CH706738A2 - Verfahren und Vorrichtung zum Auftragen von flussmittelfreiem Lot auf ein Substrat. - Google Patents

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Abstract

Die Erfindung betrifft ein Verfahren und eine Vorrichtung zum Auftragen von flussmittelfreiem Lot auf Substratplätze eines Substrats (1). Die Vorrichtung weist einen Dispenserkopf (2) auf, der einen mit Ultraschall beaufschlagbaren Stempel (5) und eine Drahtzuführung (6) umfasst. Der Stempel (5) hat eine Arbeitsfläche (11) mit einer zu einer Seitenfläche (13) des Stempels (5) hin offenen Ausnehmung (12). Das Verfahren umfasst folgende Schritte: A) Bewegen des Dispenserkopfs (2) an eine vorbestimmte Position oberhalb des nächsten Substratplatzes, auf dem Lot aufzutragen ist, B) Absenken des Stempels (5), bis die Arbeitsfläche (11) des Stempels (5) den Substratplatz berührt, C) Aufbringen von flussmittelfreiem Lot auf den Substratplatz durch: C1) Vorschieben des Lotdrahts (8), bis der Lotdraht (8) den Substratplatz berührt, derart, dass die Spitze des Lotdrahts (8) den Substratplatz innerhalb der Ausnehmung (12) des Stempels (5) berührt, C2) weiter Vorschieben von Lotdraht (8), um eine vorbestimmte Menge Lot zu schmelzen, und C3) Zurückziehen des Lotdrahts (8), D) Bewegen des Dispenserkopfs (2) entlang einer vorbestimmten Bahn, um das Lot auf dem Substratplatz zu verteilen, und gleichzeitig Beaufschlagen des Stempels (5) mit Ultraschall, und E) Abheben des Stempels (5) vom Substratplatz, wobei der Schritt D entweder nach dem Schritt C3 durchgeführt wird oder bereits während des Schrittes C2 beginnt.

Description

[0001] Die Erfindung betrifft ein Verfahren und eine Vorrichtung zum Auftragen von flussmittelfreiem Lot auf ein Substrat.
[0002] Lötverfahren dieser Art werden typischerweise – jedoch nicht ausschliesslich–- bei der Montage von Halbleiterchips auf einem metallischen Substrat, einem sogenannten Leadframe, angewendet. Hauptsächlich Leistungshalbleiter werden in der Regel mit dem Substrat, das üblicherweise aus Kupfer besteht, mittels Weichlötung verbunden, um über die Lötverbindung eine im Vergleich zur Montage mittels Klebstoff wirksamere Ableitung der beim Betrieb entstehenden Verlustwärme aus dem Halbleiterchip zu gewährleisten. Allerdings werden, vor allem bei gesteigerter Leistungsdichte, hohe Anforderungen an die Homogenität der Lötverbindung gestellt, d.h. es werden definierte Dicke, gleichmässige Verteilung und einwandfreie Benetzung der Lotschicht über die ganze Chipfläche, bzw. völlige Blasenfreiheit sowie Reinheit der Lötstelle verlangt; andererseits soll aber das Lot möglichst nicht aus dem Lotspalt seitlich austreten und sich neben dem Halbleiterchip ausbreiten, was wiederum eine genaue Dosierung und Positionierung der Lotportionen erfordert.
[0003] Im Anwendungsbereich der Halbleiterchip-Montage ist ein Verfahren im praktischen Einsatz weit verbreitet, bei dem das Ende eines Lötmetall-Drahtes mit dem über die Schmelztemperatur des Lotes erhitzten Substrat in Berührung gebracht wird, um ein Stück des Drahtes abzuschmelzen. Dieses Verfahren ist aufgrund seiner Einfachheit und Flexibilität für die Massenproduktion an sich gut geeignet. Die entstehende, etwa kreisförmige Benetzungsfläche ist allerdings schlecht an die rechteckige oder quadratische Gestalt der Halbleiterchips angepasst. Aus US 6056 184 ist zudem ein Formstempel bekannt, mit dem die auf dem Substrat deponierte Lotportion in eine flache, der rechteckigen Gestalt der Halbleiterchips angepasste Form gebracht werden kann. Bekannt ist auch, das Ende des Lötmetall-Drahtes mit einem Schreibkopf entlang einer vorbestimmten Bahn zu bewegen, wobei das erhitzte Substrat laufend Lot abschmilzt. Auf diese Weise wird auf dem Substrat eine Lotbahn deponiert.
[0004] Aus US 5 878 939 ist ein Verfahren bekannt, bei dem flüssiges Lot in eine zwischen einem Formstempel und dem Substrat gebildete Kavität gespritzt wird.
[0005] Diese bekannten Verfahren haben einige Nachteile. Die Form des deponierten Lotes ist entweder rund oder es muss für jede rechteckförmige Form ein spezifischer Formstempel hergestellt werden. Ein solcher Formstempel hat Seitenwände, die einen Teil des Substrates belegen. Das Lot kann somit nicht bis zum Rand der den Halbleiterchip aufnehmenden Chipinsel aufgebracht werden. Zudem muss das Substrat über die Schmelztemperatur des Lotes aufgeheizt werden und das deponierte Lot muss vom Auftragen bis zum Aufbringen des Halbleiterchips in flüssiger Form gehalten werden. Nachteilig ist auch, dass die mit dem flüssigen Lot in Berührung kommenden Teile regelmässig gereinigt werden müssen, wozu die Produktion unterbrochen werden muss.
[0006] Aus US 4 577 398 und US 4 709 849 ist ein Verfahren bekannt, bei dem flache Formlinge aus Lötmetall, sogenannte «solder preforms», deren Abmessungen auf die Halbleiterchips abgestimmt sind, vorfabriziert werden. Die Lot-Formlinge werden dann auf das Substrat aufgelegt und von diesem aufgeschmolzen, um eine Lotschicht in den verlangten Dimensionen zu bilden. Wegen der erforderlichen Vorfabrikation der Lot-Formlinge und den zusätzlichen Montageoperationen ist diese Methode allerdings recht kostspielig und wenig flexibel.
[0007] Aus US 2009-145 950 ist ein Verfahren und eine Vorrichtung bekannt, bei denen ein Lotdraht durch einen Schreibkopf eines Lotdispensers hindurchgeführt ist, wobei der Draht beim Auftragen des Lots in Kontakt mit dem erhitzten Substrat gebracht wird, so dass Lot am Drahtende schmilzt, und wobei der Schreibkopf entlang einer vorbestimmten Bahn parallel zur Oberfläche des Substrats bewegt wird. Der Lotdispenser schreibt auf diese Art eine Lotbahn auf das Substrat. Nachteilig bei diesem Verfahren ist, dass das Substrat ohne vorgängige Reinigung nur ungenügend benetzbar ist.
[0008] Der Erfindung liegt die Aufgabe zu Grunde, ein Verfahren und eine Vorrichtung zum Auftragen von flussmittelfreiem Lot auf ein Substrat anzugeben, bei denen die oben genannten Nachteile behoben sind.
[0009] Das erfindungsgemässe Verfahren umfasst die im Anspruch 1 angegebenen Merkmale. Die erfindungsgemässe Vorrichtung umfasst die im Anspruch 5 angegebenen Merkmale. Vorteilhafte Ausgestaltungen des Verfahrens und der Vorrichtung ergeben sich aus den abhängigen Ansprüchen.
[0010] Die Erfindung wird nachfolgend anhand eines Ausführungsbeispiels und anhand der Zeichnung näher erläutert. <tb>Fig. 1<SEP>zeigt schematisch in seitlicher Ansicht einen Dispenserkopf einer Dispensstation eines Automaten zum Löten von Halbleiterchips auf ein Substrat, <tb>Fig. 2<SEP>zeigt einen Stempel, und <tb>Fig. 3<SEP>zeigt eine Bahn, die der Stempel auf einem Substratplatz zurücklegt.
