RU2010142267A - Процесс формирования прокладки для перевернутых сид - Google Patents

Процесс формирования прокладки для перевернутых сид Download PDF

Info

Publication number
RU2010142267A
RU2010142267A RU2010142267/28A RU2010142267A RU2010142267A RU 2010142267 A RU2010142267 A RU 2010142267A RU 2010142267/28 A RU2010142267/28 A RU 2010142267/28A RU 2010142267 A RU2010142267 A RU 2010142267A RU 2010142267 A RU2010142267 A RU 2010142267A
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
led
crystal
support
led crystal
gasket
Prior art date
Application number
RU2010142267/28A
Other languages
English (en)
Other versions
RU2502157C2 (ru
Inventor
Григорий БАСИН (US)
Григорий БАСИН
Фредерик ДИАНА (US)
Фредерик ДИАНА
Пол С. МАРТИН (US)
Пол С. МАРТИН
Дима САЙМОНИАН (US)
Дима САЙМОНИАН
Original Assignee
Кониклейке Филипс Электроникс Н.В. (Nl)
Кониклейке Филипс Электроникс Н.В.
ФИЛИПС ЛЬЮМИЛДЗ ЛАЙТИНГ КОМПАНИ, ЭлЭлСи (US)
ФИЛИПС ЛЬЮМИЛДЗ ЛАЙТИНГ КОМПАНИ, ЭлЭлСи
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Family has litigation
First worldwide family litigation filed litigation Critical https://patents.darts-ip.com/?family=40677561&utm_source=google_patent&utm_medium=platform_link&utm_campaign=public_patent_search&patent=RU2010142267(A) "Global patent litigation dataset” by Darts-ip is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 International License.
Application filed by Кониклейке Филипс Электроникс Н.В. (Nl), Кониклейке Филипс Электроникс Н.В., ФИЛИПС ЛЬЮМИЛДЗ ЛАЙТИНГ КОМПАНИ, ЭлЭлСи (US), ФИЛИПС ЛЬЮМИЛДЗ ЛАЙТИНГ КОМПАНИ, ЭлЭлСи filed Critical Кониклейке Филипс Электроникс Н.В. (Nl)
Publication of RU2010142267A publication Critical patent/RU2010142267A/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2502157C2 publication Critical patent/RU2502157C2/ru

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/52—Encapsulations
    • H01L33/54—Encapsulations having a particular shape
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/93—Batch processes
    • H01L24/95—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
    • H01L24/97—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips the devices being connected to a common substrate, e.g. interposer, said common substrate being separable into individual assemblies after connecting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/161—Disposition
    • H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/16225—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321—Disposition
    • H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32225—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732—Location after the connecting process
    • H01L2224/73201—Location after the connecting process on the same surface
    • H01L2224/73203—Bump and layer connectors
    • H01L2224/73204—Bump and layer connectors the bump connector being embedded into the layer connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/005—Processes
    • H01L33/0093—Wafer bonding; Removal of the growth substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/52—Encapsulations
    • H01L33/56—Materials, e.g. epoxy or silicone resin

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)
  • Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

1. Способ изготовления светоизлучающего устройства, содержащий этапы: ! обеспечения кристалла светоизлучающего диода (СИД) (10, 12) на опоре (22), причем между кристаллом СИД и опорой существует зазор, причем кристалл СИД имеет нижнюю поверхность, обращенную к опоре, и верхнюю поверхность, противоположную нижней поверхности, ! формование материала (41, 54) прокладки поверх кристалла СИД так, что материал прокладки запечатывает кристалл СИД и, по существу, полностью заполняет зазор между кристаллом СИД и опорой, и ! удаление (58) материала (54) прокладки, по меньшей мере, с верхней поверхности кристалла СИД, причем кристалл СИД содержит эпитаксиальные слои (10), выращенные на ростовой подложке (12), причем поверхность ростовой подложки является верхней поверхностью кристалла СИД, при этом способ дополнительно содержит этап удаления ростовой подложки с эпитаксиальных слоев после формования материала (41, 54) прокладки поверх кристалла СИД. ! 2 Способ по п.1, в котором подложка (12) удаляется с эпитаксиальных слоев методом (60) лазерного отделения после этапа удаления материала (54) прокладки. ! 4. Способ по п.1, в котором этап удаления материала прокладки (54) содержит удаление материала прокладки путем обдувки микрошариками (58). ! 5. Способ по п.1, в котором этап удаления материала прокладки (54) содержит удаление материала прокладки путем травления. ! 6. Способ по п.1, в котором этап формования материала (41, 54) прокладки поверх кристалла (10, 12) СИД содержит этапы: ! обеспечения твердого материала прокладки в форме (50), ! нагревание формы для плавления или размягчения материала прокладки, ! размещение кристалла (10, 12) СИД на опоре (22) по отношению к фо

Claims (1)

1. Способ изготовления светоизлучающего устройства, содержащий этапы:
обеспечения кристалла светоизлучающего диода (СИД) (10, 12) на опоре (22), причем между кристаллом СИД и опорой существует зазор, причем кристалл СИД имеет нижнюю поверхность, обращенную к опоре, и верхнюю поверхность, противоположную нижней поверхности,
формование материала (41, 54) прокладки поверх кристалла СИД так, что материал прокладки запечатывает кристалл СИД и, по существу, полностью заполняет зазор между кристаллом СИД и опорой, и
удаление (58) материала (54) прокладки, по меньшей мере, с верхней поверхности кристалла СИД, причем кристалл СИД содержит эпитаксиальные слои (10), выращенные на ростовой подложке (12), причем поверхность ростовой подложки является верхней поверхностью кристалла СИД, при этом способ дополнительно содержит этап удаления ростовой подложки с эпитаксиальных слоев после формования материала (41, 54) прокладки поверх кристалла СИД.
2 Способ по п.1, в котором подложка (12) удаляется с эпитаксиальных слоев методом (60) лазерного отделения после этапа удаления материала (54) прокладки.
4. Способ по п.1, в котором этап удаления материала прокладки (54) содержит удаление материала прокладки путем обдувки микрошариками (58).
5. Способ по п.1, в котором этап удаления материала прокладки (54) содержит удаление материала прокладки путем травления.
6. Способ по п.1, в котором этап формования материала (41, 54) прокладки поверх кристалла (10, 12) СИД содержит этапы:
обеспечения твердого материала прокладки в форме (50),
нагревание формы для плавления или размягчения материала прокладки,
размещение кристалла (10, 12) СИД на опоре (22) по отношению к форме, чтобы сжать расплавленный или размягченный материал прокладки и запечатать кристалл СИД, и
охлаждение материала прокладки.
7. Способ по п.1, в котором этап формования материала (41, 54) прокладки поверх кристалла (10, 12) СИД содержит этапы:
размещения кристалла (10, 12) СИД на опоре (22) по отношению к форме (36),
создание существенного вакуума между опорой (22) и полостью формы (38),
заполнение полости формы под давлением жидким материалом (41) прокладки чтобы запечатать кристалл СИД, и
отверждение материала прокладки.
8. Способ по п.1, в котором этап формования материала (41, 54) прокладки поверх кристалла (10, 12) СИД содержит этапы:
заполнения полости (50) формы размягченным материалом (41) прокладки,
погружение кристалла СИД в размягченный материал прокладки, и
отверждение материала прокладки.
9. Способ по п.1, в котором этап обеспечения кристалла (10, 12) СИД на опоре (22) содержит обеспечение множества кристаллов СИД на опорной пластине (22), причем опорная пластина имеет электроды (18, 20), связанные с соответствующими электродами (14, 16) множества кристаллов СИД, причем каждый кристалл СИД имеет зазор между кристаллом СИД и опорной пластиной, и при этом, этап формования материала (41, 54) прокладки (осуществляется одновременно на всех кристаллах СИД.
10. Способ по п.9, дополнительно содержащий этап сингуляции опорной пластины (22) для разделения кристаллов СИД (10), установленных в соответствующих позициях на опоре, после этапа удаления материала (54) прокладки.
11. Способ по п.1, в котором материалом (41, 54) прокладки является полимер.
12. Способ по п.1, в котором материалом (41, 54) прокладки является эпоксидная формовочная смесь.
13. Способ изготовления светоизлучающего устройства, содержащий этапы:
обеспечения кристалла (10, 12) светоизлучающего диода (СИД) на опоре (22), причем между кристаллом СИД и опорой существует зазор, причем кристалл СИД имеет нижнюю поверхность, обращенную к опоре, и верхнюю поверхность, противоположную нижней поверхности,
формование материала (41, 54) прокладки поверх кристалла СИД так, что материал прокладки запечатывает кристалл СИД и, по существу, полностью заполняет зазор между кристаллом СИД и опорой, и
удаление (58) материала (54) прокладки, по меньшей мере, с верхней поверхности кристалла СИД,
причем кристалл (10, 12) СИД содержит эпитаксиальные слои (10), выращенные на ростовой подложке (12), причем поверхность ростовой подложки является верхней поверхностью кристалла СИД, при этап удаления материала (54) прокладки содержит удаление материала прокладки для полного обнажения всех боковых поверхностей ростовой подложки.
14. Промежуточное светоизлучающее устройство до сингуляции, содержащее:
матрицу кристаллов (10, 12) СИД, установленных на опорной пластине (22), причем опорная пластина (22) припаяна припоем к печатной плате (64), причем опорная пластина имеющая электроды (18, 20), связанные с соответствующими электродами (14, 16) кристаллов СИД, причем каждый кристалл СИД имеет зазор между кристаллом СИД и опорной пластиной, и
материал (41, 54) прокладки, одновременно сформованный поверх всех кристаллов СИД и полностью запечатывающий все кристаллы СИД, причем материал прокладки, по существу, полностью заполняет зазор между каждым кристаллом СИД и опорной пластиной, причем материал (41, 54) прокладки имеет температуру (Tg) стеклования вблизи или выше температуры оплавления припоя.
15. Светоизлучающее устройство, содержащее:
перевернутый кристалл (10, 12) светодиода (СИД),
опору (22), на которой установлен кристалл СИД, причем зазор между кристаллом СИД и опорой существует зазор, печатную плату (64), на которой опора (22) припаяна припоем, и
сформованную прокладку (54) между кристаллом СИД и опорой, причем сформованная прокладка (54) имеет температуру (Tg) стеклования вблизи или выше температуры оплавления припоя.
16. Светоизлучающее устройство по п.15, в котором сформованная прокладка (54) содержит полиимид, имеющий температуру (Tg) стеклования 260-300°C.
RU2010142267/28A 2008-03-17 2009-03-13 Процесс формирования прокладки для перевернутых сид RU2502157C2 (ru)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US12/050,082 US20090230409A1 (en) 2008-03-17 2008-03-17 Underfill process for flip-chip leds
US12/050,082 2008-03-17
PCT/IB2009/051055 WO2009115968A1 (en) 2008-03-17 2009-03-13 Underfill process for flip-chip leds

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU2010142267A true RU2010142267A (ru) 2012-04-27
RU2502157C2 RU2502157C2 (ru) 2013-12-20

Family

ID=40677561

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2010142267/28A RU2502157C2 (ru) 2008-03-17 2009-03-13 Процесс формирования прокладки для перевернутых сид

Country Status (9)

Country Link
US (2) US20090230409A1 (ru)
EP (1) EP2266149B1 (ru)
JP (1) JP5372133B2 (ru)
KR (1) KR101524004B1 (ru)
CN (1) CN102084505B (ru)
BR (1) BRPI0909788B1 (ru)
RU (1) RU2502157C2 (ru)
TW (1) TWI463701B (ru)
WO (1) WO2009115968A1 (ru)

Families Citing this family (35)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8405228B2 (en) * 2009-03-25 2013-03-26 Stats Chippac Ltd. Integrated circuit packaging system with package underfill and method of manufacture thereof
US8471280B2 (en) * 2009-11-06 2013-06-25 Koninklijke Philips Electronics N.V. Silicone based reflective underfill and thermal coupler
JP2012019062A (ja) * 2010-07-08 2012-01-26 Shin Etsu Chem Co Ltd 発光半導体装置、実装基板及びそれらの製造方法
US8796075B2 (en) 2011-01-11 2014-08-05 Nordson Corporation Methods for vacuum assisted underfilling
CN102610703A (zh) * 2011-01-20 2012-07-25 陈惠美 光电元件的封装方法
US8952402B2 (en) * 2011-08-26 2015-02-10 Micron Technology, Inc. Solid-state radiation transducer devices having flip-chip mounted solid-state radiation transducers and associated systems and methods
US10043960B2 (en) * 2011-11-15 2018-08-07 Cree, Inc. Light emitting diode (LED) packages and related methods
CN102593317B (zh) * 2011-12-20 2014-12-24 西安炬光科技有限公司 一种高功率高亮度led光源封装结构及其封装方法
CN104205366B (zh) 2012-03-30 2018-08-31 亮锐控股有限公司 密封的半导体发光器件
JP5962285B2 (ja) 2012-07-19 2016-08-03 日亜化学工業株式会社 発光装置およびその製造方法
JP2014179569A (ja) * 2013-03-15 2014-09-25 Nichia Chem Ind Ltd 発光装置およびその製造方法
US9022607B2 (en) 2012-10-18 2015-05-05 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Leadframe-based surface mount technology segmented display design and method of manufacture
CN103456729B (zh) * 2013-07-26 2016-09-21 利亚德光电股份有限公司 发光二极管显示屏
US9640709B2 (en) 2013-09-10 2017-05-02 Heptagon Micro Optics Pte. Ltd. Compact opto-electronic modules and fabrication methods for such modules
CN104600186A (zh) * 2013-10-31 2015-05-06 展晶科技(深圳)有限公司 发光二极管封装体的制造方法
US10056267B2 (en) 2014-02-14 2018-08-21 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Substrate design for semiconductor packages and method of forming same
US9653443B2 (en) * 2014-02-14 2017-05-16 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Thermal performance structure for semiconductor packages and method of forming same
JP2015220342A (ja) * 2014-05-19 2015-12-07 住友電気工業株式会社 光半導体装置の製造方法及び光半導体装置の製造装置
JP7071118B2 (ja) * 2014-08-19 2022-05-18 ルミレッズ ホールディング ベーフェー ダイレベルのレーザリフトオフ中の機械的損傷を減少させるサファイアコレクタ
CN107924865B (zh) * 2015-05-13 2022-03-11 亮锐控股有限公司 用于减少在管芯水平激光剥离期间机械损伤的蓝宝石收集器
US9831104B1 (en) * 2015-11-06 2017-11-28 Xilinx, Inc. Techniques for molded underfill for integrated circuit dies
WO2017202331A1 (en) * 2016-05-25 2017-11-30 Chen-Fu Chu Methods of filling organic or inorganic liquid in assembly module
DE102017104851A1 (de) * 2017-03-08 2018-09-13 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zur Herstellung von zumindest einem optoelektronischen Bauelement und optoelektronisches Bauelement
CN108630645A (zh) * 2017-03-17 2018-10-09 永道无线射频标签(扬州)有限公司 一种芯片和天线基材的接合结构及其制备方法
US11024611B1 (en) * 2017-06-09 2021-06-01 Goertek, Inc. Micro-LED array transfer method, manufacturing method and display device
US10672957B2 (en) 2017-07-19 2020-06-02 Cree, Inc. LED apparatuses and methods for high lumen output density
CN107424964A (zh) * 2017-07-27 2017-12-01 武汉市三选科技有限公司 底部填充组成物及使用其之底部填充方法与电子组装组件
JP7266178B2 (ja) * 2017-11-24 2023-04-28 日亜化学工業株式会社 半導体装置の製造方法
KR20190084807A (ko) * 2018-01-09 2019-07-17 서울바이오시스 주식회사 발광 장치
JP7236807B2 (ja) * 2018-01-25 2023-03-10 浜松ホトニクス株式会社 半導体装置、及び半導体装置の製造方法
US11101410B2 (en) 2018-05-30 2021-08-24 Creeled, Inc. LED systems, apparatuses, and methods
US10453827B1 (en) 2018-05-30 2019-10-22 Cree, Inc. LED apparatuses and methods
US20210399041A1 (en) * 2020-06-18 2021-12-23 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Light emitting module having a plurality of unit pixels, method of fabricating the same, and displaying apparatus having the same
US20220149246A1 (en) * 2020-11-12 2022-05-12 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Light emitting module and method of manufacturing the same and display apparatus having the same
CN113524473B (zh) * 2021-07-09 2023-10-20 苏州晶方半导体科技股份有限公司 光学基板的切割方法

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6194742B1 (en) * 1998-06-05 2001-02-27 Lumileds Lighting, U.S., Llc Strain engineered and impurity controlled III-V nitride semiconductor films and optoelectronic devices
US6133589A (en) * 1999-06-08 2000-10-17 Lumileds Lighting, U.S., Llc AlGaInN-based LED having thick epitaxial layer for improved light extraction
US6506681B2 (en) * 2000-12-06 2003-01-14 Micron Technology, Inc. Thin flip—chip method
JP2003197680A (ja) * 2001-12-25 2003-07-11 Matsushita Electric Works Ltd 半導体装置の製造方法
US7138293B2 (en) * 2002-10-04 2006-11-21 Dalsa Semiconductor Inc. Wafer level packaging technique for microdevices
US6977396B2 (en) * 2003-02-19 2005-12-20 Lumileds Lighting U.S., Llc High-powered light emitting device with improved thermal properties
RU2267188C2 (ru) * 2003-06-23 2005-12-27 Федорова Галина Владимировна Светодиодное полупроводниковое устройство в корпусе для поверхностного монтажа
JP3876250B2 (ja) * 2003-06-24 2007-01-31 スタンレー電気株式会社 表面実装型半導体電子部品および製造方法
US7361938B2 (en) * 2004-06-03 2008-04-22 Philips Lumileds Lighting Company Llc Luminescent ceramic for a light emitting device
JP4608966B2 (ja) * 2004-06-29 2011-01-12 日亜化学工業株式会社 発光装置の製造方法
US7344902B2 (en) * 2004-11-15 2008-03-18 Philips Lumileds Lighting Company, Llc Overmolded lens over LED die
US7791014B2 (en) * 2005-03-09 2010-09-07 Asahi Kasei Emd Corporation Optical device and a method of manufacturing an optical device having a photoelectric conversion element and an optical adjustment element
US7125734B2 (en) * 2005-03-09 2006-10-24 Gelcore, Llc Increased light extraction from a nitride LED
US7754507B2 (en) * 2005-06-09 2010-07-13 Philips Lumileds Lighting Company, Llc Method of removing the growth substrate of a semiconductor light emitting device
DE112006001835T5 (de) * 2005-07-11 2008-05-15 GELcore, LLC (n.d.Ges.d. Staates Delaware), Valley View Laserabgehobene LED mit verbesserter Lichtausbeute
US7718449B2 (en) * 2005-10-28 2010-05-18 Lumination Llc Wafer level package for very small footprint and low profile white LED devices
JP5192646B2 (ja) * 2006-01-16 2013-05-08 Ｔｏｗａ株式会社 光素子の樹脂封止方法、その樹脂封止装置、および、その製造方法
US7867793B2 (en) * 2007-07-09 2011-01-11 Koninklijke Philips Electronics N.V. Substrate removal during LED formation

Also Published As

Publication number Publication date
BRPI0909788B1 (pt) 2019-11-05
CN102084505B (zh) 2013-05-01
EP2266149A1 (en) 2010-12-29
BRPI0909788A2 (pt) 2015-10-06
TW200950158A (en) 2009-12-01
EP2266149B1 (en) 2017-08-23
KR20100129771A (ko) 2010-12-09
CN102084505A (zh) 2011-06-01
WO2009115968A1 (en) 2009-09-24
JP5372133B2 (ja) 2013-12-18
RU2502157C2 (ru) 2013-12-20
KR101524004B1 (ko) 2015-05-29
US8273587B2 (en) 2012-09-25
TWI463701B (zh) 2014-12-01
US20110223696A1 (en) 2011-09-15
US20090230409A1 (en) 2009-09-17
JP2011514688A (ja) 2011-05-06

Similar Documents

Publication Publication Date Title
RU2010142267A (ru) Процесс формирования прокладки для перевернутых сид
US9368702B2 (en) Molded lens forming a chip scale LED package and method of manufacturing the same
JP5192646B2 (ja) 光素子の樹脂封止方法、その樹脂封止装置、および、その製造方法
US7661842B2 (en) Structure of a supporting assembly for surface mount device LED and manufacturing method thereof
RU2010120566A (ru) Прочная структура сид (светоизлучающего диода) для отделения подложки
US20070215896A1 (en) Light emitting diode package structure and method of manufacturing the same
TWI397464B (zh) 光學器件模塑系統
JP2012039013A (ja) 発光装置の製造方法
CN113764547B (zh) 一种Mini-LED器件的制作方法
US9653660B1 (en) Chip scale LED packaging method
CN106058027A (zh) 一种带透镜的led光源及其制作方法
KR20100028135A (ko) 발광 다이오드 및 이의 렌즈 몰딩 장치
CN102104012B (zh) 发光二极管的制造方法
CN103378260A (zh) 发光二极管封装结构的制造方法
KR100757825B1 (ko) 발광 다이오드 제조방법
CN102593281A (zh) 在半导体发光器件上沉积磷光体的方法和设备
KR101640385B1 (ko) 발광 소자 패키지의 제조 방법
US8403202B1 (en) Method for soldering surface mounting LED to circuit board
CN108372089A (zh) 一种led模组及其正向表面灌胶的方法
JP5953602B2 (ja) 樹脂モールド装置及び樹脂モールド方法
JP2005136203A (ja) 発光ダイオードの製造方法
JP2012114305A (ja) ダミーフレーム及び樹脂モールド方法
JP2016042587A (ja) ダミーフレーム、樹脂モールド評価方法、モールド金型の評価方法、およびモールド金型の製造方法
JP2013105817A (ja) 光半導体装置及びその製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
PD4A Correction of name of patent owner
PD4A Correction of name of patent owner
PC41 Official registration of the transfer of exclusive right

Effective date: 20190111

PD4A Correction of name of patent owner