JP4487696B2 - 物理量センサ及び物理量センサの製造方法 - Google Patents
物理量センサ及び物理量センサの製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4487696B2 JP4487696B2 JP2004263881A JP2004263881A JP4487696B2 JP 4487696 B2 JP4487696 B2 JP 4487696B2 JP 2004263881 A JP2004263881 A JP 2004263881A JP 2004263881 A JP2004263881 A JP 2004263881A JP 4487696 B2 JP4487696 B2 JP 4487696B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- physical quantity
- quantity sensor
- bonding
- lead
- wire
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
Landscapes
- Measuring Magnetic Variables (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
- Hall/Mr Elements (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
Description
上記従来の磁気センサでは、リード53から磁気センサチップ51,52の表面51a,52aまでの距離に係わらず、ワイヤー57の長さは略同等であるため、リード53と磁気センサチップ51,52の表面51a,52aとの距離が短い箇所に合わせてボンディングをすると、ステージ部55,56を傾斜させる際、距離の長い箇所のワイヤーに負荷がかかってしまいワイヤー57の断線や磁気センサチップ51,52の表面51a,52aからワイヤー57の剥離が発生するおそれがある。一方、リード53と磁気センサチップ51,52の表面51a,52aとの距離が長い箇所に合わせてボンディングをすると、ワイヤー57がたるんでしまい、ワイヤー57同士が接触し、短絡してしまうおそれや、ワイヤー57が樹脂モールド部54の表面に表出してしまうおそれもある。
本発明の物理量センサは、基端側が同一平面上に配された複数のリードと、表面に複数のボンディングパッドが形成されるとともに、前記同一平面に対して傾斜された物理量センサチップと、複数のリードと複数のボンディングパッドとを個別に電気接続する複数のワイヤーとを備え、少なくとも前記ボンディングパッドが前記物理量センサチップの傾斜方向に並べられ、前記ワイヤーをボンディングする前記リードの先端の表面の高さが、前記ボンディングパッドの高さと同等であることを特徴とする。
また、これらの発明では、ワイヤーをボンディングするリードの高さが物理量センサチップを傾斜させた際のボンディングパッドが位置する高さと同等の高さとなっているため、ボンディングパッドからリードにボンディングをするだけで、適したワイヤーの長さになるため、ワイヤーを効率良くボンディングすることができる。
本発明に係る物理量センサ及び物理量センサの製造方法によれば、ボンディングパッドとリードとの距離に応じた長さのワイヤーによりボンディングされているため、距離が長いところは長く、短いところは短くボンディングされていることにより、ワイヤーに加わる負荷を軽減することができる。したがって、ワイヤーの断線やワイヤーがボンディングバッドから剥離することを抑制することができ、信頼性の高い物理量センサを製造することが可能になる。
また、磁気センサチップ3は、外部磁界の2方向の磁気成分に対してそれぞれ感応するものであり、これら2つの感応方向は、磁気センサチップ3の表面3aに沿って互いに直交する方向(C方向およびD方向)となっている。
ここで、A,C方向は後述する軸線L1と平行な方向となっており、互いに逆向きとなっている。また、B,D方向は軸線L1に直交する方向となっており、互いに逆向きとなっている。
また、磁気センサチップ2の表面2aには、図3に示すように、磁気センサチップ2の他端部2cから一端部2bにかけて傾斜方向に並べられた電極パッド20a,20b,20cが形成されている。また、磁気センサチップ2は、他端部2cを支持軸として傾斜するように配されている。
なお、磁気センサチップ3の他端部3cから一端部3bにかけて配置されている電極パッド及び電極パッドからリードまでのワイヤーの長さに関しては、磁気センサチップ2の電極パッド20a,20b,20c及びワイヤー8a,8b,8cと同様である。
はじめに、薄板状の金属板にプレス加工もしくはエッチング加工、あるいはこの両方の加工を施すことにより、図4,5に示すように、ステージ部6,7がフレーム部9に支持されたリードフレーム10を形成する。
フレーム部9は、ステージ部6,7を囲むように平面視矩形の枠状に形成された矩形枠部11と、この矩形枠部11から内方に向けて突出する複数のリード4,12とからなる。
この一端部12aは、その側面に凹状の切り欠きを設けて、リード12の他の部分よりも細く形成されており、ステージ部6,7を傾斜させる際に、各ステージ部6,7の両端に位置する一端部12aを結ぶ軸線L1を支軸として、容易に変形して捻ることができる捻れ部となっている。
これらステージ部6の一対の突出片13およびステージ部7の一対の突出片14は、それぞれ互いに間隔をおいて各ステージ部6,7の側端部側に形成されており、樹脂モールド部の形成における樹脂の供給不良を防止している。なお、各ステージ部6,7を安定かつ正確に傾斜させるためには、一対の突出片13,14の間隔を大きくすることが好ましい。
また、各突出片13,14の先端部13a,14aは、樹脂モールド部の下面への露出を最小限に抑えるため、半球体状に形成されている。
ワイヤー8をボンディングする方法としては、図6に示すように、ワイヤー8aが、最も短く、ワイヤー8b,8cの順に長くなるように、キャピラリ(図示略)の移動経路を大きく変化するようにし、さらに、ワイヤー8の送り出し量も多くして、電極パッド20a,20b,20cからリード40a,40b,40cにワイヤー8a,8b,8cをボンディングする。また、これらワイヤー8a,8b,8cは、磁気センサチップ2,3の傾斜に伴う電極パッド20a,20b,20cの移動方向に略一致してボンディングされている。
さらに、ワイヤー8a,8b,8cは、それぞれの長さが、電極パッド20a,20b,20cからリード40a,40b,40cまでの距離とほぼ同等であるため、後述する樹脂封止後にワイヤーが樹脂表面に表出しない長さとなっている。
フレーム部9を挟み込む際には、金型Fの内面F1により各突出片13,14の先端部13a,14aが押圧され、各ステージ部6,7の側端部に位置する一端部12a,12aを結ぶ軸線回りにステージ部6,7がそれぞれ回転して、一端部12aが捻れるように変形することになる。これにより、ステージ部6,7と共に磁気センサチップ2,3が、図8に示すように、リード12や内面F1に対して所定の角度で傾斜することになる(磁気センサチップ傾斜工程)。
このとき、電極パッド20a,20b,20cからリード40a,40b,40cにボンディングしたワイヤー8a,8b,8cは、図3に示すように、電極パッド20a,20b,20cとリード40a,40b,40cとの距離に応じた長さとなっている。
最後に、矩形枠部11、およびリード12のうち樹脂モールド部の外側に突出する部分を切り落として、図1に示す磁気センサ1の製造が終了する。
また、リードフレーム10の突出片13,14の形状や寸法を変えることにより、ステージ部6,7の傾斜角度を容易に変えることができ、同じ金型E,Fを使用して多種類の磁気センサを製造することが可能となる。
例えば、図9に示すように、基端側が樹脂モールド部5の下面5a(同一平面)上に配されるとともに、ワイヤー8をボンディングするリード41,42,43の先端の表面41a,42b,43cは、樹脂モールド部5の下面5a上からの高さが、傾斜した磁気センサチップ2,3の電極パッド20a,20b,20cの高さと略同等の高さであっても良い。この構成の場合、電極パッド20a,20b,20cのそれぞれに対応するリード41,42,43の表面41a,42b,43cの高さは、リード43cが最も高く、リード42b,41aの順に低くなっている。すなわち、各電極パッド20a,20b,20cから対応するリード41,42,43の表面41a,42b,43cそれぞれにボンディングをした後、磁気センサチップ2を傾斜させる。この際、電極パッド20cからリード43cにボンディングしたワイヤーが最も長く、電極パッド20bからリード42b,電極パッド20aからリード41aの順にワイヤーが短くなっている。したがって、電極パッド20a,20b,20cから対応するリード41,42,43の表面41a,42b,43cそれぞれにボンディングをするだけで、適したワイヤー8の長さになるため、ワイヤー8を効率良くボンディングすることができるとともに、磁気センサチップ2,3を傾斜させた際のワイヤーの断線を防止することが可能になる。
なお、リード41,42,43は、樹脂モールド部5の下面5a上からの高さが、傾斜した磁気センサチップ2,3の電極パッド20a,20b,20cの高さと略同等としたが、樹脂モールド部5の下面5aから電極パッド20a,20b,20cまでの距離の半分程度であっても良い。この構成の場合、ボンディングするワイヤーの長さを短くすることができるため、ボンディングがし易くなる。
なお、リード加工工程は、ステージ部6,7の表面6d,7dにそれぞれ磁気センサチップ2,3を接着する直前もしくは直後に行うことが好ましい。
さらに、リードフレーム形成工程と磁気センサチップ傾斜工程との間に、磁気センサチップを傾斜させた際の電極パッド20a,20b,20cの位置に応じてリード41,42,43の先端の高さを変えるように加工するリード加工工程を備えていることが好ましい。この製造方法では、磁気センサチップ2,3を傾斜させた後、電極パッド20a,20b,20cの位置に応じた高さのリード41,42,43にワイヤーをボンディングするため、ボンディングパッドとリードとの距離が短くなるため、ワイヤーの長さを短くすることができるので、適量のワイヤーの長さにすることができるとともに、確実に断線を防止することが可能になる。
この構成においても、リード44,45,46の先端の高さを変えるように加工するリード加工工程により各リード44,45,46と磁気センサチップ2の電極パッド20a,20b,20cとが近づくため、上述した一実施形態と同様に、ワイヤーの断線を防止することができる。
なお、この構成の場合には、磁気センサチップ2の傾斜角度が異なる様々な種類の磁気センサを製造する場合にも、同一の加工でリード44,45,46の先端の高さを変えるように加工することができるため、製造する磁気センサの種類に応じてリード44,45,46の先端の高さを変えるように加工する量を変化させる必要がなくなり、磁気センサの製造コスト削減を図ることができる。
また、軸線L1を支軸として、一端部12aを捻れるように変形させて、ステージ部6,7を傾斜させたが、この軸線L1の部分のリードフレーム10をハーフエッジ等であらかじめ薄くなるように加工していても良い。
また、本発明の実施形態では、互いに平行な軸線L1を支軸に2つの磁気センサチップ2,3をそれぞれ傾斜させていたが、これに限ることはなく、例えば、相互に直交する軸線を支軸として2つの磁気センサチップ2,3をそれぞれ傾斜させても良い。この場合には、相互に直交する2つの磁気センサチップ2,3を2つの感応方向(例えば、図1におけるA,D方向)を樹脂モールド部5の下面5aに沿う方向とすることができるため、下面5aに沿う磁気を精度良く測定することができる。
またさらに、本実施形態は、3次元空間内の磁気方向を検出する磁気センサに適用して説明したが、これに限ることはなく少なくとも3次元空間内の方位や向きを測定する物理量センサであれば良い。ここで、物理量センサは、例えば、磁気センサチップの代わりに加速度の大きさや方向を検出する加速度センサチップを搭載した加速度センサであっても良い。
Claims (7)
- 基端側が同一平面上に配された複数のリードと、表面に複数のボンディングパッドが形成されるとともに、前記同一平面に対して傾斜された物理量センサチップと、複数のリードと複数のボンディングパッドとを個別に電気接続する複数のワイヤーとを備え、
少なくとも前記ボンディングパッドが前記物理量センサチップの傾斜方向に並べられ、
前記ワイヤーをボンディングする前記リードの先端の表面の高さが、前記ボンディングパッドの高さと同等であることを特徴とする物理量センサ。 - 基端側が同一平面上に配された複数のリードと、表面に複数のボンディングパッドが形成されるとともに、前記同一平面に対して傾斜された物理量センサチップと、複数のリードと複数のボンディングパッドとを個別に電気接続する複数のワイヤーとを備え、
少なくとも前記ボンディングパッドが前記物理量センサチップの傾斜方向に並べられ、
前記ワイヤーをボンディングする複数のリードの先端の配列方向が、前記同一平面に対して前記物理量センサチップの傾斜方向と同じ向きに傾斜していることを特徴とする物理量センサ。 - 請求項1または請求項2に記載の物理量センサを製造する方法であって、
ステージ部と、その周囲に配されるリードを備えるフレーム部と、これらを連結する連結部とを有する金属製薄板からなるリードフレームを形成するリードフレーム形成工程と、
前記ステージ部に前記物理量センサチップを接着する接着工程と、
前記ボンディングパッドと前記リードとを前記ワイヤーにより接続するワイヤーボンディング工程と、
前記ステージ部を前記フレーム部に対して傾斜させると共に、前記連結部を変形させる物理量センサチップ傾斜工程とを備えることを特徴とする物理量センサの製造方法。 - 前記ワイヤーボンディング工程において、前記リード及び前記ボンディングパッドにおける前記ワイヤーのボンディング位置から上方に延びる前記ワイヤーの方向が、前記物理量センサチップの傾斜に伴う前記ボンディングパッドの移動方向に一致するように、前記ワイヤーが前記同一平面に対して傾斜した状態でボンディングされていることを特徴とする請求項3に記載の物理量センサの製造方法。
- 前記ワイヤーボンディング工程の前に、複数のリードの先端が前記同一平面よりも前記物理量センサチップを傾斜させた際の前記ボンディングパッドの近くに位置するように、かつ、複数のリードの先端の配列方向が前記同一平面に対して傾斜するように、前記リードの先端の高さを変えるように加工するリード加工工程を備えることを特徴とする請求項3に記載の物理量センサの製造方法。
- 請求項1または請求項2に記載の物理量センサを製造する方法であって、
ステージ部と、その周囲に配されるリードを備えるフレーム部と、これらを連結する連結部とを有する金属製薄板からなるリードフレームを形成するリードフレーム形成工程と、
前記ステージ部に前記物理量センサチップを接着する接着工程と、
前記ステージ部を前記フレーム部に対して傾斜させると共に、前記連結部を変形させる物理量センサチップ傾斜工程と、
前記ボンディングパッドと前記リードとを前記ワイヤーにより接続するワイヤーボンディング工程とを備えることを特徴とする物理量センサの製造方法。 - 前記リードフレーム形成工程と物理量センサチップ傾斜工程との間に、複数のリードの先端が前記同一平面よりも前記物理量センサチップを傾斜させた際の前記ボンディングパッドの近くに位置するように、かつ、複数のリードの先端の配列方向が前記同一平面に対して傾斜するように、前記リードの先端の高さを変えるように加工するリード加工工程を備えることを特徴とする請求項6に記載の物理量センサの製造方法。
Priority Applications (6)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004263881A JP4487696B2 (ja) | 2004-09-10 | 2004-09-10 | 物理量センサ及び物理量センサの製造方法 |
US11/220,816 US7290448B2 (en) | 2004-09-10 | 2005-09-08 | Physical quantity sensor, lead frame, and manufacturing method therefor |
CN 200810082013 CN101656242A (zh) | 2004-09-10 | 2005-09-12 | 用于物理量传感器的引线框架及其制造方法 |
CNB200510103844XA CN100447996C (zh) | 2004-09-10 | 2005-09-12 | 物理量传感器及其制造方法 |
US11/506,945 US20060278027A1 (en) | 2004-09-10 | 2006-08-21 | Physical quantity sensor, lead frame, and manufacturing method therefor |
US11/872,639 US7867827B2 (en) | 2004-09-10 | 2007-10-15 | Physical quantity sensor, lead frame, and manufacturing method therefor |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004263881A JP4487696B2 (ja) | 2004-09-10 | 2004-09-10 | 物理量センサ及び物理量センサの製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006080358A JP2006080358A (ja) | 2006-03-23 |
JP4487696B2 true JP4487696B2 (ja) | 2010-06-23 |
Family
ID=36159558
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004263881A Expired - Fee Related JP4487696B2 (ja) | 2004-09-10 | 2004-09-10 | 物理量センサ及び物理量センサの製造方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4487696B2 (ja) |
CN (2) | CN101656242A (ja) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5622347B2 (ja) * | 2006-08-09 | 2014-11-12 | セイコーエプソン株式会社 | 慣性センサ装置 |
US9201123B2 (en) | 2011-11-04 | 2015-12-01 | Infineon Technologies Ag | Magnetic sensor device and a method for fabricating the same |
US9121880B2 (en) | 2011-11-04 | 2015-09-01 | Infineon Technologies Ag | Magnetic sensor device |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH10253652A (ja) * | 1997-03-14 | 1998-09-25 | Denso Corp | センサ装置及びその製造方法並びにその製造に用いられるリードフレーム |
US6115261A (en) * | 1999-06-14 | 2000-09-05 | Honeywell Inc. | Wedge mount for integrated circuit sensors |
KR100563584B1 (ko) * | 2002-07-29 | 2006-03-22 | 야마하 가부시키가이샤 | 자기 센서의 제조 방법과 그 리드 프레임, 자기 센서, 및센서 장치 |
-
2004
- 2004-09-10 JP JP2004263881A patent/JP4487696B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2005
- 2005-09-12 CN CN 200810082013 patent/CN101656242A/zh active Pending
- 2005-09-12 CN CNB200510103844XA patent/CN100447996C/zh not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2006080358A (ja) | 2006-03-23 |
CN1747164A (zh) | 2006-03-15 |
CN101656242A (zh) | 2010-02-24 |
CN100447996C (zh) | 2008-12-31 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US7290448B2 (en) | Physical quantity sensor, lead frame, and manufacturing method therefor | |
US20070184584A1 (en) | Method for manufacturing physical quantity sensor | |
JP2006250648A (ja) | 物理量センサの製造方法及びボンディング装置 | |
JP4487696B2 (ja) | 物理量センサ及び物理量センサの製造方法 | |
JP3823954B2 (ja) | 磁気センサの製造方法およびリードフレーム | |
US20060076654A1 (en) | Lead frame and physical amount sensor | |
JP2004200585A (ja) | 表面実装型パッケージ | |
JP3823956B2 (ja) | 磁気センサの製造方法およびリードフレーム | |
JP4151667B2 (ja) | 物理量センサの製造方法及びボンディング装置 | |
JP5154275B2 (ja) | 磁気センサパッケージ | |
JP3823953B2 (ja) | 磁気センサの製造方法およびリードフレーム | |
JP4241672B2 (ja) | 物理量センサの製造方法及びリードフレーム | |
JP2006237344A (ja) | 物理量センサの製造方法 | |
JP4622507B2 (ja) | 物理量センサの製造方法及びリードフレーム | |
JP3823955B2 (ja) | 磁気センサの製造方法およびリードフレーム | |
JP5695292B2 (ja) | センサデバイス | |
JP4579003B2 (ja) | 物理量センサの製造方法 | |
JP4314580B2 (ja) | 物理量センサ、およびこれに使用するリードフレーム | |
JP4244903B2 (ja) | 物理量センサ、およびこれに使用するリードフレーム | |
JP2006108359A (ja) | リードフレーム及び物理量センサ | |
JP2006269859A (ja) | 物理量センサ、およびこれに使用するリードフレーム | |
JP2006108561A (ja) | 物理量センサの製造方法 | |
JP4314583B2 (ja) | 物理量センサの製造装置 | |
JP5757352B2 (ja) | センサデバイス | |
JP2006134922A (ja) | リードフレーム及びこれを利用した物理量センサ、さらに物理量センサチップのパッケージ方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20090723 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090728 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20090928 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20100309 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20100322 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130409 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140409 Year of fee payment: 4 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |