WO2023105561A1 - めっき方法及びめっき装置 - Google Patents

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WO2023105561A1
WO2023105561A1 PCT/JP2021/044645 JP2021044645W WO2023105561A1 WO 2023105561 A1 WO2023105561 A1 WO 2023105561A1 JP 2021044645 W JP2021044645 W JP 2021044645W WO 2023105561 A1 WO2023105561 A1 WO 2023105561A1
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substrate
plating solution
plating
paddle
resistor
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PCT/JP2021/044645
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一仁 辻
瑞樹 長井
Original Assignee
株式会社荏原製作所
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Publication date
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Priority to PCT/JP2021/044645 priority patent/WO2023105561A1/ja
Priority to JP2022516674A priority patent/JP7069442B1/ja
Priority to CN202310398353.0A priority patent/CN116479506A/zh
Priority to KR1020227030856A priority patent/KR102518777B1/ko
Priority to JP2022066972A priority patent/JP7079388B1/ja
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    • C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D17/00—Constructional parts, or assemblies thereof, of cells for electrolytic coating
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
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    • C25D17/00—Constructional parts, or assemblies thereof, of cells for electrolytic coating
    • C25D17/06—Suspending or supporting devices for articles to be coated
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
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    • C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
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    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D21/00—Processes for servicing or operating cells for electrolytic coating
    • C25D21/10—Agitating of electrolytes; Moving of racks
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D5/00—Electroplating characterised by the process; Pretreatment or after-treatment of workpieces

Definitions

  • the present invention relates to a plating method and a plating apparatus.
  • a so-called cup-type plating apparatus is known as a plating apparatus capable of plating a substrate (see Patent Document 1, for example).
  • a plating apparatus includes a plating tank that stores a plating solution, a substrate holder that holds a substrate as a cathode, a rotation mechanism that rotates the substrate holder, and an elevating mechanism that elevates the substrate holder.
  • JP 2008-19496 A Japanese Patent Application Laid-Open No. 2004-363422
  • the ion resistor is arranged inside the plating tank of the cup-type plating apparatus as exemplified in the above-mentioned Patent Document 1, if a large amount of air bubbles contained in the plating solution in the plating tank are trapped in the holes of the ion resistor If the air bubbles adhere to the holes, the plating quality of the substrate may deteriorate.
  • the present invention has been made in view of the above, and one of the objects thereof is to provide a technique capable of removing air bubbles adhering to the pores of the ion resistor.
  • a plating method provides a plating tank in which an anode and an ion resistor disposed above the anode and having a plurality of holes are disposed, supplying a plating solution to immerse the anode and the ionic resistor in the plating solution, and placing the anode and the ionic resistor above the ionic resistor in a state in which the anode and the ionic resistor are immersed in the plating solution; agitating the plating solution by driving the paddles; immersing the substrate as a cathode in the plating solution while the agitation of the plating solution by the paddles is stopped; and immersing the substrate in the plating solution. , restarting stirring of the plating solution by the paddle disposed above the ion resistor and below the substrate; Plating the substrate by passing electricity between it and an anode.
  • the plating solution when the plating solution is supplied to the plating tank, even if bubbles contained in the plating solution adhere to the holes of the ionic resistor, the plating solution is agitated by the paddle to adhere to the holes. It is possible to promote the upward movement of the air bubbles. As a result, air bubbles adhering to the holes of the ion resistor can be removed.
  • the substrate is immersed in the plating solution in a state in which the agitation of the plating solution by the paddle is stopped. It is also possible to suppress waving of the liquid surface. As a result, it is possible to prevent a large amount of air bubbles from adhering to the substrate when the substrate is immersed in the plating solution.
  • the stirring of the plating solution by the paddle is resumed while the substrate is immersed in the plating solution, the plating solution can be effectively supplied to the substrate.
  • the pre-wet treatment liquid remaining inside the wiring pattern of the substrate can be effectively replaced with the plating liquid.
  • the plating process is performed in a state in which the paddles resume stirring the plating solution, so that the plating solution can be effectively supplied to the substrate during the plating process. Thereby, a plating film can be effectively formed on the substrate.
  • Aspect 1 above further includes overflowing the plating solution from the plating bath while the paddles stop agitating the plating solution, and the substrate while the paddles stop agitating the plating solution.
  • the immersion in the plating solution may be performed after the plating solution overflows from the plating bath.
  • the air bubbles floating above the ion resistor can be discharged to the outside of the plating tank together with the plating solution overflowing from the plating tank.
  • the above-described mode 1 or 2 includes: lifting the substrate from the plating solution after plating the substrate; agitating the plating solution by driving the paddles; immersing the second substrate in the plating solution while the agitation of the plating solution by the paddles is stopped; and immersing the second substrate in the plating solution. in this state, restarting the stirring of the plating solution by the paddle disposed above the ion resistor and below the second substrate; and restarting the stirring of the plating solution by the paddle. and plating the second substrate by passing an electric current between the second substrate and the anode.
  • Aspect 4 above further includes returning the surface to be plated of the substrate immersed in the plating solution to a horizontal direction, and stirring the plating solution with the paddle while the substrate is immersed in the plating solution. may be performed after returning the surface to be plated of the substrate immersed in the plating solution to the horizontal direction.
  • the agitation of the plating solution by the paddle is resumed while the surface to be plated of the substrate is tilted with respect to the horizontal direction, the upper end of the surface to be plated of the tilted substrate becomes close to the surface of the plating solution.
  • the surface of the plating solution undulates due to the resumption of stirring of the plating solution by the paddles, there is a possibility that air bubbles may easily be caught in the surface of the substrate to be plated.
  • the stirring of the plating solution by the paddle is resumed. Even if the liquid surface of the plating solution undulates due to the resumption of heating, it is possible to effectively suppress air bubbles from being caught in the surface to be plated of the substrate.
  • air bubbles adhering to the pores of the ion resistor can be effectively removed.
  • the paddle is alternately driven in a first direction parallel to the upper surface of the ion resistor and a second direction opposite to the first direction, and the plating solution may be stirred.
  • the paddle has a honeycomb structure including a plurality of stirring members having polygonal through-holes extending in the vertical direction, and the plurality of stirring members are square-shaped in plan view. a first protruding portion arcuately protruding in the first direction from the side surface of the square portion on the first direction side; and the second protrusion portion from the side surface of the square portion on the second direction side. and a second protruding portion that protrudes in an arc shape toward the direction side.
  • the paddle since the paddle has a honeycomb structure, it is possible to easily increase the arrangement density of the plurality of stirring members. As a result, the plating solution can be effectively agitated by the paddles, so that air bubbles adhering to the pores of the ion resistor can be effectively removed.
  • the plurality of stirring members of the paddle has the square portion, the first projecting portion, and the second projecting portion. It is possible to easily widen the area in which the paddle can stir when the paddle moves a certain distance, compared to the case where the paddle does not have the first projecting portion and the second projecting portion. As a result, the plating solution can be effectively agitated by the paddles, so that air bubbles adhering to the holes of the ion resistor can be removed more effectively.
  • the paddle width which is the maximum value of the distance between the first protruding portion and the second protruding portion, is the outer edge in the first direction of the surface to be plated of the substrate to be plated. It may be smaller than the substrate width, which is the maximum value of the distance from the outer edge in the second direction.
  • the paddle width is the same as or greater than the substrate width
  • the plating solution can be agitated more effectively by the paddles, so that air bubbles adhering to the holes of the ion resistor can be effectively removed.
  • a plating apparatus includes a plating bath in which an anode and an ion resistor arranged above the anode and having a plurality of holes are arranged;
  • a substrate holder that holds a substrate as a cathode, a first direction that is arranged above the ion resistor and below the substrate, and that is parallel to the upper surface of the ion resistor, and the first direction a paddle configured to be alternately driven in a second opposite direction to agitate the plating solution stored in the plating bath, the paddle having a polygonal through hole extending in the vertical direction;
  • the plurality of stirring members has a square-shaped square portion and a side surface of the square portion on the first direction side in the first direction. and a second projecting portion that arcuately projects in the second direction from the side surface of the square portion in the second direction.
  • the agitation of the plating solution by the paddle can promote upward movement of the air bubbles adhering to the holes.
  • air bubbles adhering to the holes of the ion resistor can be removed.
  • the plurality of stirring members of the paddle has a honeycomb structure, and the plurality of stirring members of the paddle has the square portion, the first projecting portion, and the second projecting portion. Therefore, as described above, the plating solution can be stirred more effectively by the paddles, and air bubbles adhering to the pores of the ionic resistor can be effectively removed.
  • the paddle width which is the maximum value of the distance between the first protruding portion and the second protruding portion, is the outer edge in the first direction of the surface to be plated of the substrate to be plated. It may be smaller than the substrate width, which is the maximum value of the distance from the outer edge in the second direction.
  • FIG. 1 is a perspective view showing the overall configuration of a plating apparatus according to an embodiment
  • FIG. 1 is a plan view showing the overall configuration of a plating apparatus according to an embodiment
  • FIG. 3 is a schematic diagram showing the configuration of a plating module in the plating apparatus according to the embodiment
  • FIG. It is a schematic diagram showing a state in which the substrate according to the embodiment is immersed in a plating solution.
  • 1 is a schematic plan view of a paddle according to an embodiment
  • FIG. 1 is an example of a flow chart for explaining a plating method according to an embodiment
  • FIG. FIG. 10 is an example of a flow chart for explaining a plating method according to Modification 1 of the embodiment
  • FIG. 10 is an example of a flow chart for explaining a plating method according to modification 2 of the embodiment
  • FIG. 11 is a schematic plan view of a paddle according to Modification 3 of the embodiment
  • FIG. 11 is a schematic plan view of a paddle according to Modification 4 of the embodiment
  • FIG. 11 is a schematic plan view of a paddle according to Modification 5 of the embodiment
  • FIG. 2 is a schematic cross-sectional view showing an example of the internal configuration of a plating bath when a film is arranged inside the plating bath according to the embodiment;
  • FIG. 1 is a perspective view showing the overall configuration of a plating apparatus 1000 of this embodiment.
  • FIG. 2 is a plan view (top view) showing the overall configuration of the plating apparatus 1000 of this embodiment.
  • the plating apparatus 1000 includes a load port 100, a transfer robot 110, an aligner 120, a pre-wet module 200, a pre-soak module 300, a plating module 400, a cleaning module 500, a spin rinse dryer 600, a transfer It comprises an apparatus 700 and a control module 800 .
  • the load port 100 is a module for loading substrates housed in cassettes such as FOUPs (not shown) into the plating apparatus 1000 and for unloading substrates from the plating apparatus 1000 to cassettes. Although four load ports 100 are arranged horizontally in this embodiment, the number and arrangement of the load ports 100 are arbitrary.
  • the transfer robot 110 is a robot for transferring substrates, and is configured to transfer substrates among the load port 100 , the aligner 120 , the pre-wet module 200 and the spin rinse dryer 600 .
  • the transfer robot 110 and the transfer device 700 can transfer the substrates via a temporary table (not shown) when transferring the substrates between the transfer robot 110 and the transfer device 700 .
  • the aligner 120 is a module for aligning the positions of orientation flats, notches, etc. of the substrate in a predetermined direction. Although two aligners 120 are arranged horizontally in this embodiment, the number and arrangement of the aligners 120 are arbitrary.
  • the pre-wet module 200 replaces the air inside the pattern formed on the substrate surface with the treatment liquid by wetting the surface to be plated of the substrate before the plating treatment with a treatment liquid such as pure water or degassed water.
  • the pre-wet module 200 is configured to perform a pre-wet process that facilitates the supply of the plating solution to the inside of the pattern by replacing the treatment solution inside the pattern with the plating solution during plating. In this embodiment, two pre-wet modules 200 are arranged side by side in the vertical direction, but the number and arrangement of the pre-wet modules 200 are arbitrary.
  • the presoak module 300 for example, an oxide film having a large electric resistance existing on the surface of a seed layer formed on the surface to be plated of the substrate before plating is removed by etching with a treatment liquid such as sulfuric acid or hydrochloric acid, and the surface of the plating base is cleaned.
  • a treatment liquid such as sulfuric acid or hydrochloric acid
  • it is configured to perform a pre-soak process for activation.
  • two presoak modules 300 are arranged side by side in the vertical direction, but the number and arrangement of the presoak modules 300 are arbitrary.
  • the plating module 400 applies plating to the substrate. In this embodiment, there are two sets of 12 plating modules 400 arranged vertically and four horizontally, and a total of 24 plating modules 400 are provided. The number and arrangement of are arbitrary.
  • the cleaning module 500 is configured to perform a cleaning process on the substrate in order to remove the plating solution and the like remaining on the substrate after the plating process.
  • the spin rinse dryer 600 is a module for drying the substrate after cleaning by rotating it at high speed.
  • two spin rinse dryers 600 are arranged side by side in the vertical direction, but the number and arrangement of the spin rinse dryers 600 are arbitrary.
  • the transport device 700 is a device for transporting substrates between a plurality of modules within the plating apparatus 1000 .
  • Control module 800 is configured to control a plurality of modules of plating apparatus 1000 and may comprise, for example, a general purpose or dedicated computer with input/output interfaces to an operator.
  • a substrate accommodated in a cassette is loaded into the load port 100 .
  • the transport robot 110 takes out the substrate from the cassette of the load port 100 and transports the substrate to the aligner 120 .
  • the aligner 120 aligns orientation flats, notches, etc. of the substrate in a predetermined direction.
  • the transfer robot 110 transfers the substrates aligned by the aligner 120 to the pre-wet module 200 .
  • the pre-wet module 200 pre-wets the substrate.
  • the transport device 700 transports the pre-wet processed substrate to the pre-soak module 300 .
  • the presoak module 300 applies a presoak treatment to the substrate.
  • the transport device 700 transports the presoaked substrate to the plating module 400 .
  • the plating module 400 applies plating to the substrate.
  • the transport device 700 transports the plated substrate to the cleaning module 500 .
  • the cleaning module 500 performs a cleaning process on the substrate.
  • the transport device 700 transports the cleaned substrate to the spin rinse dryer 600 .
  • a spin rinse dryer 600 performs a drying process on the substrate.
  • the transport robot 110 receives the substrate from the spin rinse dryer 600 and transports the dried substrate to the cassette of the load port 100 . Finally, the cassette containing the substrates is unloaded from the load port 100 .
  • the configuration of the plating apparatus 1000 described with reference to FIGS. 1 and 2 is merely an example, and the configuration of the plating apparatus 1000 is not limited to the configuration of FIGS. 1 and 2.
  • plating module 400 Since the plurality of plating modules 400 of the plating apparatus 1000 according to this embodiment have the same configuration, one plating module 400 will be described.
  • FIG. 3 is a schematic diagram showing the configuration of the plating module 400 in the plating apparatus 1000 according to this embodiment. Specifically, FIG. 3 schematically illustrates the plating module 400 in a state before the substrate Wf is immersed in the plating solution Ps.
  • FIG. 4 is a schematic diagram showing a state in which the substrate Wf is immersed in the plating solution Ps. An enlarged view of the A1 portion is also shown in part of FIG. 4, but the illustration of the paddle 70, which will be described later, is omitted in the enlarged view of the A1 portion.
  • a plating apparatus 1000 is a cup-type plating apparatus.
  • a plating module 400 of the plating apparatus 1000 includes a plating bath 10, an overflow bath 20, a substrate holder 30, and a paddle 70.
  • the plating module 400 may also include a rotating mechanism 40, a tilting mechanism 45, and an elevating mechanism 50, as illustrated in FIG.
  • the plating tank 10 is configured by a bottomed container having an opening upward.
  • the plating bath 10 has a bottom wall 10a and an outer peripheral wall 10b extending upward from the outer peripheral edge of the bottom wall 10a, and the upper portion of the outer peripheral wall 10b is open.
  • the shape of the outer peripheral wall 10b of the plating tank 10 is not particularly limited, the outer peripheral wall 10b according to the present embodiment has a cylindrical shape as an example.
  • a plating solution Ps is stored inside the plating bath 10 .
  • the plating tank 10 is also provided with a supply port 13 for supplying the plating solution Ps to the plating tank 10 .
  • the plating solution Ps is not particularly limited as long as it contains ions of the metal elements forming the plating film.
  • a copper plating process is used as an example of the plating process
  • a copper sulfate solution is used as an example of the plating solution Ps.
  • the plating solution Ps may contain a predetermined additive.
  • An anode 11 is arranged inside the plating tank 10 .
  • a specific type of the anode 11 is not particularly limited, and may be an insoluble anode or a soluble anode. In this embodiment, an insoluble anode is used as an example of the anode 11 .
  • a specific type of the insoluble anode is not particularly limited, and platinum, iridium oxide, or the like can be used.
  • An ion resistor 12 is arranged above the anode 11 inside the plating tank 10 .
  • the ion resistor 12 is composed of a porous plate member having a plurality of holes 12a (pores).
  • the hole 12a is provided so as to communicate the bottom surface and the top surface of the ion resistor 12 .
  • a region of the ion resistor 12 in which a plurality of holes 12a are formed is called a "hole forming area PA".
  • the hole forming area PA according to this embodiment has a circular shape in plan view.
  • the area of the hole forming area PA according to the present embodiment is the same as or larger than the area of the surface to be plated Wfa of the substrate Wf.
  • the structure is not limited to this configuration, and the area of the hole forming area PA may be smaller than the area of the surface to be plated Wfa of the substrate Wf.
  • the ion resistor 12 is provided to homogenize the electric field formed between the anode 11 and the substrate Wf as the cathode (the symbol is shown in FIG. 6, which will be described later).
  • the ion resistor 12 in the plating tank 10 as in the present embodiment, it is possible to easily achieve uniform thickness of the plating film (plating layer) formed on the substrate Wf.
  • the overflow tank 20 is composed of a bottomed container arranged outside the plating tank 10 .
  • the overflow bath 20 is provided to temporarily store the plating solution Ps exceeding the upper end of the outer peripheral wall 10b of the plating bath 10 (that is, the plating solution Ps overflowing from the plating bath 10).
  • the plating solution Ps stored in the overflow tank 20 passes through the flow path 15 and is temporarily stored in the reservoir tank 80 (see FIG. 4).
  • the plating solution Ps stored in the reservoir tank 80 is then pressure-fed by a pump 81 (see FIG. 4) and circulated through the supply port 13 to the plating tank 10 again.
  • the plating module 400 may include a level sensor 60a for detecting the level of the plating solution Ps in the plating bath 10. A detection result of the level sensor 60 a is transmitted to the control module 800 .
  • the plating module 400 may also include a flow rate sensor 60b for detecting the flow rate (L/min) of the plating solution Ps overflowing from the plating bath 10. The detection result of this flow sensor 60b is transmitted to the control module 800.
  • FIG. Although the specific location of the flow sensor 60b is not particularly limited, the flow sensor 60b according to the present embodiment communicates the discharge port 14 of the overflow tank 20 and the reservoir tank 80 as an example. It is arranged in the flow channel 15 .
  • the substrate holder 30 holds the substrate Wf as a cathode so that the surface to be plated Wfa of the substrate Wf faces the anode 11 .
  • the surface to be plated Wfa of the substrate Wf is specifically provided on the surface (lower surface) facing downward of the substrate Wf.
  • the substrate holder 30 may have a ring 31 that protrudes downward from the outer peripheral edge of the surface to be plated Wfa of the substrate Wf.
  • the ring 31 according to the present embodiment has a ring shape when viewed from below.
  • the substrate holder 30 is connected to the rotation mechanism 40.
  • the rotating mechanism 40 is a mechanism for rotating the substrate holder 30 .
  • “R1” illustrated in FIG. 3 is an example of the rotation direction of the substrate holder 30 .
  • a known rotating motor or the like can be used as the rotating mechanism 40 .
  • the tilting mechanism 45 is a mechanism for tilting the rotating mechanism 40 and the substrate holder 30 .
  • the lifting mechanism 50 is supported by a vertically extending support shaft 51 .
  • the elevating mechanism 50 is a mechanism for elevating the substrate holder 30, the rotating mechanism 40, and the tilting mechanism 45 in the vertical direction.
  • a known lifting mechanism such as a linear actuator can be used as the lifting mechanism 50.
  • a film 16 may be arranged inside the plating tank 10 at a location above the anode 11 and below the ion resistor 12 .
  • the interior of the plating tank 10 is partitioned by the membrane 16 into an anode chamber 17a below the membrane 16 and a cathode chamber 17b above the membrane 16.
  • FIG. The anode 11 is arranged in the anode chamber 17a
  • the ion resistor 12 is arranged in the cathode chamber 17b.
  • the film 16 allows ionic species including metal ions contained in the plating solution Ps to pass through the film 16, while suppressing nonionic plating additives contained in the plating solution Ps from passing through the film 16.
  • the supply port 13 is preferably provided in each of the anode chamber 17a and the cathode chamber 17b.
  • the anode chamber 17a is preferably provided with a discharge port 14a for discharging the plating solution Ps from the anode chamber 17a.
  • FIG. 5 is a schematic plan view of the paddle 70.
  • the paddle 70 is arranged above the ion resistor 12 and below the substrate Wf.
  • Paddle 70 is driven by drive device 77 .
  • the plating solution Ps in the plating bath 10 is agitated by driving the paddle 70 .
  • the paddle 70 according to the present embodiment has a “first direction (in this embodiment, the X direction as an example)” parallel to the upper surface of the ion resistor 12 and a “first direction” opposite to the first direction. It is alternately driven in two directions (-X direction as an example in this embodiment). That is, the paddle 70 according to this embodiment reciprocates in the X-axis direction, for example.
  • a control module 800 controls the driving operation of the paddle 70 .
  • the paddle 70 includes, as an example, a stirring member 71a extending in a direction (Y-axis direction) perpendicular to the first direction and the second direction of the paddle 70. , have more than one. A gap is provided between adjacent stirring members 71a. One end of the plurality of stirring members 71a is connected to the connecting member 72a, and the other end is connected to the connecting member 72b.
  • the paddle 70 is configured such that a movement area MA of the paddle 70 (that is, a range in which the paddle 70 reciprocates) during stirring of the plating solution Ps in plan view covers the entire surface of the hole forming area PA of the ion resistor 12. preferably. According to this configuration, the plating solution Ps above the hole forming area PA of the ion resistor 12 can be effectively stirred by the paddle 70 .
  • the paddle 70 need only be placed inside the plating bath 10 at least when the plating solution Ps is stirred, and need not always be placed inside the plating bath 10 .
  • the paddle 70 may not be arranged inside the plating tank 10 .
  • the control module 800 includes a microcomputer, which includes a CPU (Central Processing Unit) 801 as a processor, a storage device 802 as a non-temporary storage medium, and the like.
  • the control module 800 controls the operation of the plating module 400 by operating the CPU 801 as a processor based on the instructions of the programs stored in the storage device 802 .
  • CPU Central Processing Unit
  • bubbles Bu may occur in the plating solution Ps in the plating bath 10 .
  • the plating solution Ps is supplied to the plating bath 10
  • the air may form bubbles Bu.
  • the present embodiment uses the technique described below.
  • FIG. 6 is an example of a flow chart for explaining the plating method according to this embodiment.
  • the plating method according to this embodiment includes steps S10 to S60. Note that the plating method according to the present embodiment may be automatically executed by the control module 800 .
  • the plating solution Ps is not stored inside the plating bath 10 before the execution of step S10 according to the present embodiment is started, or if the plating solution Ps is stored inside the plating bath 10 Even so, the liquid surface of the plating solution Ps in the plating tank 10 is assumed to be positioned below the ion resistor 12 .
  • step S10 the plating solution Ps is supplied to the plating bath 10 to immerse the anode 11 and the ion resistor 12 in the plating solution Ps.
  • the plating solution Ps is supplied from the supply port 13 to the plating tank 10 to immerse the anode 11 and the ion resistor 12 in the plating solution Ps.
  • step S10 the position of the liquid surface of the plating solution Ps is acquired based on the detection result of the level sensor 60a described above, and the position of the liquid surface of the plating solution Ps acquired is the anode 11 and the ion resistor 12.
  • the plating solution Ps may be supplied to the plating tank 10 until it is determined that the plating solution Ps has reached a predetermined position above.
  • step S10 the flow rate of the plating solution Ps overflowing from the plating tank 10 is acquired based on the detection result of the flow rate sensor 60b described above, and it is determined that the acquired flow rate has reached a predetermined flow rate greater than zero.
  • the plating solution Ps may be supplied to the plating tank 10 until the In this case as well, the liquid surface of the plating solution Ps in the plating bath 10 can be positioned above the anode 11 and the ion resistor 12 to immerse the anode 11 and the ion resistor 12 in the plating solution Ps.
  • step S20 is executed. Specifically, after starting the supply of the plating solution Ps to the plating tank 10 in step S10, the liquid surface of the plating solution Ps in the plating tank 10 reaches a position where the plating solution Ps can be stirred by the paddle 70. (for example, when the liquid surface of the plating solution Ps is positioned above the paddle 70), step S20 is executed.
  • step S20 the plating solution Ps is stirred by the paddle 70, which is arranged above the ion resistor 12 and below the substrate Wf, by driving the paddle 70. That is, in step S20, stirring of the plating solution Ps by the paddle 70 is started. Specifically, in the present embodiment, the plating solution Ps is agitated by alternately driving the paddles 70 in the first direction and the second direction.
  • the paddle related to step S20 Agitation of the plating solution Ps by 70 can promote upward movement of the bubbles Bu. Thereby, the bubbles Bu attached to the holes 12a of the ion resistor 12 can be removed.
  • the flow rate (L/min) of the plating solution Ps flowing from the lower surface side of the ionic resistor 12 toward the upper surface side of the ionic resistor 12 through the plurality of holes 12a is greater, the higher the flow rate of the ionic resistor 12. This is preferable in that the air bubbles Bu adhering to the holes 12a can be effectively removed.
  • the flow rate of the plating solution Ps flowing from the lower surface side of the ion resistor 12 toward the upper surface side of the ion resistor 12 through the plurality of holes 12a in step S20 is determined by the ion resistor in step S60 described later. It is preferable to make the flow rate larger than the flow rate of the plating solution Ps flowing from the lower surface side of the ion resistor 12 toward the upper surface side of the ion resistor 12 through the plurality of holes 12a. According to this configuration, the bubbles Bu adhering to the holes 12a of the ion resistor 12 can be effectively removed.
  • the reservoir tank 80 and the plating tank 10 it is possible to increase the circulation flow rate of the plating solution Ps that circulates between them.
  • the flow rate of the plating solution Ps flowing inside the plating bath 10 can be increased, so that the flow rate of the plating solution Ps flows from the lower surface side of the ionic resistor 12 toward the upper surface side of the ionic resistor 12 through the plurality of holes 12a.
  • the flow rate of the flowing plating solution Ps can be increased.
  • the circulation flow rate (L/min) of the plating solution Ps in step S20 is greater than the circulation flow rate of the plating solution Ps in step S60 (referred to as "reference flow rate (L/min)"). is preferred.
  • the flow rate of the plating solution Ps flowing from the lower surface side of the ion resistor 12 toward the upper surface side of the ion resistor 12 through the plurality of holes 12a in step S20 is It is larger than the flow rate of the plating solution Ps flowing toward the upper surface side of the ion resistor 12 through the plurality of holes 12a from the side.
  • the bubbles Bu adhering to the holes 12a of the ion resistor 12 can be effectively removed.
  • step S30 is executed.
  • step S30 the drive of the paddle 70 is stopped, and the stirring of the plating solution Ps by the paddle 70 is stopped.
  • a specific example of the time from the start of stirring by the paddles 70 in step S20 to the end of stirring by the paddles 70 in step S30 (that is, the stirring time by the paddles 70) is not particularly limited.
  • a predetermined time selected from 2 seconds or more and 10 seconds or less can be used.
  • the bubbles Bu adhering to the holes 12a of the ion resistor 12 can be removed simply by stirring the plating solution Ps with the paddle 70 for a short period of time.
  • step S40 is executed.
  • the substrate Wf is immersed in the plating solution Ps while the stirring of the plating solution Ps by the paddle 70 is stopped.
  • the elevating mechanism 50 lowers the substrate holder 30 to immerse at least the surface to be plated Wfa of the substrate Wf in the plating solution Ps.
  • the substrate Wf is immersed in the plating solution Ps in step S40 in a state where the stirring of the plating solution Ps by the paddle 70 is stopped in step S30. It is possible to suppress waving of the liquid surface of the plating solution Ps due to the stirring of the plating solution Ps by the paddle 70 . This can prevent a large amount of air bubbles Bu from adhering to the surface to be plated Wfa of the substrate Wf when the substrate Wf is immersed in the plating solution Ps.
  • step S40 the substrate holder 30 is tilted by the tilting mechanism 45 so that the plated surface Wfa of the substrate Wf is tilted with respect to the horizontal direction (that is, the plated surface Wfa is tilted with respect to the horizontal plane).
  • the surface to be plated Wfa of the substrate Wf may be brought into contact with the plating solution Ps.
  • the adhesion of the air bubbles Bu to the surface to be plated Wfa is reduced. can be effectively suppressed.
  • step S50 is executed.
  • step S50 stirring of the plating solution Ps by the paddle 70 is restarted while the substrate Wf is immersed in the plating solution Ps.
  • the substrate Wf is immersed in the plating solution Ps, and the paddle 70 arranged above the ion resistor 12 and below the substrate Wf is moved in the first direction and the second direction. , the stirring of the plating solution Ps by the paddles 70 is restarted.
  • the plating solution Ps can be effectively supplied to the surface to be plated Wfa of the substrate Wf by restarting the stirring of the plating solution Ps by the paddle 70 while the substrate Wf is immersed in the plating solution Ps. can.
  • the pre-wet treatment liquid remaining inside the wiring pattern on the surface to be plated Wfa of the substrate Wf can be effectively replaced with the plating liquid Ps.
  • the plating solution Ps is stirred by the paddle 70 according to step S50. is preferably resumed after the surface to be plated Wfa of the substrate Wf immersed in the plating solution Ps is returned to the horizontal direction.
  • step S45 the stirring of the plating solution Ps by the paddles 70 in step S50 is started.
  • the stirring of the plating solution Ps by the paddle 70 is resumed while the surface to be plated Wfa of the substrate Wf is tilted with respect to the horizontal direction, the upper end of the surface to be plated Wfa of the substrate Wf in the tilted state ( Since the upper edge of the outer edge of the surface to be plated Wfa is close to the liquid surface of the plating solution Ps, when the liquid surface of the plating solution Ps undulates due to the resumption of stirring of the plating solution Ps by the paddle 70, the substrate Wf to be plated is There is a possibility that the air bubble Bu is likely to be caught in the surface Wfa.
  • step S60 is executed.
  • step S60 while the plating solution Ps is being stirred by the paddles 70 again (that is, while the plating solution Ps is being stirred by the paddles 70), an electric current is passed between the substrate Wf and the anode 11, whereby the substrate A plating process is performed on the surface Wfa of Wf to be plated. Thereby, a plating film made of metal is formed on the surface to be plated Wfa.
  • step S60 the plating solution Ps is agitated by the paddle 70 during the plating process on the substrate Wf, so that the plating solution Ps can be effectively supplied to the surface to be plated Wfa of the substrate Wf during the plating process. . Thereby, a plating film can be effectively formed on the substrate Wf.
  • the plating process on the substrate Wf in step S60 may be started.
  • the plating process on the substrate Wf in step S60 may be started after a predetermined time has elapsed since the stirring of the plating solution Ps in step S50 was restarted.
  • this predetermined time is not particularly limited, for example, it is sufficient to spread the plating solution Ps through vias, through holes, etc. of wiring patterns formed on the surface to be plated Wfa of the substrate Wf. It is preferable to use a long period of time. To give an example of such a predetermined time, a time selected from, for example, 30 seconds or more and 60 seconds or less can be used.
  • the rotation mechanism 40 may rotate the substrate holder 30 in step S60. Further, in step S60, the tilting mechanism 45 may tilt the substrate holder 30 so that the surface to be plated Wfa of the substrate Wf is tilted with respect to the horizontal direction.
  • step S20 even if the reciprocating speed (first reciprocating speed) of the paddle 70 in step S20 and the reciprocating speed (second reciprocating speed) of the paddle 70 in steps S50 and S60 are the same value, and may be different values. If the reciprocating speed of paddle 70 in step S20 differs from the reciprocating speed of paddle 70 in steps S50 and S60, step S20 may be faster than steps S50 and S60, or , may be late.
  • the moving speed of the paddle 70 in step S20 should be faster than the reciprocating speed of the paddle 70 in steps S50 and S60. preferably.
  • the specific numerical values of the reciprocating speed of the paddle 70 in steps S20, S50, and S60 are not particularly limited. Specifically, a value selected from the range of 100 (rpm) or more and 300 (rpm) or less can be used, more specifically, 150 (rpm) A value selected from the range of 250 (rpm) or less can be used.
  • the reciprocation speed of the paddle 70 is N (rpm)" specifically means that the paddle 70 makes one reciprocation (that is, after the paddle 70 starts from a predetermined position and moves in the first direction, for example, moving in the second direction, moving in the first direction again, and returning to a predetermined position) is performed N times per minute.
  • the flow according to FIG. 6 may be executed, for example, when supplying a new plating solution Ps (unused plating solution) to the plating bath 10 during maintenance of the plating apparatus 1000 .
  • a new plating solution Ps unused plating solution
  • the storage amount of the plating solution Ps in the plating tank 10 decreases for some reason, and the liquid level of the plating solution Ps rises below the ion resistor 12.
  • it may be executed when replenishing the plating bath 10 with the plating solution Ps.
  • the air bubbles Bu adhering to the holes 12a of the ion resistor 12 can be removed. As a result, it is possible to prevent deterioration of the plating quality of the substrate Wf due to the adhering air bubbles Bu.
  • FIG. 7 is an example of a flow chart for explaining the plating method according to Modification 1 of the embodiment.
  • the plating method according to this modification differs from the plating method described with reference to FIG. 6 in that step S35 is further included between steps S30 and S40.
  • step S35 the plating solution Ps is allowed to overflow from the plating bath 10 while the paddle 70 stops stirring the plating solution Ps.
  • the plating solution Ps is caused to overflow from the plating bath 10 by supplying the plating solution Ps from the supply port 13 .
  • the plating solution Ps overflowing from the plating bath 10 flows into the overflow bath 20 .
  • step S35 may be executed for a preset predetermined time.
  • a specific example of this predetermined time is not particularly limited, but for example, a time selected from 2 seconds or more and 120 seconds or less can be used.
  • step S35 since step S35 is executed, the air bubbles Bu floating above the ion resistor 12 can be discharged to the outside of the plating tank 10 together with the plating solution Ps overflowing from the plating tank 10. .
  • step S40 when the substrate Wf is immersed in the plating solution Ps in step S40, adhesion of the air bubbles Bu to the substrate Wf can be effectively suppressed.
  • the flow rate of the plating solution Ps supplied to the plating tank 10 in step S35 is the "reference flow rate (L/ min)” may be greater, lesser, or the same.
  • step S35 when the flow rate of the plating solution Ps supplied to the plating bath 10 in step S35 is larger than the reference flow rate, the air bubbles Bu in the plating solution Ps in the plating bath 10 are reduced in step S35 compared to the case where it is not. It is preferable in that it can be discharged to the outside of the plating bath 10 at an early stage.
  • FIG. 8 is an example of a flow diagram for explaining a plating method according to Modification 2 of the embodiment.
  • the flow of FIG. 8 is executed after execution of step S60 of FIG. 6 described above.
  • the plating method according to this modification differs from the plating method described above with reference to FIG. ing.
  • step S70 after plating the substrate Wf, the substrate Wf is lifted out of the plating solution Ps. Specifically, in this modification, the substrate holder 30 is moved upward by the elevating mechanism 50 to lift the substrate Wf out of the plating solution Ps.
  • step S80 the plating solution Ps is stirred by driving the paddle 70 arranged above the ion resistor 12 while the substrate Wf is lifted from the plating solution Ps. Since the driving mode of the paddles 70 in step S80 is the same as the driving mode of the paddles 70 in step S20 described above, detailed description of step S80 will be omitted.
  • step S90 stirring of the plating solution Ps by the paddle 70 is stopped.
  • step S100 the “second substrate Wf′” is immersed in the plating solution Ps while the paddle 70 stops stirring the plating solution Ps.
  • the second substrate Wf' is a substrate to be plated after the substrate Wf that has been plated in step S60.
  • the specific configuration of the second substrate Wf' is the same as that of the substrate Wf.
  • step S100 is the same as step S40 described above, except that the second substrate Wf' is used instead of the substrate Wf. Therefore, detailed description of step S100 is omitted.
  • the second substrate Wf′ is immersed in the plating solution Ps in a state where the stirring of the plating solution Ps by the paddle 70 is stopped in step S100. It is possible to suppress waving of the liquid surface of the plating solution Ps during the immersion. As a result, it is possible to prevent a large amount of air bubbles Bu from adhering to the surface to be plated Wfa of the second substrate Wf'.
  • step S110 stirring of the plating solution Ps by the paddle 70 is restarted while the second substrate Wf' is immersed in the plating solution Ps.
  • the paddle 70 arranged above the ion resistor 12 and below the second substrate Wf′ is alternately driven in the first direction and the second direction so that the plating solution Ps by the paddle 70 is resume agitation.
  • step S110 is the same as step S50 described above, except that the second substrate Wf' is used instead of the substrate Wf. Therefore, detailed description of step S110 is omitted.
  • step S120 in a state in which the paddle 70 resumes stirring the plating solution Ps, electricity is applied between the second substrate Wf' and the anode 11, so that the surface to be plated Wfa of the second substrate Wf' is are plated. As a result, a plating film made of metal is formed on the surface to be plated Wfa of the second substrate Wf'.
  • step S120 is the same as step S60 described above, except that the second substrate Wf' is used instead of the substrate Wf. Therefore, detailed description of step S120 is omitted.
  • step S120 the plating solution Ps is agitated by the paddle 70 during the plating process on the second substrate Wf′, so that the plating solution Ps is applied to the surface to be plated Wfa of the second substrate Wf′ during the plating process.
  • the plating solution Ps is applied to the surface to be plated Wfa of the second substrate Wf′ during the plating process.
  • a plating film can be effectively formed on the second substrate Wf'.
  • the same flow as that shown in FIG. 8 must be performed again for the third substrate. Just do it.
  • step S35 of FIG. 7 described above may be executed between step S90 and step S100.
  • the effects of the invention according to Modification 1 described above can be further exhibited.
  • FIG. 9 is a schematic plan view of a paddle 70A according to Modification 3 of the embodiment.
  • the paddle 70A according to the present modification includes, in addition to the "plurality of stirring members 71a (that is, the first stirring member group)", the “plurality of stirring members” having shorter lengths in the extending direction than the stirring members 71a. 71b, 71c, 71d, and 71e (that is, a second stirring member group)”, which is different from the paddle 70 illustrated in FIG.
  • the paddle 70A according to this modification includes stirring members 71b, 71c, 71d, and 71e on the first direction side and the second direction side of the plurality of stirring members 71a, respectively.
  • the length of the stirring members 71b, 71c, 71d, and 71e in the extending direction may be shortened as they are separated from the stirring member 71a.
  • One end of the stirring members 71b, 71c, 71d, and 71e may be connected to the connecting member 72c, and the other end may be connected to the connecting member 72d.
  • the paddle 70A is provided with the stirring members 71b, 71c, 71d, and 71e.
  • the possible area can be widened.
  • the plating apparatus 1000 having the paddle 70A according to this modified example executes the flow described above with reference to FIG. Further, in the first and second modifications described above, instead of the paddle 70, a paddle 70A according to this modification may be used.
  • FIG. 10 is a schematic plan view of a paddle 70B according to Modification 4 of the embodiment.
  • the paddle 70B according to this modification includes a plurality of stirring members 71f extending in a predetermined direction, and connecting members 72e connecting both ends of the respective stirring members 71f.
  • the connecting members 72e are ring-shaped in plan view. It differs from the paddle 70 illustrated in FIG.
  • the paddle 70B according to this modification is also different from the paddle 70 illustrated in FIG. 5 in that it is driven to rotate in the horizontal plane by a driving device 77a and a driving device 77b.
  • the driving device 77a alternately drives the connecting member 72e of the paddle 70B in the Y direction and the ⁇ Y direction.
  • the driving device 77b alternately drives the connecting member 72e in the -Y direction and the Y direction.
  • the paddle 70B rotates about the center of the ring-shaped connecting member 72e as the center of rotation in a horizontal plane in a first rotating direction (for example, a clockwise direction in a plan view) and in a rotating direction opposite to the first rotating direction. It alternately rotates in two rotational directions (for example, counterclockwise in plan view).
  • the plating solution Ps can be agitated by the paddle 70B, so the air bubbles Bu adhering to the holes 12a of the ion resistor 12 can be removed.
  • the plating apparatus 1000 having the paddle 70B according to this modified example executes the flow described above with reference to FIG. Further, in the above-described modification 1 and modification 2, instead of the paddle 70, a paddle 70B according to this modification may be used.
  • FIG. 11 is a schematic plan view of a paddle 70C according to modification 5 of the embodiment.
  • a paddle 70C according to this modification differs from the paddle 70 illustrated in FIG. 5 in that it includes a plurality of stirring members 73 having a honeycomb structure.
  • the paddle 70C according to this modification may further include a covering frame 75 and outer frames 76a and 76b, as illustrated in FIG.
  • Each stirring member 73 has a polygonal through-hole 73a extending in the vertical direction (vertical direction).
  • the specific shape of the polygon of the through hole 73a is not particularly limited, and various N-sided shapes such as triangle, quadrangle, pentagon, hexagon, heptagon, and octagon (N is a natural number of 3 or more). can be used.
  • N is a natural number of 3 or more.
  • a hexagon is used as an example of a polygon.
  • the plurality of stirring members 73 have square portions 74a having a square shape in plan view.
  • the square portion 74a according to the present modification has a rectangular shape extending in the horizontal direction and having a longitudinal direction (Y-axis direction) perpendicular to the first direction and the second direction. have.
  • the configuration is not limited to this, and the square portion 74a may have a rectangular shape with the first direction and the second direction as longitudinal directions, or may have a square shape. good too.
  • the plurality of stirring members 73 includes a first projecting portion 74b projecting in the first direction from the side surface of the square portion 74a on the first direction side, and a second projecting portion 74b from the side surface of the square portion 74a on the second direction side. and a second projecting portion 74c projecting in the direction side. That is, the outer edges of the plurality of stirring members 73 according to this modified example have an external shape having a rectangular portion 74a, a first projecting portion 74b, and a second projecting portion 74c in plan view.
  • the first protruding portion 74b according to the present modification protrudes in an arc shape (in other words, in an arcuate shape) in the first direction.
  • the second protruding portion 74c according to the present modification protrudes in an arc shape (in other words, an arc shape) in the second direction.
  • the covering frame 75 is provided so as to cover the outer edges of the plurality of stirring members 73 .
  • the outer frame 76a is connected to one side (the side in the Y direction) of the covering frame 75 .
  • the outer frame 76b is connected to the side surface of the covering frame 75 on the other side (the side in the -Y direction).
  • the paddle 70C is connected to a drive device 77 and driven alternately in the first and second directions. Specifically, in the paddle 70C according to this modified example, the outer frame 76b of the paddle 70C is connected to the driving device 77. As shown in FIG.
  • the plating solution Ps can be stirred by the paddle 70C, so the air bubbles Bu adhering to the holes 12a of the ion resistor 12 can be removed.
  • the paddle 70C since the paddle 70C has a honeycomb structure, the paddle 70C does not have a honeycomb structure, but has a rod-like or plate-like shape extending in a direction perpendicular to the driving direction of the paddle 70C.
  • the arrangement density of the plurality of agitating members 73 can be increased compared to the case where the agitating members 73 are configured by the members (for example, the case shown in FIG. 5 described above).
  • the plating solution Ps can be effectively stirred by the paddle 70C.
  • the bubbles Bu adhering to the holes 12a of the ion resistor 12 can be effectively removed.
  • the plurality of stirring members 73 of the paddle 70C has the rectangular portion 74a, the first projecting portion 74b, and the second projecting portion 74c. , the area where the paddle 70C can agitate when the paddle 70C moves a certain distance is widened compared to the case where the square portion 74a is provided but the first projecting portion 74b and the second projecting portion 74c are not provided. can do.
  • the paddle width D2 may be the same value as the substrate width D1.
  • the paddle width D2 is smaller than the substrate width D1
  • the paddle 70C and the outer peripheral wall 10b of the plating tank 10 are larger than when the paddle width D2 is the same as the substrate width D1 or larger than the substrate width D1. It is possible to secure a large gap between As a result, the moving distance of the paddle 70C in the first and second directions inside the plating tank 10 (that is, the stroke during the reciprocating movement of the paddle 70C) can be increased. As a result, the plating solution Ps can be effectively stirred by the paddle 70C, so that the air bubbles Bu adhering to the holes 12a of the ion resistor 12 can be effectively removed. From this point of view, the paddle width D2 is preferably smaller than the substrate width D1.
  • the substrate width D1 corresponds to the diameter of the plated surface Wfa.
  • the substrate width D1 is the maximum value of the distance between the side of the surface to be plated Wfa in the first direction and the opposite side (side in the second direction). corresponds to
  • a plating apparatus 1000 having a paddle 70C according to this modified example executes the flow described above with reference to FIG. However, it is not limited to this configuration.
  • the plating apparatus 1000 according to this modification stirs the plating solution Ps by the paddles 70C when the plating solution Ps is supplied to the plating tank 10 (steps S10 and S20) and when the substrate Wf may be executed only in either one of the plating processes (step S50, step S60).
  • a paddle 70C according to this modified example may be used instead of the paddle 70.
  • REFERENCE SIGNS LIST 10 plating tank 11 anode 12 ion resistor 12a hole 30 substrate holder 70, 70A, 70B, 70C paddle 73 stirring member 73a through-hole 74a square portion 74b first projecting portion 74c second projecting portion 1000 plating apparatus Wf substrate Ps plating solution Bu air bubbles

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Abstract

イオン抵抗体の孔に付着した気泡を除去することができる技術を提供する。　めっき方法は、アノード及びイオン抵抗体がめっき液に浸漬された状態でイオン抵抗体よりも上方に配置されたパドルを駆動することでめっき液を撹拌すること（ステップＳ２０）、パドルによるめっき液の撹拌が停止された状態でカソードとしての基板をめっき液に浸漬させること（ステップＳ４０）、基板がめっき液に浸漬された状態でイオン抵抗体よりも上方且つ基板よりも下方に配置されたパドルによるめっき液の撹拌を再開させること（ステップＳ５０）、及び、パドルによるめっき液の撹拌が再開された状態で基板とアノードとの間に電気を流すことで基板にめっき処理を施すこと（ステップＳ６０）を含む。

Description

めっき方法及びめっき装置
　本発明は、めっき方法及びめっき装置に関する。
　従来、基板にめっき処理を施すことが可能なめっき装置として、いわゆるカップ式のめっき装置が知られている（例えば、特許文献１参照）。このようなめっき装置は、めっき液を貯留するめっき槽と、カソードとしての基板を保持する基板ホルダと、基板ホルダを回転させる回転機構と、基板ホルダを昇降させる昇降機構と、を備えている。
　また、従来、例えばめっき皮膜の膜厚の面内均一性を図るために、めっき槽の内部に、複数の孔を有するイオン抵抗体を配置する技術が知られている（例えば、特許文献２参照）。
特開２００８－１９４９６号公報 特開２００４－３６３４２２号公報
　上述した特許文献１に例示されるようなカップ式のめっき装置のめっき槽の内部にイオン抵抗体を配置した場合において、仮に、めっき槽のめっき液に含まれる気泡がイオン抵抗体の孔に多量に付着した場合、この孔に付着した気泡に起因して基板のめっき品質が悪化するおそれがある。
　本発明は、上記のことを鑑みてなされたものであり、イオン抵抗体の孔に付着した気泡を除去することができる技術を提供することを目的の一つとする。
（態様１）
　上記の目的を達成するため、本発明の一態様に係るめっき方法は、アノードと、前記アノードよりも上方に配置されて、複数の孔を有するイオン抵抗体と、が配置されためっき槽に、めっき液を供給して、前記アノード及び前記イオン抵抗体をめっき液に浸漬させること、前記アノード及び前記イオン抵抗体がめっき液に浸漬された状態で、前記イオン抵抗体よりも上方に配置されたパドルを駆動することでめっき液を撹拌すること、前記パドルによるめっき液の撹拌が停止された状態で、カソードとしての基板をめっき液に浸漬させること、前記基板がめっき液に浸漬された状態で、前記イオン抵抗体よりも上方且つ前記基板よりも下方に配置された前記パドルによるめっき液の撹拌を再開させること、及び、前記パドルによるめっき液の撹拌が再開された状態で、前記基板と前記アノードとの間に電気を流すことで、前記基板にめっき処理を施すこと、を含む。
　この態様によれば、例えば、めっき槽へのめっき液の供給時に、めっき液に含まれる気泡がイオン抵抗体の孔に付着した場合であっても、パドルによるめっき液の撹拌によって、孔に付着した気泡の上方への移動を促進させることができる。これにより、イオン抵抗体の孔に付着した気泡を除去することができる。
　また、この態様によれば、パドルによるめっき液の撹拌が停止された状態で基板がめっき液に浸漬されるので、基板のめっき液への浸漬時に、パドルによるめっき液の撹拌に起因してめっき液の液面が波打つことを抑制することもできる。これにより、基板のめっき液への浸漬時に基板に気泡が多量に付着することも抑制することができる。
　また、この態様によれば、基板がめっき液に浸漬された状態でパドルによるめっき液の撹拌が再開されるので、基板にめっき液を効果的に供給することができる。これにより、例えば、基板の配線パターンの内部に残存したプリウェット処理液を、めっき液で効果的に置換することができる。
　また、この態様によれば、パドルによるめっき液の撹拌が再開された状態でめっき処理が施されるので、めっき処理時において、めっき液を基板に効果的に供給することができる。これにより、基板にめっき皮膜を効果的に形成させることができる。
（態様２）
　上記の態様１は、前記パドルによるめっき液の撹拌が停止された状態で、前記めっき槽からめっき液をオーバーフローさせることを、さらに含み、前記パドルによるめっき液の撹拌が停止された状態で前記基板をめっき液に浸漬させることは、前記めっき槽からめっき液をオーバーフローさせた後に実行されてもよい。
　この態様によれば、イオン抵抗体よりも上方に浮上した気泡を、めっき槽からオーバーフローするめっき液とともにめっき槽の外部に排出させることができる。これにより、基板がめっき液に浸漬される際に、基板に気泡が付着することを効果的に抑制することができる。
（態様３）
　上記の態様１又は２は、前記基板にめっき処理を施した後に、前記基板をめっき液から引き上げること、前記基板がめっき液から引き上げられた状態で、前記イオン抵抗体よりも上方に配置された前記パドルを駆動することでめっき液を撹拌すること、前記パドルによるめっき液の撹拌が停止された状態で、第２の基板をめっき液に浸漬させること、前記第２の基板がめっき液に浸漬された状態で、前記イオン抵抗体よりも上方且つ前記第２の基板よりも下方に配置された前記パドルによるめっき液の撹拌を再開させること、及び、前記パドルによるめっき液の撹拌が再開された状態で、前記第２の基板と前記アノードとの間に電気を流すことで、前記第２の基板にめっき処理を施すこと、をさらに含んでいてもよい。
（態様４）
　上記の態様１～３のいずれか１態様において、前記パドルによるめっき液の撹拌が停止された状態で前記基板をめっき液に浸漬させることは、前記パドルによるめっき液の撹拌が停止された状態で、且つ、前記基板の被めっき面を水平方向に対して傾斜させた状態で、前記基板をめっき液に浸漬させることを含んでいてもよい。
（態様５）
　上記の態様４において、前記めっき液に浸漬された状態の前記基板の被めっき面を水平方向に戻すこと、をさらに含み、前記基板がめっき液に浸漬された状態で前記パドルによるめっき液の撹拌を再開させることは、前記めっき液に浸漬された状態の前記基板の被めっき面を水平方向に戻した後に、実行されてもよい。
　仮に、基板の被めっき面が水平方向に対して傾斜した状態でパドルによるめっき液の撹拌が再開される場合、傾斜した状態の基板の被めっき面の上端がめっき液の液面に近くなるため、パドルによるめっき液の撹拌の再開によってめっき液の液面が波打ったときに、基板の被めっき面に気泡が巻き込まれ易くなるおそれがある。これに対して、この態様によれば、めっき液に浸漬された状態の基板の被めっき面を水平方向に戻した後にパドルによるめっき液の撹拌が再開されるので、仮にパドルによるめっき液の撹拌の再開によってめっき液の液面が波打った場合であっても、基板の被めっき面に気泡が巻き込まれることを効果的に抑制することができる。
（態様６）
　上記の態様１において、前記アノード及び前記イオン抵抗体がめっき液に浸漬された状態で前記パドルを駆動することでめっき液を撹拌する際における、前記イオン抵抗体の下面側から前記複数の孔を通過して前記イオン抵抗体の上面側に向かって流動するめっき液の流量は、前記基板にめっき処理を施す際における前記めっき液の流量よりも多くてもよい。
　この態様によれば、イオン抵抗体の孔に付着した気泡を効果的に除去することができる。
（態様７）
　上記の態様１～６のいずれか１態様において、前記パドルは、前記イオン抵抗体の上面に平行な第１方向及び前記第１方向とは反対の第２方向に交互に駆動されて、めっき液を撹拌してもよい。
（態様８）
　上記の態様７において、前記パドルは、上下方向に延在する多角形の貫通孔を有する撹拌部材を複数備える、ハニカム構造を有し、複数の前記撹拌部材は、平面視で、四角形状の角形部位と、前記角形部位における前記第１方向の側の側面から前記第１方向の側に円弧状に突出する第１突出部位と、前記角形部位の前記第２方向の側の側面から前記第２方向の側に円弧状に突出する第２突出部位と、を有していてもよい。
　この態様によれば、パドルがハニカム構造を有しているので、複数の撹拌部材の配置密度を多くすることが容易にできる。これにより、パドルによって、めっき液を効果的に撹拌することができるので、イオン抵抗体の孔に付着した気泡を効果的に除去することができる。
　また、この態様によれば、パドルの複数の撹拌部材が、角形部位と第１突出部位と第２突出部位とを有しているので、例えば、複数の撹拌部材が、角形部位を有しているが第１突出部位及び第２突出部位を有していない場合に比較して、パドルが一定距離移動したときのパドルが撹拌可能なエリアを広くすることが容易にできる。これにより、パドルによって、めっき液を効果的に撹拌することができるので、イオン抵抗体の孔に付着した気泡をより効果的に除去することができる。
（態様９）
　上記の態様８において、前記第１突出部位と前記第２突出部位との距離の最大値であるパドル幅は、めっき処理が施される前記基板の被めっき面の前記第１方向にある外縁と前記第２方向にある外縁との距離の最大値である基板幅よりも小さくてもよい。
　この態様によれば、例えば、パドル幅が基板幅と同じ場合又は基板幅よりも大きい場合に比較して、パドルの第１方向及び第２方向への移動距離を大きくすることができる。これにより、パドルによってめっき液をより効果的に撹拌することができるので、イオン抵抗体の孔に付着した気泡を効果的に除去することができる。
（態様１０）
　上記の目的を達成するため、本発明の一態様に係るめっき装置は、アノードと、前記アノードよりも上方に配置されて、複数の孔を有するイオン抵抗体と、が配置されためっき槽と、カソードしての基板を保持する基板ホルダと、前記イオン抵抗体よりも上方且つ前記基板よりも下方に配置されるとともに、前記イオン抵抗体の上面に平行な第１方向及び前記第１方向とは反対の第２方向に交互に駆動されて、前記めっき槽に貯留されためっき液を撹拌するように構成されたパドルと、を備え、前記パドルは、上下方向に延在する多角形の貫通孔を有する撹拌部材を複数備える、ハニカム構造を有し、複数の前記撹拌部材は、平面視で、四角形状の角形部位と、前記角形部位における前記第１方向の側の側面から前記第１方向の側に円弧状に突出する第１突出部位と、前記角形部位の前記第２方向の側の側面から前記第２方向の側に円弧状に突出する第２突出部位と、を有する。
　この態様によれば、気泡がイオン抵抗体の孔に付着した場合であっても、パドルによるめっき液の撹拌によって、孔に付着した気泡の上方への移動を促進させることができる。これにより、イオン抵抗体の孔に付着した気泡を除去することができる。
　また、この態様によれば、パドルの複数の撹拌部材がハニカム構造を有しており、且つ、パドルの複数の撹拌部材が、角形部位と第１突出部位と第２突出部位とを有しているので、前述したように、パドルによってめっき液をより効果的に撹拌することができ、イオン抵抗体の孔に付着した気泡を効果的に除去することができる。
（態様１１）
　上記の態様１０において、前記第１突出部位と前記第２突出部位との距離の最大値であるパドル幅は、めっき処理が施される前記基板の被めっき面の前記第１方向にある外縁と前記第２方向にある外縁との距離の最大値である基板幅よりも小さくてもよい。
実施形態に係るめっき装置の全体構成を示す斜視図である。 実施形態に係るめっき装置の全体構成を示す平面図である。 実施形態に係るめっき装置におけるめっきモジュールの構成を示す模式図である。 実施形態に係る基板がめっき液に浸漬された状態を示す模式図である。 実施形態に係るパドルの模式的な平面図である。 実施形態に係るめっき方法を説明するためのフロー図の一例である。 実施形態の変形例１に係るめっき方法を説明するためのフロー図の一例である。 実施形態の変形例２に係るめっき方法を説明するためのフロー図の一例である。 実施形態の変形例３に係るパドルの模式的な平面図である。 実施形態の変形例４に係るパドルの模式的な平面図である。 実施形態の変形例５に係るパドルの模式的な平面図である。 実施形態に係るめっき槽の内部に膜が配置された場合のめっき槽の内部構成の一例を示す模式的断面図である。
（実施形態）
　以下、本発明の実施形態について、図面を参照しつつ説明する。なお、図面は、構成要素の特徴の理解を容易にするために模式的に図示されており、各構成要素の寸法比率等は実際のものと同じであるとは限らない。また、いくつかの図面には、参考用として、Ｘ－Ｙ－Ｚの直交座標が図示されている。この直交座標のうち、Ｚ方向は上方に相当し、－Ｚ方向は下方（重力が作用する方向）に相当する。
　図１は、本実施形態のめっき装置１０００の全体構成を示す斜視図である。図２は、本実施形態のめっき装置１０００の全体構成を示す平面図（上面図）である。図１及び図２に示すように、めっき装置１０００は、ロードポート１００、搬送ロボット１１０、アライナ１２０、プリウェットモジュール２００、プリソークモジュール３００、めっきモジュール４００、洗浄モジュール５００、スピンリンスドライヤ６００、搬送装置７００、及び、制御モジュール８００を備える。
　ロードポート１００は、めっき装置１０００に図示していないＦＯＵＰなどのカセットに収容された基板を搬入したり、めっき装置１０００からカセットに基板を搬出するためのモジュールである。本実施形態では４台のロードポート１００が水平方向に並べて配置されているが、ロードポート１００の数及び配置は任意である。搬送ロボット１１０は、基板を搬送するためのロボットであり、ロードポート１００、アライナ１２０、プリウェットモジュール２００及びスピンリンスドライヤ６００の間で基板を受け渡すように構成される。搬送ロボット１１０及び搬送装置７００は、搬送ロボット１１０と搬送装置７００との間で基板を受け渡す際には、仮置き台（図示せず）を介して基板の受け渡しを行うことができる。
　アライナ１２０は、基板のオリエンテーションフラットやノッチなどの位置を所定の方向に合わせるためのモジュールである。本実施形態では２台のアライナ１２０が水平方向に並べて配置されているが、アライナ１２０の数及び配置は任意である。プリウェットモジュール２００は、めっき処理前の基板の被めっき面を純水または脱気水などの処理液で濡らすことで、基板表面に形成されたパターン内部の空気を処理液に置換する。プリウェットモジュール２００は、めっき時にパターン内部の処理液をめっき液に置換することでパターン内部にめっき液を供給しやすくするプリウェット処理を施すように構成される。本実施形態では２台のプリウェットモジュール２００が上下方向に並べて配置されているが、プリウェットモジュール２００の数及び配置は任意である。
　プリソークモジュール３００は、例えばめっき処理前の基板の被めっき面に形成したシード層表面等に存在する電気抵抗の大きい酸化膜を硫酸や塩酸等の処理液でエッチング除去してめっき下地表面を洗浄または活性化するプリソーク処理を施すように構成される。本実施形態では２台のプリソークモジュール３００が上下方向に並べて配置されているが、プリソークモジュール３００の数及び配置は任意である。めっきモジュール４００は、基板にめっき処理を施す。本実施形態では、上下方向に３台かつ水平方向に４台並べて配置された１２台のめっきモジュール４００のセットが２つあり、合計２４台のめっきモジュール４００が設けられているが、めっきモジュール４００の数及び配置は任意である。
　洗浄モジュール５００は、めっき処理後の基板に残るめっき液等を除去するために基板に洗浄処理を施すように構成される。本実施形態では２台の洗浄モジュール５００が上下方向に並べて配置されているが、洗浄モジュール５００の数及び配置は任意である。スピンリンスドライヤ６００は、洗浄処理後の基板を高速回転させて乾燥させるためのモジュールである。本実施形態では２台のスピンリンスドライヤ６００が上下方向に並べて配置されているが、スピンリンスドライヤ６００の数及び配置は任意である。搬送装置７００は、めっき装置１０００内の複数のモジュール間で基板を搬送するための装置である。制御モジュール８００は、めっき装置１０００の複数のモジュールを制御するように構成され、例えばオペレータとの間の入出力インターフェースを備える一般的なコンピュータまたは専用コンピュータから構成することができる。
　めっき装置１０００による一連のめっき処理の一例を説明する。まず、ロードポート１００にカセットに収容された基板が搬入される。続いて、搬送ロボット１１０は、ロードポート１００のカセットから基板を取り出し、アライナ１２０に基板を搬送する。アライナ１２０は、基板のオリエンテーションフラットやノッチなどの位置を所定の方向に合わせる。搬送ロボット１１０は、アライナ１２０で方向を合わせた基板をプリウェットモジュール２００へ受け渡す。
　プリウェットモジュール２００は、基板にプリウェット処理を施す。搬送装置７００は、プリウェット処理が施された基板をプリソークモジュール３００へ搬送する。プリソークモジュール３００は、基板にプリソーク処理を施す。搬送装置７００は、プリソーク処理が施された基板をめっきモジュール４００へ搬送する。めっきモジュール４００は、基板にめっき処理を施す。
　搬送装置７００は、めっき処理が施された基板を洗浄モジュール５００へ搬送する。洗浄モジュール５００は、基板に洗浄処理を施す。搬送装置７００は、洗浄処理が施された基板をスピンリンスドライヤ６００へ搬送する。スピンリンスドライヤ６００は、基板に乾燥処理を施す。搬送ロボット１１０は、スピンリンスドライヤ６００から基板を受け取り、乾燥処理を施した基板をロードポート１００のカセットへ搬送する。最後に、ロードポート１００から基板を収容したカセットが搬出される。
　なお、図１や図２で説明しためっき装置１０００の構成は、一例に過ぎず、めっき装置１０００の構成は、図１や図２の構成に限定されるものではない。
　続いて、めっきモジュール４００について説明する。なお、本実施形態に係るめっき装置１０００が有する複数のめっきモジュール４００は同様の構成を有しているので、１つのめっきモジュール４００について説明する。
　図３は、本実施形態に係るめっき装置１０００におけるめっきモジュール４００の構成を示す模式図である。具体的には、図３は、基板Ｗｆがめっき液Ｐｓに浸漬される前の状態におけるめっきモジュール４００を模式的に図示している。図４は、基板Ｗｆがめっき液Ｐｓに浸漬された状態を示す模式図である。なお、図４の一部には、Ａ１部分の拡大図も併せて図示されているが、このＡ１部分の拡大図において、後述するパドル７０の図示は省略されている。
　本実施形態に係るめっき装置１０００は、カップ式のめっき装置である。めっき装置１０００のめっきモジュール４００は、めっき槽１０と、オーバーフロー槽２０と、基板ホルダ３０と、パドル７０と、を備えている。また、めっきモジュール４００は、図３に例示するように、回転機構４０と、傾斜機構４５と、昇降機構５０と、を備えていてもよい。
　本実施形態に係るめっき槽１０は、上方に開口を有する有底の容器によって構成されている。具体的には、めっき槽１０は、底壁１０ａと、この底壁１０ａの外周縁から上方に延在する外周壁１０ｂとを有しており、この外周壁１０ｂの上部が開口している。なお、めっき槽１０の外周壁１０ｂの形状は特に限定されるものではないが、本実施形態に係る外周壁１０ｂは、一例として円筒形状を有している。めっき槽１０の内部には、めっき液Ｐｓが貯留されている。また、めっき槽１０には、めっき槽１０にめっき液Ｐｓを供給するための供給口１３が設けられている。
　めっき液Ｐｓとしては、めっき皮膜を構成する金属元素のイオンを含む溶液であればよく、その具体例は特に限定されるものではない。本実施形態においては、めっき処理の一例として、銅めっき処理を用いており、めっき液Ｐｓの一例として、硫酸銅溶液を用いている。また、めっき液Ｐｓには所定の添加剤が含まれていてもよい。
　めっき槽１０の内部には、アノード１１が配置されている。アノード１１の具体的な種類は特に限定されるものではなく、不溶解アノードであってもよく、溶解アノードであってもよい。本実施形態では、アノード１１の一例として、不溶解アノードを用いている。この不溶解アノードの具体的な種類は特に限定されるものではなく、白金や酸化イリジウム等を用いることができる。
　めっき槽１０の内部において、アノード１１よりも上方には、イオン抵抗体１２が配置されている。具体的には、図４（Ａ１部分の拡大図）に示すように、イオン抵抗体１２は、複数の孔１２ａ（細孔）を有する多孔質の板部材によって構成されている。孔１２ａは、イオン抵抗体１２の下面と上面とを連通するように設けられている。図３に示すように、イオン抵抗体１２における複数の孔１２ａが形成された領域を「孔形成エリアＰＡ」と称する。本実施形態に係る孔形成エリアＰＡは、平面視で円形状を有している。また、本実施形態に係る孔形成エリアＰＡの面積は、基板Ｗｆの被めっき面Ｗｆａの面積と同じか、又は、この被めっき面Ｗｆａの面積よりも大きい。但し、この構成に限定されるものではなく、孔形成エリアＰＡの面積は、基板Ｗｆの被めっき面Ｗｆａの面積よりも小さくてもよい。
　このイオン抵抗体１２は、アノード１１とカソードとしての基板Ｗｆ（符号は後述する図６に図示されている）との間に形成される電場の均一化を図るために設けられている。本実施形態のように、めっき槽１０にイオン抵抗体１２が配置されることで、基板Ｗｆに形成されるめっき皮膜（めっき層）の膜厚の均一化を容易に図ることができる。
　オーバーフロー槽２０は、めっき槽１０の外側に配置された、有底の容器によって構成されている。オーバーフロー槽２０は、めっき槽１０の外周壁１０ｂの上端を超えためっき液Ｐｓ（すなわち、めっき槽１０からオーバーフローしためっき液Ｐｓ）を一時的に貯留するために設けられている。オーバーフロー槽２０に貯留されためっき液Ｐｓは、排出口１４から排出された後に、流路１５を通過して、リザーバータンク８０（図４参照）に一時的に貯留される。このリザーバータンク８０に貯留されためっき液Ｐｓは、その後、ポンプ８１（図４参照）によって圧送されて、供給口１３から再びめっき槽１０に循環される。
　めっきモジュール４００は、めっき槽１０のめっき液Ｐｓの液面の位置を検出するためのレベルセンサ６０ａを備えていてもよい。このレベルセンサ６０ａの検出結果は、制御モジュール８００に伝えられる。
　また、めっきモジュール４００は、めっき槽１０からオーバーフローしためっき液Ｐｓの流量（Ｌ／ｍｉｎ）を検出するための流量センサ６０ｂを備えていてもよい。この流量センサ６０ｂの検出結果は、制御モジュール８００に伝えられる。なお、流量センサ６０ｂの具体的な配置箇所は、特に限定されるものではないが、本実施形態に係る流量センサ６０ｂは、一例として、オーバーフロー槽２０の排出口１４とリザーバータンク８０とを連通する流路１５に配置されている。
　基板ホルダ３０は、カソードとしての基板Ｗｆを、基板Ｗｆの被めっき面Ｗｆａがアノード１１に対向するように保持している。本実施形態において、基板Ｗｆの被めっき面Ｗｆａは、具体的には、基板Ｗｆの下方側を向いた面（下面）に設けられている。
　図３に例示するように、基板ホルダ３０は基板Ｗｆの被めっき面Ｗｆａの外周縁よりも下方に突出するように設けられたリング３１を有していてもよい。具体的には、本実施形態に係るリング３１は、下面視で、リング形状を有している。
　基板ホルダ３０は、回転機構４０に接続されていている。回転機構４０は、基板ホルダ３０を回転させるための機構である。図３に例示されている「Ｒ１」は、基板ホルダ３０の回転方向の一例である。回転機構４０としては、公知の回転モータ等を用いることができる。傾斜機構４５は、回転機構４０及び基板ホルダ３０を傾斜させるための機構である。昇降機構５０は、上下方向に延在する支軸５１によって支持されている。昇降機構５０は、基板ホルダ３０、回転機構４０及び傾斜機構４５を上下方向に昇降させるための機構である。昇降機構５０としては、直動式のアクチュエータ等の公知の昇降機構を用いることができる。
　なお、図１２に例示するように、めっき槽１０の内部において、アノード１１よりも上方且つイオン抵抗体１２よりも下方の箇所には、膜１６が配置されていてもよい。この場合、めっき槽１０の内部は、膜１６によって、膜１６よりも下方のアノード室１７ａと、膜１６よりも上方のカソード室１７ｂとに区画される。アノード１１はアノード室１７ａに配置され、イオン抵抗体１２はカソード室１７ｂに配置される。膜１６は、めっき液Ｐｓに含まれる金属イオンを含むイオン種が膜１６を通過することを許容しつつ、めっき液Ｐｓに含まれる非イオン系のめっき添加剤が膜１６を通過することを抑制するように構成されている。このような膜１６として、例えばイオン交換膜を用いることができる。
　また、めっき槽１０の内部が膜１６によってアノード室１７ａとカソード室１７ｂとに区画される場合、供給口１３は、アノード室１７ａ及びカソード室１７ｂにそれぞれ設けられることが好ましい。また、アノード室１７ａには、アノード室１７ａのめっき液Ｐｓを排出するための排出口１４ａが設けられることが好ましい。
　図５は、パドル７０の模式的な平面図である。図３、図４及び図５を参照して、パドル７０は、イオン抵抗体１２よりも上方、且つ、基板Ｗｆよりも下方の箇所に配置されている。パドル７０は、駆動装置７７によって駆動される。パドル７０が駆動されることで、めっき槽１０のめっき液Ｐｓは撹拌される。
　本実施形態に係るパドル７０は、一例として、イオン抵抗体１２の上面と平行な「第１方向（本実施形態では、一例として、Ｘ方向）」、及び、第１方向とは反対の「第２方向（本実施形態では、一例として、－Ｘ方向）」に交互に駆動される。すなわち、本実施形態に係るパドル７０は、一例として、Ｘ軸の方向に往復移動する。このパドル７０の駆動動作は、制御モジュール８００が制御している。
　図５に例示するように、本実施形態に係るパドル７０は、一例として、パドル７０の第１方向及び第２方向に対して垂直な方向（Ｙ軸の方向）に延在する撹拌部材７１ａを、複数有している。隣接する撹拌部材７１ａの間には、隙間が設けられている。複数の撹拌部材７１ａの一端は連結部材７２ａに連結され、他端は連結部材７２ｂに連結されている。
　パドル７０は、平面視で、めっき液Ｐｓの撹拌時におけるパドル７０の移動領域ＭＡ（すなわち、パドル７０が往復移動する範囲）がイオン抵抗体１２の孔形成エリアＰＡの全面を覆うように構成されていることが、好ましい。この構成によれば、イオン抵抗体１２の孔形成エリアＰＡよりも上方のめっき液Ｐｓを、パドル７０によって効果的に撹拌することができる。
　なお、パドル７０は、少なくともめっき液Ｐｓを撹拌するときに、めっき槽１０の内部に配置されていればよく、めっき槽１０の内部に常に配置されている必要はない。例えば、パドル７０の駆動が停止されてパドル７０によるめっき液Ｐｓの撹拌が行われない場合には、パドル７０はめっき槽１０の内部に配置されていない構成とすることもできる。
　制御モジュール８００は、マイクロコンピュータを備えており、このマイクロコンピュータは、プロセッサとしてのＣＰＵ（Ｃｅｎｔｒａｌ　Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ　Ｕｎｉｔ）８０１や、非一時的な記憶媒体としての記憶装置８０２等を備えている。制御モジュール８００は、記憶装置８０２に記憶されたプログラムの指令に基づいて、プロセッサとしてのＣＰＵ８０１が作動することで、めっきモジュール４００の動作を制御する。
　ところで、めっき槽１０のめっき液Ｐｓに気泡Ｂｕが発生することがある。具体的には、例えばめっき槽１０にめっき液Ｐｓを供給する際に、空気がめっき液Ｐｓとともにめっき槽１０に流入した場合に、この空気が気泡Ｂｕになるおそれがある。
　上述したように、めっき槽１０のめっき液Ｐｓに気泡Ｂｕが発生した場合に、この気泡Ｂｕがイオン抵抗体１２の孔１２ａに付着する場合がある。仮に、気泡Ｂｕが孔１２ａに多量に付着した状態で、基板Ｗｆにめっき処理を施した場合、この気泡Ｂｕに起因して、基板Ｗｆのめっき品質が悪化するおそれがある。そこで、本実施形態では、この問題に対処するために、以下に説明する技術を用いている。
　図６は、本実施形態に係るめっき方法を説明するためのフロー図の一例である。本実施形態に係るめっき方法は、ステップＳ１０～ステップＳ６０を含んでいる。なお、本実施形態に係るめっき方法は、制御モジュール８００が自動的に実行してもよい。また、本実施形態に係るステップＳ１０の実行開始前において、めっき槽１０の内部にめっき液Ｐｓは貯留されていないものとする、又は、めっき槽１０の内部にめっき液Ｐｓが貯留されている場合であっても、このめっき槽１０のめっき液Ｐｓの液面はイオン抵抗体１２よりも下方に位置しているものとする。
　ステップＳ１０においては、めっき槽１０にめっき液Ｐｓを供給することで、アノード１１及びイオン抵抗体１２をめっき液Ｐｓに浸漬させる。具体的には、本実施形態では、供給口１３からめっき液Ｐｓをめっき槽１０に供給して、アノード１１及びイオン抵抗体１２をめっき液Ｐｓに浸漬させる。
　なお、ステップＳ１０において、前述したレベルセンサ６０ａの検出結果に基づいて、めっき液Ｐｓの液面の位置を取得し、この取得されためっき液Ｐｓの液面の位置がアノード１１及びイオン抵抗体１２よりも上方の所定位置になったと判断されるまで、めっき液Ｐｓをめっき槽１０に供給してもよい。
　あるいは、ステップＳ１０において、前述した流量センサ６０ｂの検出結果に基づいて、めっき槽１０からオーバーフローしためっき液Ｐｓの流量を取得し、この取得された流量がゼロよりも大きい所定流量になったと判断されるまで、めっき液Ｐｓをめっき槽１０に供給してもよい。この場合においても、めっき槽１０のめっき液Ｐｓの液面をアノード１１及びイオン抵抗体１２よりも上方に位置させて、アノード１１及びイオン抵抗体１２をめっき液Ｐｓに浸漬させることができる。
　ステップＳ１０の後に、ステップＳ２０が実行される。具体的には、ステップＳ１０に係るめっき槽１０へのめっき液Ｐｓの供給開始後であって、めっき槽１０のめっき液Ｐｓの液面がパドル７０によってめっき液Ｐｓを撹拌できるような位置になっている場合（例えば、めっき液Ｐｓの液面がパドル７０よりも上方に位置している場合）に、ステップＳ２０が実行される。
　ステップＳ２０においては、イオン抵抗体１２よりも上方且つ基板Ｗｆよりも下方に配置されたパドル７０を駆動することで、パドル７０によってめっき液Ｐｓを撹拌する。すなわち、ステップＳ２０において、パドル７０によるめっき液Ｐｓの撹拌を開始させる。具体的には、本実施形態では、パドル７０を、第１方向及び第２方向に交互に駆動することで、めっき液Ｐｓを撹拌する。
　本実施形態によれば、例えば、めっき槽１０へのめっき液Ｐｓの供給時にめっき液Ｐｓに含まれる気泡Ｂｕがイオン抵抗体１２の孔１２ａに付着した場合であっても、ステップＳ２０に係るパドル７０によるめっき液Ｐｓの撹拌によって、気泡Ｂｕの上方への移動を促進させることができる。これにより、イオン抵抗体１２の孔１２ａに付着した気泡Ｂｕを除去することができる。
　なお、イオン抵抗体１２の下面側から複数の孔１２ａを通過してイオン抵抗体１２の上面側に向かって流動するめっき液Ｐｓの流量（Ｌ／ｍｉｎ）が多い方が、イオン抵抗体１２の孔１２ａに付着した気泡Ｂｕを効果的に除去することができる点において、好ましい。
　そこで、例えば、ステップＳ２０におけるイオン抵抗体１２の下面側から複数の孔１２ａを通過してイオン抵抗体１２の上面側に向かって流動するめっき液Ｐｓの流量を、後述するステップＳ６０におけるイオン抵抗体１２の下面側から複数の孔１２ａを通過してイオン抵抗体１２の上面側に向かって流動するめっき液Ｐｓの流量よりも多くすることが好ましい。この構成によれば、イオン抵抗体１２の孔１２ａに付着した気泡Ｂｕを効果的に除去することができる。
　なお、例えば、ポンプ８１（これは、リザーバータンク８０のめっき液Ｐｓをめっき槽１０に向けて圧送するためのポンプである）の回転数を上昇させることで、リザーバータンク８０とめっき槽１０との間を循環するめっき液Ｐｓの循環流量を多くすることができる。これにより、めっき槽１０の内部を流動するめっき液Ｐｓの流量を多くすることができるので、イオン抵抗体１２の下面側から複数の孔１２ａを通過してイオン抵抗体１２の上面側に向かって流動するめっき液Ｐｓの流量を多くすることができる。
　すなわち、本実施形態において、ステップＳ２０におけるめっき液Ｐｓの循環流量（Ｌ／ｍｉｎ）は、ステップＳ６０におけるめっき液Ｐｓの循環流量（これを「基準流量（Ｌ／ｍｉｎ）」と称する）よりも多いことが好ましい。これにより、ステップＳ２０におけるイオン抵抗体１２の下面側から複数の孔１２ａを通過してイオン抵抗体１２の上面側に向かって流動するめっき液Ｐｓの流量は、ステップＳ６０におけるイオン抵抗体１２の下面側から複数の孔１２ａを通過してイオン抵抗体１２の上面側に向かって流動するめっき液Ｐｓの流量よりも多くなる。この結果、イオン抵抗体１２の孔１２ａに付着した気泡Ｂｕを効果的に除去することができる。
　ステップＳ２０の後に、ステップＳ３０が実行される。ステップＳ３０においては、パドル７０の駆動を停止させて、パドル７０によるめっき液Ｐｓの撹拌を停止させる。
　なお、ステップＳ２０でパドル７０による撹拌が開始してからステップＳ３０でパドル７０による撹拌が停止するまでの時間（すなわち、パドル７０による撹拌時間）の具体例は、特に限定されるものではないが、例えば、２秒以上１０秒以下の中から選択された所定時間を用いることができる。このように、本実施形態によれば、パドル７０によってめっき液Ｐｓを短時間撹拌するだけで、イオン抵抗体１２の孔１２ａに付着した気泡Ｂｕを除去することができる。
　ステップＳ３０の後に、ステップＳ４０が実行される。ステップＳ４０においては、パドル７０によるめっき液Ｐｓの撹拌が停止した状態で、基板Ｗｆをめっき液Ｐｓに浸漬させる。具体的には、本実施形態においては、昇降機構５０が基板ホルダ３０を下降させることで、基板Ｗｆの少なくとも被めっき面Ｗｆａをめっき液Ｐｓに浸漬させる。
　本実施形態のように、ステップＳ３０においてパドル７０によるめっき液Ｐｓの撹拌が停止した状態で、ステップＳ４０において基板Ｗｆがめっき液Ｐｓに浸漬されるので、基板Ｗｆのめっき液Ｐｓへの浸漬時に、パドル７０によるめっき液Ｐｓの撹拌に起因してめっき液Ｐｓの液面が波打つことを抑制できる。これにより、基板Ｗｆのめっき液Ｐｓへの浸漬時に基板Ｗｆの被めっき面Ｗｆａに気泡Ｂｕが多量に付着することを抑制することができる。
　なお、ステップＳ４０において、傾斜機構４５によって基板Ｗｆの被めっき面Ｗｆａが水平方向に対して傾斜するように（すなわち、被めっき面Ｗｆａが水平面に対して傾斜するように）、基板ホルダ３０を傾斜させた状態で、基板Ｗｆの被めっき面Ｗｆａをめっき液Ｐｓに接液させてもよい。この構成によれば、基板Ｗｆの被めっき面Ｗｆａが水平方向の状態で被めっき面Ｗｆａがめっき液Ｐｓに接液する場合に比較して、被めっき面Ｗｆａに気泡Ｂｕが付着することを効果的に抑制することができる。
　ステップＳ４０の後に、ステップＳ５０が実行される。ステップＳ５０においては、基板Ｗｆがめっき液Ｐｓに浸漬された状態で、パドル７０によるめっき液Ｐｓの撹拌を再開させる。具体的には、本実施形態では、基板Ｗｆがめっき液Ｐｓに浸漬された状態で、イオン抵抗体１２よりも上方且つ基板Ｗｆよりも下方に配置されたパドル７０を第１方向及び第２方向に交互に駆動することで、パドル７０によるめっき液Ｐｓの撹拌を再開させる。
　このように、基板Ｗｆがめっき液Ｐｓに浸漬された状態でパドル７０によるめっき液Ｐｓの撹拌が再開されることで、基板Ｗｆの被めっき面Ｗｆａにめっき液Ｐｓを効果的に供給することができる。これにより、例えば、基板Ｗｆの被めっき面Ｗｆａの配線パターンの内部に残存したプリウェット処理液を、めっき液Ｐｓで効果的に置換することができる。
　また、前述したように、ステップＳ４０において、基板Ｗｆの被めっき面Ｗｆａを傾斜させた状態で被めっき面Ｗｆａをめっき液Ｐｓに接液させる場合、ステップＳ５０に係るパドル７０によるめっき液Ｐｓの撹拌の再開は、めっき液Ｐｓに浸漬された状態の基板Ｗｆの被めっき面Ｗｆａを水平方向に戻した後に、実行されることが好ましい。すなわち、この場合、ステップＳ４０において基板Ｗｆの被めっき面Ｗｆａを傾斜させた状態で被めっき面Ｗｆａをめっき液Ｐｓに接液し、次いで、基板Ｗｆの被めっき面Ｗｆａを水平方向に戻し（これを「ステップＳ４５」と称する）、次いで、ステップＳ５０に係るパドル７０によるめっき液Ｐｓの撹拌を開始する。
　ここで、仮に、基板Ｗｆの被めっき面Ｗｆａが水平方向に対して傾斜した状態でパドル７０によるめっき液Ｐｓの撹拌が再開される場合、傾斜した状態の基板Ｗｆの被めっき面Ｗｆａの上端（被めっき面Ｗｆａの外縁の上端）がめっき液Ｐｓの液面に近くなるため、パドル７０によるめっき液Ｐｓの撹拌の再開によってめっき液Ｐｓの液面が波打ったときに、基板Ｗｆの被めっき面Ｗｆａに気泡Ｂｕが巻き込まれ易くなるおそれがある。これに対して、この構成によれば、めっき液Ｐｓに浸漬された状態の基板Ｗｆの被めっき面Ｗｆａを水平方向に戻した後にパドル７０によるめっき液Ｐｓの撹拌が再開されるので、仮にパドル７０によるめっき液Ｐｓの撹拌の再開によってめっき液Ｐｓの液面が波打った場合であっても、基板Ｗｆの被めっき面Ｗｆａに気泡Ｂｕが巻き込まれることを効果的に抑制することができる。
　ステップＳ５０の後に、ステップＳ６０が実行される。ステップＳ６０においては、パドル７０によるめっき液Ｐｓの撹拌が再開した状態で（すなわち、パドル７０によってめっき液Ｐｓを撹拌した状態で）、基板Ｗｆとアノード１１との間に電気を流すことで、基板Ｗｆの被めっき面Ｗｆａにめっき処理を施す。これにより、被めっき面Ｗｆａに、金属からなるめっき皮膜が形成される。
　ステップＳ６０のように、基板Ｗｆへのめっき処理時にパドル７０によるめっき液Ｐｓの撹拌が行われることで、めっき処理時にめっき液Ｐｓを基板Ｗｆの被めっき面Ｗｆａに効果的に供給することができる。これにより、基板Ｗｆにめっき皮膜を効果的に形成させることができる。
　なお、ステップＳ５０に係るパドル７０によるめっき液Ｐｓの撹拌の再開と同時に、ステップＳ６０に係る基板Ｗｆへのめっき処理を開始してもよい。あるいは、ステップＳ５０に係るめっき液Ｐｓの撹拌の再開から、所定時間経過後に、ステップＳ６０に係る基板Ｗｆへのめっき処理を開始してもよい。この所定時間の具体的な値は、特に限定されるものではないが、例えば、基板Ｗｆの被めっき面Ｗｆａに形成された配線パターンのビアやスルーホール等にめっき液Ｐｓを行き渡らせるのに十分な時間を用いることが好ましい。このような所定時間の一例を挙げると、例えば３０秒以上、６０秒以下の中から選択された時間を用いることができる。
　なお、ステップＳ６０において、回転機構４０は、基板ホルダ３０を回転させてもよい。また、ステップＳ６０において、傾斜機構４５は、基板Ｗｆの被めっき面Ｗｆａが水平方向に対して傾斜するように基板ホルダ３０を傾斜させてもよい。
　また、ステップＳ２０におけるパドル７０の往復移動速度（第１の往復移動速度）と、ステップＳ５０及びステップＳ６０におけるパドル７０の往復移動速度（第２の往復移動速度）とは、同じ値であってもよく、異なる値であってもよい。ステップＳ２０におけるパドル７０の往復移動速度と、ステップＳ５０及びステップＳ６０におけるパドル７０の往復移動速度とが異なる場合、ステップＳ２０の場合の方がステップＳ５０及びステップＳ６０の場合よりも速くてもよく、あるいは、遅くてもよい。
　但し、パドル７０に往復移動速度が速いほど、気泡Ｂｕの除去効果が高くなる傾向がある。また、一般に、ステップＳ２０の実行開始前の場合の方が、ステップＳ５０の実行開始前の場合よりも、イオン抵抗体１２の孔１２ａに付着している気泡Ｂｕの量が多いと考えられる。そこで、イオン抵抗体１２の孔１２ａに付着した気泡Ｂｕを効果的に除去するという観点においては、ステップＳ２０におけるパドル７０の移動速度を、ステップＳ５０及びステップＳ６０におけるパドル７０の往復移動速度よりも速くすることが好ましい。
　ステップＳ２０、ステップＳ５０、及び、ステップＳ６０におけるパドル７０の往復移動速度の具体的な数値は特に限定されるものではないが、一例を挙げると、２５（ｒｐｍ）以上、４００（ｒｐｍ）以下の範囲から選択された値を用いることができ、具体的には、１００（ｒｐｍ）以上、３００（ｒｐｍ）以下の範囲から選択された値を用いることができ、より具体的には、１５０（ｒｐｍ）以上、２５０（ｒｐｍ）以下の範囲から選択された値を用いることができる。ここで、「パドル７０の往復移動速度がＮ（ｒｐｍ）」とは、具体的には、パドル７０が１往復すること（すなわち、パドル７０が所定位置から出発して例えば第１方向に移動後に第２方向に移動して再び第１方向に移動して所定位置に戻るということ）を１分間にＮ回行う、ということを意味する。
　なお、図６に係るフローは、例えば、めっき装置１０００のメンテナンス時において新たなめっき液Ｐｓ（未使用のめっき液）をめっき槽１０に供給する際に、実行してもよい。あるいは、図６に係るフローは、例えば、めっき装置１０００の運転中において、何らかの原因で、めっき槽１０のめっき液Ｐｓの貯留量が減少して、めっき液Ｐｓの液面がイオン抵抗体１２よりも下方に位置したために、めっき槽１０にめっき液Ｐｓを補給する際に、実行してもよい。
　以上説明したような本実施形態によれば、イオン抵抗体１２の孔１２ａに付着した気泡Ｂｕを除去することができる。これにより、この付着した気泡Ｂｕに起因して、基板Ｗｆのめっき品質が悪化することを抑制することができる。
（変形例１）
　図７は、実施形態の変形例１に係るめっき方法を説明するためのフロー図の一例である。図７に例示するような、本変形例に係るめっき方法は、ステップＳ３０とステップＳ４０との間に、ステップＳ３５をさらに含んでいる点において、図６で説明しためっき方法と異なっている。
　ステップＳ３５においては、パドル７０によるめっき液Ｐｓの撹拌が停止された状態で、めっき槽１０からめっき液Ｐｓをオーバーフローさせる。
　具体的には、本変形例においては、供給口１３からめっき液Ｐｓを供給することで、めっき槽１０からめっき液Ｐｓをオーバーフローさせる。めっき槽１０からオーバーフローしためっき液Ｐｓはオーバーフロー槽２０に流入する。なお、ステップＳ３５は、予め設定された所定時間の間、実行されればよい。この所定時間の具体例は、特に限定されるものではないが、例えば、２秒以上１２０秒以下の中から選択された時間を用いることができる。
　本変形例によれば、ステップＳ３５が実行されるので、イオン抵抗体１２よりも上方に浮上した気泡Ｂｕを、めっき槽１０からオーバーフローするめっき液Ｐｓとともにめっき槽１０の外部に排出させることができる。これにより、ステップＳ４０において基板Ｗｆがめっき液Ｐｓに浸漬される際に、基板Ｗｆに気泡Ｂｕが付着することを効果的に抑制することができる。
　なお、このステップＳ３５においてめっき槽１０に供給されるめっき液Ｐｓの流量は、ステップＳ６０に係るめっき処理の実行中にめっき槽１０に供給されるめっき液Ｐｓの流量である「基準流量（Ｌ／ｍｉｎ）」よりも、多くてもよく、少なくてもよく、あるいは、同じであってもよい。
　但し、ステップＳ３５でめっき槽１０に供給されるめっき液Ｐｓの流量が基準流量よりも多い場合の方が、そうでない場合に比較して、ステップＳ３５においてめっき槽１０のめっき液Ｐｓの気泡Ｂｕを早期にめっき槽１０の外部に排出させることができる点で好ましい。
（変形例２）
　図８は、実施形態の変形例２に係るめっき方法を説明するためのフロー図の一例である。図８のフローは、前述した図６のステップＳ６０の実行後に実行される。本変形例に係るめっき方法は、ステップＳ６０の実行後に、ステップＳ７０、ステップＳ８０、ステップＳ９０、ステップＳ１００、ステップＳ１１０、及び、ステップＳ１２０をさらに実行する点において、図６で前述しためっき方法と異なっている。
　ステップＳ７０においては、基板Ｗｆにめっき処理を施した後に、基板Ｗｆをめっき液Ｐｓから引き上げる。具体的には、本変形例においては、昇降機構５０によって、基板ホルダ３０を上方に移動させて、基板Ｗｆをめっき液Ｐｓから引き上げる。
　次いで、ステップＳ８０において、基板Ｗｆがめっき液Ｐｓから引き上げられた状態で、イオン抵抗体１２よりも上方に配置されたパドル７０を駆動することで、めっき液Ｐｓを撹拌する。なお、ステップＳ８０に係るパドル７０の駆動態様は、前述したステップＳ２０に係るパドル７０の駆動態様と同様であるため、ステップＳ８０の詳細な説明は省略する。
　本変形例によれば、後述する第２の基板Ｗｆ´がめっき液Ｐｓに浸漬される前の状態において、仮に、めっき液Ｐｓに含まれる気泡Ｂｕがイオン抵抗体１２の孔１２ａに付着した場合であっても、ステップＳ８０に係るパドル７０によるめっき液Ｐｓの撹拌によって、気泡Ｂｕの上方への移動を促進させることができる。これにより、イオン抵抗体１２の孔１２ａに付着した気泡Ｂｕを除去することができる。
　次いで、ステップＳ９０において、パドル７０によるめっき液Ｐｓの撹拌を停止させる。次いで、ステップＳ１００において、パドル７０によるめっき液Ｐｓの撹拌が停止した状態で、「第２の基板Ｗｆ´」をめっき液Ｐｓに浸漬させる。なお、この第２の基板Ｗｆ´は、ステップＳ６０でめっき処理が施された基板Ｗｆの次にめっき処理が施される基板である。本変形例において、第２の基板Ｗｆ´の具体的な構成は、基板Ｗｆと同様である。また、ステップＳ１００は、基板Ｗｆに代えて第２の基板Ｗｆ´を用いている点以外、前述したステップＳ４０と同様である。このため、ステップＳ１００の詳細な説明は省略する。
　本変形例によれば、ステップＳ１００においてパドル７０によるめっき液Ｐｓの撹拌が停止した状態で第２の基板Ｗｆ´がめっき液Ｐｓに浸漬されるので、第２の基板Ｗｆ´のめっき液Ｐｓへの浸漬時に、めっき液Ｐｓの液面が波打つことを抑制できる。これにより、第２の基板Ｗｆ´の被めっき面Ｗｆａに気泡Ｂｕが多量に付着することを抑制することができる。
　次いで、ステップＳ１１０において、第２の基板Ｗｆ´がめっき液Ｐｓに浸漬された状態で、パドル７０によるめっき液Ｐｓの撹拌を再開させる。具体的には、イオン抵抗体１２よりも上方且つ第２の基板Ｗｆ´よりも下方に配置されたパドル７０を第１方向及び第２方向に交互に駆動することで、パドル７０によるめっき液Ｐｓの撹拌を再開させる。なお、ステップＳ１１０は、基板Ｗｆに代えて第２の基板Ｗｆ´を用いている点以外、前述したステップＳ５０と同様である。このため、ステップＳ１１０の詳細な説明は省略する。
　次いで、ステップＳ１２０において、パドル７０によるめっき液Ｐｓの撹拌が再開した状態で、第２の基板Ｗｆ´とアノード１１との間に電気を流すことで、第２の基板Ｗｆ´の被めっき面Ｗｆａにめっき処理を施す。これにより、第２の基板Ｗｆ´の被めっき面Ｗｆａに、金属からなるめっき皮膜が形成される。なお、ステップＳ１２０は、基板Ｗｆに代えて第２の基板Ｗｆ´を用いている点以外、前述したステップＳ６０と同様である。このため、ステップＳ１２０の詳細な説明は省略する。ステップＳ１２０のように、第２の基板Ｗｆ´へのめっき処理時にパドル７０によるめっき液Ｐｓの撹拌が行われることで、めっき処理時にめっき液Ｐｓを第２の基板Ｗｆ´の被めっき面Ｗｆａに効果的に供給することができる。これにより、第２の基板Ｗｆ´にめっき皮膜を効果的に形成させることができる。
