WO2022254618A1 - 酸化還元反応装置 - Google Patents
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- 238000006479 redox reaction Methods 0.000 title claims abstract description 29
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 84
- 238000006722 reduction reaction Methods 0.000 claims abstract description 32
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 claims abstract description 18
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 claims abstract description 11
- WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N lead(0) Chemical compound [Pb] WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 230000033116 oxidation-reduction process Effects 0.000 claims description 5
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 abstract description 3
- 238000010248 power generation Methods 0.000 abstract 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 17
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 13
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 11
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 10
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 9
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 9
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 8
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 8
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 7
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 7
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 6
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 description 5
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 4
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000010408 film Substances 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- 239000011941 photocatalyst Substances 0.000 description 4
- 239000000047 product Substances 0.000 description 4
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 3
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N Carbon dioxide Chemical compound O=C=O CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WCUXLLCKKVVCTQ-UHFFFAOYSA-M Potassium chloride Chemical compound [Cl-].[K+] WCUXLLCKKVVCTQ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M Sodium chloride Chemical compound [Na+].[Cl-] FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052724 xenon Inorganic materials 0.000 description 2
- FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N xenon atom Chemical compound [Xe] FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WUPHOULIZUERAE-UHFFFAOYSA-N 3-(oxolan-2-yl)propanoic acid Chemical compound OC(=O)CCC1CCCO1 WUPHOULIZUERAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MARUHZGHZWCEQU-UHFFFAOYSA-N 5-phenyl-2h-tetrazole Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=NNN=N1 MARUHZGHZWCEQU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M Potassium hydroxide Chemical compound [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KTSFMFGEAAANTF-UHFFFAOYSA-N [Cu].[Se].[Se].[In] Chemical compound [Cu].[Se].[Se].[In] KTSFMFGEAAANTF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CVTZKFWZDBJAHE-UHFFFAOYSA-N [N].N Chemical compound [N].N CVTZKFWZDBJAHE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 229910052980 cadmium sulfide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001722 carbon compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000001569 carbon dioxide Substances 0.000 description 1
- 229910002092 carbon dioxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 1
- AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N digallium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Ga+3].[Ga+3] AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 229910001195 gallium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- QZQVBEXLDFYHSR-UHFFFAOYSA-N gallium(III) oxide Inorganic materials O=[Ga]O[Ga]=O QZQVBEXLDFYHSR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004817 gas chromatography Methods 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 1
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 1
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002736 metal compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 239000002923 metal particle Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N nonaoxidotritungsten Chemical compound O=[W]1(=O)O[W](=O)(=O)O[W](=O)(=O)O1 QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 230000001699 photocatalysis Effects 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 239000001103 potassium chloride Substances 0.000 description 1
- 235000011164 potassium chloride Nutrition 0.000 description 1
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 239000010944 silver (metal) Substances 0.000 description 1
- 239000011780 sodium chloride Substances 0.000 description 1
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
- 229910001930 tungsten oxide Inorganic materials 0.000 description 1
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25B—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES FOR THE PRODUCTION OF COMPOUNDS OR NON-METALS; APPARATUS THEREFOR
- C25B1/00—Electrolytic production of inorganic compounds or non-metals
- C25B1/01—Products
- C25B1/02—Hydrogen or oxygen
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- C25B—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES FOR THE PRODUCTION OF COMPOUNDS OR NON-METALS; APPARATUS THEREFOR
- C25B11/00—Electrodes; Manufacture thereof not otherwise provided for
- C25B11/04—Electrodes; Manufacture thereof not otherwise provided for characterised by the material
- C25B11/051—Electrodes formed of electrocatalysts on a substrate or carrier
- C25B11/055—Electrodes formed of electrocatalysts on a substrate or carrier characterised by the substrate or carrier material
- C25B11/057—Electrodes formed of electrocatalysts on a substrate or carrier characterised by the substrate or carrier material consisting of a single element or compound
- C25B11/067—Inorganic compound e.g. ITO, silica or titania
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- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25B—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES FOR THE PRODUCTION OF COMPOUNDS OR NON-METALS; APPARATUS THEREFOR
- C25B9/00—Cells or assemblies of cells; Constructional parts of cells; Assemblies of constructional parts, e.g. electrode-diaphragm assemblies; Process-related cell features
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- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E60/00—Enabling technologies; Technologies with a potential or indirect contribution to GHG emissions mitigation
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Definitions
- the present invention relates to an oxidation-reduction reactor.
- oxidation-reduction reaction devices that allow oxidation-reduction reactions to proceed in an aqueous solution to cause water decomposition reactions.
- a conventional oxidation-reduction reaction device is generally configured by combining a semiconductor photoelectrode and a photovoltaic element.
- the decomposition reaction of water by the semiconductor photoelectrode consists of the oxidation reaction of water and the reduction reaction of protons.
- the photocatalyst material constituting the semiconductor photoelectrode is irradiated with light, holes (h + ) and electrons (e ⁇ ) are generated and separated in the photocatalyst material.
- the holes move to the surface of the semiconductor photoelectrode and contribute to the water oxidation reaction as shown in equation (1).
- the electrons move to the reduction electrode inserted in the same aqueous solution as the semiconductor photoelectrode via the conducting wire, and contribute to the reduction reaction of protons (H + ) as shown in Equation (2).
- the photovoltaic element is placed on the back side of the light-receiving surface of the semiconductor photoelectrode, and is connected to the conducting wire that connects the semiconductor photoelectrode and the reduction electrode.
- a photovoltaic element receives light transmitted through a semiconductor photoelectrode to generate holes and electrons, which are supplied to a semiconductor photoelectrode and a reduction electrode, respectively.
- the photovoltaic element generates electricity from the received light, raises the pressure between the semiconductor photoelectrode and the reduction electrode, increases the electromotive force of the oxidation-reduction reaction system, and improves the efficiency of the oxidation-reduction reaction.
- the present invention has been made in view of the above circumstances, and an object of the present invention is to provide a technology capable of suppressing deterioration of a semiconductor photoelectrode and driving an oxidation-reduction reaction using light energy for a long time. be.
- An oxidation-reduction reaction apparatus includes a semiconductor photoelectrode that causes an oxidation reaction with an aqueous solution by light, and a reduction electrode that causes a reduction reaction with an aqueous solution or gas by means of electrons transferred from the semiconductor photoelectrode through a lead wire. and a photovoltaic element arranged on the back side of the light receiving surface of the semiconductor photoelectrode, connected to the conducting wire, and generating electricity by light transmitted through the semiconductor photoelectrode, and between the semiconductor photoelectrode and the photovoltaic element. and a current control circuit connected to the lead wire for controlling the amount of current flowing through the lead wire.
- the present invention it is possible to provide a technology that suppresses the deterioration of the semiconductor photoelectrode and can drive the oxidation-reduction reaction using light energy for a long time.
- FIG. 1 is a diagram showing the configuration of an oxidation-reduction reaction system.
- the photocurrent generated from the photovoltaic element becomes the same as the photocurrent generated from the semiconductor photoelectrode. to control.
- the current control circuit maximizes the efficiency of the water splitting reaction by combining the semiconductor photoelectrode and the photovoltaic element, while keeping the number of holes generated in the photovoltaic element equal to the number of electrons generated in the semiconductor photoelectrode.
- the water decomposition reaction is an example of the target reaction.
- the present invention can be applied to reactions other than the water decomposition reaction, that is, target products other than hydrogen. That is, the present invention can be applied to any oxidation-reduction reaction apparatus that advances an oxidation-reduction reaction.
- FIG. 1 is a diagram showing the configuration of an oxidation-reduction reaction system according to this embodiment.
- the oxidation-reduction reaction system includes an oxidation-reduction reaction device 1 and a light source 2.
- the light source 2 is, for example, a xenon lamp, a mercury lamp, a halogen lamp, a pseudo-sunlight source, sunlight, or a light source combining these.
- the oxidation-reduction reaction device 1 includes a tank 11, an aqueous solution 12, a semiconductor photoelectrode 13, a reduction electrode 14, a photovoltaic element 15, a current control circuit 16, and a lead wire 17.
- the aqueous solution 12 is, for example, an aqueous sodium hydroxide solution, an aqueous potassium hydroxide solution, an aqueous sodium chloride solution, an aqueous potassium chloride solution, and hydrochloric acid.
- the semiconductor photoelectrode 13 is, for example, gallium nitride or a nitride semiconductor. Metal oxides, such as titanium oxide, tungsten oxide, and gallium oxide, and compound semiconductors, such as cadmium sulfide, having a photocatalytic function may also be used.
- the semiconductor photoelectrode 13 is inserted into the aqueous solution 12 in the bath 11 and connected to the reduction electrode 14 in the same aqueous solution 12 through the current control circuit 16 , the photovoltaic element 15 and the lead wire 17 .
- the semiconductor photoelectrode 13 generates and separates holes and electrons in the photocatalyst material when the photocatalyst material constituting itself is irradiated with light from the light source 2 .
- the holes move to the surface of the semiconductor photoelectrode 13 and proceed with the oxidation reaction of water on the surface. Therefore, the semiconductor photoelectrode 13 functions as an oxidation electrode.
- electrons move to the reduction electrode 14 via the current control circuit 16 , the photovoltaic element 15 and the lead wire 17 .
- the reduction electrode 14 is a metal or metal compound, such as nickel, iron, gold, platinum, silver, copper, indium, or titanium.
- the shape of the reduction electrode 14 is, for example, a wire, a plate, a wire mesh, or an electrode substrate in which metal particles are applied on a conductive substrate. Electrons transferred from the semiconductor photoelectrode 13 via the current control circuit 16 , the photovoltaic element 15 and the lead wire 17 cause the reduction reaction of protons to proceed on the surface of the reduction electrode 14 . This produces the desired product, hydrogen.
- the photovoltaic element 15 is, for example, a silicon-based element, a copper indium gallium selenide-based element, a III-V group-based element, a cadmium telluride-based element, a dye-sensitized element, or an organic semiconductor-based element.
- the photovoltaic element 15 is arranged behind the light-receiving surface of the semiconductor photoelectrode 13 and connected to the conducting wire 17 .
- the photovoltaic element 15 receives light transmitted through the semiconductor photoelectrode 13 to generate holes and electrons, which are supplied to the semiconductor photoelectrode 13 and the reduction electrode 14, respectively.
- the photovoltaic element 15 generates electricity with the received light, raises the pressure between the semiconductor photoelectrode 13 and the reduction electrode 14, increases the electromotive force of the oxidation-reduction reaction system, and improves the efficiency of the oxidation-reduction reaction.
- the current control circuit 16 is, for example, a circuit configured by arranging and connecting a constant current diode and various elements on a substrate.
- the current control circuit 16 is connected to the conducting wire 17 between the semiconductor photoelectrode 13 and the photovoltaic element 15 and controls the amount of current flowing through the conducting wire 17 .
- the current control circuit 16 controls the current value (the number of holes generated in the photovoltaic element) generated in the photovoltaic element 15 by the light transmitted through the semiconductor photoelectrode 13 to be the current value generated in the semiconductor photoelectrode 13 by the light from the light source 2 .
- the number of electrons generated in the semiconductor photoelectrode is controlled (adjusted/changed/variable) in the amount of current flowing through the lead wire 17 so as to be the same.
- the redox reactor 1 is also applicable to target products other than hydrogen.
- the type of metal for example, Ni, Fe, Au, Pt, Ag, Cu, In, Ti, Co, Ru
- each of the semiconductor photoelectrode 13 and the reduction electrode 14 is changed.
- the reduction reaction of carbon dioxide produces a carbon compound
- the reduction reaction of nitrogen Ammonia can also be produced by
- n-GaN semiconductor thin film was epitaxially grown on a GaN substrate by metal organic chemical vapor deposition (MOCVD).
- MOCVD metal organic chemical vapor deposition
- the film thickness of n-GaN was set to 2 ⁇ m.
- Carrier density was 3 ⁇ 10 18 cm ⁇ 3 .
- InGaN with a composition ratio of indium (In) of 5% was grown.
- the film thickness of InGaN was set to 100 nm, which is sufficient for light absorption.
- Ni with a film thickness of about 1 nm was vacuum-deposited on the surface of InGaN.
- NiO was formed by heat-treating this semiconductor thin film in air at 300° C. for 1 hour. Observing the cross section of NiO with a transmission electron microscope (TEM), the film thickness was 2 nm. Measurements of the optical transmittance of NiO revealed that it absorbs light of about 400 nm or less in sunlight.
- TEM transmission electron microscope
- the photovoltaic element 15 can absorb light up to about 1100 nm out of light of about 400 nm or more transmitted through the semiconductor photoelectrode 13 , and the current generated by itself is larger than the current generated by the semiconductor photoelectrode 13 .
- the short-circuit current of the single photovoltaic element 15 was about 20 mA.
- the respective electromotive forces were 0.6 V for the photovoltaic element 15 and 1.2 V for the semiconductor photoelectrode 13 .
- a current control circuit 16 was connected on the conducting wire 17 between the photovoltaic element 15 and the semiconductor photoelectrode 13 .
- the photocurrent value generated from the photovoltaic element 15 is reduced from the previously measured photocurrent value between the semiconductor photoelectrode 13 and the reduction electrode 14 (1.0 mA (when 0.6 V is applied) ).
- Nitrogen gas was flowed into the vessel 11 at 10 ml/min, the light-receiving area of the semiconductor photoelectrode 13 was set to 1 cm 2 , and the aqueous solution 12 was stirred at the center position of the vessel bottom at a rotational speed of 250 rpm using a stirrer and stirrer.
- the light source 2 was fixed so as to face the NiO formation surface of the semiconductor photoelectrode 13 produced by the above procedure.
- a high pressure xenon lamp of 300 W was used as the light source 2 to uniformly irradiate the semiconductor photoelectrode 13 and the photovoltaic element 15 with light. 10 hours, 50 hours, 100 hours, 200 hours and 300 hours after the light irradiation, the gas in the tank 11 was sampled and the reaction product was analyzed by gas chromatography. As a result, it was confirmed that oxygen and hydrogen were produced.
- Example 1 for comparison In Comparative Example 1, the photovoltaic element 15 and the current control circuit 16 were not used. After that, the procedure was the same as in Example 1.
- Example 3 for comparison
- Table 1 shows the amount of oxygen/hydrogen gas generated with respect to the light irradiation time in the examples and comparative examples.
- the amount of each gas produced is shown normalized by the surface area of the semiconductor photoelectrode 13 . In every example, it was found that oxygen and hydrogen were generated during light irradiation.
- Example 1 when comparing Example 1 with Comparative Examples 1 and 3, the amount of gas generated in Comparative Example 3 is different from that in Example 1, although the photovoltaic element 15 is combined in the same manner as in Example 1. It was different and comparable to Comparative Example 1. This is because the amount of current generated from the photovoltaic element 15 is reduced by the current control circuit 16 compared to the amount of current generated from the semiconductor photoelectrode 13. Therefore, in Comparative Example 3, the efficiency of the oxidation-reduction reaction by the photovoltaic element 15 is improved. It is considered that the effect was not manifested.
- Example 1 when comparing Example 1 and Comparative Example 2, there was no difference in the amount of gas generated 10 hours after light irradiation.
- Comparative Example 2 the amount of hydrogen produced gradually decreased after 10 hours, and after 100 hours, almost deactivated. Oxygen production was almost deactivated after 100 hours.
- Comparative Example 2 the production ratio of hydrogen and oxygen after 50 hours and 100 hours of light irradiation was not 2:1. It is considered that this is because, on the surface of the semiconductor photoelectrode 13, not the oxidation reaction of water but the degradation reaction of the semiconductor is proceeding simultaneously.
- the current control circuit 16 As described above, by combining the current control circuit 16 with the combination of the semiconductor photoelectrode 13 and the photovoltaic element 15, the amount of hydrogen and oxygen generated by the water decomposition reaction (light energy conversion efficiency) can be extended. .
- the current control circuit 16 for adjusting the amount of current flowing through the conductor is connected to the conductor between the semiconductor photoelectrode 13 and the photovoltaic element 15, the photocurrent generated from the photovoltaic element 15 can be controlled. It can be controlled to be the same as the photocurrent generated from the semiconductor photoelectrode 13 . As a result, the heat generation and deterioration of the semiconductor photoelectrode 13 can be suppressed, the water decomposition reaction by oxidation-reduction using light energy can be driven for a long time, and the life of the oxidation-reduction reaction device can be extended.
- redox reaction apparatus 11 tank 12: aqueous solution 13: semiconductor photoelectrode 14: reduction electrode 15: photovoltaic element 16: current control circuit 17: conducting wire 2: light source
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Abstract
酸化還元反応装置１は、光により水溶液と酸化反応を進行する半導体光電極１３と、前記半導体光電極から導線を介して移動した電子により水溶液又は気体と還元反応を進行する還元電極１４と、前記半導体光電極の受光面の裏側に配置され、前記導線上に接続され、前記半導体光電極を透過した光により発電する光発電素子１５と、前記半導体光電極と前記光発電素子との間の導線上に接続され、前記導線に流れる電流量を制御する電流制御回路１６と、を備える。
Description
本発明は、酸化還元反応装置に関する。
従来、水溶液内で酸化還元反応を進行させて、水の分解反応を生じさせる酸化還元反応装置が知られている。従来の酸化還元反応装置は、一般に半導体光電極と光発電素子を組み合わせて構成される。
半導体光電極による水の分解反応は、水の酸化反応とプロトンの還元反応からなる。半導体光電極を構成する光触媒材料に光を照射すると、光触媒材料内で正孔（h+）と電子（e-）が生成されて分離する。正孔は、半導体光電極の表面に移動し、式（1）に示すように、水の酸化反応に寄与する。一方、電子は、半導体光電極と同じ水溶液内に挿入された還元電極へ導線を介して移動し、式（2）に示すように、プロトン（H+）の還元反応に寄与する。
2H2O+4h+→O2+4H+ …（1）
4H++4e-→2H2 …（2）
上記酸化反応及び還元反応が進行することで、水の分解反応が生じ、目的生成物である水素が生成される。
4H++4e-→2H2 …（2）
上記酸化反応及び還元反応が進行することで、水の分解反応が生じ、目的生成物である水素が生成される。
光発電素子は、半導体光電極の受光面の裏側に配置され、半導体光電極と還元電極との間を接続する導線上に接続される。光発電素子は、半導体光電極を透過した光を受光して正孔と電子を生成し、それぞれを半導体光電極と還元電極に供給する。また、光発電素子は、受光した光により発電して半導体光電極と還元電極との間を昇圧し、酸化還元反応系の起電力を増加させ、酸化還元反応の効率を向上させる。
T. Higashi、外9名、"Transparent Ta3N5 Photoanodes for Efficient Oxygen Evolution toward the Development of Tandem Cells"、Angew. Chem、2019年、131、p.2322-p.2326.
従来の酸化還元反応装置では、光発電素子で起電力を増加させ、酸化還元反応の効率を向上させる。しかしながら、酸化反応を含む半導体光電極の抵抗は光発電素子の抵抗に比べて大きいため、光発電素子で生じた正孔が目的とする水の酸化反応に必要な分量よりも過剰に半導体光電極に供給された場合、半導体光電極の発熱や劣化反応の促進に繋がり、半導体光電極が劣化し、水の分解反応の長時間駆動を阻害する要因となる。半導体光電極として窒化ガリウム（GaN）系薄膜を用いた場合、式（3）に示すような劣化反応が生じる。
2GaN+3H2O+6h+→Ga2O3+6H++N2 …（3）
一方、光発電素子で生じた正孔が目的反応に必要な分量よりも少ない場合、水の分解反応が抑制されてしまう可能性があり、光発電素子の発熱や劣化の促進に繋がるおそれもある。
一方、光発電素子で生じた正孔が目的反応に必要な分量よりも少ない場合、水の分解反応が抑制されてしまう可能性があり、光発電素子の発熱や劣化の促進に繋がるおそれもある。
本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであり、本発明の目的は、半導体光電極の劣化を抑制し、光エネルギーを利用した酸化還元反応を長時間駆動可能な技術を提供することである。
本発明の一態様の酸化還元反応装置は、光により水溶液と酸化反応を進行する半導体光電極と、前記半導体光電極から導線を介して移動した電子により水溶液又は気体と還元反応を進行する還元電極と、前記半導体光電極の受光面の裏側に配置され、前記導線上に接続され、前記半導体光電極を透過した光により発電する光発電素子と、前記半導体光電極と前記光発電素子との間の導線上に接続され、前記導線に流れる電流量を制御する電流制御回路と、を備える。
本発明によれば、半導体光電極の劣化を抑制し、光エネルギーを利用した酸化還元反応を長時間駆動可能な技術を提供できる。
以下、図面を参照して、本発明の実施形態を説明する。図面の記載において同一部分には同一符号を付し説明を省略する。
［発明の概要］
本発明は、半導体光電極と光発電素子との間の導線上に電流量を制御する電流制御回路を設けることで、光発電素子から生じる光電流を半導体光電極から生じる光電流と同じになるように制御する。つまり、電流制御回路により、半導体光電極と光発電素子を組合せて水の分解反応の効率を最大化させつつ、光発電素子で生じた正孔数を半導体光電極で生じる電子数と同程度になるように制御する。これにより、半導体光電極の発熱や劣化を抑制し、光エネルギーを利用した酸化還元による水の分解反応の長時間駆動、酸化還元反応装置の長寿命化を実現する。
本発明は、半導体光電極と光発電素子との間の導線上に電流量を制御する電流制御回路を設けることで、光発電素子から生じる光電流を半導体光電極から生じる光電流と同じになるように制御する。つまり、電流制御回路により、半導体光電極と光発電素子を組合せて水の分解反応の効率を最大化させつつ、光発電素子で生じた正孔数を半導体光電極で生じる電子数と同程度になるように制御する。これにより、半導体光電極の発熱や劣化を抑制し、光エネルギーを利用した酸化還元による水の分解反応の長時間駆動、酸化還元反応装置の長寿命化を実現する。
なお、水の分解反応は、目的反応の一例である。還元電極の金属の種類や還元電極側の槽内の雰囲気を変えることで、水の分解反応以外の反応、つまり水素以外の目的生成物にも適用可能である。すなわち、本発明は、酸化還元反応を進行させる任意の酸化還元反応装置に適用可能である。
［酸化還元反応装置の構成］
図１は、本実施形態に係る酸化還元反応系の構成を示す図である。
図１は、本実施形態に係る酸化還元反応系の構成を示す図である。
当該酸化還元反応系は、酸化還元反応装置１と、光源２と、を備える。光源２は、例えば、キセノンランプ、水銀ランプ、ハロゲンランプ、疑似太陽光源、太陽光、又はこれらを組み合わせた光源である。
酸化還元反応装置１は、槽１１と、水溶液１２と、半導体光電極１３と、還元電極１４と、光発電素子１５と、電流制御回路１６と、導線１７と、を備える。
水溶液１２は、例えば、水酸化ナトリウム水溶液、水酸化カリウム水溶液、塩化ナトリウム水溶液、塩化カリウム水溶液、塩酸である。
半導体光電極１３は、例えば、窒化ガリウム、窒化物半導体である。光触媒機能を有する酸化チタン、酸化タングステン、酸化ガリウム等の金属酸化物、硫化カドミウム等の化合物半導体でもよい。半導体光電極１３は、槽１１内の水溶液１２に挿入され、電流制御回路１６、光発電素子１５及び導線１７を通じて同じ水溶液１２内の還元電極１４に接続される。半導体光電極１３は、自身を構成する光触媒材料に光源２から光が照射されると、光触媒材料内で正孔と電子を生成して分離する。正孔は、半導体光電極１３の表面に移動し、その表面で水の酸化反応を進行する。そのため、半導体光電極１３は、酸化電極として機能する。一方、電子は、電流制御回路１６、光発電素子１５及び導線１７を介して還元電極１４へ移動する。
還元電極１４は、金属、金属化合物であり、例えば、ニッケル、鉄、金、白金、銀、銅、インジウム、チタンである。還元電極１４の形状は、例えば、線体、板体、金網、導電性基板の上に金属粒子が塗布された電極基板である。還元電極１４は、電流制御回路１６、光発電素子１５及び導線１７を介して半導体光電極１３から移動してきた電子により、表面でプロトンの還元反応を進行する。これにより、目的生成物である水素が生成される。
光発電素子１５は、例えば、シリコン系素子、セレン化銅インジウムガリウム系素子、III-V族系素子、テルル化カドミウム系素子、色素増感系素子、有機半導体系素子である。光発電素子１５は、半導体光電極１３の受光面の裏側に配置され、導線１７上に接続される。光発電素子１５は、半導体光電極１３を透過した光を受光して正孔と電子を生成し、それぞれを半導体光電極１３と還元電極１４に供給する。また、光発電素子１５は、受光した光により発電して半導体光電極１３と還元電極１４との間を昇圧し、酸化還元反応系の起電力を増加させ、酸化還元反応の効率を向上させる。
電流制御回路１６は、例えば、定電流ダイオード、各種素子を基板上に配置・接続して構成された回路である。電流制御回路１６は、半導体光電極１３と光発電素子１５との間の導線１７上に接続され、導線１７に流れる電流量を制御する。例えば、電流制御回路１６は、半導体光電極１３を透過した光により光発電素子１５で生じる電流値（光発電素子で生じる正孔数）が、光源２の光により半導体光電極１３で生じる電流値（半導体光電極で生じる電子数）と同じになるように、導線１７に流れる電流量を制御（調整・変更・可変）する。
なお、水の分解反応は、目的反応の一例である。酸化還元反応装置１は、水素以外の目的生成物にも適用可能である。具体的には、還元電極１４の金属の種類（例えば、Ni、Fe、Au、Pt、Ag、Cu、In、Ti、Co、Ru）を変更したり、半導体光電極１３と還元電極１４の各槽を分けて還元電極１４の槽内の雰囲気を気体に変更したり、その気体や水溶液の種類を変更したりすることで、例えば、二酸化炭素の還元反応による炭素化合物の生成、窒素の還元反応によるアンモニアの生成も可能である。
［実施例１］
［半導体光電極の作製］
GaN基板上にn-GaNの半導体薄膜を有機金属気相成長法（MOCVD：Metal Organic Chemical Vapor Deposition）によりエピタキシャル成長させた。n-GaNの膜厚は、2μmとした。キャリア密度は、3×1018cm-3であった。その後、インジウム（In）の組成比を5%としたInGaNを成長させた。InGaNの膜厚は、光を十分に吸収するに足る100nmとした。InGaNの表面に膜厚が約1nmのNiを真空蒸着した。この半導体薄膜を空気中、300℃で1時間熱処理することで、NiOを形成した。NiOの断面を透過型電子顕微鏡（TEM：Transmission Electron Microscope）で観察すると、その膜厚は2nmであった。NiOの光透過率を測定すると、太陽光のうち約400nm以下の光を吸収していることがわかった。
［半導体光電極の作製］
GaN基板上にn-GaNの半導体薄膜を有機金属気相成長法（MOCVD：Metal Organic Chemical Vapor Deposition）によりエピタキシャル成長させた。n-GaNの膜厚は、2μmとした。キャリア密度は、3×1018cm-3であった。その後、インジウム（In）の組成比を5%としたInGaNを成長させた。InGaNの膜厚は、光を十分に吸収するに足る100nmとした。InGaNの表面に膜厚が約1nmのNiを真空蒸着した。この半導体薄膜を空気中、300℃で1時間熱処理することで、NiOを形成した。NiOの断面を透過型電子顕微鏡（TEM：Transmission Electron Microscope）で観察すると、その膜厚は2nmであった。NiOの光透過率を測定すると、太陽光のうち約400nm以下の光を吸収していることがわかった。
［酸化還元反応試験］
InGaNの表面をけがき、露出したn-GaN表面の一部に導線を接続し、Inを用いてはんだ付けした。その後、Inの表面が露出しないようにエポキシ樹脂で被覆した。これを半導体光電極１３として水溶液１２内に設置した。水溶液１２には、1mol/lの水酸化ナトリウム水溶液を用いた。還元電極１４には、白金を用いた。光発電素子１５には、Si系p-n接合半導体からなるものを用いた。
InGaNの表面をけがき、露出したn-GaN表面の一部に導線を接続し、Inを用いてはんだ付けした。その後、Inの表面が露出しないようにエポキシ樹脂で被覆した。これを半導体光電極１３として水溶液１２内に設置した。水溶液１２には、1mol/lの水酸化ナトリウム水溶液を用いた。還元電極１４には、白金を用いた。光発電素子１５には、Si系p-n接合半導体からなるものを用いた。
光発電素子１５は、半導体光電極１３を透過した約400nm以上の光のうち約1100nmまでの光を吸収可能であり、自身が生み出す電流は、半導体光電極１３が生み出す電流に比べて大きい。光発電素子１５単体の短絡電流は、約20mAであった。それぞれの起電力は、光発電素子１５では0.6V、半導体光電極１３では1.2Vであった。
光発電素子１５と半導体光電極１３との間の導線１７上に電流制御回路１６を接続した。電流制御回路１６を用いることで、光発電素子１５から生じる光電流値を、事前に測定していた半導体光電極１３と還元電極１４との間の光電流値（1.0mA（0.6V印加時））と等しくした。
槽１１内に窒素ガスを10ml/minで流し込み、半導体光電極１３の受光面積を1cm2とし、撹拌子とスターラーを用いて250rpmの回転速度で槽底の中心位置で水溶液１２を攪拌した。槽１１内が窒素ガスに十分に置換された後、光源２を上述の手順で作製した半導体光電極１３のNiO形成面に向くように固定した。光源２には300Wの高圧キセノンランプを用い、半導体光電極１３及び光発電素子１５に対して光を均一に照射した。光照射してから10時間後、50時間後、100時間後、200時間後、300時間後に、槽１１内のガスを採取し、ガスクロマトグラフで反応生成物を分析した。その結果、酸素と水素が生成していることを確認した。
［比較対象例１］
比較対象例１では、光発電素子１５と電流制御回路１６を用いないこととした。以降は、実施例１と同様に行った。
比較対象例１では、光発電素子１５と電流制御回路１６を用いないこととした。以降は、実施例１と同様に行った。
［比較対象例２］
比較対象例２では、電流制御回路１６を用いないこととした。以降は、実施例１と同様に行った。
比較対象例２では、電流制御回路１６を用いないこととした。以降は、実施例１と同様に行った。
［比較対象例３］
比較対象例３では、電流制御回路１６を用いて、光発電素子１５から生じる光電流値を、事前に測定していた半導体光電極１３と還元電極１４との間の光電流値（1.0mA）よりも小さくなるように、0.5mAに制御した。以降は、実施例１と同様に行った。
比較対象例３では、電流制御回路１６を用いて、光発電素子１５から生じる光電流値を、事前に測定していた半導体光電極１３と還元電極１４との間の光電流値（1.0mA）よりも小さくなるように、0.5mAに制御した。以降は、実施例１と同様に行った。
［実験結果］
実施例及び比較対象例における、光照射時間に対する酸素・水素ガスの生成量を表１に示す。
実施例及び比較対象例における、光照射時間に対する酸素・水素ガスの生成量を表１に示す。
各ガスの生成量は、半導体光電極１３の表面積で規格化して示した。どの例でも、光照射時に酸素と水素が生成していることがわかった。
実施例１と比較対象例１、２を比較すると、光発電素子１５を組み合わせることでガス生成量が著しく向上することがわかった。
また、実施例１と比較対象例１、３を比較すると、比較対象例３のガス生成量は、実施例１と同様に光発電素子１５を組み合わせているにも関わらず、実施例１とは異なり、比較対象例１と同程度であった。これは、電流制御回路１６によって、光発電素子１５から生じる電流量を半導体光電極１３から生じるものよりも低下させているため、比較対象例３では光発電素子１５による酸化還元反応の効率向上の効果が発現されなかったものと考えられる。
また、実施例１と比較対象例２を比較すると、光照射から10時間後のガス生成量に違いはなかった。一方で、実施例１の場合では300時間後も同様の特性を維持できたにも関わらず、比較対象例２では10時間以降徐々に水素生成量が低下していき、100時間以降にはほぼ失活した。酸素生成量も100時間後にほぼ失活した。比較対象例２の光照射50時間後及び100時間後の水素と酸素の生成比は2:1ではなかった。これは、半導体光電極１３の表面で、水の酸化反応ではなく、半導体の劣化反応が同時に進行しているためだと考えられる。これより、比較対象例２では、半導体光電極１３に過剰に電荷が供給され、半導体光電極１３の発熱や劣化反応を促進したことで、光照射時間の経過とともに反応場が減少したと考えられる。
以上より、半導体光電極１３と光発電素子１５との組み合わせに対して電流制御回路１６を組み合わせることで、水の分解反応による水素・酸素生成量（光エネルギー変換効率）の長寿命化を実現できる。
［効果］
本実施形態によれば、半導体光電極１３と光発電素子１５との間の導線上に、導線に流れる電流量を調整する電流制御回路１６を接続するので、光発電素子１５から生じる光電流を半導体光電極１３から生じる光電流と同じになるように制御できる。これにより、半導体光電極１３の発熱や劣化を抑制し、光エネルギーを利用した酸化還元による水の分解反応の長時間駆動、酸化還元反応装置の長寿命化を実現できる。
本実施形態によれば、半導体光電極１３と光発電素子１５との間の導線上に、導線に流れる電流量を調整する電流制御回路１６を接続するので、光発電素子１５から生じる光電流を半導体光電極１３から生じる光電流と同じになるように制御できる。これにより、半導体光電極１３の発熱や劣化を抑制し、光エネルギーを利用した酸化還元による水の分解反応の長時間駆動、酸化還元反応装置の長寿命化を実現できる。
１：酸化還元反応装置
１１：槽
１２：水溶液
１３：半導体光電極
１４：還元電極
１５：光発電素子
１６：電流制御回路
１７：導線
２：光源
１１：槽
１２：水溶液
１３：半導体光電極
１４：還元電極
１５：光発電素子
１６：電流制御回路
１７：導線
２：光源
Claims (3)
- 光により水溶液と酸化反応を進行する半導体光電極と、
前記半導体光電極から導線を介して移動した電子により水溶液又は気体と還元反応を進行する還元電極と、
前記半導体光電極の受光面の裏側に配置され、前記導線上に接続され、前記半導体光電極を透過した光により発電する光発電素子と、
前記半導体光電極と前記光発電素子との間の導線上に接続され、前記導線に流れる電流量を制御する電流制御回路と、
を備える酸化還元反応装置。 - 前記半導体光電極が吸収する光の波長域は、前記光発電素子が吸収する光の波長域よりも小さい請求項１に記載の酸化還元反応装置。
- 前記電流制御回路は、
前記半導体光電極を透過した光により前記光発電素子で生じる電流値が、光により前記半導体光電極で生じる電流値と同じになるように、前記導線に流れる電流量を制御する請求項１又は２に記載の酸化還元反応装置。
Priority Applications (2)
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Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH10290017A (ja) * | 1997-04-14 | 1998-10-27 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | 光触媒 |
| JP2003504799A (ja) * | 1999-07-05 | 2003-02-04 | エコル ポリテクニク フェデラル ドゥ ローザンヌ （エペエフエル） | 可視光による水開裂用のタンデム電池 |
| JP2007525593A (ja) * | 2003-06-27 | 2007-09-06 | ゼネラル・モーターズ・コーポレーション | 光電気化学装置及び電極 |
| JP2019059996A (ja) * | 2017-09-27 | 2019-04-18 | 株式会社豊田中央研究所 | 人工光合成セル |
-
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- 2021-06-02 WO PCT/JP2021/021037 patent/WO2022254618A1/ja active Application Filing
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JPH10290017A (ja) * | 1997-04-14 | 1998-10-27 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | 光触媒 |
| JP2003504799A (ja) * | 1999-07-05 | 2003-02-04 | エコル ポリテクニク フェデラル ドゥ ローザンヌ （エペエフエル） | 可視光による水開裂用のタンデム電池 |
| JP2007525593A (ja) * | 2003-06-27 | 2007-09-06 | ゼネラル・モーターズ・コーポレーション | 光電気化学装置及び電極 |
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| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| 121 | Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application |
Ref document number: 21944122 Country of ref document: EP Kind code of ref document: A1 |
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| WWE | Wipo information: entry into national phase |
Ref document number: 2023525248 Country of ref document: JP |
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| NENP | Non-entry into the national phase |
Ref country code: DE |
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| 122 | Ep: pct application non-entry in european phase |
Ref document number: 21944122 Country of ref document: EP Kind code of ref document: A1 |