[0011] Die Fig. 1 zeigt schematisch in seitlicher Ansicht diejenigen Teile einer Dispensstation eines Automaten zum Löten von Halbleiterchips auf ein Substrat, die für das Verständnis der Erfindung erforderlich sind. Die Dispensstation umfasst eine Vorrichtung zum Auftragen von flussmittelfreiem Lot auf die einzelnen Substratplätze eines Substrats 1. Das Substrat 1 liegt auf einer heizbaren Auflage 3 auf. Die Vorrichtung umfasst einen Dispenserkopf 2, der in zwei horizontalen, mit x und y bezeichneten Richtungen bewegbar und, fakultativ, in vertikaler, mit z bezeichneter Richtung heb- und senkbar ist. Der Dispenserkopf 2 umfasst einen Ultraschallkopf 4, an dem ein Stempel 5 lösbar befestigt ist, und eine Drahtzuführung 6. Der Ultraschallkopf 4 ist eingerichtet, den Stempel 5 mit Ultraschall zu beaufschlagen, vorzugsweise mit longitudinalen Ultraschallwellen, die in z-Richtung verlaufen, d.h. dass deren Schwingungsrichtung senkrecht zur Auflage 3 ausgerichtet ist. Die Frequenz der Ultraschallwellen liegt vorzugsweise im Bereich von 40 kHz bis 200 kHz, typischerweise bei etwa 60 kHz. Die Bearbeitung des Substrats 1 mit Ultraschall verbessert die Benetzbarkeit lokal auf der Hache, auf der das Lot gewünscht wird, und reduziert dadurch das unerwünschte Auslaufen des Lots, das im Fachjargon als «solder bleed out» bekannt ist.
[0012] Die Drahtzuführung 6 umfasst eine Düse 7, z.B. eine Kapillare aus Keramik, mit einer Längsbohrung, durch die der Lotdraht 8 geführt ist, und Antriebsmittel, um den Lotdraht 8 vorzuschieben und zurückzuziehen. Die Antriebsmittel umfassen beispielsweise eine von einem Motor angetriebene Antriebsrolle 9 und eine Gegendruckrolle 10, zwischen denen der Lotdraht 8 hindurchgeführt ist. Der Lotdraht 8 ist typischerweise auf eine Rolle aufgewickelt, die entweder stationär auf der Dispensstation oder auf dem Dispenserkopf 2 angeordnet ist.
[0013] Der Stempel 5 hat eine dem Substrat 1 zugewandte Arbeitsfläche 11, die zum Verteilen des Lots benutzt wird. Der Stempel 5 ist mit einer Ausnehmung 12 ausgebildet, die von einer der Drahtzuführung 6 zugewandten Seitenfläche 13 des Stempels 5 zur Arbeitsfläche 11 führt und somit in die Arbeitsfläche 11 mündet. Die Düse 7 ist unter einem vorbestimmten Winkel a schräg zur Vertikalen ausgerichtet und so angeordnet, dass eine Längsachse 14 der Drahtzuführung 6, die durch die Längsbohrung der Düse 7 verläuft, bei der Seitenfläche 13 des Stempels 5 in die Ausnehmung 12 eintritt und innerhalb des von der Ausnehmung 12 umrandeten Teils der Arbeitsfläche 11 auf das Substrat 1 auftrifft.
[0014] Die Fig. 2 zeigt den auf ein Substrat 1 aufgesetzten Stempel 5 in perspektivischer Ansicht. Darin ist deutlich zu sehen, dass der Lotdraht 8 innerhalb der Ausnehmung 12 des Stempels 5 auf das Substrat 1 auftrifft, und da die Temperatur des Substrats 1 höher ist als die Schmelztemperatur des Lots, das Ende des Lotdrahts 8 aufschmilzt. Infolge der Ausbildung des Stempels 5 des Dispenserkopfs 2 mit der Ausnehmung 12 und der schrägen Zuführung des Lotdrahts 8 berührt die Spitze des Lotdrahts 8 den Substratplatz innerhalb der Ausnehmung 12 des Dispenserkopfs 2. Der Lotdraht 8 berührt den Stempel 5 nicht: das Abschmelzen von Lot erfolgt somit durch den Kontakt mit dem heissen Substrat 1 und nicht durch Kontakt mit dem Stempel 5. Die Ausnehmung 12 des Stempels 5 stellt, wie in der Fig. 2 deutlich erkennbar ist, somit eine zur Drahtzuführung 6 und zur Arbeitsfläche 11 hin offene Kavität dar. Die Kavität ist auf der dem Substrat 1 zugewandten Seite auf drei Seiten berandet und nur zur Drahtzuführung 6 hin offen.
[0015] Der Stempel 5 oder zumindest seine Arbeitsfläche 11 besteht bevorzugt aus einer Kupferlegierung wie Messing oder Bronze, oder aus einer Silber-Kupferlegierung mit einem hohen Anteil an Silber und einem geringen Anteil an Kupfer, die flussmittelfreies Lot gut benetzt. Die durch die Ausnehmung 12 begrenzte Fläche des Stempels 5 kann mit einem Material beschichtet sein, das schlecht mit Lot benetzbar ist. Ein solches Material ist beispielsweise Chrom. Dies verhindert, dass Lot an der Innenseite der Ausnehmung 12 anhaftet, was dazu führen könnte, dass die Menge des abgegebenen Lots nicht immer gleich gross ist.
[0016] Ebenso kann die Aussenseite des Stempels 5 mit einem solchen Material beschichtet sein.
[0017] Der Dispenserkopf 2 weist bevorzugt eine erste Kühlvorrichtung 15 (Fig. 1 ) auf, die dafür sorgt, dass die Temperatur des Lotdrahts 8 innerhalb der Düse 7 unterhalb der Schmelztemperatur des Lots liegt und der Lotdraht 8 ausreichend steif bleibt, um von den Antriebsmitteln vorgeschoben oder zurückgezogen werden zu können.
[0018] Die Temperatur der Auflage 3 und somit auch die Temperatur des Substrats 1 liegen oberhalb der Schmelztemperatur des Lots. Wichtige Teile der Dispenservorrichtung ragen zudem in einen fast geschlossenen Raum (einen Ofen) hinein, in dem typischerweise eine N2H2 Atmosphäre herrscht, um auf dem Substrat gebildete Oxide zu reduzieren.
[0019] Die Schmelztemperatur flussmittelfreier Lote liegt typischerweise in einem Bereich von 300 bis 320 °C. Die Auflage 3 wird auf eine darüber liegende Temperatur von typischerweise 360–380 °C aufgeheizt. Im Ofen herrscht dann relativ schnell ebenfalls eine Temperatur von 360–380 °C. Diese Werte sind Beispiele, sie können im Einzelfall davon abweichen.
[0020] Der Dispenserkopf 2 weist deshalb bevorzugt eine zweite Kühlvorrichtung 16 (Fig. 1 ) auf, die dazu dient, die Temperatur des Stempels 5 innerhalb eines vorbestimmten Temperaturfensters zu halten. Die Kühlvorrichtung 16 ist deshalb eingerichtet, die Temperatur des Stempels 5 auf eine vorbestimmte Arbeitstemperatur zu regeln. Die Arbeitstemperatur liegt im Bereich der Schmelztemperatur des Lots, typischerweise innerhalb eines Prozessfensters, das sich von einigen Kelvin unterhalb der Schmelztemperatur bis zu einigen Kelvin oberhalb der Schmelztemperatur des Lots erstreckt. Untersuchungen haben gezeigt, dass eine zu tiefe Arbeitstemperatur dazu führt, dass sich an der Arbeitsfläche des Stempels Lot ansammelt, das von Zeit zu Zeit vom Stempel abfällt, während eine zu hohe Arbeitstemperatur zur Erosion des Stempels 5 führen kann. Die Kühlvorrichtung 16 dient dazu, Wärme vom Stempel 5 abzuführen, so dass die Arbeitstemperatur des Stempels 5 innerhalb des vorbestimmten Temperaturfensters bleibt, in dem diese Effekte ausbleiben oder zumindest stark reduziert sind.
[0021] Die Kühlvorrichtung 16 kann eine integrierte Heizung enthalten, die einerseits dazu dient, den Stempel 5 vor dem Beginn des Montageprozesses auf die Arbeitstemperatur zu erwärmen, und die andererseits dazu dient, zusammen mit der Kühlvorrichtung 16 die Temperatur des Stempels 5 auf die gewünschte Arbeitstemperatur zu regeln.
[0022] Da der Dispenserkopf 2 aufgrund der diversen Komponenten eine etwas hohe Masse hat und daher auch eine relativ grosse Trägheit, ist es vorteilhaft, am Dispenserkopf 2 einen Antrieb 17 anzubringen, der es ermöglicht, den Ultraschallkopf 4 mit dem Stempel 5 in vertikaler Richtung, d.h. in z-Richtung, auf und ab zu bewegen. Für die Detektion des Zeitpunkts, an dem der Stempel 5 beim Absenken in Berührung mit dem Substrat 1 kommt, ist beispielsweise ein VoiceCoil Detektor vorhanden.
[0023] Das erfindungsgemässe Verfahren zum Auftragen von flussmittelfreiem Lot auf die Substratplätze des Substrats 1 umfasst folgende Schritte, wozu die vorgängig beschriebene Dispensvorrichtung benutzt wird: A) Bewegen des Dispenserkopfs 2 an eine vorbestimmte Position oberhalb des nächsten Substratplatzes, auf dem Lot aufzutragen ist, B) Absenken des Stempels 5 bis B1) die Arbeitsfläche 11 des Stempels 5 den Substratplatz berührt, oder B2) sich die Arbeitsfläche 11 des Stempels 5 auf einer vorbestimmten Höhe über dem Substratplatz befindet, oder B3) die Arbeitsfläche 11 des Stempels 5 den Substratplatz berührt, und Anheben des Stempels 5 auf eine vorbestimmte Höhe über dem Substratplatz, wobei die in B2 und B3 genannte Höhe derart bemessen ist, dass die Arbeitsfläche 11 des Stempels 5 im nachfolgenden Schritt D mit Lot benetzt ist, C) Aufbringen von flussmittelfreiem Lot auf den Substratplatz durch: C1) Vorschieben des Lotdrahts 8 bis der Lotdraht 8 den Substratplatz berührt, derart, dass die Spitze des Lotdrahts (8) den Substratplatz innerhalb der Ausnehmung (12) des Stempels (5) berührt, C2) weiter Vorschieben von Lotdraht 8, um eine vorbestimmte Menge Lot zu schmelzen, und C3) Zurückziehen des Lotdrahts 8, D) Bewegen des Dispenserkopfs 2 entlang einer vorbestimmten Bahn, um das Lot auf dem Substratplatz zu verteilen, und gleichzeitig Beaufschlagen des Stempels (5) mit Ultraschall, und E) Abheben des Stempels 5, wobei der Schritt D entweder nach dem Schritt C3 durchgeführt wird oder bereits während des Schrittes C2 beginnt.
[0024] Wenn die Schritte C2 und D gleichzeitig durchgeführt werden, bedeutet dies, dass die Antriebsmittel den Lotdraht 8 kontinuierlich vorschieben und laufend Lot von seinem Ende abgeschmolzen wird. Die vorbestimmte Bahn kann so ausgelegt sein, dass der Stempel 5 teilweise über den Rand des Substratplatzes hinausragt. Auf diese Weise kann das Lot den Substratplatz vollständig bedecken. Die Beaufschlagung des Stempels 5 mit Ultraschall bewirkt, dass das Lot auf dem Substratplatz gut benetzt. Um zu vermeiden, dass Lot weg spritzt, beginnt das Auftragen des Lots mit Vorteil in der Mitte des Substratplatzes, so dass es dort sehr gut benetzt und nicht mehr wegfliesst.
[0025] Es ist möglich, die Stärke und die Frequenz der Ultraschallwellen gemäss einem vorbestimmten Profil zu variieren, insbesondere können einzelne oder mehrere Ultraschallpulse (engl. Ultraschallbursts) eingesetzt werden.
[0026] Da der Lotdraht 8 Wärme ausserordentlich gut leitet, nimmt er jeweils dann, wenn er im Schritt C zum Abscheiden einer Lotportion mit dem Substrat 1 in Kontakt gebracht wird, Wärme auf, wodurch sich die Düse 7 und/oder weitere Komponenten der Drahtzuführung 6 erwärmen. Die Düse 7 wird deshalb wenn nötig von der Kühlvorrichtung 15 aktiv gekühlt, so dass die Temperatur des Lotdrahts 8 unterhalb seiner Schmelztemperatur bleibt und der Lotdraht 8 ausreichend steif bleibt, um vom Antrieb problemlos aus der Düse 7 heraus vorgeschoben und in die Düse 7 hinein zurückgezogen werden zu können.
[0027] Bei vielen Anwendungen wird der Halbleiterchip auf einem Substratplatz 18 montiert, dessen Abmessungen in etwa gleich sind wie die Abmessungen des Halbleiterchips. Das Substrat ist typischerweise ein so genanntes Leadframe. Der Substratplatz 18 ist über dünne Stege (nicht dargestellt) mit dem Rahmen des Leadframes verbunden. Es ist dann meistens so, dass die Lotportion den ganzen Substratplatz 18 bedecken muss. Um dies zu erreichen ist es vorteilhaft, den Stempel 5 entlang einer Bahn 19 zu bewegen, die zumindest teilweise entlang des Randes 20 des Substratplatzes 18 führt und so festgelegt ist, dass die Arbeitsfläche 11 des Stempels 5 den Rand 20 überragt und somit den Substratplatz 18 nur noch teilweise berührt. Die Fig. 3 illustriert dies. Diejenigen Teile der Bahn 19, bei denen die Arbeitsfläche 11 des Stempels 5 den Rand 20 überragt, sind durch ausgezogene Pfeile, die übrigen Teile der Bahn 19 durch gestrichelte Pfeile dargestellt. Die Bahn 19 beginnt im Zentrum oder in der Nähe des Zentrums des Substratplatzes 18 und führt dann zuerst entlang im Inneren des Substratplatzes 18 liegenden Bahnabschnitten stufenweise nach aussen, bis sie zuletzt entlang des Randes 20 des Substratplatzes 18 führt. Mit anderen Worten, die Bahn 19 führt von innen nach aussen. Da bei einer solchen Bahn 19 zuerst die im Inneren liegenden Bereiche des Substratplatzes 18 mit Ultraschall behandelt werden, benetzt das Lot dort gut, so dass in der Folge kein Lot vom Substratplatz 18 weggespritzt wird. Die Bahn 19 ist hier nur beispielhaft gezeigt, sie kann auch aus anderen Bahnabschnitten zusammengesetzt sein. Bei diesem Beispiel ist der Umriss der Arbeitsfläche 11 des Stempels 5 quadratisch, er kann aber auch rechteckförmig oder rund sein oder eine beliebige andere Form aufweisen. Es ist bei gewissen Anwendungen von Vorteil, den Stempel 5 am Startpunkt der Bahn 19 in die Richtung zu bewegen, die der Seitenfläche 13 mit der Ausnehmung 12 gegenüberliegt. Infolge der Kapillarwirkung wird das geschmolzene Lot trotzdem verteilt.

Claims (8)

1. Verfahren zum Auftragen von flussmittelfreiem Lot auf Substratplätze eines Substrats (1) mittels einer Dispensvorrichtung, die einen Dispenserkopf (2) aufweist, der einen mit Ultraschall beaufschlagbaren Stempel (5) und eine Drahtzuführung (6) umfasst, wobei der Stempel (5) eine Arbeitsfläche (11) hat, die eine zu einer Seitenfläche (13) des Stempels (5) hin offene Ausnehmung (12) aufweist, und wobei die Drahtzuführung (6) den Lotdraht (8) unter einem Winkel schräg zur Oberfläche des Substrats (1) zuführt, wobei das Verfahren folgende Schritte umfasst A) Bewegen des Dispenserkopfs (2) an eine vorbestimmte Position oberhalb des nächsten Substratplatzes, auf dem Lot aufzutragen ist, B) Absenken des Stempels (5) bis B1) die Arbeitsfläche (11) des Stempels (5) den Substratplatz berührt, oder B2) sich die Arbeitsfläche (11) des Stempels (5) auf einer vorbestimmten Höhe über dem Substratplatz befindet, oder B3) die Arbeitsfläche (11) des Stempels (5) den Substratplatz berührt, und Anheben des Stempels (5) auf eine vorbestimmte Höhe über dem Substratplatz, wobei die in B2 und B3 genannte Höhe derart bemessen ist, dass die Arbeitsfläche (11) des Stempels (5) im nachfolgenden Schritt D mit Lot benetzt ist, C) Aufbringen von flussmittelfreiem Lot auf den Substratplatz durch: C1) Vorschieben des Lotdrahts (8) bis der Lotdraht (8) den Substratplatz berührt, derart, dass die Spitze des Lotdrahts (8) den Substratplatz innerhalb der Ausnehmung (12) des Stempels (5) berührt, C2) weiter Vorschieben von Lotdraht (8), um eine vorbestimmte Menge Lot zu schmelzen, und C3) Zurückziehen des Lotdrahts (8), D) Bewegen des Dispenserkopfs (2) entlang einer vorbestimmten Bahn, um das Lot auf dem Substratplatz zu verteilen, und gleichzeitig Beaufschlagen des Stempels (5) mit Ultraschall, und E) Abheben des Stempels (5) vom Substratplatz, wobei der Schritt D entweder nach dem Schritt C3 durchgeführt wird oder bereits während des Schrittes C2 beginnt.
2. Verfahren nach Anspruch 1, weiter umfassend Zuführen des Lotdrahts (8) durch eine Düse (7) und aktives Kühlen der Düse (7).
3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass ein Startpunkt der Bahn (19) in der Nähe des Zentrums des Substratplatzes liegt und dass die Bahn (19) von innen nach aussen läuft.
4. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, dass die Ausnehmung (12) des Stempels (5) mit einem Material beschichtet ist, die flussmittelfreies Lot schlecht benetzt.
5. Vorrichtung zum Auftragen von flussmittelfreiem Lot auf Substratplätze eines Substrats (1), umfassend einen in zwei horizontalen Richtungen, und fakultativ in vertikaler Richtung, bewegbaren Dispenserkopf (2), umfassend einen Ultraschallkopf (4), einen Stempel (5) mit einer Arbeitsfläche (11), die eine zu einer Seitenfläche (13) des Stempels (5) hin offene Ausnehmung (12) aufweist, wobei der Stempel (5) am Ultraschallkopf (4) befestigbar ist, eine Drahtzuführung (6) mit einer Düse (7) mit einer Längsbohrung, durch die Lotdraht hindurchführbar ist, wobei eine Längsachse (14) der Drahtzuführung (6), die durch die Längsbohrung der Düse (7) verläuft, bei der Seitenfläche (13) des Stempels (5) in die Ausnehmung (12) eintritt und innerhalb eines von der Ausnehmung (12) umrandeten Teils der Arbeitsfläche (11) auf das Substrat (1) auftrifft, und eine Kühlvorrichtung (16) ist, die eingerichtet ist, die Arbeitstemperatur des Stempels (5) auf einem vorbestimmten Wert zu halten.
6. Vorrichtung nach Anspruch 5, weiter umfassend eine weitere Kühlvorrichtung (15) zum Kühlen der Düse (7) der Drahtzuführung (6).
7. Vorrichtung nach Anspruch 5 oder 6, weiter umfassend einen am Dispenserkopf (2) befestigten Antrieb (17), der eingerichtet ist, den Ultraschallkopf (4) mit dem Stempel (5) in vertikaler Richtung auf und ab zu bewegen.
8. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 5 bis 7, dadurch gekennzeichnet, dass die Ausnehmung (12) des Stempels (5) mit einem flussmittelfreies Lot schlecht benetzbaren Material beschichtet ist.
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