　なお、第２の基板Ｗｆ´にめっき処理を施した後に、第３の基板にめっき処理を施す場合には、この第３の基板に対して、再び図８のフローと同様のフローを実行すればよい。
　また、本変形例において、ステップＳ９０とステップＳ１００との間に、前述した図７のステップＳ３５を実行してもよい。この場合、前述した変形例１に係る発明の作用効果をさらに奏することができる。
（変形例３）
　図９は、実施形態の変形例３に係るパドル７０Ａの模式的な平面図である。本変形例に係るパドル７０Ａは、「複数の撹拌部材７１ａ（すなわち、第１の撹拌部材群）」の他に、撹拌部材７１ａに比較して延在方向の長さの短い「複数の撹拌部材７１ｂ，７１ｃ，７１ｄ，７１ｅ（すなわち、第２の撹拌部材群）」をさらに備えている点において、前述した図５に例示するパドル７０と異なっている。
　具体的には、本変形例に係るパドル７０Ａは、複数の撹拌部材７１ａの第１方向の側及び第２方向の側に、それぞれ、撹拌部材７１ｂ，７１ｃ，７１ｄ，７１ｅを備えている。
　なお、図９に例示するように、撹拌部材７１ｂ，７１ｃ，７１ｄ，７１ｅは、撹拌部材７１ａから離れるほど、その延在方向の長さが短くなっていてもよい。また、撹拌部材７１ｂ，７１ｃ，７１ｄ，７１ｅの一端は、連結部材７２ｃに連結されていてもよく、その他端は、連結部材７２ｄに連結されていてもよい。
　本変形例によれば、パドル７０Ａが撹拌部材７１ｂ，７１ｃ，７１ｄ，７１ｅを備えているので、例えば、図５のパドル７０に比較して、パドル７０Ａが一定距離移動したときのパドル７０Ａが撹拌可能なエリアを広くすることができる。
　なお、本変形例に係るパドル７０Ａを有するめっき装置１０００は、前述した図６で説明したフローを実行する。また、前述した変形例１や変形例２において、パドル７０に代えて、本変形例に係るパドル７０Ａを用いてもよい。
（変形例４）
　図１０は、実施形態の変形例４に係るパドル７０Ｂの模式的な平面図である。本変形例に係るパドル７０Ｂは、所定方向に延在する複数の撹拌部材７１ｆと、各々の撹拌部材７１ｆの両端を連結する連結部材７２ｅと、を備え、連結部材７２ｅが平面視でリング形状を有する点において、図５に例示するパドル７０と異なっている。
　また、本変形例に係るパドル７０Ｂは、駆動装置７７ａ及び駆動装置７７ｂによって、水平面内で回転するように駆動される点においても、図５に例示するパドル７０と異なっている。具体的には、駆動装置７７ａは、パドル７０Ｂの連結部材７２ｅをＹ方向及び－Ｙ方向に交互に駆動する。駆動装置７７ｂは、連結部材７２ｅを－Ｙ方向及びＹ方向に交互に駆動する。これにより、パドル７０Ｂは、リング形状の連結部材７２ｅの中心を回転中心として、水平面内で、第１回転方向（例えば平面視で時計回りの方向）、及び、第１回転方向とは反対の第２回転方向（例えば平面視で反時計回りの方向）に、交互に回転する。
　本変形例においても、パドル７０Ｂによってめっき液Ｐｓを撹拌することができるので、イオン抵抗体１２の孔１２ａに付着した気泡Ｂｕを除去することができる。
　なお、本変形例に係るパドル７０Ｂを有するめっき装置１０００は、前述した図６で説明したフローを実行する。また、前述した変形例１や変形例２において、パドル７０に代えて、本変形例に係るパドル７０Ｂを用いてもよい。
（変形例５）
　図１１は、実施形態の変形例５に係るパドル７０Ｃの模式的な平面図である。本変形例に係るパドル７０Ｃは、ハニカム構造を有する複数の撹拌部材７３を備えている点において、図５に例示するパドル７０と異なっている。また、本変形例に係るパドル７０Ｃは、図１１に例示するように、被覆枠７５と、外枠７６ａ，７６ｂと、をさらに備えていてもよい。
　各々の撹拌部材７３は、上下方向（鉛直方向）に延在する多角形の貫通孔７３ａを有している。貫通孔７３ａが有する多角形の具体的な形状は、特に限定されるものではなく、三角形、四角形、五角形、六角形、七角形、八角形等、種々のＮ角形（Ｎは３以上の自然数）を用いることができる。本変形例では、多角形の一例として、六角形が用いられている。
　また、複数の撹拌部材７３は、平面視で、四角形状を有する角形部位７４ａを有している。具体的には、本変形例に係る角形部位７４ａは、水平方向に延在するとともに第１方向及び第２方向に対して垂直な方向（Ｙ軸の方向）を長手方向とする、長方形の形状を有している。但し、この構成に限定されるものではなく、角形部位７４ａは、第１方向及び第２方向を長手方向とする長方形の形状を有していてもよく、あるいは、正方形の形状を有していてもよい。
　また、複数の撹拌部材７３は、角形部位７４ａにおける第１方向の側の側面から第１方向の側に突出する第１突出部位７４ｂと、角形部位７４ａにおける第２方向の側の側面から第２方向の側に突出する第２突出部位７４ｃと、を有している。すなわち、本変形例に係る複数の撹拌部材７３の外縁は、平面視で、角形部位７４ａと第１突出部位７４ｂと第２突出部位７４ｃとを有する外観形状を呈している。本変形例に係る第１突出部位７４ｂは、第１方向の側に円弧状（換言すると、弓状）に突出している。また、本変形例に係る第２突出部位７４ｃは、第２方向の側に円弧状（換言すると、弓状）に突出している。
　被覆枠７５は、複数の撹拌部材７３の外縁を覆うように設けられている。外枠７６ａは、被覆枠７５の一方の側（Ｙ方向の側）の側面に接続されている。外枠７６ｂは、被覆枠７５の他方の側（－Ｙ方向の側）の側面に接続されている。パドル７０Ｃは、駆動装置７７に接続されており、この駆動装置７７によって、第１方向及び第２方向に交互に駆動させられる。具体的には、本変形例に係るパドル７０Ｃは、パドル７０Ｃの外枠７６ｂが駆動装置７７に接続されている。
　本変形例においても、パドル７０Ｃによってめっき液Ｐｓを撹拌することができるので、イオン抵抗体１２の孔１２ａに付着した気泡Ｂｕを除去することができる。
　また、本変形例によれば、パドル７０Ｃがハニカム構造を有しているので、パドル７０Ｃがハニカム構造を有さずに、例えばパドル７０Ｃの駆動方向に垂直な方向に延在する棒状又は板状の部材によって構成されている場合（例えば、前述した図５のような場合）に比較して、複数の撹拌部材７３の配置密度を多くすることができる。これにより、パドル７０Ｃによって、めっき液Ｐｓを効果的に撹拌することができる。この結果、イオン抵抗体１２の孔１２ａに付着した気泡Ｂｕを効果的に除去することができる。
　また、本変形例によれば、パドル７０Ｃの複数の撹拌部材７３が、角形部位７４ａと第１突出部位７４ｂと第２突出部位７４ｃとを有しているので、例えば、複数の撹拌部材７３が、角形部位７４ａを有しているが第１突出部位７４ｂ及び第２突出部位７４ｃを有していない場合に比較して、パドル７０Ｃが一定距離移動したときのパドル７０Ｃが撹拌可能なエリアを広くすることができる。
　なお、第１突出部位７４ｂと第２突出部位７４ｃとの距離の最大値である「パドル幅Ｄ２」は、基板Ｗｆの被めっき面Ｗｆａの第１方向にある外縁と第２方向にある外縁との距離の最大値である「基板幅Ｄ１（この符号は図３に例示されている）」よりも大きくてもよく、小さくてもよい。あるいは、パドル幅Ｄ２は基板幅Ｄ１と同じ値であってもよい。
　但し、パドル幅Ｄ２が基板幅Ｄ１よりも小さい場合の方が、パドル幅Ｄ２が基板幅Ｄ１と同じ場合又は基板幅Ｄ１よりも大きい場合に比較して、パドル７０Ｃとめっき槽１０の外周壁１０ｂとの間の隙間を大きく確保することができる。この結果、めっき槽１０の内部におけるパドル７０Ｃの第１方向及び第２方向への移動距離（すなわち、パドル７０Ｃの往復移動時のストローク）を大きくすることができる。これにより、パドル７０Ｃによってめっき液Ｐｓを効果的に撹拌することができるので、イオン抵抗体１２の孔１２ａに付着した気泡Ｂｕを効果的に除去することができる。このような観点において、パドル幅Ｄ２は基板幅Ｄ１よりも小さいことが好ましい。
　なお、基板Ｗｆの被めっき面Ｗｆａが円形の場合、基板幅Ｄ１は、被めっき面Ｗｆａの直径に相当する。基板Ｗｆの被めっき面Ｗｆａが四角形の場合、基板幅Ｄ１は、被めっき面Ｗｆａの第１方向にある辺と、この辺に対向する辺（第２方向にある辺）と、の間隔の最大値に相当する。
　本変形例に係るパドル７０Ｃを有するめっき装置１０００は、前述した図６で説明したフローを実行する。但し、この構成に限定されるものではない。他の一例を挙げると、本変形例に係るめっき装置１０００は、パドル７０Ｃによるめっき液Ｐｓの撹拌を、めっき槽１０へのめっき液Ｐｓの供給時（ステップＳ１０、ステップＳ２０）、及び、基板Ｗｆへのめっき処理時（ステップＳ５０、ステップＳ６０）のいずれか一方の場合にのみ、実行してもよい。また、前述した変形例１（図７）や変形例２（図８）において、パドル７０に代えて、本変形例に係るパドル７０Ｃを用いてもよい。
　以上、本発明の実施形態や変形例について詳述したが、本発明はかかる特定の実施形態や変形例に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された本発明の範囲内において、さらなる種々の変形・変更が可能である。
　１０　めっき槽
　１１　アノード
　１２　イオン抵抗体
　１２ａ　孔
　３０　基板ホルダ
　７０，７０Ａ，７０Ｂ，７０Ｃ　パドル
　７３　撹拌部材
　７３ａ　貫通孔
　７４ａ　角形部位
　７４ｂ　第１突出部位
　７４ｃ　第２突出部位
　１０００　めっき装置
　Ｗｆ　基板
　Ｐｓ　めっき液
　Ｂｕ　気泡

Claims (11)

  1. 　アノードと、前記アノードよりも上方に配置されて、複数の孔を有するイオン抵抗体と、が配置されためっき槽に、めっき液を供給して、前記アノード及び前記イオン抵抗体をめっき液に浸漬させること、
    　前記アノード及び前記イオン抵抗体がめっき液に浸漬された状態で、前記イオン抵抗体よりも上方に配置されたパドルを駆動することでめっき液を撹拌すること、
    　前記パドルによるめっき液の撹拌が停止された状態で、カソードとしての基板をめっき液に浸漬させること、
    　前記基板がめっき液に浸漬された状態で、前記イオン抵抗体よりも上方且つ前記基板よりも下方に配置された前記パドルによるめっき液の撹拌を再開させること、及び、
    　前記パドルによるめっき液の撹拌が再開された状態で、前記基板と前記アノードとの間に電気を流すことで、前記基板にめっき処理を施すこと、を含む、めっき方法。
  2. 　前記パドルによるめっき液の撹拌が停止された状態で、前記めっき槽からめっき液をオーバーフローさせることを、さらに含み、
    　前記パドルによるめっき液の撹拌が停止された状態で前記基板をめっき液に浸漬させることは、前記めっき槽からめっき液をオーバーフローさせた後に実行される、請求項１に記載のめっき方法。
  3. 　前記基板にめっき処理を施した後に、前記基板をめっき液から引き上げること、
    　前記基板がめっき液から引き上げられた状態で、前記イオン抵抗体よりも上方に配置された前記パドルを駆動することでめっき液を撹拌すること、
    　前記パドルによるめっき液の撹拌が停止された状態で、第２の基板をめっき液に浸漬させること、
    　前記第２の基板がめっき液に浸漬された状態で、前記イオン抵抗体よりも上方且つ前記第２の基板よりも下方に配置された前記パドルによるめっき液の撹拌を再開させること、及び、
    　前記パドルによるめっき液の撹拌が再開された状態で、前記第２の基板と前記アノードとの間に電気を流すことで、前記第２の基板にめっき処理を施すこと、をさらに含む、請求項１又は２に記載のめっき方法。
  4. 　前記パドルによるめっき液の撹拌が停止された状態で前記基板をめっき液に浸漬させることは、前記パドルによるめっき液の撹拌が停止された状態で、且つ、前記基板の被めっき面を水平方向に対して傾斜させた状態で、前記基板をめっき液に浸漬させることを含む、請求項１～３のいずれか１項に記載のめっき方法。
  5. 　前記めっき液に浸漬された状態の前記基板の被めっき面を水平方向に戻すこと、をさらに含み、
    　前記基板がめっき液に浸漬された状態で前記パドルによるめっき液の撹拌を再開させることは、前記めっき液に浸漬された状態の前記基板の被めっき面を水平方向に戻した後に、実行される、請求項４に記載のめっき方法。
  6. 　前記アノード及び前記イオン抵抗体がめっき液に浸漬された状態で前記パドルを駆動することでめっき液を撹拌する際における、前記イオン抵抗体の下面側から前記複数の孔を通過して前記イオン抵抗体の上面側に向かって流動するめっき液の流量は、前記基板にめっき処理を施す際における前記めっき液の流量よりも多い、請求項１に記載のめっき方法。
  7. 　前記パドルは、前記イオン抵抗体の上面に平行な第１方向及び前記第１方向とは反対の第２方向に交互に駆動されて、めっき液を撹拌する、請求項１～６のいずれか１項に記載のめっき方法。
  8. 　前記パドルは、上下方向に延在する多角形の貫通孔を有する撹拌部材を複数備える、ハニカム構造を有し、
    　複数の前記撹拌部材は、平面視で、四角形状の角形部位と、前記角形部位における前記第１方向の側の側面から前記第１方向の側に円弧状に突出する第１突出部位と、前記角形部位の前記第２方向の側の側面から前記第２方向の側に円弧状に突出する第２突出部位と、を有する、請求項７に記載のめっき方法。
  9. 　前記第１突出部位と前記第２突出部位との距離の最大値であるパドル幅は、めっき処理が施される前記基板の被めっき面の前記第１方向にある外縁と前記第２方向にある外縁との距離の最大値である基板幅よりも小さい、請求項８に記載のめっき方法。
  10. 　アノードと、前記アノードよりも上方に配置されて、複数の孔を有するイオン抵抗体と、が配置されためっき槽と、
    　カソードしての基板を保持する基板ホルダと、
    　前記イオン抵抗体よりも上方且つ前記基板よりも下方に配置されるとともに、前記イオン抵抗体の上面に平行な第１方向及び前記第１方向とは反対の第２方向に交互に駆動されて、前記めっき槽に貯留されためっき液を撹拌するように構成されたパドルと、を備え、
    　前記パドルは、上下方向に延在する多角形の貫通孔を有する撹拌部材を複数備える、ハニカム構造を有し、
    　複数の前記撹拌部材は、平面視で、四角形状の角形部位と、前記角形部位における前記第１方向の側の側面から前記第１方向の側に円弧状に突出する第１突出部位と、前記角形部位の前記第２方向の側の側面から前記第２方向の側に円弧状に突出する第２突出部位と、を有する、めっき装置。
  11. 　前記第１突出部位と前記第２突出部位との距離の最大値であるパドル幅は、めっき処理が施される前記基板の被めっき面の前記第１方向にある外縁と前記第２方向にある外縁との距離の最大値である基板幅よりも小さい、請求項１０に記載のめっき装置。
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