CN110190001B - 一种轴向二极管的加工工艺 - Google Patents

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Abstract

一种轴向二极管的加工工艺。本发明涉及二极管加工领域，尤其涉及一种轴向二极管的加工工艺。提供了一种通过使用焊锡丝及压焊整形，完成整个组装焊接的轴向二极管的加工工艺。本发明在工作中，首先将下引线经过隧道式加热轨道后将引线加热至工艺温度，使用焊锡丝输料；焊锡丝受引线温度导热熔化成液态后，经整形杆整形固晶，将芯片放置在下锡层上，下压冷却；然后将上引线经隧道式加热轨道加热至工艺温度，使用焊锡丝输料；焊锡丝受引线温度导热熔化成液态后，经整形杆整形后将焊接完成的上引线反向组装，下压冷却后完成整个组装焊接过程。本发明节省了人力，方便可靠。

Description

一种轴向二极管的加工工艺
技术领域
本发明涉及二极管加工领域，尤其涉及一种轴向二极管的加工工艺。
背景技术
轴向二极管在制造过程中使用焊片、助焊剂配合来实现引线、芯片之间的连接，传统工艺利用石墨船作为载体，将引线装填入石墨船中，分为上、下模，需要在引线与焊片接触端刷助焊剂、人工组装焊片、固晶、合模、隧道炉焊接完成整个组装焊接；生产流程冗长、人力依赖性高，且常出现焊接不良等导致报废的情况。
发明内容
本发明针对以上问题，提供了一种通过使用焊锡丝及压焊整形，完成整个组装焊接的轴向二极管的加工工艺。
本发明的技术方案为：包括以下步骤：
S1、下引线组装：将下引线置于下隧道式轨道内加热，使用焊锡丝输料至下引线的钉头，待熔化后，通过整形杆整形形成下锡层；
S2、芯片组装：将芯片置于下锡层，下压后冷却；
S3、上引线组装：将上引线置于上隧道式轨道内加热，使用焊锡丝输料至上引线的钉头，待熔化后，通过整形杆整形形成上锡层；
S4、上、下引线压焊，将上隧道式轨道内的上引线置于下隧道式轨道内的下引线的上方，上引线上的上锡层接触芯片，下压后冷却；
S5、完成。
所述下引线的钉头和上引线的钉头上分别设有若干容置槽，所述容置槽用于放置焊锡丝。
所述整形杆呈T形、具有立杆和压盘，所述压盘用于接触下引线和上引线。
相邻的容置槽相连通。
本发明在工作中，首先将下引线经过隧道式加热轨道后将引线加热至工艺温度，使用焊锡丝输料；焊锡丝受引线温度导热熔化成液态后，经整形杆整形固晶，将芯片放置在下锡层上，下压冷却；
然后将上引线经隧道式加热轨道加热至工艺温度，使用焊锡丝输料；焊锡丝受引线温度导热熔化成液态后，经整形杆整形后将焊接完成的上引线反向组装，下压冷却后完成整个组装焊接过程。
本发明节省了人力，方便可靠。
附图说明
图1是本发明步骤S1的结构示意图，
图2是本发明步骤S2的结构示意图，
图3是本发明步骤S3的结构示意图，
图4是本发明步骤S4的结构示意图，
图中1是下引线，2是下隧道式轨道，3是整形杆，31是立杆，32是压盘，4是芯片，5是上引线，6是上隧道式轨道，7是下锡层，8是上锡层，9是焊锡丝；
图中箭头代表加工工序。
具体实施方式
本发明如图1-4所示，包括以下步骤：
S1、下引线组装：将下引线1置于下隧道式轨道2内加热，使用焊锡丝9输料至下引线的钉头，待熔化后，通过整形杆3整形形成下锡层7；
S2、芯片组装：将芯片4置于下锡层，下压后冷却；
S3、上引线组装：将上引线5置于上隧道式轨道6内加热，使用焊锡丝输料至上引线的钉头，待熔化后，通过整形杆整形形成上锡层8；
S4、上、下引线压焊，将上隧道式轨道内的上引线置于下隧道式轨道内的下引线的上方，上引线上的上锡层接触芯片，下压后冷却；
S5、完成。
本发明在工作中，首先将下引线经过隧道式加热轨道后将引线加热至工艺温度，使用焊锡丝输料；焊锡丝受引线温度导热熔化成液态后，经整形杆整形固晶，将芯片放置在下锡层上，下压冷却；
然后将上引线经隧道式加热轨道加热至工艺温度，使用焊锡丝输料；焊锡丝受引线温度导热熔化成液态后，经整形杆整形后将焊接完成的上引线反向组装，下压冷却后完成整个组装焊接过程。
所述下引线的钉头和上引线的钉头上分别设有若干容置槽（图中未示出），所述容置槽用于放置焊锡丝。
通过设置容置槽，便于放置焊锡丝，可靠控制用量；这样，在焊锡丝熔化后通过整形杆整形后可靠位于容置槽内，焊锡均匀，便于芯片可靠压焊。
所述整形杆3呈T形、具有立杆31和压盘32，所述压盘用于接触下引线和上引线。
通过整形杆的压盘下压焊锡丝，提高平整性，从而形成上、下锡层。
相邻的容置槽相连通。
这样，可形成若干容置槽相连通，在焊锡丝熔化后，提高与上、下引线连接可靠性。
本发明可有效控制锡层的形态，控制传统工艺焊接时产生的气孔率，可以有效避免因焊锡量过多、焊锡不均匀造成的二极管失效；同时，有效降低轴向二极管对人力的依赖性、缩短生产工序及周期。
对于本案所公开的内容，还有以下几点需要说明：
（1）、本案所公开的实施例附图只涉及到与本案所公开实施例所涉及到的结构，其他结构可参考通常设计；
（2）、在不冲突的情况下，本案所公开的实施例及实施例中的特征可以相互组合以得到新的实施例；
以上，仅为本案所公开的具体实施方式，但本公开的保护范围并不局限于此，本案所公开的保护范围应以权利要求的保护范围为准。

Claims (4)

1.一种轴向二极管的加工工艺，其特征在于，包括以下步骤：
S1、下引线组装：将下引线置于下隧道式轨道内加热，使用焊锡丝输料至下引线的钉头，焊锡丝受引线温度导热熔化成液态后，经整形杆整形，形成下锡层；
S2、芯片组装：将芯片置于下锡层上，下压后固晶冷却；
S3、上引线组装：将上引线置于上隧道式轨道内加热，使用焊锡丝输料至上引线的钉头，待熔化后，通过整形杆整形形成上锡层；
S4、上、下引线压焊，将上隧道式轨道内的上引线置于下隧道式轨道内的下引线的上方，上引线上的上锡层接触芯片，下压后冷却；
S5、完成。
2.根据权利要求1所述的一种轴向二极管的加工工艺，其特征在于，所述下引线的钉头和上引线的钉头上分别设有若干容置槽，所述容置槽用于放置焊锡丝。
3.根据权利要求2所述的一种轴向二极管的加工工艺，其特征在于，所述整形杆呈T形、具有立杆和压盘，所述压盘用于接触下引线和上引线。
4.根据权利要求2或3所述的一种轴向二极管的加工工艺，其特征在于，相邻的容置槽相连通。
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