CN103456729B - 发光二极管显示屏 - Google Patents

发光二极管显示屏 Download PDF

Info

Publication number
CN103456729B
CN103456729B CN201310320930.0A CN201310320930A CN103456729B CN 103456729 B CN103456729 B CN 103456729B CN 201310320930 A CN201310320930 A CN 201310320930A CN 103456729 B CN103456729 B CN 103456729B
Authority
CN
China
Prior art keywords
anelectrode
negative electrode
led display
wafer
led
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201310320930.0A
Other languages
English (en)
Other versions
CN103456729A (zh
Inventor
卢长军
余杰
刘志勇
潘彤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Leyard Optoelectronic Co Ltd
Original Assignee
Leyard Optoelectronic Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Leyard Optoelectronic Co Ltd filed Critical Leyard Optoelectronic Co Ltd
Priority to CN201310320930.0A priority Critical patent/CN103456729B/zh
Publication of CN103456729A publication Critical patent/CN103456729A/zh
Priority to US14/907,751 priority patent/US20160172340A1/en
Priority to PCT/CN2014/082169 priority patent/WO2015010554A1/zh
Priority to CA2919357A priority patent/CA2919357A1/en
Priority to KR1020167004617A priority patent/KR20160036584A/ko
Priority to EP14829619.7A priority patent/EP3026704A4/en
Priority to JP2016526428A priority patent/JP2016525282A/ja
Application granted granted Critical
Publication of CN103456729B publication Critical patent/CN103456729B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
    • H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/16—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits
    • H01L25/167—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits comprising optoelectronic devices, e.g. LED, photodiodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/483—Containers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/11—Manufacturing methods

Abstract

本发明公开了一种LED显示屏。其包括：LED显示屏基板，LED显示屏基板设置有驱动电路，其中，驱动电路的输出端包括：第一正电极和第一负电极，其中，第一正电极和第一负电极位于LED显示屏基板的第一表面；LED晶片，位于第一表面上，LED晶片的输入端包括：第二正电极和第二负电极，其中，第二正电极和第二负电极位于LED晶片的第二表面，且第二表面与第一表面相对设置；第一接合部件和第二接合部件，其中，第一正电极与第二正电极通过第一接合部件接合并电连接，第一负电极与第二负电极通过第二接合部件接合并电连接。本发明解决了现有技术中由于传统封装灯珠中支架的尺寸限制而造成的LED显示屏的最小点间距过大的技术问题。

Description

发光二极管显示屏
技术领域
本发明涉及显示屏领域，具体而言，涉及一种发光二极管LED（Light Emitting Diode）显示屏。
背景技术
在现有技术中，LED显示屏通常由复数个灯珠，通过插接的方式组合而成，其中，灯珠产品的封装方式主要为表面贴装器件SMD（Surface Mounted Devices）封装和芯片Chip封装。然而，SMD封装产品以及Chip封装产品本身有尺寸的限制，其中，SMD封装灯珠目前的最小尺寸只能做到1.5mm*1.5mm，而Chip封装灯珠目前的最小尺寸只能做到0.8mm*0.8mm，从而限制了LED显示屏的尺寸，导致目前的LED显示屏所能做到的最小点间距停留在1.6mm，阻碍了LED显示屏在小尺寸、高分辨率领域，例如家庭环境下的应用。
在目前阶段，上述传统封装灯珠，即SMD封装及Chip封装的灯珠的尺寸限制主要由封装结构所导致。如图1所示，传统封装工艺中晶片102通常被设置在支架104上，而支架104一方面起到支撑作用，另一方面作为电连接介质连接在晶片电极106与基板108，例如PCB板之间，其中，为使晶片102得到充分固定，支架104的上端通常设置有下凹结构以便晶片102置于其中，从而支架104的设计尺寸通常较大，限制了封装出来的灯珠尺寸的进一步缩小。
此外，传统封装灯珠的焊线工艺一般通过金属线将LED晶片与焊盘连接在一起，这使得金属线的焊接的质量对灯珠的品质产生了直接的影响。在LED显示屏点间距越做越小的趋势下，传统的焊线工艺同样制约了LED显示屏的发展，例如图1所示，在传统封装灯珠的焊线工艺中，其焊接部位，也即金属线110与晶片102的连接处以及金属线110与支架104上的焊盘112的连接处，很容易受外力或者温度的影响而产生断裂，造成灯珠的缺亮，从而影响了LED显示屏的显示性能。
针对上述的问题，目前尚未提出有效的解决方案。
发明内容
本发明实施例提供了一种LED显示屏，以至少解决现有技术中由于传统封装灯珠中支架的尺寸限制而造成的LED显示屏的最小点间距过大的技术问题。
根据本发明实施例的一个方面，提供了一种LED显示屏，包括：LED显示屏基板，上述LED显示屏基板设置有驱动电路，其中，上述驱动电路的输出端包括：第一正电极和第一负电极，其中，上述第一正电极和上述第一负电极位于上述LED显示屏基板的第一表面；LED晶片，位于上述第一表面上，上述LED晶片的输入端包括：第二正电极和第二负电极，其中，上述第二正电极和上述第二负电极位于上述LED晶片的第二表面，且上述第二表面与上述第一表面相对设置；第一接合部件和第二接合部件，其中，上述第一正电极与上述第二正电极通过第一接合部件接合并电连接，上述第一负电极与上述第二负电极通过第二接合部件接合并电连接。
可选地，上述LED显示屏基板的上述第一表面上设置有多个上述LED晶片，其中，上述多个LED晶片中相邻的两个的间距根据预定的显示屏点间距设置。
可选地，在上述第一表面上，上述多个LED晶片分为排布结构相同的多个LED晶片组，其中，上述多个LED晶片组中的每一组包括：第一晶片、第二晶片和第三晶片，其中，上述第一晶片用于发射红光，上述第二晶片用于发射绿光，上述第三晶片用于发送蓝光。
可选地，上述LED显示屏还包括：绝缘胶质，位于上述第一接合部件与上述第二接合部件之间，并使上述第一正电极与上述第一负电极之间、以及上述第二正电极与上述第二负电极之间处于绝缘状态。
可选地，上述第一接合部件和上述第二接合部件包括：金属焊接物，连接在上述第一正电极与上述第二正电极之间，和/或，上述第一负电极与上述第二负电极之间。
可选地，上述第一接合部件和上述第二接合部件包括：共晶化合物，连接在上述第一正电极与上述第二正电极之间，和/或，上述第一负电极与上述第二负电极之间。
可选地，上述第一接合部件和/或上述第二接合部件包括：导电银浆，固化连接在上述第一正电极与上述第二正电极之间，和/或，上述第一负电极与上述第二负电极之间。
可选地，上述第一接合部件和/或上述第二接合部件包括：异方性导电胶，粘接在上述第一正电极与上述第二正电极之间，和/或，上述第一负电极与上述第二负电极之间。
可选地，上述异方性导电胶同时粘接在第一正电极与第二正电极之间、以及第一负电极与第二负电极之间，并使上述第一接合部件和上述第二接合部件形成为一体。
可选地，上述LED显示屏还包括：透光板，位于上述LED晶片的外部，且与上述LED晶片的与上述第二表面相对的第三表面接合或相邻。
在本发明实施例中，由于采用LED晶片的电极与LED显示屏基板上的电极相对接合的安装方式，从而避免了如传统封装工艺中对支架的使用，使得本发明实施例中的LED显示屏的最小点间距不再受到支架尺寸的限制，进而在晶片电极与基板电极之间第一接合部件和第二接合部件可以具有相对较小的尺寸的基础上，解决了现有技术中由于传统封装灯珠中支架的尺寸限制而造成的LED显示屏的最小点间距过大的技术问题，达到了降低LED显示屏的最小点间距的技术效果。进一步地，由于在本发明实施例中免除了传统封装工艺中用于电连接LED晶片与支架的金属线的使用，消除了焊接质量对LED显示屏的性能的影响，从而达到了提高LED显示屏的可靠性的技术效果。
附图说明
此处所说明的附图用来提供对本发明的进一步理解，构成本申请的一部分，本发明的示意性实施例及其说明用于解释本发明，并不构成对本发明的不当限定。在附图中：
图1是根据现有封装技术的一种LED灯珠的示意图；
图2是根据本发明实施例的一种可选的LED显示屏的示意图；
图3是根据本发明实施例的另一种可选的LED显示屏的示意图；
图4是根据本发明实施例的又一种可选的LED显示屏的示意图；
图5是根据本发明实施例的又一种可选的LED显示屏的示意图；
图6（a）是根据本发明实施例的又一种可选的LED显示屏的示意图；
图6（b）是根据本发明实施例的又一种可选的LED显示屏的示意图；
图7是根据本发明实施例的一种可选的LED显示屏的制造方法的示意图；
图8是根据本发明实施例的另一种可选的LED显示屏的制造方法的示意图；
图9是根据本发明实施例的又一种可选的LED显示屏的示意图；
图10是根据本发明实施例的一种可选的LED显示屏中的LED晶片的排布方式的示意图；
图11是根据本发明实施例的另一种可选的LED显示屏中的LED晶片的排布方式的示意图；
图12是根据本发明实施例的一种可选的LED显示屏中的LED晶片的位置关系的示意图；
图13是根据本发明实施例的又一种可选的LED显示屏的示意图。
具体实施方式
下文中将参考附图并结合实施例来详细说明本发明。需要说明的是，在不冲突的情况下，本申请中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。
本发明实施例提供了一种优选的LED显示屏，如图2所示，该LED显示屏包括：
1）LED显示屏基板200，LED显示屏基板200设置有驱动电路，其中，驱动电路的输出端包括：第一正电极202和第一负电极204，其中，第一正电极202和第一负电极204位于LED显示屏基板200上的第一表面；
2）LED晶片210，位于第一表面上，LED晶片210的输入端包括：第二正电极212和第二负电极214，其中，第二正电极212和第二负电极214位于LED晶片210上的第二表面，且第二表面与第一表面相对设置；
3）第一接合部件222和第二接合部件224，其中，第一正电极202与第二正电极212通过第一接合部件222接合并电连接，第一负电极204与第二负电极214通过第二接合部件224接合并电连接。
根据本发明实施例提供的LED显示屏，其中的LED显示屏基板200可以设置有驱动电路，其中，该驱动电路可以用于生成控制电压和/或控制电流，而作为该驱动电路的输出端的第一正电极202和第一负电极204可以用于输出上述的控制电压和/或控制电流，进而，上述控制电压和/或控制电流可以用于对LED晶片210的发光状态进行控制。
在本发明实施例中，上述控制电压和/或控制电流的具体的阈值范围可以根据其所用于控制的LED晶片210的规格和/或型号进行设定，进而，用于生成控制电压和/或控制电流的驱动电路也可以有多种与之对应的可行的形式和结构，本发明在此不作累述。
如图2所示，在本发明实施例中，作为上述驱动电路的输出端，第一正电极202和第一负电极204可以位于LED显示屏基板200的同一侧，其中，为表述方便，以下将该侧LED显示屏基板200的表面记为第一表面。需要说明的是，本发明实施例中所称的正电极和负电极仅用于表示电连接端及其与相应的电连接端之间的对应连接关系，而不应理解为存在任何其他不必要的限定，例如，在本发明的一些实施例中，在LED显示屏基板200的第一表面上，第一正电极202可以有多个，而与之对应的第一负电极204可以为一个公共端，该公共端可以表现为具有特定形状金属片或者通过导线连通的焊盘等。
更具体地，在本发明实施例中，上述的第一正电极202和第一负电极204的形状、结构或材料可以有多种选择以及组合，例如：从形状方面，第一正电极202和第一负电极204可以为矩形，也可以为圆形、半圆，或者半圆与矩形结合而成的形状；从材料方面，第一正电极202和第一负电极204可以为银电极，也可以为铜、金等金属材料或者其他导体材料；从结构方面，第一正电极202和第一负电极204用于与LED晶片210贴合的表面可以为光滑的平面，也可以全部或部分具有一定的曲度，还可以具有预设的纹理或凸起、凹槽等结构，其中，第一正电极202和第一负电极204的表面可以与LED显示屏基板200对齐，也可以相对于LED显示屏基板200的表面具有较为明显的凸出，还可以根据LED晶片210的电极的结构进行设置，例如，可以将第一正电极202和第一负电极204设置为不同的高度或厚度。当然，以上只是一些示例，本发明对此均不作任何的限定。
在另一方面，一般而言，本发明实施例中的LED显示屏基板200通常可以为印刷电路板PCB（Printed Circuit Board）。然而，在本发明的一些实施例中，LED显示屏基板200也可以为陶瓷电路板，例如多空陶瓷电路板、低温共烧陶瓷LTCC（Low Temperature Co-fired Ceramic）电路板等，或者采用其他可行的用作电路板的材料或工艺设计，本发明对此不作限定。值得注意的是，本发明实施例中所述的LED显示屏基板200不应完全等同地理解为一般意义上的LED基板，而应理解为包括LED基板在内的可行的用于LED显示屏装配的基板。
根据本发明实施例提供的LED显示屏，如图2所示，还可以包括位于第一表面之上LED晶片210，其中，作为LED晶片210的输入端的第二正电极212和第二负电极214可以位于LED晶片210的同一侧，其中，为便于描述，可以将该侧的LED晶片210的表面记为第二表面。
其中，位于第二表面上的第二正电极212和第二负电极214可以分别表示LED晶片210的正电极和负电极，其中，上述LED晶片210可以通过从第二正电极212和第二负电极214输入的控制电压和/或控制电流的不同幅值处于不同的发光状态。其中，值得注意的是，上述LED晶片210的发光状态可以不仅用于表示LED晶片210的点亮与熄灭两个状态，还可以用于表示该LED晶片210的不同亮度的发光状态，甚至可以用于表示该LED晶片210的不同颜色的发光状态，本发明对此不作限定。
一般而言，在本发明实施例中，LED晶片210通常可以直接选用现有的LED晶片210产品，具体地，上述LED晶片210可以从多种规格和/或型号中选取，例如，其可以为大功率芯片，也可以为小功率芯片，可以为单管级，也可以为数码级、点阵级或者装饰照明用的晶片等，本发明对此不作限定。更具体地，本发明对于LED晶片210的尺寸、正向导通电压、额定电流、发光效率等性能参数也均不作特别地限定，可选地，LED晶片210的各项参数可以依据LED显示屏的设计要求及使用环境进行配置。当然，在本发明的一些实施例中，上述LED晶片210也可以为技术人员根据相关产品要求设计的特定的LED晶片210产品，本发明对此不作限定。
如图2所示，区别于现有技术，在本发明实施例中，LED晶片210上分布着第二正电极212和第二负电极214的一侧，也即第二表面，可以与LED显示屏基板200的上述第一表面相对设置，而非如图1所示的现有封装工艺中的背对设置。从而，与现有的封装工艺相比，由于晶片电极与基板电极形成的空间结构更为紧缩，根据本发明实施例提供的LED显示屏中的LED晶片210与LED显示屏基板200之间的连接结构可以具有尺寸更为节约的设计。
具体地，如图2所示，本发明实施例中的LED显示屏可以进一步包括第一接合部件222和第二接合部件224，其中，第一正电极202与第二正电极212可以通过第一接合部件222接合并电连接，第一负电极204与第二负电极214可以通过第二接合部件224接合并电连接。
在上述场景中，通过第一接合部件222和第二接合部件224在上述基板电极与上述晶片电极之间形成的电连接关系，构成了LED显示屏基板200中的驱动电路与LED晶片210之间的导通回路，从而可以通过上述驱动电路输出的控制电压和/或控制电流对LED晶片210进行控制，并可以进一步实现LED显示屏的显示功能。
此外，如图2所示，在本发明实施例中，由于采用LED晶片210的电极与LED显示屏基板200上的电极相对接合的安装方式，从而避免了如传统封装工艺中对支架的使用，使得本发明实施例中的LED显示屏的最小点间距不再受到支架尺寸的限制，进而在晶片电极与基板电极之间第一接合部件222和第二接合部件224可以具有相对较小的尺寸的基础上，解决了现有技术中由于传统封装灯珠中支架的尺寸限制而造成的LED显示屏的最小点间距过大的技术问题，达到了降低LED显示屏的最小点间距的技术效果。进一步地，由于在本发明实施例中免除了传统封装工艺中用于电连接LED晶片210与支架的金属线的使用，消除了焊接质量对LED显示屏的性能的影响，从而达到了提高LED显示屏的可靠性的技术效果。
下面将对第一接合部件222和第二接合部件224的多种具体的实施方式进行详细阐述。
参考图3至图5图，以及6（a）和图6（b），作为本发明实施例的可选的实施方式，第一接合部件222和第二接合部件224可以包括以下至少之一：
1）金属焊接物302，连接在第一正电极202与第二正电极212之间，和/或，第一负电极204与第二负电极214之间；
2）共晶化合物402，连接在第一正电极202与第二正电极212之间，和/或，第一负电极204与第二负电极214之间；
3）导电银浆502，固化连接在第一正电极202与第二正电极212之间，和/或，第一负电极204与第二负电极214之间。
4）异方性导电胶ACP（Anisotropic Conductive Paste）602，粘接在第一正电极202与第二正电极212之间，和/或，第一负电极204与第二负电极214之间。
其中，对于实施方式1），其所对应的一种可选的通过第一接合部件222和/或第二接合部件224在晶片电极与基板电极之间的连接方式，也即固晶方式，可以为植金球接合方式，其中，如图3所示，金属焊接物302可以为分别种植在LED显示屏基板200的第一正电极202和第一负电极204上的金球，且上述金球的另一侧分别与LED晶片210的第二正电极212和第二负电极214接合。
具体地，其制造工艺可以如图7所示，包括以下步骤：
S702：分别在LED显示屏基板200的第一正电极202和第一负电极204上种植金球；
S704：将LED晶片210装设在LED显示屏基板200的第一表面上，其中，LED晶片210的第二表面与第一表面相对，且第二正电极212的位置与种植在第一正电极202上的金球对应，第二负电极214的位置与种植在第一负电极204上的金球对应；
S706：通过超声波熔焊金球，并通过压焊装置将LED晶片210压焊在LED显示屏基板200上。
当然，以上只是一种示例，本发明对此不作限定，例如，在本发明的一些实施例中，在步骤S704之前，还可以包括以下步骤：对第一正电极202和第一负电极204上的金球进行水平位置校准，此外，在步骤S706之前，还可以包括：对LED晶片210、与第一正电极202和第二正电极212对应的LED显示屏基板200上的焊盘、和/或第一正电极202和第二正电极212上的金球进行预热，等。
此外，在本发明的其他一些实施例中，第一接合部件222和第二接合部件224也可以不为金球，而是由金片或金板形成的金属焊接物302，此外，金属焊接物302也可以为金以外的金属或合金材料，例如焊锡等，本发明对此不作任何限定。
在本发明实施例中，对于实施方式2），其所对应的固晶方式可以为共晶接合方式，其中，如图4所示，LED显示屏基板200的第一正电极202和第一负电极204上可以分别与LED晶片210的第二正电极212和第二负电极214通过共晶化合物402接合。
具体地，其制造工艺可以如图8所示，包括以下步骤：
S802：在LED晶片210的第一正电极202和第一负电极204上覆盖共晶层；
S804：将LED晶片210装设在LED显示屏基板200的第一表面上，其中，LED晶片210的第二表面与第一表面相对，且第二正电极212的位置与第一正电极202对应，第二负电极214的位置与第一负电极204对应；
S806：在预设的温度条件下对共晶层进行加热。
当然，以上只是一种示例，本发明对此不作限定，例如，在本发明的一些实施例中，也可以不采用直接共晶的方式，而是采用通过焊剂辅助共晶的接合方式，其中，辅助焊剂可以预先布置在LED显示屏基板200的第一正电极202和第一负电极204上。
此外，步骤S802中所述的共晶层可以从多种材料中选取，一般而言，其可以为Au80Sn20，然而，在本发明的另一些实施例中，共晶层也可以由CuSn或PbSn等化合物形成，本发明对此不作限定。
与实施方式2）类似，本发明实施例中的实施方式3）也可以先在晶片电极和基板电极之间进行对位，然后通过对涂覆在晶片电极与基板电极之间的导电银浆502进行加热处理等方式将其固化粘接在第一正电极202与第二正电极212之间、以及第一负电极204与第二负电极214之间，如图5所示，本发明对此不作赘述。
在本发明实施例中，对于实施方式3），其所对应的固晶方式可以为ACP接合方式，其中，如图6（a）所示，LED显示屏基板200的第一正电极202和第一负电极204上可以分别与LED晶片210的第二正电极212和第二负电极214通过ACP602接合。
进一步地，如图6（b）所示，作为一种优选的实施方式，ACP602也可以同时粘接在第一正电极202与第二正电极212之间、以及第一负电极204与第二负电极214之间，并使第一接合部件222和第二接合部件224形成为一体。
在图6（b）中，区别于上述实施方式1）、2）和3）中的第一接合部件222与第二接合部件224分离的连接结构，ACP602可以形成为整体地粘接在基板电极与晶片电极之间，其中，作为聚合物键合剂的一种，ACP的各向异性可以使得ACP602在垂直于第一表面和第二表面的方向上具有较优的导电性，而在平行于第一表面和第二表面的方向上的导电性相对较差，其中，上述方向导电率可以通过使用相对较低容量的导电填充材料造成的晶粒间的接触不充分而导致的导电率随方向变化来实现。在上述场景中，由于ACP602可以整体性的涂覆在基板电极与晶片电极之间，免除了第一正电极202与第二正电极212、以及第一负电极204与第二负电极214之间的分别对位，并且避免了实施方式1）至3）中可能出现的第一接合部件222与第二接合部件224相互接触导致的短路问题，从而在达到了降低固晶设备精度要求以及上述LED显示屏的制造成本的基础上，进而实现了提高上述LED显示屏的可靠性的技术效果。
此外，从以上描述还可以看出，上述实施方式1）至4）中的第一接合部件222和第二接合部件224在达到了在LED显示屏基板200和LED晶片210之间形成连接回路的目的外，还可以进一步地实现将LED晶片210固定在LED显示屏基板200上的作用，从而也可以达到提高LED显示屏的可靠性的技术效果。
当然，上述实施方式1）至4）作为示例提出，用于对本发明技术方案进行更为详细的解释，而不应理解为对本发明构成了任何限定。本发明的技术方案还可以通过其他方式来实现，在此不作累述。
可选地，如图9所示，在本发明实施例中，上述LED显示屏还可以包括：
1）绝缘胶质902，位于第一接合部件222与第二接合部件224之间，并使第一正电极202与第一负电极204之间、以及第二正电极212与第二负电极214之间处于绝缘状态。
如前所述，对于实施方式1）至3），存在第一接合部件222与第二接合部件224相互接触导致的为LED晶片210提供驱动的LED显示屏基板200上的驱动电路短路的可能，为至少解决这一问题，根据本发明实施例的LED显示屏，如图9所示，还可以在第一接合部件222与第二接合部件224之间填充绝缘胶质902，从而解决了短路的问题，并达到了提高上述LED显示屏的可靠性的技术效果。
具体地，绝缘胶质902可以有多种选择，例如环氧树脂等。值得注意的是，上述绝缘胶质902既可以为液态，也可以为固态或者固液混合物，本发明对此不作限定。
通过上述实施例，本发明对上述LED显示屏中以晶片为最小单元的结构进行了阐述。进一步地，本发明将通过以下实施例对LED显示屏上的LED晶片210的排布结构进行详细描述。
其中，如图10所示，可选地，LED显示屏基板200的第一表面上可以设置有多个LED晶片210，其中，多个LED晶片210中相邻的两个的间距可以根据预定的显示屏点间距设置。
如图10所示，在本发明实施例中，多个LED晶片210通常可以按照矩形点阵的方式规则排布。然而，这并不意味着本发明对LED晶片210的排列方式作出了限定，例如，上述多个LED晶片210也可以具有其他的排布方式，比如可以为如图11所示的斜向且交错的晶片排布方式，此外，LED晶片210还可以沿着预设的图案进行排布，本发明对此不作限定。
可选地，在本发明实施例中，多个LED晶片210中相邻的两个之间的距离可以根据晶片的尺寸设置以及LED显示屏的设计要求，如最小点间距进行设置。例如，如图12所示，在LED晶片210的发光面的外形为正方形的情形下，多个LED晶片210中相邻的两个之间的距离S可以根据以下计算式进行设置：
S=P-D，其中，S用于表示晶片间的距离，P用于表示预设的最小点间距，D用于表示作为晶片发光面外轮廓的正方形的边长。
在另一方面，在本发明的一些实施例中，对于设计要求为彩色显示的LED显示屏，LED晶片210的排列方式还可以根据设计要求及成像分辨率等进行设置。例如作为本发明的一种可选的实施方式，在LED显示屏基板200的第一表面上，多个LED晶片210分为排布结构相同的多个LED晶片210组，其中，多个LED晶片210组中的每一组包括：第一晶片、第二晶片和第三晶片，其中，第一晶片用于发射红光，第二晶片用于发射绿光，第三晶片用于发送蓝光。
在上述场景下，根据三基色原理，可以通过不同比例的红、绿、蓝三种色光合成人眼可以识别的其他颜色的色光。从而可以通过驱动电路分别向第一晶片、第二晶片和第三晶片提供的可调的控制电压和/或控制电流，实现对上述LED显示屏的颜色以及亮度的控制。
可选地，如图13所示，在本发明实施例中，上述LED显示屏还可以包括：
1）透光板1302，位于LED晶片210的外部，且与LED晶片210的与第二表面相对的第三表面接合或相邻。
其中，透光板1302可以用于对LED显示屏用于显示的一侧进行封装和保护，其中，该透光板1302的透光率可以根据设计要求设置，此外，本发明对于透光板1302的具体材料及其形状均不作任何限定。
本发明提供了上述优选的实施例来进一步对本发明进行解释，但是值得注意的是，上述优选实施例只是为了更好的描述本发明，并不构成对本发明不当的限定。
从以上的描述中，可以看出，本发明实现了如下技术效果：
1）采用LED晶片210的电极与LED显示屏基板200上的电极直接接合的安装方式，避免了如传统封装工艺中对支架的依赖，使得本发明实施例中的LED显示屏的最小点间距不再受到支架尺寸的限制，从而达到了降低LED显示屏的最小点间距的技术效果；
2）由于免除了传统封装工艺中用于电连接LED晶片210与支架的金属线的使用，消除了焊接质量对LED显示屏的性能的影响，从而达到了提高LED显示屏的可靠性的技术效果。
以上所述仅为本发明的优选实施例而已，并不用于限制本发明，对于本领域的技术人员来说，本发明可以有各种更改和变化。凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (10)

1.一种发光二极管LED显示屏，其特征在于，包括：
LED显示屏基板，所述LED显示屏基板设置有驱动电路，其中，所述驱动电路的输出端包括：第一正电极和第一负电极，其中，所述第一正电极和所述第一负电极位于所述LED显示屏基板的第一表面；
LED晶片，位于所述第一表面上，所述LED晶片的输入端包括：第二正电极和第二负电极，其中，所述第二正电极和所述第二负电极位于所述LED晶片的第二表面，且所述第二表面与所述第一表面相对设置；
第一接合部件和第二接合部件，其中，所述第一正电极与所述第二正电极通过第一接合部件接合并电连接，所述第一负电极与所述第二负电极通过第二接合部件接合并电连接；
第一正电极和第一负电极用于与LED晶片贴合的表面具有一定的曲度，或者具有预设的纹理或凸起、凹槽。
2.根据权利要求1所述的LED显示屏，其特征在于，
所述LED显示屏基板的所述第一表面上设置有多个所述LED晶片，其中，所述多个LED晶片中相邻的两个的间距根据预定的显示屏点间距设置。
3.根据权利要求2所述的LED显示屏，其特征在于，
在所述第一表面上，所述多个LED晶片分为排布结构相同的多个LED晶片组，其中，所述多个LED晶片组中的每一组包括：第一晶片、第二晶片和第三晶片，其中，所述第一晶片用于发射红光，所述第二晶片用于发射绿光，所述第三晶片用于发送蓝光。
4.根据权利要求1所述的LED显示屏，其特征在于，还包括：
绝缘胶质，位于所述第一接合部件与所述第二接合部件之间，并使所述第一正电极与所述第一负电极之间、以及所述第二正电极与所述第二负电极之间处于绝缘状态。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的LED显示屏，其特征在于，所述第一接合部件和所述第二接合部件包括：
金属焊接物，连接在所述第一正电极与所述第二正电极之间，和/或，所述第一负电极与所述第二负电极之间。
6.根据权利要求1至4中任一项所述的LED显示屏，其特征在于，所述第一接合部件和所述第二接合部件包括：
共晶化合物，连接在所述第一正电极与所述第二正电极之间，和/或，所述第一负电极与所述第二负电极之间。
7.根据权利要求1至4中任一项所述的LED显示屏，其特征在于，所述第一接合部件和/或所述第二接合部件包括：
导电银浆，固化连接在所述第一正电极与所述第二正电极之间，和/或，所述第一负电极与所述第二负电极之间。
8.根据权利要求1至3中任一项所述的LED显示屏，其特征在于，所述第一接合部件和/或所述第二接合部件包括：
异方性导电胶，粘接在所述第一正电极与所述第二正电极之间，和/或，所述第一负电极与所述第二负电极之间。
9.根据权利要求8所述的LED显示屏，其特征在于，
所述异方性导电胶同时粘接在第一正电极与第二正电极之间、以及第一负电极与第二负电极之间，并使所述第一接合部件和所述第二接合部件形成为一体。
10.根据权利要求1至4中任一项所述的LED显示屏，其特征在于，还包括：
透光板，位于所述LED晶片的外部，且与所述LED晶片的与所述第二表面相对的第三表面接合或相邻。
CN201310320930.0A 2013-07-26 2013-07-26 发光二极管显示屏 Active CN103456729B (zh)

Priority Applications (7)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201310320930.0A CN103456729B (zh) 2013-07-26 2013-07-26 发光二极管显示屏
US14/907,751 US20160172340A1 (en) 2013-07-26 2014-07-14 Light-emitting diode display screen
PCT/CN2014/082169 WO2015010554A1 (zh) 2013-07-26 2014-07-14 发光二极管显示屏
CA2919357A CA2919357A1 (en) 2013-07-26 2014-07-14 Light emitting diode (led) display screen
KR1020167004617A KR20160036584A (ko) 2013-07-26 2014-07-14 발광다이오드 스크린
EP14829619.7A EP3026704A4 (en) 2013-07-26 2014-07-14 Light-emitting diode display screen
JP2016526428A JP2016525282A (ja) 2013-07-26 2014-07-14 発光ダイオードディスプレイ画面

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201310320930.0A CN103456729B (zh) 2013-07-26 2013-07-26 发光二极管显示屏

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN103456729A CN103456729A (zh) 2013-12-18
CN103456729B true CN103456729B (zh) 2016-09-21

Family

ID=49738932

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201310320930.0A Active CN103456729B (zh) 2013-07-26 2013-07-26 发光二极管显示屏

Country Status (7)

Country Link
US (1) US20160172340A1 (zh)
EP (1) EP3026704A4 (zh)
JP (1) JP2016525282A (zh)
KR (1) KR20160036584A (zh)
CN (1) CN103456729B (zh)
CA (1) CA2919357A1 (zh)
WO (1) WO2015010554A1 (zh)

Families Citing this family (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103456729B (zh) * 2013-07-26 2016-09-21 利亚德光电股份有限公司 发光二极管显示屏
CN105280102A (zh) * 2014-07-11 2016-01-27 利亚德光电股份有限公司 发光二极管显示屏
WO2017036087A1 (zh) * 2015-08-29 2017-03-09 台州海之大电子科技有限公司 一种可选定发光模式的led灯串
CN105427754A (zh) * 2015-09-02 2016-03-23 吴冬梅 一种led显示屏
CN106683574A (zh) * 2015-11-11 2017-05-17 利亚德光电股份有限公司 发光二极管显示屏及其用途
WO2017094461A1 (ja) * 2015-12-01 2017-06-08 シャープ株式会社 画像形成素子
KR102617466B1 (ko) * 2016-07-18 2023-12-26 주식회사 루멘스 마이크로 led 어레이 디스플레이 장치
TWI640109B (zh) * 2016-08-11 2018-11-01 億光電子工業股份有限公司 顯示裝置
JP6289718B1 (ja) * 2017-01-02 2018-03-07 ルーメンス カンパニー リミテッド Ｌｅｄディスプレイ装置
JP6476478B2 (ja) * 2017-02-21 2019-03-06 鼎元光電科技股▲ふん▼有限公司 発光素子及び発光素子の製造方法
US10073294B1 (en) * 2017-03-31 2018-09-11 Innolux Corporation Display device
US10686158B2 (en) 2017-03-31 2020-06-16 Innolux Corporation Display device
EP3382754B1 (en) * 2017-03-31 2021-06-30 InnoLux Corporation Display device
KR20180118480A (ko) 2017-04-21 2018-10-31 주식회사 루멘스 마이크로 led 패널을 이용한 프로젝션 장치 및 그 제조방법
JP2019015899A (ja) * 2017-07-10 2019-01-31 株式会社ブイ・テクノロジー 表示装置の製造方法、チップ部品の転写方法、および転写部材
CN108538971A (zh) * 2018-03-23 2018-09-14 深圳雷曼光电科技股份有限公司 转移方法以及显示装置
CN108682670A (zh) * 2018-06-20 2018-10-19 山西高科华兴电子科技有限公司 一种显示屏用表面贴装发光二极管模组及其制作方法
CN111162064B (zh) * 2018-11-08 2022-03-25 成都辰显光电有限公司 Led单元、导引板、led显示器及其制造方法
CN109461386A (zh) * 2019-01-04 2019-03-12 京东方科技集团股份有限公司 显示装置
CN112428933B (zh) * 2019-08-26 2022-07-15 比亚迪股份有限公司 车辆和显示屏系统的控制方法、装置
CN110619825B (zh) * 2019-10-31 2022-01-04 錼创显示科技股份有限公司 电极结构、微型发光元件以及显示面板
TWI753317B (zh) 2019-10-31 2022-01-21 錼創顯示科技股份有限公司 電極結構、微型發光元件以及顯示面板
CN112242385B (zh) * 2020-10-28 2022-08-23 长春希龙显示技术有限公司 基于玻璃基板的Mirco-LED无源驱动显示单元
CN217134370U (zh) * 2022-04-06 2022-08-05 厦门强力巨彩光电科技有限公司 Led显示屏的全彩灯珠、驱动电路、灯板和显示模组

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102800778A (zh) * 2011-05-27 2012-11-28 东莞市福地电子材料有限公司 一种芯片倒装的发光二极管及其制造方法
CN102891240A (zh) * 2012-09-18 2013-01-23 惠州雷曼光电科技有限公司 倒装结构的发光二极管及其制备方法
CN102945642A (zh) * 2012-11-16 2013-02-27 映瑞光电科技(上海)有限公司 一种led显示屏及其制作方法
CN203456455U (zh) * 2013-07-26 2014-02-26 利亚德光电股份有限公司 发光二极管显示屏

Family Cites Families (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4023062A (en) * 1975-09-25 1977-05-10 Rca Corporation Low beam divergence light emitting diode
JPH0864938A (ja) * 1994-08-25 1996-03-08 Sharp Corp チップ型電子部品の接続方法
JPH10332494A (ja) * 1997-06-03 1998-12-18 Oki Data:Kk 温度検出回路、駆動装置及びプリンタ
JP2001324960A (ja) * 2000-03-10 2001-11-22 Ngk Insulators Ltd ディスプレイシステム及びディスプレイの管理方法
JP2001257218A (ja) * 2000-03-10 2001-09-21 Sony Corp 微細チップの実装方法
JP4101468B2 (ja) * 2001-04-09 2008-06-18 豊田合成株式会社 発光装置の製造方法
TW559751B (en) * 2001-08-24 2003-11-01 Delta Optoelectronics Inc Driving circuit and method of organic light-emitting diode
KR100975521B1 (ko) * 2003-10-04 2010-08-12 삼성전자주식회사 발광 소자 조립체
KR100506736B1 (ko) * 2003-10-10 2005-08-08 삼성전기주식회사 질화갈륨계 반도체 발광 소자 및 그 제조방법
US6963085B2 (en) * 2003-11-18 2005-11-08 Au Optronics Corporation Solid-state display with improved color-mixing
CN2694702Y (zh) * 2004-04-02 2005-04-20 张哲铭 饰灯及饰灯灯串
EP1715521B1 (en) * 2005-04-21 2012-02-22 C.R.F. Società Consortile per Azioni Use of a transparent display having light-emitting diodes (LED) in a motor vehicle
JP2008262993A (ja) * 2007-04-10 2008-10-30 Nikon Corp 表示装置
JP2010027645A (ja) * 2008-07-15 2010-02-04 Ushio Inc 発光装置及び発光装置の製造方法
KR101258586B1 (ko) * 2009-12-21 2013-05-02 엘지디스플레이 주식회사 발광다이오드 패키지 및 이의 제조방법
KR101230622B1 (ko) * 2010-12-10 2013-02-06 이정훈 집단 본딩을 이용한 반도체 디바이스 제조 방법 및 그것에 의해 제조된 반도체 디바이스
JP5532021B2 (ja) * 2011-06-28 2014-06-25 豊田合成株式会社 発光装置
US8785952B2 (en) * 2011-10-10 2014-07-22 Lg Innotek Co., Ltd. Light emitting device and light emitting device package including the same
CN103165038B (zh) * 2012-11-16 2016-03-23 映瑞光电科技(上海)有限公司 一种led显示屏及其制作方法
CN103456729B (zh) * 2013-07-26 2016-09-21 利亚德光电股份有限公司 发光二极管显示屏

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102800778A (zh) * 2011-05-27 2012-11-28 东莞市福地电子材料有限公司 一种芯片倒装的发光二极管及其制造方法
CN102891240A (zh) * 2012-09-18 2013-01-23 惠州雷曼光电科技有限公司 倒装结构的发光二极管及其制备方法
CN102945642A (zh) * 2012-11-16 2013-02-27 映瑞光电科技(上海)有限公司 一种led显示屏及其制作方法
CN203456455U (zh) * 2013-07-26 2014-02-26 利亚德光电股份有限公司 发光二极管显示屏

Also Published As

Publication number Publication date
JP2016525282A (ja) 2016-08-22
US20160172340A1 (en) 2016-06-16
EP3026704A1 (en) 2016-06-01
CN103456729A (zh) 2013-12-18
CA2919357A1 (en) 2015-01-29
EP3026704A4 (en) 2017-03-01
WO2015010554A1 (zh) 2015-01-29
KR20160036584A (ko) 2016-04-04

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN103456729B (zh) 发光二极管显示屏
CN100565948C (zh) 发光装置
EP2385549B1 (en) Chip package, package module, and illumination apparatus including chip package module
TW200923262A (en) High heat dissipation optic module for light emitting diode and its manufacturing method
KR102168935B1 (ko) Led 다이와 리드 프레임 스트립의 본딩
CN106997888B (zh) 发光二极管显示装置
EP2876355B1 (en) LED base module and LED lighting device
CN104282676A (zh) 一体式led灯板封装结构及封装工艺
CN201149869Y (zh) 一种led封装结构
CN105185891A (zh) 一种led免封装结构及其免封装方法
CN105280102A (zh) 发光二极管显示屏
CN205140428U (zh) 发光二极管显示屏
CN204229767U (zh) 发光二极管显示屏
CN216749944U (zh) Led封装器件
CN203456455U (zh) 发光二极管显示屏
CN108538997A (zh) 表面贴装型支架和多芯片光电器件
CN106683574A (zh) 发光二极管显示屏及其用途
CN209561406U (zh) 一种高集成度led芯片模组全色配光的结构
CN209822681U (zh) 一种倒装smd led封装结构
CN203445117U (zh) Led封装结构及汽车车灯
JP2007012764A (ja) 発光ダイオード複合素子
CN204189794U (zh) Led 发光装置
CN207474491U (zh) 一种cob封装结构及包括该结构的led显示模组
KR100691124B1 (ko) 발광 다이오드 패키지의 제조 방법
CN103761929A (zh) 硅基led显示屏单元板

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant