WO2022180727A1 - めっき装置及びめっき装置の気泡除去方法 - Google Patents

めっき装置及びめっき装置の気泡除去方法 Download PDF

Info

Publication number
WO2022180727A1
WO2022180727A1 PCT/JP2021/007024 JP2021007024W WO2022180727A1 WO 2022180727 A1 WO2022180727 A1 WO 2022180727A1 JP 2021007024 W JP2021007024 W JP 2021007024W WO 2022180727 A1 WO2022180727 A1 WO 2022180727A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
plating
substrate
substrate holder
plated
plating solution
Prior art date
Application number
PCT/JP2021/007024
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
一仁 辻
真志 大渕
正 下山
Original Assignee
株式会社荏原製作所
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 株式会社荏原製作所 filed Critical 株式会社荏原製作所
Priority to PCT/JP2021/007024 priority Critical patent/WO2022180727A1/ja
Priority to JP2021530232A priority patent/JP6937972B1/ja
Priority to KR1020217039572A priority patent/KR102401521B1/ko
Priority to US17/624,132 priority patent/US20230295829A1/en
Priority to CN202180003911.8A priority patent/CN115244228B/zh
Publication of WO2022180727A1 publication Critical patent/WO2022180727A1/ja

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D21/00—Processes for servicing or operating cells for electrolytic coating
    • C25D21/10—Agitating of electrolytes; Moving of racks
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D17/00—Constructional parts, or assemblies thereof, of cells for electrolytic coating
    • C25D17/001—Apparatus specially adapted for electrolytic coating of wafers, e.g. semiconductors or solar cells
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D17/00—Constructional parts, or assemblies thereof, of cells for electrolytic coating
    • C25D17/06—Suspending or supporting devices for articles to be coated
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D21/00—Processes for servicing or operating cells for electrolytic coating
    • C25D21/04—Removal of gases or vapours ; Gas or pressure control
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D5/00—Electroplating characterised by the process; Pretreatment or after-treatment of workpieces
    • C25D5/08—Electroplating with moving electrolyte e.g. jet electroplating
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D17/00—Constructional parts, or assemblies thereof, of cells for electrolytic coating
    • C25D17/008—Current shielding devices

Definitions

  • the present invention relates to a plating apparatus and a bubble removing method for the plating apparatus.
  • a so-called cup-type plating apparatus is known as a plating apparatus for plating substrates (see Patent Document 1, for example).
  • a plating apparatus includes a plating bath in which a plating solution is stored and an anode is arranged inside, and a substrate, which is arranged above the anode and serves as a cathode, is held so that the plating surface of the substrate faces downward.
  • a substrate holder that rotates, a rotation mechanism that rotates the substrate holder, and an elevating mechanism that elevates the substrate holder.
  • the substrate holder of such a plating apparatus has a ring projecting downward from the outer peripheral edge of the surface to be plated of the substrate.
  • air bubbles may be generated in the plating solution in the plating tank for some reason.
  • the air bubbles may stay on the plated surface of the substrate.
  • the substrate holder is provided with a ring as described above, it is not easy for the bubbles of the plating solution to climb over the ring, so there is a high possibility that the bubbles will stay on the plated surface of the substrate. In this way, when air bubbles remain on the surface to be plated of the substrate, the accumulated air bubbles may deteriorate the plating quality of the substrate.
  • the present invention has been made in view of the above, and an object of the present invention is to provide a technique capable of suppressing deterioration of the plating quality of a substrate due to air bubbles remaining on the surface to be plated of the substrate.
  • a plating apparatus includes a plating tank that stores a plating solution and has an anode disposed therein, and a substrate that is disposed above the anode and serves as a cathode.
  • a substrate holder having a ring projecting downward from the outer peripheral edge of the surface to be plated of the substrate while holding the substrate so that the surface to be plated of the substrate faces downward; a rotation mechanism for rotating the substrate holder; an elevating mechanism for elevating the substrate holder, wherein at least one protrusion protruding downward is arranged on a portion of the lower surface of the ring.
  • the protrusions can push out the plating solution in the direction of rotation of the substrate holder.
  • a strong plating solution flow (liquid flow) from the central side of the plating surface toward the outer peripheral side can be generated. Due to this strong liquid flow, air bubbles existing on the surface to be plated of the substrate can be made to climb over the ring and be discharged to the outside of the ring. That is, air bubbles existing on the surface to be plated of the substrate can be removed from the surface to be plated. As a result, it is possible to suppress the deterioration of the plating quality of the substrate due to the air bubbles remaining on the surface to be plated of the substrate.
  • the protrusion may be a plate member having an axis extending from the inner peripheral side toward the outer peripheral side of the lower surface of the ring.
  • the rotation mechanism rotates the substrate holder at 100 rpm or more, and when the angle is 20° or more and less than 60° wherein the rotation mechanism rotates the substrate holder at 40 rpm or more, and when the angle is 60° or more and 120° or less, the rotation mechanism rotates the substrate holder at 25 rpm or more, and the angle is greater than 120°;
  • the rotation mechanism rotates the substrate holder at 25 rpm or more, and when the angle is greater than 160° and 180° or less, the rotation mechanism rotates the substrate holder at 100 rpm or more. good.
  • the said rotation mechanism may rotate the said substrate holder at 30 rpm or more.
  • the number of protrusions may be plural. According to this aspect, air bubbles existing on the surface to be plated of the substrate can be effectively removed as compared with the case where the number of projections is one.
  • the number of protrusions is plural, and the plural protrusions are measured from the axis side to the tangential side in the rotation direction of the substrate holder when the substrate holder rotates forward.
  • the angle is 60° or more and 160° or less and a second projection having an angle of 60° or more and 160° or less, wherein the rotation mechanism rotates the substrate holder forward and backward during plating processing for plating the surface to be plated of the substrate. It may be configured to perform each of the operations to be performed at least once.
  • one of the first projection and the second projection is aligned with the "axis of the projection and the inner circumference of the ring.
  • the angle formed with the tangent line of the surface, which is measured from the axis side toward the tangential side in the rotation direction of the substrate holder, is 60° or more and 160° or less.
  • any one of the above modes 1 to 7 includes at least one supply port provided on the outer peripheral wall of the plating tank for supplying a plating solution to the plating tank, and the plating so as to face the supply port. and at least one discharge port provided in the outer peripheral wall of the tank for sucking the plating solution in the plating tank and discharging it from the plating tank, wherein the supply port and the discharge port are supplied from the supply port.
  • the air bubbles generated in the center of the surface to be plated of the substrate can be easily moved toward the outer peripheral side of the surface to be plated by the shear flow. can be done. As a result, the bubbles that have moved to the outer peripheral side can be effectively discharged to the outside of the ring by the protrusions.
  • the center of the surface to be plated is first brought into contact with the liquid, so that the air bubbles existing in the center of the surface to be plated are removed from the outer circumference of the surface to be plated.
  • the surface to be plated can be immersed in the plating solution while letting it escape to the side. As a result, the bubbles that have moved to the outer peripheral side can be effectively discharged to the outside of the ring by the protrusions.
  • the plating apparatus is configured such that the surface to be plated of the substrate contacts the plating solution in a state of being inclined with respect to the horizontal liquid surface of the plating solution in the plating bath.
  • the bubbles existing on the surface to be plated are moved obliquely upward along the surface to be plated by using buoyancy.
  • the plating surface can be immersed in the plating solution.
  • the air bubbles can be effectively moved to the outer peripheral side of the surface to be plated.
  • the bubbles that have moved to the outer peripheral side can be effectively discharged to the outside of the ring by the protrusions.
  • the plating solution in the plating tank is displaced by reciprocating in the horizontal direction, which is arranged above the anode in the plating tank and below the substrate.
  • a stirring paddle may also be provided.
  • the air bubbles present on the surface to be plated of the substrate can be effectively moved to the outer peripheral side of the surface to be plated.
  • the bubbles that have moved to the outer peripheral side can be effectively discharged to the outside of the ring by the protrusions.
  • a method for removing air bubbles in a plating apparatus includes a plating tank that stores a plating solution and that has an anode disposed therein; a substrate holder that holds a substrate as a cathode so that the surface to be plated of the substrate faces downward, and has a ring that protrudes downward from the outer peripheral edge of the surface to be plated of the substrate.
  • the removing method at least one protrusion protruding downward is arranged on a part of the lower surface of the ring, and the bubble removing method includes immersing the surface to be plated of the substrate in a plating solution. rotating the substrate holder while holding it.
  • FIG. 1 is a perspective view showing the overall configuration of a plating apparatus according to an embodiment
  • FIG. 1 is a plan view showing the overall configuration of a plating apparatus according to an embodiment
  • FIG. 1 is a schematic diagram showing the configuration of a plating module in a plating apparatus according to an embodiment
  • FIG. 4 is a schematic cross-sectional view showing how the substrate according to the embodiment is immersed in a plating solution
  • It is a schematic bottom view of the substrate holder according to the embodiment.
  • FIG. 6A is a schematic bottom view of the vicinity of the protrusion of the substrate holder of the plating apparatus according to Modification 1 of the embodiment.
  • FIG. 1 is a perspective view showing the overall configuration of a plating apparatus according to an embodiment
  • FIG. 1 is a plan view showing the overall configuration of a plating apparatus according to an embodiment
  • FIG. 1 is a schematic diagram showing the configuration of a plating module in a plating apparatus according to an embodiment
  • FIG. 4 is a schematic cross-sectional
  • FIG. 6B is a schematic bottom view of the vicinity of the protrusion of the substrate holder of the plating apparatus according to Modification 2 of the embodiment.
  • FIG. 11 is a schematic bottom view of a substrate holder of a plating apparatus according to modification 3 of the embodiment;
  • FIG. 11 is a schematic bottom view of a substrate holder of a plating apparatus according to modification 4 of the embodiment;
  • FIG. 11 is a schematic cross-sectional view of a peripheral configuration of a plating tank of a plating apparatus according to Modification 5 of the embodiment;
  • FIG. 10 is a schematic diagram of a cross section taken along line B1-B1 of FIG. 9;
  • FIG. 11 is a schematic diagram for explaining a plating apparatus according to Modification 6 of the embodiment;
  • FIG. 11 is a schematic bottom view of the vicinity of the protrusion of the substrate holder of the plating apparatus according to Modification 2 of the embodiment.
  • FIG. 11 is a schematic bottom view of a substrate holder of a plating apparatus
  • FIG. 11 is a schematic diagram for explaining a plating apparatus according to Modification 7 of the embodiment;
  • FIG. 11 is a schematic diagram for explaining a plating apparatus according to Modification 8 of the embodiment;
  • FIG. 11 is a schematic diagram for explaining a plating apparatus according to Modification 9 of the embodiment;
  • FIG. 11 is a schematic plan view of a paddle according to Modification 9 of the embodiment;
  • FIG. 1 is a perspective view showing the overall configuration of a plating apparatus 1000 of this embodiment.
  • FIG. 2 is a plan view showing the overall configuration of the plating apparatus 1000 of this embodiment.
  • the plating apparatus 1000 includes a load port 100, a transfer robot 110, an aligner 120, a pre-wet module 200, a pre-soak module 300, a plating module 400, a cleaning module 500, a spin rinse dryer 600, a transfer It comprises an apparatus 700 and a control module 800 .
  • the load port 100 is a module for loading substrates housed in a cassette such as a FOUP (not shown) into the plating apparatus 1000 and for unloading substrates from the plating apparatus 1000 to the cassette. Although four load ports 100 are arranged horizontally in this embodiment, the number and arrangement of the load ports 100 are arbitrary.
  • the transport robot 110 is a robot for transporting substrates, and is configured to transfer substrates between the load port 100 , the aligner 120 and the transport device 700 .
  • the transfer robot 110 and the transfer device 700 can transfer the substrates via a temporary table (not shown) when transferring the substrates between the transfer robot 110 and the transfer device 700 .
  • the aligner 120 is a module for aligning the positions of orientation flats, notches, etc. of the substrate in a predetermined direction. Although two aligners 120 are arranged horizontally in this embodiment, the number and arrangement of the aligners 120 are arbitrary.
  • the pre-wet module 200 replaces the air inside the pattern formed on the substrate surface with the treatment liquid by wetting the surface to be plated of the substrate before the plating treatment with a treatment liquid such as pure water or degassed water.
  • the pre-wet module 200 is configured to perform a pre-wet process that facilitates the supply of the plating solution to the inside of the pattern by replacing the treatment solution inside the pattern with the plating solution during plating. In this embodiment, two pre-wet modules 200 are arranged side by side in the vertical direction, but the number and arrangement of the pre-wet modules 200 are arbitrary.
  • the presoak module 300 for example, an oxide film having a large electric resistance existing on the surface of a seed layer formed on the surface to be plated of the substrate before plating is removed by etching with a treatment liquid such as sulfuric acid or hydrochloric acid, and the surface of the plating base is cleaned.
  • a treatment liquid such as sulfuric acid or hydrochloric acid
  • it is configured to perform a pre-soak process for activation.
  • two presoak modules 300 are arranged side by side in the vertical direction, but the number and arrangement of the presoak modules 300 are arbitrary.
  • the plating module 400 applies plating to the substrate. In this embodiment, there are two sets of 12 plating modules 400 arranged vertically and four horizontally, and a total of 24 plating modules 400 are provided. The number and arrangement of are arbitrary.
  • the cleaning module 500 is configured to perform a cleaning process on the substrate in order to remove the plating solution and the like remaining on the substrate after the plating process.
  • the spin rinse dryer 600 is a module for drying the substrate after cleaning by rotating it at high speed.
  • two spin rinse dryers 600 are arranged side by side in the vertical direction, but the number and arrangement of the spin rinse dryers 600 are arbitrary.
  • the transport device 700 is a device for transporting substrates between a plurality of modules within the plating apparatus 1000 .
  • Control module 800 is configured to control a plurality of modules of plating apparatus 1000 and may comprise, for example, a general purpose or dedicated computer with input/output interfaces to an operator.
  • a substrate accommodated in a cassette is loaded into the load port 100 .
  • the transport robot 110 takes out the substrate from the cassette of the load port 100 and transports the substrate to the aligner 120 .
  • the aligner 120 aligns orientation flats, notches, etc. of the substrate in a predetermined direction.
  • the transport robot 110 transfers the substrate aligned by the aligner 120 to the transport device 700 .
  • the transport device 700 transports the substrate received from the transport robot 110 to the pre-wet module 200 .
  • the pre-wet module 200 pre-wets the substrate.
  • the transport device 700 transports the pre-wet processed substrate to the pre-soak module 300 .
  • the presoak module 300 applies a presoak treatment to the substrate.
  • the transport device 700 transports the presoaked substrate to the plating module 400 .
  • the plating module 400 applies plating to the substrate.
  • the transport device 700 transports the plated substrate to the cleaning module 500 .
  • the cleaning module 500 performs a cleaning process on the substrate.
  • the transport device 700 transports the cleaned substrate to the spin rinse dryer 600 .
  • a spin rinse dryer 600 performs a drying process on the substrate.
  • the transport device 700 delivers the dried substrate to the transport robot 110 .
  • the transport robot 110 transports the substrate received from the transport device 700 to the cassette of the load port 100 . Finally, the cassette containing the substrates is unloaded from the load port 100 .
  • the configuration of the plating apparatus 1000 described with reference to FIGS. 1 and 2 is merely an example, and the configuration of the plating apparatus 1000 is not limited to the configuration of FIGS. 1 and 2.
  • plating module 400 Since the plurality of plating modules 400 of the plating apparatus 1000 according to this embodiment have the same configuration, one plating module 400 will be described.
  • FIG. 3 is a schematic diagram showing the configuration of the plating module 400 in the plating apparatus 1000 according to this embodiment.
  • a plating apparatus 1000 according to this embodiment is a cup-type plating apparatus.
  • a plating module 400 of a plating apparatus 1000 according to this embodiment includes a plating tank 10, an overflow tank 20, a substrate holder 30, a rotating mechanism 40, a tilting mechanism 45, and an elevating mechanism 50.
  • FIG. 3 the cross section of some members (plating tank 10, overflow tank 20, substrate holder 30, etc.) is schematically illustrated.
  • the plating tank 10 is configured by a bottomed container having an opening upward.
  • the plating tank 10 has a bottom wall 10a and an outer peripheral wall 10b extending upward from the outer peripheral edge of the bottom wall 10a, and the upper portion of the outer peripheral wall 10b is open.
  • the shape of the outer peripheral wall 10b of the plating tank 10 is not particularly limited, the outer peripheral wall 10b according to the present embodiment has a cylindrical shape as an example.
  • a plating solution Ps is stored inside the plating tank 10 .
  • the plating solution Ps is not particularly limited as long as it contains ions of the metal elements forming the plating film.
  • a copper plating process is used as an example of the plating process
  • a copper sulfate solution is used as an example of the plating solution Ps.
  • the plating solution Ps contains a predetermined additive.
  • the present invention is not limited to this configuration, and the plating solution Ps may be configured without additives.
  • the plating bath 10 is provided with a plating solution supply port (not shown) for supplying the plating solution Ps to the plating bath 10 .
  • the plating solution supply port according to this embodiment is arranged in the bottom wall 10a of the plating bath 10, and supplies the plating solution Ps upward.
  • “F1" illustrated in FIG. 3 indicates an example of the flow direction of the plating solution Ps supplied from the plating solution supply port.
  • An anode 11 is arranged inside the plating bath 10 .
  • the anode 11 according to the present embodiment is arranged on the bottom wall 10a of the plating tank 10 as an example.
  • a specific type of the anode 11 is not particularly limited, and may be an insoluble anode or a soluble anode.
  • an insoluble anode is used as an example of the anode 11 .
  • a specific type of the insoluble anode is not particularly limited, and platinum, iridium oxide, or the like can be used.
  • the substrate Wf and the anode 11 are electrically connected to an energization device (not shown). This energization device is a device for causing electricity to flow between the substrate Wf and the anode 11 during the plating process.
  • a resistor 12 is arranged above the anode 11 inside the plating tank 10 .
  • the resistor 12 is composed of a porous plate member having a plurality of holes (pores).
  • the resistor 12 is a member provided for uniformizing the electric field formed between the anode 11 and the substrate Wf. By arranging the resistor 12 in the plating bath 10 in this way, it is possible to easily achieve uniform thickness of the plating film (plating layer) formed on the substrate Wf.
  • the resistor 12 is not an essential member for this embodiment, and the plating apparatus 1000 may be configured without the resistor 12 .
  • the overflow tank 20 is composed of a bottomed container arranged outside the plating tank 10 .
  • the overflow bath 20 is provided to temporarily store the plating solution Ps that has exceeded the upper end of the outer peripheral wall 10b of the plating bath 10 (that is, the plating solution Ps that has overflowed from the plating bath 10).
  • the plating solution Ps temporarily stored in the overflow tank 20 is temporarily stored in a reservoir tank (not shown) for the overflow tank 20 after being discharged from an outlet (not shown) for the overflow tank 20. be done.
  • the plating solution Ps stored in this reservoir tank is then pumped by a pump (not shown) and circulated through the plating solution supply port to the plating tank 10 again.
  • the substrate holder 30 is arranged above the anode 11 (further above the resistor 12 in this embodiment).
  • the substrate holder 30 holds the substrate Wf as a cathode so that the surface to be plated Wfa of the substrate Wf faces downward.
  • the substrate holder 30 includes a ring 31 (ring-shaped) provided so as to protrude downward from the outer peripheral edge of the surface to be plated Wfa of the substrate Wf. member) (for a bottom view of the ring 31, see FIG. 5, which will be described later).
  • "h1" illustrated in the A1 partial enlarged view of FIG. 3 indicates the height (projection height) of the ring 31.
  • the lower surface 31a of the ring 31 is substantially a plane (a plane extending in the horizontal direction), but the configuration is not limited to this.
  • the lower surface 31a of the ring 31 may be inclined with respect to the horizontal direction.
  • the material of the substrate holder 30 (including the ring 31) is not particularly limited, polyvinyl chloride (PVC) is used as an example in this embodiment.
  • a sealing member (not shown) is arranged between the substrate holder 30 and the substrate Wf to prevent the plating solution Ps from entering the gap between the substrate holder 30 and the substrate Wf. good too. That is, in this case, the substrate holder 30 holds the substrate Wf via the seal member.
  • Fluororubber (FKM) or the like can be used as the material of the sealing member.
  • the substrate holder 30 is connected to the rotation mechanism 40.
  • the rotating mechanism 40 is a mechanism for rotating the substrate holder 30 .
  • the rotation mechanism 40 according to this embodiment is configured to rotate the substrate holder 30 in the forward rotation direction (R1).
  • the forward rotation direction (R1) of the rotation directions of the substrate holder 30 is, for example, the clockwise direction when the substrate holder 30 is viewed from above (or viewed from above).
  • a specific type of the rotating mechanism 40 is not particularly limited, and for example, a known rotating motor or the like can be used.
  • the tilting mechanism 45 is a mechanism for tilting the substrate holder 30 with respect to the horizontal plane. Specifically, the tilting mechanism 45 according to the present embodiment tilts the substrate holder 30 by tilting the rotating mechanism 40 .
  • a tilting mechanism 45 for example, a known tilting mechanism such as a piston/cylinder can be used.
  • the lifting mechanism 50 is supported by a vertically extending support shaft 51 .
  • the elevating mechanism 50 is a mechanism for elevating the substrate holder 30, the rotating mechanism 40, and the tilting mechanism 45 in the vertical direction.
  • a known lifting mechanism such as a linear actuator can be used.
  • a control module 800 controls the operation of the plating module 400 .
  • This control module 800 has a microcomputer, and this microcomputer has a CPU (Central Processing Unit) as a processor, a storage device as a non-temporary storage medium, and the like.
  • the control module 800 controls the controlled parts of the plating module 400 (for example, the rotating mechanism 40, the tilting mechanism 45, the lifting mechanism 50, etc.) by operating the CPU as a processor based on the instructions of the program stored in the storage device. controls the behavior of
  • FIG. 4 is a schematic cross-sectional view showing how the substrate Wf is immersed in the plating solution Ps.
  • the rotation mechanism 40 rotates the substrate holder 30, and the elevating mechanism 50 moves the substrate holder 30 downward to move the substrate Wf to the plating tank. It is immersed in 10 plating solutions Ps.
  • the substrate holder 30 may rotate before the surface Wfa of the substrate Wf to be plated contacts the plating solution Ps, or may rotate after the surface Wfa contacts the plating solution Ps.
  • the tilting mechanism 45 may tilt the substrate holder 30 as necessary during the plating process.
  • bubbles (Bu: this symbol is illustrated in FIG. 5 to be described later) may be generated in the plating solution Ps in the plating tank 10.
  • oxygen O 2
  • the generated oxygen can become bubbles.
  • the present embodiment uses the technique described below.
  • FIG. 5 is a schematic bottom view of the substrate holder 30 viewed from below.
  • at least one protrusion 35 protruding downward is arranged on a part of the lower surface 31a of the ring 31 according to the present embodiment. It is The number of protrusions 35 may be one or plural, but as an example, the number of protrusions 35 according to the present embodiment is one.
  • the rotation mechanism 40 rotates the substrate holder 30 while the surface to be plated Wfa of the substrate Wf is immersed in the plating solution Ps, the projections 35 push out the plating solution Ps in the rotation direction of the substrate holder 30.
  • the protrusion 35 is configured by a plate member having an axis line AL1 extending from the inner peripheral side toward the outer peripheral side of the lower surface 31a of the ring 31.
  • AL1 axis line
  • the projection 35 has a rectangular shape with the direction of the axis AL1 as the longitudinal direction when viewed from the bottom. ing.
  • the substrate holder 30 rotates while the surface to be plated Wfa of the substrate Wf is immersed in the plating solution Ps.
  • a strong flow (liquid flow) of the plating solution Ps from the central side to the outer peripheral side of the surface to be plated Wfa of the substrate Wf can be generated. Due to this strong liquid flow, bubbles (Bu) existing on the plating surface Wfa of the substrate Wf can be made to climb over the ring 31 and be discharged to the outside of the ring 31 ("F2" in FIG. is a line showing an example of the flow direction of ).
  • the substrate Wf is changed when "the number of rotations of the substrate holder 30" and "the angle ⁇ between the axis AL1 of the projection 35 and the tangential line TL of the inner peripheral surface 31b of the ring 31" are changed.
  • the degree of removal of air bubbles from the plating surface Wfa was confirmed by experiment.
  • the “angle ⁇ ” formed by the axis AL1 and the tangential line TL is specifically defined as “the rotation direction of the substrate holder 30 when the substrate holder 30 rotates in one direction (in this embodiment, when it rotates forward). when measured from the side of the axis AL1 toward the side of the tangential line TL. The results of this experiment will be explained below.
  • the plating apparatus 1000 used in the experiment is the plating apparatus 1000 exemplified in FIGS. 5 mm, and the horizontal distance (d) between the inner peripheral surface 31b of the ring 31 and the protrusion 35 was 0.5 mm.
  • the substrate Wf held by the substrate holder 30 is immersed in the plating solution Ps of the plating bath 10, 0.1 ml of air bubbles are retained on the surface to be plated Wfa of the substrate Wf, and then the substrate holder 30 is rotated forward by the rotating mechanism 40. It was rotated in the direction shown in Table 1 (rotations per minute: rpm). At this time, the degree of removal of air bubbles from the surface to be plated Wfa of the substrate Wf was visually measured.
  • Table 1 shows the measurement results.
  • the rotation speed of the substrate holder 30 shown in Table 1 ranges from low speed (10 rpm) to high speed (100 rpm). Also, when the number of rotations of the substrate holder 30 was greater than 100 rpm, the same results as when the number of rotations was 100 rpm were obtained. Therefore, presentation of measurement results when the number of revolutions is greater than 100 rpm is omitted.
  • the substrate holder 30 when the angle ⁇ is 0° or more and less than 20°, it is preferable in that an evaluation of "C" or higher is obtained when the substrate holder 30 rotates at 100 rpm or more.
  • the substrate holder 30 when the angle ⁇ is 20° or more and less than 60°, the substrate holder 30 preferably rotates at 40 rpm or more, and when the angle ⁇ is 60° or more and 120° or less, the substrate holder 30 rotates at 25 rpm or more.
  • the angle ⁇ is greater than 120° and 160° or less
  • the substrate holder 30 preferably rotates at 25 rpm or more, and when the angle ⁇ is greater than 160° and 180° or less, the substrate holder 30 rotates at 100 rpm or more. It is preferable to rotate at
  • the angle ⁇ of the protrusion 35 in FIG. 5 described above is in the range of 60° or more and 160° or less, specifically, in the range of 120° or more and 160° or less.
  • the angle ⁇ when the angle ⁇ is in the range of 60° or more and 160° or less, the effect of removing air bubbles is higher when the rotational speed of the substrate holder 30 is 30 rpm or more than when it is less than 30 rpm.
  • the rotation speed of the substrate holder 30 is preferably 30 rpm or more.
  • the bubble removing method for the plating apparatus is implemented by the plating apparatus 1000 described above. Therefore, in order to avoid duplication of explanation, a detailed explanation of this bubble removal method is omitted.
  • FIG. 6A is a schematic bottom view of a portion (A2 portion) near the protrusion 35A of the substrate holder 30A of the plating apparatus 1000A according to Modification 1 of the embodiment.
  • 35 A of protrusions which concern on this modification have a triangular shape by the bottom view.
  • the projection 35A according to this modification has a vertex in the direction of the inner circumference of the ring 31 in the direction of the axis AL1, and the width increases from this vertex toward the outer circumference of the ring 31. It has a triangular shape like Also in this modified example, it is possible to obtain the same effects as those of the above-described embodiment.
  • FIG. 6B is a schematic bottom view of a portion (A2 portion) near the protrusion 35B of the substrate holder 30B of the plating apparatus 1000B according to Modification 2 of the embodiment.
  • the protrusion 35B according to this modification has a rhombic (or parallelogram) shape in a bottom view.
  • the projection 35B according to this modification has a rhombus (or parallelogram) shape whose length in the direction of the axis AL1 is longer than the length in the direction perpendicular to the axis AL1. Also in this modified example, it is possible to obtain the same effects as those of the above-described embodiment.
  • FIGS. 6A and 6B are merely examples of other shapes of the protrusions 35, and other shapes of the protrusions 35 are not limited to these.
  • FIG. 7 is a schematic bottom view of a substrate holder 30C of a plating apparatus 1000C according to modification 3 of the embodiment. Note that FIG. 7 schematically illustrates portions similar to those in FIG. 5 described above. A substrate holder 30C according to this modification differs from the substrate holder 30 of FIG.
  • the plurality of projections 35 according to this modification are arranged on the lower surface 31a of the ring 31 at regular intervals. More specifically, the plurality of protrusions 35 are arranged at intervals of 45° in the circumferential direction of the lower surface 31a of the ring 31 .
  • the angle ⁇ of each projection 35 is in the range of 60° or more and 160° or less, as in the case of FIG. It's in range.
  • the number of the plurality of protrusions 35 is not limited to four as described above, and may be less than or more than four. Further, the shape of each protrusion 35 is not limited to the rectangular shape illustrated in FIG. good too.
  • the number of projections 35 is plural, the frequency of alignment between the bubbles present on the plating surface Wfa of the substrate Wf and the projections 35 is reduced compared to the case where the number of projections 35 is one. can be increased. As a result, air bubbles existing on the surface to be plated Wfa can be effectively discharged to the outside of the ring 31 and removed effectively.
  • FIG. 8 is a schematic bottom view of a substrate holder 30D of a plating apparatus 1000D according to modification 4 of the embodiment.
  • a substrate holder 30D according to this modified example differs from the substrate holder 30 of FIG. 5 in that it has a first protrusion 36 and a second protrusion 37 as a plurality of protrusions.
  • the first protrusion 36 has the same configuration as the protrusion 35 of FIG. 5 described above.
  • the first projection 36 is defined as an angle between the axis AL1 and the tangent TL, which is the rotation direction of the substrate holder 30D when the substrate holder 30D rotates forward, from the axis AL1 toward the tangent TL. It is a protrusion configured so that the angle ⁇ when measured is 60° or more and 160° or less.
  • the “angle ⁇ ” of the first projection 36 according to this modification is in the range of greater than 120° and less than or equal to 160°.
  • the second protrusion 37 is defined as "the angle formed by the axis AL1 and the tangent TL, which is measured from the axis AL1 toward the tangent TL in the direction of rotation of the substrate holder 30D when the substrate holder 30D is reversed.
  • the projection is configured such that the angle ⁇ 2′ when the Specifically, the “angle ⁇ 2” of the second projection 37 according to this modification is in the range of greater than 120° and less than or equal to 160°.
  • the rotation mechanism 40 rotates the substrate holder 30D forward (R1) and reverse (-R1) at least once each during the plating process.
  • the rotation mechanism 40 may rotate the substrate holder 30D in the normal direction for a predetermined time and then rotate it in the reverse direction during the plating process, or may rotate the substrate holder 30D in the normal direction for the predetermined time and then rotate it in the normal direction.
  • forward and reverse rotation (or reverse and forward rotation) of the substrate holder 30D may be repeated multiple times.
  • the angle measured from the side of the axis AL1 toward the side of the tangential line TL in the rotation direction of the substrate holder 30D is 60° or more and 160° or less.
  • the “angle ⁇ ” of the first projections 36 becomes 60° or more and 160° or less.
  • the “angle ⁇ 2” of the second projection 37 is 60° or more and 160° or less.
  • the angle of the projection arranged on the ring 31 does not become 60° or more and 160° or less (that is, the angle of this projection is less than 60° or 160°). ), a high bubble removal effect can be obtained over a wide range of rotation speeds of the substrate holder 30 .
  • FIG. 9 is a schematic cross-sectional view of the peripheral configuration of the plating tank 10 of the plating apparatus 1000E according to Modification 5 of the embodiment.
  • FIG. 10 is a diagram schematically showing a B1-B1 line cross section of FIG.
  • the plating apparatus 1000E according to this modification differs from the plating apparatus 1000 (FIG. 3) according to the above-described embodiment in that it further includes at least one supply port 60 and at least one discharge port 61.
  • the plating apparatus 1000E according to this modification includes a plurality of supply ports 60 and a plurality of discharge ports 61, respectively.
  • the supply port 60 is provided in the outer peripheral wall 10b of the plating tank 10 and is configured to supply the plating solution Ps to the plating tank 10.
  • the discharge port 61 is provided in the outer peripheral wall 10b of the plating tank 10 so as to face the supply port 60. As shown in FIG. Further, the discharge port 61 is configured to suck the plating solution Ps in the plating tank 10 and discharge it from the plating tank 10 .
  • the supply port 60 and the discharge port 61 suck the plating solution Ps supplied from the supply port 60, so that the supply port 60 and the discharge port 61 are arranged below the surface to be plated Wfa of the substrate Wf in the plating tank 10 along the surface to be plated Wfa.
  • a shear flow (F3) of the plating solution Ps is formed.
  • the supply port 60 and the discharge port 61 according to this modification are arranged above the resistor 12 inside the plating tank 10 .
  • the supply port 60 according to this modified example is arranged over the entire circumference on one side of the axis AL2 (the line indicating the central axis) of the outer peripheral wall 10b of the plating bath 10 .
  • the discharge port 61 is arranged over the entire circumference of the outer peripheral wall 10b of the plating bath 10 on the other side of the axis AL2.
  • the supply port 60 is arranged over a half circumference portion of the outer peripheral wall 10b, and the discharge port 61 is arranged over the other half circumference portion of the outer peripheral wall 10b.
  • a partition 62a is provided between the adjacent supply ports 60, and a partition 62b is provided between the adjacent discharge ports 61 as well.
  • upstream portions of the plurality of supply ports 60 are merged, and this merged portion is referred to as a merged port 63a.
  • downstream portions of the plurality of discharge ports 61 are merged, and this merged portion is referred to as a confluence port 63b.
  • the configurations of the supply port 60 and the discharge port 61 are not limited to this. For example, a configuration in which the upstream sides of the plurality of supply ports 60 do not merge, and a configuration in which the downstream sides of the plurality of discharge ports 61 do not merge are also possible.
  • the number of supply ports 60 and discharge ports 61 is not limited to a plurality as long as the shear flow (F3) can be formed.
  • the plating apparatus 1000E may be configured to have only one supply port 60 and one discharge port 61, respectively.
  • the partition 62a and the partition 62b may not be provided. That is, in this case, in FIG. 10, by eliminating the partition wall 62a, adjacent supply ports 60 are connected to form one large supply port. Similarly, by eliminating the partition wall 62b, adjacent discharge ports 61 are connected to form one large discharge port.
  • the start timing of the supply of the plating solution Ps from the supply port 60 and the start timing of the suction of the plating solution Ps from the discharge port 61 may be at least at the start of execution of the plating process.
  • the period of time is not particularly limited.
  • the supply and suction of the plating solution Ps may be started before the substrate Wf is brought into contact with the plating solution Ps, and the plating process is started after the substrate Wf is immersed in the plating solution Ps.
  • the supply and suction of the plating solution Ps may be started during this period.
  • this modified example may further include the features of any one of the above-described modified examples 1 to 4.
  • FIG. 11 is a schematic diagram for explaining a plating apparatus 1000F according to Modification 6 of the embodiment.
  • the plating bath 10 is arranged such that the liquid surface of the plating solution Ps in the center of the plating bath 10 swells upward. and a flow mechanism 70 configured to flow the plating solution Ps.
  • Other configurations are the same as those of the plating apparatus 1000 according to the above-described embodiment.
  • the flow mechanism 70 is arranged at the center of the bottom wall 10a of the plating tank 10, and is composed of a discharge port for discharging the plating solution Ps upward.
  • a discharge port for discharging the plating solution Ps upward.
  • the elevating mechanism 50 lowers the substrate holder 30 while the liquid surface of the plating solution Ps in the center of the plating tank 10 is raised upward. As a result, the center of the surface to be plated Wfa of the substrate Wf can be brought into contact with the plating solution Ps before the outer edge of the surface to be plated Wfa.
  • the substrate holder 30 may rotate before the surface to be plated Wfa of the substrate Wf comes into contact with the plating solution Ps, or may rotate after the surface to be plated Wfa comes into contact with the plating solution Ps. You may
  • the resistor 12 is arranged in the plating tank 10, but it is also possible to adopt a configuration in which the resistor 12 is not arranged in the plating tank 10, as in the above-described embodiment.
  • the resistor 12 when the resistor 12 is not arranged in the plating bath 10, it is easier to raise the liquid surface of the plating solution Ps in the center of the plating bath 10 compared to the case where it is arranged. It can be carried out.
  • the center of the surface to be plated Wfa can be brought into contact with the liquid first.
  • the surface to be plated Wfa can be immersed in the plating solution Ps while releasing the air bubbles to the outer peripheral side of the surface to be plated Wfa.
  • the bubbles that have moved to the outer peripheral side can be effectively discharged to the outside of the ring 31 by the protrusions 35 .
  • this modified example may further include the features of any one of the above-described modified examples 1 to 4.
  • FIG. 12 is a schematic diagram for explaining a plating apparatus 1000G according to Modification 7 of the embodiment.
  • the plating apparatus 1000G according to the present modification is configured such that the surface to be plated Wfa of the substrate Wf contacts the plating solution Ps in the plating bath 10 in an inclined state with respect to the horizontal liquid surface. It is different from the plating apparatus 1000 according to the embodiment described above.
  • the plating apparatus 1000G realizes the above-described configuration by means of the tilt mechanism 45. More specifically, the tilting mechanism 45 of the plating apparatus 1000G tilts the substrate holder 30 with respect to the horizontal plane while the surface Wfa of the substrate Wf to be plated is positioned above the liquid surface of the plating solution Ps. . Next, with the substrate holder 30 tilted as described above, the elevating mechanism 50 lowers the substrate holder 30 to immerse the surface to be plated Wfa of the substrate Wf in the plating solution Ps.
  • the substrate holder 30 may rotate before the surface Wfa of the substrate Wf to be plated contacts the plating solution Ps, or may rotate after the surface Wfa contacts the plating solution Ps.
  • the air bubbles existing on the surface to be plated Wfa are moved obliquely upward along the surface to be plated Wfa using buoyancy.
  • the surface to be plated Wfa can be immersed in the plating solution Ps.
  • the air bubbles can be effectively moved to the outer peripheral side of the surface to be plated Wfa.
  • the protrusions 35 can effectively discharge the air bubbles that have moved to the outer peripheral side to the outside of the ring 31 .
  • this modified example may further include the features of any one of the above-described modified examples 1 to 4.
  • FIG. 13 is a schematic diagram for explaining a plating apparatus 1000H according to Modification 8 of the embodiment.
  • the plating apparatus 1000H is installed in advance in a state inclined with respect to the horizontal surface, so that the surface to be plated Wfa of the substrate Wf is the horizontal liquid surface of the plating solution Ps in the plating tank 10. It is configured to come into contact with the liquid in a state inclined with respect to the In other words, at least the substrate holder 30 and the plating tank 10 of the plating apparatus 1000H according to this modification are installed in a state of being preliminarily inclined with respect to the horizontal plane.
  • this modification differs from the plating apparatus 1000G according to the seventh modification described above. It should be noted that the plating apparatus 1000H does not have to include the tilting mechanism 45 in this modified example.
  • this modified example may further include the features of any one of the above-described modified examples 1 to 4.
  • FIG. 14 is a schematic diagram for explaining a plating apparatus 1000I according to Modification 9 of the embodiment.
  • a plating apparatus 1000I according to this modification differs from the plating apparatus 1000 according to the above-described embodiment in that a paddle 80 is further provided.
  • the paddle 80 is arranged above the anode 11 and below the substrate Wf. Specifically, since the resistor 12 is arranged above the anode 11 in the plating tank 10 according to this modification, the paddle 80 is arranged above the resistor 12 and below the substrate Wf. ing. The paddle 80 is horizontally reciprocated by being driven by a paddle driving device (not shown). As a result, the plating solution Ps in the plating tank 10 is stirred. Note that "mv" shown in the figure is a code indicating an example of the movement direction of the paddle 80. As shown in FIG.
  • FIG. 15 is a schematic plan view showing the paddle 80 viewed from above.
  • the paddle 80 according to this modification connects a plurality of stirring members 81 extending in a direction perpendicular to the reciprocating direction of the paddle 80 and one end of the plurality of stirring members 81 in the extending direction.
  • a connecting member 82a and a connecting member 82b that connects ends on the other side in the extending direction of the plurality of stirring members 81 are provided.
  • the paddle 80 particularly the stirring member 81, stirs the plating solution Ps.
  • the start timing of the reciprocating movement of the paddle 80 is not particularly limited as long as the reciprocating movement is started at least during the plating process.
  • the paddle 80 may start reciprocating before the substrate Wf comes into contact with the plating solution Ps.
  • the paddle 80 may start reciprocating after the substrate Wf is brought into contact with the plating solution Ps and before the plating process is started (before energization of the substrate Wf is started).
  • the plating solution Ps is agitated by the paddle 80, so that the air bubbles existing on the surface to be plated Wfa of the substrate Wf can be effectively moved to the outer peripheral side of the surface to be plated Wfa.
  • the bubbles that have moved to the outer peripheral side can be effectively discharged to the outside of the ring 31 by the protrusions 35 .
  • this modified example may further include the features of any one of the above-described modified examples 1 to 4.

Abstract

基板の被めっき面に滞留した気泡に起因して基板のめっき品質が悪化することを抑制することができる技術を提供する。　めっき装置１０００は、めっき液を貯留するとともに、内部にアノード１１が配置されためっき槽１０と、アノードよりも上方に配置されて、カソードとしての基板を基板の被めっき面が下方を向くように保持するとともに、基板の被めっき面の外周縁よりも下方に突出したリング３１を有する基板ホルダ３０と、基板ホルダを回転させる回転機構４０と、基板ホルダを昇降させる昇降機構５０と、を備え、リングの下面の一部には、下方側に向けて突出した少なくとも１つの突起３５が配置されている。

Description

めっき装置及びめっき装置の気泡除去方法
　本発明は、めっき装置及びめっき装置の気泡除去方法に関する。
　従来、基板にめっき処理を施すめっき装置として、いわゆるカップ式のめっき装置が知られている（例えば、特許文献１参照）。このようなめっき装置は、めっき液を貯留するとともに内部にアノードが配置されためっき槽と、アノードよりも上方に配置されて、カソードとしての基板を、基板のめっき面が下方を向くように保持する基板ホルダと、基板ホルダを回転させる回転機構と、基板ホルダを昇降させる昇降機構と、を備えている。また、このようなめっき装置の基板ホルダは、基板の被めっき面の外周縁よりも下方に突出したリングを有している。
特開２００８－１９４９６号公報
　上述したような、カップ式のめっき装置において、何らかの原因により、めっき槽のめっき液に気泡が発生することがある。この場合、この気泡が、基板の被めっき面に滞留するおそれがある。特に、基板ホルダに上述したようなリングが設けられている場合、めっき液の気泡がリングを乗り越えることが容易でないため、気泡が基板の被めっき面に滞留する可能性が高くなる。このように、気泡が基板の被めっき面に滞留した場合、この滞留した気泡に起因して基板のめっき品質が悪化するおそれがある。
　本発明は、上記のことを鑑みてなされたものであり、基板の被めっき面に滞留した気泡に起因して基板のめっき品質が悪化することを抑制することができる技術を提供することを目的の一つとする。
（態様１）
　上記目的を達成するため、本発明の一態様に係るめっき装置は、めっき液を貯留するとともに、内部にアノードが配置されためっき槽と、前記アノードよりも上方に配置されて、カソードとしての基板を前記基板の被めっき面が下方を向くように保持するとともに、前記基板の前記被めっき面の外周縁よりも下方に突出したリングを有する基板ホルダと、前記基板ホルダを回転させる回転機構と、前記基板ホルダを昇降させる昇降機構と、を備え、前記リングの下面の一部には、下方側に向けて突出した少なくとも１つの突起が配置されている。
　この態様によれば、基板の被めっき面がめっき液に浸漬された状態で基板ホルダが回転することで、突起によってめっき液を基板ホルダの回転方向に押し出すことができ、これにより、基板の被めっき面の中央側から外周側に向かう強いめっき液の流れ（液流れ）を生じさせることができる。この強い液流れによって、基板の被めっき面に存在する気泡を、リングを乗り越えさせて、リングの外側に排出させることができる。すなわち、基板の被めっき面に存在する気泡を被めっき面から除去することができる。これにより、基板の被めっき面に滞留した気泡に起因して基板のめっき品質が悪化することを抑制することができる。
（態様２）
　上記の態様１において、前記突起は、前記リングの下面における内周側から外周側に向けて延在する軸線を有する板部材によって構成されていてもよい。
（態様３）
　上記の態様２において、前記突起の軸線と前記リングの内周面の接線とのなす角度であって、前記基板ホルダが一方向に回転した場合における前記基板ホルダの回転方向で前記軸線の側から前記接線の側に向かって計測したときの前記角度が、０°以上２０°未満の場合は、前記回転機構は前記基板ホルダを１００ｒｐｍ以上で回転させ、前記角度が２０°以上６０°未満の場合は、前記回転機構は前記基板ホルダを４０ｒｐｍ以上で回転させ、前記角度が６０°以上１２０°以下の場合は、前記回転機構は前記基板ホルダを２５ｒｐｍ以上で回転させ、前記角度が１２０°より大きく１６０°以下の場合は、前記回転機構は前記基板ホルダを２５ｒｐｍ以上で回転させ、前記角度が１６０°より大きく１８０°以下の場合は、前記回転機構は前記基板ホルダを１００ｒｐｍ以上で回転させてもよい。
（態様４）
　上記の態様３において、前記角度は、６０°以上１６０°以下であってもよい。
（態様５）
　上記の態様４において、前記回転機構は前記基板ホルダを３０ｒｐｍ以上で回転させてもよい。
（態様６）
　上記の態様１～５のいずれか１態様において、前記突起の個数は複数であってもよい。この態様によれば、突起の個数が１つの場合に比較して、基板の被めっき面に存在する気泡を効果的に除去することができる。
（態様７）
　上記の態様３において、前記突起の個数は複数であり、複数の前記突起は、前記基板ホルダが正転した場合における前記基板ホルダの回転方向で前記軸線の側から前記接線の側に向かって計測したときの前記角度が６０°以上１６０°以下である第１突起と、前記基板ホルダが逆転した場合における前記基板ホルダの回転方向で前記軸線の側から前記接線の側に向かって計測したときの前記角度が６０°以上１６０°以下である第２突起と、を含み、前記回転機構は、前記基板の前記被めっき面にめっき処理を施すめっき処理時に、前記基板ホルダを正転させること及び逆転させることを、それぞれ少なくとも１回は行うように構成されていてもよい。
　この態様によれば、めっき処理時において基板ホルダが回転した場合に（正転及び逆転した場合に）、第１突起及び第２突起のうちいずれか一方は、「突起の軸線とリングの内周面の接線とのなす角度であって、基板ホルダの回転方向で軸線の側から接線の側に向かって計測したときの角度」が６０°以上１６０°以下になる。
（態様８）
　上記の態様１～７のいずれか１態様は、前記めっき槽の外周壁に設けられて、前記めっき槽にめっき液を供給する少なくとも一つの供給口と、前記供給口に対向するように前記めっき槽の前記外周壁に設けられて、前記めっき槽のめっき液を吸い込んで前記めっき槽から排出させる少なくとも一つの排出口と、をさらに備え、前記供給口及び前記排出口は、前記供給口から供給されためっき液を前記排出口が吸い込むことで、前記めっき槽における前記基板の前記被めっき面の下方に、前記被めっき面に沿っためっき液の剪断流を形成させるように構成されていてもよい。
　この態様によれば、基板の被めっき面がめっき液に浸漬された場合に、基板の被めっき面の中央に発生した気泡を剪断流によって被めっき面の外周側に向けて移動させることが容易にできる。これにより、この外周側に移動した気泡を突起によってリングの外側に効果的に排出させることができる。
（態様９）
　上記の態様１～７のいずれか１態様は、前記基板の前記被めっき面がめっき液に浸漬される前において、前記めっき槽の中央のめっき液の液面が上方に盛り上がるように、前記めっき槽のめっき液を流動させる流動機構をさらに備え、前記昇降機構は、前記めっき槽の中央のめっき液の液面が上方に盛り上がった状態で、前記基板ホルダを下降させることで、前記基板の前記被めっき面の中央を前記被めっき面の外周縁よりも先にめっき液に接液させてもよい。
　この態様によれば、基板の被めっき面のめっき液への接液時において、被めっき面の中央を先に接液させることで、被めっき面の中央に存在する気泡を被めっき面の外周側に逃がしながら、被めっき面をめっき液に浸漬させることができる。この結果、この外周側に移動した気泡を突起によってリングの外側に効果的に排出させることができる。
（態様１０）
　上記の態様１～７のいずれか１態様において、前記めっき装置は、前記基板の前記被めっき面が前記めっき槽のめっき液の水平な液面に対して傾斜した状態で接液するように構成されていてもよい。
　この態様によれば、基板の被めっき面のめっき液への接液時において、被めっき面に存在する気泡を、浮力を利用して、被めっき面に沿って斜め上方に移動させながら、被めっき面をめっき液に浸漬させることができる。これにより、被めっき面の外周側に気泡を効果的に移動させることができる。この結果、この外周側に移動した気泡を突起によってリングの外側に効果的に排出させることができる。
（態様１１）
　上記の態様１～７のいずれか１態様は、前記めっき槽における前記アノードよりも上方、且つ、前記基板よりも下方に配置されて、水平方向に往復移動することで前記めっき槽のめっき液を攪拌するパドルをさらに備えていてもよい。
　この態様によれば、パドルによってめっき液が撹拌されることで、基板の被めっき面に存在する気泡を被めっき面の外周側に効果的に移動させることができる。これにより、この外周側に移動した気泡を突起によってリングの外側に効果的に排出させることができる。
（態様１２）
　上記目的を達成するため、本発明の一態様に係るめっき装置の気泡除去方法は、めっき液を貯留するとともに、内部にアノードが配置されためっき槽と、前記アノードよりも上方に配置されて、カソードとしての基板を前記基板の被めっき面が下方を向くように保持するとともに、前記基板の前記被めっき面の外周縁よりも下方に突出したリングを有する基板ホルダと、を備えるめっき装置の気泡除去方法であって、前記リングの下面の一部には、下方側に向けて突出した少なくとも１つの突起が配置され、前記気泡除去方法は、前記基板の前記被めっき面をめっき液に浸漬させた状態で前記基板ホルダを回転させることを含む。
　この態様によれば、基板の被めっき面に滞留した気泡に起因して基板のめっき品質が悪化することを抑制することができる。
実施形態に係るめっき装置の全体構成を示す斜視図である。 実施形態に係るめっき装置の全体構成を示す平面図である。 実施形態に係るめっき装置におけるめっきモジュールの構成を示す模式図である。 実施形態に係る基板がめっき液に浸漬された様子を示す模式的断面図である。 実施形態に係る基板ホルダの模式的下面図である。 図６（Ａ）は実施形態の変形例１に係るめっき装置の基板ホルダの突起の近傍部分の模式的下面図である。図６（Ｂ）は実施形態の変形例２に係るめっき装置の基板ホルダの突起の近傍部分の模式的下面図である。 実施形態の変形例３に係るめっき装置の基板ホルダの模式的下面図である。 実施形態の変形例４に係るめっき装置の基板ホルダの模式的下面図である。 実施形態の変形例５に係るめっき装置のめっき槽の周辺構成の模式的断面図である。 図９のＢ１－Ｂ１線断面の模式図である。 実施形態の変形例６に係るめっき装置を説明するための模式図である。 実施形態の変形例７に係るめっき装置を説明するための模式図である。 実施形態の変形例８に係るめっき装置を説明するための模式図である。 実施形態の変形例９に係るめっき装置を説明するための模式図である。 実施形態の変形例９に係るパドルの模式的平面図である。
（実施形態）
　以下、本発明の実施形態について、図面を参照しつつ説明する。なお、以下の実施形態や後述する実施形態の変形例では、同一又は対応する構成について、同一の符号を付して説明を適宜省略する場合がある。また、図面は、構成要素の特徴の理解を容易にするために模式的に図示されており、各構成要素の寸法比率等は実際のものと同じであるとは限らない。また、いくつかの図面には、参考用として、Ｘ－Ｙ－Ｚの直交座標が図示されている。この直交座標のうち、Ｚ方向は上方に相当し、－Ｚ方向は下方（重力が作用する方向）に相当する。
　図１は、本実施形態のめっき装置１０００の全体構成を示す斜視図である。図２は、本実施形態のめっき装置１０００の全体構成を示す平面図である。図１及び図２に示すように、めっき装置１０００は、ロードポート１００、搬送ロボット１１０、アライナ１２０、プリウェットモジュール２００、プリソークモジュール３００、めっきモジュール４００、洗浄モジュール５００、スピンリンスドライヤ６００、搬送装置７００、及び、制御モジュール８００を備える。
　ロードポート１００は、めっき装置１０００に図示していないＦＯＵＰなどのカセットに収容された基板を搬入したり、めっき装置１０００からカセットに基板を搬出するためのモジュールである。本実施形態では４台のロードポート１００が水平方向に並べて配置されているが、ロードポート１００の数及び配置は任意である。搬送ロボット１１０は、基板を搬送するためのロボットであり、ロードポート１００、アライナ１２０、及び搬送装置７００の間で基板を受け渡すように構成される。搬送ロボット１１０及び搬送装置７００は、搬送ロボット１１０と搬送装置７００との間で基板を受け渡す際には、仮置き台（図示せず）を介して基板の受け渡しを行うことができる。
　アライナ１２０は、基板のオリエンテーションフラットやノッチなどの位置を所定の方向に合わせるためのモジュールである。本実施形態では２台のアライナ１２０が水平方向に並べて配置されているが、アライナ１２０の数及び配置は任意である。プリウェットモジュール２００は、めっき処理前の基板の被めっき面を純水または脱気水などの処理液で濡らすことで、基板表面に形成されたパターン内部の空気を処理液に置換する。プリウェットモジュール２００は、めっき時にパターン内部の処理液をめっき液に置換することでパターン内部にめっき液を供給しやすくするプリウェット処理を施すように構成される。本実施形態では２台のプリウェットモジュール２００が上下方向に並べて配置されているが、プリウェットモジュール２００の数及び配置は任意である。
　プリソークモジュール３００は、例えばめっき処理前の基板の被めっき面に形成したシード層表面等に存在する電気抵抗の大きい酸化膜を硫酸や塩酸等の処理液でエッチング除去してめっき下地表面を洗浄または活性化するプリソーク処理を施すように構成される。本実施形態では２台のプリソークモジュール３００が上下方向に並べて配置されているが、プリソークモジュール３００の数及び配置は任意である。めっきモジュール４００は、基板にめっき処理を施す。本実施形態では、上下方向に３台かつ水平方向に４台並べて配置された１２台のめっきモジュール４００のセットが２つあり、合計２４台のめっきモジュール４００が設けられているが、めっきモジュール４００の数及び配置は任意である。
　洗浄モジュール５００は、めっき処理後の基板に残るめっき液等を除去するために基板に洗浄処理を施すように構成される。本実施形態では２台の洗浄モジュール５００が上下方向に並べて配置されているが、洗浄モジュール５００の数及び配置は任意である。スピンリンスドライヤ６００は、洗浄処理後の基板を高速回転させて乾燥させるためのモジュールである。本実施形態では２台のスピンリンスドライヤ６００が上下方向に並べて配置されているが、スピンリンスドライヤ６００の数及び配置は任意である。搬送装置７００は、めっき装置１０００内の複数のモジュール間で基板を搬送するための装置である。制御モジュール８００は、めっき装置１０００の複数のモジュールを制御するように構成され、例えばオペレータとの間の入出力インターフェースを備える一般的なコンピュータまたは専用コンピュータから構成することができる。
　めっき装置１０００による一連のめっき処理の一例を説明する。まず、ロードポート１００にカセットに収容された基板が搬入される。続いて、搬送ロボット１１０は、ロードポート１００のカセットから基板を取り出し、アライナ１２０に基板を搬送する。アライナ１２０は、基板のオリエンテーションフラットやノッチなどの位置を所定の方向に合わせる。搬送ロボット１１０は、アライナ１２０で方向を合わせた基板を搬送装置７００へ受け渡す。
　搬送装置７００は、搬送ロボット１１０から受け取った基板をプリウェットモジュール２００へ搬送する。プリウェットモジュール２００は、基板にプリウェット処理を施す。搬送装置７００は、プリウェット処理が施された基板をプリソークモジュール３００へ搬送する。プリソークモジュール３００は、基板にプリソーク処理を施す。搬送装置７００は、プリソーク処理が施された基板をめっきモジュール４００へ搬送する。めっきモジュール４００は、基板にめっき処理を施す。
　搬送装置７００は、めっき処理が施された基板を洗浄モジュール５００へ搬送する。洗浄モジュール５００は、基板に洗浄処理を施す。搬送装置７００は、洗浄処理が施された基板をスピンリンスドライヤ６００へ搬送する。スピンリンスドライヤ６００は、基板に乾燥処理を施す。搬送装置７００は、乾燥処理が施された基板を搬送ロボット１１０へ受け渡す。搬送ロボット１１０は、搬送装置７００から受け取った基板をロードポート１００のカセットへ搬送する。最後に、ロードポート１００から基板を収容したカセットが搬出される。
　なお、図１や図２で説明しためっき装置１０００の構成は、一例に過ぎず、めっき装置１０００の構成は、図１や図２の構成に限定されるものではない。
　続いて、めっきモジュール４００について説明する。なお、本実施形態に係るめっき装置１０００が有する複数のめっきモジュール４００は同様の構成を有しているので、１つのめっきモジュール４００について説明する。
　図３は、本実施形態に係るめっき装置１０００におけるめっきモジュール４００の構成を示す模式図である。本実施形態に係るめっき装置１０００は、カップ式のめっき装置である。本実施形態に係るめっき装置１０００のめっきモジュール４００は、めっき槽１０と、オーバーフロー槽２０と、基板ホルダ３０と、回転機構４０と、傾斜機構４５と、昇降機構５０とを備えている。なお、図３において、一部の部材（めっき槽１０、オーバーフロー槽２０、基板ホルダ３０等）はその断面が模式的に図示されている。
　本実施形態に係るめっき槽１０は、上方に開口を有する有底の容器によって構成されている。具体的には、めっき槽１０は、底壁１０ａと、この底壁１０ａの外周縁から上方に延在する外周壁１０ｂとを有しており、この外周壁１０ｂの上部が開口している。なお、めっき槽１０の外周壁１０ｂの形状は特に限定されるものではないが、本実施形態に係る外周壁１０ｂは、一例として円筒形状を有している。めっき槽１０の内部には、めっき液Ｐｓが貯留されている。
　めっき液Ｐｓとしては、めっき皮膜を構成する金属元素のイオンを含む溶液であればよく、その具体例は特に限定されるものではない。本実施形態においては、めっき処理の一例として、銅めっき処理を用いており、めっき液Ｐｓの一例として、硫酸銅溶液を用いている。また、本実施形態において、めっき液Ｐｓには所定の添加剤が含まれている。但し、この構成に限定されるものではなく、めっき液Ｐｓは添加剤を含んでいない構成とすることもできる。
　めっき槽１０には、めっき槽１０にめっき液Ｐｓを供給するためのめっき液供給口（図示せず）が設けられている。本実施形態に係るめっき液供給口は、めっき槽１０の底壁１０ａに配置されており、上方に向けてめっき液Ｐｓを供給している。なお、図３に図示されている「Ｆ１」は、めっき液供給口から供給されためっき液Ｐｓの流動方向の一例を示している。
　めっき槽１０の内部には、アノード１１が配置されている。具体的には、本実施形態に係るアノード１１は、一例として、めっき槽１０の底壁１０ａに配置されている。アノード１１の具体的な種類は特に限定されるものではなく、不溶解アノードであってもよく、溶解アノードであってもよい。本実施形態では、アノード１１の一例として、不溶解アノードを用いている。この不溶解アノードの具体的な種類は特に限定されるものではなく、白金や酸化イリジウム等を用いることができる。なお、基板Ｗｆ及びアノード１１は、通電装置（図示せず）と電気的に接続されている。この通電装置は、めっき処理の実行時に、基板Ｗｆとアノード１１との間に電気を流すための装置である。
　めっき槽１０の内部において、アノード１１よりも上方には、抵抗体１２が配置されている。具体的には、抵抗体１２は、複数の孔（細孔）を有する多孔質の板部材によって構成されている。抵抗体１２は、アノード１１と基板Ｗｆとの間に形成される電場の均一化を図るために設けられている部材である。このように、めっき槽１０に抵抗体１２が配置されていることで、基板Ｗｆに形成されるめっき皮膜（めっき層）の膜厚の均一化を容易に図ることができる。なお、抵抗体１２は、本実施形態に必須の部材ではなく、めっき装置１０００は、抵抗体１２を備えていない構成とすることもできる。
　オーバーフロー槽２０は、めっき槽１０の外側に配置された、有底の容器によって構成されている。オーバーフロー槽２０は、めっき槽１０の外周壁１０ｂの上端を超えためっき液Ｐｓ（すなわち、めっき槽１０からオーバーフローしためっき液Ｐｓ）を一時的に貯留するために設けられている。オーバーフロー槽２０に一時的に貯留されためっき液Ｐｓは、オーバーフロー槽２０用の排出口（図示せず）から排出された後に、オーバーフロー槽２０用のリザーバータンク（図示せず）に一時的に貯留される。このリザーバータンクに貯留されためっき液Ｐｓは、その後、ポンプ（図示せず）によって圧送されて、めっき液供給口から再びめっき槽１０に循環される。
　基板ホルダ３０は、アノード１１よりも上方（本実施形態では、さらに抵抗体１２よりも上方）に配置されている。基板ホルダ３０は、カソードとしての基板Ｗｆを、基板Ｗｆの被めっき面Ｗｆａが下方を向くように保持している。
　図３の特にＡ１部分の拡大図を参照して、本実施形態に係る基板ホルダ３０は、基板Ｗｆの被めっき面Ｗｆａの外周縁よりも下方に突出するように設けられたリング３１（リング状の部材）を有している（このリング３１の下面視は、後述する図５を参照）。なお、図３のＡ１部分拡大図に図示されている「ｈ１」は、リング３１の高さ（突出高さ）を示している。また、本実施形態において、リング３１の下面３１ａは、実質的に平面（水平方向に延在する平面）であるが、この構成に限定されるものではない。例えば、リング３１の下面３１ａは、水平方向に対して傾斜していてもよい。
　基板ホルダ３０（リング３１も含む）の材質は、特に限定されるものではないが、本実施形態では一例として、ポリ塩化ビニル（ＰＶＣ）を用いている。なお、基板ホルダ３０と基板Ｗｆとの間には、めっき液Ｐｓが基板ホルダ３０と基板Ｗｆとの間の隙間に侵入することを抑制するためのシール部材（図示せず）が配置されていてもよい。すなわち、この場合、基板ホルダ３０は、シール部材を介して基板Ｗｆを保持することになる。このシール部材の材質としては、フッ素ゴム（ＦＫＭ）等を用いることができる。
　基板ホルダ３０は、回転機構４０に接続されている。回転機構４０は、基板ホルダ３０を回転させるための機構である。具体的には、本実施形態に係る回転機構４０は、基板ホルダ３０を正転方向（Ｒ１）に回転させるように構成されている。なお、本実施形態において、基板ホルダ３０の回転方向のうち正転方向（Ｒ１）は、一例として、基板ホルダ３０を上方から視認した上面視（又は平面視）で、時計回りの方向である。回転機構４０の具体的な種類は特に限定されるものではなく、例えば、公知の回転モータ等を用いることができる。
　傾斜機構４５は、基板ホルダ３０を水平面に対して傾斜させるための機構である。具体的には、本実施形態に係る傾斜機構４５は、回転機構４０を傾斜させることで、基板ホルダ３０を傾斜させている。このような傾斜機構４５としては、例えばピストン・シリンダ等の公知の傾斜機構を用いることができる。昇降機構５０は、上下方向に延在する支軸５１によって支持されている。昇降機構５０は、基板ホルダ３０、回転機構４０、及び、傾斜機構４５を上下方向に昇降させるための機構である。昇降機構５０としては、直動式のアクチュエータ等の公知の昇降機構を用いることができる。
　めっきモジュール４００の動作は、制御モジュール８００が制御する。この制御モジュール８００は、マイクロコンピュータを備えており、このマイクロコンピュータは、プロセッサとしてのＣＰＵ（Ｃｅｎｔｒａｌ　Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ　Ｕｎｉｔ）や、非一時的な記憶媒体としての記憶装置等を備えている。制御モジュール８００は、記憶装置に記憶されたプログラムの指令に基づいて、プロセッサとしてのＣＰＵが作動することで、めっきモジュール４００の被制御部（例えば回転機構４０、傾斜機構４５、昇降機構５０等）の動作を制御する。
　図４は、基板Ｗｆがめっき液Ｐｓに浸漬された様子を示す模式的断面図である。基板Ｗｆの被めっき面Ｗｆａにめっき処理を施す「めっき処理時」において、回転機構４０が基板ホルダ３０を回転させるとともに、昇降機構５０が基板ホルダ３０を下方に移動させて、基板Ｗｆをめっき槽１０のめっき液Ｐｓに浸漬させる。なお、基板ホルダ３０は、基板Ｗｆの被めっき面Ｗｆａがめっき液Ｐｓに接液する前から回転していてもよく、あるいは、めっき液Ｐｓに接液した後に回転してもよい。次いで、通電装置によって、アノード１１と基板Ｗｆとの間に電気が流れる。これにより、基板Ｗｆの被めっき面Ｗｆａに、めっき皮膜が形成される。なお、めっき処理時において、傾斜機構４５は、必要に応じて、基板ホルダ３０を傾斜させてもよい。
　ところで、本実施形態のようなカップ式のめっき装置１０００において、何らかの原因により、めっき槽１０のめっき液Ｐｓに気泡（Ｂｕ：この符号は後述する図５に例示されている）が発生することがある。具体的には、本実施形態のように、アノード１１として不溶解アノードを用いる場合、めっき処理の実行時（通電時）に、めっき液Ｐｓには以下の反応式に基づいて酸素（Ｏ２）が発生する。この場合、この発生した酸素が気泡となり得る。
　２Ｈ２Ｏ→Ｏ２+４Ｈ++４ｅ-
　また、仮に、アノード１１として溶解アノードを用いる場合には、上記のような反応式は生じないが、例えば、めっき槽１０にめっき液Ｐｓを最初に導入する際に、空気がめっき液Ｐｓとともにめっき槽１０に流入するおそれがある。したがって、アノード１１として溶解アノードを用いる場合においても、めっき槽１０のめっき液Ｐｓに気泡が発生する可能性がある。
　上述したように、めっき槽１０のめっき液Ｐｓに気泡が発生した場合において、仮に、この気泡が基板Ｗｆの被めっき面Ｗｆａに滞留した場合、この滞留した気泡が電場を遮断するおそれがある。この場合、基板Ｗｆのめっき品質が悪化するおそれがある。そこで、本実施形態では、この問題に対処するために、以下に説明する技術を用いている。
　図５は、基板ホルダ３０を下方から視認した様子を示す模式的下面図である。図５、及び、前述した図３の特にＡ１部分拡大図を参照して、本実施形態に係るリング３１の下面３１ａの一部には、下方側に向けて突出した少なくとも一つの突起３５が配置されている。突起３５の個数は１つでもよく、複数でもよいが、一例として、本実施形態に係る突起３５の個数は一つである。
　突起３５は、基板Ｗｆの被めっき面Ｗｆａがめっき液Ｐｓに浸漬された状態で回転機構４０が基板ホルダ３０を回転させた場合に、突起３５がめっき液Ｐｓを基板ホルダ３０の回転方向に押し出すように、構成されている。
　具体的には、図５に示すように、本実施形態に係る突起３５は、リング３１の下面３１ａにおける内周側から外周側に向けて延在する軸線ＡＬ１を有する、板部材によって構成されている。この構成によれば、突起３５によってめっき液Ｐｓを基板ホルダ３０の回転方向に効果的に押し出すことができる。
　なお、突起３５の具体的な形状は特に限定されるものではないが、本実施形態に係る突起３５は、一例として、下面視で、軸線ＡＬ１の方向を長手方向とする長方形の形状を有している。
　以上説明したような本実施形態によれば、基板Ｗｆの被めっき面Ｗｆａがめっき液Ｐｓに浸漬された状態で基板ホルダ３０が回転することで、突起３５によってめっき液Ｐｓを基板ホルダ３０の回転方向に押し出すことができ、これにより、基板Ｗｆの被めっき面Ｗｆａの中央側から外周側に向かう強いめっき液Ｐｓの流れ（液流れ）を生じさせることができる。この強い液流れによって、基板Ｗｆの被めっき面Ｗｆａに存在する気泡（Ｂｕ）を、リング３１を乗り越えさせて、リング３１の外側に排出させることができる（なお、図５の「Ｆ２」は気泡の流動方向の一例を示す線である）。すなわち、基板Ｗｆの被めっき面Ｗｆａに存在する気泡を被めっき面Ｗｆａから除去することができる。これにより、基板Ｗｆの被めっき面Ｗｆａに滞留した気泡に起因して基板Ｗｆのめっき品質が悪化することを抑制することができる。
（実施例）
　上述しためっき装置１０００について、「基板ホルダ３０の回転数」、及び、「突起３５の軸線ＡＬ１とリング３１の内周面３１ｂの接線ＴＬとのなす角度θ」を変化させたときにおける、基板Ｗｆの被めっき面Ｗｆａからの気泡の除去度合いを実験で確認した。なお、この軸線ＡＬ１と接線ＴＬとのなす「角度θ」は、具体的には、「基板ホルダ３０が一方向に回転した場合（本実施形態では正転した場合）における基板ホルダ３０の回転方向で軸線ＡＬ１の側から接線ＴＬの側に向かって計測したときの角度θ」である。この実験結果について以下に説明する。
　実験で用いためっき装置１０００は、図３から図５に例示しためっき装置１０００であり、具体的には、リング３１の高さ（ｈ１）が２．５ｍｍ、突起３５の高さ（ｈ２）が５ｍｍ、リング３１の内周面３１ｂと突起３５との水平方向の距離（ｄ）が０．５ｍｍのものを用いた。基板ホルダ３０に保持された基板Ｗｆをめっき槽１０のめっき液Ｐｓに浸漬させ、基板Ｗｆの被めっき面Ｗｆａに０．１ｍｌの気泡を滞留させ、次いで、回転機構４０によって基板ホルダ３０を正転方向に、表１に記載の回転数（毎分当たりの回転数：ｒｐｍ）で回転させた。このときの基板Ｗｆの被めっき面Ｗｆａからの気泡の除去度合いを目視で測定した。
　この測定結果を表１に示す。なお、表１に示す基板ホルダ３０の回転数は、低速（１０ｒｐｍ）から高速（１００ｒｐｍ）の範囲であるが、これは、めっき装置１０００の通常の使用時に想定される回転数の範囲である。また、基板ホルダ３０の回転数が１００ｒｐｍより大きい場合は、回転数が１００ｒｐｍの場合と同様の結果が得られた。したがって、回転数が１００ｒｐｍよりも大きい場合の測定結果の提示は省略している。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000001
　表１において、Ｄ、Ｃ、Ｂ、Ａの順に、基板Ｗｆの被めっき面Ｗｆａからの気泡の除去度合いが高くなる。換言すると、基板Ｗｆの被めっき面Ｗｆａから気泡を除去するのに要する時間がＤ、Ｃ、Ｂ、Ａの順に短くなる。なお、「Ａ」は、リング３１の内周面３１ｂよりも内側に存在する気泡が突起３５の位置に来た場合に、確実に気泡をリング３１の外側に排出させることができる、という気泡除去度合いである。「Ｂ」は、リング３１の内側に存在する気泡をリング３１の外側に排出させるまでに要する時間が「Ａ」よりもかかり、「Ｃ」は「Ｂ」よりもこの時間がかかり、「Ｄ」は「Ｃ」よりもこの時間がかかる。
　表１から、角度θが０°以上１８０°以下の範囲内のいずれの場合であっても、めっき装置１０００の通常の使用時に想定される基板ホルダ３０の回転数の範囲内（低速から高速の範囲内）において、少なくとも「Ｄ」以上の評価が得られていることが分かる。すなわち、基板ホルダ３０のリング３１の下面３１ａに突起３５を設け、この基板ホルダ３０を回転させることで、基板Ｗｆの被めっき面Ｗｆａに存在する気泡を被めっき面Ｗｆａから除去することができることが分かる。
　但し、「Ｄ」の評価よりも、「Ｃ」以上の評価の方が、気泡除去効果が高い点で好ましい。この「Ｃ」以上の評価が得られるような「角度θ及び回転数」の組み合わせは、以下のとおりである。
　すなわち、角度θが０°以上２０°未満の場合は、基板ホルダ３０が１００ｒｐｍ以上で回転すると、「Ｃ」以上の評価が得られる点で好ましい。同様に、角度θが２０°以上６０°未満の場合は、基板ホルダ３０が４０ｒｐｍ以上で回転することが好ましく、角度θが６０°以上１２０°以下の場合は、基板ホルダ３０が２５ｒｐｍ以上で回転することが好ましく、角度θが１２０°より大きく１６０°以下の場合は基板ホルダ３０が２５ｒｐｍ以上で回転することが好ましく、角度θが１６０°より大きく１８０°以下の場合は基板ホルダ３０が１００ｒｐｍ以上で回転することが好ましい。
　また、表１から、角度θが６０°以上１６０°以下の範囲の場合の方が、角度θが６０°未満の場合や角度θが１６０°より大きい場合に比較して、「Ｃ」以上の評価が得られる基板ホルダ３０の回転数の範囲が広くなることが分かる。すなわち、角度θが６０°以上１６０°以下の範囲の場合、角度θが６０°未満の場合や角度θが１６０°より大きい場合に比較して、基板ホルダ３０の回転数の広い範囲で、高い気泡除去効果を得ることができる。
　また、表１から、角度θが６０°以上１６０°以下の範囲のうち、角度θが１２０°より大きく１６０°以下の場合の方が、角度θが６０°以上１２０°以下の場合に比較して、「Ａ」の評価が得られる基板ホルダ３０の回転数の範囲が広くなることが分かる。すなわち、角度θが１２０°より大きく１６０°以下の場合、基板ホルダ３０の回転数の広い範囲で、最も高い気泡除去効果を得ることができる。
　なお、前述した図５の突起３５の角度θは、６０°以上１６０°以下の範囲になっており、具体的には、１２０°より大きく１６０°以下の範囲になっている。
　また、表１から、角度θが６０°以上１６０°以下の範囲の場合、基板ホルダ３０の回転数が３０ｒｐｍ以上の場合の方が、３０ｒｐｍ未満の場合に比較して、気泡の除去効果が高いことが分かる。すなわち、角度θが６０°以上１６０°以下の範囲の場合、基板ホルダ３０の回転数は３０ｒｐｍ以上であることが好ましい。
　なお、本実施形態に係るめっき装置の気泡除去方法は、上述しためっき装置１０００によって実現されている。したがって、重複した説明を省くため、この気泡除去方法の詳細な説明は省略する。
（実施形態の変形例１）
　上述した実施形態において、突起３５は下面視で長方形の形状を有しているが、突起３５の形状はこれに限定されるものではない。図６（Ａ）は、実施形態の変形例１に係るめっき装置１０００Ａの基板ホルダ３０Ａの突起３５Ａの近傍部分（Ａ２部分）の模式的下面図である。本変形例に係る突起３５Ａは、下面視で三角形の形状を有している。具体的には、本変形例に係る突起３５Ａは、軸線ＡＬ１方向でリング３１の内周側の方向に頂点を有し、この頂点からリング３１の外周側の方向に向かうにつれて、幅が大きくなるような三角形の形状を有している。本変形例においても、前述した実施形態と同様の作用効果を奏することができる。
（実施形態の変形例２）
　図６（Ｂ）は、実施形態の変形例２に係るめっき装置１０００Ｂの基板ホルダ３０Ｂの突起３５Ｂの近傍部分（Ａ２部分）の模式的下面図である。本変形例に係る突起３５Ｂは、下面視で菱形（又は平行四辺形）の形状を有している。具体的には、本変形例に係る突起３５Ｂは、軸線ＡＬ１方向の長さが軸線ＡＬ１に垂直な方向の長さよりも長い菱形（又は平行四辺形）の形状を有している。本変形例においても、前述した実施形態と同様の作用効果を奏することができる。
　なお、図６（Ａ）や図６（Ｂ）は、突起３５の他の形状の一例に過ぎず、突起３５の他の形状はこれらに限定されるものではない。
（実施形態の変形例３）
　図７は、実施形態の変形例３に係るめっき装置１０００Ｃの基板ホルダ３０Ｃの模式的下面図である。なお、図７は前述した図５と同様の箇所を模式的に図示している。本変形例に係る基板ホルダ３０Ｃは、突起３５を複数有している点において、前述した図５の基板ホルダ３０と異なっている。
　具体的には、本変形例に係る複数の突起３５は、リング３１の下面３１ａに等間隔で４つ配置されている。より具体的には、複数の突起３５は、リング３１の下面３１ａの周方向に４５°の間隔で配列している。また、本変形例において、各々の突起３５の角度θは、図５の場合と同様に、６０°以上１６０°以下の範囲になっており、具体的には、１２０°より大きく１６０°以下の範囲になっている。
　なお、複数の突起３５の個数は上述したような４つに限定されるものではなく、４つよりも少なくてもよく、多くてもよい。また、各々の突起３５の形状は、図７に例示するような長方形に限定されるものではなく、長方形以外の形状（例えば、変形例１や変形例２で例示したような形状）であってもよい。
　本変形例によれば突起３５の個数が複数であるので、突起３５の個数が１つの場合に比較して、基板Ｗｆの被めっき面Ｗｆａに存在する気泡と突起３５との位置が合う頻度を増加させることができる。これにより、被めっき面Ｗｆａに存在する気泡を効果的にリング３１の外側に排出させて、効果的に除去することができる。
（実施形態の変形例４）
　図８は、実施形態の変形例４に係るめっき装置１０００Ｄの基板ホルダ３０Ｄの模式的下面図である。本変形例に係る基板ホルダ３０Ｄは、複数の突起として、第１突起３６、及び、第２突起３７を有する点において、図５の基板ホルダ３０と異なっている。
　第１突起３６は、前述した図５の突起３５と同様の構成を有している。すなわち、第１突起３６は、「軸線ＡＬ１と接線ＴＬとのなす角であって、基板ホルダ３０Ｄが正転した場合における基板ホルダ３０Ｄの回転方向で軸線ＡＬ１の側から接線ＴＬの側に向かって計測したときの角度θ」が６０°以上１６０°以下になるように構成された突起である。具体的には、本変形例に係る第１突起３６の「角度θ」は、１２０°より大きく１６０°以下の範囲になっている。
　一方、第２突起３７は、「軸線ＡＬ１と接線ＴＬとのなす角であって、基板ホルダ３０Ｄが逆転した場合における基板ホルダ３０Ｄの回転方向で軸線ＡＬ１の側から接線ＴＬの側に向かって計測したときの角度θ２」が６０°以上１６０°以下になるように構成された突起である。具体的には、本変形例に係る第２突起３７の「角度θ２」は、１２０°より大きく１６０°以下の範囲になっている。
　本変形例に係る回転機構４０は、めっき処理時に、基板ホルダ３０Ｄを正転（Ｒ１）させること、及び、逆転（－Ｒ１）させることを、それぞれ少なくとも１回は行う。具体的には、回転機構４０は、めっき処理時に、基板ホルダ３０Ｄを所定時間の間、正転させた後に逆転させてもよく、基板ホルダ３０Ｄを所定時間の間、逆転させた後に正転させてもよく、基板ホルダ３０Ｄの正転及び逆転（又は、逆転及び正転）を複数回繰り返してもよい。
　本変形例によれば、めっき処理時において基板ホルダ３０Ｄが回転した場合に（正転及び逆転した場合に）、第１突起３６及び第２突起３７のうちいずれか一方は、「軸線ＡＬ１と接線ＴＬとのなす角であって、基板ホルダ３０Ｄの回転方向で軸線ＡＬ１の側から接線ＴＬの側に向かって計測したときの角度」が６０°以上１６０°以下になる。具体的には、めっき処理時において基板ホルダ３０Ｄが正転した場合には、第１突起３６の「角度θ」が６０°以上１６０°以下になり、一方、基板ホルダ３０Ｄが逆転した場合には、第２突起３７の「角度θ２」が６０°以上１６０°以下になる。これにより、めっき処理時において基板ホルダ３０Ｄが回転した場合に、リング３１に配置された突起の角度が６０°以上１６０°以下にならない場合（すなわち、この突起の角度が６０°未満、又は、１６０°より大きい場合）に比較して、基板ホルダ３０の回転数の広い範囲で、高い気泡除去効果を得ることができる。
（実施形態の変形例５）
　図９は、実施形態の変形例５に係るめっき装置１０００Ｅのめっき槽１０の周辺構成の模式的断面図である。図１０は、図９のＢ１－Ｂ１線断面を模式的に示す図である。本変形例に係るめっき装置１０００Ｅは、少なくとも一つの供給口６０と、少なくとも一つの排出口６１と、をさらに備えている点において、前述した実施形態に係るめっき装置１０００（図３）と異なっている。具体的には、本変形例に係るめっき装置１０００Ｅは、供給口６０及び排出口６１をそれぞれ複数備えている。
　供給口６０は、めっき槽１０の外周壁１０ｂに設けられており、めっき槽１０にめっき液Ｐｓを供給するように構成されている。排出口６１は、供給口６０に対向するように、めっき槽１０の外周壁１０ｂに設けられている。また、排出口６１は、めっき槽１０のめっき液Ｐｓを吸い込んでめっき槽１０から排出させるように構成されている。供給口６０及び排出口６１は、供給口６０から供給されためっき液Ｐｓを排出口６１が吸い込むことで、めっき槽１０における基板Ｗｆの被めっき面Ｗｆａの下方に、被めっき面Ｗｆａに沿っためっき液Ｐｓの剪断流（Ｆ３）を形成させる。
　具体的には、図９に示すように、本変形例に係る供給口６０及び排出口６１は、めっき槽１０の内部における抵抗体１２よりも上方の箇所に配置されている。図１０に示すように、本変形例に係る供給口６０は、めっき槽１０の外周壁１０ｂの軸線ＡＬ２（中心軸を示す線）よりも一方の側の全周に亘って配置されている。また、排出口６１は、めっき槽１０の外周壁１０ｂの軸線ＡＬ２よりも他方の側の全周に亘って配置されている。換言すると、供給口６０は、外周壁１０ｂにおける半周部分に亘って配置されており、排出口６１は、外周壁１０ｂにおける他の半周部分に亘って配置されている。
　なお、本変形例において、隣接する供給口６０の間には隔壁６２ａが設けられており、隣接する排出口６１の間にも隔壁６２ｂが設けられている。また、複数の供給口６０の上流側の部分は合流しており、この合流した部分を合流口６３ａと称する。また、複数の排出口６１の下流側の部分は合流しており、この合流した部分を合流口６３ｂと称する。但し、供給口６０及び排出口６１の構成は、これに限定されるものではない。例えば、複数の供給口６０の上流側が合流していない構成とすることもでき、複数の排出口６１の下流側が合流していない構成とすることもできる。
　また、供給口６０及び排出口６１の個数も、剪断流（Ｆ３）を形成できるものであれば、複数に限定されるものではない。例えば、めっき装置１０００Ｅは、供給口６０及び排出口６１をそれぞれ１つのみ備える構成とすることもできる。この場合、図１０において、例えば、隔壁６２ａや隔壁６２ｂを備えていない構成とすればよい。すなわち、この場合、図１０において、隔壁６２ａが無くなることで、隣接する供給口６０が接続されて一つの大きな供給口となる。同様に、隔壁６２ｂが無くなることで、隣接する排出口６１が接続されて一つの大きな排出口となる。
　なお、供給口６０からのめっき液Ｐｓの供給開始時期、及び、排出口６１からのめっき液Ｐｓの吸い込み開始時期は、少なくとも、めっき処理の実行開始時点で開始されていればよく、その具体的な時期は特に限定されるものではない。例えば、基板Ｗｆがめっき液Ｐｓに接液される前からめっき液Ｐｓの供給及び吸い込みが開始されてもよく、基板Ｗｆがめっき液Ｐｓに浸漬された後であって、めっき処理が開始されるまでの間に、めっき液Ｐｓの供給及び吸い込みが開始されてもよい。
　本変形例によれば、基板Ｗｆの被めっき面Ｗｆａがめっき液Ｐｓに浸漬された場合に、基板Ｗｆの被めっき面Ｗｆａの中央に発生した気泡を剪断流（Ｆ３）によって被めっき面Ｗｆａの外周側に向けて移動させることが容易にできる。これにより、この外周側に移動した気泡を突起３５によってリング３１の外側に効果的に排出させることができる。
　なお、本変形例は、前述した変形例１～４のいずれかの特徴をさらに備えていてもよい。
（実施形態の変形例６）
　図１１は、実施形態の変形例６に係るめっき装置１０００Ｆを説明するための模式図である。本変形例に係るめっき装置１０００Ｆは、基板Ｗｆの被めっき面Ｗｆａがめっき液Ｐｓに浸漬される前において、めっき槽１０の中央のめっき液Ｐｓの液面が上方に盛り上がるように、めっき槽１０のめっき液Ｐｓを流動させるように構成された流動機構７０をさらに備えている。その他の構成は、前述した実施形態に係るめっき装置１０００と同様である。
　具体的には、本変形例に係る流動機構７０は、めっき槽１０の底壁１０ａの中央に配置されて、上方に向けてめっき液Ｐｓを吐出する吐出口によって構成されている。この吐出口が上方に向けてめっき液Ｐｓを吐出することで、めっき槽１０の中央のめっき液Ｐｓの液面を上方に盛り上げることが容易にできる。
　本変形例に係る昇降機構５０は、めっき槽１０の中央のめっき液Ｐｓの液面が上方に盛り上がった状態で、基板ホルダ３０を下降させる。これにより、基板Ｗｆの被めっき面Ｗｆａの中央を被めっき面Ｗｆａの外周縁よりも先にめっき液Ｐｓに接液させることができる。
　なお、本変形例において、基板ホルダ３０は、基板Ｗｆの被めっき面Ｗｆａがめっき液Ｐｓに接液する前から回転していてもよく、被めっき面Ｗｆａがめっき液Ｐｓに接液した後に回転してもよい。
　本変形例において、めっき槽１０には抵抗体１２が配置されているが、前述した実施形態と同様に、めっき槽１０に抵抗体１２が配置されていない構成とすることもできる。なお、めっき槽１０に抵抗体１２が配置されていない場合の方が、これが配置されている場合に比較して、めっき槽１０の中央のめっき液Ｐｓの液面を上方に盛り上げることを容易に行うことができる。
　本変形例によれば、基板Ｗｆの被めっき面Ｗｆａのめっき液Ｐｓへの接液時において、被めっき面Ｗｆａの中央を先に接液させることができるので、被めっき面Ｗｆａの中央に存在する気泡を被めっき面Ｗｆａの外周側に逃がしながら、被めっき面Ｗｆａをめっき液Ｐｓに浸漬させることができる。これにより、この外周側に移動した気泡を突起３５によってリング３１の外側に効果的に排出させることができる。
　なお、本変形例は、前述した変形例１～４のいずれかの特徴をさらに備えていてもよい。
（実施形態の変形例７）
　図１２は、実施形態の変形例７に係るめっき装置１０００Ｇを説明するための模式図である。本変形例に係るめっき装置１０００Ｇは、基板Ｗｆの被めっき面Ｗｆａがめっき槽１０のめっき液Ｐｓの水平な液面に対して傾斜した状態で接液するように構成されている点において、前述した実施形態に係るめっき装置１０００と異なっている。
　具体的には、本変形例に係るめっき装置１０００Ｇは、傾斜機構４５によって、上述した構成を実現している。より具体的には、めっき装置１０００Ｇの傾斜機構４５は、基板Ｗｆの被めっき面Ｗｆａがめっき液Ｐｓの液面よりも上方に位置している状態で、基板ホルダ３０を水平面に対して傾斜させる。次いで、このように基板ホルダ３０が傾斜した状態で、昇降機構５０が基板ホルダ３０を下降させて、基板Ｗｆの被めっき面Ｗｆａをめっき液Ｐｓに浸漬させる。
　なお、本変形例において、基板ホルダ３０は、基板Ｗｆの被めっき面Ｗｆａがめっき液Ｐｓに接液する前から回転していてもよく、めっき液Ｐｓに接液した後に回転してもよい。
　本変形例によれば、基板Ｗｆの被めっき面Ｗｆａのめっき液Ｐｓへの接液時において、被めっき面Ｗｆａに存在する気泡を、浮力を利用して、被めっき面Ｗｆａに沿って斜め上方に移動させながら、被めっき面Ｗｆａをめっき液Ｐｓに浸漬させることができる。これにより、被めっき面Ｗｆａの外周側に気泡を効果的に移動させることができる。この結果、この外周側に移動した気泡を突起３５によってリング３１の外側に効果的に排出させることができる。
　なお、本変形例は、前述した変形例１～４のいずれかの特徴をさらに備えていてもよい。
（実施形態の変形例８）
　図１３は、実施形態の変形例８に係るめっき装置１０００Ｈを説明するための模式図である。本変形例に係るめっき装置１０００Ｈは、めっき装置１０００Ｈが予め水平面に対して傾斜した状態で設置されていることで、基板Ｗｆの被めっき面Ｗｆａがめっき槽１０のめっき液Ｐｓの水平な液面に対して傾斜した状態で接液するように構成されている。すなわち、本変形例に係るめっき装置１０００Ｈの少なくとも基板ホルダ３０及びめっき槽１０は、水平面に対して予め傾斜した状態で設置されている。この点において、本変形例は、前述した変形例７に係るめっき装置１０００Ｇと異なっている。なお、本変形例において、めっき装置１０００Ｈは傾斜機構４５を備えていなくてもよい。
　本変形例においても、前述した変形例７に係るめっき装置１０００Ｇと同様の作用効果を奏することができる。
　なお、本変形例は、前述した変形例１～４のいずれかの特徴をさらに備えていてもよい。
（実施形態の変形例９）
　図１４は、実施形態の変形例９に係るめっき装置１０００Ｉを説明するための模式図である。本変形例に係るめっき装置１０００Ｉは、パドル８０をさらに備えている点において、前述した実施形態に係るめっき装置１０００と異なっている。
　パドル８０は、アノード１１よりも上方、且つ、基板Ｗｆよりも下方に配置されている。具体的には、本変形例に係るめっき槽１０においてアノード１１よりも上方には抵抗体１２が配置されているので、パドル８０は、抵抗体１２よりも上方且つ基板Ｗｆよりも下方に配置されている。パドル８０は、パドル駆動装置（図示せず）によって駆動されることで、水平方向に往復移動する。これにより、めっき槽１０のめっき液Ｐｓが攪拌される。なお、図示されている「ｍｖ」はパドル８０の移動方向の一例を示す符号である。
　図１５は、パドル８０を上方から視認した様子を示す模式的平面図である。本変形例に係るパドル８０は、パドル８０の往復移動方向に対して垂直な方向に延在する複数の撹拌部材８１と、複数の撹拌部材８１の延在方向で一方側の端部を連結する連結部材８２ａと、複数の撹拌部材８１の延在方向で他方側の端部を連結する連結部材８２ｂと、を備えている。パドル８０が往復移動した場合、パドル８０の特に撹拌部材８１がめっき液Ｐｓを撹拌する。
　なお、パドル８０の往復移動の開始時期は、少なくともめっき処理時に往復移動を開始していればよく、その具体的な時期は特に限定されるものではない。例えば、パドル８０は、基板Ｗｆがめっき液Ｐｓに接液する前から往復移動を開始していてもよい。あるいは、パドル８０は、基板Ｗｆがめっき液Ｐｓに接液した後であって、めっき処理が開始する前（基板Ｗｆへの通電が開始する前）に、往復移動を開始してもよい。
　本変形例によれば、パドル８０によってめっき液Ｐｓが撹拌されることで、基板Ｗｆの被めっき面Ｗｆａに存在する気泡を被めっき面Ｗｆａの外周側に効果的に移動させることができる。これにより、この外周側に移動した気泡を突起３５によってリング３１の外側に効果的に排出させることができる。
　なお、本変形例は、前述した変形例１～４のいずれかの特徴をさらに備えていてもよい。
　以上、本発明の実施形態や変形例について詳述したが、本発明はかかる特定の実施形態や変形例に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された本発明の要旨の範囲内において、さらなる種々の変形・変更が可能である。
　１０　めっき槽
　１１　アノード
　３０　基板ホルダ
　３１　リング
　３１ａ　下面
　３１ｂ　内周面
　３５　突起
　３６　第１突起
　３７　第２突起
　４０　回転機構
　４５　傾斜機構
　５０　昇降機構
　６０　供給口
　６１　排出口
　７０　流動機構
　８０　パドル
　１０００　めっき装置
　Ｗｆ　基板
　Ｗｆａ　被めっき面
　Ｐｓ　めっき液
　Ｂｕ　気泡
　ＴＬ　接線
　ＡＬ１　軸線
　θ，θ２　角度
　Ｆ３　剪断流

Claims (12)

  1. 　めっき液を貯留するとともに、内部にアノードが配置されためっき槽と、
    　前記アノードよりも上方に配置されて、カソードとしての基板を前記基板の被めっき面が下方を向くように保持するとともに、前記基板の前記被めっき面の外周縁よりも下方に突出したリングを有する基板ホルダと、
    　前記基板ホルダを回転させる回転機構と、
    　前記基板ホルダを昇降させる昇降機構と、を備え、
    　前記リングの下面の一部には、下方側に向けて突出した少なくとも１つの突起が配置されている、めっき装置。
  2. 　前記突起は、前記リングの下面における内周側から外周側に向けて延在する軸線を有する板部材によって構成されている、請求項１に記載のめっき装置。
  3. 　前記突起の軸線と前記リングの内周面の接線とのなす角度であって、前記基板ホルダが一方向に回転した場合における前記基板ホルダの回転方向で前記軸線の側から前記接線の側に向かって計測したときの前記角度が、０°以上２０°未満の場合は、前記回転機構は前記基板ホルダを１００ｒｐｍ以上で回転させ、
    　前記角度が２０°以上６０°未満の場合は、前記回転機構は前記基板ホルダを４０ｒｐｍ以上で回転させ、
    　前記角度が６０°以上１２０°以下の場合は、前記回転機構は前記基板ホルダを２５ｒｐｍ以上で回転させ、
    　前記角度が１２０°より大きく１６０°以下の場合は、前記回転機構は前記基板ホルダを２５ｒｐｍ以上で回転させ、
    　前記角度が１６０°より大きく１８０°以下の場合は、前記回転機構は前記基板ホルダを１００ｒｐｍ以上で回転させる、請求項２に記載のめっき装置。
  4. 　前記角度は、６０°以上１６０°以下である、請求項３に記載のめっき装置。
  5. 　前記回転機構は前記基板ホルダを３０ｒｐｍ以上で回転させる、請求項４に記載のめっき装置。
  6. 　前記突起の個数は複数である、請求項１～５のいずれか１項に記載のめっき装置。
  7. 　前記突起の個数は複数であり、
    　複数の前記突起は、前記基板ホルダが正転した場合における前記基板ホルダの回転方向で前記軸線の側から前記接線の側に向かって計測したときの前記角度が６０°以上１６０°以下である第１突起と、前記基板ホルダが逆転した場合における前記基板ホルダの回転方向で前記軸線の側から前記接線の側に向かって計測したときの前記角度が６０°以上１６０°以下である第２突起と、を含み、
    　前記回転機構は、前記基板の前記被めっき面にめっき処理を施すめっき処理時に、前記基板ホルダを正転させること及び逆転させることを、それぞれ少なくとも１回は行うように構成されている、請求項３に記載のめっき装置。
  8. 　前記めっき槽の外周壁に設けられて、前記めっき槽にめっき液を供給する少なくとも一つの供給口と、
    　前記供給口に対向するように前記めっき槽の前記外周壁に設けられて、前記めっき槽のめっき液を吸い込んで前記めっき槽から排出させる少なくとも一つの排出口と、をさらに備え、
    　前記供給口及び前記排出口は、前記供給口から供給されためっき液を前記排出口が吸い込むことで、前記めっき槽における前記基板の前記被めっき面の下方に、前記被めっき面に沿っためっき液の剪断流を形成させるように構成されている、請求項１～７のいずれか１項に記載のめっき装置。
  9. 　前記基板の前記被めっき面がめっき液に浸漬される前において、前記めっき槽の中央のめっき液の液面が上方に盛り上がるように、前記めっき槽のめっき液を流動させる流動機構をさらに備え、
    　前記昇降機構は、前記めっき槽の中央のめっき液の液面が上方に盛り上がった状態で、前記基板ホルダを下降させることで、前記基板の前記被めっき面の中央を前記被めっき面の外周縁よりも先にめっき液に接液させる、請求項１～７のいずれか１項に記載のめっき装置。
  10. 　前記めっき装置は、前記基板の前記被めっき面が前記めっき槽のめっき液の水平な液面に対して傾斜した状態で接液するように構成されている、請求項１～７のいずれか１項に記載のめっき装置。
  11. 　前記めっき槽における前記アノードよりも上方、且つ、前記基板よりも下方に配置されて、水平方向に往復移動することで前記めっき槽のめっき液を攪拌するパドルをさらに備える、請求項１～７のいずれか１項に記載のめっき装置。
  12. 　めっき液を貯留するとともに、内部にアノードが配置されためっき槽と、前記アノードよりも上方に配置されて、カソードとしての基板を前記基板の被めっき面が下方を向くように保持するとともに、前記基板の前記被めっき面の外周縁よりも下方に突出したリングを有する基板ホルダと、を備えるめっき装置の気泡除去方法であって、
    　前記リングの下面の一部には、下方側に向けて突出した少なくとも１つの突起が配置され、
    　前記気泡除去方法は、前記基板の前記被めっき面をめっき液に浸漬させた状態で前記基板ホルダを回転させることを含む、めっき装置の気泡除去方法。
PCT/JP2021/007024 2021-02-25 2021-02-25 めっき装置及びめっき装置の気泡除去方法 WO2022180727A1 (ja)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PCT/JP2021/007024 WO2022180727A1 (ja) 2021-02-25 2021-02-25 めっき装置及びめっき装置の気泡除去方法
JP2021530232A JP6937972B1 (ja) 2021-02-25 2021-02-25 めっき装置及びめっき装置の気泡除去方法
KR1020217039572A KR102401521B1 (ko) 2021-02-25 2021-02-25 도금 장치 및 도금 장치의 기포 제거 방법
US17/624,132 US20230295829A1 (en) 2021-02-25 2021-02-25 Plating apparatus and air bubble removing method of plating apparatus
CN202180003911.8A CN115244228B (zh) 2021-02-25 2021-02-25 镀覆装置以及镀覆装置的气泡除去方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PCT/JP2021/007024 WO2022180727A1 (ja) 2021-02-25 2021-02-25 めっき装置及びめっき装置の気泡除去方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2022180727A1 true WO2022180727A1 (ja) 2022-09-01

Family

ID=78028242

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2021/007024 WO2022180727A1 (ja) 2021-02-25 2021-02-25 めっき装置及びめっき装置の気泡除去方法

Country Status (5)

Country Link
US (1) US20230295829A1 (ja)
JP (1) JP6937972B1 (ja)
KR (1) KR102401521B1 (ja)
CN (1) CN115244228B (ja)
WO (1) WO2022180727A1 (ja)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20230088349A (ko) * 2021-12-06 2023-06-19 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼 도금 장치
JP7079388B1 (ja) * 2021-12-06 2022-06-01 株式会社荏原製作所 めっき方法及びめっき装置

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003027280A (ja) * 2001-07-18 2003-01-29 Ebara Corp めっき装置
JP2003510456A (ja) * 1997-09-18 2003-03-18 セミトウール・インコーポレーテツド ウエーハ電気メツキ装置用陰極電流制御システム
JP2008013851A (ja) * 2000-04-27 2008-01-24 Ebara Corp 回転保持装置及び半導体基板処理装置
JP2009293088A (ja) * 2008-06-06 2009-12-17 Nec Electronics Corp 電気めっき装置、及び電気めっき方法

Family Cites Families (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3794809B2 (ja) * 1998-01-28 2006-07-12 日本エレクトロプレイテイング・エンジニヤース株式会社 カップ式めっき装置
KR100637890B1 (ko) * 1999-07-08 2006-10-23 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼 도금장치 및 도금방법 및 도금처리설비
JP3836632B2 (ja) * 1999-07-08 2006-10-25 株式会社荏原製作所 めっき装置
JP3698596B2 (ja) * 1999-08-12 2005-09-21 株式会社荏原製作所 めっき装置及びめっき方法
JP2001234395A (ja) * 2000-02-28 2001-08-31 Tokyo Electron Ltd ウェハーめっき装置
JP2001316880A (ja) * 2000-05-08 2001-11-16 Tokyo Electron Ltd 電解メッキ装置及び電解メッキ方法
JP2001316881A (ja) * 2000-05-08 2001-11-16 Tokyo Electron Ltd 液処理装置
US6716330B2 (en) * 2000-10-26 2004-04-06 Ebara Corporation Electroless plating apparatus and method
JP2002294495A (ja) * 2001-03-29 2002-10-09 Tokyo Electron Ltd 液処理装置
WO2003098676A1 (en) * 2002-05-17 2003-11-27 Ebara Corporation Substrate processing apparatus and substrate processing method
CN1674231A (zh) * 2002-07-25 2005-09-28 松下电器产业株式会社 镀膜装置
JP2004068151A (ja) * 2002-07-25 2004-03-04 Matsushita Electric Ind Co Ltd 基板のメッキ方法及びメッキ装置
US7025862B2 (en) * 2002-10-22 2006-04-11 Applied Materials Plating uniformity control by contact ring shaping
US7390383B2 (en) * 2003-07-01 2008-06-24 Semitool, Inc. Paddles and enclosures for enhancing mass transfer during processing of microfeature workpieces
JP2008019496A (ja) 2006-07-14 2008-01-31 Matsushita Electric Ind Co Ltd 電解めっき装置および電解めっき方法
JP2008208421A (ja) * 2007-02-26 2008-09-11 Ebara Corp めっき方法及びめっき装置
JP5184308B2 (ja) * 2007-12-04 2013-04-17 株式会社荏原製作所 めっき装置及びめっき方法
KR20110051588A (ko) * 2009-11-10 2011-05-18 삼성전자주식회사 기판 도금 장치 및 방법
US8795480B2 (en) * 2010-07-02 2014-08-05 Novellus Systems, Inc. Control of electrolyte hydrodynamics for efficient mass transfer during electroplating
KR101788678B1 (ko) * 2016-06-30 2017-10-20 (주)포인텍 수평도금용 기판의 클램핑 장치
US11585008B2 (en) * 2020-12-29 2023-02-21 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Plating apparatus for plating semiconductor wafer and plating method

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003510456A (ja) * 1997-09-18 2003-03-18 セミトウール・インコーポレーテツド ウエーハ電気メツキ装置用陰極電流制御システム
JP2008013851A (ja) * 2000-04-27 2008-01-24 Ebara Corp 回転保持装置及び半導体基板処理装置
JP2003027280A (ja) * 2001-07-18 2003-01-29 Ebara Corp めっき装置
JP2009293088A (ja) * 2008-06-06 2009-12-17 Nec Electronics Corp 電気めっき装置、及び電気めっき方法

Also Published As

Publication number Publication date
KR102401521B1 (ko) 2022-05-24
CN115244228A (zh) 2022-10-25
JP6937972B1 (ja) 2021-09-22
JPWO2022180727A1 (ja) 2022-09-01
US20230295829A1 (en) 2023-09-21
CN115244228B (zh) 2023-08-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
WO2022180727A1 (ja) めっき装置及びめっき装置の気泡除去方法
WO2023105561A1 (ja) めっき方法及びめっき装置
KR102333344B1 (ko) 도금 장치 및 도금액의 교반 방법
JP7079388B1 (ja) めっき方法及びめっき装置
TWI768749B (zh) 鍍覆裝置及鍍覆裝置之氣泡去除方法
JP6944091B1 (ja) めっき装置及び気泡除去方法
KR20220130663A (ko) 도금 장치 및 도금 장치의 콘택트 부재 세정 방법
TWI831609B (zh) 鍍覆方法及鍍覆裝置
TWI802133B (zh) 鍍覆方法及鍍覆裝置
JP7354484B1 (ja) めっき装置及びめっき方法
JP7474915B1 (ja) めっき装置
CN115244227B (zh) 镀覆装置
TW202235139A (zh) 鍍覆裝置及氣泡去除方法
TWI837780B (zh) 鍍覆裝置及鍍覆方法
JP7399365B1 (ja) めっき装置およびめっき装置の動作方法
JP2022127171A (ja) めっき装置及びめっき方法
TW202328502A (zh) 鍍覆方法及鍍覆裝置
JP2022127862A (ja) めっき装置及びめっき液の液面調整方法
TW202233906A (zh) 鍍覆裝置
TW202227675A (zh) 鍍覆裝置及鍍覆液之攪拌方法
TW202409358A (zh) 鍍覆裝置及鍍覆方法

Legal Events

Date Code Title Description
ENP Entry into the national phase

Ref document number: 2021530232

Country of ref document: JP

Kind code of ref document: A

121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 21927829

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

122 Ep: pct application non-entry in european phase

Ref document number: 21927829

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1