AT128581B - Schaltungsanordnung zur Beeinflussung des Frequenzganges von Kapazitäts-Widerstands-Verstärkern. - Google Patents

Schaltungsanordnung zur Beeinflussung des Frequenzganges von Kapazitäts-Widerstands-Verstärkern.

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AT128581B
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AT
Austria
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inductance
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capacitance
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Inventor
Hans Bartels
Original Assignee
Siemens Ag
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Description


   <Desc/Clms Page number 1> 
 
 EMI1.1 
 
Für viele Zwecke ist es notwendig, die Verstärkung eines C-W-Verstärkers für die hohen oder für die tiefen Frequenzen zu vergrössern. Dies ist beispielsweise der Fall, wenn die Verstärker an einen bestimmten Verbraucher angepasst werden oder wenn durch   Vorübertrager   oder Leitungen hervorgerufene Verzerrungen entzerrt werden sollen. Bei Verstärkern, deren einzelne Stufen über Transformatoren gekoppelt sind, hat es sich für diesen Zweck als vorteilhaft erwiesen, die sogenannte Streuresonanz zwischen der Streuinduktivität des Übertragers und der Kapazität des Gitterkreises für die Frequenzerhöhung 
 EMI1.2 
 und man hat sieh infolgedessen bisher besonderer Dämpfungsglieder bedient, die die Verstärkung für sämtliche Frequenzen mit Ausnahme derjenigen, deren Verstärkung hoch sein soll, herabsetzen.

   Dies
Verfahren hatte den Nachteil einer geringen mittleren Verstärkung und bedingte infolgedessen in den meisten Fällen einen Mehraufwand an Röhren, wodurch die Anlage erheblich verteuert wurde. Ganz abgesehen davon, dass mit der Zunahme der Röhrenzahl auch die Betriebssicherheit sinkt, war zu be- achten, dass durch die Erhöhung der Zahl der Kopplungselemente weitere Störquellen hinzukamen. 



   Gemäss der Erfindung werden bei C-W-Verstärkern diese Nachteile dadurch vermieden, dass in
Reihe mit dem Kopplungskondensator oder parallel zum Gitterkreis eine Induktivität eingeschaltet wird, die so bemessen ist, dass die Resonanzfrequenz des aus dieser Induktivität und dem Kopplungs- kondensator bzw. einem zwischen Gitter und Kathode liegenden Kondensator bestehenden Schwingung- kreises in dem Frequenzbereich liegt, dessen Verstärkung erhöht werden soll. Auf diese Weise lässt sich eine beträchtliche Erhöhung der Verstärkung für bestimmte Frequenzbereiche erzielen, ohne dass dabei die mittlere Verstärkung der Anlage sinkt. Durch die Zuschaltung der Induktivität wird die   höchste  
Verstärkung wesentlich grösser, als sie vorher ohne Verwendung der Induktivität war. 



   Die gemäss der Erfindung angewendeten Entzerrungsmittel sind ausserordentlich einfach, billig und   bringen keine Komplizierung der Schaltung   mit sich. Durch dieses Entzerrungsverfahren wird erst- malig die bei   C-W-Verstärkern   seit langem vorliegende Aufgabe, die Verstärkung für bestimmte Frequenz- gebiete durch einfache Entzerrungsmittel zu heben, ohne dabei die mittlere Verstärkung der Anlage zu verringern, in einwandfreier Weise   gelöst.   



   Die Anwendung der Entzerrungsmittel wird zwar in erster Linie fur die Hervorhebung der Grenz- frequenzen in Frage kommen, jedoch   lässt   sich durch geeignete Bemessung der Induktivität die Verstär- kung für jedes beliebige andere Frequenzgebiet ebenfalls erhöhen. Durch Anwendung von zwei Induk- tivitäten verschiedener Bemessung, von denen die eine in Reihe mit dem entsprechend bemessenen Kopp- lungskondensator liegt und die andere parallel zum Gitterkreis geschaltet ist, lassen sich zwei Frequenz- bereiche, beispielsweise die beiden Grenzbereiche, gleichzeitig verzerren. 



   Durch entsprechende Bemessung des Ohmsehen Widerstandes der   Induktivität, bzw. durch Parallel-   schalten besonderer Kondensatoren zum Gitterkreis kann die Resonanzfrequenz und die Form der entstehenden Resonanzkurve in gewünschter Weise beeinflusst werden. 



   Die Erfindung lässt sich auch für solche Zwecke mit Erfolg anwenden, bei denen es auf einen steilen
Abfall an den Enden der Verstärkungskurve ankommt. Macht man die Resonanz der oder des Schwingung- kreises sehr scharf, so erhält man einen fast senkrechten Anstieg bzw. Abfall der   Vers1ärkungskurve.   

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   Wird eine rechteckige Verstärkungskurve angestrebt, so lassen sich die an den Enden der Kurve vor- handenen Erhöhungen durch Einschaltung geeigneter Dämpfungsglieder leicht beseitigen. 



   Die Fig. 1, 3 und 5 zeigen einige Ausführungsbeispiele des Erfindungsgedankens und die Fig.   2,   4 und 6 die mit diesen Schaltungen erreichten Schaltungskurven. 



   In Fig. 1 sind   Vl und V2 zwei   gemäss der Erfindung miteinander gekoppelte Stufen eines Verstärkers. 



   Die beiden Röhren sind über den Anodenwiderstand al, den Kopplungskondensator Cl und den Gitter- widerstand g miteinander gekoppelt. In den Gitterkreisen der Röhren sind noch die Gittervorspannungs- batterien      und   b2   angegeben. Der Ausgang der Röhre   V2   kann mit einem Verbraucher oder dem Anoden- widerstand a2 mit einer weiteren Verstärkerstufe gekoppelt werden. Zwischen dem Kopplungskonden- sator Cl und dem Gitter der Röhre   V2   ist gemäss der Erfindung die Induktivität   I   eingeschaltet. Die Induktivität   l   ist so bemessen, dass beispielsweise für die obere Grenzfrequenz, für die eine Erhöhung der Ver- stärkung verlangt wird, Spannungsresonanz zwischen dem Kopplungskondensator Cl und der Induktivität   I   auftritt.

   Für die Resonanzfrequenz wird der Widerstand der Reihenschaltung   el, I   sehr klein, und infolge- dessen ist die am Gitter der Röhre   V2   auftretende Spannung sehr gross. Soll die durch die Spannungsresonanz auftretende Verstärkungserhöhung abgeflacht werden, so kann ein Kondensator   C2   zu diesem
Zweck parallel zum Gitterwiderstand g gelegt werden. 



   In Fig. 2 ist der Verlauf der Verstärkung s als Funktion der Frequenz f dargestellt. Die Kurve 1 gilt für den Fall der reinen Spannungsresonanz zwischen   Cl und l,   und die Kurve 2 zeigt die Abflachung der Resonanzkurve durch die Parallelkapazität   C2'  
Fig. 3 zeigt ebenso wie Fig. 1, 2 über den Kondensator Cl gekoppelte Verstärkungsstufen. Zur Bevorzugung der tiefen Frequenzen ist der Gitterwiderstand als Induktivität   I   ausgebildet. Die Induktivität   I   ist so bemessen, dass für die hervorzuhebende Frequenz Spannungsresonanz zwischen Cl und   l   auftritt. Die an Cl und l vorhandenen Spannungsabfälle sind für diesen Teil sehr gross, so dass eine erhebliche Erhöhung der Verstärkung die Folge ist.

   Durch geeignete Bemessung des Ohmschen Widerstandes der Induktivität lässt sich die Spannungsresonanz in gewünschter Weise dämpfen. Durch möglichst hohen Ohmschen Widerstand der Induktivität kann der Einfluss des frequenzabhängigen Widerstandes der Induktivität herabgemindert werden, soweit dies mit   Rücksicht   auf die verlangte Schärfe der Spannungsresonanz zulässig ist. 



   Fig. 4 zeigt den Verlauf der Verstärkung s in Abhängigkeit von der Frequenz f der in Fig. 3 dargestellten   Verstärkerschaltung.   



   Fig. 5 zeigt eine Schaltungsanordnung, bei der zur Erhöhung der Verstärkung sowohl für die tiefen als auch für die hohen Frequenzen eine   Drossel   in Reihe zum Kopplungskondensator Cl und eine weitere   Drossel   parallel zum Gitterkreis eingeschaltet sind. l1 ist so bemessen, dass im Bereich der hervorzuhebenden tiefen Frequenzen Resonanz zwischen Cl und   ! i   auftritt. Die dadurch bedingte Spannungserhöhung an   el   und   ! i   führt zu der gewünschten Erhöhung der Verstärkung in dem betreffenden Frequenz-   gebiet.

   Die Induktivität ist mit Rücksicht   auf eine Spannungsresonanz mit   der Gitterkathodenkapazität   bzw. mit einer besonderen zwischen Gitter und Kathode einzuschaltenden Kapazität   C2   für den oberen Frequenzbereich bemessen und hat infolgedessen einen für die tieferen Frequenzen zu vernachlässigenden Widerstand. Erst im Bereich der hohen Frequenzen, wenn der Einfluss von   11 ales   hoher Parallelwiderstand zu vernachlässigen ist, tritt infolge der zwischen   C2   und l2 vorhandenen Spannungsresonanz eine Erhöhung der Verstärkung ein. 



   Die für eine mittlere Frequenz auftretende Resonanz zwischen Cl und   l2   schadet nichts, da für diese Frequenz der Scheinwiderstand von      bereits sehr gross ist. 



   In Fig. 6 ist der Verlauf der Verstärkung der in Fig. 5 angegebenen Schaltung dargestellt. 



   PATENT-ANSPRÜCHE :
1. Schaltungsanordnung zur Beeinflussung des Frequenzganges von Kapazitäts-WiderstandsVerstärkern, dadurch gekennzeichnet, dass in Reihe mit dem Kopplungskondensator oder parallel zum Gitterkreis eine derart bemessene Induktivität eingeschaltet ist, dass die Resonanzfrequenz des aus der Induktivität und der Kopplungskapazität bzw. einer zwischen Gitter und Kathode liegenden Kapazität gebildeten Schwingungskreises innerhalb oder in der Nähe des Frequenzbereiches liegt, für den die Verstärkung erhöht werden soll.

Claims (1)

  1. 2. Schaltungsanordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass sowohl in Reihe zum Kopplungswiderstand als auch parallel zum Gitterkreis je eine Induktivität zur Herabsetzung hoher und tiefer Frequenzbereiche eingeschaltet ist.
    3. Schaltungsanordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass zur Veränderung der Resonanzkurve ein Kondensator parallel zum Gitterkreis gelegt ist.
    4. Schaltungsanordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Kopplun, g-skapazitiit mit Rücksicht auf die gewünschte Resonanzfrequenz bemessen ist.
AT128581D 1930-03-24 1931-03-20 Schaltungsanordnung zur Beeinflussung des Frequenzganges von Kapazitäts-Widerstands-Verstärkern. AT128581B (de)

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