Verfahren zur Herstellung eines aus einem hochreinen chemischen Element bestehenden kohärenten Körpers für die Halbleitertechnik Halbleiterkörper werden seit einer Reihe von Jahren in ständig zunehmendem Masse in der Fabri kation von Gleichrichtern und sog. Kristallverstär kern verwendet. Das bisher für solche Zwecke am meisten verwendete Halbleitermaterial ist Germa nium, obwohl es in der Natur eher spärlich ange troffen wird, während das ebenfalls verwendbare Silizium, das in der Natur häufig vorkommt, bisher kaum angewendet worden ist. Dies hat seinen Grund darin, dass Silizium bisher Ergebnisse lieferte, die nicht befriedigten.
Bekanntlich werden die Eigenschaften solcher Gleichrichter oder Kristallverstärker sehr weitgehend durch verhältnismässig geringe Mengen von im Halb leiter vorhandenen Fremdstoffen bestimmt. Beim Si lizium sind die genannten unbefriedigenden Ergebnisse in erster Linie darauf zurückzuführen, dass es ausser ordentlich schwierig ist, Silizium herzustellen, das eine bestimmte Menge eines gewünschten Fremd stoffes enthält. Um solches Silizium zu erhalten, ist es in erster Linie erforderlich, Silizium von grösst möglicher Reinheit herzustellen. Es sind dazu bereits verschiedene Verfahren vorgeschlagen worden.
Eines derselben besteht darin, dass Siliziumtetrachlorid in der Dampfphase mit Zink reduziert und das so er haltene Produkt dann mit Säuren ausgewaschen wird. Das so erhaltene Silizium wurde als hyperrein be zeichnet. Wir haben jedoch gefunden, dass das Ver fahren selbst dann, wenn es mit der grössten Sorg falt durchgeführt wird, kein genügend reines Silizium liefert. Es ist auch vorgeschlagen worden, Halbleiter materialien durch Spaltung einer gasförmigen Ver bindung, nämlich eines Chlorides, niederzuschlagen. Dieses Verfahren schliesst jedoch eine Reaktion des Chlorids mit Wasserstoff in sich. Dieses Verfahren weist zwei ausgesprochene Nachteile auf.
Erstens entsteht ein korrosiv wirkendes Produkt, welches Teile der Vorrichtung, in der es zur Verwendung gelangt, in genügend starkem Masse anzugreifen ver mag, um die Einführung von Fremdstoffen in den Halbleiter zu ermöglichen. Zweitens wurden keine Massnahmen zur Verhinderung der Reaktion in der Gasphase getroffen, obschon es für die Bildung eines kohärenten Körpers aus Halbleitermaterial wichtig ist, dass die gasförmige Verbindung an einer Ober fläche gespalten wird.
Ferner ist auch schon, und zwar im Journal of the American Chemical Society Jahrgang 1936, Bd. 58, Seite- 109, vorgeschlagen worden, Siliziumwasserstoff (SiH4), eine Verbindung, die selbst einen hohen Reinheitsgrad aufzuweisen vermag, thermisch zu spalten, doch hat sich das dort beschriebene Verfahren nicht zur kommerziellen Herstellung von Silizium geeignet.
Wir haben jedoch gefunden, dass es möglich ist, grosse Mengen von Silizium und anderem Halbleiter material durch thermische Spaltung herzustellen, und die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren, das die Herstellung von Körpern aus Halbleitermaterial von grösster Reinheit ermöglicht, in denen weniger als eine spektrographische Spur eines die Eigenschaf ten des Halbleitermaterials beeinflussenden Fremd stoffes vorhanden sein soll.
Das erfindungsgemässe Verfahren zur Herstellung eines aus einem hochreinen chemischen Element be stehenden kohärenten Körpers für die Halbleiter technik ist dadurch gekennzeichnet, dass ein Strom eines Hydrids, eines für die Halbleitertechnik geeig neten chemischen Elements auf eine Oberfläche ge leitet wird, die in einer Kammer in einer Zone ange ordnet ist, welche mindestens auf die Spaltungs- temperatur des Hydrids erhitzt ist, und dass die Strömungsgeschwindigkeit des Hydrids und der Druck in der Kammer so eingestellt sind, dass die Spaltung des Hydrids an der genannten Oberfläche stattfindet.
Das genannte für die Halbleitertechnik geeignete chemische Element kann Bor, Silizium, Germanium, Phosphor, Arsen, Antimon, Selen oder Tellur sein.
Bei der Herstellung von kohärenten Körpern aus Silizium oder Germanium ist es zur Erzielung der genannten Oberflächenreaktion zweckmässig, dass das Siliziumhydrid oder das Germaniumhydrid mit einer molekularen Konzentration, die kleiner als 1001/o ist, in die Spaltungszone geleitet wird. Dies kann z. B. dadurch geschehen, dass man das Hydrid mit tels eines inerten Gases oder unter reduziertem Druck in die Spaltungszone leitet.
Unter dem Begriff molekulare Konzentration ist das prozentuale Verhältnis zwischen der Anzahl Hydridmoleküle (z. B. Siliziumwasserstoffmoleküle), die in 1 cm3 des Gases (z. B. des Siliziumwasser- stoffgases) tatsächlich vorhanden sind, und der An zahl, die in 1 cm33 des reinen Hydrids bei Atmosphä rendruck und bei der Spaltungstemperatur vorhan den wären, zu verstehen. Für die Abscheidung von Silizium ist beispielsweise ein Druck von weniger als 76 mm Hg zweckmässig.
Nachstehend wird die Erfindung anhand einer Anzahl Ausführungsbeispiele und der beiliegenden Zeichnung ausführlicher beschrieben.
In der Zeichnung zeigt: Fig. 1 ein Schema zur Herstellung von sehr reinem Halbleitermaterial, Fig. 2 eine Apparatur zur Durchführung des Verfahrens zur Herstellung eines Körpers aus reinem Halbleitermaterial und Fig. 3 ein Detail zu Fig. 2.
Unter Bezugnahme auf die Fig. 1 soll zunächst als Beispiel die Herstellung von Silizium und später die Herstellung anderer hochreiner, für die Halbleiter technik geeigneter chemischer Elemente beschrieben werden.
Für die Gewinnung des für die Herstellung von Silizium benötigten Siliziumwasserstoffes werden als Ausgangsstoffe vorzugsweise Siliziumtetrachlorid und Lithiumaluminiumhydrid verwendet. Das Sihzium- tetrachlorid wird in der Verfahrensstufe 1 durch Destillation und chemische Behandlung gereinigt. Unter Rückfluss mit Kupferspiralen wird der Arsen gehalt von 1 mg pro ml auf weniger als 0,1 ,ug pro ml herabgesetzt.
Hierauf werden Arsen und andere Elemente, die in der Form von Chloriden vorhanden sind, bis auf kleinste Restbestände durch fraktio nierte Destillation entfernt, wobei die Siedepunkte der Chloride ziemlich weit auseinanderliegen.
Das Siliziumtetrachlorid wird in der Stufe 2 mit trockenem Äther oder Tetrahydrofuran gemischt, welcher bzw. welches zuvor in der Stufe 3 durch bekannte Verfahren der Destillation und chemischen Behandlung gereinigt worden ist. In der Stufe 4 wird das Lithiumaluminiumhydrid unter Rückfluss mit dem trockenen Äther oder Tetra- hydrofuran behandelt zwecks Entfernung flüchtiger Hydride.
Die sich ergebende gereinigte Lösung oder Suspension von Lithiumaluminiumhydrid wird in der Stufe 5 mit der Lösung von Siliziumtetrachlorid zur Reaktion gebracht, wobei ein Strom eines inerten Gases, wie z. B. Argon oder Stickstoff, welcher zuvor gereinigt worden ist, zuerst über die Leitung 6 zu geführt wird, um aus dem Reaktionsgefäss etwa vor handene Luft auszutreiben.
An dieser Stelle ist zu erwähnen, dass es emp fehlenswert ist, dass die gesamte für die bisher er wähnten Stufen des Verfahrens benötigte Apparatur aus Quarz und nicht aus Glas besteht, da die ver wendeten Stoffe geringe Meng--n unerwünschter Fremdstoffe aus dem Glas aufnehmen könnten.
Der über die Leitung 6 zugeführte Strom von Trägergas wird weiter aufrechterhalten, um den im Reaktionsgefäss der Stufe 5 erzeugten Siliziumwasser- stoff abzuführen. Die Mischung aus Trägergas und Siliziumwasserstoff wird in der Stufe 7 einer frak tionierten Abkühlung und fraktionierten Destilla tion unterworfen, um die Reinheit des Silizium wasserstoffes weiterhin sicherzustellen.
Der Siliziumwasserstoff wird dann entweder über Speicherzylinder 8 oder unter Umgehung der Spei cher direkt über die Leitung 9 einer Spaltungsstufe zugeführt. Die thermische Spaltung wird in der Stufe 10 zweckmässig bei einer molekularen Konzen tration des Siliziumwasserstoffes, die kleiner als 10011/o ist, durchgeführt. Dies geschieht entweder dadurch, dass man den Siliziumwasserstoff in später zu beschreibender Weise durch verminderten Druck der Speicherstufe 8 entnimmt, oder dass man das der Stufe 7 entnommene gereinigte Trägergas wieder einführt, um den Siliziumwasserstoff der Spaltungs stufe zuzuführen.
Der aus der Stufe 7 austretende gereinigte Sili- ziumwasserstoff kann geringe Spuren anderer flüch tiger Hydride enthalten. Vom Standpunkt der thermi schen Spaltung aus ist Siliziumwasserstoff ein sehr stabiles Hydrid, und seine Spaltungstemperatur ist höher als diejenige irgendwelcher Hydride anderer Elemente, die noch vorhanden sein können. Um die genannten Spuren anderer Hydride zu entfernen, kann der Siliziumwasserstoff durch eine Spaltungs- Reinigungs-Stufe 11 hindurchgeführt werd-.n, in wel cher Hydride von Arsen, Bor oder andern Fremd stoffen gespalten werden.
Dabei kann auch eine ge ringe Menge von Siliziumwasserstoff gespalten wer den. In der Stufe 11 wird somit das entstehende Si lizium, Arsen, Bor usw. entfernt.
Der Siliziumwasserstoff wird in der Stufe 10 ge spalten, und zwar wird vorzugsweise das Silizium auf einen Siliziumkeim niedergeschlagen und der er zeugte Wasserstoff abgeführt.
Bei der Spaltung entstehen somit keine korrodie renden Bestandteile, und das erzeugte Silizium be findet sich daher in einem derart reinen Zustand, dass die spektrographische Analyse keinen mess baren Betrag an Fremdstoffen zeigt.
Wie bereits erwähnt, werden die molekulare Kon zentration und die Gasgeschwindigkeit unmittelbar über der Oberfläche des Siliziumkeims in der Stufe 10 so gewählt, dass eine Spaltung des Siliziumwasser- stoffes durch eine Oberflächenreaktion stattfindet.
Für andere für die Halbleitertechnik geeignete chemische Elemente als Silizium wird das an sich in bekannter Weise erzeugte Chlorid des chemischen Elementes in der Stufe 1 wiederum durch fraktio nierte Destillation und chemische Behandlung ge reinigt. Ferner wird im Teil 3 der Apparatur der Äther oder das Tetrahydrofuran, welcher bzw. wel ches zur Bildung einer Lösung des Chlorids und des damit zur Reaktion zu bringenden Hydrids verwen det wird, destilliert und chemisch behandelt.
Ein Teil dieses Lösungsmittels wird im Teil 2 der Apparatur zur Bildung einer Lösung des Chlorids verwendet, während der andere Teil im Teil 4 zur Bildung einer Lösung oder Suspension des Hydrids verwendet wird, das wieder verflüssigt wird, um Fremdstoffhydride, die flüchtiger sind als das gewünschte Produkt, aus zutreiben.
Die bei 2 und 4 erhaltenen Produkte werden bei 5 miteinander zur Reaktion gebracht, wobei schon vorgängig dem Mischen der miteinander zur Reak tion zu bringenden Stoffe und zum Austreiben des resultierenden gasförmigen Hydrids dem Teil 5 über die Leitung 6 ein inertes Trägergas zugeführt wird.
Je nach dem gasförmigen Hydrid, das man zu erzeugen wünscht, können bei den einzelnen Schritten 1 bis 5 des Verfahrens geringfügige Änderungen er forderlich sein.
Zur Herstellung von Germaniumhydrid, kann Germaniumtetrachlorid mit Lithiumaluminiumhydrid zur Reaktion gebracht werden, wobei vorzugsweise als Lösungsmittel Tetrahydrofuran verwendet werden soll. Es wird dabei verhältnismässig wenig Germa- niumhydrid gewonnen, und zwar etwa nur 400/a der Menge, die theoretisch erhalten werden sollte. Es kann aber mehr gewonnen werden, und zwar bis zu 7011/a, wenn Germaniumtetrachlorid mit Natrium- borhydrid zur Reaktion gebracht wird.
Für Diboran oder Antimonwasserstoff wird das Trichlorid mit Lithiumaluminiumwasserstoff in Di- äthyläther zur Reaktion gebracht, und in diesem Falle ist die Reihenfolge der Beimischung der mit einander zur Reaktion zu bringenden Stoffe wichtig, falls eine grössere Menge gewonnen werden soll. Die Lithiumaluminiumhydridlösung sollte zur Chlo- ridlösung beigegeben werden statt umgekehrt.
Phosphorhydrid und Arsenhydrid werden durch Reaktion in Tetrahydrofuran zubereitet. TellüI'waSSerStoff und Selenwasserstoff werden, in beiden Fällen in Äther gelöst, durch Beimischung des Tetrachlorids zu Lithiumaluminiumhydrid zube reitet. Die Reaktion sollte im Falle des Tellurwasser- stoffes bei einer niedrigen Temperatur, beispielsweise bei -78 C, stattfinden, um eine Spaltung des Tellur- wasserstoffes infolge der Reaktionswärme zu ver hindern.
Selenwasserstoff kann auch durch eine Reak tion Selenaluminium mit Chlorwasserstoffsäure her gestellt werden.
Das im Teil 5 gewonnene Hydrid wird vom Trägergas, wozu ein gereinigtes träges Gas, beispiels weise Stickstoff oder Argon, verwendet wird, nach dem Teil 7 der Apparatur geführt, in welchem zwecks Reinigung des Hydrids eine fraktionierte Destillation und ein Ausfrieren durchgeführt wird.
Das Hydrid kann dann, wie dies durch den Teil 8 angedeutet ist, in der üblichen Weise ge speichert werden. Germaniumtetrahydrid kann über Wasser aufgespeichert werden, andere Hydride da gegen sind löslich und reagieren mit Wasser. Sie müssen daher in trockenem Zustand gespeichert wer den. Arsenwasserstoff dagegen spaltet sich bei atmo sphärischem Druck sehr leicht und kann nur sehr schwer gespeichert werden.
Das gereinigte Hydrid wird dann entweder aus dem Speicher 8 oder direkt aus dem Teil 7 der Spaltungskammer zugeführt, in welcher es durch Er hitzung gespalten und das für die Halbleitertechnik geeignete chemische Element in hochreiner Form auf eine Oberfläche niedergeschlagen wird.
