JP4214853B2 - 磁気センサ - Google Patents
磁気センサ Download PDFInfo
- Publication number
- JP4214853B2 JP4214853B2 JP2003202106A JP2003202106A JP4214853B2 JP 4214853 B2 JP4214853 B2 JP 4214853B2 JP 2003202106 A JP2003202106 A JP 2003202106A JP 2003202106 A JP2003202106 A JP 2003202106A JP 4214853 B2 JP4214853 B2 JP 4214853B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- magnetic sensor
- package
- magnetic
- sensor chip
- chips
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
- H01L2224/491—Disposition
- H01L2224/4912—Layout
- H01L2224/49171—Fan-out arrangements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01005—Boron [B]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/181—Encapsulation
Landscapes
- Hall/Mr Elements (AREA)
- Measuring Magnetic Variables (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Description
【発明の属する技術分野】
この発明は、磁界の方位を測定する磁気センサに関する。
【0002】
【従来の技術】
従来より、外部磁界の方位測定のために磁気を検出する磁気センサが提供されている(例えば、特許文献1参照。)。図28,29に示すように、磁気センサ51は、磁気センサチップ52と、この磁気センサチップ52を外部に対して電気的に接続するための複数のリード53と、これらを一体的に固定する樹脂モールド部54とからなる。
【0003】
磁気センサチップ52は、X軸とY軸とにより画定される平面(以下、X−Y平面と略す)に沿ってステージ55上に配されており、外部磁界のX軸方向、Y軸方向の磁気成分をそれぞれ検出するようになっている。
各リード53の基端部53aは、金属製のワイヤー56により磁気センサチップ52と電気的に接続されており、リード53の先端部53bは、樹脂モールド部54の表面から突出している。
【0004】
このように構成された磁気センサ51は、以下の用途に利用することが検討されている。
例えば、磁気センサ51を体内に挿入するカテーテルの先端部やカメラ等の医療機器に搭載して、カテーテル先端の向きを検出したり、カメラの撮影方向を検出したりすることが検討されている。体内に挿入されたカテーテル先端の向きやカメラの方位は、3次元的に測定されることが求められている。
【0005】
また、例えば、磁気センサ51を携帯端末装置に搭載して、この携帯端末装置により地磁気を検出して方位測定を行い、測定された方位を表示パネルに表示するナビゲーション機能を携帯端末装置に付加することが検討されている。この地磁気の方位を正しく測定するためには、地磁気の3次元的な方位を測定する必要がある。
【0006】
【特許文献1】
特開平5−52918号公報
【0007】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記の磁気センサチップ51においては、外部磁界の方位測定を行う際に、磁気センサチップ51のX−Y平面が外部磁界の方向に対して必ずしも平行になるとは限らない。このため、外部磁界の方向が磁気センサチップ51のX−Y平面に対して交差している場合には、外部磁界のX軸方向およびY軸方向の磁気成分のみを検出し、X−Y平面に直交する方向の磁気成分を検出することができなかった。したがって、外部磁界の3次元的な方位を正しく測定することができないという問題があった。
【0008】
そこで、実際の外部磁界の3次元的な方位を正しく測定するために、図30に示すように、磁気センサ51と共に、X―Y平面に直交するZ軸方向に向けて、Z軸方向の磁気成分を測定する磁気センサチップ62を備えた磁気センサ61を基板63の表面63aに配した磁気センサユニット64が提案されている。
【0009】
一方で、磁気センサは、携帯端末装置やカテーテル、カメラ等の体内に挿入する医療機器への搭載が検討されているため、その小型化が求められている。
しかしながら、上記の磁気センサユニット64では、磁気センサ61を基板63の表面63aに対して直交させた状態で搭載する構成であるため、磁気センサユニット64のZ軸方向に沿った厚さ寸法が大きくなるという問題があった。
また、2つの磁気センサ51,61を製造する必要があるため、製造コストが増加するという問題があった。
【0010】
この発明は、上述した事情に鑑みてなされたものであって、磁界の3次元的な方位を正しく測定すると共に、小型化を図ることができる磁気センサを提供することを目的としている。
【0011】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するために、この発明は以下の手段を提案している。
本発明は、それぞれ磁界の2方向の磁気成分に対して感応する2つの磁気センサチップと、薄板状の金属板にプレス加工もしくはエッチング加工、あるいはこの両方の加工を施したリードフレームに含めて製作されて前記2つの磁気センサチップを個別に搭載する2つのステージとを備え、各ステージは、前記リードフレームに塑性変形または弾性変形、もしくはこれら両方を含む変形を施すことで、所定の角度に傾斜され、前記2つの磁気センサチップは、各々の2つの感応方向を含む平面が相互に鋭角に交差するように、それぞれ各ステージに固定されると共に、同一パッケージ内に配置されることを特徴とする磁気センサを提案している。
【0012】
この発明に係る磁気センサを構成する2つの磁気センサチップは、各々の平面内のあらゆる方向の磁気成分を検出できる。また、各々の平面が相互に交差するため、これら2つの磁気センサチップにより、3次元空間内の4つの磁気成分を検出することが可能となる。したがって、磁界の方位を3次元空間内のベクトルとして測定することができる。
【0013】
また、例えば、2つの磁気センサチップが感応する方向を含む平面を互いに鋭角に交差させた場合には、互いに直交させるように配置する場合と比較して、磁気センサの厚さ寸法の増加を抑えることができる。
さらに、2つの感応方向を有する磁気センサチップを使用するため、一種類の磁気センサチップにより磁気センサを構成することが可能となり、製造コストの増加を抑えることができる。
【0014】
また、この発明に係る磁気センサによれば、複数の磁気センサチップがパッケージ内において傾斜した状態に確実に保持できる。また、パッケージ底面を回路基板の表面に合わせるように、磁気センサを配置するだけでよいので、磁気センサを容易に回路基板に搭載することができる。
【0015】
また、本発明は、前記2つの磁気センサチップの2つの感応方向を含む平面が、前記パッケージ底面に対して傾斜すると共に、相互に逆向きに傾斜している磁気センサを提案している。
【0016】
また、本発明は、相互に対向する2つの磁気センサチップの一端部が前記パッケージの上面側に向くように、前記平面が傾斜していることを特徴とする磁気センサを提案している。
【0017】
また、本発明は、相互に対向する2つの磁気センサチップの一端部が前記パッケージの底面側に向くように、前記平面が傾斜していることを特徴とする磁気センサを提案している。
【0018】
また、本発明は、2つの磁気センサチップの配列方向に直交する前記磁気センサチップの幅方向の一方の端部が前記パッケージの上面側を向くように、前記平面が傾斜していることを特徴とする磁気センサを提案している。
【0019】
また、本発明は、一方の磁気センサチップの2つの感応方向を含む平面が前記パッケージの底面に対して傾斜し、他方の磁気センサチップの2つの感応方向を含む平面が前記パッケージの底面と平行となるように配置されていることを特徴とする磁気センサを提案している。
【0020】
また、本発明は、一方の磁気センサチップが、前記パッケージの上面側に向く一方のステージの表面に搭載され、他方の磁気センサチップが、前記パッケージの底面側に向く他方のステージの裏面に搭載されていることを特徴とする磁気センサを提案している。
【0021】
また、本発明は、前記リードフレームに含めて製作され、前記2つのステージの周囲に配されると共に前記2つの磁気センサチップに電気接続される複数のリードを備え、前記パッケージ内部に配されて前記磁気センサチップに対向する前記リードの基端部は、前記パッケージの底面よりも上方に位置し、前記磁気センサチップは、前記リードの基端部よりも下方側に配置されていることを特徴とする磁気センサを提案している。
【0022】
また、本発明は、一方の磁気センサチップの2つの感応方向が、それぞれ他方の磁気センサチップの2つの感応方向を含む平面に対して鋭角に交差していることを特徴とする磁気センサを提案している。
【0032】
【発明の実施の形態】
図1から図3はこの発明に係る一実施形態を示しており、この実施の形態に係る磁気センサは、外部磁界の向きと大きさを測定するものである。この磁気センサ1は、図1,2に示すように、2つの磁気センサチップ(第1の磁気センサチップ、第2の磁気センサチップ)2,3と、これら磁気センサチップ2,3を外部に対して電気的に接続するための複数のリード4と、これら磁気センサチップ2,3およびリード4を一体的に固定する樹脂モールド部(パッケージ)5とからなる。
【0033】
磁気センサチップ2,3は、平面視矩形の板状に形成されており、それぞれステージ6,7にそれぞれ搭載されている。また、これら磁気センサチップ2,3は、樹脂モールド部5の内部に埋まっており、各リード4の基端部4aよりも樹脂モールド部5の上面5c側に配置されている。さらに、これら磁気センサチップ2,3は、樹脂モールド部5の下面(底面)5aに対して傾斜すると共に、磁気センサチップ2,3の一端部2b,3bが樹脂モールド部5の上面5c側に向くと共に、その表面2a,3aが相互に角度θをもって鋭角に傾斜している。
なお、ここで鋭角とは、ステージ6の表面6aと、ステージ7の裏面7bとのなす角度θである。
【0034】
磁気センサチップ2は、外部磁界の2方向の磁気成分に対してそれぞれ感応するものであり、これら2つの感応方向は、磁気センサチップ2の表面2aに沿って互いに直交する方向(A方向およびB方向)となっている。
また、磁気センサチップ3は、外部磁界の1方向の磁気成分に対して感応するものであり、その感応方向は、磁気センサチップ3の表面3aに沿って、かつ、A,B方向により画定される平面(A−B平面)と鋭角に交差する方向(C方向)となっている。
【0035】
各リード4は、銅材等の金属材料からなり、基端部4a、先端部4b、およびこれら基端部4aおよび先端部4bを連結する連結部4cとから形成され、クランク状の断面形状を有する。
各リード4の基端部4aは、その一部が樹脂モールド部5の内部に埋まっており、金属製のワイヤー8により磁気センサチップ2,3と電気的に接続されている。また、各リード4の先端部4bおよび連結部4cは、樹脂モールド部5の側面5bの外方に位置しており、先端部4bは、樹脂モールド部5の下面5aよりも下方に配置されている。
【0036】
以上のように構成された磁気センサ1の製造方法について説明する。
はじめに、薄板状の金属板にプレス加工もしくはエッチング加工、あるいはこの両方の加工を施すことにより、リード4およびステージ6,7が一体的につなぎ合わされたリードフレーム(図示せず)を形成する。次いで、リードフレームのうち、ステージ6,7の表面6a,7aにそれぞれ磁気センサチップ2,3を接着すると共に、ワイヤー8を配して磁気センサチップ2,3とリード4とを電気的に接続する。
【0037】
そして、ステージ6,7の部分を所定の角度に傾斜させるようにリードフレームに塑性変形または弾性変形、もしくはこれら両方を含む変形を施し、この状態にて樹脂モールド部5により磁気センサチップ2,3を固定する。最後に、各リード4およびステージ6,7を相互に切り離して、磁気センサ1の製造が終了する。
なお、上記の磁気センサ1の製造方法においては、リードフレームの変形の後に、磁気センサチップ2,3をステージ6,7に搭載し、ワイヤー8を配するとしてもよい。
【0038】
この磁気センサ1は、例えば、図示しない携帯端末装置内の回路基板に搭載される。この回路基板には、樹脂モールド部により包み込まれたLSI(Large Scale Integrated circuit;高密度集積回路)が別途搭載されており、このLSIは、磁気センサ1からの出力信号の処理を行う。この携帯端末装置では、磁気センサ1により測定した地磁気の方位を携帯端末装置の表示パネルに示すようになっている。以下に、磁気センサ1による地磁気の方位測定について説明する。
【0039】
すなわち、磁気センサチップ2,3は、A,B方向およびC方向に沿った地磁気成分をそれぞれ検出し、それぞれの地磁気成分に略比例した値Sa、SbおよびScを出力するようになっている。
ここで、地磁気方向がA−B平面に沿っている場合には、出力値Saは、図3に示すように、磁気センサチップ2のB方向が東または西を向いた際にそれぞれ最大値または最小値となり、B方向が南または北を向いている場合に0となる。
【0040】
また、出力値Sbは、磁気センサチップ2のB方向が北または南を向いている場合にそれぞれ最大値または最小値となり、B方向が東または西を向いている場合に0となる。
なお、グラフ中の出力値SaおよびSbは、規格化された値であり、実際に磁気センサ1から出力される値をLSIにおいて実際の出力値の最大値と最小値との差の1/2で除した値となっている。
【0041】
この際に、携帯端末装置の表示パネルに表示する方位は、東を0°として、南、西、および北の順に回転するにつれて角度の値が増大するように定義される方位aを、例えば、下記表1に示した数式に基づいて決定する。
【0042】
【表1】
【0043】
また、地磁気方向がA−B平面に対して交差している場合には、磁気センサチップ2に加えて、磁気センサチップ3によりC方向に沿った地磁気成分を検出し、この地磁気成分に略比例した値Scを出力する。
なお、出力値Scは、出力値Sa、Sbと同様に、実際に磁気センサ1から出力される値をLSIにおいて、実際の出力値の最大値と最小値との差の1/2で除した値となっている。
【0044】
そして、この出力値Scに基づいてA−B平面に直交する方向の地磁気成分の値を出力し、この値と出力値Sa、Sbとにより地磁気の方向を3次元空間内のベクトルとして測定する。
なお、A−B平面とC方向とがなす角度θは、0°よりも大きく、90°未満であり、理論上では、0°よりも大きい角度であれば3次元的な地磁気の方位を測定できる。ただし、実際上は20°以上であることが好ましく、30°以上であることがさらに好ましい。
【0045】
上記の磁気センサ1によれば、磁気センサチップ2によりA−B平面内のあらゆる方向の地磁気成分を検出すると共に、磁気センサチップ3によりC方向に沿う地磁気成分を検出する。したがって、地磁気の方位を3次元空間内のベクトルとして測定し、3次元的な地磁気の方位を正しく測定することができる。
【0046】
また、磁気センサチップ2,3を相互に鋭角に傾斜させているため、相互に直交させる場合と比較して、樹脂モールド部5の下面5aから上面5cまでの寸法すなわち、磁気センサ1の厚さ寸法を小さくすることができ、磁気センサ1の小型化を図ることが可能となる。
【0047】
さらに、2つの磁気センサチップ2,3が樹脂モールド部5の内部に埋められるため、磁気センサチップ2,3が傾斜した状態を確実に保持できる。
また、樹脂モールド部5の下面5aを回路基板の表面に合わせるように、磁気センサ1を配置するだけでよいので、磁気センサ1を容易に携帯端末装置に搭載することができる。
【0048】
なお、上記の実施の形態においては、磁気センサチップ2,3は、その一端部2b,3bが樹脂モールド部5の上面5c側に向くように傾斜するとしたが、これに限ることはなく、磁気センサチップ2,3が樹脂モールド部5の下面5aに対して傾斜していればよい。
例えば、図4に示すように、磁気センサチップ2,3の一端部2b,3bが樹脂モールド部5の下面側5aに向くように傾斜するとしてもよい。また、図5,6に示すように、端部2d,3dが樹脂モールド部5の上面5c側を向くように傾斜するとしてもよい。この場合には、磁気センサチップ3の感応方向を、A−B平面に交差させるように、例えば、磁気センサチップ3の表面3aに沿ってC方向に直交するD方向とする。
【0049】
また、磁気センサチップ2,3の表面2a,3aが、樹脂モールド部5の下面5aに対して傾斜するように配置するとしたが、これに限ることはなく、磁気センサチップ2,3が相互に傾斜していればよい。したがって、例えば、図7に示すように、磁気センサチップ2の表面2aが底面5aと平行となるように配置してもよい。
さらに、磁気センサチップ2,3をリード4の基端部4aよりも上方側に配置するとしたが、これに限ることはなく、例えば、図8に示すように、リード4の基端部4aよりも下方側に配置するとしてもよい。
【0050】
また、磁気センサチップ2,3は、ステージ6,7の表面6a,7aに接着するとしたが、これに限ることはなく、ステージ6,7の裏面6b,7bに接着するとしてもよい。例えば、図9に示すように、磁気センサチップ3のみをステージ7の裏面7bに接着するとしてもよい。
【0051】
また、樹脂モールド部5により磁気センサチップ2,3を固定するとしたが、これに限ることはなく、例えば、セラミックペーストを所定部分に充填し、これを焼結してセラミックパッケージを形成し、このセラミックパッケージにより磁気センサチップ2,3を固定するとしてもよい。
【0052】
さらに、磁気センサチップ3の感応方向はC方向やD方向に限ることはなく、磁気センサチップ3の感応方向がA−B平面に交差していればよい。
また、磁気センサチップ3の感応方向は、C方向やD方向の1つだけに限ることはなく、例えば、図10,11に示すように、磁気センサチップ3の表面3aに沿って交差する2方向(C方向、E方向)としてもよい。
【0053】
このように構成された磁気センサ20によれば、磁気センサチップ2,3の感応方向を含む平面が互いに交差するため、これら磁気センサチップ2,3により3次元空間内の4つの地磁気成分を検出することが可能となる。したがって、地磁気の方位を3次元空間内のベクトルとして測定し、地磁気の方位を正しく測定することができる。
【0054】
また、磁気センサチップ2,3の感応方向を互いに鋭角に交差させているため、互いに直交させる場合と比較して、磁気センサ20の厚さ寸法を小さくすることが可能となり、磁気センサ20の小型化を図ることができる。
さらに、2つの感応方向を有する磁気センサチップ2,3からなるため、1種類の磁気センサチップにより磁気センサ20を構成することが可能であり、製造コストの増加を抑えることができる。
【0055】
また、2つの磁気センサチップ2,3に限ることはなく、例えば、図12,13に示すように、3つの磁気センサチップ2,3,9を使用し、各々の磁気センサチップ2,3,9が地磁気の1方向の地磁気成分に対して感応するものとしてもよい。図中における磁気センサ2,3の各々の感応方向は、互いに直交する方向(F方向、G方向)となっており、磁気センサチップ9の感応方向は、磁気センサチップ2,3の各感応方向(F方向、G方向)により形成される平面(F−G平面)と交差する方向(H方向)である。
【0056】
このように構成された磁気センサ30によれば、磁気センサチップ2,3によりF−G平面のあらゆる方向の地磁気成分を検出できる。また、磁気センサチップ9によりF−G平面に交差する方向の地磁気成分を検出できるため、これら3つの磁気センサチップ2,3,9により3次元空間内の3つの地磁気成分を検出することになる。したがって、地磁気の方位を3次元空間内のベクトルとして測定することが可能となり、磁気センサ30の小型化を図ることができる。
【0057】
また、磁気センサチップ9の感応方向(H方向)をF−G平面に対して鋭角に交差させるため、F−G平面に対して直交させる場合と比較して、磁気センサ30の厚さ寸法の増加を抑えて、磁気センサ30の小型化を図ることができる。
さらに、1つの感応方向を有する磁気センサチップ2,3,9のみにより磁気センサ30を構成することができるため、製造コストの増加を抑えることができる。
【0058】
なお、上記の磁気センサ20,30においては、磁気センサ20,30の小型化を考慮しない場合には、磁気センサチップ2,3、もしくは磁気センサチップ2,3,9を相互に直交する方向に配置するとしてもよい。
また、磁気センサチップ2,3は平面視で斜めに配置してもよい。この場合には、樹脂の流れ込みが良好になる効果を奏する。
【0059】
また、磁気センサ1と樹脂モールド部により包み込まれたLSIとを携帯端末装置内の回路基板に別途搭載するとしたが、同一の樹脂モールド部により一体的に固定し、これら磁気センサ1とLSIとにより混成集積回路装置を構成するとしてもよい。この場合には、磁気センサ1とLSIとを上下方向に重ね合わせてもよいし、隣り合わせに配置するとしてもよい。
【0060】
さらに、磁気センサチップとLSIとを同一のリードフレーム上に接着し、この状態で同一の樹脂モールド部により一体的に固定するとしてもよい。
また、この混成集積回路装置は、同一の樹脂モールド部により一体的に固定せずに、磁気センサチップとLSIとを、各々別々の樹脂モールド部により包み込み、これらを金属製のステージに固定した構成であってもよい。
【0061】
さらに、各リード4は、クランク状の断面形状を有し、その先端部4bが樹脂モールド部5の下面5aよりも下方に配置されるとしたが、これに限ることはなく、リード4の一部が樹脂モールド部5の下面5a側に露出していればよい。
また、リード4、ワイヤー8の数および配置位置は、上記実施形態に限ることはなく、磁気センサチップの種類に応じて、磁気センサチップに対するワイヤー8の接着位置および接着する数を変えると共に、リード4の数および配置位置を変えるとしてよい。
【0062】
また、複数の磁気センサチップ2,3,9を同一の樹脂モールド部5により固定するとしたが、これに限ることはなく、少なくとも携帯端末装置に備える回路基板に実装した状態において、複数の磁気センサチップが相互に鋭角に傾斜していればよい。
すなわち、例えば、図14に示すように、2つの磁気成分に対して感応する1つの磁気センサチップ2を樹脂モールド部5の内部に固定すると共に、樹脂モールド部5の底面5aに対して傾斜させた磁気センサ40を複数用意する。そして、これら複数の磁気センサ40を同一の回路基板41の表面41aに沿って隣り合わせに配置すると共に、樹脂材料やアルミニウム等の非磁性金属材料からなる蓋体(被覆部)42により覆い隠して、磁気センサユニット43を構成するとしても構わない。
【0063】
ここで、蓋体42は、回路基板41に半田により接着されるものであり、回路基板41は、ポリイミドやエポキシ樹脂等の樹脂板に、銅やアルミニウムからなる多層配線を形成したものである。また、回路基板41の裏面41bには端子としてグリッドピン41cが形成されており、これらグリッドピン41cにより、回路基板41と携帯端末装置の実装基板(不図示)とが電気的に接続されることになる。無論、回路基板41は、グリッドピン41cを有するPGA(Pin Grid Array)に限ることはなく、BGA(Ball Grid Array)であってもよい。さらに、蓋体42および回路基板41により形成される空洞内には、ガスを充填しておくことが望ましいが、この蓋体42は、特に設けなくても構わない。
なお、磁気センサ40に搭載された各磁気センサチップ2,2は、図15に示すように、ワイヤーボンディング8により周囲に配されたリード4に電気的に接続されており、このリード4を回路基板41の多層配線と接続することにより、磁気センサチップ2,2と回路基板41とが電気的に接続されることになる。
【0064】
上記の磁気センサ40を用いて磁気センサユニット43を構成した場合には、磁界の方位を3次元空間内のベクトルとして測定して磁界の方位を正しく測定できると共に、磁気センサユニット43の厚さ寸法の増加を抑えて、小型化を図ることができる。
また、樹脂モールド部5の底面5aを回路基板41の表面41aに合わせるように、磁気センサ40を配置するだけでよいため、磁気センサ40を容易に回路基板41に搭載することができる。
【0065】
さらに、上述のように複数の磁気センサ40を表面に沿って隣り合わせに配することに限らず、例えば、図16に示すように、複数の磁気センサ40を回路基板41の表面41aに重ね合わせて磁気センサユニット44を構成するとしても構わない。この構成の場合においては、従来の磁気センサユニットと比較して厚さ寸法を小さく抑えることができることに加え、回路基板41の表面積を小さく形成することが可能となるため、磁気センサユニットの小型化を図ることができる。
また、上記の磁気センサユニット43,44は、1種類の磁気センサ40により構成されるため、磁気センサユニットの製造コスト削減を図ることができる。
【0066】
また、上記の磁気センサ40は、例えば、図17に示すように、携帯端末装置に設けられる回路基板41の表面41aに、CPU等の他の電子部品と共に2つ搭載されるとしてもよい。また、これら磁気センサ40は、回路基板41の中央に搭載されたCPUの両側に配されるとしてもよい。なお、他の電子部品としては、CPUの他に、各種情報を記憶するメモリチップM1〜M6、各種プログラムを記憶するプログラム記憶チップM7、無線通信を行う通信機能チップC1,C2、および、温度センサチップ、傾きセンサチップ、GPS(Global Positioning System)機能チップ、グラフィック制御チップのいずれかの機能を有する付加機能チップC3がある。
【0067】
さらに、例えば、図18に示すように、4つの磁気センサ40を予め用意しておき、これら4つの磁気センサ40が、CPUを囲むように回路基板41の表面41aに搭載されるとしても構わない。
なお、回路基板41の表面41aには、メモリチップを搭載する第1の搭載領域A1、プログラム記憶チップを搭載する第2の搭載領域A2、通信機能チップを搭載する第3の搭載領域A3、および、前述した付加機能チップを搭載する第4の搭載領域A4も形成されている。
【0068】
また、上記のように、CPUや複数のメモリチップを携帯端末装置の回路基板41の表面41aに設ける場合においても、図19に示すように、前述と同様に回路基板41の表面41aに複数の磁気センサ40を重ね合わせて搭載しても構わない。なお、この構成においても、蓋体42は、特に設けなくてもよい。
さらに、図20に示すように、一方の磁気センサ40を回路基板41の表面41aに搭載し、他方の磁気センサ40を回路基板41の裏面41bに搭載する構成としても構わない。この構成の場合には、2つの磁気センサ40を回路基板41の表面41aに重ね合わせた場合と同様に、従来の磁気センサユニットと比較して厚さ寸法を小さく抑えることができることに加え、回路基板41の表面積を小さく形成することが可能となるため、磁気センサユニットの小型化を図ることができる。
【0069】
なお、前述した磁気センサユニット43,44は、同一の磁気センサチップ2を備えた複数の磁気センサ40により構成されるとしたが、これに限ることはなく、少なくとも複数の磁気センサチップにより、地磁気の方位を3次元空間内のベクトルとして測定できる構成となっていればよい。
すなわち、例えば、1つの磁気成分に対して感応する1つの磁気センサチップを備えた磁気センサを用いて磁気センサユニットを構成するとしても良い。ただし、この構成の場合には、少なくとも3つの磁気センサを用いると共に、3つの磁気センサチップの感応方向が相互に交差していることが必要となる。
また、例えば、1つの磁気成分に対して感応する1つの磁気センサチップを備えた一の磁気センサと、2つの磁気成分に対して感応する磁気センサチップを備えた他の磁気センサとにより磁気センサユニットを構成するとしても構わない。この構成の場合には、一の磁気センサの感応方向が、他の磁気センサの2つの感応方向に対して交差させるように、2つの磁気センサを回路基板41に配する必要がある。
さらに、例えば、本発明の一実施形態において述べた2つ以上の磁気センサチップを有する一の磁気センサ1,20,30と、少なくとも1つの磁気成分に対して感応する磁気センサチップを備えた他の磁気センサとにより磁気センサユニットを構成するとしても良い。なお、この構成においては、他の磁気センサの感応方向が、一の磁気センサ1,20,30の3つの感応方向に対して交差することが好ましい。
【0070】
また、磁気センサ40を構成する場合には、以下に示すリードフレームを利用する。
すなわち、例えば、図21に示すように、磁気センサチップを搭載する1つのステージ部71と、その周囲に配されるフレーム部72と、ステージ部71およびフレーム部72を連結する連結部73とを有する金属製薄板からなるリードフレーム75を用いる。
この連結部73は、フレーム部72からステージ部71側に延びる支持部76と、ステージ部71と支持部76との間に形成された折り曲げ部77とを備えており、折り曲げ部77を変形させることによりステージ部71が傾斜することになる。なお、支持部76は変形しないように形成されている。
また、例えば、折り曲げ部76を形成せずに、図22に示すように、リードフレーム75の支持部76を捻り変形可能とし、この支持部76の変形によりステージ部71を傾斜させるとしてもよい。これらの構成の場合には、ステージ部71の傾斜に伴うステージ部71の位置のずれを防止できる。
【0071】
さらに、例えば、図23に示すように、捻り変形可能な支持部76をステージ部71の中央線に沿って位置させてリードフレーム75を構成するとしても良い。この構成の場合には、前述の2種類のリードフレーム75よりもステージ部71の傾斜に伴うステージ部71の位置のずれを抑制できる。
また、例えば、図24に示すように、平面視矩形状に形成されたステージ部71の各角部に、フレーム部72に連結する折り曲げ部77を設けてリードフレーム75を構成してもよい。この構成の場合には、ステージ部71をリードフレーム75の厚さ方向に沿う軸線回りのあらゆる方向に傾斜させることが可能となるため、磁気センサの製造が容易となる。
【0072】
さらに、例えば、図25に示すように、リードフレーム75は、ステージ部71の周縁部にリードフレーム75の厚さ方向に突出する突出片78を形成した構成としても構わない。また、例えば、図26に示すように、リードフレーム75は、ステージ部71の一部を切り欠き、この切欠部に囲まれた部分をリードフレーム75の厚さ方向に折り曲げて突出片78を形成した構成としてもよい。これら構成の場合には、突出片78によりステージ部71を傾斜させることができるため、ステージ部71をより安定した状態で傾斜させることが可能となる。
【0073】
また、例えば、図27に示すように、捻り変形可能な支持部76をステージ部71の中央線に沿って位置させると共に、中央線を挟んだステージ部71の両端にリードフレーム75の厚さ方向に突出する突出部78を形成してリードフレーム75を構成しても良い。なお、ステージ部71の一端に形成された突出部は、他端に形成された突出部と逆の方向に突出している。
この構成の場合には、ステージ部71の傾斜に伴うステージ部71の位置のずれを抑制できると共に、ステージ部71をより安定した状態で傾斜させることが可能となる。
【0074】
また、上述した全ての磁気センサ1,20,30,40は、樹脂モールド部5により一体的に固定されるとしたが、これに限ることはなく、少なくとも磁気センサチップが外方から見えないように構成されていればよく、例えば、内部に空洞を有する箱状部材により磁気センサ1,20,30,40のパッケージを構成するとしても構わない。なお、箱状部材によりパッケージを構成する場合には、空洞内を外方に対して密閉すると共に、内部にガスを充填することが好ましい。
【0075】
また、磁気センサ1,20,30や磁気センサユニット43,44を携帯端末装置に搭載するとしたが、この構成に限定されることなく、カテーテルやカメラ等の体内に挿入する医療機器に搭載してもよい。例えば、体内に挿入したカメラの方位を測定する場合には、体を貫通する磁界を発生させて、磁気センサ1,20,30や磁気センサユニット43,44によりその磁界の方向を測定させる。これにより、磁気センサ1,20,30や磁気センサユニット43,44と磁界との相対的な角度を3次元的に測定することができるため、磁界の方向を基準として、カメラの方位を正しく検出することができる。
【0076】
以上、本発明の実施形態について図面を参照して詳述したが、具体的な構成はこの実施形態に限られるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲の設計変更等も含まれる。
【0077】
【発明の効果】
本発明によれば、2つの磁気センサチップにより3次元空間内の4つの磁気成分を検出することになり、磁界の方位を3次元空間内のベクトルとして測定するため、磁界の方位を正しく測定できる。
【0081】
また、例えば、2つの磁気センサチップの感応方向を互いに鋭角に交差させた場合には、磁気センサの厚さ寸法の増加を抑え、磁気センサの小型化を図ることができる。
さらに、2つの感応方向を有する磁気センサチップを使用するため、1種類の磁気センサチップにより磁気センサを構成することが可能となり、製造コストの増加を抑えることができる。
【0082】
また、本発明によれば、複数の磁気センサチップがパッケージ内において傾斜した状態に確実に保持できる。また、パッケージ底面を回路基板の表面に合わせるように、磁気センサを配置するだけでよいので、磁気センサを容易に回路基板に搭載することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 この発明の一実施形態に係る磁気センサを示す平面図である。
【図2】 図1の磁気センサの側面図である。
【図3】 図1の磁気センサの表面が地磁気の方向に沿って配されている場合における磁気センサの出力値Sa、Sbを示すグラフである。
【図4】 この発明の他の実施形態に係る磁気センサを示す側面図である。
【図5】 この発明の他の実施形態に係る磁気センサを示す平面図である。
【図6】 図5の磁気センサの側面図である。
【図7】 この発明の他の実施形態に係る磁気センサを示す側面図である。
【図8】 この発明の他の実施形態に係る磁気センサを示す側面図である。
【図9】 この発明の他の実施形態に係る磁気センサを示す側面図である。
【図10】 この発明の他の実施形態に係る磁気センサを示す平面図である。
【図11】 図10の磁気センサの側面図である。
【図12】 この発明の他の実施形態に係る磁気センサを示す平面図である。
【図13】 図12の磁気センサの側面図である。
【図14】 この発明の他の実施形態に係る磁気センサを用いて構成した磁気センサユニットを示す側面図である。
【図15】 図14に示す磁気センサにおいて、磁気センサチップと回路基板との電気的な接続を示す拡大図である。
【図16】 この発明の他の実施形態に係る磁気センサを用いて構成した磁気センサユニットを示す側面図である。
【図17】 この発明の他の実施形態に係る磁気センサを携帯端末装置の回路基板に搭載した状態を示しており、(a)は平面図、(b)は(a)のA−A矢視断面図である。
【図18】 この発明の他の実施形態に係る磁気センサを携帯端末装置の回路基板に搭載した状態を示す平面図である。
【図19】 この発明の他の実施形態に係る磁気センサを携帯端末装置の回路基板に搭載した状態を示す側面図である。
【図20】 この発明の他の実施形態に係る磁気センサを携帯端末装置の回路基板に搭載した状態を示す側面図である。
【図21】 磁気センサを構成するリードフレームの例を示しており、(a)は平面図、(b)は(a)のA−A矢視断面図である。
【図22】 磁気センサを構成するリードフレームの例を示しており、(a)は平面図、(b)は(a)のA−A矢視断面図である。
【図23】 磁気センサを構成するリードフレームの例を示しており、(a)は平面図、(b)は(a)のA−A矢視断面図である。
【図24】 磁気センサを構成するリードフレームの例を示しており、(a)は平面図、(b)は(a)のA−A矢視断面図である。
【図25】 磁気センサを構成するリードフレームの例を示しており、(a)は平面図、(b)は(a)のA−A矢視断面図である。
【図26】 磁気センサを構成するリードフレームの例を示しており、(a)は平面図、(b)は(a)のA−A矢視断面図である。
【図27】 磁気センサを構成するリードフレームの例を示しており、(a)は平面図、(b)は(a)のA−A矢視断面図である。
【図28】 従来の磁気センサの一例を示す平面図である。
【図29】 図28の磁気センサの側面図である。
【図30】 従来の磁気センサユニットの一例を示す斜視図である。
【符号の説明】
1,20,30,40・・・磁気センサ、2・・・磁気センサチップ(第1の磁気センサチップ)、3・・・磁気センサチップ(第2の磁気センサチップ)、5・・・樹脂モールド部(パッケージ)、5a・・・下面(底面)、9・・・磁気センサチップ(第3の磁気センサチップ)、41・・・回路基板、41a・・・表面、41b・・・裏面、42・・・蓋体、43,44・・・磁気センサユニット
Claims (9)
- それぞれ磁界の2方向の磁気成分に対して感応する2つの磁気センサチップと、
薄板状の金属板にプレス加工もしくはエッチング加工、あるいはこの両方の加工を施したリードフレームに含めて製作されて前記2つの磁気センサチップを個別に搭載する2つのステージとを備え、
各ステージは、前記リードフレームに塑性変形または弾性変形、もしくはこれら両方を含む変形を施すことで、所定の角度に傾斜され、
前記2つの磁気センサチップは、各々の2つの感応方向を含む平面が相互に鋭角に交差するように、それぞれ各ステージに固定されると共に、同一パッケージ内に配置されることを特徴とする磁気センサ。 - 前記2つの磁気センサチップの2つの感応方向を含む平面が、前記パッケージ底面に対して傾斜すると共に、相互に逆向きに傾斜している請求項1に記載の磁気センサ。
- 相互に対向する2つの磁気センサチップの一端部が前記パッケージの上面側に向くように、前記平面が傾斜していることを特徴とする請求項2に記載の磁気センサ。
- 相互に対向する2つの磁気センサチップの一端部が前記パッケージの底面側に向くように、前記平面が傾斜していることを特徴とする請求項2に記載の磁気センサ。
- 2つの磁気センサチップの配列方向に直交する前記磁気センサチップの幅方向の一方の端部が前記パッケージの上面側を向くように、前記平面が傾斜していることを特徴とする請求項2に記載の磁気センサ。
- 一方の磁気センサチップの2つの感応方向を含む平面が前記パッケージの底面に対して傾斜し、
他方の磁気センサチップの2つの感応方向を含む平面が前記パッケージの底面と平行となるように配置されていることを特徴とする請求項1に記載の磁気センサ。 - 一方の磁気センサチップが、前記パッケージの上面側に向く一方のステージの表面に搭載され、
他方の磁気センサチップが、前記パッケージの底面側に向く他方のステージの裏面に搭載されていることを特徴とする請求項1から請求項6のいずれか1項に記載の磁気センサ。 - 前記リードフレームに含めて製作され、前記2つのステージの周囲に配されると共に前記2つの磁気センサチップに電気接続される複数のリードを備え、
前記パッケージ内部に配されて前記磁気センサチップに対向する前記リードの基端部は、前記パッケージの底面よりも上方に位置し、
前記磁気センサチップは、前記リードの基端部よりも下方側に配置されていることを特徴とする請求項1から請求項7のいずれか1項に記載の磁気センサ。 - 一方の磁気センサチップの2つの感応方向が、それぞれ他方の磁気センサチップの2つの感応方向を含む平面に対して鋭角に交差していることを特徴とする請求項1から請求項8のいずれか1項に記載の磁気センサ。
Priority Applications (11)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003202106A JP4214853B2 (ja) | 2002-07-29 | 2003-07-25 | 磁気センサ |
EP20070022605 EP1892537B1 (en) | 2002-07-29 | 2003-07-28 | Three-axis magnetic sensor |
TW92120514A TWI255346B (en) | 2002-07-29 | 2003-07-28 | Manufacturing method for magnetic sensor and lead frame therefor |
CNB031555071A CN100346168C (zh) | 2002-07-29 | 2003-07-28 | 磁性传感器的制造方法及其引线框 |
US10/627,717 US7187063B2 (en) | 2002-07-29 | 2003-07-28 | Manufacturing method for magnetic sensor and lead frame therefor |
KR20030052057A KR100563584B1 (ko) | 2002-07-29 | 2003-07-28 | 자기 센서의 제조 방법과 그 리드 프레임, 자기 센서, 및센서 장치 |
EP20030017083 EP1387146A3 (en) | 2002-07-29 | 2003-07-28 | Manufacturing method for magnetic sensor and lead frame therefor |
US11/214,986 US8138757B2 (en) | 2002-07-29 | 2005-08-31 | Manufacturing method for magnetic sensor and lead frame therefor |
KR1020050090629A KR100562096B1 (ko) | 2002-07-29 | 2005-09-28 | 자기 센서의 제조 방법과 그 리드 프레임, 자기 센서, 및센서 장치 |
US11/418,251 US7541665B2 (en) | 2002-07-29 | 2006-05-05 | Lead frame for a magnetic sensor |
US11/593,588 US7494838B2 (en) | 2002-07-29 | 2006-11-07 | Manufacturing method for magnetic sensor and lead frame therefor |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002220414 | 2002-07-29 | ||
JP2003202106A JP4214853B2 (ja) | 2002-07-29 | 2003-07-25 | 磁気センサ |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007032580A Division JP2007147649A (ja) | 2002-07-29 | 2007-02-13 | 磁気センサおよび磁気センサユニット |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2004125778A JP2004125778A (ja) | 2004-04-22 |
JP4214853B2 true JP4214853B2 (ja) | 2009-01-28 |
Family
ID=32300623
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2003202106A Expired - Fee Related JP4214853B2 (ja) | 2002-07-29 | 2003-07-25 | 磁気センサ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4214853B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
RU2677548C1 (ru) * | 2017-08-08 | 2019-01-17 | федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Алтайский государственный университет" | Способ борирования стальных деталей |
Families Citing this family (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7290448B2 (en) | 2004-09-10 | 2007-11-06 | Yamaha Corporation | Physical quantity sensor, lead frame, and manufacturing method therefor |
US7791180B2 (en) | 2004-10-01 | 2010-09-07 | Yamaha Corporation | Physical quantity sensor and lead frame used for same |
TWI280399B (en) * | 2004-10-01 | 2007-05-01 | Yamaha Corp | Physical amount sensor and lead frame used therein |
JP2006214898A (ja) * | 2005-02-04 | 2006-08-17 | Seiko Epson Corp | 圧電デバイス及び電子機器 |
JP2006250648A (ja) * | 2005-03-09 | 2006-09-21 | Yamaha Corp | 物理量センサの製造方法及びボンディング装置 |
JP4554508B2 (ja) | 2005-12-26 | 2010-09-29 | アルプス電気株式会社 | テープカッター装置 |
JP4904052B2 (ja) | 2005-12-27 | 2012-03-28 | アルプス電気株式会社 | 磁気方位検出装置 |
JP4977378B2 (ja) * | 2006-02-23 | 2012-07-18 | 山梨日本電気株式会社 | 磁気センサ、回転検出装置及び位置検出装置 |
JP2011505574A (ja) * | 2007-12-03 | 2011-02-24 | シーティーエス・コーポレーション | リニアポジションセンサー |
JP2013048150A (ja) * | 2011-08-29 | 2013-03-07 | Sanken Electric Co Ltd | 半導体モジュール及びその製造方法 |
CN102426344B (zh) * | 2011-08-30 | 2013-08-21 | 江苏多维科技有限公司 | 三轴磁场传感器 |
JP2012078362A (ja) * | 2011-11-22 | 2012-04-19 | Fdk Corp | 磁界強度センサ、直流電流センサ、および磁界強度測定方法 |
-
2003
- 2003-07-25 JP JP2003202106A patent/JP4214853B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
RU2677548C1 (ru) * | 2017-08-08 | 2019-01-17 | федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Алтайский государственный университет" | Способ борирования стальных деталей |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2004125778A (ja) | 2004-04-22 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US7187063B2 (en) | Manufacturing method for magnetic sensor and lead frame therefor | |
JP4214853B2 (ja) | 磁気センサ | |
EP1839064B1 (en) | Method of manufacturing a 3-axis sensor in a single package | |
US7290448B2 (en) | Physical quantity sensor, lead frame, and manufacturing method therefor | |
JP2014139583A (ja) | 垂直ダイ・チップオンボード | |
WO2002079790A1 (en) | Magnetometer package | |
WO2015083601A1 (ja) | 三次元磁気センサー | |
JP3823954B2 (ja) | 磁気センサの製造方法およびリードフレーム | |
JP2007147649A (ja) | 磁気センサおよび磁気センサユニット | |
JP2004191065A (ja) | 磁気センサおよびその製造方法 | |
JP3823956B2 (ja) | 磁気センサの製造方法およびリードフレーム | |
EP1813951A1 (en) | Inertial measurement unit and packages thereof | |
JP3823953B2 (ja) | 磁気センサの製造方法およびリードフレーム | |
JP3823955B2 (ja) | 磁気センサの製造方法およびリードフレーム | |
KR101103772B1 (ko) | 일체형 모션 캡처용 6축 센서 및 그 제조 방법 | |
KR100801276B1 (ko) | 하이브리드형 지자기 센서 및 그 제조방법 | |
JP4244903B2 (ja) | 物理量センサ、およびこれに使用するリードフレーム | |
JP2005274302A (ja) | 磁気センサ及び磁気センサユニット | |
JP4241672B2 (ja) | 物理量センサの製造方法及びリードフレーム | |
JP2006269859A (ja) | 物理量センサ、およびこれに使用するリードフレーム |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20051221 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20061212 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20070213 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20071106 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20080107 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20081014 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20081027 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111114 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111114 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121114 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121114 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131114 Year of fee payment: 5 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |