JP2013048150A - 半導体モジュール及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】一方の側面のリードと他方の側面のリードとが接続されたＤＩＰ型の半導体モジュールの信頼性を高くする。
【解決手段】この曲げ加工により、ダイパッド１０１、１０２と、連結リード１３０のダイパッド１０１、１０２に挟まれた部分とは、図２（ａ）の状態から平行に下側に移動する。これにより、ダイパッド１０１、１０２、連結リード１３０は、外枠部１９０から吊り下げられた形態となる。この曲げ加工の際には、連結部１４０、１５０、連結リード１３０には歪みが生じ、特にこれらは長手方向において長くなるように変形する。連結部１４０においては環状部１４１、連結部１５０においては環状部１５１、連結リード１３０においては環状部１３１、１３２において、特にこの変形が行われる。
【選択図】図２

Description

本発明は、半導体チップをリードフレーム上に搭載した構成を具備したＤＩＰ型の半導体モジュールの構造に関する。また、その製造方法に関する。

半導体チップが使用される際には、金属で構成されたダイパッド上に半導体チップが搭載された構造が、絶縁性の高い樹脂材料で構成されたモールド層中に封止された構成の半導体モジュールとされる場合が多い。こうした半導体モジュールを製造するに際しては、銅等で構成されたダイパッド上に半導体チップが搭載され、ダイパッド周囲に複数のリードが設けられ、リードがモールド層から突出した構成とされる。リードは、ダイパッドと同様の材料で構成され、半導体チップの電極端子と電気的に接続される。この半導体モジュールにおいては、このリードを介して半導体チップに対する入出力がなされる。この際、複数の半導体チップが使用される場合もあり、この場合には、ダイパッドも配線の一部として使用されるため、ダイパッドが複数に分割される場合もある。

こうした半導体モジュールを製造するに際しては、ダイパッドとリードが一体化されたリードフレームが用いられる。図５（ａ）は、このリードフレーム２００の一例の外観の斜視図である。中央部にダイパッド２０１が設けられ、その周囲に片側４個ずつのリード２０２が配されている。ここで、これらを一体化するために、ダイパッド２０１の左右両側には連結部２０３が設けられ、ダイパッド２０１、リード２０２を平面視において取り囲む枠状の外枠部２０４と接続されている。リード２０２は上下方向に延伸し、やはり外枠部２０４と接続されている。この構成により、ダイパッド２０１とリード２０２は一体化される。この構成のリードフレーム２００は、例えば銅板を板金加工することによって容易に得ることができる。

この構造のリードフレーム２００におけるダイパッド２０１上に半導体チップを搭載し、半導体チップ上の電極端子とリード２０２を電気的に接続した後に、樹脂材料等からなるモールド層を形成し、リードフレーム２００を切断加工することにより、半導体モジュールを得ることができる。この切断加工においては、外枠部２０４と各リード２０２との間、連結部２０３が切断されることにより、外枠部２０４が除去される。また、各リード２０２は電気的に分離される。図５（ｂ）は、図５（ａ）に対応させたこの半導体モジュール２１０の外観斜視図である。略矩形体形状のモールド層２２０中にリードフレーム２００の全体と各リード２０２の一部が封止されており、モールド層２２０における対向する２つの側面のそれぞれに４本ずつのリード２０２が突出している。すなわち、このリードフレーム２００を用いて、ＤＩＰ（Ｄｕａｌ Ｉｎｌｉｎｅ Ｐａｃｋａｇｅ）型の半導体モジュール２１０が製造される。なお、リード２０２がモールド層２２０の側面から突出する長さは適宜設定することができ、リード２０２に対する電気的接続やリード２０２を用いた固定が容易な長さに設定される。

ここで、半導体チップの表面（上面）には電極が形成され、この電極とリード２０２との間が電気的に接続される。この電気的接続は、一般的には、ボンディングワイヤを用いて行われる。この際、半導体チップの厚さは例えば１ｍｍ程度であるため、このボンディングワイヤによる接続は、この厚さに対応した段差の間で行う必要がある。この場合、ボンディングワイヤと半導体チップの角部が接する可能性が高くなり、このためにボンディングワイヤによる接続の信頼性が損なわれることがある。

こうした状況を回避し、半導体モジュールの信頼性を向上させるためには、ダイパッド２０１をリード２０２よりも低い位置に設け、半導体チップの頂部とリード２０２の高さを整合させることが有効である。このために、図６に示されるように、図５（ａ）の構造のリードフレーム２００に対して曲げ加工を施し、ダイパッド２０１を外枠部２０４から吊り下げた形態とすることが行われている。この場合、実際に曲げ加工が施されるのは左右の連結部２０３である。この場合、リード２０２に対しては曲げ加工は施されないため、全てのリード２０２の表面は外枠部２０４と同じ高さとなる。これにより、ダイパッド２０１上に搭載される半導体チップの表面と各リード２０２の表面とを同等の高さとすることができる。

しかしながら、この曲げ加工の際に、ダイパッド２０１を元の状態から平行に吊り下げるためには、連結部２０３は元の状態よりも長く伸ばされた状態とすることになる。一般に銅は塑性加工が容易な材料であるものの、こうした塑性変形は容易ではない。あるいは、単純にこの曲げ加工を行って図６の形状を実現した場合には、リードフレーム２００の機械的強度が低下する。

このため、特許文献１に記載の技術においては、環状になった部分（ソリ吸収部）を連結部の途中に設けた構造のリードフレームが用いられている。このリードフレームにおいては、曲げ加工に際してこのソリ吸収部が容易に伸び変形をするため、ダイパッドを吊り下げた形状とすることが容易である。

また、特許文献２に記載の技術においては、連結部を図５（ａ）のような単純な直線形状ではなく、外枠部と平行な方向に屈曲された部分を長くとったクランク形状としている。この形状の連結部に対しては、吊り下げ形状を実現するための曲げ加工が容易であり、かつ曲げ加工後におけるリードフレームの機械的強度も保つことができる。

すなわち、こうした技術を用いて、信頼性の高いＤＩＰ型の半導体モジュールを得ることができる。

特開平３−２０６６５０号公報 特開平１−３０８０５５号公報

前記の通り、ＤＩＰ型の半導体モジュールにおいては、リードが２つの側面にそれぞれ設けられている。この構成においては、一方の側面のリードと、他方の側面のリードとを電気的に接続することが必要な場合もある。こうした場合に、特許文献１、２に記載の構造においては、これらのリード間を接続するためには、ダイパッドと別体の配線を設ける必要がある。こうした構成においては、この際にダイパッドと別体の配線と各リードとの間にはボンディングワイヤを用いた接続が必要となる。一般にボンディングワイヤを用いた接続の信頼性は高くないため、ボンディングワイヤを用いた接続箇所は極力少なくすることが、半導体モジュールの信頼性を高める上では好ましい。更に、このボンディングワイヤによる接続の信頼性を高めるためにも、この接続が行われる箇所の高さをそろえることが必要となる。この形状を実現するためのリードフレームに対する曲げ加工は複雑になる。

すなわち、一方の側面のリードと他方の側面のリードとが接続されたＤＩＰ型の半導体モジュールの信頼性を高くすることは困難であった。

本発明は、かかる問題点に鑑みてなされたものであり、上記問題点を解決する発明を提供することを目的とする。

本発明は、上記課題を解決すべく、以下に掲げる構成とした。
本発明の半導体モジュールは、それぞれが半導体チップを搭載する２つのダイパッドが略矩形体形状のモールド層中に封止され、当該モールド層における対向する２つの側面からそれぞれ複数のリードが突出した形態を具備し、前記２つのダイパッドにおける前記半導体チップを搭載する側の表面は第１の平面を構成し、かつ前記複数のリードの表面は前記第１の平面よりも前記半導体チップが搭載される側に位置する第２の平面を構成するように設定され、前記半導体チップの表面と前記リードの表面とがボンディングワイヤによって接続された構成を具備する半導体モジュールであって、一端が前記２つの側面のうちの一方の側面における複数のリードのうちの一つとされ、かつ他端が前記２つの側面における複数のリードのうちの一つとされるように一体化されて前記２つのダイパッドの間に配置され、かつ塑性変形が局所的に容易となる易変形部が前記２つのダイパッドに挟まれた領域に設けられた連結リードを具備し、前記連結リードにおける前記２つのダイパッドの間の領域の表面が、前記２つのダイパッドの表面と共に前記第１の平面を構成するように、前記連結リードに対して曲げ加工が施されたことを特徴とする。
本発明の半導体モジュールにおいて、前記易変形部は、前記連結リードの幅が局所的に広くされた領域に開口部が形成されて構成されたことを特徴とする。
本発明の半導体モジュールの製造方法は、前記半導体モジュールの製造方法であって、前記２つのダイパッド、前記連結リード、前記複数のリードが外枠部と一体化され、前記２つのダイパッドはそれぞれ連結部を介して、前記連結リードはその両端部が延伸して、前記外枠部に接続された構成を具備するリードフレームが用いられ、前記リードフレームにおいて、前記連結リードにおける前記２つのダイパッドに挟まれた領域の表面及び前記２つのダイパッドの表面が前記第１の平面を構成するように、前記連結リード及び前記連結部に対して曲げ加工を行う曲げ加工工程と、前記２つのダイパッド上に半導体チップを搭載し、当該半導体チップの表面と前記リードの表面とをボンディングワイヤで接続するチップ搭載工程と、前記外枠部の内側において、前記２つのダイパッド、前記半導体チップ、前記ボンディングワイヤ、及び前記連結リードにおける前記２つのダイパッドに挟まれた領域、を封止するように前記モールド層を形成するモールド工程と、前記モールド層の外側において、突出した前記連結リードと前記連結部とを切断する切断工程と、を具備することを特徴とする。
本発明の半導体モジュールの製造方法は、前記連結部においても、塑性変形が局所的に容易となる易変形部を設けることを特徴とする。
本発明の半導体モジュールの製造方法において、前記連結部における前記易変形部は、前記連結部の幅が局所的に広くされた領域に開口部が形成されて構成されたことを特徴とする。

本発明は以上のように構成されているので、一方の側面のリードと他方の側面のリードとが接続されたＤＩＰ型の半導体モジュールの信頼性を高くすることができる。

本発明の実施の形態に係る半導体モジュールを製造する際に用いられるリードフレームの平面図である。 本発明の実施の形態に係る半導体モジュールの製造方法を示す斜視図（その１）である。 本発明の実施の形態に係る半導体モジュールの製造方法を示す斜視図（その２）である。 本発明の実施の形態に係る半導体モジュールの構成を示す透視斜視図である。 ＤＩＰ型の半導体モジュールを製造する際に用いられるリードフレーム（ａ）、これを用いて製造された半導体モジュール（ｂ）の一例の斜視図である。 ＤＩＰ型の半導体モジュールを製造する際に用いられるリードフレームの変形例の斜視図である。

以下、本発明の実施の形態となる半導体モジュール、及びその製造方法について説明する。この半導体モジュールはＤＩＰ型の半導体モジュールであり、略矩形体のモールド層中に、ダイパッド、及びダイパッド上に搭載された半導体チップ等が封止されている。略矩形体のモールド層における対向する２つの側面からそれぞれ複数のリードが配列して突出している。この際、対向する２つの側面の一方の側面におけるリードのうちの一つと、他方の側面におけるリードのうちの一つは電気的に接続されている。

また、この半導体モジュールは、ダイパッドや複数のリード等が一体化されたリードフレームを用いて製造される。この際、ダイパッド上の半導体チップとリードとの接続は、ボンディングワイヤを用いて行われる。この接続の信頼性を高めるために、半導体チップの上面とリード上面の高さが同等となるように設定される。このため、上記のリードフレームに対して、ダイパッドとリードとの高さを異ならせるための曲げ加工が施される。

図１は、このリードフレーム１００の構成を示す平面図である。このリードフレーム１００においては、２つのダイパッド１０１、１０２が図中左右にそれぞれ設けられている。また、図中上側にリード１１１〜１１５、下側にリード１１６〜１２０が設けられている。リード１１１〜１１５、リード１１６〜１２０におけるダイパッド１０１、１０２と隣接する側の端部は、ワイヤボンディングが容易なように、幅広形状とされている。

また、ダイパッド１０１と１０２の間に挟まれた形態で、クランク形状の連結リード１３０が設けられている。ダイパッド１０１の右側面、ダイパッド１０２の左側面は、連結リード１３０の形状に対応した形態とされ、ダイパッド１０１、１０２と連結リード１３０の間隔は略一定となり、直接接触しないように設定される。連結リード１３０の図１における上部は、リード１１２とリード１１３の間で図中上側に向かってリード１１１〜１１５と同様に突出した形態とされる。連結リード１３０の図１における下部は、リード１１８とリード１１９の間で図中下側に向かってリード１１６〜１２０と同様に突出した形態とされる。

ダイパッド１０１、１０２、リード１１１〜１２０、連結リード１３０は、これらの外側において矩形環状の外枠部１９０と連結されて一体化されている。この際、ダイパッド１０１はその左側において連結部１４０によって、ダイパッド１０２はその右側において連結部１５０によって、それぞれ外枠部１９０と接続されている。また、リード１１１〜１１５はその上端部側で外枠部１９０と接続されている。また、リード１１１〜１１５は、その幅広形状とされた部分よりも外側（上側）において、これらと交差するリード連結部１６１によって接続され、このリード連結部１６１の両端部も外枠部１９０に連結されている。同様に、リード１１６〜１２０はその下端部側で外枠部１９０と接続されている。また、リード１１６〜１２０は、その幅広形状とされた部分よりも外側（下側）において、これらと交差するリード連結部１６２によって接続され、このリード連結部１６２の両端部も外枠部１９０に連結されている。

また、連結リード１３０の上下端部は延伸してそれぞれ外枠部１９０と接続されている。また、連結リード１３０は、上側でリード１１１〜１１５と共にリード連結部１６１に接続され、下側でリード１１６〜１２０と共にリード連結部１６２に接続される。

連結部１４０における外枠部１９０との接続領域（左側の領域）は、幅が広げられると共に開口部が設けられて構成された環状部１４１となっている。同様に、連結部１５０における外枠部１９０との接続領域（右側の領域）は、環状部１４１と同様の形態の環状部１５１となっている。環状部１４１、１５１においては連結部１４０、１５０を構成する金属板が実質的に細くなっているために、環状部１４１、１５１は、局所的に塑性変形がしやすくなった易変形部となっている。

また、連結リード１３０においてダイパッド１０１、１０２に挟まれた箇所においても、局所的に幅広形状とされた中に開口部が設けられた環状部１３１、１３２が設けられている。環状部１３１、１３２も、環状部１４１、１５１と同様に、局所的に塑性変形がしやすい易変形部となっている。なお、ダイパッド１０１、１０２の連結リード１３０と隣接する側面の形状は、図１に示されるように、この環状部１３１、１３２に対応した形状とされる。この側面の形状は、曲げ加工時に環状部１３１、１３２が変形した際にも、ダイパッド１０１、１０２と連結リード１３０（特に環状部１３１、１３２）が接触しないように設定される。

なお、このリードフレーム１００を用いて半導体モジュールが製造される際に、図１中の破線で囲まれた領域にモールド層が形成される。また、その後、図１中の１点鎖線で示された範囲でリードフレーム１００に対して切断が行われる。このため、切断後のリード１１１〜１２０の先端部はモールド層から突出する。また、同様に切断後の連結リード１３０の上端部もモールド層から図１中の上側に突出してリード１２１となり、切断後の連結リード１３０の下端部もモールド層から図１中の下側に突出してリード１２２となる。

図１の構成のリードフレーム１００は、平板が図１の形態とされて構成される。このため、例えば銅、銅合金で構成された平板を用いてリードフレーム１００を製造することができる。この場合、これらの材料で構成された金属板（平板）に対して板金加工を行うことにより、図１の形態とすることができる。この点については、従来より知られるリードフレームと同様である。環状部１４１、１５１、１３１、１３２も、この際に同時に形成することが可能である。

半導体モジュールを製造するに際しては、このリードフレーム１００（ダイパッド１０１、１０２）に半導体チップを搭載し、ボンディングワイヤを用いて半導体チップとリード等とを電気的に接続することが必要になる。この際、ボンディングワイヤが直接接続される面は、半導体チップの上面とリード１１１〜１２０の幅広部の上面である。図１の状態においては、ダイパッド１０１、１０２の上面とリード１１１〜１２０の幅広部の上面とが同一平面上に形成されているため、半導体チップをダイパッド１０１、１０２に搭載した場合、半導体チップの厚さの分だけ、半導体チップの上面はリード１１１〜１２０の幅広部の上面よりも高くなる。

このため、このリードフレーム１００に半導体チップを搭載するに際しては、特許文献１、２に記載の技術と同様に、リード１１１〜１２０よりも下側にダイパッド１０１、１０２が吊り下げられるように、曲げ加工が施される。この曲げ加工が施される箇所は、図１における点線で囲まれたＡ〜Ｄの４箇所である。すなわち、連結部１４０における環状部１４１よりも内側（右側）の箇所Ａ、連結部１５０における環状部１５１よりも内側（左側）の箇所Ｂ、連結リード１３０におけるダイパッド１０１、１０２よりも外側（上側、下側）の２箇所（Ｃ：上側、Ｄ：下側）、の計４箇所において曲げ加工が施される。

以下に、この曲げ加工を施して半導体モジュールを製造する製造方法について、図２、３を元に説明する。

図２（ａ）は、このリードフレーム１００におけるこの曲げ加工の前の状態を示す斜視図であり、図２（ｂ）は曲げ加工（曲げ加工工程）が行われた後の形態を示す斜視図である。この曲げ加工は、ダイパッド１０１、１０２の表面、及び連結リードにおけるダイパッド１０１、１０２の間の領域の表面が同一平面（第１の平面）を構成するようになされる。この際、リード１１１〜１２０に対しては曲げ加工が施されないために、リード１１１〜１２０の表面は、外枠部１９０の表面と共に同一平面（第２の平面）を形成している。この第１の平面は、搭載する半導体チップの高さの分だけ第２の平面よりも下側（半導体チップが搭載される側と反対側）に位置するように設定される。

すなわち、この曲げ加工により、ダイパッド１０１、１０２と、連結リード１３０のダイパッド１０１、１０２に挟まれた部分とは、図２（ａ）の状態から平行に下側に移動する。これにより、ダイパッド１０１、１０２、連結リード１３０は、外枠部１９０から吊り下げられた形態となる。この曲げ加工の際には、連結部１４０、１５０、連結リード１３０には歪みが生じ、特にこれらは長手方向において長くなるように変形する。連結部１４０においては環状部１４１、連結部１５０においては環状部１５１、連結リード１３０においては環状部１３１、１３２において、特にこの変形が行われる。この作用は、特許文献１におけるソリ吸収部と同様である。すなわち、環状部１４１、１５１、１３１、１３２を設けることによって、図２（ｂ）に示す形態の曲げ加工が特に容易に行われる。また、曲げ加工を施す箇所はＡ〜Ｄの４箇所のみである。

この際、ダイパッド１０１、１０２に接続された連結部１４０、１５０だけでなく、連結リード１３０においても環状部１３１、１３２が設けられている。このため、連結リード１３０においてもこの曲げ加工は特に容易に行われる。

その後、ダイパッド１０１、１０２上に半導体チップを搭載し、この半導体チップの表面とリードとをボンディングワイヤで接続する（チップ搭載工程）このため、まず、図３（ｃ）に示されるように、ダイパッド１０１上に半導体チップ２１を、ダイパッド１０２上に半導体チップ２２を搭載する。この際には、接着剤やはんだを用いた接合が用いられる。はんだを用いた場合には、半導体チップ２１、２２の裏面に電極を形成することにより、この電極とダイパッド１０１、１０２とを電気的に接続することもできる。

その後、図３（ｄ）に示されるように、半導体チップ２１、２２の表面に形成された電極とリード１１１〜１２０、半導体チップ２１の表面に形成された電極とＤよりも外側の連結リード１３０の表面とを、ボンディングワイヤ３０を用いて接続する。この際、前記の曲げ加工が施されているために、ボンディングワイヤ３０が接続される一端（半導体チップ２１、２２の上面）と、他端（リード１１１〜１２０、連結リード１３０の表面）の高さを略同一とすることができる。このため、ボンディングワイヤ３０による接続の信頼性を高めることができる。

その後、図３（ｅ）に示されるように、外枠部１９０の内側において、ダイパッド１０１、１０２、半導体チップ２１、２２、ボンディングワイヤ３０等を封止するようにモールド層４０を形成する（モールド工程）。モールド層４０としては熱硬化製樹脂等が用いられ、所望の形状に成形して形成することができる。モールド層４０を形成する領域の上面図は図１における破線で示された領域となる。この際、連結リード１３０におけるダイパッド１０１、１０２に挟まれた領域と、曲げ加工が行われた領域（Ｃ、Ｄ）もこのモールド層４０中に封止される。外枠部１９０、リード連結部１６１、リード連結部１６２はモールド層４０の外部に設けられ、リード１１１〜１２０と連結リード１３０、連結部１４０、１５０が部分的にモールド層４０から突出する形態とされる。

この半導体モジュール１０におけるリード１１１〜１１５、１１６〜１２０がそれぞれ設けられた２つの側面間の幅（図１中の上下方向の幅）は、リードが存在するために、これと直交する側面間の幅（図１中の左右方向の幅）よりも狭い。このため、曲げ加工が行われた領域Ｃ、Ｄをモールド層４０中に設けることが特に好ましい。一方、曲げ加工が行われた領域Ａ、Ｂはモールド層４０の外部とすることも可能である。

その後、図１における一点鎖線の領域でリードフレーム１００（リード１１１〜１２０、連結リード１３０、連結部１４０、１５０を切断することにより、ＤＩＰ型の半導体モジュール１０が得られる（切断工程）。図４は、この半導体モジュール１０の構成を示す透視斜視図である。なお、リード１１１〜１２２がモールド層４０から突出する長さは任意である。この長さは、この半導体モジュール１０への電気的接続や固定の態様に応じて適宜設定できる。すなわち、リードフレーム１００やモールド層４０の形態を適宜設定することにより、この長さは調整が可能である。これにより、この半導体モジュール１０の実装の形態に応じた所望の形状にリードフォーミング加工を施すことも可能である。

この半導体モジュール１０においては、ＤＩＰ型の一方の側面におけるリード１２１と他方の側面におけるリード１２２とが連結リード１３０として一体化されることにより、電気的に接続されている。これらの間の接続にはボンディングワイヤは用いられておらず、一体化された連結リード１３０が用いられている。このため、リード１２１とリード１２２との間の接続の信頼性は高くなる。連結リード１３０においては易変形部となる環状部１３１、１３２が設けられているが、環状部１３１、１３２においては変形後においても導電性が保たれるため、リード１２１、１２２は他のリードと同様に用いることができる。

更に、この形態の連結リード１３０を、ダイパッド１０１、１０２、リード１１１〜１２０と共に一体化してリードフレーム１００を構成することも容易である。また、曲げ加工を施す必要があるのはＡ〜Ｄの４箇所のみであり、連結部１４０、１５０、連結リード１３０に易変形部（環状部）を形成することも容易であるため、図２（ｂ）の形態を実現することが特に容易である。

また、図２（ｂ）の構成においては、ダイパッド１０１、１０２の下面と、ダイパッド１０１、１０２に挟まれた領域における連結リード１３０の下面とは同一平面（第１の平面）を構成する。このため、この下面側に放熱板等を接続してこの半導体モジュール１０の放熱特性を向上させることも容易である。

また、上記の例では、半導体チップ２１の表面に形成された電極と、曲げ加工が行われた領域であるＤよりも外側の連結リード１３０の表面とを、ボンディングワイヤ３０を用いて接続したが、連結リード１３０に対する電気的接続の方法は任意である。連結リード１３０と接続する対象に応じて、連結リード１３０に対してボンディングワイヤを接続する箇所は適宜設定することが可能であり、例えば連結リード１３０におけるダイパッド１０１、１０２に挟まれた領域にボンディングワイヤを接続することもできる。この場合、曲げ加工が行われた領域であるＤをモールド層４０の外部とすることもできる。

なお、上記の例においては、易変形部となる環状部１４１、１５１、１３１、１３２の形状を、幅広部分に開口部を設けた形状としたが、局所的に塑性変形が容易となる形状であれば、この形状は任意である。例えば、開口部の形状は円形、楕円形、半円形、矩形等、任意である。また、特に連結リード１３０においては易変形部を２箇所（環状部１３１、１３２）設けたが、図２（ｂ）の形状を容易かつ高い信頼性で得ることができる限りにおいて、易変形部は１箇所のみ、あるいは３箇所以上設けてもよい。また、上記の例においては、連結リード１３０をクランク形状としたが、両側面のリードの一部として使用できる限りにおいて、この形状は任意である。ダイパッド１０１、１０２の形状は、こうした連結リードの形状や搭載する半導体チップの構成に応じて設定することができる。

また、リードフレームの形態についても、上記の構成でダイパッド、連結リード、各リードを一体化して構成でき、曲げ加工が行える限りにおいて任意である。例えば、リード連結部を設けない、あるいはより多くのリード連結部を設けてもよく、連結部の構成についても任意である。

また、上記の例では、ダイパッド１０１、１０２の表面、及び連結リードにおけるダイパッド１０１、１０２の間の領域の表面が構成する第１の平面が、リード１１１〜１２０の表面が構成する第２の平面よりも、半導体チップの高さの分だけ下側（半導体チップが搭載される側と反対側）に位置するように曲げ加工がなされた。しかしながら、これらの平面の高さの差分を厳密に半導体チップの高さと等しくする必要はない。第２の平面が第１の平面よりも半導体チップが搭載される側に位置していれば、ボンディングワイヤによる接続の信頼性が高まるために、有効である。

また、上記の例では２つの側面にリードが設けられたＤＩＰ型の半導体モジュールについて記載したが、４つの側面にリードが設けられたＱＦＰ（Ｑｕａｄ Ｆｌａｔ Ｐａｃｋａｇｅ）型の半導体モジュールにおいても、同様の構成を用いることができる。この場合には、４つのダイパッドを用い、この４つのダイパッドの中央で交差する形態の連結リードを用いることができる。

１０、２１０ 半導体モジュール
２１、２２ 半導体チップ
３０ ボンディングワイヤ
４０ ２２０ モールド層
１００、２００ リードフレーム
１０１、１０２、２０１ ダイパッド
１１１〜１２２、２０２ リード
１３０ 連結リード
１３１、１３２、１４１、１５１ 環状部（易変形部）
１４０、１５０、２０３ 連結部
１６１、１６２ リード連結部
１９０、２０４ 外枠部

Claims (5)

1. それぞれが半導体チップを搭載する２つのダイパッドが略矩形体形状のモールド層中に封止され、当該モールド層における対向する２つの側面からそれぞれ複数のリードが突出した形態を具備し、前記２つのダイパッドにおける前記半導体チップを搭載する側の表面は第１の平面を構成し、かつ前記複数のリードの表面は前記第１の平面よりも前記半導体チップが搭載される側に位置する第２の平面を構成するように設定され、前記半導体チップの表面と前記リードの表面とがボンディングワイヤによって接続された構成を具備する半導体モジュールであって、
   一端が前記２つの側面のうちの一方の側面における複数のリードのうちの一つとされ、かつ他端が前記２つの側面における複数のリードのうちの一つとされるように一体化されて前記２つのダイパッドの間に配置され、かつ塑性変形が局所的に容易となる易変形部が前記２つのダイパッドに挟まれた領域に設けられた連結リードを具備し、
   前記連結リードにおける前記２つのダイパッドの間の領域の表面が、前記２つのダイパッドの表面と共に前記第１の平面を構成するように、前記連結リードに対して曲げ加工が施されたことを特徴とする半導体モジュール。
2. 前記易変形部は、前記連結リードの幅が局所的に広くされた領域に開口部が形成されて構成されたことを特徴とする請求項１に記載の半導体モジュール。
3. 請求項１又は２に記載の半導体モジュールの製造方法であって、
   前記２つのダイパッド、前記連結リード、前記複数のリードが外枠部と一体化され、前記２つのダイパッドはそれぞれ連結部を介して、前記連結リードはその両端部が延伸して、前記外枠部に接続された構成を具備するリードフレームが用いられ、
   前記リードフレームにおいて、前記連結リードにおける前記２つのダイパッドに挟まれた領域の表面及び前記２つのダイパッドの表面が前記第１の平面を構成するように、前記連結リード及び前記連結部に対して曲げ加工を行う曲げ加工工程と、
   前記２つのダイパッド上に半導体チップを搭載し、当該半導体チップの表面と前記リードの表面とをボンディングワイヤで接続するチップ搭載工程と、
   前記外枠部の内側において、前記２つのダイパッド、前記半導体チップ、前記ボンディングワイヤ、及び前記連結リードにおける前記２つのダイパッドに挟まれた領域、を封止するように前記モールド層を形成するモールド工程と、
   前記モールド層の外側において、突出した前記連結リードと前記連結部とを切断する切断工程と、
   を具備することを特徴とする半導体モジュールの製造方法。
4. 前記連結部においても、塑性変形が局所的に容易となる易変形部を設けることを特徴とする半導体モジュールの製造方法。
5. 前記連結部における前記易変形部は、前記連結部の幅が局所的に広くされた領域に開口部が形成されて構成されたことを特徴とする請求項４に記載の半導体モジュールの製造方法。

Images