Die Fig.2 zeigt ein Beispiel einer Apparatur, welche beim Verfahren zur Erzeugung eines kohären ten Körpers aus Halbleitermaterial aus dem entspre chenden gasförmigen Hydrid durch Anlagerung auf einem Kern oder Keimling des Halbleitermaterials verwendet werden kann. Als Beispiel wird die Er zeugung reinen kristallinen Siliziums aus gasförmi gem Siliziumwasserstoff durch Anlagerung auf einem Siliziumkeimling beschrieben. Die Spaltungskammer 12 besteht aus einem Zylinder 13 mit Endplatten 14 und 15, welche mit dem Zylinder 13 hermetisch verbunden sind.
Ein kristalliner Siliziumkeimling 16 ist in einem Halter befestigt, welcher von einem Stab 17 getragen wird. Die obere Oberfläche des Keim lings 16 wird durch direkte Strahlung von einem aus Kupfer bestehenden Stromkonzentrationszylinder 18 erwärmt, welcher Zylinder dadurch gekühlt wird, dass man Wasser durch ein spulenförmiges Rohr 19 hindurchschickt, welches bei 20 eintritt und bei 21 austritt.
Der Konzentrationszylinder 18 bildet die sekundäre Wicklung eines Hochfrequenztransforma- tors, dessen Primärwicklung 22 einen abgestimmten Kreis einer Induktionsheizvorrichtung bildet, welche mit einer Frequenz von ungefähr 1 MHz schwingt.
Der Siliziumwasserstoff wird der Kammer 12 aus einem Speicherzylinder oder aus der Stufe 7 der Fig. 1 über die Eintrittsöffnung 23 zugeführt und durchläuft einen Strömungsmesser 24 und ein Ventil 25 und gelangt von diesem in das Eintrittsrohr 26, welches knapp über einer Öffnung 27 in der Kon zentrationsvorrichtung 18 endigt.
Die Öffnung 27 ist in der Nähe der Oberfläche des Siliziumskeimlings 16 so geformt, dass die obere Oberfläche des Keim lings 16 schmilzt, und dass die Übergangsschicht zwi- schen dem geschmolzenen und dem festen Silizium eine gewünschte Form aufweist.
Der horizontale Teil des Eintrittsrohres 26 ist durch eine Induktionsheizspule 28 mit einem Metall kern hindurchgeführt, wodurch die Temperatur des Kerns auf einen zwischen 300 und 500 C liegenden Wert gebracht wird. Irgendwelche entstehende Spalt produkte bilden einen an den Wänden des Rohres 26 haftenden Niederschlag.
Der Siliziumwasserstoff wird mittels einer an das Rohr 29 angeschlossenen Vakuumpumpe durch die Öffnung 27 in der Konzentrationsvorrichtung 18 hindurchgesogen. Im Rohr 29 ist ein Druckregulier- ventil 30 eingesetzt.
Der Stab oder Bolzen 17 ist mittels eines herme tischen Abschlusses 31 durch die untere Platte<B>15</B> hindurchgeführt und mit einem Mechanismus 32 verbunden, durch welchen der Stab 17 gedreht und nach unten verschoben wird, und zwar mit vorgege benen Geschwindigkeiten.
Die am Messinstrument 24 abgelesene Strömungs- geschwindigkeit und der am Monometer 33 abge lesene Druck werden durch die Ventile 25 und 30 so eingestellt, dass sich ein optimales Kristallwachs tum einstellt.
Die Geschwindigkeit, mit welcher sich der Stab 17 senkt, wird so eingestellt, dass sie genügend gross ist, damit die Oberfläche des Keimlings oder Körpers 16 beim Wachsen des Keimlings infolge des ihm zu geführten Siliziums auf einer konstanten Höhe bleibt. Das dem wachsenden Körper zugeführte Silizium kühlt sich beim Absinken unter die vorgenannte Höhe allmählich ab und kristallisiert.
Wenn der ursprünglich vorhandene Keimling 16 ein Einkristall ist, erfolgt das Wachstum an der obern Oberfläche in monokristalliner Form, falls die moleku lare Konzentration des Siliziumwasserstoffes in unmit telbarer Nähe der wachsenden Oberfläche derart ist, dass eine Spaltung praktisch vollständig an der Ober fläche des Keimlings stattfindet und eine Spaltung im Gasraum praktisch vermieden wird.
Dies lässt sich durch eine richtige Einstellung des Druckes in der Kammer und der Strömungsgeschwindigkeit in übereinstimmung mit der Temperatur der obern wachsenden Oberfläche verwirklichen An der Aussenseite des Einkristalls entsteht auch eine gewisse Menge von polykristallinem Stoff. Ein Schnitt durch den gewachsenen Körper ist in der Fig. 3 gezeigt. Der ursprüngliche Einkristall ist wie derum mit 16 bezeichnet. Ein monokristallines Wachstum baut die Verlängerung 34 des ursprüng lichen Einkristalls 16 auf, während ein äusseres polykristallines Wachstum an der Stelle 35 auftritt. Der oder die Teile 35 können abgeschliffen werden, falls nur der Einkristall verwendet werden soll.
Wenn anderseits eine grössere Wachstumsrate erwünscht ist, kann der ursprüngliche Keimling 16 polykristallin sein, und die Verhältnisse können so gewählt werden, dass eine grössere Wachstumsrate auftritt, bei welcher jedoch vorzugsweise wieder darauf geachtet wird, dass nur eine Spaltung an der Oberfläche des Keimlings auftritt. Der polykristalline Körper aus Silizium kann dann in einen monokristal linen Körper umgewandelt werden, und zwar durch das bekannte Verfahren, das in einem Schmelzen und Ziehen eines Kristalls aus der Schmelze besteht.
Wie bereits erwähnt worden ist, eignet sich das Verfahren, das vorangehend für Silizium beschrieben worden ist, auch für andere Stoffe, nämlich Ger manium, Bor, Phosphor, Arsen, Antimon, Selen und Tellur. Alle diese Elemente bilden Hydride, die durch eine Reaktion von Lithium-Aluminium- Hydrid mit dem entsprechenden Chlorid erhalten werden können, wie dies für die Herstellung des Si- liziumhydrides beschrieben worden ist. Immerhin sind geringfügige Änderungen der Bedingungen für eine solche Reaktion ratsam, wie dies bereits be schrieben worden ist.
Alle diese Hydride können durch Hitze leicht gespalten werden, und der zusam menhängende Körper kann dann durch Spaltung der Hydride mittels einer Oberflächenreaktion her beigeführt werden.
Vorzugsweise wird das chemische Element auf einem Kernkörper aus dem gleichen Element nieder geschlagen.
Nachstehend sollen noch einige experimentell er mittelte Bedingungen für die thermische Spaltung von Hydriden von Silizium und Germanium ange geben werden.
EMI0004.0045
<I>Spaltung <SEP> von <SEP> Siliziumwasserstof <SEP> f</I>
<tb> a) <SEP> ohne <SEP> Verwendung <SEP> eines <SEP> inerten <SEP> Gases:
<tb> Beispiel
<tb> 1 <SEP> 2 <SEP> 3 <SEP> 4
<tb> Druck <SEP> (mm <SEP> Hg) <SEP> 10 <SEP> 10 <SEP> 10 <SEP> 15
<tb> Strömungsrate <SEP> (Liter <SEP> pro <SEP> Sekunde) <SEP> 26 <SEP> 26 <SEP> 20 <SEP> 15
<tb> Temperatur <SEP> (<B>0</B> <SEP> C) <SEP> 1000 <SEP> 1100 <SEP> 1100 <SEP> 1200
<tb> Wachstumsrate <SEP> (Gramm <SEP> pro <SEP> Stunde) <SEP> 16 <SEP> 18 <SEP> 14 <SEP> 10,5
<tb> Molekulare <SEP> Konzentration <SEP> (a/9) <SEP> 1,3 <SEP> 1,3 <SEP> 1,3 <SEP> 2,0
EMI0005.0001
b) <SEP> bei <SEP> Verwendung <SEP> eines <SEP> inerten <SEP> Trägergases <SEP> (Argon)
<tb> Druck <SEP> (mm <SEP> Hg) <SEP> 760
<tb> Strömungsrate <SEP> des <SEP> Siliziumwasserstoffes <SEP> (1/h) <SEP> 0,5
<tb> Strömungsrate <SEP> von <SEP> Argon <SEP> (1/h) <SEP> 200
<tb> Spaltungstemperatur <SEP> ( <SEP> C)
<SEP> 800
<tb> Wachstumsrate <SEP> des <SEP> Siliziums <SEP> (g/h) <SEP> 0,5
<tb> Molekulare <SEP> Konzentration <SEP> ( /o) <SEP> 0,25
<tb> <I>Spaltung <SEP> vorn <SEP> Germaniumwasserstoff</I>
<tb> (ohne <SEP> Verwendung <SEP> eines <SEP> inerten <SEP> Gases)
<tb> Druck <SEP> in <SEP> der <SEP> Spaltungskammer <SEP> (mm <SEP> Hg) <SEP> 10 <SEP> 10 <SEP> 15 <SEP> 15
<tb> Strömungsrate <SEP> des <SEP> GeH4 <SEP> (1/h) <SEP> 5 <SEP> 10 <SEP> 5 <SEP> 10
<tb> Temperatur <SEP> (<B>0</B> <SEP> C) <SEP> 800 <SEP> 800 <SEP> 780 <SEP> 800
<tb> Wachstumsrate <SEP> (glh) <SEP> 8 <SEP> 16 <SEP> 8,2 <SEP> 16
<tb> <I>Herstellung <SEP> vorn <SEP> Einkristallen <SEP> aus <SEP> Germanium</I>
<tb> a) <SEP> ohne <SEP> Verwendung <SEP> eines <SEP> inerten <SEP> Gases
<tb> Druck <SEP> in <SEP> der <SEP> Kammer <SEP> (mm <SEP> Hg) <SEP> 16,
5 <SEP> 24 <SEP> 76 <SEP> 24 <SEP> 78 <SEP> 120
<tb> Strömungsrate <SEP> des <SEP> GeH4 <SEP> (ljh) <SEP> 0,6 <SEP> 0,6 <SEP> 0,6 <SEP> 0,3 <SEP> 0,3 <SEP> 0,3
<tb> Keimtemperatur <SEP> ( <SEP> C) <SEP> 760 <SEP> 760 <SEP> 760 <SEP> 760 <SEP> 760 <SEP> 760
<tb> Wachstumsrate <SEP> (g/h) <SEP> 0,22 <SEP> 0,28 <SEP> 0,8 <SEP> 0,12 <SEP> 0,3 <SEP> 0,44
<tb> b) <SEP> Verdünnung <SEP> mit <SEP> N2 <SEP> (90%) <SEP> + <SEP> H2 <SEP> (100/0)
<tb> Druck <SEP> (mm <SEP> Hg) <SEP> 10 <SEP> 100 <SEP> 8 <SEP> 20 <SEP> 55 <SEP> 5 <SEP> 50
<tb> Strömungsrate <SEP> (1;
h) <SEP> 1 <SEP> 1 <SEP> 1 <SEP> 1 <SEP> 1 <SEP> 1 <SEP> 1
<tb> 0/<B>9</B> <SEP> GeH4 <SEP> 15 <SEP> 15 <SEP> 19,5 <SEP> 19,5 <SEP> 19,5 <SEP> 18 <SEP> 18
<tb> Keimtemperatur <SEP> ( <SEP> C) <SEP> 750 <SEP> 750 <SEP> 750 <SEP> 750 <SEP> 750 <SEP> 750 <SEP> 750
<tb> Wachstumsrate <SEP> (glh) <SEP> 0,013 <SEP> 0,23 <SEP> 0,012 <SEP> 0,11 <SEP> 0,30 <SEP> 0,03 <SEP> 0,23