WO2023063701A1 - 신규한 캡핑층용 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자 - Google Patents
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Definitions
- the present invention relates to a novel capping layer compound and an organic light emitting device including the same.
- Materials used as the organic layer in the organic light emitting device can be largely classified into light emitting materials, hole injection materials, hole transport materials, electron transport materials, electron injection materials and the like according to their functions.
- the light emitting material may be classified into a fluorescent material derived from a singlet excited state of electrons and a phosphorescent material derived from a triplet excited state of electrons according to a light emitting mechanism, and may be classified into blue, green, and red light emitting materials according to the emission color. can be distinguished.
- a typical organic light emitting device may have a structure in which an anode is formed on a substrate, and a hole transport layer, a light emitting layer, an electron transport layer, and a cathode are sequentially formed on the anode.
- the hole transport layer, the light emitting layer, and the electron transport layer are organic thin films made of organic compounds.
- the driving principle of the organic light emitting device having the above structure is as follows.
- Efficiency of an organic light emitting device can be generally divided into internal light emitting efficiency and external light emitting efficiency.
- the internal luminous efficiency is related to how efficiently exciton is generated and light conversion is performed in the organic layer interposed between the first electrode and the second electrode, such as the hole transport layer, the light emitting layer, and the electron transport layer. Theoretically, 25% for fluorescence and phosphorescence In the case of , it is known as 100%.
- the external luminous efficiency represents the efficiency with which light generated in the organic layer is extracted to the outside of the organic light emitting device, and is known to be extracted to the outside by about 20% of the internal luminous efficiency.
- various organic compounds having a refractive index of 1.7 or more have been applied as a capping layer to prevent total reflection and loss of light going out to the outside. Efforts have been made to develop organic compounds having high refractive index and thin film stability.
- an object of the present invention is to combine four or more ring condensation groups in two directions with an amine core as the center and a heteroaryl group in the other direction, thereby maintaining a high refractive index with a wide band gap that is difficult to absorb the visible light region and at the same time ultraviolet rays It is an object of the present invention to provide a compound having an increased absorption wavelength in a region and to provide an organic light emitting device having high color purity, high efficiency, and long lifespan.
- An object of the present invention is to provide a compound capable of effectively preventing intermolecular recrystallization and maintaining a stable thin film from heat generated during driving of the organic light emitting device, and to provide an organic light emitting device with improved external quantum efficiency and lifetime.
- the present invention provides a compound for a capping layer represented by Formula 1 below:
- a and B are each independently Formula 1-1 or Formula 1-2,
- L, L1 and L2 are each independently a direct bond, a substituted or unsubstituted C5-C50 arylene group, or a substituted or unsubstituted C2-C50 heteroarylene group,
- Ar is a substituted or unsubstituted C2-C50 heteroaryl group, or a C5-C50 aryl group substituted with a cyano group.
- X is each independently O, S, CRR ⁇ or NR;
- Each C ring is independently a substituted or unsubstituted C5 ⁇ C30 aryl group or a substituted or unsubstituted C2 ⁇ C30 heteroarylene group,
- R, R ⁇ , R1 and R2 are each independently hydrogen, deuterium, halogen, nitro group, nitrile group, hydroxyl group, thiol group, substituted or unsubstituted amino group, substituted or unsubstituted C1 ⁇ C30 alkyl group, substituted Or an unsubstituted C2 ⁇ C30 alkenyl group, a substituted or unsubstituted C1 ⁇ C30 alkoxy group, a substituted or unsubstituted C1 ⁇ C30 sulfide group, a substituted or unsubstituted C0 ⁇ C30 silyl group, a substituted or unsubstituted C1 ⁇ C30 silyl group, It is a ringed C5 ⁇ C50 aryl group, or a substituted or unsubstituted C2 ⁇ C50 heteroaryl group, and may or may not form a ring by combining a plurality of adjacent R1s, R2s, R and R ⁇ .
- An organic light emitting device containing the above-described capping layer compound is provided.
- the compound for the capping layer according to the present invention is a compound in which four or more ring condensation groups are bonded in two directions centered on an amine core and a heteroaryl group in the other direction, and has a wide band gap that is difficult to absorb visible light and maintains a high refractive index. At the same time, the absorption wavelength in the ultraviolet region is increased, so that when used in the capping layer of an organic light emitting device, an organic light emitting device having high color purity, high efficiency, and long lifespan can be provided.
- the compound for the capping layer according to the present invention is linearly coupled with the amine core and the four or more ring condensation groups, it has excellent thin film arrangement between molecules, so it can secure a higher refractive index and at the same time improve stability from external air and moisture. Since it has high Tg and high Td, intermolecular recrystallization can be effectively prevented and a stable thin film can be maintained from heat generated during driving of the organic light emitting device, so that the external quantum efficiency and lifetime of the organic light emitting device can be further improved.
- FIG. 1 is a schematic cross-sectional view showing the configuration of an organic light emitting device according to an embodiment of the present invention
- aryl refers to a C5-50 aromatic hydrocarbon ring group such as phenyl, benzyl, naphthyl, biphenyl, terphenyl, fluorene, phenanthrenyl, triphenyl It may mean containing an aromatic ring such as renyl, perylenyl, chrysenyl, fluoranthenyl, benzofluorenyl, benzotriphenylenyl, benzochrysenyl, anthracenyl, stilbenyl, pyrenyl, etc., and "hetero "Aryl” is a C2-50 aromatic ring containing one or more heteroatoms, for example, pyrrolyl, pyrazinyl, pyridinyl, indolyl, isoindolyl, furyl, benzofuranyl, isobenzofuranyl, Dibenzofuranyl, benzothiophenyl, di
- Ar x (where x is an integer) means a substituted or unsubstituted C6-C50 aryl group or a substituted or unsubstituted C2-C50 heteroaryl group, unless otherwise defined
- L x (where x is an integer) means a direct bond, a substituted or unsubstituted C6 ⁇ C50 arylene group, or a substituted or unsubstituted C2 ⁇ C50 heteroarylene group, unless otherwise defined
- R x (where x is If not particularly defined, hydrogen, deuterium, halogen, nitro group, nitrile group, substituted or unsubstituted C1 ⁇ C30 alkyl group, substituted or unsubstituted C2 ⁇ C30 alkenyl group, substituted or unsubstituted C1 ⁇ C30 alkoxy group, substituted or unsubstituted C1 ⁇ C30 sulfide group, substituted or unsubstituted C
- substituted or unsubstituted refers to deuterium, halogen, amino, cyano, nitrile, nitro, nitroso, sulfamoyl, isothiocyanate, thiocyanate groups.
- carboxyl group, or C1 ⁇ C30 alkyl group C1 ⁇ C30 alkylsulfinyl group, C1 ⁇ C30 alkylsulfonyl group, C1 ⁇ C30 alkylsulfanyl group, C1 ⁇ C12 fluoroalkyl group, C2 ⁇ C30 alkenyl group, C1 ⁇ C30 alkoxy group, C1 ⁇ C12 N-alkylamino group, C2 ⁇ C20 N,N-dialkylamino group, substituted or unsubstituted C1 ⁇ C30 sulfide group, C1 ⁇ C6 N-alkylsulfamoyl group, C2 ⁇ C12 N,N-dialkylsulfamoyl group, C3 ⁇ C30 silyl group, C3 ⁇ C20 cycloalkyl group, C3 ⁇ C20 heterocycloalkyl group, C6 ⁇ C50 aryl group and C2 ⁇ C50 heteroaryl group It may mean that it is substituted or
- the compound for the capping layer according to the present invention may be represented by Formula 1 below:
- a and B are each independently Formula 1-1 or Formula 1-2,
- L, L1 and L2 are each independently a direct bond, a substituted or unsubstituted C5-C50 arylene group, or a substituted or unsubstituted C2-C50 heteroarylene group,
- Ar is a substituted or unsubstituted C2-C50 heteroaryl group, or a C5-C50 aryl group substituted with a cyano group.
- X is each independently O, S, CRR ⁇ or NR;
- Each C ring is independently a substituted or unsubstituted C5 ⁇ C30 aryl group or a substituted or unsubstituted C2 ⁇ C30 heteroarylene group,
- R, R ⁇ , R1 and R2 are each independently hydrogen, deuterium, halogen, nitro group, nitrile group, hydroxyl group, thiol group, substituted or unsubstituted amino group, substituted or unsubstituted C1 ⁇ C30 alkyl group, substituted Or an unsubstituted C2 ⁇ C30 alkenyl group, a substituted or unsubstituted C1 ⁇ C30 alkoxy group, a substituted or unsubstituted C1 ⁇ C30 sulfide group, a substituted or unsubstituted C0 ⁇ C30 silyl group, a substituted or unsubstituted C1 ⁇ C30 silyl group, It is a ringed C5 ⁇ C50 aryl group, or a substituted or unsubstituted C2 ⁇ C50 heteroaryl group, and may or may not form a ring by combining a plurality of adjacent R1s, R2s, R and R ⁇ .
- the compound for the capping layer represented by Formula 1 is a compound in which four or more ring condensation groups are bonded in two directions centered on an amine core and a heteroaryl group in the other direction, and has a wide band gap that is difficult to absorb visible light and has a high refractive index. At the same time, the absorption wavelength in the ultraviolet region is increased, so that when used in the capping layer of the organic light emitting device, an organic light emitting device having high color purity, high efficiency, and long lifespan can be provided.
- the compound for the capping layer has an excellent intermolecular thin film arrangement because the amine core and the tetracyclic condensate group are linearly coupled, a higher refractive index can be secured, and at the same time, stability from external air and moisture can be improved, and a high Tg and Since it has a high Td, intermolecular recrystallization can be effectively prevented and a stable thin film can be maintained from heat generated during driving of the organic light emitting device, so that the external quantum efficiency and lifespan of the organic light emitting device can be further improved.
- Formula 1 may be represented by Formula 2 or Formula 3 below:
- X, C ring, L, Ar and R1 are as defined in Formula 1, Formula 1-1 and Formula 1-2 above,
- n and o are each independently an integer of 0 to 3, specifically 0 or 1.
- the compound for the capping layer represented by Formula 2 or Formula 3 is linearly connected to the amine core and the 4-ring condensate group, it can have a high refractive index due to excellent thin film arrangement and can greatly improve absorption intensity in the ultraviolet region. In addition, it is advantageous to secure a higher refractive index as the 4-ring condensation group is connected to the amine core by para-phenylene.
- Formula 1 may be represented by Formula 4 or Formula 5 below:
- X, C ring, L and Ar are the same as defined in Formula 1, Formula 1-1 and Formula 1-2 above.
- the compound for the capping layer represented by Formula 4 or Formula 5 is directly connected to the amine core and the 4-ring condensate group, the thin film arrangement is excellent, so that a high refractive index can be maintained and at the same time, the intensity of the absorption wavelength in the ultraviolet region can be greatly improved. .
- the compound of Formula 1 may be represented by Formula 6 or Formula 7 below:
- X, L and Ar are the same as defined in Formula 1, Formula 1-1 and Formula 1-2 above.
- the compound for the capping layer represented by Formula 6 or Formula 7 has minimized bulkiness and has a linear direct connection between the 4-ring condensate and the amine core, thereby maximizing the intramolecular polarizability, resulting in a higher refractive index and thermal stability at the same time. can be greatly improved.
- X may be independently O or S.
- X may be independently O or S.
- Ar may include a heteroaryl group composed of one ring or a heteroaryl group condensed into two rings.
- a substituent with minimized bulkiness it is possible to have a high refractive index due to excellent intermolecular thin film arrangement, and at the same time, excellent thermal stability.
- Ar is a quinoline group, a benzofuran group, a benzothiophene group, an indole group, a benzoxazole group, a benzothiazole group, a benzoimidazole group, and an indolizine group.
- It may be selected from the group consisting of an imidazopyridine group, a benzotriazole group, a furan group, a thiophene group, an oxadiazole group, or a thiadiazole group. These are substituents with a high polarizability and can have a higher refractive index.
- Ar may be selected from the group consisting of a quinoline group, a benzofuran group, a benzothiophene group, or an imidazopyridine group.
- a high refractive index can be maintained, and at the same time, absorption in the visible light region can be minimized.
- L may be a phenylene group or a biphenylene group.
- the polarizability of the compound is increased, the thin film arrangement is excellent, and it can have a high refractive index.
- each *-L-Ar may be independently selected from structures represented by the following structures A-1 to A-17:
- q is each independently an integer of 0 to 2
- R3 is a nitrile group
- * is a bonding position bonded to N in Formula 1.
- the compound for the capping layer represented by any one or more formulas of Formulas 1 to 7 has a refractive index of 2.40 or more at a wavelength of 450 nm when the refractive index is measured in a thickness range of 20 nm to 100 nm, specifically in a thickness range of 50 nm to 100 nm. , Specifically, it may have a high refractive index of 2.45 or more, and may have an ultraviolet absorption intensity of 0.8 or more, specifically 1.0 or more at a wavelength of 380 nm.
- One embodiment of the compound for the capping layer of the present invention may be synthesized by an amination reaction, and a schematic synthesis reaction formula is as follows.
- the present invention provides an organic light emitting device including the compound for a capping layer according to the present invention described above in a capping layer.
- the organic light emitting device may include a first electrode, a second electrode, and one or more organic material layers interposed inside the first electrode and the second electrode, and the capping layer may include the first electrode and the second electrode. It may be disposed outside any one or more electrodes of the first electrode and the second electrode.
- a side adjacent to the organic material layer interposed between the first electrode and the second electrode is referred to as an inner side
- a side not adjacent to the organic material layer is referred to as an outer side. That is, when the capping layer is disposed outside the first electrode, the first electrode is interposed between the capping layer and the organic layer, and when the capping layer is disposed outside the second electrode, the second electrode is interposed between the capping layer and the organic layer. do.
- one or more layers of various organic materials may be interposed inside the first electrode and the second electrode, and the outer side of any one or more of the first electrode and the second electrode.
- a capping layer may be formed on. That is, the capping layer may be formed on both the outside of the first electrode and the outside of the second electrode, or may be formed only on the outside of the first electrode or the outside of the second electrode.
- the capping layer may have a thickness of 100 to 2000 ⁇ .
- the capping layer may include the compound for the capping layer according to the present invention, and may include the compound for the capping layer according to the present invention alone, two or more types, or a known compound together.
- the capping layer may have a refractive index of 2.40 or more, specifically 2.45 or more at a wavelength of 450 nm.
- the capping layer may have an ultraviolet absorption intensity of 0.8 or more at 380 nm, specifically 1.0 or more.
- the organic material layer may generally include a hole transport layer, a light emitting layer, and an electron transport layer constituting the light emitting unit, but may not be limited thereto.
- the organic light emitting device includes a hole injection layer (HIL), a hole transport layer (HTL), and a light emitting layer ( EML), an electron transport layer (ETL), and an electron injection layer (EIL) may include one or more organic material layers constituting the light emitting part.
- HIL hole injection layer
- HTL hole transport layer
- EML light emitting layer
- ETL electron transport layer
- EIL electron injection layer
- FIG. 1 is a cross-sectional view schematically showing the configuration of an organic light emitting device according to an embodiment of the present invention.
- An organic light emitting device according to an embodiment of the present invention may be manufactured as the structure described in FIG. 1 .
- the organic light emitting device includes a substrate 100, a first electrode 1000, a hole injection layer 200, a hole transport layer 300, a light emitting layer 400, an electron transport layer 500, and an electron injection layer from below. 600, the second electrode 2000, and the capping layer 3000 may be sequentially stacked.
- the substrate 100 may use a substrate generally used in an organic light emitting device, and in particular, a transparent glass substrate excellent in mechanical strength, thermal stability, transparency, surface smoothness, ease of handling, and water resistance, or a flexible plastic substrate.
- a transparent glass substrate excellent in mechanical strength, thermal stability, transparency, surface smoothness, ease of handling, and water resistance
- a flexible plastic substrate can be
- the first electrode 1000 is used as a hole injection electrode for hole injection of an organic light emitting device.
- the first electrode 1000 is manufactured using a material having a low work function to enable injection of holes, and is formed of a transparent material such as indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO), or graphene. It can be.
- ITO indium tin oxide
- IZO indium zinc oxide
- graphene graphene
- the hole injection layer 200 is formed by depositing a hole injection layer material on top of the first electrode 1000 by a method such as a vacuum deposition method, a spin coating method, a cast method, a Langmuir-Blodgett (LB) method, and the like It can be.
- the deposition conditions vary depending on the compound used as the material of the hole injection layer 200, the desired structure and thermal characteristics of the hole injection layer 200, etc. In general, a deposition temperature of 50 to 500° C., a vacuum degree of 10 -8 to 10 -3 torr, a deposition rate of 0.01 to 100 ⁇ /sec, and a layer thickness of 10 ⁇ to 5 ⁇ m can be appropriately selected.
- a charge generation layer may be additionally deposited on the surface of the hole injection layer 200 if necessary. Conventional materials can be used as the material for the charge generation layer, and HATCN is exemplified.
- the hole transport layer 300 may be formed by depositing a hole transport layer material on top of the hole injection layer 200 by a method such as a vacuum deposition method, a spin coating method, a cast method, or an LB method.
- a vacuum deposition method the deposition conditions vary depending on the compound used, but are generally selected within the same range of conditions as those for forming the hole injection layer 200.
- the hole transport layer 300 may be formed using a known compound.
- the hole transport layer 300 may have one or more layers, and although not shown in FIG. 1 , an auxiliary emission layer may be additionally formed on the hole transport layer 300 .
- the light emitting layer 400 may be formed by depositing a light emitting layer material on top of the hole transport layer 300 or the light emitting auxiliary layer by a method such as a vacuum deposition method, a spin coating method, a cast method, or an LB method.
- a vacuum deposition method the deposition conditions vary depending on the compound used, but are generally selected within the same range of conditions as those for forming the hole injection layer 200.
- a known compound may be used as a host or dopant.
- a hole blocking material is added to the top of the light emitting layer 400 to prevent triplet excitons or holes from diffusing into the electron transport layer 500 by vacuum deposition method or It can be laminated through a spin coating method.
- the hole blocking material that can be used is not particularly limited, and known materials can be arbitrarily selected and used. For example, an oxadiazole derivative, a triazole derivative, a phenanthroline derivative, or a hole blocking material described in Japanese Patent Laid-Open No.
- the light emitting layer 400 of the present invention may include one or more blue light emitting layers or two or more layers.
- the electron transport layer 500 is formed on the light emitting layer 400, and may be formed by a method such as a vacuum deposition method, a spin coating method, or a cast method.
- the deposition conditions of the electron transport layer 500 vary depending on the compound used, but it is generally preferable to select them within the same range of conditions as those for forming the hole injection layer 200 .
- the electron injection layer 600 may be formed by depositing an electron injection layer material on top of the electron transport layer 500, and may be formed by a method such as a vacuum deposition method, a spin coating method, or a cast method.
- the second electrode 2000 is used as an electron injection electrode, and may be formed on top of the electron injection layer 600 by a vacuum deposition method or a sputtering method.
- Various metals may be used as the material of the second electrode 2000 . Specific examples include materials such as aluminum, gold, silver, and magnesium, but are not limited thereto.
- the organic light emitting device of the present invention includes the first electrode 1000, the hole injection layer 200, the hole transport layer 300, the light emitting layer 400, the electron transport layer 500, the electron injection layer 600, and the second electrode described above.
- organic light emitting diodes having a structure including (2000) and a capping layer 3000 organic light emitting diodes having various structures are possible, and one or two intermediate layers may be additionally included as needed.
- each organic layer formed according to the present invention may be adjusted according to a required degree, specifically 10 to 1,000 nm, and more specifically 20 to 150 nm.
- the capping layer 3000 may be formed on an outer surface on which the hole injection layer 200 is not formed among both side surfaces of the first electrode 1000 .
- the electron injection layer 600 may be formed on the outer side of both sides of the second electrode 2000 on which the electron injection layer 600 is not formed, but is not limited thereto.
- the capping layer 3000 may be formed through a deposition process, and the capping layer 3000 may have a thickness of 100 to 2,000 ⁇ , more specifically, 300 to 1,000 ⁇ . Through such thickness control, it is possible to prevent the transmittance of the capping layer 3000 from being lowered.
- various functions are provided between the capping layer 3000 and the first electrode 1000 or between the capping layer 3000 and the second electrode 2000.
- An organic material layer may be additionally formed.
- an organic material layer having various functions may be additionally formed on the top (outer surface) of the capping layer 3000, but is not limited thereto.
- the present invention has the structure of the organic light emitting device shown in FIG. 1 as an example, but an electron injection layer (not shown) is formed between the electron transport layer 500 and the cathode 2000 additionally introduced.
- the manufactured organic light emitting device includes an anode (hole injection electrode 1000) / hole injection layer 200 / hole transport layer 300 / light emitting layer 400 / electron transport layer 500 / electron injection layer 600 from below. ) / cathode (electron injection electrode 2000) / capping layer 3000 are stacked in this order.
- the substrate 10 may be a transparent glass substrate or a flexible plastic substrate.
- the hole injection electrode 1000 is used as an anode for hole injection of an organic light emitting device.
- a material having a low work function is used to enable injection of holes, and it may be formed of a transparent material such as indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO), or graphene.
- ITO indium tin oxide
- IZO indium zinc oxide
- graphene graphene
- the materials listed in Table 1 were used for the hole injection layer 200, the hole transport layer 300, the light emitting layer 400, the electron transport layer 500, and the electron injection layer 600.
- a cathode 2000 for electron injection was formed on the electron injection layer 600 .
- Various metals can be used as the cathode. Specific examples include materials such as aluminum, gold, and silver.
- ITO indium tin oxide
- a reflective layer containing silver (Ag) was formed was cleaned with ultrasonic waves in distilled water. After washing with distilled water, ultrasonic cleaning was performed using solvents such as isopropyl alcohol, acetone, and methanol, and drying was performed. Thereafter, 100 ⁇ of HT01 and NDP9 were doped with 3% by weight of NDP9 as a hole injection layer on the ITO substrate, and 1000 ⁇ of HT01 as a hole transport layer were deposited, respectively. ⁇ thickness was deposited.
- an electron transport layer a mixture of ET01 and Liq (1:1, wt./wt.) was deposited to a thickness of 300 ⁇ , and then LiF was deposited to a thickness of 10 ⁇ to form an electron injection layer. Subsequently, MgA was deposited to a thickness of 15 nm to form a cathode. The compound prepared in Synthesis Example 1 was deposited on the cathode to a thickness of 600 ⁇ as a capping layer. An organic light emitting device was manufactured by encapsulating the device in a glove box.
- An organic light emitting diode was manufactured in the same manner as in Example 1, but formed into a capping layer using the compounds prepared in Synthesis Examples 2 to 5, respectively.
- An organic light emitting diode was manufactured in the same manner as in Example 1, but formed into a capping layer using Comparative Compounds 1 to 4 shown in Table 2 below.
- the capping layer compound used in Examples 1 to 5 of the present invention includes two 4-ring heterocondensation groups and at the same time has a heteroaryl group, thereby forming a high refractive index and Since the absorption intensity can be increased, it can have effects of high efficiency, high color purity, and long lifespan.
- the compound for the capping layer used in Examples 1 to 5 of the present invention can increase the polarizability and excellent thin film arrangement due to the linear connection of the amine core and the heterocondensate group, resulting in a higher It can form a refractive index
- the present invention has one arylamine structure, so it minimizes the bulkiness and has a high refractive index even with a small molecular weight, and has excellent thermal stability, so high efficiency and high color purity , It is possible to implement a long-life organic light emitting device.
- compound 8 As described in Table 4 above, it can be seen that compound 8, compound 15, compound 17 and compound 22 exhibit a high refractive index of 2.40 or more, more specifically 2.45 or more.
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Abstract
본 발명은 신규한 캡핑층용 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자를 제공한다:
Description
본 발명은 신규한 캡핑층용 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자에 관한 것이다.
유기 발광 소자에서 유기물 층으로 사용되는 재료는 크게 기능에 따라, 발광 재료, 정공주입 재료, 정공수송 재료, 전자수송 재료, 전자주입 재료 등으로 분류될 수 있다.
또한, 상기 발광 재료는 발광 메커니즘에 따라 전자의 일중항 여기 상태로부터 유래되는 형광 재료와 전자의 삼중항 여기 상태로부터 유래되는 인광 재료로 분류될 수 있으며, 발광색에 따라 청색, 녹색, 적색 발광 재료로 구분될 수 있다.
일반적인 유기 발광 소자는 기판 상부에 애노드가 형성되어 있고, 이 애노드 상부에 정공수송층, 발광층, 전자수송층 및 캐소드가 순차적으로 형성되어 있는 구조를 가질 수 있다. 여기에서 정공수송층, 발광층 및 전자수송층은 유기화합물로 이루어진 유기 박막들이다.
상술한 바와 같은 구조를 갖는 유기 발광 소자의 구동 원리는 다음과 같다.
상기 애노드 및 캐소드 간에 전압을 인가하면, 애노드로부터 주입된 정공은 정공수송층을 경유하여 발광층으로 이동하고, 캐소드로부터 주입된 전자는 전자수송층을 경유하여 발광층으로 이동한다. 상기 정공 및 전자는 발광층에서 재결합하여 엑시톤을 생성한다.
이 엑시톤이 여기 상태에서 기저상태로 변하면서 광이 생성된다. 유기 발광 소자의 효율은 통상적으로 내부발광효율과 외부발광효율로 나눌 수 있다. 내부발광효율은 정공수송층, 발광층 및 전자수송층 등과 같이 제1전극과 제2전극 사이에 개재된 유기층에서 얼마나 효율적으로 엑시톤이 생성되어 광변환이 이루어지는가와 관련 있으며, 이론적으로 형광의 경우 25%, 인광의 경우 100%로 알려져 있다.
한편, 외부발광효율은 유기층에서 생성된 광이 유기 발광 소자 외부로 추출되는 효율을 나타내며, 통상적으로 내부발광효율의 약 20% 정도로 외부로 추출되는 것으로 알려져 있다. 이 광추출을 높이기 위한 방법으로 외부로 나가는 빛이 전반사되어 손실되는 것을 방지하기 위해 1.7이상의 굴절률을 갖는 다양한 유기화합물들을 캡핑층으로 적용해 왔으며, 유기 발광 소자의 성능 개선을 위해 외부발광효율을 높이는 고굴절률 및 박막 안정성을 가지는 유기화합물을 개발하려는 노력이 지속되어 왔다.
이에, 본 발명의 목적은 아민 코어를 중심으로 두 방향으로 각각 4환 이상 축합기 및 나머지 한 방향으로 헤테로아릴기가 결합되어, 가시광 영역을 흡수하기 어려운 넓은 밴드갭을 가지고 고굴절률을 유지하면서 동시에 자외선 영역의 흡수파장이 증대된 화합물을 제공하며 고색순도, 고효율, 장수명을 갖는 유기 발광 소자를 제공하는 데 있다.
또한, 아민 코어와 4환 이상 축합기가 선형적으로 결합되어 있어 분자간 박막배열이 우수하므로 더욱 높은 굴절률을 확보할 수 있으며 동시에 외부 공기, 수분으로부터 안정성을 개선할 수 있고 높은 Tg 및 높은 Td를 가지므로 분자간 재결정화를 효과적으로 방지하고 유기 발광 소자의 구동시 발생하는 열로부터 안정한 박막을 유지할 수 있는 화합물을 제공하며, 외부양자 효율 및 수명개선이 보다 향상된 유기 발광 소자를 제공하는데 있다.
상기의 과제 및 추가적 과제에 대하여 아래에서 자세히 서술한다.
상기의 과제를 해결하기 위한 수단으로서,
본 발명은 일실시예로서, 하기 화학식 1로 표시되는 캡핑층용 화합물을 제공한다:
<화학식 1>
상기 화학식 1에서,
A 및 B는 각각 독립적으로 화학식1-1 또는 화학식1-2이고,
L, L1 및 L2는 각각 독립적으로 직접결합, 치환 또는 비치환된 C5~C50의 아릴렌기, 또는 치환 또는 비치환된 C2~C50의 헤테로아릴렌기이며,
Ar은 치환 또는 비치환된 C2~C50의 헤테로아릴기, 또는 시아노기로 치환된 C5~C50의 아릴기이다.
<화학식 1-1>
<화학식 1-2>
상기 화학식 1-1 및 화학식 1-2에서,
X는 각각 독립적으로 O, S, CRR` 또는 NR이고,
C환은 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 C5~C30의 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 C2~C30의 헤테로아릴렌기이고,
R, R`, R1 및 R2는 각각 독립적으로 수소, 중수소, 할로겐, 니트로기, 니트릴기, 하이드록시기, 티올기, 치환 또는 비치환된 아미노기, 치환 또는 비치환된 C1~C30의 알킬기, 치환 또는 비치환된 C2~C30의 알케닐기, 치환 또는 비치환된 C1~C30의 알콕시기, 치환 또는 비치환된 C1~C30의 설파이드기, 치환 또는 비치환된 C0~C30의 실릴기, 치환 또는 비치환된 C5~C50의 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 C2~C50의 헤테로아릴기이며, 인접한 복수의 R1끼리, R2끼리, R 및 R`끼리 결합하여 환을 형성하거나 형성하지 않을 수 있다.
또한, 본 발명은 일실시예로서,
상술된 캡핑층용 화합물을 함유하는 유기 발광 소자를 제공한다.
본 발명에 따른 캡핑층용 화합물은 아민 코어를 중심으로 두 방향으로 각각 4환 이상 축합기 및 나머지 한 방향으로 헤테로아릴기가 결합된 화합물로, 가시광 영역을 흡수하기 어려운 넓은 밴드갭을 가지고 고굴절률을 유지하면서 동시에 자외선 영역의 흡수파장이 증대되어 유기 발광 소자의 캡핑층에 사용할 경우 고색순도, 고효율, 장수명을 갖는 유기발광 소자를 제공할 수 있다.
또한, 본 발명에 따른 캡핑층용 화합물은 아민 코어와 4환 이상 축합기가 선형적으로 결합되어 있어 분자간 박막배열이 우수하므로 더욱 높은 굴절률을 확보할 수 있으며 동시에 외부 공기, 수분으로부터 안정성을 개선할 수 있고 높은 Tg 및 높은 Td를 가지므로 분자간 재결정화를 효과적으로 방지하고 유기 발광 소자의 구동시 발생하는 열로부터 안정한 박막을 유지할 수 있어, 유기 발광 소자의 외부양자 효율 및 수명개선이 보다 향상될 수 있다.
상기의 효과 및 추가적 효과에 대하여 아래에서 자세히 서술한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 소자의 구성을 보여주는 개략 단면도이며,
도 2는 340nm ~ 500nm의 파장범위에서의 흡수 강도를 측정한 것이다.
*부호의 설명*
100: 기판
200: 정공주입층
300: 정공수송층
400: 발광층
500: 전자수송층
600: 전자주입층
1000: 제1 전극(애노드)
2000: 제2 전극(캐소드)
3000: 캡핑층
이하에 본 발명을 상세하게 설명하기에 앞서, 본 명세서에 사용된 용어는 특정의 실시예를 기술하기 위한 것일 뿐 첨부하는 특허청구의 범위에 의해서만 한정되는 본 발명의 범위를 한정하려는 것은 아님을 이해하여야 한다. 본 명세서에 사용되는 모든 기술용어 및 과학용어는 다른 언급이 없는 한은 기술적으로 통상의 기술을 가진 자에게 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 가진다.
본 명세서 및 청구범위의 전반에 걸쳐, 다른 언급이 없는 한 포함(comprise, comprises, comprising)이라는 용어는 언급된 물건, 단계 또는 일군의 물건, 및 단계를 포함하는 것을 의미하고, 임의의 어떤 다른 물건, 단계 또는 일군의 물건 또는 일군의 단계를 배제하는 의미로 사용된 것은 아니다.
본 명세서 및 청구범위의 전반에 걸쳐, 용어 "아릴"은 C5-50의 방향족 탄화수소 고리기, 예를 들어, 페닐, 벤질, 나프틸, 비페닐, 터페닐, 플루오렌, 페난트레닐, 트리페닐레닐, 페릴레닐, 크리세닐, 플루오란테닐, 벤조플루오레닐, 벤조트리페닐레닐, 벤조크리세닐, 안트라세닐, 스틸베닐, 파이레닐 등의 방향족 고리를 포함하는 것을 의미할 수 있으며, "헤테로아릴"은 1 개 이상의 헤테로 원소를 포함하는 C2-50의 방향족 고리로서, 예를 들어, 피롤릴, 피라지닐, 피리디닐, 인돌릴, 이소인돌릴, 푸릴, 벤조푸라닐, 이소벤조푸라닐, 디벤조푸라닐, 벤조티오페닐, 디벤조티오페닐, 퀴놀릴기, 이소퀴놀릴, 퀴녹살리닐, 카르바졸릴, 페난트리디닐, 아크리디닐, 페난트롤리닐, 티에닐, 및 피리딘 고리, 피라진 고리, 피리미딘 고리, 피리다진 고리, 트리아진 고리, 인돌 고리, 퀴놀린 고리, 아크리딘고리, 피롤리딘 고리, 디옥산 고리, 피페리딘 고리, 모르폴린 고리, 피페라진 고리, 카르바졸 고리, 푸란 고리, 티오펜 고리, 옥사졸 고리, 옥사디아졸 고리, 벤조퓨란 고리, 티아졸 고리, 티아디아졸 고리, 벤조티오펜 고리, 트리아졸 고리, 이미다졸 고리, 벤조이미다졸 고리, 피란 고리, 디벤조푸란 고리 등으로부터 형성되는 헤테로고리기를 포함하는 것을 의미할 수 있다.
또한, 화학식에서 Arx(여기서 x는 정수임)는 특별히 정의되지 않는 경우, 치환 또는 비치환된 C6~C50의 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 C2~C50의 헤테로아릴기를 의미하며, L x(여기서 x는 정수임)은 특별히 정의되지 않는 경우, 직접결합, 치환 또는 비치환된 C6~C50의 아릴렌기, 또는 치환 또는 비치환된 C2~C50의 헤테로아릴렌기를 의미하며, R x(여기서 x는 정수임)은 특별히 정의되지 않는 경우, 수소, 중수소, 할로겐, 니트로기, 니트릴기, 치환 또는 비치환된 C1~C30의 알킬기, 치환 또는 비치환된 C2~C30의 알케닐기, 치환 또는 비치환된 C1~C30의 알콕시기, 치환 또는 비치환된 C1~C30의 설파이드기, 치환 또는 비치환된 C6~C50의 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 C2~C50의 헤테로아릴기를 의미한다.
본 명세서 및 청구범위 전반에 걸쳐, 용어 "치환 또는 비치환된"은 중수소, 할로겐, 아미노기, 시아노기, 니트릴기, 니트로기, 니트로소기, 술파모일기, 이소티오시아네이트기, 티오시아네이트기, 카르복시기, 또는 C1~C30의 알킬기, C1~C30의 알킬술피닐기, C1~C30의 알킬술포닐기, C1~C30의 알킬술파닐기, C1∼C12 의 플루오로알킬기, C2~C30의 알케닐기, C1~C30의 알콕시기, C1~C12의 N-알킬아미노기, C2~C20의 N,N-디알킬아미노기, 치환 또는 비치환된 C1~C30의 설파이드기, C1∼C6의 N-알킬술파모일기, C2∼C12의 N,N-디알킬술파모일기, C3~C30의 실릴기, C3~C20의 시클로알킬기, C3~C20의 헤테로시클로알킬기, C6~C50의 아릴기 및 C2~C50의 헤테로아릴기 등으로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 기로 치환되거나 치환되지 않는 것을 의미할 수 있으나, 특별히 이에 한정되는 것은 아니다. 또한, 본원 명세서 전체에서 동일한 기호는 특별히 언급하지 않는 한 같은 의미를 가질 수 있다.
한편, 본 발명의 여러 가지 실시예들은 명확한 반대의 지적이 없는 한 그 외의 어떤 다른 실시예들과 결합될 수 있다. 이하, 본 발명의 실시예 및 이에 따른 효과를 설명하기로 한다.
이하에서 본 발명을 상세히 설명한다.
본 발명에 따른 캡핑층용 화합물은 하기 화학식 1로 표현될 수 있다:
상기 화학식 1에서,
A 및 B는 각각 독립적으로 화학식1-1 또는 화학식1-2이고,
L, L1 및 L2는 각각 독립적으로 직접결합, 치환 또는 비치환된 C5~C50의 아릴렌기, 또는 치환 또는 비치환된 C2~C50의 헤테로아릴렌기이며,
Ar은 치환 또는 비치환된 C2~C50의 헤테로아릴기, 또는 시아노기로 치환된 C5~C50의 아릴기이다.
<화학식 1-1>
<화학식 1-2>
상기 화학식 1-1 및 화학식 1-2에서,
X는 각각 독립적으로 O, S, CRR` 또는 NR이고,
C환은 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 C5~C30의 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 C2~C30의 헤테로아릴렌기이고,
R, R`, R1 및 R2는 각각 독립적으로 수소, 중수소, 할로겐, 니트로기, 니트릴기, 하이드록시기, 티올기, 치환 또는 비치환된 아미노기, 치환 또는 비치환된 C1~C30의 알킬기, 치환 또는 비치환된 C2~C30의 알케닐기, 치환 또는 비치환된 C1~C30의 알콕시기, 치환 또는 비치환된 C1~C30의 설파이드기, 치환 또는 비치환된 C0~C30의 실릴기, 치환 또는 비치환된 C5~C50의 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 C2~C50의 헤테로아릴기이며, 인접한 복수의 R1끼리, R2끼리, R 및 R`끼리 결합하여 환을 형성하거나 형성하지 않을 수 있다.
상기 화학식 1로 표시되는 캡핑층용 화합물은 아민 코어를 중심으로 두 방향으로 각각 4환 이상 축합기 및 나머지 한 방향으로 헤테로아릴기가 결합된 화합물로, 가시광 영역을 흡수하기 어려운 넓은 밴드갭을 가지고 고굴절률을 유지하면서 동시에 자외선 영역의 흡수파장이 증대되어 유기 발광 소자의 캡핑층에 사용할 경우 고색순도, 고효율, 장수명을 갖는 유기발광 소자를 제공할 수 있다.
또한, 상기 캡핑층용 화합물은 아민 코어와 4환 이상 축합기가 선형적으로 결합되어 있어 분자간 박막배열이 우수하므로 더욱 높은 굴절률을 확보할 수 있으며 동시에 외부 공기, 수분으로부터 안정성을 개선할 수 있고 높은 Tg 및 높은 Td를 가지므로 분자간 재결정화를 효과적으로 방지하고 유기 발광 소자의 구동시 발생하는 열로부터 안정한 박막을 유지할 수 있어, 유기 발광 소자의 외부양자 효율 및 수명개선이 보다 향상될 수 있다.
구체적으로, 상기 화학식 1은 하기 화학식 2 또는 화학식 3으로 표현될 수 있다:
<화학식 2>
<화학식 3>
상기 화학식 2 및 화학식 3에서,
X, C환, L, Ar 및 R1은 상기 화학식 1, 화학식 1-1 및 화학식 1-2에서의 정의와 동일하며,
n 및 o는 각각 독립적으로 0 내지 3의 정수이고, 구체적으로 0 또는 1이다.
상기 화학식 2 또는 화학식 3으로 표시되는 캡핑층용 화합물은 아민 코어와 4환 축합기가 선형으로 연결되어 있으므로 박막배열이 우수하여 고 굴절률을 가질 수 있으며, 자외선 영역의 흡수강도를 크게 개선할 수 있다. 또한, 4환 축합기가 아민 코어에 파라-페닐렌에 의해 연결됨으로써 더욱 높은 굴절률 확보에 유리하다.
또한, 상기 화학식 1은 하기 화학식 4 또는 화학식 5로 표현될 수 있다:
<화학식 4>
<화학식 5>
상기 화학식 4 및 화학식 5에서,
X, C환, L 및 Ar은 상기 화학식 1, 화학식 1-1 및 화학식 1-2에서의 정의와 동일하다.
상기 화학식 4 또는 화학식 5로 표시되는 캡핑층용 화합물은 아민코어와 4환 축합기가 직접 연결되어 있어, 박막배열이 우수해지므로 고굴절률을 유지할 수 있고 동시에 자외선 영역의 흡수파장 강도를 크게 개선할 수 있다.
보다 구체적으로, 상기 화학식 1의 화합물은 하기 화학식 6 또는 화학식 7로 표현될 수 있다:
<화학식 6>
<화학식 7>
상기 화학식 6 및 화학식 7에서,
X, L 및 Ar은 상기 화학식 1, 화학식 1-1 및 화학식 1-2에서의 정의와 동일하다.
상기 화학식 6 또는 화학식 7로 표시되는 캡핑층용 화합물은 벌키특성이 최소화되어 있고 4환 축합기와 아민 코어가 선형으로 직접 연결되어 있어서, 분자내 분극율을 최대화하여, 더욱 높은 굴절률을 가지면서도 동시에 열 안정성을 크게 향상시킬 수 있다.
한편, 상기 화학식 1 내지 화학식 7 중 어느 하나 이상의 화학식에서, 상기 X는 각각 독립적으로 O, 또는 S일 수 있다. 이 경우 벌키특성을 최소화해 고굴절률을 유지할 수 있으며, 동시에 분자량을 줄여 증착온도를 낮추는데 효과적이다.
또한, 상기 화학식 1 내지 화학식 7 중 어느 하나 이상의 화학식에서, 상기 Ar 은 1환으로 구성된 헤테로아릴기 또는 2환으로 축합된 헤테로아릴기를 포함할 수 있다. 이 경우 벌키특성이 최소화된 치환기를 가짐으로써 분자간 박막배열이 우수하여 고굴절률을 가질 수 있으며, 동시에 열안정성이 우수하다.
구체적으로, 상기 화학식 1 내지 화학식 7 중 어느 하나 이상의 화학식에서, 상기 Ar 은 퀴놀린기, 벤조퓨란기, 벤조티오펜기, 인돌기, 벤조옥사졸기, 벤조씨아졸기, 벤조이미다졸기, 인돌리진기, 이미다조피리딘기, 벤조트리아졸기, 퓨란기, 티오펜기, 옥사디아졸기, 또는 씨아디아졸기로 이루어진 군에서 선택될 수 있다. 이들은 분극율이 높은 치환기로, 더욱 높은 굴절률을 가질 수 있다.
보다 구체적으로, 상기 Ar 은 퀴놀린기, 벤조퓨란기, 벤조티오펜기 또는 이미다조피리딘기로 이루어진 군에서 선택될 수 있다. 이 경우 고굴절률을 유지하며, 동시에 가시광 영역의 흡수를 최소화할 수 있다.
또한, 상기 화학식 1 내지 화학식 7 중 어느 하나 이상의 화학식에서, 상기 L은 페닐렌기 또는 비페닐렌기일 수 있다. 이 경우 화합물의 분극율을 높이고, 박막배열이 우수하여, 고굴절률을 가질 수 있다.
하나의 예로서, 상기 화학식 1 내지 화학식 7 중 어느 하나 이상의 화학식에 있어서, *-L-Ar 은 각각 독립적으로 하기 구조 A-1 내지 A-17로 표시되는 구조 중에서 선택될 수 있다:
상기 구조 A-1 내지 A-17에 있어서,
q는 각각 독립적으로 0 내지 2의 정수이며, R3은 니트릴기이며, *은 상기 화학식 1의 N에 결합되는 결합위치이다. 이러한 구조를 가질 경우, 가시광선 영역의 흡수를 최소화하고, 적은 분자량으로 고굴절률을 유지할 수 있는 효과가 있다.
또한, 상기 화학식 1 내지 화학식 7 중 어느 하나 이상의 화학식으로 표시되는 캡핑층용 화합물은 20nm ~100nm 두께 범위에서, 구체적으로는 50nm ~100nm 두께 범위에서 굴절률을 측정하였을 때, 450nm파장에서의 굴절률이 2.40 이상, 구체적으로 2.45 이상의 높은 굴절률을 가질 수 있으며, 380nm 파장에서의 자외선 흡수강도가 0.8 이상, 구체적으로 1.0 이상일 수 있다.
아래의 화합물들은 본 발명에 따른 화합물의 구체적인 예들이다. 하기의 예들은 본 발명을 설명하기 위한 예시일 뿐이므로, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 본 발명의 캡핑층용 화합물의 일 실시예는 아미노화 반응에 의해 합성될 수 있으며, 개략적인 합성 반응식은 아래와 같다.
본 발명은 다른 실시예에서, 전술된 본 발명에 따른 캡핑층용 화합물을 캡핑층에 포함하는 유기 발광 소자를 제공한다.
이하에서, 본 발명에 따른 유기 발광 소자를 보다 구체적으로 설명한다.
본 발명의 일 구현예에 따르면, 유기 발광 소자는 제1 전극, 제2 전극, 제1 전극과 제2 전극의 내측에 개재되는 1층 이상의 유기물층을 포함하여 구성될 수 있으며, 캡핑층은 상기 제1 전극 및 제2 전극 중 어느 하나 이상의 전극의 외측에 배치될 수 있다.
구체적으로, 제1 전극 또는 제2 전극의 양측면 중 제1 전극과 제2 전극 사이에 개재된 유기물층이 인접한 측을 내측이라고 하고, 유기물층과 인접하지 않은 측을 외측이라 한다. 즉, 제1 전극의 외측에 캡핑층이 배치되는 경우 캡핑층과 유기물층 사이에 제1 전극이 개재되고, 제2 전극의 외측에 캡핑층이 배치되는 경우 캡핑층과 유기물층 사이에 제2 전극이 개재된다.
또한, 본 발명의 일 구현예에 따르면, 상기 유기 발광 소자는 제1 전극 및 제2 전극의 내측에 1층 이상의 다양한 유기물층이 개재될 수 있고, 제1 전극 및 제2 전극 중 어느 하나 이상의 전극 외측에 캡핑층이 형성될 수 있다. 즉, 캡핑층은 제1 전극의 외측과 제2 전극의 외측에 모두 형성되거나, 제1 전극의 외측 또는 제2 전극의 외측에만 형성될 수 있다. 상기 캡핑층의 두께는 100 내지 2000 Å일 수 있다.
이때, 상기 캡핑층은 본 발명에 따른 캡핑층용 화합물을 포함할 수 있으며, 본 발명에 따른 캡핑층용 화합물을 단독으로 포함하거나, 2종 이상 포함하거나 또는 공지의 화합물을 함께 포함할 수 있다.
나아가, 상기 캡핑층은 450nm파장에서의 굴절률이 2.40 이상, 구체적으로 2.45 이상일 수 있다. 또한, 상기 캡핑층은 380nm에서의 자외선 흡수강도가 0.8 이상, 구체적으로 1.0 이상일 수 있다.
한편, 상기 유기물층으로는 일반적으로 발광부를 구성하는 정공 수송층, 발광층 및 전자 수송층이 포함될 수 있으며, 이에 제한되지 않을 수 있다.
보다 구체적으로 본 발명의 일 구현예에 따른 유기 발광 소자는 제1 전극(애노드, anode)과 제2 전극(캐소드, cathode)의 사이에 정공주입층(HIL), 정공수송층(HTL), 발광층(EML), 전자수송층(ETL), 전자주입층(EIL) 등의 발광부를 구성하는 유기물층을 1층 이상 포함할 수 있다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 유기 발광 소자의 구성을 개략적으로 보여주는 단면도이다. 본 발명의 일 구현예에 따른 유기 발광 소자는 도 1에 기재된 구조와 같이 제조될 수 있다.
도 1과 같이, 유기 발광 소자는 아래에서부터 기판(100), 제1 전극(1000), 정공주입층(200), 정공수송층(300), 발광층(400), 전자수송층(500), 전자주입층(600), 제2 전극(2000) 및 캡핑층(3000)이 순차적으로 적층된 구조일 수 있다.
여기서, 상기 기판(100)은 유기 발광 소자에서 일반적으로 사용되는 기판을 사용할 수 있으며, 특히 기계적 강도, 열적 안정성, 투명성, 표면 평활성, 취급 용이성, 및 방수성이 우수한 투명한 유리 기판 또는 플렉시블이 가능한 플라스틱 기판일 수 있다.
또한, 상기 제1 전극(1000)은 유기 발광 소자의 정공 주입을 위한 정공주입전극으로 사용된다. 제1 전극(1000)은 정공의 주입이 가능하도록 낮은 일함수를 갖는 물질을 사용하여 제조되며, 인듐틴옥사이드(ITO), 인듐징크옥사이드(IZO), 그래핀(graphene)과 같은 투명한 재질로 형성될 수 있다.
아울러, 상기 정공주입층(200)은 상기 제1 전극(1000)의 상부에 정공주입층 물질을 진공증착법, 스핀코팅법, 캐스트법, LB(Langmuir-Blodgett)법 등과 같은 방법에 의해 증착하여 형성될 수 있다. 상기 진공증착법에 의해 정공주입층(200)을 형성하는 경우, 그 증착조건은 정공주입층(200)의 재료로서 사용하는 화합물, 목적하는 정공주입층(200)의 구조 및 열적특성 등에 따라 다르지만, 일반적으로 50-500℃의 증착온도, 10-8 내지 10-3 torr의 진공도, 0.01 내지 100 Å/sec의 증착속도, 10 Å 내지 5 ㎛의 층 두께 범위에서 적절히 선택할 수 있다. 한편, 정공주입층(200)의 표면에는 전하발생층을 필요에 따라 추가로 증착할 수 있다. 전하발생층 물질로는 통상의 물질을 사용할 수 있으며, HATCN을 예로 들 수 있다.
또한, 상기 정공수송층(300)은 정공주입층(200)의 상부에 정공수송층 물질을 진공증착법, 스핀코팅법, 캐스트법, LB법 등과 같은 방법에 의해 증착하여 형성될 수 있다. 상기 진공증착법에 의해 정공수송층(300)을 형성하는 경우, 그 증착조건은 사용하는 화합물에 따라 다르지만 일반적으로 정공주입층(200)의 형성과 거의 동일한 조건 범위에서 선택하는 것이 좋다. 상기 정공수송층(300)은 공지의 화합물을 사용하여 형성할 수 있다. 이러한 정공수송층(300)은 1층 이상일 수 있으며, 도 1에 도시되어 있지 않지만, 정공수송층(300)의 상부에 발광보조층을 추가로 형성할 수 있다.
이와 더불어, 상기 발광층(400)은 정공수송층(300) 또는 발광보조층의 상부에 발광층 물질을 진공증착법, 스핀코팅법, 캐스트법, LB법 등과 같은 방법에 의해 증착하여 형성될 수 있다. 상기 진공증착법에 의해 발광층(400)을 형성하는 경우, 그 증착조건은 사용하는 화합물에 따라 다르지만 일반적으로 정공주입층(200)의 형성과 거의 동일한 조건 범위에서 선택하는 것이 좋다. 상기 발광층 재료는 공지의 화합물을 호스트 또는 도펀트로 사용할 수 있다.
여기서, 발광층 재료에 인광 도펀트를 함께 사용할 경우에는 삼중항 여기자 또는 정공이 전자수송층(500)으로 확산되는 현상을 방지하기 위하여 정공억제재료(HBL)를 발광층(400)의 상부에 추가로 진공증착법 또는 스핀코팅법을 통해 적층시킬 수 있다. 사용할 수 있는 정공억제재료는 특별히 제한되지는 않으며, 공지의 재료를 임의로 선택해서 사용할 수 있다. 예를 들면, 옥사디아졸 유도체나 트리아졸 유도체, 페난트롤린 유도체, 또는 일본특개평 11-329734(A1)에 기재되어 있는 정공억제재료 등을 들 수 있으며, 대표적으로 Balq(비스(8-하이드록시-2-메틸퀴놀리놀나토)-알루미늄 비페녹사이드), 페난트롤린(phenanthrolines)계 화합물(예: UDC사 BCP(바쏘쿠프로인)) 등을 사용할 수 있다. 이러한 본 발명의 발광층(400)은 1층 이상 또는 2층 이상의 청색 발광층을 포함할 수 있다.
또한, 상기 전자수송층(500)은 발광층(400)의 상부에 형성되며, 진공증착법, 스핀코팅법, 캐스트법 등의 방법으로 형성될 수 있다. 상기 전자수송층(500)의 증착조건은 사용하는 화합물에 따라 다르지만, 일반적으로 정공주입층(200)의 형성과 거의 동일한 조건 범위에서 선택하는 것이 좋다.
나아가, 상기 전자주입층(600)은 상기 전자수송층(500)의 상부에 전자주입층 물질을 증착하여 형성될 수 있으며, 진공증착법, 스핀코팅법, 캐스트법 등의 방법으로 형성될 수 있다.
아울러, 상기 제2 전극(2000)은 전자주입전극으로 사용되며, 상기 전자주입층(600)의 상부에 진공증착법이나 스퍼터링법 등의 방법에 의해 형성될 수 있다. 상기 제2 전극(2000)의 재료로는 다양한 금속이 사용될 수 있다. 구체적인 예로 알루미늄, 금, 은, 마그네슘 등의 물질이 있으며, 이에 제한되는 것은 아니다.
본 발명의 유기 발광 소자는 앞서 설명한 제1 전극(1000), 정공주입층(200), 정공수송층(300), 발광층(400), 전자수송층(500), 전자주입층(600), 제2 전극(2000) 및 캡핑층(3000)을 포함하는 구조의 유기 발광 소자뿐만 아니라, 다양한 구조의 유기 발광 소자가 가능하며, 필요에 따라 1층 또는 2층의 중간층을 더 추가로 포함하는 것도 가능하다.
한편, 본 발명에 따라 형성되는 각 유기물층의 두께는 요구되는 정도에 따라 조절할 수 있으며, 구체적으로는 10 내지 1,000 ㎚이며, 더욱 구체적으로는 20 내지 150 ㎚일 수 있다.
상기 캡핑층(3000)은 도 1과 같이 상기 제1 전극(1000)의 양측면 중 정공주입층(200)이 형성되지 않은 외측면에 형성될 수 있다. 또한, 상기 제2 전극(2000)의 양측면 중 전자주입층(600)이 형성되지 않은 외측면에도 형성될 수 있으며, 이에 제한되는 것은 아니다. 이와 같은 캡핑층(3000)은 증착공정으로 형성될 수 있으며, 캡핑층(3000)의 두께는 100 내지 2,000 Å 이며, 더욱 구체적으로는 300 내지 1,000Å 일 수 있다. 이와 같은 두께 조절을 통해 캡핑층(3000)의 투과율이 저하되는 것을 방지할 수 있다.
또한, 도 1에 도시되지 않았으나, 본 발명의 일 구현예에 따르면, 캡핑층(3000)과 제1 전극(1000)의 사이 또는 캡핑층(3000)과 제2 전극(2000)의 사이에 다양한 기능을 하는 유기물층이 추가적으로 형성될 수 있다. 또는, 캡핑층(3000)의 상부(외측 표면)에도 다양한 기능을 하는 유기물층이 추가적으로 형성될 수 있으며, 이에 제한되는 것은 아니다.
이하에서는 본 발명의 일실시예에 따른 화합물의 합성예 및 유기 발광 소자 제조예를 통하여 본 발명을 더 상세하게 설명한다. 하기 합성예 및 실시예는 본 발명을 예시하는 것일 뿐 본 발명의 범위가 하기 실시예에 한정되는 것은 아니다.
합성예 1: 화합물 8의 합성
둥근바닥플라스크에 3-bromobenzo[b]naphtho[2,3-d]furan 5.0g, 4-(quinolin-3-yl)aniline 1.9g, t-BuONa 2.0g, Pd2(dba)3 0.5g, (t-Bu)3P 0.1ml를 톨루엔 200ml에 녹인 후 환류 교반하였다. TLC(Thin Layer Chromatography)로 반응을 확인하고 물을 첨가 후 반응을 종결하였다. 유기층을 MC(Methylene chloride)로 추출하고 감압여과한 후 재결정하여 화합물 8 7.8g (수율 71%)을 얻었다.
m/z: 652.2151 (100.0%), 653.2184 (50.8%), 654.2218 (12.6%), 655.2251 (2.1%)
합성예 2: 화합물 14의 합성
합성예 1과 같은 방법으로 제조하되, 4-(quinolin-3-yl)aniline 대신 4-(benzofuran-2-yl)aniline을 사용하여 화합물 14를 합성하였다. (수율73%)
m/z: 641.1991 (100.0%), 642.2024 (49.8%), 643.2058 (12.1%), 644.2092 (1.9%)
합성예 3: 화합물 15의 합성
합성예 1과 같은 방법으로 제조하되, 4-(quinolin-3-yl)aniline 대신 4-(benzo[b]thiophen-2-yl)aniline을 사용하여 화합물 15를 합성하였다. (수율75%)
m/z: 657.1762 (100.0%), 658.1796 (49.8%), 659.1830 (12.1%), 659.1720 (4.5%), 660.1754 (2.2%), 660.1863 (1.9%)
합성예 4: 화합물 17의 합성
합성예 1과 같은 방법으로 제조하되, 4-(quinolin-3-yl)aniline 대신 4-(benzo[d]oxazol-2-yl)aniline을 사용하여 화합물 17을 합성하였다. (수율67%)
m/z: 642.1943 (100.0%), 643.1977 (48.7%), 644.2011 (11.6%), 645.2044 (1.8%)
합성예 5: 화합물 22의 합성
합성예 1과 같은 방법으로 제조하되, 4-(quinolin-3-yl)aniline 대신 4-(imidazo[1,2-a]pyridin-2-yl)aniline을 사용하여 화합물 22를 합성하였다. (수율70%)
m/z: 641.2103 (100.0%), 642.2137 (48.7%), 643.2170 (11.6%), 644.2204 (1.8%), 642.2074 (1.1%)
유기 발광 소자의 제조
도 1은 일반적인 유기 발광 소자의 구조를 나타낸 것으로서, 본 발명은 예시로서, 도 1에 나타낸 유기 발광 소자의 구조를 갖되 전자수송층(500)과 음극(2000) 사이에 전자주입층(미도시)을 추가적으로 도입하였다. 구체적으로, 제조된 유기 발광 소자는 아래로부터 양극(정공주입전극(1000)) / 정공주입층(200) / 정공수송층(300) / 발광층(400) / 전자수송층(500) / 전자주입층(600) / 음극(전자주입전극(2000)) / 캡핑층(3000) 순으로 적층되어 있다.
유기 발광 소자 제작 시, 기판(10)은 투명한 유리 기판 또는 플렉시블이 가능한 플라스틱 기판일 수 있다.
정공주입전극(1000)은 유기 발광 소자의 정공 주입을 위한 양극으로 사용된다. 정공의 주입이 가능하도록 낮은 일함수를 갖는 물질을 이용하며, 인듐틴옥사이드(ITO), 인듐징크옥사이드(IZO), 그래핀(grapheme)과 같은 투명한 재질로 형성될 수 있다.
정공주입층(200), 정공수송층(300), 발광층(400), 전자수송층(500), 전자주입층(600)에는 하기 표 1에 정리된 물질들을 사용하였다.
또한, 전자주입층(600) 위에 전자 주입을 위한 음극(2000)을 형성하였다. 음극으로는 다양한 금속이 사용될 수 있다. 구체적인 예로 알루미늄, 금, 은 등의 물질이 있다.
실시예 1
은(Ag)을 포함하는 반사층이 형성된 인듐틴옥사이드(ITO) 기판을 증류수 초음파로 세척하였다. 증류수 세척이 끝나면 이소프로필 알코올, 아세톤, 메탄올 등의 용제로 초음파 세척을 하고 건조시켰다. 이후 ITO 기판 상부에 정공주입층으로 HT01에 NDP9를 3중량%로 도핑하여 100 Å, 정공수송층으로 HT01 1000 Å 을 각각 증착한 후, 발광층으로 호스트 BH01에 도판트 BD01을 3중량%로 도핑하여 250 Å 두께로 증착하였다. 그런 다음 전자수송층으로 ET01 및 Liq(1:1, wt./wt.)의 혼합물을 300 Å 두께로 증착한 후 LiF 10 Å 두께로 증착하여 전자주입층을 형성하였다. 이어서 MgA을 15nm의 두께로 증착하여 음극을 형성하였다. 상기 음극 상에 캡핑층으로 합성예 1에서 제조된 화합물을 600 Å두께로 증착시켰다. 이 소자를 글로브 박스에서 밀봉(Encapsulation)함으로써 유기 발광 소자를 제작하였다.
실시예 2 내지 실시예 5
상기 실시예 1과 같은 방법으로 제조하되, 각각 합성예 2 내지 합성예 5에서 제조된 화합물을 사용하여 캡핑층으로 제막한 유기발광소자를 제작하였다.
비교예 1 내지 비교예4
상기 실시예 1과 같은 방법으로 제조하되, 하기 표 2에 표시된 비교화합물 1 내지 비교화합물 4를 사용하여 캡핑층으로 제막한 유기발광소자를 제작하였다.
<실험예 1> 유기 발광 소자의 성능평가
키슬리 2400 소스 메져먼트 유닛(Kiethley 2400 source measurement unit)으로 전압을 인가하여 전자 및 정공을 주입하고 코니카 미놀타(Konica Minolta) 분광복사계(CS-2000)를 이용하여 빛이 방출될 때의 휘도를 측정함으로써, 실시예 1 내지 실시예 5 및 비교예 1 내지 비교예 4의 유기 발광 소자의 성능을 인가전압에 대한 전류 밀도 및 휘도를 대기압 조건하에 측정하여 평가하였으며, 그 결과를 하기 표 3에 나타내었다.
Op. V | mA/cm2 | Cd/A | CIEx | CIEy | LT97 | |
실시예 1 | 3.45 | 10 | 7.85 | 0.140 | 0.043 | 162 |
실시예 2 | 3.45 | 10 | 8.33 | 0.140 | 0.043 | 168 |
실시예 3 | 3.45 | 10 | 8.50 | 0.139 | 0.042 | 175 |
실시예 4 | 3.44 | 10 | 7.54 | 0.139 | 0.042 | 155 |
실시예 5 | 3.45 | 10 | 8.25 | 0.139 | 0.042 | 170 |
비교예 1 | 3.47 | 10 | 6.44 | 0.134 | 0.050 | 100 |
비교예 2 | 3.46 | 10 | 6.12 | 0.135 | 0.052 | 105 |
비교예 3 | 3.46 | 10 | 5.95 | 0.137 | 0.054 | 90 |
비교예 4 | 3.46 | 10 | 6.84 | 0.137 | 0.048 | 133 |
비교예 1 및 비교예 2와 비교하여, 본 발명의 실시예 1 내지 실시예 5에 사용된 캡핑층용 화합물은 4환의 헤테로축합기를 두개 포함하면서 동시에 헤테로아릴기를 가짐으로써 높은 굴절률을 형성하고 자외선영역의 흡수 강도를 높일 수 있으므로 고효율, 고색순도, 장수명 효과를 가질 수 있다. 또한, 비교예3과 비교하여, 본 발명의 실시예 1 내지 실시예 5에 사용된 캡핑층용 화합물은 아민 코어와 헤테로축합기의 선형적 연결로 인해 우수한 박막배열과 분극율을 높일 수 있어 더욱 높은 굴절률을 형성할 수 있고, 비교예4와 비교하여, 본 발명은 하나의 아릴아민 구조를 가지므로 벌키특성을 최소화하고 작은 분자량으로도 높은 굴절률을 가질 수 있으면서 열안정성도 우수하여, 고효율, 고색순도, 장수명 유기 발광 소자를 구현할 수 있다.
<실험예 2> 굴절률의 평가
화합물 8, 화합물 15, 화합물 17 및 화합물 22과 비교화합물 1 내지 비교화합물 4를 각각 이용하여, 실리콘 기판 상에 두께 60 nm의 증착막을 진공 증착 장비를 이용하여 제작하고, 엘립소미터 장치(J.A.Woollam Co. Inc, M-2000X)를 이용하여 450 nm파장에서의 굴절률을 측정하였다. 그 결과는 하기 표 4에 정리된 바와 같다.
@450nm | 비교화합물 1 | 비교화합물 2 | 비교화합물 3 | 비교화합물 4 | 화합물 8 | 화합물 15 | 화합물 17 | 화합물 22 |
굴절률, n | 2.22 | 2.15 | 2.09 | 2.30 | 2.47 | 2.50 | 2.45 | 2.48 |
위 표 4에 기재된 바와 같이, 화합물 8, 화합물 15, 화합물 17 및 화합물 22는 굴절률이 2.40 이상, 보다 구체적으로 2.45이상의 높은 굴절률을 나타냄을 확인할 수 있다.
<실험예 3> 자외선 영역에서의 흡수 강도 평가
자외선 영역에서 화합물 15 및 화합물 22와 비교화합물 1 및 비교화합물 3을 각각 이용하여, 실리콘 기판 상에 두께 30 nm의 증착막을 진공 증착 장비를 이용하여 제작하고, 엘립소미터 장치(J.A.Woollam Co. Inc, M-2000X)를 이용하여 340 nm ~ 500 nm의 범위 내의 흡수 강도를 측정하고 그 결과는 도 2에 도시하였다. 자외선 흡수영역 380 nm 파장 기준에서 화합물 15 및 화합물 22의 흡수 강도는 0.8 이상, 구체적으로는 1.0 이상으로 흡수 강도의 상승을 확인할 수 있다. 이와 같이, 본 발명에 따른 화합물은 자외선 영역의 흡수 파장 증대 효과를 나타내므로, 캡핑층에 적용하는 경우 고색순도, 고효율 및 장수명을 갖는 유기 발광 소자를 구현할 수 있다.
Claims (16)
- 하기 화학식 1로 표시되는 캡핑층용 화합물:<화학식 1>(상기 화학식 1에서,A 및 B는 각각 독립적으로 화학식1-1 또는 화학식1-2이고,L, L1 및 L2는 각각 독립적으로 직접결합, 치환 또는 비치환된 C5~C50의 아릴렌기, 또는 치환 또는 비치환된 C2~C50의 헤테로아릴렌기이며,Ar은 치환 또는 비치환된 C2~C50의 헤테로아릴기, 또는 시아노기로 치환된 C5~C50의 아릴기이다):<화학식 1-1><화학식 1-2>(상기 화학식 1-1 및 화학식 1-2에서,X는 각각 독립적으로 O, S, CRR` 또는 NR이고,C환은 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 C5~C30의 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 C2~C30의 헤테로아릴렌기이고,R, R`, R1 및 R2는 각각 독립적으로 수소, 중수소, 할로겐, 니트로기, 니트릴기, 하이드록시기, 티올기, 치환 또는 비치환된 아미노기, 치환 또는 비치환된 C1~C30의 알킬기, 치환 또는 비치환된 C2~C30의 알케닐기, 치환 또는 비치환된 C1~C30의 알콕시기, 치환 또는 비치환된 C1~C30의 설파이드기, 치환 또는 비치환된 C0~C30의 실릴기, 치환 또는 비치환된 C5~C50의 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 C2~C50의 헤테로아릴기이며, 인접한 복수의 R1끼리, R2끼리, R 및 R`끼리 결합하여 환을 형성하거나 형성하지 않을 수 있다).
- 제1항에 있어서,상기 X는 각각 독립적으로 O, 또는 S인 캡핑층용 화합물.
- 제1항에 있어서,상기 Ar 은 1환으로 구성된 헤테로아릴기 또는 2환으로 축합된 헤테로아릴기를 포함하는 캡핑층용 화합물.
- 제1항에 있어서,상기 Ar 은 퀴놀린기, 벤조퓨란기, 벤조티오펜기, 인돌기, 벤조옥사졸기, 벤조씨아졸기, 벤조이미다졸기, 인돌리진기, 이미다조피리딘기, 벤조트리아졸기, 퓨란기, 티오펜기, 옥사디아졸기, 또는 씨아디아졸기로 이루어진 군에서 선택되는 캡핑층용 화합물.
- 제1항에 있어서,상기 Ar 은 퀴놀린기, 벤조퓨란기, 벤조티오펜기 또는 이미다조피리딘기로 이루어진 군에서 선택되는 캡핑층용 화합물.
- 제1항에 있어서,상기 L은 페닐렌기 또는 비페닐렌기인 캡핑층용 화합물.
- 제1항에 있어서,상기 캡핑층용 화합물은 450nm파장에서 2.45 이상의 굴절률을 가지는 캡핑층용 화합물.
- 제1항의 캡핑층용 화합물을 함유하는 캡핑층을 구비하는 유기 발광 소자.
- 제13항에 있어서,상기 유기 발광 소자는,제1전극;제2 전극; 및상기 제1 전극과 상기 제2 전극의 내측에 개재되는 1층 이상의 유기물층을 포함하고,상기 캡핑층은 제1전극 및 상기 제2 전극 중 어느 하나 이상의 전극 외측에 배치되는 유기 발광 소자.
- 제13항에 있어서,상기 캡핑층의 두께는 100 내지 2000 Å인 유기 발광 소자.
- 제13항에 있어서,상기 캡핑층은 450nm파장에서의 굴절률이 2.45 이상인 유기 발광 소자.
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