JPH03206650A - 半導体用リードフレームの製造方法 - Google Patents
半導体用リードフレームの製造方法Info
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- JPH03206650A JPH03206650A JP226490A JP226490A JPH03206650A JP H03206650 A JPH03206650 A JP H03206650A JP 226490 A JP226490 A JP 226490A JP 226490 A JP226490 A JP 226490A JP H03206650 A JPH03206650 A JP H03206650A
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 15
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 3
- 238000004080 punching Methods 0.000 claims description 2
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- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 5
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- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
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Landscapes
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、半導体用リードフレームの製造方法に関す
るもので、特にダイバツド沈め加工が施される構造に関
するものである。
るもので、特にダイバツド沈め加工が施される構造に関
するものである。
ダイバツド沈め加工（テ゜インプル加工）は従来、例え
ば特公昭６２−４４２５号公報に示すように金属細線が
半導体チップの角部に接触して短絡不良が生じるのを防
止するためにダイバッドのサポートパ一部を曲げ沈め加
工し外部導出用リードの面より低くする加工が行われて
きた。
ば特公昭６２−４４２５号公報に示すように金属細線が
半導体チップの角部に接触して短絡不良が生じるのを防
止するためにダイバッドのサポートパ一部を曲げ沈め加
工し外部導出用リードの面より低くする加工が行われて
きた。
第３図はグイパッド沈め加工されたリードフレームの平
面図、第４図は第３図の線ＩＶ−■の断面図、第５図は
ソリがワイヤボンド作業を阻害する原因の概念説明図で
ある。図において、（１）はリードフレームの枠部、（
２１は半導体チップをマウントするダイバッド、（和は
ダイバッド（３と枠部（１）とを連結保持するサポート
パー、（４はダイバツド沈め加工部を示す。
面図、第４図は第３図の線ＩＶ−■の断面図、第５図は
ソリがワイヤボンド作業を阻害する原因の概念説明図で
ある。図において、（１）はリードフレームの枠部、（
２１は半導体チップをマウントするダイバッド、（和は
ダイバッド（３と枠部（１）とを連結保持するサポート
パー、（４はダイバツド沈め加工部を示す。
ダイパツド沈め加工を施すことにより、サポートバー（
３および枠部（１）には沈め加工による塑性●弾性的な
歪みが生じるため、サポートパー（３）は水平状態を維
持しに＜＜、第５図に示すようにサポートパー（３の部
分が上方向に又は下方向にたわみソリを生じる。
３および枠部（１）には沈め加工による塑性●弾性的な
歪みが生じるため、サポートパー（３）は水平状態を維
持しに＜＜、第５図に示すようにサポートパー（３の部
分が上方向に又は下方向にたわみソリを生じる。
このようにサポートバー（印が上下方向にたわみ変形を
したリードフレームを用いてワイヤボンデイングを行う
と、ダイパッド沈め加工がされているにも係らず本来の
期待効果が得られず、第５図に示すようにインナーリー
ド（５）と半導体チップ（６）とを金属細１１Ｊ（７）
を用いてワイヤポンデイングした際に、半導体チップ（
■と金属細ｉ！（７）との接触や金属細線（７）のｐ−
ブ形状不具合が発生する。
したリードフレームを用いてワイヤボンデイングを行う
と、ダイパッド沈め加工がされているにも係らず本来の
期待効果が得られず、第５図に示すようにインナーリー
ド（５）と半導体チップ（６）とを金属細１１Ｊ（７）
を用いてワイヤポンデイングした際に、半導体チップ（
■と金属細ｉ！（７）との接触や金属細線（７）のｐ−
ブ形状不具合が発生する。
従来、この種のサポートパ一部のンリ変形を防止●コン
トロールするための沈め加工技術は困難で、仲々安定的
に確立された工法がなく、ワイヤボンディング作業条件
をサポートパーのソリ状態にあわせて調整（／Ｌ／−プ
高さを高くとる等）したり、ワイヤボンディング後に金
属細線を修正する等の作業が必要であった。
トロールするための沈め加工技術は困難で、仲々安定的
に確立された工法がなく、ワイヤボンディング作業条件
をサポートパーのソリ状態にあわせて調整（／Ｌ／−プ
高さを高くとる等）したり、ワイヤボンディング後に金
属細線を修正する等の作業が必要であった。
この発明は係る問題点を解消するためになされたもので
、リードフレームのダイバクド沈め加工でのサポートパ
ーのソリをなくすと共にこれによりワイヤボンディング
作業が安定的に行える半導体用リードフレームの製造方
法を得ることを目的とする。
、リードフレームのダイバクド沈め加工でのサポートパ
ーのソリをなくすと共にこれによりワイヤボンディング
作業が安定的に行える半導体用リードフレームの製造方
法を得ることを目的とする。
Ｃ １７） 発明に係る半導体用リードフレームの製造
方法は、リードフレームにソリ吸収窓を設けてンリ変形
を吸収しやすくすると共に、ダイバツド沈め加工後にそ
の窓幅をせばめる方向に外力を加えることにより発生し
たサポートバーの上下ンリを水平化できるようにしたも
のである。
方法は、リードフレームにソリ吸収窓を設けてンリ変形
を吸収しやすくすると共に、ダイバツド沈め加工後にそ
の窓幅をせばめる方向に外力を加えることにより発生し
たサポートバーの上下ンリを水平化できるようにしたも
のである。
この発明においては、ダイバッド沈め加工後にソリと吸
収窓の窓幅をせばめる方向に外力を加えると、前記窓幅
がせまくなってサポートパーの上下ソリが吸収される。
収窓の窓幅をせばめる方向に外力を加えると、前記窓幅
がせまくなってサポートパーの上下ソリが吸収される。
以下、この発明の一実施例を第１図について説明する。
第１図はリードフレームの部分平面図であり、前記従来
のものと同一または相当部分には同一符号を付して説明
を省略する。図において、（８）はリードフレーム枠部
（１）のサポートパー（３）の連結部に設けられたソリ
吸収窓である。
のものと同一または相当部分には同一符号を付して説明
を省略する。図において、（８）はリードフレーム枠部
（１）のサポートパー（３）の連結部に設けられたソリ
吸収窓である。
リードフレームは第３図に示すように所定の平面パター
ン形状に加工され、メッキされたのちにダイバッド沈め
加工が施される。この沈め加工時の作業条件や沈め加工
前の平面パターン形状加工（打抜きあるいはエッチング
加工）時の歪みの影響●元々の素材の硬さや歪みなどの
複合した要因によりサポートバー（３）の水平性が維持
しに＜＜、第５図に示すようなサポートバー（３）のン
リ（上が下方向の）が生じる。この発明では、ソリ吸収
窓（ａを設けてあるので、第１図に示す矢印方向に力を
加えてンリ吸収窓（８）をせばめる（即ち、サポートパ
ー（説を互いに張り合う）だけで、発生したサポートパ
ー（３）のソリを吸収でき、サポートバー（３が水平化
する。
ン形状に加工され、メッキされたのちにダイバッド沈め
加工が施される。この沈め加工時の作業条件や沈め加工
前の平面パターン形状加工（打抜きあるいはエッチング
加工）時の歪みの影響●元々の素材の硬さや歪みなどの
複合した要因によりサポートバー（３）の水平性が維持
しに＜＜、第５図に示すようなサポートバー（３）のン
リ（上が下方向の）が生じる。この発明では、ソリ吸収
窓（ａを設けてあるので、第１図に示す矢印方向に力を
加えてンリ吸収窓（８）をせばめる（即ち、サポートパ
ー（説を互いに張り合う）だけで、発生したサポートパ
ー（３）のソリを吸収でき、サポートバー（３が水平化
する。
なお、上記実施例では枠部（１）にサポートバー（Ｊの
ンリ吸収窓（８）を設けたものを示したが、第２図に示
すようにサポートバー（３）自身にンリ吸収窓（８Ａ）
を設け、この窓幅を図中矢印方向にせばめることによっ
ても同様の効果を奏する。
ンリ吸収窓（８）を設けたものを示したが、第２図に示
すようにサポートバー（３）自身にンリ吸収窓（８Ａ）
を設け、この窓幅を図中矢印方向にせばめることによっ
ても同様の効果を奏する。
以上のように、この発明によればリードフレームにンリ
吸収窓を設け、この窓幅をせばめることだけで、サポー
トパーのダイパクド沈メ加工により発生するソリをなく
し水平化できるようにしたため、従来のように多数のン
リ発生要因を考慮した難しい沈め加工技術を必要とせず
に、精度の高いリードフレームが得られると共に安定し
たワイヤボンディング作業が行え、品質向上に寄与する
という効果が得られる。
吸収窓を設け、この窓幅をせばめることだけで、サポー
トパーのダイパクド沈メ加工により発生するソリをなく
し水平化できるようにしたため、従来のように多数のン
リ発生要因を考慮した難しい沈め加工技術を必要とせず
に、精度の高いリードフレームが得られると共に安定し
たワイヤボンディング作業が行え、品質向上に寄与する
という効果が得られる。
第１図はこの発明の一実施例を示すリードフレームの部
分平面図、第２図はこの発明の他の実施例を示す部分平
面図、第３図は従来のリードフレームを示す平面図、第
４図は第３図の線■−ＩＶの断面図、第５図はンリがワ
イヤポンド作業を阻害する原因の概念説明図である。 図において、（１）はリードフレーム枠部、（２）はダ
イバッド、（３）はサポートパー、（４）は曲げ沈め部
、（旬はインナーリード、（６）は半導体チップ、（７
）は金属細線、（８） ． （ ８ Ａ ）はンリ吸収
窓を示す。 なお、 図中同一符号は同一または相当部分を 示す。
分平面図、第２図はこの発明の他の実施例を示す部分平
面図、第３図は従来のリードフレームを示す平面図、第
４図は第３図の線■−ＩＶの断面図、第５図はンリがワ
イヤポンド作業を阻害する原因の概念説明図である。 図において、（１）はリードフレーム枠部、（２）はダ
イバッド、（３）はサポートパー、（４）は曲げ沈め部
、（旬はインナーリード、（６）は半導体チップ、（７
）は金属細線、（８） ． （ ８ Ａ ）はンリ吸収
窓を示す。 なお、 図中同一符号は同一または相当部分を 示す。
Claims (1)
- （１）打抜き加工あるいはエッチング加工により形成さ
れた半導体用リードフレームにおいて、このリードフレ
ームにソリ吸収窓を設け、ダイパッド沈め加工後に前記
ソリ吸収窓を強制的に変形させてサポートバーの上下ソ
リを吸収することを特徴とする半導体用リードフレーム
の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP226490A JPH03206650A (ja) | 1990-01-08 | 1990-01-08 | 半導体用リードフレームの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP226490A JPH03206650A (ja) | 1990-01-08 | 1990-01-08 | 半導体用リードフレームの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03206650A true JPH03206650A (ja) | 1991-09-10 |
Family
ID=11524514
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP226490A Pending JPH03206650A (ja) | 1990-01-08 | 1990-01-08 | 半導体用リードフレームの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03206650A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003046051A (ja) * | 2001-07-30 | 2003-02-14 | Nec Corp | リードフレーム、半導体装置およびその樹脂封止法 |
| JP2013048150A (ja) * | 2011-08-29 | 2013-03-07 | Sanken Electric Co Ltd | 半導体モジュール及びその製造方法 |
-
1990
- 1990-01-08 JP JP226490A patent/JPH03206650A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003046051A (ja) * | 2001-07-30 | 2003-02-14 | Nec Corp | リードフレーム、半導体装置およびその樹脂封止法 |
| JP4611579B2 (ja) * | 2001-07-30 | 2011-01-12 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | リードフレーム、半導体装置およびその樹脂封止法 |
| JP2013048150A (ja) * | 2011-08-29 | 2013-03-07 | Sanken Electric Co Ltd | 半導体モジュール及びその製造方法 |
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