KR20190133617A - 다환 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자 - Google Patents

다환 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자 Download PDF

Info

Publication number
KR20190133617A
KR20190133617A KR1020190060099A KR20190060099A KR20190133617A KR 20190133617 A KR20190133617 A KR 20190133617A KR 1020190060099 A KR1020190060099 A KR 1020190060099A KR 20190060099 A KR20190060099 A KR 20190060099A KR 20190133617 A KR20190133617 A KR 20190133617A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
group
substituted
unsubstituted
compound
layer
Prior art date
Application number
KR1020190060099A
Other languages
English (en)
Other versions
KR102237174B1 (ko
Inventor
김명곤
금수정
이동훈
김동헌
이기곤
Original Assignee
주식회사 엘지화학
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 주식회사 엘지화학 filed Critical 주식회사 엘지화학
Publication of KR20190133617A publication Critical patent/KR20190133617A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102237174B1 publication Critical patent/KR102237174B1/ko

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07D—HETEROCYCLIC COMPOUNDS
    • C07D307/00—Heterocyclic compounds containing five-membered rings having one oxygen atom as the only ring hetero atom
    • C07D307/77—Heterocyclic compounds containing five-membered rings having one oxygen atom as the only ring hetero atom ortho- or peri-condensed with carbocyclic rings or ring systems
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07D—HETEROCYCLIC COMPOUNDS
    • C07D209/00—Heterocyclic compounds containing five-membered rings, condensed with other rings, with one nitrogen atom as the only ring hetero atom
    • C07D209/56—Ring systems containing three or more rings
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07D—HETEROCYCLIC COMPOUNDS
    • C07D333/00—Heterocyclic compounds containing five-membered rings having one sulfur atom as the only ring hetero atom
    • C07D333/50—Heterocyclic compounds containing five-membered rings having one sulfur atom as the only ring hetero atom condensed with carbocyclic rings or ring systems
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/06—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing organic luminescent materials
    • H01L51/0072—
    • H01L51/0073—
    • H01L51/0074—
    • H01L51/5012—
    • H01L51/5048—
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/14—Carrier transporting layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/649—Aromatic compounds comprising a hetero atom
    • H10K85/657—Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons
    • H10K85/6572—Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons comprising only nitrogen in the heteroaromatic polycondensed ring system, e.g. phenanthroline or carbazole
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/649—Aromatic compounds comprising a hetero atom
    • H10K85/657—Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons
    • H10K85/6574—Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons comprising only oxygen in the heteroaromatic polycondensed ring system, e.g. cumarine dyes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/649—Aromatic compounds comprising a hetero atom
    • H10K85/657—Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons
    • H10K85/6576—Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons comprising only sulfur in the heteroaromatic polycondensed ring system, e.g. benzothiophene
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K2211/00—Chemical nature of organic luminescent or tenebrescent compounds
    • C09K2211/10—Non-macromolecular compounds
    • C09K2211/1018—Heterocyclic compounds
    • C09K2211/1025—Heterocyclic compounds characterised by ligands
    • C09K2211/1088—Heterocyclic compounds characterised by ligands containing oxygen as the only heteroatom
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K2211/00—Chemical nature of organic luminescent or tenebrescent compounds
    • C09K2211/10—Non-macromolecular compounds
    • C09K2211/1018—Heterocyclic compounds
    • C09K2211/1025—Heterocyclic compounds characterised by ligands
    • C09K2211/1092—Heterocyclic compounds characterised by ligands containing sulfur as the only heteroatom

Abstract

본 명세서는 화학식 1의 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자를 제공한다.

Description

다환 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자{POLYCYCLIC COMPOUND AND ORGANIC LIGHT EMITTING DEVICE COMPRISING THE SAME}
본 출원은 2018년 5월 23일에 한국특허청에 제출된 한국 특허 출원 제10-2018-0058147호의 출원일의 이익을 주장하며, 그 내용 전부는 본 명세서에 포함된다.
본 명세서는 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자에 관한 것이다.
본 명세서에서, 유기 발광 소자란 유기 반도체 물질을 이용한 발광 소자로서, 전극과 유기 반도체 물질 사이에서의 정공 및/또는 전자의 교류를 필요로 한다. 유기 발광 소자는 동작 원리에 따라 하기와 같이 크게 두 가지로 나눌 수 있다. 첫째는 외부의 광원으로부터 소자로 유입된 광자에 의하여 유기물층에서 엑시톤(exiton)이 형성되고, 이 엑시톤이 전자와 정공으로 분리되고, 이 전자와 정공이 각각 다른 전극으로 전달되어 전류원(전압원)으로 사용되는 형태의 발광 소자이다. 둘째는 2개 이상의 전극에 전압 또는 전류를 가하여 전극과 계면을 이루는 유기 반도체 물질층에 정공 및/또는 전자를 주입하고, 주입된 전자와 정공에 의하여 작동하는 형태의 발광 소자이다.
일반적으로 유기 발광 현상이란 유기 물질을 이용하여 전기에너지를 빛에너지로 전환시켜주는 현상을 말한다. 유기 발광 현상을 이용하는 유기 발광 소자는 통상 양극과 음극 및 이 사이에 유기물층을 포함하는 구조를 가진다. 여기서 유기물층은 유기 발광 소자의 효율과 안정성을 높이기 위하여 각기 다른 물질로 구성된 다층의 구조로 이루어진 경우가 많으며, 예컨대 정공주입층, 정공수송층, 발광층, 전자억제층, 전자수송층, 전자주입층 등으로 이루어 질 수 있다. 이러한 유기 발광 소자의 구조에서 두 전극 사이에 전압을 걸어주게 되면 양극에서는 정공이, 음극에서는 전자가 유기물층에 주입되게 되고, 주입된 정공과 전자가 만났을 때 엑시톤(exciton)이 형성되며, 이 엑시톤이 다시 바닥상태로 떨어질 때 빛이 나게 된다. 이러한 유기 발광 소자는 자발광, 고휘도, 고효율, 낮은 구동 전압, 넓은 시야각, 높은 콘트라스트 등의 특성을 갖는 것으로 알려져 있다.
유기 발광 소자에서 유기물층으로 사용되는 재료는 기능에 따라, 발광 재료와 전하 수송 재료, 예컨대 정공 주입 재료, 정공 수송 재료, 전자 억제 물질, 전자 수송 재료, 전자 주입 재료 등으로 분류될 수 있다. 발광 재료는 발광색에 따라 청색, 녹색, 적색 발광 재료와 보다 나은 천연색을 구현하기 위해 필요한 노란색 및 주황색 발광 재료가 있다.
또한, 색순도의 증가와 에너지 전이를 통한 발광 효율을 증가시키기 위하여, 발광 재료로서 호스트/도펀트 계를 사용할 수 있다. 그 원리는 발광층을 주로 구성하는 호스트보다 에너지 대역 간극이 작고 발광 효율이 우수한 도펀트를 발광층에 소량 혼합하면, 호스트에서 발생한 엑시톤이 도펀트로 수송되어 효율이 높은 빛을 내는 것이다. 이 때 호스트의 파장이 도펀트의 파장대로 이동하므로, 이용하는 도펀트의 종류에 따라 원하는 파장의 빛을 얻을 수 있다.
전술한 유기 발광 소자가 갖는 우수한 특징들을 충분히 발휘하기 위해서는 소자 내 유기물층을 이루는 물질, 예컨대 정공 주입 물질, 정공 수송 물질, 발광 물질, 전자 억제 물질, 전자 수송 물질, 전자 주입 물질 등이 안정하고 효율적인 재료에 의하여 뒷받침되므로 새로운 재료의 개발이 계속 요구되고 있다.
한국특허공개 제2016-132822호
본 명세서에는 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자가 기재된다.
본 명세서의 일 실시상태는 하기 화학식 1로 표시되는 화합물을 제공한다.
[화학식 1]
Figure pat00001
상기 화학식 1에 있어서,
Cy1 및 Cy2는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 벤젠; 또는 치환 또는 비치환된 나프탈렌이며, Cy1 및 Cy2 중 적어도 하나는 치환 또는 비치환된 나프탈렌이고,
W는 O, S, N(R1), C(R2)(R3) 또는 Si(R4)(R5)이며,
R1은 수소; 중수소; 할로겐기; 시아노기; 니트로기; 히드록시기; 카보닐기; 에스테르기; 이미드기; 아미노기; 실릴기; 붕소기; 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로고리기이고,
R2 내지 R5는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 할로겐기; 시아노기; 니트로기; 히드록시기; 카보닐기; 에스테르기; 이미드기; 아미노기; 실릴기; 붕소기; 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로고리기이거나, 인접한 기와 서로 결합하여 치환 또는 비치환된 고리를 형성한다.
또한, 본 발명은 제1 전극; 상기 제1 전극과 대향하여 구비되는 제2 전극; 및 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 구비되는 1층 이상의 유기물층을 포함하는 유기 발광 소자로서, 상기 유기물층 중 1층 이상이 전술한 화합물을 포함하는 것인 유기 발광 소자를 제공한다.
본 명세서에 기재된 화합물은 유기 발광 소자의 유기물층의 재료로서 사용될 수 있다. 본 발명의 일 실시상태에 따른 화합물을 포함하는 유기 발광 소자를 제조하는 경우, 발광 효율이 우수하고, 낮은 구동전압, 고효율 및 장수명을 갖는 유기 발광 소자를 얻을 수 있다. 특히, 본 발명의 일 실시상태에 따라, 본 발명의 화합물을 발광층의 도펀트로 포함하는 경우, 소자의 구동전압을 낮출 수 있다.
도 1은 기판(1), 양극(2), 발광층(3) 및 음극(4)으로 이루어진 유기 발광 소자의 예를 도시한 것이다.
도 2는 기판 (1), 양극(2), 정공주입층(5), 정공수송층(6), 발광층(7), 전자수송층(8) 및 음극(4)로 이루어진 유기 발광 소자의 예를 도시한 것이다.
이하 본 명세서에 대하여 더욱 상세히 설명한다.
본 명세서는 하기 화학식 1로 표시되는 화합물을 제공한다. 하기 화학식 1로 표시되는 화합물은 아민기에 결합된 치환체가 단단한(rigid) 구조를 가짐으로써, 안정적인 화합물을 이루며, 이러한 화합물을 유기 발광 소자에 포함하는 경우, 수명 특성이 우수한 소자를 얻을 수 있다. 또한, 본원 화학식 1의 화합물은 화합물 내에 시아노기(-CN)을 도입함으로써, HOMO와 LUMO의 에너지 갭을 줄이고, 전자를 잘 받아들여 낮은 구동전압을 얻을 수 있는 이점이 있으며, 조색단으로써의 역할로 인하여 높은 양자효율을 얻을 수 있다.
[화학식 1]
Figure pat00002
상기 화학식 1에 있어서,
Cy1 및 Cy2는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 벤젠; 또는 치환 또는 비치환된 나프탈렌이며, Cy1 및 Cy2 중 적어도 하나는 치환 또는 비치환된 나프탈렌이고,
W는 O, S, N(R1), C(R2)(R3) 또는 Si(R4)(R5)이며,
R1은 수소; 중수소; 할로겐기; 시아노기; 니트로기; 히드록시기; 카보닐기; 에스테르기; 이미드기; 아미노기; 실릴기; 붕소기; 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로고리기이고,
R2 내지 R5는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 할로겐기; 시아노기; 니트로기; 히드록시기; 카보닐기; 에스테르기; 이미드기; 아미노기; 실릴기; 붕소기; 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로고리기이거나, 인접한 기와 서로 결합하여 치환 또는 비치환된 고리를 형성한다.
본 명세서에 있어서, 어떤 부분이 어떤 구성요소를 "포함" 한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성 요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미한다.
본 명세서에 있어서, 어떤 부재가 다른 부재 "상에" 위치하고 있다고 할 때, 이는 어떤 부재가 다른 부재에 접해 있는 경우뿐 아니라 두 부재 사이에 또 다른 부재가 존재하는 경우도 포함한다.
본 명세서에서 치환기의 예시들은 아래에서 설명하나, 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 "치환" 이라는 용어는 화합물의 탄소 원자에 결합된 수소 원자가 다른 치환기로 바뀌는 것을 의미하며, 치환되는 위치는 수소 원자가 치환되는 위치 즉, 치환기가 치환 가능한 위치라면 한정하지 않으며, 2 이상 치환되는 경우, 2 이상의 치환기는 서로 동일하거나 상이할 수 있다.
본 명세서에서 "치환 또는 비치환된" 이라는 용어는 중수소; 할로겐기; 시아노기(-CN); 니트로기; 히드록시기; 카보닐기; 에스테르기; 이미드기; 아미노기; 실릴기; 붕소기; 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 아릴기; 및 치환 또는 비치환된 헤테로고리기로 이루어진 군에서 선택된 1 또는 2 이상의 치환기로 치환되었거나 상기 예시된 치환기 중 2 이상의 치환기가 연결된 치환기로 치환되거나, 또는 어떠한 치환기도 갖지 않는 것을 의미한다. 예컨대, "2 이상의 치환기가 연결된 치환기"는 바이페닐기일 수 있다. 즉, 바이페닐기는 아릴기일 수도 있고, 2개의 페닐기가 연결된 치환기로 해석될 수 도 있다.
상기 치환기들의 예시들은 아래에서 설명하나, 이에 한정되는 것은 아니다.
본 명세서에 있어서, 할로겐기의 예로는 불소(-F), 염소(-Cl), 브롬(-Br) 또는 요오드(-I)가 있다.
본 명세서에서 카보닐기의 탄소수는 특별히 한정되지 않으나, 탄소수 1 내지 40인 것이 바람직하다. 구체적으로 하기와 같은 구조의 화합물이 될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
Figure pat00003
본 명세서에 있어서, 에스테르기는 에스테르기의 산소가 탄소수 1 내지 20의 직쇄, 분지쇄 또는 고리쇄 알킬기 또는 탄소수 6 내지 30의 아릴기로 치환될 수 있다. 구체적으로, 하기 구조식의 화합물이 될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
Figure pat00004
본 명세서에 있어서, 이미드기의 탄소수는 특별히 한정되지 않으나, 탄소수 1 내지 25인 것이 바람직하다. 구체적으로 하기와 같은 구조의 화합물이 될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
Figure pat00005
본 명세서에 있어서, 실릴기는 -SiYaYbYc의 화학식으로 표시될 수 있고, 상기 Ya, Yb 및 Yc는 각각 수소; 치환 또는 비치환된 알킬기; 또는 치환 또는 비치환된 아릴기일 수 있다. 상기 실릴기는 구체적으로 트리메틸실릴기, 트리에틸실릴기, t-부틸디메틸실릴기, 비닐디메틸실릴기, 프로필디메틸실릴기, 트리페닐실릴기, 디페닐실릴기, 페닐실릴기 등이 있으나 이에 한정되지 않는다.
본 명세서에 있어서, 붕소기는 -BYdYe의 화학식으로 표시될 수 있고, 상기 Yd 및 Ye는 각각 수소; 치환 또는 비치환된 알킬기; 또는 치환 또는 비치환된 아릴기일 수 있다. 상기 붕소기는 구체적으로 트리메틸붕소기, 트리에틸붕소기, t-부틸디메틸붕소기, 트리페닐붕소기, 페닐붕소기 등이 있으나 이에 한정되지 않는다.
본 명세서에 있어서, 상기 알킬기는 직쇄 또는 분지쇄일 수 있고, 탄소수는 특별히 한정되지 않으나 1 내지 60인 것이 바람직하다. 일 실시상태에 따르면, 상기 알킬기의 탄소수는 1 내지 30이다. 또 하나의 실시상태에 따르면, 상기 알킬기의 탄소수는 1 내지 20이다. 또 하나의 실시상태에 따르면, 상기 알킬기의 탄소수는 1 내지 10이다. 알킬기의 구체적인 예로는 메틸기, 에틸기, 프로필기, n-프로필기, 이소프로필기, 부틸기, n-부틸기, 이소부틸기, tert-부틸기, 펜틸기, n-펜틸기, 헥실기, n-헥실기, 헵틸기, n-헵틸기, 옥틸기, n-옥틸기 등이 있으나, 이들에 한정되지 않는다.
본 명세서에 있어서, 시클로알킬기는 특별히 한정되지 않으나, 탄소수 3 내지 60인 것이 바람직하며, 일 실시상태에 따르면, 상기 시클로알킬기의 탄소수는 3 내지 30이다. 또 하나의 실시상태에 따르면, 상기 시클로알킬기의 탄소수는 3 내지 20이다. 또 하나의 실시상태에 따르면, 상기 시클로알킬기의 탄소수는 3 내지 6이다. 구체적으로 시클로프로필기, 시클로부틸기, 시클로펜틸기, 시클로헥실기, 시클로헵틸기, 시클로옥틸기 등이 있으나, 이에 한정되지 않는다.
본 명세서에 있어서, 아릴기는 특별히 한정되지 않으나 탄소수 6 내지 60인 것이 바람직하며, 단환식 아릴기 또는 다환식 아릴기일 수 있다. 일 실시상태에 따르면, 상기 아릴기의 탄소수는 6 내지 30이다. 일 실시상태에 따르면, 상기 아릴기의 탄소수는 6 내지 20이다. 상기 아릴기가 단환식 아릴기로는 페닐기, 바이페닐기, 터페닐기, 쿼터페닐기 등이 될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 상기 다환식 아릴기로는 나프틸기, 안트라세닐기, 페난트레닐기, 파이레닐기, 페릴레닐기, 트리페닐기, 크라이세닐기, 플루오레닐기, 트리페닐레닐기 등이 될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
본 명세서에 있어서, 플루오레닐기는 치환될 수 있고, 치환기 2개가 서로 결합하여 스피로 구조를 형성할 수 있다.
상기 플루오레닐기가 치환되는 경우,
Figure pat00006
,
Figure pat00007
등의 스피로플루오레닐기,
Figure pat00008
(9,9-디메틸플루오레닐기), 및
Figure pat00009
(9,9-디페닐플루오레닐기) 등의 치환된 플루오레닐기가 될 수 있다. 다만, 이에 한정되는 것은 아니다.
본 명세서에 있어서, 헤테로고리기는 이종원자로 N, O, P, S, Si 및 Se 중 1개 이상을 포함하는 고리기로서, 탄소수는 특별히 한정되지 않으나 탄소수 2 내지 60인 것이 바람직하다. 일 실시상태에 따르면, 상기 헤테로고리기의 탄소수는 2 내지 30이다. 헤테로 고리기의 예로는 예로는 피리딘기, 피롤기, 피리미딘기, 퀴놀린기, 피리다지닐기, 퓨란기, 티오펜기, 이미다졸기, 피라졸기, 디벤조퓨란기, 디벤조티오펜기, 카바졸기, 벤조카바졸기, 나프토벤조퓨란기, 벤조나프토티오펜기, 인데노카바졸기, 실라플루오렌(silafluorene) 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.
본 명세서에 있어서, 헤테로아릴기는 방향족인 것을 제외하고는 전술한 헤테로고리기에 관한 설명이 적용될 수 있다.
본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 Cy1 및 Cy2는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 벤젠; 또는 치환 또는 비치환된 나프탈렌이며, Cy1 및 Cy2 중 적어도 하나는 치환 또는 비치환된 나프탈렌이다.
또 하나의 일 실시상태에 따르면, 상기 Cy1 및 Cy2는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 알킬기로 치환 또는 비치환된 벤젠; 또는 알킬기로 치환 또는 비치환된 나프탈렌이며, Cy1 및 Cy2 중 적어도 하나는 알킬기로 치환 또는 비치환된 나프탈렌이다.
또 하나의 일 실시상태에 있어서, 상기 Cy1 및 Cy2는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 탄소수 1 내지 20의 알킬기로 치환 또는 비치환된 벤젠; 또는 탄소수 1 내지 20의 알킬기로 치환 또는 비치환된 나프탈렌이며, Cy1 및 Cy2 중 적어도 하나는 탄소수 1 내지 20의 알킬기로 치환 또는 비치환된 나프탈렌이다.
또 하나의 일 실시상태에 따르면, 상기 Cy1 및 Cy2 중 어느 하나는 치환 또는 비치환된 벤젠이고, 나머지 하나는 치환 또는 비치환된 나프탈렌이거나, Cy1 및 Cy2 모두 치환 또는 비치환된 나프탈렌이다.
또 하나의 일 실시상태에 있어서, 상기 Cy1 및 Cy2 중 어느 하나는 탄소수 1내지 20의 알킬기로 치환 또는 비치환된 벤젠이고, 나머지 하나는 탄소수 1 내지 20의 알킬기로 치환 또는 비치환된 나프탈렌이거나, Cy1 및 Cy2 모두 탄소수 1 내지 20의 알킬기로 치환 또는 비치환된 나프탈렌이다.
본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 W는 O, S, N(R1), C(R2)(R3) 또는 Si(R4)(R5)이다.
본 발명의 일 실시상태에 있어서, 상기 R1은 수소; 중수소; 할로겐기; 시아노기; 니트로기; 히드록시기; 카보닐기; 에스테르기; 이미드기; 아미노기; 실릴기; 붕소기; 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 20의 알킬기; 치환 또는 비치환된 탄소수 3 내지 30의 시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 30의 헤테로고리기이다.
또 하나의 일 실시상태에 따르면, 상기 R1은 수소; 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 20의 알킬기; 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 30의 헤테로고리기이다.
또 하나의 일 실시상태에 있어서, 상기 R1은 수소; 탄소수 1 내지 20의 알킬기; 탄소수 6 내지 30의 아릴기; 또는 탄소수 2 내지 30의 헤테로고리기이다.
또 하나의 일 실시상태에 따르면, 상기 R1은 수소; 또는 치환 또는 비치환된 페닐기이다.
또 하나의 일 실시상태에 있어서, 상기 R1은 페닐기이다.
본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 R2 내지 R5는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 할로겐기; 시아노기; 니트로기; 히드록시기; 카보닐기; 에스테르기; 이미드기; 아미노기; 실릴기; 붕소기; 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 20의 알킬기; 치환 또는 비치환된 탄소수 3 내지 30의 시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 30의 헤테로고리기이거나, 인접한 기와 서로 결합하여 치환 또는 비치환된 탄소수 3 내지 30의 고리를 형성한다.
또 하나의 일 실시상태에 따르면, 상기 R2 내지 R5는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 20의 알킬기; 치환 또는 비치환된 탄소수 3 내지 30의 시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 30의 헤테로고리기이거나, 인접한 기와 서로 결합하여 치환 또는 비치환된 탄소수 3 내지 30의 고리를 형성한다.
또 하나의 일 실시상태에 따르면, 상기 R2 및 R3는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 20의 알킬기; 또는 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 아릴기이거나, 서로 결합하여 치환 또는 비치환된 탄소수 3 내지 30의 고리를 형성한다.
또 하나의 일 실시상태에 있어서, 상기 R2 및 R3는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 탄소수 1 내지 20의 알킬기; 또는 탄소수 6 내지 30의 아릴기이거나, 서로 결합하여 탄소수 3 내지 30의 고리를 형성한다.
또 하나의 일 실시상태에 있어서, 상기 R2 및 R3는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 치환 또는 비치환된 메틸기; 또는 치환 또는 비치환된 페닐기이거나, 서로 결합하여 치환 또는 비치환된 탄소수 3 내지 30의 탄화수소 고리를 형성한다.
또 하나의 일 실시상태에 따르면, 상기 R2 및 R3는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 메틸기; 또는 페닐기이거나, 서로 결합하여 플루오렌을 형성한다.
또 하나의 일 실시상태에 따르면, 상기 R4 및 R5는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 20의 알킬기; 또는 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 아릴기이거나, 서로 결합하여 치환 또는 비치환된 탄소수 3 내지 30의 고리를 형성한다.
또 하나의 일 실시상태에 있어서, 상기 R4 및 R5는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 탄소수 1 내지 20의 알킬기; 또는 탄소수 6 내지 30의 아릴기이거나, 서로 결합하여 탄소수 3 내지 30의 고리를 형성한다.
또 하나의 일 실시상태에 있어서, 상기 R4 및 R5는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 치환 또는 비치환된 메틸기; 또는 치환 또는 비치환된 페닐기이거나, 서로 결합하여 치환 또는 비치환된 탄소수 3 내지 30의 헤테로고리를 형성한다.
또 하나의 일 실시상태에 따르면, 상기 R4 및 R5는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 메틸기; 또는 페닐기이거나, 서로 결합하여 실라플루오렌(Silafluorene)을 형성한다.
본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 화학식 1은 하기 화학식 2 또는 3으로 표시될 수 있다.
[화학식 2]
Figure pat00010
[화학식 3]
Figure pat00011
상기 화학식 2 및 3에 있어서,
Cy1, Cy2 및 W의 정의는 상기 화학식 1에서와 같다.
본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 화학식 1은 하기 화학식 1-1 내지 1-6 중 어느 하나로 표시될 수 있다.
[화학식 1-1]
Figure pat00012
[화학식 1-2]
Figure pat00013
[화학식 1-3]
Figure pat00014
[화학식 1-4]
Figure pat00015
[화학식 1-5]
Figure pat00016
[화학식 1-6]
Figure pat00017
상기 화학식 1-1 내지 1-6에 있어서,
W의 정의는 상기 화학식 1에서와 같고,
Cy11 및 Cy21은 치환 또는 비치환된 벤젠; 또는 치환 또는 비치환된 나프탈렌이고,
R11 내지 R16은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 할로겐기; 시아노기; 니트로기; 히드록시기; 카보닐기; 에스테르기; 이미드기; 아미노기; 실릴기; 붕소기; 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로고리기이며,
n1 내지 n6은 각각 0 내지 5의 정수이며,
n1 내지 n6이 각각 2 이상인 경우, 괄호 내의 치환기는 서로 같거나 상이하다.
본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 Cy11 및 Cy21은 치환 또는 비치환된 벤젠; 또는 치환 또는 비치환된 나프탈렌이다.
또 하나의 일 실시상태에 따르면, 상기 Cy11 및 Cy21은 알킬기로 치환 또는 비치환된 벤젠; 또는 알킬기로 치환 또는 비치환된 나프탈렌이다.
또 하나의 일 실시상태에 있어서, 상기 Cy11 및 Cy21은 탄소수 1 내지 20의 알킬기로 치환 또는 비치환된 벤젠; 또는 탄소수 1 내지 20의 알킬기로 치환 또는 비치환된 나프탈렌이다.
또 하나의 일 실시상태에 따르면, 상기 Cy11 및 Cy21은 메틸기로 치환 또는 비치환된 벤젠; 또는 메틸기로 치환 또는 비치환된 나프탈렌이다.
또 하나의 일 실시상태에 있어서, 상기 Cy11 및 Cy21은 하기 구조들 중 어느 하나로 표시될 수 있다.
Figure pat00018
상기 구조들은 탄소수 1 내지 20의 알킬기로 추가로 치환될 수 있으며,
상기 "
Figure pat00019
"는 화학식 1-1 내지 1-6에 연결되는 부위를 의미한다.
본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 R11 내지 R16은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 할로겐기; 시아노기; 니트로기; 히드록시기; 카보닐기; 에스테르기; 이미드기; 아미노기; 실릴기; 붕소기; 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 20의 알킬기; 치환 또는 비치환된 탄소수 3 내지 30의 시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 30의 헤테로고리기이다.
또 하나의 일 실시상태에 따르면, 상기 R11 내지 R16은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 할로겐기; 시아노기; 니트로기; 실릴기; 붕소기; 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 20의 알킬기; 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 30의 헤테로고리기이다.
또 하나의 일 실시상태에 따르면, 상기 R11 내지 R16은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 또는 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 20의 알킬기이다.
또 하나의 일 실시상태에 따르면, 상기 R11 내지 R16은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 또는 메틸기이다.
본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 n1은 0 내지 5의 정수이고, n1이 2 이상인 경우, 2 이상의 R11은 서로 같거나 상이하다.
또 하나의 일 실시상태에 따르면, 상기 n1은 0 또는 1이다.
본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 n2는 0 내지 5의 정수이고, n2가 2 이상인 경우, 2 이상의 R12는 서로 같거나 상이하다.
또 하나의 일 실시상태에 따르면, 상기 n2는 0 또는 1이다.
본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 n3은 0 내지 5의 정수이고, n3이 2 이상인 경우, 2 이상의 R13은 서로 같거나 상이하다.
또 하나의 일 실시상태에 따르면, 상기 n3은 0 또는 1이다.
본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 n4는 0 내지 5의 정수이고, n4가 2 이상인 경우, 2 이상의 R14는 서로 같거나 상이하다.
본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 n5는 0 내지 5의 정수이고, n5가 2 이상인 경우, 2 이상의 R15은 서로 같거나 상이하다.
또 하나의 일 실시상태에 따르면, 상기 n5는 0 또는 1이다.
본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 n6은 0 내지 5의 정수이고, n6이 2 이상인 경우, 2 이상의 R16는 서로 같거나 상이하다.
또 하나의 일 실시상태에 따르면, 상기 n6는 0 또는 1이다.
본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 화학식 1로 표시되는 본원 화합물은 최대발광피크가 430nm 내지 470nm 일 수 있다.
본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 화학식 1은 하기 화합물들 중 어느 하나로 표시될 수 있다.
Figure pat00020
Figure pat00021
Figure pat00022
Figure pat00023
Figure pat00024
Figure pat00025
본 명세서의 일 실시상태는 유기 발광 소자는 제1 전극; 상기 제1 전극과 대향하여 구비되는 제2 전극; 및 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 구비되는 1층 이상의 유기물층을 포함하는 유기 발광 소자로서, 상기 유기물층 중 1층 이상은 상기 전술한 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함한다.
본 발명의 유기 발광 소자는 전술한 화합물을 이용하여 한 층 이상의 유기물층을 형성하는 것을 제외하고는, 통상의 유기 발광 소자의 제조방법 및 재료에 의하여 제조될 수 있다.
상기 화합물은 유기 발광 소자의 제조시 진공 증착법 뿐만 아니라 용액 도포법에 의하여 유기물층으로 형성될 수 있다. 여기서, 용액 도포법이라 함은 스핀 코팅, 딥 코팅, 잉크젯 프린팅, 스크린 프린팅, 스프레이법, 롤 코팅 등을 의미하지만, 이들만으로 한정되는 것은 아니다.
본 발명의 유기 발광 소자의 유기물층은 단층 구조로 이루어질 수도 있으나, 2층 이상의 유기물층이 적층된 다층 구조로 이루어질 수 있다. 예컨대, 본 발명의 유기 발광 소자는 유기물층으로서 정공주입층, 정공수송층, 정공수송 및 정공주입을 동시에 하는 층, 전자억제층, 발광층, 전자수송층 및 전자주입층, 전자수송 및 전자주입을 동시에 하는 층 등을 포함하는 구조를 가질 수 있다. 그러나, 유기 발광 소자의 구조는 이에 한정되지 않고 더 적은 수 또는 더 많은 수의 유기물층을 포함할 수 있다.
본 발명의 유기 발광 소자에서, 상기 유기물층은 전자수송층 또는 전자주입층을 포함할 수 있고, 상기 전자수송층 또는 전자주입층은 상기 전술한 화합물을 포함할 수 있다.
본 발명의 유기 발광 소자에서, 상기 유기물층은 정공주입층 또는 정공수송층을 포함할 수 있고, 상기 정공주입층 또는 정공수송층은 상기 전술한 화합물을 포함할 수 있다.
본 발명의 유기 발광 소자에서, 상기 유기물층은 발광층을 포함하고, 상기 발광층이 상기 전술한 화합물을 포함한다.
또 하나의 실시 상태에 따르면, 상기 유기물층은 발광층을 포함하고, 상기 발광층은 상기 전술한 화합물을 발광층의 도펀트로서 포함할 수 있다.
또 하나의 실시상태에 있어서, 상기 유기물층은 발광층을 포함하고, 상기 발광층은 전술한 화합물을 발광층의 도펀트로서 포함하고, 호스트를 더 포함할 수 있다.
또 하나의 실시상태에 있어서, 상기 유기물층은 발광층을 포함하고, 상기 발광층은 전술한 화합물을 발광층의 도펀트로서 포함하고, 형광 호스트 또는 인광 호스트를 포함하며, 다른 유기화합물, 금속 또는 금속화합물을 도펀트로 포함할 수 있다.
또 하나의 예로서, 상기 유기물층은 발광층을 포함하고, 상기 발광층은 전술한 화합물을 발광층의 도펀트로서 포함하고, 형광 호스트 또는 인광 호스트를 포함하며, 이리듐계(Ir) 도펀트와 함께 사용할 수 있다.
또 하나의 일 실시상태에 따르면, 상기 유기물층은 발광층을 포함하고, 상기 발광층은 전술한 화합물을 발광층의 호스트로서 포함할 수 있다.
또 하나의 예로서, 상기 유기물층은 발광층을 포함하고, 상기 발광층은 전술한 화합물을 발광층의 호스트로서 포함하고, 도펀트를 더 포함할 수 있다.
본 발명의 유기 발광 소자에서, 상기 유기물층은 전자억제층을 포함하고, 상기 전자억제층은 전술한 화합물을 포함할 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 제1 전극은 양극이고, 제2 전극은 음극이다.
또 하나의 일 실시상태에 따르면, 상기 제1 전극은 음극이고, 제2 전극은 양극이다.
상기 유기 발광 소자는 예컨대 하기와 같은 적층 구조를 가질 수 있으나, 이에만 한정되는 것은 아니다.
(1) 양극/정공수송층/발광층/음극
(2) 양극/정공주입층/정공수송층/발광층/음극
(3) 양극/정공주입층/정공버퍼층/정공수송층/발광층/음극
(4) 양극/정공수송층/발광층/전자수송층/음극
(5) 양극/정공수송층/발광층/전자수송층/전자주입층/음극
(6) 양극/정공주입층/정공수송층/발광층/전자수송층/음극
(7) 양극/정공주입층/정공수송층/발광층/전자수송층/전자주입층/음극
(8) 양극/정공주입층/정공버퍼층/정공수송층/발광층/전자수송층/음극
(9) 양극/정공주입층/정공버퍼층/정공수송층/발광층/전자수송층/전자주입층 /음극
(10) 양극/ 정공수송층/전자억제층/발광층/전자수송층/음극
(11) 양극/ 정공수송층/전자억제층/발광층/전자수송층/전자주입층/음극
(12) 양극/정공주입층/정공수송층/전자억제층/발광층/전자수송층/음극
(13) 양극/정공주입층/정공수송층/전자억제층/발광층/전자수송층/전자주입층/음극
(14) 양극/정공수송층/발광층/정공억제층/전자수송층/음극
(15) 양극/정공수송층/발광층/ 정공억제층/전자수송층/전자주입층/음극
(16) 양극/정공주입층/정공수송층/발광층/정공억제층/전자수송층/음극
(17) 양극/정공주입층/정공수송층/발광층/정공억제층/전자수송층/전자주입 층/음극
(18) 양극/정공주입층/정공수송층/전자억제층/발광층/정공억제층/전자수송층/전자주입층/음극
본 발명의 유기 발광 소자의 구조는 도 1 및 도 2에 나타낸 것과 같은 구조를 가질 수 있으나, 이에만 한정되는 것은 아니다.
도 1에는 기판(1) 위에 양극(2), 발광층(3) 및 음극(4)이 순차적으로 적층된 유기 발광 소자의 구조가 예시되어 있다. 이와 같은 구조에 있어서, 상기 화합물은 상기 발광층(3)에 포함될 수 있다.
도 2에는 기판(1) 위에 양극(2), 정공주입층(5), 정공수송층(6), 발광층(7), 전자수송층(8) 및 음극(4)이 순차적으로 적층된 유기 발광 소자의 구조가 예시되어 있다. 이와 같은 구조에 있어서, 상기 화합물은 상기 정공주입층(5), 정공수송층(6), 발광층(7) 또는 전자수송층(8)에 포함될 수 있다.
예컨대, 본 발명에 따른 유기 발광 소자는 스퍼터링(sputtering)이나 전자빔 증발(e-beam evaporation)과 같은 PVD(physical vapor deposition) 방법을 이용하여, 기판 상에 금속 또는 전도성을 가지는 금속 산화물 또는 이들의 합금을 증착시켜 양극을 형성하고, 그 위에 정공주입층, 정공수송층, 발광층, 전자억제층, 전자수송층 및 전자주입층을 포함하는 유기물층을 형성한 후, 그 위에 음극으로 사용할 수 있는 물질을 증착시킴으로써 제조될 수 있다. 이와 같은 방법 외에도, 기판 상에 음극 물질부터 유기물층, 양극 물질을 차례로 증착시켜 유기 발광 소자를 만들 수도 있다.
상기 유기물층은 정공주입층, 정공수송층, 전자주입 및 전자수송을 동시에 하는층, 전자억제층, 발광층 및 전자수송층, 전자주입층, 전자주입 및 전자수송을 동시에 하는 층 등을 포함하는 다층 구조일 수도 있으나, 이에 한정되지 않고 단층 구조일 수 있다. 또한, 상기 유기물층은 다양한 고분자 소재를 사용하여 증착법이 아닌 용매 공정(solvent process), 예컨대 스핀 코팅, 딥 코팅, 닥터 블레이딩, 스크린 프린팅, 잉크젯 프린팅 또는 열 전사법 등의 방법에 의하여 더 적은 수의 층으로 제조할 수 있다.
상기 양극은 정공을 주입하는 전극으로, 양극 물질로는 통상 유기물층으로 정공 주입이 원활할 수 있도록 일함수가 큰 물질이 바람직하다. 본 발명에서 사용될 수 있는 양극 물질의 구체적인 예로는 바나듐, 크롬, 구리, 아연, 금과 같은 금속 또는 이들의 합금; 아연 산화물, 인듐 산화물, 인듐주석 산화물(ITO, Indium Tin Oxide), 인듐아연 산화물(IZO, Indium Zinc Oxide)과 같은 금속 산화물; ZnO:Al 또는 SnO2:Sb와 같은 금속과 산화물의 조합; 폴리(3-메틸티오펜), 폴리[3,4-(에틸렌-1,2-디옥시)티오펜](PEDOT), 폴리피롤 및 폴리아닐린과 같은 전도성 고분자 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.
상기 음극은 전자를 주입하는 전극으로, 음극 물질로는 통상 유기물층으로 전자 주입이 용이하도록 일함수가 작은 물질인 것이 바람직하다. 음극 물질의 구체적인 예로는 마그네슘, 칼슘, 나트륨, 칼륨, 티타늄, 인듐, 이트륨, 리튬, 가돌리늄, 알루미늄, 은, 주석 및 납과 같은 금속 또는 이들의 합금; LiF/Al 또는 LiO2/Al과 같은 다층 구조 물질 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.
상기 정공주입층은 양극으로부터 발광층으로 정공의 주입을 원활하게 하는 역할을 하는 층이며, 정공 주입 물질로는 낮은 전압에서 양극으로부터 정공을 잘 주입 받을 수 있는 물질로서, 정공 주입 물질의 HOMO(highest occupied molecular orbital)가 양극 물질의 일함수와 주변 유기물층의 HOMO 사이인 것이 바람직하다. 정공 주입 물질의 구체적인 예로는 금속 포피린(porphyrine), 올리고티오펜, 아릴아민 계열의 유기물, 헥사니트릴헥사아자트리페닐렌 계열의 유기물, 퀴나크리돈(quinacridone) 계열의 유기물, 페릴렌(perylene) 계열의 유기물, 안트라퀴논 및 폴리아닐린과 폴리티오펜 계열의 전도성 고분자 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다. 정공주입층의 두께는 1 내지 150nm일 수 있다. 상기 정공주입층의 두께가 1nm 이상이면, 정공 주입 특성이 저하되는 것을 방지할 수 있는 이점이 있고, 150nm 이하이면, 정공주입층의 두께가 너무 두꺼워 정공의 이동을 향상시키기 위해 구동전압이 상승되는것을 방지할 수 있는 이점이 있다.
상기 정공수송층은 정공의 수송을 원활하게 하는 역할을 할 수 있다. 정공 수송 물질로는 양극이나 정공 주입층으로부터 정공을 수송받아 발광층으로 옮겨줄 수 있는 물질로 정공에 대한 이동성이 큰 물질이 적합하다. 구체적인 예로는 아릴아민 계열의 유기물, 전도성 고분자, 및 공액 부분과 비공액 부분이 함께 있는 블록 공중합체 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.
정공주입층과 정공수송층 사이에 추가로 정공버퍼층이 구비될 수 있으며, 당 기술분야에 알려져 있는 정공주입 또는 수송재료를 포함할 수 있다.
정공수송층과 발광층 사이에 전자억제층이 구비될 수 있다. 상기 전자억제층은 전술한 화합물 또는 당 기술분야에 알려져 있는 재료가 사용될 수 있다.
상기 발광층은 적색, 녹색 또는 청색을 발광할 수 있으며, 인광 물질 또는 형광 물질로 이루어질 수 있다. 상기 발광 물질로는 정공수송층과 전자수송층으로부터 정공과 전자를 각각 수송 받아 결합시킴으로써 가시광선 영역의 빛을 낼 수 있는 물질로서, 형광이나 인광에 대한 양자 효율이 좋은 물질이 바람직하다. 구체적인 예로는 8-히드록시-퀴놀린 알루미늄 착물(Alq3); 카르바졸 계열 화합물; 이량체화 스티릴(dimerized styryl) 화합물; BAlq; 10-히드록시벤조 퀴놀린-금속 화합물; 벤족사졸, 벤즈티아졸 및 벤즈이미다졸 계열의 화합물; 폴리(p-페닐렌비닐렌)(PPV) 계열의 고분자; 스피로(spiro) 화합물; 폴리플루오렌; 루브렌 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.
발광층의 호스트 재료로는 축합 방향족환 유도체 또는 헤테로환 함유 화합물 등이 있다. 구체적으로 축합 방향족환 유도체로는 안트라센 유도체, 피렌 유도체, 나프탈렌 유도체, 펜타센 유도체, 페난트렌 화합물, 플루오란텐 화합물 등이 있고, 헤테로환 함유 화합물로는 카바졸 유도체, 디벤조퓨란 유도체, 래더형 퓨란 화합물, 피리미딘 유도체 등이 있으나, 이에 한정되지 않는다.
발광층이 적색 발광을 하는 경우, 발광 도펀트로는 PIQIr(acac)(bis(1-phenylisoquinoline)acetylacetonateiridium), PQIr(acac)(bis(1-phenylquinoline)acetylacetonate iridium), PQIr(tris(1-phenylquinoline)iridium), PtOEP(octaethylporphyrin platinum)와 같은 인광 물질이나, Alq3(tris(8-hydroxyquinolino)aluminum)와 같은 형광 물질이 사용될 수 있으나, 이에만 한정된 것은 아니다. 발광층이 녹색 발광을 하는 경우, 발광 도펀트로는 Ir(ppy)3(fac tris(2-phenylpyridine)iridium)와 같은 인광물질이나, Alq3(tris(8-hydroxyquinolino)aluminum)와 같은 형광 물질이 사용될 수 있으나, 이에만 한정된 것은 아니다. 발광층이 청색 발광을 하는 경우, 발광 도펀트로는 (4,6-F2ppy)2Irpic와 같은 인광 물질이나, spiro-DPVBi, spiro-6P, 디스틸벤젠(DSB), 디스트릴아릴렌(DSA), PFO계 고분자, PPV계 고분자와 같은 형광 물질이 사용될 수 있으나, 이에만 한정된 것은 아니다.
전자수송층과 발광층 사이에 정공억제층이 구비될 수 있으며, 당 기술분야에 알려져 있는 재료가 사용될 수 있다.
상기 전자수송층은 전자의 수송을 원활하게 하는 역할을 할 수 있다. 전자 수송 물질로는 음극으로부터 전자를 잘 주입 받아 발광층으로 옮겨줄 수 있는 물질로서, 전자에 대한 이동성이 큰 물질이 적합하다. 구체적인 예로는 8-히드록시퀴놀린의 Al 착물; Alq3를 포함한 착물; 유기 라디칼 화합물; 히드록시플라본-금속 착물 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다. 전자수송층의 두께는 1 내지 50nm일 수 있다. 전자수송층의 두께가 1nm 이상이면, 전자 수송 특성이 저하되는 것을 방지할 수 있는 이점이 있고, 50nm 이하이면, 전자수송층의 두께가 너무 두꺼워 전자의 이동을 향상시키기 위해 구동전압이 상승되는 것을 방지할 수 있는 이점이 있다.
상기 전자주입층은 전자의 주입을 원활하게 하는 역할을 할 수 있다. 전자 주입 물질로는 전자를 수송하는 능력을 갖고, 음극으로부터의 전자주입 효과, 발광층 또는 발광 재료에 대하여 우수한 전자주입 효과를 가지며, 발광층에서 생성된 여기자의 정공주입층으로의 이동을 방지하고, 또한, 박막형성능력이 우수한 화합물이 바람직하다. 구체적으로는 플루오레논, 안트라퀴노다이메탄, 다이페노퀴논, 티오피란 다이옥사이드, 옥사졸, 옥사다이아졸, 트리아졸, 이미다졸, 페릴렌테트라카복실산, 프레오레닐리덴 메탄, 안트론 등과 그들의 유도체, 금속 착체 화합물 및 함질소 5원환 유도체 등이 있으나, 이에 한정되지 않는다.
상기 금속 착체 화합물로서는 8-하이드록시퀴놀리나토 리튬, 비스(8-하이드록시퀴놀리나토)아연, 비스(8-하이드록시퀴놀리나토)구리, 비스(8-하이드록시퀴놀리나토)망간, 트리스(8-하이드록시퀴놀리나토)알루미늄, 트리스(2-메틸-8-하이드록시퀴놀리나토)알루미늄, 트리스(8-하이드록시퀴놀리나토)갈륨, 비스(10-하이드록시벤조[h]퀴놀리나토)베릴륨, 비스(10-하이드록시벤조[h]퀴놀리나토)아연, 비스(2-메틸-8-퀴놀리나토)클로로갈륨, 비스(2-메틸-8-퀴놀리나토)(o-크레졸라토)갈륨, 비스(2-메틸-8-퀴놀리나토)(1-나프톨라토)알루미늄, 비스(2-메틸-8-퀴놀리나토)(2-나프톨라토)갈륨 등이 있으나, 이에 한정되지 않는다.
상기 정공차단층은 정공의 음극 도달을 저지하는 층으로, 일반적으로 정공주입층과 동일한 조건으로 형성될 수 있다. 구체적으로 옥사디아졸 유도체나 트리아졸 유도체, 페난트롤린 유도체, BCP, 알루미늄 착물 (aluminum complex) 등이 있으나, 이에 한정되지 않는다.
본 발명에 따른 유기 발광 소자는 사용되는 재료에 따라 전면 발광형, 후면 발광형 또는 양면 발광형일 수 있다.
합성예 1. 화합물 1의 합성
1) 중간체 1의 합성
Figure pat00026
3,7-다이브로모나프탈렌-2-ol (20g, 66.2mmol), (4-아미노-2-플로로페닐)보로닉 엑시드 (10.3g, 66.2mmol), 테트라키스 트리페닐 포스핀 팔라듐(0) (2.3g, 2.00mmol), 포타슘 카보네이트 (27.5g) 수용액, 테트라하이드로퓨란을 함께 넣은 후, 8시간 환류한 후 추출 후 컬럼정제 (에틸아세테이트:헥산 = EA:HEX)를 통하여 중간체 1 (17g)을 합성하였다. [수율: 77%, Mass(M+1): 333]
2) 중간체 2의 합성
Figure pat00027
중간체 1 (15g, 45.2mmol), 포타슘 카보네이트 (25.0, 180.1mmol)을 다이메틸아세트아마이드 300ml 에 넣은 후, 4시간 환류한 후, 물에 부어 고체 화합물을 얻은 후 컬럼 정제(에틸아세테이트:헥산 = EA:HEX)후 재결정을 통하여 중간체 2 (12.0g)를 합성하였다. [수율: 85%, Mass(M+1): 313]
3) 중간체 3의 합성
Figure pat00028
중간체 2 (10g, 32.0mmol), 쿠퍼(I)사이아나이드 (7.2g, 80.1mmol)를 다이메틸포름아마이드에 녹인 후, 10시간 환류한 후, 물에 부어 고체 화합물을 얻은 후 컬럼 정제(에틸아세테이트:헥산 = EA:HEX)를 통하여 중간체 3 (7.0g)을 합성하였다. [수율: 85%. Mass(M+1): 259]
4) 중간체 4의 합성
Figure pat00029
중간체 3 (5g, 19.4mmol), 하이드로브로믹 엑시드(48%, 5ml) 를 아세토나이트릴 100ml에 녹인 후 0oC 로 낮춘 후 물에 녹인 소듐나이트릴(1.74g, 25.2mmol)을 천천히 적가한 후, 1시간 뒤 쿠퍼(II) 브로마이드 (6.5g, 29.0mmol) 를 넣은 후 1시간 뒤 반응을 종결시킨다. 그 후 컬럼 정제(EA : HEX)를 통하여 중간체 4 (4.0g)을 합성하였다. [수율: 64%. Mass(M+1): 323]
5) 화합물 1의 합성
Figure pat00030
중간체 3 (1g, 3.9mmol), 중간체 4 (2.62g, 8.1mmol), 비스(트리-tert-부틸포스핀)팔라듐 (0) (0.06g, 0.1mmol), 소듐터트부톡사이드 (1.49g, 15.5mmol) 와 톨루엔을 함께 넣은 후, 100℃에서 10시간 교반 후, 반응 종료후 컬럼 정제(EA: HEX)를 통하여 화합물 1 (1.9g)을 수득하였다. [수율: 66%, Mass(M+1): 741]
합성예 2. 화합물 2의 합성
1) 중간체 5의 합성
Figure pat00031
(4-아미노-2-플로로페닐)보로닉 엑시드 대신 (3-아미노-2-플로로페닐)보로닉 엑시드 (10.3g, 66.2mmol)를 사용한 것을 제외하고는 중간체 1의 합성법과 동일한 방법을 통하여 중간체 5 (16.5g)를 합성하였다. [수율: 75%, Mass(M+1): 333]
2) 중간체 6의 합성
Figure pat00032
중간체 1 대신 중간체 5 (15g, 45.2mmol)를 사용한 것을 제외하고는 중간체 2의 합성법과 동일한 방법을 통하여 중간체 6 (11.0g)를 합성하였다. [수율: 78%, Mass(M+1): 313]
3) 중간체 7의 합성
Figure pat00033
중간체 2 대신 중간체 6 (10g, 32.0mmol)을 사용한 것을 제외하고는 중간체 3의 합성법과 동일한 방법을 통하여 중간체 7 (6.8g)을 합성하였다. [수율: 82%. Mass(M+1): 259]
4) 중간체 8의 합성
Figure pat00034
중간체 3 대신 중간체 7 (5g, 19.4mmol)을 사용한 것을 제외하고는 중간체 4의 합성법과 동일한 방법을 통하여 중간체 8 (4.1g)을 합성하였다. [수율: 66%. Mass(M+1): 323]
5) 화합물 2의 합성
Figure pat00035
중간체 7 (1g, 3.9mmol), 중간체 8 (2.62g, 8.1mmol), 비스(트리-tert-부틸포스핀)팔라듐 (0) (0.06g, 0.1mmol), 소듐터트부톡사이드 (1.49g, 15.5mmol) 와 톨루엔을 함께 넣은 후, 100℃에서 10시간 교반 후, 반응 종료후 컬럼 정제(EA: HEX)를 통하여 화합물 2 (1.6g)을 수득하였다. [수율: 56%, Mass(M+1): 741]
합성예 3. 화합물 3의 합성
1) 중간체 9의 합성
Figure pat00036
(4-아미노-2-플로로페닐)보로닉 엑시드 대신 (5-아미노-2-플로로페닐)보로닉 엑시드 (10.3g, 66.2mmol)를 사용한 것을 제외하고는 중간체 1의 합성법과 동일한 방법을 통하여 중간체 9 (17.3g)을 합성하였다. [수율: 79%, Mass(M+1): 333]
2) 중간체 10의 합성
Figure pat00037
중간체 1 대신 중간체 9 (15g, 45.2mmol)를 사용한 것을 제외하고는 중간체 2의 합성법과 동일한 방법을 통하여 중간체 10 (10.8g)를 합성하였다. [수율: 77%, Mass(M+1): 313]
3) 중간체 11의 합성
Figure pat00038
중간체 2 대신 중간체 10 (10g, 32.0mmol)을 사용한 것을 제외하고는 중간체 3의 합성법과 동일한 방법을 통하여 중간체 11 (6.2g)을 합성하였다. [수율: 75%. Mass(M+1): 259]
4) 중간체 12의 합성
Figure pat00039
중간체 3 대신 중간체 11 (5g, 19.4mmol)을 사용한 것을 제외하고는 중간체 4의 합성법과 동일한 방법을 통하여 중간체 12 (4.0g)을 합성하였다. [수율: 64%. Mass(M+1): 323]
5) 화합물 3의 합성
Figure pat00040
중간체 11 (1g, 3.9mmol), 중간체 12 (2.62g, 8.1mmol), 비스(트리-tert-부틸포스핀)팔라듐 (0) (0.06g, 0.1mmol), 소듐터트부톡사이드 (1.49g, 15.5mmol) 와 톨루엔을 함께 넣은 후, 100℃에서 10시간 교반 후, 반응 종료후 컬럼 정제(EA: HEX)를 통하여 화합물 3 (1.7g)을 수득하였다. [수율: 59%, Mass(M+1): 741]
합성예 4. 화합물 4의 합성
1) 중간체 13의 합성
Figure pat00041
(4-아미노-2-플로로페닐)보로닉 엑시드 대신 (2-아미노-6-플로로페닐)보로닉 엑시드 (10.3g, 66.2mmol)를 사용한 것을 제외하고는 중간체 1의 합성법과 동일한 방법을 통하여 중간체 13 (17.1g)을 합성하였다. [수율: 78%, Mass(M+1): 333]
2) 중간체 14의 합성
Figure pat00042
중간체 1 대신 중간체 13 (15g, 45.2mmol)을 사용한 것을 제외하고는 중간체 2의 합성법과 동일한 방법을 통하여 중간체 14 (10.5g)를 합성하였다. [수율: 74%, Mass(M+1): 313]
3) 중간체 15의 합성
Figure pat00043
중간체 2 대신 중간체 14 (10g, 32.0mmol)를 사용한 것을 제외하고는 중간체 3의 합성법과 동일한 방법을 통하여 중간체 15 (6.0g)을 합성하였다. [수율: 73%. Mass(M+1): 259]
4) 중간체 16의 합성
Figure pat00044
중간체 3 대신 중간체 15 (5g, 19.4mmol)를 사용한 것을 제외하고는 중간체 4의 합성법과 동일한 방법을 통하여 중간체 16 (4.1g)을 합성하였다. [수율: 66%. Mass(M+1): 323]
5) 화합물 4의 합성
Figure pat00045
중간체 15 (1g, 3.9mmol), 중간체 16 (2.62g, 8.1mmol), 비스(트리-tert-부틸포스핀)팔라듐 (0) (0.06g, 0.1mmol), 소듐터트부톡사이드 (1.49g, 15.5mmol) 와 톨루엔을 함께 넣은 후, 100℃에서 10시간 교반 후, 반응 종료후 컬럼 정제(EA: HEX)를 통하여 화합물 4 (1.8g)을 수득하였다. [수율: 63%, Mass(M+1): 741]
합성예 5. 화합물 5의 합성
1) 중간체 17의 합성
Figure pat00046
3,7-다이브로모나프탈렌-2-ol (20g, 66.2mmol) 대신 3,6-다이브로모나프탈렌-2-ol (20g, 66.2mmol)을 사용한 것을 제외하고는 중간체 1의 합성법과 동일한 방법을 통하여 중간체 17 (17.4g)을 합성하였다. [수율: 79%, Mass(M+1): 333]
2) 중간체 18의 합성
Figure pat00047
중간체 1 대신 중간체 17 (15g, 45.2mmol)을 사용한 것을 제외하고는 중간체 2의 합성법과 동일한 방법을 통하여 중간체 18 (10.2g)를 합성하였다. [수율: 72%, Mass(M+1): 313]
3) 중간체 19의 합성
Figure pat00048
중간체 2 대신 중간체 18 (10g, 32.0mmol)을 사용한 것을 제외하고는 중간체 3의 합성법과 동일한 방법을 통하여 중간체 19 (6.3g)을 합성하였다. [수율: 76%. Mass(M+1): 259]
4) 중간체 20의 합성
Figure pat00049
중간체 3 대신 중간체 19 (5g, 19.4mmol)를 사용한 것을 제외하고는 중간체 4의 합성법과 동일한 방법을 통하여 중간체 20 (4.3g)을 합성하였다. [수율: 69%. Mass(M+1): 323]
5) 화합물 5의 합성
Figure pat00050
중간체 19 (1g, 3.9mmol), 중간체 20 (2.62g, 8.1mmol), 비스(트리-tert-부틸포스핀)팔라듐 (0) (0.06g, 0.1mmol), 소듐터트부톡사이드 (1.49g, 15.5mmol) 와 톨루엔을 함께 넣은 후, 100℃에서 10시간 교반 후, 반응 종료후 컬럼 정제(EA: HEX)를 통하여 화합물 5 (1.5g)을 수득하였다. [수율: 52%, Mass(M+1): 741]
합성예 6. 화합물 6의 합성
1) 중간체 21의 합성
Figure pat00051
3,7-다이브로모나프탈렌-2-ol 대신 3,6-다이브로모나프탈렌-2-ol (20g, 66.2mmol)을, (4-아미노-2-플로로페닐)보로닉 엑시드 대신 (3-아미노-2-플로로페닐)보로닉 엑시드 (10.3g, 66.2mmol)를 사용한 것을 제외하고는 중간체 1의 합성법과 동일한 방법을 통하여 중간체 21 (17.0g)을 합성하였다. [수율: 77%, Mass(M+1): 333]
2) 중간체 22의 합성
Figure pat00052
중간체 1 대신 중간체 21 (15g, 45.2mmol)을 사용한 것을 제외하고는 중간체 2의 합성법과 동일한 방법을 통하여 중간체 22 (10.4g)를 합성하였다. [수율: 74%, Mass(M+1): 313]
3) 중간체 23의 합성
Figure pat00053
중간체 2 대신 중간체 22 (10g, 32.0mmol)을 사용한 것을 제외하고는 중간체 3의 합성법과 동일한 방법을 통하여 중간체 23 (6.2g)을 합성하였다. [수율: 75%. Mass(M+1): 259]
4) 중간체 24의 합성
Figure pat00054
중간체 3 대신 중간체 23 (5g, 19.4mmol)을 사용한 것을 제외하고는 중간체 4의 합성법과 동일한 방법을 통하여 중간체 24 (4.1g)을 합성하였다. [수율: 66%. Mass(M+1): 323]
5) 화합물 6의 합성
Figure pat00055
중간체 23 (1g, 3.9mmol), 중간체 24 (2.62g, 8.1mmol), 비스(트리-tert-부틸포스핀)팔라듐 (0) (0.06g, 0.1mmol), 소듐터트부톡사이드 (1.49g, 15.5mmol) 와 톨루엔을 함께 넣은 후, 100℃에서 10시간 교반 후, 반응 종료후 컬럼 정제(EA: HEX)를 통하여 화합물 6 (1.6g)을 수득하였다. [수율: 56%, Mass(M+1): 741]
합성예 7. 화합물 7의 합성
1) 중간체 25의 합성
Figure pat00056
3,7-다이브로모나프탈렌-2-ol 대신 3,6-다이브로모나프탈렌-2-ol (20g, 66.2mmol)을, (4-아미노-2-플로로페닐)보로닉 엑시드 대신 (5-아미노-2-플로로페닐)보로닉 엑시드 (10.3g, 66.2mmol)를 사용한 것을 제외하고는 중간체 1의 합성법과 동일한 방법을 통하여 중간체 25 (17.3g)을 합성하였다. [수율: 79%, Mass(M+1): 333]
2) 중간체 26의 합성
Figure pat00057
중간체 1 대신 중간체 25 (15g, 45.2mmol)를 사용한 것을 제외하고는 중간체 2의 합성법과 동일한 방법을 통하여 중간체 26 (10.3g)를 합성하였다. [수율: 73%, Mass(M+1): 313]
3) 중간체 27의 합성
Figure pat00058
중간체 2 대신 중간체 26 (10g, 32.0mmol)을 사용한 것을 제외하고는 중간체 3의 합성법과 동일한 방법을 통하여 중간체 27 (6.1g)을 합성하였다. [수율: 74%. Mass(M+1): 259]
4) 중간체 28의 합성
Figure pat00059
중간체 3 대신 중간체 27 (5g, 19.4mmol)을 사용한 것을 제외하고는 중간체 4의 합성법과 동일한 방법을 통하여 중간체 28 (4.2g)을 합성하였다. [수율: 67%. Mass(M+1): 323]
5) 화합물 7의 합성
Figure pat00060
중간체 27 (1g, 3.9mmol), 중간체 28 (2.62g, 8.1mmol), 비스(트리-tert-부틸포스핀)팔라듐 (0) (0.06g, 0.1mmol), 소듐터트부톡사이드 (1.49g, 15.5mmol) 와 톨루엔을 함께 넣은 후, 100℃에서 10시간 교반 후, 반응 종료후 컬럼 정제(EA: HEX)를 통하여 화합물 7 (1.3g)을 수득하였다. [수율: 45%, Mass(M+1): 741]
합성예 8. 화합물 8의 합성
1) 중간체 29의 합성
Figure pat00061
3,7-다이브로모나프탈렌-2-ol (20g, 66.2mmol) 대신 3,6-다이브로모나프탈렌-2-ol (20g, 66.2mmol)을, (4-아미노-2-플로로페닐)보로닉 엑시드 대신 (2-아미노-6-플로로페닐)보로닉 엑시드 (10.3g, 66.2mmol)을 사용한 것을 제외하고는 중간체 1의 합성법과 동일한 방법을 통하여 중간체 29 (17.2g)을 합성하였다. [수율: 78%, Mass(M+1): 333]
2) 중간체 30의 합성
Figure pat00062
중간체 1 대신 중간체 29 (15g, 45.2mmol)를 사용한 것을 제외하고는 중간체 2의 합성법과 동일한 방법을 통하여 중간체 30 (10.4g)를 합성하였다. [수율: 74%, Mass(M+1): 313]
3) 중간체 31의 합성
Figure pat00063
중간체 2 대신 중간체 30 (10g, 32.0mmol)을 사용한 것을 제외하고는 중간체 3의 합성법과 동일한 방법을 통하여 중간체 31 (6.2g)을 합성하였다. [수율: 75%. Mass(M+1): 259]
4) 중간체 32의 합성
Figure pat00064
중간체 3 대신 중간체 31 (5g, 19.4mmol)을 사용한 것을 제외하고는 중간체 4의 합성법과 동일한 방법을 통하여 중간체 32 (4.2g)을 합성하였다. [수율: 67%. Mass(M+1): 323]
5) 화합물 8의 합성
Figure pat00065
중간체 31 (1g, 3.9mmol), 중간체 32 (2.62g, 8.1mmol), 비스(트리-tert-부틸포스핀)팔라듐 (0) (0.06g, 0.1mmol), 소듐터트부톡사이드 (1.49g, 15.5mmol) 와 톨루엔을 함께 넣은 후, 100℃에서 10시간 교반 후, 반응 종료후 컬럼 정제(EA: HEX)를 통하여 화합물 8 (1.5g)을 수득하였다. [수율: 52%, Mass(M+1): 741]
합성예 9. 화합물 9의 합성
1) 중간체 33의 합성
Figure pat00066
3,7-다이브로모나프탈렌-2-ol 대신 1,6-다이브로모나프탈렌-2-ol (20g, 66.2mmol)을 사용한 것을 제외하고는 중간체 1의 합성법과 동일한 방법을 통하여 중간체 33 (17.3g)을 합성하였다. [수율: 79%, Mass(M+1): 333]
2) 중간체 34의 합성
Figure pat00067
중간체 1 대신 중간체 33 (15g, 45.2mmol)을 사용한 것을 제외하고는 중간체 2의 합성법과 동일한 방법을 통하여 중간체 34 (10.5g)를 합성하였다. [수율: 74%, Mass(M+1): 313]
3) 중간체 35의 합성
Figure pat00068
중간체 2 대신 중간체 34 (10g, 32.0mmol)를 사용한 것을 제외하고는 중간체 3의 합성법과 동일한 방법을 통하여 중간체 35 (6.0g)을 합성하였다. [수율: 73%. Mass(M+1): 259]
4) 중간체 36의 합성
Figure pat00069
중간체 3 대신 중간체 35 (5g, 19.4mmol)를 사용한 것을 제외하고는 중간체 4의 합성법과 동일한 방법을 통하여 중간체 36 (4.3g)을 합성하였다. [수율: 69%. Mass(M+1): 323]
5) 화합물 9의 합성
Figure pat00070
중간체 35 (1g, 3.9mmol), 중간체 36 (2.62g, 8.1mmol), 비스(트리-tert-부틸포스핀)팔라듐 (0) (0.06g, 0.1mmol), 소듐터트부톡사이드 (1.49g, 15.5mmol) 와 톨루엔을 함께 넣은 후, 100℃에서 10시간 교반 후, 반응 종료후 컬럼 정제(EA: HEX)를 통하여 화합물 9 (1.4g)을 수득하였다. [수율: 49%, Mass(M+1): 741]
합성예 10. 화합물 10의 합성
1) 중간체 37의 합성
Figure pat00071
3,7-다이브로모나프탈렌-2-ol 대신 1,6-다이브로모나프탈렌-2-ol (20g, 66.2mmol)을, 4-아미노-2-플로로페닐)보로닉 엑시드 대신 (5-아미노-2-플로로페닐)보로닉 엑시드 (10.3g, 66.2mmol)를 사용한 것을 제외하고는 중간체 1의 합성법과 동일한 방법을 통하여 중간체 37 (16.7g)을 합성하였다. [수율: 76%, Mass(M+1): 333]
2) 중간체 38의 합성
Figure pat00072
중간체 1 대신 중간체 37 (15g, 45.2mmol)을 사용한 것을 제외하고는 중간체 2의 합성법과 동일한 방법을 통하여 중간체 38 (10.1g)를 합성하였다. [수율: 72%, Mass(M+1): 313]
3) 중간체 39의 합성
Figure pat00073
중간체 2 대신 중간체 38 (10g, 32.0mmol)을 사용한 것을 제외하고는 중간체 3의 합성법과 동일한 방법을 통하여 중간체 39 (6.2g)을 합성하였다. [수율: 75%. Mass(M+1): 259]
4) 중간체 40의 합성
Figure pat00074
중간체 3 대신 중간체 39 (5g, 19.4mmol)를 사용한 것을 제외하고는 중간체 4의 합성법과 동일한 방법을 통하여 중간체 40 (4.1g)을 합성하였다. [수율: 66%. Mass(M+1): 323]
5) 화합물 10의 합성
Figure pat00075
중간체 39 (1g, 3.9mmol), 중간체 40 (2.62g, 8.1mmol), 비스(트리-tert-부틸포스핀)팔라듐 (0) (0.06g, 0.1mmol), 소듐터트부톡사이드 (1.49g, 15.5mmol) 와 톨루엔을 함께 넣은 후, 100℃에서 10시간 교반 후, 반응 종료후 컬럼 정제(EA: HEX)를 통하여 화합물 10 (1.6g)을 수득하였다. [수율: 56%, Mass(M+1): 741]
합성예 11. 화합물 11의 합성
1) 중간체 41의 합성
Figure pat00076
3,7-다이브로모나프탈렌-2-ol 대신 1,3-다이브로모나프탈렌-2-ol (20g, 66.2mmol)을 사용한 것을 제외하고는 중간체 1의 합성법과 동일한 방법을 통하여 중간체 41 (16.0g)을 합성하였다. [수율: 73%, Mass(M+1): 333]
2) 중간체 42의 합성
Figure pat00077
중간체 1 대신 중간체 41 (15g, 45.2mmol)을 사용한 것을 제외하고는 중간체 2의 합성법과 동일한 방법을 통하여 중간체 42 (10.0g)를 합성하였다. [수율: 71%, Mass(M+1): 313]
3) 중간체 43의 합성
Figure pat00078
중간체 2 대신 중간체 42 (10g, 32.0mmol)를 사용한 것을 제외하고는 중간체 3의 합성법과 동일한 방법을 통하여 중간체 43 (6.3g)을 합성하였다. [수율: 76%. Mass(M+1): 259]
4) 중간체 44의 합성
Figure pat00079
중간체 3 대신 중간체 43 (5g, 19.4mmol)을 사용한 것을 제외하고는 중간체 4의 합성법과 동일한 방법을 통하여 중간체 44 (4.0g)을 합성하였다. [수율: 64%. Mass(M+1): 323]
5) 화합물 11의 합성
Figure pat00080
중간체 43 (1g, 3.9mmol), 중간체 44 (2.62g, 8.1mmol), 비스(트리-tert-부틸포스핀)팔라듐 (0) (0.06g, 0.1mmol), 소듐터트부톡사이드 (1.49g, 15.5mmol) 와 톨루엔을 함께 넣은 후, 100℃에서 10시간 교반 후, 반응 종료후 컬럼 정제(EA: HEX)를 통하여 화합물 11 (1.3g)을 수득하였다. [수율: 45%, Mass(M+1): 741]
합성예 12. 화합물 12의 합성
1) 중간체 45의 합성
Figure pat00081
3,7-다이브로모나프탈렌-2-ol 대신 1,3-다이브로모나프탈렌-2-ol (20g, 66.2mmol)을, (4-아미노-2-플로로페닐)보로닉 엑시드 대신 (5-아미노-2-플로로페닐)보로닉 엑시드 (10.3g, 66.2mmol)를 사용한 것을 제외하고는 중간체 1의 합성법과 동일한 방법을 통하여 중간체 45 (16.1g)을 합성하였다. [수율: 73%, Mass(M+1): 333]
2) 중간체 46의 합성
Figure pat00082
중간체 1 대신 중간체 45 (15g, 45.2mmol)를 사용한 것을 제외하고는 중간체 2의 합성법과 동일한 방법을 통하여 중간체 46 (10.3g)를 합성하였다. [수율: 73%, Mass(M+1): 313]
3) 중간체 47의 합성
Figure pat00083
중간체 2 대신 중간체 46 (10g, 32.0mmol)을 사용한 것을 제외하고는 중간체 3의 합성법과 동일한 방법을 통하여 중간체 47 (6.2g)을 합성하였다. [수율: 75%. Mass(M+1): 259]
4) 중간체 48의 합성
Figure pat00084
중간체 3 대신 중간체 47 (5g, 19.4mmol)을 사용한 것을 제외하고는 중간체 4의 합성법과 동일한 방법을 통하여 중간체 48 (4.2g)을 합성하였다. [수율: 67%. Mass(M+1): 323]
5) 화합물 12의 합성
Figure pat00085
중간체 47 (1g, 3.9mmol), 중간체 48 (2.62g, 8.1mmol), 비스(트리-tert-부틸포스핀)팔라듐 (0) (0.06g, 0.1mmol), 소듐터트부톡사이드 (1.49g, 15.5mmol) 와 톨루엔을 함께 넣은 후, 100℃에서 10시간 교반 후, 반응 종료후 컬럼 정제(EA: HEX)를 통하여 화합물 12 (1.5g)을 수득하였다. [수율: 52%, Mass(M+1): 741]
합성예 13. 화합물 13의 합성
1) 중간체 49의 합성
Figure pat00086
3,7-다이브로모나프탈렌-2-ol 대신 1,4-다이브로모나프탈렌-2-ol (20g, 66.2mmol)을 사용한 것을 제외하고는 중간체 1의 합성법과 동일한 방법을 통하여 중간체 49 (15.8g)을 합성하였다. [수율: 72%, Mass(M+1): 333]
2) 중간체 50의 합성
Figure pat00087
중간체 1 대신 중간체 49 (15g, 45.2mmol)를 사용한 것을 제외하고는 중간체 2의 합성법과 동일한 방법을 통하여 중간체 50 (10.0g)를 합성하였다. [수율: 71%, Mass(M+1): 313]
3) 중간체 51의 합성
Figure pat00088
중간체 2 대신 중간체 50 (10g, 32.0mmol)을 사용한 것을 제외하고는 중간체 3의 합성법과 동일한 방법을 통하여 중간체 51 (6.1g)을 합성하였다. [수율: 74%. Mass(M+1): 259]
4) 중간체 52의 합성
Figure pat00089
중간체 3 대신 중간체 51 (5g, 19.4mmol)을 사용한 것을 제외하고는 중간체 4의 합성법과 동일한 방법을 통하여 중간체 52 (4.1g)을 합성하였다. [수율: 66%. Mass(M+1): 323]
5) 화합물 13의 합성
Figure pat00090
중간체 51 (1g, 3.9mmol), 중간체 52 (2.62g, 8.1mmol), 비스(트리-tert-부틸포스핀)팔라듐 (0) (0.06g, 0.1mmol), 소듐터트부톡사이드 (1.49g, 15.5mmol) 와 톨루엔을 함께 넣은 후, 100℃에서 10시간 교반 후, 반응 종료후 컬럼 정제(EA: HEX)를 통하여 화합물 13 (1.6g)을 수득하였다. [수율: 56%, Mass(M+1): 741]
합성예 14. 화합물 14의 합성
1) 중간체 53의 합성
Figure pat00091
3,7-다이브로모나프탈렌-2-ol 대신 1,4-다이브로모나프탈렌-2-ol (20g, 66.2mmol)을, (4-아미노-2-플로로페닐)보로닉 엑시드 대신 (5-아미노-2-플로로페닐)보로닉 엑시드 (10.3g, 66.2mmol)를 사용한 것을 제외하고는 중간체 1의 합성법과 동일한 방법을 통하여 중간체 53 (16.5g)을 합성하였다. [수율: 75%, Mass(M+1): 333]
2) 중간체 54의 합성
Figure pat00092
중간체 1 대신 중간체 53 (15g, 45.2mmol)을 사용한 것을 제외하고는 중간체 2의 합성법과 동일한 방법을 통하여 중간체 54 (10.6g)를 합성하였다. [수율: 75%, Mass(M+1): 313]
3) 중간체 55의 합성
Figure pat00093
중간체 2 대신 중간체 54 (10g, 32.0mmol)를 사용한 것을 제외하고는 중간체 3의 합성법과 동일한 방법을 통하여 중간체 55 (6.2g)을 합성하였다. [수율: 75%. Mass(M+1): 259]
4) 중간체 56의 합성
Figure pat00094
중간체 3 대신 중간체 55 (5g, 19.4mmol)를 사용한 것을 제외하고는 중간체 4의 합성법과 동일한 방법을 통하여 중간체 56 (3.9g)을 합성하였다. [수율: 63%. Mass(M+1): 323]
5) 화합물 14의 합성
Figure pat00095
중간체 55 (1g, 3.9mmol), 중간체 56 (2.62g, 8.1mmol), 비스(트리-tert-부틸포스핀)팔라듐 (0) (0.06g, 0.1mmol), 소듐터트부톡사이드 (1.49g, 15.5mmol) 와 톨루엔을 함께 넣은 후, 100℃에서 10시간 교반 후, 반응 종료후 컬럼 정제(EA: HEX)를 통하여 화합물 14 (1.5g)을 수득하였다. [수율: 52%, Mass(M+1): 741]
< 실험예 >
실시예 1.
ITO(indium tin oxide)가 1,000Å의 두께로 박막 코팅된 유리 기판을 세제를 녹인 증류수에 넣고 초음파로 세척하였다. 이때, 세제로는 피셔사(Fischer Co.) 제품을 사용하였으며, 증류수로는 밀러포어사(Millipore Co.) 제품의 필터(Filter)로 2차로 걸러진 증류수를 사용하였다. ITO를 30분간 세척한 후 증류수로 2회 반복하여 초음파 세척을 10분간 진행하였다. 증류수 세척이 끝난 후, 이소프로필알콜, 아세톤, 메탄올의 용제로 초음파 세척을 하고 건조시킨 후 플라즈마 세정기로 수송시켰다. 또한, 산소 플라즈마를 이용하여 상기 기판을 5분간 세정한 후 진공 증착기로 기판을 수송시켰다.
이렇게 준비된 ITO 투명 전극 위에 정공주입층으로 하기 HI-1 화합물을 1150Å의 두께로 형성하되 하기 A-1 화합물을 1.5 wt% 농도로 p-도핑 하였다. 상기 정공주입층 위에 하기 HT-1 화합물을 진공 증착하여 막 두께 800Å 의 정공수송층을 형성하였다. 이어서, 상기 정공수송층 위에 막 두께 150Å으로 하기 EB-1 화합물을 진공 증착하여 전자억제층을 형성하였다. 이어서, 상기 전자억제층 위에 호스트로 BH-1 화합물을, 도펀트로 상기 화합물 1을 98:2 (호스트:도펀트)의 중량비로 진공 증착하여 200Å 두께의 청색 발광층을 형성하였다. 상기 발광층 위에 막 두께 30Å으로 하기 HB-1 화합물을 진공 증착하여 정공억제층을 형성하였다. 이어서, 상기 정공억제층 위에 하기 ET-1 화합물과 하기 LiQ 화합물을 2:1의 중량비로 진공 증착하여 300Å의 두께로 전자 주입 및 수송층을 형성하였다. 상기 전자 주입 및 수송층 위에 순차적으로 12Å 두께로 리튬플로라이드(LiF)와 1,000Å 두께로 알루미늄을 증착하여 음극을 형성하였다.
상기의 과정에서 유기물의 증착속도는 0.4Å/sec 내지 0.7Å/sec를 유지하였고, 음극의 리튬플로라이드는 0.3Å/sec, 알루미늄은 2Å/sec의 증착 속도를 유지하였으며, 증착시 진공도는 2ⅹ10-7 torr 내지 5ⅹ10-6 torr를 유지하여, 유기 발광 소자를 제작하였다.
Figure pat00096
실시예 2 내지 14.
상기 실시예 1의 유기 발광 소자에서 화합물 1 대신 하기 표 1에 기재된 화합물을 사용한 것을 제외하고는 상기 실시예 1과 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 제조하였다.
비교예 1.
상기 실시예 1에서 화합물 1 대신 하기 비교 화합물 1을 사용한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 제조하였다.
[비교 화합물 1]
Figure pat00097
비교예 2.
상기 실시예 1에서 화합물 1 대신 하기 비교 화합물 2을 사용한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 제조하였다.
[비교 화합물 2]
Figure pat00098
상기 실시예 및 비교예에서 제조한 유기 발광 소자에 대하여 10mA/cm2의 전류 밀도에서 발광 효율을 측정하였고, 10mA/cm2의 전류 밀도에서 휘도가 초기 휘도 대비 97%가 되는 시간(T97)을 측정하였다. 상기 결과를 하기 표 1에 나타내었다.
적용물질 효율
(cd/A)		 색좌표
CIE (x) CIE (x) T97(hr)
실시예 1 화합물 1 6.21 0.14 0.1 99
실시예 2 화합물 2 6.05 0.14 0.09 96
실시예 3 화합물 3 6.06 0.14 0.11 97
실시예 4 화합물 4 5.95 0.14 0.08 94
실시예 5 화합물 5 5.94 0.14 0.12 98
실시예 6 화합물 6 5.95 0.14 0.08 92
실시예 7 화합물 7 6.04 0.14 0.09 92
실시예 8 화합물 8 5.92 0.14 0.08 92
실시예 9 화합물 9 5.83 0.14 0.08 93
실시예 10 화합물 10 5.8 0.14 0.09 91
실시예 11 화합물 11 5.91 0.14 0.1 92
실시예 12 화합물 12 5.83 0.14 0.12 91
실시예 13 화합물 13 6.12 0.15 0.11 94
실시예 14 화합물 14 6.01 0.15 0.1 91
비교예 1 비교 화합물 1 4.51 0.14 0.05 51
비교예 2 비교 화합물 2 4.82 0.14 0.11 65
상기 표 1에 기재된 바와 같이, 본 발명에 따른 화학식 1로 표시되는 화합물은 유기 발광 소자의 발광층에 사용될 수 있으며 본 발명에 따른 소자는 효율, 수명 면에서 우수한 특성을 나타낸다. 특히, 화학식 1의 화합물은 Cy1 및 Cy2 중 적어도 하나에 나프탈렌을 포함함으로써, 소자에 적용시 수명이 향상되는 효과를 나타내는 것을 확인할 수 있다. 또한, 화학식 1의 화합물은 조색단위인 -CN을 포함함으로써 효율을 향상시키는 효과를 나타내는 것을 확인할 수 있다. 또한, 본 발명에 따른 화합물은 HOMO 및 LUMO 에너지 준위를 낮춤로써 정공과 전자의 주입을 더욱 원할하게 하여 효율 향상 효과를 나타냄을 확인할 수 있다.
1: 기판
2: 양극
3: 발광층
4: 음극
5: 정공주입층
6: 정공수송층
7: 발광층
8: 전자수송층

Claims (9)

  1. 하기 화학식 1로 표시되는 화합물:
    [화학식 1]
    Figure pat00099

    상기 화학식 1에 있어서,
    Cy1 및 Cy2는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 벤젠; 또는 치환 또는 비치환된 나프탈렌이며, Cy1 및 Cy2 중 적어도 하나는 치환 또는 비치환된 나프탈렌이고,
    W는 O, S, N(R1), C(R2)(R3) 또는 Si(R4)(R5)이며,
    R1은 수소; 중수소; 할로겐기; 시아노기; 니트로기; 히드록시기; 카보닐기; 에스테르기; 이미드기; 아미노기; 실릴기; 붕소기; 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로고리기이고,
    R2 내지 R5는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 할로겐기; 시아노기; 니트로기; 히드록시기; 카보닐기; 에스테르기; 이미드기; 아미노기; 실릴기; 붕소기; 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로고리기이거나, 인접한 기와 서로 결합하여 치환 또는 비치환된 고리를 형성한다.
  2. 청구항 1에 있어서,
    상기 화학식 1은 하기 화학식 2 또는 3으로 표시되는 화합물:
    [화학식 2]
    Figure pat00100

    [화학식 3]
    Figure pat00101

    상기 화학식 2 및 3에 있어서,
    Cy1, Cy2 및 W의 정의는 상기 화학식 1에서와 같다.
  3. 청구항 1에 있어서,
    상기 화학식 1은 하기 화학식 1-1 내지 1-6 중 어느 하나로 표시되는 화합물:
    [화학식 1-1]
    Figure pat00102

    [화학식 1-2]
    Figure pat00103

    [화학식 1-3]
    Figure pat00104

    [화학식 1-4]
    Figure pat00105

    [화학식 1-5]
    Figure pat00106

    [화학식 1-6]
    Figure pat00107

    상기 화학식 1-1 내지 1-6에 있어서,
    W의 정의는 상기 화학식 1에서와 같고,
    Cy11 및 Cy21은 치환 또는 비치환된 벤젠; 또는 치환 또는 비치환된 나프탈렌이고,
    R11 내지 R16은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 할로겐기; 시아노기; 니트로기; 히드록시기; 카보닐기; 에스테르기; 이미드기; 아미노기; 실릴기; 붕소기; 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로고리기이며,
    n1 내지 n6은 각각 0 내지 5의 정수이며,
    n1 내지 n6이 각각 2 이상인 경우, 괄호 내의 치환기는 서로 같거나 상이하다.
  4. 청구항 1에 있어서,
    상기 화학식 1은 하기 화합물들 중 어느 하나로 표시되는 화합물:
    Figure pat00108

    Figure pat00109

    Figure pat00110

    Figure pat00111

    Figure pat00112

    Figure pat00113
  5. 제1 전극; 상기 제1 전극과 대향하여 구비되는 제2 전극; 및 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 구비되는 1층 이상의 유기물층을 포함하는 유기 발광 소자로서, 상기 유기물층 중 1층 이상이 청구항 1 내지 4 중 어느 한 항에 따른 화합물을 포함하는 유기 발광 소자.
  6. 청구항 5에 있어서,
    상기 유기물층은 정공주입층 또는 정공수송층을 포함하고, 상기 정공주입층 또는 정공수송층은 상기 화합물을 포함하는 유기 발광 소자.
  7. 청구항 5에 있어서,
    상기 유기물층은 전자수송층 또는 전자주입층을 포함하고, 상기 전자수송층 또는 전자주입층은 상기 화합물을 포함하는 유기 발광 소자.
  8. 청구항 5에 있어서,
    상기 유기물층은 발광층을 포함하고, 상기 발광층은 상기 화합물을 포함하는 유기 발광 소자.
  9. 청구항 5에 있어서,
    상기 유기물층은 발광층을 포함하고, 상기 발광층은 상기 화합물을 발광층의 도펀트로 포함하는 유기 발광 소자.
KR1020190060099A 2018-05-23 2019-05-22 다환 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자 KR102237174B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020180058147 2018-05-23
KR20180058147 2018-05-23

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20190133617A true KR20190133617A (ko) 2019-12-03
KR102237174B1 KR102237174B1 (ko) 2021-04-07

Family

ID=68838116

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020190060099A KR102237174B1 (ko) 2018-05-23 2019-05-22 다환 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR102237174B1 (ko)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2021177632A1 (ko) * 2020-03-03 2021-09-10 주식회사 엘지화학 신규한 화합물 및 이를 이용한 유기 발광 소자
EP3909946A3 (en) * 2020-05-11 2022-02-23 Samsung Display Co., Ltd. Organic electroluminescence device and polycyclic compound for organic electroluminescence device
WO2023063701A1 (ko) * 2021-10-13 2023-04-20 주식회사 동진쎄미켐 신규한 캡핑층용 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20120127550A (ko) * 2011-05-11 2012-11-22 삼성디스플레이 주식회사 축합환 화합물, 이를 포함하는 유기 발광 소자 및 평판 표시 장치
KR20160132822A (ko) 2014-03-14 2016-11-21 소니 주식회사 잉크 조성물, 유기 일렉트로루미네선스 소자, 및 전자 기기
US20170244046A1 (en) * 2016-02-18 2017-08-24 Universal Display Corporation Organic Electroluminescent Materials and Devices
CN108129429A (zh) * 2017-12-14 2018-06-08 张家港九力新材料科技有限公司 一种萘苯并呋喃衍生物及其制备方法

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20120127550A (ko) * 2011-05-11 2012-11-22 삼성디스플레이 주식회사 축합환 화합물, 이를 포함하는 유기 발광 소자 및 평판 표시 장치
KR20160132822A (ko) 2014-03-14 2016-11-21 소니 주식회사 잉크 조성물, 유기 일렉트로루미네선스 소자, 및 전자 기기
US20170244046A1 (en) * 2016-02-18 2017-08-24 Universal Display Corporation Organic Electroluminescent Materials and Devices
CN108129429A (zh) * 2017-12-14 2018-06-08 张家港九力新材料科技有限公司 一种萘苯并呋喃衍生物及其制备方法

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2021177632A1 (ko) * 2020-03-03 2021-09-10 주식회사 엘지화학 신규한 화합물 및 이를 이용한 유기 발광 소자
CN115135653A (zh) * 2020-03-03 2022-09-30 株式会社Lg化学 新化合物和包含其的有机发光器件
EP3909946A3 (en) * 2020-05-11 2022-02-23 Samsung Display Co., Ltd. Organic electroluminescence device and polycyclic compound for organic electroluminescence device
WO2023063701A1 (ko) * 2021-10-13 2023-04-20 주식회사 동진쎄미켐 신규한 캡핑층용 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자
KR20230053020A (ko) * 2021-10-13 2023-04-21 주식회사 동진쎄미켐 신규한 캡핑층용 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자

Also Published As

Publication number Publication date
KR102237174B1 (ko) 2021-04-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102053569B1 (ko) 다환 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자
KR102371108B1 (ko) 유기발광소자
KR20190118515A (ko) 다환 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자
KR102430678B1 (ko) 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자
KR20210010356A (ko) 유기 발광 소자
KR102237174B1 (ko) 다환 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자
KR102230987B1 (ko) 다환 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자
KR20190111687A (ko) 다환 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자
KR102170390B1 (ko) 다환 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자
KR20200016498A (ko) 다환 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자
KR102567282B1 (ko) 유기발광소자
KR20200075777A (ko) 다환 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자
KR102209926B1 (ko) 다환 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자
KR102565720B1 (ko) 헤테로고리 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자
KR102594848B1 (ko) 유기발광소자
KR102247292B1 (ko) 다환 화합물 및 이를 포함하는 유기발광소자
KR20230032260A (ko) 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자
KR20230028184A (ko) 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자
KR20230028185A (ko) 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자
KR20230013405A (ko) 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자
KR20230073104A (ko) 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자
KR20230134993A (ko) 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자
KR20230028183A (ko) 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자
KR20230108393A (ko) 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자
KR20240041613A (ko) 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant