和114的尖端有规定的形状,使模制树脂壳105的下表面105a之下露出的最小。因而,突起元件113和114的尖端113a和114a均形成为例如是削尖的形状。
另外,能把绝缘体布置在突起元件113和114的尖端113a和114a上,从而可以防止尖端113a和114a的金属部分露在模制树脂壳105的下表面105a之下。此外,能把模制树脂壳105的下表面105a形成为凸形,从而可以防止尖端113a和114a露在模制树脂壳105的最下表面之下。
在上文中,突起元件113布置成相对于第二侧106b沿平台106的侧端彼此相对,同时,突起元件114布置成相对于第二侧107b沿平台107的侧端彼此相对,但这不是限制性的。例如,如图28和29所示,能沿平台6和7的宽度方向交替布置突起元件113和114。由于交替布置了突起元件113和114,所以,能减小布置成彼此邻接的平台106和107之间的间隙。因而,能减小磁性传感器101的整个尺寸,而不改变安装在平台106和107上的磁性传感器芯片102和103的尺寸。
在第二实施例中,突起元件113和114均形成为细杆状,但这不是限制性的。例如,如图30和31所示,用于平台106的锥形突起元件113与用于平台107的锥形突起元件114啮合,二者之间有预定的间隙,突起元件113具有锥形形状,其尺寸从基座113b向尖端113a逐渐减小,突起元件114具有锥形形状,其尺寸从基座114b向尖端114a逐渐减小。本文中,能增大突起元件113和114的基座113b和114b的尺寸,以便使其相对的大;因而,能防止突起元件113和114在平台106和107倾斜时意外变形。
另外,可以相对于中心线A1,将突起元件113和114彼此线性对称布置,中心线A1是在宽度方向上经过平台106和107的中心画出的,同时增大突起元件113和114的尺寸,如图32所示。本文中,当平台106和107倾斜时,能防止突起元件113和114变形,因而,能防止平台106和107扭曲。由于用于平台106的突起元件113的宽度尺寸增大了,所以,能仅布置突起元件113。
在第二实施例中,突起元件113和114分别从平台106和107的第二侧106b和107b突起,但这不是限制性的。例如,如图33所示,能布置从相对于平台106的第二侧106b的侧端突起的突起元件115和116,以及布置从相对于平台107的第二侧107b的侧端突起的突起元件117和118。尤其是,把两个或两个以上的突起元件(115-118)并行布置在平台106和107的侧端上时,可以在平台106和107因金属模Em所施加的压力而倾斜时防止平台106和107偏斜。
在上文中,突起元件113在相对于第二侧106b和107b的平台106和107的背面106c和107c突起,但这不是限制性的。本文中,要求突起元件113在背面106c和107c或者表面106b和107b从平台106和107突起。例如,能如图35所示来修改第二实施例,其中,突起元件119和120在相对于第一侧106a和107a的平台106和107的表面106d和107d中突起。
在图35中,把框109固持在上模Dm和下模Em之间时,突起部分119和120的尖端119a和120a由上模Dm的内壁D1加压,使得平台106和107分别绕轴线旋转,轴线把平台106和107两面上的引线112的端部112a互连在一起,从而使引线112的端部112a扭曲和变形。
如图35所示制造的磁性传感器的特征在于:突起元件119和120的尖端119a和120a不露在模制树脂的下表面之下,这是因为它们不与下模Em的内壁E1接触。这就能在安装了布置在便携式终端装置内的磁性传感器的板(或基板)的表面上布线,从而容易进行制造。
能如图36所示修改第二实施例,其中,突起元件113和114在相对于第二侧106b和107b的平台106和107的背面106c和107c突起,其它突起元件119和120在相对于第一侧106a和107a的平台106和107的表面106d和107d突起。
在上文中,框109在压力下夹在上模Dm和下模Em之间,突起元件113和114的尖端113a和114a受到下模Em的内壁E1的压力,同时,突起部分119和120的尖端119a和120a受到上模Dm的内壁D1的压力。这就增大了使平台106和107旋转的力。因而,能通过在制造磁性传感器101时利用引线112的端部112a的坚固结构,很容易地控制引线框110。
另外,突起元件113,114,119和120都可以通过腐蚀来形成,其中,例如把除了突起元件113,114,119和120之外的引线框110的部分通过腐蚀制造得相对薄。
上述突起元件113和114不必分别从平台106和107的第一侧106a和107a的侧端或者从第二侧106b和107b的侧端突起。即,能如图37和38所示修改引线框110,其中,在平台106和107中画的是均为矩形U形的割线,使得由割线包围的矩形U形区域受到弯曲加工,以便分别形成突起元件121和122。
在上文中,把磁性传感器芯片102和103布置在平台206和207的表面206d和207d上时,要求突起元件121和122分别在平台106和107的背面106c和107c突起。本文中,突起元件121和122不从平台106和107向外突起;因而,即使在磁性传感器芯片102和103以及平台106和107面积增大时,也能减小磁性传感器的整个尺寸。
在第二实施例及其相关实例中,突起元件113,114,119和120均由构成引线框110的薄金属板整体制造,但这不是限制性的。例如,当磁性传感器芯片102和103分别安装在平台106和107的表面106d和107d上时,把由引线框110的薄金属板单独形成的突起元件附着到平台106和107的背面106c和107c上。即,如图39和40所示,能单独地生产突起元件123和124,突起元件123和124均大致为矩形平行六面体形状,由与引线框110相同的材料制成,从而把突起元件123和124分别粘结到平台106和107的背面106c和107c上。
突起元件123和124均不需形成为矩形平行六面体形状;因而,可以形成为球形或半圆形。或者,粘结到平台106和107的背面106c和107c上的突起元件123和124可以为削尖端部。
在上文中,突起元件123和124可以通过例如电焊或超声热压焊而粘结到平台106和107上。超声热压焊的效果受到超声波或热能所造成的摩擦热能和重量的影响。在上述粘结之前,最好从平台等上面除去表面氧化膜。突起元件123和124以及平台106和107之间的粘结不必限于上述方法。例如,能使用粘结带、粘结剂和焊料。
突起元件123和124不必粘结到平台106和107的背面106c和107c上。例如,对平台106和107的背面106c和107c进行电镀,从而形成突起元件123和124。或者,对平台106和107的背面106c和107c进行腐蚀,从而形成相应于突起元件123和124的部分。
在第二实施例中,引线112的端部112a与平台106和107的第一侧106a和107a的侧端连接,但这不是限制性的。本文中,要求引线112的端部112a位于能使平台106和107以规定角度倾斜的预定位置。例如,如图41所示,引线112的端部112a与平台106和107的第二侧106b和107b的侧端连接,从而在平台106和107的第一侧106a和107a中形成能让平台106和107倾斜的突起元件125和126。这种情况下,第二侧106b和107b起到平台106和107的旋转中心的作用。
在第二实施例中,引线112的端部112a有切块,但这不是限制性的。即,要求它们在平台106和107倾斜时扭曲。另外,在平台106和107倾斜时,引线112的端部112a扭曲并变形,但这不是限制性的。即,要求引线112支持平台106和107,平台106和107塑性变形和/或弹性变形,从而易于倾斜。
在第二实施例中,平台106和107随着绕引线112的端部112a之间所连接的轴线旋转而倾斜,但这不是限制性的。即,要求平台106和107相互倾斜,从而确保磁性传感器芯片103的敏感方向与磁性传感器芯片102的两个敏感方向所定义的A-B平面交叉。
因而,能如图42所示修改引线框110,其中,引线112的端部112a分别布置在平台106和107的一侧端上,突起元件127和128分别布置在平台106和107的另外的侧端上。用金属模(未示出)对突起元件127和128加压时,平台106和107随着绕轴线旋转而倾斜,该轴线是在把平台106和107布置成一线的方向上画出的,从而使引线112的端部112a弯曲并塑性变形和/或弹性变形。
在第二实施例中,平台106和107因突起元件113,114,119和120的作用而倾斜,但这不是限制性的。即,要求使平台106和107倾斜的突起元件分别在平台106和107的表面106d和107d或背面106c和107c中突起。
例如,如图43所示,可以在用来支持平台106和107的引线112中形成突起元件112b,该突起元件112b在平台106和107的背面106c和107c中突起。突起元件112b与引线104和其它引线112一起部分固持在上模Dm和下模Em的内壁D2和E2之间,其中,在除了具有突起元件112b的引线112之外的其它引线112中形成端部112a,端部112a变形,从而使平台106和107倾斜,端部112a分别与平台106和107的第二侧106b和107b互连。
在上文中,突起元件112b部分地夹在模Dm和Em之间时,对它们向上加压,使得平台106和107的第一侧106a和107a绕第二侧106b和107b旋转,向上移动,如图24所示。
3.第三实施例
参考图45和46,描述用根据本发明第三实施例的制造方法制造的磁性传感器的构成,其中,磁性传感器201设计成测量所施加的外部磁场的磁性方向和大小。磁性传感器201包括:两个磁性传感器芯片202和203;多条引线204,用来把磁性传感器芯片202和203与外部装置(未示出)电连接;和模制树脂壳205,把整体地固定在预定位置处的磁性传感器芯片202和203以及引线204囊封在树脂中。
在平面图中,磁性传感器芯片202和203均大致形成为矩形板状,并且分别安装在平台206和207上。磁性传感器芯片202和203均嵌在模制树脂壳205中,其中,磁性传感器芯片202和203布置在引线204的基座204a上,在模制树脂壳205的上表面205c附近。另外,磁性传感器芯片202和203分别以规定角度斜靠在模制树脂壳205的下表面205a上,磁性传感器芯片202和203的端部202b和203b指向模制树脂壳205的上表面205c;即,磁性传感器芯片202和203相互倾斜,在其表面202a和203a之间形成锐角θ。本文中,锐角θ形成在平台206的表面206a和平台207的背面207b之间。
磁性传感器芯片202在沿其表面202a以直角交叉的两个方向(即,方向A和B)上感应相对于外部磁场的磁性分量。磁性传感器芯片203均在一个方向(即,方向C)上感应相对于外部磁场的磁性分量,方向C与由方向A和B定义的A-B平面以锐角相交。
引线204均由预定的金属材料制成,诸如铜,并包括基座204a、尖端204b和用来把基座204a和尖端204b互连的互连部分204c,引线204例如是曲柄状截面形状。
引线204的基座204a部分地嵌在模制树脂壳205中,并经导线208与磁性传感器芯片202和203电连接。引线204的尖端204b和互连部分204c均布置在模制树脂壳205的侧表面205b之外,尖端204b布置得比模制树脂壳205的下表面205a低。
下面,将描述根据本发明第三实施例的磁性传感器201的制造方法。
对薄金属板进行冲压加工或腐蚀,或者对其同时进行冲压加工和腐蚀,这样,生产包括由框209支持的平台206和207的引线框210,如图47和48所示。框209包括矩形框部分211和多条引线204和212,矩形框部分211在平面图中形成为矩形形状,用来包围平台206和207,引线204和212从矩形框部分211向内突起。
引线212是用来把平台206和207固定在相对于矩形框部分211的预定位置的悬挂引线,其中,端部212a和212b布置在平台206和207的侧端附近。引线212的端部212a和212b的具体形状使得能在平台206和207倾斜时容易地塑性变形。
具体地说,引线212的端部212a布置在平台206和207的第一侧206c和207c附近,在端部212a的两侧形成切块,从而与引线212的其它部分相比,宽度减小,能容易地变形。引线212的另一端212b布置在平台206和207的第二侧206d和207d附近,从而如图49所示,预先进行弯曲加工,使得它们突起在引线212的表面212c之上,因而能容易地弯曲。
在上文中,平台206和207布置成由其第一侧206c和207c彼此相邻,同时把第二端206d和207d布置成与平台206和207中的第一侧206c和207c相对。
制备引线框210之后,如图47和48所示,磁性传感器芯片202和203分别粘结到平台206和207的表面206a和207a上,然后经导线208与引线204电连接。在使平台206和207倾斜的步骤中,导线208与磁性传感器芯片202和203之间的粘结部分必需与导线208和引线204之间的粘结部分分离;因而,导线208布置成在其长度或高度上有足够的空间。
如图50所示,除了平台206和207以及引线212的端部212a和212b之外,引线框210固持在上模Dm和下模Em之间。然后,销F用于把平台206和207的背面206b和207b相对于第二侧206d和207d向上压,从而使平台206和207以规定角度与磁性传感器芯片202和203一起倾斜。
在上文中,平台206和207分别绕连接在固定于平台206和207的两侧端的引线212的端部212a之间的轴线(见图47所示的虚线)旋转,从而使端部212a随弹性形变而扭曲,同时使另外的端部212b随弹性形变而弯曲。因此,能保持磁性传感器芯片202和203相对于引线204的基座204a成倾斜状态。
上述配备有磁性传感器芯片202和203的引线框210放在另一金属模(未示出)中,把熔化的树脂注入金属模,以便形成模制树脂,用来把磁性传感器芯片202和203囊封在里面。这样,可以把磁性传感器芯片202和203固定地布置在模制树脂内,相互倾斜。
最后,把矩形框部分211和突起在模制树脂外面的不想要的引线212的部分一起切除,这样,完成了磁性传感器201的制造,如图45所示。
上述磁性传感器201安装在便携式终端装置(未示出)内的板(或基板)上,其中,在显示屏上示出由磁性传感器201测量的磁性方位。
即,与上述第一实施例类似,磁性传感器芯片202和203检测方向A、B和C上的磁性分量,以便产生与检测的磁性分量大约成比例的值Sa、Sb和Sc。已经参考图9进行了详细描述。
可以用多种方式修改第三实施例;因而,在下面描述修改例的实例。
参考图51和52描述第三实施例的修改例,其中,与图45和46中相同的部分用相同的附图标记来表示;因此,不再赘述。
在制造磁性传感器之前,薄金属板受到冲压加工和腐蚀,从而产生包括由框219支持的两个平台206和207的引线框220,如图51所示。框219有从矩形框部分211向内突起的多条引线204和221。
引线221是用来把平台206和207固定在相对于矩形框部分211的预定位置的悬挂引线,把端部221a分别固定到平台206和207的第二侧206d和207d的两个侧端上。引线221的端部221a形成得比引线221的其它部分薄,从而使它们能容易地弯曲。
用来在平台206和207之间互连的一对平台互连构件222从平台206的第一侧206c突起,并与平台207的第一侧207c互连。平台互连构件222均形成为Z形,位于垂直于引线框220的厚度方向上的平面上,使得它们可以容易地塑性变形。
在制备引线框220之后,如图52所示,磁性传感器芯片202和203粘结到平台206和207的表面206a和207a上;然后,把导线208布置在磁性传感器芯片202和203与引线204之间。
然后,引线框220除了平台206和207以及引线221的端部221a与平台互连构件222之外布置在上模Gm和下模Hm之间。这种条件下,销I用于把平台206和207的背面206d和207d分别相对于第一侧206c和207c向上压,使得平台206和207以规定角度与磁性传感器芯片202和203一起倾斜。
在上文中,平台206和207绕分别固定在平台206和207两侧端的引线221的成对的端部221a之间的连接的轴线旋转,使得引线221的端部221a随着塑性变形而扭曲。这时,平台206和207的第一侧206c和207c相互分离,使得平台互连构件222随塑性变形而扩展。这样,能保持磁性传感器芯片202和203相对于引线204的基座204a处于倾斜状态。
最后,模制树脂的形成将磁性传感器芯片202和203囊封在里面;然后,切除矩形框部分211和突起在模制树脂外面的引线221的不想要的部分,从而完成磁性传感器的制造。
在上文中,能同时把磁性传感器芯片202和203容易地粘结到引线框220的平台206和207上;因而,能减少制造的步骤数,能减少磁性传感器的制造成本。
由于平台互连构件222的形状能容易地塑性变形,当销I相对于第一侧206c和207c对平台206和207的背面206b和207b向上加压时,平台206和207塑性变形,从而能容易地斜靠在框219上。由于引线221的端部221a和平台互连构件222塑性变形,所以,能容易而精确地设定平台202和203的表面202a和203a之间所形成的规定角度。
另外,平台互连构件222均形成为Z形,位于垂直于引线框220的厚度方向的平面中。因而,能容易地生产引线框220,这是因为不必对平台互连构件222执行弯曲加工和腐蚀。
在第三实施例中,引线212的端部212b从表面212c突起,但这不是限制性的。即,要求引线212能在平台206和207倾斜时容易地塑性变形。例如,如图53A所示,对引线212弯曲加工,使得一个端部212b在表面212c和背面212d中都突起。或者,如图53B所示,对引线212腐蚀,使得端部212b与引线212的其它部分相比,其厚度减小。
可以进一步修改引线212,使得如图53C所示,把引线212的预定部分形成为Z形,位于垂直于引线框210的厚度方向的平面中。在这一修改例中,不必对引线212执行弯曲加工或腐蚀;因而,能容易地生产具有Z形部分212b的引线框210。本文中,最好把Z形部分212b形成为厚度比引线212的其它部分小。
在第三实施例中,引线212的端部212a相对于第一侧206c和207c固定到平台206和207的两个侧端上,但这不是限制性的。即,要求平台206和207能绕其第一侧206c和207c旋转。例如,如图54所示,平台206和207的第一侧206c和207c经平台互连构件215互连在一起,引线212的端部212a固定到平台互连构件215上。
另外,引线212的另外的端部212b不必相对于第二侧206d和207d固定到平台206和207的两个侧端上。即,例如引线212的另外的端部212b可以直接固定到平台206和207的第二侧206d和207d上。
在第三实施例中,磁性传感器芯片202和203分别以规定角度倾斜,使其一端202b和203b指向模制树脂壳205的上表面205c,但这不是限制性的。即,磁性传感器芯片202和203相互斜靠在框209上,使得磁性传感器芯片203的敏感方向与磁性传感器芯片202敏感方向所定义的A-B平面相交。
在磁性传感器芯片202和203的倾斜方向改变时,引线212的端部212a和212b在引线框210中的位置相应地改变。
不必在引线212的端部212a中形成切块。即,其形状应当在平台206和207倾斜时容易地塑性变形。另外,引线212的弯曲部分不必在平台206和207附近的预定位置形成为引线212的端部212b。例如,如图55所示,可以形成一个平台互连构件222,以便把平台206和207互连在一起。平台互连构件222不必形成为位于垂直于引线框220的厚度方向的平面中的Z形。即,其形成应当能容易地塑性变形。
例如,如图56A所示,平台206和207基本以矩形形状整体形成在板223上,其中,通孔223a形成在平台206和207之间,平台206和207经平台互连构件222桥接。能进一步修改引线框,如图56B所示,使得锥形突起224和225分别从平台206和207的第一侧206c和207c突起,其中,其尺寸向尖端逐渐减小,相互连接在一起。
此外,与平台206和207相比,能减小平台互连构件222的厚度。
平台互连构件222不必布置成与平台206和207的第一侧206c和207c互连在一起。例如,如图57所示,平台互连构件222布置成分别相对于第一侧206c和207c把平台206和207的两端互连在一起。本文中,平台互连构件222均形成为扇样形状,能容易地塑性变形。在图57中,在彼此相邻布置的平台206和207之间的间隙中没有布置互连构件;因而,可以减小二者之间的间隙。换言之,能用上述引线框来减小磁性传感器的整体尺寸。
固定到平台206和207的侧端上的平台互连构件222不必形成为上述形状。例如,如图58所示,平台互连构件222均可以形成为矩形框样形状。或者,能修改平台互连构件222,以便部分地向内或外弯曲,如图59和60所示。
另外,平台互连构件222不必布置成把平台206和207直接互连在一起。例如,如图61所示,矩形框部分226布置成在平台206的两端之间互连并包围第一侧206c,同时把另一矩形框部分227布置成在平台207的两端之间互连并包围第一侧207c,经互连构件228把它们互连在一起。
平台互连构件222不必布置成把平台206和207互连在一起。例如,如图62所示,用从矩形框部分211突起的引线229把它们互连。
在第三实施例及其相关实例中,销F和I用于把平台206和207相对于第一侧206c和207c和相对于第二侧206d和207d向上压,使磁性传感器芯片202和203分别以规定角度倾斜。本文中,不必用销F和I使平台206和207倾斜。即,要求在把磁性传感器芯片202和203粘结到平台206和207的表面206a和207a上之后且在形成模制树脂壳205来将平台206和207之前囊封于其中,使平台206和207倾斜。
磁性传感器芯片202和203不必粘结到平台206和207的表面206a和207a上。即,可以把至少一个磁性传感器芯片粘结到平台206或207的背面上。
4.第四实施例
在具体描述本发明的第四实施例之前,参考图75和76描述其基本结构和概念,其中,磁性传感器351包括:磁性传感器芯片352;多条引线353,用来把磁性传感器芯片352与外部装置(未示出)电连接;和模制树脂354,用来把这些元件整体地固定在模制树脂中的预定位置处。
磁性传感器芯片352布置在由平台355上的X轴和Y轴定义的X-Y平面中,从而检测X轴方向和Y轴方向上的外部磁场的分量。
引线353的基座353a经金属线356与磁性传感器芯片352电连接,引线353的尖端353b突起在模制树脂354的表面之外。
上述磁性传感器351用于多种领域,将在下面描述其实例。
例如,磁性传感器351可以适于医疗仪器,诸如插入人体内的导尿管、纤维镜和照相机的尖端,从而检测导尿管的尖端的方向或照相机的图像拾取方向。因而,能以三维方式测量插入人体内的导尿管的尖端的方向或照相机的方位。
另外,能把磁性传感器351安装在便携式终端装置中,从而检测地磁,以便测量便携式终端装置的方位,使得将测量的方位显示在显示屏上的导航功能可以适于便携式终端装置。目的是精确地确定磁性方位,必需以三维方式来测量。
然而,上述磁性传感器351不能总是确保磁性传感器芯片352的X-Y平面,从而在执行方位测量时总是与外部磁场的方向平行。因此,当外部磁场的方向与X-Y平面交叉时,磁性传感器芯片352只检测X轴和Y轴方向上的磁性分量,并且难以检测在与X-Y平面交叉的另一方向上的磁性分量。这表示难以精确地以三维方式测量外部磁场的方位。
为了精确地测量外部磁场的三维方位,可以提供图83所示的上述磁性传感器单元64,其详情已经在上文中进行了详细描述。通常,应当减小适于医疗仪器的磁性传感器的尺寸,诸如插入人体的导尿管、纤维镜或照相机。然而,上述磁性传感器单元64难以适于这种医疗仪器,其中,通过布置磁性传感器61来构成磁性传感器单元64,以便与板63的表面63a垂直,使得磁性传感器单元64在其Z轴方向上尺寸增大。另外,因为需要两个磁性传感器51和61,所以,磁性传感器单元64的制造成本增加。简言之,很希望减小能精确测量磁性的三维方位的磁性传感器的整体尺寸。
参考图63和64,描述本发明的第四实施例,其中,磁性传感器301包括:两个磁性传感器芯片302和303;多条引线304,用来把磁性传感器芯片302和303与外部装置(未示出)电连接;和模制树脂壳305(如,封装),用来把磁性传感器芯片302和303以及引线304固定在模制树脂壳的预定位置。
在平面图中,磁性传感器芯片302和303均形成为矩形板状,分别安装在平台306和307上。另外,磁性传感器芯片302和303均囊封在模制树脂壳305中,布置在引线304的基座304a上,在模制树脂壳305的上表面305c附近。此外,磁性传感器芯片302和303分别以规定角度斜靠在模制树脂壳305的下表面(或底)305a上,其端部302b和303b指向模制树脂壳305的上表面305c,使得其表面302a和303a相互倾斜,二者之间有锐角θ。本文中,在平台306的表面306a和平台307的背面307b之间形成锐角θ。
在上文中,磁性传感器芯片302在两个方向(即,方向A和B)上感应外部磁场的分量,这两个方向沿其表面302a以直角彼此交叉。磁性传感器芯片303在一个方向(即,方向C)上感应外部磁场的分量,该方向沿其表面303a,并以锐角与方向A和B所定义的A-B平面相交。
引线304均由预定的金属材料制成,诸如铜,均包括:基座304a;尖端304b;和用来把基座304a和尖端304b互连在一起的互连部分304c,它们均为曲柄状截面形状。
引线304的基座304a部分地嵌在模制树脂壳305内,引线304经金属线308与磁性传感器芯片302和303互连。引线304的尖端304b和互连部分304c均布置在模制树脂壳305的侧表面305b之外,尖端304b布置在模制树脂壳305的下表面305a之下。
下面,描述上述磁性传感器301的制造方法。
对薄金属板进行冲压加工或腐蚀,或者对其同时进行冲压加工和腐蚀,从而生产引线框,在引线框中,引线304与平台306和307整体连接。磁性传感器芯片302和303分别粘结到平台306和307的表面306a和307a上;然后,将它们经金属线308与引线304电连接。
引线框塑性变形和/或弹性形变,使得平台306和307分别以规定角度倾斜;而后,模制树脂壳305形成为把磁性传感器芯片302和303固定在其中的预定位置。最后,执行切除,以便把引线304与平台306和307分离,从而完成磁性传感器301的制造。
在上文中,可以把磁性传感器芯片302和303安装在平台306和307上,并在引线框塑性变形和/或弹性变形之后布置金属线308。
把上述磁性传感器301安装在安装便携式终端装置(未示出)的板(或基板)上,其中,囊封在模制树脂中的LSI电路(即,大规模集成电路)单独地布置在板上,目的是处理磁性传感器芯片301的输出信号。这样,便携式终端装置可以将磁性传感器301测量的地磁方位显示在显示屏上。
与上述第一实施例(见图9)类似,磁性传感器芯片302和303测量方向A、B和C上的磁性分量,从而产生与测量的磁性分量成比例的值Sa、Sb和Sc。
在磁性传感器301中,磁性传感器芯片302在A-B平面内检测磁性分量,磁性传感器芯片303检测方向C上的其它磁性分量。因而,能确定磁性方位作为三维空间中的一个向量;这样,能精确地测量磁性的三维方位。
在上文中,磁性传感器芯片302和303相互倾斜,二者之间是锐角,所以,与把磁性传感器芯片布置为成直角的传统的磁性传感器相比,能减小磁性传感器301的厚度尺寸,所述尺寸是在模制树脂壳305的下表面305a和上表面305c之间测量的;即,能减小磁性传感器301的整体尺寸。
另外,磁性传感器芯片302和303均完全囊封在模制树脂壳305中,从而能可靠地把磁性传感器芯片302和303保持在倾斜状态。磁性传感器301可以容易地安装在便携式终端装置中,这是因为只需把模制树脂壳305的下表面305a与板的表面相匹配。
在第四实施例中,磁性传感器芯片302和303相互倾斜,使其端部302b和303b指向模制树脂壳305的上表面305c,但这不是限制性的。即,要求磁性传感器芯片302和303分别斜靠在引线框305的下表面305a上。
例如,如图65所示,磁性传感器芯片302和303可以相反倾斜,使其端部302b和303b指向模制树脂壳305的下表面305a。或者,如图66和67所示,它们可以相互倾斜,使其相对端部302d和303d指向模制树脂壳305的上表面305c。这种情况下,磁性传感器芯片303布置成使其敏感方向与A-B平面相交,具体地说,其敏感方向与沿其表面303a与方向C垂直的方向D相匹配。
在第四实施例中,磁性传感器芯片302和303相互倾斜,使其表面302a和303a斜靠在模制树脂壳305的下表面305a上,但这不是限制性的。即,要求磁性传感器芯片302和303相互倾斜。例如,可以把磁性传感器芯片302布置成使表面302a与底305a平行,如图68所示。
另外,把磁性传感器芯片302和303都布置在引线304的基座304a上,但这不是限制性的。例如,如图69所示,它们可以基本布置在引线304的基座304a之下。
磁性传感器芯片302和303不必粘结到平台306和307的表面306a和307a上;因而,它们可以粘结到平台306和307的背面306b和307b上。例如,如图70所示,可只把磁性传感器芯片303粘结到平台307的背面307b上。
磁性传感器芯片302和303不必固定在模制树脂壳305内。例如,将磁性传感器301的预定区域充有陶瓷膏,对其烧结,以便生产陶瓷封装,可以用陶瓷封装把磁性传感器芯片302和303固定在适当位置。
磁性传感器芯片303的敏感方向不必限于方向C和D,其中,要求磁性传感器芯片303的敏感方向确实与A-B平面相交。当然,磁性传感器芯片303不必是一个敏感方向;因而,如图71和72所示,磁性传感器芯片303提供沿其表面303a彼此相交的两个敏感方向(即,方向C和E)。
在图71和72所示的磁性传感器320中,包括磁性传感器芯片302的敏感方向的平面与包括磁性传感器芯片303的敏感方向的平面相交,从而能同时检测三维空间内四个方向上的磁性分量。因而,能把磁性方位确定为三维空间中的一个向量;这样,能精确地测量磁性分量。
在上文中,磁性传感器芯片302和303的敏感方向可以相互交叉,二者之间是锐角,从而,与其敏感方向只以直角相交的上述磁性传感器相比,能进一步减小磁性传感器320的厚度尺寸,从而能减小尺寸。
由于磁性传感器芯片302和303有两个敏感方向,所以,可以把同一类型的磁性传感器芯片用于磁性传感器320,这能减少制造成本。
磁性传感器不必包括两个磁性传感器芯片302和303;即,能把任意数量的磁性传感器芯片布置在磁性传感器中。例如,如图73和74所示,能把三个磁性传感器芯片302、303和309用于磁性传感器330,每个磁性传感器芯片感应一个方向上的磁性分量。本文中,磁性传感器芯片302和303具有以直角相交的敏感方向F和G,而磁性传感器芯片309具有以直角与敏感方向F和G所定义的F-G平面相交的敏感方向H。
上述磁性传感器330可以检测磁性传感器芯片302和303的敏感方向F和G所定义的F-G平面上所有方向的磁性分量。另外,磁性传感器芯片309可以检测与F-G平面相交的方向H上的磁性分量。因而,能可靠地用三个磁性传感器芯片302、303和309检测三维空间内三个方向上的磁性分量。即,能够减小磁性传感器330的总体尺寸,该磁性传感器可以测定作为三维空间中的一个向量的磁性方位。
在上文中,能设定磁性传感器芯片309的敏感方向H,以便以锐角与F-G平面相交,从而,与敏感方向H只以直角与F-G平面相交的磁性传感器相比,能减小磁性传感器330的厚度尺寸,从而能减小尺寸。由于能用只有一个敏感方向的同一类型的三个磁性传感器芯片构成磁性传感器330,所以,能减少其制造成本。
当设计上述磁性传感器320和330而不必考虑减小尺寸时,能简单地把磁性传感器芯片302和302,或302、303和309布置成以直角相互交叉。或者,在平面图中,能把磁性传感器芯片布置成倾斜方式。这种情况下,能改善形成模制树脂壳等时的树脂流。
在第四实施例中,把囊封在模制树脂中的磁性传感器301和LSI电路单独布置在便携式终端装置的板上。或者,能把磁性传感器301和LSI电路整体囊封在同一模制树脂中,从而生产包括磁性传感器301和LSI电路的一个封装。这种情况下,磁性传感器301和LSI电路可以布置成相互垂直,或者可以布置成水平地相邻。
另外,磁性传感器芯片和LIS电路都粘结到同一引线框上,然后囊封在模制树脂中,以便把它们整体固定在预定位置上。当然,磁性传感器芯片和LSI电路不必整体包括在同一模制树脂中。即,能把磁性传感器芯片和LSI电路独立地囊封在各个模制树脂中;然后,将它们固定到金属材料制成的平台上。
在第四实施例中,引线304均为曲柄状截面形状,其中,尖端304b布置在模制树脂壳305的下表面305a之下,但这不是限制性的。即,要求引线304的预定部分露在模制树脂壳305的下表面305a之下。
另外,本发明在引线304和线308的数量和位置上不必限于第四实施例。即,能任意改变与磁性传感器芯片连接的线308的数量和粘结位置;能任意改变引线304的数量和位置。
此外,磁性传感器301不必安装在便携式终端装置中;即,能将其安装在医疗仪器中,诸如,插入人体的导尿管、纤维镜或照相机。例如,为了测量插入人体的照相机的方位,开动磁性传感器301,以便测量磁场的方位,人体置于磁场下方。因而,能以三维方式测量磁场中的磁性传感器301的相对角;这样,能精确地参考磁场方向来检测照相机的方位。
如上所述,与上述实施例相比,第四实施例有多种技术特点,描述如下。
(1)可以用有一个敏感方向的三个磁性传感器芯片构成磁性传感器,第三磁性传感器芯片的敏感方向以锐角与另两个磁性传感器芯片的敏感方向所定义的平面相交。本文中,能减小磁性传感器的厚度尺寸,从而减小尺寸。由于可以用只有一个敏感方向的同一类型的多个磁性传感器芯片构成磁性传感器,所以,能减少其制造成本。
(2)当用均有两个敏感方向的两个磁性传感器芯片构成磁性传感器时,能测量三维空间内的总共四个方向上的磁性分量。本文中,可以把磁性方位确定为三维空间中的一个向量;这样,能精确地测量磁性方位。
(3)当两个磁性传感器芯片的敏感方向以锐角相互交叉时,能减小磁性传感器的厚度尺寸,从而减小尺寸。本文中,用同一类型的两个磁性传感器芯片构成磁性传感器,能减少其制造成本。
(4)能可靠地把多个磁性传感器芯片保持为倾斜状态,固定在封装中,其中,可以通过只使封装的底与板的表面匹配,就容易地把磁性传感器安装在板上。
5.第五实施例
参考图77和78,将描述根据本发明第五实施例的制造方法所制造的磁性传感器。即,设计成用来测量外部磁场的方向和大小的磁性传感器401包括:两个磁性传感器芯片402和403;多条引线404,用来把磁性传感器芯片402和403与外部装置(未示出)电连接;和模制树脂壳405,用来把磁性传感器芯片402和403以及引线404整体囊封在里面。
在平面图中,磁性传感器芯片402和403均形成为矩形板形状,分别安装在平台406和407上。磁性传感器芯片403和404完全囊封在模制树脂壳405中,布置在引线404的基座404a之下,与模制树脂壳405的上表面405c接近。另外,磁性传感器芯片402和403斜靠在模制树脂壳405的下表面405a上,其端部402b和403b指向模制树脂壳405的上表面405c,其表面402a和403a相互倾斜,二者之间是锐角θ。在平台406的表面406a和平台407的背面407b之间形成锐角θ。
磁性传感器芯片402对沿其表面402a以直角相交的两个方向(即,方向A和B)上的外部磁场的磁性分量敏感。磁性传感器芯片403对一个方向(即,方向C)上的外部磁场的磁性分量敏感,方向C以锐角与沿其表面403a的方向A和B所定义的A-B平面以锐角相交。
引线404均由预定的金属材料制成,诸如铜,引线404由基座404a、尖端404b以及在基座404a和尖端404b之间互连的互连部分404c构成。因而,它们均为曲柄状截面形状。
引线404的基座404a部分嵌在模制树脂壳405中,引线404经金属线408与磁性传感器芯片402和403电连接。引线404的尖端404b和互连部分404c布置在模制树脂壳405的侧表面405b之外,尖端404b布置在模制树脂壳405的下表面405a之下。
下面,将描述上述磁性传感器401的制造方法。
对薄金属板进行冲压加工或腐蚀,或者对其同时进行冲压加工和腐蚀,这样,生产包括由框409支持的平台406和407的引线框410,如图79和80所示。框409包括矩形框部分411和多条引线404和412,矩形框部分411用来包围平台406和407,引线404和412从矩形框部分411向内突起。
引线412是用来把平台406和407固定在相对于矩形框部分411的预定位置的悬挂引线,分别布置在平台406和407附近的引线412的端部412a构成扭曲部分,在平台406和407倾斜时随塑性变形(和/或弹性变形)而容易扭曲。在引线412的端部412a的两侧形成切块,从而与引线412的其它部分相比宽度减小。
端部412a与平台406和407的两个侧端平行形成在引线412的预定位置,布置成相对于中心轴线L线性对称,中心轴线L通过平台406和407的中心。
制备引线框410之后,把磁性传感器芯片402和403分别粘结到平台406和407的表面406a和407a上;然后,经金属线408与引线404电连接。
在上文中,当平台406和407倾斜时,线408与磁性传感器芯片402和403之间的粘结部分必需与线408和引线404之间的粘结部分分离;因而,线408布置成在其长度或宽度方向上有足够的空间。
然后,如图81所示,引线框410的框409固持在由上模Dm和下模Em组成的金属模中,除了引线404和412的预定部分之外,磁性传感器芯片402和403嵌在树脂中。在下模Em的内壁E1上的预定位置处形成两个孔E2,销F布置成在孔E2中自由上下移动。
如图81所示,销F向上移动,把平台406和407的背面406b和407b相对于端部406c和407c向上加压,使得平台406和407与磁性传感器芯片402和403一起以规定角度倾斜。
在上文中,平台406和407分别绕轴线旋转,该轴线把布置在其两侧端附近的引线412的端部412a连接在一起,使引线412的端部412a扭曲和变形。这样,能把磁性传感器芯片402和403以及引线412的其它部分斜靠在下模Em的内壁E1上。
在上述用销F把相对于端部406c和407c的平台406和407的背面406b和407b向上加压的条件下,把熔化的树脂注入由上模Dm和下模Em组成的金属模的空腔中,形成模制树脂,以便把磁性传感器芯片402和403囊封在里面。在树脂的硬化完成之后,销F向下移动。这样,能可靠地把相互倾斜的磁性传感器芯片402和403固定在模制树脂中。
最后,切除矩形框部分411和突起在模制树脂之外的引线412的不想要的部分,从而完成磁性传感器401的制造,如图77所示。
上述磁性传感器401安装在设置在便携式终端装置(未示出)中的板(或基板)上,其中,把磁性传感器401测量的磁性方位显示在显示屏上。即,与上述第一实施例(见图9)类似,磁性传感器芯片402和403检测A、B和C方向上的磁性分量,从而产生与检测的磁性分量成比例的值Sa、Sb和Sc。
在根据第五实施例的磁性传感器401的制造方法中,把磁性传感器芯片402和403粘结到倾斜之前的平台406和407上,使它们精确地粘结到基本布置在同一平面中的平台406和407的表面406a和407a上。因而,能容易地同时把磁性传感器芯片402和403粘结到引线框410的平台406和407上。另外,能执行使平台406和407倾斜的步骤以及用同一金属模形成模制树脂壳405的步骤。这样,能减少制造磁性传感器401的步骤数,从而减少制造成本。
注意,引线412的一端412a构成了扭曲部分,扭曲部分在把销F插入金属模时扭曲和变形,以便把平台406和407的背面406b和407b分别相对于端部406c和407c向上加压。这样,能容易地使平台406和407斜靠在框409上。
另外,模制树脂壳405形成在金属模中,其中,平台406和407在销F所施加的压力下倾斜。因而,能容易而精确地设定磁性传感器芯片402和403的表面402a和403a之间所形成的规定角。
如上所述,能精确地使磁性传感器芯片403的敏感方向与A-B平面相交。因而,能把三个敏感方向上的磁性方位确定为三维空间中的一个向量,能精确地测量磁性的三维方位。
在第五实施例中,销F在树脂完全硬化后向下移动,但这不是限制性的。即,能在树脂硬化到某种程度时使销F向下移动,使得平台406和407保持其倾斜状态。这种情况下,可以使熔化的树脂流入的区域是:销F临时突起在内壁E1之上,然后缩回下模Em的孔E2内部的区域,使得平台406和407可以完全嵌在树脂中。
上文中,如果平台406和407根据引线412的塑性变形和/或弹性变形而固定地保持在倾斜状态,则销F可以在任何时间向下移动。当引线412在塑性变形时扭曲时,可以在树脂注入模具之前向下移动销F。当引线412在同时塑性变形和弹性变形时扭曲,则可以在树脂充分固化以将平台406和407固定地保持在倾斜状态时向下移动销F。
销F不必相对于下模Em的内壁E1在孔E2中上下移动。即,通常可以突起在下模Em的内壁E1之上。这种情况下,当框409放在金属模中时,平台406和407自动地以规定角度倾斜。
另外,上述销F不必布置在下模Em中,换言之,可以布置在上模Dm中。这种情况下,要求对平台406和407的表面406a和407a向下加压,以便不使平台406和407与导线408和磁性传感器芯片402和403接触。
平台402和403均不必只受到一个销F的压力;即,可以受到两个销的压力。例如,从下模Em向上突起的一对销用于把平台406和407的背面406b和407b分别相对于端部406c和407c向上加压,同时从上模Dm向上突起的一对销用于把平台406和407的表面406a和407a相对于其它侧面或其它部分加压。
不必在引线412的端部412a中形成上述切块。即,引线412形成为容易在平台406和407倾斜时扭曲。另外,不必在引线412的端部412a中形成扭曲部分。即,扭曲部分可以形成在与端部412a分离的引线412的任意部分,指向矩形框部分411。
平台406和407不必因引线412的预定部分扭曲而倾斜。即,要求把引线412形成为支持平台406和407并容易使它们倾斜。例如,如图82A和82B所示,引线412形成为使其用来支持平台406和407的端部412a容易地弯曲并塑性变形和/或弹性变形。
在第五实施例中,磁性传感器芯片402和403倾斜成使其端部402b和403b指向模制树脂壳405的上表面405c,但这不是限制性的。即,磁性传感器芯片402和403应相互斜靠在框409上,使磁性传感器芯片403的敏感方向与A-B平面相交。
此外,磁性传感器芯片402和403不必粘结到平台406和407的表面406a和407a上。即,可以把至少一个磁性传感器芯片粘结到平台的背面上。
如上所述,第五实施例与其它实施例相比有多种技术特点,描述如下。
(1)互连构件布置在引线框的平台的两个侧端上,并布置成相对于通过平台的中心的中心轴线线性对称,互连构件具有塑性变形(和/或弹性变形)时能扭曲的扭曲部分。这里,互连构件在施加到平台上的压力下在其扭曲部分扭曲,从而容易斜靠在框上。
(2)可以对所有把多个磁性传感器芯片同时粘结到平台上、使平台倾斜、以及形成模制树脂的步骤使用同一金属模,其中模制树脂把磁性传感器芯片和平台囊封在模制树脂中。因而,能减少制造磁性传感器的步骤数,从而减少制造成本。
(3)销用于对平台加压,使其在金属模中倾斜,把熔化的树脂注入金属模中,以形成囊封磁性传感器芯片和平台的模制树脂,在平台之间有规定角度。这里,能精确地设定磁性传感器芯片的表面之间所形成的规定角度。当一个磁性传感器芯片有两个敏感方向而另一个磁性传感器芯片有一个敏感方向时,能以三维方式把磁性方位确定为一个向量;因此,能精确地测量磁性的三维方位。
6.封装和引线框
前述实施例(如,第四实施例)主要涉及的是包括分别以规定角倾斜的多个磁性传感器芯片的磁性传感器的单一封装。在此,可以设置多个每个均包括至少一个磁性传感器芯片的封装。例如,如图85A所示,多个封装,即,磁性传感器芯片S1和S2,它们分别以规定角倾斜,并且水平布置在同一基底上,使得磁性传感器芯片的敏感方向相交成锐角,其中它们覆盖有树脂盖帽或者由非磁性金属材料(如,铝)制成的金属盖帽。当然,它们可以如图85B所示垂直布置,其中(印刷电路)板的芯片安装总面积相对于图85A所示的水平配置可以减小。
图85A中,盖帽(简称为盖件)不必设置在板上以将磁性传感器芯片S1和S2囊封在其中。当盖件设置在基底上时,盖件的内部空间是空的,充满了规定的气体,其中磁性传感器芯片S1和S2均不必密封在树脂中,但是可以以中空的方式形成。盖件通过焊料粘接到基底上。由铜或铝制成的多层布线设置在树脂材料(如,聚酰亚胺或环氧树脂)制成的基底上,其中栅格销或球珠(grid pins or balls)形成在与板连接的基底的底面。
图85B所示的垂直配置与图85A所示的水平配置相比高度增加,其中总体厚度与传统技术的相比得以降低,在传统技术中,磁性传感器以三维方式物理配置。因此,可以降低板的芯片安装总面积。
当两组磁性传感器芯片(水平或垂直设置在基底上)布置在同一板上时,可以使用相同类型的芯片,该芯片在设计和生产上都是方便的。在此,两个敏感方向可以分别设定给平行配置的磁性传感器芯片上,或者敏感方向可以设定给垂直配置的磁性传感器方向上。
磁性传感器芯片S1和S2的水平配置具体方式示于图86中。前述磁性传感器芯片S1和S2可以布置在如图87A所示的用于便携式电话(或蜂窝电话)的预定板上,其中磁性传感器芯片S1和S2布置在CPU的两侧。图87A中,附图标记M1至M6表示存储器,M7表示程序储存芯片,C1和C2表示通讯芯片(其可以结合例如GPS(全球定位系统)功能),而C3表示具有规定功能的其他芯片,例如温度传感器芯片、倾度传感器芯片、GPS功能芯片和图形控制器芯片。图87B是沿图87A中线A-A′截取的纵截面图。
可以如图88所示,布置四个磁性传感器芯片S1至S4来围绕板上的CPU,其中附图标记A1表示布置一个储存器芯片(或多个储存器芯片)的区域,A2表示布置程序存储器芯片的区域,A3表示布置通讯芯片的区域,A4表示布置具有规定功能的其他芯片的区域。或者,可以如图89那样设计多芯片的封装,其中垂直耦合在一起的磁性传感器芯片S1和S2布置在CPU附近,同时多个存储器芯片在具有盖件的板上。多芯片的封装可以如图90设计,其中磁性传感器芯片S1和S2经由其上布置有CPU和储存器芯片的板而垂直布置。作为布置在板底面的端子,可以使用例如,BGA(球珠格栅阵列(Ball Grid Arry))和PGA(销格栅阵列(Pin Grid Array))。
下面,将描述应用于前述磁性传感器芯片的引线框的各种实例。图91A示出了包括与支承臂和弯曲部分互连的单一平台的引线框的第一实例,其中平台大致定位在引线框的中心,当平台倾斜时,支承臂并不如图91B所示弯曲。
图92A示出了包括与支承臂和弯曲部分互连的单一平台的引线框的第二实例,其中当平台倾斜时,支承臂相应弯曲,以减少在倾斜过程中的平台的位置偏移,如图91B所示。
图93A示出了包括与支承臂和弯曲部分互连的单一平台的引线框的第三实例,其中支承臂沿着平台的中心线对齐,因此如图93B所示关于其中心倾斜。因此,可以降低在倾斜过程中平台的位置偏移。
图94A示出了包括单一平台的引线框的第四实例,所述平台的四个角与弯曲部分互连,由此可以如图94B所示在360度范围之内在任何方向上倾斜平台。
图95A示出了包括单一平台的引线框的第五实例,其如图95B所示在突起变形时倾斜。
图96A示出了包括单一平台的引线框的第六实例,其如图96B所示通过部分切除其规定部分而倾斜,可以将平台稳定在倾斜状态。
图97A示出了包括单一平台的引线框的第七实例,其中支承臂沿着平台的中心线对齐,其如图97B所示通过弯曲部分向上和向下而倾斜。因而,可以在倾斜过程中相对于平台精确地定位。
由于本发明可以用多种形式来体现而不背离其精神和主要特征,所以,这些实施例是说明性而非限制性的,由于本发明的范围由所附的权利要求书而非前面的描述来定义,所以,权利要求包括其界限和范围内的所有改变或者其等效内容。

Claims (30)

1.一种在磁性传感器制造中使用的,由薄金属板制成的引线框,包括:
至少两个平台(6,7);
框(9),其具有多条引线(14),布置成包围平台;和
多个互连构件(12,13),有弹性形变能力,与框整体结合在一起并布置成把平台和框互连在一起。
2.根据权利要求1所述的引线框,其中,多个互连构件包括用来支持平台的多条拐角引线(12)和一条中心引线(13),中心引线的具体结构是布置在平台之间,以便把平台互连在一起。
3.根据权利要求1所述的引线框,其中,互连构件包括:易变形部分(12b),可以在受压时弹性形变;和弯曲部分(12a,13a),可以因塑性变形而弯曲。
4.根据权利要求3所述的引线框,还包括:多个第一突起部分(15),从平台指向框突起;和多个第二突起部分(14),从引线指向平台突起,其中,每个第一突起部分在薄金属板的厚度方向上与每个第二突起部分啮合。
5.根据权利要求1所述的引线框,其中,在互连构件中形成可以在受压时弹性形变的易变形部分(12b),其中,形成从引线指向平台突起的冲压件(43,44),以便在薄金属板的厚度方向上对平台加压。
6.根据权利要求4所述的引线框,其中,第一突起部分有突起(15b),第二突起部分有洞部分(14b),使第一和第二突起部分在突起与洞部分啮合时彼此部分重叠。
7.根据权利要求2所述的引线框,其中,在拐角引线(12)中形成可以在受压时弹性形变的易变形部分(12b),在平台附近的拐角引线端部处和平台附近的中心引线的选取部分处,形成可以随弹性形变而弯曲的弯曲部分(12a,13a)。
8.根据权利要求7所述的引线框,还包括多个突起部分(15),从平台指向框突起并与专门设计的引线(14)啮合,引线(14)从框指向平台突起。
9.根据权利要求7所述的引线框,其中,在布置在平台之间的中心引线的选取部分处形成突起(13b)。
10.一种磁性传感器(1)的制造方法,磁性传感器(1)把能在至少一个方向上感应磁场的至少一个磁性传感器芯片(2,3)囊封在模制树脂中,包括步骤:
提供由薄金属板制成的引线框(1),该引线框包括:至少两个平台(6,7);框(9),具有布置成包围平台的多条引线(4);和多个互连构件(12,13)用来把框和平台互连在一起;
使平台随互连构件的塑性变形而相对于框倾斜;
在压力下对平台加压,同时把框固定在预定的位置,从而使互连构件弹性形变;
把磁性传感器芯片粘结到平台上,同时把平台和框基本放在同一平面中;
将线(8)布置成把引线和磁性传感器芯片互连在一起;和
从压力下释放平台,从而使互连构件从其弹性形变状态恢复。
11.根据权利要求10所述的磁性传感器的制造方法,其中,互连构件在平台附近的弯曲部分(12a,13a)塑性变形,其中,互连构件在易变形部分(12b)弹性弯曲,易变形部分形成在互连构件(12)的选取位置用来支持平台。
12.根据权利要求10所述的磁性传感器的制造方法,其中,多个第一突起部分(15)从平台指向引线突起,同时,多个第二突起部分(14)从框指向平台突起,所述制造方法还包括步骤:
在互连构件从其弹性形变状态恢复之后,第一突起部分在薄金属板的厚度方向上部分地与第二突起部分重叠。
13.根据权利要求12所述的磁性传感器的制造方法,其中,第一突起部分有突起(15b),同时第二突起部分有洞部分(14b),使得突起和洞部分在第一突起部分与第二突起部分部分地重叠时彼此啮合。
14.一种磁性传感器(1)的制造方法,磁性传感器(1)把能在至少一个方向上感应磁性的至少一个磁性传感器芯片(2,3)囊封在模制树脂中,包括步骤:
制备由薄金属板制成的引线框(20),包括:至少两个平台(6,7);框(19),有包围平台的多条引线(4);多个互连构件(21,22),用来把平台与框互连;和多个冲压件(43,44),从引线指向平台突起;
把磁性传感器芯片(2,3)粘结到基本在框的同一平面中的每个平台上;
把磁性传感器芯片与引线布线在一起;和
互连构件弹性形变的同时,平台和冲压件在薄金属板的厚度方向上的位置处重叠,使平台分别以规定角度斜靠在框上。
15.一种在磁性传感器制造中使用的,由薄金属板制成的引线框,包括:
至少两个平台(106,107);
框(109),其具有包围平台的多条引线(104);
多个互连构件(112),用来把平台与框互连,其中互连构件有塑性变形和/或弹性变形的扭曲部分(112a);和
多个突起元件(113),分别从平台向上或下突起。
16.根据权利要求15所述的引线框,其中,每个平台与一对突起元件(113)互连,突起元件(113)经扭曲部分从互连构件延长出来。
17.一种磁性传感器的制造方法,包括步骤:
制备由薄金属板制成的引线框,该引线框包括:至少两个平台(106,107);框(109),有多条引线(104);多个互连构件(112),用来把平台与框互连;和多个突起元件(113),分别从平台向上或下突起;
把在至少一个方向上感应磁性的磁性传感器芯片粘结到每个平台上;
把引线与安装在平台上的磁性传感器芯片连线;
把引线框固定到金属模(D1,D2)中;
用金属模对突起元件加压,以便使平台斜靠在框上,使互连构件部分变形;和
把树脂材料注入金属模中,以便把安装在引线框的平台上的磁性传感器芯片囊封在树脂中。
18.根据权利要求17所示的磁性传感器的制造方法,其中,互连构件有扭曲部分(112a),突起元件用扭曲部分布置成分别用于多个平台,使得在闭合的金属模对突起元件加压时,平台倾斜,同时互连构件在扭曲部分部分变形。
19.一种在磁性传感器制造中使用的,由薄金属板制成的引线框,包括:
至少两个平台(206,207);
框(209),把多条引线(204)布置成包围平台;和
多个互连构件(212),用来把平台与框互连,其中,互连构件有分别布置在多个平台附近且可以随塑性变形和/或弹性变形而弯曲的弯曲部分(212a,212b)。
20.一种在磁性传感器制造中使用的,由薄金属板制成的引线框,包括:
至少两个平台(206,207);
框(219),有布置成包围平台的多条引线(204);
多个互连构件(212),用来把平台与框互连;和
至少一个平台互连构件(222),把平台相互互连在一起,其中,平台互连构件的形状能塑性变形。
21.根据权利要求20所述的引线框,其中,平台互连构件是把多个平台互连在一起的Z形。
22.根据权利要求20所述的引线框,其中,一对尺寸均减小了的平台互连构件布置成把平台的两个侧端互连在一起。
23.一种配备有至少一个磁性传感器芯片的磁性传感器的制造方法,所述磁性传感器芯片对预定的方向上的磁性分量敏感,所述方法包括步骤:
制备由薄金属板制成的引线框(210),包括:至少两个平台(206,207);框(209),有包围平台的多条引线(204);和多个互连构件(212),用来把平台与框互连;
把磁性传感器芯片(203,204)粘结到每个平台上;
把磁性传感器芯片与引线连线;和
互连构件塑性变形,以便使平台以规定角度斜靠在框上。
24.根据权利要求23所述的磁性传感器的制造方法,其中,引线框(220)还包括至少一个平台互连构件(222),用来把多个平台互连在一起,其中,所述平台互连构件在平台倾斜时塑性变形。
25.一种配备有至少一个磁性传感器芯片的磁性传感器的制造方法,所述磁性传感器芯片对预定的方向上的磁性分量敏感,所述方法包括步骤:
制备由薄金属板制成的引线框(210,220),包括:至少两个平台(206,207);框(209,219),有包围平台的多条引线(204);和多个互连构件(212),用来把平台与框互连;
把磁性传感器芯片(203,204)粘结到每个平台上;
把磁性传感器芯片与引线连线;和
使互连构件和平台的预定部分塑性变形,以便使平台以规定角度斜靠在框上。
26.一种配备有至少一个磁性传感器芯片的磁性传感器的制造方法,所述磁性传感器芯片对预定的方向上的磁性分量敏感,所述方法包括步骤:
制备由薄金属板制成的引线框(220),该引线框包括:至少两个平台(206,207);框(219),有包围平台的多条引线(204);多个互连构件(212),用来把平台与框互连;和至少一个平台互连构件(222),用来把多个平台相互互连在一起;
把磁性传感器芯片(203,204)粘结到每个平台上;
把磁性传感器芯片与引线连线;和
使平台互连构件塑性变形,以便使平台以规定角度斜靠在框上。
27.一种在磁性传感器制造中使用的,薄金属板制成的引线框,包括:
至少两个平台(406,407);
框(409),有布置成围绕平台的多条引线(404);和
多个互连构件(412),用来把平台和框互连的一起,
其中,把互连构件与平台的两个侧端互连,并对通过平台的中心的中心轴线线性对称,其中,互连构件有塑性变形和/或弹性变形时能扭曲的扭曲部分(412a)。
28.一种具有至少一个磁性传感器芯片的磁性传感器的制造方法,所述磁性传感器芯片对一个方向上的磁性分量敏感,所述方法包括步骤:
制备由薄金属板制成的引线框(410),包括:至少两个平台(406,407);框(409),有包围平台的多条引线(404);和多个互连构件(412),用来把平台与框互连;
把磁性传感器芯片(402,403)粘结到每个平台上;
把磁性传感器芯片与引线连线;
用销(F)使平台在金属模中倾斜,以便部分地使互连构件变形;和
把熔化的树脂注入到金属模中,从而把引线框和磁性传感器芯片模制在树脂中。
29.根据权利要求28所述的磁性传感器的制造方法,其中,互连构件有扭曲部分(412a),在销所施加的压力使平台在金属模中倾斜时,该扭曲部分(412a)随塑性变形和/或弹性变形而扭曲。
30.根据权利要求28或29所述的磁性传感器的制造方法,其中,每个销可缩回地插入到金属模中,以便对每个平台加压。
CNB031555071A 2002-07-29 2003-07-28 磁性传感器的制造方法及其引线框 Expired - Fee Related CN100346168C (zh)

Applications Claiming Priority (30)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2002220414 2002-07-29
JP220412/02 2002-07-29
JP220414/02 2002-07-29
JP220413/2002 2002-07-29
JP2002220415 2002-07-29
JP220411/02 2002-07-29
JP2002220413 2002-07-29
JP2002220411 2002-07-29
JP220415/02 2002-07-29
JP220415/2002 2002-07-29
JP220411/2002 2002-07-29
JP220412/2002 2002-07-29
JP220413/02 2002-07-29
JP2002220412 2002-07-29
JP220414/2002 2002-07-29
JP202106/03 2003-07-25
JP202105/2003 2003-07-25
JP2003202107A JP3823956B2 (ja) 2002-07-29 2003-07-25 磁気センサの製造方法およびリードフレーム
JP202107/03 2003-07-25
JP2003202104A JP3823954B2 (ja) 2002-07-29 2003-07-25 磁気センサの製造方法およびリードフレーム
JP202105/03 2003-07-25
JP202103/2003 2003-07-25
JP2003202106A JP4214853B2 (ja) 2002-07-29 2003-07-25 磁気センサ
JP202106/2003 2003-07-25
JP202107/2003 2003-07-25
JP202103/03 2003-07-25
JP2003202105A JP3823955B2 (ja) 2002-07-29 2003-07-25 磁気センサの製造方法およびリードフレーム
JP202104/2003 2003-07-25
JP2003202103A JP3823953B2 (ja) 2002-07-29 2003-07-25 磁気センサの製造方法およびリードフレーム
JP202104/03 2003-07-25

Related Child Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CNB2006100752884A Division CN100472833C (zh) 2002-07-29 2003-07-28 磁性传感器及传感器器件
CNB2007100057692A Division CN100514620C (zh) 2002-07-29 2003-07-28 磁性传感器的制造方法及其引线框

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN1490632A CN1490632A (zh) 2004-04-21
CN100346168C true CN100346168C (zh) 2007-10-31

Family

ID=30119563

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CNB031555071A Expired - Fee Related CN100346168C (zh) 2002-07-29 2003-07-28 磁性传感器的制造方法及其引线框

Country Status (5)

Country Link
US (4) US7187063B2 (zh)
EP (2) EP1892537B1 (zh)
KR (2) KR100563584B1 (zh)
CN (1) CN100346168C (zh)
TW (1) TWI255346B (zh)

Families Citing this family (50)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7206693B2 (en) 2003-04-15 2007-04-17 Honeywell International Inc. Method and apparatus for an integrated GPS receiver and electronic compassing sensor device
WO2005017456A1 (en) * 2003-04-15 2005-02-24 Honeywell International Inc. Method and apparatus for an integrated gps receiver and electronic compassing sensor device
US7596425B2 (en) * 2003-06-13 2009-09-29 Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. Substrate detecting apparatus and method, substrate transporting apparatus and method, and substrate processing apparatus and method
US7271586B2 (en) * 2003-12-04 2007-09-18 Honeywell International Inc. Single package design for 3-axis magnetic sensor
JP2005223221A (ja) * 2004-02-06 2005-08-18 Denso Corp 磁気検出装置およびその製造方法
JP4489485B2 (ja) 2004-03-31 2010-06-23 株式会社ルネサステクノロジ 半導体装置
US20050267550A1 (en) * 2004-05-28 2005-12-01 Medtronic Minimed, Inc. System and method for medical communication device and communication protocol for same
US7126330B2 (en) * 2004-06-03 2006-10-24 Honeywell International, Inc. Integrated three-dimensional magnetic sensing device and method to fabricate an integrated three-dimensional magnetic sensing device
JP4487696B2 (ja) * 2004-09-10 2010-06-23 ヤマハ株式会社 物理量センサ及び物理量センサの製造方法
US7290448B2 (en) * 2004-09-10 2007-11-06 Yamaha Corporation Physical quantity sensor, lead frame, and manufacturing method therefor
US7791180B2 (en) 2004-10-01 2010-09-07 Yamaha Corporation Physical quantity sensor and lead frame used for same
US20060076654A1 (en) * 2004-10-05 2006-04-13 Yamaha Corporation Lead frame and physical amount sensor
US7595548B2 (en) 2004-10-08 2009-09-29 Yamaha Corporation Physical quantity sensor and manufacturing method therefor
TWI280400B (en) * 2004-10-08 2007-05-01 Yamaha Corp Manufacturing method for physical amount sensors
JP2006214898A (ja) * 2005-02-04 2006-08-17 Seiko Epson Corp 圧電デバイス及び電子機器
TWI306297B (en) * 2005-02-18 2009-02-11 Yamaha Corp Lead frame, sensor including lead frame and method of forming sensor including lead frame
JP4151658B2 (ja) * 2005-02-18 2008-09-17 ヤマハ株式会社 物理量センサ、およびこれに使用するリードフレーム
US20060185452A1 (en) * 2005-02-22 2006-08-24 Yamaha Corporation Lead frame, sensor including lead frame, resin composition to be used for resin mold in the sensor, and sensor including the resin mold
KR100740358B1 (ko) 2005-02-25 2007-07-16 야마하 가부시키가이샤 센서 및 센서 형성 방법
US20060211176A1 (en) * 2005-03-09 2006-09-21 Shiga International Manufacturing method for physical quantity sensor using lead frame and bonding device therefor
KR100685439B1 (ko) * 2005-10-10 2007-02-22 (주) 아모센스 3축 자기센서의 패키지의 제조방법 및 여기에 사용되는 리드 프레임
JP4977378B2 (ja) * 2006-02-23 2012-07-18 山梨日本電気株式会社 磁気センサ、回転検出装置及び位置検出装置
US7420365B2 (en) 2006-03-15 2008-09-02 Honeywell International Inc. Single chip MR sensor integrated with an RF transceiver
US20080013298A1 (en) * 2006-07-14 2008-01-17 Nirmal Sharma Methods and apparatus for passive attachment of components for integrated circuits
US20080029855A1 (en) * 2006-08-04 2008-02-07 Yi-Ling Chang Lead Frame and Fabrication Method thereof
JP5622347B2 (ja) * 2006-08-09 2014-11-12 セイコーエプソン株式会社 慣性センサ装置
US7902655B1 (en) * 2006-08-15 2011-03-08 Marvell International Ltd. Multichip package leadframe including electrical bussing
JP2008117875A (ja) * 2006-11-02 2008-05-22 Renesas Technology Corp 半導体装置および半導体装置の製造方法
DE102006057384B4 (de) * 2006-12-04 2009-06-10 Micronas Gmbh Halbleiterbauelement und Verfahren zum Herstellen eines solchen
JP4795293B2 (ja) 2007-03-30 2011-10-19 ローム株式会社 半導体発光装置
EP2159588A4 (en) * 2007-06-19 2017-11-08 Alps Electric Co., Ltd. Magnetic detecting device, method for manufacturing magnetic detecting device, and angle detecting device, position detecting device and magnetic switch using the magnetic detecting device
FR2925311B1 (fr) * 2007-12-21 2009-12-18 Oreal Procede d'eclaircissement de fibres keratiniques humaines mettant en oeuvre une composition anhydre et une amine organique particuliere et dispositif approprie
DE202008005708U1 (de) * 2008-04-24 2008-07-10 Vishay Semiconductor Gmbh Oberflächenmontierbares elektronisches Bauelement
US20110075387A1 (en) * 2008-05-21 2011-03-31 Homer Steven S Strain Measurement Chips For Printed Circuit Boards
KR101037588B1 (ko) * 2009-01-14 2011-05-30 심현섭 백열등형 엘이디 조명등 장치
US20100206499A1 (en) * 2009-02-13 2010-08-19 Zilkha Biomass Acquisitions Company L.L.C. Methods for Producing Biomass-Based Fuel With Pulp Processing Equipment
DE102009001932A1 (de) * 2009-03-27 2010-09-30 Robert Bosch Gmbh Chipmodul und Verfahren zur Herstellung eines Chipmoduls
JP6105898B2 (ja) * 2012-10-26 2017-03-29 旭化成エレクトロニクス株式会社 磁気センサ及びその製造方法
KR101983633B1 (ko) 2012-11-30 2019-05-29 삼성전자 주식회사 반도체 장치 및 그 제조 방법
CN104730472A (zh) * 2013-12-20 2015-06-24 贵阳铝镁设计研究院有限公司 一种弹簧磁力计
US9673135B2 (en) 2014-01-13 2017-06-06 Altera Corporation Semiconductor device having mirror-symmetric terminals and methods of forming the same
US20150200156A1 (en) * 2014-01-13 2015-07-16 Altera Corporation Module having mirror-symmetric terminals and methods of forming the same
US10643929B2 (en) * 2014-05-12 2020-05-05 Texas Instruments Incorporated Cantilevered leadframe support structure for magnetic wireless transfer between integrated circuit dies
DE102014213591A1 (de) * 2014-07-11 2016-01-14 Continental Teves Ag & Co. Ohg Neutralteil für einen kundenspezifisch adaptierbaren Sensor
US9870985B1 (en) * 2016-07-11 2018-01-16 Amkor Technology, Inc. Semiconductor package with clip alignment notch
JP6555213B2 (ja) * 2016-08-23 2019-08-07 株式会社デンソー 位置検出装置
US10211128B2 (en) 2017-06-06 2019-02-19 Amkor Technology, Inc. Semiconductor package having inspection structure and related methods
US10910294B2 (en) 2019-06-04 2021-02-02 Amkor Technology Singapore Holding Pte. Ltd. Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device
NL2024891B1 (en) 2020-02-13 2021-09-15 Sencio B V Magnetic sensor assembly
DE102022124130A1 (de) * 2021-09-21 2023-03-23 Tdk Corporation Magnetsensor

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4954308A (en) * 1988-03-04 1990-09-04 Citizen Watch Co., Ltd. Resin encapsulating method
JPH0697323A (ja) * 1992-09-16 1994-04-08 Hitachi Ltd 半導体集積回路装置
JPH09148481A (ja) * 1995-11-24 1997-06-06 Hitachi Ltd 半導体装置およびその製造方法
US5712507A (en) * 1995-01-25 1998-01-27 Nec Corporation Semiconductor device mounted on die pad having central slit pattern and peripheral slit pattern for absorbing
US5866818A (en) * 1995-11-30 1999-02-02 Matsushita Electric Works, Ltd. Acceleration sensor device
JPH11281666A (ja) * 1998-03-30 1999-10-15 Japan Aviation Electronics Ind Ltd シリコン加速度センサ
US6169254B1 (en) * 1994-07-20 2001-01-02 Honeywell, Inc. Three axis sensor package on flexible substrate
JP2002156204A (ja) * 2000-11-21 2002-05-31 Asahi Kasei Corp 磁気センサ及び角度センサ

Family Cites Families (40)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0749960B2 (ja) 1984-12-28 1995-05-31 古野電気株式会社 地磁気による方位測定装置
JP2579995B2 (ja) * 1988-03-31 1997-02-12 株式会社東芝 磁気センサー
JPH0783082B2 (ja) * 1989-05-18 1995-09-06 株式会社東芝 半導体装置
US5311129A (en) * 1990-02-02 1994-05-10 Dornier Gmbh Local magnetic field measurement apparatus having gradiometers arranged on non-parallel, non-orthogonal surfaces
JP3280394B2 (ja) 1990-04-05 2002-05-13 ロックヒード マーティン コーポレーション 電子装置
JP3093813B2 (ja) 1991-03-29 2000-10-03 科学技術振興事業団 磁気センサ
JPH0552918A (ja) 1991-08-26 1993-03-02 Seiko Epson Corp 磁気センサー及び2次元磁気センサー及び3次元磁気センサー及び磁気測定装置及び磁気測定半導体装置
JP2807944B2 (ja) 1992-04-08 1998-10-08 三菱電機株式会社 混成集積回路装置及びその製造方法
JPH05315499A (ja) 1992-05-14 1993-11-26 Mitsubishi Electric Corp 半導体用リードフレーム
JP3133147B2 (ja) 1992-05-27 2001-02-05 ローム株式会社 イメージセンサ
JPH0653277A (ja) 1992-06-04 1994-02-25 Lsi Logic Corp 半導体装置アセンブリおよびその組立方法
JPH0685151A (ja) 1992-09-02 1994-03-25 Seiko Epson Corp 半導体装置とその製造方法
US5557116A (en) 1992-12-24 1996-09-17 Sharp Kabushiki Kaisha Semiconductor laser device and resin layer
EP0637196A4 (en) * 1993-01-15 1995-04-19 Vilyam Lazarevich Sanderov PROCESS FOR PRODUCING INTEGRATED MICROCIRCUITS.
JPH06236959A (ja) 1993-02-10 1994-08-23 Ibiden Co Ltd リードフレーム及び電子部品搭載基板
JPH0722667A (ja) 1993-06-18 1995-01-24 Showa Denko Kk 複合ホール素子
JP3109556B2 (ja) 1994-03-30 2000-11-20 山形県 パッケージ構造3軸加速度センサ、およびその製造方法
JP3842316B2 (ja) 1994-07-08 2006-11-08 セイコーインスツル株式会社 位置検出装置および傾斜センサ
JP3035175B2 (ja) 1994-08-08 2000-04-17 旭サナック株式会社 位置検出装置およびプレス成形装置
JPH0870087A (ja) 1994-08-26 1996-03-12 Ricoh Co Ltd リードフレーム
JP3259645B2 (ja) 1995-11-30 2002-02-25 松下電工株式会社 加速度センサ及びその製造方法
JPH09257511A (ja) 1996-03-22 1997-10-03 Nissan Motor Co Ltd 多次元実装構造と製造法
US6822443B1 (en) 2000-09-11 2004-11-23 Albany Instruments, Inc. Sensors and probes for mapping electromagnetic fields
JP3480285B2 (ja) 1997-02-27 2003-12-15 富士電機ホールディングス株式会社 半導体装置およびその製造方法
JP3285815B2 (ja) * 1998-03-12 2002-05-27 松下電器産業株式会社 リードフレーム,樹脂封止型半導体装置及びその製造方法
US6115261A (en) 1999-06-14 2000-09-05 Honeywell Inc. Wedge mount for integrated circuit sensors
US6304082B1 (en) * 1999-07-13 2001-10-16 Honeywell International Inc. Printed circuit boards multi-axis magnetometer
JP2001077303A (ja) 1999-09-06 2001-03-23 Toshiba Corp 半導体モジュール
JP2002043492A (ja) 2000-07-27 2002-02-08 Hitachi Ltd 半導体装置
DE10047213A1 (de) 2000-09-23 2002-04-11 Philips Corp Intellectual Pty Elektrisches oder elektronisches Bauteil und Verfahren zum Herstellen desselben
US6635987B1 (en) 2000-09-26 2003-10-21 General Electric Company High power white LED lamp structure using unique phosphor application for LED lighting products
JP2002118424A (ja) 2000-10-04 2002-04-19 Toyo Commun Equip Co Ltd 表面実装型圧電発振器
US6469907B1 (en) 2000-10-23 2002-10-22 Team Pacific, Corporation Packaging for power and other circuitry
JP2002176165A (ja) 2000-12-06 2002-06-21 Tokin Corp 半導体磁気センサ
JPWO2002052221A1 (ja) 2000-12-27 2004-04-30 株式会社ブリヂストン 変位センサ
JPWO2002063730A1 (ja) 2001-02-05 2004-06-10 住友電気工業株式会社 光送信器
US6949927B2 (en) * 2001-08-27 2005-09-27 International Rectifier Corporation Magnetoresistive magnetic field sensors and motor control devices using same
US6686227B2 (en) 2002-02-01 2004-02-03 Stmicroelectronics, Inc. Method and system for exposed die molding for integrated circuit packaging
US7253079B2 (en) 2002-05-09 2007-08-07 The Charles Stark Draper Laboratory, Inc. Coplanar mounting member for a MEM sensor
US7290448B2 (en) 2004-09-10 2007-11-06 Yamaha Corporation Physical quantity sensor, lead frame, and manufacturing method therefor

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4954308A (en) * 1988-03-04 1990-09-04 Citizen Watch Co., Ltd. Resin encapsulating method
JPH0697323A (ja) * 1992-09-16 1994-04-08 Hitachi Ltd 半導体集積回路装置
US6169254B1 (en) * 1994-07-20 2001-01-02 Honeywell, Inc. Three axis sensor package on flexible substrate
US5712507A (en) * 1995-01-25 1998-01-27 Nec Corporation Semiconductor device mounted on die pad having central slit pattern and peripheral slit pattern for absorbing
JPH09148481A (ja) * 1995-11-24 1997-06-06 Hitachi Ltd 半導体装置およびその製造方法
US5866818A (en) * 1995-11-30 1999-02-02 Matsushita Electric Works, Ltd. Acceleration sensor device
JPH11281666A (ja) * 1998-03-30 1999-10-15 Japan Aviation Electronics Ind Ltd シリコン加速度センサ
JP2002156204A (ja) * 2000-11-21 2002-05-31 Asahi Kasei Corp 磁気センサ及び角度センサ

Also Published As

Publication number Publication date
US7541665B2 (en) 2009-06-02
KR20040026125A (ko) 2004-03-27
US20060220193A1 (en) 2006-10-05
KR100563584B1 (ko) 2006-03-22
TW200417746A (en) 2004-09-16
EP1892537B1 (en) 2011-05-25
TWI255346B (en) 2006-05-21
US20070099349A1 (en) 2007-05-03
US20060006863A1 (en) 2006-01-12
KR20050107315A (ko) 2005-11-11
US20040103530A1 (en) 2004-06-03
EP1892537A2 (en) 2008-02-27
EP1387146A3 (en) 2006-05-31
KR100562096B1 (ko) 2006-03-17
CN1490632A (zh) 2004-04-21
EP1387146A2 (en) 2004-02-04
US7187063B2 (en) 2007-03-06
US7494838B2 (en) 2009-02-24
EP1892537A3 (en) 2010-03-24
US8138757B2 (en) 2012-03-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN100346168C (zh) 磁性传感器的制造方法及其引线框
CN1187822C (zh) 半导体装置及其制造方法和电子装置
CN1215537C (zh) 具有树脂封壳的元件
CN1294596C (zh) 磁随机存取存储器及其读出方法、制造方法
CN1681117A (zh) 半导体元件及其晶片级芯片尺寸封装
CN1279538C (zh) 磁头的引线导体部件、万向架组件及其测试和制造方法
CN1669138A (zh) 半导体器件
CN1527370A (zh) 半导体器件的制造方法
CN1612322A (zh) 半导体集成电路器件的制造方法
CN1568546A (zh) 半导体器件及其制造方法
CN1941348A (zh) 继电板及具有继电板的半导体器件
CN1292635A (zh) 布线电路衬底及其制造方法
CN1490818A (zh) 薄膜磁性体存储器及与之相关的半导体集成电路器件
CN1613009A (zh) 生物传感器、生物传感器芯片以及生物传感器装置
CN1329261A (zh) 平台与光模块及其制造方法和光传输装置
CN1581500A (zh) 固态成像装置及其制造方法
CN1275783A (zh) 封装的固体电解电容器及其制造方法
CN1468177A (zh) 卡型记录媒体及其制造方法
CN1574302A (zh) 半导体器件
CN2842732Y (zh) 半导体元件及其晶片级芯片尺寸封装
CN1969217A (zh) 反射镜器件、反射镜阵列、光开关及其制造方法
CN1603898A (zh) 液晶显示装置及其制造方法
CN1926437A (zh) 电路基板的检查装置和电路基板的检查方法
CN1222036C (zh) 半导体器件制造方法和半导体器件的制造装置
CN100343967C (zh) 测试平板显示器的探针及其制造方法

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
REG Reference to a national code

Ref country code: HK

Ref legal event code: DE

Ref document number: 1060912

Country of ref document: HK

C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
REG Reference to a national code

Ref country code: HK

Ref legal event code: WD

Ref document number: 1060912

Country of ref document: HK

CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20071031

Termination date: 20150728

EXPY Termination of patent right or utility model