BRPI0909788B1 - método para fabricar um dispositivo emissor de luz - Google Patents

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Abstract

"método para fabricar um dispositivo emissor de luz, e, dispositivo emissor de luz" uma técnica para subenchimento de leds (10, 12) usa moldagem por compressão (50) para encapsular simultaneamente um arranjo de matrizes de led de chip revirado montadas sobre uma pastilha de subapoio (22). o processo de moldagem faz com que material de subenchimento líquido ou amolecido ( 41) encha o vão entre as matrizes de led e a pastilha de subapoio. o material de subenchimento é, então, endurecido, por exemplo, por cura. o material de subenchimento curado (54) sobre o topo e os lados das matrizes de led é removido usando-se jateamento por microcontas (58). o substrato de crescimento exposto (12) é, então, removido de todas as matrizes de led por descolamento a laser ( 60), e o subenchimento suporta as camadas epitaxiais quebradiças (1 o) de cada matriz de led durante o processo de descolamento. a pastilha de subapoio é, então, individualizada. este processamento em nível de pastilha de muitos leds simultaneamente reduz bastante o tempo de fabricação, e uma grande variedade de materiais pode ser usada para o subenchimento, uma vez que uma ampla faixa de viscosidades é tolerável.

Description

MÉTODO PARA FABRICAR UM DISPOSITIVO EMISSOR DE LUZ CAMPO DA INVENÇÃO
Esta invenção refere-se a diodos emissores de luz (LEDs) de chip revirado e, em particular, a um processo para suprir um material dielétrico de subcarga no vão entre o chip de LED e seu subapoio. FUNDAMENTOS
A Fig. 1, da técnica anterior, ilustra um chip revirado convencional de LED 10 montado sobre uma porção de uma pastilha de subapoio 22. Em um chip revirado, ambos os contatos n e p são formados do mesmo lado da matriz de LED, oposto ao lado de substrato de crescimento
12. Em um exemplo, as camadas epitaxiais são baseadas em GaN, e a camada ativa emite luz azul. Qualquer outro tipo de LED de chip revirado é aplicável à presente invenção.
Eletrodos metálicos 14 são formados sobre o LED 10 contatando eletricamente a camada p, e eletrodos metálicos 16 são formados sobre o LED 10 contatando eletricamente a camada n. Em um exemplo, os eletrodos são pontos de ouro soldados ultrassonicamente a almofadas metálicas de anodo e catodo 18 e 20 sobre uma pastilha cerâmica de subapoio 22. A pastilha de subapoio 22 tem vias condutoras 24 levando a almofadas metálicas de base 26 e 28 para ligação a uma placa de circuito impresso. Muitos LEDs são montados sobre a pastilha de subapoio 22 e serão individualizados posteriormente para formar LEDs/subapoios individuais.
Detalhes adicionais sobre LEDs podem ser encontrados nas patentes US 6.649.440 e 6274399 e publicações de patentes US 2006/0.281.203Al e 2005/0.269.5 82A1, do cessionário, todas aqui incorporadas pela referência.
Um material de subenchimento 30 é, então, injetado sob e ao redor do LED 10 para encher os vãos de ar entre o LED 10 e a pastilha de
Petição 870190048885, de 24/05/2019, pág. 5/11 subapoio 22. O material de subenchimento 30 é, tipicamente, epóxi líquido que, em seguida, é curado para endurecer. O subenchimento endurecido provê suporte estrutural e protege o chip contra contaminantes. O material de subenchimento 30 é injetado por um bocal 32 que é movido ao redor do LED 10 enquanto injeta o material de subenchimento 30 a uma pressão relativamente alta para encher o vão estreito entre o LED 10 e a pastilha de subapoio 22. O subenchimento pode se estender lateralmente além do que está mostrado nas figuras, em dispositivos reais.
Qualquer excesso de material de subenchimento 30 (por exemplo, epóxi) sobre o topo e ao redor do LED 10/substrato 12 pode ser removido por jateamento por microcontas.
Após o material de subenchimento 30 ser curado e j ateado por microcontas, o substrato de crescimento 12 é, em seguida, removido usandose um processo de descolamento a laser (não mostrado). A energia de fótons do laser (por exemplo, um laser excímero) é selecionada para estar acima do vão de banda do material de LED e abaixo da borda de absorção do substrato de safira (por exemplo, entre 3,44 eV e 6 eV). Pulsos do laser através da safira são convertidos em energia térmica nos primeiros lOOnm do material de LED. A temperatura gerada é superior a 1000°C e dissocia o gálio e o nitrogênio. A alta pressão de gás resultante empurra o substrato em direção oposta às camadas epitaxiais para liberar o substrato das camadas, e o substrato solto, em seguida, é simplesmente removido da estrutura de LED. O subenchimento ajuda a impedir que as camadas finas de LED rachem sob a alta pressão.
O substrato de crescimento 12 pode, ao contrário, ser removido por ataque, como ataque iônico reativo (RIE), ou esmerilhação. Outras técnicas podem ser usadas dependendo dos tipos de LED e substrato. Em um exemplo, o substrato é à base de Si e um material isolante entre o substrato e as camadas de LED é atacado por uma técnica de ataque úmida para remover o substrato.
Após quaisquer outros processos em nível de pastilha, a pastilha de subapoio 22 é, então, serrada ou marcada e quebrada para individualizar os LEDs/subapoios. O subapoios podem, então, ser soldados a uma placa de circuito impresso.
Problemas com a técnica anterior de subenchimento incluem o seguinte.
A provisão de uma quantidade precisa de material de subenchimento para encher apenas sob e ao redor das camadas finas de LED é difícil e demorada. O processo de subenchimento é executado sequencialmente sobre um arranjo de LEDs montados sobre uma pastilha de subapoio, antes dos LEDs serem individualizados. Pode haver 500-4000 LEDs montados em uma única pastilha de subapoio, dependendo do tamanho de cada LED e da densidade. A injeção do material de subenchimento sob cada LED no arranjo, usando um único bocal móvel, pode levar de 10-40 minutos, dependendo do número de LEDs.
Outro problema é que as propriedades do material de subenchimento devem ser cuidadosamente selecionadas para a viscosidade, expansão térmica, confiabilidade durante a longa vida útil do LED, propriedades dielétricas, condutividade térmica, proteção contra contaminantes e outros fatores, apropriados. Se a viscosidade for muito alta, a pressão necessária para injetar o subenchimento sob o LED para encher todos os vazios pode danificar o LED. Vazios devem ser eliminados, uma vez que o ar se expandirá quando o LED/subapoio se tomar quente, e empurrará o LED para fora do subapoio. Além disso, uma vez que uma área vazia não suporta o LED durante o processo de descolamento a laser, a tensão descendente sobre o LED durante o processo de descolamento a laser pode rachar o LED.
A expansão térmica do subenchimento é extremamente importante uma vez que os LEDs passam por um processo de refluxo de solda ao soldar um LED/subapoio individualizado a uma placa de circuito impresso.
Estas temperaturas podem ser de 265°C. A temperatura de refluxo de solda está acima da temperatura de 185°C típica da transição vítrea para epóxi, que é o subenchimento típico. No que se refere a um epóxi, a temperatura de transição vítrea (Tg) é a temperatura na qual o epóxi se toma mole. Acima da temperatura de transição vítrea, a expansão térmica do epóxi aumenta significativamente, provocando uma pressão ascendente sobre o LED, resultando em rachaduras ou descolando o LED.
O que é necessário é uma técnica aperfeiçoada para subencher um LED que evite os problemas acima mencionados e as limitações de material.
SUMÁRIO
E descrita uma técnica de subenchimento de LEDs, onde é usada moldagem por compressão. O processo é executado antes de qualquer processo de descolamento de substrato. Os LEDs, montados sobre uma pastilha de subapoio, são colocados em um molde. O molde é vedado pelo menos ao redor do perímetro da pastilha de subapoio, e é criado um vácuo dentro do molde. O molde pode ser de alumínio com cavidades separadas alinhadas, com cada LED sobre a pastilha de subapoio. Em um modo de realização, há canais de fluxo interconectando cada cavidade a uma fonte de vácuo e a pelo menos uma entrada de material líquido.
Qualquer material de subenchimento apropriado, como uma poliimida líquida, então, é aplicado à entrada do molde sob pressão, e a combinação do vácuo e pressão de material líquido faz com que o material encha completamente as cavidades no molde onde os LEDs estão localizados. Não há vazios, uma vez que o material encheu o molde.
As dimensões de cada cavidade de molde fazem com que o material líquido encapsule completamente cada LED, juntamente com seu substrato de crescimento.
Em seguida, o material líquido é curado por calor ou luz UV para endurecer o material de subenchimento, e o molde é liberado da pastilha de subapoio. Uma pós cura de temperatura maior pode ser executada após o molde ser liberado.
Em outro modo de realização, o material de subenchimento líquido pode primeiro encher o molde tendo uma vedação periférica saliente e, em seguida, a pastilha de subapoio ser colocada sobre o molde de modo que os LEDs sejam imersos no material de subenchimento. Sob compressão, o material líquido enche todos os espaços vazios sob cada LED. O ar é empurrado para fora através das vedações juntamente com certa quantidade de material de subenchimento. O material é, em seguida, curado, e o molde liberado da pastilha de subapoio. Uma vez que esse processo de moldagem não é baseado em injeção de material líquido sob pressão em uma entrada do molde, há pouca possibilidade de danos aos frágeis LEDs.
Em outro modo de realização, o material de subenchimento usado para encher o molde não é um líquido, mas sim um pó ou pequenas pastilhas. O material sólido é, então, aquecido no molde para fundir ou amolecer de modo que possa se conformar ao molde e encapsular os LEDs. Compressão é usada para moldar o material amolecido e fazer com que escoe para os espaços vazios sob cada LED. O manuseio do material de subenchimento como um sólido tem vários benefícios. Essa moldagem por compressão usando inicialmente um material de subenchimento sólido aumenta consideravelmente o número de materiais de subenchimento possíveis. Um dos materiais que pode ser utilizado para esse processo é o pó de um composto de moldagem de epóxi.
Após a pastilha de subapoio ser removida do molde, todo a pastilha de subapoio é submetida a um processo de jateamento por microcontas para atacar o material de subenchimento até que todo o substrato de crescimento seja exposto. O substrato é, então, removido usando-se um processo de descolamento a laser ou outro processo adequado. O subenchimento suporta o fino LED durante este processo.
Após o substrato de crescimento ter sido removido, o LED pode ser afinado para melhorar a extração de luz. A superfície do LED pode ser tomada áspera para melhorar ainda mais a extração de luz, por reduzir o número de reflexões internas.
Lentes podem, então, ser moldadas sobre os LEDs e/ou outras técnicas de processamento em nível de pastilha podem ser executadas.
Os LEDs/subapoios são, então, individualizados usando-se serração, marcação e quebra, ou qualquer outra técnica.
Usando-se o método acima, uma maior variedade de materiais pode ser utilizada para o subenchimento, uma vez que uma faixa muito mais ampla de viscosidade é tolerável. Ao usar o bocal de jato da técnica anterior, o material podería ter apenas uma faixa estreita de viscosidade. Um material de subenchimento preferido, que pode ser usado com o atual processo, é uma poliimida, que tem uma temperatura de transição vítrea próximo ou acima da temperatura de refluxo de solda, de modo que haja muito pouca expansão térmica da poliimida sob as piores condições.
Além disso, uma vez que todos os LEDs sobre a pastilha de subapoio (por exemplo, 500-4000 LEDs) são subenchidos ao mesmo tempo, o tempo de processamento de subenchimento pode ser reduzido a apenas alguns minutos.
BREVE DESCRIÇÃO DOS DESENHOS
A Fig. 1 é uma vista em seção transversal de um LED de chip revirado, da técnica anterior, montado em um subapoio, onde o material de subenchimento de LED é dispensado sob pressão por um pequeno bocal na base do LED.
A Fig. 2 ilustra uma porção simplificada de uma pastilha de subapoio povoada por um arranjo de como 500-4000 LEDs.
A Fig. 3A ilustra um processo de moldagem por injeção em nível de pastilha usado para encapsular todos os LEDs sobre a pastilha de subapoio com um material de subenchimento.
A Fig. 3B ilustra um tipo alternativo de processo de moldagem em nível de pastilha, que não usa a injeção usada para encapsular todos os LEDs sobre a pastilha de subapoio com um material de subenchimento.
A Fig. 4 ilustra os LEDs sobre a pastilha após ter sido removido do molde da Fig. 3 A ou Fig. 3B.
A Fig. 5 ilustra a porção superior do material de subenchimento da Fig. 4 sendo removido por jateamento por microcontas.
A Fig. 6 ilustra uma técnica de descolamento a laser para a remoção do substrato de crescimento dos LEDs.
A Fig. 7 é uma vista em seção transversal de um único LED montado sobre um subapoio após o LED ter sido afinado e após os LEDs/subapoios terem sido individualizados. O subapoio é mostrado soldado a uma placa de circuito impresso.
Elementos que são iguais ou equivalentes estão rotulados com o mesmo numeral.
DESCRIÇÃO DETALHADA
Como um assunto preliminar, um LED convencional é formado sobre um substrato de crescimento. No exemplo usado, o LED é um LED baseado em GaN, como um LED de AlInGaN ou InGaN, para a produção de luz azul. Tipicamente, um camada de GaN tipo n relativamente espessa é crescida sobre um substrato de crescimento de safira usando técnicas convencionais. A camada de GaN relativamente espessa inclui, tipicamente, uma camada de nucleação de baixa temperatura e uma ou mais camadas adicionais de modo a prover uma estrutura em treliça pouco defeituosa para a camada de revestimento do tipo n e para a camada ativa. Uma ou mais camadas de revestimento do tipo n são, então, formadas sobre a camada espessa tipo n, seguida de uma camada ativa, uma ou mais camadas de revestimento tipo p, e uma camada de contato tipo p (para metalização).
Para um chip revirado, porções das camadas p e das camadas ativas são atacadas para expor uma camada n para metalização Desta maneira, o contato p e o contato n ficam do mesmo lado do chip e podem ser diretamente acoplados eletricamente às almofadas de contato de subapoio. A corrente do contato metálico n, inicialmente, flui lateralmente através da camada n.
Outros tipos de LEDs que podem ser usados na presente invenção incluem LEDs de AlInGaP, que podem produzir luz na faixa vermelha a amarela.
O LED de chip revirado usado como um exemplo na presente invenção é a estrutura de LED da Fig. 1 compreendendo um LED semicondutor 10, seu substrato de crescimento 12, e seus eletrodos 14/16, onde o LED está montado sobre uma pastilha de subapoio 22.
A Fig. 2 é uma ilustração simplificada de uma pastilha de subapoio 22 sobre a qual está montado um arranjo de LEDs. Pode haver 5004000 LEDs sobre uma única pastilha de subapoio 22. Um LED também é referido aqui como uma matriz de LED.
Em vez de posicionar um bocal na base de cada LED para injetar um material de subenchimento sob cada LED no arranjo, é executado um processo de moldagem em nível de pastilha.
A Fig. 3A ilustra um tipo de processo de moldagem por injeção apropriado para a criação do subenchimento para cada LED. Um molde 36 tem cavidades 38 que definem a forma do material de subenchimento endurecido após o processo de moldagem. O molde 36 pode ser formado de alumínio. O molde 36 tem uma vedação de perímetro 37, que veda contra a pastilha de subapoio 22 quando o molde 36 é alinhado com a pastilha 22 e pressionado contra este.
O molde 36 tem pelo menos uma entrada 40, para a injeção de material de subenchimento líquido 41 (por exemplo, uma poliimida), e pelo menos uma saída 42 conectada a uma fonte de vácuo. Uma vez o molde 36 vedado contra a pastilha 22, é criado um vácuo dentro do molde 36, e material de subenchimento 41 é injetado através da entrada 40. O material de subenchimento 41 escoa para todas as cavidades 38, via canais 44 entre as cavidades, ajudado pelo vácuo e a pressão de injeção do material 41. O vácuo remove quase todo o ar no molde 36. Finalmente, todo o molde 36 estará enchido com o material de subenchimento 41, incluindo todos os vazios sob os LEDs.
O molde 36 é, então, aquecido para curar o material de subenchimento líquido. A temperatura do molde 36 durante a cura é de, aproximadamente, 150°C. Altemativamente, pode ser usado um molde transparente e o material de subenchimento pode ser curado com luz UV.
A Fig. 3B ilustra um processo de moldagem alternativo em nível de pastilha que não utiliza a injeção por pressão do material de subenchimento. Na Fig. 3B, o molde 48 tem cavidades 50 que são inicialmente enchidas com o material de subenchimento líquido 41 à pressão atmosférica. A pastilha de subapoio 22 é levada de encontro ao molde 48 para que os LEDs sejam imersos no material de subenchimento em cada cavidade 50. A pastilha 22 e o molde 48 são mutuamente pressionados para forçar o material de subenchimento a encher todos os vazios. Uma vedação de perímetro 53 permite que a pressão seja alta, permitindo, ao mesmo tempo, que todo o ar escape, à medida que o material de subenchimento enche os vazios. Um vácuo também pode ser puxado entre a pastilha 22 e o molde 48 usando-se uma fonte de vácuo ao redor da vedação 53.
O molde 48 é, então, aquecido para curar o material de subenchimento líquido. Altemativamente, pode ser usado um molde transparente e o material de subenchimento pode ser curado com luz UV.
O molde da Fig. 3A ou 3B é, em seguida, removido da pastilha
22, resultando na estrutura da Fig. 4, tendo material de subenchimento endurecido54, em excesso, encapsulando cada LED. Também pode haver uma fina camada de material de subenchimento endurecido sobre superfície da pastilha 22 entre cada LED, dependendo do molde.
A pastilha 22 pode, então, ser submetida a uma temperatura de pós-cura de, aproximadamente, 250°C para endurecer adicionalmente o material de subenchimento. Para um composto de moldagem de epóxi ou um subenchimento de poliimida, sua temperatura de transição vítrea (Tg) está entre 260-300°C, de modo que, é preferida uma temperatura de cura menor do que Tg, para limitar qualquer expansão térmica do subenchimento.
Em outro modo de realização, o material de subenchimento usado para encher o molde não é um líquido, mas sim um pó ou pequenas pastilhas. O material sólido é, então, aquecido no molde da Fig. 3A ou 3B para fundir ou amolecer. E usada compressão para fazer com que o material amolecido tome a forma do molde e para encher os vazios sob os LEDs, ao mesmo tempo encapsulando os LEDs. O material fundido ou amolecido é, em seguida, curado ou resfriado, se necessário, para tomá-lo novamente sólido. Certos materiais endurecem automaticamente após o aquecimento e o processo de compressão. O manuseio do material de subenchimento como um sólido tem vários benefícios. Além disso, alguns materiais apropriados que podem ser usados para um subenchimento não são líquidos à temperatura ambiente, antes da cura, de modo que o aquecimento de um material sólido no molde, seguido por compressão, aumenta consideravelmente o número de possíveis materiais que podem ser usados como um subenchimento. Um polímero sólido apropriado que pode ser usado é um composto de moldagem de epóxi na forma de pó.
Para executar um processo de descolamento a laser para remover os substratos de crescimento 12, o material de subenchimento 54 sobre o substrato de crescimento 12 deve, primeiro, ser removido. Caso o substrato de crescimento 12 seja removido por esmerilhação ou outro processo de ataque mecânico, a esmerilhação poderá ser usada, ao mesmo tempo, para remover o excesso de material de subenchimento 54.
A Fig. 5 ilustra a remoção do excesso de material de subenchimento 54 pelo jateamento de toda a superfície da pastilha 22 com microcontas em alta velocidade 58. Em um modo de realização, as microcontas 58 têm diâmetros entre 1-20 micra e são formadas de NaHCOs. As microcontas 58 são aceleradas através de um bocal, por ar, a uma pressão de, aproximadamente, 689,48 kPa, ou menos. O bocal pode ser grande, para atacar o material de subenchimento 54 de todo ou de grande parte da pastilha 22 sem movimentação do bocal, ou pode ser usado um bocal menor para atacar o material de subenchimento 54 apenas de alguns LEDs em um momento, seguido pela movimentação do bocal para uma próxima posição sobre a pastilha 22. A remoção de excesso de material de qualquer natureza usando microcontas é um processo conhecido. O material de subenchimento 54 é atacado de modo que sua superfície de topo intercepte uma borda das camadas semicondutoras de LED de modo a assegurar que todo o LED seja suportado pelo subenchimento durante o processo de descolamento a laser de substrato.
A Fig. 6 ilustra o processo de descolamento a laser descrito anteriormente. Os pulsos de laser estão mostrados pelas setas 60. Durante o descolamento a laser, a superfície do GaN absorve calor fazendo com que a camada superficial se decomponha em Ga e N 2. A pressão de N2 empurra o substrato de safira em direção oposta ao LED. Após os substratos de crescimento 12 serem destacados das camadas de LED semicondutoras durante o processo de descolamento, eles são removidos por meio de, por exemplo, uma lâmina adesiva ou qualquer outro processo adequado.
As camadas de LED expostas são, então, afinadas, por exemplo, por RIE ou ataque mecânico, uma vez que a camada superior exposta é uma camada n relativamente espessa, e a superfície ter sido danificada pelo processo de descolamento a laser. A superfície de topo resultante pode, então, ser tomada áspera para aumentar a eficiência de extração de luz.
Outros processos em nível de pastilha também podem ser executados sobre o arranjo de LED enquanto montado na pastilha de subapoio 22. Um desses processos pode ser sobremoldar uma lente sobre cada LED em um processo de moldagem único, similar ao mostrado na Fig. 3A ou 3B. Detalhes de um processo de moldagem de lente em nível de pastilha estão descritos na publicação de patente US 2006/0.105.485, intitulada Overmolded Lens Over LED Die, por Grigoriy Basin et al., adjudicada ao presente cessionário e aqui incorporada pela referência.
A pastilha de subapoio 22 é, então, individualizado para formar LEDs/subapoios individuais. A Fig. 7 ilustra um único LED/subapoio soldado às almofadas sobre uma placa de circuito impresso 64.
Uma vez que há uma ampla faixa de viscosidades do material de subenchimento líquido que são apropriadas quando se usa o processo de moldagem de subenchimento aqui descrito, o material de subenchimento pode ser selecionado substancialmente independente de sua viscosidade. O material dielétrico de subenchimento pode ser escolhido, primariamente, baseado em seu coeficiente de expansão térmica, facilidade de uso e confiabilidade sob todas as temperaturas às quais o LED é submetido. Uma poliimida é o subenchimento preferido, possuindo qualidades muito melhores do que a epóxi.
Embora modos de realização particulares da presente invenção tenham sido mostrados e descritos, será óbvio para aqueles experientes na técnica que mudanças e modificações podem ser feitas sem se afastar desta invenção em seus aspectos mais amplos e, por conseguinte, as reivindicações anexas devem abranger, dentro de seu escopo, todas essas mudanças e modificações à medida que se enquadrem no verdadeiro espírito e escopo da presente invenção.

Claims (12)

  1. REIVINDICAÇÕES
    1. Método para fabricar um dispositivo emissor de luz, caracterizado por compreender:
    prover uma matriz de LED de chip revirado (10, 12) sobre um subapoio (22), tendo um vão entre a matriz de LED e o subapoio, a matriz de LED tendo uma primeira superfície faceando o subapoio e uma segunda superfície oposta à superfície inferior;
    moldar um material de subenchimento (41, 54) sobre a matriz de LED de modo que o material de subenchimento encapsule a matriz de LED e encha, substancialmente, completamente, o vão entre a matriz de LED e o subapoio; e remover (58) o material de subenchimento (54), em que a matriz de LED compreende camadas epitaxiais (10) crescidas sobre um substrato de crescimento (12), em que uma superfície do substrato de crescimento é a segunda superfície da matriz de LED, o método compreendendo, adicionalmente, a remoção do substrato de crescimento das camadas epitaxiais após a moldagem do material de subenchimento (41, 54) sobre a matriz de LED.
  2. 2. Método, de acordo com a reivindicação 1, caracterizado pelo substrato (12) ser removido das camadas epitaxiais por uma técnica de descolamento a laser (60) após a etapa de remoção do material de subenchimento (54).
  3. 3. Método, de acordo com a reivindicação 1, caracterizado pela remoção de material de subenchimento (54) compreender remover o material de subenchimento usando jateamento por microcontas (58).
  4. 4. Método, de acordo com a reivindicação 1, caracterizado pela remoção de material de subenchimento (54) compreender remover o material de subenchimento por ataque.
  5. 5. Método, de acordo com a reivindicação 1, caracterizado
    Petição 870190048885, de 24/05/2019, pág. 6/11 pelo material de moldagem subenchimento (41, 54) sobre a matriz de LED (10, 12) compreender:
    prover um material de subenchimento sólido em um molde(50);
    aquecer o molde para fundir ou amolecer o material de subenchimento;
    posicionar a matriz de LED (10, 12) sobre o subapoio (22) em relação ao molde para comprimir o material de subenchimento fundido ou amolecido e encapsular a matriz de LED; e resfriar o material de subenchimento.
  6. 6. Método, de acordo com a reivindicação 1, caracterizado por moldar o material de subenchimento (41, 54) sobre a matriz de LED (10, 12) compreender:
    posicionar a matriz de LED (10, 12) sobre o subapoio (22) em relação a um molde (36);
    criar um vácuo substancial entre o subapoio (22) e uma cavidade de molde (38);
    encher a cavidade de molde, sob pressão, com um material de subenchimento líquido (41) para encapsular a matriz de LED; e curar o material de subenchimento.
  7. 7. Método, de acordo com a reivindicação 1, caracterizado por moldar o material de subenchimento (41, 54) sobre a matriz de LED (10, 12) compreender:
    encher uma cavidade do molde (50) com um material de subenchimento amolecido (41);
    imergir a matriz de LED no material de subenchimento amolecido; e curar o material de subenchimento.
  8. 8. Método, de acordo com a reivindicação 1, caracterizado por
    Petição 870190048885, de 24/05/2019, pág. 7/11 prover uma matriz de LED de chip revirado (10, 12) sobre o subapoio (22) compreender prover uma pluralidade de matrizes de LED sobre uma pastilha de subapoio (22), a pastilha de subapoio tendo eletrodos (18, 20) ligadas aos eletrodos correspondentes (14, 16) da pluralidade de matrizes de LED, cada matriz de LED tendo um vão entre a matriz de LED e a pastilha de subapoio, e no qual a etapa de moldagem do material de subenchimento (41, 54) é executada simultaneamente sobre todas as matrizes de LED.
  9. 9. Método, de acordo com a reivindicação 8, caracterizado por compreender adicionalmente individualizar a pastilha de subapoio (22) para separar as matrizes de LED (10) montadas sobre suas respectivas porções de subapoio, após a etapa de remoção do material de subenchimento (54).
  10. 10. Método, de acordo com a reivindicação 1, caracterizado pelo material de subenchimento (41, 54) ser um polímero.
  11. 11. Método, de acordo com a reivindicação 1, caracterizado pelo material de subenchimento (41, 54) ser um composto de moldagem de epóxi.
  12. 12. Método, de acordo com a reivindicação 1, caracterizado pela matriz de LED (10, 12) compreender camadas epitaxiais (10) crescidas sobre um substrato de crescimento (12), no qual uma superfície do substrato de crescimento é a segunda superfície da matriz de LED, onde a remoção do material de subenchimento (54) compreende remover o material de subenchimento para expor totalmente todas as superfícies de lado do substrato de crescimento.
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